JP2016099160A - Current sensor - Google Patents

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敬 青木
Takashi Aoki
敬 青木
裕二 稲垣
Yuji Inagaki
裕二 稲垣
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Tokai Rika Co Ltd
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current sensor with a reduced size and enhanced detection accuracy.SOLUTION: A current sensor 1 includes: a ring-shaped core 3 with a gap 33, disposed surrounding a bus bar 2; and a Hall element 5, which has a magneto-sensitive surface 50 responsive to a magnetic field 8 induced in the gap 33 by current 7 flowing through the bus bar 2 and is mounted on a substrate 4, disposed such that a magneto-sensitive point 51, defined as a center of the magneto-sensitive surface 50, is at a position that is on an inner circumference side of a thickness center 11 of the core 3 and is closer to one of an end face 31 and end face 32 than to the other in the gap 33.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電流センサに関する。   The present invention relates to a current sensor.

従来の技術として、被測定電流の経路の周囲を囲み、所定幅のギャップ部を有するリング状の磁気コアと、ギャップ部に位置する磁気検出素子と、磁気コアにかぶせて設けられているとともに磁気検出素子を保持するサポートと、を備えた電流センサが知られている(例えば、特許文献1参照。)。   As a conventional technique, a ring-shaped magnetic core that surrounds the path of the current to be measured and has a gap portion of a predetermined width, a magnetic detection element positioned in the gap portion, and a magnetic core provided over the magnetic core and magnetically A current sensor including a support for holding a detection element is known (for example, see Patent Document 1).

この電流センサのサポートは、その中間部に形成され磁気検出素子を内部空間に収容する収容部と、その周縁部の内壁部に形成され磁気コアの周面に当接する当接部と、その両側にそれぞれ一対磁気コア側に延びて形成され、先端部の係止部で磁気コアの両側面に形成された被係止部に係止する腕部と、を備えている。   The current sensor support includes an accommodating portion that is formed in an intermediate portion thereof and accommodates the magnetic detection element in the internal space, an abutting portion that is formed on the inner wall portion of the peripheral portion and abuts on the peripheral surface of the magnetic core, and both sides thereof And an arm portion that extends to the side of the pair of magnetic cores and is engaged with the engaged portions formed on both side surfaces of the magnetic core at the engaging portion of the tip portion.

またこのサポートは、当接部が磁気コアの周面と当接し、かつ腕部の係止部が磁気コアの被係止部に係止することで、磁気コアに対して位置決めされ、磁気検出素子は、収容部の内部空間の壁部に当接して位置ずれが規制された状態でギャップ部の中心部に配置される。従ってこの電流センサは、磁気検出素子が磁気コアのギャップ部において中心部に安定かつ正確に位置決めされることで、外部磁界の影響を受け難くすることができる。   In addition, the support is positioned with respect to the magnetic core by the contact portion being in contact with the peripheral surface of the magnetic core and the locking portion of the arm portion being locked to the locked portion of the magnetic core, thereby detecting the magnetic force. The element is disposed at the center of the gap portion in a state where the displacement is regulated by contacting the wall portion of the internal space of the housing portion. Therefore, this current sensor can be made less susceptible to the influence of an external magnetic field by positioning the magnetic detection element stably and accurately at the central portion in the gap portion of the magnetic core.

特開2013−164288号公報JP 2013-164288 A

しかし、従来の電流センサは、磁気コアのギャップ部の中心部に磁気検出素子を配置するので、ギャップ部が広く形成される。従ってこの電流センサは、ギャップ部が広くなることでギャップ部の磁束密度が低下するので、磁場の検出精度を高く設定しなければならず、SN比が低下するという問題がある。   However, in the conventional current sensor, since the magnetic detection element is arranged at the center of the gap portion of the magnetic core, the gap portion is formed wide. Therefore, this current sensor has a problem that the magnetic flux density in the gap portion decreases as the gap portion becomes wide, so that the detection accuracy of the magnetic field must be set high, and the SN ratio decreases.

従って、本発明の目的は、小型化することができると共に検出精度を高くすることができる電流センサを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a current sensor that can be miniaturized and can increase detection accuracy.

本発明の一態様は、ギャップが形成されたリング形状を有し、導体の周囲を囲むように配置されるコアと、導体に流れる電流に基づいてギャップに発生する磁場に反応する感磁面を有して基板上に実装され、感磁面の中心がコアの厚み中心より内周側で、かつギャップにおいて対向する端面のいずれか一方側にずれて配置される磁気検出素子と、を備えた電流センサを提供する。   One embodiment of the present invention has a ring shape in which a gap is formed, a core disposed so as to surround the conductor, and a magnetosensitive surface that reacts to a magnetic field generated in the gap based on a current flowing through the conductor. And a magnetic sensing element that is mounted on the substrate and is arranged such that the center of the magnetosensitive surface is on the inner peripheral side of the thickness center of the core and shifted to either one of the opposing end faces in the gap. A current sensor is provided.

本発明によれば、小型化することができると共に検出精度を高くすることができる。   According to the present invention, it is possible to reduce the size and increase the detection accuracy.

図1(a)は、実施の形態に係る電流センサの斜視図であり、図1(b)は、電流センサの正面図である。FIG. 1A is a perspective view of a current sensor according to the embodiment, and FIG. 1B is a front view of the current sensor. 図2(a)は、実施の形態に係る電流センサのコアのギャップにおける外乱磁場の影響をシミュレーションした概略図であり、図2(b)は、磁気センサの配置を説明するためのギャップ周辺の概略図である。2A is a schematic diagram simulating the influence of a disturbance magnetic field in the core gap of the current sensor according to the embodiment, and FIG. 2B is a diagram around the gap for explaining the arrangement of the magnetic sensor. FIG.

(実施の形態の要約)
実施の形態に係る電流センサは、ギャップが形成されたリング形状を有し、導体の周囲を囲むように配置されるコアと、導体に流れる電流に基づいてギャップに発生する磁場に反応する感磁面を有して基板上に実装され、感磁面の中心がコアの厚み中心より内周側で、かつギャップにおいて対向する端面のいずれか一方側にずれて配置される磁気検出素子と、を備えて概略構成されている。
(Summary of embodiment)
The current sensor according to the embodiment has a ring shape in which a gap is formed, a core disposed so as to surround the conductor, and a magnetosensitive sensor that reacts to a magnetic field generated in the gap based on a current flowing through the conductor. A magnetic sensing element that is mounted on a substrate having a surface and is arranged such that the center of the magnetosensitive surface is on the inner peripheral side from the thickness center of the core and shifted to either one of the opposing end faces in the gap. In general, it is structured.

[実施の形態]
(電流センサ1の構成)
図1(a)は、実施の形態に係る電流センサの斜視図であり、図1(b)は、電流センサの正面図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
[Embodiment]
(Configuration of current sensor 1)
FIG. 1A is a perspective view of a current sensor according to the embodiment, and FIG. 1B is a front view of the current sensor. Note that, in each drawing according to the embodiment described below, the ratio between figures may be different from the actual ratio.

電流センサ1は、一例として、車両に搭載される鉛バッテリの電流を測定する電流センサである。この電流センサ1は、鉛バッテリの負電極に電気的に接続される。図1(a)及び図1(b)では、電流7が、図1(b)の紙面手前側から奥に向かって流れているものとしている。従って図1(b)の紙面において、磁場8が時計回りに発生し、その磁場8の一部は、コア3の内部に磁路80を形成している。   As an example, the current sensor 1 is a current sensor that measures the current of a lead battery mounted on a vehicle. This current sensor 1 is electrically connected to the negative electrode of the lead battery. In FIG. 1A and FIG. 1B, it is assumed that the current 7 flows from the front side to the back in FIG. 1B. Therefore, on the paper surface of FIG. 1B, the magnetic field 8 is generated clockwise, and a part of the magnetic field 8 forms a magnetic path 80 inside the core 3.

電流センサ1は、図1(a)及び図1(b)に示すように、ギャップ33が形成されたリング形状を有し、導体としてのバスバ2の周囲を囲むように配置されるコア3と、バスバ2に流れる電流7に基づいてギャップ33に発生する磁場8に反応する感磁面50を有して基板4上に実装され、感磁面50の中心としての感磁点51がコア3の厚み中心11より内周側で、かつギャップ33において対向する端面31及び端面32のいずれか一方側にずれて配置される磁気検出素子と、を備えて概略構成されている。この磁気検出素子は、一例として、ホール素子5である。   As shown in FIG. 1A and FIG. 1B, the current sensor 1 has a ring shape in which a gap 33 is formed, and a core 3 arranged so as to surround the periphery of the bus bar 2 as a conductor. And mounted on the substrate 4 with a magnetic sensitive surface 50 that reacts to the magnetic field 8 generated in the gap 33 based on the current 7 flowing through the bus bar 2, and the magnetic sensitive point 51 as the center of the magnetic sensitive surface 50 is the core 3. And a magnetic detection element arranged on the inner peripheral side of the thickness center 11 and shifted to either one of the end face 31 and the end face 32 facing each other in the gap 33. As an example, the magnetic detection element is a Hall element 5.

(バスバ2の構成)
バスバ2は、例えば、銅、銅合金及び黄銅等の導電性を有する板部材を打ち抜いて細長い板形状となるように形成されたものである。なお、バスバ2の形状は、板形状に限定されず、任意の形状で良い。
(Configuration of bus bar 2)
The bus bar 2 is formed so as to have an elongated plate shape by punching a conductive plate member such as copper, a copper alloy, and brass. The shape of the bus bar 2 is not limited to a plate shape, and may be an arbitrary shape.

このバスバ2は、鉛バッテリの負電極と電気的に接続されている。バスバ2は、図1(a)に示すように、コア3の貫通孔30に挿入されている。   The bus bar 2 is electrically connected to the negative electrode of the lead battery. The bus bar 2 is inserted into the through hole 30 of the core 3 as shown in FIG.

(コア3の構成)
コア3は、一例として、楕円の一部が切り取られたような形状を有している。この切り取られた領域がギャップ33となっている。このコア3は、一例として、板形状を有する複数の板状コアがプレス加工により一体とされたものである。この板状コアは、例えば、パーマロイ、電磁鋼板(ケイ素鋼板)、フェライト等の軟磁性体材料を用いて形成される。
(Configuration of core 3)
For example, the core 3 has a shape in which a part of an ellipse is cut off. This cut-out area is a gap 33. As an example, the core 3 is obtained by integrating a plurality of plate-like cores having a plate shape by press working. The plate-like core is formed using a soft magnetic material such as permalloy, an electromagnetic steel plate (silicon steel plate), or ferrite.

このコア3は、バスバ2が挿入される貫通孔30を有している。またギャップ33の端部である端面31及び端面32は、このコア3の長径方向に位置している。   The core 3 has a through hole 30 into which the bus bar 2 is inserted. Further, the end surface 31 and the end surface 32 which are the end portions of the gap 33 are located in the major axis direction of the core 3.

コア3には、例えば、図1(b)に示すように、バスバ2に電流7が流れることにより、コア3の内部及びギャップ33を介して閉じる磁路80が形成される。ギャップ33における磁束81は、図1(b)に示すように、端面31から湧き出し、端面32に吸い込まれる。   In the core 3, for example, as shown in FIG. 1B, a magnetic path 80 is formed that closes through the inside of the core 3 and the gap 33 when a current 7 flows through the bus bar 2. The magnetic flux 81 in the gap 33 springs out from the end face 31 and is sucked into the end face 32 as shown in FIG.

(ホール素子5の構成)
ホール素子5は、ホール効果に基づいて、感磁面50を貫通する磁束81に応じた電気信号を出力する磁気センサである。上述の感磁点51は、この感磁面50の中心である。
(Configuration of Hall element 5)
The Hall element 5 is a magnetic sensor that outputs an electrical signal corresponding to the magnetic flux 81 penetrating the magnetosensitive surface 50 based on the Hall effect. The magnetic sensitive point 51 described above is the center of the magnetic sensitive surface 50.

このホール素子5は、例えば、リジット基板である基板4に配置され、基板4に配置された増幅回路及び制御回路等と共に磁気センサ6として構成されている。この磁気センサ6は、例えば、ホール素子5がギャップ33の磁束81に応じた電気信号を、増幅回路を介して制御回路に出力し、制御回路が増幅された当該電気信号に基づいて電流値を算出して出力するように構成されている。   For example, the Hall element 5 is disposed on a substrate 4 which is a rigid substrate, and is configured as a magnetic sensor 6 together with an amplifier circuit, a control circuit, and the like disposed on the substrate 4. In the magnetic sensor 6, for example, the Hall element 5 outputs an electric signal corresponding to the magnetic flux 81 in the gap 33 to the control circuit via the amplifier circuit, and the control circuit calculates the current value based on the amplified electric signal. It is configured to calculate and output.

なおホール素子5は、例えば、ベアチップ状態で基板4に配置されても良いし、増幅回路及び制御回路等を備え、樹脂でモールドされたホールIC(Integrated Circuit)の一部として基板4に配置されても良い。   The Hall element 5 may be disposed on the substrate 4 in a bare chip state, for example, or may be disposed on the substrate 4 as a part of a Hall IC (Integrated Circuit) molded with resin, including an amplifier circuit and a control circuit. May be.

(ホール素子5の配置について)
図2(a)は、実施の形態に係る電流センサのコアのギャップにおける外乱磁場の影響をシミュレーションした概略図であり、図2(b)は、磁気センサの配置を説明するためのギャップ周辺の概略図である。図2(a)における外乱磁場9の強さは、厚み中心11の上側がほぼ等しく、かつ下側の強い場所と比べて三分の一程度となっている。この下側の強い場所は、下側の端面31及び端面32の外周付近である。
(Regarding arrangement of Hall element 5)
2A is a schematic diagram simulating the influence of a disturbance magnetic field in the core gap of the current sensor according to the embodiment, and FIG. 2B is a diagram around the gap for explaining the arrangement of the magnetic sensor. FIG. The intensity of the disturbance magnetic field 9 in FIG. 2A is approximately equal to the upper side of the thickness center 11 and about one third of that of the lower strong place. This lower strong place is near the outer periphery of the lower end face 31 and the end face 32.

ホール素子5は、上述のように、感磁点51がコア3の厚み中心11より内周側で、かつ端面31及び端面32のいずれか一方側にずれて配置される。具体的には、図1(b)の紙面左から右にX軸、下から上にY軸を設定すると、ホール素子5は、感磁点51が、コア3の貫通孔30の中心と端面31と端面32の間の中心を通るギャップ中心10から±△Xずれ、端面31と端面32の中心を通る厚み中心11から+△Yずれて配置される。   As described above, the Hall element 5 is arranged such that the magnetosensitive point 51 is shifted from the thickness center 11 of the core 3 to the inner peripheral side and to either the end face 31 or the end face 32. Specifically, when the X axis is set from the left to the right in FIG. 1B and the Y axis is set from the bottom to the top, the Hall element 5 has a magnetic sensitive point 51 at the center and end face of the through hole 30 of the core 3. The gap center 10 passing through the center between the end face 31 and the end face 32 is shifted by ± ΔX, and the thickness center 11 passing through the center of the end face 31 and the end face 32 is shifted by + ΔY.

ここで、バスバ2に電流7が流れていない状態で、ギャップ33の外側から外乱磁場9が作用している場合、ギャップ33の磁気ベクトル90は、一例として、図2(a)に示すように分布する。具体的には、外乱磁場9の影響がコア3の外周側で大きく、内周側が小さい。従って検出に関係する磁気ベクトル90のX軸方向の成分は、厚み中心11よりも上側が下側と比べて小さくなる。   Here, when the disturbance magnetic field 9 is acting from the outside of the gap 33 in the state where the current 7 does not flow through the bus bar 2, the magnetic vector 90 of the gap 33 is, for example, as shown in FIG. Distributed. Specifically, the influence of the disturbance magnetic field 9 is large on the outer peripheral side of the core 3, and the inner peripheral side is small. Therefore, the X-axis direction component of the magnetic vector 90 related to detection is smaller on the upper side than the thickness center 11 compared to the lower side.

従ってホール素子5は、図2(a)に示すように、厚み中心11より内周側の配置領域100に配置される。なお配置領域100は、図2(a)に示すように、ギャップ中心10上が除外された点線で囲まれた領域である。   Accordingly, the Hall element 5 is arranged in the arrangement region 100 on the inner peripheral side from the thickness center 11 as shown in FIG. As shown in FIG. 2A, the arrangement region 100 is a region surrounded by a dotted line excluding the gap center 10.

ホール素子5は、ギャップ33のギャップ中心10に感磁点51が位置するように配置されることが一般的に好ましいが、以下に示す問題がある。このギャップ中心10上に感磁点51が位置するようにホール素子5が配置される場合、基板4の厚み、及びホール素子5の厚みに応じてギャップ33を広くする必要がある。   Although it is generally preferable that the Hall element 5 is arranged so that the magnetic sensitive point 51 is positioned at the gap center 10 of the gap 33, there are the following problems. When the Hall element 5 is arranged so that the magnetosensitive point 51 is positioned on the gap center 10, it is necessary to widen the gap 33 according to the thickness of the substrate 4 and the thickness of the Hall element 5.

つまりギャップ33は、少なくとも基板4の厚み、及び基板4から感磁面50までの厚みの2倍以上の間隔が必要となる。そしてギャップ33が広い場合、ギャップ33内の磁束密度が低下するので、ホール素子5の検出感度を上げる必要がある。しかしホール素子5は、検出感度を上げると、上げる前よりも外乱磁場の影響を受け易くなり、結果的に電流センサのSN比が低下し、外乱磁場に対する耐性が低下する問題がある。   That is, the gap 33 needs to be at least twice as thick as the thickness of the substrate 4 and the thickness from the substrate 4 to the magnetosensitive surface 50. When the gap 33 is wide, the magnetic flux density in the gap 33 decreases, so that the detection sensitivity of the Hall element 5 needs to be increased. However, when the detection sensitivity is increased, the Hall element 5 is more easily affected by the disturbance magnetic field than before being increased. As a result, there is a problem that the SN ratio of the current sensor is lowered and the resistance to the disturbance magnetic field is lowered.

一方本実施の形態の電流センサ1は、外乱磁場の影響が少ない内周側の配置領域100に配置され、さらに端面31又は端面32側にずれて配置される。つまりホール素子5は、感磁点51がギャップ中心10上に位置するように配置されない。従って電流センサ1は、磁気センサ6の厚み近くまでギャップ33を狭くすることが可能となり、磁束密度の低下が抑制されて検出感度を上げる必要がない構成とすることが可能となる。   On the other hand, the current sensor 1 of the present embodiment is arranged in the arrangement region 100 on the inner peripheral side where the influence of the disturbance magnetic field is small, and is further arranged shifted to the end surface 31 or the end surface 32 side. That is, the Hall element 5 is not arranged so that the magnetic sensitive point 51 is positioned on the gap center 10. Therefore, the current sensor 1 can narrow the gap 33 as close to the thickness of the magnetic sensor 6, and can be configured such that the decrease in magnetic flux density is suppressed and the detection sensitivity does not need to be increased.

また電流センサ1は、図2(b)に示すように、磁気センサ6の厚み近くまでギャップ33を狭くする場合、感磁点51がギャップ中心10近くの配置領域100よりも端面31又は端面32に近い、点線で囲まれた配置領域101に位置するようにホール素子5が配置される。この配置領域101は、外乱磁場9の影響がギャップ中心10近くよりも大きいが、ギャップ33を狭くすることで外乱磁場9の影響が小さくなると共に、磁束密度が上がることにより得られる検出精度の向上と比べると、検出精度に与える影響が小さい。   2B, when the gap 33 is narrowed to the thickness of the magnetic sensor 6 as shown in FIG. 2B, the end face 31 or the end face 32 than the arrangement region 100 where the magnetosensitive point 51 is near the gap center 10 is used. The Hall element 5 is arranged so as to be located in the arrangement region 101 surrounded by the dotted line, which is close to. In this arrangement region 101, the influence of the disturbance magnetic field 9 is larger than that near the gap center 10, but the influence of the disturbance magnetic field 9 is reduced by narrowing the gap 33, and the detection accuracy obtained by increasing the magnetic flux density is improved. Compared with, the influence on detection accuracy is small.

さらにホール素子5は、ギャップ33における磁場8の磁束81が吸い込まれる端面32近くの領域(例えば図2(a)の左側の配置領域101)に感磁点51が位置するように配置されることが好ましい。これは、図1(a)及び図2(a)に示すように、ギャップ33における磁気ベクトル90の向きと、バスバ2に流れる電流7によって生じるギャップ33の磁束81の向きと、を合わせるためである。この両者の向きが反対方向である場合、小さいながらも打ち消し合って検出感度が若干低下する可能性があるからである。   Further, the Hall element 5 is arranged such that the magnetosensitive point 51 is located in a region near the end face 32 where the magnetic flux 81 of the magnetic field 8 in the gap 33 is sucked (for example, the arrangement region 101 on the left side in FIG. 2A). Is preferred. This is because the direction of the magnetic vector 90 in the gap 33 and the direction of the magnetic flux 81 in the gap 33 caused by the current 7 flowing in the bus bar 2 are matched as shown in FIGS. 1 (a) and 2 (a). is there. This is because if both directions are opposite directions, the detection sensitivity may be slightly reduced due to cancellation even though they are small.

(実施の形態の効果)
本実施の形態に係る電流センサ1は、小型化することができると共に検出精度を高くすることができる。具体的には、電流センサ1は、基板4上に実装されたホール素子5の感磁点51がコア3の内周側でかつ端面31又は端面32側にずれて配置されるので、ギャップ中心10に感磁点51を位置させる必要がなく、ギャップ33を狭くしてギャップ33の磁束密度を上げることができる。電流センサ1は、ギャップ33の磁束密度が上がるので、検出感度を上げる必要が無くなり、SN比が大きくなり、検出精度が向上する。また電流センサ1は、外乱磁場の影響が小さい位置に感磁点51が位置するようにホール素子5を配置し、さらにSN比が大きいので、外乱磁場に対する耐性が向上する。
(Effect of embodiment)
The current sensor 1 according to the present embodiment can be downsized and the detection accuracy can be increased. Specifically, the current sensor 1 is arranged such that the magnetic sensitive point 51 of the Hall element 5 mounted on the substrate 4 is shifted to the inner peripheral side of the core 3 and to the end face 31 or the end face 32 side. 10, it is not necessary to position the magnetic sensitive point 51, and the gap 33 can be narrowed to increase the magnetic flux density of the gap 33. In the current sensor 1, since the magnetic flux density in the gap 33 is increased, it is not necessary to increase the detection sensitivity, the SN ratio is increased, and the detection accuracy is improved. In addition, the current sensor 1 has the Hall element 5 disposed so that the magnetosensitive point 51 is located at a position where the influence of the disturbance magnetic field is small, and the SN ratio is large, so that the resistance to the disturbance magnetic field is improved.

電流センサ1は、基板4にホール素子5が実装されるので、ギャップ中心10に感磁点51が位置するように磁気センサ6を配置すると、ギャップ33が広くなる。しかし電流センサ1は、ギャップ中心10に感磁点51が位置するように磁気センサ6を配置する必要がないので、ギャップ33を狭くすることができて小型化することができる。   Since the Hall element 5 is mounted on the substrate 4 in the current sensor 1, the gap 33 is widened by arranging the magnetic sensor 6 so that the magnetic sensitive point 51 is positioned at the gap center 10. However, the current sensor 1 does not require the magnetic sensor 6 to be disposed so that the magnetic sensitive point 51 is positioned at the gap center 10, and therefore the gap 33 can be narrowed and the size can be reduced.

電流センサ1は、ギャップ33の磁束81が吸い込まれる端面32の近くに、感磁点51が位置するようにホール素子5が配置されるので、外乱磁場9による磁気ベクトル90の向きと当該磁束81の向きとがほぼ等しくなり、両者の向きが逆向きである場合と比べて、検出精度の低下を抑制することができる。   In the current sensor 1, the Hall element 5 is arranged near the end face 32 where the magnetic flux 81 in the gap 33 is sucked so that the magnetic sensitive point 51 is located. Therefore, the direction of the magnetic vector 90 by the disturbance magnetic field 9 and the magnetic flux 81 are arranged. As compared with the case where both directions are substantially the same and the directions are opposite to each other, it is possible to suppress a decrease in detection accuracy.

以上、本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。この新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、実施の形態は、発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although the embodiment of the present invention has been described above, this embodiment is merely an example, and does not limit the invention according to the claims. The novel embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the gist of the present invention. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential to the means for solving the problems of the invention. Further, the embodiments are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1…電流センサ
2…バスバ
3…コア
4…基板
5…ホール素子
6…磁気センサ
7…電流
8…磁場
9…外乱磁場
10…ギャップ中心
11…厚み中心
30…貫通孔
31…端面
32…端面
33…ギャップ
50…感磁面
51…感磁点
80…磁路
81…磁束
90…磁気ベクトル
100…配置領域
101…配置領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Current sensor 2 ... Bus bar 3 ... Core 4 ... Board | substrate 5 ... Hall element 6 ... Magnetic sensor 7 ... Current 8 ... Magnetic field 9 ... Disturbance magnetic field 10 ... Gap center 11 ... Thickness center 30 ... Through-hole 31 ... End surface 32 ... End surface 33 ... Gap 50 ... Magnetic sensitive surface 51 ... Magnetic sensitive point 80 ... Magnetic path 81 ... Magnetic flux 90 ... Magnetic vector 100 ... Arrangement area 101 ... Arrangement area

Claims (3)

ギャップが形成されたリング形状を有し、導体の周囲を囲むように配置されるコアと、
前記導体に流れる電流に基づいて前記ギャップに発生する磁場に反応する感磁面を有して基板上に実装され、前記感磁面の中心が前記コアの厚み中心より内周側で、かつ前記ギャップにおいて対向する端面のいずれか一方側にずれて配置される磁気検出素子と、
を備えた電流センサ。
A core having a ring shape in which a gap is formed and arranged to surround a conductor;
Mounted on a substrate having a magnetic sensitive surface that reacts to a magnetic field generated in the gap based on a current flowing through the conductor, the center of the magnetic sensitive surface being on the inner peripheral side of the thickness center of the core, and the A magnetic detecting element arranged to be shifted to one of the opposing end faces in the gap;
With current sensor.
前記磁気検出素子は、前記ギャップの中心よりも前記端面に近い領域に前記感磁面の中心が位置するように配置される、
請求項1に記載の電流センサ。
The magnetic detection element is arranged such that the center of the magnetosensitive surface is located in a region closer to the end face than the center of the gap.
The current sensor according to claim 1.
前記磁気検出素子は、前記ギャップにおける前記磁場の磁束が吸い込まれる端面近くの領域に前記感磁面の中心が位置するように配置される、
請求項2に記載の電流センサ。
The magnetic detection element is arranged such that the center of the magnetosensitive surface is located in a region near the end surface where the magnetic flux of the magnetic field in the gap is sucked.
The current sensor according to claim 2.
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