JP2016119208A - Method for manufacturing organic light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic light emitting device.
有機発光材料のエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:EL)を利用した有機発光素子は、数V〜数十V程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有している。そのため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。 An organic light-emitting device using electroluminescence (EL), an organic light-emitting material, is a thin-film complete solid-state device that can emit light at a low voltage of several volts to several tens of volts, and has high luminance and high luminous efficiency. It has many excellent features such as thinness and light weight. Therefore, in recent years, it has been attracting attention as a backlight for various displays, a display plate such as a signboard or emergency light, and a surface light emitter such as an illumination light source.
有機発光素子は、基板上に、対となる陽極及び陰極と、陽極と陰極との間に配置された有機層とを有している。有機層は、有機発光材料を含んでなり、例えば、有機発光材料を含有する発光層と電荷輸送性を有する層とを含むような層構成とされる。有機発光素子において発光光を外部に取り出す方式としては、駆動回路等が設けられる基板側から光取り出しを行うボトムエミッション方式と、基板とは反対側から光取り出しを行うトップエミッション方式とがある。ボトムエミッション方式の有機発光素子では、通常、光透過性を有する透明基板が用いられ、透明基板側に陽極となる透明電極が形成される。 The organic light emitting device has a pair of an anode and a cathode and an organic layer disposed between the anode and the cathode on a substrate. The organic layer includes an organic light emitting material, and has a layer structure including, for example, a light emitting layer containing the organic light emitting material and a layer having charge transporting properties. As a method for extracting emitted light to the outside in an organic light emitting device, there are a bottom emission method in which light is extracted from a substrate side on which a drive circuit and the like are provided, and a top emission method in which light is extracted from a side opposite to the substrate. In a bottom emission type organic light emitting device, a transparent substrate having light transmittance is usually used, and a transparent electrode serving as an anode is formed on the transparent substrate side.
発光層で生じた発光光を外部に取り出すにあたっては、透明電極や透明基板の界面における発光光の全反射を抑制する必要がある。発光光が全反射すると、例えば、素子内に閉じ込められる導波モードの光が生じる等して発光効率が低下するためである。また、発光光を外部に取り出すにあたって、要求性能上、視感輝度、色度、視野角等の調整が求められる場合もある。このような理由から、従来、有機発光素子には、透明基板と透明電極との間に、光取り出し効率を向上させたり光学的特性を調整したりする目的で、所謂光取り出し層が設けられることが多い。 When taking out the emitted light generated in the light emitting layer to the outside, it is necessary to suppress total reflection of the emitted light at the interface between the transparent electrode and the transparent substrate. This is because, if the emitted light is totally reflected, for example, light in a waveguide mode confined in the element is generated, resulting in a decrease in luminous efficiency. Further, when taking out the emitted light to the outside, adjustment of luminous brightness, chromaticity, viewing angle, and the like may be required for required performance. For these reasons, organic light emitting devices have conventionally been provided with a so-called light extraction layer between a transparent substrate and a transparent electrode for the purpose of improving light extraction efficiency or adjusting optical characteristics. There are many.
ところで、有機発光素子を構成する有機材料等は、酸素や水分等によって劣化し易いことが知られている。そのため、有機発光素子の基板と反対側の面には、封止部材やガスバリア性の高い層が設けられたり、有機発光素子の製造に用いられる材料があらかじめ脱気脱水処理されたりしている。他方、透明基板と透明電極との間に設けられた光取り出し層自体から、有機材料等を劣化させるアウトガスが発生することもある。そこで、従来、透明電極と光取り出し層との間には、発生したアウトガスの侵入を防止するためのバリア層が設けられている。 By the way, it is known that an organic material or the like constituting an organic light emitting element is easily deteriorated by oxygen, moisture or the like. Therefore, a surface of the organic light emitting element opposite to the substrate is provided with a sealing member or a layer having a high gas barrier property, or a material used for manufacturing the organic light emitting element is previously deaerated and dehydrated. On the other hand, outgas which deteriorates organic materials etc. may generate | occur | produce from the light extraction layer itself provided between the transparent substrate and the transparent electrode. Therefore, conventionally, a barrier layer is provided between the transparent electrode and the light extraction layer to prevent intrusion of the generated outgas.
例えば、特許文献1には、基板上に下地層及び平滑化層を備え、平滑化層上にガスバリア層を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている(段落0039、段落0040参照)。また、特許文献2には、有機電界発光装置における基板の有機電界発光層側の面に配置される光取り出しシートについて、接着層、基材、微粒子層、及びバリア層を少なくともこの順に有する構成とすることが記載されている(段落0011、段落0012参照)。
For example,
特許文献1や特許文献2に記載された技術によれば、透明電極の基板側にバリア層(ガスバリア層)が配置されているため、アウトガス、酸素、水分等が素子の内部側に侵入するのを抑制することができるといえる。しかしながら、特許文献1の下地層や平滑化層、特許文献2の微粒子層等のような光取り出し層は、樹脂材料を主体とし、樹脂材料中に光学的特性を調整する粒子を分散させて形成するのが一般的であり、湿式塗布法等を利用した樹脂粒子混合液の全面塗布(ベタ塗布)によって形成されることが多い。
According to the techniques described in
図4は、比較例に係る有機発光素子の構成の一例を模式的に示す断面図である。比較例に係る有機発光素子100C(従来の有機発光素子)は、図4に示すように、例えば、透明基板1と、光取り出し層2cと、バリア層3cと、透明電極4と、有機層5と、対向電極6と、接着剤層7と、封止部材8とを有する構成とされる。光取り出し層2cが透明基板1上に全面塗布によって形成される場合には、図4に示すように、光取り出し層2cの側面が有機発光素子100Cの側方に露出して外気と接触する状態になってしまう。そのため、光取り出し層2cの側面から、雰囲気中に存在するアウトガス、酸素、水分等が侵入し易くなり、有機発光素子100Cが劣化し易くなるおそれがある。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of the organic light emitting device according to the comparative example. An organic
光取り出し層の側面のバリア性は、光取り出し層をパターニングして形成(パターン形成)し、パターン化された光取り出し層の側面を封止することによって高めることが可能である(図1の光取り出し層2参照)。しかしながら、このような方法を採用する場合には、有機発光素子の製造にあたって、透明基板上にパターン形成されている光取り出し層上にバリア層を積層することを要する(図1のバリア層3参照)。このとき、バリア層が成膜される被成膜面は、パターン形成されている光取り出し層によって段差を生じているため、バリア層の成膜性は悪化する傾向がある。そのため、段差の近傍を中心にピンホールや割れ等を発生し易くなり、バリア層の性能が低下してしまうおそれがある。
The barrier property of the side surface of the light extraction layer can be enhanced by patterning the light extraction layer (pattern formation) and sealing the side surface of the patterned light extraction layer (the light of FIG. 1). (See take-out layer 2). However, when such a method is adopted, it is necessary to laminate a barrier layer on the light extraction layer patterned on the transparent substrate in manufacturing the organic light emitting device (see
光取り出し層は、大気環境において形成されることが多くなっているため、製造工程中に酸素、水分等が侵入し易いという実情がある。また、大気圧雰囲気で形成が行われるため、光取り出し層自体から一旦放出されたアウトガスも再付着し易い状況にある。そのため、パターン形成されている光取り出し層上に成膜されたために、性能が低下してしまったバリア層によっては、光取り出し層に付着、侵入したアウトガス、酸素、水分等が有機層側に透過するのを十分に阻止することできなくなる恐れが生じている。そして、光取り出し層に付着、侵入したアウトガス、酸素、水分等は、有機層が形成されるような清浄度が管理された減圧雰囲気においても、引き続き有機層側に透過してしまうため、ダークスポットを生じ、有機発光素子の発光寿命を低下させてしまうという課題がある。 Since the light extraction layer is often formed in an atmospheric environment, there is a situation that oxygen, moisture, and the like easily enter during the manufacturing process. Further, since the formation is performed in an atmospheric pressure atmosphere, the outgas once released from the light extraction layer itself is likely to be reattached. For this reason, depending on the barrier layer whose performance has deteriorated because it was formed on the patterned light extraction layer, outgas, oxygen, moisture, etc. attached to and penetrated the light extraction layer are transmitted to the organic layer side. There is a fear that it will not be possible to sufficiently prevent it. The outgas, oxygen, moisture, etc. that have adhered to and penetrated the light extraction layer will continue to be transmitted to the organic layer side even in a reduced pressure atmosphere where the cleanliness is controlled so that the organic layer is formed. This causes a problem that the emission lifetime of the organic light emitting device is reduced.
一方で、有機発光素子の一般的な製造工程には、基材等に含まれている水分等を除去する目的で、減圧雰囲気で透明電極や有機層等の成膜を行う直前に乾燥工程を設ける場合がある。しかしながら、光取り出し層上にバリア層が形成された後に乾燥を行ったとしても、光取り出し層から十分に水分等を除去することは難しい。そのため、光取り出し層内に残留している水分等がその後に有機層側に透過し、ダークスポットを引き起こすという課題もある。 On the other hand, in a general manufacturing process of an organic light emitting device, a drying process is performed immediately before film formation of a transparent electrode, an organic layer, etc. in a reduced pressure atmosphere for the purpose of removing moisture contained in the base material. May be provided. However, even if drying is performed after the barrier layer is formed on the light extraction layer, it is difficult to sufficiently remove moisture and the like from the light extraction layer. Therefore, there is a problem that moisture or the like remaining in the light extraction layer is then transmitted to the organic layer side to cause a dark spot.
そこで、本発明は、ダークスポットの発生が低減され、発光寿命が良好な有機発光素子を製造可能とした有機発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic light emitting device that can manufacture an organic light emitting device with reduced generation of dark spots and a good light emission lifetime.
本発明の上記目的は、下記構成により達成される。 The above object of the present invention is achieved by the following configurations.
1.透明基板上に、光取り出し層とバリア層と透明電極とが順に積層され、前記透明電極上に、有機発光材料を含んでなる有機層と前記透明電極の対極である対向電極とが配置された有機発光素子の製造方法であって、前記透明基板上に大気環境におけるパターン塗布によって前記光取り出し層を形成する工程と、形成された前記光取り出し層に真空加熱処理を施す工程と、真空加熱処理された前記光取り出し層を減圧雰囲気に保持したまま、前記光取り出し層上に連続して前記バリア層を形成する工程と、形成された前記バリア層上に前記透明電極を形成する工程とを含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 1. A light extraction layer, a barrier layer, and a transparent electrode are sequentially laminated on the transparent substrate, and an organic layer containing an organic light emitting material and a counter electrode that is a counter electrode of the transparent electrode are disposed on the transparent electrode. A method for manufacturing an organic light emitting device, the step of forming the light extraction layer on the transparent substrate by pattern coating in an atmospheric environment, the step of subjecting the formed light extraction layer to vacuum heat treatment, and the vacuum heat treatment A step of continuously forming the barrier layer on the light extraction layer while maintaining the light extraction layer in a reduced pressure atmosphere, and a step of forming the transparent electrode on the formed barrier layer. A method for producing an organic light-emitting device.
2.前記真空加熱処理における加熱が、赤外線加熱によって行われることを特徴とする前記1に記載の有機発光素子の製造方法。 2. 2. The method for producing an organic light-emitting element according to 1 above, wherein the heating in the vacuum heat treatment is performed by infrared heating.
3.前記赤外線加熱が、前記透明基板の非吸収波長域に波長制御された赤外線によって行われることを特徴とする前記1に記載の有機発光素子の製造方法。 3. 2. The method of manufacturing an organic light-emitting element according to 1 above, wherein the infrared heating is performed by infrared light whose wavelength is controlled in a non-absorption wavelength region of the transparent substrate.
本発明によれば、ダークスポットの発生が低減され、発光寿命が良好な有機発光素子を製造可能とした有機発光素子の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, generation | occurrence | production of a dark spot can be reduced and the manufacturing method of the organic light emitting element which made it possible to manufacture the organic light emitting element with the favorable light emission lifetime can be provided.
以下、本発明の一実施形態に係る有機発光素子の製造方法について詳細に説明する。なお、各図において、共通する構成要素については、同一の符号を付し、重複した説明を省略する。 Hereinafter, a method for manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail. In addition, in each figure, about the same component, the same code | symbol is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted.
はじめに、本実施形態に係る有機発光素子の製造方法によって製造される有機発光素子の構成について説明する。 First, the structure of the organic light emitting device manufactured by the method for manufacturing the organic light emitting device according to this embodiment will be described.
図1は、本実施形態に係る有機発光素子の製造方法によって製造される有機発光素子の構成の一例を模式的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of an organic light emitting device manufactured by the method for manufacturing an organic light emitting device according to this embodiment.
図1に示すように、有機発光素子100は、透明基板1上に、光取り出し層2(2a,2b)とバリア層3と透明電極4とが順に積層され、透明電極4上に有機層5と透明電極4の対極である対向電極6とが配置された構成を有している。光取り出し層2は、透明基板1上にパターニングされており、透明基板1の一部分の上のみに設けられている点で、従来の有機発光素子(100C)(図4参照)とは異なっている。本実施形態に係る有機発光素子の製造方法では、このように光取り出し層2が素子の側方に露出しない形態の有機発光素子100を製造する。
As shown in FIG. 1, in the organic
有機発光素子100に備えられる透明電極4と対向電極6とには、例えば、リード部を介して不図示の駆動回路や電源が電気的に接続される。透明電極4は陽極、対向電極6は陰極とすることができる。また、有機層5は、少なくとも発光層を含んでなる単層構成又は複数層構成とされる。有機層5を構成する発光層の他の層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。透明電極4と対向電極6との間に電圧が印加されると、電子と正孔とがそれぞれ発光層に注入されて発光を生じるようになっている。そして、生じた発光光は、透明電極4や光取り出し層2や透明基板1を透過して、有機発光素子100の外部に取り出される。
For example, a drive circuit and a power source (not shown) are electrically connected to the
光取り出し層2は、図1に示すように、散乱層2aと平滑層2bとから構成されており、パターン形成されることによって、端部が透明基板1の側端面より内側に位置している。散乱層2a及び平滑層2bは、透過する発光光や導波モードの光を散乱させて界面における全反射や導波モードの光の閉じ込めを低減し、光取り出し効率を向上させる機能を有している。また、散乱層2a及び平滑層2bは、透明電極4からの発光光を高効率で取り出すために高い屈折率とされる。散乱層2aは、ミー散乱等による光散乱に特化した層となっており、平滑層2bは、散乱層2aの表面に生じる凹凸を吸収して光取り出し層2の表面を平滑化させる層となっている。但し、光取り出し層2は、図1に示す構成に制限されるものではなく、光学的機能を果たす他の層を併用してもよい。また、同等の機能を有する単層構成としたり、3層以上の複数層構成としたりすることもできる。
As shown in FIG. 1, the
バリア層3は、酸素や水蒸気等の各種ガスに対するガスバリア性が高い層であり、光取り出し層2と透明電極4との間に介在している。バリア層3は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等の無機化合物や、シラン、アルコキシシラン、ハロゲン化シラン、オルガノシロキサン、シラザン、オルガノポリシロキサン、オルガノポリシラザン等の有機化合物を前駆体として減圧下の蒸着等により形成される。バリア層3は、このような無機化合物及び有機化合物のいずれかを前駆体とする単層構成としてよいし、積層構造を持たせた複数層構成としてもよい。なお、図1においては、バリア層3は光取り出し層2上にのみ形成されている様子を模式的に示しているが、詳細には、透明基板1の上面と光取り出し層2の側方とを覆うように形成されることがある。バリア層3が設けられることによって、光取り出し層2側から透明電極4側に、酸素、水分等が侵入するのが防止されている。
The
有機発光素子100の透明基板1と反対側には、接着剤層7を介して封止部材8が設けられている。接着剤層7及び封止部材8は、有機発光素子100の透明基板1と反対側から、外気中の酸素、水分等が侵入するのを防止している。また、接着剤層7は、パターン形成された光取り出し層2等の側方を覆っており、光取り出し層2が素子の側方に露出しない状態となっている。このような構造は、光取り出し層2の側面のバリア性を高めるのに好適であり、外気中の酸素、水分等が光取り出し層2に直接的に侵入するのを防止する上で有効である。光取り出し層2の側面から酸素、水分等が直接的に侵入してくる構造では、バリア層3が形成されていたとしても、酸素、水分等が光取り出し層2から透明電極4側に透過していくのを完全には防止できないためである。
A sealing
次に、本実施形態に係る有機発光素子の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the organic light emitting device according to this embodiment will be described.
一般に、図1に示すような構成の有機発光素子100は、透明基板1上に、光取り出し層2、バリア層3、透明電極4、有機層5、対向電極6が順次積層されて製造されている。そのため、前記のように光取り出し層2をパターン形成して素子の側方に露出しない状態にする場合であっても、有機発光素子100の製造工程中においては、環境中のアウトガス、酸素、水分等が、バリア層3が積層される以前の光取り出し層2に侵入してしまうことがある。他方、光取り出し層2に積層されるバリア層3は、透明基板1上にパターン形成された光取り出し層2が膜厚に相当する段差を生じさせているため、成膜性が必ずしも良好ではなく、ガスバリア性が低下している恐れがある。そのため、バリア層3が積層される以前の製造工程中に光取り出し層2に侵入したアウトガス、酸素、水分等が、バリア層3が形成された後においても、有機発光素子100に用いられている有機材料等の劣化を生じる場合がある。そこで、本実施形態に係る有機発光素子の製造方法では、バリア層3が積層される直前の光取り出し層2に真空加熱処理を施し、光取り出し層2中に存在するアウトガス、酸素、水分等をあらかじめ低減するものとしている。
In general, an organic
本実施形態に係る有機発光素子の製造方法は、光取り出し層2とバリア層3と透明電極4とが順に積層され、透明電極4上に有機層5と透明電極4の対極である対向電極6とが配置された有機発光素子1の製造方法であり、詳細には、透明基板1上に大気環境におけるパターン塗布によって光取り出し層2を形成する工程と、形成された光取り出し層2に真空加熱処理を施す工程と、真空加熱処理された光取り出し層2を減圧雰囲気に保持したまま、前記光取り出し層上に連続してバリア層3を形成する工程と、形成されたバリア層3上に透明電極4を形成する工程とを少なくとも含んでなる。
In the method for manufacturing an organic light emitting device according to this embodiment, the
図2は、本実施形態に係る有機発光素子の製造方法の一例を示す流れ図である。 FIG. 2 is a flowchart showing an example of the method for manufacturing the organic light emitting device according to this embodiment.
図2に示す有機発光素子の製造方法は、光取り出し層形成工程S10と、真空加熱処理工程S20と、バリア層形成工程S30と、透明電極形成工程S40と、有機層形成工程S50と、対向電極形成工程S60と、封止工程S70とを順次含む方法である。これらの工程のうち、光取り出し層形成工程S10は、大気環境の下で行われる工程となっている。その一方で、少なくともバリア層形成工程S30、透明電極形成工程S40、有機層形成工程S50及び対向電極形成工程S60は、清浄度が高い減圧雰囲気の下で行われる工程となっている。この製造方法は、特に、光取り出し層形成工程S10の後、且つ、減圧雰囲気の下で行われるこれらの工程の前に、真空加熱処理工程S20を実施する点に特徴を有している。 2 includes a light extraction layer forming step S10, a vacuum heat treatment step S20, a barrier layer forming step S30, a transparent electrode forming step S40, an organic layer forming step S50, and a counter electrode. In this method, the forming step S60 and the sealing step S70 are sequentially included. Among these steps, the light extraction layer forming step S10 is a step performed under an atmospheric environment. On the other hand, at least the barrier layer forming step S30, the transparent electrode forming step S40, the organic layer forming step S50, and the counter electrode forming step S60 are steps performed under a reduced pressure atmosphere with high cleanliness. This manufacturing method is particularly characterized in that the vacuum heat treatment step S20 is performed after the light extraction layer forming step S10 and before these steps performed in a reduced pressure atmosphere.
光取り出し層形成工程S10は、透明基板1上に大気環境におけるパターン塗布によって光取り出し層2を形成する工程である。光取り出し層形成工程S10が行われる環境は、具体的には、気相組成及び圧力が大気雰囲気であり、塵埃が低減された清浄度が高い環境である。光取り出し層2は樹脂材料を主体とした層とされるため、大気環境で行われる塗布法によって、大面積の層形成を効率的に行うことができるようになっている。また、真空成膜のように雰囲気を減圧する必要が無いため、真空引きを行うための動力コストや設備コスト等が不要となる利点がある。
The light extraction layer forming step S10 is a step of forming the
光取り出し層2は、層を形成する材料を含む塗布液を公知の塗布方法によって透明基板1上に塗布することによって形成することができる。塗布された塗布膜は、乾燥させた後、必要に応じて硬化処理を行う。例えば、散乱層2aについては、光散乱性粒子とバインダー樹脂としての硬化性樹脂とを、溶媒に分散させて、適宜重合開始剤を添加することによって塗布液とすることができる。また、平滑層2bについては、微粒子とバインダー樹脂としての硬化性樹脂とを、溶媒に分散させて、適宜重合開始剤を添加することによって塗布液とすることができる。
The
光取り出し層2の塗布方法としては、例えば、インクジェット法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、ノズルプリンティング法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、エクストルージョンコート法等を利用することができる。好ましい塗布方法は、パターン塗布に適したインクジェット法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法又はノズルプリンティング法である。
Examples of the coating method of the
硬化処理の方法としては、バインダー樹脂の硬化性に応じて適宜の方法を用いることができる。例えば、熱硬化性樹脂については、加熱処理や電子線照射処理等を用いることができ、光硬化性樹脂については、紫外線照射処理等を用いることができる。電子線照射処理には、コックロフワルトン型、バンデグラフ型、共振変圧型、絶縁コア変圧器型、直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器を使用することができる。例えば、10〜1000keV、好ましくは30〜300keVのエネルギーを有する電子線を使用することが可能である。紫外線照射処理には、エキシマーランプ、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハライドランプ等を使用することができる。 As a method for the curing treatment, an appropriate method can be used according to the curability of the binder resin. For example, heat treatment or electron beam irradiation treatment can be used for the thermosetting resin, and ultraviolet irradiation treatment or the like can be used for the photocurable resin. For the electron beam irradiation treatment, various electron beam accelerators such as a Cockrowalton type, a bandegraph type, a resonant transformation type, an insulating core transformer type, a linear type, a dynamitron type, and a high frequency type can be used. For example, it is possible to use an electron beam having an energy of 10 to 1000 keV, preferably 30 to 300 keV. For the ultraviolet irradiation treatment, an excimer lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a carbon arc, a xenon arc, a metal halide lamp, or the like can be used.
光取り出し層2のパターニングは、透明基板1の端部近傍の表面に、光取り出し層2が形成されていない領域が残された形状とするものである。すなわち、透明基板1上に塗布幅を制限して光取り出し層2の塗布液を塗布することにより光取り出し層2のパターン形成が可能である。このような光取り出し層2が形成されていない領域が残されるパターンであれば、透明基板1の幅方向や長さ方向に複数の有機発光素子が形成されるパターニングを行ってもよい。また、パターン塗布は、塗布方法に応じてマスクを使用して行ってもよい。
The patterning of the
真空加熱処理工程S20は、光取り出し層形成工程S10において形成された光取り出し層2に真空加熱処理を施す工程である。光取り出し層2に真空加熱処理を施すことによって、光取り出し層2中に存在している酸素、水分等や、光取り出し層2の形成に用いた塗布液の成分や、これらが硬化処理等によって反応した反応物等の成分(アウトガス)を揮発、放散させて除去することができ、光取り出し層2中の残留量を低減することができる。
The vacuum heat treatment step S20 is a step of subjecting the
真空加熱処理は、輻射加熱及び伝導加熱のいずれの加熱方法で行うことも可能である。輻射加熱としては、例えば、赤外線加熱、マイクロ波加熱、高周波誘電加熱等が挙げられる。また、伝導加熱としては、例えば、ホットプレートによる加熱、ロールヒーターによる加熱等を用いることができる。これらの中でも好ましい加熱方法は、赤外線加熱によるものであり、より好ましい加熱方法は、透明基板1の非吸収波長域に波長制御された赤外線による赤外線加熱である。このような波長制御がなされた赤外線加熱であれば、透明基板1として樹脂フィルムを用いる場合に、透明基板1に熱変形が生じるのを避けることができる。
The vacuum heat treatment can be performed by any one of radiation heating and conduction heating. Examples of radiant heating include infrared heating, microwave heating, and high-frequency dielectric heating. Moreover, as conductive heating, for example, heating by a hot plate, heating by a roll heater, or the like can be used. Among these, a preferable heating method is infrared heating, and a more preferable heating method is infrared heating using infrared light whose wavelength is controlled in the non-absorption wavelength region of the
真空加熱処理は、アウトガス、水分等の除去を促進することができ、且つ、透明基板1及び光取り出し層2について熱変形や構成材料の揮発が過度に生じない程度であれば、温度条件や加熱時間等を適宜設定することができる。但し、例えば、透明基板1として樹脂フィルムを用いる場合には、加熱温度は、光取り出し層2の表面温度で40℃以上80℃以下の範囲とすることが好ましい。なお、真空加熱処理における雰囲気の真空度は、1×10−6Pa以上1×10−2Pa以下程度が好ましい。
The vacuum heat treatment can promote the removal of outgas, moisture and the like, and the temperature condition and the heating can be used as long as the thermal deformation and the volatilization of the constituent materials do not occur excessively for the
バリア層形成工程S30は、真空加熱処理工程S20において真空加熱処理された光取り出し層2上に連続してバリア層3を形成する工程である。すなわち、光取り出し層2が形成されている透明基板1を、真空加熱処理後に減圧雰囲気に保持したままバリア層形成工程S30に供することで、光取り出し層2ないし透明基板1を大気環境等に搬出すること無くバリア層の形成を行う。バリア層3は、減圧雰囲気の下で真空成膜を行うことで形成することができる。バリア層3の形成方法としては、具体的には、例えば、プラズマCVD、レーザーCVD、熱CVD等の化学蒸着(Chemical Vapor Deposition;CVD)法や、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着(Physical Vapor Deposition;PVD)法等が挙げられる。バリア層3は、マスクを使用した成膜やエッチング等によってパターニングしてもよい。バリア層形成工程S30における雰囲気の真空度は、1×10−6Pa以上1×10−2Pa以下程度が好ましい。
The barrier layer forming step S30 is a step of continuously forming the
透明電極形成工程S40は、バリア層形成工程S30において形成されたバリア層3上に透明電極4を形成する工程である。電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜として形成させた後、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してよく、パターン精度を要しない場合は(100μm以上程度)、所望の形状のマスクを介して蒸着やスパッタリング等の方法によって製膜してパターンを形成してもよい。また、有機導電性化合物のように塗布可能な電極物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等の湿式塗布法を用いることもできる。
Transparent electrode formation process S40 is a process of forming the
有機層形成工程S50は、透明電極形成工程S40において形成された透明電極4上に有機層5を形成する工程である。有機層5としては、発光層の他、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等を含む複数層を形成することができる。具体的には、各層を構成する材料に応じて、湿式塗布法やPVD等を利用して形成することができる。湿式塗布方法としては、例えば、インクジェット法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、ノズルプリンティング法、ディップコート法、スプレーコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、エクストルージョンコート法等を利用することができる。これらの形成方法は、有機層5を構成する各層毎に同一の方法を用いてよいし、異なる方法を用いてもよい。また、有機層5を構成する各層は、マスクを使用した成膜やパターン塗布等によってパターニングしてよいし、全面塗布後に拭き取ることでパターン化してもよい。
The organic layer forming step S50 is a step of forming the
対向電極形成工程S60は、有機層形成工程S50において形成された有機層5上に対向電極6を形成する工程である。対向電極6は、電極材料をPVD法等を利用して成膜することで形成することができる。対向電極6は、マスクを使用した成膜やフォトリソグラフィ等によってパターニングしてもよい。
The counter electrode forming step S60 is a step of forming the
封止工程S70は、形成された透明電極4、有機層5及び対向電極6を封止する工程である。封止は、封止部材8を、接着剤で貼合することによって行うことができる。接着剤によって、透明基板1に残されている光取り出し層2の非形成領域や対向電極6の有機層5とは反対側の面と、封止部材8との間を固定する。これによって、光取り出し層2、バリア層3、透明電極4、有機層5及び対向電極6の側方は、接着剤からなる接着剤層7によって覆われて、外気中の酸素、水分等の侵入が防止される。封止工程S70の後、駆動回路、電源、保護材等の計装や熱処理等の後工程に供することによって、有機発光素子100を製造することができる。
The sealing step S <b> 70 is a step of sealing the formed
以上の本実施形態に係る有機発光素子の製造方法では、光取り出し層形成工程S10を大面積の層形成に適し、減圧化が不要な大気環境の下で行うため、形成される光取り出し層2に、環境中の酸素、水分等が侵入する可能性が潜在している。また、光取り出し層2の形成には溶媒やバインダー樹脂が使用されるため、形成された光取り出し層2中に、これらの溶媒やバインダー樹脂や、これらが硬化処理の過程で反応した反応物等の成分が残留する恐れがある。また、光取り出し層形成工程S10は清浄度が管理された閉鎖的な大気環境の下で行われるため、このような成分が、アウトガスとして環境中に一旦放出された後に、再び光取り出し層2に再び侵入する恐れもある。しかしながら、真空加熱処理工程S20が実施されることによって、光取り出し層2中に存在している溶媒、バインダー樹脂、これらの反応物等(アウトガス)や、酸素、水分等の残留量を低減することができる。そのため、大気環境において光取り出し層2のパターン形成を可能としていながら、発光効率が良好であり、素子の側方のバリア性が高い有機発光素子を製造することが可能である。
In the manufacturing method of the organic light emitting element according to the above-described embodiment, the light extraction layer forming step S10 is suitable for forming a large area layer and is performed in an atmospheric environment that does not require decompression. In addition, there is a possibility that oxygen, moisture, etc. in the environment may enter. Moreover, since a solvent and binder resin are used for formation of the
また、この製造方法では、光取り出し層2がパターン形成されているために、光取り出し層形成工程S10の直後においては、透明基板1上に光取り出し層2の膜厚に相当する段差を生じている。そのため、後工程で形成されるバリア層3は、この段差近傍で膜密度が低下し、割れを生じる危険性が潜在した状態にある。また、光取り出し層形成工程S10が大気環境で行われるため、光取り出し層2中に酸素、水分等が侵入したり、光取り出し層2に由来するアウトガスが残留し易く、光取り出し層2中に多量に存在するアウトガス、酸素、水分等が、バリア層3の形成時に放出されることでピンホールが形成され易い状態にある。しかしながら、真空加熱処理工程S20が実施されることによって、光取り出し層2中に存在しているこれらの成分(アウトガス)、酸素、水分等を揮発、放散させて除去することが可能であるため、バリア層3の健全性に優れると共に素子の側方のバリア性が高く、耐候性が良好な有機発光素子を製造することが可能になる。
Further, in this manufacturing method, since the
次に、本実施形態に係る有機発光素子の製造装置について説明する。 Next, the manufacturing apparatus of the organic light emitting element according to this embodiment will be described.
図3は、本実施形態に係る有機発光素子の製造装置の一例の概略構成を示す図である。(a)は、光取り出し層形成部の概略構成、(b)は、バリア層形成部の概略構成、(c)は、素子形成部の概略構成を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an example of an organic light emitting device manufacturing apparatus according to the present embodiment. (A) is a schematic configuration of the light extraction layer forming portion, (b) is a schematic configuration of the barrier layer forming portion, and (c) is a diagram illustrating a schematic configuration of the element forming portion.
図3に示す有機発光素子の製造装置200は、光取り出し層形成部10と、バリア層形成部20と、素子形成部30とを有している。この製造装置200は、特に、ロールツーロール方式の生産方式が採用されることによって、長尺帯状の可撓性を有する透明基板1上に前記の有機発光素子100を連続的に形成することを可能とする装置となっている。なお、図3においては、製造装置200が、光取り出し層形成部10とバリア層形成部20と素子形成部30とのそれぞれにおいて、透明基板1をロール状に巻き取って後工程に移送する構成とされているが、巻き取り機の配置は任意であり、例えば、光取り出し層形成部10、バリア層形成部20及び素子形成部30を連結した構成とすることも可能である。
The organic light emitting
製造装置200では、長尺帯状の可撓性を有する透明基板1が、図3において模式的に示す搬送ローラーやバックアップローラによって支持されながら搬送される。そして、光取り出し層形成工程S10と、真空加熱処理工程S20と、バリア層形成工程S30と、透明電極形成工程S40と、有機層形成工程S50と、対向電極形成工程S60と、封止工程S70とを経て、透明基板1上に有機発光素子100が形成される。なお、図3においては、有機層形成工程S50と対向電極形成工程S60とが行われる素子形成部30の中間工程や、封止工程S70やその後の後工程について図示を省略している。
In the
光取り出し層形成部10は、透明基板1上に光取り出し層2を形成する装置構成を有している。具体的には、光取り出し層形成部10は、図3(a)に示すように、繰り出し部11と、張力制御部12と、第一塗布部13Aと、第一一次乾燥部14Aと、第一二次乾燥部15Aと、第一硬化処理部16Aと、第二塗布部13Bと、第二一次乾燥部14Bと、第二二次乾燥部15Bと、第二硬化処理部16Bと、検査部17と、巻き取り部18とを有する。光取り出し層形成部10は、大気環境におかれており、繰り出し部11から巻き取り部18までが、気相組成及び圧力が大気雰囲気であり、塵埃が低減された清浄度が高い環境にある。第一塗布部13A、第一一次乾燥部14A、第一二次乾燥部15A及び第一硬化処理部16Aは、光取り出し層2を構成する散乱層2aを形成する工程であり、第二塗布部13B、第二一次乾燥部14B、第二二次乾燥部15B及び第二硬化処理部16Bは、光取り出し層2を構成する平滑層2bを形成する工程である。
The light extraction
繰り出し部11は、ロール状に捲回された透明基板1を巻き解いて繰り出す機能を有している。繰り出し部11には、表面に保護フィルムが貼合された透明基板1の元巻きロール111が装着される。そして、透明基板1は保護フィルムが剥離されながら繰り出される一方で、保護フィルムは巻き取りロール112にロール状に巻き取られて回収される。
The
張力制御部12は、繰り出された透明基板1の搬送方向等の張力を制御する機能を有している。張力の制御は、速度の制御及びトルクの制御のいずれであってもよく、ダンサロールによる制御、フィードロールによる制御等のいずれによって張力負荷を行ってもよい。また、張力計測手段121を設けて、フィードバック制御等してもよい。透明基板1は、アキュームコンベア110によって搬送速度が調節されると共に、位置制御手段120によってEPC制御(Edge Position Control)又はCPC制御(Center Position Control)されて、第一塗布部13Aに搬送される。
The
第一塗布部13Aは、パターン塗布によって透明基板1上に散乱層2aの塗布膜を形成する機能を有している。第一塗布部13Aには、パターン塗布が可能なインクジェット式塗布装置、印刷式塗布装置等の塗布手段130が備えられており、透明基板1上に塗布幅を制限して塗布液を塗布する。第一塗布部13Aにおいて用いられる塗布液は、例えば、溶媒に少なくとも光散乱性粒子と紫外線硬化性樹脂とを分散させ、必要に応じて重合開始剤が添加されたものである。
13 A of 1st application parts have the function to form the coating film of the
第一一次乾燥部14Aは、散乱層2aの塗布膜を一次乾燥する機能を有している。第一塗布部13Aには、熱風乾燥装置等の乾燥手段140が備えられており、熱風乾燥等によって散乱層2aの塗布膜から溶媒が除去される。透明基板1は、アキュームコンベア110によって搬送速度が調節されて、第一二次乾燥部15Aに搬送される。
The first
第一二次乾燥部15Aは、散乱層2aの塗布膜を二次乾燥する機能を有している。第一二次乾燥部15Aには、赤外線加熱装置等の加熱処理線源150が備えられており、赤外線加熱等によって散乱層2aの塗布膜が減率乾燥期程度にまで乾燥される。
The first
第一硬化処理部16Aは、散乱層2aの塗布膜を硬化処理する機能を有している。第一硬化処理部16Aには、紫外線を照射する硬化処理線源160が備えられており、紫外線照射によって散乱層2aの塗布膜に含まれている硬化性樹脂を硬化させて散乱層2aが形成されるようになっている。透明基板1は、アキュームコンベア110によって搬送速度が調節されると共に、位置制御手段120によってEPC制御又はCPC制御されて、第二塗布部13Bに搬送される。
The first
硬化処理線源160としては、100〜230nmの真空紫外線を発する希ガスエキシマーランプが好適である。希ガスとしては、Xe、Kr、Ar、Ne等を用いることができる。また、エキシマーの発生方法としては、誘電体バリア放電による方法や無電極電界放電による方法等を利用することができる。エキシマーランプは、紫外線の発生効率が高いため、低電力で点灯させることが可能になるという利点がある。また、希ガスエキシマーによるシャープなスペクトルが得られるため、輻射加熱の発生を抑えることができる。
As the curing
第二塗布部13Bは、パターン塗布によって透明基板1上に平滑層2bの塗布膜を形成する機能を有している。第二塗布部13Bにおいて用いられる塗布液は、例えば、溶媒に微粒子と紫外線硬化性樹脂とを分散させ、必要に応じて重合開始剤が添加されたものである。第二塗布部13B、第二一次乾燥部14B、第二二次乾燥部15B及び第二硬化処理部16Bのその他の構成は、第一塗布部13A、第一一次乾燥部14A、第一二次乾燥部15A及び第一硬化処理部16Aの構成と同様である。第二硬化処理部16Bにおいて、平滑層2bが形成された透明基板1は、検査部17に搬送され、検査部17では、透明基板1上の塗布欠陥等の故障検査が行われる。
The
巻き取り部18は、光取り出し層2が形成された透明基板1をロール状に巻き取る機能を有している。巻き取り部18には、ロール状に捲回された保護フィルムの元巻きロール181が備えられている。搬送される透明基板1は、光取り出し層2の表面側に元巻きロール181から捲き解かれた保護フィルムが貼合される。その後、保護フィルムが貼合された透明基板1は、巻き取りロール182にロール状に巻き取られて回収され、バリア層形成部20(図3(b)参照)に移送される。
The winding
バリア層形成部20は、透明基板1上に形成された光取り出し層2に真空加熱処理を施すと共に、真空加熱処理された光取り出し層2上にバリア層3を形成する装置構成を有している。具体的には、バリア層形成部20は、図3(b)に示すように、繰り出し部21と、張力制御部22と、成膜部23と、巻き取り部28とを有する。バリア層形成部20は、真空雰囲気とされており、繰り出し部21から巻き取り部28までが、例えば、真空度が1×10−6Pa以上1×10−2Pa以下程度の環境となるように管理されている。成膜部23は、バリア層を形成する工程である。この製造装置200においては、単一ユニットの成膜部23によって単層構造のバリア層を形成するものとしているが、成膜部のユニット数は、これに制限されるものではない。
The barrier
繰り出し部21は、ロール状に捲回された透明基板1を巻き解いて繰り出す機能を有している。繰り出し部11には、光取り出し層2上に保護フィルムが貼合された透明基板1の元巻きロール211が装着される。そして、透明基板1は保護フィルムが剥離されながら繰り出される一方で、保護フィルムは巻き取りロール212にロール状に巻き取られて回収される。
The
張力制御部22は、繰り出された透明基板1の搬送方向等の張力を制御する機能を有している。透明基板1は、アキュームコンベア110によって搬送速度が調節されながら、真空加熱手段210によって加熱処理される。そして、位置制御手段120によって位置制御されて、成膜部23に搬送される。張力制御部22は、張力制御部12と同様の構成とすることができる。
The
真空加熱手段210としては、例えば、赤外線加熱装置等の加熱処理線源が備えられている。真空加熱手段210は、真空雰囲気において、透明基板1上に形成されている光取り出し層2を加熱処理して、減圧するだけでは十分に除去することができないアウトガス、酸素、水分等をも揮発、放散させて除去し、これらの残留量を低減する。なお、加熱処理線源の数、形状及び配置は特に制限されず、加熱処理線源と共に反射材を併用してもよい。また、真空加熱手段210は、伝導加熱を行う加熱装置等であってもよい。
As the vacuum heating means 210, for example, a heat treatment source such as an infrared heating device is provided. The vacuum heating means 210 volatilizes outgas, oxygen, moisture, etc., which cannot be removed sufficiently only by heating the
真空加熱手段210は、波長制御赤外線加熱装置とすることが好ましい。波長制御赤外線加熱装置は、例えば、フィラメントと、保護管と、フィルタとを備える構成とすることができる。赤外線源となるフィラメントを保護管に収容し、保護管の周囲をフィルタによって覆うことによって、透明基板1の吸収領域である赤外線(例えば、波長3.5μm以上)をフィルタに吸収させることができる。フィラメントは、単体のフィルタで覆ってよいし、複数体のフィルタを重ねて覆ってもよい。また、保護管とフィルタの間やフィルタ同士の間に冷却空気等の冷媒を通流させてもよい。冷媒でフィルタを冷却することによって、フィルタ自体による赤外線の自己放射を抑制することができる。波長制御赤外線加熱装置のフィルタの材質としては、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。耐熱性、耐熱衝撃性の観点からは、これらの中でも石英ガラスが好適である。
The vacuum heating means 210 is preferably a wavelength controlled infrared heating device. The wavelength-controlled infrared heating device can be configured to include, for example, a filament, a protective tube, and a filter. By accommodating a filament serving as an infrared source in a protective tube and covering the periphery of the protective tube with a filter, infrared (for example, a wavelength of 3.5 μm or more) that is an absorption region of the
成膜部23は、真空加熱処理された光取り出し層2上にバリア層3を形成する機能を有している。成膜部23には、空間を空けて配置された一対のロール電極230と、ガス供給部231と、真空ポンプ232に接続されたガス排気部233とがそれぞれ備えられている。一対のロール電極230は、それぞれ不図示のプラズマ発生用電源に電線を介して接続され、高周波交流電圧等の電圧が印加されるようになっている。ガス供給部231は、一対のロール電極230の間の空間に、バリア層3を形成するソースガスを供給する。ソースガスとしては、バリア層3を形成する無機化合物や有機化合物の前駆体を含む不活性ガスが用いられる。
The
供給されたソースガスは、真空ポンプ232によって負圧とされたガス排気部233を通じて排気される。この間に、ソースガスは、一対のロール電極230に電圧が印加されることによってプラズマを生じ、ロール電極230によって支持されながら搬送される透明基板1の光取り出し層2上にバリア層を形成する。成膜部23を複数のユニットで構成する場合は、各ユニットにおけるソースガスの組成、供給量等や、印加される電圧、周波数等を同一としてもよいし、異なるものとしてもよい。透明基板1は、アキュームコンベア110によって搬送速度が調節されると共に、位置制御手段120によってEPC制御又はCPC制御されて、巻き取り部28に搬送される。
The supplied source gas is exhausted through a
巻き取り部28は、バリア層3が形成された透明基板1をロール状に巻き取る機能を有している。巻き取り部28には、ロール状に捲回された保護フィルムの元巻きロール281が備えられている。搬送される透明基板1は、バリア層3の表面側に元巻きロール281から捲き解かれた保護フィルムが貼合される。その後、保護フィルムが貼合された透明基板1は、巻き取りロール282にロール状に巻き取られて回収され、素子形成部30(図3(c)参照)に移送される。
The winding
素子形成部30は、バリア層3上に透明電極4、有機層5及び対向電極6を形成する装置構成を有している。具体的には、図3(c)に示すように、素子形性部30は、繰り出し部31と、張力制御部32と、透明電極形成部33と、不図示の有機層形成部及び対向電極形成部と、巻き取り部38等を有する。なお、図3(c)においては、有機層形成部や対向電極形成部等の図示を省略している。素子形性部30は、減圧雰囲気とされており、繰り出し部31から巻き取り部38までが、例えば、真空度が1×10−6Pa以上1×10−2Pa以下程度の環境となるように管理されている。
The
繰り出し部31は、ロール状に捲回された透明基板1を巻き解いて繰り出す機能を有している。繰り出し部31には、バリア層3上に保護フィルムが貼合された透明基板1の元巻きロール311が装着される。そして、透明基板1は保護フィルムが剥離されながら繰り出される一方で、保護フィルムは巻き取りロール312にロール状に巻き取られて回収される。
The
張力制御部32は、繰り出された透明基板1の搬送方向等の張力を制御する機能を有している。透明基板1は、アキュームコンベア110によって搬送速度が調節されると共に、位置制御手段120によって位置制御されて、透明電極形成部33に搬送される。張力制御部32は、張力制御部12と同様の構成とすることができる。
The
透明電極形成部33は、バリア層3上に透明電極4を形成する機能を有している。図3における透明電極形成部33は、真空蒸着法によって透明電極を形成する構成とされている。透明電極形成部33には、蒸着処理される透明基板1を支持する蒸着ロール330と、蒸着源331とが備えられている。蒸着ロール330に支持されながら搬送される透明基板1には、蒸着源331から気化した電極材料が蒸着することによって透明電極4が成膜される。続いて、透明電極4が形成された透明基板1は、不図示の有機層形成部に搬送されて有機層5が形成された後、不図示の対向電極形成部に搬送されて対向電極6が形成される。有機層形成部は、所望の有機層5の層構成に応じて、各層の形成に適した湿式塗布装置、真空成膜装置等が単数又は複数組み合わされることによって構成される。
The transparent electrode forming part 33 has a function of forming the
巻き取り部38は、透明電極4、有機層5及び対向電極6が形成された透明基板1をロール状に巻き取る機能を有している。透明基板1は、巻き取りロール382にロール状に巻き取られて回収され、封止工程等の後工程に供されて、有機発光素子100が製造される。ここでは、封止工程等の後工程を別工程としたが、連続した工程としても良い。
The winding
以上の構成を有する有機発光素子の製造装置200によれば、大気環境におかれている光取り出し層形成部10の直後に、真空雰囲気とされたバリア層形成部20が備えられているため、光取り出し層2が形成された透明基板1が、真空加熱処理を施す工程の後から、バリア層を形成する工程を終えるまで減圧雰囲気に保持される。そして、バリア層を形成する成膜部23の直前に、真空加熱手段210が備えられている。そのため、形成された光取り出し層2に、雰囲気中のアウトガス、酸素、水分等が侵入し難い環境が確保された状態の中で、真空加熱処理によって、アウトガス、酸素、水分等の残留量を低減される。よって、アウトガス、酸素、水分等による劣化が少なく、発光効率が良好な有機発光素子を製造することができる。
According to the organic light emitting
次に、有機発光素子を構成する各要素の詳細について説明する。 Next, the detail of each element which comprises an organic light emitting element is demonstrated.
[透明基板]
透明基板1としては、樹脂板、樹脂フィルム、ガラス板等の適宜の光透過性を有する板状体やフィルム状体を用いることができる。透明基板1の光透過性は、透過率が70%以上、好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上、さらに好ましくは95%以上とする。透明基板1として特に好ましいのは、可撓性を有する樹脂フィルムである。樹脂フィルムの厚さは、好ましくは10〜500μm、より好ましくは20〜250μm、さらに好ましくは30〜150μmである。樹脂フィルムの厚さが10〜500μmの範囲にあると、基板側のガスバリア性が確保し易く、また、ロールツーロール方式の製造に好適に用いることが可能となる。
[Transparent substrate]
As the
樹脂フィルムとしては、例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)、ナイロン(Ny)、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等のフィルムを用いることができる。このような樹脂フィルムは、一軸延伸、二軸延伸、アニール処理等されていてもよい。また、多層構造であってよいし、ガスバリア性を有するバリア層が積層されていてもよい。 Examples of the resin film include acrylic acid ester, methacrylic acid ester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyarylate, polyvinyl chloride (PVC), polyethylene (PE ), Polypropylene (PP), polystyrene (PS), nylon (Ny), aromatic polyamide, polyetheretherketone, polysulfone, polyethersulfone, polyimide, polyetherimide, and the like can be used. Such a resin film may be uniaxially stretched, biaxially stretched, annealed, or the like. Moreover, it may have a multilayer structure, and a barrier layer having gas barrier properties may be laminated.
[光取り出し層]
光取り出し層2の光透過性は、好ましくは50%以上、より好ましくは55%以上、さらに好ましくは60%以上とする。光取り出し層2の屈折率は、有機発光素子100の用途に応じて設定することができるが、例えば、波長550nmにおける屈折率が1.7以上2.5未満の範囲となるようにすることが好ましい。また、ヘイズ値は、好ましくは30%以上90%未満、より好ましくは35%以上85%未満、さらに好ましくは40%以上80%未満、特に好ましくは45%以上75%未満とする。
[Light extraction layer]
The light transmittance of the
[散乱層]
散乱層2aは、光散乱性を有する単独の材料や、光散乱性粒子とバインダー樹脂とを材料として形成することができる。散乱層2aの屈折率は、好ましくは1.7以上3.0未満の範囲である。
[Scattering layer]
The
光散乱粒子としては、無機化合物粒子、有機化合物粒子及びこれらの複合粒子のいずれを用いてもよい。無機化合物粒子としては、例えば、ZrO2、TiO2、BaTiO3、In2O3、ZnO、Sb2O3、ITO、CeO2、Nb2O5、WO3等を用いることができる。また、有機化合物粒子としては、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ、アクリル−スチレン共重合体ビーズ、メラミンビーズ、ポリカーボネートビーズ、スチレンビーズ、架橋ポリスチレンビーズ、ポリ塩化ビニルビーズ、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ等を用いることができる。 As the light scattering particles, any of inorganic compound particles, organic compound particles, and composite particles thereof may be used. As the inorganic compound particles, for example, ZrO 2 , TiO 2 , BaTiO 3 , In 2 O 3 , ZnO, Sb 2 O 3 , ITO, CeO 2 , Nb 2 O 5 , WO 3 and the like can be used. Also, as organic compound particles, for example, polymethyl methacrylate beads, acrylic-styrene copolymer beads, melamine beads, polycarbonate beads, styrene beads, crosslinked polystyrene beads, polyvinyl chloride beads, benzoguanamine-melamine formaldehyde beads, etc. Can do.
光散乱粒子の平均粒子径は、0.2μm以上1μm未満の範囲とすることが好ましい。平均粒子径が0.2μm以上であれば、可視光を良好に散乱させることができる。また、平均粒子径が1μm未満であれば、散乱層2aを平滑且つ薄く形成できるため、光取り出し層2の膜厚を抑えることができる。
The average particle diameter of the light scattering particles is preferably in the range of 0.2 μm or more and less than 1 μm. If the average particle diameter is 0.2 μm or more, visible light can be scattered well. Moreover, if the average particle diameter is less than 1 μm, the
光散乱粒子の屈折率は、1.7以上、好ましくは1.85以上、より好ましくは2.0以上である。また、光散乱性粒子とバインダー樹脂との屈折率差は、0.03以上、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、さらに好ましくは0.3以上である。光散乱粒子がこのような屈折率であると、散乱光強度を高め易くなるため、光取り出し効率が良好に向上するようになる。 The refractive index of the light scattering particles is 1.7 or more, preferably 1.85 or more, more preferably 2.0 or more. Further, the difference in refractive index between the light scattering particles and the binder resin is 0.03 or more, preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, and further preferably 0.3 or more. When the light scattering particles have such a refractive index, the scattered light intensity can be easily increased, so that the light extraction efficiency is improved satisfactorily.
光散乱性粒子は、散乱層2aあたり1体積%以上70体積%以下の充填率とすることが好ましく、5体積%以上50体積%以下の充填率とすることがより好ましい。また、散乱層2aの主面に対する透視平面あたりの面内占有率を、30%以上とすることが好ましく、50%以上とすることがより好ましく、70%以上とすることがさらに好ましい。
The light scattering particles preferably have a filling rate of 1% by volume or more and 70% by volume or less per
散乱層2aを構成するバインダー樹脂としては、光透過性を有する熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂や、これらと熱可塑性樹脂との組み合わせによるブレンド樹脂等を用いることができる。硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂、アクリル系樹脂、アリルエステル系樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアクリル酸エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリビニールエーテル樹脂、ポリビニールケトン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩素化ポリエーテル樹脂等を用いることができる。バインダー樹脂としては、これらの中でも飽和炭化水素又はポリエーテルを主鎖として有するポリマーが好ましく、飽和炭化水素を主鎖として有するポリマーがより好ましい。また、バインダーは架橋していることが好ましい。飽和炭化水素を主鎖として有するポリマーは、エチレン性不飽和モノマーの重合反応により得ることが好ましい。架橋しているバインダーを得るためには、2つ以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーを用いることが好ましい。
As binder resin which comprises the
塗布液の溶媒としては、材料に応じて適宜の溶媒を用いることができる。例えば、水や、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール等のアルコール類や、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、グリセリン等の多価アルコール類や、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル類や、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類や、ヘキサン、ヘプタン、デカン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素類や、ジクロロメタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類や、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類や、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類や、DMF、DMSO、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、アセトニトリル等の適宜の溶媒を用いることができる。溶媒は、単一種からなる組成であっても、複数種が混合された組成であってもよい。 As a solvent for the coating solution, an appropriate solvent can be used depending on the material. For example, water, alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol and 2-butanol, and multivalents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propanediol, butanediol and glycerin Alcohols, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, isopropyl acetate, diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, Ethers such as triethylene glycol dimethyl ether, hexane, heptane, decane, cyclohexane Hydrocarbons such as toluene, xylene, halogenated hydrocarbons such as dichloromethane, trichloroethane, chlorobenzene, amides such as dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, acetylacetone, cyclohexanone, isophorone, etc. An appropriate solvent such as ketones, DMF, DMSO, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, acetonitrile or the like can be used. The solvent may be a composition composed of a single species or a composition in which a plurality of species are mixed.
[平滑層]
平滑層2bは、単独の材料や、微粒子とバインダー樹脂とを材料として形成することができる。平滑層2bの屈折率は、好ましくは1.7以上2.5未満の範囲である。また、平滑層2bは、透明電極4側の表面の平均面粗さRaが、100nm未満、好ましくは30nm未満、より好ましくは10nm未満、さらに好ましくは5nm未満となるようにする。なお、平均面粗さRaは、JIS B 0601:2001に準拠した算術平均粗さである。
[Smooth layer]
The smooth layer 2b can be formed of a single material or fine particles and a binder resin. The refractive index of the smooth layer 2b is preferably in the range of 1.7 or more and less than 2.5. The smooth layer 2b has an average surface roughness Ra of the surface on the
微粒子の粒子径は、5nm以上が好ましく、10nm以上がより好ましく、15nm以上がさらに好ましい。微粒子の粒子径がこのような範囲であると、微粒子同士の凝集を抑えることができ、平滑層2bの光透過性を確保し易い。一方で、微粒子の粒子径は、70nm以下が好ましく、60nm以下がより好ましく、15nm以下がさらに好ましい。微粒子の粒子径がこのような範囲であると、平滑層2bによる平滑性が損なわれ難い。 The particle diameter of the fine particles is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, and further preferably 15 nm or more. When the particle diameter of the fine particles is within such a range, aggregation of the fine particles can be suppressed, and light transmittance of the smooth layer 2b can be easily ensured. On the other hand, the particle diameter of the fine particles is preferably 70 nm or less, more preferably 60 nm or less, and further preferably 15 nm or less. When the particle diameter of the fine particles is within such a range, the smoothness due to the smooth layer 2b is hardly impaired.
微粒子としては、例えば、前記の光散乱粒子と同様の材質の粒子を用いることができるが、特にTiO2が好ましい。また、TiO2としては、ルチル型がより好ましい。ルチル型二酸化チタンであれば、アナターゼ型と比較して触媒活性が低いため耐候性を確保し易く、また、平滑層2bを高い屈折率にすることができる。 As the fine particles, for example, particles of the same material as the light scattering particles can be used, and TiO 2 is particularly preferable. As the TiO 2, the rutile type is more preferable. If rutile type titanium dioxide is used, the catalytic activity is low compared to the anatase type, so that it is easy to ensure the weather resistance, and the smooth layer 2b can have a high refractive index.
平滑層2bを構成するバインダー樹脂としては、前記の散乱層2aと同様の樹脂から選択することができる。
The binder resin constituting the smooth layer 2b can be selected from the same resins as the
[バリア層]
バリア層3は、ガスバリア性が高い層であり、光取り出し層2と透明電極4との間に設けられている。バリア層3は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等の無機化合物や、シラン、アルコキシシラン、ハロゲン化シラン、オルガノシロキサン、シラザン、オルガノポリシロキサン、オルガノポリシラザン等の有機化合物を前駆体として形成することができる。バリア層3は、このような無機化合物及び有機化合物のいずれかの単層構成としてよいし、積層構造を持たせた複数層構成としてもよい。バリア層3は、雰囲気中に存在するアウトガス、酸素、水分等が、光取り出し層2側から透明電極4側に透過、拡散し、有機層5等に侵入するのを防止することができる。なお、ガスバリア性とは、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(60±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下であり、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−3ml/m2・24h・atm以下であることをいう。
[Barrier layer]
The
[透明電極]
透明電極4は、有機発光素子に一般的に用いられている光透過性を有する陽極材料によって形成することができる。陽極材料としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、又は、これらの混合物等が挙げられる。具体的には、例えば、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料を用いることができる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等の非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いることができる。
[Transparent electrode]
The
透明電極4の膜厚は、材料に応じて適宜のものとすることができるが、10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲とする。透明電極4のシート抵抗は、数百Ω/□以下であることが好ましい。
The film thickness of the
[対向電極]
対向電極6は、有機発光素子に一般的に用いられている陰極材料によって形成することができる。陰極材料としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、又は、これらの混合物を電極物質とする電極が挙げられる。具体的には、例えば、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム、銀、銀を主成分とする合金、アルミニウム/銀混合物、希土類金属等が挙げられる。
[Counter electrode]
The
対向電極6の膜厚は、材料に応じて適宜のものとすることができるが、10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲とする。対向電極6のシート抵抗は、数百Ω/□以下であることが好ましい。
The thickness of the
[有機層]
有機層5は、一般的な有機発光素子において採用されている適宜の層構成とすることができる。具体的には、次のような構成を例示することができる。
(1)正孔輸送層/発光層/電子輸送層
(2)正孔輸送層/発光層/電子輸送層
(3)正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層
(4)正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層
(5)正孔注入層/第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/発光層/第1電子輸送層/第2電子輸送層/電子注入層
(6)正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層
(7)正孔注入層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層
[Organic layer]
The
(1) Hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer (2) Hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer (3) Hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport Layer (4) hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer (5) hole injection layer / first hole transport layer / second hole transport layer / light emitting layer / first 1 electron transport layer / second electron transport layer / electron injection layer (6) hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer (7) hole injection layer / Hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer
≪発光層≫
発光層は、電極から注入されてくる電子と正孔とが再結合して発光する層である。発光層は、発光を生じる有機発光材料を含有している。有機発光材料としては、ホスト化合物とドーパント化合物とを含有することが好ましい。なお、発光する部分は、発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
≪Luminescent layer≫
The light emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode. The light emitting layer contains an organic light emitting material that emits light. The organic light emitting material preferably contains a host compound and a dopant compound. Note that the light emitting portion may be in the light emitting layer or at the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
各発光層には複数のホスト化合物及びドーパント化合物が含まれていてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機発光素子を高効率化することができる。 Each light emitting layer may contain a plurality of host compounds and dopant compounds. By using a plurality of types of host compounds, the movement of charges can be adjusted, and the efficiency of the organic light-emitting element can be increased.
ドーパント化合物としては、燐光発光性ドーパント化合物や蛍光発光性ドーパント化合物を用いることができる。また、ドーパント化合物は、発光層の膜厚方向に対して、均一な濃度で含有されていてもよく、濃度分布を有していてもよい。 As the dopant compound, a phosphorescent dopant compound or a fluorescent dopant compound can be used. Further, the dopant compound may be contained at a uniform concentration with respect to the film thickness direction of the light emitting layer, or may have a concentration distribution.
<燐光発光性ドーパント化合物>
燐光発光性ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物である。具体的には、室温(25℃)にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義される。燐光発光性ドーパント化合物としては、一般的な有機発光素子の発光層に使用される公知の化合物を用いることができる。燐光発光性ドーパント化合物の燐光量子収率は、好ましくは0.1以上である。
<Phosphorescent dopant compound>
A phosphorescent dopant compound is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and is defined as a compound having a phosphorescence quantum yield of 0.01 or more at 25 ° C. As the phosphorescent dopant compound, a known compound used for a light emitting layer of a general organic light emitting device can be used. The phosphorescent quantum yield of the phosphorescent dopant compound is preferably 0.1 or more.
<蛍光発光性ドーパント化合物>
蛍光発光性ドーパント化合物としては、一般的な有機発光素子の発光層に使用される公知の化合物を用いることができる。具体的には、例えば、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
<Fluorescent luminescent dopant compound>
As the fluorescent light emitting dopant compound, a known compound used for a light emitting layer of a general organic light emitting device can be used. Specifically, for example, coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes. System dyes, polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like.
発光層の膜厚は、好ましくは5nm〜200nm、より好ましくは10nm〜100nmである。発光層の膜厚がこのような範囲であると、形成される発光層の均質性が確保され易く、また、駆動電圧が過度に高くなる恐れが低くなる。 The thickness of the light emitting layer is preferably 5 nm to 200 nm, more preferably 10 nm to 100 nm. When the thickness of the light emitting layer is in such a range, the uniformity of the formed light emitting layer is easily ensured, and the possibility that the driving voltage becomes excessively high is reduced.
<ホスト化合物>
ホスト化合物は、発光層において主に電荷の輸送を担う化合物である。ホスト化合物としては、室温(25℃)における燐光発光の燐光量子収率が、0.1未満の化合物が好ましく、0.01未満の化合物がより好ましい。また、ホスト化合物は、発光層に含有される化合物のうちで、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
<Host compound>
The host compound is a compound mainly responsible for charge transport in the light emitting layer. As a host compound, the compound whose phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission in room temperature (25 degreeC) is less than 0.1 is preferable, and the compound less than 0.01 is more preferable. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer as a host compound.
ホスト化合物としては、一般的な有機発光素子の発光層に使用される公知の化合物を用いることができる。具体的には、例えば、カルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有する化合物や、カルボリン誘導体や、ジアザカルバゾール誘導体(カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているもの)等が挙げられる。ホスト化合物は、低分子化合物や、繰り返し単位を有する高分子化合物でもよく、或いは、ビニル基やエポキシ基のような反応性基を有する化合物でもよい。ホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有し、且つ、発光の長波長化を防ぎ、高ガラス転移温度(Tg)である化合物が好ましい。ホスト化合物のTgは、好ましくは90℃以上、より好ましくは120℃以上である。なお、Tgは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。 As a host compound, the well-known compound used for the light emitting layer of a general organic light emitting element can be used. Specifically, for example, compounds having a basic skeleton such as carbazole derivatives, triarylamine derivatives, aromatic derivatives, nitrogen-containing heterocyclic compounds, thiophene derivatives, furan derivatives, oligoarylene compounds, carboline derivatives, diazacarbazole Derivatives (wherein at least one carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative is substituted with a nitrogen atom), and the like. The host compound may be a low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a compound having a reactive group such as a vinyl group or an epoxy group. As the host compound, a compound having a hole transporting ability or an electron transporting ability, preventing emission light from being long-wavelength, and having a high glass transition temperature (Tg) is preferable. The Tg of the host compound is preferably 90 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. In addition, Tg is a value calculated | required by the method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry: Differential scanning calorimetry).
≪正孔輸送層≫
正孔輸送層は、注入された正孔を発光層側に輸送する機能を有する層である。
≪Hole transport layer≫
The hole transport layer is a layer having a function of transporting injected holes to the light emitting layer side.
正孔輸送層に適用可能な材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、ポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖若しくは側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えば、PEDOT:PSS、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。 Examples of materials applicable to the hole transport layer include porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, Polyarylalkane derivatives, triarylamine derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, polyvinylcarbazole, aromatic amines in the main chain or side chain Introduced polymer material or oligomer, polysilane, conductive polymer or oligomer (for example, PEDOT: PSS, aniline copolymer, polyaniline) Polythiophene, etc.) and the like.
正孔輸送層の膜厚は、特に制限されるものではないが、通常5nm〜5μm、好ましくは2nm〜500nm、より好ましくは5nm〜200nmである。 The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm.
≪電子輸送層≫
電子輸送層は、注入された電子を発光層側に輸送する機能を有する層である。電子輸送層は、単層からなるものであっても、複数層からなるものであってもよい。
≪Electron transport layer≫
The electron transport layer is a layer having a function of transporting injected electrons to the light emitting layer side. The electron transport layer may be a single layer or a plurality of layers.
電子輸送層に適用可能な材料としては、例えば、含窒素芳香族複素環誘導体、芳香族炭化水素環誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。含窒素芳香族複素環誘導体としては、例えば、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子に置換)、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等が挙げられる。また、芳香族炭化水素環誘導体としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体等が挙げられる。 Examples of materials applicable to the electron transport layer include nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, silole derivatives, and the like. Examples of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivative include carbazole derivatives, azacarbazole derivatives (one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are substituted with nitrogen atoms), pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, triazines. Derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, phenanthroline derivatives, azatriphenylene derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, and the like. Examples of the aromatic hydrocarbon ring derivative include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, and triphenylene derivatives.
電子輸送層の膜厚は、特に制限されるものではないが、2nm〜5μm、好ましくは2nm〜500nmであり、より好ましくは5nm〜200nmである。また、電子輸送層の電子移動度は、好ましくは10−5cm2/Vs以上である。 The film thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is 2 nm to 5 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm. Further, the electron mobility of the electron transport layer is preferably 10 −5 cm 2 / Vs or more.
≪正孔注入層≫
正孔注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層である。正孔注入層は、例えば、陽極と発光層との間や、陽極と正孔輸送層との間に介在させることができる。正孔注入層については、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
≪Hole injection layer≫
The hole injection layer is a layer provided between the anode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance. The hole injection layer can be interposed, for example, between the anode and the light emitting layer or between the anode and the hole transport layer. For the hole injection layer, see “Organic EL devices and their forefront of industrialization” (November 30, 1998, issued by NTT),
≪電子注入層≫
電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層である。電子注入層は、例えば、陰極と発光層との間や、陰極と電子輸送層との間に介在させることができる。電子注入層については、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
≪Electron injection layer≫
The electron injection layer is a layer provided between the cathode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance. The electron injection layer can be interposed, for example, between the cathode and the light emitting layer, or between the cathode and the electron transport layer. The details of the electron injection layer are described in
電子注入層の膜厚は、特に制限されるものではないが、好ましくは0.1nm〜5μmである。 The thickness of the electron injection layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 nm to 5 μm.
≪正孔阻止層≫
正孔阻止層は、広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい層とされる。電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
≪Hole blocking layer≫
The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and has a function of transporting electrons while having a very small ability to transport holes. By blocking holes while transporting electrons, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
正孔阻止層に適用可能な正孔阻止材料としては、例えば、電子輸送層に適用可能な材料として挙げられた化合物や、ホスト化合物として挙げられた化合物等が挙げられる。 Examples of the hole blocking material applicable to the hole blocking layer include compounds listed as materials applicable to the electron transport layer, compounds listed as host compounds, and the like.
正孔阻止層の膜厚は、好ましくは3nm〜100nmであり、より好ましくは5nm〜30nmである。 The thickness of the hole blocking layer is preferably 3 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 30 nm.
≪電子阻止層≫
電子阻止層は、広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい層とされる。正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
≪Electron blocking layer≫
The electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and has a function of transporting holes while having a remarkably small ability to transport electrons. By blocking electrons while transporting holes, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
電子阻止層に適用可能な電子阻止材料としては、例えば、正孔輸送材料と同様の種を用いることができる。正孔輸送層に適用可能な材料と同様の化合物や、ホスト化合物と同様の化合物等が挙げられる。 As an electron blocking material applicable to the electron blocking layer, for example, the same species as the hole transporting material can be used. Examples thereof include compounds similar to materials applicable to the hole transport layer and compounds similar to host compounds.
電子阻止層の膜厚は、好ましくは3nm〜100nmであり、より好ましくは5nm〜30nmである。 The thickness of the electron blocking layer is preferably 3 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 30 nm.
[封止部材]
封止部材8は、接着剤からなる接着剤層7を介して有機発光素子を封止する。封止部材8は、有機発光素子の表示領域を覆うように配置されればよく、凹板状でも平板状でもよい。封止部材8の透明性や電気絶縁性は、特に問わない。
[Sealing member]
The sealing
封止部材8としては、例えば、ガラス板、ポリマー板、ポリマーフィルム、金属板、金属フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、具体的には、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。ポリマー板、ポリマーフィルムとしては、具体的には、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等が挙げられる。金属板、金属フィルムとしては、具体的には、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又はこれらの合金からなるものが挙げられる。封止部材を凹状に加工するには、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等を用いることができる。封止部材8として特に好ましいのは、可撓性を有する樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、前記の透明基板1と同様のものから選択して用いることができる。また、多層構造であってよいし、ガスバリア性を有するバリア層が積層されていてもよい。
Examples of the sealing
封止部材を接着させる接着剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマー等の反応性ビニル基を有する光硬化型又は熱硬化型接着剤や、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型接着剤や、エポキシ系等の熱硬化型又は化学硬化型(二液混合)接着剤や、ホットメルト型のポリアミド系、ポリエステル系、ポリオレフィン系等の接着剤や、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が挙げられる。 As an adhesive for adhering the sealing member, a photo-curing or thermosetting adhesive having a reactive vinyl group such as an acrylic acid oligomer or a methacrylic acid oligomer, or a moisture curing type such as 2-cyanoacrylate Adhesives, epoxy-based thermosetting or chemical-curing (two-component mixed) adhesives, hot-melt polyamide-based, polyester-based, polyolefin-based adhesives, and cationic-curing UV-curable epoxy A resin adhesive is mentioned.
接着剤は、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってよいし、スクリーン印刷によってもよい。 The adhesive is preferably one that can be adhesively cured from room temperature to 80 ° C. The adhesive may be applied using a commercially available dispenser or screen printing.
≪用途≫
以上の本発明に係る有機発光素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源としては、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。有機発光素子には、共振器構造を持たせてもよく、レーザー発振をさせることによって使用してもよい。
≪Usage≫
The organic light emitting device according to the present invention as described above can be used as a display device, a display, and various light emission sources. Examples of light emission sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light sensors Examples include a light source. The organic light emitting element may have a resonator structure or may be used by causing laser oscillation.
以下、本発明の実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited thereto.
<有機発光素子の製造>
本発明の実施例として、光取り出し層形成工程S10と、真空加熱処理工程S20と、バリア層形成工程S30と、透明電極形成工程S40と、有機層形成工程S50と、対向電極形成工程S60と、封止工程S70とを経て、光取り出し層2とバリア層3と透明電極4とが順に積層され、透明電極4上に有機層5と透明電極4の対極である対向電極6とが配置された有機発光素子の試料を製造した。そして、その有機発光素子の試料について、発光効率を評価した。
<Manufacture of organic light emitting devices>
Examples of the present invention include a light extraction layer forming step S10, a vacuum heat treatment step S20, a barrier layer forming step S30, a transparent electrode forming step S40, an organic layer forming step S50, a counter electrode forming step S60, Through the sealing step S70, the
[実施例1]
実施例1に係る有機発光素子は、大気環境におけるパターン塗布によって形成された光取り出し層に真空加熱処理を施して製造した。なお、光取り出し層2は、散乱層2aと平滑層2bとからなる2層構成とした。
[Example 1]
The organic light emitting device according to Example 1 was manufactured by subjecting a light extraction layer formed by pattern coating in an atmospheric environment to vacuum heat treatment. The
平滑層2bの塗布液は、酸化チタンをトルエンに分散した酸化チタン分散液と、硬化性樹脂をトルエンに溶解した硬化性樹脂溶液と、重合開始剤溶液とを、固形分比がそれぞれ44質量部、55質量部、1質量部となるように混合して調製した。なお、酸化チタン分散液としては、高透明性酸化チタンスラリー「HTD−760T」(テイカ株式会社製、平均粒径15nm、40%トルエン)を使用した。また、硬化性樹脂溶液としては、フルオレン誘導体「OGSOL EA−0200」(大阪ガスケミカル株式会社製)を使用した。また、重合開始剤としては、油溶性アゾ重合開始剤「V−65」(和光純薬工業株式会社製)を使用した。 The coating solution for the smooth layer 2b is composed of a titanium oxide dispersion in which titanium oxide is dispersed in toluene, a curable resin solution in which a curable resin is dissolved in toluene, and a polymerization initiator solution, each having a solid content ratio of 44 parts by mass. , 55 parts by mass and 1 part by mass. As the titanium oxide dispersion, a highly transparent titanium oxide slurry “HTD-760T” (manufactured by Teika Co., Ltd., average particle diameter of 15 nm, 40% toluene) was used. As the curable resin solution, a fluorene derivative “OGSOL EA-0200” (manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.) was used. As the polymerization initiator, an oil-soluble azo polymerization initiator “V-65” (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used.
散乱層2aの塗布液は、酸化チタンをトルエンに分散した酸化チタン分散液と、硬化性樹脂をトルエンに溶解した硬化性樹脂溶液と、重合開始剤溶液とを、固形分比がそれぞれ44質量部、55質量部、1質量部となるように混合し、この溶液に光散乱粒子を、固形分比がそれぞれ40質量部、60質量部となるように混合して分散させて調製した。なお、酸化チタン分散液、硬化性樹脂溶液及び重合開始剤は、平滑層2bの塗布液と同種のものを使用した。また、光散乱粒子としては、メラミン樹脂とシリカとからなる粒子「オプトビーズ 2000M」(日産化学工業株式会社製、平均粒径2.0μm)を使用した。
The coating solution for the
はじめに、透明基板1を中性洗剤溶液中で超音波洗浄した後、純水中で超音波洗浄し、洗浄された透明基板1を120℃で120分間にわたって加熱乾燥させた。なお、透明基板1としては、厚さ0.7mm、屈折率(nD)1.51の無アルカリガラス製基板「Eagle XG」(コーニング社製)を使用した。
First, the
続いて、透明基板1上に、散乱層2aの塗布液をインクジェット法によってパターン塗布し、加熱処理することによって熱硬化させて、平均膜厚が25μmの散乱層2aを形成した。次いで、形成された散乱層2a上に、平滑層2bの塗布液をインクジェット法によってパターン塗布し、加熱処理することによって熱硬化させて、平均膜厚が10μmの平滑層2bを形成した。
Subsequently, a coating liquid for the
形成された光取り出し層2には真空加熱処理を施した。真空加熱処理は、真空度を1.0×10−5Paとした減圧雰囲気で、赤外線加熱源(ハロゲンランプ)を用いた赤外線加熱装置により行った。加熱処理時間は、30分間とし、加熱温度は、基板温度が80℃になるように設定した。続いて、形成された平滑層2bと透明基板1の非塗布領域との全面に、容量結合プラズマCVD装置によって、SiNを前駆体とする平均膜厚が300nmのバリア層3を形成した。
The formed
次に、バリア層3上に、スパッタリング法によって、ITOからなる膜厚が100nmの透明電極4を形成した。有機層5としては、正孔注入層、第1正孔輸送層、第2正孔輸送層、発光層、第1電子輸送層、第2電子輸送層、電子注入層の7層を次のとおり形成した。
Next, a
はじめに、透明電極4上に、真空蒸着法によって、99.7質量部の4,4’,4’’−トリス(N,N−(2−ナフチル)−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)と、0.3質量部のF4−TCNQとを共蒸着して、膜厚が150nmの正孔注入層を形成した。次いで、正孔注入層上に、真空蒸着法によって、α−NPDを蒸着して、膜厚が7nmの第1正孔輸送層を形成した。そして、第1正孔輸送層上に、真空蒸着法によって、下記化学式に示す正孔輸送材料を蒸着して、膜厚が3nmの第2正孔輸送層を形成した。
First, 99.7 parts by mass of 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N- (2-naphthyl) -phenylamino) triphenylamine (2-TNATA) was formed on the
続いて、第2正孔輸送層上に、真空蒸着法によって、60質量部の下記ホスト材料と、40質量部の下記化学式に示す燐光発光材料とを共蒸着して、膜厚が30nmの発光層を形成した。 Subsequently, 60 parts by mass of the following host material and 40 parts by mass of the phosphorescent light-emitting material represented by the following chemical formula are co-evaporated on the second hole transport layer by a vacuum deposition method, thereby emitting light having a thickness of 30 nm. A layer was formed.
続いて、発光層上に、真空蒸着法によって、BAlq(ビス(2−メチル−8−キノリノレート)−4−(フェニルフェノラート)アルミニウム)を蒸着して、膜厚が39nmの第1電子輸送層を形成した。次いで、第1電子輸送層上に、真空蒸着法によって、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)を蒸着して、膜厚が1nmの第2電子輸送層を形成した。そして、第2電子輸送層上に、真空蒸着法によって、LiFを蒸着して、膜厚が1nmの電子注入層を形成した。 Subsequently, BAlq (bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolate) aluminum) is vapor-deposited on the light emitting layer by a vacuum vapor deposition method, and the first electron transport layer having a film thickness of 39 nm is formed. Formed. Next, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) is vapor-deposited on the first electron transport layer by a vacuum deposition method, and the second electron transport layer having a film thickness of 1 nm. Formed. And LiF was vapor-deposited on the 2nd electron carrying layer with the vacuum evaporation method, and the electron injection layer with a film thickness of 1 nm was formed.
次に、電子注入層上に、真空蒸着法によって、Alを蒸着して、膜厚が100nmの対向電極6を形成した。そして、透明基板1の対向電極6が形成された側に、封止部材を接着剤を介して貼合して封止を行って、実施例に係る有機発光素子とした。
Next, Al was vapor-deposited on the electron injection layer by vacuum vapor deposition to form a
[比較例1]
比較例1に係る有機発光素子は、真空加熱処理を実施しない製造工程とした点を除いて実施例1と同様にして製造した。
[Comparative Example 1]
The organic light emitting device according to Comparative Example 1 was manufactured in the same manner as Example 1 except that the manufacturing process was not performed by vacuum heat treatment.
[比較例2]
比較例2に係る有機発光素子は、透明基板1上に散乱層2aと平滑層2bとをそれぞれ全面塗布した点を除いて実施例1と同様にして製造した。
[Comparative Example 2]
The organic light emitting device according to Comparative Example 2 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the
[比較例3]
比較例3に係る有機発光素子は、透明基板1上に散乱層2aと平滑層2bとをそれぞれ全面塗布すると共に、真空加熱処理を実施しない製造工程とした点を除いて実施例1と同様にして製造した。
[Comparative Example 3]
The organic light emitting device according to Comparative Example 3 is the same as Example 1 except that the
<ダークスポットの評価>
以上の実施例1に係る有機発光素子、比較例1〜比較例3に係る有機発光素子について、ダークスポットの発生度合を評価した。なお、ダークスポットの発生度合は、高温処理後及び常温長時間駆動後のそれぞれにおいて、各有機発光素子を100cd/m2で発光させて、ルーペを使用した目視により評価した。
<Evaluation of dark spots>
About the organic light emitting element which concerns on the above Example 1, and the organic light emitting element which concerns on Comparative Example 1- Comparative Example 3, the generation | occurrence | production degree of a dark spot was evaluated. Note that the degree of occurrence of dark spots was evaluated by visual observation using a loupe after causing each organic light emitting element to emit light at 100 cd / m 2 after high-temperature treatment and after long-term driving at room temperature.
<高温処理後のダークスポット(アウトガス)の評価>
以上の実施例1に係る有機発光素子、比較例1〜比較例3に係る有機発光素子について、各有機発光素子を85℃の高温環境下において、10時間にわたって加熱処理した後のダークスポットの発生度合を評価した。
表1に示すダークスポットの評価ランクは次の基準による。
○:ダークスポットの発生が認められない
△:微小なダークスポットが認められるが、視認し難いサイズである
×:容易に視認できるダークスポットが発生している
<Evaluation of dark spot (outgas) after high temperature treatment>
About the organic light emitting device according to Example 1 and the organic light emitting devices according to Comparative Examples 1 to 3, generation of dark spots after heating each organic light emitting device for 10 hours in a high temperature environment of 85 ° C. The degree was evaluated.
The dark spot evaluation rank shown in Table 1 is based on the following criteria.
○: Generation of dark spots is not observed Δ: Minute dark spots are recognized, but the size is difficult to visually recognize ×: Dark spots that are easily visible are generated
<常温長時間駆動後のダークスポット(寿命)の評価>
以上の実施例1に係る有機発光素子、比較例1〜比較例3に係る有機発光素子について、各有機発光素子を25℃50%RHの常温環境下において、2.5mA/cm2の定電流条件下で500時間駆動した後のダークスポットの発生度合を評価した。
表1に示すダークスポットの評価ランクは次の基準による。
○:ダークスポットの発生が認められない
△:微小なダークスポットが認められるが、視認し難いサイズである
×:容易に視認できるダークスポットが発生している。
<Evaluation of dark spots (lifetime) after long-term operation at room temperature>
For the organic light-emitting device according to Example 1 and the organic light-emitting devices according to Comparative Examples 1 to 3, each organic light-emitting device has a constant current of 2.5 mA / cm 2 in a room temperature environment of 25 ° C. and 50% RH. The degree of occurrence of dark spots after driving for 500 hours under the conditions was evaluated.
The dark spot evaluation rank shown in Table 1 is based on the following criteria.
◯: Generation of dark spots is not observed Δ: A minute dark spot is recognized, but the size is difficult to visually recognize x: Dark spots that can be easily recognized are generated.
表1において、パターン塗布「+」は、光取り出し層をパターン形成したこと、パターン塗布「−」は、光取り出し層を全面塗布したことを示す。また、真空加熱処理「+」は、減圧雰囲気における加熱処理を施したこと、真空加熱処理「−」は、減圧のみを施したこと(減圧下バリア層を成膜したこと)を示す。表1に示すように、光取り出し層をパターン形成した比較例1では、光取り出し層を全面塗布した比較例3よりも、視認し得るダークスポットが発生し易くなっていることが分かる。これは、光取り出し層をパターン形成した比較例1では、光取り出し層を全面塗布した比較例3よりも、光取り出し層上に成膜されたバリア層の性能が低下してしまっており、高温環境下においてアウトガスの影響によるダークスポットの発生が増したためであると考えられる。これに対して、真空加熱処理を施した実施例1では、光取り出し層がパターン形成されているにも拘らず、ダークスポットの発生が低減していることが分かる。これは、光取り出し層のアウトガスがバリア層形成前の真空加熱処理によって低減したためであると考えられる。また、光取り出し層を全面塗布した比較例2及び比較例3では、光取り出し層を通して外部の水分等が素子にダメージを与えるため、長時間駆動後にダークスポットが発生し易くなっており、発光寿命が短くなることが分かる。 In Table 1, the pattern application “+” indicates that the light extraction layer is formed by patterning, and the pattern application “−” indicates that the entire surface of the light extraction layer is applied. Further, the vacuum heat treatment “+” indicates that the heat treatment was performed in a reduced pressure atmosphere, and the vacuum heat treatment “−” indicates that the pressure reduction was performed only (the barrier layer was formed under a reduced pressure). As shown in Table 1, it can be seen that in Comparative Example 1 in which the light extraction layer is patterned, dark spots that can be visually recognized are more likely to occur than in Comparative Example 3 in which the light extraction layer is applied over the entire surface. This is because the performance of the barrier layer formed on the light extraction layer is lower in Comparative Example 1 in which the light extraction layer is patterned than in Comparative Example 3 in which the entire surface of the light extraction layer is applied. This is thought to be due to the increased occurrence of dark spots under the influence of outgas in the environment. On the other hand, in Example 1 which performed the vacuum heat processing, it turns out that generation | occurrence | production of a dark spot is reduced although the light extraction layer is patterned. This is considered to be because the outgas of the light extraction layer was reduced by the vacuum heat treatment before the barrier layer was formed. In Comparative Example 2 and Comparative Example 3 in which the light extraction layer was applied over the entire surface, external moisture or the like damages the element through the light extraction layer, so that dark spots are likely to occur after long-time driving, and the light emission lifetime. It turns out that becomes short.
S10 光取り出し層形成工程
S20 真空加熱処理工程
S30 バリア層形成工程
S40 透明電極形成工程
S50 有機層形成工程
S60 対向電極形成工程
S70 封止工程
S10 Light extraction layer formation step S20 Vacuum heat treatment step S30 Barrier layer formation step S40 Transparent electrode formation step S50 Organic layer formation step S60 Counter electrode formation step S70 Sealing step
Claims (3)
前記透明基板上に大気環境におけるパターン塗布によって前記光取り出し層を形成する工程と、
形成された前記光取り出し層に真空加熱処理を施す工程と、
真空加熱処理された前記光取り出し層を減圧雰囲気に保持したまま、前記光取り出し層上に連続して前記バリア層を形成する工程と、
形成された前記バリア層上に前記透明電極を形成する工程とを含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 A light extraction layer, a barrier layer, and a transparent electrode are sequentially laminated on the transparent substrate, and an organic layer containing an organic light emitting material and a counter electrode that is a counter electrode of the transparent electrode are disposed on the transparent electrode. A method of manufacturing an organic light emitting device,
Forming the light extraction layer on the transparent substrate by pattern application in an atmospheric environment;
A step of subjecting the formed light extraction layer to a vacuum heat treatment;
Forming the barrier layer continuously on the light extraction layer while maintaining the light extraction layer that has been vacuum-heated in a reduced-pressure atmosphere; and
And a step of forming the transparent electrode on the formed barrier layer.
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