JP2016170410A - Method for producing reflection substrate and reflection substrate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate having a high reflectance of light in a near-ultraviolet region.SOLUTION: A method for producing a reflection substrate includes a step of forming a reflection layer on at least a part of a region on a base substrate with spherical inorganic particles by a powder spray coating method.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、反射基板の製造方法及び反射基板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a reflective substrate and a reflective substrate.

一般的にLED(Light Emitting Diode)デバイスは、基板と、基板上に実装されたLED素子と、LED素子を封止する、蛍光体を含む封止部材とを有する。LED素子からの光(以下「LED光」ともいう)は全方向に放射され、LED光が蛍光体を励起させて、励起光により、又は励起光とLED光との合成により、所望の色が作成される。   Generally, an LED (Light Emitting Diode) device includes a substrate, an LED element mounted on the substrate, and a sealing member including a phosphor that seals the LED element. Light from the LED element (hereinafter also referred to as “LED light”) is emitted in all directions, and the LED light excites the phosphor, and the desired color is obtained by the excitation light or the combination of the excitation light and the LED light. Created.

LED光のうち、基板に向かう光は、基板で反射されて反射光となる。しかしながら、従来用いられている基板は、近紫外領域の光(近紫外線)の反射率が低い。このため、近紫外のLED素子を用いた場合、近紫外領域の反射光量が減るため、蛍光体を励起させる効率は低いと考えられる。したがって、従来技術では、封止部材中の蛍光体の含有量を大きくする、又はLED素子の出力を上げる等の方策がとられている。   Of the LED light, light directed to the substrate is reflected by the substrate and becomes reflected light. However, a conventionally used substrate has a low reflectance of light in the near ultraviolet region (near ultraviolet light). For this reason, when a near-ultraviolet LED element is used, the amount of reflected light in the near-ultraviolet region is reduced, so that the efficiency of exciting the phosphor is considered to be low. Therefore, in the prior art, measures such as increasing the content of the phosphor in the sealing member or increasing the output of the LED element are taken.

例えば特許文献1のように、無機粒子とバインダとを含む被着材料をスプレーコート法によって基材の表面に吹き付けた後に仮焼成を行って多孔質層を形成して得られる、近紫外領域において反射率の高い反射部材が知られている。   For example, as in Patent Document 1, in the near-ultraviolet region, obtained by spraying an adherend containing inorganic particles and a binder onto the surface of a base material by a spray coating method and then performing preliminary firing to form a porous layer. A reflective member having a high reflectance is known.

特開2011−180618号公報JP 2011-180618 A

特許文献1の多孔質層は、950℃以上の温度で焼結を行い形成されている。しかしながら、アルミニウム基板や樹脂基板などに被着材層を形成して仮焼成を行うと、熱の影響を受けて、基板上の金属や配線が熱酸化される、マイグレーションなどによる配線の断線、基板形状の歪みなどが発生するなど、様々な不具合が生じてしまう。   The porous layer of Patent Document 1 is formed by sintering at a temperature of 950 ° C. or higher. However, if an adhering material layer is formed on an aluminum substrate or a resin substrate and pre-baked, the metal or wiring on the substrate is thermally oxidized due to the influence of heat. Various troubles such as shape distortion occur.

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、例えば以下の構成により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明は、例えば以下の[1]〜[8]に関する。
The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, for example, it has been found that the above problem can be solved by the following configuration, and the present invention has been completed.
The present invention relates to the following [1] to [8], for example.

[1]球状の無機粒子を用いて、粉末噴射コーティング法により、ベース基板上の少なくとも一部の領域に反射層を形成する工程を有する、反射基板の製造方法。
[2]前記球状の無機粒子の70%以上(個数基準)が、粒子径が20〜60μmの範囲にある粒子である前記[1]に記載の反射基板の製造方法。
[3]前記球状の無機粒子が、スプレードライ法により得られた球状の造粒粉末である前記[1]又は[2]に記載の反射基板の製造方法。
[4]前記球状の無機粒子が、ZrO2、SiO2、Al23及びAlNから選択される少なくとも1種を含む粒子である前記[1]〜[3]のいずれか1項に記載の反射基板の製造方法。
[5]前記ベース基板における反射層形成領域の材質が、アルミニウム、チタニウム又はステンレス鋼である前記[1]〜[4]のいずれか1項に記載の反射基板の製造方法。
[6]前記反射層の膜厚が、1μm以上の範囲にある前記[1]〜[5]のいずれか1項に記載の反射基板の製造方法。
[7]ベース基板と、球状の無機粒子を用いた粉末噴射コーティング法により、前記ベース基板上の少なくとも一部の領域に形成された反射層と、を有する反射基板。
[8]LED素子搭載用基板である、前記[7]に記載の反射基板。
[1] A method for producing a reflective substrate, comprising using a spherical inorganic particle to form a reflective layer in at least a partial region on a base substrate by a powder spray coating method.
[2] The method for producing a reflective substrate according to [1], wherein 70% or more (number basis) of the spherical inorganic particles are particles having a particle diameter in a range of 20 to 60 μm.
[3] The method for producing a reflective substrate according to [1] or [2], wherein the spherical inorganic particles are spherical granulated powder obtained by a spray drying method.
[4] The spherical inorganic particles according to any one of [1] to [3], wherein the spherical inorganic particles are particles containing at least one selected from ZrO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 and AlN. A method for manufacturing a reflective substrate.
[5] The method for manufacturing a reflective substrate according to any one of [1] to [4], wherein the material of the reflective layer forming region in the base substrate is aluminum, titanium, or stainless steel.
[6] The method for manufacturing a reflective substrate according to any one of [1] to [5], wherein the thickness of the reflective layer is in a range of 1 μm or more.
[7] A reflective substrate having a base substrate and a reflective layer formed in at least a partial region on the base substrate by a powder spray coating method using spherical inorganic particles.
[8] The reflective substrate according to [7], which is an LED element mounting substrate.

本発明によれば、高温熱処理工程を行うことなく、既存の基板上に近紫外領域の光の反射率が高い反射層を形成することができ、また、近紫外領域の光の反射率が高い反射基板を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to form a reflective layer having a high reflectance of light in the near ultraviolet region on an existing substrate without performing a high-temperature heat treatment step, and the reflectance of light in the near ultraviolet region is high. A reflective substrate can be provided.

図1は、粉末ガス化デポジション法で用いる成膜装置を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a film forming apparatus used in a powder gasification deposition method. 図2は、実施例で用いた球状の無機粒子のSEM画像である。FIG. 2 is an SEM image of spherical inorganic particles used in the examples. 図3は、比較例で用いた非球状の無機粒子のSEM画像である。FIG. 3 is an SEM image of non-spherical inorganic particles used in the comparative example. 図4は、実施例で用いた無機粒子単体の反射率と、アルミニウム基板、チタニウム基板及びSUS基板の反射率とを示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the reflectance of a single inorganic particle used in the examples and the reflectances of an aluminum substrate, a titanium substrate, and a SUS substrate. 図5(a)は、実施例及び比較例Aで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 5A is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Examples and Comparative Example A. 図5(b)は、実施例及び比較例Aで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 5B is a graph showing the reflectance of the reflective substrate and the like obtained in the example and the comparative example A. 図5(c)は、実施例及び比較例Aで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 5C is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Examples and Comparative Example A. 図6(a)は、実施例及び比較例Bで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 6A is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Examples and Comparative Example B. FIG. 図6(b)は、実施例及び比較例Bで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 6B is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Example and Comparative Example B. 図6(c)は、実施例及び比較例Bで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 6C is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Example and Comparative Example B. 図7(a)は、実施例及び比較例Cで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 7A is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Example and Comparative Example C. FIG. 図7(b)は、実施例及び比較例Cで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 7B is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Example and Comparative Example C. 図7(c)は、実施例及び比較例Cで得られた反射基板等の反射率を示すグラフである。FIG. 7C is a graph showing the reflectivity of the reflective substrate and the like obtained in Examples and Comparative Example C.

以下、本発明について詳細に説明する。
本明細書において、近紫外領域とは、波長360nm以上400nm以下の範囲をいい、可視光領域とは、波長400nmを超えて740nm以下の範囲をいう。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In this specification, the near-ultraviolet region means a range of wavelengths from 360 nm to 400 nm and the visible light region means a range of wavelengths exceeding 400 nm to 740 nm or less.

〔反射基板の製造方法〕
本発明の反射基板の製造方法は、球状の無機粒子を用いて、粉末噴射コーティング法により、ベース基板上の少なくとも一部の領域に反射層を形成する工程を有する。
[Method of manufacturing reflective substrate]
The method for producing a reflective substrate of the present invention includes a step of forming a reflective layer in at least a partial region on a base substrate by powder injection coating using spherical inorganic particles.

〈無機粒子〉
本発明では、ベース基板上に反射層を形成するために、球状の無機粒子が用いられる。本発明で用いられる球状の無機粒子は、波長360nm以上400nm以下の範囲のうち少なくとも一部の範囲において、反射層が形成されるベース基板の反射率よりも高い反射率を有することが好ましい。
<Inorganic particles>
In the present invention, spherical inorganic particles are used to form the reflective layer on the base substrate. The spherical inorganic particles used in the present invention preferably have a reflectance higher than the reflectance of the base substrate on which the reflective layer is formed in at least a part of the wavelength range of 360 nm to 400 nm.

無機粒子の近紫外領域での反射率は、以下のように測定する。無機粒子を基板上に、基板が見えないほど充分に配置した後に、この無機粒子の層上にもう1枚の基板をおいて、無機粒子の層を平坦化する。平坦化後は、無機粒子の層上においた基板は取り除く。このようにして得られた、無機粒子の層について、分光測色計を用いて、波長360〜740nmの範囲の反射率を測定する。このようにして、波長360nm以上400nm以下の範囲における、無機粒子の反射率を得る。なお、無機粒子の層は平坦化できればよく、基板以外の平坦な部材で無機粒子を平坦化できればよい。   The reflectance of the inorganic particles in the near ultraviolet region is measured as follows. After sufficiently disposing the inorganic particles on the substrate so that the substrate is not visible, another substrate is placed on the inorganic particle layer to flatten the inorganic particle layer. After planarization, the substrate placed on the layer of inorganic particles is removed. The reflectance in the wavelength range of 360 to 740 nm is measured using a spectrocolorimeter for the inorganic particle layer thus obtained. In this manner, the reflectance of the inorganic particles in the wavelength range of 360 nm to 400 nm is obtained. In addition, the layer of an inorganic particle should just be planarized, and should just planarize an inorganic particle with flat members other than a board | substrate.

近紫外領域(360nm〜400nm)のうち少なくとも一部の範囲において、反射層を形成するために用いられる球状の無機粒子の反射率が、反射層が形成されるベース基板の反射率よりも高いことが好ましい。ここで、球状の無機粒子の反射率は、上述の全近紫外領域でベース基板の反射率を上回っていることがより好ましいが、部分的に上回っていればよい。例えば380〜400nmの範囲での反射率が、ベース基板よりも高い球状の無機粒子でもよく、360nm付近での反射率が、ベース基板よりも高い球状の無機粒子でもよい。あるいは、近紫外領域での平均反射率が、ベース基板よりも高い球状の無機粒子でもよい。   The reflectance of the spherical inorganic particles used to form the reflective layer is higher than the reflectance of the base substrate on which the reflective layer is formed in at least a part of the near ultraviolet region (360 nm to 400 nm). Is preferred. Here, it is more preferable that the reflectance of the spherical inorganic particles exceeds the reflectance of the base substrate in the above-described all near-ultraviolet region, but it is only necessary to partially exceed the reflectance. For example, spherical inorganic particles whose reflectance in the range of 380 to 400 nm is higher than that of the base substrate, or spherical inorganic particles whose reflectance near 360 nm is higher than that of the base substrate may be used. Or the spherical inorganic particle whose average reflectance in a near ultraviolet region is higher than a base substrate may be sufficient.

無機粒子としては、ZrO2、SiO2、Al23及びAlNから選択される少なくとも1種を含む粒子がより好ましく用いられる。
また、1種の無機粒子を用いてもよく、2種以上の無機粒子を用いてもよい。
As the inorganic particles, particles containing at least one selected from ZrO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 and AlN are more preferably used.
Moreover, 1 type of inorganic particles may be used and 2 or more types of inorganic particles may be used.

本明細書において、粒子を構成するある成分Xの含有割合が50質量%以上の粒子をX粒子と記載する。例えば、粒子を構成するZrO2の含有割合が50質量%以上の粒子をZrO2粒子と記載する。 In the present specification, particles having a content ratio of a certain component X constituting the particles of 50% by mass or more are referred to as X particles. For example, particles having a ZrO 2 content of 50% by mass or more constituting the particles are described as ZrO 2 particles.

無機粒子としては、ZrO2粒子、SiO2粒子、Al23粒子及びAlN粒子が挙げられ、これらの中でも、近紫外領域における反射率の高さの観点から、ZrO2粒子及びAl23粒子が好ましく、可視光領域における反射率の高さの観点から、ZrO2粒子がより好ましい。反射率という目的に加えて放熱などの熱伝導率を考慮した場合には、熱伝導率はAlN粒子が高く、次いでAl23粒子、ZrO2粒子の順であり、放熱性を確保したい場合はAlN粒子やAl23粒子が好ましい。 Examples of the inorganic particles include ZrO 2 particles, SiO 2 particles, Al 2 O 3 particles, and AlN particles. Among these, ZrO 2 particles and Al 2 O 3 particles are used from the viewpoint of high reflectance in the near ultraviolet region. Particles are preferable, and ZrO 2 particles are more preferable from the viewpoint of high reflectance in the visible light region. When considering thermal conductivity such as heat dissipation in addition to the purpose of reflectivity, the thermal conductivity is higher for AlN particles, followed by Al 2 O 3 particles, then ZrO 2 particles, to ensure heat dissipation Is preferably AlN particles or Al 2 O 3 particles.

球状の無機粒子を用いることで、内部に空隙を多く含む、密度の低い反射層をベース基板上に形成することができる。これにより、近紫外領域における反射率を向上させることができる。本発明では、1次粒子及び/又は1次粒子が凝集した2次粒子を造粒することにより得られる球状(顆粒状)のセラミック粒子を用いることがより好ましい。   By using spherical inorganic particles, it is possible to form a low-density reflective layer containing a large amount of voids inside on the base substrate. Thereby, the reflectance in the near ultraviolet region can be improved. In the present invention, it is more preferable to use spherical (granular) ceramic particles obtained by granulating primary particles and / or secondary particles in which primary particles are aggregated.

球状の無機粒子は、円形度が0.9以上であることが好ましく、より好ましくは0.95以上である。特に、20〜60μmの範囲の粒子径の円形度が前記範囲にあることが好ましい。このような円形度の粒子は、例えば後述のスプレードライ法によって得られる。   The spherical inorganic particles preferably have a circularity of 0.9 or more, more preferably 0.95 or more. In particular, the circularity of the particle diameter in the range of 20 to 60 μm is preferably in the above range. Such circular particles are obtained, for example, by a spray drying method described later.

球状の無機粒子としては、70%以上が、粒子径が20〜60μmの範囲にある粒子を用いることが好ましい。ここで、前記割合は個数基準であり、粒子径5μm以上の全無機粒子に対する割合である。20μm以上の粒子径を有する粒子を前記範囲で含む無機粒子は、密度の低い反射層を形成するうえで好ましい。また、60μmより大きい粒子径の粒子が30%を超えて含まれる無機粒子を用いると、成膜法として粉末噴射コーティング法を採用する本発明において膜が形成されずに堆積されにくい傾向がある。前記粒子径を有する無機粒子の割合は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)の写真から任意の粒子の粒子径を測定し算出することができる。   As the spherical inorganic particles, it is preferable to use particles having 70% or more and a particle diameter in the range of 20 to 60 μm. Here, the ratio is based on the number, and is a ratio with respect to all inorganic particles having a particle diameter of 5 μm or more. Inorganic particles containing particles having a particle diameter of 20 μm or more in the above range are preferable for forming a reflective layer having a low density. In addition, when inorganic particles containing particles having a particle diameter of more than 60 μm in excess of 30% are used, the present invention adopting a powder injection coating method as a film forming method tends to be difficult to deposit without forming a film. The ratio of the inorganic particles having the particle diameter can be calculated, for example, by measuring the particle diameter of an arbitrary particle from a scanning electron microscope (SEM) photograph.

球状の無機粒子としては、メディアン径(D50;個数基準)が20μm以上の範囲にある無機粒子を用いることが好ましく、20〜60μmの範囲にある無機粒子を用いることがより好ましい。メディアン径は、SEM観察画像により測定される。   As the spherical inorganic particles, it is preferable to use inorganic particles having a median diameter (D50; number basis) in the range of 20 μm or more, and more preferable to use inorganic particles in the range of 20 to 60 μm. The median diameter is measured by an SEM observation image.

球状の無機粒子は、スプレードライ法により得られた球状の造粒粉末であることが好ましい。具体的には、1次粒子及び/又は1次粒子を凝集して形成される2次粒子を原料としてスプレードライ法により造粒して得られた球状(顆粒状)の粉末であることが好ましい。スプレードライ法は、球状の無機粒子を得るうえで好ましい。スプレードライ法の条件は、球状で且つ粒子径が上記範囲にある粒子が得られる限り特に限定されない。スプレードライ法については既知の技術を用いることができるため、その説明は省略する。調製粒子の形状及び大きさ等は、例えばスプレードライの噴霧量及び噴霧状態、並びに温度を適宜設定することで変化させることができる。   The spherical inorganic particles are preferably spherical granulated powder obtained by spray drying. Specifically, it is preferably a spherical (granular) powder obtained by granulating the primary particles and / or secondary particles formed by agglomerating the primary particles as a raw material by a spray drying method. . The spray drying method is preferable for obtaining spherical inorganic particles. The conditions of the spray drying method are not particularly limited as long as particles having a spherical shape and a particle diameter in the above range are obtained. Since a known technique can be used for the spray drying method, description thereof is omitted. The shape and size of the prepared particles can be changed by appropriately setting, for example, the spraying amount and spraying state of spray drying, and the temperature.

〈ベース基板〉
ベース基板における反射層形成領域の材質としては、例えば、アルミニウム、チタニウム、ステンレス鋼(例:JIS規格に規定される、SUS430、SUS304、SUS316)等の金属(合金を包含する)が挙げられる。また、ベース基板としては、例えば、アルミニウム基板、チタニウム基板、ステンレス鋼基板等の金属製基板;エポキシ樹脂基板等の合成樹脂製基板;合成樹脂製基板の表面にアルミニウム層、チタニウム層、ステンレス鋼層等の金属層が形成された積層基板;アルミニウム、チタニウム、鉄を主成分とする合金基板と積層基板;これらの基板上にガラス膜などの保護層が形成された基板が挙げられる。ベース基板として金属製基板を用いた場合、ベース基板の裏面からの放熱性が高くなり、例えばLED素子をベース基板上に搭載した場合、発光時におけるベース基板の温度分布を均等化することができる。このため、LED光のばらつきを抑制することができる点で好ましい。
<Base substrate>
Examples of the material of the reflective layer formation region in the base substrate include metals (including alloys) such as aluminum, titanium, and stainless steel (for example, SUS430, SUS304, and SUS316 defined in JIS standards). Examples of the base substrate include a metal substrate such as an aluminum substrate, a titanium substrate, and a stainless steel substrate; a synthetic resin substrate such as an epoxy resin substrate; an aluminum layer, a titanium layer, and a stainless steel layer on the surface of the synthetic resin substrate. A laminated substrate in which a metal layer such as aluminum is formed; an alloy substrate mainly composed of aluminum, titanium, and iron; and a laminated substrate; a substrate in which a protective layer such as a glass film is formed on these substrates. When a metal substrate is used as the base substrate, heat dissipation from the back surface of the base substrate is enhanced. For example, when an LED element is mounted on the base substrate, the temperature distribution of the base substrate during light emission can be equalized. . For this reason, it is preferable at the point which can suppress the dispersion | variation in LED light.

これらの中でも、アルミニウム基板は波長400nmを超えて740nm以下において反射率が高い点からベース基板として好ましい。例えば、波長400nmを超えて740nm以下の平均反射率が好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上であるアルミニウム基板が挙げられる。
ベース基板は特に限定されないが、形状としては、例えば、平板状が挙げられる。また、ベース基板の厚さは通常0.5〜2mm程度である。
Among these, an aluminum substrate is preferable as a base substrate because it has a high reflectance at a wavelength exceeding 400 nm and not exceeding 740 nm. For example, an aluminum substrate having an average reflectance of more than 80 nm and not more than 740 nm is preferably 80% or more, more preferably 90% or more.
Although a base substrate is not specifically limited, As a shape, flat shape is mentioned, for example. The thickness of the base substrate is usually about 0.5 to 2 mm.

〈成膜法〉
本発明では、ベース基板上の少なくとも一部の領域に反射層を形成する成膜法として、粉末噴射コーティング法が用いられる。本発明において「粉末噴射コーティング法」とは、原料粉末を搬送ガス中に分散させて粉末ガス化し、粉末ガスを対象基板に向けて噴射することにより粉末ガス中の前記粉末を対象基板に衝突及び堆積させて、前記粉末を構成する材料からなる膜を対象基板上に形成する方法を意味する。なお、粉末ガスとは、気体中に浮遊するガラス粉末とその気体との混合物のことをいう。
<Film formation method>
In the present invention, a powder spray coating method is used as a film forming method for forming the reflective layer in at least a part of the region on the base substrate. In the present invention, the “powder spray coating method” means that a raw material powder is dispersed in a carrier gas to form a powder gas, and the powder in the powder gas collides with the target substrate by spraying the powder gas toward the target substrate. It means a method of depositing and forming a film made of a material constituting the powder on a target substrate. In addition, powder gas means the mixture of the glass powder which floats in gas, and the gas.

粉末噴射コーティング法では、特に加熱手段を必要とせず、常温で成膜可能である。また、粉末噴射コーティング法を用いることで、ベース基板上に、例えば接着剤層等を介することなく、反射層を直接形成することができる。粉末噴射コーティング法では粉末吹き付けのみで成膜が行え、焼成が不要になるため、ベース基板へのダメージが少なく、基板の選択肢を増やすことができる。   The powder spray coating method does not require any heating means and can form a film at room temperature. Further, by using the powder spray coating method, the reflective layer can be directly formed on the base substrate without using, for example, an adhesive layer or the like. In the powder spray coating method, film formation can be performed only by powder spraying, and firing is not required. Therefore, damage to the base substrate is small, and the number of substrate options can be increased.

粉末噴射コーティング法としては、具体的には、粉末ガス化デポジション法(GD法)及びパウダージェットデポジション法(PJD法)が挙げられる。一般的に、GD法は減圧下の成膜環境で行われる方法であり、PJD法は大気圧下の成膜環境で行われる方法である。本発明では、いずれの方法も採用することができる。   Specific examples of the powder spray coating method include a powder gasification deposition method (GD method) and a powder jet deposition method (PJD method). Generally, the GD method is a method performed in a film formation environment under reduced pressure, and the PJD method is a method performed in a film formation environment under atmospheric pressure. Any method can be adopted in the present invention.

本発明では、原料粉末として上記球状の無機粒子が用いられ、対象基板として上記ベース基板が用いられる。
成膜室内の圧力は、好ましくは10〜1000Pa、より好ましくは10〜400Pa、さらに好ましくは20〜200Paである。圧力が前記範囲にあると、得られる膜が緻密になりすぎないため、近紫外領域の光の反射率が高い基板を得るうえで好ましい。
In the present invention, the spherical inorganic particles are used as the raw material powder, and the base substrate is used as the target substrate.
The pressure in the film forming chamber is preferably 10 to 1000 Pa, more preferably 10 to 400 Pa, and still more preferably 20 to 200 Pa. When the pressure is in the above range, the resulting film does not become too dense, which is preferable for obtaining a substrate having a high reflectance of light in the near ultraviolet region.

搬送ガスとしては、例えば、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)、窒素(N2)等の不活性ガス、及び乾燥空気が挙げられる。搬送ガスのガス流量は、所望の粉末ガスの生成及び搬送を維持できる流量であれば特に限定されないが、好ましくは0.1〜10L/分、より好ましくは0.5〜5L/分、さらに好ましくは0.5〜2L/分である。ガス流量が前記範囲にあると、得られる膜が緻密になりすぎないため、近紫外領域の光の反射率が高い基板を得るうえで好ましい。 Examples of the carrier gas include an inert gas such as helium (He), argon (Ar), and nitrogen (N 2 ), and dry air. The gas flow rate of the carrier gas is not particularly limited as long as it is a flow rate capable of maintaining the generation and conveyance of the desired powder gas, but is preferably 0.1 to 10 L / min, more preferably 0.5 to 5 L / min, and still more preferably. Is 0.5-2 L / min. When the gas flow rate is within the above range, the resulting film does not become too dense, which is preferable for obtaining a substrate having a high reflectance of light in the near ultraviolet region.

成膜室における雰囲気温度は、通常5〜35℃程度である。
形成される反射層の膜厚は、通常1μm以上、好ましくは10〜1000μm、より好ましくは100〜300μmである。形成される反射層の膜厚が前記範囲の下限値以上であれば、近紫外領域において高い反射率を得ることができる傾向にあり、また、成膜の制御の観点から好ましい。
The atmospheric temperature in the film forming chamber is usually about 5 to 35 ° C.
The thickness of the reflective layer to be formed is usually 1 μm or more, preferably 10 to 1000 μm, more preferably 100 to 300 μm. If the thickness of the reflection layer to be formed is not less than the lower limit of the above range, a high reflectance tends to be obtained in the near ultraviolet region, and it is preferable from the viewpoint of film formation control.

無機粒子としてZrO2粒子、SiO2粒子、Al23粒子及びAlN粒子等を用いた場合、形成される上記反射層は高い絶縁性を有する。したがって、本発明では、絶縁性が高く、かつ近紫外線の反射率が高い反射層を有する反射基板を得ることができる。 When ZrO 2 particles, SiO 2 particles, Al 2 O 3 particles, AlN particles and the like are used as the inorganic particles, the formed reflective layer has high insulating properties. Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain a reflective substrate having a reflective layer having high insulating properties and high near-UV reflectance.

図1に、GD法により成膜を行う成膜装置の模式図の一例を示す。成膜装置1は、ガスボンベ120と、ガス導入部40と、混合部110と、粉末タンク10と、成膜室20と、真空ポンプ30と、粉末ガス導入部50と、排気管60とを有する。   FIG. 1 shows an example of a schematic diagram of a film forming apparatus for forming a film by the GD method. The film forming apparatus 1 includes a gas cylinder 120, a gas introduction unit 40, a mixing unit 110, a powder tank 10, a film formation chamber 20, a vacuum pump 30, a powder gas introduction unit 50, and an exhaust pipe 60. .

混合部110は、粉末ガスの生成が行われる容器であり、混合部110には原料粉末70を含む粉末タンク10が接続されている。混合部110には、ガス導入部40及び粉末ガス導入部50が接続されている。   The mixing unit 110 is a container in which powder gas is generated, and the mixing unit 110 is connected to the powder tank 10 containing the raw material powder 70. A gas introduction unit 40 and a powder gas introduction unit 50 are connected to the mixing unit 110.

ガス導入部40は、原料粉末70を搬送するために用いられる搬送ガスを、混合部110の内部に導入する。混合部110の内部にて原料粉末70と搬送ガスとが混合され、粉末ガスが生成される。粉末ガス導入部50は、生成された粉末ガスを吸引して成膜室20の内部に導入する。粉末ガス導入部50の先端には、スリットが形成された噴射ノズル80が設けられている。   The gas introduction unit 40 introduces a carrier gas used for conveying the raw material powder 70 into the mixing unit 110. The raw material powder 70 and the carrier gas are mixed in the mixing unit 110 to generate a powder gas. The powder gas introduction unit 50 sucks the generated powder gas and introduces it into the film forming chamber 20. An injection nozzle 80 having a slit is provided at the tip of the powder gas introduction unit 50.

成膜室20では、GD法により成膜が行われる。成膜室20には、粉末ガス導入部50により混合部110が接続されており、排気管60により真空ポンプ30が接続されている。成膜室20内部の圧力は、真空ポンプ30により任意の減圧状態に制御可能である。   In the film formation chamber 20, film formation is performed by the GD method. A mixing unit 110 is connected to the film forming chamber 20 by a powder gas introduction unit 50, and a vacuum pump 30 is connected by an exhaust pipe 60. The pressure inside the film forming chamber 20 can be controlled to an arbitrary reduced pressure state by the vacuum pump 30.

成膜室20の内部には、可動ステージ90が設けられており、可動ステージ90には対象基板100が固定されている。可動ステージ90は、対象基板100と噴射ノズル80との相対位置を調節するために移動可能である。   A movable stage 90 is provided inside the film forming chamber 20, and the target substrate 100 is fixed to the movable stage 90. The movable stage 90 is movable in order to adjust the relative position between the target substrate 100 and the ejection nozzle 80.

混合部110において生成された粉末ガスは、粉末ガス導入部50を通り、噴射ノズル80から成膜室20の内部に導入され、可動ステージ90に固定された対象基板100に向けて噴射される。   The powder gas generated in the mixing unit 110 passes through the powder gas introducing unit 50, is introduced into the film forming chamber 20 from the spray nozzle 80, and is sprayed toward the target substrate 100 fixed to the movable stage 90.

以上の成膜法により、例えばLED素子から放射された近紫外線に対する反射率が高い反射層を、ベース基板上の任意の領域に形成することができる。したがって、本発明の製造方法で得られる反射基板は、LED素子搭載用基板として好適に用いることができる。   By the above film forming method, for example, a reflective layer having a high reflectance with respect to near ultraviolet rays emitted from the LED element can be formed in an arbitrary region on the base substrate. Therefore, the reflective substrate obtained by the production method of the present invention can be suitably used as an LED element mounting substrate.

本発明で得られた反射基板をLED素子搭載用基板として用いることで、近紫外領域の反射率を高くすることができるため、蛍光体を励起する確率が向上する。これにより、封止部材中の蛍光体の含有量を減らすことができ、このため励起光、又は励起光とLED光との合成光の取出し効率を上げることができる。また、LED素子の出力を下げることができ、このため省電力に寄与することができる。   Since the reflectance in the near ultraviolet region can be increased by using the reflective substrate obtained in the present invention as the LED element mounting substrate, the probability of exciting the phosphor is improved. Thereby, content of the fluorescent substance in a sealing member can be reduced, For this reason, the extraction efficiency of the synthetic light of excitation light or excitation light and LED light can be raised. In addition, the output of the LED element can be lowered, which can contribute to power saving.

〔反射基板〕
本発明の反射基板は、ベース基板と、球状の無機粒子を用いた粉末噴射コーティング法により、前記ベース基板上の少なくとも一部の領域に形成された反射層とを有する。
[Reflective substrate]
The reflective substrate of the present invention includes a base substrate and a reflective layer formed on at least a part of the region on the base substrate by a powder spray coating method using spherical inorganic particles.

本発明の反射基板は、反射層面において、波長360〜400nmの範囲のうち少なくとも一部の範囲における光の反射率がベース基板のみの反射率よりも高いことが好ましい。   In the reflective substrate of the present invention, the reflectance of light in at least a part of the wavelength range of 360 to 400 nm on the reflective layer surface is preferably higher than the reflectance of the base substrate alone.

例えば、近紫外LED素子と、赤色、緑色又は青色の蛍光体とを組み合わせることで、疑似白色光を得ることができる。波長360〜400nmにおける光の反射率が高い反射基板をLED素子搭載用基板として用いると、LED光のうち上記波長範囲の光が基板で反射された反射光も蛍光体の励起に寄与する確率が高くなる。したがって、蛍光体の使用量を低減できる点、及び省電力の点で好ましい。   For example, pseudo white light can be obtained by combining a near-ultraviolet LED element and a red, green, or blue phosphor. If a reflective substrate having a high light reflectance at a wavelength of 360 to 400 nm is used as the LED element mounting substrate, the probability that the reflected light of the LED light reflected by the substrate in the above wavelength range also contributes to the excitation of the phosphor is high. Get higher. Therefore, it is preferable in terms of reducing the amount of phosphor used and saving power.

可視光領域の光の平均反射率が高いほど、LED素子の輝度が高くなる傾向にある。また、上述の疑似白色光を得るうえで、光の反射率が可視光領域において略一定であることが好ましい。   The higher the average reflectance of light in the visible light region, the higher the luminance of the LED element. Moreover, when obtaining the above-mentioned pseudo white light, it is preferable that the reflectance of light is substantially constant in the visible light region.

本発明の反射基板は上述した〔反射基板の製造方法〕に基づき製造することができる。
以下、本発明の反射基板をLED素子搭載用基板として用いる一例を説明する。具体的には、LED装置を製造する方法について説明する。LED装置は、例えば、反射層及び回路パターンが形成されたLED素子搭載用基板(以下「基板Z」ともいう)の反射層上にLED素子を搭載する工程、前記基板Zに搭載されたLED素子と前記基板Zの回路パターンとを導通させる工程、透光性の封止材を用いてLED素子を封止する工程を経て、製造することができる。
The reflective substrate of the present invention can be produced based on the above-mentioned [Production method of reflective substrate].
Hereinafter, an example in which the reflective substrate of the present invention is used as an LED element mounting substrate will be described. Specifically, a method for manufacturing the LED device will be described. The LED device includes, for example, a step of mounting an LED element on a reflective layer of an LED element mounting substrate (hereinafter also referred to as “substrate Z”) on which a reflective layer and a circuit pattern are formed, and the LED element mounted on the substrate Z And a circuit pattern of the substrate Z, and a step of sealing the LED element using a translucent sealing material.

基板Zの構成は、例えば以下のとおりである。
ベース基板がアルミニウム基板等の金属製基板である場合には、ベース基板上に絶縁層を兼ねた反射層を形成し、この反射層上に金属箔を積層し、この金属箔にエッチング処理を施すことにより回路パターンを形成することができる。金属箔としては、例えば、銅箔が挙げられる。その他、公知の手段により回路パターンを形成することができる。
The configuration of the substrate Z is, for example, as follows.
When the base substrate is a metal substrate such as an aluminum substrate, a reflective layer also serving as an insulating layer is formed on the base substrate, a metal foil is laminated on the reflective layer, and an etching process is performed on the metal foil. Thus, a circuit pattern can be formed. An example of the metal foil is a copper foil. In addition, a circuit pattern can be formed by a known means.

また、ベース基板が合成樹脂製基板上にアルミニウム層等の金属層を形成した積層基板である場合には、回路パターンとなる電極層を金属層によって形成しておき、LED素子と電極層とを導通させる部分以外の領域に上述した反射層を形成することができる。   When the base substrate is a laminated substrate in which a metal layer such as an aluminum layer is formed on a synthetic resin substrate, an electrode layer to be a circuit pattern is formed by the metal layer, and the LED element and the electrode layer are The reflective layer described above can be formed in a region other than the portion to be conducted.

LED素子は、例えば、透光性の接着剤を介して、基板Zに搭載する。透光性の接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等のダイボンド剤が挙げられる。   For example, the LED element is mounted on the substrate Z via a translucent adhesive. Examples of the translucent adhesive include die bond agents such as epoxy resins, urea resins, acrylic resins, and silicone resins.

基板Zに搭載されたLED素子は、ワイヤボンディングやフリップチップ等の公知の手段により、基板Z上に形成された回路パターンに対して、電気的に接続される。
LED素子は、透光性樹脂及び蛍光体を含む封止材を用いて樹脂封止される。上記LED装置は、近紫外領域の光の反射率が高い基板を有することから、上述したように、封止材中の蛍光体量を減らすことができる。このため、蛍光体の励起光が他の蛍光体に吸収されたりすることなく取り出されるため、LED装置からの光の出射効率が高くなる。
The LED element mounted on the substrate Z is electrically connected to a circuit pattern formed on the substrate Z by a known means such as wire bonding or flip chip.
The LED element is resin-sealed using a sealing material containing a translucent resin and a phosphor. Since the LED device has a substrate with a high reflectance of light in the near ultraviolet region, as described above, the amount of phosphor in the sealing material can be reduced. For this reason, since the excitation light of the phosphor is extracted without being absorbed by another phosphor, the light emission efficiency from the LED device is increased.

上記LED装置の一実施形態では、反射層上に複数のLED素子が透光性の接着剤を介して接着されているので、個々のLED素子に対応するように反射層を形成する必要はない。   In one embodiment of the LED device, since the plurality of LED elements are bonded on the reflective layer via a translucent adhesive, it is not necessary to form the reflective layer so as to correspond to the individual LED elements. .

上記LED装置では、LED素子から放射された光の一部は、正規の光の取り出し方向とは逆に、LED素子搭載用基板の反射層に向かう。反射層に向かった光は、反射層面で正規の光の取り出し方向に向けて反射される。   In the LED device described above, part of the light emitted from the LED element is directed to the reflective layer of the LED element mounting substrate, contrary to the normal light extraction direction. The light traveling toward the reflective layer is reflected toward the normal light extraction direction on the reflective layer surface.

以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明する。
[調製例1]
球状のZrO2造粒粒子の調製方法を説明する。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples.
[Preparation Example 1]
A method for preparing spherical ZrO 2 granulated particles will be described.

はじめに、水酸化ジルコニウム粉末を900℃から1000℃に設定された炉に入れて、2時間ほど仮焼をすることによりZrO2微粉末を得る。次に、ZrO2微粉末を水と有機溶媒とからなる液体に混合してスラリーを作製する。ここで、混合比率はZrO2の質量と液体の質量とを同程度にしておく。そして、スラリーと粉砕用のボールとを撹拌槽型媒体攪拌式粉砕機で6時間混合粉砕することによって、1次粒子及び/又は粒子径の小さい1次粒子が凝集してできた2次粒子を含むスラリーとなる。このように作成したスラリーをスプレードライ法により150℃の高温気流中に噴霧すると、表面張力によって1次粒子及び/又は粒子径の小さい1次粒子が凝集してできた2次粒子がさらに凝集し球状化した液滴となる。この液滴をそのまま乾燥しZrO2の造粒粒子を得る。 First, the zirconium hydroxide powder is put into a furnace set at 900 ° C. to 1000 ° C. and calcined for about 2 hours to obtain ZrO 2 fine powder. Next, ZrO 2 fine powder is mixed with a liquid composed of water and an organic solvent to prepare a slurry. Here, the mixing ratio is such that the mass of ZrO 2 and the mass of the liquid are approximately the same. Then, secondary particles formed by agglomerating primary particles and / or primary particles having a small particle diameter by mixing and pulverizing the slurry and balls for pulverization with a stirring tank type medium agitation pulverizer for 6 hours. It becomes a slurry containing. When the slurry thus prepared is sprayed in a high-temperature air flow at 150 ° C. by a spray drying method, secondary particles formed by agglomeration of primary particles and / or primary particles having a small particle diameter due to surface tension are further agglomerated. It becomes a spheroidized droplet. The droplets are dried as they are to obtain ZrO 2 granulated particles.

得られたZrO2の造粒粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM)による写真を図2(a)(5kV,1000倍)及び図2(b)(5kV,200倍)に示す。得られたZrO2の造粒粒子が球状(顆粒状)であることを確認した。 With respect to the obtained granulated particles of ZrO 2 , photographs taken with a scanning electron microscope (SEM) are shown in FIG. 2 (a) (5 kV, 1000 times) and FIG. 2 (b) (5 kV, 200 times). It was confirmed that the obtained ZrO 2 granulated particles were spherical (granular).

SEMの写真から任意の粒子の粒子径を測定し算出した結果、球状(顆粒状)のZrO2の造粒粒子の粒子径は、5μm以上の粒子のうち約77%(個数基準)が20〜60μmの範囲にあり、メディアン径(D50)は29μmであった。また、上述の20〜60μmの範囲の粒子径の円形度はいずれも0.9以上であった。このようにして得られたZrO2の造粒粒子の粉末をZrO2造粒粉と呼ぶ。 As a result of measuring and calculating the particle diameter of an arbitrary particle from the SEM photograph, the particle diameter of the spherical (granular) ZrO 2 granulated particles is about 77% (number basis) of 20 to 20 μm or more. It was in the range of 60 μm, and the median diameter (D50) was 29 μm. In addition, the circularity of the particle diameter in the range of 20 to 60 μm was 0.9 or more. Thus the powder of the granulated particles of ZrO 2 obtained is referred to as a ZrO 2 granulated powder.

[調製例2]
水酸化ジルコニウム粉末にかえて水酸化アルミニウム粉末を用いたこと以外は調製例1に準じて、Al23の造粒粒子を得る。得られたAl23の造粒粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、球状(顆粒状)であることを確認した。SEMの写真から任意の粒子の粒子径を測定し算出した結果、球状(顆粒状)のAl23の造粒粒子の粒子径は、5μm以上の粒子のうち約81%(個数基準)が20〜60μmの範囲にあり、メディアン径(D50)は46.8μmであった。また、上述の20〜60μmの範囲の粒子径の円形度はいずれも0.9以上であった。このようにして得られたAl23の造粒粒子の粉末をAl23造粒粉と呼ぶ。
[Preparation Example 2]
Granulated particles of Al 2 O 3 are obtained according to Preparation Example 1 except that aluminum hydroxide powder is used instead of zirconium hydroxide powder. The obtained granulated particles of Al 2 O 3 were observed with a scanning electron microscope (SEM) and confirmed to be spherical (granular). As a result of measuring and calculating the particle diameter of an arbitrary particle from the SEM photograph, the particle diameter of spherical (granular) Al 2 O 3 granulated particles is about 81% (number basis) of particles of 5 μm or more. The median diameter (D50) was 46.8 μm. In addition, the circularity of the particle diameter in the range of 20 to 60 μm was 0.9 or more. Thus the powder of the granulated particles of Al 2 O 3 obtained is referred to as Al 2 O 3 granulated powder.

[調製例3]
水酸化ジルコニウム粉末にかえてアルミナ粉末又はアルミナ水和物粉末を用いて、スプレードライ法により調製例1に準じて球状造粒物を得た後、還元剤が存在する窒素雰囲気において1200〜1800℃の温度で熱処理と還元窒化処理を行うことによってAlNの造粒粒子を得る。得られたAlNの造粒粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、球状(顆粒状)であることを確認した。SEMの写真から任意の粒子の粒子径を測定し算出した結果、球状(顆粒状)のAlNの造粒粒子の粒子径は、5μm以上の粒子のうち約83%(個数基準)が20〜60μmの範囲にあり、メディアン径(D50)は40.5μmであった。また、上述の20〜60μmの範囲の粒子径の円形度はいずれも0.9以上であった。このようにして得られたAlNの造粒粒子の粉末をAlN造粒粉と呼ぶ。
[Preparation Example 3]
After obtaining a spherical granule according to Preparation Example 1 by spray drying method using alumina powder or alumina hydrate powder instead of zirconium hydroxide powder, it is 1200 to 1800 ° C. in a nitrogen atmosphere containing a reducing agent. The granulated particles of AlN are obtained by performing heat treatment and reductive nitriding treatment at a temperature of The obtained granulated particles of AlN were observed with a scanning electron microscope (SEM) and confirmed to be spherical (granular). As a result of measuring and calculating the particle diameter of an arbitrary particle from the SEM photograph, the particle diameter of the spherical (granular) AlN granulated particles is about 60% to about 83% (number basis) of particles of 5 μm or more. The median diameter (D50) was 40.5 μm. In addition, the circularity of the particle diameter in the range of 20 to 60 μm was 0.9 or more. The powder of the granulated particles of AlN obtained in this way is called AlN granulated powder.

[比較調製例1]
次に、比較例としてZrO2の焼結粉砕粒子の調製法を説明する。
まず、ZrO2微粉末原料に対して、金型プレスにより成形圧力500〜700kgf/cm2でプレスを行い粉末成形体を造る。これを1200〜1900℃で2時間焼成して高密度の焼結体とする。そして、この焼結体を粉砕機にて粉砕した後に、分級することによって、ZrO2粉砕粒子が得られる。
[Comparative Preparation Example 1]
Next, a method for preparing sintered and pulverized particles of ZrO 2 will be described as a comparative example.
First, a ZrO 2 fine powder raw material is pressed by a mold press at a molding pressure of 500 to 700 kgf / cm 2 to produce a powder compact. This is fired at 1200 to 1900 ° C. for 2 hours to obtain a high-density sintered body. The sintered body is pulverized with a pulverizer and then classified to obtain ZrO 2 pulverized particles.

このようにして得られたZrO2粉砕粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM;5kV,1000倍)による写真を図3に示す。前記ZrO2粉砕粒子は球状ではなく角ばった形状であることを確認した。また、上記と同様にしてメディアン径(D50)を求めた。その結果、D50は13.6μmであった。このようにして得られたZrO2粉砕粒子の粉末をZrO2粉砕粉と呼ぶ。 FIG. 3 shows a photograph of the ZrO 2 pulverized particles thus obtained by a scanning electron microscope (SEM; 5 kV, 1000 times). It was confirmed that the ZrO 2 pulverized particles were not spherical but angular. Further, the median diameter (D50) was determined in the same manner as described above. As a result, D50 was 13.6 μm. The powder of ZrO 2 pulverized particles thus obtained is referred to as ZrO 2 pulverized powder.

[比較調製例2]
ZrO2微粉末原料にかえてAl23微粉末原料を用いたこと以外は比較調製例1に準じて、Al23粉砕粒子を得る。得られたAl23粉砕粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、球状ではなく角ばった形状であることを確認した。また、上記と同様にしてメディアン径(D50)を求めた。その結果、D50は0.6μmであった。このようにして得られたAl23粉砕粒子の粉末をAl23粉砕粉と呼ぶ。
[Comparative Preparation Example 2]
Al 2 O 3 pulverized particles are obtained according to Comparative Preparation Example 1 except that an Al 2 O 3 fine powder raw material is used instead of the ZrO 2 fine powder raw material. When the obtained Al 2 O 3 pulverized particles were observed with a scanning electron microscope (SEM), it was confirmed that they were not spherical but angular. Further, the median diameter (D50) was determined in the same manner as described above. As a result, D50 was 0.6 μm. The Al 2 O 3 pulverized powder thus obtained is referred to as Al 2 O 3 pulverized powder.

[比較調製例3]
ZrO2微粉末原料にかえてAlN微粉末原料を用いたこと以外は比較調製例1に準じて、AlN粉砕粒子を得る。得られたAlN粉砕粒子について、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、球状ではなく角ばった形状であることを確認した。また、上記と同様にしてメディアン径(D50)を求めた。その結果、D50は0.5μmであった。このようにして得られたAlN粉砕粒子の粉末をAlN粉砕粉と呼ぶ。
[Comparative Preparation Example 3]
AlN pulverized particles are obtained according to Comparative Preparation Example 1 except that an AlN fine powder raw material is used instead of the ZrO 2 fine powder raw material. When the obtained AlN pulverized particles were observed with a scanning electron microscope (SEM), it was confirmed that they were not spherical but square. Further, the median diameter (D50) was determined in the same manner as described above. As a result, D50 was 0.5 μm. The powder of AlN pulverized particles thus obtained is called AlN pulverized powder.

上記で得られた、球状(顆粒状)の造粒粉及び非球状の粉砕粉それぞれについての反射率を測定した。反射率は、以下のように測定した。前記造粒粉又は粉砕粉をスライドガラス上に、スライドガラスが見えないほど充分に配置した後に、この造粒粉又は粉砕粉の層の上側からもう1枚のスライドガラスをおいて前記層を平坦化し、上側のスライドガラスを外した。このようにして得られた前記層は、15mm径で厚さ1mmであった。前記層を、分光測色計「CM−2600d」(コニカミノルタ(株)製)を用いて、波長360〜740nmにわたって10nm間隔で、反射率を測定した。   The reflectance of each of the spherical (granular) granulated powder and non-spherical pulverized powder obtained above was measured. The reflectance was measured as follows. After the granulated powder or pulverized powder is sufficiently placed on the slide glass so that the slide glass cannot be seen, another layer of the slide glass is placed above the granulated powder or pulverized powder layer to flatten the layer. And the upper glass slide was removed. The layer thus obtained was 15 mm in diameter and 1 mm in thickness. The reflectance of the layer was measured at intervals of 10 nm over a wavelength of 360 to 740 nm using a spectrocolorimeter “CM-2600d” (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.).

球状の造粒粉及び非球状の粉砕粉それぞれについての反射率と、以下の実施例及び比較例で用いたアルミニウム基板、チタニウム基板及びSUS430基板(以下「SUS基板」と記載する)についての反射率を図4に示す。また、近紫外領域及び可視光領域における平均反射率を表1に示す。   Reflectivity for spherical granulated powder and non-spherical pulverized powder, and reflectivity for aluminum substrate, titanium substrate and SUS430 substrate (hereinafter referred to as “SUS substrate”) used in the following Examples and Comparative Examples Is shown in FIG. Table 1 shows the average reflectance in the near ultraviolet region and the visible light region.

図4においては、球状の造粒粉であるZrO2造粒粉単体の反射率のデータ線R11を■、Al23造粒粉単体のデータ線R21を▲、AlN造粒粉単体のデータ線R31を●で示し、非球状の粉砕粉であるZrO2粉砕粉単体のデータ線R12を□、Al23粉砕粉単体のデータ線R22を△、AlN粉砕粉単体のデータ線R32を○で示している。また、アルミニウム基板のデータ線S1を破線で、チタニウム基板のデータ線S2を1点鎖線で、SUS基板のデータ線S3を2点鎖線で、それぞれ示している。 In FIG. 4, the reflectance data line R11 of the ZrO 2 granulated powder as a spherical granulated powder is marked with ■, the data line R21 of the Al 2 O 3 granulated powder alone is marked with ▲, and the data of the AlN granulated powder alone. The line R31 is indicated by ●, the data line R12 of the ZrO 2 pulverized powder as a non-spherical pulverized powder is □, the data line R22 of the Al 2 O 3 pulverized powder is △, and the data line R32 of the AlN pulverized powder is ◯ Is shown. Further, the data line S1 of the aluminum substrate is indicated by a broken line, the data line S2 of the titanium substrate is indicated by a one-dot chain line, and the data line S3 of the SUS substrate is indicated by a two-dot chain line.

表1及び図4に示すとおり、ZrO2の造粒粉は、アルミニウム基板、チタニウム基板、SUS基板のいずれにおいても基板の反射率よりも高い反射率を有しており、Al23の造粒粉は、チタニウム基板、SUS基板においては基板の反射率よりも高い反射率を有しており、アルミニウム基板においては360〜420nmの範囲で基板の反射率よりも高い反射率を有している。AlNの造粒粉は、チタニウム基板、SUS基板においては基板の反射率よりも高い反射率を有しており、アルミニウム基板においては、360nm付近において基板の反射率よりも高い反射率を有している。 As shown in Table 1 and Figure 4, the granulated powder of ZrO 2 is an aluminum substrate has a reflectance higher than the reflectance of the substrate at any titanium substrate, the SUS substrate, forming the Al 2 O 3 The grain powder has a reflectance higher than that of the substrate in the case of a titanium substrate or a SUS substrate, and has a reflectance higher than that of the substrate in the range of 360 to 420 nm in the case of an aluminum substrate. . The granulated powder of AlN has a reflectance higher than that of the substrate in the case of a titanium substrate or a SUS substrate, and has a reflectance higher than that of the substrate in the vicinity of 360 nm in the case of an aluminum substrate. Yes.

次に、上記ZrO2、Al23、AlNの造粒粉又は粉砕粉を原料として、アルミニウム基板、チタニウム基板、SUS基板にそれぞれ反射層を形成したときの反射率について説明を行う。実施例及び比較例Aではベース基板としてアルミニウム基板を用い、実施例及び比較例Bではチタニウム基板を、実施例及び比較例CではSUS基板を用いている。 Next, the reflectance when a reflective layer is formed on each of an aluminum substrate, a titanium substrate, and a SUS substrate using the granulated powder or pulverized powder of ZrO 2 , Al 2 O 3 , and AlN as a raw material will be described. In Example and Comparative Example A, an aluminum substrate is used as a base substrate, in Example and Comparative Example B, a titanium substrate is used, and in Example and Comparative Example C, a SUS substrate is used.

[反射率の測定]
以下の実施例及び比較例で得られた反射基板について、分光測色計「CM−2600d」(コニカミノルタ(株)製)で反射率を、波長360〜740nmにわたって10nm間隔で測定した。得られた測定値について後述する数値範囲における平均値を計算し平均反射率とした。
[Measurement of reflectance]
With respect to the reflective substrates obtained in the following examples and comparative examples, the reflectance was measured with a spectrocolorimeter “CM-2600d” (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) at intervals of 10 nm over a wavelength of 360 to 740 nm. The average value in the numerical range mentioned later was calculated about the obtained measured value, and it was set as the average reflectance.

[実施例及び比較例A:図5(a)〜(c)]
はじめに反射基板を構成するベース基板として、LED用で一般的に使用されているアルミニウム基板を用いた例を、図5(a)〜(c)を用いて詳細に説明する。
[Example and Comparative Example A: FIGS. 5A to 5C]
First, an example in which an aluminum substrate generally used for LEDs is used as a base substrate constituting the reflective substrate will be described in detail with reference to FIGS.

[実施例反射基板A11]
アルミニウム基板上に、原料粉末として調製例1で得られた球状のZrO2造粒粉を用い、GD法により成膜を行った。ロータリーポンプにて成膜室であるチャンバー内の圧力を60Paに調整した。搬送ガスとして窒素ガスを用い、搬送ガスの流量を1L/分とし、窒素ガスボンベより混合部へガス導入部であるガス配管を通じて窒素ガスを導入して、混合部にてZrO2造粒粉を窒素ガスに分散させた粉末ガスを発生させた。粉末ガスは粉末ガス導入部である粉末ガス搬送管を通ってノズルに搬送され、ノズルの開口からアルミニウム基板に向けてZrO2造粒粉を噴射した。ノズル幅10mm、ノズルスリット幅0.8mmの矩形開口を持つノズルを採用した。成膜時のノズルの走査方法としては、アルミニウム基板/ノズル間距離を20mmとし、スキャン速度を10mm/秒とし、スキャンを計10サイクル行った。以上の工程は常温で行った。以上のようにして、膜厚が約100μmの反射層をアルミニウム基板上に形成し、実施例反射基板A11を得た。反射層の膜厚は、以下の実施例及び比較例でも同様であるが、接触式膜厚計により確認した。
[Example Reflective Substrate A11]
On the aluminum substrate, a film was formed by the GD method using the spherical ZrO 2 granulated powder obtained in Preparation Example 1 as a raw material powder. The pressure in the chamber which is a film formation chamber was adjusted to 60 Pa with a rotary pump. Nitrogen gas is used as the carrier gas, the carrier gas flow rate is 1 L / min, nitrogen gas is introduced from the nitrogen gas cylinder to the mixing part through a gas pipe as a gas introduction part, and ZrO 2 granulated powder is converted into nitrogen in the mixing part. A powder gas dispersed in the gas was generated. The powder gas was transported to the nozzle through a powder gas transport pipe serving as a powder gas introduction section, and ZrO 2 granulated powder was sprayed from the nozzle opening toward the aluminum substrate. A nozzle having a rectangular opening with a nozzle width of 10 mm and a nozzle slit width of 0.8 mm was employed. As the nozzle scanning method during film formation, the distance between the aluminum substrate / nozzle was 20 mm, the scanning speed was 10 mm / second, and scanning was performed for a total of 10 cycles. The above process was performed at room temperature. As described above, a reflective layer having a thickness of about 100 μm was formed on an aluminum substrate, and Example reflective substrate A11 was obtained. The thickness of the reflective layer was the same in the following examples and comparative examples, but was confirmed with a contact-type film thickness meter.

[実施例反射基板A21、A31]
原料粉末として調製例2〜3で得られたAl23造粒粉又はAlN造粒粉を用いたこと以外は反射層の形成と同様に行った。これにより、膜厚が約100μmの反射層をアルミニウム基板上に形成し、Al23造粒粉を用いた実施例反射基板A21とAlN造粒粉を用いた実施例反射基板A31をそれぞれ得た。
[Example Reflective Substrate A21, A31]
This was performed in the same manner as the formation of the reflective layer except that the Al 2 O 3 granulated powder or AlN granulated powder obtained in Preparation Examples 2 to 3 was used as the raw material powder. As a result, a reflective layer having a thickness of about 100 μm was formed on the aluminum substrate, and an example reflective substrate A21 using Al 2 O 3 granulated powder and an example reflective substrate A31 using AlN granulated powder were obtained, respectively. It was.

[比較用反射基板A12、A22、A32]
原料粉末として比較調製例1〜3で得られたZrO2粉砕粉、Al23粉砕粉又はAlN粉砕粉を用いた。それ以外は実施例反射基板A11と同様に行った。これにより、膜厚が約10〜20μmの反射層をアルミニウム基板上に形成し、比較用反射基板A12、A22、A32をそれぞれ得た。ここで、非球状の粉砕粉を用いた場合は厚膜化が困難であったため、反射層の膜厚は約10〜20μmとした。
[Comparison reflective substrates A12, A22, A32]
The ZrO 2 pulverized powder, Al 2 O 3 pulverized powder or AlN pulverized powder obtained in Comparative Preparation Examples 1 to 3 was used as the raw material powder. Other than that was performed like Example reflective board | substrate A11. Thereby, a reflective layer having a film thickness of about 10 to 20 μm was formed on the aluminum substrate, and comparative reflective substrates A12, A22, and A32 were obtained, respectively. Here, when a non-spherical pulverized powder was used, it was difficult to increase the film thickness, so the thickness of the reflective layer was about 10 to 20 μm.

ベース基板として用いたアルミニウム基板、並びに、実施例反射基板A11、A21、A31及び比較用反射基板A12、A22、A32について、波長と反射率の関係を図5(a)〜(c)に示す。図5(a)は実施例反射基板A11(■)、比較用反射基板A12(□)及びアルミニウム基板S1(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図であり、図5(b)は実施例反射基板A21(▲)、比較用反射基板A22(△)及びアルミニウム基板S1(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図であり、図5(c)は実施例反射基板A31(●)、比較用反射基板A32(○)及びアルミニウム基板S1(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図である。図5(a)〜(c)において、アルミニウム基板の反射率のデータ線を符号S1で示し、各反射基板のデータ線の符号は説明をわかりやすくするために、反射率の測定対象物(実施例反射基板A11、A21、A31、比較用反射基板A12、A22、A32)の符号と同一としている。   5A to 5C show the relationship between the wavelength and the reflectance of the aluminum substrate used as the base substrate, the example reflective substrates A11, A21, and A31 and the comparative reflective substrates A12, A22, and A32. FIG. 5A is a diagram showing the reflectance in the range of 360 to 740 nm of the example reflective substrate A11 (■), the comparative reflective substrate A12 (□), and the aluminum substrate S1 (dashed line). ) Is a diagram showing the reflectance in the range of 360 to 740 nm of the reflective substrate A21 (▲), the reflective substrate A22 (△) for comparison, and the aluminum substrate S1 (dashed line), and FIG. It is the figure which showed the reflectance of the range of 360-740 nm of reflective board | substrate A31 (-), comparative reflective board | substrate A32 ((circle)), and aluminum substrate S1 (dashed line). In FIGS. 5A to 5C, the reflectance data line of the aluminum substrate is denoted by reference numeral S1, and the reference number of the data line of each reflective substrate indicates the reflectance measurement object (implementation) for easy understanding. Example: The same reference numerals are used for the reflective substrates A11, A21, A31 and the comparative reflective substrates A12, A22, A32).

図5(a)に示すように、実施例反射基板A11は、360〜410nmにおいてアルミニウム基板S1の反射率より高い反射率(平均反射率93.7%)を有しており、410nmを超えて740nm以下での範囲においても90%以上の高い反射率(平均反射率93.2%)をほぼ維持している。また、実施例反射基板A11は、360〜740nmの範囲において、平均反射率が93.6%と高い反射率を有し、反射率の最大値と最小値の差が約5%であり一定した反射率を有している。一方、比較用反射基板A12は、実施例反射基板A11と比較すると20%以上低い反射率となっており、粉砕粉単体(図4のR12)の反射率よりも低下している。   As shown to Fig.5 (a), Example reflective board | substrate A11 has a reflectance (average reflectance 93.7%) higher than the reflectance of aluminum substrate S1 in 360-410 nm, and exceeds 410 nm. Even in the range of 740 nm or less, a high reflectance of 90% or more (average reflectance of 93.2%) is almost maintained. In addition, the reflective substrate A11 of the example has a high average reflectance of 93.6% in the range of 360 to 740 nm, and the difference between the maximum value and the minimum value of the reflectance is about 5% and is constant. Has reflectivity. On the other hand, the reflective substrate A12 for comparison has a reflectance that is 20% or more lower than that of the reflective substrate A11 of the example, which is lower than the reflectance of the pulverized powder alone (R12 in FIG. 4).

これより、ベース基板としてアルミニウム基板を用いた場合、ZrO2の球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、ZrO2の非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜410nmにおいてアルミニウム基板よりも高い反射率が得られるとともに、360〜740nmの範囲において波長依存の少ない一定の反射率を得るのに適している。特に、前記ZrO2の造粒粉を用いた反射基板を、近紫外LED素子を有するLED基板として用いた場合、360〜740nmの範囲において高い反射率を有するため、近紫外光による蛍光量が増えて光の取り出し効率を高めることができる。 If From this, an aluminum substrate is used as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder particles of the ZrO 2 spherical, higher compared to the reflection substrate using pulverized powder of non-spherical ZrO 2 reflection Therefore, it is suitable for obtaining a constant reflectance with less wavelength dependence in the range of 360 to 740 nm. In particular, when the reflective substrate using the ZrO 2 granulated powder is used as an LED substrate having a near-ultraviolet LED element, it has a high reflectance in the range of 360 to 740 nm, so that the amount of fluorescence due to near-ultraviolet light increases. Thus, the light extraction efficiency can be increased.

図5(b)に示すように、実施例反射基板A21は、360〜400nmにおいてアルミニウム基板S1の反射率より高い反射率(平均反射率92.8%)を有しており、400nmを超えて740nm以下での範囲においても、平均反射率が82.8%と高い反射率を有している。一方、比較用反射基板A22は、最大の反射率が21.1%であり、実施例反射基板A21と比較すると45%以上低い反射率(360〜740nmの平均反射率19.8%)となっており、粉砕粉単体(図4のR22)の反射率よりも低下している。   As shown in FIG. 5B, the example reflective substrate A21 has a reflectance (average reflectance 92.8%) higher than that of the aluminum substrate S1 at 360 to 400 nm, exceeding 400 nm. Even in the range of 740 nm or less, the average reflectance is as high as 82.8%. On the other hand, the reflective substrate A22 for comparison has a maximum reflectance of 21.1%, which is 45% or more lower than that of the reflective substrate A21 of Example (average reflectance of 360 to 740 nm is 19.8%). It is lower than the reflectance of the pulverized powder alone (R22 in FIG. 4).

これより、ベース基板としてアルミニウム基板を用いた場合、Al23の球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、Al23の非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜400nmの範囲において高い反射率を得るのに適している。 From this, when an aluminum substrate is used as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder, which is Al 2 O 3 spherical particles, is compared with the reflective substrate using the non-spherical pulverized powder of Al 2 O 3. Therefore, it has a high reflectance and is suitable for obtaining a high reflectance in the range of 360 to 400 nm.

図5(c)に示すように、実施例反射基板A31は、360nm付近においてアルミニウム基板S1の反射率より高い反射率(76.2%)を有しており、360〜740nmの範囲において、平均反射率が78.2%、反射率の最大と最小の差が約3%と、比較的高い反射率を有しつつ、一定した反射率を有している。一方、比較用反射基板A32は、最大の反射率が13.8%であり、実施例反射基板A31と比較すると50%以上低い反射率(360〜740nmの平均反射率13.7%)となっており、粉砕粉単体(図4のR32)の反射率よりも大きく下回っている。   As shown in FIG.5 (c), Example reflective board | substrate A31 has a reflectance (76.2%) higher than the reflectance of aluminum board | substrate S1 in 360 nm vicinity, In the range of 360-740 nm, it is an average. The reflectivity is 78.2%, and the difference between the maximum and minimum reflectivity is about 3%, which is a relatively high reflectivity and a constant reflectivity. On the other hand, the comparative reflective substrate A32 has a maximum reflectance of 13.8%, which is lower than that of the reflective substrate A31 in Example by 50% or more (an average reflectance of 360 to 740 nm is 13.7%). It is much lower than the reflectance of the pulverized powder alone (R32 in FIG. 4).

これより、ベース基板としてアルミニウム基板を用いた場合、AlNの球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、AlNの非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360nm付近においてアルミニウム基板よりも高い反射率が得られるとともに、360〜740nmの範囲において波長依存の少ない一定の反射率を得るのに適している。   Thus, when an aluminum substrate is used as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder, which is AlN spherical particles, has a higher reflectance than the reflective substrate using the nonspherical pulverized powder of AlN. Therefore, it is suitable for obtaining a constant reflectivity with less wavelength dependence in the range of 360 to 740 nm, as well as higher reflectivity than the aluminum substrate in the vicinity of 360 nm.

[実施例及び比較例B:図6(a)〜(c)]
次に、反射基板を構成するベース基板として、チタニウム基板を用いた例を、図6(a)〜(c)を用いて詳細に説明する。
[Examples and Comparative Example B: FIGS. 6A to 6C]
Next, an example in which a titanium substrate is used as the base substrate constituting the reflective substrate will be described in detail with reference to FIGS.

[実施例反射基板B11、B21、B31、比較用反射基板B12、B22、B32]
ベース基板をチタニウム基板とし、実施例及び比較例Aと同様に、ZrO2、Al23、AlNの造粒粉を用いて膜厚が約100μmの反射層をチタニウム基板上にそれぞれ形成し、実施例反射基板B11、B21、B31をそれぞれ得た。
[Example Reflective Substrates B11, B21, B31, Comparative Reflective Substrates B12, B22, B32]
A base substrate is a titanium substrate, and a reflective layer having a film thickness of about 100 μm is formed on the titanium substrate using ZrO 2 , Al 2 O 3 , and AlN granulated powder in the same manner as in Example and Comparative Example A. Example Reflective substrates B11, B21, and B31 were obtained.

ベース基板をチタニウム基板とし、実施例及び比較例Aと同様に、ZrO2、Al23、AlNの粉砕粉を用いて膜厚が約10〜20μmの反射層をチタニウム基板上にそれぞれ形成し、比較用反射基板B12、B22、B32をそれぞれ得た。 The base substrate is a titanium substrate, and a reflective layer having a film thickness of about 10 to 20 μm is formed on the titanium substrate using pulverized powder of ZrO 2 , Al 2 O 3 , and AlN in the same manner as in Example and Comparative Example A. Comparative substrates for comparison B12, B22, and B32 were obtained.

ベース基板として用いたチタニウム基板S2、並びに、実施例反射基板B11、B21、B31及び比較用反射基板B12、B22、B32について、波長と反射率の関係を図6(a)〜(c)に示す。図6(a)は実施例反射基板B11(■)、比較用反射基板B12(□)及びチタニウム基板S2(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図であり、図6(b)は実施例反射基板B21(▲)、比較用反射基板B22(△)及びチタニウム基板S2(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図であり、図6(c)は実施例反射基板B31(●)、比較用反射基板B32(○)及びチタニウム基板S2(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図である。図6(a)〜(c)において、チタニウム基板の反射率のデータ線を符号S2で示し、各反射基板のデータ線の符号は説明をわかりやすくするために、反射率の測定対象物(実施例反射基板B11、B21、B31、比較用反射基板B12、B22、B32)の符号と同一としている。   6A to 6C show the relationship between the wavelength and the reflectance of the titanium substrate S2 used as the base substrate, the example reflective substrates B11, B21, and B31 and the comparative reflective substrates B12, B22, and B32. . FIG. 6A is a diagram showing the reflectance in the range of 360 to 740 nm of the example reflective substrate B11 (■), the comparative reflective substrate B12 (□), and the titanium substrate S2 (broken line). ) Is a diagram showing the reflectance in the range of 360 to 740 nm of the reflective substrate B21 (▲), the reflective substrate B22 (△) for comparison, and the titanium substrate S2 (broken line), and FIG. It is the figure which showed the reflectance of the 360-740 nm range of reflective board | substrate B31 (-), comparative reflective board | substrate B32 ((circle)), and titanium board | substrate S2 (dashed line). In FIGS. 6A to 6C, the reflectance data line of the titanium substrate is indicated by reference numeral S2, and the reference number of the data line of each reflective substrate indicates the reflectance measurement object (implementation) for easy understanding. Example: The same reference numerals are used for the reflective substrates B11, B21, B31 and the comparative reflective substrates B12, B22, B32).

図6(a)に示すように、実施例反射基板B11は、360〜740nmにおいて平均反射率が94.9%とチタニウム基板S2の反射率(平均反射率55.7%)より高い反射率を有しており、360〜400nmの範囲においても平均反射率が93.2%と高い反射率を有している。また、実施例反射基板B11は、360〜740nmの範囲において、反射率の最大と最小の差が約3.4%であり一定した反射率を有している。一方、比較用反射基板B12は、平均反射率が55.7%であり、実施例反射基板B11と比較すると10%以上低い反射率となっており、粉砕粉単体(図4のR12)の反射率よりも低下している。   As shown in FIG. 6A, the example reflective substrate B11 has an average reflectivity of 94.9% at 360 to 740 nm, which is higher than the reflectivity of the titanium substrate S2 (average reflectivity of 55.7%). Even in the range of 360 to 400 nm, the average reflectance is as high as 93.2%. Further, the reflective substrate B11 of the example has a constant reflectance with a difference between the maximum and minimum reflectances of about 3.4% in the range of 360 to 740 nm. On the other hand, the reflective substrate B12 for comparison has an average reflectance of 55.7%, which is 10% or more lower than that of the reflective substrate B11 of the example, and the reflection of the pulverized powder alone (R12 in FIG. 4). It is lower than the rate.

これより、ベース基板としてチタニウム基板を用いた場合、ZrO2の球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、ZrO2の非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜400nmにおいてチタニウム基板よりも高い反射率が得られるとともに、360〜740nmの範囲において波長依存の少ない一定の反射率を得るのに適している。特に、前記ZrO2の造粒粉を用いた反射基板は、これを近紫外LED素子用のLED基板として用いた場合、360〜740nmの範囲において高い反射率を有するため、近紫外光による蛍光量が増えて光の取り出し効率を高めることができる。 If this than was used titanium substrate as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder particles of the ZrO 2 spherical, higher compared to the reflection substrate using pulverized powder of non-spherical ZrO 2 reflection Therefore, it is suitable for obtaining a constant reflectance with less wavelength dependence in the range of 360 to 740 nm. In particular, the reflective substrate using the ZrO 2 granulated powder has a high reflectance in the range of 360 to 740 nm when used as an LED substrate for a near ultraviolet LED element. Increase the light extraction efficiency.

図6(b)に示すように、実施例反射基板B21は、360〜680nmにおいてチタニウム基板S2の反射率より高い反射率を有しており、680nmを超えて740nm以下での範囲においても、平均反射率56.8%を有している。一方、比較用反射基板B22は、最大の反射率が26.1%であり、上述の範囲において実施例反射基板B21と比較すると35%以上低い反射率(360〜740nmの平均反射率20.5%)となっており、粉砕粉単体(図4のR22)の反射率よりも低下している。   As shown in FIG. 6 (b), the example reflective substrate B21 has a reflectivity higher than that of the titanium substrate S2 at 360 to 680 nm, and the average is also in the range from 680 nm to 740 nm. The reflectance is 56.8%. On the other hand, the reflective substrate B22 for comparison has a maximum reflectance of 26.1%, which is 35% or more lower than that of the reflective substrate B21 in the above-described range (an average reflectance 20.5 at 360 to 740 nm). %), Which is lower than the reflectance of the pulverized powder alone (R22 in FIG. 4).

これより、ベース基板としてチタニウム基板を用いた場合、Al23の球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、Al23の非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜680nmの範囲において高い反射率を得るのに適している。 Compare this, in the case of using the titanium substrate as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder are spherical particles of Al 2 O 3 is a reflective substrate with a pulverized powder of non-spherical Al 2 O 3 Therefore, it has a high reflectance and is suitable for obtaining a high reflectance in the range of 360 to 680 nm.

図6(c)に示すように、実施例反射基板B31は、360〜740nmの範囲において、チタニウム基板S2よりも反射率が高く、平均反射率が75.9%、反射率の最大と最小の差が約5.1%と、比較的高い反射率を有しつつ、一定した反射率を有している。一方、比較用反射基板B32は、最大の反射率が17.0%であり、実施例反射基板B31と比較すると50%以上低い反射率(360〜740nmの平均反射率14.0%)となっており、粉砕粉単体(図4のR32)の反射率よりも大きく下回っている。   As shown in FIG. 6C, the example reflective substrate B31 has a higher reflectivity than the titanium substrate S2 in the range of 360 to 740 nm, an average reflectivity of 75.9%, and a maximum and minimum reflectivity. The difference is about 5.1%, and it has a relatively high reflectance and a constant reflectance. On the other hand, the comparative reflective substrate B32 has a maximum reflectance of 17.0%, which is lower than that of the reflective substrate B31 of Example by 50% or more (an average reflectance of 360 to 740 nm is 14.0%). It is much lower than the reflectance of the pulverized powder alone (R32 in FIG. 4).

これより、ベース基板としてチタニウム基板を用いた場合、AlNの球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、AlNの非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜740nmの範囲においてチタニウム基板よりも高い反射率が得られるとともに、360〜740nmの範囲において波長依存の少ない一定の反射率を得るのに適している。   Thus, when a titanium substrate is used as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder, which is AlN spherical particles, has a higher reflectance than the reflective substrate using non-spherical pulverized powder of AlN. Therefore, it is suitable for obtaining a constant reflectance less dependent on the wavelength in the range of 360 to 740 nm as well as having a higher reflectance than the titanium substrate in the range of 360 to 740 nm.

[実施例及び比較例C:図7(a)〜(c)]
次に、反射基板を形成するベース基板として、SUS基板を用いた例を、図7(a)〜(c)を用いて詳細に説明する。
[Examples and Comparative Example C: FIGS. 7A to 7C]
Next, an example using a SUS substrate as a base substrate for forming a reflective substrate will be described in detail with reference to FIGS.

[実施例反射基板C11、C21、C31、比較用反射基板C12、C22、C32]
ベース基板をSUS基板とし、実施例及び比較例Aと同様に、ZrO2、Al23、AlNの造粒粉を用いて膜厚が約100μmの反射層をSUS基板上にそれぞれ形成し、実施例反射基板C11、C21、C31をそれぞれ得た。
[Example Reflective Substrates C11, C21, C31, Comparative Reflective Substrates C12, C22, C32]
The base substrate is a SUS substrate, and the reflective layer having a film thickness of about 100 μm is formed on each SUS substrate using granulated powder of ZrO 2 , Al 2 O 3 , and AlN, as in the example and the comparative example A. Example Reflective substrates C11, C21, and C31 were obtained.

ベース基板をSUS基板とし、実施例及び比較例Aと同様に、ZrO2、Al23、AlNの粉砕粉を用いて膜厚が約10〜20μmの反射層をSUS基板上にそれぞれ形成し、比較用反射基板C12、C22、C32をそれぞれ得た。 The base substrate is a SUS substrate, and a reflective layer having a film thickness of about 10 to 20 μm is formed on each SUS substrate using pulverized powder of ZrO 2 , Al 2 O 3 , and AlN in the same manner as in Example and Comparative Example A. Comparative substrates C12, C22, and C32 for comparison were obtained.

ベース基板として用いたSUS基板、並びに、実施例反射基板C11、C21、C31及び比較用反射基板C12、C22、C32について、波長と反射率の関係を図7(a)〜(c)に示す。図7(a)は実施例反射基板C11(■)、比較用反射基板C12(□)及びSUS基板S3(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図であり、図7(b)は実施例反射基板C21(▲)、比較用反射基板C22(△)及びSUS基板S3(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図であり、図7(c)は実施例反射基板C31(●)、比較用反射基板C32(○)及びSUS基板S3(破線)の360〜740nmの範囲の反射率を示した図である。図7(a)〜(c)において、SUS基板の反射率のデータ線を符号S3で示し、各反射基板のデータ線の符号は説明をわかりやすくするために、反射率の測定対象物(実施例反射基板C11、C21、C31、比較用反射基板C12、C22、C32)の符号と同一としている。   7A to 7C show the relationship between the wavelength and the reflectance of the SUS substrate used as the base substrate, the example reflective substrates C11, C21, and C31 and the comparative reflective substrates C12, C22, and C32. FIG. 7A is a diagram showing the reflectance in the range of 360 to 740 nm of the example reflective substrate C11 (■), the comparative reflective substrate C12 (□), and the SUS substrate S3 (broken line). ) Is a diagram showing the reflectance in the range of 360 to 740 nm of the reflective substrate C21 (▲), the reflective substrate C22 (△) for comparison, and the SUS substrate S3 (broken line), and FIG. It is the figure which showed the reflectance of the range of 360-740 nm of reflective board | substrate C31 (-), comparative reflective board | substrate C32 ((circle)), and SUS board | substrate S3 (dashed line). 7A to 7C, the reflectance data line of the SUS substrate is denoted by reference numeral S <b> 3, and the reference number of the data line of each reflective substrate indicates the reflectance measurement object (implementation) for easy understanding. Example: The same reference numerals are used for the reflective substrates C11, C21, C31 and the comparative reflective substrates C12, C22, C32).

図7(a)に示すように、実施例反射基板C11は、360〜740nmにおいて平均反射率が92.2%とSUS基板S3の反射率(平均反射率48.7%)より高い反射率を有しており、360〜400nmの範囲においても平均反射率が92.9%と高い反射率を有している。また、実施例反射基板C11は、360〜740nmの範囲において、反射率の最大と最小の差が約3.3%であり一定した反射率を有している。一方、比較用反射基板C12は、平均反射率が47.6%であり、実施例反射基板C11と比較すると30%以上低い反射率となっており、粉砕粉単体(図4のR12)の反射率よりも低下している。   As shown in FIG. 7A, the reflective substrate C11 of the example has an average reflectance of 92.2% at 360 to 740 nm, which is higher than the reflectance of the SUS substrate S3 (average reflectance 48.7%). Even in the range of 360 to 400 nm, the average reflectance is as high as 92.9%. Further, the reflective substrate C11 of the example has a constant reflectance with a difference between the maximum and minimum reflectances of about 3.3% in the range of 360 to 740 nm. On the other hand, the reflective substrate C12 for comparison has an average reflectance of 47.6%, which is 30% or more lower than that of the reflective substrate C11 of the example, and the reflection of the pulverized powder alone (R12 in FIG. 4). It is lower than the rate.

これより、ベース基板としてSUS基板を用いた場合、ZrO2の球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、ZrO2の非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜400nmにおいてSUS基板よりも高い反射率が得られるとともに、360〜740nmの範囲において波長依存の少ない一定の反射率を得るのに適している。特に、前記ZrO2の造粒粉を用いた反射基板は、これを近紫外LED素子用のLED基板として用いた場合、360〜740nmの範囲において高い反射率を有するため、近紫外光による蛍光量が増えて光の取り出し効率を高めることができる。 If this than was used SUS substrate as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder particles of the ZrO 2 spherical, higher compared to the reflection substrate using pulverized powder of non-spherical ZrO 2 reflection It is suitable for obtaining a constant reflectance with less wavelength dependence in the range of 360 to 740 nm as well as higher reflectance than the SUS substrate at 360 to 400 nm. In particular, the reflective substrate using the ZrO 2 granulated powder has a high reflectance in the range of 360 to 740 nm when used as an LED substrate for a near ultraviolet LED element. Increase the light extraction efficiency.

図7(b)に示すように、実施例反射基板C21は、360〜580nmにおいてSUS基板S3の反射率より高い反射率(平均反射率65.1%)を有している。一方、比較用反射基板C22は、上述の範囲において平均反射率が18.5%であり、実施例反射基板C21と比較すると30%以上低い反射率となっており、粉砕粉単体(図4のR22)の反射率よりも低下している。   As shown in FIG. 7B, the example reflective substrate C21 has a reflectance (average reflectance 65.1%) higher than that of the SUS substrate S3 at 360 to 580 nm. On the other hand, the comparative reflective substrate C22 has an average reflectance of 18.5% in the above-mentioned range, and is a reflectance that is 30% or lower lower than that of the reflective substrate C21 of Example. R22) is lower than the reflectance.

これより、ベース基板としてSUS基板を用いた場合、Al23の球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、Al23の非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜580nmの範囲において高い反射率を得るのに適している。 Compare this, when using a SUS substrate as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder are spherical particles of Al 2 O 3 is a reflective substrate with a pulverized powder of non-spherical Al 2 O 3 Therefore, it has a high reflectance and is suitable for obtaining a high reflectance in the range of 360 to 580 nm.

図7(c)に示すように、実施例反射基板C31は、360〜460nmの範囲において、SUS基板S3よりも反射率が高く、平均反射率が44.5%である。また、実施例反射基板C31は、360〜740nmの範囲で反射率の最大と最小の差が約2.0%と、一定した反射率を有している。一方、比較用反射基板C32は、最大の反射率が15.9%であり、実施例反射基板C31と比較すると20%以上低い反射率(360〜460nmの平均反射率14.5%、360〜740nmの平均反射率14.8%)となっており、粉砕粉単体(図4のR32)の反射率よりも大きく下回っている。   As shown in FIG.7 (c), Example reflective board | substrate C31 has a reflectance higher than SUS board | substrate S3 in the range of 360-460 nm, and an average reflectance is 44.5%. In addition, the reflective substrate C31 of Example has a constant reflectance with a difference between the maximum and minimum reflectances of about 2.0% in the range of 360 to 740 nm. On the other hand, the reflective substrate for comparison C32 has a maximum reflectance of 15.9%, which is 20% or more lower than that of the reflective substrate C31 of the example (average reflectance of 360 to 460 nm: 14.5%, 360 to 360%). The average reflectance at 740 nm is 14.8%), which is much lower than the reflectance of the pulverized powder alone (R32 in FIG. 4).

これより、ベース基板としてSUS基板を用いた場合、AlNの球状の粒子である造粒粉を用いた反射基板は、AlNの非球状の粉砕粉を用いた反射基板と比較して高い反射率を有しており、360〜460nmの範囲においてSUS基板よりも高い反射率が得られるとともに、360〜740nmの範囲において波長依存の少ない一定の反射率を得るのに適している。   Thus, when a SUS substrate is used as the base substrate, the reflective substrate using the granulated powder, which is AlN spherical particles, has a higher reflectance than the reflective substrate using the nonspherical pulverized powder of AlN. Therefore, it is suitable for obtaining a constant reflectance less dependent on the wavelength in the range of 360 to 740 nm, while obtaining a higher reflectance than the SUS substrate in the range of 360 to 460 nm.

上記実施例で、近紫外領域において反射率の大きな改善が見られた理由は、球状の無機粒子を用いることで、内部に空隙を多く含む、密度の低い反射層をベース基板上に形成できたためであると推測される。   In the above example, the reason why the reflectance was greatly improved in the near-ultraviolet region was that the use of spherical inorganic particles enabled the formation of a low-density reflective layer on the base substrate containing many voids inside. It is estimated that.

以上説明したとおり、球状の無機粒子を用いて、粉末噴射コーティング法により、ベース基板上に反射層を形成することにより、焼成などの高温熱処理工程を行うことなく、非球状の無機粒子と比較して高い反射率を得ることができる。これにより、熱処理工程に対して脆弱なベース基板や配線金属などを用いることができる。   As described above, by using spherical inorganic particles and forming a reflective layer on the base substrate by a powder spray coating method, compared with non-spherical inorganic particles without performing a high-temperature heat treatment step such as firing. And high reflectivity can be obtained. Thereby, a base substrate, a wiring metal, etc. weak to a heat treatment process can be used.

特に、波長360nm以上400nm以下の範囲のうち少なくとも一部の範囲において、球状の無機粒子の反射率がベース基板の反射率よりも高い反射率を有するようにしておくことにより、近紫外LEDなどの近紫外領域光を利用するデバイスにおいては、反射効率を上げることができる。   In particular, in at least a part of the wavelength range of 360 nm or more and 400 nm or less, the reflectance of the spherical inorganic particles is higher than that of the base substrate. In a device using near-ultraviolet light, the reflection efficiency can be increased.

1…成膜装置、10…粉末タンク、20…成膜室、30…真空ポンプ、40…ガス導入部、50…粉末ガス導入部、60…排気管、70…原料粉末、80…噴射ノズル、90…可動ステージ、100…対象基板、110…混合部、120…ガスボンベ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 10 ... Powder tank, 20 ... Film-forming chamber, 30 ... Vacuum pump, 40 ... Gas introduction part, 50 ... Powder gas introduction part, 60 ... Exhaust pipe, 70 ... Raw material powder, 80 ... Injection nozzle, 90 ... movable stage, 100 ... target substrate, 110 ... mixing unit, 120 ... gas cylinder

Claims (8)

球状の無機粒子を用いて、粉末噴射コーティング法により、ベース基板上の少なくとも一部の領域に反射層を形成する工程を有する、反射基板の製造方法。   A method for producing a reflective substrate, comprising using a spherical inorganic particle to form a reflective layer in at least a partial region on a base substrate by a powder spray coating method. 前記球状の無機粒子の70%以上(個数基準)が、粒子径が20〜60μmの範囲にある粒子である請求項1に記載の反射基板の製造方法。   2. The method for producing a reflective substrate according to claim 1, wherein 70% or more (on a number basis) of the spherical inorganic particles are particles having a particle diameter in a range of 20 to 60 μm. 前記球状の無機粒子が、スプレードライ法により得られた球状の造粒粉末である請求項1又は2に記載の反射基板の製造方法。   The method for producing a reflective substrate according to claim 1, wherein the spherical inorganic particles are spherical granulated powder obtained by a spray drying method. 前記球状の無機粒子が、ZrO2、SiO2、Al23及びAlNから選択される少なくとも1種を含む粒子である請求項1〜3のいずれか1項に記載の反射基板の製造方法。 The method for manufacturing a reflective substrate according to claim 1, wherein the spherical inorganic particles are particles containing at least one selected from ZrO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3, and AlN. 前記ベース基板における反射層形成領域の材質が、アルミニウム、チタニウム又はステンレス鋼である請求項1〜4のいずれか1項に記載の反射基板の製造方法。   The method for manufacturing a reflective substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein a material of a reflective layer forming region in the base substrate is aluminum, titanium, or stainless steel. 前記反射層の膜厚が、1μm以上の範囲にある請求項1〜5のいずれか1項に記載の反射基板の製造方法。   The method for manufacturing a reflective substrate according to claim 1, wherein the thickness of the reflective layer is in a range of 1 μm or more. ベース基板と、
球状の無機粒子を用いた粉末噴射コーティング法により、前記ベース基板上の少なくとも一部の領域に形成された反射層と、
を有する反射基板。
A base substrate;
A reflective layer formed in at least a partial region on the base substrate by a powder spray coating method using spherical inorganic particles;
A reflective substrate.
LED素子搭載用基板である、請求項7に記載の反射基板。   The reflective board | substrate of Claim 7 which is a board | substrate for LED element mounting.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11265685A (en) * 1998-03-18 1999-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fluorescent lamp
JP2006200033A (en) * 2005-01-24 2006-08-03 Tsunemoto Kuriyagawa Method and device for forming film onto object
WO2006104061A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Kyocera Corporation Reflective member, light-emitting device using same and illuminating device
JP2006330373A (en) * 2005-05-26 2006-12-07 Iwasaki Electric Co Ltd Manufacturing method of reflection mirror, and light source device using the reflection mirror
JP2007308345A (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Transparent particle having high refractive index and transparent composite having high refractive index using it as well as light emitting element
US20090152581A1 (en) * 2005-11-21 2009-06-18 Nippon Carbide Industries Co., Inc. Light reflecting material, package for light emitting element accommodation, light emitting device and process for producing package for light emitting element accomodation
WO2012133173A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 富士フイルム株式会社 Reflective substrate for light-emitting element and method for producing same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11265685A (en) * 1998-03-18 1999-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fluorescent lamp
JP2006200033A (en) * 2005-01-24 2006-08-03 Tsunemoto Kuriyagawa Method and device for forming film onto object
WO2006104061A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Kyocera Corporation Reflective member, light-emitting device using same and illuminating device
JP2006330373A (en) * 2005-05-26 2006-12-07 Iwasaki Electric Co Ltd Manufacturing method of reflection mirror, and light source device using the reflection mirror
US20090152581A1 (en) * 2005-11-21 2009-06-18 Nippon Carbide Industries Co., Inc. Light reflecting material, package for light emitting element accommodation, light emitting device and process for producing package for light emitting element accomodation
JP2007308345A (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Transparent particle having high refractive index and transparent composite having high refractive index using it as well as light emitting element
WO2012133173A1 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 富士フイルム株式会社 Reflective substrate for light-emitting element and method for producing same

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