JP2010056190A - Light-emitting element - Google Patents

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Takeshi Ikeda
武史 池田
Takeshi Arai
猛 新井
Takeshi Tominaga
剛 富永
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element excellent in high luminous efficiency and durability. <P>SOLUTION: The light-emitting element at least includes a luminous layer between an anode and a cathode, emits light by electric energy, and includes a pyrene compound expressed by a general formula (1) and a pyrene compound having a specific structure. R<SP>1</SP>to R<SP>18</SP>may be the same or different from one another; and selection is performed from among hydrogen, an alkyl group, a cyclo alkyl group, a heterocycle group, an alkenyl group, a cyclo alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an arylether group, an arylthioether group, an aryl group, a hetero aryl group, halogen, an amino group, a cyano group, a silyl group and -P(=O)-R<SP>19</SP>R<SP>20</SP>, and ring structures formed with adjacent substituent groups. For R<SP>19</SP>and R<SP>20</SP>, selection is performed from the aryl group and the hetero aryl group. N-pieces of R<SP>1</SP>to R<SP>10</SP>and one of R<SP>11</SP>to R<SP>18</SP>are used for a single bond where n is an integer among 1 to 4. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、蛍光色素や電荷輸送剤として有用なピレン化合物およびこれを用いた発光素子であって、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能な発光素子に関するものである。   The present invention relates to a pyrene compound useful as a fluorescent dye or a charge transport agent and a light emitting device using the same, and includes a display device, a flat panel display, a backlight, illumination, an interior, a sign, a signboard, an electrophotographic machine, and an optical signal The present invention relates to a light-emitting element that can be used in a field such as a generator.

陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機発光体内で再結合する際に発光するという有機薄膜発光素子の研究が、近年活発に行われている。この発光素子は、薄型でかつ低駆動電圧下での高輝度発光と、発光材料を選ぶことによる多色発光が特徴であり、注目を集めている。   In recent years, research on organic thin-film light-emitting devices that emit light when electrons injected from a cathode and holes injected from an anode are recombined in an organic light-emitting body sandwiched between both electrodes has been actively conducted. This light-emitting element is characterized by thin light emission with high luminance under a low driving voltage and multicolor light emission by selecting a light-emitting material.

この研究は、コダック社のC.W.Tangらによって有機薄膜発光素子が高輝度に発光することが示されて以来、多くの研究機関が検討を行っている。コダック社の研究グループが提示した有機薄膜発光素子の代表的な構成は、ITOガラス基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であるトリス(8−キノリノラート)アルミニウム(III)、そして陰極としてMg:Agを順次設けたものであり、10V程度の駆動電圧で1,000cd/mの緑色発光が可能であった(非特許文献1参照)。 This study was conducted by C.D. W. Since Tang et al. Have shown that organic thin-film light-emitting elements emit light with high brightness, many research institutions have studied. The representative structure of the organic thin film light emitting device presented by the Kodak research group is a hole transporting diamine compound on an ITO glass substrate, tris (8-quinolinolato) aluminum (III) as a light emitting layer, and a cathode. mg: are those which sequentially provided Ag, it was capable of green light emission of 1,000 cd / m 2 at about 10V driving voltage (see non-Patent Document 1).

また、有機薄膜発光素子は、発光層に種々の蛍光材料を用いることにより、多様な発光色を得ることが可能であることから、ディスプレイなどへの実用化研究が盛んである。特に赤色、緑色、青色の三原色の発光材料の研究が最も活発であり、特性向上を目指して鋭意研究がなされている。   In addition, organic thin-film light-emitting elements can be obtained in various emission colors by using various fluorescent materials for the light-emitting layer, and therefore, researches for practical application to displays and the like are actively conducted. In particular, research on light emitting materials of the three primary colors of red, green, and blue is the most active, and intensive research has been conducted with the aim of improving characteristics.

有機薄膜発光素子における最大の課題の一つは、素子の耐久性と発光効率の向上である。高効率な発光素子を得る手段としては、ホスト材料にドーパント材料(蛍光材料)を数%ドーピングすることにより発光層を形成する方法が知られている(特許文献1参照)。ホスト材料には高いキャリア移動度、均一な成膜性などが要求され、ドーパント材料には高い蛍光量子収率、均一な分散性などが要求される。例えば、青色材料としては、スチリルアミン誘導体(特許文献2参照)やペリレン誘導体(特許文献3参照)、テトラフェニルピレン化合物(特許文献4参照)やオリゴアリーレン誘導体(特許文献5参照)、嵩高い置換基を導入したピレン誘導体(特許文献6参照)を用いる技術が開示されている。緑色材料としては、スチルベン系化合物(特許文献7参照)、キノリン誘導体とキナクリドン化合物(特許文献8参照)、赤色材料としては、アミノスチリル化合物(特許文献9参照)、ペリノン誘導体とピロメテン化合物(特許文献10参照)、クマリン化合物とジシアノメチレンピラン化合物(特許文献11参照)などが公開されているが、充分な発光効率と耐久性を示すものは無かった。上記に限らず、発光材料を形成するホスト材料、ドーパント材料はそれぞれ数多くあり、これらを組み合わせるとその数は膨大になる。また一般的にはホスト材料からドーパント材料へのエネルギー移動のし易さの指針としては、ホスト材料の蛍光スペクトルおよびドーパント材料の吸収スペクトルの重なり度合いや分子間距離などが知られている(非特許文献2参照)が、全ての発光メカニズムが解明されているものでは無く、試行錯誤的な部分が多い。すなわちより良好な発光特性を有する発光素子を得るためには、例えば最適なホスト材料とドーパント材料のような、発光素子材料の組み合わせを発見することが非常に重要になる。
“Applied Physics Letters”,(米国), 1987年,51巻,12号,p.913−915 特許第2814435号公報 特開平5−17765号公報 特開2003−86380号公報 特開2001−118682号公報 特開2004−75567号公報 特開2002−63988号公報 特開平2−247278号公報 特開平3−255190号公報 特開2002−134276号公報 特開2001−223082号公報 特開平5−202356号公報 “有機EL素子とその工業化最前線”、エヌ・ティー・エス、1998年、p.66
One of the biggest problems in organic thin film light emitting devices is the improvement of the durability and luminous efficiency of the devices. As a means for obtaining a high-efficiency light-emitting element, a method is known in which a light-emitting layer is formed by doping a host material with a dopant material (fluorescent material) of several percent (see Patent Document 1). The host material is required to have high carrier mobility and uniform film formability, and the dopant material is required to have high fluorescence quantum yield and uniform dispersibility. Examples of blue materials include styrylamine derivatives (see Patent Document 2), perylene derivatives (see Patent Document 3), tetraphenylpyrene compounds (see Patent Document 4) and oligoarylene derivatives (see Patent Document 5), bulky substitutions A technique using a pyrene derivative having a group introduced therein (see Patent Document 6) is disclosed. Examples of green materials include stilbene compounds (see Patent Document 7), quinoline derivatives and quinacridone compounds (see Patent Document 8), and examples of red materials include aminostyryl compounds (see Patent Document 9), perinone derivatives and pyromethene compounds (Patent Documents). 10), a coumarin compound and a dicyanomethylenepyran compound (see Patent Document 11), etc. have been disclosed, but none showed sufficient luminous efficiency and durability. In addition to the above, there are a large number of host materials and dopant materials that form a light emitting material, and the number of these materials becomes enormous when they are combined. In general, the degree of overlap between the fluorescence spectrum of the host material and the absorption spectrum of the dopant material and the intermolecular distance are known as guidelines for the ease of energy transfer from the host material to the dopant material (non-patented). However, not all the light emission mechanisms have been elucidated, and there are many trial and error parts. That is, in order to obtain a light-emitting element having better light-emitting characteristics, it is very important to find a combination of light-emitting element materials such as an optimal host material and dopant material.
“Applied Physics Letters”, (USA), 1987, 51, 12, p. 913-915 Japanese Patent No. 2814435 JP-A-5-17765 JP 2003-86380 A JP 2001-118682 A JP 2004-75567 A JP 2002-63988 A JP-A-2-247278 JP-A-3-255190 JP 2002-134276 A Japanese Patent Laid-Open No. 2001-223082 JP-A-5-202356 “Organic EL elements and the forefront of industrialization”, NTS, 1998, p. 66

そこで本発明は、かかる従来技術の問題を解決し、高発光効率かつ耐久性に優れた発光素子を提供することを目的とするものである。   Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art and provide a light emitting device having high light emission efficiency and excellent durability.

陽極と陰極との間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は少なくとも、一般式(1)で表されるピレン化合物と一般式(2)で表されるピレン化合物とを含有することを特徴とする発光素子である。   An element that has at least a light emitting layer between an anode and a cathode and emits light by electric energy, and the element is represented by at least a pyrene compound represented by the general formula (1) and the general formula (2). A light-emitting element containing a pyrene compound.

Figure 2010056190
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(R〜R18はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基および−P(=O)−R1920、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。R19およびR20はアリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。nは1〜4の整数である。R〜R10のうちいずれかn個およびR11〜R18のうちいずれか1つは単結合に用いられる。 (R 1 to R 18 may be the same as or different from each other, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, an aryl group, selected from the cyclic structure formed between the heteroaryl group, halogen, an amino group, a cyano group, a silyl group, and -P (= O) -R 19 R 20, and adjacent substituents R 19 and R 20 are selected from an aryl group and a heteroaryl group, n is an integer of 1 to 4. Any one of R 1 to R 10 and any of R 11 to R 18 One is used for a single bond.

Figure 2010056190
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(R21〜R30はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基および−P(=O)−R3132、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。R31およびR32はアリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。ただしR21〜R30は、そのうちいずれか1つが下記一般式(3)で表される基であるか、またはそのうちいずれか1〜4つが下記一般式(4)で表される基である。Pは燐原子である。) (R 21 to R 30 may be the same as or different from each other, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl Selected from ring structures formed between thioether groups, aryl groups, heteroaryl groups, halogens, amino groups, cyano groups, silyl groups and —P (═O) —R 31 R 32 , and adjacent substituents R 31 and R 32 are selected from an aryl group and a heteroaryl group, provided that any one of R 21 to R 30 is a group represented by the following general formula (3), or Any one to four are groups represented by the following general formula (4). P is a phosphorus atom.)

Figure 2010056190
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(R33〜R41はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。Bはホウ素原子である。Xは、窒素原子または−CR42=のいずれかである。Cは炭素原子である。R42は水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。R42はR38と環構造を形成してもよい。Yは酸素原子、硫黄原子および−NR43−の中から選ばれた基である。Nは窒素原子である。R43は水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。R43はR41と環構造を形成してもよい。mは1から4の整数である。) (R 33 to R 41 may be the same as or different from each other, and may be hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl. A ring structure formed between a thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, an amino group, a cyano group, a silyl group, and an adjacent substituent, B is a boron atom, and X is Either a nitrogen atom or -CR 42 =, C is a carbon atom, R 42 is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio Group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group and amino group From a group selected .R 42 MAY form R 38 and ring structure .Y represents an oxygen atom, a sulfur atom and -NR 43 - In .N is a group selected from among a nitrogen atom R 43 is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group and amino And R 43 may form a ring structure with R 41. m is an integer of 1 to 4.)

本発明によれば高発光効率かつ耐久性に優れた発光素子が得られる。   According to the present invention, a light emitting device having high luminous efficiency and excellent durability can be obtained.

本発明の発光素子は、少なくとも陽極と陰極、およびそれら陽極と陰極の間に介在する発光素子材料からなる有機層とで構成されている。   The light emitting device of the present invention comprises at least an anode and a cathode, and an organic layer made of a light emitting device material interposed between the anode and the cathode.

本発明で用いられる陽極は、正孔を有機層に効率よく注入できる材料であれば特に限定されないが、比較的仕事関数の大きい材料を用いるのが好ましく、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛インジウム、酸化錫インジウム(ITO)などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性ポリマーなどが挙げられる。これらの陽極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。   The anode used in the present invention is not particularly limited as long as it can efficiently inject holes into the organic layer. However, it is preferable to use a material having a relatively large work function, for example, tin oxide, indium oxide, zinc oxide. Conductive metal oxides such as indium and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver and chromium, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole and polyaniline, etc. Is mentioned. These anode materials may be used alone, or a plurality of materials may be laminated or mixed.

陽極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよく、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、300Ω/□以下のITO基板であれば素子電極として機能するが、現在では10Ω/□程度の基板の供給も可能になっていることから、100Ω/□以下の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ITOの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられることが多い。   The resistance of the anode is sufficient if a current sufficient for light emission of the light emitting element can be supplied, and it is desirable that the resistance be low from the viewpoint of power consumption of the light emitting element. For example, an ITO substrate of 300Ω / □ or less will function as a device electrode, but since it is now possible to supply a substrate of about 10Ω / □, use a low-resistance product of 100Ω / □ or less. Is particularly desirable. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 100 to 300 nm.

また、発光素子の機械的強度を保つために、発光素子を基板上に形成することが好ましい。基板としては、ソーダガラスや無アルカリガラスなどのガラス基板が好適に用いられる。ガラス基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、0.5mm以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、SiOなどのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することもできる。さらに、陽極が安定に機能するのであれば、基板はガラスである必要はなく、例えば、プラスチック基板上に陽極を形成しても良い。ITO膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法および化学反応法など特に制限を受けるものではない。 In order to maintain the mechanical strength of the light emitting element, the light emitting element is preferably formed over a substrate. As the substrate, a glass substrate such as soda glass or non-alkali glass is preferably used. As the thickness of the glass substrate, it is sufficient that the thickness is sufficient to maintain the mechanical strength. The glass material is preferably alkali-free glass because it is better to have less ions eluted from the glass, but soda lime glass with a barrier coat such as SiO 2 is also available on the market. it can. Furthermore, if the anode functions stably, the substrate does not have to be glass. For example, the anode may be formed on a plastic substrate. The ITO film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

本発明で用いられる陰極に用いられる材料としては、電子を有機層に効率良く注入できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムおよびこれらの合金などが挙げられる。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグネシウム(真空蒸着の膜厚計表示で1nm以下)をドーピングして安定性の高い陰極を使用する方法が好ましい例として挙げることができる。また、フッ化リチウムのような無機塩の使用も可能である。更に、陰極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例として挙げられる。これらの陰極の作製法は、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。陰極の厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常100〜300nmの間で用いられることが多い。   The material used for the cathode used in the present invention is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the organic layer, but generally platinum, gold, silver, copper, iron, tin, zinc, aluminum, indium, Examples thereof include chromium, lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, and alloys thereof. Lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective for increasing the electron injection efficiency and improving device characteristics. However, these low work function metals are generally unstable in the atmosphere. For example, the organic layer is doped with a small amount of lithium or magnesium (1 nm or less in the vacuum vapor deposition thickness gauge display) to be stable. A preferred example is a method using a high cathode. Also, an inorganic salt such as lithium fluoride can be used. Furthermore, for cathode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, and inorganic materials such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride Lamination of hydrocarbon polymer compounds and the like is a preferred example. The method for producing these cathodes is not particularly limited as long as conduction can be achieved, such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating, and coating. The thickness of the cathode can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 100 to 300 nm.

本発明の発光素子を構成する有機層は、少なくとも発光層から構成される。有機層の構成例としては、発光層のみからなる構成の他に、1)正孔輸送層/発光層/電子輸送層、2)発光層/電子輸送層、3)正孔輸送層/発光層などの積層構成が挙げられる。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。正孔輸送層および電子輸送層が複数層からなる場合、電極に接する側の層をそれぞれ正孔注入層および電子注入層と呼ぶことがあるが、以下の説明では正孔注入材料は正孔輸送材料に、電子注入材料は電子輸送材料にそれぞれ含まれる。   The organic layer constituting the light emitting device of the present invention is composed of at least a light emitting layer. As an example of the organic layer configuration, in addition to the configuration consisting of only the light emitting layer, 1) hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, 2) light emitting layer / electron transport layer, 3) hole transport layer / light emitting layer And the like. Moreover, each said layer may consist of a single layer, respectively, and may consist of multiple layers. When the hole transport layer and the electron transport layer are composed of a plurality of layers, the layers in contact with the electrode may be referred to as the hole injection layer and the electron injection layer, respectively. In the material, the electron injection material is included in the electron transport material.

正孔輸送層は、正孔輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。正孔輸送材料としては、例えば、4,4’−ビス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニル(フェニル)アミノ)トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、ビス(N−アリルカルバゾール)またはビス(N−アルキルカルバゾール)などのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。   The hole transport layer is formed by laminating and mixing one or more hole transport materials or a mixture of the hole transport material and the polymer binder. Examples of the hole transport material include 4,4′-bis (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl and 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenyl. Amino) biphenyl, triphenylamine derivatives such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenyl (phenyl) amino) triphenylamine, bis (N-allylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole) Biscarbazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, benzofuran derivatives and thiophene derivatives, heterocyclic compounds such as oxadiazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, polycarbonates having the above monomers in the side chain in polymer systems And styrene derivatives, polythiophene, polyaniline Polyfluorene, polyvinylcarbazole, polysilane, and the like are preferable, but there is no particular limitation as long as it is a compound that can form a thin film necessary for manufacturing a light-emitting element, can inject holes from the anode, and can further transport holes. .

本発明において、発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光材料(ホスト材料、ドーパント材料)により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。すなわち、本発明の発光素子では、各発光層において、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれでもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれでもよい。ドーパント材料の量は、多すぎると濃度消光現象が起きるため、ホスト材料に対して20重量%以下で用いることが好ましく、さらに好ましくは10重量%以下である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着しても良い。また蒸着法以外でも、トルエンやジクロロメタン、NMPなどの有機溶媒にホスト材料、ドーパント材料を混合溶解させた後に、インクジェット法などのウェットプロセスによって発光層を形成することもできる。   In the present invention, the light emitting layer may be either a single layer or a plurality of layers, each formed of a light emitting material (host material, dopant material), which may be a mixture of a host material and a dopant material, Either the material alone or the material may be used. That is, in the light emitting element of the present invention, only the host material or the dopant material may emit light in each light emitting layer, or both the host material and the dopant material may emit light. Each of the host material and the dopant material may be one kind or a plurality of combinations. The dopant material may be included in the entire host material or may be partially included. The dopant material may be laminated or dispersed. If the amount of the dopant material is too large, a concentration quenching phenomenon occurs, so that it is preferably used at 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less with respect to the host material. As a doping method, it can be formed by a co-evaporation method with a host material, but it may be pre-mixed with the host material and then simultaneously deposited. In addition to the vapor deposition method, after the host material and the dopant material are mixed and dissolved in an organic solvent such as toluene, dichloromethane, or NMP, the light emitting layer can be formed by a wet process such as an inkjet method.

本発明の一般式(1)で表されるピレン化合物および一般式(2)で示されるピレン化合物は発光素子材料として好適に用いられ、発光材料として特に好適に用いられる。また、本発明の一般式(1)で表されるピレン化合物はドーパント材料としても用いることができるが、ジベンゾフラニル基を置換することにより得られる高い正孔移動特性を考慮するとホスト材料として用いることが好ましい。また本発明の一般式(2)で示されるピレン化合物はホスト材料としても用いることができるが、その高い蛍光量子収率やスペクトル半値幅が狭いことを考慮するとドーパント材料として用いることが好ましい。本発明の一般式(1)で表されるピレン化合物および一般式(2)で示されるピレン化合物はどちらもピレン骨格を有することから、均一な発光層膜を形成しやすく、耐久性が向上する。またホスト材料からドーパント材料へのエネルギー移動効率が高くなるため、素子発光効率が高くなる。特に、電子供与性置換基であるジベンゾフラニル基を有する一般式(1)で表されるピレン化合物と電子受容性置換基を有する一般式(2)で表されるピレン化合物の相性は、種々あるホスト材料とドーパント材料の組み合わせの中でも特に好ましく、それぞれの材料を別のホストまたはドーパント材料と組み合わせた時よりも、優れた素子特性が得られる。   The pyrene compound represented by the general formula (1) and the pyrene compound represented by the general formula (2) of the present invention are preferably used as a light emitting device material and particularly preferably used as a light emitting material. Further, the pyrene compound represented by the general formula (1) of the present invention can be used as a dopant material, but is used as a host material in consideration of high hole transfer characteristics obtained by substituting a dibenzofuranyl group. It is preferable. Moreover, although the pyrene compound shown by General formula (2) of this invention can be used also as a host material, when it considers that the high fluorescence quantum yield and spectrum half value width are narrow, using as a dopant material is preferable. Since both the pyrene compound represented by the general formula (1) and the pyrene compound represented by the general formula (2) of the present invention have a pyrene skeleton, it is easy to form a uniform light emitting layer film and the durability is improved. . In addition, since the energy transfer efficiency from the host material to the dopant material is increased, the device luminous efficiency is increased. In particular, the compatibility of the pyrene compound represented by the general formula (1) having a dibenzofuranyl group which is an electron-donating substituent and the pyrene compound represented by the general formula (2) having an electron-accepting substituent is various. It is particularly preferable among combinations of a certain host material and a dopant material, and superior device characteristics can be obtained as compared with a case where each material is combined with another host or dopant material.

本発明で用いられるドーパント材料としては、前記一般式(2)で示されるピレン化合物一種のみに限る必要はなく、複数の一般式(2)で示されるピレン化合物を混合して用いたり、既知のドーパント材料の一種類以上を一般式(2)で示されるピレン化合物と混合して用いてもよい。具体的には従来から知られている、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデンなどのアリール環を有する化合物やその誘導体、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、9−シラフルオレン、9,9’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどのヘテロアリール環を有する化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、芳香族アセチレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ピロメテン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体などが挙げられるが、これに限定されるものではない。   The dopant material used in the present invention need not be limited to only one pyrene compound represented by the general formula (2), and a mixture of pyrene compounds represented by a plurality of general formulas (2) may be used. One or more dopant materials may be mixed with the pyrene compound represented by the general formula (2). Specifically, conventionally known compounds having an aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, triphenylene, perylene, fluorene, indene and derivatives thereof, furan, pyrrole, thiophene, silole, 9-silafluorene, Compounds having a heteroaryl ring such as 9,9′-spirobisilafluorene, benzothiophene, benzofuran, indole, dibenzothiophene, dibenzofuran, imidazopyridine, phenanthroline, pyrazine, naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, thioxanthene, and derivatives thereof; Distyrylbenzene derivative, aromatic acetylene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, pyromethene derivative, aldazine derivative, coumarin derivative, imidazole, thiazole, thiadi Tetrazole, carbazole, oxazole, oxadiazole, although such azole derivatives such as triazole, and metal complexes thereof and the like, but is not limited thereto.

本発明で用いられるホスト材料としては、前記一般式(1)で示されるピレン化合物一種のみに限る必要はなく、複数の一般式(1)で示されるピレン化合物を混合して用いたり既知のホスト材料の一種類以上を一般式(1)で示されるピレン化合物と混合して用いても良い。具体的には以前から発光体として知られていたアントラセンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルなどの芳香族アミン誘導体、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム(III)をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ピロロピロール誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体そして、ポリチオフェン誘導体が好適に用いられる。中でも、電子供与性置換基を有するアントラセン化合物をホスト材料として用いると、本発明の一般式(1)で示されるピレン化合物と組み合わせた際の耐久性向上効果が顕著になり、好ましい。具体的には、9−(4−(カルバゾール−N−イル)フェニル)−10−(4−メチルフェニル)アントラセンに代表されるカルバゾール基を有するアントラセン化合物が特に好ましいホストとして挙げられる。   The host material used in the present invention is not limited to one kind of pyrene compound represented by the general formula (1), and a plurality of pyrene compounds represented by the general formula (1) may be used in combination. One or more kinds of materials may be mixed with the pyrene compound represented by the general formula (1). Specifically, compounds having a condensed aryl ring, such as anthracene, which have been known as light emitters, and derivatives thereof, and aromatics such as 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl are known. Group amine derivatives, metal chelated oxinoid compounds such as tris (8-quinolinolato) aluminum (III), bisstyryl derivatives such as distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrolo Pyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, carbazole derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, in the polymer system, polyphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl The tetrazole derivatives, polythiophene derivatives are suitably used. Among these, it is preferable to use an anthracene compound having an electron-donating substituent as a host material because the durability improvement effect becomes remarkable when combined with the pyrene compound represented by the general formula (1) of the present invention. Specifically, an anthracene compound having a carbazole group represented by 9- (4- (carbazol-N-yl) phenyl) -10- (4-methylphenyl) anthracene is particularly preferable.

次に本発明において用いる一般式(1)で表されるピレン化合物について詳細に説明する。   Next, the pyrene compound represented by the general formula (1) used in the present invention will be described in detail.

Figure 2010056190
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〜R18はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基および−P(=O)−R1920、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。R19およびR20はアリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。nは1〜4の整数である。R〜R10のうちいずれかn個およびR11〜R19のうちいずれか1つは単結合に用いられる。Pは燐原子である。 R 1 to R 18 may be the same or different from each other, and may be hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether. Group, aryl group, heteroaryl group, halogen, amino group, cyano group, silyl group and —P (═O) —R 19 R 20 , and a ring structure formed between adjacent substituents . R 19 and R 20 are selected from an aryl group and a heteroaryl group. n is an integer of 1-4. Any one of R 1 to R 10 and any one of R 11 to R 19 are used for a single bond. P is a phosphorus atom.

これらの置換基のうち、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。置換されている場合の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常、1〜20の範囲である。   Among these substituents, the alkyl group represents, for example, a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group, which may be unsubstituted or substituted. The substituent in the case of being substituted is not particularly limited, and examples thereof include an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, and the like, and this point is common to the following description. Further, the number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is usually in the range of 1 to 20 from the viewpoint of availability and cost.

また、シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、3〜20の範囲である。   The cycloalkyl group represents a saturated alicyclic hydrocarbon group such as cyclopropyl, cyclohexyl, norbornyl, adamantyl, and the like, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkyl group part is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20.

また、複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環からなる基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜20の範囲である。   The heterocyclic group refers to a group consisting of an aliphatic ring having atoms other than carbon, such as a pyran ring, piperidine ring and cyclic amide, in the ring, which may be unsubstituted or substituted. . Although carbon number of a heterocyclic group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

また、アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜20の範囲である。   Moreover, an alkenyl group shows the unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing double bonds, such as a vinyl group, an allyl group, and a butadienyl group, for example, and this may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

また、シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。   The cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond such as a cyclopentenyl group, a cyclopentadienyl group, or a cyclohexenyl group, which is unsubstituted or substituted. It doesn't matter.

また、アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜20の範囲である。   The alkynyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a triple bond such as an ethynyl group, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkynyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

また、アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、1〜20の範囲である。   The alkoxy group refers to, for example, an aliphatic hydrocarbon group via an ether bond such as a methoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.

また、アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。   The alkylthio group is a group in which an oxygen atom of an ether bond of an alkoxy group is substituted with a sulfur atom.

また、アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、6〜40の範囲である。   The aryl ether group refers to, for example, an aromatic hydrocarbon group via an ether bond such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an aryl ether group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.

また、アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。   The arylthioether group is a group in which the oxygen atom of the ether bond of the arylether group is substituted with a sulfur atom.

また、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、無置換でも置換されていてもかまわない。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、6〜40の範囲である。   Moreover, an aryl group shows aromatic hydrocarbon groups, such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, a pyrenyl group, for example. The aryl group may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of an aryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.

また、ヘテロアリール基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基などの炭素以外の原子を環内に有する芳香族基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、2〜30の範囲である。   The heteroaryl group refers to an aromatic group having an atom other than carbon, such as a furanyl group, a thiophenyl group, an oxazolyl group, a pyridyl group, or a quinolinyl group, which is unsubstituted or substituted. It doesn't matter. Although carbon number of a heteroaryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-30.

ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。アミノ基、シアノ基は、置換基を有していても有していなくてもよく、置換基は例えばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などが挙げられ、これら置換基はさらに置換されてもよい。   Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine. The amino group and cyano group may or may not have a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, and the like. May be substituted.

シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素原子への結合を有する官能基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、3以上20以下の範囲である。また、ケイ素数は、通常、1以上6以下である。   A silyl group refers to, for example, a functional group having a bond to a silicon atom, such as a trimethylsilyl group, which may or may not have a substituent. Although carbon number of a silyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20. The number of silicon is usually 1 or more and 6 or less.

隣接置換基との間に形成される縮合環とは、前記一般式(1)で説明すると、R〜R10の中から選ばれる任意の隣接2置換基(例えばRとR)が互いに結合して共役または非供役の縮合環を形成するものである。これら縮合環は環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と縮合していてもよいが、これら縮合環を構成する原子が炭素原子と水素原子のみであると、優れた耐熱性が得られるため好ましい。 The fused ring formed between adjacent substituents, when described by the general formula (1), any two adjacent substituents (e.g. R 1 and R 2) selected from among R 1 to R 10 is They are bonded to each other to form a conjugated or non-serving condensed ring. These condensed rings may contain nitrogen, oxygen, or sulfur atoms in the ring structure, or may be condensed with another ring, but the atoms constituting these condensed rings are only carbon atoms and hydrogen atoms. It is preferable because excellent heat resistance can be obtained.

本発明の一般式(1)で表されるピレン化合物は、分子中にピレン骨格と、ジベンゾフラニル基を1〜4個有している。これにより発光層中のキャリア移動度、キャリアバランスが向上し、素子の発光効率を向上させることができる。更に耐熱性を向上させることもできるため、素子耐久性を向上させることができる。中でも、結晶性低減や置換基の効果が顕著に発現する観点から、ジベンゾフラニル基の数は2個または3個の場合が特に好ましい。   The pyrene compound represented by the general formula (1) of the present invention has a pyrene skeleton and 1 to 4 dibenzofuranyl groups in the molecule. Thereby, carrier mobility and carrier balance in the light emitting layer are improved, and the light emission efficiency of the device can be improved. Furthermore, since heat resistance can also be improved, element durability can be improved. Among them, the number of dibenzofuranyl groups is particularly preferably 2 or 3 from the standpoint of reducing crystallinity and remarkably exhibiting the effects of substituents.

〜R10のうちいずれかn個およびR11〜R18のうちいずれか1つはピレン骨格とジベンゾフラン骨格の連結に用いられるが、原料の入手性や合成の容易さから、R、R、R、Rのうち少なくとも一つがR11〜R18との連結に用いられることが好ましい。 Any one of R 1 to R 10 and any one of R 11 to R 18 are used for linking a pyrene skeleton and a dibenzofuran skeleton. From the availability of raw materials and ease of synthesis, R 1 , It is preferable that at least one of R 3 , R 6 and R 8 is used for linking with R 11 to R 18 .

さらに、一般式(1)のR〜R10に導入される置換基のうち少なくとも一つがアリール基またはヘテロアリール基であると、薄膜安定性が向上するため、発光効率が高く、かつ耐久性に優れた発光素子が可能となるため好ましい。 Furthermore, when at least one of the substituents introduced into R 1 to R 10 in the general formula (1) is an aryl group or a heteroaryl group, the thin film stability is improved, so that the light emission efficiency is high and the durability is high. It is preferable because a light emitting element excellent in the above can be obtained.

上記一般式(1)に表されるピレン化合物としては、特に限定はされないが、具体的に以下を例示することができる。   Although it does not specifically limit as a pyrene compound represented by the said General formula (1), The following can be illustrated concretely.

Figure 2010056190
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Figure 2010056190
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次に本発明における一般式(2)に表されるピレン化合物について説明する。   Next, the pyrene compound represented by the general formula (2) in the present invention will be described.

Figure 2010056190
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21〜R30はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基および−P(=O)−R3132、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。R31およびR32はアリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。ただしR21〜R30は、そのうちいずれか1つが下記一般式(3)で表される基であるか、またはそのうちいずれか1〜4つが下記一般式(4)で表される基である。Pは燐原子である。 R 21 to R 30 may be the same as or different from each other, and hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether Group, aryl group, heteroaryl group, halogen, amino group, cyano group, silyl group and —P (═O) —R 31 R 32 , and a ring structure formed between adjacent substituents . R 31 and R 32 are selected from an aryl group and a heteroaryl group. However, any one of R 21 to R 30 is a group represented by the following general formula (3), or any one of them is a group represented by the following general formula (4). P is a phosphorus atom.

Figure 2010056190
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33〜R41はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。Bはホウ素原子である。Xは、窒素原子または−CR42=のいずれかである。Cは炭素原子である。R42は水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。R42はR38と環構造を形成してもよい。Yは酸素原子、硫黄原子および−NR43−の中から選ばれた基である。Nは窒素原子である。R43は水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。R43はR41と環構造を形成してもよい。mは1から4の整数である。これらの置換基についての説明は上述したものと同じである。 R 33 to R 41 may be the same or different and each is a hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether It is selected from a ring structure formed between a group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, an amino group, a cyano group, a silyl group, and an adjacent substituent. B is a boron atom. X is a nitrogen atom or -CR 42 = one of the. C is a carbon atom. R 42 represents hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an aryl thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, and an amino group. It is a group selected from the inside. R 42 may form a ring structure with R 38 . Y is a group selected from an oxygen atom, a sulfur atom and —NR 43 —. N is a nitrogen atom. R 43 is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group and amino group. It is a group selected from the inside. R 43 may form a ring structure with R 41 . m is an integer of 1 to 4. The explanation for these substituents is the same as described above.

本発明における一般式(2)で表されるピレン化合物の第1の態様は、分子中にピレン骨格および電子受容性ホウ素化合物である上記一般式(3)ジアリールボリル基1つを有する。このようなピレン化合物を含む発光素子材料は、高い発光効率と優れた耐久性を有する。   The 1st aspect of the pyrene compound represented by General formula (2) in this invention has one said general formula (3) diarylboryl group which is a pyrene skeleton and an electron-accepting boron compound in a molecule | numerator. A light emitting device material containing such a pyrene compound has high luminous efficiency and excellent durability.

一般式(3)で表されるジアリールボリル基を2つ以上導入すると、耐熱性が低下し、例えば真空蒸着で成膜する際に分解しやすい。従って、一般式(3)で表されるジアリールボリル基はピレン骨格に対し、1つだけ導入することが蛍光量子収率と耐熱性の両立の点で好ましい。   When two or more diarylboryl groups represented by the general formula (3) are introduced, the heat resistance is lowered, and is easily decomposed when forming a film by, for example, vacuum deposition. Therefore, it is preferable that only one diarylboryl group represented by the general formula (3) is introduced into the pyrene skeleton in terms of both the fluorescence quantum yield and the heat resistance.

22、R25、R27およびR30のうちいずれか1つが一般式(3)で表される基であり、該置換基がピレン骨格と結合していると、蛍光量子収率が向上するため、好ましい。また、R33、R35およびR37がメチル基であると、ホウ素原子のまわりが立体的に嵩高くなり、空気中においても安定で、耐熱性に優れるため、好ましい。 When any one of R 22 , R 25 , R 27 and R 30 is a group represented by the general formula (3) and the substituent is bonded to the pyrene skeleton, the fluorescence quantum yield is improved. Therefore, it is preferable. Further, it is preferable that R 33 , R 35, and R 37 are methyl groups because the area around the boron atom is three-dimensionally bulky, stable in the air, and excellent in heat resistance.

本発明における一般式(2)で表されるピレン化合物の第2の態様は、分子中にピレン骨格および電子供与性縮合芳香族である上記一般式(4)のベンゾフラン骨格(Xが−CR42−、Yが酸素原子の場合)、ベンゾチオフェン骨格(Xが−CR42−、Yが硫黄原子の場合)、インドール骨格(Xが−CR42−、Yが−NR43−の場合)、ベンゾオキサゾール骨格(Xが窒素原子、Yが酸素原子の場合)、ベンゾチアゾール骨格(Xが窒素原子、Yが硫黄原子の場合)またはベンゾイミダゾール骨格(Xが窒素原子、、Yが−NR43−の場合)から選ばれた構造を有する基を1〜4個有する。一般式(4)で表される基を1〜4個有することによって、ピレン化合物の蛍光量子収率と色純度が優れるので好ましい。中でも、一般式(4)で表される基が1〜2の範囲であると、蛍光量子収率と色純度がより優れるため、さらに好ましい。このようなピレン化合物を含む発光素子材料は、高い発光効率と優れた色純度を有する。 In the second aspect of the pyrene compound represented by the general formula (2) in the present invention, the benzofuran skeleton (X is —CR 42 ) of the above general formula (4) which is a pyrene skeleton and an electron-donating condensed aromatic in the molecule. -, when Y is an oxygen atom), benzothiophene skeleton (X is -CR 42 -, when Y is a sulfur atom), indole structure (X is -CR 42 -, Y is -NR 43 - for), benzo An oxazole skeleton (when X is a nitrogen atom and Y is an oxygen atom), a benzothiazole skeleton (when X is a nitrogen atom and Y is a sulfur atom) or a benzimidazole skeleton (X is a nitrogen atom, Y is —NR 43 —) 1 to 4 groups having a structure selected from It is preferable to have 1 to 4 groups represented by the general formula (4) because the fluorescence quantum yield and color purity of the pyrene compound are excellent. Especially, since the group represented by General formula (4) is the range of 1-2, since a fluorescence quantum yield and color purity are more excellent, it is further more preferable. A light-emitting element material containing such a pyrene compound has high light emission efficiency and excellent color purity.

22、R25、R27およびR30のうち少なくとも1つが、一般式(4)で表される基であり、該置換基がピレン骨格と結合していると、蛍光量子収率が優れるので好ましい。一般式(4)で表される基が2個以上ある場合、少なくともR22およびR27が一般式(4)で表される基であると、より好ましい。 When at least one of R 22 , R 25 , R 27 and R 30 is a group represented by the general formula (4) and the substituent is bonded to the pyrene skeleton, the fluorescence quantum yield is excellent. preferable. When there are two or more groups represented by the general formula (4), it is more preferable that at least R 22 and R 27 are groups represented by the general formula (4).

一般式(4)において、特にYが酸素原子の場合には、硫黄原子および−NR41−の場合に比べて、より高い発光効率が得られ、また、ストークスシフトが狭くなり、色純度が優れるので特に好ましい。更に、Xが窒素原子である場合、すなわち一般式(4)がベンゾオキサゾール骨格である場合は、ドーパント材料に電子トラップ性が付与されることにより、素子発光効率が高くなることから好ましい。 In the general formula (4), particularly when Y is an oxygen atom, higher luminous efficiency is obtained, and the Stokes shift is narrowed and the color purity is excellent compared to the case of sulfur atom and —NR 41 —. Therefore, it is particularly preferable. Furthermore, when X is a nitrogen atom, that is, when the general formula (4) is a benzoxazole skeleton, it is preferable because electron trapping property is imparted to the dopant material, thereby increasing the device luminous efficiency.

いずれの態様においても、R21〜R30の少なくとも1つがアルキル基またはアリール基であることにより、一般式(2)で表されるピレン化合物同士の相互作用による濃度消光が抑制され、高い蛍光量子収率が可能となるため、好ましい。 In any embodiment, when at least one of R 21 to R 30 is an alkyl group or an aryl group, concentration quenching due to interaction between pyrene compounds represented by the general formula (2) is suppressed, and high fluorescence quantum This is preferable because a yield is possible.

さらに、R22が一般式(4)で表される基であり、R30がアルキル基またはアリール基であり、R26がアルキル基である場合は、ピレン化合物同士の相互作用抑制効果が高くなり、高効率発光が可能となるため、好ましい。また、R22が一般式(4)で表される基であり、R25またはR27がアルキル基、アリール基またはヘテロアリール基である場合も、ピレン化合物同士の相互作用が抑制され、高効率発光が可能となるため、好ましい。特に、R25またはR27がアリール基またはヘテロアリール基であることにより、固体または薄膜状態で強い蛍光強度を維持し、高効率発光が可能となるため好ましい。R25およびR30の両方がアリール基またはヘテロアリール基であると、さらに効果が高くなるため好ましい。 Further, when R 22 is a group represented by the general formula (4), R 30 is an alkyl group or an aryl group, and R 26 is an alkyl group, the effect of suppressing interaction between pyrene compounds is increased. High efficiency light emission is possible, which is preferable. Also, when R 22 is a group represented by the general formula (4) and R 25 or R 27 is an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, the interaction between pyrene compounds is suppressed, and high efficiency is achieved. Since light emission is possible, it is preferable. In particular, it is preferable that R 25 or R 27 is an aryl group or a heteroaryl group, since strong fluorescence intensity is maintained in a solid or thin film state and high-efficiency light emission is possible. It is preferable that both R 25 and R 30 are an aryl group or a heteroaryl group because the effect is further enhanced.

上記のような一般式(2)に表されるピレン化合物としては、特に限定はされないが以下の具体例を挙げることができる。   Although it does not specifically limit as a pyrene compound represented by the above General formula (2), The following specific examples can be given.

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本発明において、電子輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することを司る層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本発明における電子輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる正孔阻止層も同義のものとして含まれる。   In the present invention, the electron transport layer is a layer that administers electrons injected from the cathode and further transports electrons. It is desirable that the electron transport efficiency is high and the injected electrons are transported efficiently. For this purpose, it is required that the material has a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and a substance that does not easily generate trapping impurities during manufacturing and use. However, considering the transport balance between holes and electrons, if the role of effectively preventing the holes from the anode from flowing to the cathode side without recombination is mainly played, the electron transport capability is much higher. Even if it is not high, the effect of improving the luminous efficiency is equivalent to that of a material having a high electron transport capability. Therefore, the electron transport layer in the present invention includes a hole blocking layer that can efficiently block the movement of holes as the same meaning.

電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、特に限定されるものではないが、ナフタレン、アントラセンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、4,4’−ビス(ジフェニルエテニル)ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム(III)などのキノリノール錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物などが挙げられる。   The electron transporting material used for the electron transporting layer is not particularly limited, but is typically a compound having a condensed aryl ring such as naphthalene or anthracene or a derivative thereof, or 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl. Styryl aromatic ring derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphorus oxide derivatives, carbazole derivatives and indole derivatives, tris (8-quinolinolato) aluminum (III), etc. Hydroxy azole complexes such as quinolinol complexes and hydroxyphenyl oxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes and flavonol metal complexes, compounds consisting of heteroaryl rings having electron-accepting nitrogen, etc. It is below.

本発明における電子受容性窒素とは、隣接原子との間に多重結合を形成している窒素原子を表す。窒素原子が高い電子陰性度を有することから、多重結合は電子受容的な性質を有する。それゆえ、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環は、高い電子親和性を有する。電子受容性窒素を有するヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、ピリミドピリミジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズイミダゾール環およびフェナンスロイミダゾール環などが挙げられる。   The electron-accepting nitrogen in the present invention represents a nitrogen atom that forms a multiple bond with an adjacent atom. Since the nitrogen atom has a high electronegativity, the multiple bond has an electron accepting property. Therefore, a heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen has a high electron affinity. Examples of the heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen include, for example, a pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, naphthyridine ring, pyrimidopyrimidine ring, benzoquinoline ring, phenanthroline ring, imidazole ring, oxazole ring, Examples thereof include an oxadiazole ring, a triazole ring, a thiazole ring, a thiadiazole ring, a benzoxazole ring, a benzothiazole ring, a benzimidazole ring and a phenanthrimidazole ring.

また、本発明の電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物は、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンからなる群の中から選ばれる元素で構成されることが好ましい。これらの元素で構成された電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなる化合物は、高い電子輸送能を有し、駆動電圧を著しく低減することができる。   In addition, the compound composed of a heteroaryl ring having electron-accepting nitrogen of the present invention is preferably composed of an element selected from the group consisting of carbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, silicon and phosphorus. A compound comprising a heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen composed of these elements has a high electron transporting ability and can significantly reduce a driving voltage.

電子受容性窒素を有するヘテロアリール環からなり、かつ炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンからなる群の中から選ばれる元素で構成される化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジンやターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、キノキサリン誘導体およびナフチリジン誘導体などが好ましい化合物として挙げられる。中でも、トリス(N−フェニルベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼンなどのイミダゾール誘導体、1,3−ビス[(4−tert−ブチルフェニル)1,3,4−オキサジアゾリル]フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、N−ナフチル−2,5−ジフェニル−1,3,4−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソクプロインや1,3−ビス(2−フェニル−1,10−フェナントロリン−9−イル)ベンゼンなどのフェナントロリン誘導体、2,2’−ビス(ベンゾ[h]キノリン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレンなどのベンゾキノリン誘導体、2,5−ビス(6‘−(2’,2“−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロールなどのビピリジン誘導体、1,3−ビス(4’−(2,2’:6’2”−ターピリジニル))ベンゼンなどのターピリジン誘導体、ビス(1−ナフチル)−4−(1,8−ナフチリジン−2−イル)フェニルホスフィンオキサイドなどのナフチリジン誘導体が、電子輸送能の観点から好ましく用いられる。さらに、1,3−ビス(1,10−フェナントロリン−9−イル)ベンゼン、2,7−ビス(1,10−フェナントロリン−9−イル)ナフタレン、1,3−ビス(2−フェニル−1,10−フェナントロリン−9−イル)ベンゼンなどのフェナントロリン二量体、および2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロールなどのビピリジン二量体は、本発明の一般式(1)で表されるピレン化合物と組み合わせた際の耐久性向上効果が著しく高く、特に好ましい例として挙げられる。   Examples of the compound composed of a heteroaryl ring having an electron-accepting nitrogen and composed of an element selected from the group consisting of carbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, silicon, and phosphorus include, for example, benzimidazole derivatives and benzoxazole derivatives , Benzthiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, quinoxaline derivatives, quinoline derivatives, benzoquinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as bipyridine and terpyridine, quinoxaline derivatives and naphthyridine derivatives As mentioned. Among them, imidazole derivatives such as tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene, oxadiazole derivatives such as 1,3-bis [(4-tert-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazolyl] phenylene, Triazole derivatives such as N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, phenanthroline derivatives such as bathocuproine and 1,3-bis (2-phenyl-1,10-phenanthroline-9-yl) benzene, Benzoquinoline derivatives such as 2,2'-bis (benzo [h] quinolin-2-yl) -9,9'-spirobifluorene, 2,5-bis (6 '-(2', 2 "-bipyridyl) ) -1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole and other bipyridine derivatives, 1,3-bis (4 ′-(2,2 ′) 6′2 ″ -terpyridinyl)) terpyridine derivatives such as benzene and naphthyridine derivatives such as bis (1-naphthyl) -4- (1,8-naphthyridin-2-yl) phenylphosphine oxide are preferable from the viewpoint of electron transport ability. Used. Furthermore, 1,3-bis (1,10-phenanthroline-9-yl) benzene, 2,7-bis (1,10-phenanthroline-9-yl) naphthalene, 1,3-bis (2-phenyl-1, Phenanthroline dimers such as 10-phenanthroline-9-yl) benzene, 2,5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole, etc. This bipyridine dimer has a significantly high durability improving effect when combined with the pyrene compound represented by the general formula (1) of the present invention, and is particularly preferable.

これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の2種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いても構わない。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの金属と混合して用いることも可能である。電子輸送層のイオン化ポテンシャルは、特に限定されるものではないが、好ましくは5.8eV以上8eV以下であり、より好ましくは6eV以上7.5eV以下である。   These electron transport materials may be used alone, but two or more of the above electron transport materials may be mixed and used, or one or more of the other electron transport materials may be mixed and used in the above electron transport material. . It is also possible to use a mixture with a metal such as an alkali metal or an alkaline earth metal. The ionization potential of the electron transport layer is not particularly limited, but is preferably 5.8 eV or more and 8 eV or less, more preferably 6 eV or more and 7.5 eV or less.

発光素子を構成する上記各層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が素子特性の観点から好ましい。   The method of forming each layer constituting the light emitting element is not particularly limited, such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination method, coating method, etc., but resistance heating vapor deposition or electron beam vapor deposition is usually used for the element. It is preferable from the viewpoint of characteristics.

層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、1〜1000nmの間から選ばれる。発光層、電子輸送層、正孔輸送層の膜厚はそれぞれ、好ましくは1nm以上200nm以下であり、さらに好ましくは5nm以上100nm以下である。   The thickness of the layer depends on the resistance value of the luminescent material and cannot be limited, but is selected from 1 to 1000 nm. The film thicknesses of the light emitting layer, the electron transport layer, and the hole transport layer are each preferably 1 nm to 200 nm, and more preferably 5 nm to 100 nm.

本発明の発光素子は、電気エネルギーを光に変換できる発光素子である。ここに電気エネルギーとは主に直流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、できるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきである。   The light-emitting element of the present invention is a light-emitting element that can convert electrical energy into light. Here, the electric energy mainly indicates a direct current, but a pulse current or an alternating current can also be used. The current value and voltage value are not particularly limited, but in consideration of the power consumption and life of the element, the maximum luminance should be obtained with as low energy as possible.

本発明の発光素子は、例えば、マトリクスおよび/またはセグメント方式で表示するディスプレイとして好適に用いられる。   The light emitting device of the present invention is suitably used as a display for displaying in a matrix and / or segment system, for example.

本発明におけるマトリクス方式とは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が300μm以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がmmオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリクスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。   The matrix system in the present invention refers to a pixel in which pixels for display are two-dimensionally arranged such as a lattice shape or a mosaic shape, and displays characters and images by a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined by the application. For example, a square pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, monitor, TV, and a pixel with a side of mm order for a large display such as a display panel. become. In monochrome display, pixels of the same color may be arranged. However, in color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix driving method may be either a line sequential driving method or an active matrix. The line-sequential driving has an advantage that the structure is simple. However, the active matrix may be superior in consideration of the operation characteristics. Therefore, it is necessary to properly use the active matrix depending on the application.

本発明におけるセグメント方式(タイプ)とは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。   In the segment system (type) in the present invention, a pattern is formed so as to display predetermined information, and a predetermined region is caused to emit light. For example, the time and temperature display in a digital clock or a thermometer, the operation state display of an audio device or an electromagnetic cooker, the panel display of an automobile, and the like can be mentioned. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本発明における発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量であることが特徴となる。   The light emitting device of the present invention is also preferably used as a backlight for various devices. The backlight is used mainly for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. In particular, as a backlight for a liquid crystal display device, especially a personal computer for which thinning is a problem, considering that it is difficult to thin the conventional backlight because it is made of a fluorescent lamp or a light guide plate, the present invention The backlight using the light emitting element is characterized by being thin and light.

以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、下記の各実施例にある化合物の番号は上記に記載した化合物の番号を指すものである。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated, this invention is not limited by these Examples. In addition, the number of the compound in each following Example points out the number of the compound described above.

実施例1
化合物[29]および化合物[50]を用いた発光素子を次のように作製した。ITO透明導電膜を165nm堆積させたガラス基板(ジオマテック(株)製、11Ω/□、スパッタ品)を38×46mmに切断し、エッチングを行った。得られた基板を “セミコクリン(登録商標)56”(フルウチ化学(株)製)で15分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。洗浄後の基板を1時間UV−オゾン処理した後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを10nm、正孔輸送材料として、4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルを50nm蒸着した。次に、発光材料として、ホスト材料として化合物[29]を、ドーパント材料として化合物[50]をドープ濃度が1重量%になるように35nmの厚さに共蒸着して発光層とした。次に、電子輸送材料として、下記に示すE−1を35nmの厚さに積層した。次に、フッ化リチウムを0.5nm蒸着した後、アルミニウムを1000nm蒸着して陰極とし、5×5mm角の発光領域を有する素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)5.0%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は850時間であった。
Example 1
Light emitting devices using Compound [29] and Compound [50] were produced as follows. A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which ITO transparent conductive film was deposited at 165 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semicocrine (registered trademark) 56” (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. The cleaned substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour, then placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 −4 Pa or less. By the resistance heating method, first, copper phthalocyanine was deposited as a hole injecting material at 10 nm, and 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl was deposited as a hole transporting material at 50 nm. Next, compound [29] as a host material and compound [50] as a dopant material were co-evaporated to a thickness of 35 nm so as to have a doping concentration of 1 wt% to form a light emitting layer. Next, as an electron transport material, E-1 shown below was laminated to a thickness of 35 nm. Next, lithium fluoride was deposited to a thickness of 0.5 nm, and then aluminum was deposited to a thickness of 1000 nm to prepare a device having a 5 × 5 mm square light emitting region. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 5.0% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 850 hours.

Figure 2010056190
Figure 2010056190

実施例2
ドーパント材料として化合物[129]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)4.8%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は850時間であった。
Example 2
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [129] was used as the dopant material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 4.8% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 850 hours.

実施例3
ドーパント材料として化合物[325]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)5.1%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は1200時間であった。
Example 3
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [325] was used as the dopant material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 5.1% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 1200 hours.

実施例4
ドーパント材料として化合物[240]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)4.2%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は700時間であった。
Example 4
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [240] was used as the dopant material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a luminous efficiency (external quantum efficiency) of 4.2% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 700 hours.

実施例5
ドーパント材料として化合物[155]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)4.0%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は650時間であった。
Example 5
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [155] was used as the dopant material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a luminous efficiency (external quantum efficiency) of 4.0% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 650 hours.

実施例6
ドーパント材料として化合物[229]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)4.2%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は750時間であった。
Example 6
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [229] was used as the dopant material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a luminous efficiency (external quantum efficiency) of 4.2% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 750 hours.

実施例7
ホスト材料として化合物[31]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)5.5%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,500時間であった。
Example 7
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [31] was used as the host material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 5.5% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 1,500 hours.

実施例8
ホスト材料として化合物[32]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)5.6%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は2,000時間であった。
Example 8
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [32] was used as the host material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 5.6% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 2,000 hours.

実施例9
ホスト材料として化合物[36]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)5.2%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は1,100時間であった。
Example 9
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [36] was used as the host material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 5.2% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 1,100 hours.

実施例10
ホスト材料として化合物[30]を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)4.5%の高効率青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は950時間であった。
Example 10
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [30] was used as the host material. From this light-emitting element, high-efficiency blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 4.5% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 950 hours.

比較例1
ドーパント材料として下記示す化合物D−1を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)2.0%の青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は150時間であった。
Comparative Example 1
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound D-1 shown below was used as the dopant material. From this light emitting element, blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 2.0% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 150 hours.

Figure 2010056190
Figure 2010056190

比較例2
ドーパント材料として下記示す化合物D−2を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)2.5%の青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は300時間であった。
Comparative Example 2
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound D-2 shown below was used as the dopant material. From this light emitting element, blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 2.5% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 300 hours.

Figure 2010056190
Figure 2010056190

比較例3
ホスト材料として下記示す化合物H−1を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)3.0%の青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は300時間であった。
Comparative Example 3
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound H-1 shown below was used as the host material. From this light-emitting element, blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 3.0% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 300 hours.

Figure 2010056190
Figure 2010056190

比較例4
ホスト材料として下記示す化合物H−2を用いた以外は、実施例1と同様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発光効率(外部量子効率)3.0%の青色発光が得られた。この発光素子は、40mA/cmで直流駆動したところ、輝度半減時間は300時間であった。
Comparative Example 4
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound H-2 shown below was used as the host material. From this light-emitting element, blue light emission with a light emission efficiency (external quantum efficiency) of 3.0% was obtained. When this light emitting device was DC-driven at 40 mA / cm 2 , the luminance half time was 300 hours.

Figure 2010056190
Figure 2010056190

Figure 2010056190
Figure 2010056190

Claims (7)

陽極と陰極との間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は少なくとも、一般式(1)で表されるピレン化合物と一般式(2)で表されるピレン化合物とを含有することを特徴とする発光素子。
Figure 2010056190
(R〜R18はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基および−P(=O)−R1920、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。R19およびR20はアリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。nは1〜4の整数である。R〜R10のうちいずれかn個およびR11〜R18のうちいずれか1つは単結合に用いられる。
Figure 2010056190
(R21〜R30はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基および−P(=O)−R3132、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。R31およびR32はアリール基、ヘテロアリール基の中から選ばれる。ただしR21〜R30は、そのうちいずれか1つが下記一般式(3)で表される基であるか、またはそのうちいずれか1〜4つが下記一般式(4)で表される基である。Pは燐原子である。)
Figure 2010056190
(R33〜R41はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、アミノ基、シアノ基、シリル基、並びに隣接置換基との間に形成される環構造の中から選ばれる。Bはホウ素原子である。Xは、窒素原子または−CR42=のいずれかである。Cは炭素原子である。R42は水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。R42はR38と環構造を形成してもよい。Yは酸素原子、硫黄原子および−NR43−の中から選ばれた基である。Nは窒素原子である。R43は水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。R43はR41と環構造を形成してもよい。mは1から4の整数である。)
An element that has at least a light emitting layer between an anode and a cathode and emits light by electric energy, and the element is represented by at least a pyrene compound represented by the general formula (1) and the general formula (2). A light-emitting element containing a pyrene compound.
Figure 2010056190
(R 1 to R 18 may be the same as or different from each other, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, an aryl group, selected from the cyclic structure formed between the heteroaryl group, halogen, an amino group, a cyano group, a silyl group, and -P (= O) -R 19 R 20, and adjacent substituents R 19 and R 20 are selected from an aryl group and a heteroaryl group, n is an integer of 1 to 4. Any one of R 1 to R 10 and any of R 11 to R 18 One is used for a single bond.
Figure 2010056190
(R 21 to R 30 may be the same as or different from each other, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl Selected from ring structures formed between thioether groups, aryl groups, heteroaryl groups, halogens, amino groups, cyano groups, silyl groups and —P (═O) —R 31 R 32 , and adjacent substituents R 31 and R 32 are selected from an aryl group and a heteroaryl group, provided that any one of R 21 to R 30 is a group represented by the following general formula (3), or Any one to four are groups represented by the following general formula (4). P is a phosphorus atom.)
Figure 2010056190
(R 33 to R 41 may be the same as or different from each other, and may be hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl. A ring structure formed between a thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, an amino group, a cyano group, a silyl group, and an adjacent substituent, B is a boron atom, and X is Either a nitrogen atom or -CR 42 =, C is a carbon atom, R 42 is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio Group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group and amino group From a group selected .R 42 MAY form R 38 and ring structure .Y represents an oxygen atom, a sulfur atom and -NR 43 - In .N is a group selected from among a nitrogen atom R 43 is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group and amino is a group selected from among groups .R 43 mAY form R 41 and ring structure .m is an integer from 1 4.)
、R、R、Rうちいずれかn個およびR11〜R19のうちいずれか1つはピレン骨格とジベンゾフラン骨格の連結に用いられる請求項1記載の発光素子。 R 1, R 3, R 6 , R 8 of any of n and any one light emitting device according to claim 1, wherein used for connecting the pyrene skeleton and the dibenzofuran skeleton of R 11 to R 19. 22、R25、R27、R30のうちいずれか1つが一般式(3)で表される請求項1又は2記載の発光素子。 R 22, R 25, R 27 , light emitting device according to claim 1 or 2, wherein any one of R 30 is represented by the general formula (3). 33、R35およびR37がメチル基である請求項1〜3いずれかに記載の発光素子。 R <33> , R <35> and R <37> are methyl groups, The light emitting element in any one of Claims 1-3. 22が一般式(4)で表される請求項1又は2記載の発光素子。 Light emitting device according to claim 1 or 2, wherein R 22 is represented by the general formula (4). Yが酸素原子である請求項1、2、又は5記載の発光素子。 The light-emitting device according to claim 1, wherein Y is an oxygen atom. 発光層がホスト材料とドーパント材料を含み、かつ、一般式(1)で表されるピレン化合物がホスト材料であり、一般式(2)で表されるピレン化合物がドーパント材料である請求項1〜6いずれかに記載の発光素子。 The light emitting layer includes a host material and a dopant material, the pyrene compound represented by the general formula (1) is a host material, and the pyrene compound represented by the general formula (2) is a dopant material. 6. The light emitting device according to any one of 6.
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