JP2016131000A - Conductive pattern-formed sheet and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電パターン形成シート及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive pattern forming sheet and a manufacturing method thereof.
近年、パーソナルコンピュータ、携帯型端末、ゲーム機、オフィス事務機器等の電子機器において、入力装置として静電容量式タッチパネル又は静電容量式タッチセンサが広く使用されている。
従来、静電容量式タッチパネル及び静電容量式タッチセンサ等においては、基材の片面に導電パターンが形成された導電パターン形成シートを、両面粘着フィルム等を用いて2枚貼り合せたものをセンサ部として使用していた(特許文献1)。
In recent years, capacitive touch panels or capacitive touch sensors have been widely used as input devices in electronic devices such as personal computers, portable terminals, game machines, and office office equipment.
Conventionally, in a capacitive touch panel, a capacitive touch sensor, etc., a sensor obtained by bonding two conductive pattern forming sheets having a conductive pattern formed on one side of a base material using a double-sided adhesive film or the like. (Patent Document 1).
近年、静電容量式タッチパネル又は静電容量式タッチセンサを搭載する電子機器においては、さらなる薄型化と低コスト化が要求されている。その要求に対し、特許文献2に記載のセンサシートのように、基材の両面に電極配線を形成することが考えられる。しかし、この場合、一方の面の電極配線のパターンと他方の面の電極配線のパターンとを異なるパターンとする必要があった。一方の面の電極配線のパターンと他方の面の電極配線のパターンとを異なるパターンとするためには、煩雑な方法を適用しなければならず、しかも電極配線の精度が低くなることがあった。 In recent years, further reduction in thickness and cost have been demanded in electronic devices equipped with a capacitive touch panel or a capacitive touch sensor. In response to this requirement, it is conceivable to form electrode wiring on both surfaces of the base material as in the sensor sheet described in Patent Document 2. However, in this case, the pattern of the electrode wiring on one side and the pattern of the electrode wiring on the other side must be different. In order to make the pattern of the electrode wiring on one side different from the pattern of the electrode wiring on the other side, a complicated method must be applied, and the accuracy of the electrode wiring may be lowered. .
本発明は、基材の一方の面と他方の面とに、各々パターンが異なる電極配線を容易に形成でき、しかも電極配線の精度が高い導電パターン形成シート及びその製造方法を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a conductive pattern forming sheet that can easily form electrode wirings having different patterns on one surface and the other surface of a base material and that has high electrode wiring accuracy, and a method for manufacturing the same. And
本発明は、以下の態様を有する。
本発明の導電パターン形成シートは、基材と、該基材の一方の面に形成された第1金属層からなる第1電極配線と、前記基材の他方の面に形成された第2金属層からなる第2電極配線とを備え、
前記第1電極配線と前記第2電極配線とは互いに異なるパターンの配線とされ、前記第1金属層を構成する金属が、波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%以上であると共に波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が60%未満である長波長吸収性金属であり、前記第2金属層を構成する金属が、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が35%以上であると共に波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%未満である短波長吸収性金属である。
本発明の導電パターン形成シートにおいては、前記第1金属層及び第2金属層は共に厚さが0.01〜1.0μmであることが好ましい。
The present invention has the following aspects.
The conductive pattern forming sheet of the present invention includes a base material, a first electrode wiring composed of a first metal layer formed on one surface of the base material, and a second metal formed on the other surface of the base material. A second electrode wiring comprising a layer,
The first electrode wiring and the second electrode wiring have different patterns, and the metal constituting the first metal layer has an absorptivity of a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm of 15% or more and a wavelength. An absorptivity of a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or a wavelength of 532 nm is a long wavelength absorbing metal having an absorptivity of a short wavelength laser beam of 355 nm or a wavelength of 532 nm of less than 60%. Is a short-wavelength absorptive metal having a long-wavelength laser light absorption of less than 15%.
In the conductive pattern forming sheet of the present invention, it is preferable that both the first metal layer and the second metal layer have a thickness of 0.01 to 1.0 μm.
本発明の導電パターン形成シートの製造方法は、基材の一方の面に、波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%以上であると共に波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が60%未満である長波長吸収性金属を蒸着させて第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、
前記基材の他方の面に、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が35%以上であると共に波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%未満である短波長吸収性金属を蒸着させて第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、
前記第1金属層に、波長1064nmの長波長レーザ光をパターン状に照射することにより第1金属層をドライエッチングして第1電極配線を形成する第1電極配線形成工程と、
前記第2金属層に、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光をパターン状に照射することにより第2金属層をドライエッチングして第2電極配線を形成する第2電極配線形成工程と、を有する。
本発明の導電パターン形成シートの製造方法においては、第1金属層形成工程では、前記第1金属層の厚さを0.01〜1.0μmにし、第2金属層形成工程では、前記第2金属層の厚さを0.01〜1.0μmにすることが好ましい。
In the method for producing a conductive pattern forming sheet of the present invention, the absorption rate of a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm is 15% or more and the absorption rate of a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or 532 nm on one surface of a substrate. A first metal layer forming step of forming a first metal layer by vapor-depositing a long-wavelength absorbing metal having a thickness of less than 60%;
The short-wavelength absorptive metal having an absorptivity of short-wavelength laser light having a wavelength of 355 nm or 532 nm and a long-wavelength laser light having a wavelength of 1064 nm of less than 15% on the other surface of the base material A second metal layer forming step of forming a second metal layer by evaporating
A first electrode wiring forming step of forming a first electrode wiring by dry etching the first metal layer by irradiating the first metal layer with a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm in a pattern;
Irradiating the second metal layer with a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or a wavelength of 532 nm in a pattern to dry-etch the second metal layer to form a second electrode wiring; and Have.
In the method for producing a conductive pattern forming sheet of the present invention, in the first metal layer forming step, the thickness of the first metal layer is set to 0.01 to 1.0 μm, and in the second metal layer forming step, the second metal layer is formed. It is preferable that the thickness of the metal layer be 0.01 to 1.0 μm.
本発明の導電パターン形成シートは、基材の一方の面と他方の面とに、各々パターンが異なる電極配線を容易に形成でき、しかも電極配線の精度が高いものである。
本発明の導電パターン形成シートの製造方法によれば、基材の一方の面と他方の面とに、各々パターンが異なる電極配線を容易に形成でき、しかも電極配線の精度を高くできる。
The conductive pattern forming sheet of the present invention can easily form electrode wirings having different patterns on one surface and the other surface of the substrate, and the electrode wiring accuracy is high.
According to the method for producing a conductive pattern forming sheet of the present invention, electrode wirings having different patterns can be easily formed on one surface and the other surface of the substrate, and the accuracy of the electrode wiring can be increased.
<導電パターン形成シート>
本発明の導電パターン形成シートの一実施形態について説明する。
図1〜4に、本実施形態の導電パターン形成シートを示す。本実施形態の導電パターン形成シート1は、基材10と、基材10の一方の面(第1面10a)に形成された第1電極配線20と、基材10の他方の面(第2面10b)に形成された第2電極配線30とを備える。基材10の第1面10aには、第1外部接続用端子40aが設けられ、基材10の第2面10bには、第2外部接続用端子40bが設けられている。基材10の第1面10aと第1電極配線20と第1外部接続用端子40aの一部とを覆うように第1絶縁層50aが形成され、基材10の第2面10bと第2電極配線30と第2外部接続用端子40bの一部とを覆うように第2絶縁層50bが形成されている。
なお、本明細書において、「導電」とは、電気抵抗値が1MΩ未満であることを意味し、「絶縁」とは、電気抵抗値が1MΩ以上、好ましくは10MΩ以上のことである。
<Conductive pattern forming sheet>
An embodiment of the conductive pattern forming sheet of the present invention will be described.
The conductive pattern formation sheet of this embodiment is shown in FIGS. The conductive
In this specification, “conductive” means that the electric resistance value is less than 1 MΩ, and “insulation” means that the electric resistance value is 1 MΩ or more, preferably 10 MΩ or more.
(基材)
基材10としては、プラスチックフィルム、ガラス板を使用することができ、透明であることが好ましい。透明なプラスチックフィルムを構成する透明樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、トリアセチルセルロース、環状ポリオレフィン、アクリル樹脂等を使用することができる。これらの中でも、耐熱性及び寸法安定性が高く、低コストであることから、ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートが好ましい。なお、「透明」とは、JIS K7136に従って測定した光線透過率が50%以上のことを意味する。
基材10の表面には、プラズマ処理、紫外線照射処理、コロナ処理、エキシマ光処理等の各種表面処理が施されてもよい。基材10に表面処理が施されていると、第1電極配線20及び第2電極配線30との接着性が向上する。
基材10の厚さは25〜75μmであることが好ましい。基材10の厚さが前記下限値以上であれば、加工時に折れにくく、前記上限値以下であれば、導電パターン形成シート1をより薄型化でき、また、折り曲げて使用することが容易になる。
(Base material)
As the
The surface of the
The thickness of the
(第1電極配線)
第1電極配線20は、電極となる配線であり、パターン状に形成された第1金属層からなる。本実施形態における第1電極配線20は、Y方向に沿って形成された複数本のY方向電極部21と、Y方向電極部21を第1外部接続用端子40aに電気的に接続するための第1引き回し配線22とからなる。本実施形態におけるY方向電極部21は、一定幅の直線状の電極部である。
第1金属層を構成する金属は、波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%以上であると共に波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が60%未満である長波長吸収性金属である。長波長吸収性金属の具体例としては、ニッケル、アルミニウム等が挙げられる。
第1金属層を構成する金属の短波長レーザ光の吸収率が60%以上又は長波長レーザ光の吸収率が15%未満であると、互いにパターンが異なる第1電極配線と第2電極配線を形成することが困難になる。
(First electrode wiring)
The
The metal constituting the first metal layer has a long-wavelength absorptivity in which a long-wavelength laser light having a wavelength of 1064 nm has an absorptance of 15% or more and a short-wavelength laser light having a wavelength of 355 nm or a wavelength of 532 nm is less than 60%. It is a metal. Specific examples of the long wavelength absorbing metal include nickel and aluminum.
When the absorption rate of the short wavelength laser beam of the metal constituting the first metal layer is 60% or more or the absorption rate of the long wavelength laser beam is less than 15%, the first electrode wiring and the second electrode wiring having different patterns are arranged. It becomes difficult to form.
第1金属層の厚さ(平均値)は0.01〜1.0μmであることが好ましく、0.05〜0.3μmであることがより好ましい。第1金属層の厚さが前記下限値以上であれば、配線の電気抵抗を充分に低くでき、前記上限値以下であれば、導電パターン形成シートを折り曲げた際の断線を防止できる。 The thickness (average value) of the first metal layer is preferably 0.01 to 1.0 μm, and more preferably 0.05 to 0.3 μm. If the thickness of the first metal layer is equal to or greater than the lower limit value, the electrical resistance of the wiring can be sufficiently reduced, and if the thickness is equal to or less than the upper limit value, disconnection when the conductive pattern forming sheet is bent can be prevented.
(第2電極配線)
第2電極配線30は、電極となる配線であり、パターン状に形成された第2金属層からなる。本実施形態における第2電極配線30は、X方向に沿って形成された複数本のX方向電極部31と、X方向電極部31を第2外部接続用端子40bに電気的に接続するための第2引き回し配線32とからなる。したがって、第2電極配線30のパターンは、第1電極配線20のパターンと異なっている。
第2金属層を構成する金属は、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が35%以上であると共に波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%未満である短波長吸収性金属である。短波長吸収性金属の具体例としては、銅、銀等が挙げられる。
第2金属層を構成する金属の短波長レーザ光の吸収率が35%未満又は長波長レーザ光の吸収率が15%以上であると、互いにパターンが異なる第1電極配線20と第2電極配線30を形成することが困難になる。
(Second electrode wiring)
The
The metal constituting the second metal layer has a short wavelength absorptivity in which an absorptivity of a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or a wavelength of 532 nm is 35% or more and an absorptance of a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm is less than 15%. It is a metal. Specific examples of the short wavelength absorbing metal include copper and silver.
When the absorptivity of the short wavelength laser light of the metal constituting the second metal layer is less than 35% or the absorptance of the long wavelength laser light is 15% or more, the
第2金属層の厚さ(平均値)は0.01〜1.0μmであることが好ましく、0.05〜0.3μmであることがより好ましい。第1金属層の厚さが前記下限値以上であれば、配線の電気抵抗を充分に低くでき、前記上限値以下であれば、導電パターン形成シートを折り曲げた際の断線を防止できる。 The thickness (average value) of the second metal layer is preferably 0.01 to 1.0 μm, and more preferably 0.05 to 0.3 μm. If the thickness of the first metal layer is equal to or greater than the lower limit value, the electrical resistance of the wiring can be sufficiently reduced, and if the thickness is equal to or less than the upper limit value, disconnection when the conductive pattern forming sheet is bent can be prevented.
(第1外部接続用端子、第2外部接続用端子)
第1外部接続用端子40a及び第2外部接続用端子40bは、外部の回路に接続するための端子であり、金属、カーボン等の導電材料からなる。第1外部接続用端子40a及び第2外部接続用端子40bは、矩形状の導電部となっており、その一部は第1絶縁層50a又は第2絶縁層50bに覆われておらず、露出している。露出した部分が外部の素子や回路に接続される。
(First external connection terminal, second external connection terminal)
The first
(第1絶縁層、第2絶縁層)
第1絶縁層50a及び第2絶縁層50bを形成する樹脂としては、絶縁性樹脂が使用される。絶縁性樹脂としては、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂が使用されるが、硬化時の熱収縮性が小さいことから、紫外線硬化型樹脂が好ましい。
第1絶縁層50a及び第2絶縁層50bの厚さは、導電パターン形成シートを薄型化するために絶縁性を確保できる範囲で薄いことが好ましく、具体的には、0.5〜25μmであることが好ましい。
(First insulating layer, second insulating layer)
An insulating resin is used as the resin for forming the first insulating
The thicknesses of the first insulating
<導電パターン形成シートの製造方法>
以下、上記導電パターン形成シート1を製造する方法について説明する。
本実施形態の導電パターン形成シートの製造方法は、第1金属層形成工程と、第2金属層形成工程と、第1電極配線形成工程と、第2電極配線形成工程と、第1外部接続用端子形成工程と、第1絶縁層形成工程と、第2外部接続用端子形成工程と、第2絶縁層形成工程と、を有する。
<Method for producing conductive pattern forming sheet>
Hereinafter, a method for producing the conductive
The manufacturing method of the conductive pattern forming sheet of this embodiment includes a first metal layer forming step, a second metal layer forming step, a first electrode wiring forming step, a second electrode wiring forming step, and a first external connection. A terminal forming step, a first insulating layer forming step, a second external connection terminal forming step, and a second insulating layer forming step.
(第1金属層形成工程)
第1金属層形成工程は、基材10の第1面10aに長波長吸収性金属を蒸着させて第1金属層20aを形成する工程である(図5参照)。
長波長吸収性金属を基材に蒸着させる際の金属蒸着法としては特に制限されず、例えば、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、などが挙げられる。これらの中でも、成膜スピードが速く、低コストであることから、真空蒸着法が好ましい。
第1金属層形成工程では、第1金属層20aの厚さを0.01〜1.0μmにすることが好ましく、0.05〜0.3μmにすることが好ましい。
真空蒸着法を適用した場合、第1金属層20aの厚さ調整方法としては、金属を蒸着する際の基材10の搬送速度により蒸着時間を調整する方法等が挙げられる。
(First metal layer forming step)
The first metal layer forming step is a step of forming a
The metal vapor deposition method for depositing the long wavelength absorbing metal on the substrate is not particularly limited. For example, plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, vacuum deposition method, sputtering. Method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), and the like. Among these, the vacuum deposition method is preferable because the film forming speed is high and the cost is low.
In the first metal layer forming step, the thickness of the
When the vacuum deposition method is applied, examples of the method for adjusting the thickness of the
(第2金属層形成工程)
第2金属層形成工程は、基材10の第2面10bに短波長吸収性金属を蒸着させて第2金属層30aを形成する工程である(図6参照)。
短波長吸収性金属を基材に蒸着させる際の金属蒸着法としては特に制限されず、第1金属層形成工程における金属蒸着法と同様である。
(Second metal layer forming step)
The second metal layer forming step is a step of forming a
The metal vapor deposition method for depositing the short wavelength absorbing metal on the substrate is not particularly limited, and is the same as the metal vapor deposition method in the first metal layer forming step.
(第1電極配線形成工程)
第1電極配線形成工程は、第1金属層20aに長波長レーザ光L1をパターン状に照射することにより、第1金属層20aをドライエッチングして第1電極配線を形成する工程である(図7参照)。具体的には、まず、第1金属層20aを基材10の上側に配置した後、第1金属層20aの、第1電極配線(すなわち、Y方向電極部及び第1引き回し配線)にならない部分に、長波長レーザ光L1を照射してドライエッチングする。長波長レーザL1は、第1金属層20aに直接照射することが好ましい。
長波長レーザ光L1の波長としては、1064nmを適用することができる。長波長レーザ光L1の出力は1〜5Wにすることが好ましく、2〜4Wにすることがより好ましい。長波長レーザ光L1の走査速度は100〜8000mm/sにすることが好ましく、250〜1500mm/sにすることがより好ましい。長波長レーザ光L1の周波数は20〜1000kHzにすることが好ましく、100〜300kHzにすることがより好ましい。
(First electrode wiring forming step)
The first electrode wiring forming step, by irradiating a long-wavelength laser light L 1 in a pattern on the
The long-wavelength wavelength of the laser beam L 1, it is possible to apply the 1064 nm. The output of long wavelength laser light L 1 is preferably to 1~5W, it is more preferable to 2~4W. Scanning speed of the long-wavelength laser light L 1 is preferably set to 100~8000mm / s, and more preferably in 250~1500mm / s. Frequency of long-wavelength laser light L 1 is preferably set to 20~1000KHz, it is more preferable to 100~300KHz.
(第2電極配線形成工程)
第2電極配線形成工程は、第2金属層30aに短波長レーザ光L2をパターン状に照射することにより、第2金属層30aをドライエッチングして第2電極配線を形成する工程である(図8参照)。具体的には、第2金属層30aが基材10の上側に配置されるように上下反転させた後、第2金属層30aの、第2電極配線(すなわち、X方向電極部及び第2引き回し配線)にならない部分に、短波長レーザ光L2を照射してドライエッチングする。短波長レーザL2は、第2金属層に直接照射することが好ましい。
短波長レーザ光L2の波長としては、355nmまたは532nmを適用することができる。
短波長レーザ光L2の出力は1〜5Wにすることが好ましく、2〜4Wにすることがより好ましい。また、短波長レーザ光L2の走査速度は100〜8000mm/sにすることが好ましく、250〜1500mm/sにすることがより好ましい。また、短波長レーザ光L2の周波数は20〜1000kHzにすることが好ましく、100〜300kHzにすることがより好ましい。
(Second electrode wiring formation step)
The second electrode wiring forming step, by irradiating short-wavelength laser beam L 2 in a pattern on the
The wavelength of the short wavelength laser beam L 2, can be applied 355nm or 532 nm.
The output of the short wavelength laser beam L 2 is preferably to 1~5W, it is more preferable to 2~4W. The scanning speed of the short-wavelength laser beam L 2 is preferably set to 100~8000mm / s, and more preferably in 250~1500mm / s. The frequency of the short-wavelength laser beam L 2 is preferably set to 20~1000KHz, it is more preferable to 100~300KHz.
(第1外部接続用端子形成工程)
第1外部接続用端子形成工程は、基材10の第1面10aに、第1引き回し配線22の端部に接するように第1外部接続用端子40aを形成する工程である。第1外部接続用端子40aを形成する方法としては、例えば、導電性ペーストをスクリーン印刷する方法が挙げられる。
(First external connection terminal forming step)
The first external connection terminal forming step is a step of forming the first
(第1絶縁層形成工程)
第1絶縁層形成工程は、基材10の第1面10a側に、基材10の第1面10aと第1電極配線20と第1外部接続用端子40aの一部とを覆うように第1絶縁層50aを形成する工程である。
第1絶縁層50aの形成方法としては、絶縁性樹脂を含む第1絶縁層形成用インクを印刷又は塗工する方法が挙げられる。
第1絶縁層形成用インクの印刷方法としては、スクリーン印刷、インクジェット印刷を適用することができる。印刷スピードが速い点では、スクリーン印刷が好ましく、第1絶縁層50aを薄くできる点では、インクジェット印刷が好ましい。第1絶縁層形成用インクの印刷は、一回でもよいし、複数回でもよい。
印刷後には、必要に応じて乾燥した後、絶縁性樹脂として熱硬化型樹脂を用いた場合には、印刷したインクを加熱して硬化させ、絶縁性樹脂として紫外線硬化型樹脂を用いた場合には、印刷したインクに紫外線を照射してインクを硬化させる。
(First insulating layer forming step)
In the first insulating layer forming step, the
Examples of the method for forming the first insulating
As a printing method of the first insulating layer forming ink, screen printing or inkjet printing can be applied. Screen printing is preferable in that the printing speed is fast, and ink jet printing is preferable in that the first insulating
After printing, after drying as necessary, if a thermosetting resin is used as the insulating resin, the printed ink is heated and cured, and an ultraviolet curable resin is used as the insulating resin. Irradiates the printed ink with ultraviolet rays to cure the ink.
(第2外部接続用端子形成工程)
第2外部接続用端子形成工程は、基材10の第2面10bに、第1引き回し配線32の端部に接するように第2外部接続用端子40bを形成する工程である。第2外部接続用端子40bを形成する方法としては、例えば、導電性ペーストをスクリーン印刷する方法が挙げられる。
(Second external connection terminal forming step)
The second external connection terminal forming step is a step of forming the second
(第2絶縁層形成工程)
第2絶縁層形成工程は、基材10の第2面10b側に、基材10の第2面10bと第2電極配線30と第2外部接続用端子40bの一部とを覆うように第2絶縁層50bを形成する工程である。
第2絶縁層50bの形成方法は、第1絶縁層形成用インクの代わりに、絶縁性樹脂を含む第2絶縁層形成用インクを用いること以外は第1絶縁層形成工程と同様である。
第2絶縁層形成用インクに含まれる絶縁性樹脂は、第1絶縁層形成用インクに含まれる絶縁性樹脂と同じであってもよいし、異なってもよい。
(Second insulating layer forming step)
In the second insulating layer forming step, the
The formation method of the second insulating
The insulating resin contained in the second insulating layer forming ink may be the same as or different from the insulating resin contained in the first insulating layer forming ink.
(作用効果)
基材の第1面に形成した第1金属層と基材の第2面に形成した第2金属層とが同じ金属で構成されている場合、一方の金属層にレーザ光を照射してエッチングすると、他方の金属層もそのレーザ光によってエッチングすることになる。そのため、第1電極配線のパターンと第2電極配線のパターンとを異なるパターンとすることは困難であった。
本実施形態では、基材10の第1面10aに形成する第1金属層20aを長波長吸収性金属により構成する層とし、基材10の第2面10bに形成する第2金属層30aを短波長吸収性金属により構成する層とする。
図7に示すように、第1金属層20aに長波長レーザ光L1を照射した際には、第1金属層20aのレーザ光照射部分において長波長レーザ光L1を吸収し、その光エネルギーが熱に変換される。そのため、第1金属層20aのレーザ光照射部分は、発生した熱によって昇華して除去される。第1金属層20aに吸収されなかった長波長レーザ光L1が基材を通過して第2金属層30aに到達しても、第2金属層30aは長波長レーザ光L1を吸収しにくいため、昇華は生じにくい。
一方、図8に示すように、第2金属層30aに短波長レーザ光L2を照射した際には、第2金属層30aのレーザ光照射部分において短波長レーザ光L2を吸収し、その光エネルギーが熱に変換される。そのため、第2金属層30aのレーザ光照射部分は、発生した熱によって昇華して除去される。第2金属層30aに吸収されなかった短波長レーザ光L2が基材を通過して第1金属層20aに到達しても、第1金属層20aは短波長レーザ光L2を吸収しにくいため、昇華は生じにくい。
したがって、第1金属層20aに長波長レーザ光L1を照射することにより第1金属層20aのみを選択的にエッチングして第1電極配線20を形成でき、第2金属層30aに短波長レーザ光L2を照射することにより第2金属層30aのみを選択的にエッチングして第2電極配線30を形成できる。
このように、本実施形態の製造方法では、第1金属層20aに照射するレーザ光と第2金属層30aに照射するレーザ光とを使い分けることによって、基材10の第1面10aと第2面10bとに、各々パターンが異なる電極配線を容易に形成することができる。
しかも、第1金属層20aと第2金属層30aとを各々選択的にエッチングできることにより、第1金属層20aと第2金属層30aとが同時にエッチングされることがなくなるため、電極配線の精度が高くなる。
また、上記の導電パターン形成シート1は、基材10の両面に電極配線が形成されたものであるから、薄型化されている。
(Function and effect)
When the first metal layer formed on the first surface of the base material and the second metal layer formed on the second surface of the base material are composed of the same metal, etching is performed by irradiating one metal layer with laser light. Then, the other metal layer is also etched by the laser beam. Therefore, it is difficult to make the pattern of the first electrode wiring and the pattern of the second electrode wiring different from each other.
In the present embodiment, the
As shown in FIG. 7, when irradiated with long-wavelength laser light L 1 to the
On the other hand, as shown in FIG. 8, when irradiated with short-wavelength laser beam L 2 to the
Therefore, only the
As described above, in the manufacturing method according to the present embodiment, the
In addition, since the
In addition, the conductive
なお、本発明は、上記実施形態に限定されない。
例えば、第1電極配線及び第2電極配線は、上記実施形態のものである必要はない。例えば、X方向電極部及びY方向電極部は一定幅でなくてもよく、平面視において、複数の四角形が連結した形状、半円形又は円形が連結した形状でも構わない。
また、第1電極配線及び第2電極配線は、引き回し配線を含まなくてもよい。第1電極配線及び第2電極配線が引き回し配線を含まない場合には、導電性ペーストの印刷によって引き回し配線を形成すればよい。
また、第1外部接続用端子、第2外部接続用端子、第1絶縁層及び第2絶縁層は形成されていることが好ましいが、必須の構成ではない。
上記実施形態における製造方法では、第1金属層形成工程の後に第2金属層形成工程をおこなったが、第2金属層形成工程の後に第1金属層形成工程をおこなってもよい。また、上記実施形態における製造方法では、第1電極配線形成工程の後に第2電極配線形成工程をおこなったが、第2電極配線形成工程の後に第1電極配線形成工程をおこなってもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment.
For example, the first electrode wiring and the second electrode wiring do not need to be those of the above embodiment. For example, the X-direction electrode portion and the Y-direction electrode portion do not have to have a constant width, and may have a shape in which a plurality of quadrangles are connected, a semicircle, or a shape in which circles are connected in plan view.
Further, the first electrode wiring and the second electrode wiring do not need to include the lead wiring. When the first electrode wiring and the second electrode wiring do not include the routing wiring, the routing wiring may be formed by printing a conductive paste.
In addition, the first external connection terminal, the second external connection terminal, the first insulating layer, and the second insulating layer are preferably formed, but this is not an essential configuration.
In the manufacturing method in the above embodiment, the second metal layer forming step is performed after the first metal layer forming step. However, the first metal layer forming step may be performed after the second metal layer forming step. Moreover, in the manufacturing method in the said embodiment, although the 2nd electrode wiring formation process was performed after the 1st electrode wiring formation process, you may perform a 1st electrode wiring formation process after a 2nd electrode wiring formation process.
本発明の導電パターン形成用シートは、静電容量式タッチパネル、静電容量式タッチパッドに好適に使用することができる。 The conductive pattern forming sheet of the present invention can be suitably used for a capacitive touch panel and a capacitive touch pad.
1 導電パターン形成シート
10 基材
20 第1電極配線
20a 第1金属層
21 Y方向電極部
22 第1引き回し配線
30 第2電極配線
30a 第2金属層
31 X方向電極部
32 第2引き回し配線
40a 第1外部接続用端子
40b 第2外部接続用端子
50a 第1絶縁層
50b 第2絶縁層
L1 長波長レーザ光
L2 短波長レーザ光
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記第1電極配線と前記第2電極配線とは互いに異なるパターンの配線とされ、前記第1金属層を構成する金属が、波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%以上であると共に波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が60%未満である長波長吸収性金属であり、前記第2金属層を構成する金属が、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が35%以上であると共に波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%未満である短波長吸収性金属である、導電パターン形成シート。 A base material, a first electrode wiring made of a first metal layer formed on one surface of the base material, and a second electrode wiring made of a second metal layer formed on the other surface of the base material. Prepared,
The first electrode wiring and the second electrode wiring have different patterns, and the metal constituting the first metal layer has an absorptivity of a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm of 15% or more and a wavelength. An absorptivity of a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or a wavelength of 532 nm is a long wavelength absorbing metal having an absorptivity of a short wavelength laser beam of 355 nm or a wavelength of 532 nm of less than 60%. A conductive pattern forming sheet, which is a short wavelength absorptive metal having a long wavelength laser beam with a wavelength of 1064 nm of less than 15%.
前記基材の他方の面に、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光の吸収率が35%以上であると共に波長1064nmの長波長レーザ光の吸収率が15%未満である短波長吸収性金属を蒸着させて第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、
前記第1金属層に、波長1064nmの長波長レーザ光をパターン状に照射することにより第1金属層をドライエッチングして第1電極配線を形成する第1電極配線形成工程と、
前記第2金属層に、波長355nmまたは波長532nmの短波長レーザ光をパターン状に照射することにより第2金属層をドライエッチングして第2電極配線を形成する第2電極配線形成工程と、を有する、導電パターン形成シートの製造方法。 A long wavelength absorptive metal having an absorptivity of a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm of 15% or more and an absorptivity of a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or 532 nm is less than 60% on one surface of the substrate. A first metal layer forming step of forming a first metal layer by vapor deposition;
The short-wavelength absorptive metal having an absorptivity of short-wavelength laser light having a wavelength of 355 nm or 532 nm and a long-wavelength laser light having a wavelength of 1064 nm of less than 15% on the other surface of the base material A second metal layer forming step of forming a second metal layer by evaporating
A first electrode wiring forming step of forming a first electrode wiring by dry etching the first metal layer by irradiating the first metal layer with a long wavelength laser beam having a wavelength of 1064 nm in a pattern;
Irradiating the second metal layer with a short wavelength laser beam having a wavelength of 355 nm or a wavelength of 532 nm in a pattern to dry-etch the second metal layer to form a second electrode wiring; and A method for producing a conductive pattern forming sheet.
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