JP2016163320A - Image reading device and semiconductor device - Google Patents

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JP2016163320A
JP2016163320A JP2015043690A JP2015043690A JP2016163320A JP 2016163320 A JP2016163320 A JP 2016163320A JP 2015043690 A JP2015043690 A JP 2015043690A JP 2015043690 A JP2015043690 A JP 2015043690A JP 2016163320 A JP2016163320 A JP 2016163320A
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current
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賢史 佐野
Masashi Sano
賢史 佐野
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Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image reading device and the like capable of reducing deterioration in image quality.SOLUTION: An image reading device comprises: a first circuit block 510 that includes a first light receiving element PD1, a second light receiving element PD2, a first current circuit, a second current circuit, a first holding part C1, and a second holding part C2; and a second circuit block 520 that includes a third light receiving element PD3, a fourth light receiving element PD4, a third current circuit, a fourth current circuit, a third holding part C3, and a fourth holding part C4. The first current circuit and the second current circuit are connected with first ground wiring W1 and first gate wiring Wg1. The third current circuit and the fourth current circuit are connected with second ground wiring W2 and second gate wiring Wg2. The image reading device comprises: third ground wiring W3 connected with a first connection point Wx1 between the first current circuit and the second current circuit, and with a ground terminal GND; and fourth ground wiring W4 connected with a second connection point Wx2 between the third current circuit and the fourth current circuit, and with the ground terminal GND.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、画像読取装置および半導体装置に関する。   The present invention relates to an image reading apparatus and a semiconductor device.

コンタクトイメージセンサーを用いた画像読取装置(スキャナー)や、これに印刷機能を加えたコピー機や複合プリンターなどが開発されている。画像読取装置に用いられるコンタクトイメージセンサーとしては、半導体基板に設けられたフォトダイオードを用いる構成が用いられている。   An image reading device (scanner) using a contact image sensor, a copier or a composite printer having a printing function added thereto have been developed. As a contact image sensor used in an image reading apparatus, a configuration using a photodiode provided on a semiconductor substrate is used.

コンタクトイメージセンサーでは、フォトダイオードからの出力信号を読み出すための負荷電流を生成する電流回路が各フォトダイオードに対応して設けられる(特許文献1)。   In the contact image sensor, a current circuit that generates a load current for reading an output signal from a photodiode is provided for each photodiode (Patent Document 1).

特開2012−10008号公報JP 2012-10008 A

上述の構成の場合、通常、複数の電流回路は共通のグラウンド配線でグラウンド端子に接続されることが考えられる。しかしながら、このグラウンド配線は抵抗成分を持つために、電流回路から流れる電流によって電位差が生じる。そのため、フォトダイオードの位置によって各電流回路のグラウンド電位が異なってしまう場合がある。   In the case of the above-described configuration, it is usually considered that a plurality of current circuits are connected to the ground terminal by a common ground wiring. However, since this ground wiring has a resistance component, a potential difference is caused by the current flowing from the current circuit. Therefore, the ground potential of each current circuit may differ depending on the position of the photodiode.

複数の電流回路が、1つの基準電流と同等の電流を生成するカレントミラー回路で構成されている場合、このグラウンド電位のばらつきによって、電流回路が生成する電流の電流値にばらつきが発生するので、画素信号の電圧増幅率が変化してしまい、出力信号の劣化(シェーディング)が起こる問題が生じる可能性があった。出力信号の劣化は、画像読取装置の画質劣化の要因の1つとなっていた。   When a plurality of current circuits are configured with a current mirror circuit that generates a current equivalent to one reference current, the variation in the ground potential causes variation in the current value of the current generated by the current circuit. There was a possibility that the voltage amplification factor of the pixel signal would change, resulting in a problem that the output signal deteriorated (shading). The deterioration of the output signal is one of the causes of the image quality deterioration of the image reading apparatus.

本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものである。本発明のいくつかの態様によれば、画質劣化を低減できる、画像読取装置および半導体装置を提供することができる。   The present invention has been made in view of the above technical problems. According to some aspects of the present invention, it is possible to provide an image reading apparatus and a semiconductor device that can reduce image quality deterioration.

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following aspects or application examples.

[適用例1]
本適用例に係る画像読取装置は、
画像を読み取るための画像読取装置であって、
前記画像からの光を受けて光電変換する第1受光素子および第2受光素子と、第1電流回路および第2電流回路と、第1保持部および第2保持部と、を含む第1回路ブロックと、
前記画像からの光を受けて光電変換する第3受光素子および第4受光素子と、第3電流回路および第4電流回路と、第3保持部および第4保持部と、を含む第2回路ブロックと、
を備え、
前記第1電流回路は、前記第1受光素子の出力信号に基づく第1出力信号を前記第1保持部に転送するための第1電流を生成し、
前記第2電流回路は、前記第2受光素子の出力信号に基づく第2出力信号を前記第2保持部に転送するための第2電流を生成し、
前記第3電流回路は、前記第3受光素子の出力信号に基づく第3出力信号を前記第3保持部に転送するための第3電流を生成し、
前記第4電流回路は、前記第4受光素子の出力信号に基づく第4出力信号を前記第4保持部に転送するための第4電流を生成し、
前記第1保持部は、転送された前記第1出力信号を保持し、
前記第2保持部は、転送された前記第2出力信号を保持し、
前記第3保持部は、転送された前記第3出力信号を保持し、
前記第4保持部は、転送された前記第4出力信号を保持し、
前記第1電流回路および前記第2電流回路は、第1グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第1ゲート電圧を印加する第1ゲート配線に電気的に接続され、
前記第3電流回路および前記第4電流回路は、第2グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第2ゲート電圧を印加する第2ゲート配線に電気的に接続され、
前記第1電流回路と前記第2電流回路との間で前記第1グラウンド配線上に設けられた第1接続点とグラウンド端子と電気的に接続する第3グラウンド配線と、
前記第3電流回路と前記第4電流回路との間で前記第2グラウンド配線上に設けられた第2接続点と前記グラウンド端子と電気的に接続する第4グラウンド配線と、
をさらに備えている、画像読取装置である。
[Application Example 1]
The image reading apparatus according to this application example is
An image reading device for reading an image,
A first circuit block including a first light receiving element and a second light receiving element that receive light from the image and perform photoelectric conversion, a first current circuit and a second current circuit, and a first holding unit and a second holding unit. When,
A second circuit block including a third light receiving element and a fourth light receiving element that receive light from the image and perform photoelectric conversion, a third current circuit and a fourth current circuit, and a third holding part and a fourth holding part. When,
With
The first current circuit generates a first current for transferring a first output signal based on an output signal of the first light receiving element to the first holding unit,
The second current circuit generates a second current for transferring a second output signal based on the output signal of the second light receiving element to the second holding unit,
The third current circuit generates a third current for transferring a third output signal based on the output signal of the third light receiving element to the third holding unit,
The fourth current circuit generates a fourth current for transferring a fourth output signal based on the output signal of the fourth light receiving element to the fourth holding unit,
The first holding unit holds the transferred first output signal,
The second holding unit holds the transferred second output signal,
The third holding unit holds the transferred third output signal,
The fourth holding unit holds the transferred fourth output signal,
The first current circuit and the second current circuit are electrically connected to a first ground wiring, and are also electrically connected to a first gate wiring for applying a first gate voltage,
The third current circuit and the fourth current circuit are electrically connected to a second ground wiring and electrically connected to a second gate wiring for applying a second gate voltage,
A third ground line electrically connected to a ground terminal and a first connection point provided on the first ground line between the first current circuit and the second current circuit;
A second connection point provided on the second ground wiring between the third current circuit and the fourth current circuit and a fourth ground wiring electrically connected to the ground terminal;
An image reading apparatus further comprising:

本適用例によれば、第1回路ブロックおよび第2回路ブロックとグラウンド端子とを1つのグラウンド配線で接続する場合に比べて、各グラウンド配線に流れる電流を小さくすることができるので、各電流回路のグラウンド電位のばらつきを小さくできる。また、第1接続点および第2接続点が各回路ブロック端に設けられている場合に比べて、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路のグラウンド電位が近い値となるので、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路が生成する電流の電流値が近い値となる。これによって、隣り合う回路ブロック間の境界付近の保持部に保持される信号のばらつきを低減できる。したがって、隣り合う回路ブロック間の境界付近での急激な感度差が低減できるので、画質劣化を低減できる画像読取装置を実現できる。   According to this application example, the current flowing through each ground line can be reduced as compared with the case where the first circuit block and the second circuit block are connected to the ground terminal by one ground line. The variation in ground potential can be reduced. In addition, since the ground potential of the current circuit near the boundary between adjacent circuit blocks is close to that in the case where the first connection point and the second connection point are provided at each circuit block end, the adjacent circuit The current value of the current generated by the current circuit near the boundary between the blocks becomes a close value. As a result, variation in signals held in the holding unit near the boundary between adjacent circuit blocks can be reduced. Therefore, since a rapid sensitivity difference near the boundary between adjacent circuit blocks can be reduced, an image reading apparatus that can reduce image quality deterioration can be realized.

[適用例2]
上述の画像読取装置において、
前記第1電流回路は、前記第1回路ブロックの第1端部に位置し、
前記第2電流回路は、前記第1回路ブロックの第2端部に位置し、
前記第3電流回路は、前記第2回路ブロックの第1端部に位置し、
前記第4電流回路は、前記第2回路ブロックの第2端部に位置し、
前記第1グラウンド配線の、前記第1接続点から前記第1電流回路までの配線長は、前記第1接続点から前記第2電流回路までの配線長と等しく、
前記第2グラウンド配線の、前記第2接続点から前記第3電流回路までの配線長は、前記第2接続点から前記第4電流回路までの配線長と等しくてもよい。
[Application Example 2]
In the above image reading apparatus,
The first current circuit is located at a first end of the first circuit block;
The second current circuit is located at a second end of the first circuit block;
The third current circuit is located at a first end of the second circuit block;
The fourth current circuit is located at a second end of the second circuit block;
The wiring length of the first ground wiring from the first connection point to the first current circuit is equal to the wiring length from the first connection point to the second current circuit,
The wiring length of the second ground wiring from the second connection point to the third current circuit may be equal to the wiring length from the second connection point to the fourth current circuit.

本適用例によれば、第1接続点が第1電流回路と第2電流回路との間の中央にあり、第2接続点が第3電流回路と第4電流回路との間の中央にあることによって、第1電流回路と第2電流回路とのグラウンド電位を等しくし、第3電流回路と第4電流回路とのグラウンドを等しくできるので、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路のグラウンド電位がさらに近い値となり、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路が生成する電流の電流値がさらに近い値となる。これによって、隣り合う回路ブロック間の境界付近の保
持部に保持される信号のばらつきをさらに低減できる。したがって、隣り合う回路ブロック間の境界付近での急激な感度差が低減できるので、画質劣化を低減できる画像読取装置を実現できる。
According to this application example, the first connection point is in the center between the first current circuit and the second current circuit, and the second connection point is in the center between the third current circuit and the fourth current circuit. As a result, the ground potentials of the first current circuit and the second current circuit can be made equal, and the grounds of the third current circuit and the fourth current circuit can be made equal, so that the ground of the current circuit near the boundary between adjacent circuit blocks can be obtained. The potential becomes a closer value, and the current value of the current generated by the current circuit near the boundary between adjacent circuit blocks becomes a closer value. As a result, it is possible to further reduce the variation in the signal held in the holding unit near the boundary between adjacent circuit blocks. Therefore, since a rapid sensitivity difference near the boundary between adjacent circuit blocks can be reduced, an image reading apparatus that can reduce image quality deterioration can be realized.

[適用例3]
上述の画像読取装置において、
前記第1ゲート電圧と前記第2ゲート電圧とは、電圧値が異なってもよい。
[Application Example 3]
In the above image reading apparatus,
The first gate voltage and the second gate voltage may have different voltage values.

本適用例によれば、第1回路ブロックと第2回路ブロックとの間で、グラウンド端子からの配線長が異なって、グラウンド電位が異なる場合においても、回路ブロックごとに電流回路に供給されるゲート電圧が異なるので、各電流回路で生成される電流のばらつきを低減できる。これによって、各保持部に保持される信号のばらつきを低減できる。したがって、画質劣化を低減できる画像読取装置を実現できる。   According to this application example, even when the wiring length from the ground terminal is different and the ground potential is different between the first circuit block and the second circuit block, the gate supplied to the current circuit for each circuit block Since the voltages are different, variation in current generated in each current circuit can be reduced. As a result, variations in signals held in the holding units can be reduced. Therefore, an image reading apparatus that can reduce image quality deterioration can be realized.

[適用例4]
上述の画像読取装置において、
前記第3グラウンド配線の配線長は、前記第4グラウンド配線の配線長よりも長く、
前記第1ゲート電圧は、前記第2ゲート電圧よりも高い電圧値であってもよい。
[Application Example 4]
In the above image reading apparatus,
The wiring length of the third ground wiring is longer than the wiring length of the fourth ground wiring,
The first gate voltage may be a voltage value higher than the second gate voltage.

本適用例によれば、グラウンド端子からの配線長が長くなるほどグラウンド電位が高くなるので、ゲート電圧も高くすることによって、第1回路ブロックと第2回路ブロックとの間で、各電流回路が生成する電流の電流値のばらつきを低減できる。これによって、各保持部に保持される信号のばらつきを低減できる。したがって、画質劣化を低減できる画像読取装置を実現できる。   According to this application example, since the ground potential increases as the wiring length from the ground terminal becomes longer, each current circuit is generated between the first circuit block and the second circuit block by increasing the gate voltage. The variation in the current value of the current to be reduced can be reduced. As a result, variations in signals held in the holding units can be reduced. Therefore, an image reading apparatus that can reduce image quality deterioration can be realized.

[適用例5]
上述の画像読取装置であって、
前記第1受光素子、前記第2受光素子、前記第3受光素子および前記第4受光素子は、一方向に並んで位置してもよい。
[Application Example 5]
An image reading apparatus as described above,
The first light receiving element, the second light receiving element, the third light receiving element, and the fourth light receiving element may be positioned side by side in one direction.

これによって、大きな画像も読み取り可能な画像読取装置を実現できる。また、受光素子が一方向に並んでいるので、グラウンド端子から各受光素子に対応する電流回路までの配線長が異なるのが通常の構成となる。したがって、本発明を適用することによって、画質劣化の低減の恩恵をうけることができる画像読取装置を実現できる。   As a result, an image reading apparatus capable of reading a large image can be realized. In addition, since the light receiving elements are arranged in one direction, the normal configuration is that the wiring length from the ground terminal to the current circuit corresponding to each light receiving element is different. Therefore, by applying the present invention, it is possible to realize an image reading apparatus that can benefit from a reduction in image quality degradation.

[適用例6]
本適用例に係る半導体装置は、
画像からの光を受けて光電変換する第1受光素子および第2受光素子と、第1電流回路および第2電流回路と、第1保持部および第2保持部と、を含む第1回路ブロックと、
前記画像からの光を受けて光電変換する第3受光素子および第4受光素子と、第3電流回路および第4電流回路と、第3保持部および第4保持部と、を含む第2回路ブロックと、
を備え、
前記第1電流回路は、前記第1受光素子の出力信号に基づく第1出力信号を前記第1保持部に転送するための第1電流を生成し、
前記第2電流回路は、前記第2受光素子の出力信号に基づく第2出力信号を前記第2保持部に転送するための第2電流を生成し、
前記第3電流回路は、前記第3受光素子の出力信号に基づく第3出力信号を前記第3保持部に転送するための第3電流を生成し、
前記第4電流回路は、前記第4受光素子の出力信号に基づく第4出力信号を前記第4保
持部に転送するための第4電流を生成し、
前記第1保持部は、転送された前記第1出力信号を保持し、
前記第2保持部は、転送された前記第2出力信号を保持し、
前記第3保持部は、転送された前記第3出力信号を保持し、
前記第4保持部は、転送された前記第4出力信号を保持し、
前記第1電流回路および前記第2電流回路は、第1グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第1ゲート電圧を印加する第1ゲート配線に電気的に接続され、
前記第3電流回路および前記第4電流回路は、第2グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第2ゲート電圧を印加する第2ゲート配線に電気的に接続され、
前記第1電流回路と前記第2電流回路との間で前記第1グラウンド配線上に設けられた第1接続点とグラウンド端子と電気的に接続する第3グラウンド配線と、
前記第3電流回路と前記第4電流回路との間で前記第2グラウンド配線上に設けられた第2接続点と前記グラウンド端子と電気的に接続する第4グラウンド配線と、
をさらに備えている、半導体装置である。
[Application Example 6]
The semiconductor device according to this application example is
A first circuit block including a first light receiving element and a second light receiving element that receive light from an image and perform photoelectric conversion, a first current circuit and a second current circuit, and a first holding unit and a second holding unit; ,
A second circuit block including a third light receiving element and a fourth light receiving element that receive light from the image and perform photoelectric conversion, a third current circuit and a fourth current circuit, and a third holding part and a fourth holding part. When,
With
The first current circuit generates a first current for transferring a first output signal based on an output signal of the first light receiving element to the first holding unit,
The second current circuit generates a second current for transferring a second output signal based on the output signal of the second light receiving element to the second holding unit,
The third current circuit generates a third current for transferring a third output signal based on the output signal of the third light receiving element to the third holding unit,
The fourth current circuit generates a fourth current for transferring a fourth output signal based on the output signal of the fourth light receiving element to the fourth holding unit,
The first holding unit holds the transferred first output signal,
The second holding unit holds the transferred second output signal,
The third holding unit holds the transferred third output signal,
The fourth holding unit holds the transferred fourth output signal,
The first current circuit and the second current circuit are electrically connected to a first ground wiring, and are also electrically connected to a first gate wiring for applying a first gate voltage,
The third current circuit and the fourth current circuit are electrically connected to a second ground wiring and electrically connected to a second gate wiring for applying a second gate voltage,
A third ground line electrically connected to a ground terminal and a first connection point provided on the first ground line between the first current circuit and the second current circuit;
A second connection point provided on the second ground wiring between the third current circuit and the fourth current circuit and a fourth ground wiring electrically connected to the ground terminal;
A semiconductor device further comprising:

本適用例によれば、第1回路ブロックおよび第2回路ブロックとグラウンド端子とを1つのグラウンド配線で接続する場合に比べて、各グラウンド配線に流れる電流を小さくすることができるので、各電流回路のグラウンド電位のばらつきを小さくできる。また、第1接続点および第2接続点が各回路ブロック端に設けられている場合に比べて隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路のグラウンド電位が近い値となるので、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路が生成する電流の電流値が近い値となる。これによって、隣り合う回路ブロック間の境界付近の保持部に保持される信号のばらつきを低減できる半導体装置を実現できる。   According to this application example, the current flowing through each ground line can be reduced as compared with the case where the first circuit block and the second circuit block are connected to the ground terminal by one ground line. The variation in ground potential can be reduced. In addition, since the ground potential of the current circuit in the vicinity of the boundary between adjacent circuit blocks is close to that in the case where the first connection point and the second connection point are provided at each circuit block end, the adjacent circuit blocks The current value of the current generated by the current circuit in the vicinity of the boundary becomes a close value. Thus, it is possible to realize a semiconductor device that can reduce variations in signals held in a holding unit near the boundary between adjacent circuit blocks.

本実施形態に係る複合機を示した外観斜視図である。1 is an external perspective view showing a multifunction machine according to an embodiment. スキャナーユニットの内部構造を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the internal structure of the scanner unit. イメージセンサーの構成を模式的に示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of an image sensor typically. 画像読取チップの配置を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically arrangement | positioning of an image reading chip | tip. 画像読取チップのレイアウト構成の概要を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the outline | summary of the layout structure of an image reading chip | tip. 画像読取チップの回路図である。It is a circuit diagram of an image reading chip. 画像読取チップのレイアウト構成を模式的に示す部分平面図である。2 is a partial plan view schematically showing a layout configuration of an image reading chip. FIG. 図8(A)は、電流回路番号と、グラウンド電位Vgndおよび各ゲート電圧との関係を模式的に示すグラフ、図8(B)は、電流回路番号と、各電流回路が生成する電流との関係を模式的に示すグラフである。FIG. 8A is a graph schematically showing the relationship between the current circuit number and the ground potential Vgnd and each gate voltage, and FIG. 8B shows the current circuit number and the current generated by each current circuit. It is a graph which shows a relation typically.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。用いる図面は説明の便宜上のものである。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The drawings used are for convenience of explanation. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

以下、添付した図面を参照して、本発明の画像読取装置を適用した複合機(複合装置)1について説明する。図1は、複合機1を示した外観斜視図である。図1に示すように、複合機1は、装置本体であるプリンターユニット(画像記録装置:第1装置)2と、プリンターユニット2の上部に配設されたアッパーユニットであるスキャナーユニット(画像読取装置:第2装置)3と、を一体に備えている。なお、以下、図1においての前後方向をX軸方向とし、左右方向をY軸方向として説明する。   Hereinafter, a multifunction peripheral (composite apparatus) 1 to which an image reading apparatus of the present invention is applied will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an external perspective view showing the multifunction device 1. As shown in FIG. 1, the multifunction machine 1 includes a printer unit (image recording apparatus: first apparatus) 2 that is an apparatus main body, and a scanner unit (image reading apparatus) that is an upper unit disposed on the printer unit 2. : A second device) 3. In the following description, it is assumed that the front-rear direction in FIG. 1 is the X-axis direction and the left-right direction is the Y-axis direction.

図1に示されるように、プリンターユニット2は、枚葉の記録媒体(印刷用紙や単票紙
)を送り経路に沿って送る搬送部(不図示)と、送り経路の上方に配設され、記録媒体にインクジェット方式で印刷処理を行う印刷部(不図示)と、前面に配設されたパネル形式の操作部63と、搬送部、印刷部および操作部63を搭載した装置フレーム(不図示)と、これらを覆う装置ハウジング65と、を備えている。装置ハウジング65には、印刷を終えた記録媒体が排出される排出口66が設けられている。また、図示省略するが、後面下部には、USBポートおよび電源ポートが配設されている。すなわち、複合機1は、USBポートを介してコンピューター等に接続可能に構成されている。
As shown in FIG. 1, the printer unit 2 is disposed above a feeding path (not shown) that feeds a sheet recording medium (printing paper or cut sheet) along a feeding path, An apparatus frame (not shown) on which a printing unit (not shown) that performs printing processing on a recording medium by an inkjet method, a panel-type operation unit 63 disposed on the front surface, and a transport unit, a printing unit, and an operation unit 63 are mounted. And a device housing 65 covering these. The apparatus housing 65 is provided with a discharge port 66 through which the recording medium after printing is discharged. Although not shown, a USB port and a power supply port are provided at the bottom of the rear surface. That is, the multifunction device 1 is configured to be connectable to a computer or the like via a USB port.

スキャナーユニット3は、後端部のヒンジ部4を介してプリンターユニット2に回動自在に支持されており、プリンターユニット2の上部を開閉自在に覆っている。すなわち、スキャナーユニット3を回動方向に引き上げることで、プリンターユニット2の上面開口部を露出させ、当該上面開口部を介して、プリンターユニット2の内部が露出させる。一方、スキャナーユニット3を回動方向に引き降ろし、プリンターユニット2上に載置することで、スキャナーユニット3によって当該上面開口部を閉塞する。このように、スキャナーユニット3を開放することで、インクカートリッジの交換や紙詰まりの解消等が可能な構成となっている。   The scanner unit 3 is rotatably supported by the printer unit 2 via a hinge 4 at the rear end portion, and covers the upper part of the printer unit 2 so as to be freely opened and closed. That is, by pulling up the scanner unit 3 in the rotation direction, the upper surface opening of the printer unit 2 is exposed, and the inside of the printer unit 2 is exposed through the upper surface opening. On the other hand, the scanner unit 3 is pulled down in the rotation direction and placed on the printer unit 2, so that the scanner unit 3 closes the upper surface opening. As described above, by opening the scanner unit 3, it is possible to replace the ink cartridge, clear a paper jam, and the like.

図2は、スキャナーユニット3の内部構造を示した斜視図である。図1および図2に示されるように、スキャナーユニット3は、筐体であるアッパーフレーム11と、アッパーフレーム11に収容された画像読取部12と、アッパーフレーム11の上部に回動自在に支持された上蓋13と、を備えている。図2に示すように、アッパーフレーム11は、画像読取部12を収容する箱型の下ケース16と、下ケース16の天面を覆う上ケース17と、を備えている。上ケース17には、ガラス製の原稿載置板(原稿台;不図示)が広く配設されており、被読取面を下にした被読取媒体(原稿)をこれに載置する。一方、下ケース16は、上面を開放した浅い箱状に形成されている。   FIG. 2 is a perspective view showing the internal structure of the scanner unit 3. As shown in FIGS. 1 and 2, the scanner unit 3 is rotatably supported on an upper frame 11 that is a housing, an image reading unit 12 housed in the upper frame 11, and an upper portion of the upper frame 11. And an upper lid 13. As shown in FIG. 2, the upper frame 11 includes a box-shaped lower case 16 that houses the image reading unit 12, and an upper case 17 that covers the top surface of the lower case 16. In the upper case 17, a glass document placing plate (document table; not shown) is widely arranged, and a medium to be read (document) with a reading surface facing down is placed thereon. On the other hand, the lower case 16 is formed in a shallow box shape with the upper surface opened.

図2に示されるように、画像読取部12は、ラインセンサー方式のセンサーユニット31と、センサーユニット31を搭載したセンサーキャリッジ32と、Y軸方向に延在し、センサーキャリッジ32をスライド自在に支持するガイド軸33と、センサーキャリッジ32をガイド軸33に沿って移動する自走式のセンサー移動機構34と、を備えている。センサーユニット31は、X軸方向に延在したCMOS(Complementary metal−oxide−semiconductor)ラインセンサーであるイメージセンサー(センサー部)41を有し、モーター駆動のセンサー移動機構34により、ガイド軸33に沿ってY軸方向に往復動する。これにより、原稿載置板上の被読取媒体(原稿)の画像を読み取るようになっている。なお、センサーユニット31は、CCD(Charge Coupled Device)ラインセンサーであってもよい。   As shown in FIG. 2, the image reading unit 12 includes a line sensor type sensor unit 31, a sensor carriage 32 on which the sensor unit 31 is mounted, and extends in the Y-axis direction, and supports the sensor carriage 32 in a slidable manner. And a self-propelled sensor moving mechanism 34 that moves the sensor carriage 32 along the guide shaft 33. The sensor unit 31 includes an image sensor (sensor unit) 41 that is a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) line sensor extending in the X-axis direction, and is moved along the guide shaft 33 by a motor-driven sensor moving mechanism 34. Reciprocate in the Y-axis direction. As a result, the image of the medium to be read (original) on the original placement plate is read. The sensor unit 31 may be a CCD (Charge Coupled Device) line sensor.

図3は、イメージセンサー41の構成を模式的に示す分解斜視図である。図3に示される例では、イメージセンサー41は、ケース411、光源412、レンズ413、モジュール基板414および画像を読み取るための画像読取チップ415(半導体装置)を含んで構成されている。光源412、レンズ413および画像読取チップ415は、ケース411とモジュール基板414との間に収容されている。ケース411にはスリットが設けられている。光源412が発する光は当該スリットを介して被読取媒体へ照射され、被読取媒体からの反射光は当該スリットを介してレンズ413に入力される。レンズ413は、入力された光を画像読取チップ415へと導く。   FIG. 3 is an exploded perspective view schematically showing the configuration of the image sensor 41. In the example shown in FIG. 3, the image sensor 41 includes a case 411, a light source 412, a lens 413, a module substrate 414, and an image reading chip 415 (semiconductor device) for reading an image. The light source 412, the lens 413, and the image reading chip 415 are accommodated between the case 411 and the module substrate 414. The case 411 is provided with a slit. Light emitted from the light source 412 is applied to the read medium through the slit, and reflected light from the read medium is input to the lens 413 through the slit. The lens 413 guides the input light to the image reading chip 415.

図4は、画像読取チップ415の配置を模式的に示す平面図である。図4に示されるように、複数の画像読取チップ415が、モジュール基板414上に1次元方向(図4においてはX軸方向)に並べて配置されている。これによって、大きな画像も読み取り可能なスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。   FIG. 4 is a plan view schematically showing the arrangement of the image reading chip 415. As shown in FIG. 4, a plurality of image reading chips 415 are arranged on the module substrate 414 in a one-dimensional direction (X-axis direction in FIG. 4). Thereby, the scanner unit 3 (image reading apparatus) capable of reading a large image can be realized.

図5は、画像読取チップ415のレイアウト構成の概要を模式的に示す平面図である。図5に示される例では、画像読取チップ415は、半導体基板4150上に、画像からの光を受けて光電変換する複数の受光素子416と、受光素子416が光電変換して生成した信号から画像に応じた信号である画像読取信号を生成する信号変換部417と、を有している。本実施形態における受光素子416は、フォトダイオードで構成されている。画像読取信号は、アナログ信号であってもデジタルデータ信号であってもよい。信号変換部417は、それぞれの受光素子416からの信号に基づく画像読取信号をシリアルに出力してもよい。   FIG. 5 is a plan view schematically showing an outline of the layout configuration of the image reading chip 415. In the example illustrated in FIG. 5, the image reading chip 415 includes, on a semiconductor substrate 4150, a plurality of light receiving elements 416 that receive light from an image and perform photoelectric conversion, and an image from a signal generated by photoelectric conversion by the light receiving element 416. And a signal conversion unit 417 that generates an image reading signal that is a signal corresponding to the signal. The light receiving element 416 in the present embodiment is configured by a photodiode. The image reading signal may be an analog signal or a digital data signal. The signal conversion unit 417 may serially output an image reading signal based on the signal from each light receiving element 416.

図5に示されるように、画像読取チップ415は、1次元方向(図5ではX軸方向)に並んで位置する複数の受光素子416を有している。これによって、大きな画像も読み取り可能なスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。   As shown in FIG. 5, the image reading chip 415 includes a plurality of light receiving elements 416 positioned side by side in a one-dimensional direction (X-axis direction in FIG. 5). Thereby, the scanner unit 3 (image reading apparatus) capable of reading a large image can be realized.

図6は、画像読取チップ415の回路図である。図7は、画像読取チップ415のレイアウト構成を模式的に示す部分平面図である。   FIG. 6 is a circuit diagram of the image reading chip 415. FIG. 7 is a partial plan view schematically showing the layout configuration of the image reading chip 415.

図6に示される画像読取チップ415は、受光素子416としての第1受光素子PD1および第2受光素子PD2と、第1電流回路(トランジスターM31)および第2電流回路(トランジスターM32)と、第1保持部C1および第2保持部C2と、を含む第1回路ブロック510と、受光素子416としての第3受光素子PD3および第4受光素子PD4と、第3電流回路(トランジスターM33)および第4電流回路(トランジスターM34)と、第3保持部C3および第4保持部C4と、を含む第2回路ブロック520と、読み出し部530と、制御回路540と、を備えている。第1電流回路(トランジスターM31)、第1保持部C1、第2電流回路(トランジスターM32)、第2保持部C2、第3電流回路(トランジスターM33)、第3保持部C3、第4電流回路(トランジスターM34)、第4保持部C4、読み出し部530および制御回路540は、上述の信号変換部417の一部として構成されている。   The image reading chip 415 shown in FIG. 6 includes a first light receiving element PD1 and a second light receiving element PD2 as the light receiving element 416, a first current circuit (transistor M31) and a second current circuit (transistor M32), The first circuit block 510 including the holding unit C1 and the second holding unit C2, the third light receiving element PD3 and the fourth light receiving element PD4 as the light receiving element 416, the third current circuit (transistor M33) and the fourth current A second circuit block 520 including a circuit (transistor M34), a third holding unit C3 and a fourth holding unit C4, a reading unit 530, and a control circuit 540 are provided. First current circuit (transistor M31), first holding unit C1, second current circuit (transistor M32), second holding unit C2, third current circuit (transistor M33), third holding unit C3, fourth current circuit ( The transistor M34), the fourth holding unit C4, the reading unit 530, and the control circuit 540 are configured as a part of the signal conversion unit 417 described above.

第1受光素子PD1のアノードは接地電位に接続され、カソードはトランジスターM11のソースとトランジスターM21のゲートに接続されている。トランジスターM21のソースは、スイッチSW11を介して第1保持部C1の第1端子に接続されているとともに、スイッチSW21を介して第1電流回路(トランジスターM31)の第1端子に接続されている。   The anode of the first light receiving element PD1 is connected to the ground potential, and the cathode is connected to the source of the transistor M11 and the gate of the transistor M21. The source of the transistor M21 is connected to the first terminal of the first holding unit C1 through the switch SW11, and is connected to the first terminal of the first current circuit (transistor M31) through the switch SW21.

第2受光素子PD2のアノードは接地電位に接続され、カソードはトランジスターM12のソースとトランジスターM22のゲートに接続されている。トランジスターM22のソースは、スイッチSW12を介して第2保持部C2の第1端子に接続されているとともに、スイッチSW22を介して第2電流回路(トランジスターM32)の第1端子に接続されている。   The anode of the second light receiving element PD2 is connected to the ground potential, and the cathode is connected to the source of the transistor M12 and the gate of the transistor M22. The source of the transistor M22 is connected to the first terminal of the second holding unit C2 via the switch SW12, and is connected to the first terminal of the second current circuit (transistor M32) via the switch SW22.

第3受光素子PD3のアノードは接地電位に接続され、カソードはトランジスターM13のソースとトランジスターM23のゲートに接続されている。トランジスターM23のソースは、スイッチSW13を介して第3保持部C3の第1端子に接続されているとともに、スイッチSW23を介して第3電流回路(トランジスターM33)の第1端子に接続されている。   The anode of the third light receiving element PD3 is connected to the ground potential, and the cathode is connected to the source of the transistor M13 and the gate of the transistor M23. The source of the transistor M23 is connected to the first terminal of the third holding unit C3 via the switch SW13, and is connected to the first terminal of the third current circuit (transistor M33) via the switch SW23.

第4受光素子PD4のアノードは接地電位に接続され、カソードはトランジスターM14のソースとトランジスターM24のゲートに接続されている。トランジスターM24のソースは、スイッチSW14を介して第4保持部C4の第1端子に接続されているととも
に、スイッチSW24を介して第4電流回路(トランジスターM34)の第1端子に接続されている。
The anode of the fourth light receiving element PD4 is connected to the ground potential, and the cathode is connected to the source of the transistor M14 and the gate of the transistor M24. The source of the transistor M24 is connected to the first terminal of the fourth holding unit C4 via the switch SW14, and is connected to the first terminal of the fourth current circuit (transistor M34) via the switch SW24.

第1電流回路(トランジスターM31)は、第1受光素子PD1の出力信号に基づく第1出力信号を第1保持部C1に転送するための第1電流を生成する。第1電流は、第1受光素子PD1の出力信号を電圧増幅するトランジスターM21を駆動する。図6に示される例では、第1電流回路(トランジスターM31)は、電流源Ir1と同等の電流を生成するカレントミラー回路として構成されている。   The first current circuit (transistor M31) generates a first current for transferring a first output signal based on the output signal of the first light receiving element PD1 to the first holding unit C1. The first current drives the transistor M21 that amplifies the output signal of the first light receiving element PD1. In the example shown in FIG. 6, the first current circuit (transistor M31) is configured as a current mirror circuit that generates a current equivalent to that of the current source Ir1.

第2電流回路(トランジスターM32)は、第2受光素子PD2の出力信号に基づく第2出力信号を第2保持部C2に転送するための第2電流を生成する。第2電流は、第2受光素子PD2の出力信号を電圧増幅するトランジスターM22を駆動する。図6に示される例では、第2電流回路(トランジスターM32)は、電流源Ir1の電流と同等の電流を生成するカレントミラー回路として構成されている。   The second current circuit (transistor M32) generates a second current for transferring a second output signal based on the output signal of the second light receiving element PD2 to the second holding unit C2. The second current drives the transistor M22 that amplifies the voltage of the output signal of the second light receiving element PD2. In the example shown in FIG. 6, the second current circuit (transistor M32) is configured as a current mirror circuit that generates a current equivalent to the current of the current source Ir1.

第1電流回路(トランジスターM31)および第2電流回路(トランジスターM32)は、第1ゲート電圧Vg1を印加する第1ゲート配線Wg1に電気的に接続されている。図6に示される例では、第1ゲート配線Wg1は、トランジスターM1のゲートおよびドレインと、トランジスターM31のゲートと、トランジスターM32のゲートと、に電気的に接続されている。   The first current circuit (transistor M31) and the second current circuit (transistor M32) are electrically connected to the first gate wiring Wg1 to which the first gate voltage Vg1 is applied. In the example shown in FIG. 6, the first gate wiring Wg1 is electrically connected to the gate and drain of the transistor M1, the gate of the transistor M31, and the gate of the transistor M32.

第1電流回路(トランジスターM31)および第2電流回路(トランジスターM32)は、第1グラウンド配線W1に電気的に接続されている。図6に示される例では、第1グラウンド配線W1は、トランジスターM1のソースと、トランジスターM31のソースと、トランジスターM32のソースと、に電気的に接続されている。   The first current circuit (transistor M31) and the second current circuit (transistor M32) are electrically connected to the first ground wiring W1. In the example shown in FIG. 6, the first ground wiring W1 is electrically connected to the source of the transistor M1, the source of the transistor M31, and the source of the transistor M32.

第3電流回路(トランジスターM33)は、第3受光素子PD3の出力信号に基づく第3出力信号を第3保持部C3に転送するための第3電流を生成する。第3電流は、第3受光素子PD3の出力信号を電圧増幅するトランジスターM23を駆動する。図6に示される例では、第3電流回路(トランジスターM33)は、電流源Ir2電流と同等の電流を生成するカレントミラー回路として構成されている。   The third current circuit (transistor M33) generates a third current for transferring a third output signal based on the output signal of the third light receiving element PD3 to the third holding unit C3. The third current drives the transistor M23 that amplifies the voltage of the output signal of the third light receiving element PD3. In the example shown in FIG. 6, the third current circuit (transistor M33) is configured as a current mirror circuit that generates a current equivalent to the current source Ir2 current.

第4電流回路(トランジスターM34)は、第4受光素子PD4の出力信号に基づく第4出力信号を第4保持部C4に転送するための第4電流を生成する。第4電流は、第4受光素子PD4の出力信号を電圧増幅するトランジスターM24を駆動する。図6に示される例では、第4電流回路(トランジスターM34)は、電流源Ir2の電流と同等の電流を生成するカレントミラー回路として構成されている。   The fourth current circuit (transistor M34) generates a fourth current for transferring the fourth output signal based on the output signal of the fourth light receiving element PD4 to the fourth holding unit C4. The fourth current drives the transistor M24 that amplifies the output signal of the fourth light receiving element PD4. In the example shown in FIG. 6, the fourth current circuit (transistor M34) is configured as a current mirror circuit that generates a current equivalent to the current of the current source Ir2.

第3電流回路(トランジスターM33)および第4電流回路(トランジスターM34)は、第2ゲート電圧Vg2を印加する第2ゲート配線Wg2に電気的に接続されている。図6に示される例では、第2ゲート配線Wg2は、トランジスターM2のゲートおよびドレインと、トランジスターM33のゲートと、トランジスターM34のゲートと、に電気的に接続されている。   The third current circuit (transistor M33) and the fourth current circuit (transistor M34) are electrically connected to the second gate wiring Wg2 to which the second gate voltage Vg2 is applied. In the example shown in FIG. 6, the second gate wiring Wg2 is electrically connected to the gate and drain of the transistor M2, the gate of the transistor M33, and the gate of the transistor M34.

第3電流回路(トランジスターM33)および第4電流回路(トランジスターM34)は、第2グラウンド配線W2に電気的に接続されている。図6に示される例では、第2グラウンド配線W2は、トランジスターM2のソースと、トランジスターM33のソースと、トランジスターM33のソースと、に電気的に接続されている。   The third current circuit (transistor M33) and the fourth current circuit (transistor M34) are electrically connected to the second ground wiring W2. In the example shown in FIG. 6, the second ground wiring W2 is electrically connected to the source of the transistor M2, the source of the transistor M33, and the source of the transistor M33.

第1保持部C1は、転送された第1出力信号を保持する。第2保持部C2は、転送され
た第2出力信号を保持する。第3保持部C3は、転送された第3出力信号を保持する。第4保持部C4は、転送された第4出力信号を保持する。本実施形態においては、第1保持部C1、第2保持部C2、第3保持部C3および第4保持部C4は、それぞれコンデンサーで構成されている。また、第1保持部C1、第2保持部C2、第3保持部C3および第4保持部C4は、全体としてラインメモリーを構成している。
The first holding unit C1 holds the transferred first output signal. The second holding unit C2 holds the transferred second output signal. The third holding unit C3 holds the transferred third output signal. The fourth holding unit C4 holds the transferred fourth output signal. In the present embodiment, the first holding unit C1, the second holding unit C2, the third holding unit C3, and the fourth holding unit C4 are each configured by a capacitor. The first holding unit C1, the second holding unit C2, the third holding unit C3, and the fourth holding unit C4 constitute a line memory as a whole.

図6および図7に示されるように、本実施形態の画像読取チップ415は、第3グラウンド配線W3と、第4グラウンド配線W4をさらに備えている。第3グラウンド配線W3は、第1電流回路(トランジスターM31)と第2電流回路(トランジスターM32)との間で第1グラウンド配線W1上に設けられた第1接続点Wx1とグラウンド端子GNDと電気的に接続する。第4グラウンド配線W4は、第3電流回路(トランジスターM33)と第4電流回路(トランジスターM34)との間で第2グラウンド配線W2上に設けられた第2接続点Wx2とグラウンド端子GNDと電気的に接続する。   As shown in FIGS. 6 and 7, the image reading chip 415 of the present embodiment further includes a third ground wiring W3 and a fourth ground wiring W4. The third ground line W3 is electrically connected to the first connection point Wx1 and the ground terminal GND provided on the first ground line W1 between the first current circuit (transistor M31) and the second current circuit (transistor M32). Connect to. The fourth ground wiring W4 is electrically connected to the second connection point Wx2 and the ground terminal GND provided on the second ground wiring W2 between the third current circuit (transistor M33) and the fourth current circuit (transistor M34). Connect to.

上述の例では、各回路ブロックに含まれる受光素子416および電流回路の数は2つずつであるが、3つ以上であってもよい。また、回路ブロックごとに受光素子416および電流回路の数が異なっていてもよい。また、上述の例では、回路ブロックの数は2つであるが、3つ以上であってもよい。   In the above example, the number of light receiving elements 416 and current circuits included in each circuit block is two, but may be three or more. Further, the number of the light receiving elements 416 and the current circuits may be different for each circuit block. In the above example, the number of circuit blocks is two, but may be three or more.

図8(A)は、電流回路番号と、グラウンド電位Vgndおよび各ゲート電圧との関係を模式的に示すグラフ、図8(B)は、電流回路番号と、各電流回路が生成する電流との関係を模式的に示すグラフである。図8(A)の横軸は電流回路番号、縦軸はグラウンド電位Vgnd、第1ゲート電圧Vg1および第2ゲート電圧Vg2の電圧値を表す。図8(B)の横軸は電流回路番号、縦軸は各電流回路が生成する電流の電流値を表す。   FIG. 8A is a graph schematically showing the relationship between the current circuit number and the ground potential Vgnd and each gate voltage, and FIG. 8B shows the current circuit number and the current generated by each current circuit. It is a graph which shows a relation typically. In FIG. 8A, the horizontal axis represents the current circuit number, and the vertical axis represents the ground potential Vgnd, the first gate voltage Vg1, and the second gate voltage Vg2. In FIG. 8B, the horizontal axis represents the current circuit number, and the vertical axis represents the current value of the current generated by each current circuit.

電流回路番号は、第1電流回路、第2電流回路、第3電流回路および第4電流回路を含む各電流回路に割り当てられた番号である。図5に示されるように、受光素子416は、一方向に並んで配置されており、各電流回路は受光素子416に対応するように備えられているので、例えば、X軸方向の左から右に向かって大きくなる番号を電流回路番号として割り当てる。   The current circuit number is a number assigned to each current circuit including the first current circuit, the second current circuit, the third current circuit, and the fourth current circuit. As shown in FIG. 5, the light receiving elements 416 are arranged side by side in one direction, and each current circuit is provided so as to correspond to the light receiving element 416. For example, the left to right in the X-axis direction is provided. A number that increases toward is assigned as a current circuit number.

図8(A)および図8(B)に示される例では、第1回路ブロック510および第2回路ブロック520には、3つ以上の受光素子416と、これに対応する電流回路と、が含まれる場合について示されている。   In the example shown in FIGS. 8A and 8B, the first circuit block 510 and the second circuit block 520 include three or more light receiving elements 416 and current circuits corresponding thereto. The case is shown.

グラウンド端子GNDから各電流回路までの配線長が長くなるほど、グラウンド配線の抵抗成分によって、グラウンド電位Vgndは上昇する。図8(A)に示されるように、第1接続点Wx1のある第1回路ブロック510の中央付近および第2接続点Wx2のある第2回路ブロック520の中央付近のグラウンド電位Vgndは低く、第1接続点Wx1および第2接続点Wx2から離れた電流回路のグラウンド電位Vgndは高くなる。   As the wiring length from the ground terminal GND to each current circuit becomes longer, the ground potential Vgnd increases due to the resistance component of the ground wiring. As shown in FIG. 8A, the ground potential Vgnd near the center of the first circuit block 510 having the first connection point Wx1 and near the center of the second circuit block 520 having the second connection point Wx2 is low. The ground potential Vgnd of the current circuit away from the first connection point Wx1 and the second connection point Wx2 becomes high.

各電流回路で生成される電流の電流値は、チャネル長変調効果を無視すると、(ゲート電圧−グラウンド電位Vgnd−トランジスターのしきい値電圧Vth)に比例するので、(ゲート電圧−グラウンド電位Vgnd)のばらつきを小さくすることによって、電流値のばらつきを小さくすることができる。本実施形態では、上述の構成によって、図8(B)に示されるように、第1回路ブロック510と第2回路ブロック520との境界付近での各電流回路(第1接続点Wx1および第2接続点Wx2から離れた電流回路)で生成される電流の電流値のばらつきを小さくすることができる。 If the channel length modulation effect is ignored, the current value of the current generated in each current circuit is proportional to (gate voltage−ground potential Vgnd−transistor threshold voltage Vth) 2 , so (gate voltage−ground potential Vgnd). ) Can be reduced, the current value can be reduced. In the present embodiment, as shown in FIG. 8B, each current circuit (the first connection point Wx1 and the second connection point) near the boundary between the first circuit block 510 and the second circuit block 520 has the above-described configuration. Variation in the current value of the current generated in the current circuit separated from the connection point Wx2 can be reduced.

本実施形態によれば、第1回路ブロック510および第2回路ブロック520とグラウ
ンド端子GNDとを1つのグラウンド配線で接続する場合に比べて、各グラウンド配線に流れる電流を小さくすることができるので、各電流回路のグラウンド電位Vgndのばらつきを小さくできる。また、第1接続点Wx1および第2接続点Wx2が各回路ブロック端に設けられている場合に比べて、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路のグラウンド電位Vgndが近い値となるので、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路が生成する電流の電流値が近い値となる。これによって、隣り合う回路ブロック間の境界付近の保持部に保持される信号のばらつきを低減できる。したがって、隣り合う回路ブロック間の境界付近での急激な感度差が低減できるので、画質劣化を低減できる画像読取チップ415(半導体装置)を実現できる。したがって、画質劣化を低減できるスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。
According to the present embodiment, since the first circuit block 510 and the second circuit block 520 and the ground terminal GND are connected by one ground wiring, the current flowing through each ground wiring can be reduced. Variations in the ground potential Vgnd of each current circuit can be reduced. In addition, since the first connection point Wx1 and the second connection point Wx2 are provided at the end of each circuit block, the ground potential Vgnd of the current circuit near the boundary between adjacent circuit blocks becomes a close value. The current value of the current generated by the current circuit near the boundary between adjacent circuit blocks becomes a close value. As a result, variation in signals held in the holding unit near the boundary between adjacent circuit blocks can be reduced. Therefore, since a rapid difference in sensitivity near the boundary between adjacent circuit blocks can be reduced, an image reading chip 415 (semiconductor device) that can reduce image quality deterioration can be realized. Therefore, it is possible to realize the scanner unit 3 (image reading apparatus) that can reduce image quality deterioration.

図6および図7に示されるように、本実施形態においては、第1電流回路(トランジスターM31)は、第1回路ブロック510の第1端部(図6および図7における左端部)に位置し、第2電流回路(トランジスターM32)は、第1回路ブロック510の第2端部(図6および図7における右端部)に位置している。また、第3電流回路(トランジスターM33)は、第2回路ブロック520の第1端部(図6および図7における左端部)に位置し、第4電流回路(トランジスターM34)は、第2回路ブロック520の第2端部(図6および図7における右端部)に位置している。   As shown in FIGS. 6 and 7, in the present embodiment, the first current circuit (transistor M31) is located at the first end of the first circuit block 510 (the left end in FIGS. 6 and 7). The second current circuit (transistor M32) is located at the second end of the first circuit block 510 (the right end in FIGS. 6 and 7). The third current circuit (transistor M33) is located at the first end (the left end in FIGS. 6 and 7) of the second circuit block 520, and the fourth current circuit (transistor M34) is the second circuit block. It is located at the second end of 520 (the right end in FIGS. 6 and 7).

図7に示されるように、本実施形態においては、第1グラウンド配線W1の、第1接続点Wx1から第1電流回路(トランジスターM31)までの配線長は、第1接続点Wx1から第2電流回路(トランジスターM32)までの配線長と等しく、第2グラウンド配線W2の、第2接続点Wx2から第3電流回路(トランジスターM33)までの配線長は、第2接続点Wx2から第4電流回路(トランジスターM34)までの配線長と等しい。   As shown in FIG. 7, in the present embodiment, the wiring length from the first connection point Wx1 to the first current circuit (transistor M31) of the first ground wiring W1 is the second current from the first connection point Wx1. The wiring length from the second connection point Wx2 to the third current circuit (transistor M33) of the second ground wiring W2 is equal to the wiring length to the circuit (transistor M32). It is equal to the wiring length to the transistor M34).

本実施形態によれば、第1接続点Wx1が第1電流回路(トランジスターM31)と第2電流回路(トランジスターM32)との間の中央にあり、第2接続点Wx2が第3電流回路(トランジスターM33)と第4電流回路(トランジスターM34)との間の中央にあることによって、第1電流回路(トランジスターM31)と第2電流回路(トランジスターM32)とのグラウンド電位Vgndを等しくし、第3電流回路(トランジスターM33)と第4電流回路(トランジスターM34)とのグラウンド電位Vgndを等しくできるので、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路のグラウンド電位Vgndがさらに近い値となり、隣り合う回路ブロック間の境界付近の電流回路が生成する電流の電流値がさらに近い値となる。これによって、隣り合う回路ブロック間の境界付近の保持部に保持される信号のばらつきをさらに低減できる。したがって、隣り合う回路ブロック間の境界付近での急激な感度差が低減できる画像読取チップ415(半導体装置)を実現できる。したがって、画質劣化を低減できるスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。   According to this embodiment, the first connection point Wx1 is in the center between the first current circuit (transistor M31) and the second current circuit (transistor M32), and the second connection point Wx2 is the third current circuit (transistor). M33) and the fourth current circuit (transistor M34), the ground potential Vgnd of the first current circuit (transistor M31) and the second current circuit (transistor M32) is made equal, and the third current Since the ground potential Vgnd of the circuit (transistor M33) and the fourth current circuit (transistor M34) can be made equal, the ground potential Vgnd of the current circuit in the vicinity of the boundary between adjacent circuit blocks becomes a closer value, and between adjacent circuit blocks The current value of the current generated by the current circuit near the boundary is even closer. As a result, it is possible to further reduce the variation in the signal held in the holding unit near the boundary between adjacent circuit blocks. Therefore, it is possible to realize the image reading chip 415 (semiconductor device) that can reduce a sudden difference in sensitivity near the boundary between adjacent circuit blocks. Therefore, it is possible to realize the scanner unit 3 (image reading apparatus) that can reduce image quality deterioration.

本実施形態において、第1ゲート電圧Vg1と第2ゲート電圧Vg2とは、電圧値が異なる。図7に示されるように、トランジスターM1のソースからグラウンド端子GNDまでの配線長と、トランジスターM2のソースからグラウンド端子GNDまでの配線長とが異なるので、トランジスターM1とトランジスターM2とのグラウンド電位Vgndは互いに異なる。その結果、第1ゲート電圧Vg1の電圧値と第2ゲート電圧Vg2の電圧値とが異なっている。   In the present embodiment, the first gate voltage Vg1 and the second gate voltage Vg2 have different voltage values. As shown in FIG. 7, since the wiring length from the source of the transistor M1 to the ground terminal GND is different from the wiring length from the source of the transistor M2 to the ground terminal GND, the ground potential Vgnd between the transistor M1 and the transistor M2 is Different from each other. As a result, the voltage value of the first gate voltage Vg1 is different from the voltage value of the second gate voltage Vg2.

本実施形態によれば、第1回路ブロック510と第2回路ブロック520との間で、グラウンド端子GNDからの配線長が異なって、グラウンド電位Vgndが異なる場合においても、回路ブロックごとに電流回路に供給されるゲート電圧が異なるので、第1電流回路(トランジスターM31)、第2電流回路(トランジスターM32)第3電流回路(ト
ランジスターM33)および第4電流回路(トランジスターM34)で生成される電流のばらつきを低減できる。これによって、第1保持部C1、第2保持部C2、第3保持部C3および第4保持部C4に保持される信号のばらつきを低減できる画像読取チップ415(半導体装置)を実現できる。したがって、画質劣化を低減できるスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。
According to the present embodiment, even when the wiring length from the ground terminal GND is different between the first circuit block 510 and the second circuit block 520 and the ground potential Vgnd is different, each circuit block has a current circuit. Since the supplied gate voltages are different, variations in currents generated in the first current circuit (transistor M31), the second current circuit (transistor M32), the third current circuit (transistor M33), and the fourth current circuit (transistor M34) Can be reduced. Thereby, it is possible to realize an image reading chip 415 (semiconductor device) that can reduce variations in signals held in the first holding unit C1, the second holding unit C2, the third holding unit C3, and the fourth holding unit C4. Therefore, it is possible to realize the scanner unit 3 (image reading apparatus) that can reduce image quality deterioration.

本実施形態において、第3グラウンド配線W3の配線長は、第4グラウンド配線W4の配線長よりも長く、第1ゲート電圧Vg1は、第2ゲート電圧Vg2よりも高い電圧値である。   In the present embodiment, the wiring length of the third ground wiring W3 is longer than the wiring length of the fourth ground wiring W4, and the first gate voltage Vg1 is higher than the second gate voltage Vg2.

グラウンド端子GNDから各電流回路までの配線長が長くなるほど、グラウンド配線の抵抗成分によって、グラウンド電位Vgndは上昇する。各電流回路で生成される電流の電流値は、(ゲート電圧−グラウンド電位Vgnd−トランジスターのしきい値電圧Vth)に比例するので、(ゲート電圧−グラウンド電位Vgnd)のばらつきを小さくすることによって、電流値のばらつきを小さくすることができる。そこで、図8(A)に示されるように、第1ゲート電圧Vg1を第2ゲート電圧Vg2よりも高い電圧値とする。これによって、図8(B)に示されるように、第1回路ブロック510と第2回路ブロック520との間での、各電流回路で生成される電流の電流値のばらつきを小さくすることができる。 As the wiring length from the ground terminal GND to each current circuit becomes longer, the ground potential Vgnd increases due to the resistance component of the ground wiring. Since the current value of the current generated in each current circuit is proportional to (gate voltage−ground potential Vgnd−transistor threshold voltage Vth) 2 , the variation in (gate voltage−ground potential Vgnd) is reduced. The variation in current value can be reduced. Therefore, as shown in FIG. 8A, the first gate voltage Vg1 is set to a voltage value higher than the second gate voltage Vg2. As a result, as shown in FIG. 8B, the variation in the current value of the current generated in each current circuit between the first circuit block 510 and the second circuit block 520 can be reduced. .

本実施形態によれば、グラウンド端子GNDからの配線長が長くなるほどグラウンド電位Vgndが高くなるので、ゲート電圧も高くすることによって、第1回路ブロック510と第2回路ブロック520との間で、各電流回路が生成する電流の電流値のばらつきを低減できる。これによって、第1保持部C1、第2保持部C2、第3保持部C3および第4保持部C4に保持される信号のばらつきを低減できる。したがって、画質劣化を低減できる画像読取チップ415(半導体装置)を実現できる。したがって、画質劣化を低減できるスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。   According to this embodiment, the longer the wiring length from the ground terminal GND, the higher the ground potential Vgnd. Therefore, by increasing the gate voltage, each of the first circuit block 510 and the second circuit block 520 Variation in the current value of the current generated by the current circuit can be reduced. As a result, variations in signals held in the first holding unit C1, the second holding unit C2, the third holding unit C3, and the fourth holding unit C4 can be reduced. Therefore, an image reading chip 415 (semiconductor device) that can reduce image quality deterioration can be realized. Therefore, it is possible to realize the scanner unit 3 (image reading apparatus) that can reduce image quality deterioration.

上述したように、本実施形態の画像読取チップ415は、第1受光素子PD1、第2受光素子PD2、第3受光素子PD3および第4受光素子PD4を含む複数の受光素子416を有し、図5に示されるように、複数の受光素子416は、一方向に並んで位置している。図5に示される例では、受光素子416は、X軸方向に並んで位置している。   As described above, the image reading chip 415 of the present embodiment includes the plurality of light receiving elements 416 including the first light receiving element PD1, the second light receiving element PD2, the third light receiving element PD3, and the fourth light receiving element PD4. As shown in FIG. 5, the plurality of light receiving elements 416 are arranged side by side in one direction. In the example shown in FIG. 5, the light receiving elements 416 are positioned side by side in the X-axis direction.

本実施形態によれば、受光素子416が一方向に並んでいるので、グラウンド端子GNDから各受光素子416に対応する電流回路までの配線長が異なるのが通常の構成となる。したがって、本発明を適用することによって、画質劣化の低減の恩恵をうけることができるスキャナーユニット3(画像読取装置)を実現できる。   According to the present embodiment, since the light receiving elements 416 are arranged in one direction, the normal configuration is that the wiring length from the ground terminal GND to the current circuit corresponding to each light receiving element 416 is different. Therefore, by applying the present invention, it is possible to realize a scanner unit 3 (image reading apparatus) that can benefit from reduction in image quality degradation.

読み出し部530は、順次、第1保持部C1から第1出力信号を読み出し、第2保持部C2から第2出力信号を読み出し、第3保持部C3から第3出力信号を読み出し、第4保持部C4から第4出力信号を読み出す。   The reading unit 530 sequentially reads the first output signal from the first holding unit C1, reads the second output signal from the second holding unit C2, reads the third output signal from the third holding unit C3, and the fourth holding unit. Read the fourth output signal from C4.

制御回路540は、各スイッチと、トランジスターM11、トランジスターM12、トランジスターM13およびトランジスターM14を制御する。制御回路540による制御例を以下に説明する。   The control circuit 540 controls each switch and the transistor M11, the transistor M12, the transistor M13, and the transistor M14. An example of control by the control circuit 540 will be described below.

制御回路540は、まず、トランジスターM11、トランジスターM12、トランジスターM13およびトランジスターM14を第1所定時間だけONにして、第1受光素子PD1、第2受光素子PD2、第3受光素子PD3および第4受光素子PD4のカソードを電源電位に制御する。   First, the control circuit 540 turns on the transistor M11, the transistor M12, the transistor M13, and the transistor M14 for a first predetermined time period, and sets the first light receiving element PD1, the second light receiving element PD2, the third light receiving element PD3, and the fourth light receiving element. The cathode of PD4 is controlled to the power supply potential.

第1所定時間を経過した後に、第1受光素子PD1、第2受光素子PD2、第3受光素子PD3および第4受光素子PD4が第2所定時間だけ受光し、光量に応じた電荷をトランジスターM21、トランジスターM22、トランジスターM23およびトランジスターM24のそれぞれのゲートで電圧に変換する。   After the first predetermined time has elapsed, the first light receiving element PD1, the second light receiving element PD2, the third light receiving element PD3, and the fourth light receiving element PD4 receive light for the second predetermined time, and charge corresponding to the amount of light is transmitted to the transistor M21, The voltage is converted into voltage at each gate of the transistor M22, the transistor M23, and the transistor M24.

第2所定時間を経過した後に、制御回路540は、スイッチSW11、スイッチSW12、スイッチSW13、スイッチSW14、スイッチSW21、スイッチSW22、スイッチSW23およびスイッチSW24をONにする。これによって、トランジスターM21〜M24がソースフォロア回路として動作し、第1受光素子PD1の受光量に応じた出力信号に基づく第1出力信号を第1保持部C1に転送し、第2受光素子PD2の受光量に応じた出力信号に基づく第2出力信号を第2保持部C2に転送し、第3受光素子PD3の受光量に応じた出力信号に基づく第3出力信号を第3保持部C3に転送し、第4受光素子PD4の受光量に応じた出力信号に基づく第4出力信号を第4保持部C4に転送する。   After the second predetermined time has elapsed, the control circuit 540 turns on the switch SW11, the switch SW12, the switch SW13, the switch SW14, the switch SW21, the switch SW22, the switch SW23, and the switch SW24. As a result, the transistors M21 to M24 operate as a source follower circuit, transfer the first output signal based on the output signal corresponding to the amount of light received by the first light receiving element PD1 to the first holding unit C1, and the second light receiving element PD2 The second output signal based on the output signal corresponding to the amount of received light is transferred to the second holding unit C2, and the third output signal based on the output signal corresponding to the amount of received light of the third light receiving element PD3 is transferred to the third holding unit C3 Then, a fourth output signal based on the output signal corresponding to the amount of light received by the fourth light receiving element PD4 is transferred to the fourth holding unit C4.

その後に、制御回路540は、スイッチSW11、スイッチSW12、スイッチSW13、スイッチSW14、スイッチSW21、スイッチSW22、スイッチSW23およびスイッチSW24をOFFにする。   Thereafter, the control circuit 540 turns off the switch SW11, the switch SW12, the switch SW13, the switch SW14, the switch SW21, the switch SW22, the switch SW23, and the switch SW24.

その後に、制御回路540は、読み出し部530に制御信号を出力し、読み出し部530が第1保持部C1に保持された第1出力信号、第2保持部C2に保持された第2出力信号、第3保持部C3に保持された第3出力信号および第4保持部C4に保持された第4出力信号を順次端子OUTに出力する。   Thereafter, the control circuit 540 outputs a control signal to the reading unit 530, and the reading unit 530 receives the first output signal held in the first holding unit C1, the second output signal held in the second holding unit C2, The third output signal held in the third holding unit C3 and the fourth output signal held in the fourth holding unit C4 are sequentially output to the terminal OUT.

以上、本実施形態あるいは変形例について説明したが、本発明はこれら本実施形態あるいは変形例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施することが可能である。   As mentioned above, although this embodiment or the modification was demonstrated, this invention is not limited to these this embodiment or a modification, It is possible to implement in a various aspect in the range which does not deviate from the summary.

本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that achieves the same effect as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. In addition, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

1…複合機、2…プリンターユニット、3…スキャナーユニット、4…ヒンジ部、11…アッパーフレーム、12…画像読取部、13…上蓋、16…下ケース、17…上ケース、31…センサーユニット、32…センサーキャリッジ、33…ガイド軸、34…センサー移動機構、41…イメージセンサー、63…操作部、65…装置ハウジング、66…排出口、411…ケース、412…光源、413…レンズ、414…モジュール基板、415…画像読取チップ、416…受光素子、417…信号変換部、510…第1回路ブロック、520…第2回路ブロック、530…読み出し部、540…制御回路、C1…第1保持部、C2…第2保持部、C3…第3保持部、C4…第4保持部、GND…グラウンド端子、Ir1,Ir2…電流源、M1,M2,M11,M12,M13,M14,M21,M22,M23,M24,M31,M32,M33,M34…トランジスター、PD1,PD2,PD3,PD4…受光素子、SW11,SW12,SW13,SW14,SW21,SW22,SW23,SW24…スイッチ、W1…第1グラウンド配線、W2…第2グラウンド配線、W3…第3グラウンド配線、W4…第4グラウンド配線、Wg1…第1ゲート配線、Wg2…第2ゲート配線、Wx1…第1接続点、Wx2…第2接続点 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... MFP, 2 ... Printer unit, 3 ... Scanner unit, 4 ... Hinge part, 11 ... Upper frame, 12 ... Image reading part, 13 ... Upper lid, 16 ... Lower case, 17 ... Upper case, 31 ... Sensor unit, 32 ... sensor carriage, 33 ... guide shaft, 34 ... sensor moving mechanism, 41 ... image sensor, 63 ... operating unit, 65 ... device housing, 66 ... discharge port, 411 ... case, 412 ... light source, 413 ... lens, 414 ... Module substrate, 415 ... image reading chip, 416 ... light receiving element, 417 ... signal conversion unit, 510 ... first circuit block, 520 ... second circuit block, 530 ... reading unit, 540 ... control circuit, C1 ... first holding unit C2 ... second holding unit, C3 ... third holding unit, C4 ... fourth holding unit, GND ... ground terminal, Ir1, Ir2 ... current source, 1, M2, M11, M12, M13, M14, M21, M22, M23, M24, M31, M32, M33, M34 ... Transistor, PD1, PD2, PD3, PD4 ... Light receiving element, SW11, SW12, SW13, SW14, SW21 , SW22, SW23, SW24 ... switch, W1 ... first ground wiring, W2 ... second ground wiring, W3 ... third ground wiring, W4 ... fourth ground wiring, Wg1 ... first gate wiring, Wg2 ... second gate wiring. , Wx1 ... first connection point, Wx2 ... second connection point

Claims (6)

画像を読み取るための画像読取装置であって、
前記画像からの光を受けて光電変換する第1受光素子および第2受光素子と、第1電流回路および第2電流回路と、第1保持部および第2保持部と、を含む第1回路ブロックと、
前記画像からの光を受けて光電変換する第3受光素子および第4受光素子と、第3電流回路および第4電流回路と、第3保持部および第4保持部と、を含む第2回路ブロックと、
を備え、
前記第1電流回路は、前記第1受光素子の出力信号に基づく第1出力信号を前記第1保持部に転送するための第1電流を生成し、
前記第2電流回路は、前記第2受光素子の出力信号に基づく第2出力信号を前記第2保持部に転送するための第2電流を生成し、
前記第3電流回路は、前記第3受光素子の出力信号に基づく第3出力信号を前記第3保持部に転送するための第3電流を生成し、
前記第4電流回路は、前記第4受光素子の出力信号に基づく第4出力信号を前記第4保持部に転送するための第4電流を生成し、
前記第1保持部は、転送された前記第1出力信号を保持し、
前記第2保持部は、転送された前記第2出力信号を保持し、
前記第3保持部は、転送された前記第3出力信号を保持し、
前記第4保持部は、転送された前記第4出力信号を保持し、
前記第1電流回路および前記第2電流回路は、第1グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第1ゲート電圧を印加する第1ゲート配線に電気的に接続され、
前記第3電流回路および前記第4電流回路は、第2グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第2ゲート電圧を印加する第2ゲート配線に電気的に接続され、
前記第1電流回路と前記第2電流回路との間で前記第1グラウンド配線上に設けられた第1接続点とグラウンド端子と電気的に接続する第3グラウンド配線と、
前記第3電流回路と前記第4電流回路との間で前記第2グラウンド配線上に設けられた第2接続点と前記グラウンド端子と電気的に接続する第4グラウンド配線と、
をさらに備えている、画像読取装置。
An image reading device for reading an image,
A first circuit block including a first light receiving element and a second light receiving element that receive light from the image and perform photoelectric conversion, a first current circuit and a second current circuit, and a first holding unit and a second holding unit. When,
A second circuit block including a third light receiving element and a fourth light receiving element that receive light from the image and perform photoelectric conversion, a third current circuit and a fourth current circuit, and a third holding part and a fourth holding part. When,
With
The first current circuit generates a first current for transferring a first output signal based on an output signal of the first light receiving element to the first holding unit,
The second current circuit generates a second current for transferring a second output signal based on the output signal of the second light receiving element to the second holding unit,
The third current circuit generates a third current for transferring a third output signal based on the output signal of the third light receiving element to the third holding unit,
The fourth current circuit generates a fourth current for transferring a fourth output signal based on the output signal of the fourth light receiving element to the fourth holding unit,
The first holding unit holds the transferred first output signal,
The second holding unit holds the transferred second output signal,
The third holding unit holds the transferred third output signal,
The fourth holding unit holds the transferred fourth output signal,
The first current circuit and the second current circuit are electrically connected to a first ground wiring, and are also electrically connected to a first gate wiring for applying a first gate voltage,
The third current circuit and the fourth current circuit are electrically connected to a second ground wiring and electrically connected to a second gate wiring for applying a second gate voltage,
A third ground line electrically connected to a ground terminal and a first connection point provided on the first ground line between the first current circuit and the second current circuit;
A second connection point provided on the second ground wiring between the third current circuit and the fourth current circuit and a fourth ground wiring electrically connected to the ground terminal;
An image reading apparatus further comprising:
請求項1に記載の画像読取装置において、
前記第1電流回路は、前記第1回路ブロックの第1端部に位置し、
前記第2電流回路は、前記第1回路ブロックの第2端部に位置し、
前記第3電流回路は、前記第2回路ブロックの第1端部に位置し、
前記第4電流回路は、前記第2回路ブロックの第2端部に位置し、
前記第1グラウンド配線の、前記第1接続点から前記第1電流回路までの配線長は、前記第1接続点から前記第2電流回路までの配線長と等しく、
前記第2グラウンド配線の、前記第2接続点から前記第3電流回路までの配線長は、前記第2接続点から前記第4電流回路までの配線長と等しい、画像読取装置。
The image reading apparatus according to claim 1,
The first current circuit is located at a first end of the first circuit block;
The second current circuit is located at a second end of the first circuit block;
The third current circuit is located at a first end of the second circuit block;
The fourth current circuit is located at a second end of the second circuit block;
The wiring length of the first ground wiring from the first connection point to the first current circuit is equal to the wiring length from the first connection point to the second current circuit,
The image reading device, wherein a wiring length of the second ground wiring from the second connection point to the third current circuit is equal to a wiring length from the second connection point to the fourth current circuit.
請求項1または2に記載の画像読取装置において、
前記第1ゲート電圧と前記第2ゲート電圧とは、電圧値が異なる、画像読取装置。
The image reading apparatus according to claim 1 or 2,
The image reading apparatus, wherein the first gate voltage and the second gate voltage have different voltage values.
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画像読取装置において、
前記第3グラウンド配線の配線長は、前記第4グラウンド配線の配線長よりも長く、
前記第1ゲート電圧は、前記第2ゲート電圧よりも高い電圧値である、画像読取装置。
The image reading apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The wiring length of the third ground wiring is longer than the wiring length of the fourth ground wiring,
The image reading apparatus, wherein the first gate voltage has a voltage value higher than the second gate voltage.
請求項1ないし4のいずれか1項に記載の画像読取装置であって、
前記第1受光素子、前記第2受光素子、前記第3受光素子および前記第4受光素子は、一方向に並んで位置する、画像読取装置。
The image reading apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The image reading apparatus, wherein the first light receiving element, the second light receiving element, the third light receiving element, and the fourth light receiving element are arranged side by side in one direction.
画像からの光を受けて光電変換する第1受光素子および第2受光素子と、第1電流回路および第2電流回路と、第1保持部および第2保持部と、を含む第1回路ブロックと、
前記画像からの光を受けて光電変換する第3受光素子および第4受光素子と、第3電流回路および第4電流回路と、第3保持部および第4保持部と、を含む第2回路ブロックと、
を備え、
前記第1電流回路は、前記第1受光素子の出力信号に基づく第1出力信号を前記第1保持部に転送するための第1電流を生成し、
前記第2電流回路は、前記第2受光素子の出力信号に基づく第2出力信号を前記第2保持部に転送するための第2電流を生成し、
前記第3電流回路は、前記第3受光素子の出力信号に基づく第3出力信号を前記第3保持部に転送するための第3電流を生成し、
前記第4電流回路は、前記第4受光素子の出力信号に基づく第4出力信号を前記第4保持部に転送するための第4電流を生成し、
前記第1保持部は、転送された前記第1出力信号を保持し、
前記第2保持部は、転送された前記第2出力信号を保持し、
前記第3保持部は、転送された前記第3出力信号を保持し、
前記第4保持部は、転送された前記第4出力信号を保持し、
前記第1電流回路および前記第2電流回路は、第1グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第1ゲート電圧を印加する第1ゲート配線に電気的に接続され、
前記第3電流回路および前記第4電流回路は、第2グラウンド配線に電気的に接続されているとともに、第2ゲート電圧を印加する第2ゲート配線に電気的に接続され、
前記第1電流回路と前記第2電流回路との間で前記第1グラウンド配線上に設けられた第1接続点とグラウンド端子と電気的に接続する第3グラウンド配線と、
前記第3電流回路と前記第4電流回路との間で前記第2グラウンド配線上に設けられた第2接続点と前記グラウンド端子と電気的に接続する第4グラウンド配線と、
をさらに備えている、半導体装置。
A first circuit block including a first light receiving element and a second light receiving element that receive light from an image and perform photoelectric conversion, a first current circuit and a second current circuit, and a first holding unit and a second holding unit; ,
A second circuit block including a third light receiving element and a fourth light receiving element that receive light from the image and perform photoelectric conversion, a third current circuit and a fourth current circuit, and a third holding part and a fourth holding part. When,
With
The first current circuit generates a first current for transferring a first output signal based on an output signal of the first light receiving element to the first holding unit,
The second current circuit generates a second current for transferring a second output signal based on the output signal of the second light receiving element to the second holding unit,
The third current circuit generates a third current for transferring a third output signal based on the output signal of the third light receiving element to the third holding unit,
The fourth current circuit generates a fourth current for transferring a fourth output signal based on the output signal of the fourth light receiving element to the fourth holding unit,
The first holding unit holds the transferred first output signal,
The second holding unit holds the transferred second output signal,
The third holding unit holds the transferred third output signal,
The fourth holding unit holds the transferred fourth output signal,
The first current circuit and the second current circuit are electrically connected to a first ground wiring, and are also electrically connected to a first gate wiring for applying a first gate voltage,
The third current circuit and the fourth current circuit are electrically connected to a second ground wiring and electrically connected to a second gate wiring for applying a second gate voltage,
A third ground line electrically connected to a ground terminal and a first connection point provided on the first ground line between the first current circuit and the second current circuit;
A second connection point provided on the second ground wiring between the third current circuit and the fourth current circuit and a fourth ground wiring electrically connected to the ground terminal;
A semiconductor device further comprising:
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JP7396198B2 (en) 2020-05-22 2023-12-12 オムロン株式会社 Multi-channel photoelectric sensor

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