JP2016118197A - Fuel injection control device - Google Patents

Fuel injection control device Download PDF

Info

Publication number
JP2016118197A
JP2016118197A JP2015234931A JP2015234931A JP2016118197A JP 2016118197 A JP2016118197 A JP 2016118197A JP 2015234931 A JP2015234931 A JP 2015234931A JP 2015234931 A JP2015234931 A JP 2015234931A JP 2016118197 A JP2016118197 A JP 2016118197A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching element
mosa1
state
mosa2
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015234931A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6575333B2 (en
Inventor
智公 平井
Tomokimi Hirai
智公 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to DE102015225378.3A priority Critical patent/DE102015225378B4/en
Publication of JP2016118197A publication Critical patent/JP2016118197A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6575333B2 publication Critical patent/JP6575333B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to accurately control an injection state by suppressing the temperature increase of a switching element.SOLUTION: A fuel injection control device switches over between a current-carrying state for carrying a current to a coil 14 of a fuel injection valve 10 and a cutoff state for cutting off current carrying. This fuel injection control device comprises a first MOSa1 provided in a low-potential line 20L; a second MOSa2 connected in parallel to the first MOSa1; and a microcomputer 21 which controls the operation of the first MOSa1 and the second MOSa2. The microcomputer 21 switches over between a first current-carrying state for turning the state into the current-carrying state by controlling the first MOSa1 to be turned on and the second MOSa2 to be turned off, and a second current-carrying state for turning the state into the current-carrying state by controlling the second MOSa2 to be turned on and the first MOSa1 to be turned off.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、燃料噴射弁のコイルへの通電状態を制御する燃料噴射制御装置に関する。   The present invention relates to a fuel injection control device that controls the energization state of a coil of a fuel injection valve.

従来より、コイルへ通電して生じた電磁吸引力により弁体を開弁作動させて、燃料を噴射させる燃料噴射弁が知られている。そして、コイルへの通電状態を制御する制御装置が特許文献1に開示されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a fuel injection valve for injecting fuel by opening a valve body by electromagnetic attraction generated by energizing a coil. And the control apparatus which controls the electricity supply state to a coil is disclosed by patent document 1. FIG.

この制御装置が備える通電経路のうち、コイルの高電圧側に接続された高圧側通電経路、およびコイルの接地側に接続された接地側通電経路の各々には、スイッチング素子が設けられている。そして、これらスイッチング素子の両方をオン作動させると、コイルが通電状態となり、弁体が開弁して燃料が噴射される。   Among the energization paths provided in the control device, switching elements are provided in each of the high-voltage side energization path connected to the high voltage side of the coil and the ground-side energization path connected to the ground side of the coil. When both of these switching elements are turned on, the coil is energized, the valve element is opened, and fuel is injected.

特開2014−95325号公報JP 2014-95325 A

さて、スイッチング素子は通電により発熱する。この発熱によりスイッチング素子が温度上昇すると、スイッチング素子の電気抵抗が高くなるので、コイルを流れる電流が減少して、電磁吸引力の上昇速度が遅くなる。その結果、通電を開始してから弁体が開弁開始するまでの時間が長くなるので、燃料の噴射開始タイミングが所望のタイミングよりも遅くなる。また、噴射開始タイミングが遅くなることにより開弁時間(噴射時間)が短くなり、噴射量が所望の量より少なくなる。   Now, the switching element generates heat when energized. When the temperature of the switching element rises due to this heat generation, the electrical resistance of the switching element increases, so the current flowing through the coil decreases and the rate of increase of the electromagnetic attractive force slows. As a result, the time from the start of energization until the valve element starts to open becomes longer, so the fuel injection start timing becomes later than the desired timing. In addition, since the injection start timing is delayed, the valve opening time (injection time) is shortened, and the injection amount becomes smaller than the desired amount.

要するに、スイッチング素子が通電により発熱して温度上昇すると、噴射開始タイミングや噴射量といった噴射特性が変化する。そのため、噴射状態を精度良く制御できなくなる。   In short, when the switching element generates heat by energization and the temperature rises, the injection characteristics such as the injection start timing and the injection amount change. Therefore, it becomes impossible to control the injection state with high accuracy.

本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、その目的は、スイッチング素子の温度上昇を抑制することで、噴射状態を精度良く制御可能にした燃料噴射制御装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a fuel injection control device that can control an injection state with high accuracy by suppressing a temperature rise of a switching element.

ここに開示される発明は上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。   The invention disclosed herein employs the following technical means to achieve the above object. Note that the reference numerals in parentheses described in the claims and in this section indicate the correspondence with the specific means described in the embodiments described later, and do not limit the technical scope of the invention. .

開示される発明のひとつは、燃料噴射弁(10)のコイル(14)に通電する通電状態とコイルへの通電を遮断する遮断状態とを切り替える燃料噴射制御装置において、コイルに接続される通電経路(20L)に設けられた第1スイッチング素子(a1)と、第1スイッチング素子に対して並列に接続された第2スイッチング素子(a2)と、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子の作動を制御する制御手段(21)と、を備え、制御手段は、第1スイッチング素子をオン作動させつつ第2スイッチング素子をオフ作動させることで通電状態にする第1通電状態と、第2スイッチング素子をオン作動させつつ第1スイッチング素子をオフ作動させることで通電状態にする第2通電状態と、に切り替えることを特徴とする。   One of the disclosed inventions is an energization path connected to a coil in a fuel injection control device that switches between an energized state for energizing the coil (14) of the fuel injection valve (10) and an interrupted state for deenergizing the coil. The first switching element (a1) provided in (20L), the second switching element (a2) connected in parallel to the first switching element, and the operation of the first switching element and the second switching element are controlled. Control means (21) for controlling the first switching element to turn on the second switching element while turning on the second switching element while turning on the first switching element, and to turn on the second switching element. It is characterized by switching to the 2nd electricity supply state made into an electricity supply state by turning off a 1st switching element, operating.

この発明によれば、並列接続された第1スイッチング素子および第2スイッチング素子を備え、コイルを通電状態にするにあたり、第1スイッチング素子を用いた第1通電状態と、第2スイッチング素子を用いた第2通電状態とに切り替える。そのため、第1通電状態による通電オンにより第1スイッチング素子が温度上昇しても、その後の第2通電状態による通電オフの期間に、第1スイッチング素子の温度が低下する。第2スイッチング素子についても同様にして、第1通電状態による通電オフの期間に温度が低下する。   According to the present invention, the first switching element and the second switching element connected in parallel are provided, and the first energized state using the first switching element and the second switching element are used to make the coil energized. Switch to the second energized state. Therefore, even if the temperature of the first switching element rises due to energization on in the first energization state, the temperature of the first switching element decreases during the energization off period in the subsequent second energization state. Similarly, the temperature of the second switching element is lowered during the energization off period in the first energization state.

したがって、一つのスイッチング素子を、切り替えることなく継続して使用する場合に比べて、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子の温度上昇を抑制できる。よって、電磁吸引力の低下を抑制でき、噴射状態を精度良く制御できるようになる。   Therefore, temperature rise of the first switching element and the second switching element can be suppressed as compared with the case where one switching element is continuously used without switching. Therefore, it is possible to suppress a decrease in electromagnetic attraction force and to control the injection state with high accuracy.

本発明の第1実施形態に係る燃料噴射弁制御装置を示す回路図。1 is a circuit diagram showing a fuel injection valve control device according to a first embodiment of the present invention. 図1に示す制御装置にて出力される各種信号の時間変化と、燃料噴射弁のコイルに流れる電流の時間変化を表す図。The figure showing the time change of the various signals output with the control apparatus shown in FIG. 1, and the time change of the electric current which flows into the coil of a fuel injection valve. 第1実施形態において、第1MOSおよび第2MOSをマイコンが制御する手順を示すフローチャート。5 is a flowchart illustrating a procedure in which a microcomputer controls a first MOS and a second MOS in the first embodiment. 第1実施形態において、常温時に通電状態を切り替える一例を示す図。The figure which shows an example which switches an electricity supply state in 1st Embodiment at normal temperature. 第1実施形態において、高温時に通電状態を切り替える一例を示す図。The figure which shows an example which switches an electricity supply state at the time of high temperature in 1st Embodiment. 第1実施形態において、常温時かつ多段噴射時に通電状態を切り替える一例を示す図。The figure which shows an example which switches an electricity supply state at the time of normal temperature and multistage injection in 1st Embodiment. 第1実施形態において、高温時かつ多段噴射時に通電状態を切り替える一例を示す図。The figure which shows an example which switches an electricity supply state at the time of high temperature and multistage injection in 1st Embodiment. 第1実施形態において、第1MOSおよび第2MOSを同時オンさせる一例を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of simultaneously turning on a first MOS and a second MOS in the first embodiment. 本発明の第2実施形態において、第1MOSおよび第2MOSをマイコンが制御する手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure in which a microcomputer controls 1st MOS and 2nd MOS in 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態において、第1MOSおよび第2MOSをマイコンが制御する手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure in which a microcomputer controls 1st MOS and 2nd MOS in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態において、第1MOSおよび第2MOSをマイコンが制御する手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure in which a microcomputer controls 1st MOS and 2nd MOS in 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態に係る燃料噴射弁制御装置を示す回路図。The circuit diagram which shows the fuel injection valve control apparatus which concerns on 5th Embodiment of this invention.

以下、図面を参照しながら発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。   Hereinafter, a plurality of modes for carrying out the invention will be described with reference to the drawings. In each embodiment, portions corresponding to the matters described in the preceding embodiment may be denoted by the same reference numerals and redundant description may be omitted. In each embodiment, when only a part of the configuration is described, the other configurations described above can be applied to other portions of the configuration.

(第1実施形態)
図1に示す燃料噴射弁10は、内燃機関に搭載されており、内燃機関の燃焼室へ直接燃料を噴射するものである。燃料噴射弁10は、燃料通路を内部に有するとともに、燃料を噴射する噴孔11aを有するボデー11を備える。ボデー11内には、弁体12、可動コア(図示せず)および固定コア13等が収容されている。弁体12は、ボデー11の着座面11bに離着座するシート面12aを有する。シート面12aを着座面11bに着座させるよう弁体12を閉弁作動させると、噴孔11aからの燃料噴射が停止される。シート面12aを着座面11bから離座させるよう弁体12を開弁作動(リフトアップ)させると、噴孔11aから燃料が噴射される。
(First embodiment)
A fuel injection valve 10 shown in FIG. 1 is mounted on an internal combustion engine and injects fuel directly into a combustion chamber of the internal combustion engine. The fuel injection valve 10 includes a body 11 having a fuel passage and an injection hole 11a for injecting fuel. In the body 11, a valve body 12, a movable core (not shown), a fixed core 13 and the like are accommodated. The valve body 12 has a seat surface 12 a that is separated from and seated on the seating surface 11 b of the body 11. When the valve body 12 is closed so that the seat surface 12a is seated on the seating surface 11b, fuel injection from the nozzle hole 11a is stopped. When the valve body 12 is opened (lifted up) so as to separate the seat surface 12a from the seating surface 11b, fuel is injected from the injection hole 11a.

固定コア13は、鉄心にコイル14を巻き回して構成され、コイル14に通電すると固定コア13は磁気吸引力を生じさせ、この磁気吸引力により可動コアが固定コア13に引き寄せられてリフトアップする。可動コアに結合された弁体12は、可動コアとともにリフトアップ(開弁作動)する。一方、コイル14への通電を停止させると、スプリング(図示せず)の弾性力により、弁体12は可動コアとともに閉弁作動する。   The fixed core 13 is configured by winding a coil 14 around an iron core. When the coil 14 is energized, the fixed core 13 generates a magnetic attractive force, and the movable core is attracted to the fixed core 13 by this magnetic attractive force and lifts up. . The valve body 12 coupled to the movable core lifts up (valve opening operation) together with the movable core. On the other hand, when energization of the coil 14 is stopped, the valve body 12 is closed together with the movable core by the elastic force of a spring (not shown).

電子制御装置(ECU20)は、マイクロコンピュータ(マイコン21)、集積回路(IC22)、昇圧回路23、および各種スイッチング素子等をケース20a内に収容して構成される。マイコン21は、中央演算装置、不揮発性メモリ(ROM)および揮発性メモリ(RAM)等を有する。マイコン21は、内燃機関の負荷および機関回転速度に基づき、燃料の目標噴射量、目標噴射開始時期、および多段噴射回数を算出する。具体的には、ECU20は、コイル14への通電時間tQ(図2(a)参照)を制御することで噴射量を制御し、通電開始時期を制御することで噴射開始時期を制御する。   The electronic control unit (ECU 20) is configured by accommodating a microcomputer (microcomputer 21), an integrated circuit (IC 22), a booster circuit 23, various switching elements, and the like in a case 20a. The microcomputer 21 includes a central processing unit, a nonvolatile memory (ROM), a volatile memory (RAM), and the like. The microcomputer 21 calculates the target injection amount of fuel, the target injection start timing, and the number of multistage injections based on the load of the internal combustion engine and the engine speed. Specifically, the ECU 20 controls the injection amount by controlling the energization time tQ (see FIG. 2A) to the coil 14, and controls the injection start timing by controlling the energization start timing.

IC22は、後述する昇圧用SW23c、高電位用SW24、低電位用SW25の作動を、マイコン21から出力された噴射指令信号に基づき制御する。噴射指令信号は、燃料噴射弁10のコイル14への通電状態を指令する信号であり、先述した目標噴射量および目標噴射開始時期と、後述するコイル電流検出値とに基づき、マイコン21により設定される。噴射指令信号には、図2(a)(b)(c)に示す駆動信号、開弁信号およびホールド信号が含まれている。   The IC 22 controls operations of a boosting SW 23c, a high potential SW 24, and a low potential SW 25, which will be described later, based on an injection command signal output from the microcomputer 21. The injection command signal is a signal for instructing the energization state of the coil 14 of the fuel injection valve 10, and is set by the microcomputer 21 based on the above-described target injection amount and target injection start timing and a coil current detection value described later. The The injection command signal includes a drive signal, a valve opening signal, and a hold signal shown in FIGS. 2 (a), 2 (b), and 2 (c).

昇圧回路23は、昇圧用コイル23a、コンデンサ23b、昇圧用SW23cおよびダイオード23dを有する。昇圧用SW23cは、半導体で形成されたスイッチング素子であり、図1の例では電界効果トランジスタが昇圧用SW23cに用いられている。そして、昇圧用SW23cがオン作動とオフ作動を繰り返すようにIC22が昇圧用SW23cを制御すると、バッテリ端子Bから印加されるバッテリ電圧が昇圧用コイル23aにより昇圧される。また、昇圧された電源の電圧変動はコンデンサ23bにより抑制される。   The booster circuit 23 includes a boosting coil 23a, a capacitor 23b, a boosting SW 23c, and a diode 23d. The boosting SW 23c is a switching element formed of a semiconductor. In the example of FIG. 1, a field effect transistor is used as the boosting SW 23c. When the IC 22 controls the boosting SW 23c so that the boosting SW 23c repeats the on operation and the off operation, the battery voltage applied from the battery terminal B is boosted by the boosting coil 23a. Further, the voltage fluctuation of the boosted power supply is suppressed by the capacitor 23b.

ケース20aには、燃料噴射弁10のコイル14に接続される端子20b、20cが取り付けられている。コイル14の高電位側に接続される端子20bは、ケース20a内に収容された高電位配線20Hに接続される。高電位配線20Hは2系統に分岐しており、一方の高電位配線20Hには、ダイオード24aおよび高電位用SW24が接続され、他方の高電位配線20Hには、ダイオード25aおよび低電位用SW25が接続される。つまり、高電位用SW24および低電位用SW25は並列に接続されている。高電位用SW24および低電位用SW25は、半導体で形成されたスイッチング素子であり、図1の例では電界効果トランジスタが用いられている。   Terminals 20b and 20c connected to the coil 14 of the fuel injection valve 10 are attached to the case 20a. A terminal 20b connected to the high potential side of the coil 14 is connected to a high potential wiring 20H accommodated in the case 20a. The high-potential wiring 20H is branched into two systems. The diode 24a and the high-potential SW 24 are connected to one high-potential wiring 20H, and the diode 25a and the low-potential SW 25 are connected to the other high-potential wiring 20H. Connected. That is, the high potential SW 24 and the low potential SW 25 are connected in parallel. The high potential SW 24 and the low potential SW 25 are switching elements formed of a semiconductor, and field effect transistors are used in the example of FIG.

高電位用SW24および低電位用SW25のゲート端子には、IC22からの信号が入力される。高電位用SW24および低電位用SW25のソース端子は、ダイオード24a、25aのアノード側に接続される。ダイオード24a、25aのカソード側は端子20bに接続される。高電位用SW24のドレイン端子には昇圧回路23が接続され、低電位用SW25のドレイン端子にはバッテリ端子Bが接続される。   Signals from the IC 22 are input to the gate terminals of the high potential SW 24 and the low potential SW 25. The source terminals of the high potential SW 24 and the low potential SW 25 are connected to the anode sides of the diodes 24a and 25a. The cathode sides of the diodes 24a and 25a are connected to the terminal 20b. The booster circuit 23 is connected to the drain terminal of the high potential SW 24, and the battery terminal B is connected to the drain terminal of the low potential SW 25.

コイル14の低電位側に接続される端子20cは、ケース20a内に収容された低電位配線20Lに接続される。低電位配線20Lは2系統に分岐しており、一方の低電位配線20Lには第1MOSa1が接続され、他方の低電位配線20Lには、第2MOSa2が接続される。つまり、第1MOSa1および第2MOSa2は並列に接続されている。第1MOSa1および第2MOSa2は、半導体で形成されたスイッチング素子であり、図1の例では電界効果トランジスタが用いられている。   A terminal 20c connected to the low potential side of the coil 14 is connected to a low potential wiring 20L accommodated in the case 20a. The low potential wiring 20L is branched into two systems. The first MOSa1 is connected to one low potential wiring 20L, and the second MOSa2 is connected to the other low potential wiring 20L. That is, the first MOSa1 and the second MOSa2 are connected in parallel. The first MOSa1 and the second MOSa2 are switching elements formed of a semiconductor, and a field effect transistor is used in the example of FIG.

第1MOSa1および第2MOSa2のゲート端子には、第1TRb1および第2TRb2からの信号が入力される。第1TRb1および第2TRb2は、半導体で形成されたスイッチング素子であり、図1の例ではバイポーラトランジスタが用いられている。第1TRb1および第2TRb2のベース端子には、マイコン21からの信号が入力される。したがって、マイコン21が、第1MOSa1および第2MOSa2の作動を制御していると言える。この制御をしている時のマイコン21は「制御手段」に相当する。   Signals from the first TRb1 and the second TRb2 are input to the gate terminals of the first MOSa1 and the second MOSa2. The first TRb1 and the second TRb2 are switching elements formed of a semiconductor, and bipolar transistors are used in the example of FIG. A signal from the microcomputer 21 is input to the base terminals of the first TRb1 and the second TRb2. Therefore, it can be said that the microcomputer 21 controls the operation of the first MOSa1 and the second MOSa2. The microcomputer 21 during this control corresponds to “control means”.

第1MOSa1および第2MOSa2のソース端子は接地側に接続され、第1MOSa1および第2MOSa2のドレイン端子は端子20cに接続される。したがって、高電位用SW24および低電位用SW25の少なくとも一方がオン作動し、かつ、第1MOSa1および第1TRb1の少なくとも一方がオン作動すると、燃料噴射弁10のコイル14に電力供給(通電)されることとなる。この場合の低電位配線20Lおよび高電位配線20Hは、コイル14へ電力を供給する「通電経路」に相当する。   The source terminals of the first MOSa1 and the second MOSa2 are connected to the ground side, and the drain terminals of the first MOSa1 and the second MOSa2 are connected to the terminal 20c. Accordingly, when at least one of the high potential SW 24 and the low potential SW 25 is turned on and at least one of the first MOSa1 and the first TRb1 is turned on, power is supplied (energized) to the coil 14 of the fuel injection valve 10. It becomes. In this case, the low potential wiring 20 </ b> L and the high potential wiring 20 </ b> H correspond to “energization paths” for supplying power to the coil 14.

第1MOSa1および第2MOSa2の接地側にはシャント抵抗26が接続されている。マイコン21は、シャント抵抗26で生じた電圧降下量に基づき、第1MOSa1および第2MOSa2を流れる電流を算出する。この電流は、第1MOSa1および第2MOSa2の電気抵抗がゼロと仮定した場合、コイル14を流れる電流(コイル電流)に相当する。   A shunt resistor 26 is connected to the ground side of the first MOSa1 and the second MOSa2. The microcomputer 21 calculates the current flowing through the first MOSa1 and the second MOSa2 based on the voltage drop amount generated in the shunt resistor 26. This current corresponds to a current (coil current) flowing through the coil 14 when the electric resistances of the first MOSa1 and the second MOSa2 are assumed to be zero.

ケース20aの内部には、内部空気の温度を検出する温度センサ27が備えられている。詳細には、温度センサ27は、第1MOSa1および第2MOSa2の近傍に配置され、第1MOSa1および第2MOSa2の雰囲気温度を検出する。温度センサ27から出力された検出温度の信号はマイコン21に入力される。   A temperature sensor 27 for detecting the temperature of the internal air is provided inside the case 20a. Specifically, the temperature sensor 27 is disposed in the vicinity of the first MOSa1 and the second MOSa2, and detects the ambient temperature of the first MOSa1 and the second MOSa2. The detected temperature signal output from the temperature sensor 27 is input to the microcomputer 21.

上記通電について詳細に説明すると、第1MOSa1および第2MOSa2の少なくとも一方をオン作動させつつ、高電位用SW24をオン作動させると、昇圧回路23で昇圧されたブースト電圧がコイル14へ印加される。一方、第1MOSa1および第2MOSa2の少なくとも一方をオン作動させつつ、高電位用SW24をオフ作動かつ低電位用SW25をオン作動させると、バッテリ電圧がコイル14へ印加される。なお、コイル14への電圧印加を停止させる場合には、高電位用SW24、低電位用SW25、第1MOSa1および第2MOSa2の全てをオフ作動させる。   The energization will be described in detail. When the high potential SW 24 is turned on while turning on at least one of the first MOSa1 and the second MOSa2, the boost voltage boosted by the booster circuit 23 is applied to the coil 14. On the other hand, when the high potential SW 24 is turned off and the low potential SW 25 is turned on while at least one of the first MOSa1 and the second MOSa2 is turned on, the battery voltage is applied to the coil 14. When the voltage application to the coil 14 is stopped, all of the high potential SW 24, the low potential SW 25, the first MOSa1, and the second MOSa2 are turned off.

図2(a)(b)(c)の各々は、燃料噴射を1回実施する場合における、駆動信号、開弁信号、ホールド信号の時間変化を示す。駆動信号のオン期間(通電時間tQ)には、第1MOSa1および第2MOSa2の少なくとも一方をオン作動させる。これにより、高電位用SW24または低電位用SW25をオン作動させれば通電状態になる。開弁信号のオン期間(t10〜t20)には高電位用SW24をオン作動させて、ブースト電圧をコイル14へ印加させる。また、ホールド信号のオン期間には低電位用SW25をオン作動させて、バッテリ電圧をコイル14へ印加させる。   Each of FIGS. 2A, 2B, and 2C shows temporal changes in the drive signal, the valve opening signal, and the hold signal when the fuel injection is performed once. During an on period (energization time tQ) of the drive signal, at least one of the first MOSa1 and the second MOSa2 is turned on. Accordingly, when the high potential SW 24 or the low potential SW 25 is turned on, an energized state is established. During the ON period (t10 to t20) of the valve opening signal, the high potential SW 24 is turned on to apply the boost voltage to the coil 14. Further, the low potential SW 25 is turned on during the on period of the hold signal to apply the battery voltage to the coil 14.

マイコン21は、駆動信号のオン時期t10に開弁信号をオンさせ、シャント抵抗26により検出されたコイル電流がピーク閾値TH1に達した時期t20に、開弁信号をオフさせる。そのため、駆動信号が通電開始を指令した時期に、ブースト電圧の印加によりコイル電流は上昇を開始する。その後、コイル電流がピーク閾値TH1に達した時点で通電オフされ、コイル電流は下降しはじめる。   The microcomputer 21 turns on the valve opening signal at the driving signal on time t10, and turns off the valve opening signal at the time t20 when the coil current detected by the shunt resistor 26 reaches the peak threshold value TH1. Therefore, the coil current starts to rise by applying the boost voltage at the time when the drive signal instructs to start energization. Thereafter, when the coil current reaches the peak threshold value TH1, energization is turned off, and the coil current starts to decrease.

さらにマイコン21は、コイル電流がピーク閾値TH1に達した後、コイル電流が下限閾値TH2に達したt30時点で、ホールド信号をオンさせる。その後、コイル電流検出値が上限閾値TH3に達した時点で、マイコン21はホールド信号をオフさせ、下限閾値TH2と上限閾値TH3の間にコイル電流を保持させるようにオンオフを切り替える。そのため、バッテリ電圧によりコイル電流が所定のホールド値に保持されるようフィードバック制御される。その後、駆動信号のオフ時期t40にマイコン21はホールド信号をオフさせる。   Further, after the coil current reaches the peak threshold value TH1, the microcomputer 21 turns on the hold signal at time t30 when the coil current reaches the lower limit threshold value TH2. Thereafter, when the detected coil current value reaches the upper limit threshold TH3, the microcomputer 21 turns off the hold signal and switches on / off so that the coil current is held between the lower limit threshold TH2 and the upper limit threshold TH3. Therefore, feedback control is performed so that the coil current is held at a predetermined hold value by the battery voltage. Thereafter, the microcomputer 21 turns off the hold signal at the drive signal off timing t40.

開弁信号による開弁制御期間中は、昇圧回路23にてコンデンサ23bに蓄積された電荷を使用するため、コンデンサ23bの端子間電圧(ブースト電圧)は徐々に低下してくる。また、開弁制御中にコイル14に供給される電荷量は、ピーク閾値TH1に達した時のピーク電流と開弁制御期間(t10〜t20)によって決まる。   During the valve-opening control period by the valve-opening signal, the charge accumulated in the capacitor 23b is used in the booster circuit 23. Therefore, the voltage between terminals of the capacitor 23b (boost voltage) gradually decreases. The amount of charge supplied to the coil 14 during the valve opening control is determined by the peak current when the peak threshold value TH1 is reached and the valve opening control period (t10 to t20).

昇圧回路23については、ブースト電圧が一定値以下になると充電を開始する機能があり、昇圧電圧の低下は軽減される。開弁制御時には燃料圧力に打ち勝つためのエネルギーをコイル14に印加する必要があり、そのエネルギーはピーク電流によって生成される。つまり燃料圧力が高くなると電磁吸引力を発揮させるエネルギーはより必要となるため、ピーク閾値TH1の上昇が必要となる。つまり、燃料圧力が高いほどピーク閾値TH1を高く設定する。   The booster circuit 23 has a function of starting charging when the boost voltage becomes a certain value or less, and the decrease in the boost voltage is reduced. During the valve opening control, it is necessary to apply energy for overcoming the fuel pressure to the coil 14, and the energy is generated by the peak current. That is, as the fuel pressure increases, more energy is required to exert the electromagnetic attractive force, and therefore the peak threshold value TH1 needs to be increased. That is, the higher the fuel pressure, the higher the peak threshold value TH1.

但し、ピーク閾値TH1を高く設定するほどコイル14に高電流を流すこととなり、その結果、高電位用SW24、低電位用SW25、第1MOSa1および第2MOSa2における通電による発熱量が大きくなる。特に、本実施形態に係る燃料噴射弁10は直噴式であるため、燃料噴射弁10へ供給する燃料の圧力が、ポート噴射式の燃料噴射弁に比べて高く設定されている。よって、上記発熱量が大きくなりやすい。   However, as the peak threshold value TH1 is set higher, a higher current flows through the coil 14. As a result, the amount of heat generated by energization in the high potential SW 24, the low potential SW 25, the first MOSa1, and the second MOSa2 increases. In particular, since the fuel injection valve 10 according to this embodiment is a direct injection type, the pressure of the fuel supplied to the fuel injection valve 10 is set higher than that of the port injection type fuel injection valve. Therefore, the calorific value tends to increase.

図2(d)中の実線はコイル電流の時間変化を示し、図2(e)は弁体12のリフト量の時間変化を示す。コイル電流は、開弁信号のオン指令期間t10〜t20に、ピーク閾値TH1にまで上昇する。その後、ホールド信号のオン指令期間t30〜t40に、コイル電流はホールド値に保持される。   The solid line in FIG. 2D shows the time change of the coil current, and FIG. 2E shows the time change of the lift amount of the valve body 12. The coil current rises to the peak threshold value TH1 during the on-command period t10 to t20 of the valve opening signal. Thereafter, the coil current is held at the hold value during the on-command period t30 to t40 of the hold signal.

一方、コイル14への通電により生じる電磁吸引力は、コイル電流の上昇とともに徐々に上昇していく。そして、磁気吸引力が開弁に要する吸引力(必要開弁力)に達したt11時点で、弁体12はリフトアップを開始する。したがって、通電開始時期t10から開弁開始時期t11までには遅れ時間tdが生じる。その後、コイル電流がピーク閾値TH1に達するまでの間に、弁体12は最大位置までリフトアップする。   On the other hand, the electromagnetic attractive force generated by energizing the coil 14 gradually increases as the coil current increases. Then, at time t11 when the magnetic attraction force reaches the attraction force required for opening the valve (required valve opening force), the valve body 12 starts to lift up. Accordingly, a delay time td occurs from the energization start timing t10 to the valve opening start timing t11. Thereafter, the valve body 12 is lifted up to the maximum position until the coil current reaches the peak threshold value TH1.

ここで、直噴式内燃機関の場合、第1MOSa1および第2MOSa2の通電による発熱量が大きくなりやすいことは先述した通りである。この発熱により第1MOSa1および第2MOSa2が温度上昇すると、第1MOSa1および第2MOSa2の電気抵抗が高くなるので、コイル14を流れる電流が減少して、電磁吸引力が低下する。その結果、遅れ時間tdが長くなるので、開弁開始時期t11(噴射開始タイミング)が所望の時期よりも遅くなる。また、開弁開始時期t11が遅くなることにより開弁時間(t11〜t41)が短くなり、噴射量が所望の量より少なくなる。   Here, as described above, in the case of a direct injection internal combustion engine, the amount of heat generated by energization of the first MOSa1 and the second MOSa2 tends to increase. When the first MOSa1 and the second MOSa2 rise in temperature due to this heat generation, the electrical resistance of the first MOSa1 and the second MOSa2 increases, so that the current flowing through the coil 14 decreases and the electromagnetic attractive force decreases. As a result, since the delay time td becomes longer, the valve opening start timing t11 (injection start timing) becomes later than the desired timing. Further, the valve opening start timing t11 is delayed, so that the valve opening time (t11 to t41) is shortened, and the injection amount becomes smaller than a desired amount.

この問題に対し本実施形態では、図3に示す制御手順で第1MOSa1および第2MOSa2をマイコン21が制御することで、以下に説明する第1通電状態と第2通電状態とに切り替える。第1通電状態とは、第1MOSa1をオン作動させつつ第2MOSa2をオフ作動させることで、第2MOSa2を使用せずに第1MOSa1を使用してコイル14に通電させる状態のことである。第2通電状態とは、第2MOSa2をオン作動させつつ第1MOSa1をオフ作動させることで、第1MOSa1を使用せずに第2MOSa2を使用してコイル14に通電させる状態のことである。   In this embodiment, the microcomputer 21 controls the first MOSa1 and the second MOSa2 according to the control procedure shown in FIG. 3 to switch to the first energization state and the second energization state described below. The first energized state is a state in which the coil 14 is energized using the first MOSa1 without using the second MOSa2 by turning off the second MOSa2 while turning on the first MOSa1. The second energized state is a state where the coil 14 is energized using the second MOSa2 without using the first MOSa1 by turning off the first MOSa1 while turning on the second MOSa2.

第1通電状態による噴射を所定回数繰り返した後、或いは所定時間継続して実施した後、第2通電状態による噴射に切り替える(図4、図5参照)。なお、1回の通電時間tQの最中における通電状態の切り替えは禁止されている。マイコン21は、温度センサ27により検出された温度に応じて、上記切り替えの頻度を変更させる。該変更の手順について、図3を用いて説明する。図3は、マイコン21により所定周期で繰返し実行される処理を示すフローチャートであり、この処理は、内燃機関の作動時に常時実行される。   After the injection in the first energized state is repeated a predetermined number of times or continuously for a predetermined time, the injection is switched to the injection in the second energized state (see FIGS. 4 and 5). Note that switching of the energization state during one energization time tQ is prohibited. The microcomputer 21 changes the switching frequency according to the temperature detected by the temperature sensor 27. The change procedure will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a process that is repeatedly executed by the microcomputer 21 at a predetermined cycle. This process is always executed when the internal combustion engine is operated.

先ず、図3のステップS10において、第1MOSa1および第2MOSa2の雰囲気温度Tを取得する。具体的には、温度センサ27により検出された温度の信号に基づき雰囲気温度Tを算出する。該ステップS10の処理を実行している時のマイコン21は、第1MOSa1の温度および第2MOSa2の温度と相関のある物理量(雰囲気温度T)を取得する「取得手段」に相当する。   First, in step S10 of FIG. 3, the ambient temperature T of the first MOSa1 and the second MOSa2 is acquired. Specifically, the ambient temperature T is calculated based on the temperature signal detected by the temperature sensor 27. The microcomputer 21 when executing the processing of step S10 corresponds to “acquiring means” for acquiring a physical quantity (atmosphere temperature T) correlated with the temperature of the first MOSa1 and the temperature of the second MOSa2.

続くステップS11では、取得した雰囲気温度Tが所定の上限温度(第1温度Ta)未満であるか否かを判定する。T<Taと肯定判定された場合、続くステップS12において、雰囲気温度Tが第2温度Tb未満であるか否かを判定する。第2温度Tbは第1温度Taよりも低い値に設定されている。T<Tbと肯定判定された場合、続くステップS13において、第1通電状態と第2通電状態とを低頻度で切り替える(図4、図6参照)。一方、T<Tbでないと否定判定された場合、続くステップS14において、第1通電状態と第2通電状態とを高頻度で切り替える(図5、図7参照)。ステップS11にてT<Taでないと否定判定された場合には、第1MOSa1および第2MOSa2を同時にオン作動させて、第1通電状態と第2通電状態との切り替えを禁止する(図8参照)。   In a subsequent step S11, it is determined whether or not the acquired ambient temperature T is lower than a predetermined upper limit temperature (first temperature Ta). When an affirmative determination is made that T <Ta, it is determined in subsequent step S12 whether or not the ambient temperature T is lower than the second temperature Tb. The second temperature Tb is set to a value lower than the first temperature Ta. When an affirmative determination is made that T <Tb, in the subsequent step S13, the first energization state and the second energization state are switched at a low frequency (see FIGS. 4 and 6). On the other hand, if a negative determination is made that T <Tb is not satisfied, in the subsequent step S14, the first energization state and the second energization state are switched frequently (see FIGS. 5 and 7). If a negative determination is made in step S11 that T <Ta, the first MOSa1 and the second MOSa2 are simultaneously turned on to prohibit switching between the first energized state and the second energized state (see FIG. 8).

図4〜図8の上段は、第1MOSa1をオン作動させる指令信号、つまり、マイコン21から第1TRb1へ出力される指令信号の時間変化を示す。図4〜図8の下段は、第2MOSa2をオン作動させる指令信号、つまり、マイコン21から第2TRb2へ出力される指令信号の時間変化を示す。これらの指令信号は、図2(a)に示す駆動信号と同じであり、通電時間tQと一致する。   The upper part of FIGS. 4 to 8 shows the time change of the command signal for turning on the first MOSa1, that is, the command signal output from the microcomputer 21 to the first TRb1. The lower part of FIGS. 4 to 8 shows the time change of the command signal for turning on the second MOSa2, that is, the command signal output from the microcomputer 21 to the second TRb2. These command signals are the same as the drive signals shown in FIG. 2A, and coincide with the energization time tQ.

図4の例では、所定回数連続して第1MOSa1をオン作動させた後、第2MOSa1の使用に切り替える。その後、所定回数連続して第2MOSa2をオン作動させた後、第1MOSa1の使用に切り替える。第1MOSa1の使用期間中は第2MOSa2のオフ作動を継続させ、第2MOSa2の使用期間中は第1MOSa1のオフ作動を継続させる。要するに、所定回数使用する毎に、第1MOSa1を使用した第1通電状態と、第2MOSa2を使用した第2通電状態とを切り替える。   In the example of FIG. 4, the first MOSa1 is turned on continuously for a predetermined number of times and then switched to use of the second MOSa1. Thereafter, the second MOSa2 is turned on continuously for a predetermined number of times, and then switched to use of the first MOSa1. The second MOSa2 is kept off during the use period of the first MOSa1, and the first MOSa1 is kept off during the use period of the second MOSa2. In short, every time it is used a predetermined number of times, the first energized state using the first MOSa1 and the second energized state using the second MOSa2 are switched.

これに対し、図5の例では、1回使用する毎に、第1MOSa1を使用した第1通電状態と、第2MOSa2を使用した第2通電状態とを切り替える。つまり、図5の場合には、第1通電状態と第2通電状態との切り替え頻度が、図4の場合に比べて高頻度となる。   On the other hand, in the example of FIG. 5, every time it is used, the first energization state using the first MOSa1 and the second energization state using the second MOSa2 are switched. That is, in the case of FIG. 5, the switching frequency between the first energization state and the second energization state is higher than that in the case of FIG.

図4および図5の例では、1燃焼サイクル中に1回燃料を噴射させる1段噴射であるが、図6および図7の例では、1燃焼サイクル中に複数回燃料を噴射させる多段噴射である。図6の例では、第1通電状態と第2通電状態との切り替えを、1燃焼サイクルの最中に(多段噴射の最中に)実施することを禁止している。そして、多段噴射を所定回数実施する毎に、第1通電状態と第2通電状態とを切り替える。   In the examples of FIGS. 4 and 5, the single-stage injection in which the fuel is injected once during one combustion cycle, but in the examples of FIGS. 6 and 7, the multi-stage injection in which the fuel is injected a plurality of times during one combustion cycle. is there. In the example of FIG. 6, switching between the first energized state and the second energized state is prohibited during one combustion cycle (during multistage injection). Each time the multistage injection is performed a predetermined number of times, the first energized state and the second energized state are switched.

これに対し、図7の例では、第1通電状態と第2通電状態との切り替えを多段噴射の最中に実施させる。具体的には、1段目の噴射については第1MOSa1を使用した第1通電状態で実施し、2段目の噴射については第2MOSa2を使用した第2通電状態で実施する。つまり、図7の場合には、第1通電状態と第2通電状態との切り替え頻度が、図6の場合に比べて高頻度となる。   On the other hand, in the example of FIG. 7, switching between the first energized state and the second energized state is performed during multistage injection. Specifically, the first stage injection is performed in the first energization state using the first MOSa1, and the second stage injection is performed in the second energization state using the second MOSa2. That is, in the case of FIG. 7, the switching frequency between the first energization state and the second energization state is higher than that in the case of FIG.

以上により、本実施形態によれば、並列接続された第1MOSa1および第2MOSa2を備え、第1MOSa1を用いた第1通電状態と、第2MOSa2を用いた第2通電状態とに切り替える。そのため、第1通電状態による通電オンにより第1MOSa1が温度上昇しても、その後の第2通電状態による通電オフの期間に、第1MOSa1の温度が低下する。第2MOSa2についても同様にして、第1通電状態による通電オフの期間に温度が低下する。   As described above, according to the present embodiment, the first MOSa1 and the second MOSa2 connected in parallel are provided, and the first energization state using the first MOSa1 and the second energization state using the second MOSa2 are switched. Therefore, even if the temperature of the first MOSa1 rises due to energization on in the first energization state, the temperature of the first MOSa1 decreases during the energization off period in the subsequent second energization state. Similarly, the temperature of the second MOSa2 decreases during the energization-off period in the first energization state.

したがって、一つのスイッチング素子を、切り替えることなく継続して使用する場合に比べて、第1MOSa1および第2MOSa2の温度上昇を抑制できる。よって、電磁吸引力の上昇速度低下を抑制できる。そのため、遅れ時間tdが長くなることによる噴射開始時期の遅れや、噴射時間が短くなって噴射量が少なくなるといった不具合を抑制できる。なお、上述の如くスイッチング素子の温度上昇を抑制できると言うことは、耐熱性の低いスイッチング素子を採用できるようになるとも言える。   Therefore, temperature rise of the first MOSa1 and the second MOSa2 can be suppressed as compared with the case where one switching element is continuously used without switching. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the increasing speed of the electromagnetic attractive force. Therefore, it is possible to suppress problems such as a delay in the injection start timing due to an increase in the delay time td and a decrease in the injection amount due to a decrease in the injection time. It can be said that the fact that the temperature rise of the switching element can be suppressed as described above makes it possible to employ a switching element having low heat resistance.

ここで、本発明者が試験したところ、切り替え頻度を高くするほど温度上昇を抑制できることが分かった。但し、高頻度で切り替えると、第1MOSa1および第2MOSa2の作動をマイコン21が制御するにあたり、その制御の処理負荷が高くなる。この点を鑑みた本実施形態では、マイコン21は、第1通電状態と第2通電状態とに切り替える頻度を、取得された雰囲気温度Tに基づき変更する。そのため、雰囲気温度Tが所定温度(第2温度Tb)以上になった高温時には高頻度で切り替えて、温度上昇抑制を促進できる。それでいて、所定温度未満の常温時には低頻度で切り替えて、マイコン21の処理負荷を低減できる。   Here, when this inventor tested, it turned out that a temperature rise can be suppressed, so that switching frequency is made high. However, if switching is performed at a high frequency, the processing load of the control increases when the microcomputer 21 controls the operation of the first MOSa1 and the second MOSa2. In this embodiment in view of this point, the microcomputer 21 changes the frequency of switching between the first energized state and the second energized state based on the acquired ambient temperature T. Therefore, it is possible to promote temperature rise suppression by switching frequently at high temperatures when the atmospheric temperature T is equal to or higher than the predetermined temperature (second temperature Tb). Nevertheless, the processing load on the microcomputer 21 can be reduced by switching at a low frequency at room temperature below a predetermined temperature.

ここで、第1MOSa1および第2MOSa2を同時にオン作動させると、第1MOSa1および第2MOSa2を流れる電流が少なくなり、発熱量が低下する。但し、第1通電状態と第2通電状態との切り替えが無くなるので、放熱に寄与するオフ作動期間が短くなる。この点について本発明者が試験したところ、上述の如く同時にオン作動させると、短期間(一時的)であれば、高頻度で切り替える場合に比べて温度上昇抑制の効果が高くなることが分かった。この点を鑑みた本実施形態では、温度センサ27で検出された温度が、第2温度Tbよりも高い第1温度Ta(上限温度)を超えて高温になった場合に、第1MOSa1および第2MOSa2を同時にオン作動させる。そのため、上限温度を超えて高温になった場合には、温度上昇抑制の効果を一時的に向上させて、温度低下を図ることができる。よって、一時的に温度低下を図る措置を取ることができる。   Here, if the first MOSa1 and the second MOSa2 are simultaneously turned on, the current flowing through the first MOSa1 and the second MOSa2 decreases, and the amount of heat generation decreases. However, since there is no switching between the first energized state and the second energized state, the off-operation period contributing to heat dissipation is shortened. When this inventor tested about this point, when it turned ON simultaneously as mentioned above, it turned out that the effect of temperature rise suppression will become high compared with the case where it switches frequently, if it is short period (temporary). . In this embodiment in view of this point, when the temperature detected by the temperature sensor 27 exceeds the first temperature Ta (upper limit temperature) higher than the second temperature Tb and becomes a high temperature, the first MOSa1 and the second MOSa2 At the same time. Therefore, when it becomes high temperature exceeding upper limit temperature, the effect of temperature rise suppression can be improved temporarily and temperature reduction can be aimed at. Therefore, it is possible to take measures to temporarily lower the temperature.

(第2実施形態)
上記第1実施形態では、図3のステップS10において、第1MOSa1の温度および第2MOSa2の温度と相関のある物理量として、ケース20a内の温度(雰囲気温度T)を取得している。これに対し本実施形態では、上記物理量として、先述した機関回転速度、つまり内燃機関の出力軸の単位時間当りの回転数(エンジン回転数NE)を取得する。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the temperature in the case 20a (atmosphere temperature T) is acquired as a physical quantity correlated with the temperature of the first MOSa1 and the temperature of the second MOSa2 in step S10 of FIG. On the other hand, in the present embodiment, the aforementioned engine rotational speed, that is, the rotational speed per unit time of the output shaft of the internal combustion engine (engine rotational speed NE) is acquired as the physical quantity.

エンジン回転数NEが大きいほど、燃料噴射のインターバルが短くなる。すなわち、図2の符号t40に示す通電終了時期から、次回の噴射に係る通電開始時期t10までの間隔が短くなる。すると、第1MOSa1および第2MOSa2のオフ作動期間が短くなるので、温度上昇が促進される。このようにエンジン回転数NEは、第1MOSa1の温度および第2MOSa2の温度と相関のある物理量である。   The larger the engine speed NE, the shorter the fuel injection interval. That is, the interval from the energization end time indicated by reference numeral t40 in FIG. 2 to the energization start timing t10 related to the next injection is shortened. Then, the off-operation period of the first MOSa1 and the second MOSa2 is shortened, and the temperature rise is promoted. Thus, the engine speed NE is a physical quantity having a correlation with the temperature of the first MOSa1 and the temperature of the second MOSa2.

具体的には、先ず図9に示すステップS20において、エンジン回転数NEを取得する。該ステップS20の処理を実行している時のマイコン21は、上記物理量(エンジン回転数NE)を取得する「取得手段」に相当する。続くステップS21では、取得したエンジン回転数NEが所定値(第1回転数Na)未満であるか否かを判定する。NE<Naと肯定判定された場合、続くステップS22において、エンジン回転数NEが第2回転数Nb未満であるか否かを判定する。第2回転数Nbは第1回転数Naよりも小さい値に設定されている。   Specifically, first, in step S20 shown in FIG. 9, the engine speed NE is acquired. The microcomputer 21 when executing the process of step S20 corresponds to “acquiring means” for acquiring the physical quantity (engine speed NE). In a succeeding step S21, it is determined whether or not the acquired engine rotational speed NE is less than a predetermined value (first rotational speed Na). If an affirmative determination is made that NE <Na, in the subsequent step S22, it is determined whether or not the engine speed NE is less than the second speed Nb. The second rotation speed Nb is set to a value smaller than the first rotation speed Na.

NE<Nbと肯定判定された場合、続くステップS23において、第1通電状態と第2通電状態とを低頻度で切り替える(図4、図6参照)。一方、N<Nbでないと否定判定された場合、続くステップS24において、第1通電状態と第2通電状態とを高頻度で切り替える(図5、図7参照)。ステップS21にてN<Naでないと否定判定された場合には、第1MOSa1および第2MOSa2を同時にオン作動させて、第1通電状態と第2通電状態との切り替えを禁止する(図8参照)。   When a positive determination is made that NE <Nb, in the subsequent step S23, the first energization state and the second energization state are switched at a low frequency (see FIGS. 4 and 6). On the other hand, if a negative determination is made that N <Nb is not satisfied, in the subsequent step S24, the first energization state and the second energization state are switched frequently (see FIGS. 5 and 7). If it is determined in step S21 that N <Na is not satisfied, the first MOSa1 and the second MOSa2 are simultaneously turned on to prohibit switching between the first energized state and the second energized state (see FIG. 8).

以上により、本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様にして、第1通電状態と第2通電状態とに切り替えることで、第1MOSa1および第2MOSa2の温度上昇を抑制できる。よって、電磁吸引力の低下を抑制でき、噴射状態を精度良く制御できるようになる。また、図1に示す温度センサ27を不要にすることもできる。   As described above, also in the present embodiment, similarly to the first embodiment, the temperature increase of the first MOSa1 and the second MOSa2 can be suppressed by switching between the first energization state and the second energization state. Therefore, it is possible to suppress a decrease in electromagnetic attraction force and to control the injection state with high accuracy. Moreover, the temperature sensor 27 shown in FIG. 1 can be made unnecessary.

(第3実施形態)
上記第1実施形態では、第1通電状態と第2通電状態との切り替え頻度を、高頻度と低頻度の2段階で変更している。これに対し本実施形態では、3段階で変更する。
(Third embodiment)
In the first embodiment, the switching frequency between the first energized state and the second energized state is changed in two stages of high frequency and low frequency. On the other hand, in this embodiment, it changes in three steps.

具体的には、図10に示す処理を実行して、高頻度と中頻度と低頻度の3段階で変更する。図10の処理は、図3の処理に対してステップS12AおよびステップS13Aを追加したものである。ステップS12Aでは、雰囲気温度Tが第3温度Tc未満であるか否かを判定する。第3温度Tcは第2温度Tbよりも低い値に設定されている。   Specifically, the process shown in FIG. 10 is executed and changed in three stages of high frequency, medium frequency, and low frequency. The process of FIG. 10 is obtained by adding step S12A and step S13A to the process of FIG. In step S12A, it is determined whether or not the ambient temperature T is lower than the third temperature Tc. The third temperature Tc is set to a value lower than the second temperature Tb.

T<Tcと肯定判定された場合、続くステップS13において、第1通電状態と第2通電状態とを低頻度で切り替える(図4、図6参照)。一方、T<Tcでないと否定判定された場合、続くステップS13Aにおいて、第1通電状態と第2通電状態とを中頻度で切り替える。ステップS12にてT<Tbでないと否定判定された場合、ステップS14にて第1通電状態と第2通電状態とを高頻度で切り替える(図5、図7参照)。   When an affirmative determination is made that T <Tc, in the subsequent step S13, the first energization state and the second energization state are switched at a low frequency (see FIGS. 4 and 6). On the other hand, if a negative determination is made that T <Tc is not satisfied, in the subsequent step S13A, the first energization state and the second energization state are switched at a medium frequency. If it is determined in step S12 that T <Tb is not satisfied, the first energization state and the second energization state are frequently switched in step S14 (see FIGS. 5 and 7).

例えば、所定回数使用する毎に、第1MOSa1を使用した第1通電状態と、第2MOSa2を使用した第2通電状態とを切り替えるにあたり、上記所定回数を、低頻度、中頻度、高頻度の順に小さく設定する。   For example, every time a predetermined number of times is used, when switching between a first energized state using the first MOSa1 and a second energized state using the second MOSa2, the predetermined number is decreased in the order of low frequency, medium frequency, and high frequency. Set.

以上により、本実施形態によれば、第1通電状態と第2通電状態との切り替え頻度を、高頻度と低頻度の3段階で変更している。そのため、温度上昇抑制の促進とマイコン21の処理負荷低減とを鑑みた変更を、2段階で変更する場合に比べてきめ細かく実施できる。   As described above, according to the present embodiment, the switching frequency between the first energization state and the second energization state is changed in three stages of high frequency and low frequency. Therefore, the change in consideration of the promotion of the temperature rise suppression and the reduction of the processing load of the microcomputer 21 can be performed more finely than the case of changing in two stages.

(第4実施形態)
上記第1〜第3実施形態では、第1通電状態による第1MOSa1の使用頻度が、第2通電状態による第2MOSa2の使用頻度と同じになるようにマイコン21は制御している。これに対し本実施形態では、第1通電状態による第1MOSa1の使用頻度が、第2通電状態による第2MOSa2の使用頻度よりも高くなるように制御する。
(Fourth embodiment)
In the first to third embodiments, the microcomputer 21 controls the frequency of use of the first MOSa1 in the first energized state to be the same as the frequency of use of the second MOSa2 in the second energized state. On the other hand, in the present embodiment, control is performed such that the usage frequency of the first MOSa1 in the first energization state is higher than the usage frequency of the second MOSa2 in the second energization state.

すなわち、先ず図11のステップS30において、第1MOSa1を高頻度で使用しつつ、第1通電状態と第2通電状態とを切り替える。例えば、所定の第1回数だけ連続して第1MOSa1をオン作動させた後、第2MOSa1の使用に切り替える。その後、所定の第2回数だけ連続して第2MOSa2をオン作動させた後、第1MOSa1の使用に切り替える。そして、第1回数を第2回数よりも大きい値に設定する。本実施形態では、第1MOSa1と第2MOSa2とは同じ部品を用いており、耐熱温度は同じである。したがって、使用頻度の高い第1MOSa1の温度の方が、第2MOSa2よりも高温になる筈である。   That is, first, in step S30 in FIG. 11, the first energization state and the second energization state are switched while the first MOSa1 is frequently used. For example, after the first MOSa1 is turned on continuously for a predetermined first number of times, the second MOSa1 is switched to use. Thereafter, after the second MOSa2 is turned on continuously for a predetermined second number of times, the first MOSa1 is switched to use. Then, the first number is set to a value larger than the second number. In the present embodiment, the first MOSa1 and the second MOSa2 use the same components, and the heat-resistant temperature is the same. Therefore, the temperature of the first MOSa1 that is frequently used should be higher than that of the second MOSa2.

続くステップS31では、第1MOSa1に異常が生じたか否かを判定する。例えば、温度センサ27の検出値に基づき取得された雰囲気温度Tが正常範囲外の値になった場合に、第1MOSa1に異常が生じたと判定する。或いは、シャント抵抗26の検出値に基づき取得されたコイル電流が正常範囲外の値になった場合に、第1MOSa1に異常が生じたと判定する。   In a succeeding step S31, it is determined whether or not an abnormality has occurred in the first MOSa1. For example, when the ambient temperature T acquired based on the detection value of the temperature sensor 27 becomes a value outside the normal range, it is determined that an abnormality has occurred in the first MOSa1. Alternatively, when the coil current acquired based on the detection value of the shunt resistor 26 becomes a value outside the normal range, it is determined that an abnormality has occurred in the first MOSa1.

ステップS31にて異常が生じたと判定されて異常検知された場合、続くステップS32において、第1MOSa1の使用を禁止して第2MOSa2を使用する。つまり、上記切り替えを禁止して、全ての噴射に対する通電時間tQにおいて第2MOSa2をオン作動させる。   If it is determined in step S31 that an abnormality has occurred and an abnormality is detected, in the subsequent step S32, the use of the first MOSa1 is prohibited and the second MOSa2 is used. That is, the switching is prohibited and the second MOSa2 is turned on during the energization time tQ for all injections.

続くステップS33では、異常が生じた旨を内燃機関の運転者に報知する。例えば、内燃機関が車両に搭載されたものである場合において、警告ランプを点灯させる等の手段により車両運転者に異常発生を報知する。一方、ステップS31にて異常が検知されない場合には、ステップS30の処理が継続されることとなる。   In the subsequent step S33, the driver of the internal combustion engine is notified that an abnormality has occurred. For example, when the internal combustion engine is mounted on a vehicle, the vehicle driver is notified of the occurrence of an abnormality by means such as turning on a warning lamp. On the other hand, if no abnormality is detected in step S31, the process in step S30 is continued.

以上により、本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様にして、第1通電状態と第2通電状態とに切り替えることで、第1MOSa1および第2MOSa2の温度上昇を抑制できる。   As described above, also in the present embodiment, similarly to the first embodiment, the temperature increase of the first MOSa1 and the second MOSa2 can be suppressed by switching between the first energization state and the second energization state.

さらに本実施形態では、第1MOSa1の使用頻度が第2MOSa2の使用頻度よりも高くなるように制御する。そのため、高頻度で使用される第1MOSa1に異常が生じた時点では、未だ第2MOSa2の劣化が大きく進行していない蓋然性が高い。よって、第1MOSa1の異常発生後、第2MOSa2を用いた燃料噴射が可能な期間を長く確保できる。よって、第1MOSa1に異常が生じてから第2MOSa2にまで異常が生じるまでの期間、つまり故障した第1MOSa1を修理するまでのフェールセーフ期間を長く確保できる。   Further, in the present embodiment, control is performed so that the usage frequency of the first MOSa1 is higher than the usage frequency of the second MOSa2. Therefore, there is a high probability that the deterioration of the second MOSa2 has not progressed greatly at the time when an abnormality has occurred in the first MOSa1 used frequently. Therefore, it is possible to ensure a long period during which fuel injection using the second MOSa2 can be performed after the first MOSa1 is abnormal. Therefore, it is possible to ensure a long period of time from when the abnormality occurs in the first MOSa1 until the abnormality occurs in the second MOSa2, that is, a fail-safe period until the failed first MOSa1 is repaired.

(第5実施形態)
上記第1〜第4実施形態に係るECU20は、1つの燃料噴射弁10を制御するものである。つまり、内燃機関に備えられた燃料噴射弁10が1つの単気筒エンジンに適用された燃料噴射制御装置である。これに対し、本実施形態に係るECU200は、複数の燃料噴射弁10を制御するものであり、多気筒エンジンに適用された燃料噴射制御装置である。
(Fifth embodiment)
The ECU 20 according to the first to fourth embodiments controls one fuel injection valve 10. That is, the fuel injection valve 10 provided in the internal combustion engine is a fuel injection control device applied to one single cylinder engine. In contrast, the ECU 200 according to the present embodiment controls a plurality of fuel injection valves 10 and is a fuel injection control device applied to a multi-cylinder engine.

図12の例では、燃料噴射弁10が4本であり、各々のコイル14に対して接地側の端子20cが設けられている。高電位側の端子20bについては2つ設けられており、各々の端子20bに2つのコイル14が接続されている。各端子20bに接続された高電位配線20Hの各々には、高電位用SW24および低電位用SW25が接続されている。各々の高電位用SW24は1つの昇圧回路23に接続されている。   In the example of FIG. 12, there are four fuel injection valves 10, and a ground-side terminal 20 c is provided for each coil 14. Two terminals 20b on the high potential side are provided, and two coils 14 are connected to each terminal 20b. A high potential SW 24 and a low potential SW 25 are connected to each of the high potential wirings 20H connected to the terminals 20b. Each high potential SW 24 is connected to one booster circuit 23.

接地側の端子20cに接続された低電位配線20Lの各々には、第1MOSa1および第2MOSa2が並列して接続されている。第1MOSa1および第2MOSa2の各々には、第1TRb1および第2TRb2が接続されている。なお、図1に示すシャント抵抗26は、図12では図示を省略されている。   A first MOSa1 and a second MOSa2 are connected in parallel to each of the low potential wirings 20L connected to the ground side terminal 20c. A first TRb1 and a second TRb2 are connected to each of the first MOSa1 and the second MOSa2. The shunt resistor 26 shown in FIG. 1 is not shown in FIG.

要するに、ECU200は、4つのコイル14に対して、高電位用SW24および低電位用SW25が2組、第1MOSa1および第2MOSa2が4組備えられている。そして、マイコン21は、第1実施形態と同様にして、第1MOSa1および第2MOSa2を制御して、第1通電状態と第2通電状態とに切り替える。よって、本実施形態によっても上記第1実施形態と同様の効果が発揮される。   In short, the ECU 200 includes two sets of the high potential SW 24 and the low potential SW 25, and four sets of the first MOSa 1 and the second MOSa 2 for the four coils 14. And the microcomputer 21 controls 1st MOSa1 and 2nd MOSa2 similarly to 1st Embodiment, and switches to a 1st electricity supply state and a 2nd electricity supply state. Therefore, the same effects as those of the first embodiment are also exhibited by this embodiment.

(他の実施形態)
以上、発明の好ましい実施形態について説明したが、発明は上述した実施形態に何ら制限されることなく、以下に例示するように種々変形して実施することが可能である。各実施形態で具体的に組合せが可能であることを明示している部分同士の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、明示してなくとも実施形態同士を部分的に組み合せることも可能である。
(Other embodiments)
The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made as illustrated below. Not only combinations of parts that clearly show that combinations are possible in each embodiment, but also combinations of the embodiments even if they are not explicitly stated unless there is a problem with the combination. Is also possible.

上記第4実施形態では、第1MOSa1と第2MOSa2とは同じ部品を用いており、耐熱温度は同じである。これに対し、第2MOSa2に比べて耐熱性の高いスイッチング素子を、第1MOSa1として用いてもよい。これによれば、高頻度で使用される第1MOSa1の異常発生を抑制でき、好適である。   In the fourth embodiment, the first MOSa1 and the second MOSa2 use the same components and have the same heat resistance temperature. On the other hand, a switching element having higher heat resistance than the second MOSa2 may be used as the first MOSa1. According to this, it is possible to suppress the occurrence of abnormality in the first MOSa1 used frequently, which is preferable.

図3のステップS14や図9のステップS24では、第1通電状態と第2通電状態とを高頻度で切り替えるにあたり、第1MOSa1および第2MOSa2を1回使用する毎に切り替えている。これに対し、本発明は、1回使用する毎に切り替えることに限定されない。例えば、ステップS13やステップS23の低頻度切替に比べて高頻度で切り替えていれば、複数回使用する毎に切り替えてもよい。   In step S14 of FIG. 3 and step S24 of FIG. 9, switching between the first energization state and the second energization state at a high frequency is performed each time the first MOSa1 and the second MOSa2 are used once. On the other hand, the present invention is not limited to switching every time it is used. For example, as long as switching is performed more frequently than infrequent switching in step S13 or step S23, the switching may be performed every time it is used a plurality of times.

上記各実施形態では、第1MOSa1の温度および第2MOSa2の温度と相関のある物理量として、雰囲気温度Tやエンジン回転数NEを用いている。これに対し、内燃機関の負荷を上記物理量として用いてもよい。また、上記各実施形態では、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子として電界効果トランジスタを用いているが、バイポーラトランジスタを用いてもよい。   In each of the above embodiments, the ambient temperature T and the engine speed NE are used as physical quantities correlated with the temperature of the first MOSa1 and the temperature of the second MOSa2. On the other hand, the load of the internal combustion engine may be used as the physical quantity. In each of the above embodiments, field effect transistors are used as the first switching element and the second switching element, but bipolar transistors may be used.

上記各実施形態では、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子を低電位配線20Lに並列接続して、第1通電状態と第2通電状態とに切り替えている。これに対し、第1スイッチング素子および第2スイッチング素子を高電位配線20Hに並列接続して、第1通電状態と第2通電状態とに切り替えてもよい。或いは、低電位配線20Lに接続されたスイッチング素子と高電位配線20Hに接続されたスイッチング素子の両方に、本発明に係る第1スイッチング素子および第2スイッチング素子を適用させてもよい。   In each of the above embodiments, the first switching element and the second switching element are connected in parallel to the low-potential wiring 20L to switch between the first energization state and the second energization state. On the other hand, the first switching element and the second switching element may be connected in parallel to the high potential wiring 20H to switch between the first energization state and the second energization state. Alternatively, the first switching element and the second switching element according to the present invention may be applied to both the switching element connected to the low potential wiring 20L and the switching element connected to the high potential wiring 20H.

上記各実施形態では、マイコン21が第1TRb1および第2TRb2を制御することで、第1MOSa1および第2MOSa2の作動を制御している。これに対し、第1TRb1および第2TRb2を廃止して、第1MOSa1および第2MOSa2の作動をIC22が制御してもよい。   In the above embodiments, the microcomputer 21 controls the first TRb1 and the second TRb2, thereby controlling the operations of the first MOSa1 and the second MOSa2. On the other hand, the first TRb1 and the second TRb2 may be eliminated and the IC 22 may control the operation of the first MOSa1 and the second MOSa2.

上記各実施形態では、雰囲気温度Tが上限温度Taよりも高温になった場合に、第1MOSa1および第2MOSa2の両方を同時にオン作動させている。これに対し、雰囲気温度Tが上限温度Taよりも高温になることが予測された場合に、上記両方を同時にオン作動させてもよい。例えば、エンジン回転数NEが急上昇した場合には、雰囲気温度Tが現時点では上限温度Taであったとしても、現時点の直後に上限温度Taより高温になる蓋然性が高いと予測する。   In each of the embodiments described above, both the first MOSa1 and the second MOSa2 are simultaneously turned on when the ambient temperature T becomes higher than the upper limit temperature Ta. On the other hand, when the atmospheric temperature T is predicted to be higher than the upper limit temperature Ta, both of the above may be simultaneously turned on. For example, when the engine speed NE rises rapidly, even if the ambient temperature T is the upper limit temperature Ta at the current time, it is predicted that there is a high probability that the temperature will be higher than the upper limit temperature Ta immediately after the current time.

上記各実施形態で説明した内燃機関は、ガソリンエンジンであってもディーゼルエンジンであってもよい。   The internal combustion engine described in each of the above embodiments may be a gasoline engine or a diesel engine.

ECU20、200(制御装置)が提供する手段および/または機能は、実体的な記憶媒体に記録されたソフトウェアおよびそれを実行するコンピュータ、ソフトウェアのみ、ハードウェアのみ、あるいはそれらの組合せによって提供することができる。例えば、制御装置がハードウェアである回路によって提供される場合、それは多数の論理回路を含むデジタル回路、またはアナログ回路によって提供することができる。   Means and / or functions provided by the ECUs 20 and 200 (control devices) may be provided by software recorded in a substantial storage medium and a computer that executes the software, software only, hardware only, or a combination thereof. it can. For example, if the controller is provided by a circuit that is hardware, it can be provided by a digital circuit including a number of logic circuits, or an analog circuit.

10…燃料噴射弁、12…弁体、14…コイル、20L…低電位配線(通電経路)、21…マイコン(制御手段)、a1…第1MOS(第1スイッチング素子)、a2…第2MOS(第2スイッチング素子)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Fuel injection valve, 12 ... Valve body, 14 ... Coil, 20L ... Low potential wiring (energization path), 21 ... Microcomputer (control means), a1 ... 1st MOS (1st switching element), a2 ... 2nd MOS (1st 2 switching elements).

Claims (5)

燃料噴射弁(10)のコイル(14)に通電する通電状態と前記コイルへの通電を遮断する遮断状態とを切り替える燃料噴射制御装置において、
前記コイルに接続される通電経路(20L)に設けられた第1スイッチング素子(a1)と、
前記第1スイッチング素子に対して並列に接続された第2スイッチング素子(a2)と、
前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子の作動を制御する制御手段(21)と、
を備え、
前記制御手段は、
前記第1スイッチング素子をオン作動させつつ前記第2スイッチング素子をオフ作動させることで前記通電状態にする第1通電状態と、前記第2スイッチング素子をオン作動させつつ前記第1スイッチング素子をオフ作動させることで前記通電状態にする第2通電状態と、に切り替えることを特徴とする燃料噴射制御装置。
In the fuel injection control device for switching between an energized state for energizing the coil (14) of the fuel injection valve (10) and an interrupted state for deenergizing the coil,
A first switching element (a1) provided in an energization path (20L) connected to the coil;
A second switching element (a2) connected in parallel to the first switching element;
Control means (21) for controlling the operation of the first switching element and the second switching element;
With
The control means includes
A first energization state in which the first switching element is turned on while the second switching element is turned off, and the first switching element is turned off while the second switching element is turned on. The fuel injection control device is switched to the second energized state that makes the energized state by causing the power to flow.
前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子の少なくとも一方の温度と相関のある物理量を取得する取得手段(S10、S20)を備え、
前記制御手段は、前記第1通電状態と前記第2通電状態とに切り替える頻度を、前記取得手段により取得された前記物理量に基づき変更することを特徴とする請求項1に記載の燃料噴射制御装置。
Obtaining means (S10, S20) for obtaining a physical quantity correlated with the temperature of at least one of the first switching element and the second switching element;
2. The fuel injection control device according to claim 1, wherein the control unit changes a frequency of switching between the first energization state and the second energization state based on the physical quantity acquired by the acquisition unit. .
前記制御手段は、
前記第1通電状態による前記第1スイッチング素子の使用頻度が、前記第2通電状態による前記第2スイッチング素子の使用頻度よりも高くなるように制御することを特徴とする請求項1または2に記載の燃料噴射制御装置。
The control means includes
The frequency of use of the first switching element in the first energized state is controlled to be higher than the frequency of use of the second switching element in the second energized state. Fuel injection control device.
前記第2スイッチング素子に比べて耐熱性の高いスイッチング素子が、前記第1スイッチング素子として用いられていることを特徴とする請求項3に記載の燃料噴射制御装置。   The fuel injection control device according to claim 3, wherein a switching element having higher heat resistance than the second switching element is used as the first switching element. 前記制御手段は、
前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子の少なくとも一方が、所定の上限温度(Ta)よりも高温になった場合、或いは前記上限温度よりも高温になることが予測された場合に、
前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子の両方を同時にオン作動させることで前記通電状態にすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の燃料噴射制御装置。
The control means includes
When at least one of the first switching element and the second switching element is higher than a predetermined upper limit temperature (Ta), or when it is predicted to be higher than the upper limit temperature,
5. The fuel injection control device according to claim 1, wherein both of the first switching element and the second switching element are turned on simultaneously so as to be in the energized state.
JP2015234931A 2014-12-17 2015-12-01 Fuel injection control device Active JP6575333B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015225378.3A DE102015225378B4 (en) 2014-12-17 2015-12-16 FUEL INJECTION CONTROL

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014255379 2014-12-17
JP2014255379 2014-12-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016118197A true JP2016118197A (en) 2016-06-30
JP6575333B2 JP6575333B2 (en) 2019-09-18

Family

ID=56243949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015234931A Active JP6575333B2 (en) 2014-12-17 2015-12-01 Fuel injection control device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6575333B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018204523A (en) * 2017-06-02 2018-12-27 株式会社デンソー Injection control device
CN111322165A (en) * 2018-12-14 2020-06-23 株式会社京滨 Fuel injection valve drive device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1182125A (en) * 1997-09-05 1999-03-26 Denso Corp Electric load driving device and fuel injection valve driving device
JP2005006412A (en) * 2003-06-12 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device for power
JP2005150920A (en) * 2003-11-12 2005-06-09 Fujitsu Ten Ltd Output circuit
JP2007074771A (en) * 2005-09-05 2007-03-22 Nissan Motor Co Ltd Voltage driving type switching circuit, multiphase inverter device, and method of voltage driving type switching control
JP2009100512A (en) * 2007-10-15 2009-05-07 Sharp Corp Dc power supply unit
US20110273812A1 (en) * 2009-01-07 2011-11-10 Johannes Beer Controlling current flow by a coil drive of a valve using a current integral
JP2014095325A (en) * 2012-11-08 2014-05-22 Denso Corp Injection delay detection device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1182125A (en) * 1997-09-05 1999-03-26 Denso Corp Electric load driving device and fuel injection valve driving device
JP2005006412A (en) * 2003-06-12 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device for power
JP2005150920A (en) * 2003-11-12 2005-06-09 Fujitsu Ten Ltd Output circuit
JP2007074771A (en) * 2005-09-05 2007-03-22 Nissan Motor Co Ltd Voltage driving type switching circuit, multiphase inverter device, and method of voltage driving type switching control
JP2009100512A (en) * 2007-10-15 2009-05-07 Sharp Corp Dc power supply unit
US20110273812A1 (en) * 2009-01-07 2011-11-10 Johannes Beer Controlling current flow by a coil drive of a valve using a current integral
JP2014095325A (en) * 2012-11-08 2014-05-22 Denso Corp Injection delay detection device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018204523A (en) * 2017-06-02 2018-12-27 株式会社デンソー Injection control device
CN111322165A (en) * 2018-12-14 2020-06-23 株式会社京滨 Fuel injection valve drive device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6575333B2 (en) 2019-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9890729B2 (en) Fuel injection control unit
JP5874607B2 (en) Fuel injection control device and fuel injection system
US7349193B2 (en) Solenoid driver with high-voltage boost and reverse current capability
JP5772788B2 (en) Fuel injection control device and fuel injection system
JP6105456B2 (en) Solenoid valve drive
JP2017201155A (en) Fuel injection control device
JP5924238B2 (en) Injection delay detection device
JP6575333B2 (en) Fuel injection control device
JP2018096229A (en) Injection control device
US11441505B2 (en) Injection control device
US11466650B2 (en) Fuel injection valve driving device
JP7135809B2 (en) Injection control device
JP5811042B2 (en) In-vehicle control device
JP2018031294A (en) Solenoid valve drive device
JP2005158870A (en) Load controller
JP5626180B2 (en) Automotive discharge current control circuit
JP6411918B2 (en) Hybrid car
JP2014118860A (en) Solenoid valve driving device
JP2014216703A (en) Load drive circuit
JP2020096125A (en) Solenoid drive device
JP6477454B2 (en) Load drive device
JP6107913B2 (en) Fuel injection control device and fuel injection system
JP6187663B2 (en) Fuel injection control device and fuel injection system
JP2014171132A (en) Internal combustion engine control device
JP2016156319A (en) Fuel injection control device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190326

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190515

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190723

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190805

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6575333

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250