JP2016178290A - Solar battery - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar battery capable of exhibiting a high photoelectric conversion efficiency.SOLUTION: A solar battery comprises: an electrode; a counter electrode; and a photoelectric conversion layer disposed between the electrode and the counter electrode. The photoelectric conversion layer has an organic inorganic perovskite compound expressed by the general formula, R-M-X(where R represents an organic molecule, M represents a metal atom, and X represents a halogen atom or chalcogen atom), and a part including at least one element selected from a group consisting of elements of Groups 2 and 11 of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、高い光電変換効率を発揮できる太陽電池に関する。 The present invention relates to a solar cell that can exhibit high photoelectric conversion efficiency.

従来から、対向する電極間にN型半導体層とP型半導体層とを配置した積層体を備えた光電変換素子が開発されている。このような光電変換素子では、光励起により光キャリアが生成し、電子がN型半導体を、ホールがP型半導体を移動することで、電界が生じる。 Conventionally, a photoelectric conversion element including a stacked body in which an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer are arranged between opposing electrodes has been developed. In such a photoelectric conversion element, photocarriers are generated by photoexcitation, and an electric field is generated by electrons moving through an N-type semiconductor and holes moving through a P-type semiconductor.

現在、実用化されている光電変換素子の多くは、シリコン等の無機半導体を用いて製造される無機太陽電池である。しかしながら、無機太陽電池は製造にコストがかかるうえ大型化が困難であり、利用範囲が限られてしまうことから、無機半導体の代わりに有機半導体を用いて製造される有機太陽電池が注目されている。 Currently, most of the photoelectric conversion elements in practical use are inorganic solar cells manufactured using an inorganic semiconductor such as silicon. However, since inorganic solar cells are expensive to manufacture and difficult to increase in size, and the range of use is limited, organic solar cells manufactured using organic semiconductors instead of inorganic semiconductors are attracting attention. .

有機太陽電池においては、ほとんどの場合フラーレンが用いられている。フラーレンは、主にN型半導体として働くことが知られている。例えば、特許文献1には、P型半導体となる有機化合物とフラーレン類とを用いて形成された半導体ヘテロ接合膜が記載されている。しかしながら、フラーレンを用いて製造される有機太陽電池において、その劣化の原因はフラーレンであることが知られており(例えば、非特許文献1参照)、フラーレンに代わる材料が求められている。 In organic solar cells, fullerene is almost always used. Fullerenes are known to work mainly as N-type semiconductors. For example, Patent Document 1 describes a semiconductor heterojunction film formed using an organic compound that becomes a P-type semiconductor and fullerenes. However, in organic solar cells manufactured using fullerenes, it is known that the cause of deterioration is fullerenes (see, for example, Non-Patent Document 1), and materials that replace fullerenes are required.

そこで近年、有機無機ハイブリッド半導体と呼ばれる、中心金属に鉛、スズ等を用いたペロブスカイト構造を有する光電変換材料が発見され、高い光電変換効率を有することが示された(例えば、非特許文献2)。 Therefore, in recent years, a photoelectric conversion material having a perovskite structure using lead, tin, or the like as a central metal, which is called an organic-inorganic hybrid semiconductor, has been discovered and shown to have high photoelectric conversion efficiency (for example, Non-Patent Document 2). .

特開2006−344794号公報JP 2006-344794 A

Reese et al.,Adv.Funct.Mater.,20,3476−3483(2010)Reese et al. , Adv. Funct. Mater. , 20, 3476-3483 (2010) M.M.Lee et al.,Science,338,643−647(2012)M.M. M.M. Lee et al. , Science, 338, 643-647 (2012)

本発明は、高い光電変換効率を発揮できる太陽電池を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the solar cell which can exhibit high photoelectric conversion efficiency.

本発明は、電極と、対向電極と、前記電極と前記対向電極との間に配置された光電変換層とを有する太陽電池であって、前記光電変換層は、一般式R−M−X(但し、Rは有機分子、Mは金属原子、Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子である。)で表される有機無機ペロブスカイト化合物と、周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素とを含有する部位を有する太陽電池である。
以下、本発明を詳述する。
The present invention provides a solar cell having electrodes, a counter electrode, and a photoelectric conversion layer disposed between the electrode and the counter electrode, the photoelectric conversion layer has the general formula R-M-X 3 (Wherein R is an organic molecule, M is a metal atom, X is a halogen atom or a chalcogen atom), a group 2 element of the periodic table, a group 11 element of the periodic table, cesium, yttrium, It is a solar cell having a portion containing one or more elements selected from the group consisting of osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium, and lanthanum.
The present invention is described in detail below.

本発明者らは、電極と、対向電極と、前記電極と前記対向電極との間に配置された光電変換層とを有する太陽電池において、光電変換層に特定の有機無機ペロブスカイト化合物を用いることを検討した。有機無機ペロブスカイト化合物を用いることにより、太陽電池の光電変換効率の向上が期待できる。
しかしながら、光電変換層が有機無機ペロブスカイト化合物を含む太陽電池は、更なる光電変換効率の向上が課題となっていた。これに対して、本発明者らは、光電変換層を、有機無機ペロブスカイト化合物と、周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素とを含有する部位(以下、「有機無機ペロブスカイト化合物部位」ともいう。)を有するものとすることにより、光電変換効率を飛躍的に向上できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
The present inventors use a specific organic-inorganic perovskite compound for a photoelectric conversion layer in a solar cell having an electrode, a counter electrode, and a photoelectric conversion layer disposed between the electrode and the counter electrode. investigated. By using the organic / inorganic perovskite compound, an improvement in the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be expected.
However, in the solar cell in which the photoelectric conversion layer contains an organic-inorganic perovskite compound, further improvement in photoelectric conversion efficiency has been a problem. On the other hand, the present inventors made a photoelectric conversion layer from an organic-inorganic perovskite compound, a periodic table group 2 element, a periodic table group 11 element, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium, and lanthanum. It has been found that photoelectric conversion efficiency can be drastically improved by having a portion containing one or more elements selected from the group consisting of the following (hereinafter also referred to as “organic inorganic perovskite compound portion”). The present invention has been completed.

本発明の太陽電池は、電極と、対向電極と、上記電極と上記対向電極との間に配置された光電変換層とを有する。
なお、本明細書中、層とは、明確な境界を有する層だけではなく、含有元素が徐々に変化する濃度勾配のある層をも意味する。なお、層の元素分析は、例えば、太陽電池の断面のFE−TEM/EDS線分析測定を行い、特定元素の元素分布を確認する等によって行うことができる。また、本明細書中、層とは、平坦な薄膜状の層だけではなく、他の層と一緒になって複雑に入り組んだ構造を形成しうる層をも意味する。
The solar cell of this invention has an electrode, a counter electrode, and the photoelectric converting layer arrange | positioned between the said electrode and the said counter electrode.
In this specification, the term “layer” means not only a layer having a clear boundary but also a layer having a concentration gradient in which contained elements gradually change. In addition, the elemental analysis of a layer can be performed by performing the FE-TEM / EDS ray analysis measurement of the cross section of a solar cell, and confirming the element distribution of a specific element etc., for example. In addition, in this specification, a layer means not only a flat thin film-like layer but also a layer that can form a complicated and complicated structure together with other layers.

上記電極及び上記対向電極の材料は特に限定されず、従来公知の材料を用いることができる。なお、上記対向電極は、パターニングされた電極であることが多い。
電極材料として、例えば、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)、金、銀、チタン、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/Al混合物、Al/LiF混合物等が挙げられる。対向電極材料として、例えば、金等の金属、CuI、ITO(インジウムスズ酸化物)、SnO、AZO(アルミニウム亜鉛酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、GZO(ガリウム亜鉛酸化物)、ATO(アンチモンドープ酸化スズ)等の導電性透明材料、導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。また、上記電極及び上記対向電極は、それぞれ陰極になっても、陽極になってもよい。
The material of the said electrode and the said counter electrode is not specifically limited, A conventionally well-known material can be used. The counter electrode is often a patterned electrode.
Examples of electrode materials include FTO (fluorine-doped tin oxide), gold, silver, titanium, sodium, sodium-potassium alloy, lithium, magnesium, aluminum, magnesium-silver mixture, magnesium-indium mixture, aluminum-lithium alloy, Al / Al 2 O 3 mixture, Al / LiF mixture and the like can be mentioned. Examples of the counter electrode material include metals such as gold, CuI, ITO (indium tin oxide), SnO 2 , AZO (aluminum zinc oxide), IZO (indium zinc oxide), GZO (gallium zinc oxide), and ATO. Examples thereof include conductive transparent materials such as (antimony-doped tin oxide), conductive transparent polymers, and the like. These materials may be used alone or in combination of two or more. Further, the electrode and the counter electrode may be a cathode or an anode, respectively.

上記光電変換層は、一般式R−M−X(但し、Rは有機分子、Mは金属原子、Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子である。)で表される有機無機ペロブスカイト化合物を含む有機無機ペロブスカイト化合物部位を有する。
上記光電変換層に上記有機無機ペロブスカイト化合物を用いることにより、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
The photoelectric conversion layer includes an organic / inorganic perovskite compound represented by the general formula R-M-X 3 (where R is an organic molecule, M is a metal atom, and X is a halogen atom or a chalcogen atom). It has a perovskite compound site.
By using the organic-inorganic perovskite compound for the photoelectric conversion layer, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be improved.

上記Rは有機分子であり、C(l、m、nはいずれも正の整数)で示されることが好ましい。
上記Rは、具体的には例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、メチルペンチルアミン、ヘキシルメチルアミン、エチルプロピルアミン、エチルブチルアミン、イミダゾール、アゾール、ピロール、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、イミダゾリン、カルバゾール、メチルカルボキシアミン、エチルカルボキシアミン、プロピルカルボキシアミン、ブチルカルボキシアミン、ペンチルカルボキシアミン、ヘキシルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン、アニリン、ピリジン及びこれらのイオン(例えば、メチルアンモニウム(CHNH)等)やフェネチルアンモニウム等が挙げられる。なかでも、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、プロピルカルボキシアミン、ブチルカルボキシアミン、ペンチルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン及びこれらのイオンが好ましく、メチルアミン、エチルアミン、ペンチルカルボキシアミン、ホルムアミジニウム、グアニジン及びこれらのイオンがより好ましい。中でも高い光電変換効率が得られることから、メチルアミン、ホルムアミニジウム及びこれらのイオンが特に好ましい。
The R is an organic molecule, and is preferably represented by C 1 N m H n (l, m, and n are all positive integers).
Specifically, R is, for example, methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, pentylamine, hexylamine, dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropyl. Amine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, ethylmethylamine, methylpropylamine, butylmethylamine, methylpentylamine, hexylmethylamine, ethylpropylamine, ethylbutylamine, imidazole, azole, pyrrole, aziridine, azirine, Azetidine, azeto, imidazoline, carbazole, methylcarboxyamine, ethylcarboxyamine, propylcarboxyamine, butyl Rubokishiamin, pentyl carboxyamine, hexyl carboxyamine, formamidinium, guanidine, aniline, pyridine and these ions (e.g., 3 NH 3) such as methyl ammonium (CH) and the like or phenethyl ammonium and the like. Of these, methylamine, ethylamine, propylamine, propylcarboxyamine, butylcarboxyamine, pentylcarboxyamine, formamidinium, guanidine and their ions are preferred, and methylamine, ethylamine, pentylcarboxyamine, formamidinium, guanidine and These ions are more preferred. Among them, methylamine, formaminidium, and these ions are particularly preferable because high photoelectric conversion efficiency can be obtained.

上記Mは金属原子であり、例えば、鉛、スズ、亜鉛、チタン、アンチモン、ビスマス、ニッケル、鉄、コバルト、銀、銅、ガリウム、ゲルマニウム、マグネシウム、カルシウム、インジウム、アルミニウム、マンガン、クロム、モリブデン、ユーロピウム等が挙げられる。なかでも、電子軌道の重なりの観点から、鉛又はスズが好ましい。これらの金属原子は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 M is a metal atom, for example, lead, tin, zinc, titanium, antimony, bismuth, nickel, iron, cobalt, silver, copper, gallium, germanium, magnesium, calcium, indium, aluminum, manganese, chromium, molybdenum, Europium etc. are mentioned. Among these, lead or tin is preferable from the viewpoint of overlapping of electron orbits. These metal atoms may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子であり、例えば、塩素、臭素、ヨウ素、硫黄、セレン等が挙げられる。これらのハロゲン原子又はカルコゲン原子は単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。なかでも、構造中にハロゲンを含有することで、上記有機無機ペロブスカイト化合物が有機溶媒に可溶になり、安価な印刷法等への適用が可能になることから、ハロゲン原子が好ましい。更に、上記有機無機ペロブスカイト化合物のエネルギーバンドギャップが狭くなることから、ヨウ素がより好ましい。 X is a halogen atom or a chalcogen atom, and examples thereof include chlorine, bromine, iodine, sulfur, and selenium. These halogen atoms or chalcogen atoms may be used alone or in combination of two or more. Among these, the halogen atom is preferable because the organic / inorganic perovskite compound becomes soluble in an organic solvent and can be applied to an inexpensive printing method by containing halogen in the structure. Furthermore, iodine is more preferable because the energy band gap of the organic-inorganic perovskite compound becomes narrow.

上記有機無機ペロブスカイト化合物は、体心に金属原子M、各頂点に有機分子R、面心にハロゲン原子又はカルコゲン原子Xが配置された立方晶系の構造を有することが好ましい。
図1は、体心に金属原子M、各頂点に有機分子R、面心にハロゲン原子又はカルコゲン原子Xが配置された立方晶系の構造である、有機無機ペロブスカイト化合物の結晶構造の一例を示す模式図である。詳細は明らかではないが、上記構造を有することにより、結晶格子内の八面体の向きが容易に変わることができるため、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上すると推定される。
The organic / inorganic perovskite compound preferably has a cubic structure in which a metal atom M is disposed at the body center, an organic molecule R is disposed at each vertex, and a halogen atom or a chalcogen atom X is disposed at the face center.
FIG. 1 shows an example of a crystal structure of an organic / inorganic perovskite compound having a cubic structure in which a metal atom M is arranged at the body center, an organic molecule R is arranged at each vertex, and a halogen atom or a chalcogen atom X is arranged at the face center. It is a schematic diagram. Although details are not clear, since the orientation of the octahedron in the crystal lattice can be easily changed by having the structure described above, the mobility of electrons in the organic-inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric properties of the solar cell are increased. It is estimated that the conversion efficiency is improved.

上記有機無機ペロブスカイト化合物は、結晶性半導体であることが好ましい。結晶性半導体とは、X線散乱強度分布を測定し、散乱ピークが検出できる半導体を意味している。
上記有機無機ペロブスカイト化合物が結晶性半導体であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。また、上記有機無機ペロブスカイト化合物が結晶性半導体であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制される。
The organic / inorganic perovskite compound is preferably a crystalline semiconductor. The crystalline semiconductor means a semiconductor capable of measuring the X-ray scattering intensity distribution and detecting a scattering peak.
If the organic / inorganic perovskite compound is a crystalline semiconductor, the mobility of electrons in the organic / inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is improved. Moreover, if the said organic inorganic perovskite compound is a crystalline semiconductor, the photoelectric conversion efficiency fall (photodegradation) by continuing irradiating light to a solar cell, especially the photodegradation resulting from the fall of a short circuit current will be suppressed.

また、結晶化の指標として結晶化度を評価することもできる。結晶化度は、X線散乱強度分布測定により検出された結晶質由来の散乱ピークと非晶質部由来のハローとをフィッティングにより分離し、それぞれの強度積分を求めて、全体のうちの結晶部分の比を算出することにより求めることができる。
上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度の好ましい下限は30%である。上記結晶化度が30%以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の電子の移動度が高くなり、太陽電池の光電変換効率が向上する。また、上記結晶化度が30%以上であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流の低下に起因する光劣化が抑制される。上記結晶化度のより好ましい下限は50%、更に好ましい下限は70%である。
また、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を上げる方法として、例えば、熱アニール(加熱処理)、レーザー等の強度の強い光の照射、プラズマ照射等が挙げられる。
In addition, the degree of crystallization can be evaluated as an index of crystallization. The degree of crystallinity is determined by separating the crystalline-derived scattering peak detected by the X-ray scattering intensity distribution measurement and the halo derived from the amorphous part by fitting, obtaining the respective intensity integrals, Can be obtained by calculating the ratio.
A preferable lower limit of the crystallinity of the organic-inorganic perovskite compound is 30%. If the crystallinity is 30% or more, the mobility of electrons in the organic / inorganic perovskite compound is increased, and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is improved. Moreover, if the said crystallinity is 30% or more, the photoelectric conversion efficiency fall (photodegradation) by continuing irradiating light to a solar cell, especially the photodegradation resulting from the fall of a short circuit current will be suppressed. A more preferred lower limit of the crystallinity is 50%, and a more preferred lower limit is 70%.
Examples of a method for increasing the crystallinity of the organic / inorganic perovskite compound include thermal annealing (heat treatment), irradiation with intense light such as a laser, and plasma irradiation.

上記熱アニール(加熱処理)を行う場合、上記有機無機ペロブスカイト化合物を加熱する温度は特に限定されないが、100℃以上、250℃未満であることが好ましい。上記加熱温度が100℃以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を充分に上げることができる。上記加熱温度が250℃未満であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物を熱劣化させることなく加熱処理を行うことができる。より好ましい加熱温度は、120℃以上、230℃以下である。また、加熱時間も特に限定されないが、3分以上、2時間以内であることが好ましい。上記加熱時間が3分以上であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物の結晶化度を充分に上げることができる。上記加熱時間が2時間以内であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物を熱劣化させることなく加熱処理を行うことができる。
これらの加熱操作は真空又は不活性ガス下で行われることが好ましく、露点温度は10℃以下が好ましく、7.5℃以下がより好ましく、5℃以下が更に好ましい。
When performing the thermal annealing (heat treatment), the temperature for heating the organic / inorganic perovskite compound is not particularly limited, but is preferably 100 ° C. or higher and lower than 250 ° C. When the heating temperature is 100 ° C. or higher, the crystallinity of the organic / inorganic perovskite compound can be sufficiently increased. If the said heating temperature is less than 250 degreeC, it can heat-process, without thermally degrading the said organic-inorganic perovskite compound. A more preferable heating temperature is 120 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. The heating time is not particularly limited, but is preferably 3 minutes or longer and 2 hours or shorter. When the heating time is 3 minutes or longer, the crystallinity of the organic-inorganic perovskite compound can be sufficiently increased. If the heating time is within 2 hours, the organic inorganic perovskite compound can be heat-treated without causing thermal degradation.
These heating operations are preferably performed in a vacuum or under an inert gas, and the dew point temperature is preferably 10 ° C or lower, more preferably 7.5 ° C or lower, and further preferably 5 ° C or lower.

上記有機無機ペロブスカイト化合物部位は、周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含有する。
上記有機無機ペロブスカイト化合物部位がこれらの元素を含有することにより、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。
上記周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群より選択される少なくとも1種の元素として、具体的には例えば、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、銀、銅、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン、ランタン等が挙げられる。より光電変換効率が向上する観点からは、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、銀、銅、セシウム、マンガン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素が好ましい。また光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)を抑制する観点からは、カルシウム、ストロンチウム、銀、銅、マンガン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素がより好ましく、カルシウム、ストロンチウム、銀及び銅からなる群から選択される1種以上の元素が特に好ましい。
The organic-inorganic perovskite compound portion contains at least one element selected from the group consisting of Group 2 elements of the periodic table, Group 11 elements of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium, and lanthanum. .
When the organic / inorganic perovskite compound portion contains these elements, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be improved.
As the at least one element selected from the group consisting of Group 2 elements of the periodic table, Group 11 elements of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum, specifically, for example, barium, Examples include strontium, calcium, silver, copper, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium, and lanthanum. From the viewpoint of further improving the photoelectric conversion efficiency, one or more elements selected from the group consisting of barium, strontium, calcium, silver, copper, cesium, manganese and lanthanum are preferable. Further, from the viewpoint of suppressing a decrease in photoelectric conversion efficiency (photodegradation) due to continuous irradiation with light, one or more elements selected from the group consisting of calcium, strontium, silver, copper, manganese and lanthanum are more preferable. One or more elements selected from the group consisting of calcium, strontium, silver and copper are particularly preferred.

上記周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群より選択される少なくとも1種の元素の含有量の割合(モル%)は特に限定されないが、上記有機無機ペロブスカイト化合物中の金属元素(R−M−Xで表されるM)100モル%に対する好ましい下限が0.01モル%、好ましい上限が20モル%である。上記含有量の割合(モル%)が0.01モル%以上であれば、太陽電池に光を照射し続けることによる光電変換効率の低下(光劣化)、特に短絡電流密度、フィルファクターの低下に起因する光劣化が抑制される。上記含有量の割合(モル%)が20モル%以下であれば、上記元素の存在による初期変換効率低下を抑制することができる。上記含有量の割合(モル%)のより好ましい下限は0.1モル%、より好ましい上限は10モル%である。 The ratio (mol%) of the content of at least one element selected from the group consisting of the above-mentioned periodic table group 2 element, periodic table group 11 element, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum is Although not particularly limited, a preferable lower limit with respect to 100 mol% of the metal element (M represented by R-M—X 3 ) in the organic / inorganic perovskite compound is 0.01 mol%, and a preferable upper limit is 20 mol%. When the content ratio (mol%) is 0.01 mol% or more, the photoelectric conversion efficiency is lowered (photodegradation) by continuing to irradiate the solar cell with light, particularly the short-circuit current density and the fill factor are lowered. The resulting light degradation is suppressed. When the content ratio (mol%) is 20 mol% or less, it is possible to suppress a decrease in initial conversion efficiency due to the presence of the element. A more preferable lower limit of the content ratio (mol%) is 0.1 mol%, and a more preferable upper limit is 10 mol%.

上記周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群より選択される少なくとも1種の元素を含有させる方法は特に限定されず、例えば、有機無機ペロブスカイト化合物の層を形成する際に使用する溶液に上記元素のハロゲン化物を混合する方法等が挙げられる。 The method of containing at least one element selected from the group consisting of the above periodic table group 2 element, periodic table group 11 element, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum is not particularly limited, For example, the method of mixing the halide of the said element with the solution used when forming the layer of an organic inorganic perovskite compound is mentioned.

上記光電変換層は、本発明の効果を損なわない範囲内であれば、上記有機無機ペロブスカイト化合物に加えて、更に、有機半導体又は無機半導体を含んでいてもよい。なお、ここでいう有機半導体又は無機半導体は、後述する電子輸送層又はホール輸送層としての役割を果たしてもよい。
上記有機半導体として、例えば、ポリ(3−アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する化合物や、表面修飾されていてもよいカーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン等のカーボン含有材料も挙げられる。
The photoelectric conversion layer may further contain an organic semiconductor or an inorganic semiconductor in addition to the organic / inorganic perovskite compound as long as the effects of the present invention are not impaired. Note that the organic semiconductor or inorganic semiconductor referred to here may serve as an electron transport layer or a hole transport layer described later.
Examples of the organic semiconductor include compounds having a thiophene skeleton such as poly (3-alkylthiophene). In addition, for example, conductive polymers having a polyparaphenylene vinylene skeleton, a polyvinyl carbazole skeleton, a polyaniline skeleton, a polyacetylene skeleton, and the like can be given. Further, for example, compounds having a porphyrin skeleton such as a phthalocyanine skeleton, a naphthalocyanine skeleton, a pentacene skeleton, or a benzoporphyrin skeleton, a spirobifluorene skeleton, etc., and carbon-containing materials such as carbon nanotubes, graphene, and fullerene that may be surface-modified Also mentioned.

上記無機半導体として、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛、CuSCN、CuO、CuI、MoO、V、WO、MoS、MoSe、CuS等が挙げられる。 Examples of the inorganic semiconductor include titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, gallium oxide, tin sulfide, indium sulfide, zinc sulfide, CuSCN, Cu 2 O, CuI, MoO 3 , V 2 O 5 , WO 3 , MoS 2, MoSe 2, Cu 2 S , and the like.

上記光電変換層は、上記有機無機ペロブスカイト化合物と上記有機半導体又は上記無機半導体とを含む場合、薄膜状の有機半導体又は無機半導体部位と薄膜状の有機無機ペロブスカイト化合物部位とを積層した積層体であってもよいし、有機半導体又は無機半導体部位と有機無機ペロブスカイト化合物部位とを複合化した複合膜であってもよい。製法が簡便である点では積層体が好ましく、上記有機半導体又は上記無機半導体中の電荷分離効率を向上させることができる点では複合膜が好ましい。 In the case where the photoelectric conversion layer includes the organic-inorganic perovskite compound and the organic semiconductor or the inorganic semiconductor, the photoelectric conversion layer is a laminated body in which a thin-film organic semiconductor or an inorganic semiconductor portion and a thin-film organic-inorganic perovskite compound portion are stacked. Alternatively, a composite film in which an organic semiconductor or inorganic semiconductor part and an organic / inorganic perovskite compound part are combined may be used. A laminated body is preferable in that the production method is simple, and a composite film is preferable in that the charge separation efficiency in the organic semiconductor or the inorganic semiconductor can be improved.

上記薄膜状の有機無機ペロブスカイト化合物部位の厚みは、好ましい下限が5nm、好ましい上限が5000nmである。上記厚みが5nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが5000nm以下であれば、電荷分離できない領域が発生することを抑制できるため、光電変換効率の向上につながる。上記厚みのより好ましい下限は10nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は20nm、更に好ましい上限は500nmである。 The preferable lower limit of the thickness of the thin-film organic / inorganic perovskite compound site is 5 nm, and the preferable upper limit is 5000 nm. If the thickness is 5 nm or more, light can be sufficiently absorbed, and the photoelectric conversion efficiency is increased. If the said thickness is 5000 nm or less, since it can suppress that the area | region which cannot carry out charge separation generate | occur | produces, it will lead to the improvement of photoelectric conversion efficiency. The more preferable lower limit of the thickness is 10 nm, the more preferable upper limit is 1000 nm, the still more preferable lower limit is 20 nm, and the still more preferable upper limit is 500 nm.

上記光電変換層が、有機半導体又は無機半導体部位と有機無機ペロブスカイト化合物部位とを複合化した複合膜である場合、上記複合膜の厚みの好ましい下限は30nm、好ましい上限は3000nmである。上記厚みが30nm以上であれば、充分に光を吸収することができるようになり、光電変換効率が高くなる。上記厚みが3000nm以下であれば、電荷が電極に到達しやすくなるため、光電変換効率が高くなる。上記厚みのより好ましい下限は40nm、より好ましい上限は2000nmであり、更に好ましい下限は50nm、更に好ましい上限は1000nmである。 When the photoelectric conversion layer is a composite film in which an organic semiconductor or an inorganic semiconductor part and an organic / inorganic perovskite compound part are combined, a preferable lower limit of the thickness of the composite film is 30 nm, and a preferable upper limit is 3000 nm. If the thickness is 30 nm or more, light can be sufficiently absorbed, and the photoelectric conversion efficiency is increased. If the said thickness is 3000 nm or less, since it becomes easy to reach | attain an electrode, a photoelectric conversion efficiency becomes high. The more preferable lower limit of the thickness is 40 nm, the more preferable upper limit is 2000 nm, the still more preferable lower limit is 50 nm, and the still more preferable upper limit is 1000 nm.

本発明の太陽電池においては、上記電極と上記光電変換層との間に、電子輸送層が配置されていてもよい。
上記電子輸送層の材料は特に限定されず、例えば、N型導電性高分子、N型低分子有機半導体、N型金属酸化物、N型金属硫化物、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、シアノ基含有ポリフェニレンビニレン、ホウ素含有ポリマー、バソキュプロイン、バソフェナントレン、ヒドロキシキノリナトアルミニウム、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸化合物、ペリレン誘導体、ホスフィンオキサイド化合物、ホスフィンスルフィド化合物、フルオロ基含有フタロシアニン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛等が挙げられる。
In the solar cell of the present invention, an electron transport layer may be disposed between the electrode and the photoelectric conversion layer.
The material of the electron transport layer is not particularly limited. For example, N-type conductive polymer, N-type low molecular organic semiconductor, N-type metal oxide, N-type metal sulfide, alkali metal halide, alkali metal, surface activity Specific examples include, for example, cyano group-containing polyphenylene vinylene, boron-containing polymer, bathocuproine, bathophenanthrene, hydroxyquinolinato aluminum, oxadiazole compound, benzimidazole compound, naphthalene tetracarboxylic acid compound, perylene derivative, Examples include phosphine oxide compounds, phosphine sulfide compounds, fluoro group-containing phthalocyanines, titanium oxide, zinc oxide, indium oxide, tin oxide, gallium oxide, tin sulfide, indium sulfide, and zinc sulfide.

上記電子輸送層は、薄膜状の電子輸送層(バッファ層)のみからなっていてもよいが、多孔質状の電子輸送層を含むことが好ましい。特に、上記光電変換層が、有機半導体又は無機半導体部位と有機無機ペロブスカイト化合物を複合化した複合膜である場合、より複雑な複合膜(より複雑に入り組んだ構造)が得られ、光電変換効率が高くなることから、多孔質状の電子輸送層上に複合膜が製膜されていることが好ましい。 The electron transport layer may consist of only a thin film electron transport layer (buffer layer), but preferably includes a porous electron transport layer. In particular, when the photoelectric conversion layer is a composite film in which an organic semiconductor or an inorganic semiconductor site and an organic / inorganic perovskite compound are combined, a more complex composite film (a more complicated structure) is obtained, and the photoelectric conversion efficiency is improved. In order to increase the thickness, it is preferable that the composite film is formed on the porous electron transport layer.

上記電子輸送層の厚みは、好ましい下限が1nm、好ましい上限が2000nmである。上記厚みが1nm以上であれば、充分にホールをブロックできるようになる。上記厚みが2000nm以下であれば、電子輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率が高くなる。上記電子輸送層の厚みのより好ましい下限は3nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は5nm、更に好ましい上限は500nmである。 The preferable lower limit of the thickness of the electron transport layer is 1 nm, and the preferable upper limit is 2000 nm. If the thickness is 1 nm or more, holes can be sufficiently blocked. If the said thickness is 2000 nm or less, it will become difficult to become resistance at the time of electron transport, and photoelectric conversion efficiency will become high. The more preferable lower limit of the thickness of the electron transport layer is 3 nm, and the more preferable upper limit is 1000 nm.

本発明の太陽電池においては、上記光電変換層と上記対向電極との間に、ホール輸送層の材料が積層されてもよい。
上記ホール輸送層の材料は特に限定されず、例えば、P型導電性高分子、P型低分子有機半導体、P型金属酸化物、P型金属硫化物、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、ポリ(3−アルキルチオフェン)等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、トリフェニルアミン骨格、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する化合物、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ニッケル、酸化銅、酸化スズ、硫化モリブデン、硫化タングステン、硫化銅、硫化スズ等、フルオロ基含有ホスホン酸、カルボニル基含有ホスホン酸、CuSCN、CuI等の銅化合物、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン含有材料等が挙げられる。
In the solar cell of the present invention, a material for a hole transport layer may be laminated between the photoelectric conversion layer and the counter electrode.
The material of the hole transport layer is not particularly limited, and examples thereof include a P-type conductive polymer, a P-type low molecular organic semiconductor, a P-type metal oxide, a P-type metal sulfide, and a surfactant. Examples include compounds having a thiophene skeleton such as poly (3-alkylthiophene). In addition, for example, conductive polymers having a triphenylamine skeleton, a polyparaphenylene vinylene skeleton, a polyvinyl carbazole skeleton, a polyaniline skeleton, a polyacetylene skeleton, and the like can be given. Further, for example, compounds having a porphyrin skeleton such as a phthalocyanine skeleton, a naphthalocyanine skeleton, a pentacene skeleton, a benzoporphyrin skeleton, a spirobifluorene skeleton, etc., molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten oxide, nickel oxide, copper oxide, tin oxide, sulfide Examples thereof include molybdenum, tungsten sulfide, copper sulfide, tin sulfide, etc., fluoro group-containing phosphonic acid, carbonyl group-containing phosphonic acid, copper compounds such as CuSCN and CuI, and carbon-containing materials such as carbon nanotubes and graphene.

上記ホール輸送層の材料は一部が上記光電変換層に浸漬していてもよいし、上記光電変換層上に薄膜状に配置されてもよい。上記ホール輸送層の材料が薄膜状に存在する時の厚みは、好ましい下限は1nm、好ましい上限は2000nmである。上記厚みが1nm以上であれば、充分に電子をブロックできるようになる。上記厚みが2000nm以下であれば、ホール輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率が高くなる。上記厚みのより好ましい下限は3nm、より好ましい上限は1000nmであり、更に好ましい下限は5nm、更に好ましい上限は500nmである。 A part of the material for the hole transport layer may be immersed in the photoelectric conversion layer, or may be disposed in a thin film on the photoelectric conversion layer. As for the thickness when the material of the hole transport layer is present in a thin film, the preferable lower limit is 1 nm, and the preferable upper limit is 2000 nm. If the thickness is 1 nm or more, electrons can be sufficiently blocked. If the said thickness is 2000 nm or less, it will become difficult to become resistance at the time of hole transport, and a photoelectric conversion efficiency will become high. The more preferable lower limit of the thickness is 3 nm, the more preferable upper limit is 1000 nm, the still more preferable lower limit is 5 nm, and the still more preferable upper limit is 500 nm.

本発明の太陽電池は、更に、基板等を有していてもよい。上記基板は特に限定されず、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等の透明ガラス基板、セラミック基板、金属基板、透明プラスチック基板等が挙げられる。 The solar cell of the present invention may further have a substrate or the like. The said board | substrate is not specifically limited, For example, transparent glass substrates, such as soda-lime glass and an alkali free glass, a ceramic substrate, a metal substrate, a transparent plastic substrate, etc. are mentioned.

本発明の太陽電池は、上述したような、電極と、対向電極と、上記電極と上記対向電極との間に配置された光電変換層とを有する積層体(即ち、必要に応じて配置される上記基板上に上記電極、必要に応じて上記電子輸送層、上記光電変換層、必要に応じて上記ホール輸送層及び上記対向電極が形成された上記積層体)が、封止材で封止されていることが好ましい。上記積層体が封止材で封止されていることで、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。ここで、上記封止材は、その端部を閉じるようにして、上記積層体全体を覆うことが好ましい。上記封止材としてはバリア性を有していれば特に限定されないが、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂並びに無機材料等が挙げられる。 The solar cell of the present invention has a laminate (that is, disposed as necessary) having an electrode, a counter electrode, and a photoelectric conversion layer disposed between the electrode and the counter electrode as described above. The electrode, the electron transport layer, the photoelectric conversion layer, and the hole transport layer and the counter electrode, if necessary, formed on the substrate, are sealed with a sealing material. It is preferable. The photoelectric conversion efficiency of a solar cell can be improved because the said laminated body is sealed with the sealing material. Here, it is preferable that the sealing material covers the entire laminated body so as to close an end portion thereof. The sealing material is not particularly limited as long as it has a barrier property, and examples thereof include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and an inorganic material.

上記熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ブチルゴム、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリブタジエン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリイソブチレン等が挙げられる。 Examples of the thermosetting resin and thermoplastic resin include epoxy resin, acrylic resin, silicon resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, butyl rubber, polyester, polyurethane, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyvinyl alcohol, poly Examples include vinyl acetate, ABS resin, polybutadiene, polyamide, polycarbonate, polyimide, polyisobutylene and the like.

上記封止材の厚みは、好ましい下限が100nm、好ましい上限が100000nmである。上記厚みのより好ましい下限は500nm、より好ましい上限は50000nmであり、更に好ましい下限は1000nm、更に好ましい上限は20000nmである。 The preferable lower limit of the thickness of the sealing material is 100 nm, and the preferable upper limit is 100000 nm. A more preferable lower limit of the thickness is 500 nm, a more preferable upper limit is 50000 nm, a still more preferable lower limit is 1000 nm, and a still more preferable upper limit is 20000 nm.

上記無機材料としては、Si、Al、Zn、Sn、In、Ti、Mg、Zr、Ni、Ta、W、Cu若しくはこれらを2種以上含む合金の酸化物、窒化物又は酸窒化物が挙げられる。なかでも、上記封止材に水蒸気バリア性及び柔軟性を付与するために、Zn、Snの両金属元素を含む金属元素の酸化物、窒化物又は酸窒化物が好ましい。 Examples of the inorganic material include Si, Al, Zn, Sn, In, Ti, Mg, Zr, Ni, Ta, W, Cu, or an oxide, nitride, or oxynitride of an alloy containing two or more of these. . Among these, in order to impart water vapor barrier property and flexibility to the sealing material, oxides, nitrides, or oxynitrides of metal elements containing both metal elements of Zn and Sn are preferable.

上記封止材のうち、上記熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂で上記積層体を封止する方法は特に限定されず、例えば、シート状の封止材を用いて上記積層体をシールする方法、封止材を有機溶媒に溶解させた封止材溶液を上記積層体に塗布する方法、封止材となる液状モノマーを上記積層体に塗布した後、熱又はUV等で液状モノマーを架橋又は重合させる方法、封止材に熱をかけて融解させた後に冷却させる方法等が挙げられる。 Among the sealing materials, the method for sealing the laminate with the thermosetting resin and the thermoplastic resin is not particularly limited, for example, a method for sealing the laminate with a sheet-like sealing material, A method in which a sealing material solution in which a sealing material is dissolved in an organic solvent is applied to the laminate, a liquid monomer serving as a sealing material is applied to the laminate, and then the liquid monomer is crosslinked or polymerized by heat or UV. And a method of cooling after sealing the sealing material by applying heat.

上記封止材のうち、上記無機材料で上記積層体を覆う方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、気相反応法(CVD)、イオンプレーティング法が好ましい。なかでも、緻密な層を形成するためにはスパッタリング法が好ましく、スパッタリング法のなかでもDCマグネトロンスパッタリング法がより好ましい。
上記スパッタリング法においては、金属ターゲット、及び、酸素ガス又は窒素ガスを原料とし、上記積層体上に原料を堆積して製膜することにより、無機材料からなる無機層を形成することができる。
上記封止材は、上記熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂と、上記無機材料との組み合わせでもよい。
Among the sealing materials, a vacuum deposition method, a sputtering method, a gas phase reaction method (CVD), and an ion plating method are preferable as a method of covering the stacked body with the inorganic material. Of these, the sputtering method is preferable for forming a dense layer, and the DC magnetron sputtering method is more preferable among the sputtering methods.
In the sputtering method, an inorganic layer made of an inorganic material can be formed by using a metal target and oxygen gas or nitrogen gas as raw materials and depositing the raw material on the laminate to form a film.
The sealing material may be a combination of the thermosetting resin and thermoplastic resin and the inorganic material.

また、本発明の太陽電池においては、更に、上記封止材上を、例えばガラス板、樹脂フィルム、無機材料を被覆した樹脂フィルム、金属箔等のその他の材料が覆っていてもよい。即ち、本発明の太陽電池は、上記積層体と上記その他の材料との間を、上記封止材によって封止、充填又は接着している構成であってもよい。これにより、仮に上記封止材にピンホールがあった場合にも充分に水蒸気をブロックすることができ、太陽電池の耐久性をより向上させることができる。 In the solar cell of the present invention, the sealing material may be further covered with other materials such as a glass plate, a resin film, a resin film coated with an inorganic material, and a metal foil. That is, the solar cell of the present invention may have a configuration in which the laminate and the other materials are sealed, filled, or bonded with the sealing material. Thereby, even if there is a pinhole in the sealing material, water vapor can be sufficiently blocked, and the durability of the solar cell can be further improved.

本発明の太陽電池を製造する方法は特に限定されず、例えば、必要に応じて配置される上記基板上に上記電極、必要に応じて上記電子輸送層、上記光電変換層、必要に応じて上記ホール輸送層及び上記対向電極をこの順で形成して上記積層体を作製した後、上記封止材で上記積層体を封止する方法等が挙げられる。 The method for producing the solar cell of the present invention is not particularly limited, and for example, the electrode, the electron transport layer, the photoelectric conversion layer, if necessary, on the substrate disposed as necessary. Examples include a method of forming the hole transport layer and the counter electrode in this order to produce the laminate, and then sealing the laminate with the sealing material.

上記光電変換層を形成する方法は特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、気相反応法(CVD)、電気化学沈積法、印刷法等が挙げられる。なかでも、印刷法を採用することで、高い光電変換効率を発揮できる太陽電池を大面積で簡易に形成することができる。印刷法として、例えば、スピンコート法、キャスト法等が挙げられ、印刷法を用いた方法としてロールtoロール法等が挙げられる。 The method for forming the photoelectric conversion layer is not particularly limited, and examples thereof include a vacuum deposition method, a sputtering method, a gas phase reaction method (CVD), an electrochemical deposition method, and a printing method. Especially, the solar cell which can exhibit high photoelectric conversion efficiency can be simply formed in a large area by employ | adopting the printing method. Examples of the printing method include a spin coating method and a casting method, and examples of a method using the printing method include a roll-to-roll method.

本発明によれば、高い光電変換効率を発揮できる太陽電池を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the solar cell which can exhibit high photoelectric conversion efficiency can be provided.

有機無機ペロブスカイト化合物の結晶構造の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the crystal structure of an organic inorganic perovskite compound.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
(1)チタンを含有する塗布液の作製
チタン粉末10mmolを精秤し、ビーカーに入れ、過酸化水素水40gを加え、さらにアンモニア水10gを加えた。これを2時間水冷した後、L−乳酸30mmolを添加し、80℃に設定したホットプレートで一日加温し、そこへ蒸留水10mlを添加しチタンを含有する塗布液を作製した。
(2)太陽電池の作製
ガラス基板上に、電極(陰極)として厚み1000nmのFTO膜を形成し、純水、アセトン、メタノールをこの順に用いて各10分間超音波洗浄した後、乾燥させた。
チタンを含有する塗布液を回転数1500rpmの条件でスピンコート法により塗布した。塗布後、大気中550℃で10分間焼成し、電子輸送層を形成した。
更に、薄膜状の電子輸送層上に、有機バインダとしてのポリイソブチルメタクリレートと酸化チタン(平均粒子径10nmと30nmとの混合物)とを含有する酸化チタンペーストをスピンコート法により塗布した後、500℃で10分間焼成し、厚み300nmの多孔質状の電子輸送層を形成した。次いで、ハロゲン化金属化合物としてヨウ化鉛をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)に溶解させて1Mの溶液を調製した。さらに銅を添加するために、上記ヨウ化鉛のDMF溶液に0.01Mの濃度(銅の含有量(表中、添加物濃度)=鉛100モル%に対して1モル%)になるように添加物として塩化銅を溶解させて、これを上記多孔質状の電子輸送層上にスピンコート法によって製膜した。更に、アミン化合物としてヨウ化メチルアンモニウムを2−プロパノールに溶解させて1Mの溶液を調製した。この溶液内に上記のヨウ化鉛(添加物を含む)を製膜したサンプルを浸漬させることによって有機無機ペロブスカイト化合物であるCHNHPbIを含む層を形成することで、有機無機ペロブスカイト化合物部位を形成した。浸漬後、得られたサンプルに対して80℃にて30分間加熱処理を行った。更に、ホール輸送層としてPoly(4−butylphenyl−diphenyl−amine)(1−Material社製)の1wt%クロロベンゼン溶液を有機無機ペロブスカイト化合物部位上にスピンコート法によって50nmの厚みに積層し、光電変換層を形成した。
光電変換層上に、対向電極(陽極)として真空蒸着により厚み100nmの金膜を形成し、積層体を作製した。得られた積層体上に、封止材としてのポリイソブチレン樹脂(BASF社製のOPPANOL100)を10μm積層したアルミホイルを100℃でラミネートし、太陽電池を得た。
Example 1
(1) Preparation of coating solution containing titanium 10 mmol of titanium powder was precisely weighed and placed in a beaker, 40 g of hydrogen peroxide solution was added, and 10 g of ammonia solution was further added. After cooling this with water for 2 hours, 30 mmol of L-lactic acid was added and heated for one day on a hot plate set at 80 ° C., and 10 ml of distilled water was added thereto to prepare a coating solution containing titanium.
(2) Fabrication of solar cell An FTO film having a thickness of 1000 nm was formed as an electrode (cathode) on a glass substrate, ultrasonically cleaned using pure water, acetone, and methanol in this order for 10 minutes each and then dried.
A coating solution containing titanium was applied by a spin coating method at a rotation speed of 1500 rpm. After the application, it was baked at 550 ° C. for 10 minutes in the atmosphere to form an electron transport layer.
Further, a titanium oxide paste containing polyisobutyl methacrylate as an organic binder and titanium oxide (a mixture of an average particle size of 10 nm and 30 nm) is applied onto the thin film electron transport layer by a spin coat method, and then heated to 500 ° C. Was fired for 10 minutes to form a porous electron transport layer having a thickness of 300 nm. Subsequently, lead iodide as a metal halide compound was dissolved in N, N-dimethylformamide (DMF) to prepare a 1M solution. Further, in order to add copper, the lead iodide in the DMF solution has a concentration of 0.01M (copper content (additive concentration in the table) = 1 mol% with respect to 100 mol% of lead). Copper chloride was dissolved as an additive, and this was formed on the porous electron transport layer by spin coating. Further, methylammonium iodide as an amine compound was dissolved in 2-propanol to prepare a 1M solution. A layer containing CH 3 NH 3 PbI 3 which is an organic / inorganic perovskite compound is formed by immersing a sample in which the above lead iodide (including an additive) is formed in this solution, thereby forming an organic / inorganic perovskite compound. A site was formed. After immersion, the obtained sample was heat-treated at 80 ° C. for 30 minutes. Further, a 1 wt% chlorobenzene solution of Poly (4-butylphenyl-diphenyl-amine) (manufactured by 1-Material) was laminated as a hole transport layer on the organic / inorganic perovskite compound site to a thickness of 50 nm by a spin coating method, and a photoelectric conversion layer Formed.
On the photoelectric conversion layer, a gold film having a thickness of 100 nm was formed as a counter electrode (anode) by vacuum deposition, and a laminate was manufactured. On the obtained laminate, aluminum foil in which 10 μm of polyisobutylene resin (OPPANOL100 manufactured by BASF) as a sealing material was laminated at 100 ° C. was laminated to obtain a solar cell.

(実施例2〜16)
添加物を表1に記載の化合物・添加量に変更したこと、またホール輸送層を表1に記載のものに変更したこと以外は実施例1と同様にして、太陽電池を得た。
(Examples 2 to 16)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that the additive was changed to the compound / addition amount shown in Table 1 and the hole transport layer was changed to that shown in Table 1.

(実施例17、18)
実施例1の多孔質状の電子輸送層上に有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液として、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)を溶媒としてCHNHIとPbIをモル比1:1で溶かし、Pbの濃度が1Mになるように調製した。さらにストロンチウム、またはチタンを添加するために、上記の調製した溶液に0.01Mの濃度(ストロンチウム又はチタンの含有量(表中、添加物濃度)=鉛100モル%に対して1モル%)になるように添加物として塩化ストロンチウム又はヨウ化チタンを溶解させて、これを上記多孔質状の電子輸送層上にスピンコート法によって製膜し、有機無機ペロブスカイト化合物部位を形成した。更に、ホール輸送層としてPoly(4−butylphenyl−diphenyl−amine)(1−Material社製)の1wt%クロロベンゼン溶液を有機無機ペロブスカイト化合物部位上にスピンコート法によって50nmの厚みに積層し、光電変換層を形成した。光電変換層上に、対向電極(陽極)として真空蒸着により厚み100nmの金膜を形成し、積層体を作製した。得られた積層体上に、封止材としてのポリイソブチレン樹脂(BASF社製のOPPANOL100)を10μm積層したアルミホイルを100℃でラミネートし、太陽電池を得た。
(Examples 17 and 18)
As a solution for forming an organic / inorganic perovskite compound, CH 3 NH 3 I and PbI 2 were dissolved in a molar ratio of 1: 1 using N, N-dimethylformamide (DMF) as a solvent on the porous electron transport layer of Example 1. , Pb concentration was adjusted to 1M. Further, in order to add strontium or titanium, the concentration of 0.01M (the content of strontium or titanium (in the table, additive concentration) = 1 mol% with respect to 100 mol% of lead) was added to the prepared solution. Thus, strontium chloride or titanium iodide was dissolved as an additive, and this was formed on the porous electron transport layer by a spin coating method to form an organic / inorganic perovskite compound site. Further, a 1 wt% chlorobenzene solution of Poly (4-butylphenyl-diphenyl-amine) (manufactured by 1-Material) was laminated as a hole transport layer on the organic / inorganic perovskite compound site to a thickness of 50 nm by a spin coating method, and a photoelectric conversion layer Formed. On the photoelectric conversion layer, a gold film having a thickness of 100 nm was formed as a counter electrode (anode) by vacuum deposition, and a laminate was manufactured. On the obtained laminate, aluminum foil in which 10 μm of polyisobutylene resin (OPPANOL100 manufactured by BASF) as a sealing material was laminated at 100 ° C. was laminated to obtain a solar cell.

(実施例19)
実施例1の多孔質状の電子輸送層上に有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液として、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)を溶媒としてCHNHIとPbClをモル比3:1で溶かし、Pbの濃度が1Mになるように調製した。さらにストロンチウムを添加するために、上記の調製した溶液に0.01Mの濃度(ストロンチウムの含有量(表中、添加物濃度)=鉛100モル%に対して1モル%)になるように添加物として塩化ストロンチウムを溶解させて、これを上記多孔質状の電子輸送層上にスピンコート法によって製膜し、有機無機ペロブスカイト化合物部位を形成した。更に、ホール輸送層としてPoly(4−butylphenyl−diphenyl−amine)(1−Material社製)の1wt%クロロベンゼン溶液を有機無機ペロブスカイト化合物部位上にスピンコート法によって50nmの厚みに積層し、光電変換層を形成した。光電変換層上に、対向電極(陽極)として真空蒸着により厚み100nmの金膜を形成し、積層体を作製した。得られた積層体上に、封止材としてのポリイソブチレン樹脂(BASF社製のOPPANOL100)を10μm積層したアルミホイルを100℃でラミネートし、太陽電池を得た。
(Example 19)
As a solution for forming an organic / inorganic perovskite compound, CH 3 NH 3 I and PbCl 2 were dissolved in a molar ratio of 3: 1 on the porous electron transport layer of Example 1 using N, N-dimethylformamide (DMF) as a solvent. , Pb concentration was adjusted to 1M. Further, in order to add strontium, the additive was added to the prepared solution so as to have a concentration of 0.01M (the content of strontium (additive concentration in the table) = 1 mol% with respect to 100 mol% of lead). As a result, strontium chloride was dissolved and formed on the porous electron transport layer by a spin coating method to form an organic / inorganic perovskite compound site. Further, a 1 wt% chlorobenzene solution of Poly (4-butylphenyl-diphenyl-amine) (manufactured by 1-Material) was laminated as a hole transport layer on the organic / inorganic perovskite compound site to a thickness of 50 nm by a spin coating method, and a photoelectric conversion layer Formed. On the photoelectric conversion layer, a gold film having a thickness of 100 nm was formed as a counter electrode (anode) by vacuum deposition, and a laminate was manufactured. On the obtained laminate, aluminum foil in which 10 μm of polyisobutylene resin (OPPANOL100 manufactured by BASF) as a sealing material was laminated at 100 ° C. was laminated to obtain a solar cell.

(実施例20)
積層体を封止材で封止しなかったこと以外は実施例1と同様にして、太陽電池を得た。
(Example 20)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that the laminate was not sealed with a sealing material.

(比較例1)
有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液を調製する際に添加物を使用しないこと以外は実施例1と同様にして、太陽電池を得た。
(Comparative Example 1)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that no additive was used when preparing the organic / inorganic perovskite compound forming solution.

(比較例2)
有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液を調製する際に添加物を使用しないこと以外は実施例3と同様にして、太陽電池を得た。
(Comparative Example 2)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 3 except that no additive was used when preparing the organic / inorganic perovskite compound forming solution.

(比較例3−7)
有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液を調製する際に使用した添加物の種類及び濃度を、表1に記載の通りに変更したこと以外は実施例1と同様にして、太陽電池を得た。
(Comparative Example 3-7)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 1 except that the types and concentrations of additives used in preparing the organic / inorganic perovskite compound forming solution were changed as shown in Table 1.

(比較例8)
有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液を調製する際に添加物を使用しないこと以外は実施例17と同様にして、太陽電池を得た。
(Comparative Example 8)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 17 except that no additive was used when preparing the organic / inorganic perovskite compound forming solution.

(比較例9)
有機無機ペロブスカイト化合物形成用溶液を調製する際に添加物を使用しないこと以外は実施例19と同様にして、太陽電池を得た。
(Comparative Example 9)
A solar cell was obtained in the same manner as in Example 19 except that no additive was used in preparing the organic / inorganic perovskite compound forming solution.

<評価>
実施例及び比較例で得られた太陽電池について、以下の評価を行った。結果を表1に示した。
<Evaluation>
The following evaluation was performed about the solar cell obtained by the Example and the comparative example. The results are shown in Table 1.

(1)初期変換効率
太陽電池の電極間に電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、ソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて強度100mW/cmの光を照射し光電変換効率を測定した。実施例1−16、20、比較例2−7については比較例1の変換効率を1に規格化した際、1.1以上であった場合を○○、1以上、1.1未満であった場合を○、1未満であった場合を×とし、実施例17−18については比較例8の変換効率を1に規格化した際、1.1以上であった場合を○○、1以上、1.1未満であった場合を○、1未満であった場合を×とし、実施例19については比較例9の変換効率を1に規格化した際、1.1以上であった場合を○○、1以上、1.1未満であった場合を○、1未満であった場合を×とした。
(2)光劣化試験
太陽電池の電極間に電源(KEITHLEY社製、236モデル)を接続し、ソーラーシミュレーション(山下電装社製)を用いて強度100mW/cmの光を照射した。光照射を開始した直後の光電変換効率と光照射を1時間続けた後の光電変換効率とをそれぞれ測定した。光照射を1時間続けた後の光電変換効率/光照射を開始した直後の光電変換効率の値を求め、その値が0.9以上であった場合を○○○、0.8以上、0.9未満であった場合を○○、0.6以上、0.8未満であった場合を○、0.6未満であった場合を×とした。
(1) Initial conversion efficiency A power source (manufactured by KEITHLEY, model 236) is connected between the electrodes of the solar cell, and light with an intensity of 100 mW / cm 2 is irradiated using solar simulation (manufactured by Yamashita Denso Co., Ltd.). It was measured. In Examples 1-16 and 20 and Comparative Example 2-7, when the conversion efficiency of Comparative Example 1 was normalized to 1, the case of 1.1 or more was ◯, 1 or more, and less than 1.1. The case where it was less than 1 was marked as x, and in Examples 17-18, when the conversion efficiency of Comparative Example 8 was normalized to 1, the case where it was 1.1 or more was rated as ◯ 1, 1 or more The case where it was less than 1.1, the case where it was less than 1, and the case where it was less than 1, and x, when the conversion efficiency of Comparative Example 9 was normalized to 1 for Example 19, it was 1.1 or more. A case where it was 1 or more and less than 1.1 was evaluated as a case where it was less than 1 or less than 1.
(2) Photodegradation test A power source (manufactured by KEITHLEY, model 236) was connected between the electrodes of the solar cell, and light having an intensity of 100 mW / cm 2 was irradiated using a solar simulation (manufactured by Yamashita Denso). The photoelectric conversion efficiency immediately after starting light irradiation and the photoelectric conversion efficiency after continuing light irradiation for 1 hour were measured, respectively. The photoelectric conversion efficiency after 1 hour of light irradiation / the value of the photoelectric conversion efficiency immediately after the start of light irradiation is obtained, and the value is 0.9 or more, ◯◯, 0.8 or more, 0 The case where it was less than 0.9, ◯, 0.6 or more, and the case where it was less than 0.8, was given as ◯, and the case where it was less than 0.6, as x.

Figure 2016178290
Figure 2016178290

本発明によれば、高い光電変換効率を発揮できる太陽電池を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the solar cell which can exhibit high photoelectric conversion efficiency can be provided.

Claims (5)

電極と、対向電極と、前記電極と前記対向電極との間に配置された光電変換層とを有する太陽電池であって、
前記光電変換層は、一般式R−M−X(但し、Rは有機分子、Mは金属原子、Xはハロゲン原子又はカルコゲン原子である。)で表される有機無機ペロブスカイト化合物と、周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素とを含有する部位を有する
ことを特徴とする太陽電池。
A solar cell having an electrode, a counter electrode, and a photoelectric conversion layer disposed between the electrode and the counter electrode,
The photoelectric conversion layer includes an organic / inorganic perovskite compound represented by the general formula R-M-X 3 (where R is an organic molecule, M is a metal atom, and X is a halogen atom or a chalcogen atom), and a periodic table. A sun having a part containing at least one element selected from the group consisting of Group 2 elements, Group 11 elements of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum battery.
周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群より選択される少なくとも1種の元素の含有量の割合が、有機無機ペロブスカイト化合物中の金属元素100モル%に対して0.01モル%以上、20モル%以下であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。 The proportion of the content of at least one element selected from the group consisting of Group 2 elements of the periodic table, Group 11 elements of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum is an organic / inorganic perovskite compound The solar cell according to claim 1, wherein the content is 0.01 mol% or more and 20 mol% or less with respect to 100 mol% of the metal element therein. 周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素が、カルシウム、ストロンチウム、銀、銅、マンガン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素であることを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池。 One or more elements selected from the group consisting of group 2 elements of the periodic table, group 11 elements of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum are calcium, strontium, silver, copper, manganese The solar cell according to claim 1, wherein the solar cell is one or more elements selected from the group consisting of lanthanum and lanthanum. 周期表2族元素、周期表11族元素、セシウム、イットリウム、オスミウム、ロジウム、マンガン、アンチモン、チタン及びランタンからなる群から選択される1種以上の元素が、カルシウム、ストロンチウム、銀及び銅からなる群から選択される1種以上の元素であることを特徴とする請求項3記載の太陽電池。 One or more elements selected from the group consisting of group 2 elements of the periodic table, group 11 elements of the periodic table, cesium, yttrium, osmium, rhodium, manganese, antimony, titanium and lanthanum are composed of calcium, strontium, silver and copper The solar cell according to claim 3, wherein the solar cell is one or more elements selected from the group. 電極と、対向電極と、前記電極と前記対向電極との間に配置された光電変換層とを有する積層体が、封止材で封止されていることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の太陽電池。 A laminated body having an electrode, a counter electrode, and a photoelectric conversion layer disposed between the electrode and the counter electrode is sealed with a sealing material. 3. The solar cell according to 3 or 4.
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