JP2016167561A - Method for bonding electronic component, and solder composition and pretreatment agent used in the method - Google Patents
Method for bonding electronic component, and solder composition and pretreatment agent used in the method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016167561A JP2016167561A JP2015047448A JP2015047448A JP2016167561A JP 2016167561 A JP2016167561 A JP 2016167561A JP 2015047448 A JP2015047448 A JP 2015047448A JP 2015047448 A JP2015047448 A JP 2015047448A JP 2016167561 A JP2016167561 A JP 2016167561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- electronic component
- solder
- joining method
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 121
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims abstract description 21
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 47
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 31
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- -1 imidazole compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 claims description 10
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 19
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 6
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N pentadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 5
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzoic acid Chemical compound COC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ZEYHEAKUIGZSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 4-oxopentanoic acid Chemical compound CC(=O)CCC(O)=O JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 4
- KEMQGTRYUADPNZ-UHFFFAOYSA-N heptadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O KEMQGTRYUADPNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BEOUGZFCUMNGOU-UHFFFAOYSA-N tuberculostearic acid Chemical compound CCCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O BEOUGZFCUMNGOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MELXIJRBKWTTJH-ONEGZZNKSA-N (e)-2,3-dibromobut-2-ene-1,4-diol Chemical compound OC\C(Br)=C(/Br)CO MELXIJRBKWTTJH-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 3
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 3
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N elaidic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 3
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- YWWVWXASSLXJHU-AATRIKPKSA-N (9E)-tetradecenoic acid Chemical compound CCCC\C=C\CCCCCCCC(O)=O YWWVWXASSLXJHU-AATRIKPKSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCO OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 2
- 235000021353 Lignoceric acid Nutrition 0.000 description 2
- CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N Lignoceric acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCC1=CC=C(O)C=C1 CQXMAMUUWHYSIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKAJPFXKNNXMIZ-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Ag].[Sn] Chemical compound [Bi].[Ag].[Sn] QKAJPFXKNNXMIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940114077 acrylic acid Drugs 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FARYTWBWLZAXNK-WAYWQWQTSA-N ethyl (z)-3-(methylamino)but-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)\C=C(\C)NC FARYTWBWLZAXNK-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960000448 lactic acid Drugs 0.000 description 2
- 229940040102 levulinic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000021281 monounsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- SECPZKHBENQXJG-FPLPWBNLSA-N palmitoleic acid Chemical compound CCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 2
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 2
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 2
- BITHHVVYSMSWAG-KTKRTIGZSA-N (11Z)-icos-11-enoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCC(O)=O BITHHVVYSMSWAG-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- XSXIVVZCUAHUJO-AVQMFFATSA-N (11e,14e)-icosa-11,14-dienoic acid Chemical compound CCCCC\C=C\C\C=C\CCCCCCCCCC(O)=O XSXIVVZCUAHUJO-AVQMFFATSA-N 0.000 description 1
- GWHCXVQVJPWHRF-KTKRTIGZSA-N (15Z)-tetracosenoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCCCC(O)=O GWHCXVQVJPWHRF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- UNSRRHDPHVZAHH-YOILPLPUSA-N (5Z,8Z,11Z)-icosatrienoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O UNSRRHDPHVZAHH-YOILPLPUSA-N 0.000 description 1
- HXQHFNIKBKZGRP-URPRIDOGSA-N (5Z,9Z,12Z)-octadecatrienoic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CC\C=C/CCCC(O)=O HXQHFNIKBKZGRP-URPRIDOGSA-N 0.000 description 1
- CUXYLFPMQMFGPL-UHFFFAOYSA-N (9Z,11E,13E)-9,11,13-Octadecatrienoic acid Natural products CCCCC=CC=CC=CCCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N (9Z,12Z)-9,10,12,13-tetratritiooctadeca-9,12-dienoic acid Chemical compound C(CCCCCCC\C(=C(/C\C(=C(/CCCCC)\[3H])\[3H])\[3H])\[3H])(=O)O OYHQOLUKZRVURQ-NTGFUMLPSA-N 0.000 description 1
- HVGRZDASOHMCSK-UHFFFAOYSA-N (Z,Z)-13,16-docosadienoic acid Natural products CCCCCC=CCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O HVGRZDASOHMCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSESGJJGBBAHNW-UHFFFAOYSA-N (e)-[amino(anilino)methylidene]-phenylazanium;bromide Chemical compound Br.C=1C=CC=CC=1N=C(N)NC1=CC=CC=C1 DSESGJJGBBAHNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 229940051269 1,3-dichloro-2-propanol Drugs 0.000 description 1
- DEWLEGDTCGBNGU-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloropropan-2-ol Chemical compound ClCC(O)CCl DEWLEGDTCGBNGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSSRAPMBSMSACN-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromobutan-2-ol Chemical compound BrCC(O)CCBr PSSRAPMBSMSACN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKNNDWZSFAPUJS-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobutan-2-ol Chemical compound ClCC(O)CCCl CKNNDWZSFAPUJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHROKONEDGZYDR-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromobutane-1,1-diol Chemical compound CC(Br)C(Br)C(O)O SHROKONEDGZYDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGRXKOBIVTFA-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(Br)C(Br)C(O)=O FJWGRXKOBIVTFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWVCIORZLNBIIC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromopropan-1-ol Chemical compound OCC(Br)CBr QWVCIORZLNBIIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMYAKSMZTVWUJB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromopropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(Br)CBr ZMYAKSMZTVWUJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLGILSVWFKZRQ-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-iodobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(I)C=C1C(O)=O GOLGILSVWFKZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRXMNWGCKISMOH-UHFFFAOYSA-N 2-bromobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1Br XRXMNWGCKISMOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKCLCGXPQILATA-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1Cl IKCLCGXPQILATA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWDNKOFGNPGRPI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-5-iodobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(I)=CC=C1O SWDNKOFGNPGRPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNZAXGUTKBIHP-UHFFFAOYSA-N 2-iodobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1I CJNZAXGUTKBIHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZLYQYPURWXOEW-UHFFFAOYSA-N 2-iodopropanoic acid Chemical compound CC(I)C(O)=O KZLYQYPURWXOEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEJPOEGPNIVDMK-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2,2-bis(bromomethyl)propan-1-ol Chemical compound OCC(CBr)(CBr)CBr QEJPOEGPNIVDMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXOSJQLIRGXWCF-UHFFFAOYSA-N 3-fluorocatechol Chemical compound OC1=CC=CC(F)=C1O DXOSJQLIRGXWCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVBWBCRPWVKFQT-UHFFFAOYSA-N 3-iodobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(I)=C1 KVBWBCRPWVKFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNSRRHDPHVZAHH-UHFFFAOYSA-N 6beta,11alpha-Dihydroxy-3alpha,5alpha-cyclopregnan-20-on Natural products CCCCCCCCC=CCC=CCC=CCCCC(O)=O UNSRRHDPHVZAHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWWVWXASSLXJHU-UHFFFAOYSA-N 9E-tetradecenoic acid Natural products CCCCC=CCCCCCCCC(O)=O YWWVWXASSLXJHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N Brassidinsaeure Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- 238000005698 Diels-Alder reaction Methods 0.000 description 1
- 235000021297 Eicosadienoic acid Nutrition 0.000 description 1
- URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N Erucic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCCC(O)=O URXZXNYJPAJJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJXROGWVRIJYMO-SJDLZYGOSA-N Nervonic acid Natural products O=C(O)[C@@H](/C=C/CCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC XJXROGWVRIJYMO-SJDLZYGOSA-N 0.000 description 1
- 235000021319 Palmitoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQHFNIKBKZGRP-UHFFFAOYSA-N Ranuncelin-saeure-methylester Natural products CCCCCC=CCC=CCCC=CCCCC(O)=O HXQHFNIKBKZGRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M Vaccenic acid Natural products CCCCCC\C=C/CCCCCCCCCC([O-])=O UWHZIFQPPBDJPM-FPLPWBNLSA-M 0.000 description 1
- 235000021322 Vaccenic acid Nutrition 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSGAUFABPUECSS-UHFFFAOYSA-N [Ag][Cu][Sn][Bi] Chemical compound [Ag][Cu][Sn][Bi] HSGAUFABPUECSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCLKPXHVYJLJFK-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Ag].[Sn].[In].[Cu] Chemical compound [Bi].[Ag].[Sn].[In].[Cu] OCLKPXHVYJLJFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLTBJHSQPNVBLW-UHFFFAOYSA-N [Bi].[In].[Ag].[Sn] Chemical compound [Bi].[In].[Ag].[Sn] QLTBJHSQPNVBLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVCDUTIVKYCTFB-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Zn].[Sn] Chemical compound [Bi].[Zn].[Sn] JVCDUTIVKYCTFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNZJKLZNHSTDA-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ag].[Sn] Chemical compound [Ti].[Ag].[Sn] KLNZJKLZNHSTDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEXQGCJZJMEHKN-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Sn].[Bi] Chemical compound [Ti].[Sn].[Bi] PEXQGCJZJMEHKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSPPFXBZJRFABJ-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Sn].[In].[Sb] Chemical compound [Zn].[Sn].[In].[Sb] WSPPFXBZJRFABJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITBPIKUGMIZTJR-UHFFFAOYSA-N [bis(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)CO ITBPIKUGMIZTJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L adipate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCC([O-])=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- AHANXAKGNAKFSK-PDBXOOCHSA-N all-cis-icosa-11,14,17-trienoic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCCCC(O)=O AHANXAKGNAKFSK-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- CUXYLFPMQMFGPL-SUTYWZMXSA-N all-trans-octadeca-9,11,13-trienoic acid Chemical compound CCCC\C=C\C=C\C=C\CCCCCCCC(O)=O CUXYLFPMQMFGPL-SUTYWZMXSA-N 0.000 description 1
- DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N alpha-linolenic acid Chemical compound CC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O DTOSIQBPPRVQHS-PDBXOOCHSA-N 0.000 description 1
- 235000020661 alpha-linolenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOGYCOYQMAVAFD-UHFFFAOYSA-N chlorocarbonic acid Chemical compound OC(Cl)=O AOGYCOYQMAVAFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N cis-palmitoleic acid Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O SECPZKHBENQXJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHCXVQVJPWHRF-UHFFFAOYSA-N cis-tetracosenoic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O GWHCXVQVJPWHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- QOHWJRRXQPGIQW-UHFFFAOYSA-N cyclohexanamine;hydron;bromide Chemical compound Br.NC1CCCCC1 QOHWJRRXQPGIQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical class [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVCXSNONTRFSEH-UHFFFAOYSA-N docosa-2,4-dienoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC=CC=CC(O)=O CVCXSNONTRFSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PRHHYVQTPBEDFE-UHFFFAOYSA-N eicosatrienoic acid Natural products CCCCCC=CCC=CCCCCC=CCCCC(O)=O PRHHYVQTPBEDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940108623 eicosenoic acid Drugs 0.000 description 1
- BITHHVVYSMSWAG-UHFFFAOYSA-N eicosenoic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCCCC(O)=O BITHHVVYSMSWAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N erucic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCCCCC(O)=O DPUOLQHDNGRHBS-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-QXMHVHEDSA-N gadoleic acid Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-QXMHVHEDSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 229960004488 linolenic acid Drugs 0.000 description 1
- KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N linolenic acid Natural products CC=CCCC=CCC=CCCCCCCCC(O)=O KQQKGWQCNNTQJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000006224 matting agent Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019645 odor Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940116351 sebacate Drugs 0.000 description 1
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-L sebacate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCCCCCCCC([O-])=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L succinate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)CCC([O-])=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003784 tall oil Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- UWHZIFQPPBDJPM-BQYQJAHWSA-N trans-vaccenic acid Chemical compound CCCCCC\C=C\CCCCCCCCCC(O)=O UWHZIFQPPBDJPM-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
- 235000014393 valine Nutrition 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 150000007934 α,β-unsaturated carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
Abstract
Description
本発明は、電子部品の接合方法、並びに、その方法に用いるはんだ組成物および前処理剤に関する。 The present invention relates to a method for joining electronic components, and a solder composition and a pretreatment agent used in the method.
近年、電子機器は軽薄短小化に伴い、プリント配線基板の微細化が進み、プリント基板に実装される実装部品の微細化が進んでいる。このような微細部品の微小ピッチでの接合を行うために、はんだ粉末を微粉化（例えば、平均粒子径が２０μｍ以下）することが要求されている。
しかしながら、平均粒子径が小さいはんだ粉末にすると、その比表面積は増大し、その分だけはんだ粉末の表面に生成される酸化物量も多くなる。はんだ粉末の表面に生成された酸化物を溶融させて除去するには、高い還元力のあるフラックス成分を有するはんだ組成物を求められ、例えば、フラックス成分中の活性剤などの検討がされている（例えば、特許文献１）。
2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have been miniaturized as printed wiring boards have become smaller and smaller, and mounting components mounted on printed boards have been further miniaturized. In order to join such fine parts at a fine pitch, it is required to make the solder powder fine (for example, the average particle diameter is 20 μm or less).
However, when the solder powder has a small average particle diameter, the specific surface area increases, and the amount of oxide generated on the surface of the solder powder increases accordingly. In order to melt and remove the oxide generated on the surface of the solder powder, a solder composition having a flux component having a high reducing power is required. For example, an activator in the flux component has been studied. (For example, patent document 1).
しかしながら、有機酸などの活性剤を増やすと、絶縁信頼性やシェルフライフが低下し、ハロゲン系の活性剤を増やすと、組成物中のハロゲン量の問題が生じる。このように、はんだ組成物中の成分によってはんだ粉末の微粉化へ対応することは、非常に困難となっている。 However, when the number of active agents such as organic acids is increased, the insulation reliability and shelf life are reduced, and when the number of halogen-based active agents is increased, there is a problem of the amount of halogen in the composition. Thus, it is very difficult to cope with the pulverization of the solder powder by the components in the solder composition.
そこで、本発明は、はんだ組成物の絶縁信頼性およびシェルフライフを維持しつつ、接合性の向上を図ることができる電子部品の接合方法、並びに、その方法に用いるはんだ組成物および前処理剤を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a method for joining electronic components capable of improving the joining property while maintaining the insulation reliability and shelf life of the solder composition, and a solder composition and a pretreatment agent used in the method. The purpose is to provide.
前記課題を解決すべく、本発明は、以下のような電子部品の接合方法並びに、その方法に用いるはんだ組成物および前処理剤を提供するものである。
本発明の電子部品の接合方法は、電子部品に、（Ｘ）活性剤を含有する前処理剤を塗布する工程と、基板に、（Ａ）はんだ粉末、並びに、（Ｂ）ロジン系樹脂および（Ｃ）溶剤を含有するフラックス組成物を含有するはんだ組成物を塗布する工程と、前記電子部品を前記基板上に搭載して、リフロー処理を行う工程と、を備えることを特徴とする方法である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for joining electronic components as described below, and a solder composition and a pretreatment agent used in the method.
The electronic component joining method of the present invention includes a step of applying a pretreatment agent containing (X) an activator to an electronic component, and (A) a solder powder, (B) a rosin resin, and ( C) A method comprising: a step of applying a solder composition containing a flux composition containing a solvent; and a step of mounting the electronic component on the substrate and performing a reflow process. .
本発明の電子部品の接合方法においては、前記（Ｘ）活性剤が、（Ｘ１）１分子中に２つ以上のカルボキシル基を有する有機酸を含有することが好ましい。
本発明の電子部品の接合方法においては、前記前処理剤が、（Ｙ）溶剤をさらに含有し、前記（Ｙ）溶剤が、（Ｙ１）沸点が１００℃以下の溶剤を含有することが好ましい。
本発明の電子部品の接合方法においては、前記（Ａ）はんだ粉末の平均粒子径が、２０μｍ以下であることが好ましい。
本発明の電子部品の接合方法においては、前記フラックス組成物が、（Ｄ）有機酸をさらに含有してもよく、このような場合、前記（Ｄ）有機酸の配合量が、前記フラックス組成物１００質量％に対して、４．５質量％以下であることが好ましい。
本発明の電子部品の接合方法においては、前記フラックス組成物が、（Ｄ）有機酸および（Ｅ）下記一般式（１）で表されるイミダゾール化合物をさらに含有してもよく、このような場合、前記（Ｄ）有機酸が、（Ｄ１）炭素数８以上の不飽和脂肪酸を含有することが好ましい。
In the method for bonding electronic components of the present invention, the (X) activator preferably contains (X1) an organic acid having two or more carboxyl groups in one molecule.
In the method for bonding electronic components of the present invention, it is preferable that the pretreatment agent further contains (Y) a solvent, and the (Y) solvent contains (Y1) a solvent having a boiling point of 100 ° C. or less.
In the method for joining electronic components of the present invention, it is preferable that the average particle diameter of the (A) solder powder is 20 μm or less.
In the method for joining electronic components of the present invention, the flux composition may further contain (D) an organic acid. In such a case, the blending amount of the organic acid (D) is the flux composition. It is preferable that it is 4.5 mass% or less with respect to 100 mass%.
In the method for joining electronic components of the present invention, the flux composition may further contain (D) an organic acid and (E) an imidazole compound represented by the following general formula (1). The (D) organic acid preferably contains (D1) an unsaturated fatty acid having 8 or more carbon atoms.
前記一般式（１）において、Ｒ１およびＲ２は、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは、水素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜３のアルキル基を示す。
本発明のはんだ組成物は、前記電子部品の接合方法に用いるはんだ組成物であって、（Ａ）はんだ粉末、並びに、（Ｂ）ロジン系樹脂および（Ｃ）溶剤を含有するフラックス組成物を含有することを特徴とするものである。
本発明の前処理剤は、前記電子部品の接合方法に用いる前処理剤であって、（Ｘ）活性剤を含有することを特徴とするものである。
In the general formula (1), R 1 and R 2 represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and X represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. Indicates.
The solder composition of the present invention is a solder composition used in the method for joining electronic components, and includes a flux composition containing (A) solder powder, and (B) a rosin resin and (C) a solvent. It is characterized by doing.
The pretreatment agent of the present invention is a pretreatment agent used in the method for joining electronic components, and is characterized by containing (X) an activator.
本発明の電子部品の接合方法においては、以下説明するように、はんだ組成物の絶縁信頼性およびシェルフライフを維持しつつ、接合性の向上を図ることができる。
従来から、はんだ組成物を用いて、基板に電子部品の接合している。このような場合には、基板の電極上に印刷したはんだ組成物中のフラックス成分により、電子部品の電極の金属を活性化できるため、基板上に電子部品を搭載して、リフロー処理を行うことで、基板上に電子部品を接合できる。このように、はんだ組成物を用いて、基板上に電子部品を接合する場合、電子部品には特に処理をせずに、基板上に搭載することが技術常識であった。本発明者らは、かかる技術常識を覆し、搭載前の電子部品に対し、特定の前処理剤を塗布する工程を行えば、かかる工程に要する手間というデメリット以上の大きなメリットが得られることを見出した。
すなわち、本発明の電子部品の接合方法においては、電子部品に、活性剤を含有する前処理剤を塗布している。そして、電子部品の電極に付着した活性剤は、はんだ組成物中の活性剤よりも直接的に、電子部品の電極の金属を活性化できるため、はんだ組成物中の活性剤量を増やすよりも効率的に、接合性の向上を図ることができる。また、電子部品の電極に付着した活性剤は、驚くべきことに、はんだ組成物のフラックス成分として、はんだ組成物中に混合した活性剤とほぼ同等に機能する。この理由については必ずしも定かではないが、リフロー処理の際の溶融はんだの流動により、電子部品の電極に付着した活性剤がはんだ組成物中に十分に混合され、フラックス成分として十分に機能するものと発明者らは推察する。
以上のようにして、はんだ組成物中の活性剤量および前処理剤により電極に付着する活性剤量の合計量を増やさなくても、接合性の向上を図ることができる。また、接合性を維持しつつ、はんだ組成物中の活性剤量を減らすこともできる。そのため、本発明の電子部品の接合方法によれば、はんだ組成物の絶縁信頼性およびシェルフライフを維持しつつ、接合性の向上を図ることができる。
In the method for joining electronic components of the present invention, as described below, the joining property can be improved while maintaining the insulation reliability and shelf life of the solder composition.
Conventionally, electronic components are joined to a substrate using a solder composition. In such a case, the metal of the electrode of the electronic component can be activated by the flux component in the solder composition printed on the electrode of the substrate, so the electronic component is mounted on the substrate and the reflow process is performed. Thus, electronic components can be joined on the substrate. Thus, when joining an electronic component on a board | substrate using a solder composition, it was technical common sense to mount an electronic component on a board | substrate, without processing in particular. The present inventors have overturned such common technical knowledge and found that if a step of applying a specific pretreatment agent to an electronic component before mounting is performed, a great merit more than the demerit of labor required for the step can be obtained. It was.
That is, in the electronic component bonding method of the present invention, a pretreatment agent containing an activator is applied to the electronic component. And since the activator attached to the electrode of the electronic component can activate the metal of the electrode of the electronic component more directly than the activator in the solder composition, the activator in the solder composition is more than the amount of the activator. It is possible to efficiently improve the bondability. Surprisingly, the activator adhering to the electrode of the electronic component functions as the activator mixed in the solder composition as a flux component of the solder composition. The reason for this is not necessarily clear, but due to the flow of molten solder during the reflow process, the activator attached to the electrodes of the electronic component is sufficiently mixed in the solder composition and functions sufficiently as a flux component. The inventors speculate.
As described above, the joining property can be improved without increasing the total amount of the activator in the solder composition and the total amount of the activator attached to the electrode by the pretreatment agent. In addition, the amount of the activator in the solder composition can be reduced while maintaining the bondability. Therefore, according to the electronic component joining method of the present invention, it is possible to improve the joining property while maintaining the insulation reliability and shelf life of the solder composition.
本発明によれば、はんだ組成物の絶縁信頼性およびシェルフライフを維持しつつ、接合性の向上を図ることができる電子部品の接合方法、並びに、その方法に用いるはんだ組成物および前処理剤を提供できる。 According to the present invention, there is provided a method of joining electronic components capable of improving the joining property while maintaining the insulation reliability and shelf life of the solder composition, and the solder composition and the pretreatment agent used in the method. Can be provided.
＜電子部品の接合方法＞
以下、本発明の電子部品の接合方法の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の電子部品の接合方法の一例を示す説明図である。
本発明の電子部品の接合方法は、図１に示すように、電子部品１を基板２に接合する電子部品の接合方法であって、以下説明する前処理工程（Ｓ１）、組成物塗布工程（Ｓ２）および接合工程（Ｓ３）を備える方法である。なお、本実施形態では、前処理工程、組成物塗布工程、接合工程の順で説明するが、この順に限定されない。接合工程の前に、前処理工程および組成物塗布工程を行えばよく、前処理工程および組成物塗布工程の順序は限定されない。例えば、前処理工程の前に組成物塗布工程を行ってもよく、前処理工程および組成物塗布工程を同時に行ってもよい。
<Method of joining electronic parts>
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a method for joining electronic components according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a method for joining electronic components according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the electronic component bonding method of the present invention is a method for bonding an electronic component 1 to a substrate 2, and includes a pretreatment step (S 1) and a composition coating step (described below). S2) and a joining step (S3). In addition, although this embodiment demonstrates in order of a pre-processing process, a composition application | coating process, and a joining process, it is not limited to this order. The pretreatment process and the composition application process may be performed before the joining process, and the order of the pretreatment process and the composition application process is not limited. For example, the composition application step may be performed before the pretreatment step, or the pretreatment step and the composition application step may be performed simultaneously.
前処理工程（Ｓ１）においては、図１に示すように、電子部品１を準備し（Ｓ１−１）、電子部品１に前処理剤３を塗布する（Ｓ１−２）。
電子部品１としては、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）、チップ部品などが挙げられる。
電子部品１は、部品本体１１と、電極１２と、電極１２上に設けられたはんだバンプ１３と、を備えている。
前処理剤３は、詳細は後述するが、（Ｘ）活性剤を含有するものである。
前処理剤３の塗布量は、特に限定されないが、（Ｘ）活性剤の単位面積あたりの付着量が、０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上１ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましく、０．０１ｍｇ／ｃｍ２以上０．１ｍｇ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。付着量が前記下限未満では、電子部品１の電極の金属の活性化が不足する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、絶縁信頼性が低下する傾向にある。
In the pretreatment step (S1), as shown in FIG. 1, the electronic component 1 is prepared (S1-1), and the pretreatment agent 3 is applied to the electronic component 1 (S1-2).
Examples of the electronic component 1 include BGA (ball grid array), QFN (Quad Flat No lead package), and chip components.
The electronic component 1 includes a component main body 11, an electrode 12, and a solder bump 13 provided on the electrode 12.
Although details will be described later, the pretreatment agent 3 contains (X) an activator.
The coating amount of the pretreatment agent 3 is not particularly limited, but the amount of (X) active agent attached per unit area is preferably 0.01 mg / cm 2 or more and 1 mg / cm 2 or less, 0.01 mg / cm 2 More preferably, it is not less than cm 2 and not more than 0.1 mg / cm 2 . If the adhesion amount is less than the lower limit, activation of the metal of the electrode of the electronic component 1 tends to be insufficient, while if it exceeds the upper limit, the insulation reliability tends to decrease.
ここで用いる塗布装置としては、ディップコーター、スプレーコーター、スタンプ、スクリーン印刷機、ディスペンサーなどが挙げられる。これらの中でも、チップマウント装置への適用のしやすさという観点から、ディップコーター、スタンプがより好ましく、スタンプが特に好ましい。 Examples of the coating apparatus used here include a dip coater, a spray coater, a stamp, a screen printer, and a dispenser. Among these, a dip coater and a stamp are more preferable, and a stamp is particularly preferable from the viewpoint of easy application to a chip mounting apparatus.
前処理工程（Ｓ１）においては、必要に応じて、塗布後の前処理剤３を乾燥する（Ｓ１−３）。これにより、（Ｘ）活性剤を含む乾燥後の前処理剤３１が、電子部品１のはんだバンプ１３などに付着する。
乾燥条件は、特に限定されないが、通常は、乾燥温度が１５℃以上１００℃以下で、乾燥時間が１秒間以上６０秒間以下であればよい。
In the pretreatment step (S1), the pretreatment agent 3 after application is dried as necessary (S1-3). As a result, the pretreatment agent 31 after drying containing the (X) activator adheres to the solder bumps 13 and the like of the electronic component 1.
The drying conditions are not particularly limited, but usually the drying temperature may be 15 ° C. or higher and 100 ° C. or lower and the drying time may be 1 second or longer and 60 seconds or shorter.
組成物塗布工程（Ｓ２）においては、図１に示すように、基材２１および電極２２を備える基板２を準備し（Ｓ２−１）、基板２の電極２２上にはんだ組成物４を塗布する（Ｓ２−２）。
基板２としては、プリント配線基板などが挙げられる。
はんだ組成物４は、詳細は後述するが、（Ａ）はんだ粉末および（Ｂ）ロジン系樹脂を含有するものである。
ここで用いる塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、ジェットディスペンサーなどが挙げられる。
In the composition application step (S2), as shown in FIG. 1, a substrate 2 including a base material 21 and an electrode 22 is prepared (S2-1), and the solder composition 4 is applied onto the electrode 22 of the substrate 2. (S2-2).
Examples of the substrate 2 include a printed wiring board.
The solder composition 4 contains (A) solder powder and (B) rosin resin, as will be described in detail later.
Examples of the coating apparatus used here include a screen printer, a metal mask printer, a dispenser, and a jet dispenser.
接合工程（Ｓ３）においては、図１に示すように、電子部品１の電極１２と基板２の電極２２とが平面視にて重なるようにして、電子部品１を基板２上に搭載し（Ｓ３−１）、その後、リフロー処理を行い、基板２上に電子部品１をはんだ接合５により接合する（Ｓ３−２）。
リフロー条件は、はんだバンプ１３を構成するはんだやはんだ組成物４中のはんだ粉末の融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度１５０〜２００℃で６０〜１２０秒間行い、ピーク温度を２３０〜２７０℃に設定すればよい。
In the bonding step (S3), as shown in FIG. 1, the electronic component 1 is mounted on the substrate 2 so that the electrode 12 of the electronic component 1 and the electrode 22 of the substrate 2 overlap in plan view (S3). -1) After that, a reflow process is performed, and the electronic component 1 is joined to the substrate 2 by the solder joint 5 (S3-2).
What is necessary is just to set reflow conditions suitably according to melting | fusing point of the solder which comprises the solder bump 13, and the solder powder in the solder composition 4. FIG. For example, when using a Sn—Ag—Cu-based solder alloy, preheating may be performed at a temperature of 150 to 200 ° C. for 60 to 120 seconds, and a peak temperature may be set to 230 to 270 ° C.
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
例えば、前記接合工程では、リフロー処理により、基板２上に電子部品１を接合しているが、これに限定されない。例えば、リフロー処理に代えて、レーザー光を用いてはんだ組成物を加熱する工程（レーザー加熱工程）により、基板２上に電子部品１を接合してもよい。この場合、レーザー光源としては、特に限定されず、金属の吸収帯に合わせた波長に応じて適宜採用できる。レーザー光源としては、例えば、固体レーザー（ルビー、ガラス、ＹＡＧなど）、半導体レーザー（ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰなど）、液体レーザー（色素など）、気体レーザー（Ｈｅ−Ｎｅ、Ａｒ、ＣＯ２、エキシマーなど）が挙げられる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements and the like within a scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the joining step, the electronic component 1 is joined on the substrate 2 by reflow processing, but the invention is not limited to this. For example, instead of the reflow process, the electronic component 1 may be bonded onto the substrate 2 by a step of heating the solder composition using a laser beam (laser heating step). In this case, the laser light source is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the wavelength matched to the metal absorption band. As the laser light source, for example, a solid laser (ruby, glass, YAG, etc.), semiconductor laser (GaAs, InGaAsP, etc.), (such as a dye) liquid laser, a gas laser (He-Ne, Ar, CO 2, etc. excimer) is Can be mentioned.
＜前処理剤＞
次に、本発明の前処理剤について説明する。すなわち、本発明の前処理剤は、前記電子部品の接合方法に用いる前処理剤であり、（Ｘ）活性剤を含有するものである。また、この前処理剤は、必要に応じて、（Ｙ）溶剤を含有してもよい。
<Pretreatment agent>
Next, the pretreatment agent of the present invention will be described. That is, the pretreatment agent of the present invention is a pretreatment agent used in the method for joining electronic components and contains (X) an activator. Moreover, this pre-processing agent may contain the (Y) solvent as needed.
［（Ｘ）成分］
本発明に用いる（Ｘ）活性剤としては、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、アミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、これらの中でも、環境対策の観点や、はんだ付け部分での腐食を抑制するという観点からは、有機酸、アミン系活性剤（ハロゲンを含有しないもの）を用いることが好ましく、有機酸を用いることがより好ましい。
前記有機酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。また、このような有機酸は、脂肪族カルボン酸であってもよく、芳香族カルボン酸であってもよい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、グリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、ジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、ピコリン酸などが挙げられる。
これらの有機酸の中でも、活性作用の観点からは、（Ｘ１）１分子中に２つ以上のカルボキシル基を有する有機酸を用いることが好ましい。
（Ｘ１）成分としては、前記ジカルボン酸、ダイマー酸などが挙げられる。これらの中でも、上記の観点から、ジグリコール酸、ダイマー酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、アゼライン酸などを用いることが好ましく、ジグリコール酸、ダイマー酸、アジピン酸などを用いることが特に好ましい。
[(X) component]
Examples of the (X) activator used in the present invention include organic acids, non-dissociative activators composed of non-dissociable halogenated compounds, and amine-based activators. These activators may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types. Among these, from the viewpoint of environmental measures and from the viewpoint of suppressing corrosion at the soldered portion, it is preferable to use an organic acid or an amine-based activator (one containing no halogen), and an organic acid is used. It is more preferable.
Examples of the organic acid include other organic acids in addition to monocarboxylic acid and dicarboxylic acid. Such organic acid may be an aliphatic carboxylic acid or an aromatic carboxylic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
Monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tuberculostearic acid Arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, glycolic acid and the like.
Examples of the dicarboxylic acid include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, diglycolic acid and the like.
Examples of other organic acids include dimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anisic acid, citric acid, and picolinic acid.
Among these organic acids, from the viewpoint of activity, it is preferable to use (X1) an organic acid having two or more carboxyl groups in one molecule.
Examples of the component (X1) include the dicarboxylic acid and dimer acid. Among these, from the above viewpoint, it is preferable to use diglycolic acid, dimer acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, azelaic acid, etc., and use diglycolic acid, dimer acid, adipic acid, etc. Is particularly preferred.
前記非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の２つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシルのように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、トリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、１，３−ジクロロ−２−プロパノール、１，４−ジクロロ−２−ブタノールなどの塩素化アルコール、３−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシルとしては、２−ヨード安息香酸、３−ヨード安息香酸、２−ヨードプロピオン酸、５−ヨードサリチル酸、５−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル、２−クロロ安息香酸、３−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル、２，３−ジブロモプロピオン酸、２，３−ジブロモコハク酸、２−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル、その他これらに類する化合物が挙げられる。 Examples of the non-dissociative activator include non-salt organic compounds in which halogen atoms are bonded by a covalent bond. The halogenated compound may be a compound formed by covalent bonding of chlorine, bromine and fluorine, such as chlorinated, brominated and fluoride, but any two or all of chlorine, bromine and fluorine may be used. The compound which has the following covalent bond may be sufficient. In order to improve the solubility in an aqueous solvent, these compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl. Examples of the halogenated alcohol include 2,3-dibromopropanol, 2,3-dibromobutanediol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, 1,4-dibromo-2-butanol, Brominated alcohols such as tribromoneopentyl alcohol, chlorinated alcohols such as 1,3-dichloro-2-propanol and 1,4-dichloro-2-butanol, fluorinated alcohols such as 3-fluorocatechol, and the like Compounds. Examples of the halogenated carboxyl include 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, 5-iodoanthranilic acid, etc., 2-chlorobenzoic acid, 3-chloropropion Examples thereof include carboxyl chloride such as acid, brominated carboxyl such as 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid and 2-bromobenzoic acid, and other similar compounds.
前記アミン系活性剤としては、アミン類（エチレンジアミンなどのポリアミンなど）、アミン塩類（トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、ジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩（塩酸、硫酸、臭化水素酸など））、アミノ酸類（グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、バリンなど）、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩（塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、セバシン酸塩など）、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。 Examples of the amine activator include amines (polyamines such as ethylenediamine), amine salts (amines such as trimethylolamine, cyclohexylamine, diethylamine, and organic acid salts such as amino alcohols and inorganic acid salts (hydrochloric acid, sulfuric acid, odors). Hydroacid, etc.)), amino acids (glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, valine, etc.), amide compounds and the like. Specifically, diphenylguanidine hydrobromide, cyclohexylamine hydrobromide, diethylamine salt (hydrochloride, succinate, adipate, sebacate, etc.), triethanolamine, monoethanolamine, etc. And the hydrobromide of the amine.
本発明の前処理剤は、（Ｘ）成分単独でもよいが、塗布性の観点から、（Ｘ）成分を溶剤などに溶解させたものであることが好ましい。このような場合、前記（Ｘ）成分の配合量としては、前処理剤１００質量％に対して、０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以上２０質量％以下であることがより好ましい。 The pretreatment agent of the present invention may be the component (X) alone, but from the viewpoint of applicability, the component (X) is preferably dissolved in a solvent or the like. In such a case, the blending amount of the component (X) is preferably 0.1% by mass or more and 50% by mass or less, and 0.2% by mass or more and 20% by mass with respect to 100% by mass of the pretreatment agent. % Or less is more preferable.
［（Ｙ）成分］
本発明に用いる（Ｙ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような（Ｙ）溶剤により前処理剤の塗布性を向上できる。（Ｙ）溶剤としては、乾燥のしやすさの観点から、（Ｙ１）沸点が１００℃以下の溶剤が好ましい。また、（Ｙ）溶剤として、（Ｙ１）成分以外の溶剤を併用してもよい。
（Ｙ１）成分としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。塗布性および乾燥性の観点からは、２種以上を混合して用いることが好ましく、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコールを混合して用いることが特に好ましい。
[(Y) component]
As the solvent (Y) used in the present invention, a known solvent can be appropriately used. Such (Y) solvent can improve the applicability of the pretreatment agent. As the (Y) solvent, from the viewpoint of easy drying, (Y1) a solvent having a boiling point of 100 ° C. or less is preferable. Moreover, you may use together solvent other than (Y1) component as (Y) solvent.
Examples of the component (Y1) include methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, and tert-butyl alcohol. These solvents may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of coating properties and drying properties, it is preferable to use a mixture of two or more, and it is particularly preferable to use a mixture of methanol, ethanol and isopropyl alcohol.
前記（Ｙ）成分の配合量は、塗布性および乾燥性の観点から、前処理剤１００質量％に対して、５０質量％以上９９．９質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上９９質量％以下であることがより好ましい。 The blending amount of the component (Y) is preferably 50% by mass or more and 99.9% by mass or less, and 80% by mass or more and 99% by mass with respect to 100% by mass of the pretreatment agent from the viewpoints of applicability and drying property. It is more preferable that the amount is not more than mass%.
［他の成分］
本発明の前処理剤には、前記（Ｘ）成分および前記（Ｙ）成分の他に、必要に応じて、その他の添加剤を加えることができる。その他の添加剤としては、チクソ剤、消泡剤などが挙げられる。
[Other ingredients]
In addition to the component (X) and the component (Y), other additives can be added to the pretreatment agent of the present invention as necessary. Examples of other additives include thixotropic agents and antifoaming agents.
＜はんだ組成物＞
次に、本発明のはんだ組成物について説明する。すなわち、本発明のはんだ組成物は、前記電子部品の接合方法に用いるはんだ組成物であり、（Ａ）はんだ粉末、並びに、（Ｂ）ロジン系樹脂および（Ｃ）溶剤を含有するフラックス組成物を含有するものである。また、このはんだ組成物は、具体的には、（Ｂ）ロジン系樹脂を含有するフラックス組成物をバインダーとして、（Ａ）はんだ粉末を分散させたものである。なお、このフラックス組成物には、必要に応じて、（Ｄ）有機酸、（Ｅ）イミダゾール化合物などを含有してもよい。
<Solder composition>
Next, the solder composition of the present invention will be described. That is, the solder composition of the present invention is a solder composition used in the method for joining electronic components, and includes a flux composition containing (A) solder powder, and (B) a rosin resin and (C) a solvent. It contains. Further, this solder composition is specifically obtained by dispersing (A) solder powder using (B) a flux composition containing a rosin resin as a binder. In addition, you may contain (D) organic acid, (E) imidazole compound, etc. in this flux composition as needed.
［（Ａ）成分］
本発明に用いる（Ａ）はんだ粉末としては、適宜公知のものを用いることができる。このはんだ粉末は、２４０℃以下の融点を有することが好ましく、低温プロセス化の観点からは、１８０℃以下の融点を有するものであることがより好ましい。このはんだ粉末の融点が１８０℃を超えるものを用いる場合には、リフロー処理時の温度が低温（例えば、１８０℃以下）の場合に、はんだ粉末を溶融させることができない傾向にある。一方で、はんだ接合の強度の観点からは、はんだ粉末の融点は、１６０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましい。
また、このはんだ粉末は、環境への影響の観点から、鉛フリーはんだ粉末であることが好ましい。ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。
[(A) component]
As (A) solder powder used for this invention, a well-known thing can be used suitably. The solder powder preferably has a melting point of 240 ° C. or lower, and more preferably has a melting point of 180 ° C. or lower from the viewpoint of low-temperature processing. When the solder powder having a melting point exceeding 180 ° C. is used, the solder powder tends not to be melted when the temperature during reflow treatment is low (for example, 180 ° C. or lower). On the other hand, from the viewpoint of solder joint strength, the melting point of the solder powder is preferably 160 ° C. or higher, and more preferably 200 ° C. or higher.
Moreover, it is preferable that this solder powder is a lead-free solder powder from a viewpoint of the influence on an environment. Here, the lead-free solder powder refers to a solder metal or alloy powder to which lead is not added. However, it is allowed that lead is present as an inevitable impurity in the lead-free solder powder, but in this case, the amount of lead is preferably 100 mass ppm or less.
前記（Ａ）成分は、スズ（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、およびチタン（Ｔｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属からなる金属または合金であることが好ましい。例えば、スズ基のはんだとしては、Ｓｎ−０．７Ｃｕなどのスズ−銅系；Ｓｎ−３．５Ａｇなどのスズ−銀系；Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−１．０Ａｇ−０．７Ｃｕ、Ｓｎ−０．３Ａｇ−０．７Ｃｕなどのスズ−銀−銅系；Ｓｎ−２．５Ａｇ−１．０Ｂｉ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ−１．０Ａｇ−２．０Ｂｉ−０．５Ｃｕなどのスズ−銀−ビスマス−銅系；Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−８．０Ｉｎなどのスズ−銀−ビスマス−インジウム系；Ｓｎ−１．０Ａｇ−０．７Ｃｕ−２．０Ｂｉ−０．２Ｉｎなどのスズ−銀−銅−ビスマス−インジウム系；Ｓｎ−５８Ｂｉなどのスズービスマス系；Ｓｎ−１．０Ａｇ−５８Ｂｉなどのスズ−銀−ビスマス系；Ｓｎ−５．０Ｓｂなどのスズーアンチモン系；Ｓｎ−９Ｚｎなどのスズ−亜鉛系；Ｓｎ−８．０Ｚｎ−３．０Ｂｉなどのスズ−亜鉛−ビスマス系；Ｓｎ−３０Ｉｎ−１２Ｓｂ−３Ｚｎなどのスズ−インジウム−アンチモン−亜鉛系；Ｓｎ−５６Ｂｉ−４Ｔｉなどのスズ−ビスマス−チタン系；Ｓｎ−３．５Ａｇ−４Ｔｉなどのスズ−銀−チタン系；Ｓｎ−５２Ｉｎなどのスズ−インジウム系などが挙げられる。インジウム基のはんだとしては、金属インジウムのインジウム系；Ｉｎ−３．０Ａｇなどのインジウム−銀系が挙げられる。また、上記金属、合金には更に微量成分として、上記の金属以外にも、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、リン（Ｐ）、セリウム（Ｃｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｂ）などを含有していてもよい。これらの中でも、低融点特性の点からは、スズ−ビスマス系、スズ−銀−ビスマス系、スズ−インジウム系、インジウム系、インジウム−銀系などがより好ましい。また、はんだ接合の強度の観点からは、スズ−銀−銅系、スズ−銀系などが好ましい。 The component (A) is a group consisting of tin (Sn), bismuth (Bi), copper (Cu), silver (Ag), antimony (Sb), indium (In), zinc (Zn), and titanium (Ti). It is preferably a metal or alloy made of at least one metal selected from the group consisting of: For example, tin-based solders include tin-copper such as Sn-0.7Cu; tin-silver such as Sn-3.5Ag; Sn-3.0Ag-0.5Cu, Sn-3.5Ag-0 Tin-silver-copper systems such as .7Cu, Sn-1.0Ag-0.7Cu, Sn-0.3Ag-0.7Cu; Sn-2.5Ag-1.0Bi-0.5Cu, Sn-1.0Ag Tin-silver-bismuth-copper system such as -2.0Bi-0.5Cu; Tin-silver-bismuth-indium system such as Sn-3.5Ag-0.5Bi-8.0In; Sn-1.0Ag-0 Tin-silver-copper-bismuth-indium system such as 7Cu-2.0Bi-0.2In; Tin-bismuth system such as Sn-58Bi; Tin-silver-bismuth system such as Sn-1.0Ag-58Bi; Sn-5 . Tin-antimony system such as 0Sb; S Tin-zinc based such as Sn-9Zn; tin-zinc-bismuth based such as Sn-8.0Zn-3.0Bi; tin-indium-antimony-zinc based such as Sn-30In-12Sb-3Zn; Sn-56Bi-4Ti Tin-bismuth-titanium system such as Sn-3.5Ag-4Ti; tin-silver-titanium system such as Sn-52In; tin-indium system such as Sn-52In. Examples of indium-based solder include indium-based metal indium; indium-silver-based such as In-3.0Ag. In addition to the above metals, iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum (Mo), phosphorus (P), cerium (Ce), Germanium (Ge), silicon (Si), gallium (Ga), aluminum (Al), niobium (Nb), vanadium (V), calcium (Ca), magnesium (Mg), zirconium (Zr), gold (Au), Palladium (Pd), platinum (Pt), lead (Pb), etc. may be contained. Among these, tin-bismuth, tin-silver-bismuth, tin-indium, indium, indium-silver, and the like are more preferable from the viewpoint of low melting point characteristics. From the viewpoint of solder joint strength, tin-silver-copper, tin-silver, and the like are preferable.
前記（Ａ）成分の平均粒子径は、通常１μｍ以上４０μｍ以下であるが、はんだ付けパッドのピッチが狭い電子基板にも対応するという観点から、１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以上１５ｍ以下であることがさらにより好ましく、３μｍ以上１２μｍ以下であることが特に好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。 The average particle diameter of the component (A) is usually 1 μm or more and 40 μm or less, but is preferably 1 μm or more and 20 μm or less, more preferably 2 μm or more, from the viewpoint of corresponding to an electronic substrate having a narrow soldering pad pitch. More preferably, it is 15 m or less, and particularly preferably 3 μm or more and 12 μm or less. The average particle size can be measured with a dynamic light scattering type particle size measuring device.
［フラックス組成物］
本発明のはんだ組成物は、以下説明するフラックス組成物と、前記（Ａ）成分とを含有するものである。
前記フラックス組成物の配合量は、はんだ組成物１００質量％に対して、５質量％以上３５質量％以下であることが好ましく、７質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、８質量％以上１２質量％以下であることが特に好ましい。フラックス組成物の配合量が５質量％未満の場合（はんだ粉末の配合量が９５質量％を超える場合）には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ粉末とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が３５質量％を超える場合（はんだ粉末の配合量が６５質量％未満の場合）には、得られるはんだ組成物を用いた場合に、十分なはんだ接合を形成できにくくなる傾向にある。
[Flux composition]
The solder composition of this invention contains the flux composition demonstrated below and the said (A) component.
The blending amount of the flux composition is preferably 5% by mass to 35% by mass, more preferably 7% by mass to 15% by mass, and more preferably 8% by mass with respect to 100% by mass of the solder composition. It is particularly preferable that the content is not less than 12% and not more than 12% by mass. When the blending amount of the flux composition is less than 5% by mass (when the blending amount of the solder powder exceeds 95% by mass), the flux composition as the binder is insufficient, so the flux composition and the solder powder are mixed. On the other hand, when the blending amount of the flux composition exceeds 35% by mass (when the blending amount of the solder powder is less than 65% by mass), when the obtained solder composition is used, It tends to be difficult to form a sufficient solder joint.
［（Ｂ）成分］
本発明に用いる（Ｂ）ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジン、トール油ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、ディールス・アルダー反応の反応成分となり得る前記ロジン類の不飽和有機酸変性樹脂（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸等のα，β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸等の変性樹脂）およびこれらの変性物などのアビエチン酸、並びに、これらの変性物を主成分とするものなどが挙げられる。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
[Component (B)]
Examples of the (B) rosin resin used in the present invention include rosins and rosin modified resins. Examples of rosins include gum rosin, wood rosin, tall oil rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, hydrogenated rosin, and derivatives thereof. As rosin-based modified resins, unsaturated organic acid-modified resins of the above rosins that can be reactive components of Diels-Alder reactions (aliphatic unsaturated monobasic acids such as (meth) acrylic acid, fumaric acid, maleic acid, etc.) adietic acids such as aliphatic unsaturated dibasic acids such as α, β-unsaturated carboxylic acids, and unsaturated carboxylic acids having an aromatic ring such as cinnamic acid) and abietic acids such as modified products thereof, and these The thing which has a modified substance as a main component is mentioned. These rosin resins may be used alone or in combination of two or more.
前記（Ｂ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３５質量％以上６０質量％以下であることがより好ましい。（Ｂ）成分の配合量が前記下限未満では、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだを濡れやすくする、いわゆるはんだ付性が低下し、はんだボールが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、フラックス残さ量が多くなる傾向にある。 The blending amount of the component (B) is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, and more preferably 35% by mass or more and 60% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. When the blending amount of the component (B) is less than the lower limit, oxidation of the copper foil surface of the soldering land is prevented and the molten solder is easily wetted on the surface, so-called solderability is lowered, and solder balls are easily generated. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the amount of residual flux tends to increase.
［（Ｃ）成分］
本発明に用いる（Ｃ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。前記溶剤としては、沸点１７０℃以上の水溶性溶剤を用いることが好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、１,５−ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、２−エチルヘキシルジグリコール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
[Component (C)]
As the solvent (C) used in the present invention, a known solvent can be appropriately used. As the solvent, a water-soluble solvent having a boiling point of 170 ° C. or higher is preferably used.
Examples of such solvents include diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, hexyl diglycol, 1,5-pentanediol, methyl carbitol, butyl carbitol, 2-ethylhexyl diglycol, and octane diol. , Phenyl glycol, and diethylene glycol monohexyl ether. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
前記（Ｃ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、１０質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。前記溶剤の含有量が前記範囲内であれば、得られるはんだ組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。 The blending amount of the component (C) is preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. If content of the said solvent is in the said range, the viscosity of the solder composition obtained can be suitably adjusted to an appropriate range.
［（Ｄ）成分］
本発明に用いる（Ｄ）有機酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。なお、本発明のはんだ組成物においては、リフロー処理の際に前記前処理剤の（Ｘ）活性剤を利用できるので、（Ｄ）成分の配合量を減らすことができる。また、本発明のはんだ組成物においては、（Ｄ）成分を含有しなくてもよい。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、グリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、ジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、ピコリン酸などが挙げられる。
[(D) component]
Examples of the organic acid (D) used in the present invention include other organic acids in addition to monocarboxylic acid and dicarboxylic acid. In addition, in the solder composition of this invention, since the (X) activator of the said pre-processing agent can be utilized in the case of a reflow process, the compounding quantity of (D) component can be reduced. Moreover, in the solder composition of this invention, (D) component does not need to be contained.
Monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tuberculostearic acid Arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, glycolic acid and the like.
Examples of the dicarboxylic acid include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, diglycolic acid and the like.
Examples of other organic acids include dimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anisic acid, citric acid, and picolinic acid.
前記（Ｄ）成分を配合する場合、（Ｄ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上４．５質量％以下であることが好ましく、０．２質量％以上４質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以上３．５質量％以下であることがさらにより好ましく、１質量％以上２．５質量％以下であることが特に好ましい。（Ｄ）成分の配合量が前記下限未満では、はんだボールが生じやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、はんだ組成物のシェルフライフおよび絶縁性が低下する傾向にある。 When the component (D) is blended, the blending amount of the component (D) is preferably 0.1% by mass or more and 4.5% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. It is more preferably 2% by mass or more and 4% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or more and 3.5% by mass or less, and particularly preferably 1% by mass or more and 2.5% by mass or less. preferable. When the blending amount of the component (D) is less than the lower limit, solder balls tend to be generated, and when the upper limit is exceeded, the shelf life and insulation of the solder composition tend to be lowered.
また、本発明においては、フラックス組成物が、（Ｄ）有機酸および後述する（Ｅ）イミダゾール化合物をさらに含有し、（Ｄ）有機酸が、（Ｄ１）炭素数８以上の不飽和脂肪酸を含有することが好ましい。このように（Ｄ１）成分および（Ｅ）成分を併用することにより、はんだ組成物のシェルフライフを向上でき、しかも、リフロー処理の際に前記前処理剤の（Ｘ）活性剤を利用できるので、接合性の向上を図ることができる。なお、このような場合、（Ｄ）有機酸として、（Ｄ１）成分と（Ｄ１）成分以外の有機酸（以下、場合により（Ｄ２）成分という）とを併用してもよい。 In the present invention, the flux composition further contains (D) an organic acid and (E) an imidazole compound described later, and (D) the organic acid contains (D1) an unsaturated fatty acid having 8 or more carbon atoms. It is preferable to do. Thus, by using the (D1) component and the (E) component together, the shelf life of the solder composition can be improved, and the (X) activator of the pretreatment agent can be used during the reflow treatment. Bondability can be improved. In such a case, as the (D) organic acid, the (D1) component and an organic acid other than the (D1) component (hereinafter sometimes referred to as the (D2) component) may be used in combination.
（Ｄ１）成分の不飽和脂肪酸の炭素数は、得られるはんだ組成物の保存安定性の観点から、１２以上２４以下であることが好ましく、１４以上２０以下であることがより好ましい。
前記不飽和脂肪酸の融点は、得られるはんだ組成物の保存安定性の観点から、２５℃以下であることが好ましく、１５℃以下であることがより好ましい。
前記不飽和脂肪酸としては、例えば、モノ不飽和脂肪酸、ジ不飽和脂肪酸、トリ不飽和脂肪酸が挙げられる。これらの不飽和脂肪酸は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
モノ不飽和脂肪酸としては、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エイコセン酸、エルカ酸、ネルボン酸などが挙げられる。
ジ不飽和脂肪酸としては、リノール酸、エイコサジエン酸、ドコサジエン酸などが挙げられる。
トリ不飽和脂肪酸としては、リノレン酸、ピノレン酸、エレオステアリン酸、ミード酸、エイコサトリエン酸などが挙げられる。
The number of carbon atoms of the unsaturated fatty acid (D1) is preferably 12 or more and 24 or less, more preferably 14 or more and 20 or less, from the viewpoint of storage stability of the obtained solder composition.
The melting point of the unsaturated fatty acid is preferably 25 ° C. or less, and more preferably 15 ° C. or less, from the viewpoint of storage stability of the obtained solder composition.
Examples of the unsaturated fatty acid include monounsaturated fatty acids, diunsaturated fatty acids, and triunsaturated fatty acids. These unsaturated fatty acids may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for them.
Examples of monounsaturated fatty acids include myristoleic acid, palmitoleic acid, oleic acid, elaidic acid, vaccenic acid, gadoleic acid, eicosenoic acid, erucic acid, nervonic acid and the like.
Examples of diunsaturated fatty acids include linoleic acid, eicosadienoic acid, docosadienoic acid, and the like.
Examples of triunsaturated fatty acids include linolenic acid, pinolenic acid, eleostearic acid, mead acid, and eicosatrienoic acid.
前記（Ｄ１）成分を配合する場合、（Ｄ１）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上４．５質量％以下であることが好ましく、１．５質量％以上３．５質量％以下であることがより好ましい。（Ｄ１）成分の配合量が前記下限未満では、得られるはんだ組成物の保存安定性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、得られるはんだ組成物のはんだ付性が低下する傾向にある。 When the component (D1) is blended, the blending amount of the component (D1) is preferably 1% by mass to 4.5% by mass with respect to 100% by mass of the flux composition, and 1.5% by mass. % To 3.5% by mass is more preferable. When the blending amount of the component (D1) is less than the lower limit, the storage stability of the obtained solder composition tends to be lowered. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the solderability of the obtained solder composition tends to be lowered. It is in.
［（Ｅ）成分］
本発明に用いる（Ｅ）イミダゾール化合物は、下記一般式（１）で表されるイミダゾール化合物である。
[(E) component]
The (E) imidazole compound used in the present invention is an imidazole compound represented by the following general formula (1).
前記一般式（１）において、Ｒ１およびＲ２は、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を示す。また、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。Ｒ２は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
前記一般式（１）において、Ｘは、水素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜３のアルキル基を示す。ここで、アルキル基の置換基としては、トリアジル基、アルキル基などが挙げられる。
In the general formula (1), R 1 and R 2 represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. R 1 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and particularly preferably a hydrogen atom. R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
In the general formula (1), X represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. Here, examples of the substituent of the alkyl group include a triazyl group and an alkyl group.
前記イミダゾール化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジンが挙げられる。 Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2,4-diamino-6- (2′-undecylimidazolyl- ( 1 ′))-ethyl-s-triazine.
前記（Ｅ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、２質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることがより好ましい。（Ｅ）成分の配合量が前記下限未満では、得られるはんだ組成物の保存安定性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、はんだ組成物としての性状が不安定（ボソボソした性状）となる傾向にある。 The blending amount of the component (E) is preferably 2% by mass or more and 20% by mass or less, and more preferably 5% by mass or more and 15% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. When the blending amount of the component (E) is less than the lower limit, the storage stability of the obtained solder composition tends to be lowered. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the properties as the solder composition are unstable (both distorted properties). ).
［他の成分］
本発明に用いるフラックス組成物には、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、前記（Ｄ）成分および前記（Ｅ）成分の他に、必要に応じて、その他の添加剤を加えることができる。その他の添加剤としては、前記（Ｄ）成分以外の活性剤、チクソ剤、消泡剤、酸化防止剤、改質剤、つや消し剤、発泡剤などが挙げられる。
[Other ingredients]
In addition to the component (B), the component (C), the component (D) and the component (E), other additives may be added to the flux composition used in the present invention as necessary. it can. Examples of other additives include activators other than the component (D), thixotropic agents, antifoaming agents, antioxidants, modifiers, matting agents, and foaming agents.
［はんだ組成物の製造方法］
本発明のはんだ組成物は、上記説明したフラックス組成物と上記説明した（Ａ）はんだ粉末とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
[Method for producing solder composition]
The solder composition of the present invention can be produced by blending the above-described flux composition and the above-described (A) solder powder at the predetermined ratio and stirring and mixing them.
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
＜前処理剤＞
（（Ｘ）成分）
有機酸：アジピン酸
（（Ｙ）成分）
溶剤Ａ：イソプロピルアルコール
溶剤Ｂ：メタノール
溶剤Ｃ：エタノール
＜はんだ組成物＞
（（Ａ）成分）
はんだ粉末：平均粒子径２０μｍ、はんだ融点２１６〜２２０℃、はんだ組成Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ
（（Ｂ）成分）
ロジン系樹脂：水添酸変性ロジン、荒川化学工業社製、商品名「パインクリスタルＫＥ−６０４」
（（Ｃ）成分）
溶剤Ｄ：２−エチルヘキシルジグリコール
（（Ｄ１）成分）
不飽和脂肪酸：オレイン酸
（（Ｄ２）成分）
有機酸：アジピン酸
（（Ｅ）成分）
イミダゾール化合物Ａ：２−メチルイミダゾール、四国化成社製
イミダゾール化合物Ｂ：２−エチルイミダゾール、東京化成工業社製
イミダゾール化合物Ｃ：２−エチル−４−メチルイミダゾール、四国化成社製
イミダゾール化合物Ｄ：２−ウンデシルイミダゾール、四国化成社製
イミダゾール化合物Ｅ：２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン、四国化成社製
（他の成分）
ハロゲン系活性剤：トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール（ＴＤＢＤ）
EXAMPLES Next, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples. In addition, the material used in the Example and the comparative example is shown below.
<Pretreatment agent>
((X) component)
Organic acid: Adipic acid (component (Y))
Solvent A: Isopropyl alcohol solvent B: Methanol solvent C: Ethanol <Solder composition>
((A) component)
Solder powder: average particle diameter 20 μm, solder melting point 216-220 ° C., solder composition Sn / Ag / Cu
((B) component)
Rosin resin: Hydrogenated acid-modified rosin, manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd., trade name “Pine Crystal KE-604”
((C) component)
Solvent D: 2-ethylhexyl diglycol (component (D1))
Unsaturated fatty acid: oleic acid (component (D2))
Organic acid: Adipic acid (component (E))
Imidazole compound A: 2-methylimidazole, imidazole compound B manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd .: 2-ethylimidazole, imidazole compound C manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. C: 2-ethyl-4-methylimidazole, imidazole compound D manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd .: 2- Undecylimidazole, imidazole compound E manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd .: 2,4-diamino-6- (2′-undecylimidazolyl- (1 ′))-ethyl-s-triazine, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. (other components)
Halogen-based activator: trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol (TDBD)
［実施例１］
有機酸０．３質量％、溶剤Ａ９質量％、溶剤Ｂ１４質量％および溶剤Ｃ７６．７質量％を容器に投入し、混合して前処理剤を得た。
ロジン系樹脂５０質量％、不飽和脂肪酸３質量％、イミダゾール化合物Ａ１０質量％、ハロゲン系活性剤１質量％および溶剤Ｄ３６質量％を容器に投入し、らいかい機を用いて混合してフラックス組成物を得た。その後、得られたフラックス組成物１２質量％およびはんだ粉末８８質量％（合計で１００質量％）を容器に投入し、混練機にて混合することではんだ組成物を調製した。
そして、電子部品（チップ部品、大きさ：１２ｍｍ×１２ｍｍ）に得られた前処理剤をディップコーターにより塗布し、温度２０℃にて５秒間乾燥した。一方で、基板（電極ピッチ：０．２５ｍｍ、電極間隔：０．２５ｍｍ）に、対応するパターンを有するマスク（厚み：８０μｍ）を用い、得られたはんだ組成物を印刷した。その後、電子部品を搭載し、プリヒート温度を１５０〜２００℃で９０〜１２０秒間、２２０℃以上の保持時間を３０〜６０秒間、ピーク温度を２４０℃とする条件でリフロー処理を行い、電子部品を基板に接合した。
[Example 1]
An organic acid 0.3% by mass, solvent A 9% by mass, solvent B 14% by mass and solvent C 76.7% by mass were charged into a container and mixed to obtain a pretreatment agent.
Flux composition in which 50% by mass of rosin resin, 3% by mass of unsaturated fatty acid, 10% by mass of imidazole compound A, 1% by mass of halogen-based activator and 36% by mass of solvent D are put into a container and mixed using a rough machine. Got. Thereafter, 12% by mass of the obtained flux composition and 88% by mass of solder powder (100% by mass in total) were put into a container and mixed with a kneader to prepare a solder composition.
Then, the pretreatment agent obtained on the electronic component (chip component, size: 12 mm × 12 mm) was applied by a dip coater and dried at a temperature of 20 ° C. for 5 seconds. On the other hand, the obtained solder composition was printed on a substrate (electrode pitch: 0.25 mm, electrode interval: 0.25 mm) using a mask (thickness: 80 μm) having a corresponding pattern. Thereafter, an electronic component is mounted, reflow treatment is performed under the conditions of preheating temperature of 150 to 200 ° C. for 90 to 120 seconds, holding time of 220 ° C. or higher for 30 to 60 seconds, and peak temperature of 240 ° C. Bonded to the substrate.
［実施例２〜７］
下記表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、前処理剤およびはんだ組成物を得た。
そして、得られた前処理剤およびはんだ組成物を用い、実施例１と同様にして、電子部品を基板に接合した。
［比較例１〜３］
下記表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、はんだ組成物を得た。
そして、基板（電極ピッチ：０．２５ｍｍ、電極間隔：０．２５ｍｍ）に、対応するパターンを有するマスク（厚み：８０μｍ）を用い、得られたはんだ組成物を印刷した。その後、電子部品（チップ部品、大きさ：１２ｍｍ×１２ｍｍ）を搭載し、プリヒート温度を１５０〜２００℃で９０〜１２０秒間、２２０℃以上の保持時間を３０〜６０秒間、ピーク温度を２４０℃とする条件でリフロー処理を行い、電子部品を基板に接合した。
[Examples 2 to 7]
A pretreatment agent and a solder composition were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1 below.
And the electronic component was joined to the board | substrate like Example 1 using the obtained pre-processing agent and solder composition.
[Comparative Examples 1-3]
A solder composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1 below.
The obtained solder composition was printed on a substrate (electrode pitch: 0.25 mm, electrode interval: 0.25 mm) using a mask (thickness: 80 μm) having a corresponding pattern. Thereafter, electronic components (chip components, size: 12 mm × 12 mm) are mounted, the preheating temperature is 150 to 200 ° C. for 90 to 120 seconds, the holding time of 220 ° C. or higher is 30 to 60 seconds, and the peak temperature is 240 ° C. The electronic component was bonded to the substrate by performing a reflow process under the conditions.
＜電子部品の接合方法の評価＞
電子部品の接合方法の評価（絶縁信頼性、シェルフライフ、部品の下面ボイド、部品の接合）を以下のような方法で行った。得られた結果を表１に示す。
（１）絶縁信頼性
回路パターン（ライン／スペース＝５ｍｍ／３２０μｍ、導体厚：３５μｍ）を有する配線基板を準備した。そして、この配線基板のランド上に、はんだ組成物を塗布した。次に、これに対応する幅５ｍｍの合金片（組成：Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、大きさ：５ｍｍ×２０ｍｍ、厚み：１ｍｍ）を準備し、これに条件に応じて、前処理剤を塗布した後、はんだ組成物上に配置し、リフロー処理により、溶融させ、試験片を得た。なお、リフロー処理の条件は、実施例１と同様の条件とした。
得られた試験片のマイグレーション試験を行い、絶縁抵抗値を測定した。なお、マイグレーション試験は、ＪＩＳ Ｚ ３２８４付属書６に記載の方法に準拠して行う（温度８５℃、相対湿度８５％、１０００時間）。
そして、絶縁抵抗値に基づいて下記の基準に従って、絶縁信頼性を評価した。
○：絶縁抵抗値が１×１０９Ω以上である。
×：絶縁抵抗値が１×１０９Ω未満である。
（２）シェルフライフ
まず、はんだ組成物を試料として、粘度を測定する。その後、試料を密封容器に入れ、所定温度の恒温槽に投入し、１５日間保管し、保管した試料の粘度を測定する。なお、所定温度は、１０℃である。そして、保管前の粘度値（η１）に対する、１５日間保管後の粘度値（η２）の粘度変化率［｛（η２−η１）／η１｝×１００％］を求める。なお、粘度測定は、ＪＩＳ Ｚ ３２８４付属書６に記載の方法に準拠して行う。
そして、粘度変化率に基づいて下記の基準に従って、シェルフライフを評価した。
◎：粘度変化率が、−５％以上５％以下である。
○：粘度変化率が、−２０％以上−５％未満、或いは５％超２０％以下である。
×：粘度変化率が、−２０％未満、或いは、２０％超である。
（３）部品の下面ボイド
０．５ｍｍピッチのＢＧＡ（２２８ピン、Ａｍｋｏｒ社製）と、これに対応する回路パターンを有する配線基板を準備した。そして、この配線基板のランド上に、はんだ組成物を塗布した。次に、ＢＧＡに条件に応じて、前処理剤を塗布した後、はんだ組成物上に配置し、リフロー処理により、溶融させ、試験片を得た。なお、リフロー処理の条件は、実施例１と同様の条件とした。
得られた試験片を、Ｘ線検査装置（「ＮＬＸ−５０００」、ＮＡＧＯＹＡ ＥＲＥＣＴＲＩＣ ＷＯＲＫＳ社製）を用いて、２２８ピンの全てを検査し、以下のような計算式よりボイド面積比率を割り出す。
ボイド面積比率（％）＝｛（バンプ面積−バンプ中のボイドのある面積)／バンプ面積｝×１００
そして、ボイド面積比率に基づいて下記の基準に従って、部品の下面ボイドを評価した。
○：ボイド面積比率が、２０％以上である。
×：ボイド面積比率が、２０％未満である。
（４）部品の接合
０．５ｍｍピッチのＢＧＡ（２２８ピン、Ａｍｋｏｒ社製）と、これに対応する回路パターンを有する配線基板を準備した。そして、この配線基板のランド上に、はんだ組成物を塗布した。次に、ＢＧＡに条件に応じて、前処理剤を塗布した後、はんだ組成物上に配置し、リフロー処理により、溶融させ、試験片を得た。なお、リフロー処理の条件は、実施例１と同様の条件とした。
得られた試験片について、導通抵抗値（四端子測定法）を測定した。
そして、導通抵抗値に基づいて下記の基準に従って、部品の接合を評価した。
○：導通抵抗値が、１Ω未満である。
×：導通抵抗値が、１Ω以上である。
<Evaluation of electronic component joining method>
Evaluation of electronic component joining methods (insulation reliability, shelf life, component bottom void, component joining) were performed by the following methods. The obtained results are shown in Table 1.
(1) Insulation reliability A wiring board having a circuit pattern (line / space = 5 mm / 320 μm, conductor thickness: 35 μm) was prepared. And the solder composition was apply | coated on the land of this wiring board. Next, a corresponding 5 mm wide alloy piece (composition: Sn / Ag / Cu, size: 5 mm × 20 mm, thickness: 1 mm) was prepared, and a pretreatment agent was applied thereto according to the conditions. Then, the test piece was placed on the solder composition and melted by reflow treatment. The reflow processing conditions were the same as those in Example 1.
The obtained test piece was subjected to a migration test to measure an insulation resistance value. The migration test is performed in accordance with the method described in JIS Z 3284 Appendix 6 (temperature 85 ° C., relative humidity 85%, 1000 hours).
And insulation reliability was evaluated according to the following reference | standard based on the insulation resistance value.
A: The insulation resistance value is 1 × 10 9 Ω or more.
X: The insulation resistance value is less than 1 × 10 9 Ω.
(2) Shelf life First, the viscosity is measured using the solder composition as a sample. Thereafter, the sample is put in a sealed container, put into a constant temperature bath at a predetermined temperature, stored for 15 days, and the viscosity of the stored sample is measured. The predetermined temperature is 10 ° C. And the viscosity change rate [{(η2-η1) / η1} × 100%] of the viscosity value (η2) after storage for 15 days with respect to the viscosity value (η1) before storage is obtained. The viscosity is measured in accordance with the method described in JIS Z 3284 Appendix 6.
And shelf life was evaluated according to the following reference | standard based on the viscosity change rate.
A: Viscosity change rate is -5% or more and 5% or less.
○: Viscosity change rate is −20% or more and less than −5% or more than 5% and 20% or less
X: Viscosity change rate is less than -20% or more than 20%.
(3) Lower surface void of component A 0.5 mm pitch BGA (228 pin, manufactured by Amkor) and a wiring board having a circuit pattern corresponding to the BGA were prepared. And the solder composition was apply | coated on the land of this wiring board. Next, a pretreatment agent was applied to the BGA according to the conditions, then placed on the solder composition, and melted by reflow treatment to obtain a test piece. The reflow processing conditions were the same as those in Example 1.
Using the X-ray inspection apparatus (“NLX-5000”, manufactured by NAGOYA ERETRIC WORKS), all the 228 pins are inspected, and the void area ratio is determined from the following calculation formula.
Void area ratio (%) = {(Bump area−Area with void in bump) / Bump area} × 100
And the lower surface void of components was evaluated according to the following reference | standard based on the void area ratio.
○: The void area ratio is 20% or more.
X: Void area ratio is less than 20%.
(4) Joining of parts A 0.5 mm pitch BGA (228 pin, manufactured by Amkor) and a wiring board having a circuit pattern corresponding to the BGA were prepared. And the solder composition was apply | coated on the land of this wiring board. Next, a pretreatment agent was applied to the BGA according to the conditions, then placed on the solder composition, and melted by reflow treatment to obtain a test piece. The reflow processing conditions were the same as those in Example 1.
About the obtained test piece, the conduction | electrical_connection resistance value (four terminal measuring method) was measured.
Then, the joining of the components was evaluated according to the following criteria based on the conduction resistance value.
○: The conduction resistance value is less than 1Ω.
X: The conduction resistance value is 1Ω or more.
表１に示す結果からも明らかなように、本発明の電子部品の接合方法を用いた場合（実施例１〜７）には、絶縁信頼性、シェルフライフ、部品の下面ボイド、および、部品の接合の全てが良好であった。従って、本発明によれば、はんだ組成物の絶縁信頼性およびシェルフライフを維持しつつ、接合性の向上を図ることができることが確認された。
これに対し、電子部品に前処理剤を塗布する工程を行わない場合（比較例１〜３）には、絶縁信頼性、シェルフライフ、部品の下面ボイド、および、部品の接合のいずれか１つ以上の評価が不十分となることが分かった。
また、ハロゲン系の活性剤を多量に含有するはんだ組成物（比較例２）については、ハロゲンフリーの観点からも問題がある。
As is apparent from the results shown in Table 1, when the electronic component joining method according to the present invention is used (Examples 1 to 7), the insulation reliability, shelf life, the bottom void of the component, and the component All of the joints were good. Therefore, according to the present invention, it has been confirmed that the bondability can be improved while maintaining the insulation reliability and shelf life of the solder composition.
On the other hand, when the step of applying the pretreatment agent to the electronic component is not performed (Comparative Examples 1 to 3), any one of insulation reliability, shelf life, component lower surface void, and component bonding It was found that the above evaluation was insufficient.
Further, the solder composition (Comparative Example 2) containing a large amount of the halogen-based activator has a problem from the viewpoint of halogen-free.
本発明の電子部品の接合方法は、電子機器のプリント配線基板に電子部品を実装するための技術として特に好適に用いることができる。 The electronic component joining method of the present invention can be particularly suitably used as a technique for mounting an electronic component on a printed wiring board of an electronic device.
１…電子部品
２…基板
３…前処理剤
４…はんだ組成物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component 2 ... Board | substrate 3 ... Pretreatment agent 4 ... Solder composition
Claims (8)
基板に、（Ａ）はんだ粉末、並びに、（Ｂ）ロジン系樹脂および（Ｃ）溶剤を含有するフラックス組成物を含有するはんだ組成物を塗布する工程と、
前記電子部品を前記基板上に搭載して、リフロー処理を行う工程と、
を備えることを特徴とする電子部品の接合方法。 Applying a pretreatment agent containing (X) an activator to an electronic component;
Applying a solder composition containing a flux composition containing (A) solder powder and (B) a rosin resin and (C) a solvent to a substrate;
Mounting the electronic component on the substrate and performing a reflow process;
An electronic component joining method comprising:
前記（Ｘ）活性剤が、（Ｘ１）１分子中に２つ以上のカルボキシル基を有する有機酸を含有する
ことを特徴とする電子部品の接合方法。 In the joining method of the electronic components of Claim 1,
(X) The activator contains (X1) an organic acid having two or more carboxyl groups in one molecule.
前記前処理剤が、（Ｙ）溶剤をさらに含有し、
前記（Ｙ）溶剤が、（Ｙ１）沸点が１００℃以下の溶剤を含有する
ことを特徴とする電子部品の接合方法。 In the joining method of the electronic component of Claim 1 or Claim 2,
The pretreatment agent further contains (Y) a solvent,
Said (Y) solvent contains (Y1) solvent whose boiling point is 100 degrees C or less. The joining method of the electronic components characterized by the above-mentioned.
前記（Ａ）はんだ粉末の平均粒子径が、２０μｍ以下である
ことを特徴とする電子部品の接合方法。 In the joining method of the electronic components of any one of Claims 1-3,
(A) Average particle diameter of said solder powder is 20 micrometers or less. The joining method of the electronic components characterized by the above-mentioned.
前記フラックス組成物が、（Ｄ）有機酸をさらに含有し、
前記（Ｄ）有機酸の配合量が、前記フラックス組成物１００質量％に対して、４．５質量％以下である
ことを特徴とする電子部品の接合方法。 In the joining method of the electronic component of any one of Claims 1-4,
The flux composition further contains (D) an organic acid,
(D) Compounding quantity of said organic acid is 4.5 mass% or less with respect to 100 mass% of said flux compositions. The joining method of the electronic components characterized by the above-mentioned.
前記フラックス組成物が、（Ｄ）有機酸および（Ｅ）下記一般式（１）で表されるイミダゾール化合物をさらに含有し、
前記（Ｄ）有機酸が、（Ｄ１）炭素数８以上の不飽和脂肪酸を含有する
ことを特徴とする電子部品の接合方法。
（前記一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を示し、Ｘは、水素原子、または、置換もしくは無置換の炭素数１〜３のアルキル基を示す。） In the joining method of the electronic component of any one of Claims 1-4,
The flux composition further contains (D) an organic acid and (E) an imidazole compound represented by the following general formula (1),
Said (D) organic acid contains (D1) C8 or more unsaturated fatty acid. The joining method of the electronic components characterized by the above-mentioned.
(In the general formula (1), R 1 and R 2 represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and X represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. Group.)
（Ａ）はんだ粉末、並びに、（Ｂ）ロジン系樹脂および（Ｃ）溶剤を含有するフラックス組成物を含有する
ことを特徴とするはんだ組成物。 A solder composition for use in the electronic component joining method according to any one of claims 1 to 6,
A solder composition comprising: (A) a solder powder, and (B) a flux composition containing a rosin resin and (C) a solvent.
（Ｘ）活性剤を含有する
ことを特徴とする前処理剤。 A pretreatment agent used in the electronic component joining method according to any one of claims 1 to 6,
(X) A pretreatment agent comprising an activator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015047448A JP6130418B2 (en) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | Electronic component joining method, and solder composition and pretreatment agent used in the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015047448A JP6130418B2 (en) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | Electronic component joining method, and solder composition and pretreatment agent used in the method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016167561A true JP2016167561A (en) | 2016-09-15 |
| JP6130418B2 JP6130418B2 (en) | 2017-05-17 |
Family
ID=56897671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015047448A Active JP6130418B2 (en) | 2015-03-10 | 2015-03-10 | Electronic component joining method, and solder composition and pretreatment agent used in the method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6130418B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019230694A1 (en) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | 千住金属工業株式会社 | Flux for solder paste and solder paste |
| WO2020262631A1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 株式会社弘輝 | Flux and solder paste |
| CN113714584A (en) * | 2021-09-08 | 2021-11-30 | 中国航发北京航空材料研究院 | Connecting method and auxiliary tool for titanium-aluminum compound turbine and steel shaft |
| CN114367762A (en) * | 2020-06-11 | 2022-04-19 | 中山翰华锡业有限公司 | Solder alloy powder, low dielectric loss high reliability soldering paste and preparation method thereof |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07323390A (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Flux composition and corresponding soldering method |
| JP2003285197A (en) * | 2002-01-25 | 2003-10-07 | Nof Corp | Flux composition for soldering, solder paste and soldering method |
| JP2005528224A (en) * | 2002-05-30 | 2005-09-22 | フライズ メタルズ インコーポレイテッド | Soldering paste and flux |
| JP2010212655A (en) * | 2008-10-27 | 2010-09-24 | Panasonic Corp | Electronic device and method of manufacturing the same |
| JP2013169557A (en) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Solder composition, method for manufacturing the same, and printed circuit board |
| JP2013193097A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Solder composition and method of forming solder bump by using the same |
-
2015
- 2015-03-10 JP JP2015047448A patent/JP6130418B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07323390A (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Flux composition and corresponding soldering method |
| JP2003285197A (en) * | 2002-01-25 | 2003-10-07 | Nof Corp | Flux composition for soldering, solder paste and soldering method |
| JP2005528224A (en) * | 2002-05-30 | 2005-09-22 | フライズ メタルズ インコーポレイテッド | Soldering paste and flux |
| JP2010212655A (en) * | 2008-10-27 | 2010-09-24 | Panasonic Corp | Electronic device and method of manufacturing the same |
| JP2013169557A (en) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Solder composition, method for manufacturing the same, and printed circuit board |
| JP2013193097A (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Solder composition and method of forming solder bump by using the same |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11167380B2 (en) | 2018-06-01 | 2021-11-09 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Flux for solder paste and solder paste |
| CN112262013A (en) * | 2018-06-01 | 2021-01-22 | 千住金属工业株式会社 | Flux for solder paste and solder paste |
| TWI710603B (en) * | 2018-06-01 | 2020-11-21 | 日商千住金屬工業股份有限公司 | Flux and solder paste for solder paste |
| CN112262013B (en) * | 2018-06-01 | 2021-10-26 | 千住金属工业株式会社 | Flux for solder paste and solder paste |
| KR20210002746A (en) * | 2018-06-01 | 2021-01-08 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | Flux and solder paste for solder paste |
| WO2019230694A1 (en) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | 千住金属工業株式会社 | Flux for solder paste and solder paste |
| JP2019209346A (en) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 千住金属工業株式会社 | Flux for solder paste and solder paste |
| KR102256446B1 (en) | 2018-06-01 | 2021-05-25 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | Flux and Solder Paste for Solder Paste |
| JP2021003730A (en) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | 株式会社弘輝 | Flux and solder paste |
| WO2020262631A1 (en) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 株式会社弘輝 | Flux and solder paste |
| CN113993657A (en) * | 2019-06-27 | 2022-01-28 | 株式会社弘辉 | Flux and solder paste |
| CN114367762A (en) * | 2020-06-11 | 2022-04-19 | 中山翰华锡业有限公司 | Solder alloy powder, low dielectric loss high reliability soldering paste and preparation method thereof |
| CN114367762B (en) * | 2020-06-11 | 2023-08-18 | 中山翰华锡业有限公司 | Solder alloy powder, low dielectric loss and high reliability solder paste and preparation method thereof |
| CN113714584A (en) * | 2021-09-08 | 2021-11-30 | 中国航发北京航空材料研究院 | Connecting method and auxiliary tool for titanium-aluminum compound turbine and steel shaft |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6130418B2 (en) | 2017-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6402213B2 (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| JP6138464B2 (en) | Solder composition for laser soldering and mounting method using the same | |
| JP6674982B2 (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| JP5916674B2 (en) | Solder composition for jet dispenser | |
| CN106825994B (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| JP6913064B2 (en) | Method for manufacturing solder composition and electronic board | |
| CN109290701B (en) | Solder composition, electronic substrate, and method for manufacturing electronic substrate | |
| JP6851352B2 (en) | Solder composition for laser soldering and electronic board | |
| JP6300771B2 (en) | Flux composition, solder composition and method for producing electronic substrate | |
| JP6293514B2 (en) | Solder composition and printed wiring board manufacturing method | |
| JP6895213B2 (en) | Method for manufacturing solder composition and electronic board | |
| JP6713027B2 (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| JP6402148B2 (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| JP6370324B2 (en) | Solder composition and method for producing electronic substrate | |
| JP6130418B2 (en) | Electronic component joining method, and solder composition and pretreatment agent used in the method | |
| JP6826059B2 (en) | Flux composition, solder composition and electronic substrate | |
| US10913132B2 (en) | Solder composition, electronic board, and bonding method | |
| US10449638B2 (en) | Solder composition and electronic board | |
| JP2020055035A (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| JP7066798B2 (en) | Solder composition | |
| CN109719422B (en) | Solder composition and electronic substrate | |
| CN113453445A (en) | Solder composition for laser welding, electronic substrate, and method for producing electronic substrate | |
| JP6130421B2 (en) | Electronic component joining method, and solder composition and pretreatment agent used in the method | |
| JP2020157319A (en) | Solder composition and method for manufacturing electronic substrate | |
| JP7181964B2 (en) | Conductive composition containing solder and method for manufacturing electronic substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170317 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170404 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170413 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6130418 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |