JP2016092126A - Circuit board and conductor paste for circuit board - Google Patents

Circuit board and conductor paste for circuit board Download PDF

Info

Publication number
JP2016092126A
JP2016092126A JP2014223104A JP2014223104A JP2016092126A JP 2016092126 A JP2016092126 A JP 2016092126A JP 2014223104 A JP2014223104 A JP 2014223104A JP 2014223104 A JP2014223104 A JP 2014223104A JP 2016092126 A JP2016092126 A JP 2016092126A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
less
mass
copper
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014223104A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6307009B2 (en
Inventor
奥田 和弘
Kazuhiro Okuda
和弘 奥田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noritake Co Ltd
Original Assignee
Noritake Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noritake Co Ltd filed Critical Noritake Co Ltd
Priority to JP2014223104A priority Critical patent/JP6307009B2/en
Publication of JP2016092126A publication Critical patent/JP2016092126A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6307009B2 publication Critical patent/JP6307009B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board provided with conductor patterns having reduced electrical resistivity and excellent heat cycle resistance.SOLUTION: A circuit board 1 includes an insulating substrate 2 made of ceramic and glassless conductor patterns 4 and 6 formed on surfaces of the insulating substrate 2. The conductor patterns 4 and 6 include copper plating layers 4a and 6a in contact with the insulating substrate 2 and conductor layers 4b and 6b formed on the copper plating layers 4a and 6a. The conductor layers 4b and 6b do not contain a glass component and contain a copper component and a conductive filler component. The content of the conductive filler component in the conductor layers 4b and 6b is 50 to 200 pts.mass inclusive based on 100 pts.mass of the copper component. The volumetric thermal expansion coefficient of the conductor layers 4b and 6b is 13.5 ppm/°C or less. The electrical resistivity of the conductor patterns 4 and 6 is less than 20 μΩ cm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、パワー半導体等のセラミック電子材料に用いられる回路基板に関する。   The present invention relates to a circuit board used for a ceramic electronic material such as a power semiconductor.

近年、コンバータやインバータ等の電力制御に用いられる次世代の半導体デバイス(典型的にはパワーデバイス)が盛んに研究開発されている。
この半導体デバイスの周辺技術の一つに、該半導体デバイスを実装するための回路基板がある。回路基板は、例えば、電気絶縁性の基板の表面に、電気伝導性や熱伝導性の高い導体パターン(金属層)を備え、配線回路としての機能や半導体デバイスで発生した熱を逃がす機能(放熱機能)を発揮するものである。
かかる回路基板は、例えば、セラミック製の基板の表面に、金属粉末(例えば銅)、無機フィラー(例えばガラスフリット)、樹脂、溶剤等から構成される導体ペースト(例えば銅ペースト)を付与して、乾燥、焼成することによって作製することができる。これに関連する先行技術文献として、特許文献1〜6および非特許文献1が挙げられる。
In recent years, next-generation semiconductor devices (typically power devices) used for power control of converters and inverters have been actively researched and developed.
As one of peripheral technologies of this semiconductor device, there is a circuit board for mounting the semiconductor device. A circuit board, for example, has a conductive pattern (metal layer) with high electrical and thermal conductivity on the surface of an electrically insulating substrate, and functions as a wiring circuit or a function to release heat generated in a semiconductor device (heat dissipation) Function).
Such a circuit board, for example, by applying a conductive paste (for example, copper paste) composed of a metal powder (for example, copper), an inorganic filler (for example, glass frit), a resin, a solvent, etc. to the surface of a ceramic substrate, It can be produced by drying and baking. Prior art documents related to this include Patent Documents 1 to 6 and Non-Patent Document 1.

特開平05−325636号公報JP 05-325636 A 特開2006−260951号公報JP 2006-260951 A 特開2004−056148号公報JP 2004-056148 A 特開2004−134378号公報JP 2004-134378 A 特開平05−144316号公報JP 05-144316 A 特開2002−009411号公報JP 2002-009411 A

小川孝之、「両面基板用スルーホール用銅ペースト」、HARIMA TECHNOLOGY REPORT、[online]、2013年5月21日、No.115、Retrieved from the Internet: http://www.harima.co.jp/randd/technology_report/Takayuki Ogawa, “Copper paste for through-holes for double-sided substrates”, HARIMA TECHNOLOGY REPORT, [online], May 21, 2013, No. 115, Retrieved from the Internet: http://www.harima.co.jp/ randd / technology_report /

ところで、このような回路基板では、昨今の半導体デバイスの小型化、高密度化および高速化等といった高性能化に伴い、導体パターンの低抵抗化や耐ヒートサイクル性の向上(例えば−40〜250℃の温度範囲でヒートサイクルを繰り返した時の基板と導体パターンとの接合性の向上)が求められている。   By the way, in such a circuit board, with the recent high performance such as miniaturization, high density and high speed of the semiconductor device, the resistance of the conductor pattern is reduced and the heat cycle resistance is improved (for example, −40 to 250). There is a demand for improvement in bondability between the substrate and the conductor pattern when the heat cycle is repeated in the temperature range of ° C.

導体パターンを低抵抗化する一つの方策として、電気伝導の障害となる非導電成分、例えば上記無機フィラーの含有量を低減することが考えられる。しかしながら、単純に無機フィラーの含有量を減らすと、基板との接合性が低下することがあり得る。さらに、導体パターンの熱膨張率が高くなって、例えば熱膨張率の小さい基板(例えば窒化物系セラミックスからなる基板)を用いた場合に、接合性(例えば耐ヒートサイクル性)の低下を招来する虞がある。
また、導電性を維持する一つの方策として、銅の酸化防止のために導体層の表面にめっき処理を施すことがある。しかしながら、導体パターンに非導電性の無機フィラーを含む場合、当該部位に局所的にめっきが乗らず、いわゆるピットが発生することがある。このことは直ちに接合性の低下につながるわけではないが、導体パターンの内部で徐々に酸化が生じて導電性が低下することがあり得る。
As one measure for reducing the resistance of the conductor pattern, it is conceivable to reduce the content of a non-conductive component that becomes an obstacle to electrical conduction, for example, the inorganic filler. However, if the content of the inorganic filler is simply reduced, the bondability with the substrate may be lowered. Furthermore, when the thermal expansion coefficient of the conductor pattern is increased, for example, when a substrate having a low thermal expansion coefficient (for example, a substrate made of nitride ceramics) is used, the bondability (for example, heat cycle resistance) is lowered. There is a fear.
Further, as one measure for maintaining conductivity, a plating process may be performed on the surface of the conductor layer in order to prevent copper oxidation. However, when the conductive pattern includes a non-conductive inorganic filler, plating may not be locally applied to the part, and so-called pits may be generated. This does not immediately lead to a decrease in bondability, but the oxidation may gradually occur inside the conductor pattern and the conductivity may decrease.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電気抵抗率が低減され且つ耐ヒートサイクル性にも優れた導体パターンを備える回路基板を提供することである。また、他の目的は、かかる導体パターンを形成するための導体ペーストを提供することにある。   This invention is made | formed in view of this point, The objective is to provide a circuit board provided with the conductor pattern with which electrical resistivity was reduced and it was excellent also in heat cycle resistance. Another object is to provide a conductor paste for forming such a conductor pattern.

本発明者は、様々な角度から検討を重ねた結果、ガラスフリットやシリカ等の無機フィラーにかえて、導電性フィラーを用いることに想到した。そして、更なる検討を重ね、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明によって、セラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に形成されたガラスレスの導体パターンと、を備える回路基板が提供される。上記導体パターンは、上記絶縁基板に接する銅めっき層と、該銅めっき層上に形成された導体層とを備える。上記導体層は、ガラス成分を含まず、銅成分と導電性フィラー成分とを含む。上記導電性フィラー成分の含有割合は、上記銅成分100質量部に対して50質量部以上200質量部以下である。上記導体層の体積熱膨張率は13.5ppm/℃以下である。上記導体パターンの電気抵抗率は20μΩ・cm未満である。
As a result of repeated studies from various angles, the present inventor has come up with the idea of using a conductive filler instead of an inorganic filler such as glass frit or silica. And further examination was repeated and it came to complete this invention.
That is, according to the present invention, a circuit board including an insulating substrate made of ceramics and a glass-less conductive pattern formed on the surface of the insulating substrate is provided. The conductor pattern includes a copper plating layer in contact with the insulating substrate and a conductor layer formed on the copper plating layer. The conductor layer does not include a glass component, but includes a copper component and a conductive filler component. The content rate of the said conductive filler component is 50 to 200 mass parts with respect to 100 mass parts of said copper components. The conductor layer has a volume thermal expansion coefficient of 13.5 ppm / ° C. or less. The electrical resistivity of the conductor pattern is less than 20 μΩ · cm.

導体層に上記割合で導電性フィラーを含むことにより、該導電性フィラー成分が熱膨張率を調整する役割を果たし、導体層の体積熱膨張率(以下、単に「熱膨張率」ということもある。)を13.5ppm/℃以下に安定的に制御することができる。これにより、低温〜高温のヒートサイクルに対しても高い耐久性を実現することができる。
また、絶縁基板と導体層との間に銅めっき層を介在させることで、導体層にガラス成分を含まずとも、絶縁基板と導体パターンとが強固に一体化された回路基板を実現することができる。さらに、導体パターンをガラスレスとすることで、優れた導電性(電気抵抗率が20μΩ・cm以下)を実現することができる。
加えて、導電性フィラーを用いることでピットの発生をも防止することができ、ニッケル−金めっき表面に欠陥のない導体パターンを実現することができる。
したがって、本発明によれば、電気抵抗率が低減され且つ耐ヒートサイクル性にも優れた回路基板を実現することができる。
By including the conductive filler in the above proportion in the conductor layer, the conductive filler component plays a role of adjusting the coefficient of thermal expansion, and the volume thermal expansion coefficient of the conductor layer (hereinafter sometimes simply referred to as “thermal coefficient of expansion”). .) Can be stably controlled to 13.5 ppm / ° C. or less. Thereby, high durability is realizable also with respect to a low-temperature-high temperature heat cycle.
In addition, by interposing a copper plating layer between the insulating substrate and the conductor layer, it is possible to realize a circuit board in which the insulating substrate and the conductor pattern are firmly integrated without including a glass component in the conductor layer. it can. Furthermore, the electroconductivity (electrical resistivity is 20 microhm * cm or less) is realizable by making a conductor pattern glassless.
In addition, by using a conductive filler, it is possible to prevent the generation of pits and to realize a conductor pattern having no defect on the nickel-gold plating surface.
Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a circuit board with reduced electrical resistivity and excellent heat cycle resistance.

なお、本明細書において「熱膨張率」とは、特に断りの無い限り、一般的な示差膨張方式の熱機械分析(Thermo Mechanical Analysis:TMA)に基づいて室温〜300℃(例えば30〜300℃)の温度範囲にて測定した体積膨張率の平均値(体積平均熱膨張率)を指すものとする。また、本明細書において「電気抵抗率」とは、一般的な抵抗率計を用いて4端子4探針法で測定した値を指すものとする。   In the present specification, “thermal expansion coefficient” means room temperature to 300 ° C. (for example, 30 to 300 ° C.) based on a general differential expansion thermal mechanical analysis (TMA) unless otherwise specified. ) Refers to the average value of volume expansion coefficient (volume average thermal expansion coefficient) measured in the temperature range. Further, in this specification, “electric resistivity” refers to a value measured by a four-terminal four-probe method using a general resistivity meter.

上記導体層中の導電性フィラー成分の含有割合は、上記銅成分100質量部に対して75質量部以上であるとよい。これにより、例えば熱膨張率の小さい基板を用いた場合に、より優れた耐ヒートサイクル性を実現することができる。このため、本発明の効果をより高いレベルで発揮することができる。   The content ratio of the conductive filler component in the conductor layer is preferably 75 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the copper component. Thereby, when a board | substrate with a small thermal expansion coefficient is used, the more excellent heat cycle resistance is realizable, for example. For this reason, the effect of this invention can be exhibited at a higher level.

上記導体層中の導電性フィラー成分の含有割合は、上記銅成分100質量部に対して150質量部以下であるとよい。導電性フィラー成分は銅成分に比べると導電性が低いため、導電性フィラー成分の含有割合を上記範囲とすることで、導体層をより低抵抗化することができる。したがって、本発明の効果をより高いレベルで発揮することができる。   The content of the conductive filler component in the conductor layer is preferably 150 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copper component. Since the conductive filler component has lower conductivity than the copper component, the resistance of the conductor layer can be further reduced by setting the content ratio of the conductive filler component in the above range. Therefore, the effect of the present invention can be exhibited at a higher level.

ここに開示される回路基板の好適な一態様では、上記導電性フィラー成分の平均粒子径が、4μm以上50μm以下である。これにより、導電性フィラーの取扱性や導体層形成時の作業性を向上することができる。また、銅粉末同士の焼結(シンタリング)を妨げずに、導体層の電気抵抗を低減することができる。さらに、好ましくは高い機械的強度を実現することができる。
なお、本明細書において「平均粒子径」とは、一般的な粒度分布測定装置を用いて、レーザー回折・光散乱法で測定した体積基準の粒度分布において、微粒子側から累積50%に相当する粒子径(50%体積平均粒子径。D50やメジアン径ともいう。)を指すものとする。
In a preferred embodiment of the circuit board disclosed herein, the average particle diameter of the conductive filler component is 4 μm or more and 50 μm or less. Thereby, the handleability of a conductive filler and the workability | operativity at the time of conductor layer formation can be improved. Moreover, the electrical resistance of the conductor layer can be reduced without hindering sintering (sintering) between the copper powders. Furthermore, preferably high mechanical strength can be achieved.
In the present specification, the “average particle size” corresponds to a cumulative 50% from the fine particle side in the volume-based particle size distribution measured by a laser diffraction / light scattering method using a general particle size distribution measuring apparatus. particle size (50% volume average particle diameter .D 50 and also referred to as a median diameter.) is intended to refer to.

ここに開示される回路基板の好適な一態様では、上記絶縁基板が窒化ケイ素基板である。窒化ケイ素(Si)からなる基板の熱膨張率は凡そ2.6ppm/℃と、銅の熱膨張率(16ppm/℃)に比べて非常に小さい。このため、ここに開示される技術の適用が特に効果的である。 In a preferred aspect of the circuit board disclosed herein, the insulating substrate is a silicon nitride substrate. The coefficient of thermal expansion of the substrate made of silicon nitride (Si 3 N 4 ) is about 2.6 ppm / ° C., which is very small compared to the coefficient of thermal expansion of copper (16 ppm / ° C.). For this reason, the application of the technique disclosed herein is particularly effective.

ここに開示される回路基板の好適な一態様では、上記銅めっき層の平均厚みが2μm以下である。上述の通り、絶縁基板を構成するセラミックと銅めっき層を構成する銅は、熱膨張率が大きく異なる。このため、絶縁基板と銅めっき層との剥離を防止するためには、銅めっき層の厚みを小さく抑えて絶縁基板との熱膨張率の整合をとることが有効である。これにより、一層優れた熱的安定性(耐ヒートサイクル性)を実現することができる。   In the suitable one aspect | mode of the circuit board disclosed here, the average thickness of the said copper plating layer is 2 micrometers or less. As described above, the ceramic that forms the insulating substrate and the copper that forms the copper plating layer differ greatly in thermal expansion coefficient. For this reason, in order to prevent peeling between the insulating substrate and the copper plating layer, it is effective to keep the thickness of the copper plating layer small and to match the thermal expansion coefficient with the insulating substrate. Thereby, the further outstanding thermal stability (heat cycle resistance) is realizable.

ここに開示される回路基板の好適な一態様では、上記導体層の平均厚みが100μm以上300μm以下である。導体層の厚みを厚くすることで、電気伝導性の向上や放熱性の向上を実現し得る。また、一般に、比較的厚めに形成された導体層では低温〜高温(例えば−40〜250℃)のヒートサイクルの繰り返しによって剥離やクラック等の不具合が生じ易い傾向にある。しかしながら、ここに開示される技術によればこのような不具合を防止することができるので、導体層の低抵抗化と優れた接合性との高いレベルでの両立が可能となる。したがって、このような場合に本発明がとりわけ顕著な効果を奏する。   In a preferred embodiment of the circuit board disclosed herein, the conductor layer has an average thickness of 100 μm or more and 300 μm or less. By increasing the thickness of the conductor layer, it is possible to improve electrical conductivity and heat dissipation. In general, a conductor layer formed to be relatively thick tends to have problems such as peeling and cracking due to repeated low-temperature to high-temperature (for example, −40 to 250 ° C.) heat cycles. However, according to the technique disclosed herein, such a problem can be prevented, and it is possible to achieve both a low resistance of the conductor layer and excellent bonding properties at a high level. Therefore, the present invention has a particularly remarkable effect in such a case.

ここに開示される回路基板の好適な一態様では、上記導電性フィラー成分が、クロム、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される少なくとも1種を含む。これらいわゆるクロム族金属は、金属のなかでも熱膨張率が小さく、かつ高温環境下でも化学的安定性が高い。このため、ここに開示される技術において好ましく用いることができる。   In a preferred aspect of the circuit board disclosed herein, the conductive filler component includes at least one selected from the group consisting of chromium, molybdenum, and tungsten. These so-called chromium group metals have a low coefficient of thermal expansion among the metals, and have high chemical stability even in a high temperature environment. For this reason, it can be preferably used in the technology disclosed herein.

また、本発明の他の側面として、ガラスレスの導体層を形成するための回路基板用の導体ペーストが提供される。かかる導体ペーストは、銅粉末と、導電性フィラー粉末と、熱可塑性樹脂と、溶媒と、を含む。上記導電性フィラー粉末の含有割合は、上記銅成分100質量部に対して50質量部以上200質量部以下である。そして、上記導体ペーストを銅めっき層上に付与して上記導体層を形成し、導体パターンとしたときに、(1)上記導体層の体積熱膨張率が13.5ppm/℃以下であり、(2)上記導体パターンの電気抵抗率が20μΩ・cm未満であることを実現する。
このような導体ペーストを用いることで、ガラスレスであっても熱膨張率の低い導体層を実現することができる。これにより、例えば熱膨張率の小さなセラミック基板(例えば窒化ケイ素基板)とも良好な接合性を実現することができ、なおかつ優れた耐ヒートサイクル性を実現することができる。その結果、熱的安定性が高く、電気抵抗率が一層低減された導体パターンを実現することができる。
Moreover, as another aspect of the present invention, a conductor paste for a circuit board for forming a glassless conductor layer is provided. Such a conductor paste contains copper powder, conductive filler powder, a thermoplastic resin, and a solvent. The content of the conductive filler powder is 50 parts by mass or more and 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copper component. And when the said conductor paste is provided on a copper plating layer and the said conductor layer is formed, and it is set as a conductor pattern, (1) The volume thermal expansion coefficient of the said conductor layer is 13.5 ppm / degrees C or less, 2) It is realized that the electrical resistivity of the conductor pattern is less than 20 μΩ · cm.
By using such a conductor paste, a conductor layer having a low coefficient of thermal expansion can be realized even without glass. Thereby, for example, it is possible to realize good bonding properties with a ceramic substrate having a small coefficient of thermal expansion (for example, a silicon nitride substrate), and it is possible to realize excellent heat cycle resistance. As a result, a conductor pattern having high thermal stability and further reduced electrical resistivity can be realized.

ここに開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記導電性フィラー粉末の平均粒子径が4μm以上50μm以下である。これによって、接触抵抗をより低減することができる。さらに、好ましくは高い機械的強度を実現することができる。   In the suitable one aspect | mode of the conductor paste disclosed here, the average particle diameter of the said electroconductive filler powder is 4 micrometers or more and 50 micrometers or less. Thereby, the contact resistance can be further reduced. Furthermore, preferably high mechanical strength can be achieved.

ここに開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記銅粉末の平均粒子径が、上記導電性フィラー粉末の上記平均粒子径以下である。これによって、導体層の電気抵抗をより低減することができる。   In the suitable one aspect | mode of the conductor paste disclosed here, the average particle diameter of the said copper powder is below the said average particle diameter of the said electroconductive filler powder. Thereby, the electrical resistance of the conductor layer can be further reduced.

ここに開示される導体ペーストの好適な一態様では、上記導電性フィラー粉末が、クロム、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される少なくとも1種を含む。これにより、電気伝導性の向上、熱伝導性の向上、機械的強度の向上、耐ヒートサイクル性の向上のうち少なくとも1つを実現することができる。   In a preferred embodiment of the conductor paste disclosed herein, the conductive filler powder contains at least one selected from the group consisting of chromium, molybdenum and tungsten. Thereby, at least one of improvement in electrical conductivity, improvement in thermal conductivity, improvement in mechanical strength, and improvement in heat cycle resistance can be realized.

一実施形態に係る回路基板を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing a circuit board according to an embodiment.

以下、ここに開示される技術の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄(例えば一般的な回路基板の製造方法や導体ペーストの調製方法等)は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。   Hereinafter, preferred embodiments of the technology disclosed herein will be described. Note that matters other than the matters specifically mentioned in the present specification and necessary for the implementation of the present invention (for example, a general circuit board manufacturing method and a conductor paste preparation method) are the conventional ones in this field. It can be grasped as a design matter of those skilled in the art based on the technology. The present invention can be carried out based on the contents disclosed in this specification and common technical knowledge in the field.

≪回路基板≫
ここに開示される回路基板は、セラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に形成された導体パターンと、を備えている。上記導体パターンは、上記絶縁基板に接する銅めっき層と、該銅めっき層上に形成された導体層とを備えている。そして、以下の(A)〜(D):(A)導体層が、ガラス成分を含まず、銅成分と導電性フィラー成分とを含むこと;(B)導体層における導電性フィラー成分の含有割合が、上記銅成分100質量部に対して50質量部以上200質量部以下であること;(C)上記導体層の体積熱膨張率が13.5ppm/℃以下であること;(D)上記導体パターンの電気抵抗率が20μΩ・cm未満であること;によって特徴づけられる。したがって、その他の構成要素については特に限定されず、種々の用途に応じて任意に決定することができる。
≪Circuit board≫
The circuit board disclosed here includes an insulating substrate made of ceramics and a conductor pattern formed on the surface of the insulating substrate. The conductor pattern includes a copper plating layer in contact with the insulating substrate and a conductor layer formed on the copper plating layer. And the following (A) to (D): (A) the conductor layer does not contain a glass component but contains a copper component and a conductive filler component; (B) the content of the conductive filler component in the conductor layer Is 50 parts by mass or more and 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copper component; (C) the volume thermal expansion coefficient of the conductor layer is 13.5 ppm / ° C. or less; (D) the conductor The electrical resistivity of the pattern is less than 20 μΩ · cm. Therefore, the other components are not particularly limited, and can be arbitrarily determined according to various uses.

<絶縁基板>
ここに開示される回路基板の絶縁基板は、セラミック材料からなる。セラミック材料としては、例えば、金属炭化物からなる炭化物系セラミックス;金属窒化物からなる窒化物系セラミックス;金属酸化物からなる酸化物系セラミックス;金属のホウ化物、フッ化物、水酸化物、炭酸塩、リン酸塩等からなるセラミックス;等が例示される。
一好適例として、熱膨張率が比較的小さなもの、具体的には、窒化ケイ素(シリコンナイトライド:Si)、窒化アルミニウム(アルミナイトライド:AlN)、窒化ホウ素(BN)等の窒化物系セラミックス;炭化ケイ素(シリコンカーバイド:SiC)等の炭化物系セラミックス;コーディエライト(2MgO・2Al・5SiO)、ムライト(3Al・2SiO)等の複合酸化物系セラミックス;が挙げられる。
なかでも、とりわけ熱膨張率が小さなセラミック材料(および該材料の30〜500℃の平均体積熱膨張率)を例示すると、コーディエライト(<|0.1|ppm/℃)、窒化ホウ素(1.4ppm/℃)、窒化ケイ素(2.6ppm/℃)、炭化ケイ素(3.7ppm/℃)、窒化アルミニウム(4.6ppm/℃)、ムライト(5.0ppm/℃)等が挙げられる。特に、窒化ケイ素は曲げ強度が凡そ600〜800MPaと機械的強度に優れる。このため、高い機械的強度の要求される用途で好ましく用いることができる。また、窒化アルミニウムは熱伝導率が150〜200W/m・Kと高いため、放熱性を要求される用途で好ましく用いることができる。
<Insulating substrate>
The insulating substrate of the circuit board disclosed here is made of a ceramic material. Examples of ceramic materials include carbide ceramics made of metal carbides; nitride ceramics made of metal nitrides; oxide ceramics made of metal oxides; metal borides, fluorides, hydroxides, carbonates, Examples thereof include ceramics made of phosphate and the like.
As a preferred example, a material having a relatively low coefficient of thermal expansion, specifically, nitrides such as silicon nitride (silicon nitride: Si 3 N 4 ), aluminum nitride (aluminum nitride: AlN), boron nitride (BN), etc. Material ceramics; Carbide ceramics such as silicon carbide (silicon carbide: SiC); complex oxide ceramics such as cordierite (2MgO · 2Al 2 O 3 · 5SiO 2 ) and mullite (3Al 2 O 3 · 2SiO 2 ) ;
Among them, ceramic materials having a particularly low coefficient of thermal expansion (and an average volume coefficient of thermal expansion of 30 to 500 ° C. of the material) are exemplified by cordierite (<| 0.1 | ppm / ° C.), boron nitride (1 .4 ppm / ° C.), silicon nitride (2.6 ppm / ° C.), silicon carbide (3.7 ppm / ° C.), aluminum nitride (4.6 ppm / ° C.), mullite (5.0 ppm / ° C.) and the like. In particular, silicon nitride is excellent in mechanical strength with a bending strength of about 600 to 800 MPa. For this reason, it can be preferably used in applications where high mechanical strength is required. Moreover, since aluminum nitride has a high thermal conductivity of 150 to 200 W / m · K, it can be preferably used in applications that require heat dissipation.

<導体パターン>
ここに開示される回路基板の導体パターンは、上記絶縁基板に接する銅めっき層と、該銅めっき層の表面に固着された導体層とを備える。また、かかる導体パターンの電気抵抗率は20μΩ・cm未満であり、好ましくは15μΩ・cm以下、より好ましくは10μΩ・cm以下、特には6μΩ・cm以下であるとよい。
<Conductor pattern>
The conductor pattern of the circuit board disclosed here includes a copper plating layer in contact with the insulating substrate, and a conductor layer fixed to the surface of the copper plating layer. Further, the electrical resistivity of the conductor pattern is less than 20 μΩ · cm, preferably 15 μΩ · cm or less, more preferably 10 μΩ · cm or less, and particularly preferably 6 μΩ · cm or less.

銅めっき層は、接合力の小さな絶縁基板と導体層とを接合するための、言わば接着層である。銅めっき層を設けることにより、導体層にガラス成分(無機バインダ成分)を含まずとも強固に一体化された回路基板を実現することができる。
かかる銅めっき層は、実質的に(例えば、銅めっき層全体の95質量%以上が)銅成分からなる。このため、銅めっき層の熱膨張率は、銅の熱膨張率と概ね同等であり得る。ゆえに、例えば絶縁基板が熱膨張率の小さなセラミック材料からなる場合には、絶縁基板と銅めっき層との熱膨張率が大きく異なることがある。例えば、絶縁基板が窒化物系セラミックスからなる場合、銅めっき層の熱膨張率が、絶縁基板の熱膨張率に対して3〜5倍以上大きくなることがあり得る。したがって、このような場合には銅めっき層の厚みを薄くして、熱応力を小さく抑えることが好ましい。
上記の理由から、好適な一態様では、銅めっき層の平均厚みが5μm以下(好ましくは3μm以下、より好ましくは2μm以下)である。これにより、銅めっき層の熱膨張率をほぼ考慮する必要が無くなり、耐ヒートサイクル特性を一層向上することができる。また、銅めっき層の平均厚みは、0.01μm以上(好ましくは0.05μm以上、より好ましくは0.1μm以上、例えば0.5μm以上)であるとよい。これにより、絶縁基板と導体層とをより安定的に接合することができ、熱的安定性の高い回路基板を実現することができる。
The copper plating layer is a so-called adhesive layer for bonding the insulating substrate having a small bonding force and the conductor layer. By providing the copper plating layer, it is possible to realize a circuit board that is firmly integrated without including a glass component (inorganic binder component) in the conductor layer.
Such a copper plating layer is substantially composed of a copper component (for example, 95% by mass or more of the entire copper plating layer). For this reason, the thermal expansion coefficient of a copper plating layer may be substantially equivalent to the thermal expansion coefficient of copper. Therefore, for example, when the insulating substrate is made of a ceramic material having a small coefficient of thermal expansion, the coefficient of thermal expansion may be greatly different between the insulating substrate and the copper plating layer. For example, when the insulating substrate is made of a nitride ceramic, the thermal expansion coefficient of the copper plating layer may be 3 to 5 times or more larger than the thermal expansion coefficient of the insulating substrate. Therefore, in such a case, it is preferable to reduce the thermal stress by reducing the thickness of the copper plating layer.
For the above reasons, in a preferred embodiment, the copper plating layer has an average thickness of 5 μm or less (preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less). Thereby, it is not necessary to substantially consider the thermal expansion coefficient of the copper plating layer, and the heat cycle resistance can be further improved. The average thickness of the copper plating layer is preferably 0.01 μm or more (preferably 0.05 μm or more, more preferably 0.1 μm or more, for example 0.5 μm or more). Thereby, an insulating substrate and a conductor layer can be joined more stably, and a circuit board with high thermal stability can be realized.

導体層は、配線回路としての導電機能や、半導体デバイスで発生した熱を逃がす放熱機能を発揮する部位である。ここに開示される回路基板に備えられた導体層は、熱膨張率が13.5ppm/℃以下(例えば13.5〜11.5ppm/℃、一例では13ppm/℃以下)である。これにより、例えば熱膨張率の比較的小さな絶縁基板を用いる場合であっても、優れた耐ヒートサイクル性を実現することができる。
かかる導体層は、ガラス成分を含まず、典型的にはその他の非導電性の(絶縁性の)無機フィラーも含まず、銅成分と導電性フィラー成分とを含んでいる。上述の通り、ガラス成分は電気伝導性や熱伝導性が低い。このため、当該ガラス成分を少なくとも意図的には混入させないことで、電気伝導性や熱伝導性に優れた導体層を実現することができる。さらには、耐ヒートサイクル性の向上などを目的として導体層の表面にめっきを施す場合にあっても、ピットの発生を高度に防止することができる。
The conductor layer is a part that exhibits a conductive function as a wiring circuit and a heat dissipation function that releases heat generated in the semiconductor device. The conductor layer provided in the circuit board disclosed herein has a coefficient of thermal expansion of 13.5 ppm / ° C. or less (for example, 13.5 to 11.5 ppm / ° C., in one example, 13 ppm / ° C. or less). Thereby, for example, even when an insulating substrate having a relatively small coefficient of thermal expansion is used, excellent heat cycle resistance can be realized.
Such a conductor layer does not include a glass component, typically does not include other non-conductive (insulating) inorganic fillers, and includes a copper component and a conductive filler component. As described above, the glass component has low electrical conductivity and thermal conductivity. For this reason, the conductor layer excellent in electrical conductivity and heat conductivity is realizable by not mixing the said glass component intentionally at least. Furthermore, even when the surface of the conductor layer is plated for the purpose of improving heat cycle resistance, the generation of pits can be highly prevented.

銅成分は、導体層に電気伝導性や放熱性を付与するための必須構成成分である。かかる銅成分は、平均粒子径が0.1μm以上(典型的には0.5μm以上、好ましくは1μm以上、例えば2μm以上)であって、10μm以下(典型的には5μm以下、例えば4μm以下)の銅粉末が焼結されてなるとよい。これにより、導体層を緻密化することができる。また、導体層形成時の取扱性や作業性を向上することができる。   The copper component is an essential component for imparting electrical conductivity and heat dissipation to the conductor layer. The copper component has an average particle size of 0.1 μm or more (typically 0.5 μm or more, preferably 1 μm or more, for example, 2 μm or more), and 10 μm or less (typically 5 μm or less, for example, 4 μm or less). The copper powder may be sintered. Thereby, a conductor layer can be densified. Moreover, the handling property and workability | operativity at the time of conductor layer formation can be improved.

導電性フィラー成分は、導体層の熱膨張率を調整するための必須構成成分(熱膨張率調整材)である。かかる導電性フィラー成分としては、以下のような性質:(1)熱膨張率が小さい(好ましくは熱膨張率が10ppm/℃以下、例えば4〜6ppm/℃程度);(2)導電性に優れる(好ましくは電気抵抗率が10μΩ・m以下、例えば6μΩ・m以下);(3)500℃程度の高温域においても化学的に安定である;を有するものを好ましく用いることができる。   The conductive filler component is an essential component (thermal expansion coefficient adjusting material) for adjusting the thermal expansion coefficient of the conductor layer. The conductive filler component has the following properties: (1) Low coefficient of thermal expansion (preferably a coefficient of thermal expansion of 10 ppm / ° C. or less, for example, about 4 to 6 ppm / ° C.); (2) Excellent conductivity (Preferably having an electrical resistivity of 10 μΩ · m or less, for example 6 μΩ · m or less); (3) Chemically stable even in a high temperature range of about 500 ° C. can be preferably used.

このような性質を満たす好適例としてクロム族金属、すなわち、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、およびタングステン(W)が挙げられる。クロム族金属は、金属のなかでも相対的に熱膨張率が小さい。このため、導体層中にクロム族金属を含むことで、当該導体層の熱膨張率を効果的に低減することができる。なかでも、タングステンは0〜100℃の平均熱膨張率が4.5ppm/℃と全金属中で最も小さい。このため、より少ない含有割合で導体層の熱膨張率を好適な範囲に調整することができ、好ましい。
また、モリブデンは電気抵抗率が非常に小さく、電気伝導性や熱伝導性にも優れる。さらに、高温での機械的強度も高い。したがって、導体層本来の機能性(導電機能や放熱機能)をより高いレベルで発揮させることができ、好ましい。
Preferable examples satisfying such properties include chromium group metals, that is, chromium (Cr), molybdenum (Mo), and tungsten (W). Chromium group metals have a relatively low coefficient of thermal expansion among the metals. For this reason, the thermal expansion coefficient of the said conductor layer can be effectively reduced by including a chromium group metal in a conductor layer. Among these, tungsten has an average coefficient of thermal expansion of 0 to 100 ° C., which is 4.5 ppm / ° C., which is the smallest among all metals. For this reason, the thermal expansion coefficient of the conductor layer can be adjusted to a suitable range with a smaller content ratio, which is preferable.
Molybdenum has an extremely low electrical resistivity and is excellent in electrical conductivity and thermal conductivity. Furthermore, the mechanical strength at high temperature is also high. Therefore, the original functionality (conductive function and heat dissipation function) of the conductor layer can be exhibited at a higher level, which is preferable.

導電性フィラー成分は、平均粒子径が0.5μm以上(典型的には1μm以上、好ましくは2μm以上、例えば4μm以上)であるとよい。これにより、銅粉末同士の焼結(シンタリング)を妨げずに、導体層の電気抵抗を低減することができる。さらに、好ましくは高い機械的強度を実現することができる。
また、上記導体層を平滑性に優れかつ均質なものとする観点からは、平均粒子径が50μm以下(典型的には30μm以下、例えば20μm以下)であるとよい。
The conductive filler component may have an average particle size of 0.5 μm or more (typically 1 μm or more, preferably 2 μm or more, for example, 4 μm or more). Thereby, the electrical resistance of a conductor layer can be reduced, without preventing sintering (sintering) of copper powders. Furthermore, preferably high mechanical strength can be achieved.
Further, from the viewpoint of making the conductor layer excellent in smoothness and uniform, the average particle diameter is preferably 50 μm or less (typically 30 μm or less, for example, 20 μm or less).

好適な一態様では、導体層中の銅成分を構成する粒子の平均粒子径に比べて、導電性フィラー成分を構成する粒子の平均粒子径が大きい。例えば、銅成分を構成する粒子の平均粒子径に対して、導電性フィラー成分を構成する粒子の平均粒子径が1.2〜3倍程度大きいとよい。これにより、導体層の抵抗が一層低減され、更に高い導電性を実現することができる。   In a preferred embodiment, the average particle diameter of the particles constituting the conductive filler component is larger than the average particle diameter of the particles constituting the copper component in the conductor layer. For example, the average particle diameter of the particles constituting the conductive filler component is preferably about 1.2 to 3 times larger than the average particle diameter of the particles constituting the copper component. Thereby, the resistance of the conductor layer is further reduced, and higher conductivity can be realized.

導電性フィラー成分を構成する粒子の形状は、例えば、球状、楕円状、破砕状、繊維状等であり得る。より平滑性や均質性の高い導体層を実現する観点からは、例えば平均アスペクト比(長径/短径比)が凡そ1〜1.5(例えば1〜1.3)の球状、楕円状、もしくは破砕状の粒子が好ましい。   The shape of the particles constituting the conductive filler component can be, for example, spherical, elliptical, crushed, or fibrous. From the viewpoint of realizing a conductor layer having higher smoothness and homogeneity, for example, an average aspect ratio (major axis / minor axis ratio) of approximately 1 to 1.5 (for example, 1 to 1.3), spherical, elliptical, or Crushed particles are preferred.

ここに開示される技術において、導電性フィラー成分は、銅成分100質量部に対して、50質量部以上(典型的には55質量部以上、例えば75質量%以上、さらには100質量部以上)の割合で含ませる。これにより、導体層の熱膨張率を好適な範囲に(比較的小さく)調整することができ、絶縁基板との熱膨張率の整合をとることができる。その結果、界面剥離等の不具合を高度に防止することができ、耐ヒートサイクル性の高い導体層を実現することができる。
また、導電性フィラー成分の含有割合の上限は、銅成分100質量部に対して、200質量部以下(典型的には180質量部以下、例えば150質量%以下)である。これにより、銅めっき層との接合性に優れ、かつ電気伝導性や放熱性の高い導体層を実現することができる。
In the technology disclosed herein, the conductive filler component is 50 parts by mass or more (typically 55 parts by mass or more, for example, 75% by mass or more, and further 100 parts by mass or more) with respect to 100 parts by mass of the copper component. Include at a rate of. Thereby, the thermal expansion coefficient of the conductor layer can be adjusted to a suitable range (relatively small), and the thermal expansion coefficient can be matched with the insulating substrate. As a result, problems such as interfacial peeling can be prevented to a high degree, and a conductor layer having high heat cycle resistance can be realized.
Moreover, the upper limit of the content rate of an electroconductive filler component is 200 mass parts or less (typically 180 mass parts or less, for example, 150 mass% or less) with respect to 100 mass parts of copper components. Thereby, it is possible to realize a conductor layer that is excellent in bondability with the copper plating layer and has high electrical conductivity and heat dissipation.

導体層では、例えば、銅成分と導電性フィラー成分との合計体積を100体積%としたときに、銅成分の体積比率が、55体積%以上80体積%以下(例えば60体積%以上75体積%以下)であるとよい。換言すれば、導電性フィラー成分の体積比率が、20体積%以上45体積%以下(例えば25体積%以上40体積%以下)であるとよい。
なお、導体層中には、本発明の効果を著しく低減させない限りにおいて、銅成分と導電性フィラー成分以外の成分(例えばこの種の分野で一般に使用され得る各種添加剤)を含んでもよい。
In the conductor layer, for example, when the total volume of the copper component and the conductive filler component is 100% by volume, the volume ratio of the copper component is 55% by volume to 80% by volume (for example, 60% by volume to 75% by volume). Or less). In other words, the volume ratio of the conductive filler component is preferably 20% by volume or more and 45% by volume or less (for example, 25% by volume or more and 40% by volume or less).
The conductor layer may contain components other than the copper component and the conductive filler component (for example, various additives that can be generally used in this kind of field) as long as the effects of the present invention are not significantly reduced.

導体層のサイズや厚みは、例えば実装(接続)する半導体デバイスの寸法、高さ、間隔(配置)等を考慮して決定すればよく特に限定されないが、導電性や放熱性を確保する観点からは、できるだけ広い領域に、比較的厚めの導体層を形成することが好ましい。かかる理由から、導体層の厚みは100μm以上(典型的には120μm以上、例えば150μm以上)であるとよい。また、厚みの上限は、耐久性や作製容易性の観点から、例えば300μm以下(例えば250μm以下)であるとよい。   The size and thickness of the conductor layer may be determined in consideration of, for example, the dimensions, height, and spacing (arrangement) of the semiconductor device to be mounted (connected), but from the viewpoint of ensuring conductivity and heat dissipation. It is preferable to form a relatively thick conductor layer in as wide a region as possible. For this reason, the thickness of the conductor layer is preferably 100 μm or more (typically 120 μm or more, for example, 150 μm or more). In addition, the upper limit of the thickness is preferably, for example, 300 μm or less (for example, 250 μm or less) from the viewpoint of durability and ease of manufacture.

<ニッケル−金めっき層>
ここに開示される回路基板の好適な一態様では、導体層の表面にニッケルめっき層および/または金めっき層を備える。これにより、高温環境下においても導体層が酸化されることを高度に防止することができる。したがって、耐ヒートサイクル性をより一層向上することができる。
<Nickel-gold plating layer>
In a preferred embodiment of the circuit board disclosed herein, the surface of the conductor layer is provided with a nickel plating layer and / or a gold plating layer. Thereby, it is possible to highly prevent the conductor layer from being oxidized even in a high temperature environment. Therefore, the heat cycle resistance can be further improved.

<実施形態>
以下、図1を参照しつつ一実施形態に係る回路基板について説明する。なお、以下の図面において、同様の作用を奏する部材・部位には同じ符号を付して説明し、重複する説明は省略または簡略化することがある。図面に記載の実施形態は、本発明を明瞭に説明するために必要に応じて模式化されており、実際の回路基板の寸法関係(長さ、幅、厚さ等)を必ずしも正確に反映したものではない。
<Embodiment>
Hereinafter, a circuit board according to an embodiment will be described with reference to FIG. In addition, in the following drawings, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated to the member and site | part which show | plays the same effect | action, and the overlapping description may be abbreviate | omitted or simplified. The embodiments described in the drawings are modeled as necessary to clearly explain the present invention, and do not necessarily accurately reflect the dimensional relationship (length, width, thickness, etc.) of the actual circuit board. It is not a thing.

図1に示す態様において、回路基板1は絶縁基板(セラミック基板)2の表面に導体パターン4,6を備えている。絶縁基板2の一方の表面には、予め定められた設計図に沿った導体パターン(配線回路)4が形成されている。この形態では、サイズ(長さ等)や厚みが異なり別個独立した複数(ここでは計7つ)の導体パターン4が絶縁基板2上に形成されている。各導体パターン4は、銅めっき層4aと導体層(配線層)4bから構成されている。また、絶縁基板2のもう一方の表面には、ほぼ全面にわたり1つの導体パターン(放熱層)6が形成されている。導体パターン6は、配線回路4と同様に、銅めっき層6aと導体層6bから構成されている。
なお、導体パターンは、図1に示すように絶縁基板2の両面に備えられていてもよく、あるいは片方の表面のみに備えられていても良い。また、導体パターンは、図1の放熱層6のように1つであってもよく、図1の配線回路4のように複数であってもよい。また、導体パターンは、絶縁基板2の一部に備えられていてもよいし、絶縁基板2のほぼ全面にわたって備えられていてもよい。さらに、例えば耐ヒートサイクル性の向上や腐食の防止等を目的として、導体層4b,6bの表面にめっき層(例えばニッケルめっき層や金めっき層)を備えていてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 1, the circuit board 1 includes conductor patterns 4 and 6 on the surface of an insulating substrate (ceramic substrate) 2. On one surface of the insulating substrate 2, a conductor pattern (wiring circuit) 4 is formed in accordance with a predetermined design drawing. In this embodiment, a plurality of (in this case, a total of seven) conductor patterns 4 having different sizes (lengths, etc.) and thicknesses are formed on the insulating substrate 2. Each conductor pattern 4 includes a copper plating layer 4a and a conductor layer (wiring layer) 4b. A conductive pattern (heat radiation layer) 6 is formed on the other surface of the insulating substrate 2 over almost the entire surface. The conductor pattern 6 is composed of a copper plating layer 6 a and a conductor layer 6 b as in the wiring circuit 4.
In addition, the conductor pattern may be provided on both surfaces of the insulating substrate 2 as shown in FIG. 1, or may be provided only on one surface. Further, the number of conductor patterns may be one as in the heat dissipation layer 6 of FIG. 1 or a plurality of conductor patterns as in the wiring circuit 4 of FIG. Further, the conductor pattern may be provided on a part of the insulating substrate 2 or may be provided over almost the entire surface of the insulating substrate 2. Furthermore, for example, for the purpose of improving heat cycle resistance and preventing corrosion, a plating layer (for example, a nickel plating layer or a gold plating layer) may be provided on the surface of the conductor layers 4b and 6b.

かかる回路基板は、電気伝導性や放熱性、機械的強度等の諸特性に優れ、かつ絶縁基板と導体パターンとが強固に一体化されたものであり得る。したがって、ここに開示される回路基板は、パワー半導体等のセラミック電子材料を構成する部材として好適に用いることができる。   Such a circuit board may be excellent in various properties such as electrical conductivity, heat dissipation, and mechanical strength, and the insulating board and the conductor pattern may be firmly integrated. Therefore, the circuit board disclosed here can be suitably used as a member constituting a ceramic electronic material such as a power semiconductor.

≪回路基板の製造方法≫
このような回路基板の製造方法は特に限定されないが、例えば以下の工程:
(1)セラミックスからなる絶縁基板の表面に銅めっき処理を施すこと;
(2)銅粉末と導電性フィラー粉末と熱可塑性樹脂と溶媒とを含む導体ペーストを調製すること;
(3)上記調製した導体ペーストを銅めっき処理済みの絶縁基板上に付与すること;および
(4)上記導体ペーストを付与した絶縁基板を、不活性雰囲気中において上記熱可塑性樹脂の燃え抜け温度以上で焼成し、導体パターンを形成すること;
を包含する方法によって製造することができる。以下、各工程を順に説明する。
≪Circuit board manufacturing method≫
Although the manufacturing method of such a circuit board is not specifically limited, For example, the following processes:
(1) Applying copper plating to the surface of an insulating substrate made of ceramics;
(2) preparing a conductor paste containing copper powder, conductive filler powder, thermoplastic resin and solvent;
(3) Applying the prepared conductive paste onto an insulating substrate that has been subjected to copper plating; and (4) Applying the insulating substrate to which the conductive paste has been applied above the burn-out temperature of the thermoplastic resin in an inert atmosphere. Fired with to form a conductor pattern;
Can be produced by a method including: Hereinafter, each process is demonstrated in order.

<1.銅めっき処理>
まず、絶縁基板の表面に銅めっき処理を施す。銅めっき処理は、例えば従来公知の一般的な無電解めっきの手法によって形成することができる。すなわち、まずパラジウム等の核形成成分によって核が形成されるように調整し、その上に無電解銅めっきを行うとよい。これにより、核形成成分が絶縁基板の表面に物理的に接合して、絶縁基板の表面に強固に固着された銅めっき層を形成することができる。なお、銅めっき処理の詳細な手順等については、後の実施例で述べる。
<1. Copper plating treatment>
First, a copper plating process is performed on the surface of the insulating substrate. The copper plating treatment can be formed, for example, by a conventionally known general electroless plating technique. That is, first, adjustment is made so that nuclei are formed by a nucleation component such as palladium, and electroless copper plating is preferably performed thereon. Thereby, the nucleation component can be physically bonded to the surface of the insulating substrate to form a copper plating layer firmly fixed to the surface of the insulating substrate. The detailed procedure of the copper plating process will be described in later examples.

<2.導体ペーストの調製>
次に、導体ペースト(銅ペースト)を調製する。導体ペーストは、典型的には、銅粉末と、導電性フィラー粉末と、熱可塑性樹脂と、溶媒と、を含んでいる。また、ガラス成分を含まない。そして、以下の条件:上記導電性フィラー粉末の含有割合が、上記銅成分100質量部に対して50質量部以上200質量部以下であること;上記導体ペーストを銅めっき層上に付与して上記導体層を形成し、導体パターンとしたときに、上記導体層の体積熱膨張率が13.5ppm/℃以下であり、電気抵抗率が20μΩ・cm未満であること;を具備することが好ましい。なお、その他の構成要素については特に限定されず、種々の用途に応じて任意に決定することができる。
<2. Preparation of conductor paste>
Next, a conductor paste (copper paste) is prepared. The conductor paste typically includes copper powder, conductive filler powder, a thermoplastic resin, and a solvent. Moreover, a glass component is not included. And the following conditions: The content rate of the said electroconductive filler powder is 50 to 200 mass parts with respect to 100 mass parts of the said copper component; The said conductor paste is provided on a copper plating layer, and it is the said. When the conductor layer is formed into a conductor pattern, the conductor layer preferably has a volume thermal expansion coefficient of 13.5 ppm / ° C. or less and an electrical resistivity of less than 20 μΩ · cm. In addition, it does not specifically limit about another component, It can determine arbitrarily according to various uses.

銅粉末は、導体パターンに電気伝導性や放熱性を付与するための成分である。
なお、本明細書において「銅粉末」とは、銅(Cu)を主体とする粒子の集合体をいい、典型的には銅単体から成る粒子の集合体であるが、例えば銅を主体とする合金や銅以外の不純物を微量含むものであっても、全体として銅を主体とする粒子の集合体であればここでいう「銅粉末」に包含され得る。
Copper powder is a component for imparting electrical conductivity and heat dissipation to the conductor pattern.
In the present specification, “copper powder” refers to an aggregate of particles mainly composed of copper (Cu), and is typically an aggregate of particles composed of simple copper, for example, mainly composed of copper. Even if it contains a trace amount of impurities other than alloys and copper, it can be included in the “copper powder” as long as it is an aggregate of particles mainly composed of copper.

銅粉末を構成する粒子としては、例えば低温(500℃以下)での焼結に適した大きさ(粒子径)のものを用いるとよい。具体的には、平均粒子径が10μm以下のものが好ましく、5μm以下(例えば4μm以下)のものがより好ましい。焼成時の温度を500℃以下と従来に比べて低めに設定できることで、焼成に起因する熱収縮(熱応力による歪み)を抑えることができる。そのため、基材(ここでは銅めっき層)との密着性に優れた導体パターンを実現することができる。また、緻密性の高い導体パターンを形成することができる効果もある。下限値は特に限定されないが、取扱性や作業性等を考慮して、0.1μm以上(典型的には0.5μm以上、好ましくは1μm以上、例えば2μm以上)のものを用いるとよい。また、銅粉末を構成する粒子の形状は、例えば、球状、鱗片状、円錐状、繊維状等であり得る。なかでも、充填性がよく緻密な導体パターンを形成しやすい等の理由から、球状もしくは鱗片状の粒子が好ましく用いられる。このような平均粒子径および/または粒子形状の銅粉末を用いた導体ペーストによれば、電気伝導性や放熱性に優れた導体パターンを形成することができる。   As the particles constituting the copper powder, for example, particles having a size (particle diameter) suitable for sintering at a low temperature (500 ° C. or less) may be used. Specifically, those having an average particle size of 10 μm or less are preferable, and those having an average particle size of 5 μm or less (for example, 4 μm or less) are more preferable. Since the firing temperature can be set to 500 ° C. or lower, which is lower than the conventional temperature, thermal shrinkage (distortion due to thermal stress) caused by firing can be suppressed. Therefore, the conductor pattern excellent in adhesiveness with a base material (here copper plating layer) is realizable. In addition, there is an effect that a highly dense conductor pattern can be formed. The lower limit is not particularly limited, but in consideration of handling properties and workability, a lower limit value of 0.1 μm or more (typically 0.5 μm or more, preferably 1 μm or more, for example, 2 μm or more) may be used. Moreover, the shape of the particles constituting the copper powder can be, for example, spherical, scaly, conical, fibrous or the like. Among these, spherical or scale-like particles are preferably used for reasons such as easy filling and easy formation of dense conductor patterns. According to the conductor paste using the copper powder having such an average particle diameter and / or particle shape, a conductor pattern excellent in electric conductivity and heat dissipation can be formed.

導体ペースト中の銅粉末の含有割合は、導体ペースト全体の35質量%以上(例えば40質量%以上)であって、70質量%以下(例えば60質量%以下)であるとよい。これにより、導体パターンの緻密性を高めることができ、高い電気伝導性や放熱性を形成することができる。   The content ratio of the copper powder in the conductor paste is 35% by mass or more (for example, 40% by mass or more) of the entire conductor paste, and is preferably 70% by mass or less (for example, 60% by mass or less). Thereby, the denseness of a conductor pattern can be improved and high electrical conductivity and heat dissipation can be formed.

導電性フィラー粉末は、導体パターンの熱膨張率を調整するためのいわゆる熱膨張率調整材である。導電性フィラー粉末としては、導電性を有する無機物、例えば上述のようなクロム族金属を用いるとよい。また、導電性フィラー粉末を構成する粒子は、平均粒子径が0.5μm以上(典型的には1μm以上、好ましくは2μm以上、例えば4μm以上)であって、50μm以下(典型的には30μm以下、例えば20μm以下)であるとよい。このような導電性フィラー粉末を用いることで、低抵抗かつ熱膨張率が良く抑えられた(例えば導体層の熱膨張率が13.5ppm/℃以下の)導体パターンを安定的に形成することができる。また、作業時に引火等の問題が生じることを高度に防止することができる。
好適な一態様では、導電性フィラー粉末の平均粒子径が銅粉末の平均粒子径以上である。換言すれば、銅粉末の平均粒子径が導電性フィラー粉末の平均粒子径以下である。これによって、電気伝導性により優れた導体パターンを形成することができる。
The conductive filler powder is a so-called thermal expansion coefficient adjusting material for adjusting the thermal expansion coefficient of the conductor pattern. As the conductive filler powder, an inorganic substance having conductivity, for example, a chromium group metal as described above may be used. The particles constituting the conductive filler powder have an average particle size of 0.5 μm or more (typically 1 μm or more, preferably 2 μm or more, for example, 4 μm or more), and 50 μm or less (typically 30 μm or less). For example, 20 μm or less). By using such a conductive filler powder, it is possible to stably form a conductor pattern having a low resistance and a low coefficient of thermal expansion (for example, the coefficient of thermal expansion of the conductor layer is 13.5 ppm / ° C. or less). it can. In addition, it is possible to highly prevent the occurrence of problems such as ignition during work.
In a preferred embodiment, the average particle size of the conductive filler powder is greater than or equal to the average particle size of the copper powder. In other words, the average particle diameter of the copper powder is equal to or less than the average particle diameter of the conductive filler powder. Thereby, it is possible to form a conductor pattern that is more excellent in electrical conductivity.

ここに開示される技術において、導電性フィラー粉末は、上記成分100質量部に対して、50質量部以上(典型的には55質量部以上、例えば75質量%以上、さらには100質量部以上)であって、200質量部以下(典型的には180質量部以下、例えば150質量%以下)の割合で含ませる。
導体ペースト中の導電性フィラー粉末の含有割合は、典型的には導体ペースト全体の25質量%以上(典型的には30質量%以上、例えば35質量%以上)であって、60質量%以下(典型的には55質量%以下、例えば50質量%以下)であるとよい。
かかる構成によると、絶縁基板との熱膨張率の整合を好適にとることができ、剥離等の不具合の発生を抑制することができる。また、導電性フィラー粉末の含有割合を必要最小限に抑えることで、電気伝導性や放熱性に一層優れた導体パターンを形成することができる。
In the technique disclosed herein, the conductive filler powder is 50 parts by mass or more (typically 55 parts by mass or more, for example, 75% by mass or more, and further 100 parts by mass or more) with respect to 100 parts by mass of the above components. However, it is included at a ratio of 200 parts by mass or less (typically 180 parts by mass or less, for example, 150% by mass or less).
The content of the conductive filler powder in the conductor paste is typically 25% by mass or more (typically 30% by mass or more, for example, 35% by mass or more) of the entire conductor paste, and 60% by mass or less ( It is typically 55% by mass or less, for example, 50% by mass or less.
According to such a configuration, it is possible to suitably match the thermal expansion coefficient with the insulating substrate, and it is possible to suppress the occurrence of defects such as peeling. Moreover, the conductor pattern which was further excellent in electrical conductivity and heat dissipation can be formed by restraining the content rate of electroconductive filler powder to the required minimum.

熱可塑性樹脂は、導体ペーストを乾燥させた後に、該導体ペースト中の固形分(銅粉末や導電性フィラー粉末)を仮固着させるための接合成分(有機バインダ成分)である。
熱可塑性樹脂としては、使用する溶媒(典型的には有機溶剤)に可溶であって、不活性ガス雰囲気中、500℃以下の低温焼成によって熱分解されて燃え抜けるものを好ましく用いることができる。好適例(およびその燃え抜け温度)としては、アクリル(250℃)、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル等のアクリル系樹脂(メタクリル樹脂を含む。);ポリアセタール樹脂(310℃);ポリビニルブチラ−ル(460℃)、ポリビニルアルコールとエチレンの共重合体等のポリビニルアセタール系樹脂;ポリスチレン(410℃)、アクリロニトリルとブタジエンとスチレン共重合体(ABS樹脂)等のポリスチレン系樹脂;ポリエチレン、ポリプロピレン(445℃)、環状オレフィン等のポリオレフィン樹脂;等が挙げられる。
The thermoplastic resin is a bonding component (organic binder component) for temporarily fixing a solid content (copper powder or conductive filler powder) in the conductor paste after the conductor paste is dried.
As the thermoplastic resin, a resin that is soluble in the solvent to be used (typically an organic solvent) and is thermally decomposed by burning at a low temperature of 500 ° C. or lower in an inert gas atmosphere can be preferably used. . Preferable examples (and its burn-off temperature) include acrylic resins (including methacrylic resins) such as acrylic (250 ° C.), polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, polybutyl acrylate; polyacetal resins (310 ° C. ); Polyvinyl acetal resins such as polyvinyl butyral (460 ° C.), copolymers of polyvinyl alcohol and ethylene; polystyrene resins such as polystyrene (410 ° C.), acrylonitrile / butadiene / styrene copolymers (ABS resin) And polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene (445 ° C.), and cyclic olefins.

導体ペースト中の熱可塑性樹脂の含有割合は、例えば銅粉末や導電性フィラー粉末の粒子径によっても異なり得るため特に限定されないが、銅粉末および導電性フィラー粉末を仮固着するために必要な最小限の量まで低減することが好ましい。すなわち、導体ペースト中の熱可塑性樹脂の含有割合は、導体ペースト全体の0.05質量%以上(典型的には0.1質量%以上)であって、1質量%以下(典型的には0.5質量%以下、例えば0.3質量%以下)であるとよい。0.05質量%以上とすることで、安定的に導体パターンを形成することができる。また、1質量%以下とすることで、例えば厚みが100μm以上の導体パターンを形成した際にも、500℃以下の低温焼成によって好適に樹脂成分を燃え抜けさせることができる。その結果、導体パターン中に樹脂が残存し難くなり、接合性を確保しつつも、放熱性や電気伝導性に優れた導体パターンを形成することができる。   The content of the thermoplastic resin in the conductive paste is not particularly limited because it may vary depending on the particle size of the copper powder or conductive filler powder, for example, but it is the minimum necessary to temporarily fix the copper powder and conductive filler powder. It is preferable to reduce to this amount. That is, the content of the thermoplastic resin in the conductor paste is 0.05% by mass or more (typically 0.1% by mass or more) of the entire conductor paste, and 1% by mass or less (typically 0%). 0.5 mass% or less, for example, 0.3 mass% or less). A conductive pattern can be stably formed by setting it as 0.05 mass% or more. Moreover, by setting it as 1 mass% or less, for example, even when a conductor pattern having a thickness of 100 μm or more is formed, the resin component can be suitably burned out by low-temperature firing at 500 ° C. or less. As a result, it is difficult for the resin to remain in the conductor pattern, and it is possible to form a conductor pattern excellent in heat dissipation and electrical conductivity while ensuring the bonding property.

溶媒は、ここに開示される導体ペーストの構成成分(すなわち、固形分としての銅粉末と導電性フィラー粉末と熱可塑性樹脂)を溶解または分散させるものであると同時に、溶媒の粘度を向上させて塗工時のダレや滲み等を防止する役割をも併せ持つ。導体ペーストは、回路基板の導体パターンを形成するために用いられるため、ペースト状(インク状、スラリー状を包含する。)に調製することで、作業性や成形性を向上させることができ、均質な導体パターンを安定的に形成することが可能となる。   The solvent dissolves or disperses the constituents of the conductor paste disclosed herein (that is, copper powder, conductive filler powder, and thermoplastic resin as a solid content), and at the same time, improves the viscosity of the solvent. It also has the role of preventing sagging and bleeding during coating. Since the conductive paste is used to form a conductive pattern on a circuit board, workability and formability can be improved by preparing it in a paste form (including ink form and slurry form). It is possible to stably form a conductive pattern.

溶媒としては、20℃における粘度が200〜2000mPa・s(例えば250〜1700mPa・s)の高粘性有機溶媒を好ましく用いることができる。これにより、上記熱可塑性樹脂の低減に伴う導体ペーストの粘性の低下を補うことができ、塗工不良や接合不良等の不具合を好適に防止することができる。高粘性有機溶媒としては、少なくとも1種のポリオール類(例えばジオール類やトリオール類)を含む有機溶媒を好ましく用いることができる。具体例(およびその粘度)として、オクタンジオール(271mPa・s)や日香MARS(1650mPa・s)が挙げられる。日香MARSは、日本香料薬品株式会社製の溶剤であり、2,4−ジエチル−1,5−ペンタンジオール、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオール等の異性体の混合物である。
なお、本明細書において「粘度」とは、液温が20℃の状態において一般的な粘度計を用いて測定した値をいう。例えば、平行円板型回転粘度計(B型粘度計)を用いて、ローターの回転速度20rpmで測定した値をいう。
As the solvent, a highly viscous organic solvent having a viscosity at 20 ° C. of 200 to 2000 mPa · s (for example, 250 to 1700 mPa · s) can be preferably used. Thereby, the fall of the viscosity of the conductor paste accompanying the reduction | decrease of the said thermoplastic resin can be compensated, and malfunctions, such as a coating defect and a joining defect, can be prevented suitably. As the highly viscous organic solvent, an organic solvent containing at least one polyol (for example, diols or triols) can be preferably used. Specific examples (and their viscosities) include octanediol (271 mPa · s) and Nika MARS (1650 mPa · s). NAKAMA MARS is a solvent manufactured by Nippon Kayaku Yakuhin Co., Ltd., and is a mixture of isomers such as 2,4-diethyl-1,5-pentanediol and 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol. is there.
In the present specification, “viscosity” refers to a value measured using a general viscometer when the liquid temperature is 20 ° C. For example, it means a value measured using a parallel disk type rotational viscometer (B type viscometer) at a rotational speed of the rotor of 20 rpm.

使用する溶媒の量は、上記構成成分を均質に溶解または分散させ得る量であって、例えば形成する導体パターンの厚み等を考慮して塗工に適した粘度となるよう調整すればよい。導体ペースト中の溶媒の含有割合は特に限定されないが、典型的には導体ペースト全体の1質量%以上(典型的には2質量%以上、例えば3質量%以上)であって、10質量%以下(典型的には9質量%以下、例えば8質量%以下)であるとよい。
さらに、導体ペースト中に上記熱可塑性樹脂と溶媒の総和が占める割合を、凡そ10質量%以下(典型的には、1〜10質量%、例えば3〜10質量%)とすることが好ましい。このように銅粉末と導電性フィラー粉末の占める割合を高めることで、例えば厚みが100μm以上の導体パターンでも、緻密にかつ安定的に形成することができる。
The amount of the solvent to be used is an amount that can uniformly dissolve or disperse the above components, and may be adjusted so as to have a viscosity suitable for coating in consideration of, for example, the thickness of the conductor pattern to be formed. The content of the solvent in the conductor paste is not particularly limited, but is typically 1% by mass or more (typically 2% by mass or more, for example, 3% by mass or more) of the entire conductor paste, and 10% by mass or less. (Typically 9% by mass or less, for example, 8% by mass or less).
Furthermore, the ratio of the total of the thermoplastic resin and the solvent in the conductor paste is preferably about 10% by mass or less (typically 1 to 10% by mass, for example, 3 to 10% by mass). Thus, by increasing the proportion of the copper powder and the conductive filler powder, for example, even a conductor pattern having a thickness of 100 μm or more can be densely and stably formed.

なお、導体ペーストには、該導体ペーストを適した性状(例えば粘性やpH、接合強度等)に調整すること等を目的として、上記主要構成成分に加えて各種の添加剤を添加しても良い。かかる添加剤の一例を挙げると、界面活性剤、消泡剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、pH調整剤、防腐剤、着色剤等がある。   Note that various additives may be added to the conductor paste in addition to the main constituent components for the purpose of adjusting the conductor paste to suitable properties (for example, viscosity, pH, bonding strength, etc.). . Examples of such additives include surfactants, antifoaming agents, plasticizers, thickeners, antioxidants, dispersants, pH adjusters, preservatives, colorants and the like.

上記構成成分(例えば銅粉末と導電性フィラー粉末と熱可塑性樹脂と溶媒)を所定の割合で調合し、従来公知の分散・混練手法(例えば、ロールミル、ミキサー等)で混練することにより、導体ペースト(銅ペースト)を調製することができる。このように調製された導体ペーストは、従来に比べ低い温度(典型的には500℃以下、例えば400〜500℃)で焼結可能であり、電気伝導性や放熱性、さらに耐ヒートサイクル性に優れる導体パターンを実現可能なことを特徴とする。したがって、セラミックスからなる絶縁基板上に配線回路や放熱層を形成する用途で好ましく用いることができる。   Conductor paste by blending the above components (for example, copper powder, conductive filler powder, thermoplastic resin and solvent) at a predetermined ratio and kneading them by a conventionally known dispersion / kneading technique (for example, roll mill, mixer, etc.). (Copper paste) can be prepared. The conductor paste thus prepared can be sintered at a lower temperature (typically 500 ° C. or less, for example, 400 to 500 ° C.) compared to the conventional one, and has excellent electrical conductivity, heat dissipation, and heat cycle resistance. It is characterized in that an excellent conductor pattern can be realized. Therefore, it can be preferably used for the purpose of forming a wiring circuit or a heat dissipation layer on an insulating substrate made of ceramics.

<3.導体ペーストの付与>
次に、銅めっき処理済みの絶縁基板の表面に、上記導体ペーストを付与する。導体ペーストの付与(典型的には塗工)には、従来公知の手法(例えば、スクリーン印刷法、メタルマスク印刷法、グラビア印刷法、ドクターブレード法、ディスペンサー塗布法、ディップ塗布法、インクジェット法等)を用いることができる。なかでも、印刷法を好ましく採用することができる。印刷法を用いることで、例えば複雑な形状の(例えば厚みやサイズの異なる)配線パターンに対応した塗工を、簡便かつ精度良く行うことができる。
<3. Application of conductor paste>
Next, the conductor paste is applied to the surface of the insulating substrate that has been subjected to copper plating. Conventionally known methods (for example, screen printing method, metal mask printing method, gravure printing method, doctor blade method, dispenser coating method, dip coating method, ink jet method, etc.) are applied to conductor paste (typically coating). ) Can be used. Of these, the printing method can be preferably employed. By using the printing method, for example, coating corresponding to a wiring pattern having a complicated shape (for example, having a different thickness or size) can be performed easily and accurately.

<4.焼成>
次に、典型的には、上記付与した導体ペーストを適当な温度(典型的には30〜150℃、例えば80〜120℃)で予備乾燥させる。
その後、導体ペースト中の銅が十分に焼結され得る温度で所定時間、焼成を行う。焼成温度は、使用する熱可塑性樹脂が燃え抜ける温度より高く設定する。好適には、比較的低温、例えば、熱可塑性樹脂の燃え抜け温度以上であって500℃以下(典型的には350〜500℃、例えば400〜500℃)に設定する。これにより、焼成時の熱収縮(熱応力による歪み)を最小限に抑えることができる。また、焼成時間は、通常凡そ0.1〜5時間程度(典型的には0.5〜3時間)とするとよい。また、焼成時の雰囲気は、銅の酸化を防止する観点から、不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。ここで不活性ガス雰囲気とは、酸素および炭化水素ガスを実質的に含まない雰囲気として規定できる。典型的な雰囲気ガスとして、窒素ガス、アルゴンやヘリウム等の希ガスが挙げられる。
これにより、導体ペースト中の熱可塑性樹脂と溶媒は、焼成によってほぼ完全に燃え抜ける。同時に、銅成分が焼結して、銅めっき層の表面に導体層が強固に固着される。なお、上記焼成温度の範囲では、導電性フィラー成分には組成や性状の変化(例えば軟化等)は生じないため、導体ペーストに含有される材料の状態と同等の性状を保っている。
<4. Firing>
Next, the applied conductor paste is typically pre-dried at an appropriate temperature (typically 30 to 150 ° C., for example 80 to 120 ° C.).
Thereafter, firing is performed for a predetermined time at a temperature at which the copper in the conductor paste can be sufficiently sintered. The firing temperature is set higher than the temperature at which the thermoplastic resin used burns out. Preferably, the temperature is set at a relatively low temperature, for example, not less than the burn-out temperature of the thermoplastic resin and not more than 500 ° C. (typically 350 to 500 ° C., for example, 400 to 500 ° C.). Thereby, the thermal contraction (distortion by a thermal stress) at the time of baking can be suppressed to the minimum. The firing time is usually about 0.1 to 5 hours (typically 0.5 to 3 hours). The atmosphere during firing is preferably an inert gas atmosphere from the viewpoint of preventing copper oxidation. Here, the inert gas atmosphere can be defined as an atmosphere substantially free of oxygen and hydrocarbon gas. Typical atmospheric gases include nitrogen gas and rare gases such as argon and helium.
Thereby, the thermoplastic resin and the solvent in the conductor paste are almost completely burned out by firing. At the same time, the copper component is sintered, and the conductor layer is firmly fixed to the surface of the copper plating layer. Note that, within the above firing temperature range, the conductive filler component does not change in composition or properties (for example, softening, etc.), and therefore maintains the same properties as the material contained in the conductor paste.

次に、典型的には、焼成後の基板にエッチング処理を施す。エッチング処理は、従来公知の一般的な手法によって行うことができる。すなわち、導体ペーストが付与・焼成されなかった部分(導体パターンの非形成部)に付着している銅めっき(詳細には銅めっき中のパラジウム成分)を除去する。これにより、例えば導体層の表面に他のめっき処理を施す場合にも、導体パターンの非形成部にめっき層が成長することを防止し得、耐電圧の低下を防ぐことができる。
さらに、耐ヒートサイクル性の向上や腐食の防止等を目的として、導体層の表面に再度めっき処理(例えばニッケル−金めっき処理)を施すこともできる。
Next, typically, the substrate after baking is subjected to an etching process. The etching process can be performed by a conventionally known general method. That is, the copper plating (specifically, the palladium component in the copper plating) adhering to the portion (conductor pattern non-formed portion) where the conductor paste has not been applied / fired is removed. Thereby, for example, also when performing other plating treatments on the surface of the conductor layer, it is possible to prevent the plating layer from growing on the portion where the conductor pattern is not formed, and to prevent a decrease in withstand voltage.
Furthermore, for the purpose of improving heat cycle resistance and preventing corrosion, the surface of the conductor layer can be subjected to plating treatment (for example, nickel-gold plating treatment) again.

このような方法により、セラミックスからなる絶縁基板の表面に、銅めっき層と、実質的に銅成分と導電性フィラー成分からなる導体層とが、この順に形成されてなる回路基板を好適に製造することができる。
かかる導体層の体積熱膨張率は、13.5ppm/℃以下(例えば13.5〜11.5ppm/℃)であり得る。また、銅めっき層と導体層とからなる導体パターンの電気抵抗率は、20μΩ・cm未満(好ましくは15μΩ・cm以下、より好ましくは10μΩ・cm以下)であり得る。
By such a method, a circuit board in which a copper plating layer and a conductor layer substantially consisting of a copper component and a conductive filler component are formed in this order on the surface of an insulating substrate made of ceramics is suitably manufactured. be able to.
The volume thermal expansion coefficient of the conductor layer may be 13.5 ppm / ° C. or less (for example, 13.5 to 11.5 ppm / ° C.). In addition, the electrical resistivity of the conductor pattern composed of the copper plating layer and the conductor layer may be less than 20 μΩ · cm (preferably 15 μΩ · cm or less, more preferably 10 μΩ · cm or less).

なお、ここに示した製造方法では、導体ペーストを調製し、該導体ペーストを銅めっき層の表面に付与することで導体層を形成しているが、かかる態様には限定されない。例えば、費用や製造安定性を勘案して、無電解銅めっきのパターン上に電解複合めっき(銅めっき中に導電性フィラーが分散された状態を作るめっき方法)を施すことによって導体層を形成することもできる。特に比較的厚めの導体層を形成する場合には、めっき速度が求められるため、作業効率の観点からいって無電解銅めっきより電解めっきのほうが有利である。   In addition, in the manufacturing method shown here, although the conductor layer is formed by preparing conductor paste and providing this conductor paste on the surface of a copper plating layer, it is not limited to this aspect. For example, in consideration of cost and manufacturing stability, a conductive layer is formed by performing electrolytic composite plating (plating method for creating a state in which conductive filler is dispersed in copper plating) on an electroless copper plating pattern. You can also. In particular, when a relatively thick conductor layer is formed, the plating rate is required, so that electrolytic plating is more advantageous than electroless copper plating from the viewpoint of work efficiency.

以下、本発明に関する実施例を説明するが、本発明を以下の実施例に示すものに限定することを意図したものではない。   EXAMPLES Examples relating to the present invention will be described below, but the present invention is not intended to be limited to those shown in the following examples.

ここでは、絶縁基板上に導体パターンを形成し、基板と導体パターンとの接合性、ピットの発生の有無、および、導体パターンの電気的特性について評価した。
具体的には、まず、市販の窒化ケイ素基板(三菱マテリアル製)に無電解銅めっき処理を施した。無電解銅めっきの条件を、表1に示す。これにより、窒化ケイ素基板の表面全体に平均厚さ1.5μmの銅めっき層を形成した。
Here, a conductor pattern was formed on an insulating substrate, and the bondability between the substrate and the conductor pattern, the presence or absence of pits, and the electrical characteristics of the conductor pattern were evaluated.
Specifically, first, an electroless copper plating process was performed on a commercially available silicon nitride substrate (manufactured by Mitsubishi Materials). Table 1 shows the conditions for electroless copper plating. Thereby, a copper plating layer having an average thickness of 1.5 μm was formed on the entire surface of the silicon nitride substrate.

Figure 2016092126
Figure 2016092126

次に、表2に示す銅粉末と無機フィラー粉末(F1〜F6)と熱可塑性樹脂と溶媒とを準備した。これらの材料を、表4,5に示す割合でそれぞれ混合して導体ペースト(S1〜S24)を調製した。   Next, the copper powder, inorganic filler powder (F1 to F6), thermoplastic resin, and solvent shown in Table 2 were prepared. These materials were mixed in proportions shown in Tables 4 and 5 to prepare conductor pastes (S1 to S24).

Figure 2016092126
Figure 2016092126

次に、上記調製した導体ペースト(S1〜S24)を、上記銅めっき層付きの窒化ケイ素基板の表面に、ドクターブレード法によって孔版印刷した。印刷パターンは、30mm×30mmの方形で、印刷厚み(メタルマスク穴)を0.18mmとした。   Next, the prepared conductor paste (S1 to S24) was stencil printed on the surface of the silicon nitride substrate with the copper plating layer by a doctor blade method. The printing pattern was a 30 mm × 30 mm square, and the printing thickness (metal mask hole) was 0.18 mm.

次に、上記導体ペースト付きの窒化ケイ素基板をホットプレート上で加熱乾燥(120℃、3時間)した後、窒素ガス雰囲気中、500℃で1時間焼成した。これにより、上記銅めっき層の表面に、凡そ100〜150μmの導体パターン(銅めっき層+導体層)を形成した。
そして、銅を溶解するエッチング液で短時間処理することにより、窒化ケイ素基板上の(導体パターン非形成部分の)無電解銅めっきを除去した。エッチングの条件を、表3に示す。
Next, the silicon nitride substrate with the conductor paste was heated and dried (120 ° C., 3 hours) on a hot plate, and then baked at 500 ° C. for 1 hour in a nitrogen gas atmosphere. As a result, a conductor pattern (copper plating layer + conductor layer) of about 100 to 150 μm was formed on the surface of the copper plating layer.
Then, the electroless copper plating (on the portion where the conductor pattern was not formed) on the silicon nitride substrate was removed by treating with an etching solution for dissolving copper for a short time. Table 3 shows the etching conditions.

Figure 2016092126
Figure 2016092126

ここではさらに耐ヒートサイクル性を持たせるために、導体層をニッケルめっきと金めっきで被覆した。これにより、窒化ケイ素基板の表面に、銅めっき層と導体層とニッケル−金めっきとをこの順で備えた回路基板(例1〜例24)を作製した。
表4,5には、導体層中の銅成分100質量部に対する無機フィラー成分の含有割合(質量部)を示している。
Here, in order to further provide heat cycle resistance, the conductor layer was coated with nickel plating and gold plating. Thereby, the circuit board (Example 1-Example 24) provided with the copper plating layer, the conductor layer, and nickel-gold plating in this order on the surface of the silicon nitride substrate was produced.
Tables 4 and 5 show the content ratio (parts by mass) of the inorganic filler component with respect to 100 parts by mass of the copper component in the conductor layer.

[体積平均熱膨張率の測定]
導体ペースト(S1〜S24)を用いて、別途、熱膨張率測定用の試料を作製した。具体的には、当該導体ペーストを所定形状(例えば円板状)にプレス成形し、120℃で乾燥した後、窒素ガス雰囲気中にて500℃で1時間焼成した。これにより、測定用試料を作製した。この試料を示差膨張方式の熱機械分析(TMA)に配置して、室温〜300℃の温度範囲で体積膨張率を測定し、その平均値を求めた。
[Measurement of volume average thermal expansion coefficient]
Separately, a sample for measuring the coefficient of thermal expansion was prepared using the conductor paste (S1 to S24). Specifically, the conductor paste was press-molded into a predetermined shape (for example, a disk shape), dried at 120 ° C., and then fired at 500 ° C. for 1 hour in a nitrogen gas atmosphere. Thus, a measurement sample was produced. This sample was placed in differential expansion type thermomechanical analysis (TMA), the volume expansion coefficient was measured in the temperature range of room temperature to 300 ° C., and the average value was obtained.

[ピットの発生状況]
上記得られた回路基板(例1〜例24)の任意の表面を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)で観察して、ピットの発生状況を確認した。結果を表4,5の「ピット」の欄に示す。なお、表4,5において「○」は、ピットが確認されなかったことを、「×」はピットが確認された(ニッケル−金めっきの表面に欠陥があった)ことを、表している。
[Pit occurrence]
Arbitrary surfaces of the obtained circuit boards (Examples 1 to 24) were observed with a scanning electron microscope (SEM) to confirm the occurrence of pits. The results are shown in the “pit” column of Tables 4 and 5. In Tables 4 and 5, “◯” indicates that no pit was confirmed, and “x” indicates that a pit was confirmed (the surface of the nickel-gold plating was defective).

[電気的特性]
上記得られた回路基板(例1〜例24)の導体パターンについて、株式会社三菱化学アナリテック製の抵抗率計(型式:ロレスタGP MCP−T610)を用いて4端子4探針法で電気抵抗率を測定した。結果を表4,5の「電気抵抗率」の欄に示す。
[Electrical characteristics]
About the conductor pattern of the obtained circuit boards (Examples 1 to 24), electrical resistance was measured by a 4-terminal 4-probe method using a resistivity meter (model: Loresta GP MCP-T610) manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd. The rate was measured. The results are shown in the column “Electric resistivity” in Tables 4 and 5.

[接合性]
上記回路基板(例1〜例24)について、−40〜250℃の間でヒートサイクルを200回繰り返した後、接合性を評価した。具体的には、外観上から(目視で)歪みや割れ等の不具合がないかを確認した後、ピンセットで基板から導体パターンを剥がせるか否かを確認し、基板と導体パターンとの機械的な接合性を評価した。
結果を表4,5の「接合性」の欄に示す。なお、表4,5において「○」は、ヒートサイクル後も導体パターンに歪みや割れ等の外観上の不具合が確認されず、かつ両者が良好に接合されていたことを、「×」はヒートサイクル後に外観上の不具合が確認された、および/または両者が剥離していたこと、を表している。
[Jointability]
About the said circuit board (Example 1- Example 24), after repeating a heat cycle 200 times between -40-250 degreeC, bondability was evaluated. Specifically, after confirming from the appearance (visually) that there are no defects such as distortion or cracking, it is confirmed whether the conductor pattern can be peeled off the substrate with tweezers, and the mechanical relationship between the substrate and the conductor pattern is confirmed. The joint property was evaluated.
The results are shown in the “Jointability” column of Tables 4 and 5. In Tables 4 and 5, “◯” indicates that no defects in appearance such as distortion or cracking were observed in the conductor pattern even after the heat cycle, and “×” indicates that both were well bonded. This indicates that a defect in appearance was confirmed after the cycle and / or that both were separated.

Figure 2016092126
Figure 2016092126

Figure 2016092126
Figure 2016092126

表4,5に示すように、無機フィラーとして、導電性の低いシリカやリン酸タングステン酸ジルコニウムを用いた例17〜例24では、ピットの発生が認められた。これに対して、導電性に優れる金属材料(タングステンやモリブデン)をフィラー(導電性フィラー)として用いた例1〜例16では、ピットの発生がなかった。
また、導電性フィラー成分の含有割合を銅成分100質量部に対して50質量部未満とした例1,例5,例9,例13,例14では、導体パターンの電気抵抗率は低かったが、熱膨張率が13.5ppm/℃を超えていた。その結果、導体パターンの窒化ケイ素基板との熱膨張の整合性がとれなくなり、多くの例でヒートサイクル後に導体パターンの剥離が認められた。一方で、導電性フィラー成分の含有割合を高めるにつれ、導体パターンの電気抵抗率は増大する傾向にあった。これは、銅成分に対して導電性フィラー成分の導電率が低いことが原因と考えられる。
これらの比較例に対して、例2〜例4,例6,例7,例10,例11,例15,例16では、電気抵抗率が20μΩ・cmを下回り、かつ耐ヒートサイクル性(基板と導体パターンとの接合性)も良好であった。
かかる結果は、ここに開示される発明の技術的意義を裏付けるものである。
As shown in Tables 4 and 5, generation of pits was observed in Examples 17 to 24 in which silica having low conductivity or zirconium phosphate tungstate was used as the inorganic filler. On the other hand, in Examples 1 to 16 in which a metal material (tungsten or molybdenum) having excellent conductivity was used as a filler (conductive filler), no pit was generated.
In Examples 1, Example 5, Example 9, Example 13, and Example 14, in which the conductive filler component content was less than 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copper component, the electrical resistivity of the conductor pattern was low. The coefficient of thermal expansion exceeded 13.5 ppm / ° C. As a result, the thermal expansion of the conductor pattern with the silicon nitride substrate was not consistent, and in many cases, the conductor pattern was peeled after the heat cycle. On the other hand, as the content of the conductive filler component is increased, the electrical resistivity of the conductor pattern tends to increase. This is presumably because the conductivity of the conductive filler component is lower than that of the copper component.
In contrast to these comparative examples, in Examples 2 to 4, Example 6, Example 7, Example 10, Example 11, Example 15, and Example 16, the electrical resistivity is less than 20 μΩ · cm and the heat cycle resistance (substrate The bondability between the conductor pattern and the conductor pattern was also good.
Such a result supports the technical significance of the invention disclosed herein.

また、導電性フィラーとして平均粒子径の異なるタングステンを用いた場合(例1〜例4と例5〜例8と例9〜例12)を比較すると、平均粒子径の大きいタングステンを用いた場合に電気抵抗率が最も低かった。これは、導体層中の該粒子同士の接触の数が減ったためと考えられる。   Further, when tungsten having different average particle diameters is used as the conductive filler (Example 1 to Example 4, Example 5 to Example 8, and Example 9 to Example 12), when tungsten having a large average particle diameter is used, The electrical resistivity was the lowest. This is presumably because the number of contacts between the particles in the conductor layer has decreased.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、請求の範囲を限定するものではない。請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。   As mentioned above, although the specific example of this invention was demonstrated in detail, these are only illustrations and do not limit a claim. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.

1 回路基板(配線基板)
2 絶縁基板(セラミック基板)
4 導体パターン(配線回路)
4a 銅めっき層
4b 導体層(配線層)
6 導体パターン(放熱層)
6a 銅めっき層
6b 導体層
1 Circuit board (wiring board)
2 Insulating substrate (ceramic substrate)
4 Conductor pattern (wiring circuit)
4a Copper plating layer 4b Conductor layer (wiring layer)
6 Conductor pattern (heat dissipation layer)
6a Copper plating layer 6b Conductor layer

Claims (12)

セラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に形成されたガラスレスの導体パターンと、を備える回路基板であって、
前記導体パターンは、前記絶縁基板に接する銅めっき層と、該銅めっき層上に形成された導体層とを備え、
前記導体層が、ガラス成分を含まず、銅成分と導電性フィラー成分とを含み、
前記導電性フィラー成分の含有割合が、前記銅成分100質量部に対して50質量部以上200質量部以下であり、
前記導体層の体積熱膨張率が13.5ppm/℃以下であり、
前記導体パターンの電気抵抗率が20μΩ・cm未満である、回路基板。
A circuit board comprising an insulating substrate made of ceramics, and a glassless conductor pattern formed on the surface of the insulating substrate,
The conductor pattern includes a copper plating layer in contact with the insulating substrate, and a conductor layer formed on the copper plating layer,
The conductor layer does not include a glass component, includes a copper component and a conductive filler component,
The content ratio of the conductive filler component is 50 parts by mass or more and 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copper component,
The volume thermal expansion coefficient of the conductor layer is 13.5 ppm / ° C. or less,
The circuit board whose electrical resistivity of the said conductor pattern is less than 20 microhm * cm.
前記導電性フィラー成分の含有割合が、前記銅成分100質量部に対して75質量部以上である、請求項1に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein a content ratio of the conductive filler component is 75 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the copper component. 前記導電性フィラー成分の含有割合が、前記銅成分100質量部に対して150質量部以下である、請求項1または2に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1 or 2, wherein a content ratio of the conductive filler component is 150 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copper component. 前記導電性フィラー成分の平均粒子径が、4μm以上50μm以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の回路基板。   The circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein an average particle diameter of the conductive filler component is 4 µm or more and 50 µm or less. 前記絶縁基板が窒化ケイ素基板である、請求項1から4のいずれか1項に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the insulating substrate is a silicon nitride substrate. 前記銅めっき層の平均厚みが2μm以下である、請求項1から5のいずれか1項に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein an average thickness of the copper plating layer is 2 μm or less. 前記導体層の平均厚みが100μm以上300μm以下である、請求項1から6のいずれか1項に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the conductor layer has an average thickness of 100 μm or more and 300 μm or less. 前記導電性フィラー成分が、クロム、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the conductive filler component includes at least one selected from the group consisting of chromium, molybdenum, and tungsten. ガラスレスの導体層を形成するための回路基板用の導体ペーストであって、
銅粉末と導電性フィラー粉末と熱可塑性樹脂と溶媒とを含み、
前記導電性フィラー粉末の含有割合が、前記銅成分100質量部に対して50質量部以上200質量部以下であり、
前記導体ペーストを銅めっき層上に付与して前記導体層を形成し、導体パターンとしたときに、
前記導体層の体積熱膨張率が13.5ppm/℃以下であり、
前記導体パターンの電気抵抗率が20μΩ・cm未満であることを実現する、導体ペースト。
A conductive paste for a circuit board for forming a glassless conductive layer,
Including copper powder, conductive filler powder, thermoplastic resin and solvent,
The content ratio of the conductive filler powder is 50 parts by mass or more and 200 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copper component,
When the conductor paste is applied on the copper plating layer to form the conductor layer, a conductor pattern is obtained.
The volume thermal expansion coefficient of the conductor layer is 13.5 ppm / ° C. or less,
A conductor paste that realizes that the electrical resistivity of the conductor pattern is less than 20 μΩ · cm.
前記導電性フィラー粉末の平均粒子径が4μm以上50μm以下である、請求項9に記載の導体ペースト。   The conductor paste according to claim 9, wherein the conductive filler powder has an average particle size of 4 μm or more and 50 μm or less. 前記銅粉末の平均粒子径が、前記導電性フィラー粉末の前記平均粒子径以下である、請求項10に記載の導体ペースト。   The conductor paste of Claim 10 whose average particle diameter of the said copper powder is below the said average particle diameter of the said electroconductive filler powder. 前記導電性フィラー粉末が、クロム、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項9から11のいずれか1項に記載の導体ペースト。   The conductor paste according to any one of claims 9 to 11, wherein the conductive filler powder includes at least one selected from the group consisting of chromium, molybdenum, and tungsten.
JP2014223104A 2014-10-31 2014-10-31 Circuit board and conductor paste for circuit board Active JP6307009B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014223104A JP6307009B2 (en) 2014-10-31 2014-10-31 Circuit board and conductor paste for circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014223104A JP6307009B2 (en) 2014-10-31 2014-10-31 Circuit board and conductor paste for circuit board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016092126A true JP2016092126A (en) 2016-05-23
JP6307009B2 JP6307009B2 (en) 2018-04-04

Family

ID=56017158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014223104A Active JP6307009B2 (en) 2014-10-31 2014-10-31 Circuit board and conductor paste for circuit board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6307009B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110800118A (en) * 2017-06-29 2020-02-14 京瓷株式会社 Circuit board and light-emitting device provided with same
KR20210055951A (en) * 2019-11-08 2021-05-18 제엠제코(주) Heat sink board, manufacturing method thereof, and semiconductor package including the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63144554A (en) * 1986-12-09 1988-06-16 Tdk Corp Manufacture of thick-film hybrid integrated circuit substrate
JPH04307797A (en) * 1991-04-04 1992-10-29 Noritake Co Ltd Manufacture of multilayer ceramic circuit board
JP2003243804A (en) * 2002-02-14 2003-08-29 Mitsuboshi Belting Ltd Method of manufacturing thick film circuit board by use of copper conductor paste
JP2006278453A (en) * 2005-03-28 2006-10-12 Tdk Corp Ceramic multilayer wiring board and its manufacturing method
JP2007150050A (en) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokuyama Corp Method of manufacturing printed wiring board

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63144554A (en) * 1986-12-09 1988-06-16 Tdk Corp Manufacture of thick-film hybrid integrated circuit substrate
JPH04307797A (en) * 1991-04-04 1992-10-29 Noritake Co Ltd Manufacture of multilayer ceramic circuit board
JP2003243804A (en) * 2002-02-14 2003-08-29 Mitsuboshi Belting Ltd Method of manufacturing thick film circuit board by use of copper conductor paste
JP2006278453A (en) * 2005-03-28 2006-10-12 Tdk Corp Ceramic multilayer wiring board and its manufacturing method
JP2007150050A (en) * 2005-11-29 2007-06-14 Tokuyama Corp Method of manufacturing printed wiring board

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110800118A (en) * 2017-06-29 2020-02-14 京瓷株式会社 Circuit board and light-emitting device provided with same
CN110800118B (en) * 2017-06-29 2022-10-28 京瓷株式会社 Circuit board and light-emitting device provided with same
KR20210055951A (en) * 2019-11-08 2021-05-18 제엠제코(주) Heat sink board, manufacturing method thereof, and semiconductor package including the same
KR102312085B1 (en) * 2019-11-08 2021-10-13 제엠제코(주) Heat sink board, manufacturing method thereof, and semiconductor package including the same
US11289397B2 (en) 2019-11-08 2022-03-29 Jmj Korea Co., Ltd. Heat sink board for a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6307009B2 (en) 2018-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5693940B2 (en) Ceramic via substrate, metallized ceramic via substrate, and manufacturing method thereof
JP5379609B2 (en) Copper conductor paste for filling through hole, copper conductor through hole filling board manufacturing method, copper conductor through hole filling board, circuit board, electronic component, semiconductor package
WO2013061727A1 (en) Circuit board and electronic apparatus provided with same
JP6307009B2 (en) Circuit board and conductor paste for circuit board
JP5922739B2 (en) Ceramic via substrate, metallized ceramic via substrate, and manufacturing method thereof
JP2011077177A (en) Conductor paste for hole filling, substrate with hole filled with conductor, method of manufacturing substrate with hole filled with conductor, circuit substrate, electronic component, and semiconductor package
JP6869531B2 (en) Conductive paste, aluminum nitride circuit board and its manufacturing method
JP6346518B2 (en) Heat dissipation board
JP6199778B2 (en) Circuit board and conductor paste for circuit board
JP2010525544A (en) Conductive composition for via hole
JP2007273914A (en) Wiring board and method of manufacturing same
JP2015086090A (en) Conductor paste and heat-dissipating substrate
JP5503132B2 (en) Resistor paste and resistor
JP2007284327A (en) Ceramic composition and laminated ceramic circuit device
JP6215150B2 (en) Heat dissipation board
JP5356305B2 (en) Highly thermal conductive substrate having an insulating layer and material for forming the insulating layer
JP5215914B2 (en) Resistor film manufacturing method, resistor film, and resistor
JP4544837B2 (en) Copper paste for ceramic wiring board, ceramic wiring board, and method for manufacturing ceramic wiring board
JP2004134378A (en) Copper paste, and wiring board using the same
JP2012054298A (en) Ceramic wiring board for probe card
JP6211948B2 (en) Conductive paste and heat dissipation substrate using the same
JP2004175599A (en) Process for manufacturing ceramic sintered compact having metallized layer
JP2005116337A (en) Conductive paste, via-hole conductor and multilayer ceramic substrate
JP6185353B2 (en) Circuit board and manufacturing method thereof
JP2005136041A (en) Manufacturing method of ceramic wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170525

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180309

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6307009

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250