JP2016115731A - Substrate processing liquid supply method and device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板などの各種の被処理基板に対して処理液を供給するための基板処理液供給システムに関する。 The present invention relates to a substrate processing liquid supply system for supplying a processing liquid to various substrates to be processed such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for a PDP (plasma display panel).
半導体デバイスの製造プロセスにおける洗浄プロセスにおいて、基板を薬液により処理した後、純水リンスにより薬液が洗い流され、最後にイソプロピルアルコール(以後IPAと表記)等の有機溶剤で純水を置換して乾燥が行われる。洗浄プロセスに使用される薬液やIPA等の有機溶剤を各処理ユニットに供給する際には、例えば使用される薬液やIPA等の有機溶剤を貯留したタンクにN2ガスを供給して、タンクを加圧することにより各処理ユニットに圧送している。薬液とIPA等の有機溶剤を含めて以後、処理液と表記する。 In a cleaning process in a semiconductor device manufacturing process, after treating a substrate with a chemical solution, the chemical solution is washed away by pure water rinsing, and finally the pure water is replaced with an organic solvent such as isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) and dried. Done. When supplying a chemical solution used in the cleaning process or an organic solvent such as IPA to each processing unit, N2 gas is supplied to the tank storing the chemical solution used or an organic solvent such as IPA, and the tank is added. The pressure is sent to each processing unit. The chemical solution and the organic solvent such as IPA are hereinafter referred to as a processing solution.
処理液をN2ガスにより圧送する場合、処理液にN2ガスが溶存して問題を引き起こす場合がある。圧送途中の配管内で配管系の振動によるキャビテーションなどにより気泡が発生して流量計の誤動作が生じたり、薬液処理において薬液が基板上に供給された際に圧力が下がり、薬液中に気泡が発生して洗浄不良が生じたり、IPA等の有機溶剤で純水を置換して乾燥するときにも、薬液処理と同様に基板上に供給された際に圧力が下がりIPA等の有機溶剤中に気泡が発生して乾燥不良が生じたりすることがある。半導体デバイスの高集積化および微細化がますます進み、それに伴って基板上に到達する処理液中の微細な気泡の存在も無視できなくなっている。
When the processing liquid is pumped with
このような問題を解決するため、例えば特許文献1に記載の薬液供給システムでは、バッファタンクを備え、バッファタンク内の薬液を脱気する技術が記載されている。特許文献1の薬液供給システムは、圧送により薬液を供給するシステムであり、薬液を貯留するバッファタンクを有し、バッファタンクから各処理ユニットへ薬液を所定量ごとに吐出するための吐出手段を備えている。吐出手段は、加圧気体をバッファタンクに導入しバルブをON−OFFすることにより薬液を所定量ごとに吐出する。また、バッファタンクには排気管が接続されており、排気管に空気を流してアスピレータ方式でバッファタンク内に対して吸引力を作用させ、バッファタンク内の現像液を脱気することができる。一方、特許文献2には、圧送する処理液にN2ガス等の圧送ガスが直接接触することがない方法として、シリンジポンプ、ベローズポンプ、ダイヤフラムポンプを用いて、処理液を圧送する方法が示されている。処理液をポンプに導入することにより、処理液の圧力を低下させ、処理液に溶存する気体を発泡し、ポンプに設けられた泡抜き口より気泡が排出される機構である。ポンプを用いて脱気するためには、ポンプ内に複雑な脱気機構を設ける必要がある。
In order to solve such a problem, for example, in the chemical solution supply system described in
しかしながら、特許文献1に示された構成では、バッファタンク内で脱気はするものの加圧気体と処理液が接触するために少なからず気体の溶存は生じる。また、特許文献2に示された構成では、処理液と加圧気体とは接触しないものの、複雑な機構が必要となり、設備が高価となる。
However, in the configuration disclosed in
そこで、本件発明は、処理液に気体を溶存させることなく、簡便で安価な処理液供給システムおよびそれを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a simple and inexpensive processing liquid supply system and a substrate processing apparatus using the same without dissolving a gas in the processing liquid.
上記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出部と、前記処理液を、前記吐出部へ供給する処理液供給部と、を備えた基板処理装置であって、前記処理液供給部は、前記処理液を貯留可能な処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクから前記処理液を前記吐出部へ送液する送液配管と、前記送液配管に介在する開閉可能な送液バルブと、前記処理液と同一物質の蒸気を発生させる気化ユニットと、前記気化ユニットから前記処理液貯留タンクへ前記蒸気を供給するための蒸気供給配管と、前記蒸気供給配管に介在する開閉可能な蒸気供給バルブと、前記蒸気供給配管に接続された圧力制御ユニットと、を備え、前記処理液が前記処理液と同一物質の蒸気により圧送されることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention according to
請求項2記載の発明は、前記処理液がイソプロピルアルコールであることを特徴とする。
The invention described in
請求項3記載の発明は、前記処理液がハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする。
The invention described in
請求項4記載の発明は、前記蒸気供給配管を所定の温度に保持する加熱手段を有することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided heating means for maintaining the steam supply pipe at a predetermined temperature.
請求項5記載の発明は、第二の処理液貯留タンクを備え、前記気化ユニットから、前記圧力制御ユニットと第二の蒸気供給バルブを介して、前記第二の処理液貯留タンクへ前記蒸気供給配管が接続され、前記第二の処理液貯留タンクの前記処理液を前記吐出部へ送液することを特徴とする。
The invention according to
請求項6記載の発明は、基板を処理する基板処理装置に処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液を貯留する処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクから前記処理液を前記吐出部へ送液する送液配管と、前記送液配管に介在する開閉可能な送液バルブと、前記処理液と同一物質の蒸気を発生させる気化ユニットと、前記気化ユニットから前記処理液貯留タンクへ前記蒸気を供給するための蒸気供給配管と、前記蒸気供給配管に介在する開閉可能な蒸気供給バルブと、前記蒸気供給配管に接続された圧力制御ユニットと、を備え、前記処理液が前記処理液と同一物質の蒸気により圧送されることを特徴とする処理液供給装置である。
The invention according to
請求項7記載の発明は、処理液を処理液貯留タンクから供給する処理液供給方法であって、前記処理液貯留タンクに処理液を準備する工程と、前記処理液と同一物質の蒸気を生成する工程と、前記蒸気を大気圧以上の圧力に調整する工程と、前記蒸気を前記処理液貯留タンクへ供給する工程と、を備えることを特徴とする処理液供給方法である。 The invention according to claim 7 is a processing liquid supply method for supplying a processing liquid from a processing liquid storage tank, the step of preparing the processing liquid in the processing liquid storage tank, and generating vapor of the same substance as the processing liquid And a step of adjusting the vapor to a pressure equal to or higher than the atmospheric pressure, and a step of supplying the vapor to the treatment liquid storage tank.
本発明の処理液供給システムにおいては、処理液と同一物質の蒸気圧で処理液を圧送するため、処理液に対して他の気体の溶存が生じない。このため、圧送途中の配管内で配管系の振動によるキャビテーションなどにより気泡が発生して流量計の誤動作を生じさせることもなく、処理基板上に供給された際に圧力が下がり処理液中に気泡を発生させることもない。また、処理液と同一物質の蒸気を用いるので、他の気体を用いる場合のように他の気体を供給する配管からの汚染や、他の気体からの汚染を防ぐことができる。 In the processing liquid supply system of the present invention, since the processing liquid is pumped at the same material vapor pressure as the processing liquid, no other gas is dissolved in the processing liquid. For this reason, bubbles are not generated due to cavitation caused by vibration of the piping system in the pipes in the middle of pressure feeding, causing malfunction of the flowmeter. Does not occur. Moreover, since the vapor | steam of the same substance as a process liquid is used, the contamination from the piping which supplies other gas like the case where other gas is used, and the contamination from another gas can be prevented.
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。 図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。本実施例に係る基板処理装置1は、カセットステージ2と、基板受渡部3と、搬送部4と、洗浄処理部5と、処理液供給部6と、制御部7とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The
カセットCは、複数枚の基板Wを積層して収容可能な収容器である。カセットCは、未処理の基板Wを収容し、その状態で複数枚の基板Wとともに各工程の装置へ搬送移動される。 The cassette C is a container that can receive and stack a plurality of substrates W. The cassette C accommodates an unprocessed substrate W, and in that state, the cassette C is transported and moved together with a plurality of substrates W to the apparatus for each step.
未処理の基板Wは、カセットCに収容され、カセットCはカセットステージ2に載置される。基板受渡部3に未処理の基板Wを受け渡す。また、処理済の基板Wは基板受渡部3から、カセットステージ2に載置された空のカセットCに収容される。
The unprocessed substrate W is accommodated in the cassette C, and the cassette C is placed on the
基板受渡部3は、搬送ロボットIRと、基板を一時的に保管するパス8を備える。搬送ロボットIRは、カセットステージ2に載置されたカセットCから未処理の基板Wを受け取り、パス8に載置する。パス8は上下方向に複数段配置されたバッファとして機能し、複数の未処理の基板Wを支持する。また、処理済の基板Wは、搬送ロボットIRによってカセットステージ2に載置されたカセット内に収容される。
The
搬送ロボットIRは、基板Wを保持した状態で図1に破線の矢印で概念的に示すように、旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能である。また図示は省略しているが、上下方向にも進退自在となっている。 The transfer robot IR can transfer the substrate W to an arbitrary position by a swingable and advancing / retracting arm as conceptually shown by a dashed arrow in FIG. 1 while holding the substrate W. Although not shown in the figure, it can be moved back and forth in the vertical direction.
搬送部4は、基板Wを保持した状態で図1に破線の矢印で概念的に示すように、旋回および進退自在のアームにより、基板Wを任意の位置に搬送することが可能な、搬送ロボットCRを備えている。搬送ロボットCRは、基板受渡部3のパス8に載置された基板Wを保持し、後述する洗浄処理部5に対して基板を受け渡す。
The
洗浄処理部5は、搬送部4から未処理の基板Wを受け取り、その基板Wに対して洗浄処理を行うユニットである。
The
図2は、洗浄処理部5の概略構成を示す図である。搬送部4の搬送ロボットCRから受け渡された未処理の基板Wは、洗浄処理部5の基板保持部21によって保持される。基板保持部21は基板Wの裏面を吸着する図示しない吸着機能を備えており、基板Wを保持することが可能である。図示していないが、基板Wの外周を機械的にチャッキングするメカニカルチャックで保持してもよい。
FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic configuration of the
基板Wが基板保持部21に保持された後、基板Wの上方には、処理液を供給するノズル(吐出部の一実施形態)25が配置される。ノズル25から基板Wに向けて、処理液が供給されることにより、基板Wの表面を清浄にする。より具体的には、基板Wの表面は、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液であるアルカリ水溶液で洗浄された後、純水リンスによりリンスされ、続いて塩酸と過酸化水溶液との混合溶液である酸水溶液で洗浄され、同じく純水リンスによりリンスされる。アルカリ水溶液および酸水溶液の種類はこれらに限るものではない。続いて基板W上の純水は、IPA等の有機溶剤が基板W上に供給されることによりIPA等の有機溶剤で置換され、その後スピンドライにより振り切り乾燥される。なお、乾燥はスピンドライに限るものではない。洗浄処理部5で使用される薬液、純水、IPA等の有機溶剤は、処理液供給部6より供給される。
After the substrate W is held by the
基板W上に供給された処理液は、基板Wの中心から外周方向に流出し、カップ23により回収される。カップ23に回収された処理液は、図示しない排液手段によって排液される。
The processing liquid supplied onto the substrate W flows out from the center of the substrate W in the outer peripheral direction and is collected by the
制御部7は、CPUやメモリを内蔵し、搬送ロボットIR、CRや処理液の供給、洗浄手順等、上述した各部を統括的に制御する。また、後述する処理液供給部の各種設備の制御も行う。 The control unit 7 includes a CPU and a memory, and comprehensively controls the above-described units such as the transfer robot IR, CR, processing liquid supply, and cleaning procedure. In addition, various facilities of the processing liquid supply unit described later are also controlled.
図3は、本発明の実施の形態に係る図1の基板処理装置で示した処理液供給部6の概略構成図である。本実施例では、処理液としてIPAを用いた場合について説明する。この処理液供給部6には、IPAを気化させるための気化ユニット33と、気化されて蒸気となったIPAを供給する蒸気供給配管37と、IPAが貯留された処理液貯留タンク32a、32bと、IPAをノズル25へ供給する送液配管41が備えられている。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the processing
気化ユニット33は、蒸気発生タンク34aと加熱ヒーター34bを備える。蒸気発生タンク34aは、容量10Lの石英製もしくはPFA等のフッ素樹脂製からなる筒状容器が、ステンレス等の金属製耐圧容器の中に収められている。容量および材質は、これに限るものではない。蒸気発生タンク34aの筒状容器は、後述する二重配管からなる蒸気供給配管37の内側の樹脂製配管に専用の継手により接続される。蒸気発生タンク34aの金属製耐圧容器は、後述する二重配管からなる蒸気供給配管37の外側の金属製配管に専用の継手により接続される。蒸気発生タンク34aは、これら専用の継手を外すことにより取り外し可能となる。気化ユニット33の蒸気発生タンク34aには、一定圧力以上になった場合、圧力を開放する安全弁35が接続される。安全弁が解放状態になった場合、蒸気は安全弁35に接続された排気ライン(図示せず)に排気される。加熱ヒーター34bは、蒸気発生タンク34aの底面および側面を覆う抵抗加熱式のヒーターである。ただし、加熱される機構であればこれに限るものではない。また、気化ユニット33は、市販品を用いることもできる。
The
蒸気供給配管37は、内側を樹脂製の配管、外側を金属製の配管の二重配管からできている。蒸気供給配管37は、気化ユニット33の蒸気発生タンク34aと専用の継手により接続され、圧力制御ユニット36および蒸気供給配管側バルブ39a、39bを介して処理液貯留タンク32a、32bに接続されている。また、蒸気供給配管37の周りには、蒸気が冷えて液化しないようにラインヒーター38が備えられている。
The
圧力制御ユニット36は、所定の圧力で処理液貯留タンク32a、32bへIPA蒸気を供給するために圧力計と圧力計に連動するバルブからなる。圧力計の圧力が、設定された圧力になるようにバルブの開度が調整される。
The
処理液貯留タンク32a、32bは、容量20Lの石英製もしくはPFA等のフッ素樹脂製からなる筒状容器が、ステンレス等の金属製耐圧容器の中に収められている。容量および材質は、これに限るものではない。処理液貯留タンク32a、32bの筒状容器の蒸気導入口は、蒸気供給配管37の内側の樹脂製配管に専用の継手により接続される。処理液貯留タンク32a、32bの金属製耐圧容器の蒸気導入口は、蒸気供給配管37の外側の金属製配管に専用の継手により接続される。
In the treatment
処理液貯留タンク32a、32bの筒状容器の送液側出口は、樹脂製の送液配管41に専用の継手により接続される。送液配管41により、IPAはノズル25へと圧送され、IPAが基板上に吐出する。
The liquid supply side outlets of the cylindrical containers of the treatment
送液配管41は、二重配管にはなっておらず、処理液貯留タンク32a、32bの金属製耐圧容器の送液側出口は、送液配管41に対してパッキンをはさみスクリューキャップで止められている。処理液貯留タンク32a、32bは、上述した継手およびスクリューキャップを外すことにより取り外し可能となる。送液配管41の途中には、処理液を供給および停止するための処理液供給側バルブ40a、40bが備えられている。
The
また、処理液貯留タンク32a、32bには図示しないが液面計が備えられており、処理液の残量を検知できるようになっている。処理液貯留タンク32aの残量が下限に達すると、処理液貯留タンク32aに接続する蒸気供給配管側バルブ39aと処理液供給側バルブ40aが閉止され、処理液貯留タンク32bに接続する蒸気供給配管側バルブ39bと処理液供給側バルブ40bが開かれる。IPAの供給を処理液貯留タンク32bに切り替えた後、処理液貯留タンク32aは取り外され、新液を貯留し直して再度設置される。IPAの供給が処理液貯留タンク32bに切り替えられてからは、処理液貯留タンク32aのときと同様に残量が液面計下限に達するまで使用される。これにより、IPAの供給を閉ざさずに運用できる。加熱ヒーター34bの温度設定および温度制御、圧力制御ユニット36の圧力設定および設定圧力に対するバルブ開度調整、蒸気供給配管37に備えられたラインヒーター38の温度設定および温度制御、蒸気供給配管側バルブ39a、39bおよび処理液供給側バルブ40a、40bの開閉制御は、基板処理装置1の制御部7により実行される。
The processing
次に、上述した構成の処理液供給部6による処理液の供給について、図4を用いて説明する。図4は、本発明の実施例の処理の流れを説明するためのフロー図である。
Next, supply of the treatment liquid by the treatment
新液のIPAが貯留された蒸気発生タンク34aを気化ユニット33に設置し、蒸気供給配管37と接続する(ステップS1)。また、工場設備として集中配管でIPAが供給される場合には、配管を直接蒸気発生タンク34aに接続してIPAを供給してもよい。
The
次に、蒸気供給配管側バルブ39a、39bが閉じられた状態で加熱ヒーター34bを100℃に設定し、IPAの蒸気を生成する(ステップS2)。IPAは、100℃において蒸気圧が199.3kPaとなる。大気圧が101.3kPaであるから約2気圧となり、IPAを加圧圧送可能となる。加熱ヒーターの温度は100℃以上であってもよい。また同時に、蒸気供給配管37に備えられているラインヒーター38を83℃に設定する。IPAの蒸気が配管内で液化しないように前もって蒸気供給配管37を加熱しておく必要がある。IPAの沸点は82.5℃であるから、ラインヒーター38の設定温度は82.5℃以上であればよい。
Next, with the steam supply
続いて、圧力制御ユニット36の設定圧力を190kPaとする。圧力の設定は、制御部7により行われるが、圧力制御ユニット36においてマニュアルで設定してもよい。蒸気供給配管側バルブ39aを閉じたまま、設定圧力190kPaになるように圧力計に連動するバルブの開度を制御して圧力が調整される(ステップS3)。
Subsequently, the set pressure of the
IPAの蒸気を処理液貯留タンク32aに供給するため、処理液供給側バルブ40a、40bおよび蒸気供給配管側バルブ39bが閉じられた状態で蒸気供給配管側バルブ39aが開かれる(ステップS4)。
In order to supply the IPA vapor to the treatment
処理液貯留タンク32aに貯留されているIPAは、気化ユニット33で気化されたIPAにより加圧され、送液配管41を通ってノズル25へと圧送され基板上に吐出される(ステップS5)。
The IPA stored in the processing
IPAの吐出を停止するときには、処理液供給側バルブ40aを閉止する(ステップS6)。IPAを再度吐出するときは、ステップS4の蒸気供給工程に戻る。処理液貯留タンク32aの残量が下限に達するまで処理液貯留タンク32a側のIPAが使用され、残量が下限に達した後、処理液貯留タンク32bに切り替えられ連続運用される。残量が下限に達した処理液貯留タンク32aは、配管の継ぎ手を外して取り外され、新たなIPAが貯留されて再度設置される。
When stopping the discharge of IPA, the processing liquid
以上のような実施の形態によれば、処理液に気体を溶存させることなく処理液を圧送することができる。なお、本件の実施は上記の形態に限るものではない。 According to the embodiment as described above, the processing liquid can be pumped without dissolving the gas in the processing liquid. In addition, implementation of this case is not restricted to said form.
第二の実施の形態を以下に説明する。 図5は、第二の実施の形態に係る処理液供給部の概略構成図である。前述の第一の実施形態ではタンク仕様であったが、工場設備として集中配管でIPAが供給される場合について説明する。なお、処理液貯留タンク32a、32b、圧力制御ユニット36、蒸気供給配管37、ラインヒーター38、蒸気供給配管側バルブ39a、39b、処理液供給側バルブ40a、40b、送液配管41は、図3で示した第一の実施形態と同じものである。そこで、同じ符号を付与しており、詳細な説明は省略する。
A second embodiment will be described below. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a processing liquid supply unit according to the second embodiment. Although the tank specification is used in the first embodiment described above, a case will be described in which IPA is supplied through centralized piping as factory equipment. The processing
工場設備の集中配管が気化ユニット導入バルブ51を介して第二の気化ユニット52に接続される。一般的な工場設備の集中配管はステンレス製であり、第二の気化ユニット52内の配管はPFA等のフッ素樹脂であるため、集中配管と気化ユニット導入バルブ51との接続部分において金属とPFA等のフッ素樹脂との変換継手により接続される。第二の気化ユニット52は、圧力制御ユニット36を介して蒸気供給配管37に接続される。
Centralized piping of factory equipment is connected to the
気化ユニット導入バルブ51は、タイマー(図示せず)と連動しており、制御部7により時間管理で開閉動作が実行される。
The vaporization
第二の気化ユニット52は、ステンレス製の円環状をなしており、周囲にヒーターが備えられている。ヒーターは抵抗加熱式のヒーターであるが、これに限るものではない。気化ユニット導入バルブ51を介して接続された配管は、第二の気化ユニット52内では内径4mm、外径6mmのPFA等のフッ素樹脂からなる配管が螺旋状に形成されている。配管はPFA等のフッ素樹脂よりなるが、これに限るものではない。また、第二の気化ユニット52内の配管は螺旋状に形成されているが、第二の気化ユニット52内で加熱領域が確保され十分気化されれば、この形状に限るものではない。
The
一方、処理液貯留タンク32a、32bにも工場設備の集中配管からIPAが供給される。工場設備の集中配管が、図5に示すように処理液貯留タンク導入バルブ53a、53bを介して処理液貯留タンク32a、32bに接続される。処理液貯留タンク32a、32bは、石英製もしくはPFA等のフッ素樹脂製からなり、工場設備の集中配管はステンレス製であるため、処理液貯留タンク32a、32bの導入部分において、金属と樹脂との変換継手で接続される。
On the other hand, IPA is also supplied to the treatment
次に第二の実施の形態の処理動作について説明する。 制御部7からの指示により処理液貯留タンク導入バルブ53a、53bが開けられ、処理液貯留タンク32a、32bにIPAが供給される。処理液貯留タンク32a、32bの液面計(図示せず)の上限までIPAが供給されると、処理液貯留タンク導入バルブ53a、53bを閉止してIPAの供給を停止する。
Next, the processing operation of the second embodiment will be described. In response to an instruction from the control unit 7, the processing liquid storage
気化ユニット導入バルブ51のタイマー設定は、予め集中配管から供給されるIPA供給量と第二の気化ユニット52で気化され、処理液貯留タンク32a、32bのIPAを加圧することによる消費量との関係をデータとして取得しておくことにより決定する。データは、制御部7のメモリに格納され、制御部7により気化ユニット導入バルブ51の開閉動作が実行される。別の形態として、微小流量の液体流量計を用いてIPAを第二の気化ユニット52に供給することもできる。事前にIPA供給量とIPA蒸気消費量の関係をデータとして取得しておくことにより消費量に相当する量を液体流量計により一定流量供給することができる。この場合は、タイマー管理を必ずしも必要としない。
The timer setting of the vaporization
第二の気化ユニット52に供給されたIPAは、ヒーターの加熱により配管内部で気化する。第二の気化ユニット52に入ったところでは、まだ液体であるが、配管経路上で気化され蒸気となる。ヒーターの設定温度は100℃とすることにより、蒸気圧が199.3kPaとなる。大気圧が101.3kPaであるから約2気圧となり、IPAを加圧圧送可能となる。ヒーターの設定温度は100℃以上であってもよい。
The IPA supplied to the
圧力制御ユニット36に入ってから以降は、第一の実施形態と同じ動作であるので説明は省略する。
Since the operation after entering the
このようにすることにより、蒸気発生タンクは必要なく気化ユニットの設置スペースを省くことができるし、かつコストも安価にできる。 By doing in this way, the steam generation tank is unnecessary, the installation space for the vaporization unit can be saved, and the cost can be reduced.
なお、上記実施の形態で説明した処理液供給部6であるが、処理液供給部6の設置場所は、基板処理装置1の内部にあることが好ましいが、装置外の付帯設備として備えることもでき
る。基板処理装置1の内部にあると、配管経路を最短で設計できるためコストを安価にすることができる。装置外に備える場合には、複数の基板処理装置へ供給することが可能となる。また、上記実施の形態では、IPAの供給方法について説明したが、ハイドロフルオロエーテル等の他の有機溶剤や薬液を供給する場合にも適用することができる。
In addition, although it is the process
1 基板処理装置 2 カセットステージ 3 基板受渡部 4 搬送部 5 洗浄処理部 6 処理液供給部 7 制御部 8 パス 21 基板保持部 23 カップ 25 吐出部 32a 処理液貯留タンク 32b 処理液貯留タンク 33 気化ユニット 34a 蒸気発生タンク 34b 加熱ヒーター 35 安全弁 36 圧力制御ユニット 37 蒸気供給配管 38 ラインヒーター 39a 蒸気供給配管側バルブ 39b 蒸気供給配管側バルブ 40a 処理液供給側バルブ 40b 処理液供給側バルブ 41 送液配管 51 気化ユニット導入バルブ 52 第二の気化ユニット 53a 処理液貯留タンク導入バルブ 53b 処理液貯留タンク導入バルブ
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