JP2016105344A - 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード - Google Patents
耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016105344A JP2016105344A JP2015226861A JP2015226861A JP2016105344A JP 2016105344 A JP2016105344 A JP 2016105344A JP 2015226861 A JP2015226861 A JP 2015226861A JP 2015226861 A JP2015226861 A JP 2015226861A JP 2016105344 A JP2016105344 A JP 2016105344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance value
- data
- circuit
- resistance
- digital
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 326
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 22
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 31
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 description 121
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 65
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 65
- 230000008569 process Effects 0.000 description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 43
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 36
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 33
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 23
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 22
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013478 data encryption standard Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000546 chi-square test Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100022443 CXADR-like membrane protein Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000901723 Homo sapiens CXADR-like membrane protein Proteins 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001583 randomness test Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0059—Security or protection circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/20—Initialising; Data preset; Chip identification
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
- G11C2013/0054—Read is performed on a reference element, e.g. cell, and the reference sensed value is used to compare the sensed value of the selected cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/0073—Write using bi-directional cell biasing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/0083—Write to perform initialising, forming process, electro forming or conditioning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
上述の秘密鍵の保管を実現するために前述のPUF技術が用いられる。PUF技術で得られた個体識別情報である乱数のディジタルIDデータをデバイス暗号鍵として、秘密鍵を暗号化して不揮発性メモリに保存する。ディジタルIDデータは、各ICで異なる乱数であるため、それを用いて暗号化されたデータも各ICで固有のデータ列となる。暗号化された秘密鍵がハッキングなどにより別のICにコピーされたとしても複製できないディジタルIDデータがコピーされないので、もとの秘密鍵を不正利用されることがない。
特徴(1):複製できない物理的な現象から固有のディジタルIDデータ(個体識別情報)を得る。
特徴(2):物理的な現象は動的な回路制御によってのみ得られ、プローブによる直接的な読み取りといった静的な解析によっては必要とされる物理的な現象を得ることはできない。
特徴(3):得られたディジタルIDデータには誤りがあり、誤り訂正回路によってのみ真のIDデータが得られる。
性能(1):ディジタルIDデータに含まれる誤り箇所はランダムに変化し、真のIDデータの予測が困難である。
性能(2):PUF技術によって得られるディジタルIDデータは高い乱数性がありICごとにユニークな固有データとなる。
性能(3):PUF技術を採用するとしても、そのために付加すべき回路のオーバーヘッドが小さく、ディジタルIDデータを生成する際の消費電力が小さい。
性能(4):各データビットを生成する生成回路の並列処理数を多くすることで、サイドチャンネル攻撃への耐性がある。
性能(5):データの誤り率が小さく、誤り訂正回路の回路規模を小さくできる。
性能(6):ディジタルIDデータを生成するタイミングに制約が少なく生成速度が高速である。
本願発明者らは、以上のような課題を解決できる可能性のある新規なディジタルIDデータ生成方法を鋭意検討した。その結果、本願発明者らは、抵抗変化素子の書き込まれた抵抗値が正規分布にばらつく現象を見出し、抵抗値のばらつきから安定的なディジタルIDデータを生成することに想到した。
(本開示で用いる抵抗変化型不揮発性メモリ装置の概要)
図1は、第1実施形態にかかる抵抗変化型不揮発性メモリ装置100の概略構成の一例を示すブロック図である。また、図2は、第1実施形態にかかる抵抗変化型不揮発性メモリ装置100が備えるメモリセルの概略構成の一例を示す断面図である。
図2に示す例において、抵抗変化素子120は、第1電極124と第2電極128との間に抵抗変化層126が介在する構成を有する。抵抗変化層126は、例えば金属酸化物、より詳細には例えば遷移金属酸化物で構成することができる。可変状態にあるメモリセル91の抵抗変化素子120は、第1電極124と第2電極128との間に電気的信号が印加されることによって、第1電極124と第2電極128との間の抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する性質を有する。
た、酸素過剰の金属酸化物は、酸素不足度が負の値となる。なお、本明細書中では、特に断りのない限り、酸素不足度は正の値、0、負の値も含むものとして説明する。
にxが0.9以上1.6以下であり、かつ、第2金属酸化物の組成をHfOyとした場合
にyがxの値よりも大である場合に、抵抗変化層の抵抗値を安定して高速に変化させることができる。この場合、第2金属酸化物の膜厚は、3〜4nmとしてもよい。
にxが0.9以上1.4以下であり、かつ、第2金属酸化物の組成をZrOyとした場合
にyがxの値よりも大である場合に、抵抗変化層の抵抗値を安定して高速に変化させることができる。この場合、第2金属酸化物の膜厚は、1〜5nmとしてもよい。
酸化物にチタン酸化物(TiO2)を用いることにより、安定した抵抗変化動作が得られ
る。チタン(標準電極電位=−1.63eV)はタンタル(標準電極電位=−0.6eV)より標準電極電位が低い材料である。このように、第2金属酸化物に第1金属酸化物より標準電極電位が低い金属の酸化物を用いることにより、第2金属酸化物中でより酸化還元反応が発生しやすくなる。その他の組み合わせとして、高抵抗層となる第2金属酸化物にアルミニウム酸化物(Al2O3)を用いることができる。例えば、第1金属酸化物に酸素不足型のタンタル酸化物(TaOx)を用い、第2金属酸化物にアルミニウム酸化物(Al2O3)を用いてもよい。
成を有する第1抵抗変化層と、TaOy(但し、x<y<2.5)で表される組成を有す
る第2抵抗変化層とが積層された積層構造を少なくとも有している。他の層、例えばタンタル酸化物以外の金属酸化物で構成される第3抵抗変化層等を適宜配置しうることは言うまでもない。
図4は、可変状態にあるバイポーラ型抵抗変化素子の特性の一例を示す図である。図4の素子の構成は、第1電極124の材料がTaN、第2電極128の材料がIr、抵抗変化層126の材料がTaOx(但し、0<x<2.5)で表される組成を有する第1タン
タル含有層と、TaOy(但し、x<y)で表される組成を有する第2タンタル含有層と
が積層された積層構造を少なくとも有して、第1タンタル含有層が第1電極124に接し、第2タンタル含有層が第2電極128に接している。TaOxは、0.8≦x≦1.9
を満足し、TaOyは、2.1≦y≦2.5を満足するように製造されている。第2タン
タル含有層の厚みは、8nm以下であり、抵抗変化層126全体の厚みは50nm以下である。各電極への接触面積は図3の測定に用いた抵抗変化素子と等しい。
び、それらの遷移金属酸化物から構成された抵抗変化層が、製造直後には絶縁体であって、かつフォーミングストレスを与えるプロセスによって導電パスが形成されて可変状態に遷移することが知られている。
ると0<x<2.5である。第2電極128に接する層が酸素濃度の高い層であって、組成をTaOyとするとy≧2.1であり、厚さが5.5nm程度である。第1電極124
と抵抗変化層126との接触面および第2電極128と抵抗変化層126との接触面の面積が0.25μm2以下である。
抗値は数MΩ程度であり、高抵抗値範囲が1000〜3000Ω程度、低抵抗値範囲が100〜300Ω程度となる。この場合、フォーミングストレスは、例えば、電圧が2〜3V、パルス幅が100nSecのパルスを累積的に印加する。低抵抗化パルスは、電圧が+1.0V、パルス幅が100nSecであり、高抵抗化パルスは、電圧が−1.3V、パルス幅が100nSecである。
図3に示す例では、初期抵抗値範囲の下限が、全ての可変抵抗値範囲の上限以上である。具体的には、初期抵抗値範囲の下限が、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの上限以上であってもよい。さらに具体的には、初期抵抗値範囲の下限は、2個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きい第1抵抗値範囲の上限に等しくてもよい。
に低抵抗にある。この初期状態のメモリセルに10μSecのパルス幅で第1電気的信号と同じ極性で電圧の絶対値が3.5Vのパルスを所定の回数を印加することによって、初期抵抗値よりも抵抗値の大きい状態(2K〜8KΩの高抵抗状態)に推移する。これは、第2電極128と抵抗変化層126の接触界面の酸化が進行し、Fe2O3の絶縁状態にある抵抗層が形成されるためと考えられる。
次に中央値検出回路25の変形例を説明する。
図25は、本開示の実施形態の変形例を示す。図25の構成要素のうち、図18に記載されている構成要素と同じまたは実質的に同じ構造および/または機能を有するものには同じ参照符号を付して、その説明は省略する。
ーン数n分だけ累積した値がχ二乗値となる。具体的には例えば、4ビットで表されるデータパターンのχ二乗値を演算するとき、データパターンの種類は0〜15の16通りある。sが32ビットとのき、sビットを16回取得すると合計512ビットのデータ数となる。512÷4=128であることから、取得されるデータパターン数は128個となる。128個のデータパターンが均一に0〜15のパターンに分かれるのであれば、128÷16=8となり、各データパターンの取得個数の理想値Dは8となる。つまり、データパターン毎の取得個数がXn(nは0から15の整数)であるとき、全てのデータパターンごとに(Xn−8)2÷8を求め、全てを合計したものが、取得した512ビット分のχ二乗値となる。
特徴(1):本開示の抵抗変化型不揮発性メモリ装置において、同一の抵抗値範囲にあるメモリセルの抵抗値のばらつきは、人為的に故意のデータパターンで書き込むことができないため、このような複製できない物理的な現象から固有のディジタルIDデータ(個体識別情報)得ることができる。
特徴(2):本開示の抵抗変化型不揮発性メモリ装置において、ディジタルIDデータ(個体識別情報)に用いる抵抗値ばらつきはセンスアンプにより読み出される。センスアンプを構成するトランジスタには微細プロセス特有のランダムばらつきがあり、並列に読み出す各センスアンプごとのメモリセルの抵抗値情報は絶対値が異なる。従って、物理的に抵抗値を読み取ったとしてもセンスアンプを介して得た抵抗値情報と異なり、物理的には正しいディジタルIDデータを予測できない。すなわち、抵抗値ばらつきの物理的な現象は内部に搭載されているセンスアンプの動的な回路制御によってのみ得られる。
特徴(3):メモリ素子である抵抗変化型メモリセルはパーコレーションモデルに基づく抵抗値揺らぎを備えており、得られたIDデータには誤りがあり、誤り訂正回路によってのみ真のIDデータが得られる。
性能(1):前述の特徴(3)であるデータ誤り現象は、本開示の構成によれば、一回ごとの誤り率は2〜3%と低いものの、累積の誤り率は読み出し回数に応じて14%以上にも増加するため機械学習攻撃に対して極めて強いという良好な特徴をもつ。
性能(2):抵抗値のばらつき分布が標準偏差の正規分布に従ってばらついている為、そこから得られるディジタルIDデータは良好な乱数性を示す。
性能(3):本開示はICおよびSoCに搭載される不揮発性メモリ装置の回路を大部分共用しているため、回路増加が僅かであり、回路オーバーヘッドが小さくかつ、読み出し電流も小さい。
性能(4):本開示はICおよびSoCに搭載される不揮発性メモリ装置を用いているため、並列読み出し数が多い。実施例では32bit並列制御のメモリアレイでデータを取得したが、一回の読み出しが500ns程度であり、生成速度は64Mbpsと非常に高速である。並列読み出し数が多いため、サイドチャネルアタックなどの電磁解析では各ビット状態を特定することが困難でハッキングに対する耐性が高い。
性能(5):専用のメモリセルを用いないSRAM−PUF、およびグリッジPUFのようにデータ誤り率が15%に比べ、本開示の構成によれば誤り率が2〜3%と小さい。このため誤り訂正回路の回路規模を小さくできる。
性能(6):専用のメモリセルを用いないSRAM−PUFのように、電源オン時のみ生成タイミングが制限されず、前述したように並列数によるが、一般的な並列数でも64Mbpsと非常に高速に生成できる。
一つの応用例は、本開示により生成されるディジタルIDデータによる秘密鍵の暗号と、暗号化秘密鍵のフォーミングによる書き込みによるデータ隠蔽、さらに認証方法を開示する。
リーダライタ501は、RAM503と、入出力インタフェース(I/F)部504と、CPU505と、暗号処理回路506と、不揮発性メモリ装置515とを有している。
ICカード502は、入出力インタフェース(I/F)部520と、CPU521と、暗号処理回路522と、RAM523と、不揮発性メモリ装置530とを有している。
10 不揮発メモリ装置
11 読み出し回路
14 書き込み回路
15 制御回路
16 アドレス入力回路
17 カラムデコーダ回路
18 ロウデコーダ回路
20 メモリセルアレイ
22 メモリ本体部
25 中央値検出回路(演算回路)
310 乱数検定回路
Claims (13)
- 可変状態では、異なる複数の電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、
各々が前記複数のメモリセルの1つの前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路と、
前記複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、
書き込み回路と、を備え、
前記読み出し回路は、前記2値化基準値に基づいて、前記複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当てることにより複数のディジタルデータを生成し、
前記書き込み回路は、前記複数のメモリセルのうち、前記2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して第1の書き込み動作を行う、不揮発性メモリ装置。 - 前記複数の抵抗値範囲は、第1抵抗値範囲、および前記第1抵抗値範囲より抵抗値が低い第2抵抗値範囲を含み、
前記複数のメモリセルの各々は、初期状態では、前記抵抗値が前記第1および第2抵抗値範囲のいずれとも異なる初期抵抗値範囲にあり、
前記複数のメモリセルの各々は、電気的ストレスが印加されることにより、前記初期状態から前記可変状態に変化し、
前記複数のメモリセルの各々は、前記可変状態では、第1極性の電圧パルスが印加されることによって、前記抵抗値が前記第2抵抗値範囲から前記第1抵抗値範囲に遷移し、第2極性の電圧パルスが印加されることによって、前記抵抗値が前記第1抵抗値範囲から前記第2抵抗値範囲に遷移し、
前記書き込み回路は、前記第1の書き込み動作において、前記複数のメモリセルのうち、前記2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して、前記第1極性の第1電圧パルスと前記第2極性の第2電圧パルスとを交互に印加する、請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数のディジタルデータに対応したメモリセルの半数以上の抵抗値は、前記第2抵抗値範囲にある、請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記演算回路は、前記読み出し回路によって取得された、前記複数の抵抗値情報の中央値を前記2値化基準値として算出する、請求項1から3のいずれかに記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記書き込み回路は、前記複数のメモリセルのうち、前記中央値よりも低抵抗なメモリセルに対して前記第1の書き込み動作を行う、請求項4に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記書き込み回路は、前記初期状態にある前記複数のメモリセルの各々に対して、前記第1極性の第3電圧パルスと前記第2極性の第4電圧パルスとを交互に印加する第2の書き込み動作を行い、
前記読み出し回路は、前記第2の書き込み動作を行った前記複数のメモリセルの各々の前記抵抗値情報を読み出し、読み出した前記抵抗値情報に基づき、前記第2の書き込み動作を行った前記複数のメモリセルの各々の前記抵抗値が前記第2抵抗値範囲にあるか否かを判定し、
前記書き込み回路および前記読み出し回路は、前記第2の書き込み動作を行った前記複数のメモリセルの各々の前記抵抗値が前記第2抵抗値範囲にあると判定されるまで、前記第2の書き込み動作および前記抵抗値情報の読み出しを繰り返す、請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記読み出し回路は、前記読み出し回路によって取得された前記複数の抵抗値情報と前記2値化基準値とを比較し、比較した結果に応じて0または1の2値データを出力する比較回路を備える、請求項1から6のいずれかに記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記読み出し回路により生成された複数のディジタルデータに基づいて、前記複数のメモリセルのうち前記第1の書き込み動作を実行するメモリセルと、前記複数のメモリセルのうち前記第1の書き込み動作を実行しないメモリセルとの区別に用いるマスクデータを生成する生成回路をさらに備える、請求項1から7のいずれかに記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記書き込み回路は、前記マスクデータに基づいて、前記第1の書き込み動作を実行するメモリセルに対して前記第1の書き込み動作を行う、請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 制御回路をさらに備え、
前記第1の書き込み動作は、前記複数のメモリセルのうち、前記2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して電圧パルスを印加する動作であり、
前記制御回路は、前記第1の書き込み動作における、前記電圧パルスを印加する回数、前記電圧パルスの電圧、前記電圧パルスのパルス幅のうちの少なくとも1つを変更する、請求項1から9のいずれかに記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記複数のメモリセルは第1および第2のグループに分類され、
前記複数のメモリセルのうち、前記第1のグループに属するメモリセルと前記第2のグループに属するメモリセルとに対して、前記第1の書き込み動作における、前記電圧パルスを印加する回数、前記電圧パルスの電圧、前記電圧パルスのパルス幅のうちの前記少なくとも1つが互いに異なる、請求項10に記載の不揮発性メモリ装置。 - 制御回路をさらに備え、
前記制御回路はコントロール信号の入力を受け付け、
前記読み出し回路は、前記制御回路に入力された前記コントロール信号に基づき、前記複数の抵抗値情報を取得する、請求項1から9のいずれかに記載の不揮発性メモリ装置。 - 可変状態では、異なる複数の電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイと、
各々が前記複数のメモリセルの1つの前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路と、
前記複数の抵抗値情報の少なくとも一部に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、
書き込み回路と、を備え、
前記読み出し回路は、前記2値化基準値に基づいて、前記複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当てることにより複数のディジタルデータを生成し、
前記書き込み回路は、前記複数のメモリセルのうち、前記2つの値のうちいずれか一方の値に対応するメモリセルに対して第1の書き込み動作を行う、不揮発性メモリ装置と、
前記不揮発性メモリ装置の動作を制御する信号が入力され、前記複数のディジタルデータに関連する情報が出力される入出力インタフェース部と、を備えた集積回路カード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014236708 | 2014-11-21 | ||
JP2014236708 | 2014-11-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016105344A true JP2016105344A (ja) | 2016-06-09 |
JP6508478B2 JP6508478B2 (ja) | 2019-05-08 |
Family
ID=56010870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015226861A Active JP6508478B2 (ja) | 2014-11-21 | 2015-11-19 | 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9653161B2 (ja) |
JP (1) | JP6508478B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017216030A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-12-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性メモリ装置 |
JP2020102827A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | パナソニック株式会社 | 不揮発性メモリ装置およびチャレンジ・レスポンス方法 |
US11044108B1 (en) | 2019-12-24 | 2021-06-22 | CERA Licensing Limited | Temperature sensing physical unclonable function (PUF) authentication system |
US11516028B2 (en) | 2019-12-24 | 2022-11-29 | CERA Licensing Limited | Temperature sensing physical unclonable function (PUF) authentication system |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105632543B (zh) * | 2014-11-21 | 2018-03-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 具有防篡改性的非易失性存储装置及集成电路卡 |
US9548113B2 (en) * | 2014-11-21 | 2017-01-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Tamper-resistant non-volatile memory device |
JP6587188B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-10-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 乱数処理装置、集積回路カード、および乱数処理方法 |
KR20170143084A (ko) * | 2016-06-17 | 2017-12-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
US10469083B2 (en) * | 2016-07-10 | 2019-11-05 | Imec Vzw | Breakdown-based physical unclonable function |
US10680809B2 (en) | 2016-08-04 | 2020-06-09 | Macronix International Co., Ltd. | Physical unclonable function for security key |
US10855477B2 (en) | 2016-08-04 | 2020-12-01 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile memory with physical unclonable function and random number generator |
US11258599B2 (en) | 2016-08-04 | 2022-02-22 | Macronix International Co., Ltd. | Stable physically unclonable function |
US10911229B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-02-02 | Macronix International Co., Ltd. | Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory |
US10469271B2 (en) | 2016-08-04 | 2019-11-05 | Macronix International Co., Ltd. | Physical unclonable function for non-volatile memory |
US9811689B1 (en) * | 2016-12-27 | 2017-11-07 | Macronix International Co., Ltd. | Chip ID generation using physical unclonable function |
US9852791B1 (en) | 2016-12-27 | 2017-12-26 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor memory device, chip ID generation method thereof and manufacturing method thereof |
US11522725B2 (en) * | 2017-03-29 | 2022-12-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Reducing amount of helper data in silicon physical unclonable functions via lossy compression without production-time error characterization |
DE102017205818A1 (de) * | 2017-04-05 | 2018-10-11 | Robert Bosch Gmbh | Einstellbare physikalische unklonbare Funktion |
CN107368755B (zh) * | 2017-06-07 | 2019-06-07 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 电路及其安全架构设计方法、装置、设备及存储介质 |
JP6757348B2 (ja) * | 2018-03-08 | 2020-09-16 | 三菱重工業株式会社 | 監視装置、監視方法及びプログラム |
US10560095B2 (en) | 2018-05-23 | 2020-02-11 | Analog Devices, Inc. | Impedance-based physical unclonable function |
US10812084B2 (en) * | 2018-11-06 | 2020-10-20 | The Regents Of The University Of California | Reconfigurable physically unclonable functions based on analog non-volatile memories |
US11469909B2 (en) * | 2018-12-28 | 2022-10-11 | Micron Technology, Inc. | Physical unclonable function with NAND memory array |
US10439829B1 (en) | 2019-02-01 | 2019-10-08 | Winbond Electronics Corp. | Physical unclonable function code generating method and providing apparatus thereof |
US10700878B1 (en) * | 2019-09-16 | 2020-06-30 | Winbond Electronics Corp. | Physical unclonable function code generation apparatus and method thereof |
CN110635029A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-31 | 天津理工大学 | 一种双波段光加密阻变存储器及其制备方法、写入方法和读取方法 |
US20230016420A1 (en) * | 2019-12-10 | 2023-01-19 | Cryptography Research, Inc. | Share domain arrangements for masked hardware implementations |
US11380379B2 (en) | 2020-11-02 | 2022-07-05 | Macronix International Co., Ltd. | PUF applications in memories |
US11782090B2 (en) * | 2020-12-11 | 2023-10-10 | PUFsecurity Corporation | Built-in self-test circuit and built-in self-test method for physical unclonable function quality check |
CN113746625A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-03 | 莱弗利科技(苏州)有限公司 | 一种基于puf鉴权的传感器及其安全访问方法 |
US11935587B2 (en) | 2021-12-19 | 2024-03-19 | Ceremorphic, Inc. | Dynamic adjustment of wordline timing in static random access memory |
WO2023114552A2 (en) * | 2021-12-19 | 2023-06-22 | Ceremorphic Inc | Dynamic adjustment of word line timing in static random access memory |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012073954A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Kobe Univ | メモリセルアレイを用いたidチップおよびその生成方法 |
JP2013186911A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Nec Corp | デバイス固有情報生成装置及びデバイス固有情報生成方法 |
WO2014119329A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
WO2014119327A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置のデータ記録方法および不揮発性記憶装置のデータ書き込み回路 |
WO2014132664A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | パナソニック株式会社 | 認証システム、不揮発性記録メディア、ホストコンピュータ、および認証方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5544611B2 (ja) | 2010-07-28 | 2014-07-09 | 学校法人立命館 | 耐タンパ性メモリ集積回路およびそれを利用した暗号回路 |
JP5474705B2 (ja) | 2010-08-23 | 2014-04-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2012045627A1 (en) | 2010-10-04 | 2012-04-12 | Intrinsic Id B.V. | Physical unclonable function with improved start-up behavior |
JP5689571B2 (ja) | 2013-02-28 | 2015-03-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 暗号処理装置 |
JP5838353B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2016-01-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 抵抗変化素子の評価方法、評価装置、検査装置、及び不揮発性記憶装置 |
CN105632543B (zh) * | 2014-11-21 | 2018-03-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 具有防篡改性的非易失性存储装置及集成电路卡 |
US9548113B2 (en) * | 2014-11-21 | 2017-01-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Tamper-resistant non-volatile memory device |
-
2015
- 2015-11-11 US US14/938,755 patent/US9653161B2/en active Active
- 2015-11-19 JP JP2015226861A patent/JP6508478B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012073954A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Kobe Univ | メモリセルアレイを用いたidチップおよびその生成方法 |
JP2013186911A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Nec Corp | デバイス固有情報生成装置及びデバイス固有情報生成方法 |
WO2014119329A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
WO2014119327A1 (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置のデータ記録方法および不揮発性記憶装置のデータ書き込み回路 |
WO2014132664A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | パナソニック株式会社 | 認証システム、不揮発性記録メディア、ホストコンピュータ、および認証方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017216030A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-12-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性メモリ装置 |
JP2020102827A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | パナソニック株式会社 | 不揮発性メモリ装置およびチャレンジ・レスポンス方法 |
US11044108B1 (en) | 2019-12-24 | 2021-06-22 | CERA Licensing Limited | Temperature sensing physical unclonable function (PUF) authentication system |
US11516028B2 (en) | 2019-12-24 | 2022-11-29 | CERA Licensing Limited | Temperature sensing physical unclonable function (PUF) authentication system |
US11652649B2 (en) | 2019-12-24 | 2023-05-16 | CERA Licensing Limited | Sensor secured by physical unclonable function (PUF) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160148680A1 (en) | 2016-05-26 |
US9653161B2 (en) | 2017-05-16 |
JP6508478B2 (ja) | 2019-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6474056B2 (ja) | 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、集積回路カード、不揮発性メモリ装置の認証方法、不揮発性メモリ装置を用いた暗号化方法および復号化方法 | |
JP6587188B2 (ja) | 乱数処理装置、集積回路カード、および乱数処理方法 | |
JP6617924B2 (ja) | 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置および集積回路カード、不揮発性メモリ装置の認証方法、個体識別情報生成方法 | |
JP6532024B2 (ja) | 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード | |
JP6508478B2 (ja) | 耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、および集積回路カード | |
US9892783B2 (en) | Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values | |
US10574639B2 (en) | Authentication apparatus utilizing physical characteristic | |
JP6674616B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の読み出し方法、及び半導体装置を搭載したicカード | |
US9898598B2 (en) | Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween | |
JP6817888B2 (ja) | 不揮発性メモリ装置 | |
JP6793044B2 (ja) | 不揮発性メモリ装置 | |
TWI663604B (zh) | 操作具非揮發性記憶胞電路的方法及使用所述方法的電路 | |
JP2020102827A (ja) | 不揮発性メモリ装置およびチャレンジ・レスポンス方法 | |
US11404119B1 (en) | Non-volatile memory device and challenge response method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190319 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6508478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
SZ03 | Written request for cancellation of trust registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |