JP2016181622A - Processing system, processing method, and program - Google Patents

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Yuichi Takenaga
裕一 竹永
隆人 笠井
Takahito Kasai
隆人 笠井
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東京エレクトロン株式会社
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly-accurate and user-friendly processing system, a processing method, and a program.SOLUTION: A control unit 50 of a heat treatment device, comprises: a recipe storage unit 52 which stores processing conditions; a learning history file storage unit 53 which stores learning history files; a model storage unit 51 which stores processing change models; a processing information receiving unit which receives information related to processing results; processing condition identifying means for identifying the processing conditions; processing result determining means for determining whether the processing results are in an allowable range; use determining means for determining whether to use the learning history file storing the same processing conditions according to whether device conditions changed after the learning history file has been created; learning history file determining means for determining the identified learning history file from the stored learning history files; processing condition calculating means for calculating processing conditions close to target processing results on the basis of the identified processing conditions, the determined learning history file, and the processing change models; and processing condition update means for updating the calculated processing conditions to the identified processing conditions.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理システム、処理方法、及び、プログラムに関する。 The present invention is a processing system, processing method for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer, and a program.

半導体装置の製造工程では、多数枚の被処理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理あるいは拡散処理などを一括して行うバッチ式の処理システムが用いられている。 In the manufacturing process of the semiconductor device, the object to be processed in large number, for example, film forming process of the semiconductor wafer, batch processing system collectively performing such oxidation treatment or diffusion process is used. バッチ式の処理システムでは、効率的に半導体ウエハを処理することが可能であるが、多数枚の半導体ウエハの処理の均一性を確保することは困難である。 In a batch type processing system, it is possible to efficiently process the semiconductor wafer, it is difficult to ensure uniformity of processing of multiple semiconductor wafers.

このような問題を解決するため、例えば、特許文献1には、ヒータ室内に取り込まれる外気の温度が一定になるように外気の温度を自動的に調整する熱処理装置が提案されている。 To solve such a problem, for example, Patent Document 1, automatically adjusting to the heat treatment apparatus the temperature of the outside air so that the temperature of the outside air taken into the heater chamber is constant has been proposed.

特開2005−183596号公報 JP 2005-183596 JP

ところで、このような処理システムでは、精度向上のため、学習機能を搭載したものがある。 Incidentally, in this processing system, for improved accuracy, there is provided with a learning function. しかし、学習機能を搭載した処理システムを使用する際には、使用者が、学習機能を使用することを選択し、さらに過去の処理条件、処理結果に関する情報が蓄積された学習履歴ファイルを選択する作業が必要であり、使いづらい(手間がかかる)という問題がある。 However, when using a process system with a learning function, the user selects to use a learning function, further past processing conditions, information on the processing result of selecting the stored learned history file work is required, there is a problem that hard to use (time-consuming). また、使用者が、学習履歴ファイルの選択を誤ると、計算結果が誤ったものとなり、処理結果の精度が低下してしまうという問題がある。 Further, the user, incorrect selection of learning history file, it is assumed that the calculation result is incorrect, the processing result accuracy is lowered.

本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、精度良く、使いやすい処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above, precisely, easy-to-use processing system, processing method, and aims to provide a program.

上記目的を達成するため、本発明の第1の観点にかかる処理システムは、 To achieve the above object, the processing system according to the first aspect of the present invention,
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、 A processing condition storage means for storing processing conditions corresponding to the processing contents of the object to be processed accommodated in the processing chamber,
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段と、 A learning history file storage means for storing a learning history file for the stored processing conditions by the processing condition storage means,
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段と、 And changes in the processing conditions, the processing change model storage means for storing a processing change model showing a relationship between the processing result changes,
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段と、 A processing information receiving means for receiving information on the processing result of the target of the object to be processed,
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段と、 And information on the processing result of the received target by the processing information receiving unit, based on the stored processing conditions by the processing condition storage means, the processing condition specifying means for specifying the required processing conditions,
前記処理条件特定手段により特定された処理条件で処理した処理結果が、前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する処理結果判別手段と、 A processing result determining means processing processing result in specified processing conditions, it is determined whether or not within the allowable range of information on the processing result of the received target by the processing information receiving means by the processing condition specifying section,
前記処理結果判別手段により許容範囲内でないと判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから、少なくとも一部が同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定し、該特定した学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションの少なくとも一部が変化しているか否かにより、当該学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別手段と、 When it is determined to be not within the allowable range by the processing result determining means, from the stored learned history file by the learning history file storage means to identify the learning history file at least partly the same processing conditions stored, from the time of the identified learning history file is created, depending on whether at least a portion of the device condition is changing, the use determination means for determining whether or not to use the learning history file,
前記使用判別手段により学習履歴ファイルを使用すると判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定手段と、 When it is judged using the learning history file by the use determination means, a learning history file determining means for determining the identified learning history file from the stored learned history file by the learning history file storage unit,
前記処理条件特定手段により特定された処理条件と、前記学習履歴ファイル決定手段により決定された学習履歴ファイルと、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段と、 Wherein the processing condition processing condition specified by the specifying means, on the basis of learning and history file determining means learning history is determined by the file, in the stored processed change model in the processing variation model storing unit, and the target a processing condition calculating means for calculating the close processing conditions on the processing result,
前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段と、 A processing condition update unit that updates the processing condition computed by the processing condition calculating means on the identified processing condition by the processing condition specifying section,
を備える、ことを特徴とする処理システム。 Processing system comprising, characterized in that the.

前記使用判別手段は、例えば、装置運転ログ、および、プロセスログに基づいて、装置コンディションが変化しているか否かを判別する。 The use determination means, for example, device driver logs, and, based on the process log to determine whether the device condition is changed.

例えば、前記処理内容は成膜処理であり、 For example, the processing content is the film forming process,
前記処理結果は前記被処理体に形成された薄膜の膜厚または膜中不純物濃度である。 The processing result is the film thickness or film an impurity concentration of the thin film formed on the object to be processed.

本発明の第2の観点にかかる処理方法は、 Processing method according to a second aspect of the present invention,
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、 A processing condition storing step of storing processing conditions corresponding to the processing contents of the object to be processed accommodated in the processing chamber,
前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶工程と、 A learning history file storage step of storing the learning history file on the processing conditions stored in the processing condition storage step,
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶工程と、 And changes in the processing conditions, the processing changes the model storage step of storing the process change model showing a relationship between the processing result changes,
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信工程と、 And processing information reception step of receiving information on the processing result of the target of the object to be processed,
前記処理情報受信工程で受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定工程と、 And information on the processing result of the received target in the processing information receiving step, based on the stored processing conditions in the processing condition storage step, a processing condition specifying step of specifying the required processing conditions,
前記処理条件特定工程で特定された処理条件で処理した処理結果が、前記処理情報受信工程で受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する処理結果判別工程と、 Said processing condition specifying step was treated with specified processing conditions in the processing result, the processing result determination step of determining whether the allowable range of information on the processing result of the received target in the processing information reception step,
前記処理結果判別工程で許容範囲内でないと判別されると、前記学習履歴ファイル記憶工程で記憶された学習履歴ファイルから、少なくとも一部が同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定し、該特定した学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションの少なくとも一部が変化しているか否かにより、当該学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別工程と、 When it is determined to be not within the allowable range by the processing result determination step, from the learning history file storage step in the stored learned history file to identify the learning history file at least partly the same processing conditions stored, from the time of the identified learning history file is created, depending on whether at least a portion of the device condition is changing, the use determination step of determining whether or not to use the learning history file,
前記使用判別工程で学習履歴ファイルを使用すると判別されると、前記学習履歴ファイル記憶工程で記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定工程と、 When it is judged using the learning history file in the use determination step, a learning history file determination step of determining the identified learning history file from the learning history file storage step in the stored learned history file,
前記処理条件特定工程で特定された処理条件と、前記学習履歴ファイル決定工程で決定された学習履歴ファイルと、前記処理変化モデル記憶工程で記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出工程と、 And process conditions identified in the processing condition identification process, a learning history file determined in the learning history file determination step, on the basis of the stored processed change model in the processing changes the model storage step, and the target a processing condition calculating step of calculating the close processing conditions on the processing result,
前記処理条件算出工程で算出された処理条件を前記処理条件特定工程で特定された処理条件に更新する処理条件更新工程と、 A processing condition update step of updating the calculated processing condition in the processing condition calculation process on the identified processing condition in the processing condition identification step,
を備える、ことを特徴とする。 It comprises, characterized in that.

本発明の第3の観点にかかるプログラムは、 Program according to a third aspect of the present invention,
コンピュータを、 The computer,
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、 Processing condition storage means for storing processing conditions corresponding to the processing contents of the object to be processed accommodated in the processing chamber,
前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段、 Learning history file storage means for storing a learning history file for the stored processing conditions by the processing condition storage means,
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段、 Processing change model storage means for storing a processing variation model shown a change of the processing conditions, the relation between the processing result changes,
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段、 Processing information receiving means for receiving information on the processing result of the target of the object to be processed,
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段、 Processing result and information about, based on the processing conditions stored by the processing condition storage means, to identify the necessary processing conditions processing conditions specific means for the received target by the processing information receiving means,
前記処理条件特定手段により特定された処理条件で処理した処理結果が、前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する処理結果判別手段、 Processing result determining means for the processing conditions treated were treated with specified processing condition by a particular means results to determine whether the allowable range of information on the processing result of the received target by the processing information receiving means,
前記処理結果判別手段により許容範囲内でないと判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから、少なくとも一部が同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定し、該特定した学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションの少なくとも一部が変化しているか否かにより、当該学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別手段、 When it is determined to be not within the allowable range by the processing result determining means, from the stored learned history file by the learning history file storage means to identify the learning history file at least partly the same processing conditions stored, from the time of the identified learning history file is created, depending on whether at least a portion of the device condition is changing, the use determination means for determining whether or not to use the learning history file,
前記使用判別手段により学習履歴ファイルを使用すると判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定手段、 When it is judged using the learning history file by the use determination means, the learning history file determining means for determining a learning history file identified from the stored learned history file by the learning history file storage unit,
前記処理条件特定手段により特定された処理条件と、前記学習履歴ファイル決定手段により決定された学習履歴ファイルと、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段、 Wherein the processing condition processing condition specified by the specifying means, on the basis of learning and history file determining means learning history is determined by the file, in the stored processed change model in the processing variation model storing unit, and the target processing condition calculating means for calculating the close processing conditions on the processing result,
前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段、 Processing condition updating means for updating the processing condition computed by the processing condition calculating means on the identified processing condition by the processing condition specifying section,
として機能させる、ことを特徴とする。 Function as, and wherein the.

本発明によれば、精度良く、使いやすい処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することができる。 According to the present invention, high precision, easy-to-use processing system, processing method, and can provide program.

本発明の実施の形態に係る熱処理装置の構造を示す図である。 Is a diagram showing the structure of a thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 反応管内のゾーンを示す図である。 It is a diagram showing a zone of the reaction tube. 図1の制御部の構成例を示す図である。 It is a diagram illustrating a configuration example of a control unit of FIG. ヒータの温度の変化と形成されるSiO 膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルの一例である。 It is an example of a thickness change model showing a relationship between the thickness variation of the SiO 2 film formed with a change in temperature of the heater. 熱処理を説明するためのフローチャートである。 It is a flowchart for explaining a heat treatment. 学習履歴ファイル特定処理を説明するためのフローチャートである。 Is a flow chart for explaining a learning history file identification process.

以下、本発明の処理システム、処理方法、及び、プログラムを、図1に示すバッチ式の縦型の熱処理装置に適用した場合を例に本実施の形態を説明する。 Hereinafter, the processing system, the processing method of the present invention, and a program to be described embodiment as an example the case of application to a vertical heat treatment apparatus of a batch type shown in FIG. また、本実施の形態では、成膜用ガスとして、ジクロロシラン(SiH Cl )と一酸化二窒素(N O)とを用いて、半導体ウエハにSiO 膜を形成する場合を例に本発明を説明する。 Further, in this embodiment, as the film forming gas, using dichlorosilane (SiH 2 Cl 2) and a dinitrogen monoxide (N 2 O), as an example the case of forming the SiO 2 film on a semiconductor wafer the present invention will be described.

図1に示すように、本実施の形態の熱処理装置1は、略円筒状で有天井の反応管2を備えている。 As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 of the present embodiment includes a reaction tube 2 of a chromatic ceiling substantially cylindrical. 反応管2は、その長手方向が垂直方向に向くように配置されている。 The reaction tube 2, the longitudinal direction is arranged so as to face in the vertical direction. 反応管2は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。 The reaction tube 2 is made of a material excellent in heat resistance and corrosion resistance, for example, it is made of silica.

反応管2の下側には、略円筒状のマニホールド3が設けられている。 Below the reaction tube 2, a substantially cylindrical manifold 3 is provided. マニホールド3は、その上端が反応管2の下端と気密に接合されている。 Manifold 3, and the upper end thereof is joined to a lower end and an airtight reaction tube 2. マニホールド3には、反応管2内のガスを排気するための排気管4が気密に接続されている。 The manifold 3, the exhaust pipe 4 for exhaust gas in the reaction tube 2 is hermetically connected to. 排気管4には、バルブ、真空ポンプなどからなる圧力調整部5が設けられており、反応管2内を所望の圧力(真空度)に調整する。 The exhaust pipe 4, the valve is provided with a pressure adjusting portion 5 made of a vacuum pump, adjusting the reaction tube 2 to a desired pressure (vacuum).

マニホールド3(反応管2)の下方には、蓋体6が配置されている。 Below the manifold 3 (reaction tube 2), the lid 6 is arranged. 蓋体6は、ボートエレベータ7により上下動可能に構成され、ボートエレベータ7により蓋体6が上昇するとマニホールド3(反応管2)の下方側(炉口部分)が閉鎖され、ボートエレベータ7により蓋体6が下降すると反応管2の下方側(炉口部分)が開口されるように配置されている。 Lid 206 is vertically movable by the boat elevator 7, the lid 206 by the boat elevator 7 is increased manifold 3 below the (reaction tube 2) (furnace opening portion) is closed, the lid by the boat elevator 7 the body 6 is lowered reaction tube 2 of the lower (furnace opening portion) is arranged to be opened.

蓋体6の上部には、保温筒(断熱体)8を介して、ウエハボート9が設けられている。 The top of the lid 6 via the heat insulating tube (heat insulating member) 8, the wafer boat 9 is provided. ウエハボート9は、被処理体、例えば、半導体ウエハWを収容(保持)するウエハ保持具であり、本実施の形態では、半導体ウエハWが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、例えば、150枚収容可能に構成されている。 The wafer boat 9, the object to be processed, for example, a wafer holder for accommodating the semiconductor wafer W (held) in the present embodiment, a plurality semiconductor wafers W at predetermined intervals in the vertical direction, for example, 150 sheets containable are organized. そして、ウエハボート9に半導体ウエハWを収容し、ボートエレベータ7により蓋体6を上昇させることにより、半導体ウエハWが反応管2内にロードされる。 Then, accommodating the semiconductor wafer W on the wafer boat 9, by raising the lid 206 by the boat elevator 7, the semiconductor wafer W is loaded into the reaction tube 2.

反応管2の周囲には、反応管2を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなるヒータ部10が設けられている。 Around the reaction tube 2, so as to surround the reaction tube 2, for example, the heater unit 10 is provided comprising a resistance heating element. このヒータ部10により反応管2の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハWが所定の温度に加熱される。 Interior of the reaction tube 2 by the heater unit 10 is heated to a predetermined temperature, as a result, the semiconductor wafer W is heated to a predetermined temperature. ヒータ部10は、例えば、5段に配置されたヒータ11〜15から構成され、ヒータ11〜15には、それぞれ電力コントローラ16〜20が接続されている。 The heater unit 10 includes, for example, a heater 11 to 15 arranged in five stages, to the heater 11 to 15 are respectively connected to power controller 16 to 20. このため、この電力コントローラ16〜20にそれぞれ独立して電力を供給することにより、ヒータ11〜15をそれぞれ独立に所望の温度に加熱することができる。 Therefore, by supplying power independently to the power controller 16 to 20, it can be heated to the desired temperature of the heater 11 to 15 independently. このように、反応管2内は、このヒータ11〜15により、図2に示すような5つのゾーンに区分されている。 Thus, the reaction tube 2, the heater 11 to 15, is divided into five zones, as shown in FIG. 例えば、反応管2内のTOP(ZONE1)を加熱する場合には、電力コントローラ16を制御してヒータ11を所望の温度に加熱する。 For example, in the case of heating the TOP (ZONE1) in the reaction tube 2 controls the power controller 16 to heat the heater 11 to a desired temperature. 反応管2内のCENTER(CTR(ZONE3))を加熱する場合には、電力コントローラ18を制御してヒータ13を所望の温度に加熱する。 In case of heating the CENTER of the reaction tube 2 (CTR (ZONE3)) controls the power controller 18 to heat the heater 13 to a desired temperature. 反応管2内のBOTTOM(BTM(ZONE5))を加熱する場合には、電力コントローラ20を制御してヒータ15を所望の温度に加熱する。 In case of heating the BOTTOM of the reaction tube 2 (BTM (ZONE5)) controls the power controller 20 to heat the heater 15 to a desired temperature.

また、マニホールド3には、反応管2内に処理ガスを供給する複数の処理ガス供給管が設けられている。 Also, in the manifold 3, a plurality of process gas supply pipe for supplying a process gas is provided into the reaction tube 2. なお、図1では、マニホールド3に処理ガスを供給する3つの処理ガス供給管21〜23を図示している。 In FIG 1 illustrates the three processing gas supply pipes 21 to 23 for supplying a processing gas into the manifold 3. 処理ガス供給管21は、マニホールド3の側方からウエハボート9の上部付近(ZONE1)まで延びるように形成されている。 Processing gas supply pipe 21 is formed so as to extend from the side of the manifold 3 to the vicinity of the top of the wafer boat 9 (ZONE1). 処理ガス供給管22は、マニホールド3の側方からウエハボート9の中央付近(ZONE3)まで延びるように形成されている。 Processing gas supply pipe 22 is formed so as to extend from the side of the manifold 3 to the vicinity of the center of the wafer boat 9 (ZONE3). 処理ガス供給管23は、マニホールド3の側方からウエハボート9の下部付近(ZONE5)まで延びるように形成されている。 Processing gas supply pipe 23 is formed so as to extend from the side of the manifold 3 to the vicinity of the bottom of the wafer boat 9 (ZONE5).

各処理ガス供給管21〜23には、それぞれ、流量調整部24〜26が設けられている。 Each process gas supply pipes 21 to 23, respectively, the flow rate adjusting unit 24 to 26 is provided. 流量調整部24〜26は、処理ガス供給管21〜23内を流れる処理ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ(MFC)などから構成されている。 Flow rate adjusting unit 24 to 26 is composed of such as a mass flow controller for adjusting the flow rate of the processing gas flowing through the processing gas supply pipe 21 to 23 (MFC). このため、処理ガス供給管21〜23から供給される処理ガスは、流量調整部24〜26により所望の流量に調整されて、それぞれ反応管2内に供給される。 Therefore, the process gas supplied from the processing gas supply pipe 21 to 23, is adjusted to a desired flow rate by the flow rate adjusting unit 24 to 26, are respectively supplied to the reaction tube 2.

また、熱処理装置1は、反応管2内のガス流量、圧力、処理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するための制御部(コントローラ)50を備えている。 The heat treatment apparatus 1 is provided with gas flow in the reaction tube 2, the pressure, the control unit (controller) 50 for controlling the process parameters such as temperature of process atmosphere. 制御部50は、流量調整部24〜26、圧力調整部5、ヒータ11〜15の電力コントローラ16〜20等に制御信号を出力する。 Control unit 50, the flow rate adjusting unit 24 to 26, the pressure adjusting unit 5, and outputs a control signal to the power controller 16 to 20 or the like of the heater 11 to 15. 図3に制御部50の構成を示す。 It shows the configuration of the control unit 50 in FIG. 3.

図3に示すように、制御部50は、モデル記憶部51と、レシピ記憶部52と、学習履歴ファイル記憶部53と、ROM(Read Only Memory)54と、RAM(Random Access Memory)55と、I/O(Input/Output Port)ポート56と、CPU(Central Processing Unit) 57と、これらを相互に接続するバス58と、ログ記憶部60と、から構成されている。 3, the control unit 50 includes a model storage unit 51, a recipe storage unit 52, a learning history file storage unit 53, a ROM (Read Only Memory) 54, a RAM (Random Access Memory) 55, and I / O (Input / Output port) port 56, a CPU (Central Processing unit) 57, a bus 58 for connecting these to each other, a log storage unit 60, and a.

モデル記憶部51には、ヒータの温度の変化と形成されるSiO 膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルが記憶されている。 In the model storage unit 51, the film thickness change model showing a relationship between the thickness variation of the SiO 2 film formed with a change in temperature of the heater is stored. 図4に膜厚変化モデルの一例を示す。 It shows an example of film thickness change model in FIG. 図4に示すように、膜厚変化モデルは、所定ZONEの温度を1℃上げたとき、各ZONEに形成されるSiO 膜の膜厚がどれだけ変化するかを示している。 As shown in FIG. 4, the film thickness change model when raised 1 ℃ temperature of predetermined ZONE, it indicates how the thickness of the SiO 2 film formed on each ZONE will change much. 例えば、図4に示すように、電力コントローラ16を制御してヒータ11を加熱することによりZONE1の温度設定値を1℃上げると、ZONE1に形成されるSiO 膜の膜厚が2nm増加し、ZONE2に形成されるSiO 膜の膜厚が0.7nm減少し、ZONE3に形成されるSiO 膜の膜厚が0.8nm増加し、ZONE4に形成されるSiO 膜の膜厚が0.05nm減少する。 For example, as shown in FIG. 4, increasing 1 ℃ temperature setpoint of ZONE1 by controlling the power controller 16 to heat the heater 11, an increase 2nm film thickness of the SiO 2 film formed ZONE1, the film thickness of the SiO 2 film formed ZONE2 decreases 0.7 nm, the film thickness of the SiO 2 film formed ZONE3 increases 0.8 nm, the film thickness of the SiO 2 film formed on Zone 4 0. reduced 05nm.

レシピ記憶部52には、この熱処理装置1で実行される成膜処理の種類に応じて、制御手順を定めるプロセス用レシピが記憶されている。 The recipe storage unit 52, according to the type of film formation process executed by the heat treatment apparatus 1, the process recipe defining the control procedure is stored. プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理(プロセス)毎に用意されるレシピであり、反応管2への半導体ウエハWのロードから、処理済みの半導体ウエハWをアンロードするまでの温度、時間、ガス流量等を規定する。 Process recipe is a recipe that the user is prepared actually performed processing for each (process), from the load of the semiconductor wafer W into the reaction tube 2, to unload the processed semiconductor wafer W temperature, time , to define the gas flow rate, etc.. 具体的には、各部の温度の変化、反応管2内の圧力変化、ガスの供給の開始及び停止のタイミング、供給量などを規定する。 Specifically, defining the change in temperature of each part, the pressure change in the reaction tube 2, the timing of the start and stop of the supply of gas, and the supply amount.

学習履歴ファイル記憶部53には、作成された学習履歴ファイルが記憶されている。 Learning history file storage unit 53 has been created learning history file is stored. 学習履歴ファイルには、例えば、調整処理により作成・登録された日時、プロセス条件(温度、時間、ガス流量等)、必要なプロセスログの情報などが記憶されている。 The learning history file, for example, date created and registered by the adjustment process, the process conditions (temperature, time, gas flow rate, etc.), etc. of the process log information is stored as necessary. 必要なプロセスログの情報としては、例えば、ウエハボート9上のトータル移載枚数、製品の枚数と位置を示す製品移載レイアウト、ダミーウエハの枚数と位置を示すダミーウエハレイアウト、モニターウエハの枚数と位置を示すモニターウエハレイアウト、反応管2(プロセスチューブ)の累積膜厚などが記憶されている。 The information process logs necessary, for example, the total transfer number on the wafer boat 9, the product transfer layout showing the number and location of the products, the dummy wafer layout shown the number and position of the dummy wafer, the number of monitor wafers located the illustrated monitor wafer layout, etc. accumulated film thickness of the reaction tube 2 (process tube) is stored. 後述する処理において学習履歴ファイルを使用することにより、処理の精度が向上する。 By using the learning history file in the process described later, the accuracy of the process is improved.

ROM54は、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、CPU57の動作プログラムなどを記憶する記録媒体である。 ROM54 is, EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), flash memory, or a hard disk, a recording medium which stores a operation program of the CPU 57.
RAM55は、CPU57のワークエリアなどとして機能する。 RAM55 functions as a work area of ​​the CPU57.

I/Oポート56は、温度、圧力、ガスの流量に関する測定信号をCPU57に供給すると共に、CPU57が出力する制御信号を各部(圧力調整部5、ヒータ11〜15の電力コントローラ16〜20、流量調整部24〜26等)へ出力する。 I / O port 56, temperature, pressure, supplies the measurement signal relating to the flow rate of the gas to CPU 57, each section a control signal output by the CPU 57 (the pressure adjustment unit 5, the power controller 16 to 20 of the heater 11 to 15, flow rate and outputs it to such adjustment unit 24 to 26). また、I/Oポート56には、操作者が熱処理装置1を操作する操作パネル59が接続されている。 The I / O port 56, the operation panel 59 when the operator operates the thermal processing apparatus 1 is connected.

CPU57は、制御部50の中枢を構成し、ROM54に記憶された動作プログラムを実行し、操作パネル59からの指示に従って、レシピ記憶部52に記憶されているプロセス用レシピに沿って、熱処理装置1の動作を制御する。 CPU57 constitutes the core of the control unit 50 executes the operation program stored in the ROM 54, in accordance with an instruction from the operation panel 59, along the process recipe stored in the recipe storage unit 52, the heat treatment apparatus 1 to control the operation.

CPU57は、モデル記憶部51に記憶されている膜厚変化モデルと、形成されたSiO 膜の膜厚とに基づいて、目標膜厚が形成される反応管2内の各ZONE(ZONE1〜5)に配置されたヒータ11〜15の設定温度を算出する。 CPU57 has the thickness change model stored in the model storage unit 51, based on the thickness of the SiO 2 film formed, the ZONE in the reaction tube 2 to the target film thickness is formed (ZONE1~5 ) set temperature of the heater 11 to 15 arranged to calculate a.

また、CPU57は、学習履歴ファイル記憶部53に記憶された学習履歴ファイルの中から、処理に使用する学習履歴ファイルを特定する。 Further, CPU 57, from the stored learned history file in the learning history file storage unit 53, identifies the learning history file to be used for processing. 本例では、プロセス条件(温度、時間、ガス流量等)が記憶されたプロセスログと一致するプロセス条件が記憶され、大規模なメンテナンスが行われず、必要なプロセスログが一致する場合に、学習履歴ファイルを特定する。 In this example, the process conditions (temperature, time, gas flow rate, etc.) the process conditions to match the process log which is stored is stored, not performed extensive maintenance, if necessary process logs match, learning history to identify the file.

なお、処理に使用する学習履歴ファイルの特定は、例えば、レシピ記憶部52に記憶されたプロセス用レシピの中から操作者がプロセス用レシピを指定することにより、CPU57が、指定されたプロセス用レシピのプロセス条件と一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルを学習履歴ファイル記憶部53から特定してもよい。 Incidentally, identified learning history file to be used for processing, for example, by the operator from the recipe for the process stored in the recipe storage unit 52 specifies a process recipe, recipe CPU57 is, a given process process conditions and process conditions may specify the stored learned history file from the learning history file storage unit 53 that matches.

バス58は、各部の間で情報を伝達する。 Bus 58 transmits information between each unit.

ログ記憶部60には、実施した処理に関する各種のログ、例えば、プロセスログ、アラームログが記憶されている。 The log storage unit 60, various log of processing performed, for example, process log, alarm log is stored. 例えば、大規模なメンテナンスが行われ、T/Cが取り外されるとT/C断線アラームが発生するとともに、その内容、日時を示すアラームログがログ記憶部60に記憶される。 For example, extensive maintenance is performed and T / C is removed together with the T / C break alarm occurs, the contents, alarm log indicating the date and time are stored in the log storage unit 60. また、炉内の温度が室温まで低下すると、T/Cショートアラームが発生するとともに、その内容、日時を示すアラームログがログ記憶部60に記憶される。 Further, the temperature in the furnace is decreased to room temperature, with T / C Short alarm occurs, the contents, alarm log indicating the date and time are stored in the log storage unit 60. さらに、クリーニングレシピが実行されると、その内容、日時を示すプロセスログがログ記憶部60に記憶される。 Further, the cleaning recipe is executed, the contents, process log indicating the date and time are stored in the log storage unit 60. このように、プロセスログ、および、アラームログの有無により、その装置のコンディションが変化したか否かを判別することができる。 Thus, process log and, depending on the presence or absence of the alarm log, it is possible to determine whether the condition of the device has changed. CPU57は、後述するように、ログ記憶部60に記憶されたこれらのログを用いて、熱処理装置1に大規模なメンテナンスを行ったか否かを判別する。 CPU57, as will be described later, stored in the log storage unit 60 using these logs, it is determined whether or not made significant maintenance to a heat treatment apparatus 1.

次に、以上のように構成された熱処理装置1を用いて反応管2内(ZONE1〜5)のプロセス条件を調整する調整方法を含む熱処理方法(熱処理)について説明する。 It will now be described heat treatment method comprising the method of adjusting the process conditions within the reaction tube 2 by using the heat treatment apparatus 1 configured as described above (ZONE1~5) (heat treatment). なお、調整処理は、膜厚が最も目標膜厚に近づくプロセス条件(本例では温度)を算出するものである。 The adjustment process (in this example, temperature) process conditions thickness approaches the most target thickness and calculates a. 図5は、本例の熱処理を説明するためのフローチャートである。 Figure 5 is a flowchart for describing the heat treatment of the present embodiment.

まず、操作者は、操作パネル59を操作して、調整処理で実行するプロセス種別等の必要な情報を入力する。 First, the operator operates the operation panel 59 to input necessary information such as the process type to be executed in the adjustment process. 具体的には、操作者は、調整処理で実施する処理装置と、プロセス種類、本例では、ジクロロシランと一酸化二窒素(N O)とのSiO 膜の成膜(DCS−HTO)とを選択するとともに、ターゲットとなるSiO 膜の膜厚(目標膜厚)を、例えば、ゾーンごとに入力する。 Specifically, the operator, a processing unit implemented in the adjustment process, the process type, in this example, dichlorosilane and nitrous oxide film formation (N 2 O) and SiO 2 film (DCS-HTO) while select and thickness of the SiO 2 film serving as a target (target thickness), for example, inputs for each zone.

制御部50(CPU57)は、プロセス種別等の必要な情報が入力されたか否かを判別する(ステップS1)。 Control unit 50 (CPU 57) is necessary information, such as the process type is determined whether or not the input (step S1). CPU57は、必要な情報が入力されていると判別すると(ステップS1;Yes)、入力されたプロセス種別に対応するプロセス用レシピをレシピ記憶部52から読み出す(ステップS2)。 CPU57, when determining that necessary information is inputted (Step S1; Yes), reads out a process recipe corresponding to the input process type from the recipe storage unit 52 (step S2). プロセス用レシピには、反応管2内の圧力、温度などのプロセス条件が記憶されている。 The process recipe, the pressure in the reaction tube 2, process conditions such as temperature are stored. 例えば、プロセス用レシピには、反応管2内のZONE1〜5の温度が記憶されている。 For example, the process recipe, the temperature of ZONE1~5 in the reaction tube 2 is stored.

次に、CPU57は、読み出したプロセス用レシピのプロセス条件で成膜処理を実行する(ステップS3)。 Next, CPU 57 executes a film formation process at the process conditions of a recipe for the read process (step S3). 具体的には、CPU57は、ボートエレベータ7(蓋体6)を降下させ、少なくとも各ZONEに半導体ウエハW(モニターウエハ)を搭載したウエハボート9を蓋体6上に配置する。 Specifically, CPU 57 causes the lowering of the boat elevator 7 (lid body 6), arranged on the lid 206 to the wafer boat 9 provided with a semiconductor wafer W (monitor wafer) at least each ZONE. 次に、CPU57は、ボートエレベータ7(蓋体6)を上昇して、ウエハボート9(半導体ウエハW)を反応管2内にロードする。 Then, CPU 57 is to raise the boat elevator 7 (lid 6), the wafer boat 9 (semiconductor wafer W) loaded into the reaction tube 2. そして、CPU57は、更新したプロセス条件が記載されたレシピに従って、圧力調整部5、ヒータ11〜15の電力コントローラ16〜20、流量調整部24〜26等を制御して、半導体ウエハWにSiO 膜を成膜する。 Then, CPU 57 in accordance with the recipe updated process conditions have been described, the pressure adjusting section 5, the power controller 16 to 20 of the heater 11 to 15, and controls the flow rate adjusting unit 24 to 26 or the like, SiO 2 on the semiconductor wafer W forming a membrane.

CPU57は、成膜処理が終了すると、成膜されたSiO 膜の膜厚を測定する(ステップS4)。 CPU57, when the film forming process is completed, measuring the film thickness of the formed SiO 2 film (step S4). 例えば、CPU57は、ボートエレベータ7(蓋体6)を降下させ、SiO 膜が成膜された半導体ウエハWをアンロードし、半導体ウエハWを、例えば、図示しない測定装置に搬送し、半導体ウエハWに成膜されたSiO 膜の膜厚を測定させる。 For example, CPU 57 causes the lowering of the boat elevator 7 (lid 206) to unload the semiconductor wafer W where the SiO 2 film is deposited, the semiconductor wafer W, for example, transported to an unillustrated measuring device, a semiconductor wafer the thickness of the formed SiO 2 film W is measured. 測定装置では、半導体ウエハWに成膜されたSiO 膜の膜厚を測定すると、例えば、測定したSiO 膜の膜厚データを熱処理装置1(CPU57)に送信する。 In the measuring device, when measuring the film thickness of the SiO 2 film formed on the semiconductor the wafer W, for example, it transmits the thickness data of the SiO 2 film measured in the thermal processing apparatus 1 (CPU 57). CPU57は、測定されたSiO 膜の膜厚データを受信することにより、成膜されたSiO 膜の膜厚を特定する。 CPU57 by receiving the film thickness data of the measured SiO 2 film, to identify the thickness of the formed SiO 2 film. なお、操作者が操作パネル59を操作して、測定結果を入力してもよい。 Incidentally, the operator operates the operation panel 59 may input the measurement results.

CPU57は、成膜されたSiO 膜の膜厚が測定されると、測定された膜厚が許容範囲内か否かを判別する(ステップS5)。 CPU57, when the film thickness of the formed SiO 2 film is measured, the film thickness was measured to determine whether the allowable range (step S5). 許容範囲内とは、入力された目標膜厚から許容可能な所定の範囲内に含まれていることをいい、例えば、入力された目標膜厚から±1%以内の場合をいう。 The within the allowable range refers to contained within an acceptable predetermined range from the target film thickness has been entered, for example, refers to the case from a target film thickness has been entered within 1% ±.

CPU57は、測定した膜厚が許容範囲内でないと判別すると(ステップS5;No)、学習履歴ファイル特定処理を実行する(ステップS6)。 CPU57, when the film thickness was measured to determine that it is not within the allowable range (step S5; No), executes the learning history file specifying process (step S6). 図6は、学習履歴ファイル特定処理を説明するためのフローチャートである。 Figure 6 is a flowchart for explaining the learning history file identification process. なお、本例では、後述するように、プロセス条件が一致し、装置コンディションが変化していない場合に、学習履歴ファイルを特定する。 In this example, as will be described later, process conditions match, if the device condition is not changed, identifies the learning history file. 装置コンディションの変化については、大規模なメンテナンスが行われず、必要なプロセスログが一致する場合に、装置コンディションが変化していないものと判別した。 For the action of the device condition is not carried out large-scale maintenance, if necessary process logs match was determined that the device condition is not changed.

まず、CPU57は、膜厚測定結果に該当するプロセスログを読み出す(ステップS21)。 First, CPU 57 reads out the process log which corresponds to the film thickness measurement result (step S21). 次に、CPU57は、読み出したプロセスログに記憶されたプロセス条件と一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルが学習履歴ファイル記憶部53に記憶されているか否かを判別する(ステップS22)。 Then, CPU 57 is learning the history file processing conditions are stored to match the process conditions stored in the read process log to determine whether it is stored in the learning history file storage unit 53 (step S22). CPU57は、一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルが学習履歴ファイル記憶部53に記憶されていないと判別すると(ステップS22;No)、学習履歴ファイルを特定することなく、この処理を終了する。 CPU57, when learning history file processing conditions are stored match is determined not stored in the learning history file storage unit 53 (step S22; No), without specifying the learning history file, the process is terminated .

CPU57は、一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルが学習履歴ファイル記憶部53に記憶されていると判別すると(ステップS22;Yes)、判別した学習履歴ファイルが作成・登録された日時を特定する(ステップS23)。 CPU57, when learning history file processing conditions are stored match is determined and stored in the learning history file storage unit 53 (step S22; Yes), identifying the date and time when the learning history file is created and registered it decides (step S23). 次に、CPU57は、ログ記憶部60に記憶されたログの中から、特定した日時以降に大規模なメンテナンスが行われたことを示すログが存在するか否かを判別する(ステップS24)。 Then, CPU 57, from the log stored in the log storage unit 60, a log indicating that a large maintenance after the date identified were conducted to determine whether there (step S24). 例えば、CPU57は、ログ記憶部60に、特定した日時以降における、T/Cが取り外され、T/C断線アラームが発生したことを示すアラームログ、炉内の温度が室温まで低下し、T/Cショートアラームが発生したことを示すアラームログ、または、クリーニングレシピの実行されたことを示すプロセスログが存在するか否かを判別する。 For example, CPU 57 is in the log storage unit 60, in the later date specified, T / C is removed, the alarm log indicating that the T / C break alarm occurs, the temperature in the furnace is lowered to room temperature, T / C short alarm alarm log indicating that occurs or, process log indicating that the execution of the cleaning recipe is determined whether or not there. CPU57は、このようなプロセスログおよびアラームログが存在すると判別すると(ステップS24;Yes)、学習履歴ファイルを特定することなく、この処理を終了する。 CPU57, when determining that such a process log and alarm log exists (step S24; Yes), without specifying the learning history file, the process ends.

CPU57は、このようなプロセスログおよびアラームログが存在しないと判別すると(ステップS24;No)、ステップS22で判別した学習履歴ファイルに記憶されているプロセスログの情報(前回計算時に選ばれたプロセスログの情報)と、今回のプロセスログの情報(今回計算時に選ばれたプロセスログの情報)との、必要なプロセスログの情報を比較する(ステップS25)。 CPU57, when determining that such a process log and alarm log does not exist (step S24; No), the process logs selected during the process log information (previously calculated stored in the learning history file is determined in step S22 and information), and information of this process log (information process logs selected a currently calculated time), compares the information of the process necessary logs (step S25). そして、CPU57は、両者のプロセスログの情報において、差があってはいけない部分に差があるか否かを判別する(ステップS26)。 Then, CPU 57 is an information of both process logs, to determine whether there is a difference in the portion that should not be there is a difference (step S26). 例えば、CPU57は、ウエハボート9上のトータル移載枚数、製品の枚数と位置を示す製品移載レイアウト、ダミーウエハの枚数と位置を示すダミーウエハレイアウト、モニターウエハの枚数と位置を示すモニターウエハレイアウト、反応管2(プロセスチューブ)の累積膜厚が前回より大きい場合、差があってはいけない部分に差はないと判別する。 For example, CPU 57 is the total transfer number on the wafer boat 9, the product transfer layout showing the number and location of the products, the dummy wafer layout shown the number and position of the dummy wafer, a monitor wafer layout indicating the position and the number of monitor wafers, when the accumulated film thickness of the reaction tube 2 (process tube) is larger than the previous difference the portion that should not be there is a difference is not determined to be. CPU57は、差があってはいけない部分に差があると判別すると(ステップS26;Yes)、学習履歴ファイルを特定することなく、この処理を終了する。 CPU57, when there is a difference is determined that there is a difference in the portion should not (step S26; Yes), without specifying the learning history file, the process ends.

CPU57は、差があってはいけない部分に差がないと判別すると(ステップS26;No)、装置コンディションが変化していないものとして、この学習履歴ファイルを特定し(ステップS27)、この処理を終了する。 CPU57, when determining that there is no difference in a portion that should not be there is a difference (Step S26; No), as the device condition is not changed, identifies the learning history file (step S27), the processing ends to. このように、プロセス条件が一致し、装置コンディションが変化していない(大規模なメンテナンスが行われず、必要なプロセスログが一致する)場合に、学習履歴ファイルを特定する。 In this way, the process conditions is a match, not equipment condition changes (not large-scale maintenance is carried out, the process logs match required) in the case, to identify the learning history file.

ここで、操作者が学習履歴ファイルを使用するか否かを考えて指定する作業が不要になり、手間がかかるという問題がなくなる。 Here, the operator is not required to work to specify consider whether or not to use the learning history file, time and effort it takes is eliminated. また、操作者が学習履歴ファイルの選択を誤るという人為的ミスをなくすことができ、処理結果の精度が低下してしまうという問題がなくなる。 Further, it is possible the operator eliminate human error that wrong choice of learning history file, a problem that the processing accuracy of the result is reduced is eliminated. このため、精度良く、使いやすい処理を行うことができる。 For this reason, high accuracy, it is possible to carry out an easy-to-use process.

続いて、CPU57は、読み出したプロセス用レシピと、特定した学習履歴ファイルと、モデル記憶部51に記憶された膜厚変化モデルとに基づいて、入力した目標膜厚に最も近づく温度等のプロセス条件を算出する(ステップS7)。 Subsequently, CPU 57 reads and processes for recipes, and identified learning history file, based on the thickness change model stored in the model storage unit 51, the process conditions such as temperature closest to the target film thickness entered It is calculated (step S7). なお、ステップS6において、学習履歴ファイルを特定しなかった場合には、CPU57は、読み出したプロセス用レシピと、モデル記憶部51に記憶された膜厚変化モデルとに基づいて、入力した目標膜厚に最も近づく温度等のプロセス条件を算出する。 Note that, in step S6, if not specified the learning history file, CPU 57 reads and processes for recipes, based on the stored thickness change model in the model storage unit 51, the target thickness entered and it calculates the process condition of the closest temperature or the like.

このプロセス条件の算出方法としては、種々の方法を用いることができ、例えば、米国特許第5 ,991,525号公報などに開示されているカルマンフィルターによる学習機能による手法を利用することができる。 The method of calculating the process conditions, it is possible to use various methods, for example, U.S. Patent No. 5, it is possible to utilize a method by the learning function by the Kalman filter, which is disclosed in, Japanese Patent 991,525.

次に、CPU57は、算出した新しいプロセス条件を記憶する新たな学習履歴ファイルを作成し、学習履歴ファイル記憶部53に登録する(ステップS8)。 Then, CPU 57 stores the calculated new process conditions to create a new learning history file is registered in the learning history file storage unit 53 (step S8). また、CPU57は、算出したプロセス条件(温度)でプロセス用レシピを更新する(ステップS9)。 Further, CPU 57 updates the process recipe at the calculated process conditions (temperature) (step S9). そして、CPU57は、登録したプロセス条件(温度)で成膜処理を実行する(ステップS3)。 Then, CPU 57 executes a film formation process at registered process conditions (temperature) (step S3).

CPU57は、測定した膜厚が許容範囲内であると判別すると(ステップS5;Yes)、プロセス用レシピが終了したか否かを判別する(ステップS10)。 CPU57, when the film thickness was measured determined to be within the allowable range (step S5; Yes), the process recipe is judged whether or not it is completed (step S10). CPU57は、プロセス用レシピが終了していないと判別すると(ステップS10;No)、引き続き、成膜処理を実行する(ステップS3)。 CPU57, when the process recipe is determined to not completed (step S10; No), subsequently, executes the deposition process (step S3). CPU57は、プロセス用レシピが終了したと判別すると(ステップS10;Yes)、この処理を終了する。 CPU57, when determining that the process recipe is completed (step S10; Yes), the processing ends.

以上説明したように、本実施の形態によれば、プロセス条件が一致し、大規模なメンテナンスが行われず、必要なプロセスログが一致することにより、学習履歴ファイルを特定しているので、操作者が学習履歴ファイルを使用するか否かを考えて指定する作業が不要になり、手間がかかるという問題がなくなる。 As described above, according to this embodiment, process conditions match, not performed extensive maintenance, by the process logs required to match, because it identifies the learning history file, the operator but eliminates the need for work to specify consider whether or not to use the learning history file, time and effort it takes is eliminated. さらに、操作者が学習履歴ファイルの選択を誤るという人為的ミスをなくすことができ、処理結果の精度が低下してしまうという問題がなくなる。 Furthermore, it is possible the operator eliminate human error that wrong choice of learning history file, a problem that the processing accuracy of the result is reduced is eliminated. このため、精度良く、使いやすい処理を行うことができる。 For this reason, high accuracy, it is possible to carry out an easy-to-use process.

なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。 The present invention is not limited to the aforementioned embodiment, and various modifications and applications are possible. 以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。 Brief Description of other applicable embodiments of the present invention.

上記実施の形態では、プロセス条件が一致し、装置コンディションが変化していない場合に、学習履歴ファイルを特定した場合を例に本発明を説明したが、例えば、プロセス条件が一致し、装置コンディションの一部が変化していない場合や、プロセス条件の一部が一致し、装置コンディションが変化していない場合にも学習履歴ファイルを特定してもよい。 In the above embodiment, the process conditions are matched, if the device condition is not changed, the invention has been described a case where identifying the learning history file to, for example, process conditions match, the device Condition and if a portion is not changed, part of the process conditions are in agreement, it may also identify learning history file when the device condition is not changed. これらの場合にも、操作者の学習履歴ファイルの特定に手間がかかるという問題がなくなる。 Also in these cases, there is no problem that it takes time and effort to a particular learning history file of the operator. 例えば、プロセス条件のうち、温度等の一部が同一の学習履歴ファイルを列挙し、操作者が列挙された学習履歴ファイルの中から選択するようにしてもよい。 For example, among the process conditions, a portion of the temperature or the like is enumerated the same learning history file may be selected from the operator listed learning history file. また、必要なプロセスログの一部が一致する学習履歴ファイルを列挙し、操作者が列挙された学習履歴ファイルの中から選択するようにしてもよい。 In addition, lists the learning history files that match the part of the process log required, may be selected from among the operator have been enumerated learning the history file. さらに、プロセス条件等に優先順位を設け、優先順位の高い条件が一致する学習履歴ファイルを特定するようにしてもよい。 Further, the priority is provided on the process conditions and the like, may be specified learning history files higher priority conditions are met. また、大規模なメンテナンスが行われていても、学習履歴ファイルを特定してもよい。 In addition, even if it has large-scale maintenance, it may identify the learning history file.

また、上記実施の形態では、学習履歴ファイル記憶部53に記憶された学習履歴ファイルの中から特定する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ネットワークで接続された別のサーバやコンピュータの中から学習履歴ファイルを特定できるようにしてもよい。 In the above embodiment, the learning history file is a case of specifying from a stored in the storage unit 53 the learning history file The present invention has been described, for example, another connected by a network server or computer You may be able to identify the learning history file from within.

上記実施の形態では、ジクロロシランと一酸化二窒素とを用いてSiO 膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ジクロロシランとアンモニア(NH )とを用いたSiN膜の成膜にも本発明を適用可能である。 In the above embodiment, the invention has been described as an example the case of forming the SiO 2 film using dichlorosilane and a dinitrogen monoxide, eg, SiN film using dichlorosilane and ammonia (NH 3) in the film-forming is applicable to the present invention.

上記実施の形態では、SiO 膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、処理の種類は任意であり、他種類の膜を形成するCVD(Chemical Vapor Deposition)装置、酸化装置などの様々な熱処理装置に適用可能である。 In the above embodiment, the invention has been described a case of forming the SiO 2 film as an example, the type of processing is arbitrary, CVD to form other types of films (Chemical Vapor Deposition) apparatus such as the oxidizer it is applicable to a variety of heat treatment apparatus.

上記実施の形態では、目標とする処理結果について、SiO 膜の膜厚を例に本発明を説明したが、例えば、Si膜中に含まれる不純物濃度(膜中不純物濃度)であってもよい。 In the above embodiment, the processing result of the target, the invention has been described film thickness of the SiO 2 film, for example, may be a concentration of impurities in the Si film (film impurity concentration) . この場合、モデル記憶部51には、ヒータ11〜15の温度の変化と形成されるSi膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す変化モデルが記憶されている。 In this case, in the model storage unit 51, the change model showing a relationship between the change in the film an impurity concentration of the Si film formed with a change in temperature of the heater 11 to 15 is stored.

上記実施の形態では、ヒータの段数(ゾーンの数)が5段の場合を例に本発明を説明したが、4段以下であっても、6段以上であってもよい。 In the above embodiment, the number of stages of the heater (the number of zones). However the case of the five-stage the present invention has been described as an example, be less than or equal to four stages, or may be 6 or more stages. また。 Also. 各ゾーンから抽出する半導体ウエハWの数などは任意に設定可能である。 Such as the number of the semiconductor wafer W to be extracted from each zone can be arbitrarily set.

上記実施の形態では、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管2が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。 In the above embodiments, the case of a batch type heat treatment apparatus of a single-tube structure The present invention has been described, for example, batch Shikitate of the double pipe structure in which the reaction tube 2 is composed of inner and outer tubes it is also possible to apply the present invention to mold a heat treatment apparatus. また、枚葉式の処理装置に本発明を適用することも可能である。 It is also possible to apply the present invention to single-wafer processing apparatus. 本発明は、半導体ウエハの処理に限定されるものではなく、例えば、FPD(Flat Panel Display)基板、ガラス基板、PDP(Plasma Display Panel)基板などの処理にも適用可能である。 The present invention is not limited to the processing of semiconductor wafers, for example, FPD (Flat Panel Display) substrate, a glass substrate, is also applicable to processing such as PDP (Plasma Display Panel) substrate.

本発明の実施の形態にかかる制御部50は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。 Control unit 50 according to the embodiment of the present invention is not only by a dedicated system can be realized using a normal computer system. 例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体(フレキシブルディスク、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)など)から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部50を構成することができる。 For example, a general-purpose computer, a recording medium storing a program for executing the processing described above by installing the program from the flexible disk (, CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), etc.), executes the above-described processing it is possible to construct a control unit 50 for.

そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。 Means for supplying the programs is arbitrary. 上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。 Another can be supplied via a predetermined recording medium as described above, for example, a communication line, a communication network, may be supplied via a communication system. この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板(BBS:Bulletin Board System)に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。 In this case, for example, bulletin board communication network (BBS: Bulletin Board System) on posted the program, which may be provided to be superimposed on a carrier wave via a network. そして、このように提供されたプログラムを起動し、OS(Operating System)の制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。 Then, start the thus provided program, under the control of the OS (Operating System), by performing similarly to other application programs, it can perform the processing described above.

本発明は半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理システムに有用である。 The present invention is useful for processing system for processing a workpiece such as a semiconductor wafer.

1 熱処理装置 2 反応管 3 マニホールド 6 蓋体 9 ウエハボート 10 ヒータ部 11〜15 ヒータ 16〜20 電力コントローラ 21〜23 処理ガス供給管 24〜26 流量調整部 50 制御部 51 モデル記憶部 52 レシピ記憶部 53 学習履歴ファイル記憶部 54 ROM 1 heat treatment apparatus 2 the reaction tube 3 manifold 6 cover 9 wafer boat 10 heater unit 11 to 15 heaters 16 to 20 power controller 21-23 processing gas supply pipe 24 to 26 flow rate adjusting unit 50 control unit 51 model storage unit 52 recipe storage unit 53 learning history file storage unit 54 ROM
55 RAM 55 RAM
57 CPU 57 CPU
60 ログ記憶部 W 半導体ウエハ 60 log storage unit W semiconductor wafer

Claims (5)

  1. 処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、 A processing condition storage means for storing processing conditions corresponding to the processing contents of the object to be processed accommodated in the processing chamber,
    前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段と、 A learning history file storage means for storing a learning history file for the stored processing conditions by the processing condition storage means,
    前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段と、 And changes in the processing conditions, the processing change model storage means for storing a processing change model showing a relationship between the processing result changes,
    前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段と、 A processing information receiving means for receiving information on the processing result of the target of the object to be processed,
    前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段と、 And information on the processing result of the received target by the processing information receiving unit, based on the stored processing conditions by the processing condition storage means, the processing condition specifying means for specifying the required processing conditions,
    前記処理条件特定手段により特定された処理条件で処理した処理結果が、前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する処理結果判別手段と、 A processing result determining means processing processing result in specified processing conditions, it is determined whether or not within the allowable range of information on the processing result of the received target by the processing information receiving means by the processing condition specifying section,
    前記処理結果判別手段により許容範囲内でないと判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから、少なくとも一部が同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定し、該特定した学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションの少なくとも一部が変化しているか否かにより、当該学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別手段と、 When it is determined to be not within the allowable range by the processing result determining means, from the stored learned history file by the learning history file storage means to identify the learning history file at least partly the same processing conditions stored, from the time of the identified learning history file is created, depending on whether at least a portion of the device condition is changing, the use determination means for determining whether or not to use the learning history file,
    前記使用判別手段により学習履歴ファイルを使用すると判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定手段と、 When it is judged using the learning history file by the use determination means, a learning history file determining means for determining the identified learning history file from the stored learned history file by the learning history file storage unit,
    前記処理条件特定手段により特定された処理条件と、前記学習履歴ファイル決定手段により決定された学習履歴ファイルと、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段と、 Wherein the processing condition processing condition specified by the specifying means, on the basis of learning and history file determining means learning history is determined by the file, in the stored processed change model in the processing variation model storing unit, and the target a processing condition calculating means for calculating the close processing conditions on the processing result,
    前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段と、 A processing condition update unit that updates the processing condition computed by the processing condition calculating means on the identified processing condition by the processing condition specifying section,
    を備える、ことを特徴とする処理システム。 Processing system comprising, characterized in that the.
  2. 前記使用判別手段は、装置運転ログ、および、プロセスログに基づいて、装置コンディションが変化しているか否かを判別する、ことを特徴とする請求項1に記載の処理システム。 The use determination means, the processing system of claim 1 apparatus operation logs, and, based on the process log to determine whether the device condition is changed, characterized in that.
  3. 前記処理内容は成膜処理であり、 The processing content is a film forming process,
    前記処理結果は前記被処理体に形成された薄膜の膜厚または膜中不純物濃度である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の処理システム。 Processing system according to claim 1 or 2, wherein the processing result is the a film thickness or film an impurity concentration of the thin film formed on the target object, characterized in that.
  4. 処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、 A processing condition storing step of storing processing conditions corresponding to the processing contents of the object to be processed accommodated in the processing chamber,
    前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶工程と、 A learning history file storage step of storing the learning history file on the processing conditions stored in the processing condition storage step,
    前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶工程と、 And changes in the processing conditions, the processing changes the model storage step of storing the process change model showing a relationship between the processing result changes,
    前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信工程と、 And processing information reception step of receiving information on the processing result of the target of the object to be processed,
    前記処理情報受信工程で受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定工程と、 And information on the processing result of the received target in the processing information receiving step, based on the stored processing conditions in the processing condition storage step, a processing condition specifying step of specifying the required processing conditions,
    前記処理条件特定工程で特定された処理条件で処理した処理結果が、前記処理情報受信工程で受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する処理結果判別工程と、 Said processing condition specifying step was treated with specified processing conditions in the processing result, the processing result determination step of determining whether the allowable range of information on the processing result of the received target in the processing information reception step,
    前記処理結果判別工程で許容範囲内でないと判別されると、前記学習履歴ファイル記憶工程で記憶された学習履歴ファイルから、少なくとも一部が同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定し、該特定した学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションの少なくとも一部が変化しているか否かにより、当該学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別工程と、 When it is determined to be not within the allowable range by the processing result determination step, from the learning history file storage step in the stored learned history file to identify the learning history file at least partly the same processing conditions stored, from the time of the identified learning history file is created, depending on whether at least a portion of the device condition is changing, the use determination step of determining whether or not to use the learning history file,
    前記使用判別工程で学習履歴ファイルを使用すると判別されると、前記学習履歴ファイル記憶工程で記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定工程と、 When it is judged using the learning history file in the use determination step, a learning history file determination step of determining the identified learning history file from the learning history file storage step in the stored learned history file,
    前記処理条件特定工程で特定された処理条件と、前記学習履歴ファイル決定工程で決定された学習履歴ファイルと、前記処理変化モデル記憶工程で記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出工程と、 And process conditions identified in the processing condition identification process, a learning history file determined in the learning history file determination step, on the basis of the stored processed change model in the processing changes the model storage step, and the target a processing condition calculating step of calculating the close processing conditions on the processing result,
    前記処理条件算出工程で算出された処理条件を前記処理条件特定工程で特定された処理条件に更新する処理条件更新工程と、 A processing condition update step of updating the calculated processing condition in the processing condition calculation process on the identified processing condition in the processing condition identification step,
    を備える、ことを特徴とする処理方法。 Comprising a processing method characterized by.
  5. コンピュータを、 The computer,
    処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、 Processing condition storage means for storing processing conditions corresponding to the processing contents of the object to be processed accommodated in the processing chamber,
    前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段、 Learning history file storage means for storing a learning history file for the stored processing conditions by the processing condition storage means,
    前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段、 Processing change model storage means for storing a processing variation model shown a change of the processing conditions, the relation between the processing result changes,
    前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段、 Processing information receiving means for receiving information on the processing result of the target of the object to be processed,
    前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段、 Processing result and information about, based on the processing conditions stored by the processing condition storage means, to identify the necessary processing conditions processing conditions specific means for the received target by the processing information receiving means,
    前記処理条件特定手段により特定された処理条件で処理した処理結果が、前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する処理結果判別手段、 Processing result determining means for the processing conditions treated were treated with specified processing condition by a particular means results to determine whether the allowable range of information on the processing result of the received target by the processing information receiving means,
    前記処理結果判別手段により許容範囲内でないと判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから、少なくとも一部が同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定し、該特定した学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションの少なくとも一部が変化しているか否かにより、当該学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別手段、 When it is determined to be not within the allowable range by the processing result determining means, from the stored learned history file by the learning history file storage means to identify the learning history file at least partly the same processing conditions stored, from the time of the identified learning history file is created, depending on whether at least a portion of the device condition is changing, the use determination means for determining whether or not to use the learning history file,
    前記使用判別手段により学習履歴ファイルを使用すると判別されると、前記学習履歴ファイル記憶手段により記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定手段、 When it is judged using the learning history file by the use determination means, the learning history file determining means for determining a learning history file identified from the stored learned history file by the learning history file storage unit,
    前記処理条件特定手段により特定された処理条件と、前記学習履歴ファイル決定手段により決定された学習履歴ファイルと、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段、 Wherein the processing condition processing condition specified by the specifying means, on the basis of learning and history file determining means learning history is determined by the file, in the stored processed change model in the processing variation model storing unit, and the target processing condition calculating means for calculating the close processing conditions on the processing result,
    前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段、 Processing condition updating means for updating the processing condition computed by the processing condition calculating means on the identified processing condition by the processing condition specifying section,
    として機能させる、ことを特徴とするプログラム。 To function as a program, characterized in that.
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