JP2016111048A - Inductor built-in substrate - Google Patents

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Hajime Tomokage
肇 友景
正和 渋谷
Masakazu Shibuya
正和 渋谷
政之 福島
Masayuki Fukushima
政之 福島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fabricate an inductor in the manufacturing process of substrate, and to achieve a highly accurate high performance inductor built-in substrate.SOLUTION: A magnetic material 12 has a core 15 around which a coil is wound, and extension 16 interconnected with the core 15, and extending around the outside of the coil from the positive electrode side and negative electrode side of the coil. A cavity 17 exists in the way of the extension 16, and divides the extension 16 into a first extension 16a extending from the positive electrode side of the coil, and a second extension 16b extending from the negative electrode side of the coil.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、インダクタが内蔵されたインダクタ内蔵基板に関する。   The present invention relates to an inductor built-in substrate in which an inductor is built.

基板を製造する過程で基板に内蔵するインダクタを併せて作り込むインダクタ内蔵基板の製造技術として、特許文献1に示す技術が開示されている。特許文献1に示す技術は、コア基板の表面に帯状の複数の第1コイル配線のパターンを形成する工程と、形成された帯状の第1コイル配線のパターンにおける少なくとも端部以外の領域に磁性体を装着する工程と、磁性体を樹脂で埋め込む工程と、帯状の第1コイル配線の端部と上層の第2コイル配線とを接続するためのビアを形成する工程と、形成されたビアをめっきする工程と、めっき工程で形成された上層の金属薄膜に、第1コイル配線とビアとを介してコイル状に接続するように、帯状の複数の第2コイル配線を形成する工程とを含むものである。   As a manufacturing technique of a substrate with a built-in inductor in which an inductor built in the substrate is also produced in the process of manufacturing the substrate, a technique disclosed in Patent Document 1 is disclosed. The technique shown in Patent Document 1 includes a step of forming a plurality of strip-shaped first coil wiring patterns on the surface of a core substrate, and a magnetic substance in a region other than at least an end in the formed strip-shaped first coil wiring pattern. , A step of embedding a magnetic material with a resin, a step of forming a via for connecting the end of the strip-shaped first coil wiring and the second coil wiring of the upper layer, and plating the formed via And a step of forming a plurality of strip-like second coil wirings so as to be connected to the upper metal thin film formed in the plating process in a coil shape via the first coil wirings and vias. .

国際公開第2013/137044号International Publication No. 2013/137044

特許文献1に示す技術は、通常の基板製造工程の中で、磁性体をコアとするインダクタが作り込まれるため、インダクタ内蔵基板を非常に効率よく製造することができると共に、インダクタのコイルに流れる電流の配線と基板の配線との電気的な特性(抵抗や容量等)を共通化することができ、非常に高精度なインダクタ内蔵基板の製造が可能となる。しかし、近年の急速な技術的進歩に伴って、より高性能なインダクタ内蔵基板の開発が望まれている。   In the technique shown in Patent Document 1, an inductor having a magnetic material as a core is formed in a normal substrate manufacturing process, so that a substrate with a built-in inductor can be manufactured very efficiently and flows through the coil of the inductor. The electrical characteristics (resistance, capacitance, etc.) of the current wiring and the substrate wiring can be made common, and it is possible to manufacture a highly accurate substrate with a built-in inductor. However, with the recent rapid technological progress, development of a higher performance inductor-embedded substrate is desired.

本発明は、基板を製造する製造過程でインダクタを作り込むことができると共に、高精度、高性能なインダクタ内蔵基板を実現することができるインダクタ内蔵基板を提供する。   The present invention provides an inductor-embedded substrate that can incorporate an inductor in the manufacturing process of manufacturing the substrate and can realize a highly accurate and high-performance inductor-embedded substrate.

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、基板表面に形成された複数の帯状の第1配線パターンと、当該第1配線パターンの少なくとも端部を除く領域に装着される磁性体と、当該磁性体の上面側に形成される複数の帯状の第2配線パターンとを有し、前記第1配線パターンと前記第2配線パターンとが、前記基板の積層方向に対して垂直な方向に磁化するコイルとして配線が形成されるようにビアで接続されるインダクタ内蔵基板であって、前記磁性体が、前記コイルが巻回されるコア部と、当該コア部に連通し、前記コイルの正極側及び負極側から当該コイルの外側に廻り込むように延出する延出部とを有するものである。   An inductor-embedded substrate according to the present invention includes a plurality of strip-shaped first wiring patterns formed on a substrate surface, a magnetic body attached to a region excluding at least an end of the first wiring pattern, and an upper surface of the magnetic body A plurality of strip-shaped second wiring patterns formed on the side, and the wiring as a coil in which the first wiring pattern and the second wiring pattern are magnetized in a direction perpendicular to the stacking direction of the substrate An inductor-embedded substrate connected by vias to be formed, wherein the magnetic body communicates with the core portion around which the coil is wound, and the positive electrode side and the negative electrode side of the coil. And an extending portion that extends around the outside of the coil.

このように、本発明に係るインダクタ内蔵基板においては、磁性体が、コイルが巻回されるコア部と、当該コア部に連通し、コイルの正極側及び負極側から当該コイルの外側に廻り込むように延出する延出部とを有するため、閉磁路構造とすることができる。   As described above, in the inductor-embedded substrate according to the present invention, the magnetic body communicates with the core portion around which the coil is wound and the core portion, and wraps around the outside of the coil from the positive electrode side and the negative electrode side of the coil. Thus, a closed magnetic circuit structure can be obtained.

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、前記延出部の途中に空隙を有するものである。
このように、本発明に係るインダクタ内蔵基板においては、延出部の途中に空隙を有するため、空隙により生じた磁気抵抗により磁気飽和を緩和して直流重畳特性を向上させることができるという効果を奏する。
The inductor-embedded substrate according to the present invention has a gap in the middle of the extending portion.
As described above, the inductor-embedded substrate according to the present invention has a gap in the middle of the extending portion, so that the magnetic saturation can be relaxed by the magnetic resistance generated by the gap and the DC superposition characteristic can be improved. Play.

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、空隙が、前記延出部を前記コイルの正極性側から延出する第1延出部と前記コイルの負極側から延出する第2延出部とに分断しているものである。   In the inductor-embedded substrate according to the present invention, the air gap is divided into a first extension part extending from the positive side of the coil and a second extension part extending from the negative side of the coil. It is what you are doing.

このように、本発明に係るインダクタ内蔵基板においては、延出部がコイルの正極側から延出する第1延出部とコイルの負極側から延出する第2延出部とに分断されているため、磁気飽和を緩和して直流重畳特性を向上させることができるという効果を奏する。   As described above, in the inductor-embedded substrate according to the present invention, the extending portion is divided into the first extending portion extending from the positive electrode side of the coil and the second extending portion extending from the negative electrode side of the coil. Therefore, there is an effect that the magnetic saturation can be relaxed and the direct current superimposition characteristic can be improved.

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、前記延出部が、前記ビアの側面部分に沿って前記コイルの外側を廻り込むように延出しているものである。   In the inductor built-in substrate according to the present invention, the extending portion extends so as to go around the outside of the coil along the side surface portion of the via.

このように、本発明に係るインダクタ内蔵基板においては、延出部が、ビアの側面部分に沿ってコイルの外側を廻り込むように延出しているため、インダクタの高さ方向のサイズが縮小され、結果的にインダクタ内蔵基板の小型化を実現することができるという効果を奏する。   As described above, in the inductor-embedded substrate according to the present invention, since the extending portion extends around the outside of the coil along the side surface portion of the via, the size in the height direction of the inductor is reduced. As a result, it is possible to reduce the size of the inductor-embedded substrate.

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、前記延出部の幅をA、前記コア部の幅をBとした場合に、   In the inductor built-in substrate according to the present invention, when the width of the extension portion is A and the width of the core portion is B,

ただし、Wが前記磁性体の横幅、Cが前記磁性体において前記ビアが形成されるための領域の幅、rがAとBの比率とする
を満たすものである。
However, W satisfies the width of the magnetic material, C satisfies the width of the region for forming the via in the magnetic material, and r satisfies the ratio of A and B.

このように、本発明に係るインダクタ内蔵基板においては、シミュレーション結果から明らかなように、上記の式に基づいたサイズで磁性体の設計を行うことで、Q値や直流重畳特性が高い高性能なインダクタ内蔵基板を実現することができるという効果を奏する。   As described above, in the substrate with a built-in inductor according to the present invention, as is clear from the simulation results, the magnetic material is designed with a size based on the above formula, so that the Q value and the DC superposition characteristics are high. There is an effect that an inductor built-in substrate can be realized.

本発明に係るインダクタ内蔵基板は、前記延出部における空隙の長さをD、前記磁性体において前記ビアが形成されるための領域の長さのうち前記空隙の長さDを除いた長さをEとした場合に、   In the inductor-embedded substrate according to the present invention, the length of the gap in the extending portion is D, and the length of the region for forming the via in the magnetic body is the length excluding the length D of the gap. Is E,

ただし、Lが前記磁性体の長さ、Fが前記磁性体の長さLから前記ビアが形成されるための領域の長さを除いた長さ、rがDとEの比率とする
を満たすものである。
Where L is the length of the magnetic material, F is the length of the magnetic material L excluding the length of the region for forming the via, and r is the ratio of D and E. Is.

このように、本発明に係るインダクタ内蔵基板においては、シミュレーション結果から明らかなように、上記の式に基づいたサイズの設計を行うことで、Q値や直流重畳特性が高い高性能なインダクタ内蔵基板を実現することができるという効果を奏する。   As described above, in the inductor-embedded substrate according to the present invention, as is clear from the simulation results, a high-performance inductor-embedded substrate having a high Q value and high DC superimposition characteristics by designing a size based on the above formula. There is an effect that can be realized.

第1の実施形態に係るインダクタ内蔵基板の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the board | substrate with a built-in inductor which concerns on 1st Embodiment. 図1に示すインダクタ内蔵基板におけるインダクタ部分の斜視図である。It is a perspective view of the inductor part in the board | substrate with a built-in inductor shown in FIG. その他の実施形態に係るインダクタ内蔵基板の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the board | substrate with a built-in inductor which concerns on other embodiment. シミュレーションした磁性体のギャップ形状を示す図である。It is a figure which shows the gap shape of the simulated magnetic body. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第1の図である。It is a 1st figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第2の図である。It is a 2nd figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第3の図である。It is a 3rd figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第4の図である。It is a 4th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第5の図である。It is a 5th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第6の図である。It is a 6th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第7の図である。It is a 7th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第8の図である。It is an 8th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. ギャップ形状ごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第9の図である。It is a 9th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every gap shape. シミュレーションした巻線パターンを示す図である。It is a figure which shows the simulated winding pattern. 巻線パターンごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第1の図である。It is a 1st figure which shows the result of having simulated the characteristic for every winding pattern. 巻線パターンごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第2の図である。It is a 2nd figure which shows the result of having simulated the characteristic for every winding pattern. 巻線パターンごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第3の図である。It is a 3rd figure which shows the result of having simulated the characteristic for every winding pattern. 巻線パターンごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第4の図である。It is a 4th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every winding pattern. 巻線パターンごとにその特性をシミュレーションした結果を示す第5の図である。It is a 5th figure which shows the result of having simulated the characteristic for every winding pattern. 磁性体構造のシミュレーション条件を示す図である。It is a figure which shows the simulation conditions of a magnetic body structure. 磁性体のサイズに関してシミュレーションした結果を示す第1の図である。It is a 1st figure which shows the result simulated about the size of a magnetic body. 磁性体のサイズに関してシミュレーションした結果を示す第2の図である。It is a 2nd figure which shows the result simulated about the size of a magnetic body. その他の実施形態に係るインダクタ内蔵基板のシミュレーションに関する図である。It is a figure regarding the simulation of the board | substrate with a built-in inductor which concerns on other embodiment.

以下、本発明の実施の形態を説明する。また、本実施形態の全体を通して同じ要素には同じ符号を付けている。   Embodiments of the present invention will be described below. Also, the same reference numerals are given to the same elements throughout the present embodiment.

(本発明の第1の実施形態)
本実施形態に係るインダクタ内蔵基板について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る第1のインダクタ内蔵基板の構造を示す図であり、図1(A)が、本実施形態に係るインダクタ内蔵基板の側面図、図1(B)が、本実施形態に係るインダクタ内蔵基板の上面図である。
(First embodiment of the present invention)
The substrate with a built-in inductor according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram showing the structure of a first inductor-embedded substrate according to this embodiment. FIG. 1A is a side view of the inductor-embedded substrate according to this embodiment, and FIG. It is a top view of the substrate with a built-in inductor according to the embodiment.

図1において、基板1の表面に形成された複数の帯状の第1配線パターン11と、第1配線パターン11の端部11aを少なくとも除いた領域に装着される磁性体12と、磁性体12の上面側に形成される複数の帯状の第2配線パターン13とを有し、第1配線パターン11と第2配線パターン13とが、基板1の積層方向に対して垂直な方向(水平方向)を巻軸とするコイルとして配線が形成されるようにビア14で接続されている。   In FIG. 1, a plurality of strip-shaped first wiring patterns 11 formed on the surface of the substrate 1, a magnetic body 12 attached to a region excluding at least the end portion 11 a of the first wiring pattern 11, A plurality of strip-shaped second wiring patterns 13 formed on the upper surface side, and the first wiring pattern 11 and the second wiring pattern 13 are perpendicular to the stacking direction of the substrate 1 (horizontal direction). Vias 14 are connected so that wiring is formed as a coil serving as a winding shaft.

また、磁性体12は、第1配線パターン11、第2配線パターン13及びビア14からなるコイルが巻回されるコア部15と、コア部15に連通し、コイルの正極側及び負極側から当該コイルの外側に廻り込むように延出する延出部16とを備える。図1においては、延出部16がビア14の側面に沿って延出している。このような構造により、磁性体12の形状に沿って閉磁路構造とされたものである。   In addition, the magnetic body 12 communicates with the core portion 15 around which the coil including the first wiring pattern 11, the second wiring pattern 13, and the via 14 is wound, and from the positive electrode side and the negative electrode side of the coil. And an extending portion 16 extending around the outside of the coil. In FIG. 1, the extending portion 16 extends along the side surface of the via 14. With such a structure, a closed magnetic circuit structure is formed along the shape of the magnetic body 12.

図2は、基板1に内蔵されるインダクタ部分のみを示した斜視図であり、図2(A)が、上方から見た場合の斜視図、図2(B)が、下方から見た場合の斜視図である。図2からわかる通り、磁性体12のコア部15の領域が第1配線パターン11、第2配線パターン13及びビア14からなるコイルによりコア部15に巻回された状態となっており、このコイルに電流が流れることで磁界を発生する。発生した磁束は延出部16に沿って鎖交し、インダクタとして機能する。   FIG. 2 is a perspective view showing only the inductor portion built in the substrate 1, FIG. 2A is a perspective view when viewed from above, and FIG. 2B is a view when viewed from below. It is a perspective view. As can be seen from FIG. 2, the region of the core portion 15 of the magnetic body 12 is wound around the core portion 15 by a coil including the first wiring pattern 11, the second wiring pattern 13, and the via 14. A magnetic field is generated when a current flows through. The generated magnetic flux interlinks along the extension 16 and functions as an inductor.

図1及び図2においては、延出部16の途中の位置に空隙部17を形成している。この空隙部17は、延出部16をコイルの正極側から延出する第1延出部16aとコイルの負極側から延出する第2延出部16bとに分断している。すなわち、空隙部17が形成されない状態では、大きなL値が可能であるが、磁気飽和しやすいため直流重畳電流を大きくできない。そこで、図1及び図2に示すように、延出部16の途中に空隙部17を形成して磁気抵抗を大きくすることが望ましい。こうすることで、磁気飽和し難くして直流重畳電流を大きくすることが可能となる。なお、この空隙部17は、素子の特性や用途に応じて、図1及び図2に示すように、第1延出部16aと第2延出部16bとを完全に分断するように形成してもよいし、第1延出部16aと第2延出部16bとが一部連通した状態で形成してもよい。   In FIGS. 1 and 2, a gap portion 17 is formed at a position in the middle of the extension portion 16. The gap 17 divides the extending portion 16 into a first extending portion 16a extending from the positive electrode side of the coil and a second extending portion 16b extending from the negative electrode side of the coil. That is, in a state where the gap portion 17 is not formed, a large L value is possible, but since the magnetic saturation is likely to occur, the DC superimposed current cannot be increased. Therefore, as shown in FIGS. 1 and 2, it is desirable to increase the magnetoresistance by forming a gap portion 17 in the middle of the extended portion 16. By doing so, it is possible to increase the DC superimposed current by making the magnetic saturation difficult. The gap portion 17 is formed so as to completely divide the first extension portion 16a and the second extension portion 16b as shown in FIGS. 1 and 2 according to the characteristics and use of the element. Alternatively, the first extending portion 16a and the second extending portion 16b may be formed in a partially connected state.

(その他の実施形態)
本実施形態に係るインダクタ内蔵基板について、図3を用いて説明する。本実実施形態において、前記第1の実施形態と重複する説明は省略する。図3は、本実施形態に係るインダクタ内蔵基板の構造を示す図であり、図3(A)が、本実施形態に係るインダクタ内蔵基板の側面図、図3(B)が、本実施形態に係るインダクタ内蔵基板の上面図である。
(Other embodiments)
The inductor-embedded substrate according to this embodiment will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the description overlapping that of the first embodiment will be omitted. FIG. 3 is a diagram showing the structure of the substrate with a built-in inductor according to the present embodiment. FIG. 3A is a side view of the substrate with a built-in inductor according to the present embodiment, and FIG. It is a top view of the inductor built-in substrate.

図3において、第1配線パターン11、第2配線パターン13及びビア14で形成されるインダクタのコイルに相当する配線構造は、図1及び図2の場合と同じであるが、磁性体12の構造が異なる。図1及び図2においては、磁性体12の延出部16がビア14の側面に沿って配設されているが、図3の場合は、コイルの上層側と下層側にそれぞれ延出する構造となっている。そして、第1の実施形態の場合と同様に、それぞれの延出部16a及び16bは、空隙部17による分断されたものであってもよい。このような構造により、磁性体12の形状に沿って閉磁路構造とされたものである。   In FIG. 3, the wiring structure corresponding to the inductor coil formed by the first wiring pattern 11, the second wiring pattern 13 and the via 14 is the same as that in FIGS. 1 and 2, but the structure of the magnetic body 12. Is different. 1 and 2, the extending portion 16 of the magnetic body 12 is disposed along the side surface of the via 14, but in the case of FIG. 3, the structure extends to the upper layer side and the lower layer side of the coil. It has become. And like the case of 1st Embodiment, each extended part 16a and 16b may be parted by the space | gap part 17. As shown in FIG. With such a structure, a closed magnetic circuit structure is formed along the shape of the magnetic body 12.

なお、前記第1の実施形態における延出部16a、16bと本実施形態における延出部16a、16とは任意に組み合わせることができる。すなわち、第1の実施形態に示したようなビア14の側面に沿った2組の延出部16a、16bと、本実施形態に示したようなコイルの上層側と下層側に配設された2組の延出部16a、16bとが任意の組み合わせ(1組〜4組)で配設されるようにしてもよい。   In addition, the extension parts 16a and 16b in the said 1st Embodiment and the extension parts 16a and 16 in this embodiment can be combined arbitrarily. That is, two sets of extending portions 16a and 16b along the side surface of the via 14 as shown in the first embodiment, and the upper layer side and the lower layer side of the coil as shown in this embodiment are arranged. You may make it arrange | position two sets of extension parts 16a and 16b by arbitrary combinations (1 set-4 sets).

上記に示したインダクタに関して行ったシミュレーション結果を以下に示す。シミュレーションは、(1)磁性体のギャップ形状、(2)巻線パターン、(3)磁性体のサイズ、(4)変形例におけるインダクタ内蔵基板に関して行った。   The simulation results performed on the inductor shown above are shown below. The simulation was performed on (1) the gap shape of the magnetic material, (2) the winding pattern, (3) the size of the magnetic material, and (4) the inductor built-in substrate in the modification.

(1)磁性体のギャップ形状
磁性体12の様々なギャップ形状バリエーションについて、その特性をシミュレーションした。図4は、シミュレーションした磁性体12の様々なギャップ形状を示す図である。ここでは、上面図を示している。図1及び図2に示した磁性体12をオリジナルギャップとし、その他にタイプ1〜7のギャップ形状及びギャップなし形状について、L−Q周波数特性及び直流重畳特性を求めた。
(1) Gap shape of magnetic body The characteristics of various gap shape variations of the magnetic body 12 were simulated. FIG. 4 is a diagram showing various gap shapes of the simulated magnetic body 12. Here, a top view is shown. The LQ frequency characteristics and the DC superposition characteristics were obtained for the gap shapes and gapless shapes of types 1 to 7 with the magnetic body 12 shown in FIGS. 1 and 2 as the original gap.

各シミュレーション結果を図5ないし図13に示す。
図5は、図1及び図2に示した場合(オリジナルギャップ)であり、
図6は、オリジナルギャップの一部で第1延出部16aと第2延出部16bとが連通している場合(タイプ1)であり、
図7は、第1延出部16aと第2延出部16bとが連通し、空隙部17の面積が図6の場合と同じ場合(タイプ2)であり、
図8は、空隙部17の形状が三角形の場合(タイプ3)であり、
図9は、空隙部17内に磁性体が配置され、この磁性体が第1延出部16aや第2延出部16bと連通していない場合(タイプ4)であり、
図10は、空隙部17内に非磁性体が配置され、この非磁性体が第1延出部16aや第2延出部16bと連通していない場合(タイプ5)であり、
図11は、空隙部17がコア部15の近傍に形成されている場合(タイプ6)であり、
図12は、図5のオリジナルギャップに図11の空隙部17を組み合わせた場合(タイプ7)であり、
図13は、ギャップなしの場合(タイプ8)である。
Each simulation result is shown in FIGS.
FIG. 5 shows the case (original gap) shown in FIGS.
FIG. 6 shows a case (type 1) in which the first extending portion 16a and the second extending portion 16b communicate with each other in a part of the original gap.
FIG. 7 shows a case where the first extension portion 16a and the second extension portion 16b communicate with each other and the area of the gap portion 17 is the same as that in FIG. 6 (type 2).
FIG. 8 shows a case where the shape of the gap portion 17 is a triangle (type 3).
FIG. 9 shows a case where a magnetic body is disposed in the gap portion 17 and this magnetic body does not communicate with the first extension portion 16a or the second extension portion 16b (type 4).
FIG. 10 shows a case where a nonmagnetic material is disposed in the gap portion 17 and this nonmagnetic material is not in communication with the first extension portion 16a or the second extension portion 16b (type 5).
FIG. 11 shows a case where the gap portion 17 is formed in the vicinity of the core portion 15 (type 6).
FIG. 12 shows a case (type 7) in which the gap 17 of FIG. 11 is combined with the original gap of FIG.
FIG. 13 shows a case where there is no gap (type 8).

図5ないし図13の結果から、L−Q周波数特性及び直流重畳特性が優れているものは、図5のオリジナルギャップ、図9のタイプ4、図10のタイプ5及び図12のタイプ7であった。これらの4つのタイプのインダクタは、10MHzまでL値が略一定であり、直流重畳許容電流値(L値が初期値から30%低下する直流重畳電流)も、優れた値を示している。そして、この4つのタイプのインダクタに共通する特徴として、延出部16が第1延出部16aと第2延出部16bとに空隙部17を隔てて分断されている(コア部15では連通しているが、コイルの外側部分は完全に分断されている)ことが挙げられる。すなわち、上記4つのタイプのインダクタについては、第1延出部16aと第2延出部16bとが空隙部17により分断されているため、L値は小さくなっているものの、使用周波数帯域が広く、優れた直流重畳許容電流値を示すことから、特に高性能なインダクタ内蔵基板の実現が可能である。   From the results of FIGS. 5 to 13, the LQ frequency characteristics and the DC superimposition characteristics are excellent in the original gap in FIG. 5, type 4 in FIG. 9, type 5 in FIG. 10 and type 7 in FIG. 12. It was. In these four types of inductors, the L value is substantially constant up to 10 MHz, and the DC superposition allowable current value (DC superposition current in which the L value is reduced by 30% from the initial value) also shows an excellent value. As a feature common to these four types of inductors, the extending portion 16 is divided into a first extending portion 16a and a second extending portion 16b with a gap 17 therebetween (communication in the core portion 15). However, the outer part of the coil is completely divided). That is, for the above four types of inductors, since the first extending portion 16a and the second extending portion 16b are separated by the gap portion 17, the L value is small, but the operating frequency band is wide. Since it exhibits an excellent direct current superposition allowable current value, it is possible to realize a particularly high performance substrate with a built-in inductor.

(2)巻線パターン
図1及び図2に示した磁性体12に様々な巻線パターンでコイルを形成した場合の特性をシミュレーションした。図14は、シミュレーションした様々な巻線パターンを示す図である。ここでは、上面図を示している。図1及び図2に示した巻線パターンをオリジナル巻線とし、その他にパターンA〜Dの巻線について、L−Q周波数特性及び直流重畳特性を求めた。
(2) Winding pattern The characteristics in the case where coils were formed with various winding patterns on the magnetic body 12 shown in FIGS. 1 and 2 were simulated. FIG. 14 is a diagram showing various simulated winding patterns. Here, a top view is shown. The winding pattern shown in FIGS. 1 and 2 was used as the original winding, and the LQ frequency characteristics and the DC superposition characteristics were obtained for the windings of patterns A to D.

各シミュレーション結果を図15ないし図19に示す。
図15は、図1及び図2に示した場合のオリジナル巻線の場合であり、
図16は、第1延出部16a、コア部15、第2延出部16bに8の字状に交互に巻回した場合(パターンA)であり、
図17は、図16の2つの配線を1つの配線に纏めて配線の太さを太くした場合(パターンB)であり、
図18は、延出部16にのみ巻線を配設し、コア部15に磁束が通らないようにした場合(パターンC)であり、
図19は、延出部16にのみ巻線を配設し、コア部15にも磁束が通るようにした場合(パターンD)である。
The simulation results are shown in FIGS.
FIG. 15 is the case of the original winding in the case shown in FIG. 1 and FIG.
FIG. 16 shows a case where the first extending portion 16a, the core portion 15, and the second extending portion 16b are alternately wound in an 8-shape (pattern A),
FIG. 17 shows a case where the two wirings of FIG. 16 are combined into one wiring to increase the thickness of the wiring (pattern B).
FIG. 18 shows a case (pattern C) in which the winding is disposed only in the extension portion 16 and the magnetic flux does not pass through the core portion 15.
FIG. 19 shows a case (pattern D) in which windings are provided only in the extension portion 16 and magnetic flux passes through the core portion 15.

図15ないし図19の結果から、パターンA〜Dのいずれの場合も、10MHzまでL値が略一定であるが、オリジナル巻線に比べて、L値、Q値共に低い値となっている。この結果から、オリジナル巻線が最も高性能なインダクタ内蔵基板を実現することができる。ただし、パターンBについては、配線が太くなったことにより抵抗値が非常に小さくなっており、放熱効果を期待することができる。以上のことから、インダクタ内蔵基板の使用用途に応じて、配線パターンや配線の太さを調整することで、用途に適した使用が可能となる。   From the results of FIGS. 15 to 19, in any of the patterns A to D, the L value is substantially constant up to 10 MHz, but both the L value and the Q value are lower than the original winding. From this result, it is possible to realize a substrate with a built-in inductor whose original winding has the highest performance. However, with respect to the pattern B, the resistance value is very small due to the thick wiring, and a heat dissipation effect can be expected. From the above, by adjusting the wiring pattern and the thickness of the wiring according to the usage application of the inductor-embedded substrate, it is possible to use it suitable for the application.

(3)磁性体のサイズ
磁性体12のサイズ(コア部15、延出部16等の幅や長さ)について、2つの観点からシミュレーションを行った。図20は、本シミュレーションにおける磁性体構造のシミュレーション条件を示す図である。図20(A)は、延出部16の幅Aとコア部15の幅Bとの関係についてシミュレーションした場合の条件を示し、図20(B)は、空隙部17の長さDとコア部15の長さ(コア部15の長さから空隙部17の長さを引いた長さ)Eとの関係についてシミュレーションした場合の条件を示している。
(3) Size of magnetic body Simulation was performed from two viewpoints on the size of the magnetic body 12 (the width and length of the core portion 15, the extended portion 16, and the like). FIG. 20 is a diagram showing the simulation conditions of the magnetic body structure in this simulation. FIG. 20A shows the conditions when a simulation is performed on the relationship between the width A of the extension portion 16 and the width B of the core portion 15, and FIG. 20B shows the length D of the gap portion 17 and the core portion. 15 shows a condition in the case of simulation with respect to a relationship with a length of 15 (a length obtained by subtracting the length of the gap portion 17 from the length of the core portion 15) E.

図20(A)の条件で、延出部16の幅Aとコア部15の幅Bとの比率を変化させた場合の特性値のシミュレーション結果を図21に示す。目標とする特性値として、L値が0.47[μH]以上、直流抵抗が200[mΩ]以下、直流重畳許容電流値が1[A]以上、10MHzにおけるQ値が40以上を設定した。これらの条件を全て満たすA:Bは、図21に示すハッチング部分となる。図21の結果から、Aに対するBの比率が大き過ぎるとQ値が低くなって目標値を満たさず性能が劣化する。また、Aに対するBの比率が小さ過ぎると直流重畳電流が小さくなって目標値を満たさず性能が劣化する。すなわち、図21の結果から、A:B=1:1〜8程度で上記全ての目標値を達成できることが明らかとなった。   FIG. 21 shows the simulation result of the characteristic value when the ratio of the width A of the extension portion 16 and the width B of the core portion 15 is changed under the condition of FIG. As target characteristic values, an L value of 0.47 [μH] or more, a DC resistance of 200 [mΩ] or less, a DC superposition allowable current value of 1 [A] or more, and a Q value at 10 MHz of 40 or more were set. A: B satisfying all these conditions is a hatched portion shown in FIG. From the result of FIG. 21, when the ratio of B to A is too large, the Q value becomes low, the target value is not satisfied, and the performance deteriorates. On the other hand, if the ratio of B to A is too small, the direct current superposition current becomes small and the target value is not satisfied and the performance deteriorates. That is, from the result of FIG. 21, it became clear that all the target values can be achieved with A: B = 1: 1 to about 8.

図21に示す上記シミュレーション結果から、以下の演算によりA、Bの値を特定することができる。磁性体12の幅をW、ビア14を形成するための領域の幅をCとすると、   From the simulation results shown in FIG. 21, the values of A and B can be specified by the following calculation. When the width of the magnetic body 12 is W and the width of the region for forming the via 14 is C,

となる。 It becomes.

図20(B)の条件で、空隙部17の長さDとコア部15の長さ(コア部15の長さから空隙部17の長さを引いた長さ)Eとの比率を変化させた場合の特性値のシミュレーション結果を図22に示す。目標とする特性値は上記と同様に設定し、これらの条件を全て満たすE:Dが図22のハッチング部分である。図22の結果から、Eに対するDの比率が小さ過ぎると直流重畳電流が小さくなって目標値を満たさず性能が劣化する。また、Eに対するDの比率が大き過ぎるとQ値が低くなって目標値を満たさず性能が劣化する。すなわち、図22に示すように、E:D=1:0.04〜0.85程度で上記目標を達成できることが明らかとなった。   20B, the ratio between the length D of the gap portion 17 and the length of the core portion 15 (the length obtained by subtracting the length of the gap portion 17 from the length of the core portion 15) E is changed. FIG. 22 shows the simulation result of the characteristic value in the case of the above. The target characteristic value is set in the same manner as described above, and E: D that satisfies all these conditions is the hatched portion in FIG. From the result of FIG. 22, when the ratio of D to E is too small, the DC superposition current becomes small, the target value is not satisfied, and the performance deteriorates. On the other hand, if the ratio of D to E is too large, the Q value becomes low, the target value is not satisfied, and the performance deteriorates. That is, as shown in FIG. 22, it became clear that the above target can be achieved with E: D = 1: 0.04 to 0.85.

図22に示す上記シミュレーション結果から、以下の演算によりD、Eの値を特定することができる。磁性体12の長さをL、コア部15の先端部から磁性体12の先端部までの長さをFとすると、   From the simulation results shown in FIG. 22, the values of D and E can be specified by the following calculation. When the length of the magnetic body 12 is L and the length from the tip of the core portion 15 to the tip of the magnetic body 12 is F,

となる。 It becomes.

以上のように、インダクタ内蔵基板において磁性体12の構造(コア部15の長さや幅、延出部16の長さや幅や形状、磁性体12全体の長さや幅等)及び配線方法(コア部15、延出部16における配線の巻き方、配線の太さ、配線の長さ等)を様々なバリエーションで組み合わせることで、目的とする使用環境に適した特性のインダクタを内蔵するインダクタ内蔵基板を実現することが可能である。   As described above, the structure of the magnetic body 12 (the length and width of the core portion 15, the length and width and shape of the extension portion 16, the length and width of the entire magnetic body 12, etc.) and the wiring method (core portion) in the inductor-embedded substrate. 15, the winding method of the wiring in the extension portion 16, the thickness of the wiring, the length of the wiring, etc.) are combined in various variations to provide a substrate with a built-in inductor that incorporates an inductor having characteristics suitable for the intended use environment. It is possible to realize.

(4)変形例におけるインダクタ内蔵基板のシミュレーション
その他の実施形態に係る図3に示したインダクタ内蔵基板について、特性のシミュレーションを行った。図23は、本シミュレーションにおけるインダクタの構造を示す図であり、図24は、シミュレーション結果を示す図である。図23に示すように、直流重畳特性を良くするために、図3の場合と比較してギャップを大きくしてシミュレーションを行った。また、図24の結果から、本シミュレーションにおいては特に高周波でのQ値が良好となっている。
(4) Simulation of Inductor Built-In Substrate in Modification Example Characteristics of the inductor built-in substrate shown in FIG. 3 according to another embodiment were simulated. FIG. 23 is a diagram showing the structure of the inductor in this simulation, and FIG. 24 is a diagram showing the simulation result. As shown in FIG. 23, in order to improve the direct current superimposition characteristics, the simulation was performed with a larger gap than in the case of FIG. Further, from the result of FIG. 24, the Q value at a high frequency is particularly good in this simulation.

1 基板
11 第1配線パターン
12 磁性体
13 第2配線パターン
14 ビア
15 コア部
16 延出部
16a 第1延出部
16b 第2延出部
17 空隙部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 11 1st wiring pattern 12 Magnetic body 13 2nd wiring pattern 14 Via 15 Core part 16 Extension part 16a 1st extension part 16b 2nd extension part 17 Cavity part

Claims (6)

基板表面に形成された複数の帯状の第1配線パターンと、当該第1配線パターンの少なくとも端部を除く領域に装着される磁性体と、当該磁性体の上面側に形成される複数の帯状の第2配線パターンとを有し、前記第1配線パターンと前記第2配線パターンとが、前記基板の積層方向に対して垂直な方向に磁化するコイルとして配線が形成されるようにビアで接続されるインダクタ内蔵基板であって、
前記磁性体が、前記コイルが巻回されるコア部と、当該コア部に連通し、前記コイルの正極側及び負極側から当該コイルの外側に廻り込むように延出する延出部とを有することを特徴とするインダクタ内蔵基板。
A plurality of strip-shaped first wiring patterns formed on the substrate surface, a magnetic body attached to a region excluding at least an end of the first wiring pattern, and a plurality of strip-shaped formed on the upper surface side of the magnetic body A second wiring pattern, and the first wiring pattern and the second wiring pattern are connected by vias so that the wiring is formed as a coil that is magnetized in a direction perpendicular to the stacking direction of the substrate. Inductor built-in board
The magnetic body has a core portion around which the coil is wound, and an extending portion that communicates with the core portion and extends from the positive electrode side and the negative electrode side of the coil so as to go around the coil. A substrate with a built-in inductor.
請求項1に記載のインダクタ内蔵基板において、
前記延出部の途中に空隙を有することを特徴とするインダクタ内蔵基板。
The substrate with a built-in inductor according to claim 1,
An inductor-embedded substrate having a gap in the middle of the extending portion.
請求項2に記載のインダクタ内蔵基板において、
前記空隙が、前記延出部を前記コイルの正極側から延出する第1延出部と前記コイルの負極側から延出する第2延出部とに分断していることを特徴とするインダクタ内蔵基板。
The inductor-embedded substrate according to claim 2,
The inductor is characterized in that the gap divides the extending portion into a first extending portion extending from the positive electrode side of the coil and a second extending portion extending from the negative electrode side of the coil. Built-in board.
請求項1ないし3のいずれかに記載のインダクタ内蔵基板において、
前記延出部が、前記ビアの側面部分に沿って前記コイルの外側を廻り込むように延出していることを特徴とするインダクタ内蔵基板。
The inductor-embedded substrate according to any one of claims 1 to 3,
The substrate with a built-in inductor, wherein the extending portion extends so as to wrap around the outside of the coil along a side surface portion of the via.
請求項1ないし4のいずれかに記載のインダクタ内蔵基板において、
前記延出部の幅をA、前記コア部の幅をBとした場合に、
ただし、Wが前記磁性体の横幅、Cが前記磁性体において前記ビアが形成されるための領域の幅、rがAとBの比率とする
を満たすことを特徴とするインダクタ内蔵基板。
The inductor-embedded substrate according to any one of claims 1 to 4,
When the width of the extension part is A and the width of the core part is B,
However, W is a lateral width of the magnetic material, C is a width of a region for forming the via in the magnetic material, and r is a ratio of A and B.
請求項1ないし5のいずれかに記載のインダクタ内蔵基板において、
前記延出部における空隙の長さをD、前記磁性体において前記ビアが形成されるための領域の長さのうち前記空隙の長さDを除いた長さをEとした場合に、
ただし、Lが前記磁性体の長さ、Fが前記磁性体の長さLから前記ビアが形成されるための領域の長さを除いた長さ、rがDとEの比率とする
を満たすことを特徴とするインダクタ内蔵基板。
In the inductor built-in substrate according to any one of claims 1 to 5,
When the length of the gap in the extending portion is D, and the length excluding the length D of the gap in the length of the region for forming the via in the magnetic body is E,
Where L is the length of the magnetic material, F is the length of the magnetic material L excluding the length of the region for forming the via, and r is the ratio of D and E. A substrate with a built-in inductor.
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