JP2016154205A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2016154205A
JP2016154205A JP2015165101A JP2015165101A JP2016154205A JP 2016154205 A JP2016154205 A JP 2016154205A JP 2015165101 A JP2015165101 A JP 2015165101A JP 2015165101 A JP2015165101 A JP 2015165101A JP 2016154205 A JP2016154205 A JP 2016154205A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
emitting device
light
light emitting
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015165101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
昌治 細川
Shoji Hosokawa
昌治 細川
貞一 涌井
Sadakazu Wakui
貞一 涌井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of JP2016154205A publication Critical patent/JP2016154205A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device which enables the materialization of a wide color reproduction range in the case of arranging an image display device.SOLUTION: A light-emitting device comprises: a light-emitting element having a light emission peak wavelength of 440-460 nm; a first fluorescent material operable to emit fluorescence having a light emission peak wavelength of 640-670 nm, and expressed by the composition formula (I) below; and a second fluorescent material operable to emit fluorescence having a light emission peak wavelength of 520-550 nm. Supposing that the maximum light emission intensity in a range of 440-460 nm is 100%, the light-emitting device has a light emission spectra of which the average light emission intensity in a range of 590-610 nm is 7.5% or less. MMAlN: Eu(I) (In the formula, Mrepresents at least one element selected from a group consisting of Ca, Sr and Ba, Mrepresents at least one element selected from a group consisting of Li, Na and K, and x, y and z satisfy: 0.5≤x≤1.5; 0.5≤y≤1.2; and 3.5≤z≤4.5.)SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本開示は、発光装置に関する。   The present disclosure relates to a light emitting device.

青色光を発する発光素子であるLED(Light Emitting Diode)と、この青色光に励起されて緑色に発光する蛍光体と、赤色に発光する蛍光体とを組み合わせることにより、白色光を放出可能な発光装置が開発されている。例えば、特許文献1には、β型Si結晶構造を持つ窒化物または酸窒化物(βサイアロン蛍光体)であって緑色に発光する蛍光体が開示されている。この蛍光体と、赤色蛍光体であるCaSiAlN:Euとを、青色LEDで励起させることにより、LED及び蛍光体からの発光が混合されて白色光を発する発光装置が開示されている。 Light emission capable of emitting white light by combining a light emitting diode (LED) that emits blue light, a phosphor that emits green when excited by the blue light, and a phosphor that emits red light Equipment has been developed. For example, Patent Document 1 discloses a phosphor that emits green light and is a nitride or oxynitride (β sialon phosphor) having a β-type Si 3 N 4 crystal structure. A light emitting device that emits white light by mixing the light emitted from the LED and the phosphor by exciting the phosphor and the red phosphor CaSiAlN 3 : Eu with a blue LED is disclosed.

また特許文献2には、青色に発光する発光素子と、これに励起される緑色に発光する蛍光体((Sr,Ba)SiO:Eu)と、赤色に発光する蛍光体(CaAlSiN:Eu)とを組み合わせてなる発光装置が開示されている。(Sr,Ba)SiO:Eu蛍光体は、ピーク波長を520nmから600nmまで変化させることができ、色再現の範囲を調整する事が可能となるため広範囲な色再現域を得られるとされている。 Patent Document 2 discloses a light emitting element that emits blue light, a phosphor that emits green light ((Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu) excited by the light emitting element, and a phosphor that emits red light (CaAlSiN 3 : A light emitting device that is combined with Eu) is disclosed. The (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu phosphor can change the peak wavelength from 520 nm to 600 nm and can adjust the color reproduction range, so that it can obtain a wide color reproduction range. ing.

さらに、液晶表示装置(LCD)における色再現性(例えば、NTSC比)に着目した従来技術として、例えば特許文献3には、505nm以上535nm以下の範囲にスペクトルピークを有する緑色蛍光体を含むバックライト光源を用いる液晶表示装置が開示されている。当該緑色蛍光体は、賦活剤としてユーロピウム、タングステン、スズ、アンチモン及びマンガンのいずれかを含むことが開示されている。さらに緑色蛍光体の具体例としてMgGa:Mn、ZnSiO:Mn等が記載されている。 Furthermore, as a conventional technique that focuses on color reproducibility (for example, NTSC ratio) in a liquid crystal display device (LCD), for example, Patent Document 3 discloses a backlight including a green phosphor having a spectral peak in the range of 505 nm to 535 nm. A liquid crystal display device using a light source is disclosed. It is disclosed that the green phosphor contains any of europium, tungsten, tin, antimony and manganese as an activator. Furthermore, MgGa 2 O 4 : Mn, Zn 2 SiO 4 : Mn and the like are described as specific examples of the green phosphor.

特開2008−303331号公報JP 2008-303331 A 特開2007−027796号公報JP 2007-027796 A 特開2003−121838号公報JP 2003-121838 A

特許文献1に記載の発光装置では、緑色蛍光体であるβサイアロン蛍光体と、赤色蛍光体であるCaAlSiN:Eu蛍光体又は(Ca,Sr,Ba)Si:Eu蛍光体とを用いるが、これらの蛍光体はその半値幅が比較的大きいために緑色と赤色成分の中間成分が多くなる。そのため、NTSC比における色再現範囲を正確にカバーすることが難しく、より高精度な画像表示を実現することが困難になるという懸念がある。
また、特許文献2に記載の発光装置では、緑色蛍光体の半値幅が広いために、色再現範囲を正確にカバーすることが難しいという懸念がある。
更に特許文献3に記載のバックライト光源に含まれる緑色蛍光体を、ピーク波長が430nm以上480nm以下である発光素子とともに用いる場合、該蛍光体の励起波長が発光素子のピーク波長と一致せず、その発光効率を充分に高めることが困難になるという懸念がある。
In the light emitting device described in Patent Document 1, a β sialon phosphor that is a green phosphor and a CaAlSiN 3 : Eu phosphor or a (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 : Eu phosphor that is a red phosphor. However, these phosphors have a relatively large half-value width, so that an intermediate component between the green and red components increases. For this reason, it is difficult to accurately cover the color reproduction range in the NTSC ratio, and there is a concern that it is difficult to realize a more accurate image display.
Further, in the light emitting device described in Patent Document 2, since the half width of the green phosphor is wide, there is a concern that it is difficult to accurately cover the color reproduction range.
Furthermore, when the green phosphor contained in the backlight light source described in Patent Document 3 is used together with a light emitting device having a peak wavelength of 430 nm or more and 480 nm or less, the excitation wavelength of the phosphor does not match the peak wavelength of the light emitting device, There is a concern that it is difficult to sufficiently increase the luminous efficiency.

本開示に係る一実施形態は上述の課題を解決するためになされたものである。本開示に係る一実施形態は、画像表示装置を構成した場合に広範囲な色再現範囲を実現可能な発光装置を提供することを目的とする。   An embodiment according to the present disclosure has been made to solve the above-described problem. One embodiment according to the present disclosure aims to provide a light emitting device capable of realizing a wide color reproduction range when an image display device is configured.

前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りであり、本開示に係る実施形態は以下の態様を包含する。
本開示の第一の態様は、発光ピーク波長が440nm以上460nm以下である発光素子と、640nm以上670nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発し、下記組成式(I)で表される第一の蛍光体と、520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する第二の蛍光体と、を備え、440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が7.5%以下である発光スペクトルを有する発光装置である。
Al:Eu (I)
Specific means for solving the above-described problems are as follows, and embodiments according to the present disclosure include the following aspects.
According to a first aspect of the present disclosure, a light emitting element having an emission peak wavelength of 440 nm or more and 460 nm or less emits fluorescence having an emission peak wavelength in a range of 640 nm or more and 670 nm or less, and is represented by the following composition formula (I): 590 nm when one phosphor and a second phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in the range of 520 nm to 550 nm and the maximum emission intensity in the range of 440 nm to 460 nm is 100%. The light-emitting device has an emission spectrum in which the average emission intensity in the range of 610 nm or less is 7.5% or less.
M a x M b y Al 3 N z : Eu (I)

上述した式(I)中、Mは、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Li、Na及びKからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、x、y及びzはそれぞれ、0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.2、及び3.5≦z≦4.5を満たす。 In the above formula (I), M a is at least one element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, and M b is at least one selected from the group consisting of Li, Na and K. It is a seed element, and x, y, and z satisfy 0.5 ≦ x ≦ 1.5, 0.5 ≦ y ≦ 1.2, and 3.5 ≦ z ≦ 4.5, respectively.

本開示の第二の態様は、発光ピーク波長が440nm以上460nm以下である発光素子と、640nm以上670nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発し、上記組成式(I)で表される第一の蛍光体と、520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する第二の蛍光体と、を備え、520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が33%以下である発光スペクトルを有する発光装置である。   According to a second aspect of the present disclosure, a light emitting device having an emission peak wavelength of 440 nm or more and 460 nm or less emits fluorescence having an emission peak wavelength in a range of 640 nm or more and 670 nm or less, and is represented by the composition formula (I). 590 nm when one phosphor and a second phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in the range of 520 nm to 550 nm and the maximum emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm is 100%. The light-emitting device has an emission spectrum in which the average emission intensity in the range of 610 nm or less is 33% or less.

本開示に係る一実施形態によれば、画像表示装置を構成した場合に広範囲な色再現範囲を実現可能な発光装置を提供することができる。   According to an embodiment of the present disclosure, it is possible to provide a light emitting device capable of realizing a wide color reproduction range when an image display device is configured.

本実施形態に係る発光装置の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the light-emitting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る発光装置の別例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another example of the light-emitting device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る赤色蛍光体の発光スペクトルを例示する図である。It is a figure which illustrates the emission spectrum of the red fluorescent substance which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る緑色蛍光体の発光スペクトルを例示する図である。It is a figure which illustrates the emission spectrum of the green fluorescent substance which concerns on this embodiment. 実施例及び比較例に係る発光装置の発光スペクトルを、440nm以上460nm以下における最大発光強度で規格化した相対強度で例示する図である。It is a figure which illustrates the emission spectrum of the light-emitting device which concerns on an Example and a comparative example with the relative intensity normalized by the maximum light emission intensity in 440 nm or more and 460 nm or less. 実施例及び比較例に係る発光装置の発光スペクトルを、520nm以上550nm以下における最大発光強度で規格化した相対強度で例示する図である。It is a figure which illustrates the emission spectrum of the light-emitting device which concerns on an Example and a comparative example with the relative intensity normalized with the maximum light emission intensity in 520 nm or more and 550 nm or less.

以下、本開示に係る発光装置を、実施の形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を例示するものであって、本発明は、以下のものに限定されない。なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、JIS Z8110に従う。また、本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。   Hereinafter, a light-emitting device according to the present disclosure will be described based on embodiments. However, the embodiment described below exemplifies the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following. The relationship between the color name and the chromaticity coordinates, the relationship between the wavelength range of light and the color name of monochromatic light, and the like comply with JIS Z8110. In addition, in the present specification, the content of each component in the composition is the sum of the plurality of substances present in the composition unless there is a specific indication when there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition. Means quantity.

[発光装置]
本実施形態の発光装置は、発光ピーク波長が440nm以上460nm以下である発光素子と、640nm以上670nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発し、下記組成式(I)で表される第一の蛍光体と、520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する第二の蛍光体と、を備え、440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を100%とした場合に、590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が7.5%以下である発光スペクトルを有する発光装置である。また、本実施形態の発光装置は、520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を100%とした場合に、590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が33%以下である発光スペクトルを有する発光装置である。
Al:Eu (I)
[Light emitting device]
The light emitting device of this embodiment emits fluorescence having a light emission peak wavelength in a range of 640 nm to 670 nm and a light emitting element having a light emission peak wavelength of 440 nm to 460 nm, and is represented by the following composition formula (I): And a second phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in the range of 520 nm to 550 nm, and the maximum emission intensity in the range of 440 nm to 460 nm is 100%, 590 nm or more It is a light emitting device having an emission spectrum having an average emission intensity in the range of 610 nm or less of 7.5% or less. In addition, the light emitting device of the present embodiment has a light emission spectrum in which the average light emission intensity in the range of 590 nm to 610 nm is 33% or less when the maximum light emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm is 100%. It is.
M a x M b y Al 3 N z : Eu (I)

上述した式(I)中、Mは、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Li、Na及びKからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、x、y及びzはそれぞれ、0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.2、及び3.5≦z≦4.5を満たす。 In the above formula (I), M a is at least one element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, and M b is at least one selected from the group consisting of Li, Na and K. It is a seed element, and x, y, and z satisfy 0.5 ≦ x ≦ 1.5, 0.5 ≦ y ≦ 1.2, and 3.5 ≦ z ≦ 4.5, respectively.

特定の発光ピーク波長を有する発光素子を励起光源とし、特定の化学組成を有する赤色蛍光体と、緑色蛍光体とを組合せることで、発光スペクトルにおける黄赤色領域の成分量が一定量以下となる。このような発光装置は、これが発する混色光のスペクトルを、従来の発光装置の発光スペクトルよりも、色分離に優れたものにすることができ、画像表示装置を構成した場合の色再現範囲を拡大することが可能である。   By using a light emitting element having a specific emission peak wavelength as an excitation light source and combining a red phosphor having a specific chemical composition and a green phosphor, the amount of components in the yellow-red region in the emission spectrum becomes a certain amount or less. . Such a light-emitting device can make the spectrum of mixed-color light emitted from this light-emitting device more excellent in color separation than the light emission spectrum of a conventional light-emitting device, and expand the color reproduction range when an image display device is configured. Is possible.

本実施形態の発光装置を画像表示装置に適用することで、画像表示装置の色再現範囲を拡大することができる。色再現範囲は、例えばNTSC比を指標として評価される。NTSC比とは、NTSC(National Television System Committee)が定めた赤、緑、青、各色のXYZ表色式色度図における色度座標(x,y)として、赤(0.670,0.330)、緑(0.210,0.710)、青(0.140,0.080)の3点を結んで得られる三角形の面積に対する比率を指す。本実施形態の発光装置を用いることで、色再現範囲を従来の発光装置を用いる場合よりも広くすることができる。   By applying the light emitting device of this embodiment to an image display device, the color reproduction range of the image display device can be expanded. The color reproduction range is evaluated using, for example, the NTSC ratio as an index. The NTSC ratio is red (0.670, 0.330) as chromaticity coordinates (x, y) in the XYZ color system chromaticity diagram of each color of red, green, blue, and each color defined by the NTSC (National Television System Committee). ), Green (0.210, 0.710), and blue (0.140, 0.080), the ratio to the area of a triangle obtained by connecting three points. By using the light emitting device of the present embodiment, the color reproduction range can be made wider than when a conventional light emitting device is used.

発光装置の発光スペクトルは、440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、590nm以上610nm以下の黄赤色領域における平均発光強度が7.5%以下であるが、画像表示装置の色再現範囲拡大の観点から、7.0%以下が好ましい。
また発光装置の発光スペクトルは、520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、590nm以上610nm以下の黄赤色領域における平均発光強度が33%以下であるが、画像表示装置の色再現範囲拡大の観点から、30%以下が好ましい。
590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度は、例えば、第一の蛍光体及び第二の蛍光体の構成を適宜選択することで調整することができる。
なお、特定の波長範囲の平均発光強度は、発光スペクトルにおいて、その波長範囲の発光強度の算術平均値である。すなわち、発光スペクトルにおいて、その波長範囲について1nm毎に発光強度を測定し、測定された発光強度の総和を測定数で除して算出される。
The emission spectrum of the light emitting device has an average light emission intensity of 7.5% or less in the yellow-red region of 590 nm or more and 610 nm or less when the maximum light emission intensity in the range of 440 nm or more and 460 nm or less is 100%. From the viewpoint of expanding the color reproduction range, 7.0% or less is preferable.
The light emission spectrum of the light emitting device is such that the average light emission intensity in the yellow-red region of 590 nm to 610 nm is 33% or less when the maximum light emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm is 100%. From the viewpoint of expanding the color reproduction range, it is preferably 30% or less.
The average emission intensity in the range of 590 nm or more and 610 nm or less can be adjusted, for example, by appropriately selecting the configuration of the first phosphor and the second phosphor.
The average emission intensity in a specific wavelength range is an arithmetic average value of the emission intensity in that wavelength range in the emission spectrum. That is, in the emission spectrum, the emission intensity is measured every 1 nm in the wavelength range, and the total of the measured emission intensity is divided by the number of measurements.

発光装置の発光スペクトルは、画像表示装置の色再現範囲拡大の観点から、440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、480nm以上500nm以下の青緑色領域における平均発光強度が7%以下であることが好ましく、6.5%以下がより好ましい。
また発光装置の発光スペクトルは、画像表示装置の色再現範囲拡大の観点から、520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、480nm以上500nm以下の青緑色領域における平均発光強度が40%以下であることが好ましく、30%以下がより好ましい。
480nm以上500nm以下の範囲における平均発光強度は、例えば、第一の蛍光体及び第二の蛍光体の構成を適宜選択することで調整することができる。
From the viewpoint of expanding the color reproduction range of the image display device, the emission spectrum of the light emitting device has an average emission intensity in a blue-green region of 480 nm to 500 nm when the maximum emission intensity in the range of 440 nm to 460 nm is 100%. It is preferably 7% or less, and more preferably 6.5% or less.
The emission spectrum of the light emitting device is the average emission intensity in the blue-green region of 480 nm to 500 nm when the maximum emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm is 100% from the viewpoint of expanding the color reproduction range of the image display device. Is preferably 40% or less, more preferably 30% or less.
The average emission intensity in the range of 480 nm to 500 nm can be adjusted by appropriately selecting the configuration of the first phosphor and the second phosphor, for example.

発光装置が発する光は、発光素子の光と第一の蛍光体及び第二の蛍光体が発する蛍光との混合色であり、例えば、CIE1931に規定される色度座標が、x=0.220以上0.340以下且つy=0.160以上0.340以下の範囲に含まれる光であることが好ましく、x=0.220以上0.330以下且つy=0.170以上0.330以下の範囲に含まれる光であることがより好ましい。   The light emitted from the light emitting device is a mixed color of the light emitted from the light emitting element and the fluorescence emitted from the first phosphor and the second phosphor. For example, the chromaticity coordinates defined in CIE1931 are x = 0.220. It is preferable that the light is in the range of 0.340 or less and y = 0.160 or more and 0.340 or less, and x = 0.220 or more and 0.330 or less and y = 0.170 or more and 0.330 or less. More preferably, the light is included in the range.

発光装置の形式は特に制限されず、通常用いられる形式から適宜選択することができる。発光装置の形式としては、ピン貫通型、表面実装型等を挙げることができる。一般にピン貫通型とは、実装基板に設けられたスルーホールに発光装置のリード(ピン)を貫通させて発光装置を固定するものを指す。また表面実装型とは、実装基板の表面において発光装置のリードを固定するものを指す。   The form of the light emitting device is not particularly limited, and can be appropriately selected from commonly used forms. Examples of the light emitting device include a pin penetration type and a surface mounting type. In general, the pin through type refers to a type in which a light emitting device is fixed by penetrating leads (pins) of the light emitting device through through holes provided in a mounting substrate. The surface mount type refers to a type in which the lead of the light emitting device is fixed on the surface of the mounting substrate.

本実施形態に係る発光装置100の一例を図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る発光装置の一例を示す概略断面図100である。発光装置100は、表面実装型発光装置の一例である。
発光装置100は、可視光の短波長側(例えば、380nm以上485nm以下の範囲)の光を発し、発光ピーク波長が440nm以上460nm以下である窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子10と、発光素子10を載置する成形体40と、を有する。成形体40は第1のリード20及び第2のリード30と、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂とが一体的に成形されてなるものである。成形体40は底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子10が載置されている。発光素子10は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極はそれぞれ第1のリード20及び第2のリード30とワイヤ60を介して電気的に接続されている。発光素子10は蛍光部材50により被覆されている。蛍光部材50はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。蛍光部材50は発光素子10からの光を波長変換する蛍光体70として赤色蛍光体(第一の蛍光体71)及び緑色蛍光体(第二の蛍光体72)と樹脂とを含有してなる。
An example of the light emitting device 100 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view 100 showing an example of a light emitting device according to the present invention. The light emitting device 100 is an example of a surface mount type light emitting device.
The light-emitting device 100 emits light on the short wavelength side of visible light (for example, in a range of 380 nm to 485 nm), and the light-emitting element 10 includes a gallium nitride compound semiconductor light-emitting element 10 having an emission peak wavelength of 440 nm to 460 nm. And a molded body 40 on which is mounted. The molded body 40 is formed by integrally molding the first lead 20 and the second lead 30 and a thermoplastic resin or a thermosetting resin. The molded body 40 has a recess having a bottom surface and side surfaces, and the light emitting element 10 is placed on the bottom surface of the recess. The light emitting element 10 has a pair of positive and negative electrodes, and the pair of positive and negative electrodes are electrically connected to the first lead 20 and the second lead 30 through wires 60, respectively. The light emitting element 10 is covered with a fluorescent member 50. The fluorescent member 50 preferably includes a thermosetting resin such as an epoxy resin, a silicone resin, an epoxy-modified silicone resin, or a modified silicone resin. The fluorescent member 50 includes a red fluorescent material (first fluorescent material 71), a green fluorescent material (second fluorescent material 72), and a resin as a fluorescent material 70 for converting the wavelength of light from the light emitting element 10.

蛍光部材50は、発光装置100の凹部内に載置された発光素子10を覆うように透光性の樹脂やガラスで充填されて形成される。製造の容易性を考慮すると、蛍光部材の材料は、透光性樹脂が好ましい。透光性樹脂は、シリコーン樹脂組成物を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の絶縁樹脂組成物を用いることもできる。また、蛍光部材50には第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72が含有されているが、さらに適宜、その他の材料を添加することもできる。例えば、光拡散材を含むことで、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増大させることができる。   The fluorescent member 50 is formed by being filled with a translucent resin or glass so as to cover the light emitting element 10 placed in the recess of the light emitting device 100. In consideration of ease of manufacture, the material of the fluorescent member is preferably a translucent resin. As the translucent resin, a silicone resin composition is preferably used, but an insulating resin composition such as an epoxy resin composition or an acrylic resin composition can also be used. Moreover, although the 1st fluorescent substance 71 and the 2nd fluorescent substance 72 are contained in the fluorescent member 50, another material can also be added suitably. For example, by including a light diffusing material, the directivity from the light emitting element can be relaxed and the viewing angle can be increased.

蛍光部材50は、蛍光体70を含む波長変換部材としてだけではなく、発光素子10や第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72を外部環境から保護するための部材としても機能する。図1では、第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72は蛍光部材50中で偏在している。このように発光素子10に接近して第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72を配置することにより、発光素子10からの光を効率よく波長変換することができ、発光効率の優れた発光装置とできる。なお、第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72を含む蛍光部材50と、発光素子10との配置は、それらを接近して配置させる形態に限定されることなく、第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72への熱の影響を考慮して、蛍光部材50中で発光素子10と、第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72との間隔を空けて配置することもできる。また、第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72を蛍光部材50の全体にほぼ均一の割合で混合することによって、色ムラがより抑制された光を得るようにすることもできる。   The fluorescent member 50 functions not only as a wavelength conversion member including the phosphor 70 but also as a member for protecting the light emitting element 10, the first phosphor 71, and the second phosphor 72 from the external environment. In FIG. 1, the first phosphor 71 and the second phosphor 72 are unevenly distributed in the phosphor member 50. Thus, by arranging the first phosphor 71 and the second phosphor 72 close to the light emitting element 10, the wavelength of light from the light emitting element 10 can be efficiently converted, and the light emission efficiency is excellent. It can be a light emitting device. In addition, arrangement | positioning with the fluorescent member 50 containing the 1st fluorescent substance 71 and the 2nd fluorescent substance 72, and the light emitting element 10 is not limited to the form which arranges them closely, but the 1st fluorescent substance In consideration of the effect of heat on 71 and the second phosphor 72, the light emitting element 10 and the first phosphor 71 and the second phosphor 72 are spaced apart from each other in the phosphor member 50. You can also. In addition, by mixing the first phosphor 71 and the second phosphor 72 in the entire fluorescent member 50 at a substantially uniform ratio, it is possible to obtain light in which color unevenness is further suppressed.

図1では、蛍光体70である第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72が混合された状態で図示されているが、図2に示すようにそれぞれの蛍光体を配置してもよい。
図2は、本実施形態に係る発光装置の別の一例を示す概略断面図である。図2では、発光素子10に近い方から順に、第一の蛍光体71及び第二の蛍光体72がこの順に配置されている。これにより、第二の蛍光体72の発光が第一の蛍光体71を励起させてしまうことを抑制することができる。また、第二の蛍光体72を上に配置することにより、第二の蛍光体72の発光を発光装置の外へ取り出し易くすることができる。以上により、発光装置の発光効率がより向上すると考えられる。
In FIG. 1, the first phosphor 71 and the second phosphor 72, which are the phosphors 70, are shown in a mixed state, but the respective phosphors may be arranged as shown in FIG. .
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the light emitting device according to the present embodiment. In FIG. 2, the first phosphor 71 and the second phosphor 72 are arranged in this order from the side closer to the light emitting element 10. Thereby, it can suppress that light emission of the 2nd fluorescent substance 72 excites the 1st fluorescent substance 71. FIG. Further, by arranging the second phosphor 72 on the top, it is possible to easily extract the light emitted from the second phosphor 72 out of the light emitting device. Thus, it is considered that the light emission efficiency of the light emitting device is further improved.

(発光素子)
発光素子の発光ピーク波長は、440nm以上460nm以下の範囲にある。この範囲に発光ピーク波長を有する発光素子を励起光源として用いることにより、発光素子からの光と蛍光体からの蛍光との混色光を発する発光装置を構成することが可能となる。さらに、発光素子から外部に放射される光を有効に利用することができるため、発光装置から出射される光の損失を少なくすることができ、高効率な発光装置を得ることができる。
(Light emitting element)
The emission peak wavelength of the light emitting element is in the range of 440 nm to 460 nm. By using a light emitting element having an emission peak wavelength in this range as an excitation light source, it is possible to configure a light emitting device that emits mixed light of light from the light emitting element and fluorescence from the phosphor. Furthermore, since light emitted from the light emitting element to the outside can be used effectively, loss of light emitted from the light emitting device can be reduced, and a highly efficient light emitting device can be obtained.

発光素子の発光スペクトルの半値幅は特に制限されない。半値幅は例えば、30nm以下とすることができる。
発光素子には半導体発光素子を用いることが好ましい。光源として半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。
半導体発光素子としては、例えば、窒化物系半導体(InAlGa1−X−YN、ここでX及びYは、0≦X、0≦Y、X+Y≦1を満たす)を用いた青色、緑色等に発光する半導体発光素子を用いることができる。
The half width of the emission spectrum of the light emitting element is not particularly limited. The half width can be set to 30 nm or less, for example.
A semiconductor light emitting element is preferably used as the light emitting element. By using a semiconductor light emitting element as a light source, it is possible to obtain a stable light emitting device with high efficiency, high output linearity with respect to input, and strong against mechanical shock.
As a semiconductor light emitting element, for example, a blue color using a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- XYN, where X and Y satisfy 0 ≦ X, 0 ≦ Y, and X + Y ≦ 1). A semiconductor light emitting element that emits green light or the like can be used.

(蛍光体)
発光装置は、発光素子から発せられる光を吸収し、赤色に発光する第一の蛍光体の少なくとも1種と緑色に発光する第二の蛍光体の少なくとも1種とを含む。第一の蛍光体には特定の化学組成を有する赤色蛍光体を用いるが、第二の蛍光体には520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する緑色蛍光体から適宜選択される蛍光体を用いることができる。第二の蛍光体の発光ピーク波長、発光スペクトル等を適宜選択することで発光装置の色再現範囲、演色性等の特性を所望の範囲とすることができる。
(Phosphor)
The light emitting device includes at least one first phosphor that absorbs light emitted from the light emitting element and emits red light and at least one second phosphor that emits green light. A red phosphor having a specific chemical composition is used for the first phosphor, and the second phosphor is appropriately selected from green phosphors that emit fluorescence having an emission peak wavelength in the range of 520 nm to 550 nm. A phosphor can be used. By appropriately selecting the emission peak wavelength, emission spectrum and the like of the second phosphor, it is possible to make the characteristics such as the color reproduction range and color rendering property of the light emitting device within a desired range.

第一の蛍光体
発光装置は、640nm以上670nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発し、下記組成式(I)で表される第一の蛍光体の少なくとも1種を備える。
Al:Eu (I)
The first phosphor The light emitting device emits fluorescence having an emission peak wavelength in a range of 640 nm to 670 nm and includes at least one first phosphor represented by the following composition formula (I).
M a x M b y Al 3 N z : Eu (I)

式中、Mは、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Sr及びCaの少なくとも一方を含むことが好ましく、少なくともSrを含むことがより好ましい。Mは、Li、Na及びKからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、少なくともLiを含むことが好ましい。 In the formula, M a is at least one element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, preferably including at least one of Sr and Ca, and more preferably including at least Sr. Mb is at least one element selected from the group consisting of Li, Na, and K, and preferably contains at least Li.

xは、0.5≦x≦1.5を満たし、0.6≦x≦1.2を満たすことが好ましい。yは、0.5≦y≦1.2を満たし、0.6≦y≦1.1を満たすことが好ましい。zは、3.5≦z≦4.5を満たし、3.6≦z≦4.4を満たすことが好ましい。   x satisfies 0.5 ≦ x ≦ 1.5 and preferably satisfies 0.6 ≦ x ≦ 1.2. y satisfies 0.5 ≦ y ≦ 1.2 and preferably satisfies 0.6 ≦ y ≦ 1.1. z satisfies 3.5 ≦ z ≦ 4.5 and preferably satisfies 3.6 ≦ z ≦ 4.4.

第一の蛍光体は赤色の蛍光を発する。第一の蛍光体の発光スペクトルにおける半値幅は、特に制限されず、例えば、70nm以下であることが好ましく、65nm以下であることがより好ましい。また第一の蛍光体の発光スペクトルは、最大発光強度を100%とした場合に、590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が10%以下であることが好ましく、8%以下であることがより好ましい。   The first phosphor emits red fluorescence. The half width in the emission spectrum of the first phosphor is not particularly limited, and is preferably 70 nm or less, and more preferably 65 nm or less, for example. The emission spectrum of the first phosphor is preferably such that the average emission intensity in the range of 590 nm to 610 nm is 10% or less, more preferably 8% or less, assuming that the maximum emission intensity is 100%. preferable.

第一の蛍光体は、460nmにおける反射率が53%以下であることが好ましく、52%以下であることがより好ましい。第一の蛍光体の460nmにおける反射率が所定値以上であると、例えば、発光効率がより向上する傾向がある。
第一の蛍光体の反射率は、固体試料について分光光度計を用いて測定され、反射率の基準としてはCaHPOを用いている。
The first phosphor preferably has a reflectance at 460 nm of 53% or less, and more preferably 52% or less. When the reflectance at 460 nm of the first phosphor is not less than a predetermined value, for example, the light emission efficiency tends to be further improved.
The reflectance of the first phosphor is measured using a spectrophotometer for the solid sample, and CaHPO 4 is used as the reference for the reflectance.

発光装置に含まれる第一の蛍光体の平均粒径は、特に制限されず、目的等に応じて適宜選択することができる。第一の蛍光体の平均粒径は、発光効率の観点から、2μm以上35μm以下であることが好ましく、3μm以上30μm以下であることがより好ましい。
第一の蛍光体の平均粒径は、フィッシャー・サブ・シーブ・サイザーズ・ナンバー(Fisher Sub Sieve Sizer's No.)と呼ばれる数値であり、空気透過法を用いて測定される。
発光装置は第一の蛍光体を1種単独でも、2種以上を組合せて含んでいてもよい。
The average particle diameter of the first phosphor included in the light emitting device is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose and the like. The average particle diameter of the first phosphor is preferably 2 μm or more and 35 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 30 μm or less from the viewpoint of light emission efficiency.
The average particle diameter of the first phosphor is a numerical value called “Fisher Sub Sieve Sizer's No.” and is measured using an air permeation method.
The light emitting device may contain the first phosphor alone or in combination of two or more.

発光装置における第一の蛍光体の含有量は、目的等に応じて適宜選択することができる。例えば第一の蛍光体の含有量は、蛍光部材に含まれる樹脂100重量部に対して0.1重量部以上50重量部以下とすることができ、1重量部30重量部以下であることが好ましい。   The content of the first phosphor in the light emitting device can be appropriately selected according to the purpose and the like. For example, the content of the first phosphor can be 0.1 parts by weight or more and 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the resin contained in the fluorescent member, and can be 1 part by weight or less 30 parts by weight. preferable.

第二の蛍光体
発光装置は、520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する第二の蛍光体の少なくとも1種を含む。
第二の蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が70nm以下であることが好ましく、65nm以下であることがより好ましい。また第二の蛍光体は、発光スペクトルにおける最大発光強度を100%とした場合に、590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が30%以下であることが好ましく、27%以下であることがより好ましい。
Second phosphor The light emitting device includes at least one second phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in a range of 520 nm to 550 nm.
The second phosphor preferably has a half-value width of an emission spectrum of 70 nm or less, and more preferably 65 nm or less. The second phosphor preferably has an average emission intensity in the range of 590 to 610 nm of 30% or less, more preferably 27% or less, assuming that the maximum emission intensity in the emission spectrum is 100%. preferable.

第二の蛍光体は、下記組成式(IIa)で表されるβサイアロン蛍光体、下記組成式(IIb)で表されるシリケート蛍光体、下記組成式(IIc)で表されるハロシリケート蛍光体及び下記組成式(IId)で表されるチオガレート蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
Si6−wAl8−w:Eu (IIa)
(式中、wは、0<w≦4.2を満たす。)
(Ba,Sr,Ca,Mg)SiO:Eu (IIb)
(Ca,Sr,Ba)MgSi16(F,Cl,Br):Eu (IIc)
(Ba,Sr,Ca)Ga:Eu (IId)
組成式(IIa)中、zは、0.01<z<2を満たすことが好ましい。
発光装置は第二の蛍光体を1種単独でも、2種以上を組合せて含んでいてもよい。
The second phosphor is a β sialon phosphor represented by the following composition formula (IIa), a silicate phosphor represented by the following composition formula (IIb), and a halosilicate phosphor represented by the following composition formula (IIc) And at least one selected from the group consisting of thiogallate phosphors represented by the following composition formula (IId).
Si 6-w Al w O w N 8-w : Eu (IIa)
(In the formula, w satisfies 0 <w ≦ 4.2.)
(Ba, Sr, Ca, Mg) 2 SiO 4 : Eu (IIb)
(Ca, Sr, Ba) 8 MgSi 4 O 16 (F, Cl, Br) 2 : Eu (IIc)
(Ba, Sr, Ca) Ga 2 S 4 : Eu (IId)
In the composition formula (IIa), z preferably satisfies 0.01 <z <2.
The light emitting device may contain the second phosphor alone or in combination of two or more.

発光装置に含まれる第二の蛍光体の平均粒径は、特に制限されず、目的等に応じて適宜選択することができる。第二の蛍光体の平均粒径は、発光効率の観点から、2μm以上35μm以下であることが好ましく、5μm以上30μm以下であることがより好ましい。
第二の蛍光体の平均粒径は、第一の蛍光体の平均粒径と同様にして測定される。
The average particle size of the second phosphor included in the light emitting device is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose and the like. The average particle diameter of the second phosphor is preferably 2 μm or more and 35 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 30 μm or less from the viewpoint of light emission efficiency.
The average particle size of the second phosphor is measured in the same manner as the average particle size of the first phosphor.

発光装置における第二の蛍光体の含有量は、目的等に応じて適宜選択することができる。例えば第二の蛍光体の含有量は、蛍光部材に含まれる樹脂100重量部に対して1重量部以上70重量部以下とすることができ、2重量部以上50重量部以下であることが好ましい。   The content of the second phosphor in the light emitting device can be appropriately selected depending on the purpose and the like. For example, the content of the second phosphor can be 1 part by weight or more and 70 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the resin contained in the fluorescent member, and is preferably 2 parts by weight or more and 50 parts by weight or less. .

発光装置における第一の蛍光体と第二の蛍光体の含有比は、所望の発光特性が得られる限り特に制限されず、目的等に応じて適宜選択することができる。例えば第一の蛍光体の第二の蛍光体に対する含有比(第一の蛍光体/第二の蛍光体)は、重量基準で0.01以上10以下とすることができ、0.1以上1以下が好ましい。   The content ratio of the first phosphor and the second phosphor in the light emitting device is not particularly limited as long as desired light emission characteristics can be obtained, and can be appropriately selected according to the purpose and the like. For example, the content ratio of the first phosphor to the second phosphor (first phosphor / second phosphor) can be 0.01 or more and 10 or less, and 0.1 or more and 1 on a weight basis. The following is preferred.

その他の蛍光体
発光装置は、第一の蛍光体及び第二の蛍光体以外のその他の蛍光体を必要に応じて含んでいてもよい。その他の蛍光体としては、(Y,Gd,Tb,Lu)(Al,Ga)12:Ce、CaScSi12:Ce、CaSc:Ce、(La,Y)Si11:Ce、(Ca,Sr,Ba)Si:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si12:Eu、(Ba,Sr,Ca)Si:Eu、(Sr,Ca)AlSiN:Eu、(Ca,Sr,Ba)Si:Eu、(Ca,Sr,Ba)S:Eu、K(Si,Ti,Ge)F:Mn等を挙げることができる。発光装置がその他の蛍光体を含む場合、その含有量は、目的等に応じて適宜選択することができ、例えば第一の蛍光体及び第二の蛍光体の総量に対して10重量%以下であり、1重量%以下である。
Other phosphors The light-emitting device may include other phosphors other than the first phosphor and the second phosphor as necessary. Other phosphors include (Y, Gd, Tb, Lu) 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, CaSc 2 O 4 : Ce, (La, Y ) 3 Si 6 N 11 : Ce, (Ca, Sr, Ba) 3 Si 6 O 9 N 4 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 3 Si 6 O 12 N 2 : Eu, (Ba, Sr, Ca) Si 2 O 2 N 2 : Eu, (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu, (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 : Eu, (Ca, Sr, Ba) S: Eu, K 2 (Si, Ti, Ge) F 6 : Mn and the like can be mentioned. When the light-emitting device contains other phosphors, the content can be appropriately selected according to the purpose and the like, for example, 10% by weight or less with respect to the total amount of the first phosphor and the second phosphor. Yes, up to 1% by weight.

蛍光体の製造方法は特に限定されず、公知の手段から適宜選択して採用することができる。例えば、以下のようにして製造することができる。蛍光体の組成に含有される元素の単体や酸化物、炭酸塩、窒化物、塩化物、フッ化物、硫化物などを原料とし、これらの各原料を所定の組成比となるように秤量する。また、原料にさらにフラックスなどの添加材料を適宜加え、混合機を用いて湿式又は乾式で混合する。これにより、固相反応を促進させて均一な大きさの粒子を形成することが可能となる。また、混合機は工業的に通常用いられているボールミルの他、振動ミル、ロールミル、ジェットミルなどの粉砕機を用いてもよい。粉砕機を用いて粉砕することで比表面積を大きくすることもできる。また、粉末の比表面積を一定範囲とするために、工業的に通常用いられている沈降槽、ハイドロサイクロン、遠心分離器などの湿式分離機、サイクロン、エアセパレータなどの乾式分級機を用いて分級することもできる。上記の混合した原料をSiC、石英、アルミナ、BN等の坩堝に詰め、アルゴン、窒素などの不活性雰囲気、水素を含む還元雰囲気にて焼成を行う。焼成は所定の温度及び時間で行う。焼成されたものを粉砕、分散、濾過等して目的の蛍光体粉末を得る。固液分離は濾過、吸引濾過、加圧濾過、遠心分離、デカンテーションなどの工業的に通常用いられる方法により行うことができる。乾燥は、真空乾燥機、熱風加熱乾燥機、コニカルドライヤー、ロータリーエバポレーターなどの工業的に通常用いられる装置により行うことができる。   The method for producing the phosphor is not particularly limited, and can be appropriately selected from known means. For example, it can be manufactured as follows. A single element or oxide, carbonate, nitride, chloride, fluoride, sulfide or the like contained in the phosphor composition is used as a raw material, and each of these raw materials is weighed so as to have a predetermined composition ratio. Further, an additive material such as a flux is appropriately added to the raw material, and mixed by a wet or dry method using a mixer. Thereby, it becomes possible to promote solid-phase reaction and form particles of uniform size. The mixer may be a ball mill that is usually used industrially, or a crusher such as a vibration mill, a roll mill, or a jet mill. The specific surface area can be increased by pulverization using a pulverizer. Moreover, in order to keep the specific surface area of the powder within a certain range, classification is performed using a wet type separator such as a sedimentation tank, a hydrocyclone, and a centrifugal separator, and a dry classifier such as a cyclone and an air separator. You can also The mixed raw materials are packed in a crucible made of SiC, quartz, alumina, BN or the like, and fired in an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or in a reducing atmosphere containing hydrogen. Firing is performed at a predetermined temperature and time. The fired product is pulverized, dispersed, filtered, etc. to obtain the desired phosphor powder. Solid-liquid separation can be performed by industrially used methods such as filtration, suction filtration, pressure filtration, centrifugation, and decantation. Drying can be performed by industrially used apparatuses such as a vacuum dryer, a hot-air heating dryer, a conical dryer, and a rotary evaporator.

(蛍光部材)
発光装置は、例えば、蛍光体及び樹脂を含み、発光素子を被覆する蛍光部材を備えることができる。蛍光部材を構成する樹脂としては、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂として、具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂などを挙げることができる。
蛍光部材は、蛍光体及び樹脂に加えてその他の成分を必要に応じて含んでいてもよい。その他の成分としては、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム等のフィラー、光安定化剤、着色剤等を挙げることができる。蛍光部材がその他の成分を含む場合、その含有量は特に制限されず、目的等に応じて適宜選択することができる。例えば、その他の成分として、フィラーを含む場合、その含有量は樹脂100重量部に対して、0.01重量部以上20重量部以下とすることができる。
(Fluorescent material)
The light emitting device can include, for example, a fluorescent member that includes a phosphor and a resin and covers the light emitting element. Examples of the resin constituting the fluorescent member include thermoplastic resins and thermosetting resins. Specific examples of the thermosetting resin include modified silicone resins such as epoxy resins, silicone resins, and epoxy-modified silicone resins.
The fluorescent member may contain other components as needed in addition to the phosphor and the resin. Examples of other components include fillers such as silica, barium titanate, titanium oxide, and aluminum oxide, light stabilizers, and colorants. When the fluorescent member contains other components, the content thereof is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose and the like. For example, when a filler is included as another component, the content thereof can be 0.01 parts by weight or more and 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the resin.

以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Examples of the present invention will be specifically described below, but the present invention is not limited to these examples.

(蛍光体)
発光装置の製造に先立ち、実施例及び比較例用の蛍光体として下表に示す赤色蛍光体及び緑色蛍光体をそれぞれ準備した。
第一の蛍光体である赤色蛍光体として、蛍光体1及び2を準備した。
(蛍光体1)
蛍光体1は、M Al:Euで表される蛍光体であり、M=Sr、M=Li、x=1、y=1、z=4を設計値とし、SrN(n=2/3相当)、LiN、AlN及びEuFを原料として用いて製造した。これらの原料をSr:Eu:Li:Al=0.993:0.007:1.17:3になるように、不活性雰囲気のグローブボックス内で計量、混合して混合物を得た。ここでLiは焼成時に飛散しやすいため、理論値より多めに配合した。この混合物をルツボに充填し、N/H混合ガス雰囲気下、1100℃で3時間、熱処理した。
得られた粉末についてXRDを測定し、SrLiAlで表される化合物であることを確認した。また、蛍光の発光ピーク波長は653nmであり、460nmにおける反射率は51.6%であった。
この蛍光体を蛍光体1(以下、「SLAN」と略記することがある)として用いた。
(Phosphor)
Prior to the production of the light emitting device, red phosphors and green phosphors shown in the following table were prepared as phosphors for Examples and Comparative Examples, respectively.
Phosphors 1 and 2 were prepared as red phosphors as the first phosphor.
(Phosphor 1)
The phosphor 1 is a phosphor represented by M a x M b y Al 3 N z : Eu, and M a = Sr, M b = Li, x = 1, y = 1, and z = 4 are designed values. And SrN n (n = 2/3 equivalent), Li 3 N, AlN and EuF 3 were used as raw materials. These raw materials were weighed and mixed in a glove box in an inert atmosphere so that Sr: Eu: Li: Al = 0.993: 0.007: 1.17: 3 to obtain a mixture. Here, Li is likely to be scattered during firing, so it was blended more than the theoretical value. The mixture was filled in a crucible and heat-treated at 1100 ° C. for 3 hours in a N 2 / H 2 mixed gas atmosphere.
The resulting powder was measured XRD for, it was confirmed that a compound represented by SrLiAl 3 N 4. The emission peak wavelength of fluorescence was 653 nm, and the reflectance at 460 nm was 51.6%.
This phosphor was used as phosphor 1 (hereinafter sometimes abbreviated as “SLAN”).

(蛍光体2)
蛍光体2として、663nmに発光ピーク波長を有し、CaAlSiN:Euで表される蛍光体(以下、「CASN」と略記することがある)を用いた。
(Phosphor 2)
As the phosphor 2, a phosphor having an emission peak wavelength at 663 nm and represented by CaAlSiN 3 : Eu (hereinafter sometimes abbreviated as “CASN”) was used.

第二の蛍光体である緑色蛍光体として、蛍光体3から9を準備した。
(蛍光体3から5)
蛍光体3から5は、いずれもSi6−wAl8−w:Eu(wは、0<w≦4.2を満たす)で表されるβサイアロン蛍光体であり、w値変更による発光ピーク波長違いの3種の蛍光体である。蛍光体3として発ピーク光波長540nmのもの、蛍光体4として発光ピーク波長535nmのもの、蛍光体5として発光ピーク波長531nmのものを用いた。
Phosphors 3 to 9 were prepared as green phosphors as the second phosphor.
(Phosphor 3 to 5)
The phosphors 3 to 5 are all β-sialon phosphors represented by Si 6-w Al w O w N 8-w : Eu (w satisfies 0 <w ≦ 4.2), and w value There are three types of phosphors with different emission peak wavelengths due to the change. The phosphor 3 has a light emission peak wavelength of 540 nm, the phosphor 4 has a light emission peak wavelength of 535 nm, and the phosphor 5 has a light emission peak wavelength of 531 nm.

(蛍光体6)
蛍光体6は、SrGa:Euで表されるチオガレート蛍光体であり、発光ピーク波長は535nmであった。
(Phosphor 6)
The phosphor 6 was a thiogallate phosphor represented by SrGa 2 S 4 : Eu, and the emission peak wavelength was 535 nm.

(蛍光体7)
蛍光体7は、CaMgSi16Cl2-δ:Eu(δは、0≦δ≦1を満たし、Clの組成ズレを示す)で表されるクロロシリケート蛍光体であり、発光ピーク波長は522nmであった。
(Phosphor 7)
The phosphor 7 is a chlorosilicate phosphor represented by Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2 -δ : Eu (δ satisfies 0 ≦ δ ≦ 1 and indicates a composition shift of Cl), and has an emission peak wavelength. Was 522 nm.

(蛍光体8)
蛍光体8は、(Ba,Sr)SiO:Euで表されるシリケート蛍光体であり、発光ピーク波長は523nmであった。
(Phosphor 8)
The phosphor 8 is a silicate phosphor represented by (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu, and the emission peak wavelength was 523 nm.

(蛍光体9)
蛍光体9は、Y(Al,Ga)12:Ceで表されるアルミネート蛍光体(以下、「YAGG」と略記することがある)であり、発光ピーク波長は543nmであった。
(Phosphor 9)
The phosphor 9 is an aluminate phosphor represented by Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce (hereinafter sometimes abbreviated as “YAGG”), and the emission peak wavelength was 543 nm.

各蛍光体の発光ピーク波長、半値幅を下表に示す。また、図3、4には各蛍光体の最大発光強度を100%とした場合、波長に対する発光強度を示す発光スペクトルを示す。   The emission peak wavelength and half-value width of each phosphor are shown in the table below. 3 and 4 show emission spectra showing the emission intensity with respect to the wavelength when the maximum emission intensity of each phosphor is 100%.

蛍光体3から9は520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光体である。蛍光体3から8は半値幅が70nm以下であるのに対して、蛍光体9は半値幅が70nmよりも大きい。   Phosphors 3 to 9 are phosphors having an emission peak wavelength in the range of 520 nm to 550 nm. The phosphors 3 to 8 have a half width of 70 nm or less, whereas the phosphor 9 has a half width of more than 70 nm.

(実施例1から6、比較例1、2)
発光装置の作製
発光波長452nmの青色発光LED(発光素子)に、表2に示す蛍光体を組み合わせて、発光装置を調製した。
発光装置が発する混色光の色度座標がx=0.250、y=0.220付近となるように配合した蛍光体をシリコーン樹脂に添加し、混合分散した後、更に脱泡することにより蛍光体含有樹脂組成物を得た。次にこの蛍光体含有樹脂組成物を発光素子の上に注入、充填し、さらに加熱することで樹脂組成物を硬化させた。このような工程により発光装置をそれぞれ作製した。
(Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 and 2)
Production of Light-Emitting Device A light-emitting device was prepared by combining a phosphor shown in Table 2 with a blue light-emitting LED (light-emitting element) having an emission wavelength of 452 nm.
A phosphor blended so that the chromaticity coordinates of the mixed-color light emitted from the light-emitting device are in the vicinity of x = 0.250 and y = 0.220 is added to the silicone resin, mixed and dispersed, and then defoamed for further fluorescence. A body-containing resin composition was obtained. Next, the phosphor-containing resin composition was poured and filled on the light emitting element, and further heated to cure the resin composition. Each of the light emitting devices was manufactured through such a process.

実施例1から6、比較例1、2に係る発光装置の、波長に対する相対強度を示す発光スペクトルを図5及び6に示す。図5は440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を基準(100%)とした相対強度を用いた発光スペクトルである。図6は520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を基準(100%)とした相対強度を用いた発光スペクトルである。
各発光装置の発光スペクトルにおける440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を100%とした場合の480nm以上500nm以下の範囲及び590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度を算出した。結果を下表2に示す。
The emission spectrum which shows the relative intensity with respect to the wavelength of the light-emitting device which concerns on Examples 1-6 and Comparative Examples 1 and 2 is shown to FIG. FIG. 5 is an emission spectrum using relative intensity based on the maximum emission intensity in the range of 440 nm to 460 nm as a reference (100%). FIG. 6 is an emission spectrum using relative intensity based on the maximum emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm as a reference (100%).
The average emission intensity in the range of 480 to 500 nm and the range of 590 to 610 nm when the maximum emission intensity in the range of 440 to 460 nm in the emission spectrum of each light-emitting device was defined as 100% was calculated. The results are shown in Table 2 below.

(相対NTSC比)
得られた発光装置のNTSC比を以下のようにして求め、比較例1のNTSC比を基準の100%とした相対NTSC比として、各実施例、比較例のNTSC比を算出した。
発光装置からの光を、カラーフィルターを通過させて青色光、緑色光及び赤色光をそれぞれ取り出し、その際の各色の色度よりディスプレイとして表示した際の色再現範囲及びNTSC比を求めることができる。
カラーフィルターとして、青色LEDとYAG:Ce蛍光体を用いた発光装置に適用した場合に、NTSC比が70%程度になる一般的なカラーフィルターを用いた場合についてシミュレーションを行い、各発光装置のNTSC比を算出した。結果を下表2に示す。
(Relative NTSC ratio)
The NTSC ratio of the obtained light emitting device was determined as follows, and the NTSC ratio of each example and comparative example was calculated as a relative NTSC ratio with the NTSC ratio of comparative example 1 as 100% of the reference.
The color reproduction range and NTSC ratio when the light from the light emitting device is displayed as a display can be obtained from the chromaticity of each color at the time of passing through the color filter and extracting blue light, green light and red light, respectively. .
When the color filter is applied to a light emitting device using a blue LED and a YAG: Ce phosphor, a simulation is performed for a case where a general color filter having an NTSC ratio of about 70% is used. The ratio was calculated. The results are shown in Table 2 below.

上記同様にして、各発光装置の発光スペクトルにおける520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を100%とした場合の480以上500nm以下の範囲及び590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度を算出した。また、比較のため相対NTSC比を併記した。結果を下表3に示す。   In the same manner as above, the average emission intensity in the range of 480 to 500 nm and the average emission intensity in the range of 590 to 610 nm when the maximum emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm in the emission spectrum of each light emitting device was set to 100% was calculated. For comparison, the relative NTSC ratio is also shown. The results are shown in Table 3 below.

実施例1の発光装置は、第一の蛍光体として発光ピーク波長が653nm、半値幅が57nmである蛍光体1を用いており、第二の蛍光体として発光ピーク波長が544nm、半値幅が56nmである蛍光体3を用いている。一方、比較例1の発光装置は、第一の蛍光体として発光ピーク波長が663nm、半値幅が89nmである蛍光体2を用いており、第二の蛍光体として実施例1と同様に蛍光体3を用いている。   The light emitting device of Example 1 uses the phosphor 1 having an emission peak wavelength of 653 nm and a half-value width of 57 nm as the first phosphor, and the emission peak wavelength of 544 nm and the half-value width of 56 nm as the second phosphor. The phosphor 3 is used. On the other hand, the light emitting device of Comparative Example 1 uses the phosphor 2 having an emission peak wavelength of 663 nm and a half-value width of 89 nm as the first phosphor, and the phosphor as in Example 1 as the second phosphor. 3 is used.

表2中の「相対NTSC比」に示されるように、実施例1の発光装置は、比較例1の発光装置よりも、NTSC比が大きく、色再現範囲が広くなっている。この理由は以下のように考えられる。蛍光体1は、その化合物が有する組成、結晶構造の由来によって発光スペクトルの半値幅が蛍光体2の半値幅よりも狭くなっている。このように赤色の蛍光体の発光スペクトルの半値幅が狭くなることにより、実施例1の発光装置は、発光スペクトルの590nm以上610nm以下の発光成分について、評価指標として例えば平均発光強度が、比較例1の発光装置よりも小さく、440nm以上460nm以下の最大発光強度を基準とした場合には7.5%以下であり、520nm以上550nm以下の最大発光強度を基準とした場合には33%以下と少なくなっている。このような発光スペクトルの違いにより、実施例1の発光装置は、比較例1の発光装置よりも、色再現範囲が広くなったと考えられる。   As shown in “Relative NTSC ratio” in Table 2, the light emitting device of Example 1 has a larger NTSC ratio and a wider color reproduction range than the light emitting device of Comparative Example 1. The reason is considered as follows. The half width of the emission spectrum of the phosphor 1 is narrower than that of the phosphor 2 due to the composition and crystal structure of the compound. As described above, since the half-value width of the emission spectrum of the red phosphor is narrowed, the light emitting device of Example 1 has an average emission intensity of, for example, a comparative example of the emission components of the emission spectrum of 590 nm to 610 nm. When the maximum emission intensity of 440 nm or more and 460 nm or less is used as a reference, it is 7.5% or less, and when the maximum emission intensity of 520 nm or more and 550 nm or less is used as a reference, it is 33% or less. It is running low. Due to the difference in emission spectrum, it is considered that the light emitting device of Example 1 has a wider color reproduction range than the light emitting device of Comparative Example 1.

実施例2の発光装置は、実施例1の発光装置に使用した蛍光体1を第一の蛍光体として使用し、第二の蛍光体として、実施例1の発光装置に使用した蛍光体3よりも発光ピーク波長が短く、半値幅が狭い蛍光体4を使用した。実施例2の発光装置は、蛍光体4の使用により、蛍光体3を使用した実施例1の発光装置よりも、緑色の色純度が高くなる。そのため、実施例2の発光装置は、実施例1の発光装置よりもNTSC比が高くなっており、色再現範囲が広くなったことがわかる。   In the light emitting device of Example 2, the phosphor 1 used in the light emitting device of Example 1 is used as the first phosphor, and as the second phosphor, the phosphor 3 used in the light emitting device of Example 1 is used. Also, phosphor 4 having a short emission peak wavelength and a narrow half-value width was used. In the light emitting device of Example 2, the use of the phosphor 4 has higher green color purity than the light emitting device of Example 1 using the phosphor 3. Therefore, it can be seen that the light emitting device of Example 2 has a higher NTSC ratio than the light emitting device of Example 1, and has a wider color reproduction range.

実施例3の発光装置は、第一の蛍光体として実施例1の発光装置に使用した蛍光体1を使用し、第二の蛍光体として実施例2の発光装置に使用した蛍光体4よりも更に発光ピーク波長が短く、半値幅が狭い蛍光体5を使用した。実施例3の発光装置は、蛍光体5の使用により、蛍光体4を使用した実施例2の発光装置よりも緑色の色純度が更に高くなる。そのため、実施例3の発光装置は、実施例2の発光装置よりも更にNTSC比が高くなっており、色再現範囲が広くなったことがわかる。   In the light emitting device of Example 3, the phosphor 1 used in the light emitting device of Example 1 is used as the first phosphor, and the phosphor 4 used in the light emitting device of Example 2 is used as the second phosphor. Furthermore, phosphor 5 having a short emission peak wavelength and a narrow half-value width was used. In the light emitting device of Example 3, the use of the phosphor 5 makes the green color purity higher than that of the light emitting device of Example 2 using the phosphor 4. Therefore, it can be seen that the light emitting device of Example 3 has a higher NTSC ratio than the light emitting device of Example 2, and has a wider color reproduction range.

実施例4の発光装置は、実施例3の発光装置に使用した蛍光体1を第一の蛍光体として使用し、第二の蛍光体として、実施例3の発光装置に使用した蛍光体5よりも発光ピーク波長は短いが、半値幅は蛍光体5よりも広い蛍光体7を用いている。実施例4の発光装置は、第二の蛍光体として用いている蛍光体7の半値幅が蛍光体5よりも広い。そのため、実施例4の発光装置は、480nm以上500nm以下における発光スペクトルの平均発光強度が、440nm以上460nm以下の最大発光強度を基準とした場合には7%よりも大きく、520nm以上550nm以下の最大発光強度を基準とした場合には40%よりも大きくなり、色再現範囲が実施例3よりもやや狭くなっているものの、依然として良好な色再現範囲となっている。   In the light emitting device of Example 4, the phosphor 1 used in the light emitting device of Example 3 is used as the first phosphor, and as the second phosphor, from the phosphor 5 used in the light emitting device of Example 3. Although the emission peak wavelength is short, a phosphor 7 having a half width greater than that of the phosphor 5 is used. In the light emitting device of Example 4, the half width of the phosphor 7 used as the second phosphor is wider than that of the phosphor 5. Therefore, in the light emitting device of Example 4, the average emission intensity of the emission spectrum at 480 nm or more and 500 nm or less is larger than 7% when the maximum emission intensity of 440 nm or more and 460 nm or less is used as a reference, and the maximum emission intensity of 520 nm or more and 550 nm or less When the emission intensity is used as a reference, it is larger than 40%, and the color reproduction range is slightly narrower than that of the third embodiment, but is still a good color reproduction range.

実施例5の発光装置は、実施例3の発光装置に使用した蛍光体1を第一の蛍光体として使用し、第二の蛍光体として、実施例3の発光装置に使用した蛍光体5よりも発光ピーク波長は短いが、半値幅は蛍光体5よりも広い蛍光体8を用いている。実施例5の発光装置は、第二の蛍光体として用いている蛍光体8の半値幅が蛍光体5よりも広い。そのため、実施例5の発光装置は、実施例4の発光装置と同様に、480nm以上500nm以下における発光スペクトルの平均発光強度が7%よりも大きくなり、色再現範囲が実施例3よりもやや狭くなっているものの、依然として良好な色再現範囲となっている。   The light emitting device of Example 5 uses the phosphor 1 used in the light emitting device of Example 3 as the first phosphor, and the phosphor 5 used in the light emitting device of Example 3 as the second phosphor. Although the emission peak wavelength is short, the phosphor 8 having a half width greater than that of the phosphor 5 is used. In the light emitting device of Example 5, the half width of the phosphor 8 used as the second phosphor is wider than that of the phosphor 5. For this reason, in the light emitting device of Example 5, like the light emitting device of Example 4, the average emission intensity of the emission spectrum at 480 nm to 500 nm is larger than 7%, and the color reproduction range is slightly narrower than that of Example 3. However, the color reproduction range is still good.

実施例6の発光装置は、実施例3の発光装置に使用した蛍光体1を第一の蛍光体として使用し、第二の蛍光体として、実施例3の発光装置に使用した蛍光体5よりも発光ピーク波長がやや長く、半値幅が蛍光体5と同じ蛍光体6を用いている。そのため、実施例6の発光装置は、実施例3の発光装置と同様に緑色の色純度が高く、色再現範囲が実施例3と同程度の色再現範囲となっている。   In the light emitting device of Example 6, the phosphor 1 used in the light emitting device of Example 3 is used as the first phosphor, and as the second phosphor, the phosphor 5 used in the light emitting device of Example 3 is used. Also, a phosphor 6 having a slightly longer emission peak wavelength and the same half width as the phosphor 5 is used. Therefore, the light emitting device of Example 6 has a high green color purity like the light emitting device of Example 3, and the color reproduction range is similar to that of Example 3.

上述した実施例に対して、比較例2の発光装置は、実施例1の発光装置に使用した蛍光体1を第一の蛍光体として使用しているものの、蛍光体3から8よりも半値幅が広い蛍光体9を第二の蛍光体として用いている。そのため、比較例2の発光装置は、緑色の色純度が低下するだけでなく、590nm以上610nm以下の平均発光強度が、440nm以上460nm以下の最大発光強度を基準とした場合には10.8%と7.5%よりも大きくなり、520nm以上550nm以下の最大発光強度を基準とした場合には53.4%と33%よりも大きくなっており、実施例1から5よりもNTSC比が大きく低下している。   In contrast to the example described above, the light emitting device of Comparative Example 2 uses the phosphor 1 used in the light emitting device of Example 1 as the first phosphor, but has a half-value width wider than the phosphors 3 to 8. A broad phosphor 9 is used as the second phosphor. Therefore, in the light emitting device of Comparative Example 2, not only the green color purity is lowered, but the average light emission intensity of 590 nm to 610 nm is 10.8% when the maximum light emission intensity of 440 nm to 460 nm is used as a reference. 7.5%, and the maximum emission intensity of 520 nm or more and 550 nm or less is 53.4% and 33%, and the NTSC ratio is larger than those of Examples 1 to 5. It is falling.

本開示の発光装置は、LEDディスプレイ、バックライト光源、照明用光源等に好適に利用できる。また、RGBの各色を深く鮮やかに再現することが望まれるモニター、スマートフォン等のバックライト用の発光装置として用いることができる。   The light emitting device of the present disclosure can be suitably used for an LED display, a backlight light source, an illumination light source, and the like. Moreover, it can be used as a light-emitting device for backlights such as monitors and smartphones that are desired to reproduce RGB colors deeply and vividly.

10:発光素子、50:蛍光部材、71:第一の蛍光体、72:第二の蛍光体、100:発光装置   10: Light emitting element, 50: Fluorescent member, 71: First phosphor, 72: Second phosphor, 100: Light emitting device

Claims (8)

発光ピーク波長が440nm以上460nm以下である発光素子と、
640nm以上670nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発し、下記組成式(I)で表される第一の蛍光体と、
520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する第二の蛍光体と、を備え、
440nm以上460nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、
590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が7.5%以下である発光スペクトルを有する発光装置。
Al:Eu (I)
(式中、Mは、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Li、Na及びKからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、x、y及びzはそれぞれ、0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.2、及び3.5≦z≦4.5を満たす。)
A light emitting device having an emission peak wavelength of 440 nm or more and 460 nm or less;
A first phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in a range of 640 nm or more and 670 nm or less, and represented by the following composition formula (I):
A second phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in the range of 520 nm or more and 550 nm or less,
When the maximum emission intensity in the range of 440 nm to 460 nm is 100%,
A light-emitting device having an emission spectrum whose average emission intensity in a range of 590 nm to 610 nm is 7.5% or less.
M a x M b y Al 3 N z : Eu (I)
(In the formula, M a is at least one element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, and M b is at least one element selected from the group consisting of Li, Na and K. And x, y, and z satisfy 0.5 ≦ x ≦ 1.5, 0.5 ≦ y ≦ 1.2, and 3.5 ≦ z ≦ 4.5, respectively.
480nm以上500nm以下の範囲における平均発光強度が7%以下である、請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein an average light emission intensity in a range of 480 nm to 500 nm is 7% or less. 発光ピーク波長が440nm以上460nm以下である発光素子と、
640nm以上670nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発し、下記組成式(I)で表される第一の蛍光体と、
520nm以上550nm以下の範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発する第二の蛍光体と、を備え、
520nm以上550nm以下の範囲における最大発光強度を100%とする場合に、
590nm以上610nm以下の範囲における平均発光強度が33%以下である発光スペクトルを有する発光装置。
Al:Eu (I)
(式中、Mは、Ca、Sr及びBaからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Li、Na及びKからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、x、y及びzはそれぞれ、0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.2、及び3.5≦z≦4.5を満たす。)
A light emitting device having an emission peak wavelength of 440 nm or more and 460 nm or less;
A first phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in a range of 640 nm or more and 670 nm or less, and represented by the following composition formula (I):
A second phosphor that emits fluorescence having an emission peak wavelength in the range of 520 nm or more and 550 nm or less,
When the maximum emission intensity in the range of 520 nm to 550 nm is 100%,
A light-emitting device having an emission spectrum whose average emission intensity in a range of 590 nm to 610 nm is 33% or less.
M a x M b y Al 3 N z : Eu (I)
(In the formula, M a is at least one element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, and M b is at least one element selected from the group consisting of Li, Na and K. And x, y, and z satisfy 0.5 ≦ x ≦ 1.5, 0.5 ≦ y ≦ 1.2, and 3.5 ≦ z ≦ 4.5, respectively.
480nm以上500nm以下の範囲における平均発光強度が40%以下である、請求項3に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 3, wherein an average light emission intensity in a range of 480 nm to 500 nm is 40% or less. 前記第二の蛍光体は、発光スペクトルの半値幅が70nm以下である、請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the second phosphor has a half-value width of an emission spectrum of 70 nm or less. 前記第二の蛍光体が、下記組成式(IIa)で表されるβサイアロン蛍光体、下記組成式(IIb)で表されるシリケート蛍光体、下記組成式(IIc)で表されるハロシリケート蛍光体及び下記組成式(IId)で表されるチオガレート蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1から5いずれか1項に記載の発光装置。
Si6−wAl8−w:Eu (IIa)
(式中、wは、0<w≦4.2を満たす。)
(Ba,Sr,Ca,Mg)SiO:Eu (IIb)、
(Ca,Sr,Ba)MgSi16(F,Cl,Br):Eu (IIc)
(Ba,Sr,Ca)Ga:Eu (IId)
The second phosphor is a β sialon phosphor represented by the following composition formula (IIa), a silicate phosphor represented by the following composition formula (IIb), and a halosilicate fluorescence represented by the following composition formula (IIc). The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is at least one selected from the group consisting of a thiogallate phosphor represented by the following formula (IId):
Si 6-w Al w O w N 8-w : Eu (IIa)
(In the formula, w satisfies 0 <w ≦ 4.2.)
(Ba, Sr, Ca, Mg) 2 SiO 4 : Eu (IIb),
(Ca, Sr, Ba) 8 MgSi 4 O 16 (F, Cl, Br) 2 : Eu (IIc)
(Ba, Sr, Ca) Ga 2 S 4 : Eu (IId)
前記第一の蛍光体は、組成式(I)におけるMがSr及びCaの少なくとも一方の元素を含み、MがLiであり、460nmにおける反射率が53%以下である、請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。 Wherein the first phosphor, M a in formula (I) comprises at least one element of Sr and Ca, M b is Li, is equal to or less than 53% reflectance at 460 nm, from claim 1 7. The light emitting device according to any one of 6. CIE1931に規定されるxy色度座標がx=0.220以上0.340以下且つy=0.160以上0.340以下の範囲である光を発する、請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。   8. The light according to claim 1, which emits light having an xy chromaticity coordinate specified by CIE 1931 in a range of x = 0.220 to 0.340 and y = 0.160 to 0.340. The light-emitting device of description.
JP2015165101A 2015-02-13 2015-08-24 Light-emitting device Pending JP2016154205A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015026532 2015-02-13
JP2015026532 2015-02-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016154205A true JP2016154205A (en) 2016-08-25

Family

ID=56760598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015165101A Pending JP2016154205A (en) 2015-02-13 2015-08-24 Light-emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016154205A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019165257A (en) * 2017-01-13 2019-09-26 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
CN110959201A (en) * 2017-06-28 2020-04-03 京瓷株式会社 Light emitting device and lighting device
CN110970542A (en) * 2018-09-28 2020-04-07 日亚化学工业株式会社 Light emitting device and lamp provided with same
US10611960B2 (en) 2016-08-24 2020-04-07 Nichia Corporation Nitride fluorescent material and light emitting device
US10781370B2 (en) 2016-12-15 2020-09-22 Nichia Corporation Method of producing nitride fluorescent material
JP2022136300A (en) * 2020-03-27 2022-09-15 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and lightning fixture having the same
WO2023074525A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and light source device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010039A (en) * 2008-06-30 2010-01-14 Sharp Corp Image display device
JP2010093132A (en) * 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp Semiconductor light emitting device, and image display and liquid crystal display using the same
JP2010141033A (en) * 2008-12-10 2010-06-24 Sharp Corp Semiconductor light emitting device, and image display using the same
JP2010177656A (en) * 2009-02-02 2010-08-12 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting diode unit and display device including the same
WO2013175336A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Koninklijke Philips N.V. New phosphors, such as new narrow-band red emitting phosphors, for solid state lighting

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010039A (en) * 2008-06-30 2010-01-14 Sharp Corp Image display device
JP2010093132A (en) * 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp Semiconductor light emitting device, and image display and liquid crystal display using the same
JP2010141033A (en) * 2008-12-10 2010-06-24 Sharp Corp Semiconductor light emitting device, and image display using the same
JP2010177656A (en) * 2009-02-02 2010-08-12 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting diode unit and display device including the same
WO2013175336A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Koninklijke Philips N.V. New phosphors, such as new narrow-band red emitting phosphors, for solid state lighting

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10611960B2 (en) 2016-08-24 2020-04-07 Nichia Corporation Nitride fluorescent material and light emitting device
US10781370B2 (en) 2016-12-15 2020-09-22 Nichia Corporation Method of producing nitride fluorescent material
JP2019165257A (en) * 2017-01-13 2019-09-26 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
CN110959201A (en) * 2017-06-28 2020-04-03 京瓷株式会社 Light emitting device and lighting device
CN110959201B (en) * 2017-06-28 2023-05-09 京瓷株式会社 Light emitting device and lighting device
CN110970542A (en) * 2018-09-28 2020-04-07 日亚化学工业株式会社 Light emitting device and lamp provided with same
JP2022136300A (en) * 2020-03-27 2022-09-15 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and lightning fixture having the same
JP7311819B2 (en) 2020-03-27 2023-07-20 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and lamp equipped with the same
WO2023074525A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and light source device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6526603B2 (en) Light emitting device
JP2016154205A (en) Light-emitting device
US10026876B2 (en) Light emitting device
JP7312187B2 (en) Phosphor and light emitting device
JP6406109B2 (en) Phosphor, light emitting device using the same, and method for producing phosphor
US10008643B2 (en) Light emitting device having different types of phosphor material
WO2009093427A1 (en) Light emitting device
US9735323B2 (en) Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
US10032965B2 (en) Phosphor, light-emitting apparatus including the same, and phosphor production method
JP6167913B2 (en) Phosphor and light emitting device using the same
JP6361549B2 (en) Phosphor, light emitting device using the same, and method for producing phosphor
JP6256541B2 (en) Light emitting device
JP2007231250A (en) Phosphor and light-emitting device using the same
JP6558378B2 (en) Light emitting device
JP6520553B2 (en) Light emitting device
US9716212B2 (en) Light emitting device
JP6512013B2 (en) Image display device
US20230151273A1 (en) Light emitting device and lightening fixture provided with same
JP6252396B2 (en) Phosphor, light emitting device using the same, and method for producing phosphor
JP6540784B2 (en) Method for producing aluminate phosphor, aluminate phosphor and light emitting device
JP6288343B2 (en) Phosphor and light emitting device using the same
JP6617659B2 (en) Aluminate phosphor and light emitting device
JP2019165257A (en) Light-emitting device
JP2023032473A (en) Light-emitting device and lighting fixture with them

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20161019

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20161019

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190528

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191025

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20191105

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20200124