JP2016151992A - Transparent electrode structure, manufacturing method for transparent electrode, touch panel, and organic el device - Google Patents

Transparent electrode structure, manufacturing method for transparent electrode, touch panel, and organic el device Download PDF

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梶山 康一
Koichi Kajiyama
康一 梶山
水村 通伸
Michinobu Mizumura
通伸 水村
裕也 藤森
Yuya Fujimori
裕也 藤森
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve transparency and low resistance without going through a photolithographic process.SOLUTION: A transparent electrode structure comprises a transparent electrode layer 1 and an auxiliary electrode layer 2 laminated together, where the transparent electrode layer has a transparent electrode pattern 3 of a predetermined form and the auxiliary electrode layer has a plurality of conductive thin lines 5, which are in electrical contact with the transparent electrode pattern 3 and are segmented, formed using a metal mask having a plurality of slits that are segmented to correspond to the conductive thin lines 5.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、透明電極に関し、特にフォトリソグラフィーの工程を経ずに透過性と低抵抗化を図り得るようにした透明電極構造、透明電極の製造方法、タッチパネル及び有機EL装置に係るものである。   The present invention relates to a transparent electrode, and more particularly, to a transparent electrode structure, a transparent electrode manufacturing method, a touch panel, and an organic EL device that can achieve transparency and low resistance without passing through a photolithography process.

従来の透明電極構造は、透明基材上に金属酸化物を例えばスパッタリングして成膜した後、フォトリソグラフィーの工程を経て所定の形状にパターンニングして形成した単層構造のものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。   The conventional transparent electrode structure has a single-layer structure formed by sputtering a metal oxide on a transparent substrate, for example, and then patterning it into a predetermined shape through a photolithography process. (For example, refer to Patent Document 1).

また、他の透明電極構造としては、透明電極パターンに対応して複数の導体細線を交差させて網目状に設けた網目状導体(メッシュ状導体)の構造を成したものがある(例えば、特許文献2参照)。   In addition, as another transparent electrode structure, there is one having a structure of a mesh conductor (mesh conductor) provided in a mesh shape by intersecting a plurality of thin conductor wires corresponding to a transparent electrode pattern (for example, a patent) Reference 2).

さらに他の透明電極構造としては、金属酸化物等から成る透明電極材料を例えばスパッタリングにより成膜した後、フォトリソグラフィーの工程を経て所定の形状にパターンニングして形成した透明電極パターンと、該透明電極パターンの外周部を取り囲むように設けた細線パターンを有するフォトマスクを使用して、必要部分に塗布された感光性導電材料を露光、現像するフォトリソグラフィーの工程を経て形成された補助細線パターンと、を積層した構造を成したものもある(例えば、特許文献3参照)。   As another transparent electrode structure, a transparent electrode material made of a metal oxide or the like is formed by sputtering, for example, and then patterned into a predetermined shape through a photolithography process, and the transparent electrode pattern is formed. Auxiliary fine line pattern formed through a photolithography process in which a photosensitive conductive material applied to a necessary portion is exposed and developed using a photomask having a fine line pattern provided so as to surround the outer periphery of the electrode pattern There is also a structure having a laminated structure (see, for example, Patent Document 3).

特開2011−197754号公報JP 2011-197754 A 特開2014−056461号公報JP 2014-056461 A 特開2014−174607号公報JP, 2014-174607, A

しかし、このような従来の透明電極構造において、特許文献1に記載の透明電極構造は、透明導電膜が金属酸化物であるため透過性に優れているものの、配線抵抗が大きくなるという問題がある。したがって、静電容量式タッチパネルの透明電極として適用した場合には、検出感度が悪くなるという問題がある。また、有機EL装置用の透明電極に適用した場合には、発光ムラが発生するという問題がある。   However, in such a conventional transparent electrode structure, the transparent electrode structure described in Patent Document 1 has a problem that the wiring resistance is increased although the transparent conductive film is a metal oxide and has excellent transparency. . Therefore, when applied as a transparent electrode of a capacitive touch panel, there is a problem that detection sensitivity is deteriorated. In addition, when applied to a transparent electrode for an organic EL device, there is a problem that uneven light emission occurs.

特許文献2に記載の透明電極構造は、複数の導体細線のみで形成されているので、透過性をよくするために網目の開口率を上げると導体細線が細くなり、配線抵抗が大きくなるという問題がある。一方、配線抵抗を下げるために導体細線を太くすると透過性が悪くなるという問題がある。このように、特許文献2に記載の透明電極構造では、電極の低抵抗化と透過性との両立を図るのが困難である。   Since the transparent electrode structure described in Patent Document 2 is formed of only a plurality of conductor thin wires, increasing the mesh aperture ratio to improve the transparency makes the conductor thin wires thinner and increases the wiring resistance. There is. On the other hand, if the conductor fine wire is thickened to reduce the wiring resistance, there is a problem that the transparency is deteriorated. As described above, in the transparent electrode structure described in Patent Document 2, it is difficult to achieve both reduction in resistance and permeability of the electrode.

また、透明電極は、導体細線が網目状に配線された網目状導体構造を成しているため、導体細線に対応させてメタルシートや樹脂フィルムのようなマスク用基材に網目状に交差したスリットを形成することができず、上記網目状導体に対応した成膜マスクを作製することができない。したがって、成膜マスクを使用して、例えばスパッタリング等の成膜により透明電極を形成することができない。それ故、特許文献2に記載の透明電極の製造には、前述したようにフォトリソグラフィーの工程を必要とし、製造工程が複雑になるという問題がある。   In addition, since the transparent electrode has a mesh-like conductor structure in which fine conductor wires are arranged in a mesh pattern, the transparent electrode crosses the mask base material such as a metal sheet or a resin film in a mesh pattern corresponding to the fine conductor wires. A slit cannot be formed, and a film formation mask corresponding to the mesh conductor cannot be produced. Therefore, a transparent electrode cannot be formed by film formation such as sputtering using a film formation mask. Therefore, the manufacture of the transparent electrode described in Patent Document 2 requires a photolithography process as described above, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated.

特許文献3に記載の透明電極構造は、金属酸化物から成る透明電極パターンと、該透明電極パターンの外周部を取り囲むように設けた補助細線パターンと、を積層したものであるため、透過性と低抵抗化の両立を図ることができる。しかしながら、上記補助細線パターンは、透明電極パターンの外周部を取り囲む閉ループを成したものであるため、特許文献2の網目状導体の場合と同様に、マスク用基材に上記補助細線パターンに対応させて閉ループのスリットを形成することができず、上記補助細線パターンに対応した成膜マスクを作製することができない。したがって、成膜マスクを使用した成膜により補助細線パターンを形成することができない。それ故、特許文献3に記載の透明電極の製造においても、補助細線パターンの形成は、フォトリソグラフィーの工程を必要とし、透明電極の製造工程が複雑になるという問題がある。   The transparent electrode structure described in Patent Document 3 is a laminate of a transparent electrode pattern made of a metal oxide and an auxiliary fine line pattern provided so as to surround the outer periphery of the transparent electrode pattern. It is possible to achieve both low resistance. However, since the auxiliary fine line pattern is a closed loop surrounding the outer periphery of the transparent electrode pattern, the mask base material is made to correspond to the auxiliary fine line pattern as in the case of the mesh conductor of Patent Document 2. Therefore, a closed loop slit cannot be formed, and a film formation mask corresponding to the auxiliary fine line pattern cannot be produced. Therefore, the auxiliary fine line pattern cannot be formed by film formation using the film formation mask. Therefore, even in the production of the transparent electrode described in Patent Document 3, the formation of the auxiliary fine line pattern requires a photolithography process, and there is a problem that the production process of the transparent electrode becomes complicated.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、フォトリソグラフィーの工程を経ずに透過性と低抵抗化を図り得るようにした透明電極構造、透明電極の製造方法、タッチパネル及び有機EL装置を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention addresses such problems and provides a transparent electrode structure, a transparent electrode manufacturing method, a touch panel, and an organic EL device capable of reducing transparency and resistance without going through a photolithography process. The purpose is to provide.

上記目的を達成するために、本発明による透明電極構造は、予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層と、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けた補助電極層と、を積層したものである。   In order to achieve the above object, a transparent electrode structure according to the present invention includes a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern having a predetermined shape, and a plurality of conductor fine wires that are in electrical contact with and separated from the transparent electrode pattern. And an auxiliary electrode layer provided by using a film formation mask having a plurality of slits separated from each other in correspondence with the conductor thin wire.

また、本発明による透明電極の製造方法は、基材上に透明電極を形成する透明電極の製造方法であって、予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層を形成する工程と、前記透明電極層の一面に、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けて補助電極層を形成する工程と、を行うものである。   The transparent electrode manufacturing method according to the present invention is a transparent electrode manufacturing method for forming a transparent electrode on a substrate, and a step of forming a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern of a predetermined shape; A film formation mask having a plurality of slits that are separated from each other so as to correspond to the conductor thin wires on a surface of the transparent electrode layer, the conductor thin wires being in contact with the transparent electrode pattern and being separated. And providing an auxiliary electrode layer.

さらに、本発明によるタッチパネルは、透明基材上に複数の透明電極を備えるタッチパネルであって、前記透明電極は、予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層と、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けた補助電極層と、を積層した構造を有するものである。   Furthermore, the touch panel according to the present invention is a touch panel provided with a plurality of transparent electrodes on a transparent substrate, and the transparent electrode includes a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern having a predetermined shape, and the transparent electrode pattern. A structure in which a plurality of fine conductor wires that are electrically contacted and divided are laminated with an auxiliary electrode layer provided using a film formation mask having a plurality of slits that are separated from each other in correspondence with the fine conductor wires. It is what you have.

そして、本発明による有機EL装置は、有機EL基材上に形成された透明電極を備える有機EL装置であって、前記透明電極は、予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層と、前記透明電極層の一面に、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けた補助電極層と、を積層した構造を有するものである。   The organic EL device according to the present invention is an organic EL device including a transparent electrode formed on an organic EL substrate, and the transparent electrode includes a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern having a predetermined shape. A film forming mask having a plurality of slits separated from each other in correspondence with the conductor thin wires on the transparent electrode layer and in contact with the transparent electrode pattern is formed on one surface of the transparent electrode layer. And an auxiliary electrode layer provided in a stacked structure.

本発明によれば、透明電極パターンに電気的に接触する複数の導体細線は、互いに分断されており、閉ループを形成しないため、上記導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを形成することができる。したがって、上記導体細線は、成膜マスクを使用して成膜形成することができ、従来技術と違って、フォトリソグラフィー工程を経ずに透明電極の透過性と低抵抗化を図ることができる。それ故、透明電極の製造工程が簡単になり、タッチパネルや有機EL装置の製造コストを低減することができる。   According to the present invention, the plurality of thin conductor wires that are in electrical contact with the transparent electrode pattern are separated from each other and do not form a closed loop, and thus have a plurality of slits separated from each other in correspondence with the fine conductor wires. A film mask can be formed. Therefore, the thin conductor wire can be formed by using a film formation mask, and unlike the prior art, the transparency and resistance of the transparent electrode can be reduced without going through a photolithography process. Therefore, the transparent electrode manufacturing process is simplified, and the manufacturing cost of the touch panel and the organic EL device can be reduced.

本発明による透明電極構造の一実施形態を示す図であり、(a)は要部拡大平面図、(b)は(a)のO−O線断面矢視図である。It is a figure which shows one Embodiment of the transparent electrode structure by this invention, (a) is a principal part enlarged plan view, (b) is the OO line cross-sectional arrow view of (a). 本発明による透明電極の製造に使用する成膜マスクの一構成例を示す要部拡大平面図である。It is a principal part enlarged plan view which shows one structural example of the film-forming mask used for manufacture of the transparent electrode by this invention. 本発明によるタッチパネルの一構成例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は要部拡大平面図である。It is a figure which shows one structural example of the touchscreen by this invention, (a) is a top view, (b) is a principal part enlarged plan view. 上記タッチパネルの透明電極の透明電極層を示す要部拡大平面図である。It is a principal part enlarged plan view which shows the transparent electrode layer of the transparent electrode of the said touch panel. 上記透明電極層を形成するための第1のメタルマスクを示す図であり、(a)は平面図、(b)は要部拡大平面図である。It is a figure which shows the 1st metal mask for forming the said transparent electrode layer, (a) is a top view, (b) is a principal part enlarged plan view. 上記タッチパネルの透明電極の補助電極層を形成するための第2のメタルマスクを示す図であり、(a)は要部拡大平面図、(b)は(a)の領域Aの拡大平面図である。It is a figure which shows the 2nd metal mask for forming the auxiliary electrode layer of the transparent electrode of the said touch panel, (a) is a principal part enlarged plan view, (b) is an enlarged plan view of the area | region A of (a). is there. 本発明による有機EL装置の概略構成を示す図であり、(a)は表示用装置の要部拡大断面図、(b)は照明用装置の断面図である。It is a figure which shows schematic structure of the organic electroluminescent apparatus by this invention, (a) is a principal part expanded sectional view of the apparatus for a display, (b) is sectional drawing of the apparatus for illumination. 本発明による透明電極の製造方法を説明する図であり、タッチパネルの製造工程を断面で示す説明図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the transparent electrode by this invention, and is explanatory drawing which shows the manufacturing process of a touch panel in a cross section. 上記タッチパネルの製造工程における絶縁層形成工程で使用する第3のメタルマスクを示す図であり、(a)は要部拡大平面図、(b)は(a)の中心線断面図である。It is a figure which shows the 3rd metal mask used at the insulating-layer formation process in the manufacturing process of the said touch panel, (a) is a principal part enlarged plan view, (b) is a centerline sectional drawing of (a). 上記タッチパネルの製造工程における導電体形成工程で使用する第4のメタルマスクを示す図であり、(a)は要部拡大平面図、(b)は(a)の中心線断面図である。It is a figure which shows the 4th metal mask used at the conductor formation process in the manufacturing process of the said touch panel, (a) is a principal part enlarged plan view, (b) is centerline sectional drawing of (a). 上記第1のメタルマスクの変形例を示す図であり、(a)は要部拡大平面図、(b)は(a)に対応するタッチパネルの要部を示す拡大平面図である。It is a figure which shows the modification of the said 1st metal mask, (a) is a principal part enlarged plan view, (b) is an enlarged plan view which shows the principal part of the touchscreen corresponding to (a).

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による透明電極構造の一実施形態を示す図であり、(a)は要部拡大平面図、(b)は(a)のO−O線断面矢視図である。この透明電極構造は、透明電極の透過性と低抵抗化を図ろうとするもので、透明電極層1と、補助電極層2と、を積層した構造を成している。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B are diagrams showing an embodiment of a transparent electrode structure according to the present invention. FIG. 1A is an enlarged plan view of a main part, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line OO in FIG. This transparent electrode structure is intended to reduce the transparency and resistance of the transparent electrode, and has a structure in which a transparent electrode layer 1 and an auxiliary electrode layer 2 are laminated.

上記透明電極層1は、予め定められた形状の透明電極パターン3を有するものであり、基材4上に導電性材料の分散液を塗布して形成されたものでも、基材4上に金属酸化物を成膜して形成されたものであってもよい。   The transparent electrode layer 1 has a transparent electrode pattern 3 having a predetermined shape. Even if the transparent electrode layer 1 is formed by applying a dispersion of a conductive material on a base material 4, a metal is formed on the base material 4. It may be formed by forming an oxide film.

ここで、「予め定められた形状」とは、後述するタッチパネルの第1及び第2透明電極パターン3A,3B(図3参照)のように、予め設計により決められた幾何学模様の形状の他に、有機EL装置の透明電極パターン3のように、有機EL基材4の表面の全面を覆った形状も含む概念である。   Here, the “predetermined shape” refers to the shape of a geometric pattern predetermined by design, such as first and second transparent electrode patterns 3A and 3B (see FIG. 3) of the touch panel described later. Moreover, it is a concept including a shape covering the entire surface of the organic EL substrate 4 as in the transparent electrode pattern 3 of the organic EL device.

上記導電性材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリp−フェニレン、グラフェン、PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、カーボンナノチューブ等が挙げられる。   Examples of the conductive material include polyaniline, polypyrrole, polyacetylene, polythiophene, polyphenylene vinylene, polyphenylene sulfide, poly p-phenylene, graphene, PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)), and carbon nanotube.

この場合、透明電極層1は、透明電極が形成される基材4の用途に応じて、導電性材料を基材4の全面に一定の厚みで例えばスプレー塗布して形成してもよく、又は予め定められた形状の貫通開口を有するマスクを基材4に密着させた状態で、導電性材料を塗布して形成してもよい。   In this case, the transparent electrode layer 1 may be formed by, for example, spray coating a conductive material on the entire surface of the base material 4 with a certain thickness, depending on the use of the base material 4 on which the transparent electrode is formed, or A conductive material may be applied and formed in a state in which a mask having a through-opening having a predetermined shape is in close contact with the substrate 4.

また、上記金属酸化物としては、例えば、酸化スズ、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)等が挙げられる。   Examples of the metal oxide include tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc oxide, cadmium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).

この場合も、透明電極層1は、透明電極が形成される基材4の用途に応じて、スパッタリング、蒸着又はCVD法(化学気相成長法)等により、金属酸化物を基材4の全面に一定の厚みで成膜して形成してもよく、又は予め定められた形状の貫通開口を有するマスクを基材4に密着させた状態で金属酸化物を成膜して形成してもよい。   Also in this case, the transparent electrode layer 1 is formed by applying a metal oxide to the entire surface of the substrate 4 by sputtering, vapor deposition, a CVD method (chemical vapor deposition method) or the like according to the use of the substrate 4 on which the transparent electrode is formed. It may be formed by forming a film with a constant thickness, or may be formed by forming a metal oxide film in a state in which a mask having a predetermined shape of a through-opening is in close contact with the substrate 4. .

上記透明電極層1の一面には、補助電極層2が設けられている。この補助電極層2は、透明電極層1の透明電極パターン3の低抵抗化を図るためのもので、透明電極パターン3に電気的に接触すると共に幅が1μm〜50μm程度の分断された複数の導体細線5を備えたものである。なお、補助電極層2は、図1(b)においては、透明電極層1の基材4側の面に形成した場合を示しているが、透明電極層1の基材4と反対側の面に形成してもよい。   An auxiliary electrode layer 2 is provided on one surface of the transparent electrode layer 1. The auxiliary electrode layer 2 is for reducing the resistance of the transparent electrode pattern 3 of the transparent electrode layer 1, and is in electrical contact with the transparent electrode pattern 3 and has a plurality of divided portions having a width of about 1 μm to 50 μm. A conductor thin wire 5 is provided. In addition, although the auxiliary electrode layer 2 shows the case where it forms in the surface at the side of the base material 4 of the transparent electrode layer 1 in FIG.1 (b), the surface on the opposite side to the base material 4 of the transparent electrode layer 1 is shown. You may form in.

そして、上記補助電極層2は、図2に示すように、磁性金属材料から成るメタルシート6に複数の上記導体細線5と形状寸法の同じ複数のスリット7を備えたメタルマスク(成膜マスク)8を使用して、透明電極層1よりも抵抗の小さい導電材料を成膜して形成される。   As shown in FIG. 2, the auxiliary electrode layer 2 is a metal mask (film formation mask) comprising a metal sheet 6 made of a magnetic metal material and a plurality of slits 7 having the same shape and dimensions as the plurality of conductor thin wires 5. 8 is used to form a conductive material having a resistance smaller than that of the transparent electrode layer 1.

この場合、補助電極層2は、基材4の裏面に配置されたマグネットシート(磁石)により吸引して基材4の表面に上記メタルマスク8を密着固定した状態で、例えば金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)等の導電性粉末を有機バインダーに分散させた導電ペーストを塗布して形成してもよく、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)、ロジウム(Rh)、アルミニウム(Al)等の金属材料をスパッタリング、蒸着等により成膜して形成してもよい。   In this case, the auxiliary electrode layer 2 is attracted by a magnet sheet (magnet) disposed on the back surface of the base material 4 and the metal mask 8 is closely fixed to the surface of the base material 4, for example, gold (Au), A conductive paste in which conductive powder such as silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), aluminum (Al) is dispersed in an organic binder is applied. Metals such as gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), palladium (Pd), iridium (Ir), rhodium (Rh), aluminum (Al), etc. The material may be formed by sputtering or vapor deposition.

なお、図1は、分断された複数の導体細線5の一配置例を示すものであり、導体細線5は、これに限定されず、閉ループを形成しなければ如何なる形状及び配置であってもよい。   FIG. 1 shows an example of the arrangement of the plurality of thin conductor wires 5 divided. The conductor wires 5 are not limited to this, and may have any shape and arrangement as long as a closed loop is not formed. .

本発明による透明電極構造は、タッチパネルの透明電極として適用することができる。
図3は本発明による透明電極構造を有するタッチパネルの一構成例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は要部拡大平面図である。なお、図3においては、図が煩雑になるため補助電極層2の導体細線5は図示省略されている。
The transparent electrode structure according to the present invention can be applied as a transparent electrode of a touch panel.
FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a configuration example of a touch panel having a transparent electrode structure according to the present invention, in which FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is an enlarged plan view of a main part. In FIG. 3, the conductive wire 5 of the auxiliary electrode layer 2 is omitted because the drawing is complicated.

上記タッチパネルは、透明な基材(以下「透明基材」という)4上に複数の透明電極を備えるものであって、透明電極は、予め定められた形状の透明電極パターン3を有する透明電極層1と、透明電極パターン3に電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線5を、該導体細線5に対応させて互いに分断された複数のスリット7を有するメタルマスク8を使用して設けた補助電極層2と、を積層した構造を有している。   The touch panel is provided with a plurality of transparent electrodes on a transparent substrate (hereinafter referred to as “transparent substrate”) 4, and the transparent electrode has a transparent electrode pattern 3 having a predetermined shape. 1 and a plurality of thin conductor wires 5 that are in electrical contact with the transparent electrode pattern 3 and divided are provided using a metal mask 8 having a plurality of slits 7 separated from each other in correspondence with the thin conductor wires 5. The auxiliary electrode layer 2 is laminated.

詳細には、上記透明電極パターン3は、図4に示すように、同一平面内に、連結部9によって電気的に接続されてX方向(第1方向)に並んだ複数の第1透明電極パターン3Aを有する複数列の第1透明電極パターン列10、及びX方向と交差するY方向(第2方向)に上記連結部9で分断された状態で並んだ複数の第2透明電極パターン3Bを有する複数列の第2透明電極パターン列11を含んでいる。   Specifically, as shown in FIG. 4, the transparent electrode pattern 3 includes a plurality of first transparent electrode patterns that are electrically connected by a connecting portion 9 and arranged in the X direction (first direction) in the same plane. A plurality of first transparent electrode pattern rows 10 having 3A, and a plurality of second transparent electrode patterns 3B arranged in a state of being separated by the connecting portion 9 in the Y direction (second direction) intersecting the X direction. A plurality of second transparent electrode pattern rows 11 are included.

上記透明電極層1は、図5(a)に示すような、複数列の第1透明電極パターン列10に対応した複数の第1の貫通開口12、及び複数列の第2透明電極パターン列11に対応した複数の第2の貫通開口13を備えた第1のメタルマスク14を使用して成膜形成される。   The transparent electrode layer 1 includes a plurality of first through-openings 12 corresponding to a plurality of first transparent electrode pattern rows 10 and a plurality of second transparent electrode pattern rows 11 as shown in FIG. Is formed using a first metal mask 14 having a plurality of second through openings 13 corresponding to the above.

詳細には、上記第1のメタルマスク14は、図5(b)に要部を拡大して示すように、金属細線15により仕切られて、上記連結部9及び複数の第1透明電極パターン3Aに対応した複数の第1の貫通開口12、並びに複数の第2透明電極パターン3Bに対応した複数の第2の貫通開口13を備えたもので、ニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金等の磁性金属材料から成るメタルシート6で形成されている。   More specifically, the first metal mask 14 is partitioned by a thin metal wire 15 as shown in an enlarged view of the main part in FIG. 5B, and the connecting portion 9 and the plurality of first transparent electrode patterns 3A. And a plurality of second through-openings 13 corresponding to the plurality of second transparent electrode patterns 3B, and magnetic such as nickel, nickel alloy, invar or invar alloy It is formed of a metal sheet 6 made of a metal material.

なお、第1の貫通開口12は、図5(b)に示すように、上記連結部9に対応した狭小部16と、第1透明電極パターン3Aに対応した拡大部17とを有している。この場合、拡大部17をY方向に横断するように金属細線15と同じ金属材料から成るサポートライン36(図11参照)を設けると、第1の貫通開口12の形状を安定的に維持することができる。   In addition, the 1st through-opening 12 has the narrow part 16 corresponding to the said connection part 9, and the enlarged part 17 corresponding to 3 A of 1st transparent electrode patterns, as shown in FIG.5 (b). . In this case, when the support line 36 (see FIG. 11) made of the same metal material as the thin metal wire 15 is provided so as to cross the enlarged portion 17 in the Y direction, the shape of the first through opening 12 can be stably maintained. Can do.

このような第1のメタルマスク14は、次のようにして形成することができる。
先ず、金属母材上の平坦面にフォトレジストをメタルシート6の厚みと略同じ10μm〜20μm程度の厚みに塗布する。
Such a first metal mask 14 can be formed as follows.
First, a photoresist is applied on a flat surface on a metal base material to a thickness of about 10 μm to 20 μm, which is substantially the same as the thickness of the metal sheet 6.

次に、フォトマスクを使用して上記フォトレジストを露光及び現像し、形成しようとする第1の貫通開口12及び第2の貫通開口13に対応させて該第1の貫通開口12及び第2の貫通開口13と形状寸法の同じ島パターンを金属細線15に対応する溝によって仕切られた状態で形成する。   Next, the photoresist is exposed and developed using a photomask, and the first through-opening 12 and the second through-opening 12 corresponding to the first through-opening 12 and the second through-opening 13 to be formed are formed. An island pattern having the same shape and dimension as the through-opening 13 is formed in a state of being partitioned by grooves corresponding to the fine metal wires 15.

次いで、上記金属母材をニッケル等の磁性金属材料のめっき浴に浸漬し、電気めっきにより上記島パターンの形成領域外に露出した金属母材の表面に磁性金属材料を10μm〜20μm程度の厚みに形成する。   Next, the metal base material is immersed in a plating bath of a magnetic metal material such as nickel, and the magnetic metal material is formed on the surface of the metal base material exposed outside the island pattern formation region by electroplating to a thickness of about 10 μm to 20 μm. Form.

その後、金属母材を溶剤中又はフォトレジストの剥離液中で洗浄し、フォトレジストを溶解させて除去した後、金属母材からめっき形成された磁性金属材料のメタルシート6を剥離する。これにより、金属細線15で仕切られた第1の貫通開口12及び第2の貫通開口13を備えた図5に示す第1のメタルマスク14が完成する。   Thereafter, the metal base material is washed in a solvent or a photoresist stripping solution to dissolve and remove the photoresist, and then the metal sheet 6 of the magnetic metal material formed by plating from the metal base material is peeled off. Thereby, the first metal mask 14 shown in FIG. 5 having the first through opening 12 and the second through opening 13 partitioned by the fine metal wires 15 is completed.

また、上記補助電極層2は、第1透明電極パターン列10及び第2透明電極パターン列11に対応して、第1透明電極パターン列10の連結部9及び第1透明電極パターン3A、並びに第2透明電極パターン列11の第2透明電極パターン3Bに電気的に接触する、図1(a)に示すような複数の導体細線5を有している。   Further, the auxiliary electrode layer 2 corresponds to the first transparent electrode pattern row 10 and the second transparent electrode pattern row 11, the connecting portion 9 of the first transparent electrode pattern row 10, the first transparent electrode pattern 3 A, and the first transparent electrode pattern row 10. A plurality of thin conductive wires 5 as shown in FIG. 1A are in electrical contact with the second transparent electrode pattern 3B of the two transparent electrode pattern rows 11.

上記補助電極層2は、図2に示すように、メタルシート6に分断された複数の導体細線5と形状寸法の同じ複数のスリット7を形成したメタルマスク8を使用して成膜形成されたものである。   As shown in FIG. 2, the auxiliary electrode layer 2 was formed by using a metal mask 8 in which a plurality of thin conductors 5 divided into a metal sheet 6 and a plurality of slits 7 having the same shape and dimension were formed. Is.

好ましくは、上記メタルマスク8は、図6(b)に示すように、分断された複数の導体細線5に対応して該導体細線5と形状寸法の同じ複数の第1スリット18を形成した樹脂フィルム19と、図6(a)に示すように複数の上記第1スリット18を内包する大きさの貫通孔20を設けた磁性金属材料から成るメタルシート6とを積層した構造を有するものが望ましい。以下、このような積層構造のメタルマスク8を第2のメタルマスク21という。   Preferably, as shown in FIG. 6B, the metal mask 8 is a resin in which a plurality of first slits 18 having the same shape and dimensions as the conductor thin wires 5 are formed corresponding to the divided conductor thin wires 5. A film having a structure in which a film 19 and a metal sheet 6 made of a magnetic metal material provided with a through hole 20 having a size including the plurality of first slits 18 as shown in FIG. . Hereinafter, the metal mask 8 having such a laminated structure is referred to as a second metal mask 21.

上記第2のメタルマスク21は、次のようにして形成することができる。
先ず、5μm程度の厚みのポリイミドやポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂フィルム19上に金属薄膜を成膜してシード層を形成する。次に、シード層上にフォトレジストを50μm程度の厚みに塗布した後、フォトマスクを使用して露光及び現像し、上記貫通孔20に対応した位置に該貫通孔20と形状寸法の同じ島パターンを形成する。次いで、電気めっきにより、島パターンの外側に露出した上記シード層上にニッケル等の磁性金属材料を析出させてメタルシート6を形成する。そして、溶剤又はフォトレジストの剥離液により、上記島パターンを除去すると共に、島パターンに対応した位置のシード層をエッチングして除去する。これにより、樹脂フィルム19とメタルシート6とを積層した積層体が形成される。
The second metal mask 21 can be formed as follows.
First, a metal thin film is formed on a resin film 19 such as polyimide or polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of about 5 μm to form a seed layer. Next, after applying a photoresist to a thickness of about 50 μm on the seed layer, exposure and development are performed using a photomask, and island patterns having the same shape and dimensions as the through holes 20 are formed at positions corresponding to the through holes 20. Form. Next, a magnetic metal material such as nickel is deposited on the seed layer exposed outside the island pattern by electroplating to form the metal sheet 6. Then, the island pattern is removed with a solvent or a photoresist stripping solution, and the seed layer corresponding to the island pattern is removed by etching. Thereby, the laminated body which laminated | stacked the resin film 19 and the metal sheet 6 is formed.

次に、上記メタルシート6の貫通孔20内の樹脂フィルム19に紫外線のレーザ光を照射してフィルムをアブレーションし、上記第1スリット18を形成する。このようにして、図6に示す第2のメタルマスク21が完成する。この場合、透明基材4の表面に密着するのは、第2のメタルマスク21の樹脂フィルム19である。   Next, the resin film 19 in the through hole 20 of the metal sheet 6 is irradiated with ultraviolet laser light to ablate the film, thereby forming the first slit 18. In this way, the second metal mask 21 shown in FIG. 6 is completed. In this case, the resin film 19 of the second metal mask 21 is in close contact with the surface of the transparent substrate 4.

なお、図3において、符号22は、第1透明電極パターン列10の連結部9をY方向に跨ぐ絶縁層を示し、符号23は、絶縁層22をY方向に跨いで第2透明電極パターン列11の第2透明電極パターン3Bを電気的に接続する導電体を示す。また、図3において、第1透明電極パターン列10のX方向の端部及び第2透明電極パターン列11のY方向端部に電気的に接続させて設けられ、指がタッチされた位置のXY座標の情報を外部に取り出すための引出配線は図示省略されている。   In FIG. 3, reference numeral 22 denotes an insulating layer straddling the connecting portion 9 of the first transparent electrode pattern row 10 in the Y direction, and reference numeral 23 denotes a second transparent electrode pattern row straddling the insulating layer 22 in the Y direction. 11 shows a conductor that electrically connects 11 second transparent electrode patterns 3B. In FIG. 3, the XY at the position where the finger is touched is provided by being electrically connected to the end in the X direction of the first transparent electrode pattern row 10 and the end in the Y direction of the second transparent electrode pattern row 11. The drawing wiring for extracting the coordinate information to the outside is not shown.

本発明による透明電極構造は、タッチパネルのみならず有機EL装置の透明電極として適用することもできる。
図7は本発明による透明電極構造を有する有機EL装置の概略構成を示す断面図である。
The transparent electrode structure according to the present invention can be applied not only as a touch panel but also as a transparent electrode of an organic EL device.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL device having a transparent electrode structure according to the present invention.

上記有機EL装置は、有機ELの基材4上に形成された透明電極を備えるものであって、透明電極は、図7に示すように予め定められた形状の透明電極パターン3を有する透明電極層1と、透明電極層1の一面に、透明電極パターン3に電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線5を、該導体細線5に対応させて互いに分断された複数のスリット7を有するメタルマスク8を使用して設けた補助電極層2と、を積層した構造を有している。   The organic EL device includes a transparent electrode formed on an organic EL substrate 4, and the transparent electrode has a transparent electrode pattern 3 having a predetermined shape as shown in FIG. On one surface of the layer 1 and the transparent electrode layer 1, a plurality of conductor thin wires 5 that are in electrical contact with the transparent electrode pattern 3 and divided are provided with a plurality of slits 7 that are separated from each other in correspondence with the conductor thin wires 5. The auxiliary electrode layer 2 provided by using the metal mask 8 is laminated.

この場合、上記有機ELの基材4は、図7(a)に示すように、赤、緑、青の光3原色に対応した複数の有機EL層24R,24G,24Bを備えて構成される表示装置用の基材であっても、図7(b)に示すように単色の光を発する有機EL層24を備えて構成される照明装置用の基材であってもよい。   In this case, as shown in FIG. 7A, the organic EL substrate 4 includes a plurality of organic EL layers 24R, 24G, and 24B corresponding to the three primary colors of red, green, and blue. Even if it is a base material for display apparatuses, as shown in FIG.7 (b), the base material for illumination apparatuses comprised including the organic electroluminescent layer 24 which emits monochromatic light may be sufficient.

なお、図7において有機EL層24,24R,24G,24Bは、正孔輸送層と発光層と電子輸送層とを積層した構造を有するものである。また、図7においては、透明電極を有機EL層24,24R,24G,24Bの有機ELの基材4側に配置した例を示しているが、有機EL層24,24R,24G,24Bの有機ELの基材4とは反対側に透明電極を配置してもよい。又は、有機EL層24,24R,24G,24Bの両側に透明電極を配置してもよい。図7において、符号25は、カソード電極(陰極)を示す。   In FIG. 7, the organic EL layers 24, 24R, 24G, and 24B have a structure in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked. 7 shows an example in which the transparent electrode is disposed on the organic EL base material 4 side of the organic EL layers 24, 24R, 24G, and 24B, but the organic EL layers 24, 24R, 24G, and 24B are organic. A transparent electrode may be disposed on the side opposite to the EL substrate 4. Alternatively, transparent electrodes may be disposed on both sides of the organic EL layers 24, 24R, 24G, and 24B. In FIG. 7, the code | symbol 25 shows a cathode electrode (cathode).

次に、このように構成された透明電極の製造方法について、図8を参照して説明する。なお、ここでは、タッチパネルの製造説明を通して透明電極の製造方法を説明する。
このタッチパネルは、透明基材4上に形成しようとする第1及び第2透明電極パターン列10,11に対応して補助電極層2を形成する第1ステップ(図8(a))と、補助電極層2上に複数列の第1及び第2透明電極パターン列10,11を有する透明電極層1を形成する第2ステップ(図8(b))と、第1透明電極パターン列10の連結部9をY方向に跨ぐ絶縁層22を形成する第3ステップ(図8(c))と、絶縁層22をY方向に跨いで上記第2透明電極パターン列11の第2透明電極パターン3Bを電気的に接続する導電体23を形成する第4ステップ(図8(d))と、を行って製造される。以下、各ステップについて詳細に説明する。
Next, the manufacturing method of the transparent electrode comprised in this way is demonstrated with reference to FIG. In addition, the manufacturing method of a transparent electrode is demonstrated through the manufacture description of a touch panel here.
The touch panel includes a first step (FIG. 8A) for forming the auxiliary electrode layer 2 corresponding to the first and second transparent electrode pattern rows 10 and 11 to be formed on the transparent substrate 4, and an auxiliary. A second step (FIG. 8B) for forming a transparent electrode layer 1 having a plurality of first and second transparent electrode pattern rows 10 and 11 on the electrode layer 2, and connection of the first transparent electrode pattern row 10 A third step (FIG. 8C) for forming the insulating layer 22 across the portion 9 in the Y direction, and the second transparent electrode pattern 3B of the second transparent electrode pattern row 11 across the insulating layer 22 in the Y direction. The fourth step (FIG. 8D) for forming the electrically connecting conductor 23 is performed. Hereinafter, each step will be described in detail.

先ず、補助電極層2を形成する第1ステップが実施される。
詳細には、透明ガラスや透明フィルムのような透明基材4の裏面に図示省略のマグネットシートを配置し、透明基材4の表面に、図6に示すような、分断された複数の導体細線5に対応して該導体細線5と形状寸法の同じ複数の第1スリット18を形成した樹脂フィルム19、及び複数の第1スリット18を内包する大きさの貫通孔20を設けたメタルシート6を積層した構造を有する第2のメタルマスク21を、上記樹脂フィルム19が透明基材4側となるようにして透明基材4に対して位置決め配置する。
First, the first step of forming the auxiliary electrode layer 2 is performed.
Specifically, a magnet sheet (not shown) is arranged on the back surface of the transparent base material 4 such as transparent glass or transparent film, and a plurality of divided conductor wires as shown in FIG. The metal sheet 6 provided with a resin film 19 having a plurality of first slits 18 having the same shape and dimensions as the conductor thin wire 5 and a through hole 20 having a size including the plurality of first slits 18 is provided. The second metal mask 21 having a laminated structure is positioned and arranged with respect to the transparent substrate 4 so that the resin film 19 is on the transparent substrate 4 side.

上記第2のメタルマスク21は、磁性金属材料のメタルシート6により形成されたものであるので、第2のメタルマスク21は、透明基材4の裏面に配置されたマグネットシートにより吸引されて透明基材4の表面に密着して固定される。   Since the second metal mask 21 is formed of the metal sheet 6 made of magnetic metal material, the second metal mask 21 is attracted by the magnet sheet disposed on the back surface of the transparent substrate 4 to be transparent. The substrate 4 is fixed in close contact with the surface of the substrate 4.

このように透明基材4をマグネットシートと第2のメタルマスク21で挟持した一体物は、例えばスパッタリング装置のチャンバー内の基板ホルダーに第2のメタルマスク21側が、例えば銅(Cu)ターゲット側となるようにして設置される。   In this way, the integrated body in which the transparent base material 4 is sandwiched between the magnet sheet and the second metal mask 21 is, for example, the substrate holder in the chamber of the sputtering apparatus, the second metal mask 21 side is, for example, the copper (Cu) target side, It is installed in such a way.

次いで、チャンバーが閉じられた後、チャンバー内の空気が排気される。そして、チャンバー内の真空度が所定値に達すると、アルゴン(Ar)ガス等の希ガスが一定量だけチャンバー内に導入される。   Next, after the chamber is closed, the air in the chamber is exhausted. When the degree of vacuum in the chamber reaches a predetermined value, a certain amount of rare gas such as argon (Ar) gas is introduced into the chamber.

続いて、基板ホルダーとターゲットホルダーとの間に例えば直流の高電圧が印加される。これにより、アルゴン(Ar)ガスのプラズマが生成されスパッタリングが開始される。アルゴン(Ar)イオンによって弾かれてターゲット表面から飛び出した銅(Cu)のスパッタ粒子は、第2のメタルマスク21の第1スリット18を通過して透明基材4の表面に堆積する。   Subsequently, for example, a DC high voltage is applied between the substrate holder and the target holder. Thereby, plasma of argon (Ar) gas is generated and sputtering is started. The sputtered particles of copper (Cu) bounced off from the target surface by being bounced by argon (Ar) ions pass through the first slit 18 of the second metal mask 21 and are deposited on the surface of the transparent substrate 4.

スパッタリングが開始されてから一定時間が経過し、透明基材4上に成膜された銅(Cu)の膜厚が所定値になるとスパッタリングが停止される。これにより、透明基材4上には、図8(a)に示すように、形成しようとする透明電極パターン3(連結部9及び第1透明電極パターン3A並びに第2透明電極パターン3B)に対応して分断された複数の導体細線5を有する補助電極層2が形成される。   Sputtering is stopped when a certain time has elapsed since the start of sputtering and the thickness of the copper (Cu) film formed on the transparent substrate 4 reaches a predetermined value. Thereby, on the transparent base material 4, as shown in FIG. 8A, it corresponds to the transparent electrode pattern 3 (the connecting portion 9 and the first transparent electrode pattern 3 </ b> A and the second transparent electrode pattern 3 </ b> B) to be formed. Thus, the auxiliary electrode layer 2 having the plurality of thin conductor wires 5 is formed.

次に、透明電極層1を形成する第2ステップが実施される。
詳細には、補助電極層2が形成された透明基材4の裏面に図示省略のマグネットシートを配置し、透明基材4の表面に、図3に示すような、複数列の第1透明電極パターン列10に対応した複数の第1の貫通開口12、及び複数列の第2透明電極パターン列11に対応した複数の第2の貫通開口13を備えた第1のメタルマスク14を透明基材4に対して位置決めして配置する。
Next, a second step for forming the transparent electrode layer 1 is performed.
Specifically, a magnet sheet (not shown) is disposed on the back surface of the transparent base material 4 on which the auxiliary electrode layer 2 is formed, and a plurality of rows of first transparent electrodes as shown in FIG. A first metal mask 14 having a plurality of first through openings 12 corresponding to the pattern rows 10 and a plurality of second through openings 13 corresponding to the plurality of second transparent electrode pattern rows 11 is made of a transparent substrate. 4 and positioned.

上記第1のメタルマスク14は、磁性金属材料のメタルシート6により形成されたものであるので、第1のメタルマスク14は、透明基材4の裏面に配置されたマグネットシートにより吸引されて透明基材4の表面に密着して固定される。   Since the first metal mask 14 is formed of the metal sheet 6 made of magnetic metal material, the first metal mask 14 is attracted by the magnet sheet disposed on the back surface of the transparent substrate 4 and is transparent. The substrate 4 is fixed in close contact with the surface of the substrate 4.

このように透明基材4をマグネットシートと第1のメタルマスク14で挟持した一体物は、前述と同様に、例えばスパッタリング装置のチャンバー内の基板ホルダーに第1のメタルマスク14側が、例えばITO(酸化インジウムスズ)ターゲット側となるようにして設置される。   As described above, the integrated body in which the transparent base material 4 is sandwiched between the magnet sheet and the first metal mask 14 is, for example, the first metal mask 14 side on the substrate holder in the chamber of the sputtering apparatus, for example, ITO ( (Indium tin oxide) It is installed on the target side.

次いで、チャンバーが閉じられた後、チャンバー内の空気が排気される。そして、チャンバー内の真空度が所定値に達すると、アルゴン(Ar)ガス等の希ガスが一定量だけチャンバー内に導入される。   Next, after the chamber is closed, the air in the chamber is exhausted. When the degree of vacuum in the chamber reaches a predetermined value, a certain amount of rare gas such as argon (Ar) gas is introduced into the chamber.

続いて、基板ホルダーとターゲットホルダーとの間に、例えば高周波の高電圧が印加される。これにより、アルゴン(Ar)ガスのプラズマが生成されスパッタリングが開始される。アルゴン(Ar)イオンによって弾かれてターゲット表面から飛び出したITOのスパッタ粒子は、第1のメタルマスク14の第1の貫通開口12及び第2の貫通開口13を通過して透明基材4の補助電極層2上に堆積する。   Subsequently, for example, a high frequency high voltage is applied between the substrate holder and the target holder. Thereby, plasma of argon (Ar) gas is generated and sputtering is started. The sputtered particles of ITO that are bounced by argon (Ar) ions and jump out of the target surface pass through the first through-opening 12 and the second through-opening 13 of the first metal mask 14 to assist the transparent substrate 4. Deposited on the electrode layer 2.

スパッタリングが開始されてから一定時間が経過し、透明基材4上に成膜されたITOの膜厚が所定値になるとスパッタリングが停止される。これにより、透明基材4上には、図8(b)に示すように、補助電極層2を覆って複数列の第1透明電極パターン列10の連結部9及び第1透明電極パターン3A、並びに第2透明電極パターン列11の第2透明電極パターン3Bを有する透明電極層1が形成される。このようにして、補助電極層2と透明電極層1とを積層した構造の本発明による透明電極が形成される。   Sputtering is stopped when a certain time has elapsed since the start of sputtering and the thickness of the ITO film formed on the transparent substrate 4 reaches a predetermined value. Thereby, on the transparent base material 4, as shown in FIG.8 (b), the connection part 9 and 1st transparent electrode pattern 3A of the 1st transparent electrode pattern row | line | column 10 of multiple rows covering the auxiliary electrode layer 2, And the transparent electrode layer 1 which has the 2nd transparent electrode pattern 3B of the 2nd transparent electrode pattern row | line | column 11 is formed. In this way, the transparent electrode according to the present invention having a structure in which the auxiliary electrode layer 2 and the transparent electrode layer 1 are laminated is formed.

次いで、絶縁層22を形成する第3ステップが実施される。
詳細には、透明電極を形成した透明基材4の裏面に図示省略のマグネットシートを配置し、透明基材4の表面に、複数列の第1透明電極パターン列10の連結部9に対応して該連結部9をY方向に跨ぐ第3の貫通開口26を備えた第3のメタルマスク27を透明基材4に対して位置決めして配置する。
Next, a third step for forming the insulating layer 22 is performed.
Specifically, a magnet sheet (not shown) is disposed on the back surface of the transparent substrate 4 on which the transparent electrode is formed, and the surface of the transparent substrate 4 corresponds to the connecting portions 9 of the plurality of first transparent electrode pattern rows 10. Then, a third metal mask 27 having a third through-opening 26 straddling the connecting portion 9 in the Y direction is positioned and arranged with respect to the transparent substrate 4.

より詳細には、上記第3のメタルマスク27は、図9に示すように、第3の貫通開口26を形成した樹脂フィルム28と第3の貫通開口26を内包する大きさの第1貫通孔29を設けた磁性金属材料から成るメタルシート30とを積層したものである。また、上記第3の貫通開口26は、X方向の幅が例えば48μm程度、Y方向の長さが例えば160μm程度の大きさを有している。この場合、上記第3のメタルマスク27は、上記樹脂フィルム28が透明基材4側となるようにして透明基材4上に配置される。   More specifically, as shown in FIG. 9, the third metal mask 27 includes a resin film 28 having a third through-opening 26 and a first through-hole having a size including the third through-opening 26. A metal sheet 30 made of a magnetic metal material provided with 29 is laminated. The third through-opening 26 has a width of about 48 μm in the X direction and a length of about 160 μm in the Y direction, for example. In this case, the third metal mask 27 is disposed on the transparent substrate 4 so that the resin film 28 is on the transparent substrate 4 side.

上記第3のメタルマスク27は、磁性金属材料のメタルシート30により形成されたものであるので、第3のメタルマスク27は、透明基材4の裏面に配置された図示省略のマグネットシートにより吸引されて透明基材4の表面に密着して固定される。   Since the third metal mask 27 is formed of a metal sheet 30 of magnetic metal material, the third metal mask 27 is attracted by a magnet sheet (not shown) disposed on the back surface of the transparent substrate 4. Then, it is fixed in close contact with the surface of the transparent substrate 4.

このように透明基材4をマグネットシートと第3のメタルマスク27で挟持した一体物は、前述と同様に、例えばスパッタリング装置のチャンバー内の基板ホルダーに第3のメタルマスク27側が、例えばSiO(二酸化ケイ素)ターゲット側となるようにして設置される。 As described above, the integrated body in which the transparent base material 4 is sandwiched between the magnet sheet and the third metal mask 27 is, for example, the substrate holder in the chamber of the sputtering apparatus on the third metal mask 27 side, for example, SiO 2. (Silicon dioxide) Installed so as to be on the target side.

次いで、チャンバーが閉じられた後、チャンバー内の空気が排気される。そして、チャンバー内の真空度が所定値に達すると、アルゴン(Ar)ガス等の希ガスが一定量だけチャンバー内に導入される。   Next, after the chamber is closed, the air in the chamber is exhausted. When the degree of vacuum in the chamber reaches a predetermined value, a certain amount of rare gas such as argon (Ar) gas is introduced into the chamber.

続いて、基板ホルダーとターゲットホルダーとの間に、例えば高周波の高電圧が印加される。これにより、アルゴン(Ar)ガスのプラズマが生成されスパッタリングが開始される。アルゴン(Ar)イオンによって弾かれてターゲット表面から飛び出したSiOのスパッタ粒子は、第3のメタルマスク27の第3の貫通開口26を通過して透明基材4の第1透明電極パターン列10の連結部9上に堆積する。 Subsequently, for example, a high frequency high voltage is applied between the substrate holder and the target holder. Thereby, plasma of argon (Ar) gas is generated and sputtering is started. The sputtered particles of SiO 2 that are bounced by the argon (Ar) ions and jump out of the target surface pass through the third through opening 26 of the third metal mask 27 and pass through the first transparent electrode pattern row 10 of the transparent substrate 4. Is deposited on the connecting portion 9.

スパッタリングが開始されてから一定時間が経過し、透明基材4上に成膜されたSiOの膜厚が所定値になるとスパッタリングが停止される。これにより、図8(c)に示すように、透明基材4の第1透明電極パターン列10の連結部9上には、SiOの絶縁層22が形成される。 Sputtering is stopped when a certain time has elapsed since the start of sputtering and the film thickness of SiO 2 formed on the transparent substrate 4 reaches a predetermined value. Thus, as shown in FIG. 8 (c), on the coupling section 9 of the first transparent electrode pattern row 10 of the transparent substrate 4, SiO 2 insulating layer 22 is formed.

次に、導電体23を形成する第4ステップが実施される。
詳細には、絶縁層22を形成した透明基材4の裏面に図示省略のマグネットシートを配置し、透明基材4の表面に、上記絶縁層22に対応して該絶縁層22のX方向の幅よりも狭く、Y方向の長さよりも長く伸びる第2スリット31を備えた第4のメタルマスク32を透明基材4に対して位置決めして配置する。
Next, a fourth step for forming the conductor 23 is performed.
Specifically, a magnet sheet (not shown) is disposed on the back surface of the transparent substrate 4 on which the insulating layer 22 is formed, and the surface of the transparent substrate 4 is arranged in the X direction of the insulating layer 22 corresponding to the insulating layer 22. A fourth metal mask 32 having a second slit 31 that is narrower than the width and longer than the length in the Y direction is positioned and arranged with respect to the transparent substrate 4.

より詳細には、上記第4のメタルマスク32は、図10に示すように、第2スリット31を形成した樹脂フィルム33と第2スリット31を内包する大きさの第2貫通孔34を設けた磁性金属材料から成るメタルシート35とを積層したものである。また、上記第2スリット31は、X方向の幅が例えば約8μm(絶縁層22の同方向の幅は約48μm)、Y方向の長さが例えば約230μm(絶縁層22の同方向の長さは約160μm)の大きさを有している。この場合、上記第4のメタルマスク32は、上記樹脂フィルム33が透明基材4側となるようにして透明基材4上に配置される。   More specifically, the fourth metal mask 32 is provided with a resin film 33 in which the second slit 31 is formed and a second through-hole 34 having a size including the second slit 31 as shown in FIG. A metal sheet 35 made of a magnetic metal material is laminated. The second slit 31 has a width in the X direction of about 8 μm (the width of the insulating layer 22 in the same direction is about 48 μm) and a length in the Y direction of about 230 μm (the length of the insulating layer 22 in the same direction). Has a size of about 160 μm). In this case, the fourth metal mask 32 is disposed on the transparent substrate 4 so that the resin film 33 is on the transparent substrate 4 side.

上記第4のメタルマスク32は、磁性金属材料のメタルシート35により形成されたものであるので、第4のメタルマスク32は、透明基材4の裏面に配置されたマグネットシートにより吸引されて透明基材4の表面に密着して固定される。   Since the fourth metal mask 32 is formed of a metal sheet 35 of a magnetic metal material, the fourth metal mask 32 is attracted by a magnet sheet disposed on the back surface of the transparent substrate 4 and is transparent. The substrate 4 is fixed in close contact with the surface of the substrate 4.

このように透明基材4をマグネットシートと第4のメタルマスク32で挟持した一体物は、前述と同様に、例えばスパッタリング装置のチャンバー内の基板ホルダーに第4のメタルマスク32側が、例えば銅(Cu)ターゲット側となるようにして設置される。   As described above, the integrated body in which the transparent base material 4 is sandwiched between the magnet sheet and the fourth metal mask 32 is, for example, a substrate holder in the chamber of the sputtering apparatus, and the fourth metal mask 32 side is, for example, copper ( Cu) It is installed so as to be on the target side.

次いで、チャンバーが閉じられた後、チャンバー内の空気が排気される。そして、チャンバー内の真空度が所定値に達すると、アルゴン(Ar)ガス等の希ガスが一定量だけチャンバー内に導入される。   Next, after the chamber is closed, the air in the chamber is exhausted. When the degree of vacuum in the chamber reaches a predetermined value, a certain amount of rare gas such as argon (Ar) gas is introduced into the chamber.

続いて、基板ホルダーとターゲットホルダーとの間に、例えば直流の高電圧が印加される。これにより、アルゴン(Ar)ガスのプラズマが生成されスパッタリングが開始される。アルゴン(Ar)イオンによって弾かれてターゲット表面から飛び出した銅(Cu)のスパッタ粒子は、第4のメタルマスク32の第2スリット31を通過して透明基材4の絶縁層22上に堆積する。   Subsequently, for example, a DC high voltage is applied between the substrate holder and the target holder. Thereby, plasma of argon (Ar) gas is generated and sputtering is started. The sputtered particles of copper (Cu) bounced off from the target surface by being bounced by argon (Ar) ions pass through the second slit 31 of the fourth metal mask 32 and are deposited on the insulating layer 22 of the transparent substrate 4. .

スパッタリングが開始されてから一定時間が経過し、透明基材4上に成膜された銅(Cu)の膜厚が所定値になるとスパッタリングが停止される。これにより、図8(d)に示すように、透明基材4の絶縁層22上をY方向に跨いで導電体23が形成され、第2透明電極パターン列11の複数の第2透明電極パターン3BがY方向に互いに電気的に接続される。   Sputtering is stopped when a certain time has elapsed since the start of sputtering and the thickness of the copper (Cu) film formed on the transparent substrate 4 reaches a predetermined value. As a result, as shown in FIG. 8D, the conductor 23 is formed across the insulating layer 22 of the transparent base material 4 in the Y direction, and a plurality of second transparent electrode patterns in the second transparent electrode pattern row 11 are formed. 3B are electrically connected to each other in the Y direction.

その後、第1透明電極パターン列10のX方向の端部及び第2透明電極パターン列11のY方向端部に電気的に接続させて導電体の引出配線を例えばマスクを使用したスパッタリングや、スクリーン印刷等により設け、さらに透明基材4の表面を覆って絶縁膜から成る保護膜を成膜することにより、図3に示すタッチパネルが完成する。   Thereafter, the conductive wiring is electrically connected to the X-direction end of the first transparent electrode pattern row 10 and the Y-direction end of the second transparent electrode pattern row 11, and sputtering of the conductor using, for example, a mask, screen The touch panel shown in FIG. 3 is completed by providing by printing or the like and further forming a protective film made of an insulating film so as to cover the surface of the transparent substrate 4.

第1のメタルマスク14は、図11(a)に示すように、複数列の第1透明電極パターン列10に対応した複数の第1の貫通開口12の拡大部17をY方向に横断する金属細線15と同じ磁性金属材料から成るサポートライン36を設けてもよい。これにより、第1の貫通開口12の形状を安定的に維持することができる。   As shown in FIG. 11A, the first metal mask 14 is a metal that crosses the enlarged portions 17 of the plurality of first through openings 12 corresponding to the plurality of first transparent electrode pattern rows 10 in the Y direction. A support line 36 made of the same magnetic metal material as that of the thin wire 15 may be provided. Thereby, the shape of the 1st penetration opening 12 can be maintained stably.

なお、図11(a)に示すような第1のメタルマスク14を使用して透明電極層1を形成した場合には、図11(b)に示すように、上記サポートライン36に対応して第1透明電極パターン3AをY方向に横断する高抵抗部37が生じる。したがって、この場合には、導電体23を形成するための図10に示す上記第4のメタルマスク32に、上記第2スリット31の他に上記高抵抗部37に対応させて該高抵抗部37をX方向に横断する第3スリットを設けるとよい。これにより、第4のメタルマスク32を使用した導電体23の形成と同時に、図11(b)に示すように上記高抵抗部37をX方向に跨いで補助導電体38を形成することができ、上記高抵抗部37で二つに分割された第1透明電極パターン3Aを電気的に接続することができる。   In addition, when the transparent electrode layer 1 is formed using the first metal mask 14 as shown in FIG. 11A, as shown in FIG. A high resistance portion 37 is generated that crosses the first transparent electrode pattern 3A in the Y direction. Therefore, in this case, the fourth metal mask 32 shown in FIG. 10 for forming the conductor 23 is made to correspond to the high resistance portion 37 in addition to the second slit 31. It is good to provide the 3rd slit which crosses in a X direction. Thereby, simultaneously with the formation of the conductor 23 using the fourth metal mask 32, the auxiliary conductor 38 can be formed across the high resistance portion 37 in the X direction as shown in FIG. 11B. The first transparent electrode pattern 3A divided into two by the high resistance portion 37 can be electrically connected.

又は、上記高抵抗部37で分割された第1透明電極パターン3Aを上記補助導電体38で電気的に接続する代わりに、分割された上記第1透明電極パターン3Aを補助電極層2の導体細線5で電気的に接続してもよい。   Alternatively, instead of electrically connecting the first transparent electrode pattern 3A divided by the high resistance portion 37 by the auxiliary conductor 38, the divided first transparent electrode pattern 3A is connected to the conductor thin wire of the auxiliary electrode layer 2. 5 may be electrically connected.

以上の説明においては、本発明による透明電極構造をタッチパネルや有機EL装置の透明電極に適用した場合について述べたが、本発明はこれに限られず、太陽電池や液晶表示装置等の透明電極にも適用することができる。   In the above description, the case where the transparent electrode structure according to the present invention is applied to a transparent electrode of a touch panel or an organic EL device has been described, but the present invention is not limited to this, and the transparent electrode such as a solar cell or a liquid crystal display device is also applied. Can be applied.

1…透明電極層
2…補助電極層
3…透明電極パターン
3A…第1透明電極パターン
3B…第2透明電極パターン
4…基材
5…導体細線
6…メタルシート
7,18…スリット
8…メタルマスク(成膜マスク)
9…連結部
10…第1透明電極パターン列
11…第2透明電極パターン列
12…第1の貫通開口
13…第2の貫通開口
14…第1のメタルマスク(メタルマスク)
19…樹脂フィルム
20…貫通孔
21…第2のメタルマスク(成膜マスク)
24,24R,24G,24B…有機EL層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent electrode layer 2 ... Auxiliary electrode layer 3 ... Transparent electrode pattern 3A ... 1st transparent electrode pattern 3B ... 2nd transparent electrode pattern 4 ... Base material 5 ... Conductor thin wire 6 ... Metal sheet 7, 18 ... Slit 8 ... Metal mask (Deposition mask)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 ... Connection part 10 ... 1st transparent electrode pattern row | line | column 11 ... 2nd transparent electrode pattern row | line | column 12 ... 1st through-opening 13 ... 2nd through-opening 14 ... 1st metal mask (metal mask)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 ... Resin film 20 ... Through-hole 21 ... 2nd metal mask (film-forming mask)
24, 24R, 24G, 24B ... Organic EL layer

Claims (14)

予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層と、
前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けた補助電極層と、
を積層したことを特徴とする透明電極構造。
A transparent electrode layer having a transparent electrode pattern of a predetermined shape;
Auxiliary electrode layer provided by using a film forming mask having a plurality of slits separated from each other corresponding to the conductor thin wires, a plurality of conductor fine wires that are in electrical contact with the transparent electrode pattern and divided;
A transparent electrode structure characterized by being laminated.
基材上に透明電極を形成する透明電極の製造方法であって、
予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層の一面に、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けて補助電極層を形成する工程と、
を行うことを特徴とする透明電極の製造方法。
A transparent electrode manufacturing method for forming a transparent electrode on a substrate,
Forming a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern of a predetermined shape;
A film formation mask having a plurality of slits that are separated from each other so as to correspond to the conductor thin wires on a surface of the transparent electrode layer, the conductor thin wires being in contact with the transparent electrode pattern and being separated. Providing an auxiliary electrode layer, and
A method for producing a transparent electrode, comprising:
前記透明電極層は、前記基材上に導電性材料の分散液を塗布して形成されることを特徴とする請求項2記載の透明電極の製造方法。   The said transparent electrode layer is formed by apply | coating the dispersion liquid of an electroconductive material on the said base material, The manufacturing method of the transparent electrode of Claim 2 characterized by the above-mentioned. 前記透明電極層は、前記基材上に金属酸化物を成膜して形成されることを特徴とする請求項2記載の透明電極の製造方法。   The method for producing a transparent electrode according to claim 2, wherein the transparent electrode layer is formed by forming a metal oxide film on the substrate. 前記透明電極層は、メタルシートに前記透明電極パターンと形状寸法の同じ貫通開口を設けたメタルマスクを使用して形成されることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の透明電極の製造方法。   The said transparent electrode layer is formed using the metal mask which provided the through-opening with the same dimension as the said transparent electrode pattern in the metal sheet, The any one of Claims 2-4 characterized by the above-mentioned. A method for producing a transparent electrode. 前記成膜マスクは、メタルシートに複数の前記導体細線と形状寸法の同じ複数の前記スリットを備えたものであることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の透明電極の製造方法。   6. The transparent electrode according to claim 2, wherein the film-formation mask is provided with a plurality of the slits having the same shape and dimension as a plurality of the thin conductor wires on a metal sheet. Production method. 前記成膜マスクは、複数の前記導体細線と形状寸法の同じ複数の前記スリットを形成した樹脂製フィルムと、少なくとも一つの前記スリットを内包する大きさの貫通孔を形成したメタルシートと、を積層したものであることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の透明電極の製造方法。   The film-formation mask is formed by laminating a plurality of the conductor wires and a resin film in which a plurality of slits having the same shape and dimensions are formed, and a metal sheet in which a through hole having a size including at least one slit is formed. The method for producing a transparent electrode according to any one of claims 2 to 5, wherein 前記メタルシートは、磁性金属材料で形成されたもので、前記基材の裏面に配置された磁石により吸引されて前記基材上に密着固定されることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の透明電極の製造方法。   The metal sheet is formed of a magnetic metal material, and is attracted and fixed onto the base material by being attracted by a magnet disposed on the back surface of the base material. A method for producing the transparent electrode according to claim 1. 透明基材上に複数の透明電極を備えるタッチパネルであって、
前記透明電極は、予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層と、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けた補助電極層と、を積層した構造を有することを特徴とするタッチパネル。
A touch panel comprising a plurality of transparent electrodes on a transparent substrate,
The transparent electrode includes a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern having a predetermined shape, and a plurality of conductor thin wires that are in electrical contact with the transparent electrode pattern and separated from each other in correspondence with the conductor thin wires. A touch panel having a structure in which an auxiliary electrode layer provided using a film formation mask having a plurality of slits is laminated.
前記透明電極層は、同一平面内に、連結部によって電気的に接続されて第1方向に並んだ複数の第1透明電極パターンを有する複数列の第1透明電極パターン列、及び前記第1方向と交差する第2方向に前記連結部で分断された状態で並んだ複数の第2透明電極パターンを有する複数列の第2透明電極パターン列を有することを特徴とする請求項9記載のタッチパネル。   The transparent electrode layer includes a plurality of first transparent electrode pattern rows having a plurality of first transparent electrode patterns that are electrically connected by a connecting portion and arranged in a first direction in the same plane, and the first direction. 10. The touch panel according to claim 9, further comprising a plurality of second transparent electrode pattern rows having a plurality of second transparent electrode patterns arranged in a state of being divided at the connecting portion in a second direction intersecting with the connecting portion. 前記透明電極層は、複数列の前記第1透明電極パターン列に対応した複数の第1の貫通開口、及び複数列の前記第2透明電極パターン列に対応した複数の第2の貫通開口を備えたメタルマスクを使用して形成されたものであることを特徴とする請求項10記載のタッチパネル。   The transparent electrode layer includes a plurality of first through openings corresponding to a plurality of rows of the first transparent electrode pattern rows, and a plurality of second through openings corresponding to a plurality of rows of the second transparent electrode pattern rows. The touch panel according to claim 10, wherein the touch panel is formed using a metal mask. 有機EL基材上に形成された透明電極を備える有機EL装置であって、
前記透明電極は、予め定められた形状の透明電極パターンを有する透明電極層と、前記透明電極層の一面に、前記透明電極パターンに電気的に接触すると共に分断された複数の導体細線を、該導体細線に対応させて互いに分断された複数のスリットを有する成膜マスクを使用して設けた補助電極層と、を積層した構造を有することを特徴とする有機EL装置。
An organic EL device comprising a transparent electrode formed on an organic EL substrate,
The transparent electrode has a transparent electrode layer having a transparent electrode pattern of a predetermined shape, and a plurality of conductor fine wires that are electrically in contact with and separated from the transparent electrode pattern on one surface of the transparent electrode layer, An organic EL device having a structure in which an auxiliary electrode layer provided using a film formation mask having a plurality of slits separated from each other in correspondence with a thin conductor wire is laminated.
前記有機EL基材は、赤、緑、青の光3原色に対応した複数の有機EL層を有する表示装置用の基材であることを特徴とする請求項12記載の有機EL装置。   13. The organic EL device according to claim 12, wherein the organic EL substrate is a substrate for a display device having a plurality of organic EL layers corresponding to three primary colors of red, green, and blue. 前記有機EL基材は、単色の光を発する有機EL層を有する照明装置用の基材であることを特徴とする請求項12記載の有機EL装置。   13. The organic EL device according to claim 12, wherein the organic EL substrate is a substrate for an illumination device having an organic EL layer that emits monochromatic light.
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