JP2016146419A - Flexible circuit board and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible circuit board excellent in bending resistance, and capable of preventing open circuit or cracking of a wiring circuit even in a narrow housing, and to provide an electronic apparatus.SOLUTION: A flexible circuit board includes a polyimide insulation layer (A), a circuit wiring layer (B) provided on at least one side of the polyimide insulation layer (A), and a coverlay (C) laminated on the circuit wiring layer (B). a) The thickness of the polyimide insulation layer (A) is in a range of 10-14 μm, b) the thickness of the copper wiring 51 constituting the circuit wiring layer (B) is in a range of 10-14 μm, and the cube ratio of the copper wiring 51 is 85% or more, and c) the equivalent bending rigidity when bending with the coverlay (C) on the inside is in a range of 0.03-0.04 N m.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、フレキシブル回路基板(FPC)に関し、詳しくは、電子機器の筐体内に折り畳んで収納され、使用されるフレキシブル回路基板及び電子機器に関する。   The present invention relates to a flexible circuit board (FPC), and more particularly, to a flexible circuit board and an electronic device that are folded and housed in a casing of the electronic device.

近年、携帯電話、ノート型パソコン、デジタルカメラ、ゲーム機などに代表される電子機器は、小型化、薄型化、軽量化が急速に進み、これらに使用される材料に対して、小スペースにおいても部品を収納できる高密度で高性能な材料が望まれるようになっている。フレキシブル回路基板においても、スマートフォン等の高性能小型電子機器の普及に伴い、部品収納の高密度化が進展したため、今まで以上に、より狭い筐体内にフレキシブル回路基板を収納する必要が出てきている。そのためフレキシブル回路基板の材料であるフレキシブル銅張積層板においても材料面からの耐折り曲げ性の向上が求められている。以下、本明細書では、FPCの上面側が略180℃反転して下面側になるように折り曲げることを「はぜ折り」と呼ぶことがある。   In recent years, electronic devices represented by mobile phones, notebook computers, digital cameras, game machines, and the like have been rapidly reduced in size, thickness, and weight. High-density, high-performance materials that can accommodate components are desired. Also in flexible circuit boards, with the spread of high-performance small electronic devices such as smartphones, the density of parts storage has increased, so it has become necessary to store flexible circuit boards in a narrower housing than ever before. Yes. Therefore, also in the flexible copper clad laminated board which is a material of a flexible circuit board, the improvement of the bending resistance from the material surface is calculated | required. Hereinafter, in this specification, folding the FPC so that the upper surface side of the FPC is inverted by approximately 180 ° C. to become the lower surface side may be referred to as “shell folding”.

このような用途への適用を意図したものとして、特許文献1では、フレキシブル銅張積層板に使用するポリイミドベースフィルムやカバーフィルムの弾性率を制御することによって、フレキシブル回路基板トータルのスティフネス性を低減させることにより、耐折り曲げ性を向上させるという技術が提案されている。しかしながら、ポリイミドやカバーフィルムの特性の制御のみでは、電子機器内に折り畳んで収納するという厳しい屈曲モードに対しては不十分であり、十分な耐折り曲げ性に優れたフレキシブル回路基板を提供できていない。   As intended for application to such applications, Patent Document 1 reduces the total stiffness of flexible circuit boards by controlling the elastic modulus of the polyimide base film and cover film used in flexible copper clad laminates. Thus, a technique for improving the bending resistance has been proposed. However, the control of the characteristics of the polyimide and the cover film alone is not sufficient for the strict bending mode in which it is folded and stored in an electronic device, and a flexible circuit board having sufficient bending resistance cannot be provided. .

また、特許文献2では、電子機器内への高密度化の観点から、銅箔側からのアプローチとして、銅箔の結晶粒径サイズに着目して、耐スプリングバック性を抑えた熱処理用銅箔が提案されている。本技術は、銅箔中に種々の適切な添加剤を入れた圧延銅箔を用いて、結晶粒の肥大化に充分な熱量を加えることにより結晶粒径を大きく成長させ、その結果、銅箔の耐スプリングバック性を改良しようという技術である。   Moreover, in patent document 2, from the viewpoint of high density in an electronic device, as an approach from the copper foil side, focusing on the crystal grain size of the copper foil, the copper foil for heat treatment with suppressed springback resistance Has been proposed. This technology uses a rolled copper foil with various appropriate additives in the copper foil to increase the crystal grain size by applying a sufficient amount of heat to enlarge the crystal grains. As a result, the copper foil It is a technology that tries to improve the spring back resistance.

しかしながら、スマートフォンに代表される小型電子機器に対しては、狭い筐体内に、FPCをさらに高密度に収納することが要請されている。そのため、前記従来技術だけでは、更なる高密度化の要請に応えることが難しい。   However, small electronic devices typified by smartphones are required to store the FPC in a narrow casing at a higher density. For this reason, it is difficult to meet the demand for higher density with the conventional technology alone.

特開2007−208087号公報JP 2007-208087 A 特開2010−280191号公報JP 2010-280191 A

本発明は、前記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、狭い筐体内でも配線回路の断線や割れを防止し得る、優れた耐折り曲げ性を有するフレキシブル回路基板及び電子機器を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a flexible circuit board and an electronic device having excellent bending resistance that can prevent disconnection and cracking of a wiring circuit even in a narrow housing. It is to be.

本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、フレキシブル回路基板を構成するポリイミド絶縁層の厚みと、回路配線層を構成する銅配線の厚み及びキューブ比率と、フレキシブル回路基板の全体の等価曲げ剛性との関係に着目することで、前記課題を解決し得るフレキシブル回路基板を提供し得ることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the thickness of the polyimide insulating layer constituting the flexible circuit board, the thickness and cube ratio of the copper wiring constituting the circuit wiring layer, and the flexible circuit The inventors have found that a flexible circuit board capable of solving the above problems can be provided by paying attention to the relationship with the total equivalent bending rigidity of the board, and the present invention has been completed.

本発明のフレキシブル回路基板は、ポリイミド絶縁層(A)と、前記ポリイミド絶縁層(A)の少なくとも一方の面に設けられた回路配線層(B)と、前記回路配線層(B)に積層されたカバーレイ(C)と、を備えている。そして、本発明のフレキシブル回路基板は、以下のa〜cの構成:
a)前記ポリイミド絶縁層(A)の厚みが10〜14μmの範囲内であること;
b)前記回路配線層(B)を構成する銅配線の厚みが10〜14μmの範囲内であり、かつ前記銅配線のキューブ比率が85%以上であること;
及び、
c)前記カバーレイ(C)を内側にして折り曲げるときの等価曲げ剛性が0.03〜0.04N・mの範囲内であること;
を有することを特徴とする。
The flexible circuit board of the present invention is laminated on the polyimide insulating layer (A), the circuit wiring layer (B) provided on at least one surface of the polyimide insulating layer (A), and the circuit wiring layer (B). Coverlay (C). And the flexible circuit board of this invention is the structure of the following ac:
a) The polyimide insulating layer (A) has a thickness in the range of 10 to 14 μm;
b) The thickness of the copper wiring constituting the circuit wiring layer (B) is in the range of 10 to 14 μm, and the cube ratio of the copper wiring is 85% or more;
as well as,
c) Equivalent bending rigidity when the coverlay (C) is folded inward is in the range of 0.03 to 0.04 N · m 2 ;
It is characterized by having.

本発明のフレキシブル回路基板は、前記カバーレイ(C)を内側にして折り畳んだ状態で、電子機器の筐体内に収納して使用されるものである。   The flexible circuit board of the present invention is used by being housed in a casing of an electronic device in a state of being folded with the cover lay (C) inside.

本発明の電子機器は、上記のフレキシブル回路基板を、前記カバーレイ(C)を内側にして折り畳んだ状態で筐体内に収納したものである。   The electronic device of the present invention is one in which the flexible circuit board is stored in a housing in a folded state with the cover lay (C) inside.

本発明のフレキシブル回路基板は、配線基板に要求される高い耐折り曲げ性を発現し得ることから、電子機器内に折り曲げた状態での接続信頼性に優れている。従って、本発明のフレキシブル回路基板は、特に、スマートフォン等の小型液晶周りの折り曲げ部分等の耐折り曲げ性が要求される電子部品に好適に用いることができる。   Since the flexible circuit board of the present invention can exhibit the high bending resistance required for a wiring board, it is excellent in connection reliability in a state where it is bent in an electronic device. Therefore, the flexible circuit board of the present invention can be suitably used particularly for electronic components that require bending resistance such as a bent portion around a small liquid crystal such as a smartphone.

実施例で用いた試験回路基板片の銅配線の様子を示す平面説明図である。It is plane explanatory drawing which shows the mode of the copper wiring of the test circuit board piece used in the Example. 折り曲げ試験での試料ステージと試験回路基板片との様子を示す側面説明図である(試料ステージ上に試験回路基板片を固定した状態図)。It is side surface explanatory drawing which shows the mode of the sample stage and test circuit board piece in a bending test (state figure which fixed the test circuit board piece on the sample stage). 折り曲げ試験での試料ステージと試験回路基板片との様子を示す側面説明図である(試験回路基板片の折り曲げ箇所をローラーで押さえる手前の状態図)。It is side surface explanatory drawing which shows the mode of the sample stage and test circuit board piece in a bending test (state figure before pressing the bending location of a test circuit board piece with a roller). 折り曲げ試験での試料ステージと試験回路基板片との様子を示す側面説明図である(試験回路基板片の折り曲げ箇所をローラーで押さえた状態図)。It is side surface explanatory drawing which shows the mode of the sample stage and test circuit board piece in a bending test (state figure which pressed the bending location of the test circuit board piece with the roller). 折り曲げ試験での試料ステージと試験回路基板片との様子を示す側面説明図である(折り曲げ箇所を開いて試験片を平らな状態に戻した状態図)。It is side surface explanatory drawing which shows the mode of the sample stage and test circuit board piece in a bending test (the state figure which opened the bending location and returned the test piece to the flat state). 折り曲げ試験での試料ステージと試験回路基板片との様子を示す側面説明図である(折り曲げ箇所の折り目部分をローラーで押さえて均す状態図)。It is side surface explanatory drawing which shows the mode of the sample stage and test circuit board piece in a bending test (state figure which presses and equalizes the crease | fold part of a bending location with a roller). フレキシブル回路基板の断面説明図(一部)である。It is a section explanatory view (part) of a flexible circuit board.

以下、本発明の実施の形態について説明する。
<フレキシブル回路基板>
本実施の形態のフレキシブル回路基板は、ポリイミド絶縁層(A)と、ポリイミド絶縁層(A)の片面又は両面に設けられた回路配線層(B)と、回路配線層(B)に積層されたカバーレイ(C)と、を備えている。このフレキシブル回路基板は、例えば、ポリイミド絶縁層と銅箔層とを備えたフレキシブル銅張積層板の銅箔層をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成し、カバーレイを張り付けることによって作製される。なお、フレキシブル回路基板において、ポリイミド絶縁層(A)の両面に回路配線層(B)が設けられている場合は、折り曲げたときに内側になる回路配線層が、後述する構成bを具備していればよい。この場合、折り曲げたときに内側になる回路配線層を覆うカバーレイが、後述する構成cのカバーレイ(C)に該当する。
Embodiments of the present invention will be described below.
<Flexible circuit board>
The flexible circuit board of this embodiment was laminated on the polyimide insulating layer (A), the circuit wiring layer (B) provided on one or both sides of the polyimide insulating layer (A), and the circuit wiring layer (B). A coverlay (C). For example, this flexible circuit board forms a copper wiring by etching a copper foil layer of a flexible copper clad laminate having a polyimide insulating layer and a copper foil layer to form a copper wiring, and affixes a coverlay. It is produced by. In addition, in the flexible circuit board, when the circuit wiring layer (B) is provided on both surfaces of the polyimide insulating layer (A), the circuit wiring layer that becomes the inner side when bent is provided with the configuration b described later. Just do it. In this case, the coverlay that covers the circuit wiring layer that is inside when bent corresponds to the coverlay (C) of the configuration c described later.

<ポリイミド絶縁層(A)>
ポリイミド絶縁層(A)は、その厚みが10〜14μmの範囲内である(構成a)。ポリイミド絶縁層(A)の厚みが10μm未満では、フレキシブル回路基板の等価曲げ剛性が低下し、その耐はぜ折り性が低下することとなり、14μmを超えると、フレキシブル回路基板を折り曲げた際に銅配線に、より応力が加わることとなり、その耐はぜ折り性を低下させてしまう傾向となる。
<Polyimide insulation layer (A)>
The polyimide insulating layer (A) has a thickness in the range of 10 to 14 μm (Configuration a). If the thickness of the polyimide insulating layer (A) is less than 10 μm, the equivalent bending rigidity of the flexible circuit board will be reduced, and the folding resistance will be reduced. If the thickness exceeds 14 μm, copper will be lost when the flexible circuit board is bent. Stress is further applied to the wiring, and the resistance to bending tends to decrease.

ポリイミド絶縁層(A)は、市販のポリイミドフィルムをそのまま使用することも可能であるが、絶縁層の厚さや物性のコントロールのしやすさから、ポリアミド酸溶液を銅箔上に直接塗布した後、熱処理により乾燥、硬化する所謂キャスト(塗布)法によるものが好ましい。また、ポリイミド絶縁層(A)は、単層のみから形成されるものでもよいが、ポリイミド絶縁層(A)と回路配線層(B)との接着性等を考慮すると複数層からなるものが好ましい。ポリイミド絶縁層(A)を複数層とする場合、異なる構成成分からなるポリアミド酸溶液の上に他のポリアミド酸溶液を順次塗布して形成することができる。ポリイミド絶縁層(A)が複数層からなる場合、同一の構成のポリイミド前駆体樹脂を2回以上使用してもよい。   The polyimide insulating layer (A) can be a commercially available polyimide film as it is, but from the ease of controlling the thickness and physical properties of the insulating layer, after applying the polyamic acid solution directly on the copper foil, A so-called cast (coating) method in which drying and curing are performed by heat treatment is preferable. In addition, the polyimide insulating layer (A) may be formed of only a single layer, but in consideration of the adhesiveness between the polyimide insulating layer (A) and the circuit wiring layer (B), a layer composed of a plurality of layers is preferable. . When the polyimide insulating layer (A) has a plurality of layers, it can be formed by sequentially applying another polyamic acid solution on a polyamic acid solution composed of different components. When the polyimide insulating layer (A) is composed of a plurality of layers, the polyimide precursor resin having the same configuration may be used twice or more.

ポリイミド絶縁層(A)について、より詳しく説明する。上述の通り、ポリイミド絶縁層(A)は複数層とすることが好ましいが、その具体例としては、ポリイミド絶縁層(A)を、熱膨張係数30×10−6/K未満の低熱膨張性のポリイミド層(i)と、熱膨張係数30×10−6/K以上の高熱膨張性のポリイミド層(ii)と、を含む積層構造とすることが好ましい。より好ましくは、ポリイミド絶縁層(A)は、低熱膨張性のポリイミド層(i)の少なくとも一方、好ましくはその両側に、高熱膨張性のポリイミド層(ii)を有する積層構造とし、高熱膨張性のポリイミド層(ii)が直接回路配線層(B)と接するようにすることがよい。ここで、「低熱膨張性のポリイミド層(i)」とは、熱膨張係数30×10−6/K未満、好ましくは1×10−6〜25×10−6/Kの範囲内、特に好ましくは3×10−6〜20×10−6/Kの範囲内のポリイミド層をいう。また、「高熱膨張性のポリイミド層(ii)」とは、熱膨張係数30×10−6/K以上のポリイミド層を言い、好ましくは30×10−6〜80×10−6/Kの範囲内、特に好ましくは30×10−6〜70×10−6/Kの範囲内のポリイミド層をいう。このようなポリイミド層は、使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望の熱膨張係数を有するポリイミド層とすることができる。 The polyimide insulating layer (A) will be described in more detail. As described above, the polyimide insulating layer (A) is preferably a plurality of layers. As a specific example, the polyimide insulating layer (A) has a low thermal expansion coefficient of less than 30 × 10 −6 / K. A laminated structure including the polyimide layer (i) and a high thermal expansion polyimide layer (ii) having a thermal expansion coefficient of 30 × 10 −6 / K or more is preferable. More preferably, the polyimide insulating layer (A) has a laminated structure having a high thermal expansion polyimide layer (ii) on at least one of the low thermal expansion polyimide layers (i), preferably both sides thereof, and has a high thermal expansion. The polyimide layer (ii) is preferably in direct contact with the circuit wiring layer (B). Here, the “low thermal expansion polyimide layer (i)” is a thermal expansion coefficient of less than 30 × 10 −6 / K, preferably in the range of 1 × 10 −6 to 25 × 10 −6 / K, particularly preferably. Means a polyimide layer in the range of 3 × 10 −6 to 20 × 10 −6 / K. The “high thermal expansion polyimide layer (ii)” refers to a polyimide layer having a thermal expansion coefficient of 30 × 10 −6 / K or more, preferably in the range of 30 × 10 −6 to 80 × 10 −6 / K. Of these, a polyimide layer in the range of 30 × 10 −6 to 70 × 10 −6 / K is particularly preferable. Such a polyimide layer can be made into a polyimide layer having a desired thermal expansion coefficient by appropriately changing the combination of raw materials used, thickness, and drying / curing conditions.

上記ポリイミド絶縁層(A)を与えるポリアミド酸溶液は、公知のジアミンと酸無水物とを溶媒の存在下で重合して製造することができる。この際、重合される樹脂粘度は、例えば、500cps以上35,000cps以下の範囲内とすることが好ましい。   The polyamic acid solution that provides the polyimide insulating layer (A) can be produced by polymerizing a known diamine and an acid anhydride in the presence of a solvent. At this time, the viscosity of the resin to be polymerized is preferably in the range of 500 cps to 35,000 cps, for example.

ポリイミドの原料として用いられるジアミンとしては、例えば、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4'-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3'-ジアミノ-p-テルフェニル、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,7-ジアミノジベンゾフラン、1,5-ジアミノフルオレン、ジベンゾ-p-ジオキシン-2,7-ジアミン、4,4'-ジアミノベンジルなどが挙げられる。   Examples of the diamine used as a raw material for polyimide include 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 2,4-diaminomesitylene, and 4,4′-methylenedi-o-. Toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 2,4-toluenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4 ' -Diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminodiphenylethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 2, 2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl Sulfone, 4,4'-diame Diphenyl ether, 3,3-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, benzidine, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 3,3'-diamino- p-terphenyl, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2- Methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino- t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m- Silylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 2,2'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 3,7-diaminodibenzofuran, 1,5-diaminofluorene, dibenzo-p-dioxin-2,7-diamine, 4,4'-diaminobenzyl and the like.

また、ポリイミドの原料として用いられる酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3'',4,4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3'',4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。   Examples of the acid anhydride used as a raw material for polyimide include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3 ′. -Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2, 4,5-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl -1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7- Hexahydronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1, 4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-tetrachloro Phthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4 , 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3, 3 '', 4,4 ''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2``, 3,3 ''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ' ', 4' '-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ) -Propane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, Bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyl) Phenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, perylene-2,3 , 8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5, 6,11,12-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1 , 2,9,10-Tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine -2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-, 3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 2,3,6,7 -Naphthalene tetracarboxylic dianhydride, etc. And the like.

上記ジアミン及び酸無水物は、それぞれ1種のみを使用してもよく2種以上を併用することもできる。また、重合に使用される溶媒は、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、1種又は2種以上併用して使用することもできる。   Each of the diamine and acid anhydride may be used alone or in combination of two or more. Examples of the solvent used for the polymerization include dimethylacetamide, N-methylpyrrolidinone, 2-butanone, diglyme, xylene and the like, and they can be used alone or in combination of two or more.

本実施の形態において、熱膨張係数30×10−6/K未満の低熱膨張性のポリイミド層(i)とするには、例えば、原料の酸無水物成分としてピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を、ジアミン成分としては、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、2-メトキシ-4,4’-ジアミノベンズアニリドを用いることがよく、特に好ましくは、ピロメリット酸二無水物及び2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニルを原料各成分の主成分とするものがよい。 In this embodiment, in order to obtain a low thermal expansion polyimide layer (i) having a thermal expansion coefficient of less than 30 × 10 −6 / K, for example, pyromellitic dianhydride as a raw acid anhydride component, 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl and 2-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide as diamine components It is preferable to use pyromellitic dianhydride and 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl as main components of the raw materials.

また、熱膨張係数30×10−6/K以上の高熱膨張性のポリイミド層(ii)とするには、例えば、原料の酸無水物成分としてピロメリット酸二無水物、3,3',4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を、ジアミン成分としては、2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンを用いることがよく、特に好ましくはピロメリット酸二無水物及び2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパンを原料各成分の主成分とするものがよい。なお、このようにして得られる高熱膨張性のポリイミド層(ii)の好ましいガラス転移温度は、300〜400℃の範囲内である。 In order to obtain a high thermal expansion polyimide layer (ii) having a thermal expansion coefficient of 30 × 10 −6 / K or more, for example, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4 as an acid anhydride component of a raw material , 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, As the diamine component, 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene is preferably used, Particularly preferably, pyromellitic dianhydride and 2,2′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane are the main components of the raw materials. In addition, the preferable glass transition temperature of the high thermal expansion polyimide layer (ii) obtained in this way is in the range of 300-400 degreeC.

また、ポリイミド絶縁層(A)を低熱膨張性のポリイミド層(i)と高熱膨張性のポリイミド層(ii)との積層構造とした場合、好ましくは、低熱膨張性のポリイミド層(i)と高熱膨張性のポリイミド層(ii)との厚み比(低熱膨張性のポリイミド層(i)/高熱膨張性のポリイミド層(ii))が2〜15の範囲内であるのがよい。この比の値が、2に満たないとポリイミド絶縁層(A)全体に対する低熱膨張性のポリイミド層(i)が薄くなるため、ポリイミドフィルムの寸法特性の制御が困難となり、銅箔をエッチングして回路配線層(B)を形成した際の寸法変化率が大きくなり、15を超えると高熱膨張性のポリイミド層(ii)が薄くなるため、ポリイミド絶縁層(A)と回路配線層(B)との接着信頼性が低下する。   When the polyimide insulating layer (A) has a laminated structure of a low thermal expansion polyimide layer (i) and a high thermal expansion polyimide layer (ii), preferably, the low thermal expansion polyimide layer (i) and the high thermal expansion are used. The ratio of the thickness of the expandable polyimide layer (ii) (low thermal expansion polyimide layer (i) / high thermal expansion polyimide layer (ii)) is preferably in the range of 2 to 15. If the value of this ratio is less than 2, the low thermal expansion polyimide layer (i) with respect to the entire polyimide insulating layer (A) becomes thin, so it becomes difficult to control the dimensional characteristics of the polyimide film, and the copper foil is etched. When the circuit wiring layer (B) is formed, the rate of dimensional change increases. When the circuit wiring layer (B) exceeds 15, the polyimide layer (ii) having a high thermal expansion becomes thin. Therefore, the polyimide insulating layer (A) and the circuit wiring layer (B) The adhesion reliability of the is reduced.

<回路配線層(B)>
本実施の形態のフレキシブル回路基板において、回路配線層(B)は、例えば銅箔を原料とする銅配線により構成される。回路配線層(B)を構成する銅配線の厚みは、10〜14μmの範囲内であり、かつ銅配線のキューブ比率は85%以上である(構成b)。回路配線層(B)を構成する銅配線の厚みが10μm未満では、銅張積層板の剛性が低下し、フレキシブル回路基板を製造する際のハンドリングが悪化する傾向となり、14μmを超えるとフレキシブル回路基板を折り曲げた際に銅配線に加わる応力が大きくなることによって耐はぜ折り性が低下する傾向となる。また、回路配線層(B)を構成する銅配線のキューブ比率が85%未満では、銅配線の結晶粒毎の異方性が高くなり、折り曲げ時に微視的な応力集中が発生することで耐はぜ折り性が低下する傾向となる。
<Circuit wiring layer (B)>
In the flexible circuit board of the present embodiment, the circuit wiring layer (B) is constituted by, for example, copper wiring using copper foil as a raw material. The thickness of the copper wiring constituting the circuit wiring layer (B) is in the range of 10 to 14 μm, and the cube ratio of the copper wiring is 85% or more (Configuration b). If the thickness of the copper wiring constituting the circuit wiring layer (B) is less than 10 μm, the rigidity of the copper-clad laminate is lowered, and the handling during the production of the flexible circuit board tends to deteriorate. If the thickness exceeds 14 μm, the flexible circuit board As the stress applied to the copper wiring increases when the wire is bent, the folding resistance tends to decrease. Further, when the cube ratio of the copper wiring constituting the circuit wiring layer (B) is less than 85%, the anisotropy for each crystal grain of the copper wiring is increased, and microscopic stress concentration is generated at the time of bending. The foldability tends to decrease.

ここで、キューブ比率とは、銅配線を構成する銅の所定の面が結晶方位<200>に配向している面積率を表す指標である。キューブ比率は、後記実施例に示すように、EBSD(Electron Back Scattering Diffraction)法により確認することができる。回路配線層(B)の原料の銅箔は、フレキシブル回路基板の製造時に十分な熱履歴を経ることによってアニールが進行する結果、回路配線層(B)に加工された段階で、キューブ比率が上記範囲内になるものであることが必要である。   Here, the cube ratio is an index representing an area ratio in which a predetermined plane of copper constituting the copper wiring is oriented in the crystal orientation <200>. The cube ratio can be confirmed by an EBSD (Electron Back Scattering Diffraction) method, as shown in the examples described later. The copper foil as the raw material for the circuit wiring layer (B) undergoes annealing through a sufficient thermal history during the manufacture of the flexible circuit board, and as a result, the cube ratio is as described above when it is processed into the circuit wiring layer (B). It must be within the range.

本実施の形態のフレキシブル回路基板において、回路配線層(B)に使用する銅箔は、上記特性を充足するものであれば特に限定されるものではなく、市販されている銅箔を用いることができる。その具体例としては、JX日鉱日石金属株式会社製のHA箔などが挙げられる。   In the flexible circuit board of the present embodiment, the copper foil used for the circuit wiring layer (B) is not particularly limited as long as it satisfies the above characteristics, and a commercially available copper foil may be used. it can. Specific examples thereof include HA foil manufactured by JX Nippon Mining & Metals.

<カバーレイ(C)>
本実施の形態のフレキシブル回路基板において、カバーレイ(C)は、厚みが27.5μmであり、弾性率が2.0〜3.5GPaの範囲内のものを用いることが好ましい。このようなカバーレイ(C)としては、市販品を用いることができる。その具体例としては、有沢製作所社製、CEA0515(商品名)などが挙げられる。
<Coverlay (C)>
In the flexible circuit board of the present embodiment, it is preferable to use a coverlay (C) having a thickness of 27.5 μm and an elastic modulus in the range of 2.0 to 3.5 GPa. As such a coverlay (C), a commercial item can be used. Specific examples include CEA0515 (trade name) manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.

<全体厚み>
本実施の形態のフレキシブル回路基板は、その全体の厚み[つまり、ポリイミド絶縁層(A)と回路配線層(B)とカバーレイ(C)の合計の厚み]が41〜50μmの範囲内が良い。フレキシブル回路基板の全体の厚みが41μm未満では、フレキシブル回路基板の等価曲げ剛性が低下し、その耐はぜ折り性が低下する傾向となり、50μmを超えると、フレキシブル回路基板を折り曲げた際に銅配線に、より応力が加わることとなり、その耐はぜ折り性が低下することがある。
<Overall thickness>
The flexible circuit board of the present embodiment preferably has a total thickness [that is, the total thickness of the polyimide insulating layer (A), the circuit wiring layer (B), and the coverlay (C)] in the range of 41 to 50 μm. . If the total thickness of the flexible circuit board is less than 41 μm, the equivalent bending rigidity of the flexible circuit board tends to decrease, and the resistance to fold-down tends to decrease. If the thickness exceeds 50 μm, the copper wiring is bent when the flexible circuit board is bent. In addition, more stress is applied, and the folding resistance may be reduced.

<フレキシブル回路基板の等価曲げ剛性>
本実施の形態のフレキシブル回路基板は、カバーレイ(C)を内側にして折り曲げるときの等価曲げ剛性は、例えば0.03〜0.05N・mの範囲内である(構成c)。等価曲げ剛性は、0.03〜0.04N・mの範囲内が好ましい。フレキシブル回路基板の等価曲げ剛性が、上記範囲から外れると耐はぜ折り性が低下する。
<Equivalent bending rigidity of flexible circuit board>
In the flexible circuit board according to the present embodiment, the equivalent bending rigidity when folded with the coverlay (C) inside is within a range of, for example, 0.03 to 0.05 N · m 2 (Configuration c). The equivalent bending rigidity is preferably within a range of 0.03 to 0.04 N · m 2 . When the equivalent bending rigidity of the flexible circuit board is out of the above range, the folding resistance is lowered.

以下、本実施の形態のフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性について説明する。まず、フレキシブル回路基板の中立面位置の計算方法について、図7を参照して詳しく説明する。図7は、中立面位置の計算方法の説明に使用する積層体のモデルの断面図である。図7には、便宜上、積層体が2層であるモデルを示しているが、以下の説明は、積層体が2層以上である場合の全般に当てはまる。ここで、積層体の層の数をn(nは2以上の整数)とする。また、この積層体を構成する各層のうち下から数えてi番目(i=1,2,・・・,n)の層を第i番目と呼ぶ。図7において、符号Bは、積層体の幅を表している。なお、ここでいう幅とは、第1層の下面に平行で、積層体の長手方向に垂直な方向の寸法である。   Hereinafter, the equivalent bending rigidity of the flexible circuit board of the present embodiment will be described. First, a method for calculating the neutral plane position of the flexible circuit board will be described in detail with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of a model of a laminate used for explaining the calculation method of the neutral plane position. Although FIG. 7 shows a model in which the laminated body has two layers for convenience, the following description applies to the case where the laminated body has two or more layers. Here, the number of layers of the stacked body is n (n is an integer of 2 or more). In addition, the i-th (i = 1, 2,..., N) layer counted from the bottom among the layers constituting this laminate is referred to as the i-th layer. In FIG. 7, the symbol B represents the width of the laminate. The width here is a dimension in a direction parallel to the lower surface of the first layer and perpendicular to the longitudinal direction of the laminate.

本実施の形態におけるフレキシブル回路基板は、上記のポリイミド絶縁層(A)と回路配線層(B)とカバーレイ(C)により構成されるが、カバーレイ(C)を除いた状態を回路配線層(B)側から見たときに、銅配線51が存在する部分と、銅配線51が存在しない部分とがある。ここで、銅配線51が存在する部分を配線部(Line)と呼び、銅配線51が存在しない部分をスペース部(Space)と呼ぶ。配線部とスペース部では、構成が異なる。そのため、必要に応じて、配線部とスペース部とを分けて考える。   The flexible circuit board in the present embodiment is composed of the polyimide insulating layer (A), the circuit wiring layer (B), and the coverlay (C), but the circuit wiring layer is the state excluding the coverlay (C). When viewed from the (B) side, there are a portion where the copper wiring 51 exists and a portion where the copper wiring 51 does not exist. Here, a portion where the copper wiring 51 exists is called a wiring portion (Line), and a portion where the copper wiring 51 does not exist is called a space portion (Space). The wiring part and the space part have different configurations. Therefore, the wiring portion and the space portion are considered separately as necessary.

[中立面位置の計算]
ここで、第1層の下面を基準面SPとする。以下、基準面SPが図7おける下側に凸形状になるように積層体を屈曲させる場合について考える。図7において、符号NPは積層体の中立面を表している。ここで、中立面NPと基準面SPとの距離を中立面位置[NP]とし、この中立面位置[NP]を、配線部とスペース部とで別々に計算する。中立面位置[NP]は、次の式(1)によって算出される。
[Calculation of neutral plane position]
Here, the lower surface of the first layer is defined as a reference surface SP. Hereinafter, a case where the laminate is bent so that the reference plane SP has a convex shape on the lower side in FIG. 7 will be considered. In FIG. 7, the symbol NP represents the neutral plane of the laminate. Here, the distance between the neutral plane NP and the reference plane SP is defined as a neutral plane position [NP], and the neutral plane position [NP] is calculated separately for the wiring portion and the space portion. The neutral plane position [NP] is calculated by the following equation (1).

[NP]=Σi=1 /Σi=1 …(1) [NP] = Σ i = 1 n E i B i h i t i / Σ i = 1 n E i B i t i ... (1)

ここで、Eは、第i層を構成する材料の弾性率である。この弾性率Eは、本実施の形態における「各層における応力とひずみの関係」に対応する。Bは、第i層の幅であり、図7に示した幅Bに相当する。配線部の中立面位置[NP]を求める場合には、Bとして線幅LWの値を用い、スペース部の中立面位置[NP]を求める場合には、Bとして線間幅SWの値を用いる。hは、第i層の中央面と基準面SPとの距離である。なお、第i層の中央面とは、第i層の厚み方向の中央に位置する仮想の面である。tは、第i層の厚みである。また、記号“Σi=1 ”は、iが1からnまでの総和を表す。以下、配線部の中立面位置を[NP]Lineと記す。 Here, E i is the elastic modulus of the material constituting the i-th layer. This elastic modulus E i corresponds to “relation between stress and strain in each layer” in the present embodiment. B i is the width of the i-th layer and corresponds to the width B shown in FIG. When obtaining the neutral plane position [NP] of the wiring portion, the value of the line width LW is used as B i , and when obtaining the neutral plane position [NP] of the space portion, the line width SW as B i. The value of is used. h i is the distance between the center plane of the i-th layer and the reference plane SP. The central surface of the i-th layer is a virtual surface located at the center in the thickness direction of the i-th layer. t i is the thickness of the i-th layer. Further, the symbol “Σ i = 1 n ” represents the sum of i from 1 to n. Hereinafter, the neutral plane position of the wiring portion is referred to as [NP] Line .

[等価曲げ剛性の計算]
フレキシブル回路基板全体の曲げ剛性である等価曲げ剛性[BR]は、次の式(2)によって算出される。
[Calculation of equivalent bending stiffness]
The equivalent bending rigidity [BR] that is the bending rigidity of the entire flexible circuit board is calculated by the following equation (2).

[BR]=BLinei=1 (ai −bi )/3}Line
+BSpacei=1 (ai −bi )/3}Space …(2)
[BR] = B Linei = 1 n E i (a i 3 −b i 3 ) / 3} Line
+ B Spacei = 1 n E i (a i 3 −b i 3 ) / 3} Space (2)

ここで、式(2)において、BLineは線幅LWの総和であり、BSpaceは線間幅SWの総和である。また、図7に示したように、aiは第i層の上面と中立面NPとの距離、bは第i層の下面と中立面NPとの距離である。{Σi=1 (ai −bi )/3}Lineは、配線部におけるE(a −b )/3の値の、iが1からnまでの総和である。{Σi=1 (ai −bi )/3}Spaceは、スペース部におけるE(a −b )/3の値の、iが1からnまでの総和である。なお、式(2)に関連するが、第i層に関して、B(a −b )/3は、一般に断面二次モーメントと呼ばれる断面の幾何学的な特性を表すパラメータである。この第i層の断面二次モーメントに第i層の弾性率Eを掛けた値が第i層の曲げ剛性である。 Here, in Equation (2), B Line is the sum of the line widths LW, and B Space is the sum of the line widths SW. Further, as shown in FIG. 7, a i is the distance between the upper surface of the i-th layer and the neutral plane NP, and b i is the distance between the lower surface of the i-th layer and the neutral plane NP. {Σ i = 1 n E i (a i 3 −b i 3 ) / 3} Line is the value of E i (a i 3 −b i 3 ) / 3 in the wiring section, where i is 1 to n It is the sum. {Σ i = 1 n E i (a i 3 −b i 3 ) / 3} Space is a value of E i (a i 3 −b i 3 ) / 3 in the space part, where i is 1 to n It is the sum. Although related to the equation (2), for the i-th layer, B i (a i 3 −b i 3 ) / 3 is a parameter representing the geometric characteristic of the cross section, generally called a cross-section second moment. . A value obtained by multiplying the sectional moment of the i-th layer by the elastic modulus E i of the i-th layer is the bending rigidity of the i-th layer.

<フレキシブル銅張積層板の製造>
本実施の形態のフレキシブル回路基板を製造するために用いるフレキシブル銅張積層板は、例えば、回路配線層(B)の原料となる銅箔の表面にポリイミド前駆体樹脂溶液(ポリアミド酸溶液ともいう。)を塗工し、次いで、乾燥、硬化させる熱処理工程を経て製造することができる。熱処理工程における熱処理は、塗工されたポリアミド酸溶液を160℃未満の温度でポリアミド酸中の溶媒を乾燥除去した後、更に、150℃から400℃の温度範囲で段階的に昇温し、硬化させることで行なわれる。上記方法によって片面フレキシブル回路基板を得た。このようにして得られた片面フレキシブル銅張積層板を両面銅張積層板とするには、前記片面フレキシブル銅張積層板と、これとは別に準備した銅箔とを300〜400℃にて熱圧着する方法が挙げられる。
<Manufacture of flexible copper-clad laminates>
The flexible copper-clad laminate used for manufacturing the flexible circuit board of the present embodiment is, for example, a polyimide precursor resin solution (also called a polyamic acid solution) on the surface of a copper foil that is a raw material for the circuit wiring layer (B). ), Followed by a heat treatment step of drying and curing. The heat treatment in the heat treatment step is to remove the solvent in the polyamic acid by drying and removing the coated polyamic acid solution at a temperature of less than 160 ° C., and then gradually increase the temperature in a temperature range of 150 ° C. to 400 ° C. to cure. It is done by letting. A single-sided flexible circuit board was obtained by the above method. In order to make the single-sided flexible copper-clad laminate obtained in this way into a double-sided copper-clad laminate, the single-sided flexible copper-clad laminate and a copper foil prepared separately were heated at 300 to 400 ° C. The method of crimping is mentioned.

<FPC>
本実施の形態のフレキシブル回路基板は、フレキシブル銅張積層板の金属箔を常法によってパターン状に加工して配線層を形成後、カバーレイを貼りつけることによって製造できる。
<FPC>
The flexible circuit board of this embodiment can be manufactured by processing a metal foil of a flexible copper-clad laminate into a pattern by a conventional method to form a wiring layer, and then attaching a coverlay.

<FPCの使用方法>
本実施の形態のフレキシブル回路基板は、例えば0.1〜0.5mmの狭いギャップでの屈曲性能の要求が厳しい折り曲げの用途において特に効果を発揮する。すなわち、FPCに1kgの加重を加えることで180°折り曲げ、電子機器の筐体内に折り畳んで収納されて使用することが好適である。
<How to use FPC>
The flexible circuit board according to the present embodiment is particularly effective in bending applications that require severe bending performance with a narrow gap of, for example, 0.1 to 0.5 mm. That is, it is preferable that the FPC be bent by 180 ° by applying a weight of 1 kg, and folded and stored in the casing of the electronic device.

<電子機器>
本発明の一実施の形態に係る電子機器は、電子機器の筐体内に折り畳んで収納されるFPCを有している。電子機器は、例えばスマートフォン、タブレット端末などに代表される携帯用情報通信端末である。電子機器は、例えば金属、合成樹脂等の材質の筐体と、本実施の形態のFPCを備えている。FPCは、電子機器の筐体内に折り畳んで収納されている。電子機器は、耐折り曲げ性に優れ、接続信頼性が高いた本実施の形態のFPCを用いているため、FPCを筐体内に折り畳んで高密度に収納しても、配線回路の断線や割れが発生し難く、製品の信頼性に優れている。
<Electronic equipment>
An electronic device according to an embodiment of the present invention includes an FPC that is folded and stored in a housing of the electronic device. An electronic device is a portable information communication terminal represented by a smart phone, a tablet terminal, etc., for example. The electronic device includes a housing made of a material such as metal or synthetic resin, and the FPC of this embodiment. The FPC is stored in a folded state in the casing of the electronic device. Since the electronic device uses the FPC of this embodiment which has excellent bending resistance and high connection reliability, even if the FPC is folded in the housing and stored at high density, the wiring circuit is not broken or cracked. It does not occur easily and has excellent product reliability.

以下、実施例に基づき本発明をより詳細に説明する。なお、下記の実施例における各特性評価は、以下の方法により行った。   Hereinafter, based on an Example, this invention is demonstrated in detail. In addition, each characteristic evaluation in the following Example was performed with the following method.

[引張弾性率の測定]
引張弾性率の測定にあたり銅箔に関しては、真空オーブンを用いてフレキシブル銅張積層板の処理工程と同等の熱処理を与えた銅箔を用いた。また、ポリイミド層に関しては、フレキシブル銅張積層板をエッチングして銅箔を完全に除去したポリイミドフィルムを用いた。このようにして得られた材料を、株式会社東洋精機製作所製ストログラフR−1を用いて、温度23℃、相対湿度50%の環境下で引張弾性率の値を測定した。
[Measurement of tensile modulus]
In measuring the tensile elastic modulus, a copper foil subjected to a heat treatment equivalent to the treatment process of the flexible copper-clad laminate using a vacuum oven was used. Moreover, regarding the polyimide layer, the polyimide film which etched the flexible copper clad laminated board and removed copper foil completely was used. The material obtained in this manner was measured for tensile modulus in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50% using a strograph R-1 manufactured by Toyo Seiki Seisakusho.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
セイコーインスツルメンツ製のサーモメカニカルアナライザーを使用し、250℃まで昇温し、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、240℃から100℃までの平均熱膨張係数(線熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
Using a thermomechanical analyzer manufactured by Seiko Instruments Inc., the temperature was raised to 250 ° C., held at that temperature for 10 minutes, cooled at a rate of 5 ° C./minute, and an average thermal expansion coefficient from 240 ° C. to 100 ° C. ( (Linear thermal expansion coefficient) was determined.

[表面粗さ(Rz)の測定]
接触式表面粗さ測定機((株)小坂研究所製 SUREF CORDER ET3000)を用いて、銅箔のポリイミド絶縁層との接触面側の表面粗さを測定した。
[Measurement of surface roughness (Rz)]
Using a contact-type surface roughness measuring machine (SUREF CORDER ET3000 manufactured by Kosaka Laboratory Ltd.), the surface roughness of the contact surface side of the copper foil with the polyimide insulating layer was measured.

[銅箔のキューブ比率の測定]
キューブ比率は、銅箔の所定の面が結晶方位<200>に配向している面積率を表す指標である。各実施例の、銅箔の所定の面がどのような結晶方位を有するかについては、EBSD(Electron Back Scattering Diffraction)法により確認した。EBSD法は、測定対象である試料表面に収束電子ビームを照射した際に発生する個々の結晶面から回折される擬菊池線と呼ばれる回折像から結晶を解析し、方位データと測定点の位置情報から測定対象の結晶方位分布を測定する方法であり、X線回折法よりもミクロな領域の集合組織の結晶方位を解析することができる。例えば、個々の微小領域でその結晶方位を特定し、それらをつなぎあわせてマッピングすることができ、各マッピング点間の面方位の傾角(方位差)が一定値以下のものを同色で塗り分け、ほぼ同一の面方位を有する領域(結晶粒)の分布を浮かび上がらせることにより方位マッピング像を得ることができる。また、特定の面方位に対して所定の角度以内の方位を有する方位面を含めてその方位であると規定し、各面方位の存在割合を面積率、つまりキューブ比率を算出することができる。
[Measurement of copper foil cube ratio]
The cube ratio is an index representing an area ratio at which a predetermined plane of the copper foil is oriented in the crystal orientation <200>. The crystal orientation of the predetermined surface of the copper foil in each example was confirmed by an EBSD (Electron Back Scattering Diffraction) method. In the EBSD method, a crystal is analyzed from a diffraction image called a pseudo Kikuchi line that is diffracted from an individual crystal plane generated when a focused electron beam is irradiated on a sample surface to be measured, and orientation data and position information of a measurement point are obtained. From this, the crystal orientation distribution of the measurement object is measured, and the crystal orientation of the texture in the microscopic region can be analyzed as compared with the X-ray diffraction method. For example, it is possible to specify the crystal orientation in each minute region, connect them and map them, and separate the ones whose tilt angle (azimuth difference) between each mapping point is below a certain value with the same color, An orientation mapping image can be obtained by highlighting the distribution of regions (crystal grains) having substantially the same plane orientation. In addition, it is possible to calculate the area ratio, that is, the cube ratio, by defining the existence ratio of each surface orientation, including an orientation surface having an orientation within a predetermined angle with respect to a specific surface orientation.

[はぜ折りの測定(折り曲げ試験)]
銅張積層板の銅箔をエッチング加工し、その長手方向に沿ってライン幅100μm、スペース幅100μmにて長さが40mmの10列の銅配線51を形成した試験片(試験回路基板片)40を作製した(図1)。試験片40における銅配線51のみを表した図1に示したように、その試験片40における10列の銅配線51は、U字部52を介して全て連続して繋がっており、その両端には抵抗値測定用の電極部分(図示外)を設けている。
[Measurement of seam fold (bending test)]
A test piece (test circuit board piece) 40 in which a copper foil of a copper-clad laminate was etched and 10 rows of copper wirings 51 having a line width of 100 μm and a space width of 100 μm and a length of 40 mm were formed along the longitudinal direction. Was produced (FIG. 1). As shown in FIG. 1 showing only the copper wiring 51 in the test piece 40, the 10 rows of copper wirings 51 in the test piece 40 are all continuously connected via the U-shaped portion 52, and are connected to both ends thereof. Is provided with an electrode portion (not shown) for measuring the resistance value.

試験片40を、二つ折りが可能な試料ステージ20及び21上に固定し、抵抗値測定用の配線を接続して、抵抗値のモニタリングを開始した(図2)。折り曲げ試験は、10列の銅配線51に対して、長手方向のちょうど中央部分にて、銅配線51が内側になって向き合うように折り曲げて行った。この際、ウレタン製のローラー22を用いて、折り曲げ箇所40Cに1kgの加重となるように制御しながら、折り曲げた線と並行にローラー22を移動させ、10列の銅配線51を全て折り曲げた後(図3及び図4)、折り曲げ部分を開いて試験片40を平らな状態に戻し(図5)、折り目がついている部分を再度ローラー22にて抑えたまま移動させ(図6)、この一連の工程をもってはぜ折り回数1回とカウントするようにした。このような手順で折り曲げ試験を繰り返し行う間、常時、銅配線51の抵抗値をモニタリングし、所定の抵抗(3000Ω)になった時点を銅配線51の破断と判断し、その時までに繰り返した折り曲げ回数をはぜ折り測定値とした。はぜ折り測定値は、30回以上の場合を「良好」、30回未満を「不可」と評価した。   The test piece 40 was fixed on the sample stages 20 and 21 that can be folded in half, and a resistance value measurement wiring was connected to start monitoring of the resistance value (FIG. 2). The bending test was performed with respect to ten rows of copper wirings 51 by bending the copper wirings 51 so that they face each other at the center in the longitudinal direction. At this time, using the urethane roller 22, the roller 22 is moved in parallel with the bent line while controlling the bent portion 40C so as to be loaded with 1 kg, and all the 10 rows of copper wirings 51 are bent. (FIGS. 3 and 4), the bent portion is opened to return the test piece 40 to a flat state (FIG. 5), and the creased portion is moved again while being held by the roller 22 (FIG. 6). In this process, the number of times of folding is counted as one. While the bending test is repeated in such a procedure, the resistance value of the copper wiring 51 is constantly monitored, and when the predetermined resistance (3000 Ω) is reached, it is determined that the copper wiring 51 is broken, and the bending is repeated until that time. The number of times was taken as the measured value of the folded fold. As for the measured value of the helical fold, 30 times or more were evaluated as “good” and less than 30 were evaluated as “impossible”.

なお、折り曲げ試験において、最初から折り曲げられた状態の試験片40を用いる場合は、一旦展開して折り曲げを解消させた状態を折り曲げ回数ゼロとし、上記手順で折り曲げ回数をカウントする。   In the bending test, when using the test piece 40 that has been bent from the beginning, the state once unfolded to cancel the bending is regarded as zero folding, and the number of folding is counted according to the above procedure.

カバーレイAは、有沢製作所社製のカバーレイ(商品名;CEA0515、厚み;27.5μm、引張弾性率;3.5GPa)を意味する。
カバーレイBは、有沢製作所社製のカバーレイ(商品名;CMA0515、厚み;27.5μm、引張弾性率;2.6GPa)を意味する。
カバーレイCは、有沢製作所社製のカバーレイ(商品名;CEA0525、厚み;37.5μm、引張弾性率;3.3GPa)を意味する。
カバーレイDは、有沢製作所社製のカバーレイ(商品名;CMA0525、厚み;37.5μm、引張弾性率;2.3GPa)を意味する。
Coverlay A means a coverlay (trade name: CEA0515, thickness: 27.5 μm, tensile elastic modulus: 3.5 GPa) manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.
Coverlay B means a coverlay (trade name: CMA0515, thickness: 27.5 μm, tensile elastic modulus: 2.6 GPa) manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.
Coverlay C means a coverlay (trade name; CEA0525, thickness: 37.5 μm, tensile elastic modulus: 3.3 GPa) manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.
The coverlay D means a coverlay (trade name: CMA0525, thickness: 37.5 μm, tensile elastic modulus: 2.3 GPa) manufactured by Arisawa Manufacturing Co., Ltd.

実施例、比較例に記載のフレキシブル銅張積層板の製造方法について次に示す。   The method for producing the flexible copper-clad laminate described in Examples and Comparative Examples will be described below.

[ポリアミド酸溶液の合成]
(合成例1)
熱電対及び攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れ、さらに、この反応容器に2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を投入して容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、ピロメリット酸二無水物(PMDA)をモノマーの投入総量が12wt%となるように投入した。その後、3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸aの樹脂溶液を得た。ポリアミド酸aから形成された厚み25μmのポリイミドフィルムの熱膨張係数(CTE)は、55×10−6/Kであった。
[Synthesis of polyamic acid solution]
(Synthesis Example 1)
A reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen is charged with N, N-dimethylacetamide, and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) is added to the reaction vessel. ) Was added and dissolved in the container with stirring. Next, pyromellitic dianhydride (PMDA) was added so that the total amount of monomers added was 12 wt%. Thereafter, stirring was continued for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a resin solution of polyamic acid a. The thermal expansion coefficient (CTE) of the polyimide film having a thickness of 25 μm formed from the polyamic acid a was 55 × 10 −6 / K.

(合成例2)
熱電対及び攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れ、さらに、この反応容器に2,2'−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル(m-TB)を投入して容器中で攪拌しながら溶解させた。次に、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)およびピロメリット酸二無水物(PMDA)をモノマーの投入総量が15wt%、各酸無水物のモル比率(BPDA:PMDA)が20:80となるように投入した。その後、3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸bの樹脂溶液を得た。ポリアミド酸bから形成された厚み25μmのポリイミドフィルムの熱膨張係数(CTE)は、22×10−6/Kであった。
(Synthesis Example 2)
A reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen is charged with N, N-dimethylacetamide, and 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl (m-TB) is added to the reaction vessel. Was dissolved while stirring in a container. Next, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and pyromellitic dianhydride (PMDA) were added in a total monomer amount of 15 wt%, and the molar ratio of each acid anhydride ( (BPDA: PMDA) was charged to 20:80. Thereafter, stirring was continued for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a resin solution of polyamic acid b. The thermal expansion coefficient (CTE) of the 25 μm thick polyimide film formed from the polyamic acid b was 22 × 10 −6 / K.

(実施例1)
表1に示した特性を有し、厚さ12μmで長尺状の市販の銅箔(塗布面の表面粗さRz=0.4μm)上に、合成例1で調製したポリアミド酸aの樹脂溶液を硬化後の厚みが2.2μmとなるように均一に塗布した後、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。次に、この塗布面側に合成例2で調製したポリアミド酸bの樹脂溶液を硬化後の厚みが7.6μmとなるように均一に塗布し、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、この塗布面側に第1層目で塗布したものと同じポリアミド酸aの樹脂溶液を硬化後の厚みが2.2μmとなるように均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。この長尺状の積層体を130℃から開始して300℃まで段階的に温度が上がるように設定した連続硬化炉にて、合計6分程度の時間をかけて熱処理することで、キューブ比率が85%以上の銅箔層を有するポリイミド樹脂層厚み12μmの片面フレキシブル銅張積層板を得た。この片面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み27.5μmのカバーレイAを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1、表2に示す。
Example 1
Resin solution of polyamic acid a prepared in Synthesis Example 1 on a commercially available copper foil having a characteristic shown in Table 1 and having a thickness of 12 μm (coating surface roughness Rz = 0.4 μm) Was applied uniformly so that the thickness after curing was 2.2 μm, and then dried by heating at 130 ° C. to remove the solvent. Next, the resin solution of the polyamic acid b prepared in Synthesis Example 2 was uniformly applied to the coated surface side so that the thickness after curing was 7.6 μm, and the solvent was removed by heating and drying at 120 ° C. Further, apply the same polyamic acid a resin solution as that applied in the first layer on the coated surface side so that the thickness after curing is 2.2 μm, and heat dry at 130 ° C. to remove the solvent. did. This long laminate is heat-treated in a continuous curing furnace set so that the temperature gradually increases from 300 ° C. to 300 ° C. over a period of about 6 minutes. A polyimide resin layer having a thickness of 12 μm and having a copper foil layer of 85% or more was obtained. A copper circuit was formed by etching this single-sided flexible copper-clad laminate to form a copper wiring, and then a coverlay A having a thickness of 27.5 μm was attached to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of the equivalent flexural rigidity and the folding resistance of the obtained flexible circuit board.

得られたフレキシブル銅張積層板を構成する銅箔の引張弾性率、ポリイミド層の引張弾性率等の物性値、カバーレイの引張弾性率、フレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。なお、ポリイミド層の評価は製造されたフレキシブル銅張積層板から銅箔をエッチング除去したものを用いた。   Properties of physical properties such as tensile modulus of copper foil, tensile modulus of polyimide layer, tensile modulus of coverlay, equivalent flexural rigidity of flexible circuit board, folding resistance The evaluation results are shown in Tables 1 and 2. In addition, evaluation of the polyimide layer used what removed the copper foil by etching from the manufactured flexible copper clad laminated board.

ここで、実施例で使用したフレキシブル銅張積層板の等価曲げ剛性[BR]の算出方法について、実施例1を例に具体的な計算手順を説明する。   Here, a specific calculation procedure for the calculation method of the equivalent bending stiffness [BR] of the flexible copper-clad laminate used in the example will be described by way of example 1.

銅配線が存在する配線部について図7に示すような2層構成を考え、第1層および第2層を構成する材料をそれぞれポリイミドおよび銅とする。表1(実施例1)に示した通り、各層の弾性率はE=6.8GPa、E=18GPa、E=3.5GPa、厚みはt=12μm、t=12μm、t=21.5μmである。また、各層における厚さ方向での中央面と基準面SPとの距離はそれぞれh=6μm、h=18μm、h=34.8μmである。これらの値を式(1)に代入すると、先ず、銅配線が存在する配線部での中立面位置(基準面SPと中立面NPとの距離)は[NP]=18.8μmと計算される。次に、各層の上面と中立面NPとの距離がa1=6.8μm、a=5.2μm、a=26.7μm、各層の下面と中立面NPとの距離がb=18.8μm、b=6.8μm、b=5.2とそれぞれ計算される。また、幅Bについては銅配線の単位幅に着目して考え、BLine=1、BSpace=0とし、これらの値と弾性率E、E2、を式(2)に代入すると等価曲げ剛性は[BR]=0.039N・mと算出される。 Considering a two-layer structure as shown in FIG. 7 for the wiring portion where the copper wiring exists, the materials constituting the first layer and the second layer are polyimide and copper, respectively. As shown in Table 1 (Example 1), the elastic modulus of each layer is E 1 = 6.8 GPa, E 2 = 18 GPa, E 3 = 3.5 GPa, and the thicknesses are t 1 = 12 μm, t 2 = 12 μm, t 3. = 21.5 µm. Further, the distance between the center plane in the thickness direction and the reference plane SP in each layer is h 1 = 6 μm, h 2 = 18 μm, and h 3 = 34.8 μm, respectively. When these values are substituted into the equation (1), first, the neutral plane position (distance between the reference plane SP and the neutral plane NP) in the wiring portion where the copper wiring exists is calculated as [NP] = 18.8 μm. Is done. Next, the distance between the upper surface of each layer and the neutral plane NP is a 1 = 6.8 μm, a 2 = 5.2 μm, a 3 = 26.7 μm, and the distance between the lower surface of each layer and the neutral plane NP is b 1. = 18.8 μm, b 2 = 6.8 μm, and b 3 = 5.2. The width B is considered by paying attention to the unit width of the copper wiring. When B Line = 1 and B Space = 0, and substituting these values and elastic moduli E 1 , E 2, and E 3 into the equation (2), The equivalent bending stiffness is calculated as [BR] = 0.039 N · m 2 .

(実施例2)
実施例1と同様にして、片面フレキシブル銅張積層板を得た。この片面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み27.5μmのカバーレイBを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, a single-sided flexible copper-clad laminate was obtained. A copper circuit was formed by etching this single-sided flexible copper-clad laminate to form a copper wiring, and then a coverlay B having a thickness of 27.5 μm was attached to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

(比較例1)
表1に示した特性を有し、厚さ12μmの銅箔を使用し、ポリイミド層の厚みが12μmの市販されている市販の銅箔と市販のポリイミドフィルムをラミネートロールで張り合わせことで製造された両面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み27.5μmのカバーレイAを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Comparative Example 1)
The copper foil having the characteristics shown in Table 1 and having a thickness of 12 μm was used, and a commercially available copper foil having a polyimide layer thickness of 12 μm and a commercially available polyimide film were bonded to each other with a laminate roll. A wiring circuit was formed by etching the double-sided flexible copper-clad laminate to form a copper wiring, and then a coverlay A having a thickness of 27.5 μm was attached to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

(比較例2)
比較例1と同様にして、市販の銅箔と市販のポリイミドフィルムをラミネートロールで張り合わせことで製造された両面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み27.5μmのカバーレイBを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Comparative Example 1, after forming a copper wiring by processing a wiring circuit such as etching a double-sided flexible copper-clad laminate produced by laminating a commercially available copper foil and a commercially available polyimide film with a laminate roll, A coverlay B having a thickness of 27.5 μm was pasted to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

(比較例3)
比較例1と同様にして、市販の銅箔と市販のポリイミドフィルムをラミネートロールで張り合わせことで製造された両面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み37.5μmのカバーレイCを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Comparative Example 3)
In the same manner as in Comparative Example 1, after forming a copper wiring by processing a wiring circuit such as etching a double-sided flexible copper-clad laminate produced by laminating a commercially available copper foil and a commercially available polyimide film with a laminate roll, A coverlay C having a thickness of 37.5 μm was pasted to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

(比較例4)
比較例1と同様にして、市販の銅箔と市販のポリイミドフィルムをラミネートロールで張り合わせことで製造された両面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み37.5μmのカバーレイDを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Comparative Example 4)
In the same manner as in Comparative Example 1, after forming a copper wiring by processing a wiring circuit such as etching a double-sided flexible copper-clad laminate produced by laminating a commercially available copper foil and a commercially available polyimide film with a laminate roll, A coverlay D having a thickness of 37.5 μm was pasted to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

(比較例5)
比較例1と同様にして、市販の銅箔と市販のポリイミドフィルムをラミネートロールで張り合わせことで製造された両面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み37.5μmのカバーレイCを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Comparative Example 5)
In the same manner as in Comparative Example 1, after forming a copper wiring by processing a wiring circuit such as etching a double-sided flexible copper-clad laminate produced by laminating a commercially available copper foil and a commercially available polyimide film with a laminate roll, A coverlay C having a thickness of 37.5 μm was pasted to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

(比較例6)
比較例1と同様にして、市販の銅箔と市販のポリイミドフィルムをラミネートロールで張り合わせことで製造された両面フレキシブル銅張積層板をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成後、厚み37.5μmのカバーレイDを貼り付け、フレキシブル回路基板を得た。得られたフレキシブル回路基板の等価曲げ剛性、耐はぜ折り性の評価結果を表1及び表2に示す。
(Comparative Example 6)
In the same manner as in Comparative Example 1, after forming a copper wiring by processing a wiring circuit such as etching a double-sided flexible copper-clad laminate produced by laminating a commercially available copper foil and a commercially available polyimide film with a laminate roll, A coverlay D having a thickness of 37.5 μm was pasted to obtain a flexible circuit board. Tables 1 and 2 show the evaluation results of equivalent bending rigidity and resistance to folding of the obtained flexible circuit board.

Figure 2016146419
Figure 2016146419

Figure 2016146419
Figure 2016146419

表1及び表2から、実施例1〜2のフレキシブル回路基板は、いずれも上記構成a〜cを具備することによって、はぜ折り測定値が30回以上と良好な値を示し、耐折り曲げ性が満足できる結果であった。一方、キューブ比率が75.9%である比較例1〜4は耐はぜ折り性が劣っていた。また、構成cを満たしていない比較例5〜6の耐はぜ折り性も劣っていた。   From Table 1 and Table 2, the flexible circuit boards of Examples 1 and 2 each have the above-described configurations a to c, and the measured values of the helix fold are as good as 30 times or more. Was a satisfactory result. On the other hand, Comparative Examples 1 to 4 having a cube ratio of 75.9% were inferior in the folding resistance. Moreover, the folding resistance of Comparative Examples 5-6 which did not satisfy the configuration c was also inferior.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment.

1…筐体、3…ディスプレイ、5…外部接続端子、10…フレキシブル回路基板(FPC)、20,21…試料ステージ、22…ローラー、40…試験片、40C…試験片の折り曲げ箇所、51…銅配線、52…銅配線のU字部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Housing, 3 ... Display, 5 ... External connection terminal, 10 ... Flexible circuit board (FPC), 20, 21 ... Sample stage, 22 ... Roller, 40 ... Test piece, 40C ... Bending part of test piece, 51 ... Copper wiring, 52 ... U-shaped part of copper wiring

Claims (3)

ポリイミド絶縁層(A)と、
前記ポリイミド絶縁層(A)の少なくとも一方の面に設けられた回路配線層(B)と、
前記回路配線層(B)に積層されたカバーレイ(C)と、
を備えたフレキシブル回路基板であって、
以下のa〜cの構成:
a)前記ポリイミド絶縁層(A)の厚みが10〜14μmの範囲内であること;
b)前記回路配線層(B)を構成する銅配線の厚みが10〜14μmの範囲内であり、かつ前記銅配線のキューブ比率が85%以上であること;
及び、
c)前記カバーレイ(C)を内側にして折り曲げるときの等価曲げ剛性が0.03〜0.04N・mの範囲内であること;
を有することを特徴とするフレキシブル回路基板。
A polyimide insulating layer (A);
A circuit wiring layer (B) provided on at least one surface of the polyimide insulating layer (A);
A coverlay (C) laminated on the circuit wiring layer (B);
A flexible circuit board comprising:
The following configurations a to c:
a) The polyimide insulating layer (A) has a thickness in the range of 10 to 14 μm;
b) The thickness of the copper wiring constituting the circuit wiring layer (B) is in the range of 10 to 14 μm, and the cube ratio of the copper wiring is 85% or more;
as well as,
c) Equivalent bending rigidity when the coverlay (C) is folded inward is in the range of 0.03 to 0.04 N · m 2 ;
A flexible circuit board comprising:
前記カバーレイ(C)を内側にして折り畳んだ状態で、電子機器の筐体内に収納して使用されるものである請求項1に記載のフレキシブル回路基板。   2. The flexible circuit board according to claim 1, wherein the flexible circuit board is used by being housed in a casing of an electronic device in a state of being folded with the coverlay (C) inside. 3. 請求項1に記載のフレキシブル回路基板を、前記カバーレイ(C)を内側にして折り畳んだ状態で筐体内に収納した電子機器。   The electronic device which accommodated the flexible circuit board of Claim 1 in the housing | casing in the state folded with the said coverlay (C) inside.
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