JP2016081994A - Direct diode laser oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ダイレクトダイオードレーザ発振器に関する。 The present invention relates to a direct diode laser oscillator.
従来、板金加工用のレーザ加工装置として、炭酸(CO2)レーザ発振器やYAGレーザ発振器、ファイバレーザ発振器をレーザ光源として用いたものが知られている。ファイバレーザ発振器は、YAGレーザ発振器よりも光品質に優れ、発振効率が極めて高い等の利点を有する。このため、ファイバレーザ発振器を用いたファイバレーザ加工装置は、産業用、特に板金加工用(切断又は溶接等)に利用されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, as a laser processing apparatus for processing a sheet metal, an apparatus using a carbon dioxide (CO 2 ) laser oscillator, a YAG laser oscillator, or a fiber laser oscillator as a laser light source is known. The fiber laser oscillator has advantages such as better light quality and extremely high oscillation efficiency than the YAG laser oscillator. For this reason, a fiber laser processing apparatus using a fiber laser oscillator is used for industrial purposes, particularly for sheet metal processing (cutting or welding).
更に近年では、ダイレクトダイオードレーザ(DDL:Direct Diode Laser)発振器をレーザ光源として用いるDDL加工装置が開発されている。DDL加工装置は、共振器内に回折格子等の複数の光学素子を配置し、当該光学素子を用いて複数のレーザダイオード(LD:Laser Diode)からの多波長(multiple-wavelength)のレーザ光を重畳し、伝送ファイバを用いて加工ヘッドまで伝送する。そして、伝送ファイバの端面から射出されたレーザ光は、コリメータレンズ及び集光レンズ等により被加工材上に集光されて照射される。 In recent years, DDL processing apparatuses using a direct diode laser (DDL) oscillator as a laser light source have been developed. In a DDL processing apparatus, a plurality of optical elements such as diffraction gratings are arranged in a resonator, and multiple-wavelength laser beams from a plurality of laser diodes (LD) are used by using the optical elements. Superimpose and transmit to the processing head using a transmission fiber. Then, the laser light emitted from the end face of the transmission fiber is condensed and irradiated on the workpiece by a collimator lens and a condenser lens.
ところで、従来のLDを用いた装置においては、LDを冷却するための冷却装置が設けられている(特許文献1参照)。 Incidentally, a conventional apparatus using an LD is provided with a cooling device for cooling the LD (see Patent Document 1).
しかしながら、DDL加工装置においては、特に共振器内に配置される回折格子等の光学素子に対して、LD用の冷却装置を流用して冷却すると、光学素子を十分に温度管理することができない。このため、共振等のための光学条件に影響が出て、レーザ出力の安定性が得られないという課題がある。 However, in the DDL processing apparatus, when the LD cooling device is diverted to cool the optical element such as a diffraction grating disposed in the resonator, the temperature of the optical element cannot be sufficiently controlled. For this reason, the optical conditions for resonance etc. are affected, and there is a problem that the stability of the laser output cannot be obtained.
本発明は上記課題に鑑みて成されたものであり、その目的は、多波長のレーザ光を入射する光学素子に対し十分に温度制御を行うことができ、多波長のレーザ光の出力の安定化を図ることができるダイレクトダイオードレーザ発振器を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to sufficiently control the temperature of an optical element that receives multi-wavelength laser light, and to stabilize the output of the multi-wavelength laser light. It is an object of the present invention to provide a direct diode laser oscillator that can be realized.
本発明の一態様によれば、多波長のレーザ光をそれぞれ出力する複数のレーザダイオードと、複数のレーザダイオードにより出力された多波長のレーザ光を入射する光学素子と、複数のレーザダイオードのうちの少なくとも1つを冷却するLD用冷却装置と、LD用冷却装置とは別系統で光学素子を冷却する光学素子用冷却装置とを備えるダイレクトダイオードレーザ発振器が提供される。 According to one aspect of the present invention, among a plurality of laser diodes that respectively output multi-wavelength laser light, an optical element that receives multi-wavelength laser light output by a plurality of laser diodes, and a plurality of laser diodes There is provided a direct diode laser oscillator comprising: an LD cooling device that cools at least one of the optical element; and an optical element cooling device that cools the optical element in a separate system from the LD cooling device.
本発明によれば、多波長のレーザ光を入射する光学素子に対して適切に温度制御を行うことができ、多波長のレーザ光の出力の安定化を図ることができるダイレクトダイオードレーザ発振器を提供することができる。 According to the present invention, there is provided a direct diode laser oscillator that can appropriately control the temperature of an optical element that receives multi-wavelength laser light and can stabilize the output of the multi-wavelength laser light. can do.
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals.
図1を参照して、本発明の実施形態に係るダイレクトダイオードレーザ(以下、「DDL」という)加工装置の全体構成を説明する。本発明の実施形態に係るDDL加工装置は、図1に示すように、多波長のレーザ光LBを発振するレーザ発振器11と、レーザ発振器11により発振されたレーザ光LBを伝送する伝送ファイバ(プロセスファイバ)12と、伝送ファイバ12により伝送されたレーザ光LBを高エネルギー密度に集光させて被加工材(ワーク)Wに照射するレーザ加工機13とを備える。本発明の実施形態に係るDDL加工装置は更に、レーザ発振器11に接続されたLD用冷却装置70及び光学素子用冷却装置71,72,73を備える。
With reference to FIG. 1, an overall configuration of a direct diode laser (hereinafter referred to as “DDL”) processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 1, a DDL processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a
レーザ加工機13は、伝送ファイバ12から射出されたレーザ光LBをコリメータレンズ15で略平行光に変換するコリメータユニット14と、略平行光に変換されたレーザ光LBを、X軸及びY軸方向に垂直なZ軸方向下方に向けて回折する分散素子(回折格子)16と、分散素子16により回折されたレーザ光LBを集光レンズ18で集光する加工ヘッド17とを備える。なお、図1では図示を省略するが、コリメータユニット14内には、コリメータレンズ15を光軸に平行な方向(X軸方向)に駆動するレンズ駆動部が設置されている。また、DDL加工装置は、レンズ駆動部を制御する制御部を更に備える。
The
レーザ加工機13は更に、被加工材Wが載置される加工テーブル21と、加工テーブル21上においてX軸方向に移動する門型のX軸キャリッジ22と、X軸キャリッジ22上においてX軸方向に垂直なY軸方向に移動するY軸キャリッジ23とを備える。コリメータユニット14内のコリメータレンズ15、分散素子16、及び加工ヘッド17内の集光レンズ18は、予め光軸の調整が成された状態でY軸キャリッジ23に固定され、Y軸キャリッジ23と共にY軸方向に移動する。なおY軸キャリッジ23に対して上下方向へ移動可能なZ軸キャリッジを設け、当該Z軸キャリッジに集光レンズ18を設けることも出来る。
The
本発明の実施形態に係るDDL加工装置は、集光レンズ18により集光されて最も小さい集光直径(最小集光直径)のレーザ光LBを被加工材Wに照射し、また同軸にアシストガスを噴射して溶融物を除去しながら、X軸キャリッジ22及びY軸キャリッジ23を移動させる。これにより、DDL加工装置は被加工材Wを切断加工することができる。被加工材Wとしては、ステンレス鋼、軟鋼、アルミニウム等の種々の材料が挙げられる。被加工材Wの板厚は、例えば0.1mm〜50mm程度である。
The DDL processing apparatus according to the embodiment of the present invention irradiates the workpiece W with the laser beam LB having the smallest condensing diameter (minimum condensing diameter) condensed by the
次に、図2及び図3を参照して、レーザ発振器11について説明する。レーザ発振器11は、図2(a)及び図2(b)に示すように、筐体60と、筐体60内に収容され、伝送ファイバ12に接続されているDDLモジュール10と、筐体60内に収容され、DDLモジュール10に電力を供給する電源部61と、筐体60内に収容され、DDLモジュール10の出力等を制御する制御モジュール62等が設けられている。また、筐体60の外側には、筐体60内の温度及び湿度を調整する空調機器63が設置されている。
Next, the
DDLモジュール10は、図3に示すように、多波長(multiple-wavelength)λ1,λ2,λ3,・・・,λnのレーザ光を重畳して出力する。DDLモジュール10は、複数のレーザダイオード(以下、「LD」という)31,32,33,・・・3n(nは4以上の整数)と、LD31,32,33,・・・3nにファイバ41,42,43,・・・4nを介して接続され、多波長λ1,λ2,λ3,・・・,λnのレーザ光に対してスペクトルビーム結合(spectral beam combine)を行うスペクトルビーム結合部50と、スペクトルビーム結合部50からのレーザ光を集光して伝送ファイバ12へ入射させる集光レンズ54とを備える。
As shown in FIG. 3, the
複数のLD31,32,33,・・・3nとしては、各種の半導体レーザが採用可能である。LD31,32,33,・・・3nの種類と数の組み合わせは特に限定されず、板金加工の目的に合わせて適宜選択可能である。LD31,32,33,・・・3nの波長λ1,λ2,λ3,・・・,λnは、例えば1000nm未満で選択したり、800nm〜990nmの範囲で選択したり、910nm〜950nmの範囲で選択したりすることができる。
Multiple LD3 1, 3 2, 3 3 , as a · · · 3 n, various kinds of semiconductor lasers can be employed. The combination of the types and numbers of LD3 1 , 3 2 , 3 3 ,... 3 n is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose of sheet metal processing. LD3 1, 3 2, 3 3 , ··· 3
多波長λ1,λ2,λ3,・・・,λnのレーザ光は、例えば、波長帯域毎に群(ブロック)管理されて制御される。そして、波長帯域毎に個別に出力を可変調節することができる。また、全波長帯域の出力を吸収率が一定となるよう調整することができる。 The laser beams having multiple wavelengths λ 1 , λ 2 , λ 3 ,..., Λ n are controlled by group (block) management for each wavelength band, for example. The output can be variably adjusted individually for each wavelength band. In addition, the output of the entire wavelength band can be adjusted so that the absorptance is constant.
切断加工に際しては、LD31,32,33,・・・3nを同時に動作させると共に、酸素、窒素等の適宜のアシストガスを焦点位置近傍へ吹き付ける。これにより、LD31,32,33,・・・3nからの各波長のレーザ光が、相互に協働すると共に、酸素等のアシストガスとも協働してワークを高速で溶融する。また当該溶融ワーク材料がアシストガスにより吹き飛ばされてワークが高速で切断される。
In the cutting process, LD3 1 , 3 2 , 3 3 ,... 3 n are simultaneously operated, and an appropriate assist gas such as oxygen or nitrogen is blown near the focal position. As a result, the laser beams of the respective wavelengths from the
スペクトルビーム結合部50は、ファイバ41,42,43,・・・4nの射出端側を束ねて固定しファイバアレイ4とする固定部51と、ファイバ41,42,43,・・・4nからのレーザ光を平行光にするコリメータレンズ52と、多波長λ1,λ2,λ3,・・・,λnのレーザ光を回折し光軸を一致させる回折格子(diffraction grating)53と、LD31,32,33,・・・3n後端部に設けた反射面と共に共振器を構成する部分反射カプラ55を備える。なお、図3では一例として部分反射カプラ55を回折格子53の後段に配置したが、部分反射カプラ55の配置位置はこれに限定されるものではない。
The spectral
ここで、レーザ発振器11においては、LD31,32,33,・・・3nに求められる温度管理と、コリメータレンズ52、回折格子53及び集光レンズ54等の光学素子に求められる温度管理との厳密さには差異がある。即ち、LD31,32,33,・・・3nの冷却温度は、仕様温度内であれば電気−光変換効率に大きな変化はない。また低温であればあるほど寿命が長くなるので、露点の許容する範囲でできるだけ低温を選び、その値に固定して冷却すればよい。一方、コリメータレンズ52、回折格子53及び集光レンズ54等の光学素子は、共振に利用される部分も含まれており、回折現象などに顕著な影響が出るから、LD31,32,33,・・・3nよりも厳密に温度管理をする必要がある。
Here, in the
そこで、本発明の実施形態では、図4に示すように、DDLモジュール10のLD群3にLD用冷却装置70を接続するとともに、これとは独立して、DDLモジュール10内の光学素子52,53,54に光学素子用冷却装置71,72,73を接続する。図4に示したLD群3は、図3に示したLD31,32,33,・・・3nで構成される。なお、図3に示した部分反射カプラ55にも同様の光学素子用冷却装置が接続されていてもよい。
Therefore, in the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, an
LD用冷却装置70及び光学素子用冷却装置71,72,73としては、チラー式又はペルチェ式等の種々の冷却方式のものが使用可能である。LD用冷却装置70及び光学素子用冷却装置71,72,73は互いに同一の装置を使用してもよく、異なる装置を使用してもよい。光学素子用冷却装置71,72,73同士も、同一の装置を使用してもよく、異なる装置を使用してもよい。
As the
LD用冷却装置70は、冷却経路70aを介してLD群3に接続されている。LD群3には温度センサ70bが取り付けられている。なお、LD群3に対して2つ以上の温度センサが取り付けられていてもよい。温度センサ70bにより検出された温度データは、LD用冷却装置70の温調機能部にフィードバックされる。例えば、制御部62が、温度センサ70bにより検出された温度データに基づいて、LD群3の温度が所定の閾値以下となるようにLD用冷却装置70の設定温度を制御する。
The
なお、図4では、1つのLD用冷却装置70がLD群3を冷却する場合を示すが、LD用冷却装置70の冷却対象となるLDの数は特に限定されない。波長帯域毎の出力の精度を維持するために、群管理されている波長帯域毎にLD用冷却装置がそれぞれ設けられていてもよい。
4 shows a case where one
一方、光学素子用冷却装置71,72,73は、LD用冷却装置70とは別系統で光学素子52,53,54を冷却する。光学素子用冷却装置71,72,73は、冷却経路71a,72a,73aを介して光学素子52,53,54に接続されている。光学素子用冷却装置71,72,73は、図示を省略した分配器等を用いて冷却水等を分配し、冷却経路71a,72a,73aを循環させる。
On the other hand, the optical
冷却経路71a,72a,73aは、光学素子52,53,54の冷却に寄与するように、スペクトルビーム結合部50等の側壁や底面等の、光学素子52,53,54の近傍に配設されている。各光学素子52,53,54近傍には温度センサ71b,72b,73bが取り付けられている。なお、光学素子52,53,54毎に温度センサ71b,72b,73bを設けなくてもよく、例えば光学素子52,53,54に対して1つの温度センサを取り付けてもよい。
The cooling
温度センサ71b,72b,73bにより検出された温度データは光学素子用冷却装置71,72,73の温調機能部にフィードバックされる。例えば、各光学素子52,53,54の温度と、伝送ファイバ12の射出端や加工点等の出力との関係のデータを実験等により事前に求めておき、そのデータを元に許容される温度範囲を各出力にて設定する。制御部62は、温度センサ71b,72b,73bにより測定された温度が許容される温度範囲を超えた場合、許容される温度範囲内に収まるように光学素子用冷却装置71,72,73の温度設定値をそれぞれ変更させる。
The temperature data detected by the
光学素子用冷却装置71,72,73により制御される光学素子52,53,54の温度範囲は、LD用冷却装置70により制御されるLD31,32,33,・・・3nの温度範囲よりも狭くてもよい。この場合、光学素子52,53,54の温度管理をLD群3の温度管理よりも厳密に行うことができる。例えば、LD用冷却装置70は、LD群3の温度をその設定温度(例えば25℃)の±5%に制御する。一方、光学素子用冷却装置71,72,73は、光学素子52,53,54の温度をその設定温度(例えば30℃)の±3%に制御する。
The temperature ranges of the
本発明によれば、レーザ発振器11において、LD群3を冷却するため冷却経路70a及びLD用冷却装置70に加えて、光学素子52,53,54を冷却するための冷却経路71a,72a,73a及び光学素子用冷却装置71,72,73を独立して設けることにより、LD群3とは個別に光学素子の52,53,54温度制御が可能となる。したがって、外気温やLD群3の冷却水の温度が変動した場合でも、共振器間に配置される光学素子52,53(部分反射カプラ55が集光レンズ54の後方に配置される場合は、光学素子52,53、54)の温度を個別に制御することができる。したがって、光学素子52,53,54の信頼性が得られ、レーザ出力の安定化を図ることができる。
According to the present invention, in the
また、光学素子52,53,54に取り付けた温度センサ71b,72b,73bの値をフィードバックして光学素子用冷却装置71,72,73の設定温度を変更することにより、スペクトルビーム結合に最適な温度調節を行うことができる。また、光学素子52,53,54の温度を、出力変動が起きないように許容される温度範囲内に抑えることにより、レーザの出力を安定させることができる。
In addition, the values of the
(その他の実施形態)
本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
(Other embodiments)
Although the present invention has been described with reference to embodiments, it should not be understood that the description and drawings that form part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
図4では光学素子52,53,54毎に1つの光学素子用冷却装置71,72,73を備える場合を説明したが、光学素子用冷却装置の数や、1つの光学素子用冷却装置により冷却される光学素子の数は特に限定されない。例えば、複数の光学素子52,53,54が管理される温度範囲が同様の場合等には、図5に示すように、複数の光学素子52,53,54に対して1つの光学素子用冷却装置71を備えていてもよい。
In FIG. 4, the case where one optical
また、光学素子用冷却装置71,72,73による冷却対象となる光学素子としては、コリメータレンズ52、回折格子53及び集光レンズ54に特に限定されず、DDLモジュール10内の他の光学素子であってもよい。
The optical elements to be cooled by the optical
本発明の実施形態に係るDDL加工装置による板金加工としては、切断加工の他にも、レーザフォーミング加工、焼鈍、アニーリング及びアブレーション等の種々の板金加工に適用可能である。 The sheet metal processing by the DDL processing apparatus according to the embodiment of the present invention can be applied to various sheet metal processing such as laser forming processing, annealing, annealing, and ablation in addition to cutting processing.
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.
3…LD群
10…DDLモジュール
11…レーザ発振器
12…伝送ファイバ(プロセスファイバ)
13…レーザ加工機
14…コリメータユニット
15…コリメータレンズ
16…ベンドミラー
17…加工ヘッド
18…集光レンズ
21…加工テーブル
22…X軸キャリッジ
23…Y軸キャリッジ
31,32,33,・・・3n…レーザダイオード(LD)
41,42,43,・・・4n…ファイバ
50…スペクトルビーム結合部
51…固定部
52…コリメータレンズ(光学素子)
53…回折格子(光学素子)
54…集光レンズ(光学素子)
55…部分反射カプラ(光学素子)
60…筐体
61…電源部
62…制御モジュール
63…空調機器
70…LD用冷却装置
71,72,73…光学素子用冷却装置
71a,72a,73a…冷却経路
71b,72b,73b…温度センサ
70a…冷却経路
70b…温度センサ
3 ...
DESCRIPTION OF
4 1 , 4 2 , 4 3 ,... 4 n ...
53 ... Diffraction grating (optical element)
54 ... Condensing lens (optical element)
55. Partial reflection coupler (optical element)
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記複数のレーザダイオードにより出力された多波長のレーザ光を入射する光学素子と、
前記複数のレーザダイオードのうちの少なくとも1つを冷却するLD用冷却装置と、
前記LD用冷却装置とは別系統で前記光学素子を冷却する光学素子用冷却装置
とを備えることを特徴とするダイレクトダイオードレーザ発振器。 A plurality of laser diodes each outputting multi-wavelength laser light;
An optical element for receiving multi-wavelength laser light output by the plurality of laser diodes;
A cooling device for LD that cools at least one of the plurality of laser diodes;
A direct diode laser oscillator comprising: an optical element cooling device that cools the optical element in a separate system from the LD cooling device.
前記光学素子用冷却装置が、前記複数個の光学素子を冷却することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のダイレクトダイオードレーザ発振器。
A plurality of the optical elements;
The direct diode laser oscillator according to claim 1, wherein the optical element cooling device cools the plurality of optical elements.
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