JP2016119531A - Tunable evanescent mode band pass filter - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tunable evanescent mode band pass filter which is reduced in size, reduces a change of a bandwidth even if a frequency is changed, and reduces a passage loss.SOLUTION: A plurality of capacitive fins 4 each formed from a thin metal plate 3 are held between cutoff waveguides 1 and 2 which are bisected on an H plane and a dielectric plate 7 that is disposed along the metal plates 3 on at least one side of the cutoff waveguides 1 and 2, is installed so as to be movable in a direction of H plane. Further, series capacitive fins 5 are provided which are formed towards a neighboring capacitive fin 4 in any height direction of at least one capacitive fin 4 on the metal plate 3 and on at least one side of the cutoff waveguides 1 and 2, a projection 12 in the direction of H plane is provided oppositely to the metal plates 3 and at a position between neighboring capacitive fins 4. Thus, by making the dielectric plate 7 movable, a resonant frequency can be changed and even if the resonant frequency is changed, a bandwidth of the filter can be prevented from being changed.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、チューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタに関し、特に、マイクロ波およびミリ波で使用され、周波数を変化させても帯域幅の変化が少ない特性を有するチューナブル導波管帯域通過フィルタのうち、通過帯域でカットオフとなる導波管サイズを使用したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタに関する。   The present invention relates to a tunable evanescent mode band-pass filter, and in particular, among tunable waveguide band-pass filters that are used in microwaves and millimeter waves and have a characteristic that a change in bandwidth is small even when the frequency is changed. The present invention relates to a tunable evanescent mode bandpass filter using a waveguide size that is cut off in the passband.

共振周波数を任意に可変にすることができるマイクロ波、ミリ波帯フィルタとしては、例えば特許文献1の特許第5187766号公報「チューナブル帯域通過フィルタ」に記載された技術がある。   As a microwave and millimeter wave band filter whose resonance frequency can be arbitrarily changed, there is a technique described in, for example, Japanese Patent No. 5187766 “Tunable Band Pass Filter” of Patent Document 1.

該特許文献1に記載の技術は、H面(幅広面)中央で2分割された方形導波管によって挟持され、所定の周波数で共振するように設計された薄い金属板から成るフィルタ素子と、前記金属板の長手延長方向に沿うように、前記金属板の上または下の何れかに配置され、連結部が前記方形導波管の外部に突出した該方形導波管に対して可動な構造の誘電体板とから構成されている。而して、前記誘電体板と前記金属板との間の相対位置関係すなわち間隔を外部から変化させることによって、誘電率による波長短縮の効果を利用して、導波管の幅広面の長さを電気的に変化させて、中心周波数の変化すなわち周波数シフトを実現するという技術である。   The technique described in Patent Document 1 includes a filter element made of a thin metal plate that is sandwiched by a rectangular waveguide divided into two at the center of the H plane (wide surface) and designed to resonate at a predetermined frequency; A structure that is arranged either above or below the metal plate so as to extend in the longitudinally extending direction of the metal plate, and the connecting portion is movable with respect to the rectangular waveguide protruding outside the rectangular waveguide. And a dielectric plate. Thus, by changing the relative positional relationship, that is, the distance between the dielectric plate and the metal plate from the outside, the length of the wide surface of the waveguide can be improved by utilizing the wavelength shortening effect due to the dielectric constant. Is a technique for realizing a change in the center frequency, that is, a frequency shift.

かくのごとき技術によれば、誘電体板と薄い金属板で構成されたフィルタ素子との間隔を変化させることにより、フィルタの共振周波数を変化させることができ、かつ、誘電体板がフィルタ素子に近づく(共振周波数が下がる)にしたがってフィルタ素子間の結合係数は強くなる方向に変化するという特徴を有していることになる。すなわち、該特許文献1に記載のフィルタにおいては、誘電体板によって共振周波数を広範囲に亘って可変にしても帯域幅の変化が非常に少ないという特徴を有している。一般に、かかるフィルタは、周波数を変化するフィルタとして、「チューナブル帯域通過フィルタ」と称されている。   According to such a technique, the resonance frequency of the filter can be changed by changing the distance between the dielectric plate and the filter element made of a thin metal plate, and the dielectric plate is used as the filter element. As the frequency approaches (resonance frequency decreases), the coupling coefficient between the filter elements changes in the direction of increasing. That is, the filter described in Patent Document 1 has a feature that the change in bandwidth is very small even if the resonance frequency is varied over a wide range by the dielectric plate. In general, such a filter is referred to as a “tunable bandpass filter” as a filter that changes the frequency.

チューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの他の従来の技術としては、例えば、非特許文献1の“High-Q RF-MEMS Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter”(Microwave Symposium Digest.2009.MTT‘09.IEEE MTT-S International Digital Object Identifier)、非特許文献2の“High Q RF-MEMS 4-6GHz Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter”(IEEE Trans. MTT-Vol.58,NO.2,FEBRUARY 2010)に記載された技術がある。   Other conventional techniques of a tunable evanescent mode bandpass filter include, for example, “High-Q RF-MEMS Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter” (Microwave Symposium Digest. 2009. MTT'09. IEEE MTT). -S International Digital Object Identifier), Non-Patent Document 2, “High Q RF-MEMS 4-6 GHz Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter” (IEEE Trans. MTT-Vol. 58, NO.2, FEBRUARY 2010) There is technology.

該非特許文献1および非特許文献2においては、導波管エバネセントモード帯域通過フィルタにおいて、導波管内に設けられた容量性ポストに、カンチレバースイッチキャパシタンスネットワークを組み合わせ、カンチレバーの動作によって容量性ポストに接続された容量を切り替えることによって、フィルタの共振周波数可変素子として機能させることにしている。ここで、前記非特許文献1に記載の技術の場合は、周波数4.4GHzから5.5GHzの可変周波数範囲に対して、無負荷Qは約270から510程度となっている。また、前記非特許文献2に記載の技術の場合は、前記非特許文献1の場合と同様な構成であるが、周波数4.1GHzから5.6GHzの可変周波数範囲に対して、無負荷Qは350から400程度である。   In Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2, in a waveguide evanescent mode band-pass filter, a capacitive post provided in the waveguide is combined with a cantilever switch capacitance network, and connected to the capacitive post by operation of the cantilever. By switching the capacitance, the resonance frequency variable element of the filter is made to function. In the case of the technique described in Non-Patent Document 1, the no-load Q is about 270 to 510 with respect to the variable frequency range from 4.4 GHz to 5.5 GHz. In the case of the technique described in Non-Patent Document 2, the configuration is the same as that in Non-Patent Document 1. However, for a variable frequency range from 4.1 GHz to 5.6 GHz, no load Q is It is about 350 to 400.

特許第5187766号公報(第3−4頁)Japanese Patent No. 5187766 (page 3-4)

“High-Q RF-MEMS Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter”,Microwave Symposium Digest.2009.MTT‘09.IEEE MTT-S International Digital Object Identifier:10.1109/MWSYM.2009.5165904 Publication Year:2009,Page(s):1145-1148“High-Q RF-MEMS Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter”, Microwave Symposium Digest. 2009. MTT '09. IEEE MTT-S International Digital Object Identifier: 10.1109 / MWSYM. 2009. 5165904 Publication Year: 2009, Page (s): 1145-1148 “High Q RF-MEMS 4-6GHz Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter”,IEEE Trans. MTT-Vol.58,NO.2,FEBRUARY 2010“High Q RF-MEMS 4-6 GHz Tunable Evanescent-Mode Cavity Filter”, IEEE Trans. MTT-Vol. 58, NO.2, FEBRUARY 2010

前記特許文献1に記載の技術の場合は、フィルタとして、通過帯域の周波数を損失なく通過させるサイズの導波管をH面で2分割し、間にフィルタ素子を形成するための金属板を挟んだ構成となっている。そのため、周波数によっては非常に大きな形状になるという問題がある。導波管サイズの小型化を実現するために、金属板で形成したフィルタ素子の導波管のH面中央部に突起部を設ける、いわゆるリッジ(ridge)導波管を構成するという対策を採ることも考えられる。しかしながら、かくのごときリッジ構成によって或る程度の導波管サイズの減少効果を得ることができるものの、リッジ部分が大きくなると、フィルタを構成する部分が非常に低くなり、現実的な寸法ではなくなってくる。   In the case of the technique described in Patent Document 1, a waveguide having a size that allows a passband frequency to pass through without loss is divided into two on the H plane as a filter, and a metal plate for forming a filter element is sandwiched therebetween. It has a configuration. Therefore, there is a problem that the shape becomes very large depending on the frequency. In order to reduce the size of the waveguide, a measure is taken to construct a so-called ridge waveguide in which a protrusion is provided at the center of the H surface of the waveguide of the filter element formed of a metal plate. It is also possible. However, although the ridge structure as described above can reduce the waveguide size to some extent, if the ridge part becomes large, the part constituting the filter becomes very low, which is not a realistic dimension. come.

また、前記非特許文献1と前記非特許文献2とに記載の技術は、同じ構成によるものであり、何れも、導波管エバネセントモード帯域通過フィルタにおいて、導波管内に設けられた容量性ポストに、カンチレバースイッチキャパシタンスネットワークを組み合わせて、カンチレバーの動作によって容量性ポストに直接接続されている容量を切り替えることによって、フィルタの共振周波数可変素子として動作させている。そのため、チューナブル方式の構成上、周波数可変に関わる構成が複雑になり、また、通過損失の増加を避けることができないという問題がある。   The techniques described in Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2 are based on the same configuration, and both are capacitive posts provided in the waveguide in the waveguide evanescent mode bandpass filter. In addition, by combining the cantilever switch capacitance network and switching the capacitance directly connected to the capacitive post by the operation of the cantilever, it is operated as a resonant frequency variable element of the filter. For this reason, there is a problem that the configuration related to frequency variation is complicated due to the configuration of the tunable method, and an increase in passage loss cannot be avoided.

(本発明の目的)
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、サイズを大幅に小さくし、かつ、周波数を変化させても帯域幅の変化が少なく、通過損失の少ないチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタを提供することを、その目的としている。
(Object of the present invention)
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a tunable evanescent mode band-pass filter that is significantly reduced in size, has little bandwidth change even when the frequency is changed, and has low pass loss. The purpose is to do.

前述の課題を解決するため、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタは、主に、次のような特徴的な構成を採用している。   In order to solve the above-described problems, the tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention mainly adopts the following characteristic configuration.

本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタは、周波数を変化させても帯域幅の変化が少ない特性を有するチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタであって、カットオフ導波管を幅広面となるH面で2分割し、2分割された前記カットオフ導波管の間に、該カットオフ導波管の長手方向に薄い金属板で形成した複数の容量性フィンを挟んで構成し、かつ、2分割された前記カットオフ導波管の少なくとも片側の内部に前記金属板に沿って誘電体板を配置し、該誘電体板の位置を前記カットオフ導波管のH面方向に可動するように設置したことを特徴とする。   A tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention is a tunable evanescent mode bandpass filter having a characteristic that a change in bandwidth is small even when a frequency is changed, and an H plane in which a cutoff waveguide is a wide surface. And is divided into two parts by sandwiching a plurality of capacitive fins formed of a thin metal plate in the longitudinal direction of the cut-off waveguide. A dielectric plate is disposed along at least one side of the cut-off waveguide along the metal plate, and the position of the dielectric plate is set to move in the H-plane direction of the cut-off waveguide. It is characterized by that.

本発明のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタによれば、以下のような効果を奏することができる。   According to the tunable evanescent mode bandpass filter of the present invention, the following effects can be obtained.

本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタは、H面で2分割したカットオフ導波管の間に薄い金属板で形成した複数の容量性フィンを挟んだ構成とし、さらに、隣接する容量性フィン間にさらなる電気的な容量性を付与するシリーズ容量性フィンを形成する構造としているので、小型の導波管を使用して、周波数が低い場合であっても、通過ロスが少なく、かつ、周波数を広範囲に変化させても、結合係数の変化を少なくしたチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタを提供することができるので、サイズを大幅に小さくし、かつ、周波数を変化させても帯域幅の変化が少なく、かつ、通過損失の少ないフィルタを実現することができる。   A tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention has a configuration in which a plurality of capacitive fins formed of a thin metal plate are sandwiched between cut-off waveguides divided into two on the H plane, and adjacent capacitive fins. Because it has a structure that forms series capacitive fins that give more electrical capacitance between them, even if the frequency is low using a small waveguide, there is little passing loss and the frequency Even if the frequency is changed over a wide range, a tunable evanescent mode bandpass filter with a small change in coupling coefficient can be provided, so that the bandwidth can be changed even if the size is greatly reduced and the frequency is changed. It is possible to realize a filter with a small amount of passage loss.

本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの一構造例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one structural example of the tunable evanescent mode bandpass filter by this invention. 図1に例示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの内部構造の一例を示す分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating an example of an internal structure of a tunable evanescent mode bandpass filter illustrated in FIG. 1. 図1に例示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタに具備したシリーズ容量性フィンの構造の一例を説明するための分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view for explaining an example of a structure of a series capacitive fin provided in the tunable evanescent mode bandpass filter illustrated in FIG. 1. 図1に例示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタにシリーズ容量性フィンを具備した場合の容量性フィンとシリーズ容量性フィンとの配置構造の一例を示す透視平面図である。FIG. 3 is a perspective plan view illustrating an example of an arrangement structure of capacitive fins and series capacitive fins when the tunable evanescent mode bandpass filter illustrated in FIG. 1 includes series capacitive fins. 本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの図1とは異なる他の構造例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other structural example different from FIG. 1 of the tunable evanescent mode bandpass filter by this invention. 本発明の一実施形態として図1〜図3に示すチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの等価回路を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the equivalent circuit of the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIGS. 1-3 as one Embodiment of this invention. 図1に示すチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタにおいて周波数を変化させた場合の容量性フィン有無における共振器間の結合係数の変化の様子を示す特性グラフである。FIG. 2 is a characteristic graph showing a change in coupling coefficient between resonators with and without capacitive fins when the frequency is changed in the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIG. 1.

以下、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの好適な実施形態について添付図を参照して説明する。なお、以下の各図面に付した図面参照符号は、理解を助けるための一例として各要素に便宜上付記したものであり、本発明を図示の態様に限定することを意図するものではないことも言うまでもない。   Preferred embodiments of a tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, it is needless to say that the drawing reference numerals attached to the following drawings are added for convenience to each element as an example for facilitating understanding, and are not intended to limit the present invention to the illustrated embodiment. Yes.

(本発明の特徴)
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の特徴についてその概要をまず説明する。本発明は、幅広面となるH面で2分割したカットオフ導波管の間に薄い金属板で形成した複数の容量性フィンを挟んで構成し、かつ、2分割された前記カットオフ導波管の少なくとも片側の内部に金属板に沿って誘電体板を配置し、該誘電体板の位置を導波管のH面方向に可動するように設置することを主要な特徴としている。かくのごとき構成により、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタは、誘電体板をH面方向に移動させることにより、その共振周波数を変化させることが可能となる。
(Features of the present invention)
Prior to the description of the embodiments of the present invention, an outline of the features of the present invention will be described first. The present invention is configured by sandwiching a plurality of capacitive fins formed of a thin metal plate between cut-off waveguides divided into two by an H-plane which is a wide surface, and the cut-off waveguide divided into two. The main feature is that a dielectric plate is disposed along at least one side of the tube along the metal plate, and the position of the dielectric plate is arranged so as to be movable in the H-plane direction of the waveguide. With such a configuration, the tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention can change the resonance frequency by moving the dielectric plate in the H-plane direction.

さらに、周波数を変化させても、フィルタの帯域幅の変化を少なくする手段として、金属板上の少なくとも一つの容量性フィンの少なくとも一つの任意の高さ方向から隣接する容量性フィンに向かって形成され、隣接する容量性フィンとの間で電気的な容量性をさらに付与するフィン(すなわち「シリーズ容量性フィン」)を設けること、さらに、2分割された前記カットオフ導波管の少なくとも片側においては、金属板に対向し、かつ、隣接する容量性フィンの間の位置に導波管のH面方向の突起部を設けることも特徴としている。   Further, as a means of reducing the change in the filter bandwidth even when the frequency is changed, at least one capacitive fin on the metal plate is formed from any height direction toward the adjacent capacitive fin. Providing a fin (ie, a “series capacitive fin”) that further provides electrical capacitance between adjacent capacitive fins, and at least one side of the cut-off waveguide divided in two Is characterized in that a protrusion in the H-plane direction of the waveguide is provided at a position between the capacitive fins facing the metal plate.

以上のような構成により、容量性フィンおよびシリーズ容量性フィンが形成された金属フィンと導波管内に金属板と並行に配置された誘電体板をH面方向に移動させることにより、フィルタの共振周波数を変化させるとともに、該共振周波数変化とは逆方向に結合係数を変化させることによって、広い範囲の共振周波数の変化があったとしても、帯域幅の変化が少ないチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタを実現することを可能にしている。   With the configuration as described above, the resonance of the filter is achieved by moving the metal fin in which the capacitive fin and the series capacitive fin are formed and the dielectric plate disposed in parallel with the metal plate in the waveguide in the H plane direction. By changing the frequency and changing the coupling coefficient in the opposite direction to the resonant frequency change, a tunable evanescent mode bandpass filter with little bandwidth change can be obtained even if there is a wide range of resonant frequency changes. It is possible to realize.

ここで、フィルタの共振周波数の変化は、チューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタを構成するフィルタ素子に対して、誘電正接(tanδ)の小さい誘電体板を空間的に電気的結合させているだけで実現しているので、通過損失に大きな影響を与えることもない。   Here, the change in the resonance frequency of the filter is realized simply by spatially electrically coupling a dielectric plate having a small dielectric loss tangent (tan δ) to the filter element constituting the tunable evanescent mode bandpass filter. Therefore, there is no big impact on the passage loss.

(実施の形態)
次に、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの実施の形態について、その一例を、図1〜図3を参照しながら詳細に説明する。
(Embodiment)
Next, an example of an embodiment of a tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図1は、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの一構造例を示す斜視図であり、本発明を利用した一例として、7段のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタを構成した場合を例示している。   FIG. 1 is a perspective view showing a structural example of a tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention. As an example using the present invention, a case where a seven-stage tunable evanescent mode bandpass filter is configured is illustrated. ing.

また、図2Aは、図1に例示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの内部構造の一例を示す分解斜視図である。図2Bは、図1に例示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタに具備したシリーズ容量性フィンの構造の一例を説明するための分解斜視図である。図2Cは、図1に例示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタにシリーズ容量性フィンを具備した場合の容量性フィンとシリーズ容量性フィンとの配置構造の一例を示す透視平面図である。   2A is an exploded perspective view showing an example of the internal structure of the tunable evanescent mode bandpass filter illustrated in FIG. 2B is an exploded perspective view for explaining an example of a structure of a series capacitive fin included in the tunable evanescent mode bandpass filter illustrated in FIG. 1. 2C is a perspective plan view illustrating an example of an arrangement structure of capacitive fins and series capacitive fins when the tunable evanescent mode bandpass filter illustrated in FIG. 1 includes series capacitive fins.

図3は、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの図1とは異なる他の構造例を示す斜視図であり、図2Bの場合とは異なり、金属フィン上で隣接する容量性フィンのそれぞれの任意の複数の高さ方向(図3の場合は二つの高さ方向)からシリーズ容量性フィンを向い合わせるように形成した構造を示している。   FIG. 3 is a perspective view showing another example of the structure of the tunable evanescent mode bandpass filter according to the present invention, which is different from that shown in FIG. 1. Unlike FIG. 2B, each of the adjacent capacitive fins on the metal fin is shown. 3 shows a structure formed so that series capacitive fins face each other from any of a plurality of height directions (two height directions in the case of FIG. 3).

以下に、図1〜図3の構造図を用いて、本発明によるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの実施の形態についてさらに詳細に説明する。図1〜図3に示すように、本発明の一実施形態であるチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタは、カットオフ導波管1、カットオフ導波管2、金属板3、容量性フィン4、シリーズ容量性フィン5、入出力端子6、誘電体板7、支持棒8、金属製天板9、金属製ガイド10、モーターユニット11、および、突起部12を少なくとも備えた構造から成っている。   Hereinafter, embodiments of the tunable evanescent mode band-pass filter according to the present invention will be described in more detail with reference to the structural diagrams of FIGS. As shown in FIGS. 1 to 3, a tunable evanescent mode bandpass filter according to an embodiment of the present invention includes a cutoff waveguide 1, a cutoff waveguide 2, a metal plate 3, a capacitive fin 4, It has a structure including at least a series capacitive fin 5, an input / output terminal 6, a dielectric plate 7, a support bar 8, a metal top plate 9, a metal guide 10, a motor unit 11, and a protrusion 12.

すなわち、図1〜図3に示すチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタは、導波管の幅広面となるH面(水平面:磁界面)で上下に2分割したカットオフ導波管1とカットオフ導波管2との間に薄い金属板3を挟持した構造であり、金属板3上には、カットオフ導波管1およびカットオフ導波管2との間で容量性を有する形状の容量性フィン4がカットオフ導波管1およびカットオフ導波管2の長手方向に複数形成されるとともに、各容量性フィン4の少なくとも一つの任意の高さ方向から隣接する容量性フィン4に向かって、隣接する容量性フィン4との間で電気的な容量性を付与するフィンすなわちシリーズ容量性フィン5が形成された構造になっている。また、入出力端子6として、各容量性フィン4のうち両端の容量性フィン4に沿って、一端を短絡した同軸線路が設けられており、外部とのインターフェイスとなっている。   That is, the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIGS. 1 to 3 includes a cut-off waveguide 1 and a cut-off guide divided into two vertically on the H plane (horizontal plane: magnetic field plane) that is the wide plane of the waveguide. A thin metal plate 3 is sandwiched between the wave tube 2 and a capacitive shape having a capacity between the cut-off waveguide 1 and the cut-off waveguide 2 on the metal plate 3. A plurality of fins 4 are formed in the longitudinal direction of the cut-off waveguide 1 and the cut-off waveguide 2, and from at least one arbitrary height direction of each capacitive fin 4 toward the adjacent capacitive fin 4. In this structure, fins that impart electrical capacitance between adjacent capacitive fins 4, that is, series capacitive fins 5 are formed. Moreover, the coaxial line which short-circuited one end was provided along the capacitive fin 4 of both ends among each capacitive fin 4 as the input / output terminal 6, and has become an interface with the exterior.

ここで、2分割されたカットオフ導波管1とカットオフ導波管2との何れか一方のカットオフ導波管(図1〜図3においては、上側のカットオフ導波管1)の内部には、金属板3に沿って、誘電体板7を配置するとともに、該誘電体板7の位置をカットオフ導波管1およびカットオフ導波管2のH面方向に可動するような構造として設置している。   Here, either one of the cut-off waveguide 1 and the cut-off waveguide 2 divided into two (in FIG. 1 to FIG. 3, the upper cut-off waveguide 1) Inside, a dielectric plate 7 is disposed along the metal plate 3, and the position of the dielectric plate 7 is movable in the H-plane direction of the cutoff waveguide 1 and the cutoff waveguide 2. It is installed as a structure.

誘電体板7の可動方法の一例として、図1〜図3に示す実施形態においては、誘電体板7に取り付けられた支持棒8(支持棒8の材料は誘電体もしくは金属)から金属製天板9を介し、さらに金属製ガイド10を介して、モーターユニット11に誘電体板7が取り付けられた構造として、モーターユニット11のモーターをH面方向に可動させることによって、誘電体板7をH面方向に可動させることを可能にしている。   As an example of a method for moving the dielectric plate 7, in the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the support plate 8 attached to the dielectric plate 7 (the material of the support rod 8 is a dielectric or metal) is used to form a metal ceiling. As a structure in which the dielectric plate 7 is attached to the motor unit 11 through the plate 9 and further through the metal guide 10, the motor of the motor unit 11 is moved in the H-plane direction so that the dielectric plate 7 is moved to H. It can be moved in the surface direction.

また、図2Bおよび図3に示すように、金属板3上の各容量性フィン4の少なくとも一つの任意の高さ方向から隣接する容量性フィン4に向かって、隣接する容量性フィン4との間でさらに容量を持たせるシリーズ容量性フィン5が形成されている。なお、シリーズ容量性フィン5に関しては、図2B、図3には、金属板3上の容量性フィン4全てについて、隣接して互いに対向する二つの容量性フィン4のそれぞれから対向する相手側の容量性フィン4に向かって、シリーズ容量性フィン5がそれぞれ形成されている場合を示しているが、金属板3上の各容量性フィン4の全てではなく、金属板3上の少なくとも一つの容量性フィン4にシリーズ容量性フィン5を形成するようにしても良い。   Further, as shown in FIG. 2B and FIG. 3, with the adjacent capacitive fins 4 toward the adjacent capacitive fins 4 from at least one arbitrary height direction of each capacitive fin 4 on the metal plate 3. Series capacitive fins 5 are formed to provide more capacity between them. As for the series capacitive fin 5, in FIGS. 2B and 3, all the capacitive fins 4 on the metal plate 3 are adjacent to each other from the two capacitive fins 4 facing each other. Although the case where the series capacitive fins 5 are respectively formed toward the capacitive fins 4 is shown, at least one capacitance on the metal plate 3 instead of all the capacitive fins 4 on the metal plate 3 is shown. The series capacitive fin 5 may be formed on the conductive fin 4.

さらに、2分割されたカットオフ導波管1とカットオフ導波管2との少なくとも片側(図1〜図3においては、下側のカットオフ導波管2)には、金属板3に対向し、かつ、隣接する容量性フィン4の間の位置において、カットオフ導波管1およびカットオフ導波管2のH面方向に突起した突起部12を設けている。   Furthermore, at least one side of the cut-off waveguide 1 and the cut-off waveguide 2 divided into two (the lower cut-off waveguide 2 in FIGS. 1 to 3) faces the metal plate 3. In addition, a protrusion 12 protruding in the H-plane direction of the cutoff waveguide 1 and the cutoff waveguide 2 is provided at a position between the adjacent capacitive fins 4.

本発明の一実施形態として図1〜図3に示すチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの等価回路を、図4に示す。図4の等価回路に示すように、図1〜図3に示すチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの導波管(カットオフ導波管1およびカットオフ導波管2)は、破線で囲って示すインダクタンスL1〜L5で表され、導波管(カットオフ導波管1およびカットオフ導波管2)との共振周波数を形成する容量性フィン4は、コンダクタンスC1〜C2で表されている。   FIG. 4 shows an equivalent circuit of the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIGS. 1 to 3 as an embodiment of the present invention. As shown in the equivalent circuit of FIG. 4, the waveguides (cut-off waveguide 1 and cut-off waveguide 2) of the tunable evanescent mode band-pass filter shown in FIGS. Capacitive fins 4 that are represented by inductances L1 to L5 and that form a resonance frequency with the waveguides (cutoff waveguide 1 and cutoff waveguide 2) are represented by conductances C1 to C2.

ここで、モーターユニット11に取り付けられた誘電体板7をH面方向に可動させることによって、コンダクタンスC1〜C2の容量を可変させて、チューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタの共振周波数を調整することができる。つまり、本発明によるエバネセントモード帯域通過フィルタは、誘電体板7の位置によってフィルタに影響を与え、結果として、該フィルタの共振周波数を変化させることができる。   Here, by moving the dielectric plate 7 attached to the motor unit 11 in the H-plane direction, the capacitances of the conductances C1 to C2 can be varied to adjust the resonance frequency of the tunable evanescent mode bandpass filter. it can. That is, the evanescent mode bandpass filter according to the present invention affects the filter depending on the position of the dielectric plate 7, and as a result, the resonance frequency of the filter can be changed.

なお、一般に、フィルタの共振周波数が変化する際に、同時に、該フィルタを構成する各共振器間の結合係数にも影響を与えることになり、フィルタの帯域幅を変化させることとなる。前記特許文献1等に記載の従来のエバネセントモード帯域通過フィルタにおいては、共振周波数が下がると、フィルタの共振器間の結合量が少なくなり、結果として、フィルタの帯域幅が減少することとなる。逆に、共振周波数が上がると、フィルタの共振器間の結合量が多くなり、結果として、フィルタの帯域幅が増加することとなる。   In general, when the resonance frequency of the filter changes, the coupling coefficient between the resonators constituting the filter is also affected, and the bandwidth of the filter is changed. In the conventional evanescent mode bandpass filter described in Patent Document 1 and the like, when the resonance frequency is lowered, the amount of coupling between the resonators of the filter is reduced, and as a result, the bandwidth of the filter is reduced. Conversely, when the resonant frequency increases, the amount of coupling between the resonators of the filter increases, and as a result, the bandwidth of the filter increases.

そこで、本発明によるエバネセントモード帯域通過フィルタにおいては、シリーズ容量性フィン5と、カットオフ導波管1およびカットオフ導波管2の少なくとも片側例えばカットオフ導波管2の内部において、金属板3に対向し、かつ、隣接する容量性フィン4の間の位置にカットオフ導波管2(またはカットオフ導波管1)のH面方向に突起するように設けられた突起部12とを配置することにより、共振周波数の変化とは逆方向に結合係数を変化させることによって、共振周波数の変化に対する各共振器間の影響を少なくする動作を行うことを可能にし、共振周波数が変化しても、フィルタの帯域幅の変化を極力抑えることを可能にしている。   Therefore, in the evanescent mode bandpass filter according to the present invention, the metal plate 3 is provided on the series capacitive fin 5 and at least one side of the cutoff waveguide 1 and the cutoff waveguide 2, for example, inside the cutoff waveguide 2. And a projecting portion 12 provided so as to project in the H-plane direction of the cutoff waveguide 2 (or the cutoff waveguide 1) at a position between the adjacent capacitive fins 4 By changing the coupling coefficient in the direction opposite to the change in the resonance frequency, it is possible to perform an operation that reduces the influence between the resonators on the change in the resonance frequency. This makes it possible to suppress changes in the bandwidth of the filter as much as possible.

図5は、図1に示すチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタにおいて周波数を変化させた場合の容量性フィン4有無における共振器間の結合係数の変化の様子を示す特性グラフであり、誘電体板7の位置の移動によって共振周波数を変化させた際の、隣接する共振器間の結合係数を計算した結果を示している。なお、図5において容量性フィン4が有る場合としては、金属板3上の少なくとも一つの容量性フィン4の少なくとも一つの任意の高さ方向から隣接する容量性フィン4に向かって形成され、隣接する容量性フィン4との間でさらに容量を持たせるシリーズ容量性フィン5を設けた場合について示している。また、図5には、チューナブル動作を行った場合においても、帯域幅を一定に維持するために必要な計算上の結合係数を点線によって同時に示している。   FIG. 5 is a characteristic graph showing a change in the coupling coefficient between the resonators with and without the capacitive fin 4 when the frequency is changed in the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIG. The result of calculating the coupling coefficient between adjacent resonators when the resonance frequency is changed by the movement of the position of is shown. In addition, in the case where the capacitive fin 4 is present in FIG. 5, the capacitive fin 4 is formed from at least one arbitrary height direction of the at least one capacitive fin 4 on the metal plate 3 toward the adjacent capacitive fin 4. The case where the series capacitive fin 5 which gives a capacity | capacitance further between the capacitive fin 4 to provide is shown. Further, in FIG. 5, even in the case where the tunable operation is performed, the calculation coupling coefficient necessary for maintaining the bandwidth constant is simultaneously indicated by a dotted line.

従来のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタのように、容量性フィン4を備えていない構成の場合には、チューナブル動作としては問題ないが、図5のグラフの破線によって示すように、共振周波数の変化に伴って、結合係数が大きく変化してしまい、それに伴って、帯域幅も大きく変化してしまうという難点がある。一方、本発明の一例として図1に示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタのように、容量性フィン4およびシリーズ容量性フィン5を備えた構成においては、シリーズ容量性フィン5と容量性フィン4および突起部12の寸法をそれぞれ最適にすることにより、図5のグラフの実線に示すように、共振周波数が変化しても、共振器間の結合係数の変化を抑えるように制御することが可能である。すなわち、シリーズ容量性フィン5と容量性フィン4および突起部12とにより、容量性フィン4を備えていない構成におけるフィルタの結合係数の変化を補正するように設定することが可能となる。このことは、従来のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタのように容量性フィン4を備えていない構成の場合に比して、共振周波数が変化しても、フィルタの通過帯域幅の変化量を大幅に改善することができることを意味している。   As in the conventional tunable evanescent mode bandpass filter, there is no problem in the tunable operation in the case where the capacitive fin 4 is not provided. However, as shown by the broken line in the graph of FIG. Along with the change, there is a drawback that the coupling coefficient changes greatly and the bandwidth also changes accordingly. On the other hand, in the configuration including the capacitive fin 4 and the series capacitive fin 5 as in the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIG. 1 as an example of the present invention, the series capacitive fin 5 and the capacitive fin 4 By optimizing the dimensions of the projection 12 and the projection 12, as shown by the solid line in FIG. 5, even if the resonance frequency changes, it is possible to control the change of the coupling coefficient between the resonators. It is. That is, the series capacitive fin 5, the capacitive fin 4, and the protrusion 12 can be set so as to correct a change in the coupling coefficient of the filter in a configuration that does not include the capacitive fin 4. This means that the amount of change in the pass band width of the filter is greatly increased even when the resonance frequency is changed, as compared with the case where the capacitive fin 4 is not provided as in the conventional tunable evanescent mode band pass filter. It means that it can be improved.

したがって、本発明の一実施形態として図1〜図3に示したチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタにおいては、使用する状況に応じて通過周波数を変化させた場合に、それぞれの帯域幅の変化の動作を最適な状態に設定することが可能となる。   Therefore, in the tunable evanescent mode bandpass filter shown in FIG. 1 to FIG. 3 as one embodiment of the present invention, when the pass frequency is changed according to the use situation, the operation of the change of the respective bandwidths Can be set to an optimum state.

以上、本発明の好適な実施形態の構成を説明した。しかし、かかる実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。本発明の要旨を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることが、当業者には容易に理解できよう。   The configuration of the preferred embodiment of the present invention has been described above. However, it should be noted that such embodiments are merely examples of the present invention and do not limit the present invention in any way. Those skilled in the art will readily understand that various modifications and changes can be made according to a specific application without departing from the gist of the present invention.

1 カットオフ導波管
2 カットオフ導波管
3 金属板
4 容量性フィン
5 シリーズ容量性フィン
6 入出力端子
7 誘電体板
8 支持棒
9 金属製天板
10 金属製ガイド
11 モーターユニット
12 突起部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cut-off waveguide 2 Cut-off waveguide 3 Metal plate 4 Capacitive fin 5 Series capacitive fin 6 Input / output terminal 7 Dielectric plate 8 Support bar 9 Metal top plate 10 Metal guide 11 Motor unit 12 Protrusion part

Claims (7)

周波数を変化させても帯域幅の変化が少ない特性を有するチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタであって、カットオフ導波管を幅広面となるH面で2分割し、2分割された前記カットオフ導波管の間に、該カットオフ導波管の長手方向に薄い金属板で形成した複数の容量性フィンを挟んで構成し、かつ、2分割された前記カットオフ導波管の少なくとも片側の内部に前記金属板に沿って誘電体板を配置し、該誘電体板の位置を前記カットオフ導波管のH面方向に可動するように設置したことを特徴とするチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   A tunable evanescent mode bandpass filter having a characteristic that a change in bandwidth is small even when a frequency is changed, and the cut-off waveguide is divided into two by an H plane which is a wide surface, and the cut-off is divided into two A plurality of capacitive fins formed of a thin metal plate is sandwiched between the waveguides in the longitudinal direction of the cutoff waveguide, and at least one side of the cutoff waveguide divided into two A tunable evanescent mode bandpass characterized in that a dielectric plate is disposed along the metal plate and the position of the dielectric plate is arranged so as to be movable in the H-plane direction of the cutoff waveguide. filter. 少なくとも一つの前記容量性フィンの少なくとも一つの任意の高さ方向から、隣接する前記容量性フィンに向かって形成されて、隣接する前記容量性フィンとの間で電気的な容量性を付与するシリーズ容量性フィンを配置することを特徴とする請求項1に記載のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   A series formed from at least one arbitrary height direction of at least one of the capacitive fins toward the adjacent capacitive fin to provide electrical capacitance between the adjacent capacitive fins. 2. A tunable evanescent mode bandpass filter according to claim 1, wherein capacitive fins are arranged. 前記金属板において、前記シリーズ容量性フィンを少なくとも一つの前記容量性フィン上に複数形成することを特徴とする請求項2に記載のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   The tunable evanescent mode bandpass filter according to claim 2, wherein a plurality of the series capacitive fins are formed on the at least one capacitive fin in the metal plate. 前記金属板において、前記シリーズ容量性フィンを、隣接して互いに対向する二つの前記容量性フィンのそれぞれから、対向する相手側の前記容量性フィンに向かって形成することを特徴とする請求項2または3に記載のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   The said metal plate WHEREIN: The said series capacitive fin is formed toward the said opposing capacitive fin from each of the said two capacitive fins which mutually adjoin mutually. Or a tunable evanescent mode bandpass filter according to 3; 前記金属板に形成された全ての前記容量性フィンのそれぞれに、前記シリーズ容量性フィンを配置することを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   The tunable evanescent mode bandpass filter according to any one of claims 2 to 4, wherein the series capacitive fins are arranged in each of all the capacitive fins formed on the metal plate. 2分割された前記カットオフ導波管の少なくとも片側において、前記金属板に対向し、かつ、隣接する前記容量性フィンの間の位置に、前記カットオフ導波管のH面方向の突起部を設けていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   At least one side of the cut-off waveguide divided into two is provided with a protrusion in the H-plane direction of the cut-off waveguide at a position between the capacitive fins that are opposed to the metal plate and adjacent to each other. The tunable evanescent mode bandpass filter according to any one of claims 1 to 5, wherein the tunable evanescent mode bandpass filter is provided. 前記誘電体板に支持棒を取り付け、該支持棒を介してモーターユニットに接続する構成とし、該モーターユニットのモーターを前記カットオフ導波管のH面方向に可動させることにより、前記誘電体板を前記カットオフ導波管のH面方向に可動させることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のチューナブルエバネセントモード帯域通過フィルタ。   A support rod is attached to the dielectric plate and connected to the motor unit via the support rod, and the motor of the motor unit is moved in the H-plane direction of the cutoff waveguide, thereby the dielectric plate The tunable evanescent mode bandpass filter according to claim 1, wherein the tunable evanescent mode bandpass filter is movable in the H-plane direction of the cut-off waveguide.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017170120A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 日本電気株式会社 Tunable bandpass filter
CN110114935A (en) * 2016-12-30 2019-08-09 华为技术有限公司 A kind of tunable filter and adjustable filter apparatus
US11139547B2 (en) 2017-07-20 2021-10-05 Nec Corporation Tunable bandpass filter and method of forming the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010150815A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-29 日本電気株式会社 Tunable band-pass filter
WO2014038188A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 日本電気株式会社 Band-pass filter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010150815A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-29 日本電気株式会社 Tunable band-pass filter
WO2014038188A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 日本電気株式会社 Band-pass filter

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017170120A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 日本電気株式会社 Tunable bandpass filter
US10944142B2 (en) 2016-03-31 2021-03-09 Nec Corporation Tunable bandpass filter
CN110114935A (en) * 2016-12-30 2019-08-09 华为技术有限公司 A kind of tunable filter and adjustable filter apparatus
CN110114935B (en) * 2016-12-30 2020-07-07 华为技术有限公司 Adjustable filter and adjustable filtering equipment
US10873118B2 (en) 2016-12-30 2020-12-22 Huawei Technologies Co., Ltd. Tunable filter and tunable filtering device
US11139547B2 (en) 2017-07-20 2021-10-05 Nec Corporation Tunable bandpass filter and method of forming the same

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