JP2016046533A - 半導体製造工程 - Google Patents
半導体製造工程 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016046533A JP2016046533A JP2015162941A JP2015162941A JP2016046533A JP 2016046533 A JP2016046533 A JP 2016046533A JP 2015162941 A JP2015162941 A JP 2015162941A JP 2015162941 A JP2015162941 A JP 2015162941A JP 2016046533 A JP2016046533 A JP 2016046533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oxidation
- semiconductor
- coating
- contact angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/16—Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
- C23C8/18—Oxidising of ferrous surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【課題】化学気相蒸着材料による接触表面の腐蝕を防ぐ被覆品を提供する。
【解決手段】半導体製造工程は、化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって形成される層１０１を形成し、該層１０１が液体材料によって塗布される手順と、半導体製品を製造するためのシステムの中に該層を位置決めする手順とを含む。
【選択図】図１
【解決手段】半導体製造工程は、化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって形成される層１０１を形成し、該層１０１が液体材料によって塗布される手順と、半導体製品を製造するためのシステムの中に該層を位置決めする手順とを含む。
【選択図】図１
Description
（関連出願の相互参照）
[0001]本開示内容は、２００９年１０月２７日に出願された「DIMETHYLSILANE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING AND COATING PROCESS（ジメチルシラン化学気相蒸着被覆および被覆工程）」という名称の米国仮特許出願第６１／２５５，２３７号および２００９年１２月７日に出願された「OXIDIZED VAPOR DEPOSITION COATING AND COATING PROCESS（酸化蒸着被覆および被覆工程）」という名称の米国仮特許出願第６１／２６７，２２８号の優先権を主張するとともにその利点を請求した２０１２年４月２７日に出願された「CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING, ARTICLE, AND METHOD（化学気相蒸着被覆、被覆品および方法）」という名称の米国特許出願第１３／５０４，５３３号の一部継続出願であり、２０１０年１０月５日に出願された「CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING, ARTICLE, AND METHOD（化学気相蒸着被覆、被覆品および方法）」という名称の米国仮特許出願第６１／３８９，７７７号および２０１１年７月１４日に出願された「WEAR RESISTANT COATING, ARTICLE, AND METHOD（耐摩耗被覆、被覆品および方法）」という名称の米国仮特許出願第６１／５０７，６５０号の優先権を主張するとともにその利点を請求した２０１３年５月２３日に出願された「WEAR RESISTANT COATING, ARTICLE, AND METHOD（耐摩耗被覆、被覆品および方法）」という名称の米国特許出願第１３／８７６，３２８号の一部継続出願であり、２０１２年３月２６日に出願された「COATING, COATED ARTICLE, AND METHOD OF APPLYING A COATING（被覆、被覆品および被覆塗布方法）」という名称の米国仮特許出願第６１／６１５，５５９号の優先権を主張するとともにその利点を請求した２０１３年３月２６日に出願された「COATED ARTICLE AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS（被覆品および化学気相蒸着工程）」という名称の国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ１３／３３８０７号の優先権を主張するとともにその利点を請求する。これらの特許のすべては参照することによって本願にその全体が組み込まれるものとする。
[0001]本開示内容は、２００９年１０月２７日に出願された「DIMETHYLSILANE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING AND COATING PROCESS（ジメチルシラン化学気相蒸着被覆および被覆工程）」という名称の米国仮特許出願第６１／２５５，２３７号および２００９年１２月７日に出願された「OXIDIZED VAPOR DEPOSITION COATING AND COATING PROCESS（酸化蒸着被覆および被覆工程）」という名称の米国仮特許出願第６１／２６７，２２８号の優先権を主張するとともにその利点を請求した２０１２年４月２７日に出願された「CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING, ARTICLE, AND METHOD（化学気相蒸着被覆、被覆品および方法）」という名称の米国特許出願第１３／５０４，５３３号の一部継続出願であり、２０１０年１０月５日に出願された「CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING, ARTICLE, AND METHOD（化学気相蒸着被覆、被覆品および方法）」という名称の米国仮特許出願第６１／３８９，７７７号および２０１１年７月１４日に出願された「WEAR RESISTANT COATING, ARTICLE, AND METHOD（耐摩耗被覆、被覆品および方法）」という名称の米国仮特許出願第６１／５０７，６５０号の優先権を主張するとともにその利点を請求した２０１３年５月２３日に出願された「WEAR RESISTANT COATING, ARTICLE, AND METHOD（耐摩耗被覆、被覆品および方法）」という名称の米国特許出願第１３／８７６，３２８号の一部継続出願であり、２０１２年３月２６日に出願された「COATING, COATED ARTICLE, AND METHOD OF APPLYING A COATING（被覆、被覆品および被覆塗布方法）」という名称の米国仮特許出願第６１／６１５，５５９号の優先権を主張するとともにその利点を請求した２０１３年３月２６日に出願された「COATED ARTICLE AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS（被覆品および化学気相蒸着工程）」という名称の国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ１３／３３８０７号の優先権を主張するとともにその利点を請求する。これらの特許のすべては参照することによって本願にその全体が組み込まれるものとする。
[0002]本開示内容は、半導体製造工程、より具体的には、半導体製品を製造するためのシステムの中に機能化層を位置決めする手順を含む半導体製造工程に関する。
[0003]基板の表面は所望の性能特性を備えていないことが多い。特定の所望の性能特性を備えていないと、結果として特定の環境下で表面劣化が発生する可能性があり、または特定の性能要求事項を満たすことができない可能性があり、またはその組み合わせが生じる可能性がある。例えば、特定の環境下では、金属、ガラス、およびセラミックの表面は、摩耗、および、化学吸着、触媒作用、腐食攻撃、酸化、副生成物の蓄積または静止摩擦、および／またはその他の望ましくない表面活性などのその他の望ましくない表面活性にさらされ得る。
[0004]望ましくない表面活性は、他の分子の化学吸着、他の分子の可逆的および不可逆的な物理吸着、他の分子との触媒反応性、外来種からの攻撃、表面の分子破壊、基板の物理的損害、またはその組み合わせを引き起こし得る。
[0005]特定の所望の性能特性を提供するために、水素化ケイ素表面と不飽和炭化水素試薬とを金属触媒の存在下で反応させることができる。そのような工程には、処理済み系からこの触媒を完全に除去することが困難であることが多く、その触媒の存在によって望ましくない表面活性が再度生じ得る、という欠点がある。アモルファスシリコンベースの化学気相蒸着材料はまた、腐食性の高ｐＨ媒質による溶解に対する感受性が高く、それによってそのような環境での使用が制限される。
[0006]被覆を表面に塗布することによってその表面を望ましくない表面活性から保護することができる。被覆を表面に蒸着させる１つの既知の方法として化学気相蒸着（ＣＶＤ）がある。一般に、ＣＶＤは、管理された大気および温度条件の下で、所定の時間にわたって気相からの固体材料を蒸着することで被覆を形成する。ＣＶＤでは一次処理に続いて機能化（表面反応）を行うことで所定の分子を添加することができる。
[0007]しかし、一般にＣＶＤが優先的に使用されてきたにもかかわらず、シリコン、炭素、水素を含む分子は、従来、ＣＶＤ前駆体として使用するには望ましくないと考えられてきており、または、プラズマやマイクロ波場などの他の蒸着エネルギーの存在下では他のＣＶＤ前駆体と併用して塗布されてきた。このため、そのような分子に関連付けられた特性は、従来、熱的ＣＶＤ技術によって実現されてこなかった。
[0008]そのような欠点によって、半導体製造工程など、特定の分野での応用可能性が妨げられてきた。前記半導体製造工程において材料が接触する表面上の層から、処理基板の金属イオン汚染や腐食攻撃など、その工程にとって望ましくない効果が生じ得る。
[0004]望ましくない表面活性は、他の分子の化学吸着、他の分子の可逆的および不可逆的な物理吸着、他の分子との触媒反応性、外来種からの攻撃、表面の分子破壊、基板の物理的損害、またはその組み合わせを引き起こし得る。
[0005]特定の所望の性能特性を提供するために、水素化ケイ素表面と不飽和炭化水素試薬とを金属触媒の存在下で反応させることができる。そのような工程には、処理済み系からこの触媒を完全に除去することが困難であることが多く、その触媒の存在によって望ましくない表面活性が再度生じ得る、という欠点がある。アモルファスシリコンベースの化学気相蒸着材料はまた、腐食性の高ｐＨ媒質による溶解に対する感受性が高く、それによってそのような環境での使用が制限される。
[0006]被覆を表面に塗布することによってその表面を望ましくない表面活性から保護することができる。被覆を表面に蒸着させる１つの既知の方法として化学気相蒸着（ＣＶＤ）がある。一般に、ＣＶＤは、管理された大気および温度条件の下で、所定の時間にわたって気相からの固体材料を蒸着することで被覆を形成する。ＣＶＤでは一次処理に続いて機能化（表面反応）を行うことで所定の分子を添加することができる。
[0007]しかし、一般にＣＶＤが優先的に使用されてきたにもかかわらず、シリコン、炭素、水素を含む分子は、従来、ＣＶＤ前駆体として使用するには望ましくないと考えられてきており、または、プラズマやマイクロ波場などの他の蒸着エネルギーの存在下では他のＣＶＤ前駆体と併用して塗布されてきた。このため、そのような分子に関連付けられた特性は、従来、熱的ＣＶＤ技術によって実現されてこなかった。
[0008]そのような欠点によって、半導体製造工程など、特定の分野での応用可能性が妨げられてきた。前記半導体製造工程において材料が接触する表面上の層から、処理基板の金属イオン汚染や腐食攻撃など、その工程にとって望ましくない効果が生じ得る。
[0009]従って、上記の欠点の１つまたはそれ以上の影響を受けない半導体製造工程が技術的に望まれる。
[0010]本開示内容の１つの実施形態によれば、半導体製造工程は、被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布された層とを有し、該層が液体材料によって塗布される手順と、次いで半導体製品を製造するためのシステムの中に該被覆品を位置決めする手順とを含む。
[0011]本開示内容の別の実施形態によれば、半導体製造工程は、被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布された層とを有し、該層が液体材料によって塗布される手順と、次いでシステムの中に該被覆品を位置決めする手順と、次いで該システムから半導体製品を製造する手順とを含む。
[0012]本開示内容の別の実施形態によれば、半導体製造工程は、化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって塗布された層を提供し、該層が液体材料によって塗布される手順と、次いでシステムの中に該層を位置決めする手順と、次いで該システムから半導体製品を製造する手順とを含む。
[0013]本発明の実施形態のさらなる態様が本願で開示される。前述した特徴、および本願のその他の特徴や利点は、以下の図面および詳細な説明から、当業者によって評価および理解されるであろう。
[0011]本開示内容の別の実施形態によれば、半導体製造工程は、被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布された層とを有し、該層が液体材料によって塗布される手順と、次いでシステムの中に該被覆品を位置決めする手順と、次いで該システムから半導体製品を製造する手順とを含む。
[0012]本開示内容の別の実施形態によれば、半導体製造工程は、化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって塗布された層を提供し、該層が液体材料によって塗布される手順と、次いでシステムの中に該層を位置決めする手順と、次いで該システムから半導体製品を製造する手順とを含む。
[0013]本発明の実施形態のさらなる態様が本願で開示される。前述した特徴、および本願のその他の特徴や利点は、以下の図面および詳細な説明から、当業者によって評価および理解されるであろう。
[0026]半導体製造工程が提供される。本開示内容の実施形態によって、本願で開示される１つまたは複数の特徴を含まない類似の概念と比較して、被覆が硬度に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が不活性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が耐化学腐食性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が適応化可能性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が疎水性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆がｐＨ耐性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が耐蝕性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が静止摩擦耐性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆がコーキング耐性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が耐摩耗性に関する追加の特性を具備することが可能であり、被覆が金属イオン汚染を低減または除去することが可能であり、または、その組み合わせが可能である。
[0027]被覆工程２００（図２を参照）は、例えば、図１に示されるように、物品１０３の基板１００上に被覆１０１を形成する。物品１０３は、層１０２を制御良く蒸着する被覆工程１０によって実現された表面特性を有する表面１０５を備えている。層１０２は、基板１００、または被覆１０１、または物品１０３、またはその組み合わせに表面効果を与える。前記表面効果は、層１０２および／または被覆１０１が基板１００の表面１０５の中に拡散することによって提供される。基板１００は、金属基板（鉄または非鉄）、ステンレス鋼、ガラス基板、セラミック基板、セラミックマトリックス複合基板、複合金属基板、被覆基板、繊維基板、ホイル基板、被膜、またはその組み合わせなど、任意の適当な基板である。１つの実施形態では、図３に示されるように、被覆工程２００は層１０２から機能化層１１０を形成する。１つの実施形態では、図４〜５に示されるように、被覆工程２００は層１０２から酸化層１０７を形成する。１つの実施形態では、図６〜７に示されるように、被覆工程２００は酸化層１０７から酸化後機能化層１０９を形成する。
[0028]図２を参照すると、被覆工程２００は、前処理（ステップ２０２）、分解（ステップ２０４）、機能化（ステップ２０６）、酸化（ステップ２０８）、酸化後機能化（ステップ２１０）、機能化後酸化、またはその組み合わせを含む。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）と前記機能化（ステップ２０６）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）と前記酸化（ステップ２０８）と前記酸化後機能化（ステップ２１０）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）と前記機能化（ステップ２０６）と前記酸化（ステップ２０８）と前記酸化後機能化（ステップ２１０）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。前記前処理（ステップ２０２）は、チャンバ、表面１０５、基板１００、またはその組み合わせを作成するために採用される任意の適当な技術でありまたはこれを含む。１つの実施形態では、前記チャンバは化学気相蒸着チャンバであって、例えば、該化学気相蒸着チャンバへの気体の流入出を可能にするための管連結部を有する。将来の実施形態では、前記チャンバは、複数のガス流を提供および除去するための複数の制御された吸入口および排出口と、１つまたは複数の排出管とを備えている。
[0029]前記前処理（ステップ２０２）のための適当な技術は、基板１００および／または表面１０５を清浄すること、予熱すること、隔離すること、表面処理技術、前記チャンバを排気すること（例えば、制御雰囲気を提供するためのチャンバ内での気体の流入出および／または真空の維持による）、前記チャンバを洗い流す／浄化すること（例えば、窒素、ヘリウム、および／またはアルゴンなどの不活性ガスを使用）、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。１つの実施形態では、熱源は、例えば、表面１０５から水を脱着させ汚染物質を除去するために、前記チャンバの中の温度を制御する。１つの実施形態では、前記加熱は、約１００℃を超える所定の温度（例えば、約４５０℃）および／または所定の圧力（例えば、約１気圧〜約３気圧、約１気圧〜約２気圧、約２気圧〜約３気圧、約１気圧、約２気圧、約３気圧、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲）で行う。１つの実施形態では、前記加熱は、所定の期間（例えば、約３分〜約１５時間、約０．５時間〜約１５時間、約３分、約０．５時間、約２時間、約１５時間、またはその中の任意の組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲）にわたって行う。
[0030]前記分解（ステップ２０４）は、１つまたは複数の前駆体材料の熱分解でありまたはこれを含む。１つの実施形態では、前記前駆体材料は、例えば、気体状の、ジメチルシランでありまたはこれを含有する。一般に、ジメチルシランは低需要のため容易に入手できない。ジメチルシランは、炭素を含有し、かつシランよりも非常に高価であるため、一部の化学気相蒸着用途では望ましくないと考えられてきた。シランおよびジメチルシランに類似したモノメチルであるメチルシランは、両方とも自然発火性であり大気中で爆発し得る。ジメチルシランは、可燃性であるが、自然発火性ではない。このため、ジメチルシランを使用すれば安全性に関するリスクを低減することができる。さらに、ジメチルシランを使用すれば、結果として被覆の不活性および／または耐化学性が生じ、それによって基板１００の表面１０５を保護することができる。他の適当な前駆体材料は、トリメチルシラン、ジアルキルシリルジヒドリド、アルキルシリルトリヒドリド、およびその組み合わせを含むが、これらに限定されない。１つの実施形態では、前記材料は自然発火性ではなく、例えば、ジアルキルシリルジヒドリドおよび／またはアルキルシリルトリヒドリドである。
[0031]前記分解（ステップ２０４）は、例えば、米国特許第６，４４４，３２６号で説明されているように、前記前駆体材料に該当する任意の適当な分解パラメータを含む。この特許は、参照することによって本願にその全体が組み込まれるものとする。層１０２のより厚い蒸着が望まれる場合は、前記蒸着（ステップ２０２）温度、前記蒸着（ステップ２０２）圧力、前記蒸着（ステップ２０２）時間、またはその組み合わせを上下または増減する。被覆１０１の適当な厚さは、約１００ ｎｍ〜約１０，０００ ｎｍ、約２００ ｎｍ〜約５，０００ ｎｍ、約３００ ｎｍ〜約１５００ ｎｍ、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲を含むが、これらに限定されない。
[0032]さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、前記蒸着（ステップ２０２）を繰り返すことによって複数の層１０２を塗布する。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）圧力は、約０．０１ ｐｓｉａ〜約２００ ｐｓｉａ、１．０ ｐｓｉａ〜約１００ ｐｓｉａ、５ ｐｓｉａ〜約４０ ｐｓｉａ、約１．０ ｐｓｉａ、約５ ｐｓｉａ、約４０ ｐｓｉａ、約１００ ｐｓｉａ、２００ ｐｓｉａ、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲である。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）温度は、約２００℃〜６００℃、約３００℃〜６００℃、約４００℃〜約５００℃、約３００℃、約４００℃、約５００℃、約６００℃、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲である。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）期間は、約１０分〜約２４時間、約３０約〜約２４時間、約１０分、約３０分、約１５時間、約２４時間、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲の継続時間である。
[0033]前記分解（ステップ２０４）によって、例えば、非拡散被覆および／または前記熱分解材料を有しない被覆上で、耐化学性が改善され、不活性が改善され、および／または接着が改善された層１０２が形成される。層１０２は、前記前駆体材料に該当する任意の適当な熱分解材料を含有する。前記熱分解材料は、前記前駆体材料を分解するために十分な所定の圧力および所定の温度で前記分解（ステップ２０４）によって形成され、それによって、例えば、窒素、ヘリウム、および／またはアルゴンなどの不活性ガスを分圧賦形剤として、前記熱分解材料からの成分を基板１００上に蒸着する。
[0034]１つの実施形態では、前記熱分解材料は、カルボシラン（例えば、非晶質カルボシラン）でありまたはこれを含有し、学説に拘束されることを意図していないが前記カルボシランから形成されたカルボシリルの再結合（ジシリルまたはトリシリル断片）であると考えられる、前記ジメチルシランを含有する前記前駆体に該当する。１つの実施形態では、前記熱分解材料は、シリコン、炭素、水素原子など、活性部位として機能する分子を含有する。前記分子は、層１０２の中に配置され、第１の部１０４と第２の部１０６とを含む。一般に、層１０２の第１の部１０４および第２の部１０６は、空間的に溶解できない（例えば、第１の部１０４および第２の部１０６は層１０２上に蒸着された前記分子によって画成されており、前記分子は層１０２の全体に散らばらせることができる）。さらに、「第１」および「第２」という用語の使用は、何らの連続性、数量の相違、寸法の相違、または前記２つの部分の間のその他の差異を暗示することを意図していない。それとは反対に、「第１」および「第２」という用語は、前記２つの部分の分子構成を区別するために使用されている。例えば、１つの実施形態では、図１に示されるように、第１の部１０４はシリコンを含有し、第２の部１０６は炭素を含有する。１つの実施形態では、第１の部１０４および第２の部１０６は層１０２の全体にわたって不規則に共に結合されている。
[0035]図８は、本開示内容の１つの実施形態によるオージェ電子分光法での測定による物品１０３の全体での１つの実施形態の構成を示す図である。図８は、物品１０３の中の拡散領域１０８を示す図である。オージェ電子分光法による拡散層１０８の精密な測定は前記基板および被覆の表面粗度によって補正することができること、および示される結果は本開示内容の範囲内に入る１つの実施形態のみを代表することが理解されるであろう。したがって、オージェ電子分光法によって測定される拡散領域１０８は絶対的な測定結果ではなく、被覆工程２００による前記拡散機構の１つの表示である。
[0036]１つの実施形態では、層１０２の構成はＣ：Ｓｉ：Ｏ比が約１：０．９５：０．１２である。対照的に、前記化学気相蒸着チャンバの中に導入されたジメチルシランの構成はＣ：Ｓｉ比が約２：１である。学説に拘束されることを意図していないが、ＣＨｘ （ｘ ＝ ０ - ３）部分は保持され、Ｓｉ−Ｃ結合は切断され、従って層１０２がＳｉ−Ｃ結合形成の非晶質配列を含有することを示唆していると考えられている。前記非晶質配列は、例えば、張力や圧縮力が基板１００上に作用したときに生じる亀裂や剥離の低減、接着の増大、またはその組み合わせなどの追加の利点を提供する。１つの実施形態では、被覆１０１または類似した被覆の複数の層を蒸着して、より厚い層または所望の特性を実現する。
[0037]１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）により前記熱分解材料が層１０２を形成したときに、前記チャンバが浄化される。前記浄化によって、残留する分解材料、未結合の熱分解材料、および／または前記チャンバの中に存在するその他の材料または成分が除去される。
[0038]前記機能化（ステップ２０６）は前記分解（ステップ２０４）から分離されたステップであり、例えば、図３に示される前記実施形態に示されるように、層１０２を改質して機能化層１１０を形成する。機能化層１１０の適当な厚さは、約１００ ｎｍ〜約１０，０００ ｎｍ、約２００ ｎｍ〜約５，０００ ｎｍ、約３００ ｎｍ〜約１５００ ｎｍ、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲を含むが、これらに限定されない。前記機能化（ステップ２０６）は、前記チャンバの浄化、前記チャンバを所定の温度まで加熱すること、前記チャンバを排気すること、または前記分解（ステップ２０４）を参照して上記で説明された任意の他の適当な動作パラメータから始まる。
[0039]前記機能化（ステップ２０６）では、結合剤を前記チャンバの中に導入する。前記結合剤は、層１０２または層１０２の部分と反応しおよび／またはこれに結合して、機能化層１１０、例えば、水素化ケイ素部分によって形成されたカルボシリル表面を形成する。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）からの残留部分が反応し、例えば、水素化ケイ素および／または水素化ケイ素官能性（ジシリルまたはトリシリル）がＨ２Ｃ＝Ｃ−Ｒ、ＨＣ≡Ｃ−Ｒ、またはその組み合わせと反応する。１つの実施形態では、第１の部１０４のすべてまたは一部に結合された前記Ｒ基を炭化水素、置換炭化水素（例えば、ハロゲン化）、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミン、アミド類、スルホン酸、有機金属錯体、エポキシド、またはその組み合わせによって形成する。前記結合剤の分子は層１０２に結合して、例えば、Ｒ基との炭素・シリコン共有結合を有する機能化層１１０を形成する。他の適当な結合剤は、エチレン、プロピレン、置換不飽和有機分子、１つまたは複数の不飽和炭化水素基を有する有機試薬、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。
[0040]１つの実施形態では、表面１０５の特性を調整し、例えば、フッ素化炭化水素を前記Ｒ基として使用することによって表面１０５の疎水性が増大するために、前記Ｒ基を改質する。１つの実施形態では、前記フッ素化炭化水素は疎水性表面、疎油性表面、またはその組み合わせを形成する。学説に拘束されることを意図していないが、水素化ケイ素の部分は、ヒドロシリル化などの不飽和官能性を経由して、層１０２と共有結合する不飽和炭化水素基と熱的に反応して機能化層１１０を形成しうると考えられている。機能化層１１０は共有結合したＲ基を含有し、そのＲ基はＲ基部分と炭素、シリコンおよび水素の部分とを含有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、前記Ｒ基は触媒活性および／または殺菌特性を提供する有機金属置換基を含有する。
[0041]前記酸化（ステップ２０８）または前記機能化後酸化は、所定の酸化条件の下で活性酸素種を提供することによって酸化層１０７を形成することができる任意の適当な化学種または酸化試薬への暴露でありまたはこれを含む。前記酸化（ステップ２０８）は層１０２の酸化であり、図３に示される機能化層１１０を形成する。前記機能化後酸化は、機能化層１１０の機能化後酸化であり、機能化後酸化層（図示せず）を形成する。層１０２が非晶質カルボシランである１つの実施形態では、前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化によって形成される酸化層１０７は非晶質カルボキシシランでありまたはこれを含有する。一般に、前記酸化（ステップ２０８）および前記機能化後酸化は、被覆１０１の大部分に影響するバルク反応である。１つの実施形態では、前記チャンバの中の温度、前記チャンバの中の暴露時間、希釈ガスの種類および／または量、圧力、および／または他の適当な処理条件を上下または増減させることによって酸化の度合を制御する。前記酸化の度合の制御によって、酸化層１０７の量および／または深度、および、従って、被覆１０１の耐摩耗性および／または硬度が増減する。
[0042]前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化のための適当な酸化試薬は、水（単独、ゼロ空気含有、または不活性ガス含有）、酸素、空気（単独、非単独、および／またはゼロ空気として）、亜酸化窒素、オゾン、過酸化物、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。本願で使用する場合、「ゼロ空気」という用語は全炭化水素が約０．１ ｐｐｍ未満の大気を指す。１つの実施形態では、前記酸化試薬は気体試薬からなる。前記気体処理剤（例えば、ジメチルシランおよび／または窒素）が気相であるため、前記気体酸化試薬を使用すれば、結果として製造規模の拡大がより単純にできるようになり、より移転可能な工程、およびより経済的な工程が実現する。
[0043]前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化に使用される前記酸化試薬を、酸化層１０７の形成を可能にする任意の適当な動作条件で導入する。適当な動作条件は、不活性ガスの存在下であること、所定の圧力（例えば、約１〜２００ ｐｓｉａ）であること、所定の温度（例えば、約４５０℃）にさらされること、所定の期間（例えば、約2時間）にわたること、前記分解（ステップ２０４）を参照して上記で説明されている他のパラメータ、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。
[0044]１つの実施形態では、前記酸化試薬の選択された種に応じて、例えば、安全の目的のために、追加の特徴が存在する。そのような特徴は、反応が安全に発生することを可能にする寸法、重量、および／または耐腐食性を有する本発明のチャンバを含む。１つの実施形態では、前記チャンバの中に前記酸化試薬として水を安全に注入するために、相当な冷却を使用する。例えば、前記チャンバが約３００℃より高い温度で動作する実施形態では、前記チャンバは最初に約１００℃未満に冷却されるが、これは製造資源のエネルギーおよび／または時間の浪費の原因となり得る。
[0045]前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化によって形成される酸化層１０７は、使用される前記酸化試薬および前記動作パラメータに対応する特性を備えている。１つの実施形態では、層１０２および／または機能化層１１０と比較して、酸化層１０７は、過酸化しておりおよび／またはＳｉウエハー上に約６０°の接触角を有し、Ｎ−Ｈ基、Ｓｉ−ＯＨ基、および／またはＣ−ＯＨ基の量が増加しており、耐引っ掻き性が脆弱であり、耐酸性が増大しており、耐腐食性が増大しており、またはその組み合わせの特性を有する。
[0046]酸化層１０７は、層１０２、機能化層１１０、および／または酸化層１０７が様々な酸化試薬によって形成される実施形態に対して比較特性を備えている。例えば、酸化層１０７は、耐化学性が低下しており、耐引っ掻き性が低下しており、硬度が低下しており、またはその組み合わせの特性を有する。１つの実施形態では、酸化層１０７は、過酸化しておりおよび／またはＳｉウエハー上に約８６．６°の接触角を有し、摩擦が低下しており（例えば、前記酸化試薬がゼロ空気および水である実施形態と比較）、耐摩耗性が低下しており（例えば、前記酸化試薬がゼロ空気および水である実施形態と比較）、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基を備えており（例えば、９９５．２ ｃｍ−１の非水機能化ピークと比較して１０２６．９ ｃｍ−１のＳｉ−Ｏ−Ｓｉピークの成長を有するＦＴ−ＩＲデータによって示すことができるもの）、またはその組み合わせの特性を有する。１つの実施形態では、酸化層１０７は過酸化しており、Ｃ−Ｈ基の量が減少しており（例えば、前記酸化試薬が水単独である実施形態と比較）、Ｓｉ−Ｃ基の量が減少しており（例えば、前記酸化試薬が水単独である実施形態と比較）、Ｓｉ−ＯＨ／Ｃ−ＯＨ基の量が増加しており（例えば、前記酸化試薬が水単独である実施形態と比較）、またはその組み合わせの特性を有する。１つの実施形態では、酸化層１０７は、摩擦係数がより低く（例えば、前記酸化剤がゼロ空気および水である実施形態と比較）、耐摩耗性が増大しており（例えば、前記酸化剤がゼロ空気および水である実施形態と比較）、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基を含んでおり、またはその組み合わせの特性を有する。
[0047]層１０２は第１の接触角を有し、機能化層１１０は第２の接触角を有する。層１０２の前記酸化（ステップ２０８）を行わない１つの実施形態では、前記第１の接触角は前記第２の接触角より低く、例えば、前記第１の接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに約９８．３°であり、かつ前記第２の接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに約１００°である。機能化層１１０の前記機能化後酸化を行う一つの実施形態では、前記第１の接触角は前記第２の接触角より高く、例えば、前記第１の接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに約９５．６°であり、かつ前記第２の接触角は３０４ステンレス鋼上を後退するときに約６５．９°である。機能化層１１０の前記酸化（ステップ２０８）を行う前記実施形態では、機能化層１１０は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基と減少した量のＳｉ−Ｈ基とを備えている（例えば、酸化していない機能化層１１０と比較）。
[0048]１つの実施形態では、前記摩擦係数は前記酸化（ステップ２０８）によって減少する。例えば、層１０２の前記酸化（ステップ２０８）を行う１つの実施形態では、層１０２は前記酸化（ステップ２０８）前の第１の摩擦係数（例えば、約０．９７）と前記酸化（ステップ２０８）後の第２の摩擦係数（例えば、約０．８４）とを備えている。
[0049]１つの実施形態では、前記摩耗率は前記酸化（ステップ２０８）によって低下する。例えば、層１０２の前記酸化（ステップ２０８）を行う１つの実施形態では、層１０２は前記酸化（ステップ２０８）前の第１の摩耗率（例えば、４．７３ ｘ １０−４ ｍｍ３／Ｎ／ｍ）と前記酸化（ステップ２０８）後の第２の摩耗率（例えば、約６．７５ ｘ １０−５ ｍｍ３／Ｎ／ｍ）とを備えている。
[0050]水を前記酸化剤として使用する前記酸化（ステップ２０８）を含む１つの実施形態では、物品１０３は図９に記載の前記オージェ電子分光法によるプロットに示される構成またはその類似した変形例を備えている。
[0051]前記酸化後機能化（ステップ２１０）は前述した前記機能化（ステップ２０６）の任意の特徴でありまたはこれを含む。さらに、または、もう１つの方法として、前記酸化後機能化（ステップ２１０）は１つまたは複数の材料の熱的結合を含む。１つの実施形態では、前記熱的結合は表面１０５へのトリメチルシランの熱的結合である（例えば、ジシリルヒドリドまたはトリシリルヒドリド官能性を使用することによる）。１つの実施形態では、前記熱的結合はオルガノフルオロトリアルコキシシランまたはオルガノフルオロシリルヒドリドの熱的結合である（例えば、材料費が低いため運営費が低減され、および／または、製造の実現可能性が増大する）。
[0052]１つの実施形態では、前記酸化後機能化（ステップ２１０）は、例えば、前記表面を加熱および／または改質することによって、酸化層１０７を改質させて、例えば、図１０に記載の前記オージェ電子分光法によるプロットまたは類似のプロットによって図示されるように、図６〜７に示される酸化後機能化層１０９（有機フッ素処理層など）を形成する。前記酸化後機能化（ステップ２１０）の度合に影響を与えるため、熱、暴露時間、希釈ガス、および圧力を調整する。前記酸化後機能化（ステップ２１０）のこの度合の制御によって所定の特性が与えられる。１つの実施形態では、前記酸化層を約３００°〜６００oＣの温度で、約１〜２４時間にわたって、約５〜１００ ｐｓｉａ、場合によっては約２５ ｐｓｉａ、約２７ ｐｓｉａ、約５４ ｐｓｉａ、またはその間の任意の適当な範囲の圧力で、オルガノシラン試薬に暴露する。１つの実施形態では、前記反応を支援するため、アルゴンまたは窒素などの不活性希釈ガスを、例えば、約１〜１００ ｐｓｉａの分圧で使用する。
[0053]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、本発明の有機フッ素処理を適用することによって形成され、ここで該有機フッ素処理は（Ｒ）１−３Ｓｉ（Ｘ）１−３であり、ここでＲは有機フッ素基に等しく、Ｘは-Ｈ， −ＯＨ， −ＯＲ’に等しい（Ｒ’はアルキル基またはメトキシ基、エトキシ基、ブトキシなどのアルコキシ基である）。さらに、または、もう１つの方法として、Ｒおよび／またはＲ’は、アルキル、アリール、ハロゲン化アルキルおよびアリール、ケトン、アルデヒド、アシル、アルコール、エポキシ、ならびにニトロオルガノ有機金属官能性、またはその組み合わせを含むがこれらに限定されない任意の適当な基と調和する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９を有機フッ素シリル（例えば、トリデカフルオロ １，１，２，２−テトラヒドロオクチルシラン）、任意の適当な有機フッ素アルコール（例えば、ペンタフルオロプロパノール）、任意の適当なフルオロシラン、またはその組み合わせを含む前記有機フッ素処理によって形成する。１つの実施形態では、前記フルオロシランは以下の一般的化学式を有する。
[0027]被覆工程２００（図２を参照）は、例えば、図１に示されるように、物品１０３の基板１００上に被覆１０１を形成する。物品１０３は、層１０２を制御良く蒸着する被覆工程１０によって実現された表面特性を有する表面１０５を備えている。層１０２は、基板１００、または被覆１０１、または物品１０３、またはその組み合わせに表面効果を与える。前記表面効果は、層１０２および／または被覆１０１が基板１００の表面１０５の中に拡散することによって提供される。基板１００は、金属基板（鉄または非鉄）、ステンレス鋼、ガラス基板、セラミック基板、セラミックマトリックス複合基板、複合金属基板、被覆基板、繊維基板、ホイル基板、被膜、またはその組み合わせなど、任意の適当な基板である。１つの実施形態では、図３に示されるように、被覆工程２００は層１０２から機能化層１１０を形成する。１つの実施形態では、図４〜５に示されるように、被覆工程２００は層１０２から酸化層１０７を形成する。１つの実施形態では、図６〜７に示されるように、被覆工程２００は酸化層１０７から酸化後機能化層１０９を形成する。
[0028]図２を参照すると、被覆工程２００は、前処理（ステップ２０２）、分解（ステップ２０４）、機能化（ステップ２０６）、酸化（ステップ２０８）、酸化後機能化（ステップ２１０）、機能化後酸化、またはその組み合わせを含む。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）と前記機能化（ステップ２０６）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）と前記酸化（ステップ２０８）と前記酸化後機能化（ステップ２１０）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。１つの実施形態では、被覆工程２００は、前記前処理（ステップ２０２）と前記分解（ステップ２０４）と前記機能化（ステップ２０６）と前記酸化（ステップ２０８）と前記酸化後機能化（ステップ２１０）とを含み、またはこれらからなり、または基本的にこれらのみからなる。前記前処理（ステップ２０２）は、チャンバ、表面１０５、基板１００、またはその組み合わせを作成するために採用される任意の適当な技術でありまたはこれを含む。１つの実施形態では、前記チャンバは化学気相蒸着チャンバであって、例えば、該化学気相蒸着チャンバへの気体の流入出を可能にするための管連結部を有する。将来の実施形態では、前記チャンバは、複数のガス流を提供および除去するための複数の制御された吸入口および排出口と、１つまたは複数の排出管とを備えている。
[0029]前記前処理（ステップ２０２）のための適当な技術は、基板１００および／または表面１０５を清浄すること、予熱すること、隔離すること、表面処理技術、前記チャンバを排気すること（例えば、制御雰囲気を提供するためのチャンバ内での気体の流入出および／または真空の維持による）、前記チャンバを洗い流す／浄化すること（例えば、窒素、ヘリウム、および／またはアルゴンなどの不活性ガスを使用）、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。１つの実施形態では、熱源は、例えば、表面１０５から水を脱着させ汚染物質を除去するために、前記チャンバの中の温度を制御する。１つの実施形態では、前記加熱は、約１００℃を超える所定の温度（例えば、約４５０℃）および／または所定の圧力（例えば、約１気圧〜約３気圧、約１気圧〜約２気圧、約２気圧〜約３気圧、約１気圧、約２気圧、約３気圧、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲）で行う。１つの実施形態では、前記加熱は、所定の期間（例えば、約３分〜約１５時間、約０．５時間〜約１５時間、約３分、約０．５時間、約２時間、約１５時間、またはその中の任意の組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲）にわたって行う。
[0030]前記分解（ステップ２０４）は、１つまたは複数の前駆体材料の熱分解でありまたはこれを含む。１つの実施形態では、前記前駆体材料は、例えば、気体状の、ジメチルシランでありまたはこれを含有する。一般に、ジメチルシランは低需要のため容易に入手できない。ジメチルシランは、炭素を含有し、かつシランよりも非常に高価であるため、一部の化学気相蒸着用途では望ましくないと考えられてきた。シランおよびジメチルシランに類似したモノメチルであるメチルシランは、両方とも自然発火性であり大気中で爆発し得る。ジメチルシランは、可燃性であるが、自然発火性ではない。このため、ジメチルシランを使用すれば安全性に関するリスクを低減することができる。さらに、ジメチルシランを使用すれば、結果として被覆の不活性および／または耐化学性が生じ、それによって基板１００の表面１０５を保護することができる。他の適当な前駆体材料は、トリメチルシラン、ジアルキルシリルジヒドリド、アルキルシリルトリヒドリド、およびその組み合わせを含むが、これらに限定されない。１つの実施形態では、前記材料は自然発火性ではなく、例えば、ジアルキルシリルジヒドリドおよび／またはアルキルシリルトリヒドリドである。
[0031]前記分解（ステップ２０４）は、例えば、米国特許第６，４４４，３２６号で説明されているように、前記前駆体材料に該当する任意の適当な分解パラメータを含む。この特許は、参照することによって本願にその全体が組み込まれるものとする。層１０２のより厚い蒸着が望まれる場合は、前記蒸着（ステップ２０２）温度、前記蒸着（ステップ２０２）圧力、前記蒸着（ステップ２０２）時間、またはその組み合わせを上下または増減する。被覆１０１の適当な厚さは、約１００ ｎｍ〜約１０，０００ ｎｍ、約２００ ｎｍ〜約５，０００ ｎｍ、約３００ ｎｍ〜約１５００ ｎｍ、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲を含むが、これらに限定されない。
[0032]さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、前記蒸着（ステップ２０２）を繰り返すことによって複数の層１０２を塗布する。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）圧力は、約０．０１ ｐｓｉａ〜約２００ ｐｓｉａ、１．０ ｐｓｉａ〜約１００ ｐｓｉａ、５ ｐｓｉａ〜約４０ ｐｓｉａ、約１．０ ｐｓｉａ、約５ ｐｓｉａ、約４０ ｐｓｉａ、約１００ ｐｓｉａ、２００ ｐｓｉａ、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲である。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）温度は、約２００℃〜６００℃、約３００℃〜６００℃、約４００℃〜約５００℃、約３００℃、約４００℃、約５００℃、約６００℃、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲である。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）期間は、約１０分〜約２４時間、約３０約〜約２４時間、約１０分、約３０分、約１５時間、約２４時間、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲の継続時間である。
[0033]前記分解（ステップ２０４）によって、例えば、非拡散被覆および／または前記熱分解材料を有しない被覆上で、耐化学性が改善され、不活性が改善され、および／または接着が改善された層１０２が形成される。層１０２は、前記前駆体材料に該当する任意の適当な熱分解材料を含有する。前記熱分解材料は、前記前駆体材料を分解するために十分な所定の圧力および所定の温度で前記分解（ステップ２０４）によって形成され、それによって、例えば、窒素、ヘリウム、および／またはアルゴンなどの不活性ガスを分圧賦形剤として、前記熱分解材料からの成分を基板１００上に蒸着する。
[0034]１つの実施形態では、前記熱分解材料は、カルボシラン（例えば、非晶質カルボシラン）でありまたはこれを含有し、学説に拘束されることを意図していないが前記カルボシランから形成されたカルボシリルの再結合（ジシリルまたはトリシリル断片）であると考えられる、前記ジメチルシランを含有する前記前駆体に該当する。１つの実施形態では、前記熱分解材料は、シリコン、炭素、水素原子など、活性部位として機能する分子を含有する。前記分子は、層１０２の中に配置され、第１の部１０４と第２の部１０６とを含む。一般に、層１０２の第１の部１０４および第２の部１０６は、空間的に溶解できない（例えば、第１の部１０４および第２の部１０６は層１０２上に蒸着された前記分子によって画成されており、前記分子は層１０２の全体に散らばらせることができる）。さらに、「第１」および「第２」という用語の使用は、何らの連続性、数量の相違、寸法の相違、または前記２つの部分の間のその他の差異を暗示することを意図していない。それとは反対に、「第１」および「第２」という用語は、前記２つの部分の分子構成を区別するために使用されている。例えば、１つの実施形態では、図１に示されるように、第１の部１０４はシリコンを含有し、第２の部１０６は炭素を含有する。１つの実施形態では、第１の部１０４および第２の部１０６は層１０２の全体にわたって不規則に共に結合されている。
[0035]図８は、本開示内容の１つの実施形態によるオージェ電子分光法での測定による物品１０３の全体での１つの実施形態の構成を示す図である。図８は、物品１０３の中の拡散領域１０８を示す図である。オージェ電子分光法による拡散層１０８の精密な測定は前記基板および被覆の表面粗度によって補正することができること、および示される結果は本開示内容の範囲内に入る１つの実施形態のみを代表することが理解されるであろう。したがって、オージェ電子分光法によって測定される拡散領域１０８は絶対的な測定結果ではなく、被覆工程２００による前記拡散機構の１つの表示である。
[0036]１つの実施形態では、層１０２の構成はＣ：Ｓｉ：Ｏ比が約１：０．９５：０．１２である。対照的に、前記化学気相蒸着チャンバの中に導入されたジメチルシランの構成はＣ：Ｓｉ比が約２：１である。学説に拘束されることを意図していないが、ＣＨｘ （ｘ ＝ ０ - ３）部分は保持され、Ｓｉ−Ｃ結合は切断され、従って層１０２がＳｉ−Ｃ結合形成の非晶質配列を含有することを示唆していると考えられている。前記非晶質配列は、例えば、張力や圧縮力が基板１００上に作用したときに生じる亀裂や剥離の低減、接着の増大、またはその組み合わせなどの追加の利点を提供する。１つの実施形態では、被覆１０１または類似した被覆の複数の層を蒸着して、より厚い層または所望の特性を実現する。
[0037]１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）により前記熱分解材料が層１０２を形成したときに、前記チャンバが浄化される。前記浄化によって、残留する分解材料、未結合の熱分解材料、および／または前記チャンバの中に存在するその他の材料または成分が除去される。
[0038]前記機能化（ステップ２０６）は前記分解（ステップ２０４）から分離されたステップであり、例えば、図３に示される前記実施形態に示されるように、層１０２を改質して機能化層１１０を形成する。機能化層１１０の適当な厚さは、約１００ ｎｍ〜約１０，０００ ｎｍ、約２００ ｎｍ〜約５，０００ ｎｍ、約３００ ｎｍ〜約１５００ ｎｍ、またはその中の任意の適当な組み合わせ、下位の組み合わせ、範囲、もしくは下位の範囲を含むが、これらに限定されない。前記機能化（ステップ２０６）は、前記チャンバの浄化、前記チャンバを所定の温度まで加熱すること、前記チャンバを排気すること、または前記分解（ステップ２０４）を参照して上記で説明された任意の他の適当な動作パラメータから始まる。
[0039]前記機能化（ステップ２０６）では、結合剤を前記チャンバの中に導入する。前記結合剤は、層１０２または層１０２の部分と反応しおよび／またはこれに結合して、機能化層１１０、例えば、水素化ケイ素部分によって形成されたカルボシリル表面を形成する。１つの実施形態では、前記分解（ステップ２０４）からの残留部分が反応し、例えば、水素化ケイ素および／または水素化ケイ素官能性（ジシリルまたはトリシリル）がＨ２Ｃ＝Ｃ−Ｒ、ＨＣ≡Ｃ−Ｒ、またはその組み合わせと反応する。１つの実施形態では、第１の部１０４のすべてまたは一部に結合された前記Ｒ基を炭化水素、置換炭化水素（例えば、ハロゲン化）、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミン、アミド類、スルホン酸、有機金属錯体、エポキシド、またはその組み合わせによって形成する。前記結合剤の分子は層１０２に結合して、例えば、Ｒ基との炭素・シリコン共有結合を有する機能化層１１０を形成する。他の適当な結合剤は、エチレン、プロピレン、置換不飽和有機分子、１つまたは複数の不飽和炭化水素基を有する有機試薬、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。
[0040]１つの実施形態では、表面１０５の特性を調整し、例えば、フッ素化炭化水素を前記Ｒ基として使用することによって表面１０５の疎水性が増大するために、前記Ｒ基を改質する。１つの実施形態では、前記フッ素化炭化水素は疎水性表面、疎油性表面、またはその組み合わせを形成する。学説に拘束されることを意図していないが、水素化ケイ素の部分は、ヒドロシリル化などの不飽和官能性を経由して、層１０２と共有結合する不飽和炭化水素基と熱的に反応して機能化層１１０を形成しうると考えられている。機能化層１１０は共有結合したＲ基を含有し、そのＲ基はＲ基部分と炭素、シリコンおよび水素の部分とを含有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、前記Ｒ基は触媒活性および／または殺菌特性を提供する有機金属置換基を含有する。
[0041]前記酸化（ステップ２０８）または前記機能化後酸化は、所定の酸化条件の下で活性酸素種を提供することによって酸化層１０７を形成することができる任意の適当な化学種または酸化試薬への暴露でありまたはこれを含む。前記酸化（ステップ２０８）は層１０２の酸化であり、図３に示される機能化層１１０を形成する。前記機能化後酸化は、機能化層１１０の機能化後酸化であり、機能化後酸化層（図示せず）を形成する。層１０２が非晶質カルボシランである１つの実施形態では、前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化によって形成される酸化層１０７は非晶質カルボキシシランでありまたはこれを含有する。一般に、前記酸化（ステップ２０８）および前記機能化後酸化は、被覆１０１の大部分に影響するバルク反応である。１つの実施形態では、前記チャンバの中の温度、前記チャンバの中の暴露時間、希釈ガスの種類および／または量、圧力、および／または他の適当な処理条件を上下または増減させることによって酸化の度合を制御する。前記酸化の度合の制御によって、酸化層１０７の量および／または深度、および、従って、被覆１０１の耐摩耗性および／または硬度が増減する。
[0042]前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化のための適当な酸化試薬は、水（単独、ゼロ空気含有、または不活性ガス含有）、酸素、空気（単独、非単独、および／またはゼロ空気として）、亜酸化窒素、オゾン、過酸化物、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。本願で使用する場合、「ゼロ空気」という用語は全炭化水素が約０．１ ｐｐｍ未満の大気を指す。１つの実施形態では、前記酸化試薬は気体試薬からなる。前記気体処理剤（例えば、ジメチルシランおよび／または窒素）が気相であるため、前記気体酸化試薬を使用すれば、結果として製造規模の拡大がより単純にできるようになり、より移転可能な工程、およびより経済的な工程が実現する。
[0043]前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化に使用される前記酸化試薬を、酸化層１０７の形成を可能にする任意の適当な動作条件で導入する。適当な動作条件は、不活性ガスの存在下であること、所定の圧力（例えば、約１〜２００ ｐｓｉａ）であること、所定の温度（例えば、約４５０℃）にさらされること、所定の期間（例えば、約2時間）にわたること、前記分解（ステップ２０４）を参照して上記で説明されている他のパラメータ、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。
[0044]１つの実施形態では、前記酸化試薬の選択された種に応じて、例えば、安全の目的のために、追加の特徴が存在する。そのような特徴は、反応が安全に発生することを可能にする寸法、重量、および／または耐腐食性を有する本発明のチャンバを含む。１つの実施形態では、前記チャンバの中に前記酸化試薬として水を安全に注入するために、相当な冷却を使用する。例えば、前記チャンバが約３００℃より高い温度で動作する実施形態では、前記チャンバは最初に約１００℃未満に冷却されるが、これは製造資源のエネルギーおよび／または時間の浪費の原因となり得る。
[0045]前記酸化（ステップ２０８）もしくは前記機能化後酸化によって形成される酸化層１０７は、使用される前記酸化試薬および前記動作パラメータに対応する特性を備えている。１つの実施形態では、層１０２および／または機能化層１１０と比較して、酸化層１０７は、過酸化しておりおよび／またはＳｉウエハー上に約６０°の接触角を有し、Ｎ−Ｈ基、Ｓｉ−ＯＨ基、および／またはＣ−ＯＨ基の量が増加しており、耐引っ掻き性が脆弱であり、耐酸性が増大しており、耐腐食性が増大しており、またはその組み合わせの特性を有する。
[0046]酸化層１０７は、層１０２、機能化層１１０、および／または酸化層１０７が様々な酸化試薬によって形成される実施形態に対して比較特性を備えている。例えば、酸化層１０７は、耐化学性が低下しており、耐引っ掻き性が低下しており、硬度が低下しており、またはその組み合わせの特性を有する。１つの実施形態では、酸化層１０７は、過酸化しておりおよび／またはＳｉウエハー上に約８６．６°の接触角を有し、摩擦が低下しており（例えば、前記酸化試薬がゼロ空気および水である実施形態と比較）、耐摩耗性が低下しており（例えば、前記酸化試薬がゼロ空気および水である実施形態と比較）、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基を備えており（例えば、９９５．２ ｃｍ−１の非水機能化ピークと比較して１０２６．９ ｃｍ−１のＳｉ−Ｏ−Ｓｉピークの成長を有するＦＴ−ＩＲデータによって示すことができるもの）、またはその組み合わせの特性を有する。１つの実施形態では、酸化層１０７は過酸化しており、Ｃ−Ｈ基の量が減少しており（例えば、前記酸化試薬が水単独である実施形態と比較）、Ｓｉ−Ｃ基の量が減少しており（例えば、前記酸化試薬が水単独である実施形態と比較）、Ｓｉ−ＯＨ／Ｃ−ＯＨ基の量が増加しており（例えば、前記酸化試薬が水単独である実施形態と比較）、またはその組み合わせの特性を有する。１つの実施形態では、酸化層１０７は、摩擦係数がより低く（例えば、前記酸化剤がゼロ空気および水である実施形態と比較）、耐摩耗性が増大しており（例えば、前記酸化剤がゼロ空気および水である実施形態と比較）、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基を含んでおり、またはその組み合わせの特性を有する。
[0047]層１０２は第１の接触角を有し、機能化層１１０は第２の接触角を有する。層１０２の前記酸化（ステップ２０８）を行わない１つの実施形態では、前記第１の接触角は前記第２の接触角より低く、例えば、前記第１の接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに約９８．３°であり、かつ前記第２の接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに約１００°である。機能化層１１０の前記機能化後酸化を行う一つの実施形態では、前記第１の接触角は前記第２の接触角より高く、例えば、前記第１の接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに約９５．６°であり、かつ前記第２の接触角は３０４ステンレス鋼上を後退するときに約６５．９°である。機能化層１１０の前記酸化（ステップ２０８）を行う前記実施形態では、機能化層１１０は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基と減少した量のＳｉ−Ｈ基とを備えている（例えば、酸化していない機能化層１１０と比較）。
[0048]１つの実施形態では、前記摩擦係数は前記酸化（ステップ２０８）によって減少する。例えば、層１０２の前記酸化（ステップ２０８）を行う１つの実施形態では、層１０２は前記酸化（ステップ２０８）前の第１の摩擦係数（例えば、約０．９７）と前記酸化（ステップ２０８）後の第２の摩擦係数（例えば、約０．８４）とを備えている。
[0049]１つの実施形態では、前記摩耗率は前記酸化（ステップ２０８）によって低下する。例えば、層１０２の前記酸化（ステップ２０８）を行う１つの実施形態では、層１０２は前記酸化（ステップ２０８）前の第１の摩耗率（例えば、４．７３ ｘ １０−４ ｍｍ３／Ｎ／ｍ）と前記酸化（ステップ２０８）後の第２の摩耗率（例えば、約６．７５ ｘ １０−５ ｍｍ３／Ｎ／ｍ）とを備えている。
[0050]水を前記酸化剤として使用する前記酸化（ステップ２０８）を含む１つの実施形態では、物品１０３は図９に記載の前記オージェ電子分光法によるプロットに示される構成またはその類似した変形例を備えている。
[0051]前記酸化後機能化（ステップ２１０）は前述した前記機能化（ステップ２０６）の任意の特徴でありまたはこれを含む。さらに、または、もう１つの方法として、前記酸化後機能化（ステップ２１０）は１つまたは複数の材料の熱的結合を含む。１つの実施形態では、前記熱的結合は表面１０５へのトリメチルシランの熱的結合である（例えば、ジシリルヒドリドまたはトリシリルヒドリド官能性を使用することによる）。１つの実施形態では、前記熱的結合はオルガノフルオロトリアルコキシシランまたはオルガノフルオロシリルヒドリドの熱的結合である（例えば、材料費が低いため運営費が低減され、および／または、製造の実現可能性が増大する）。
[0052]１つの実施形態では、前記酸化後機能化（ステップ２１０）は、例えば、前記表面を加熱および／または改質することによって、酸化層１０７を改質させて、例えば、図１０に記載の前記オージェ電子分光法によるプロットまたは類似のプロットによって図示されるように、図６〜７に示される酸化後機能化層１０９（有機フッ素処理層など）を形成する。前記酸化後機能化（ステップ２１０）の度合に影響を与えるため、熱、暴露時間、希釈ガス、および圧力を調整する。前記酸化後機能化（ステップ２１０）のこの度合の制御によって所定の特性が与えられる。１つの実施形態では、前記酸化層を約３００°〜６００oＣの温度で、約１〜２４時間にわたって、約５〜１００ ｐｓｉａ、場合によっては約２５ ｐｓｉａ、約２７ ｐｓｉａ、約５４ ｐｓｉａ、またはその間の任意の適当な範囲の圧力で、オルガノシラン試薬に暴露する。１つの実施形態では、前記反応を支援するため、アルゴンまたは窒素などの不活性希釈ガスを、例えば、約１〜１００ ｐｓｉａの分圧で使用する。
[0053]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、本発明の有機フッ素処理を適用することによって形成され、ここで該有機フッ素処理は（Ｒ）１−３Ｓｉ（Ｘ）１−３であり、ここでＲは有機フッ素基に等しく、Ｘは-Ｈ， −ＯＨ， −ＯＲ’に等しい（Ｒ’はアルキル基またはメトキシ基、エトキシ基、ブトキシなどのアルコキシ基である）。さらに、または、もう１つの方法として、Ｒおよび／またはＲ’は、アルキル、アリール、ハロゲン化アルキルおよびアリール、ケトン、アルデヒド、アシル、アルコール、エポキシ、ならびにニトロオルガノ有機金属官能性、またはその組み合わせを含むがこれらに限定されない任意の適当な基と調和する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９を有機フッ素シリル（例えば、トリデカフルオロ １，１，２，２−テトラヒドロオクチルシラン）、任意の適当な有機フッ素アルコール（例えば、ペンタフルオロプロパノール）、任意の適当なフルオロシラン、またはその組み合わせを含む前記有機フッ素処理によって形成する。１つの実施形態では、前記フルオロシランは以下の一般的化学式を有する。
この態様では、ＸはＨまたはアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシを含む）を表し、ＹはＸまたはＲ成分を表し、ＺはＸまたはＲ成分を表し、ＲはＣＦ３（ＣＨ２）ｎの構造を有する有機フッ素官能基を表す。
[0054]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は疎油性および／または疎水性が増大している。１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、鏡面上に脱イオン水用の約５０°より大きい、または約５５°より大きい、または約６０°より大きい、または約６５°より大きい、または約６０°〜約７０°の、または約６０°の、または約６２°の、または約６５°の、または約６７°の、または６１．７°の、または６７．４°の、または７４．７°の、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、前記酸化後機能化（ステップ２１０）の結果として、鏡面上に脱イオン水用に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、少なくとも約３０°、または少なくとも約４０°、または少なくとも約６０°、または約３０°〜約６０°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ大きい接触角が生じる。
[0055]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に１０Ｗ４０モーターオイル用の約８０°より大きい、または約９０°より大きい、または約１００°より大きい、または約１０５°より大きい、または約８０°〜約１１０°の、または約８０°の、または約８１°の、または約１００°の、または約１０５°の、または８１．０°の、または１００．２°の、または１０５．１°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、少なくとも約１０°、または少なくとも約１５°、または少なくとも約２０°、または約１０°〜約２５°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ大きい接触角を有する。
[0056]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、鏡面上に脱イオン水用の約１０５°より大きい、または約１１０°より大きい、または約１１２°より大きい、または約１００°〜約１１４°の、または約１１０．３°の、または約１１２．１°の、または約１１３．７°の、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、鏡面上に脱イオン水用に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、約１°、または約２°、または約１°〜約２°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ小さい接触角を有する。
[0057]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に脱イオン水用の約１４０°より大きい、または約１４５°より大きい、または約１４０°〜約１５０°の、または約１４２．７°の、または約１４５．７°の、または約１４８．１°の、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、またはもう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に脱イオン水用に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、約２５°、または約３０°、または約２０°〜約３５°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ大きい接触角を有する。
[0058]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、例えば、ジメチルシランを用いて形成された機能化層１１０、および／または、例えば、ゼロ空気を前記結合試薬として用いて形成された酸化層１０７よりも大きい耐静止摩擦特性を有する。したがって、被覆工程２００の１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は静止摩擦耐性が増大している。
[0059]前記Ｒ基を改質し変化させることによって、または、ヒドロキシル基反応性が可能な他の分子を使用することによって、酸化後機能化層１０９の表面特性を調整する。例えば、１つの実施形態では、前記調整によって硬度、静止摩擦耐性、耐摩耗性、不活性、電気化学インピーダンス、接触角、またはその組み合わせが上下または増減し、それによってプロセス、分析、ガス、石油、および半導体産業の各分野での使用への適用可能性と耐久性を拡大する物理的性能特性が提供される。
[0060]具体的には、前記半導体産業は、液体材料（例えば、気体またはプラズマ）を層１０２、酸化層１０７、酸化後機能化層１０９、機能化層１１０、またはその組み合わせと接触させる手順を含む製造工程で製造することが可能な種々の製品カテゴリーを含む。そのような製品はメモリ、マイクロプロセッサ、集積回路、システムオンチップ（ＳＯＣ）を含むが、これらに限定されない。メモリチップは、データの一時的な倉庫としての機能を果たし、コンピュータデバイスの頭脳との間で情報のやりとりを行う。マイクロプロセッサは、タスクを実行するための基本ロジックを含む中央演算処理装置である。商品集積回路は、「標準チップ」とも呼ばれ、日常的な処理の目的のために使用される。ＳＯＣは、全システムの能力が搭載された複合集積回路チップに関する。
[0061]前記種々の製品カテゴリーのそれぞれからの半導体は、ほとんどすべての産業で使用されている。このため、前記半導体製造工程の実施形態は、コンピュータ科学、産業プロセスの制御、エネルギー技術、情報技術、民生用電子製品、医療診断、照明技術、輸送技術、通信技術など（ただし、これらに限定されない）、電子デバイスおよび集積回路が使用される半導体製品の製造を含む。１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造されるそのような半導体製品は、小型であること、信頼性、および低コストという特性を備えている。さらに、１つの実施形態では、前記半導体製品は、幅広い範囲の電流および電圧を処理することが可能であり、また、複雑でありながら簡単に製造されるモジュールに統合される能力を有する。
[0062]１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は、二端子デバイス、三端子デバイス、四端子デバイス、および多端子デバイスを含むが、これらに限定されない。二端子デバイスは、ＤＩＡＣ、ダイオード（整流ダイオード）、ガンダイオード、インパットダイオード、レーザーダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、光電セル、ピンダイオード、ショットキーダイオード、太陽電池、トンネルダイオード、ＶＣＳＥＬ、ＶＥＣＳＥＬ、ツェナーダイオードを含むが、これらに限定されない。三端子デバイスは、バイポーラトランジスタ、ダーリントントランジスタ、電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、シリコン制御整流素子、サイリスタ、トライアック、単接合トランジスタを含むが、これらに限定されない。四端子デバイスは、ホール効果センサ（磁場センサ）を含むが、これに限定されない。多端子デバイスは、集積回路（ＩＣ）、電荷結合素子（ＣＣＤ）、マイクロプロセッサ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）を含むが、これらに限定されない。
[0063]１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される半導体製品は、個々の原子が共に結合した正規の周期構造を有する固体材料を含有する。前記固体材料は、結晶性固体、多結晶材料、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。他の半導体材料は、非晶質材料および液体を含むが、これらに限定されない。１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は真性半導体である。別の実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は、化学的に極めて純粋でありかつ導電性が弱い真性半導体材料を含有する。前記真性半導体材料は、同じ数の負のキャリア（電子）と正のキャリア（正孔）を有する。１つの代替の実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は外因性半導体である。
[0064]前記外因性半導体の基板は、前記半導体の電気特性を変えかつその導電率を改善するドーピングという工程によって少量の不純物が添加される前記真性半導体材料を含有する。前記ドーピング工程を通じての不純物の前記導入によって前記半導体材料の導電率に対する制御が得られる。前記ドーピング工程によって２つの半導体群、すなわち負電荷導体（Ｎ型）と正電荷導体（Ｐ型）が作られる。前記半導体は、素子または化合物として利用できる。シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）など（ただし、これらに限定されない）の純元素半導体に加えて、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、硫化セレン（ＳｅＳ）など（ただし、これらに限定されない）、多くの合金および化合物が半導体である。
[0065]１つの実施形態では、前記Ｒ基を炭化水素、置換炭化水素、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミン、アミド類、スルホン酸、有機金属錯体、および／またはエポキシドによって形成する。学説に拘束されることを意図していないが、水素化ケイ素の部分は、ヒドロシリル化の機構を経由して、前記被覆基板の前記表面と共有結合するための不飽和炭化水素基と熱的に反応しうると考えられている。１つの実施形態では、前記反応チャンバの中のすべての暴露表面上の被覆１０１は共有結合したＲ基を含有し、そのＲ基はＲ基部分と炭素、シリコンおよび水素の部分とを含有する。
[0066]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９（例えば、前記有機フッ素処理の前に層１０２を空気酸化させることによって形成されたジメチルシランベースのカルボキシシラン層を暴露することによって形成）は、Ｓｉ−ＯＨ官能性が喪失しており（３４０１．８ ｃｍ−１のＦＴ−ＩＲピークに基づく、ゼロ空気酸化を用いた酸化層１０７の１つの実施形態と比較）、接触角測定値が増大し（例えば、前記酸化後機能化（ステップ２１０）前の約５０．９°と比較して、鏡のように滑らかな表面上で脱イオン水用に約１１１°が得られた）、疎水性が存在し、インピーダンス（例えば、低周波数（Ｚｌｆ）で）が約１．００ Ｍｏｈｍ（ゼロ空気酸化を用いた酸化層１０７でのＺｌｆ ＝ 約７．２７ ｋｏｈｍから増加）と優れており、および／または、ナイキスト線図による端子ＺＲ／ＺＩ比が約０．０．８２１であり、またはそれらの特性の組み合わせを備えている。
[0067]１つの実施形態では、被覆１０１、層１０２、機能化層１１０、および／または酸化後機能化層１０９は、例えば、任意の適当な表面、例えば、図１１に図示されている１つまたは複数の表面上で、耐静止摩擦特性を備えている。図１１は、該システムからの半導体製品の製造中および／または該システムの監視中に流体表面９１０が動流体と接触するシステムの１つの部分を図示する図である。１つの実施形態では、流体表面９１０は、矢印９１２によって示されているように気体および／または液体などの流体が流れる可撓性または剛性のチューブまたはパイプ９１１の内側であり、または該流体と接触しておりかつ流体の動きが生じている任意の他の部分である。図１２はまた、異なる構成または流体表面９１０と同じ構成を有する外面９１３を図示する図である。
[0068]１つの実施形態では、被覆１０１、層１０２、機能化層１１０、および／または酸化後機能化層１０９は浸食（例えば、固体および液体の両方による）および腐食に対する耐性を備えている。耐浸食性は、衝突粒子または衝突流が前記表面に接触するにもかかわらず発生する。耐腐食性は、表面が前記環境と反応するのを防ぐことによって、および／または、反応生成物が表面凸凹として形成されるのを防ぐことによって発生する。そのような耐性は、前記反応生成物の摩損が前記材料の接触相互作用における亀裂形成および／または磨滅の結果として発生するのを防ぐ。
[0069]以下の実施例は、本開示内容に関する種々の要素を示す。前記実施例の中で開示される特性およびパラメータは、比較的な性格のものであるか、それとも例示的な性格のものであるかにかかわらず、「発明の詳細な説明」の中で開示されているものとして考えられるべきである。
[0054]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は疎油性および／または疎水性が増大している。１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、鏡面上に脱イオン水用の約５０°より大きい、または約５５°より大きい、または約６０°より大きい、または約６５°より大きい、または約６０°〜約７０°の、または約６０°の、または約６２°の、または約６５°の、または約６７°の、または６１．７°の、または６７．４°の、または７４．７°の、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、前記酸化後機能化（ステップ２１０）の結果として、鏡面上に脱イオン水用に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、少なくとも約３０°、または少なくとも約４０°、または少なくとも約６０°、または約３０°〜約６０°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ大きい接触角が生じる。
[0055]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に１０Ｗ４０モーターオイル用の約８０°より大きい、または約９０°より大きい、または約１００°より大きい、または約１０５°より大きい、または約８０°〜約１１０°の、または約８０°の、または約８１°の、または約１００°の、または約１０５°の、または８１．０°の、または１００．２°の、または１０５．１°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、少なくとも約１０°、または少なくとも約１５°、または少なくとも約２０°、または約１０°〜約２５°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ大きい接触角を有する。
[0056]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、鏡面上に脱イオン水用の約１０５°より大きい、または約１１０°より大きい、または約１１２°より大きい、または約１００°〜約１１４°の、または約１１０．３°の、または約１１２．１°の、または約１１３．７°の、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、または、もう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、鏡面上に脱イオン水用に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、約１°、または約２°、または約１°〜約２°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ小さい接触角を有する。
[0057]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に脱イオン水用の約１４０°より大きい、または約１４５°より大きい、または約１４０°〜約１５０°の、または約１４２．７°の、または約１４５．７°の、または約１４８．１°の、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせの接触角を有する。さらに、またはもう１つの方法として、１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、粗面上に脱イオン水用に、ポリテトラフルオロエチレンよりも、例えば、約２５°、または約３０°、または約２０°〜約３５°、またはその任意の適当な範囲、下位の範囲、組み合わせ、もしくは下位の組み合わせだけ大きい接触角を有する。
[0058]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は、例えば、ジメチルシランを用いて形成された機能化層１１０、および／または、例えば、ゼロ空気を前記結合試薬として用いて形成された酸化層１０７よりも大きい耐静止摩擦特性を有する。したがって、被覆工程２００の１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９は静止摩擦耐性が増大している。
[0059]前記Ｒ基を改質し変化させることによって、または、ヒドロキシル基反応性が可能な他の分子を使用することによって、酸化後機能化層１０９の表面特性を調整する。例えば、１つの実施形態では、前記調整によって硬度、静止摩擦耐性、耐摩耗性、不活性、電気化学インピーダンス、接触角、またはその組み合わせが上下または増減し、それによってプロセス、分析、ガス、石油、および半導体産業の各分野での使用への適用可能性と耐久性を拡大する物理的性能特性が提供される。
[0060]具体的には、前記半導体産業は、液体材料（例えば、気体またはプラズマ）を層１０２、酸化層１０７、酸化後機能化層１０９、機能化層１１０、またはその組み合わせと接触させる手順を含む製造工程で製造することが可能な種々の製品カテゴリーを含む。そのような製品はメモリ、マイクロプロセッサ、集積回路、システムオンチップ（ＳＯＣ）を含むが、これらに限定されない。メモリチップは、データの一時的な倉庫としての機能を果たし、コンピュータデバイスの頭脳との間で情報のやりとりを行う。マイクロプロセッサは、タスクを実行するための基本ロジックを含む中央演算処理装置である。商品集積回路は、「標準チップ」とも呼ばれ、日常的な処理の目的のために使用される。ＳＯＣは、全システムの能力が搭載された複合集積回路チップに関する。
[0061]前記種々の製品カテゴリーのそれぞれからの半導体は、ほとんどすべての産業で使用されている。このため、前記半導体製造工程の実施形態は、コンピュータ科学、産業プロセスの制御、エネルギー技術、情報技術、民生用電子製品、医療診断、照明技術、輸送技術、通信技術など（ただし、これらに限定されない）、電子デバイスおよび集積回路が使用される半導体製品の製造を含む。１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造されるそのような半導体製品は、小型であること、信頼性、および低コストという特性を備えている。さらに、１つの実施形態では、前記半導体製品は、幅広い範囲の電流および電圧を処理することが可能であり、また、複雑でありながら簡単に製造されるモジュールに統合される能力を有する。
[0062]１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は、二端子デバイス、三端子デバイス、四端子デバイス、および多端子デバイスを含むが、これらに限定されない。二端子デバイスは、ＤＩＡＣ、ダイオード（整流ダイオード）、ガンダイオード、インパットダイオード、レーザーダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、光電セル、ピンダイオード、ショットキーダイオード、太陽電池、トンネルダイオード、ＶＣＳＥＬ、ＶＥＣＳＥＬ、ツェナーダイオードを含むが、これらに限定されない。三端子デバイスは、バイポーラトランジスタ、ダーリントントランジスタ、電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、シリコン制御整流素子、サイリスタ、トライアック、単接合トランジスタを含むが、これらに限定されない。四端子デバイスは、ホール効果センサ（磁場センサ）を含むが、これに限定されない。多端子デバイスは、集積回路（ＩＣ）、電荷結合素子（ＣＣＤ）、マイクロプロセッサ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）を含むが、これらに限定されない。
[0063]１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される半導体製品は、個々の原子が共に結合した正規の周期構造を有する固体材料を含有する。前記固体材料は、結晶性固体、多結晶材料、またはその組み合わせを含むが、これらに限定されない。他の半導体材料は、非晶質材料および液体を含むが、これらに限定されない。１つの実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は真性半導体である。別の実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は、化学的に極めて純粋でありかつ導電性が弱い真性半導体材料を含有する。前記真性半導体材料は、同じ数の負のキャリア（電子）と正のキャリア（正孔）を有する。１つの代替の実施形態では、前記半導体製造工程によって製造される前記半導体製品は外因性半導体である。
[0064]前記外因性半導体の基板は、前記半導体の電気特性を変えかつその導電率を改善するドーピングという工程によって少量の不純物が添加される前記真性半導体材料を含有する。前記ドーピング工程を通じての不純物の前記導入によって前記半導体材料の導電率に対する制御が得られる。前記ドーピング工程によって２つの半導体群、すなわち負電荷導体（Ｎ型）と正電荷導体（Ｐ型）が作られる。前記半導体は、素子または化合物として利用できる。シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）など（ただし、これらに限定されない）の純元素半導体に加えて、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、硫化セレン（ＳｅＳ）など（ただし、これらに限定されない）、多くの合金および化合物が半導体である。
[0065]１つの実施形態では、前記Ｒ基を炭化水素、置換炭化水素、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミン、アミド類、スルホン酸、有機金属錯体、および／またはエポキシドによって形成する。学説に拘束されることを意図していないが、水素化ケイ素の部分は、ヒドロシリル化の機構を経由して、前記被覆基板の前記表面と共有結合するための不飽和炭化水素基と熱的に反応しうると考えられている。１つの実施形態では、前記反応チャンバの中のすべての暴露表面上の被覆１０１は共有結合したＲ基を含有し、そのＲ基はＲ基部分と炭素、シリコンおよび水素の部分とを含有する。
[0066]１つの実施形態では、酸化後機能化層１０９（例えば、前記有機フッ素処理の前に層１０２を空気酸化させることによって形成されたジメチルシランベースのカルボキシシラン層を暴露することによって形成）は、Ｓｉ−ＯＨ官能性が喪失しており（３４０１．８ ｃｍ−１のＦＴ−ＩＲピークに基づく、ゼロ空気酸化を用いた酸化層１０７の１つの実施形態と比較）、接触角測定値が増大し（例えば、前記酸化後機能化（ステップ２１０）前の約５０．９°と比較して、鏡のように滑らかな表面上で脱イオン水用に約１１１°が得られた）、疎水性が存在し、インピーダンス（例えば、低周波数（Ｚｌｆ）で）が約１．００ Ｍｏｈｍ（ゼロ空気酸化を用いた酸化層１０７でのＺｌｆ ＝ 約７．２７ ｋｏｈｍから増加）と優れており、および／または、ナイキスト線図による端子ＺＲ／ＺＩ比が約０．０．８２１であり、またはそれらの特性の組み合わせを備えている。
[0067]１つの実施形態では、被覆１０１、層１０２、機能化層１１０、および／または酸化後機能化層１０９は、例えば、任意の適当な表面、例えば、図１１に図示されている１つまたは複数の表面上で、耐静止摩擦特性を備えている。図１１は、該システムからの半導体製品の製造中および／または該システムの監視中に流体表面９１０が動流体と接触するシステムの１つの部分を図示する図である。１つの実施形態では、流体表面９１０は、矢印９１２によって示されているように気体および／または液体などの流体が流れる可撓性または剛性のチューブまたはパイプ９１１の内側であり、または該流体と接触しておりかつ流体の動きが生じている任意の他の部分である。図１２はまた、異なる構成または流体表面９１０と同じ構成を有する外面９１３を図示する図である。
[0068]１つの実施形態では、被覆１０１、層１０２、機能化層１１０、および／または酸化後機能化層１０９は浸食（例えば、固体および液体の両方による）および腐食に対する耐性を備えている。耐浸食性は、衝突粒子または衝突流が前記表面に接触するにもかかわらず発生する。耐腐食性は、表面が前記環境と反応するのを防ぐことによって、および／または、反応生成物が表面凸凹として形成されるのを防ぐことによって発生する。そのような耐性は、前記反応生成物の摩損が前記材料の接触相互作用における亀裂形成および／または磨滅の結果として発生するのを防ぐ。
[0069]以下の実施例は、本開示内容に関する種々の要素を示す。前記実施例の中で開示される特性およびパラメータは、比較的な性格のものであるか、それとも例示的な性格のものであるかにかかわらず、「発明の詳細な説明」の中で開示されているものとして考えられるべきである。
［実施例１］
[0070]第１の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって導入して層１０２を形成する手順を含む。層１０２は、鏡のように研磨された３１６ステンレス鋼クーポン（わずかに黄ばんでいる）上でほとんど検知できない（すなわち、視覚的に識別することが極めて困難である）。測定結果は約６０°での前記蒸着処理前の水接触角データを示している。ジメチルシランを用いた前記蒸着処理の後、前記接触角は約１０２°に増大する。層１０２は目に見えないが、前記データは表面１０５の層１０２上にカルボシリル材料が高い濃度で極めて薄く蒸着していることを示唆している。利用できる分光技術が前記被覆を検知するのに十分な感度がないため、層１０２の厚さは約１００オングストロームと推定されている。
[実施例２]
[0071]第２の実例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成する手順を含む。層１０２は虹のような目に見える発光性の色配列を有する。
[実施例３]
[0072]第３の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成し、その後、基板１００の層１０２を不活性ガスの中で水を用いて４５０℃で約１００〜２００ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって酸化させて酸化層１０７を形成する手順を含む。第３の実施例は、表面改質の化学的性質のための官能基（Ｓｉ−ＯＨまたはＳｉ−Ｈ）が欠如しているなど、望ましくない結果を示している。
[実施例４]
[0073]第４の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成し、その後、基板１００の層１０２を酸化試薬混合物を用いて３００℃で約１００〜２００ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって酸化させてゼロ空気酸化による酸化層１０７を形成する手順を含む。前記酸化試薬混合物はゼロ空気および水を含有する。酸化層１０７は、実施例３と比較して、過酸化している、Ｃ−Ｈ基が減少している、Ｓｉ−Ｃ基が減少している、Ｓｉ−ＯＨ／Ｃ−ＯＨ基が増加しているなど、望ましくない結果を示している。
[実施例５]
[0074]第５の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成し、その後、基板１００上の層１０２をゼロ空気を用いて３００ ℃で約１〜２００ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって酸化させて酸化層１０７を形成する手順を含む。酸化層１０７は、ＦＴ−ＩＲデータに大きなＳｉ−ＯＨ伸縮（広域； ３４１４ ｃｍ−１）が観測された酸化カルボシラン材料を含有する。接触角の測定値は脱イオン水では５０．９°である。電気化学インピーダンス分光法は、低周波数Ｚｌｆで約７．２７ ｋｏｈｍのインピーダンスを示している。標準の１００ Ｃｒ６球と３．００ ｃｍ／ｓの循環線速度で０．５ Ｎの力を加え、トライボメータ（ＣＳＭ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｓ／Ｎ １８−３４３）を用いて前記材料の耐摩耗性を分析すると、４．１４１ ｘ １０−３摩耗（ｍｍ３／Ｎ ｍ）という結果が示される。実施例３と比較して、酸化層１０７は摩擦がより少なく、摩耗がより多く、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基が存在する。
[実施例６]
[0075]第６の実施例は、実施例２で形成された層１０２をエチレンで機能化して機能化層１１０を形成する手順を含む。機能化層１１０は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに９８．３°、後退するときに８５．１°の水接触角を有する。ＦＴ−ＩＲデータは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基の欠如に基づいて酸化がほとんど発生しておらず（１０２７ ｃｍ−１の伸縮に基づく）、Ｓｉ−Ｈ基の量が減少している（２０９１ ｃｍ−１の伸縮に基づく）ことを示している。
[実施例７]
[0076]第７の実施例は、実施例２で形成された層１０２をエチレンで機能化して機能化層１１０を形成する手順を含む。その後、前記チャンバに５ｍｌの脱イオン水（ＤＩ）を追加することによって機能化層１１０を酸化する。前記密封容器からゼロ空気を除去するため、前記チャンバを複数の窒素フラッシュおよび弱真空に暴露する。前記チャンバの中の温度を４５０℃で約２時間保持し、その後、室温に戻す。機能化層１１０の前記酸化によって機能化後酸化層１１１が形成される。機能化後酸化層１１１は、前進するときに９５．６°、後退するときに６５．９°の水接触角データを有する。ＦＴ−ＩＲデータは、酸化によって、実施例６で形成される機能化層１１０と比較して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基の量が増加し（１０２７ ｃｍ−１の伸縮に基づく）、Ｓｉ−Ｈ基の量が減少する（２０９１ ｃｍ−１の伸縮に基づく）ことを示している。
[実施例８]
[0077]第８の実施例は、トリメチルシランを層１０２（ジメチルシランの蒸着によって形成）に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入する手順を含む。第８の実施例は、基板１００上に目に見えるまたは分光的に測定可能な被覆がなく、また、水接触角の値に大きな変化がみられないため分子被覆が形成された兆候がないなど、望ましくない結果を示している。
[実施例９]
[0078]第９の実施例は、４５０℃および２５ ｐｓｉａで約１０時間にわたって反応させたトリメチルシランを排気済みのチャンバに追加する手順を含む。その結果として得られるＦＴ−ＩＲデータは、Ｓｉ−ＯＨ官能性が欠如していることを示している。接触角の測定値は脱イオン水では９９．１°であり、疎水性が存在することを示唆している。電気化学インピーダンス分光法は、低周波数（Ｚｌｆ）で１５．４ Ｍｏｈｍのインピーダンスを示している。電気化学インピーダンス分光法はまた、ナイキスト線図によるボード線図および端子ＺＲ／ＺＩ比が０．０７２であることを示している。標準の１００ Ｃｒ６球と３．００ ｃｍ／ｓの循環線速度で０．５ Ｎの力を加え、トライボメータ（ＣＳＭ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｓ／Ｎ １８−３４３）を用いて前記材料の耐摩耗性を分析すると、前記未処理材料と比較して３４倍の増加である１．２２５ ｘ １０−４摩耗（ｍｍ３／Ｎｍ）という結果が示される。
[実施例１０]
[0079]第１０の実施例は、トリデカフルオロ １，１，２，２−テトラヒドロオクチルシランを４５０℃で約１０時間という第１の条件、３５０℃で約７時間という第２の条件、３７５℃で約７時間という第３の条件、および４００℃で約７時間という第４の条件で酸化層１０７に添加する手順を含む。
[0080]前記第１の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０８．２６°、後退するときに６１．０３°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、低周波数で電気インピーダンスが高い（ＥＩＳ Ｚｌｆ ＝ １０．２４ ＭＯｈｍ）という特性を備えている。また、厳密な酸暴露の後も前記高疎水性が保持される状況では塩酸暴露において顕著な耐腐食性（室温で２４時間にわたって６Ｍ）がみられる。ホウケイ酸ガラス試料上に茶色の被覆が表れているときは前記有機フッ素試薬が４５０℃で分解した兆候であり得る。前記第２の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１１．６２°、後退するときに９５．１２°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、低周波数でＥＩＳインピーダンスがより低い（Ｚｌｆ ＝ １６７ ｋｏｈｍ）という特性を備えている。これは前記酸化層との反応が不完全である兆候であり得るが、前記接触角が高いことから、前記有機フッ素試薬が少なくとも部分的に結合していることが確認できる。前記ホウケイ酸ガラスライナーは無色の外観を有しており、前記有機フッ素試薬の熱的分解が顕著に生じていないことを示している。ゴニオメーターの接触角はまた、疎油性が高いことを示唆しており、１０Ｗ４０モーターオイルの接触角の測定値は鏡のように研磨された３１６ステンレス鋼クーポン上で８４．８°である。前記第３の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１２．６７°、後退するときに１０２．２９°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、３５０℃で先行条件に対してＥＩＳデータが改善している（Ｚｌｆ ＝ １．０Ｍｏｈｍ）。前記ガラス表面上に茶色の残留物がある兆候がないので、前記有機フッ素試薬が熱的に分解した兆候はないが、ＥＩＳデータが改善していることはより完全な反応が生じていることを示唆している。優れた疎油性も同様に維持されており、それによって１０Ｗ４０モーターオイルでの接触角は８０．５°である。さらに、被覆クーポンを室内空気の中で４５０℃のオーブンの中に配置することによってこの表面の熱酸化抵抗性を試験する。熱酸化暴露前の前記クーポンの水接触角は１１３．８°であったが、暴露後はわずかに１１０．６°に減少した。これは熱酸化に対する耐性が高いことを示唆しており、コークスやファウリングの集積が重要な懸案となっている燃焼および汚染環境での応用にとって極めて有益な特性である。前記第４の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１２．１４°、後退するときに９４．４７°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、ＥＩＳデータが改善している（Ｚｌｆ ＝ ２．６１ Ｍｏｈｍ）。しかし、１０Ｗ４０モーターオイルの接触角が６４．０°となって疎油性は低下し、前記有機フッ素試薬が前記ガラスクーポンの透明で無色の外観にもかかわらず初期に分解したことを示唆している。
[実施例１１]
[0081]第１１の実施例は、フルオロシランを酸化層１１０に４５０℃および３０ ｐｓｉａで約７時間にわたって添加して酸化後機能化層１０９を形成し、その酸化後機能化層が脱イオン水で疎水性を示唆する約１３５°〜約１６３°の接触角によって測定できる状態にする手順を含む。
[実施例１２]
[0082]第１２の実施例は、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノールを酸化層１０７に４００℃で約１０時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、前進するときに９２．２２°、後退するときに６６．１２°である。その結果として生じる被覆は、前記酸化蒸着をアルコール（Ｃ−ＯＨ）部分を経由して機能化することが可能であることを示している。このことは、接触角が高いこと、および、ＥＩＳインピーダンスが低周波数で適度に高いこと（Ｚｌｆ ＝ １．９３ Ｍｏｈｍ）によって確認される。前記被覆表面を５％のＮａＣｌ溶液に暴露した状態で放置する手順を含む長期のＥＩＳデータは、インピーダンスの低下を示している。これは前記被覆上の食塩水の腐食作用および材質の非最適性能を示唆している。
[実施例１３]
[0083]第１３の実施例は、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノールを酸化層１０７に４５０℃で約１０時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、前進するときに９７．９２°、後退するときに５１．０５°である。有機フッ素試薬のモル数を増やしてカルボキシシラン基材をより薄く蒸着すると（実施例１２と比較）、ＥＩＳ性能が脆弱な（Ｚｌｆ ＝ ５６．２ ｋｏｈｍ）低劣な表面が生じる。
[実施例１４]
[0084]第１４の実施例は、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノールを前記未酸化層に４００℃で約４時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０５．６７°、後退するときに４６．６６°である。ＥＩＳデータは、低周波数でインピーダンスが高いこと（Ｚｌｆ ＝ １７．８Ｍｏｈｍ）、および、酸化蒸着と比較して耐引っ掻き性が顕著に低下していることを示唆している。その後、クーポンを５０ｐｓｉａのゼロ空気の中で３００℃で２時間にわたって酸化する。その後、接触角は、ＥＩＳインピーダンス（Ｚｌｆ ＝ １１．２ ｋｏｈｍ）と同様、５４．８°に大幅に減少する。前記酸化後被覆の耐引っ掻き性は優れている。これはカルボシラン蒸着（Ｓｉ−Ｈ経由）部分を有機フッ素アルコール（Ｃ−ＯＨ官能性経由）で機能化する可能性を示唆しているが、この生成物の後酸化の結果として耐引っ掻き性は改善するが、疎水性と電気インピーダンスは失われる。
[実施例１５]
[0085]第１５の実施例は、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテルを前記カルボシラン（すなわち未酸化）層１０２に４００℃で約４時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる被覆は、脆弱な接着と脆弱な耐引っ掻き性とを備えている。これは前記カルボシランＳｉ−Ｈ部分を熱ヒドロシリル化を経由してアルケン機能性有機フッ素試薬に結合する試みである。前記ガラス試料は、ＤＩ水中での超音波処理によって容易に除去される黒ずんだ剥がれ落ちた被覆を有する。前記未被覆のガラスは艶消しの外観を有しており、前記有機フッ素試薬が分解していること、フッ化水素が形成されていること、および、前記ガラスのエッチングが生じていることを示唆している。機能化温度を下げればこの結果が改善され得ると結論づけられる。
[実施例１６]
[0086]第１６の実施例は、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテルを層１０２に３００℃で約４時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１０．９４°、後退するときに８８．０５°である。その結果として生じる被覆は、優れた接着と優れた耐引っ掻き性とを備えている。前記適度に高い水接触角は、何らかの機能化が生じていることを示唆している。優れた耐引っ掻き性もまた顕著であるが、この特性は酸化のステップなしに実現することは多くないためこれは異常である。ＥＩＳデータは、Ｚｌｆでのインピーダンスが１３．６６ Ｍｏｈｍと優れていることを明らかにしている。しかし、ＦＴＩＲデータはＳｉ−Ｈ伸縮が２０９６．５ ｃｍ−１と適度に広いことを示しており、前記カルボシラン基層でＳｉ−Ｈ部分との反応が不完全であることを示唆している。
[実施例１７]
[0087]第１７の実施例は、（ペルフルオロヘキシル）エチレンを前記未酸化層１０２に３５０℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０７．２５°、後退するときに９２．７０°である。その結果として生じる被覆は、優れた接着を備えており、優れた耐引っ掻き性を備えており、かつ極めて滑り易い（摩擦係数が低い）。高度にフッ素化したアルケンを用いた本発明のヒドロシリル化結合機構はこれらの条件である程度成功しているが、２０９６．３ ｃｍ−１の大きなＳｉ−Ｈ伸縮がなおも明白である。前記インピーダンスデータはＺｌｆ ＝ ８．８４ Ｍｏｈｍと優れた性能を示唆している。疎油性は１０Ｗ４０モーターオイルの接触角が５３．３°と適度である。硫化水素を２８ｐｐｂの濃度で長期間保有する研究を使用した不活性データは、優れた不活性を示唆している。ガスクロマトグラフ法（ＳＣＤ検出）で試験すると、３日間にわたって８８．２％のＨ２Ｓ回復率がみられる。
[実施例１８]
[0088]第１８の実施例は、（ペルフルオロブチル）エチレンを層１０２に３５０℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１１．９３°、後退するときに８９．１０°である。その結果として生じる被覆は、埃を含まず、鮮やかな色を備えている。すべてのＳｉ−Ｈ部分と反応させる試みにおいて、実施例１７で使用するものと比較してより小さいオルガノフルオロアルケンを使用する。ＦＴ−ＩＲデータはＳｉ−Ｈが２１０１．２ ｃｍ−１と大きいことをなおも示しており、ＥＩＳデータは低周波数でのインピーダンスがより不良である（Ｚｌｆ ＝ １．１６ Ｍｏｈｍ）を明らかにしている。
[実施例１９]
[0089]第１９の実施例は、（ペルフルオロヘキシル）エチレンを前記未酸化層１０２に３２５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０８．６２°、後退するときに９９．２１°である。その結果として生じる被覆は、優れた蒸着と優れた耐引っ掻き性とを備えている。前記のより低い温度（実施例１７と比較）によってＳｉ−Ｈ部分との前記反応性は改善されず、また、ＥＩＳテスト結果（Ｚｌｆ ＝ ４．７７ Ｍｏｈｍ）も改善されない。
[実施例２０]
[0090]第２０の実施例は、（ペルフルオロオクチル）エチレンを層１０２に３２５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１２．８２°、後退するときに８９．３５°である。より大きいオルガノフルオロアルケン（実施例１７と比較）を使用すると接触角またはＥＩＳインピーダンス（Ｚｌｆ ＝ ６．６３ Ｍｏｈｍ）に対して追加の利点は得られない。硫化水素の吸着力に関するその後の不活性分析（２８ ｐｐｂの濃度での保有試験を使用）では、実施例１７よりも不良の性能が示されている。
[実施例２１]
[0091]第２１の実施例は、トリデカフルオロ １，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシランを酸化層１０７に３７５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は３１６ステンレス鋼上で１１３．９°である。前記酸化蒸着を機能化するためにアルコキシシラン機能性有機フッ素試薬を本発明の方法で使用すると、実施例１０で使用するヒドロシラン機能性有機フッ素類似物について大幅な経費節約が可能となる。この材料の熱酸化安定性は優れており、前記接触角を空気中で４５０℃に３０分間暴露した後に水接触角が１０６．６°まで減少する。空気中で４５０℃に計６０分間暴露すると１０２．２の水接触角が生じる。この強固な特性は、コーキング耐性、防汚性、および酸化環境で熱にさらされる耐静止摩擦環境で非常に望ましい。
[実施例２１]
[0092]第２１の実例は、トリフルオロプロピルトリメトキシルシランを層１０２に３７５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上で前進するときに９８．３°、後退するときに５９．３°である。より小さいトリフルオロプロピル試薬を本発明の方法で使用すると、前記のより大きな類似物よりも低劣な疎水性が示唆される。さらに、空気中で４５０℃に３０分間暴露した後に水接触角が７０．１°まで減少し、熱酸化抵抗性は低劣である。前記メトキシ機能性類似物（実施例２０）との適度な反応性がみられるが、費用または性能面で明らかな利点はない。
[0093]本発明の特定の特徴および実施形態のみが示され説明されているが、本特許請求の範囲で詳説されている主題事項の新規の教示内容および利点を著しく逸脱することなく多くの修正および変更（例えば、本発明の種々の素子の大きさ、寸法、構造、形状および比率、パラメータ（例えば、温度、圧力等）の値、取り付け方法、材料の使用、色、方向等の変形例）が当業者に生じ得る。あらゆる工程または方法のステップの順序または配列は、代替の実施形態に従って変更されまたは再度配列され得る。従って、添付された特許請求の範囲は、本発明の真実の趣旨に当てはまるすべてのそのような修正および変更を対象とするように意図されていることが理解されるべきである。さらに、本発明の実施形態の簡潔な説明を提供する取り組みにおいて、実際の実装のすべての特徴が説明されているわけではない（すなわち、現在考えられている本発明を実施する最良の態様と無関係な特徴や、特許請求の対象となる発明を可能にすることと無関係な特徴は説明されていない可能性がある）。あらゆるそのような実際の実装の開発において、あらゆるエンジニアリングまたは設計プロジェクトと同様に、多数の実装特有の意思決定が下され得ることが理解されるべきである。そのような開発の取り組みは複雑でかつ時間がかかるものであるかもしれないが、それにもかかわらず、不適当な実験を行うことなく本開示内容の利点を有する当業者にとっては設計、製造、および生産の日常的な引き受けである。
[発明の態様]
[１]
半導体製造工程であって、
被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布される層とを有しており、該層が液体材料によって塗布される手順と、
半導体製品を製造するためのシステム内に該被覆品を位置決めする手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。
[２]
前記層が酸化ジメチルシランを含有することを特徴とする、１に記載の工程。
[３]
前記層が酸化層、前処理層、またはその組み合わせに塗布されることを特徴とする、１に記載の工程。
[４]
前記酸化層が酸化カルボシラン材料を含有することを特徴とする、３に記載の工程。
[５]
前記酸化層が水、またはゼロ空気、またはその組み合わせによって形成されることを特徴とする、３に記載の工程。
[６]
前記酸化層が酸化ジメチルシランを含有することを特徴とする、３に記載の工程。
[７]
前記層が前記酸化ジメチルシランに塗布されるトリメチルシランを含有することを特徴とする、６に記載の工程。
[８]
前記液体材料が気体であることを特徴とする、１に記載の工程。
[９]
前記液体材料がプラズマであることを特徴とする、１に記載の工程。
[１０]
前記被覆品がチューブでありかつ前記層が該チューブの内表面であることを特徴とする、１に記載の工程。
[１１]
前記被覆品が取付金具でありかつ前記層が該取付金具の内表面であることを特徴とする、１に記載の工程。
[１２]
前記被覆品がパイプでありかつ前記層が該パイプの内表面であることを特徴とする、１に記載の工程。
[１３]
前記被覆品がチャンバでありかつ前記層が該チャンバ壁の内表面であることを特徴とする、位置に記載の工程。
[１４]
前記半導体製品が結晶性固体、多結晶材料、または非晶質材料を含有することを特徴とする、１に記載の工程。
[１５]
前記半導体製品が真性半導体を含むことを特徴とする、１に記載の工程。
[0070]第１の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって導入して層１０２を形成する手順を含む。層１０２は、鏡のように研磨された３１６ステンレス鋼クーポン（わずかに黄ばんでいる）上でほとんど検知できない（すなわち、視覚的に識別することが極めて困難である）。測定結果は約６０°での前記蒸着処理前の水接触角データを示している。ジメチルシランを用いた前記蒸着処理の後、前記接触角は約１０２°に増大する。層１０２は目に見えないが、前記データは表面１０５の層１０２上にカルボシリル材料が高い濃度で極めて薄く蒸着していることを示唆している。利用できる分光技術が前記被覆を検知するのに十分な感度がないため、層１０２の厚さは約１００オングストロームと推定されている。
[実施例２]
[0071]第２の実例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成する手順を含む。層１０２は虹のような目に見える発光性の色配列を有する。
[実施例３]
[0072]第３の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成し、その後、基板１００の層１０２を不活性ガスの中で水を用いて４５０℃で約１００〜２００ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって酸化させて酸化層１０７を形成する手順を含む。第３の実施例は、表面改質の化学的性質のための官能基（Ｓｉ−ＯＨまたはＳｉ−Ｈ）が欠如しているなど、望ましくない結果を示している。
[実施例４]
[0073]第４の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成し、その後、基板１００の層１０２を酸化試薬混合物を用いて３００℃で約１００〜２００ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって酸化させてゼロ空気酸化による酸化層１０７を形成する手順を含む。前記酸化試薬混合物はゼロ空気および水を含有する。酸化層１０７は、実施例３と比較して、過酸化している、Ｃ−Ｈ基が減少している、Ｓｉ−Ｃ基が減少している、Ｓｉ−ＯＨ／Ｃ−ＯＨ基が増加しているなど、望ましくない結果を示している。
[実施例５]
[0074]第５の実施例は、ジメチルシランを基板１００に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入して層１０２を形成し、その後、基板１００上の層１０２をゼロ空気を用いて３００ ℃で約１〜２００ ｐｓｉａの気体で２時間にわたって酸化させて酸化層１０７を形成する手順を含む。酸化層１０７は、ＦＴ−ＩＲデータに大きなＳｉ−ＯＨ伸縮（広域； ３４１４ ｃｍ−１）が観測された酸化カルボシラン材料を含有する。接触角の測定値は脱イオン水では５０．９°である。電気化学インピーダンス分光法は、低周波数Ｚｌｆで約７．２７ ｋｏｈｍのインピーダンスを示している。標準の１００ Ｃｒ６球と３．００ ｃｍ／ｓの循環線速度で０．５ Ｎの力を加え、トライボメータ（ＣＳＭ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｓ／Ｎ １８−３４３）を用いて前記材料の耐摩耗性を分析すると、４．１４１ ｘ １０−３摩耗（ｍｍ３／Ｎ ｍ）という結果が示される。実施例３と比較して、酸化層１０７は摩擦がより少なく、摩耗がより多く、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基が存在する。
[実施例６]
[0075]第６の実施例は、実施例２で形成された層１０２をエチレンで機能化して機能化層１１０を形成する手順を含む。機能化層１１０は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに９８．３°、後退するときに８５．１°の水接触角を有する。ＦＴ−ＩＲデータは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基の欠如に基づいて酸化がほとんど発生しておらず（１０２７ ｃｍ−１の伸縮に基づく）、Ｓｉ−Ｈ基の量が減少している（２０９１ ｃｍ−１の伸縮に基づく）ことを示している。
[実施例７]
[0076]第７の実施例は、実施例２で形成された層１０２をエチレンで機能化して機能化層１１０を形成する手順を含む。その後、前記チャンバに５ｍｌの脱イオン水（ＤＩ）を追加することによって機能化層１１０を酸化する。前記密封容器からゼロ空気を除去するため、前記チャンバを複数の窒素フラッシュおよび弱真空に暴露する。前記チャンバの中の温度を４５０℃で約２時間保持し、その後、室温に戻す。機能化層１１０の前記酸化によって機能化後酸化層１１１が形成される。機能化後酸化層１１１は、前進するときに９５．６°、後退するときに６５．９°の水接触角データを有する。ＦＴ−ＩＲデータは、酸化によって、実施例６で形成される機能化層１１０と比較して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基の量が増加し（１０２７ ｃｍ−１の伸縮に基づく）、Ｓｉ−Ｈ基の量が減少する（２０９１ ｃｍ−１の伸縮に基づく）ことを示している。
[実施例８]
[0077]第８の実施例は、トリメチルシランを層１０２（ジメチルシランの蒸着によって形成）に４５０℃で８ ｐｓｉａの気体で１５時間にわたって導入する手順を含む。第８の実施例は、基板１００上に目に見えるまたは分光的に測定可能な被覆がなく、また、水接触角の値に大きな変化がみられないため分子被覆が形成された兆候がないなど、望ましくない結果を示している。
[実施例９]
[0078]第９の実施例は、４５０℃および２５ ｐｓｉａで約１０時間にわたって反応させたトリメチルシランを排気済みのチャンバに追加する手順を含む。その結果として得られるＦＴ−ＩＲデータは、Ｓｉ−ＯＨ官能性が欠如していることを示している。接触角の測定値は脱イオン水では９９．１°であり、疎水性が存在することを示唆している。電気化学インピーダンス分光法は、低周波数（Ｚｌｆ）で１５．４ Ｍｏｈｍのインピーダンスを示している。電気化学インピーダンス分光法はまた、ナイキスト線図によるボード線図および端子ＺＲ／ＺＩ比が０．０７２であることを示している。標準の１００ Ｃｒ６球と３．００ ｃｍ／ｓの循環線速度で０．５ Ｎの力を加え、トライボメータ（ＣＳＭ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｓ／Ｎ １８−３４３）を用いて前記材料の耐摩耗性を分析すると、前記未処理材料と比較して３４倍の増加である１．２２５ ｘ １０−４摩耗（ｍｍ３／Ｎｍ）という結果が示される。
[実施例１０]
[0079]第１０の実施例は、トリデカフルオロ １，１，２，２−テトラヒドロオクチルシランを４５０℃で約１０時間という第１の条件、３５０℃で約７時間という第２の条件、３７５℃で約７時間という第３の条件、および４００℃で約７時間という第４の条件で酸化層１０７に添加する手順を含む。
[0080]前記第１の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０８．２６°、後退するときに６１．０３°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、低周波数で電気インピーダンスが高い（ＥＩＳ Ｚｌｆ ＝ １０．２４ ＭＯｈｍ）という特性を備えている。また、厳密な酸暴露の後も前記高疎水性が保持される状況では塩酸暴露において顕著な耐腐食性（室温で２４時間にわたって６Ｍ）がみられる。ホウケイ酸ガラス試料上に茶色の被覆が表れているときは前記有機フッ素試薬が４５０℃で分解した兆候であり得る。前記第２の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１１．６２°、後退するときに９５．１２°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、低周波数でＥＩＳインピーダンスがより低い（Ｚｌｆ ＝ １６７ ｋｏｈｍ）という特性を備えている。これは前記酸化層との反応が不完全である兆候であり得るが、前記接触角が高いことから、前記有機フッ素試薬が少なくとも部分的に結合していることが確認できる。前記ホウケイ酸ガラスライナーは無色の外観を有しており、前記有機フッ素試薬の熱的分解が顕著に生じていないことを示している。ゴニオメーターの接触角はまた、疎油性が高いことを示唆しており、１０Ｗ４０モーターオイルの接触角の測定値は鏡のように研磨された３１６ステンレス鋼クーポン上で８４．８°である。前記第３の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１２．６７°、後退するときに１０２．２９°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、３５０℃で先行条件に対してＥＩＳデータが改善している（Ｚｌｆ ＝ １．０Ｍｏｈｍ）。前記ガラス表面上に茶色の残留物がある兆候がないので、前記有機フッ素試薬が熱的に分解した兆候はないが、ＥＩＳデータが改善していることはより完全な反応が生じていることを示唆している。優れた疎油性も同様に維持されており、それによって１０Ｗ４０モーターオイルでの接触角は８０．５°である。さらに、被覆クーポンを室内空気の中で４５０℃のオーブンの中に配置することによってこの表面の熱酸化抵抗性を試験する。熱酸化暴露前の前記クーポンの水接触角は１１３．８°であったが、暴露後はわずかに１１０．６°に減少した。これは熱酸化に対する耐性が高いことを示唆しており、コークスやファウリングの集積が重要な懸案となっている燃焼および汚染環境での応用にとって極めて有益な特性である。前記第４の条件下では、その結果として生じる接触角は３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１２．１４°、後退するときに９４．４７°であり、また、その結果として生じる被覆は耐引っ掻き性が優れており、ＥＩＳデータが改善している（Ｚｌｆ ＝ ２．６１ Ｍｏｈｍ）。しかし、１０Ｗ４０モーターオイルの接触角が６４．０°となって疎油性は低下し、前記有機フッ素試薬が前記ガラスクーポンの透明で無色の外観にもかかわらず初期に分解したことを示唆している。
[実施例１１]
[0081]第１１の実施例は、フルオロシランを酸化層１１０に４５０℃および３０ ｐｓｉａで約７時間にわたって添加して酸化後機能化層１０９を形成し、その酸化後機能化層が脱イオン水で疎水性を示唆する約１３５°〜約１６３°の接触角によって測定できる状態にする手順を含む。
[実施例１２]
[0082]第１２の実施例は、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノールを酸化層１０７に４００℃で約１０時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、前進するときに９２．２２°、後退するときに６６．１２°である。その結果として生じる被覆は、前記酸化蒸着をアルコール（Ｃ−ＯＨ）部分を経由して機能化することが可能であることを示している。このことは、接触角が高いこと、および、ＥＩＳインピーダンスが低周波数で適度に高いこと（Ｚｌｆ ＝ １．９３ Ｍｏｈｍ）によって確認される。前記被覆表面を５％のＮａＣｌ溶液に暴露した状態で放置する手順を含む長期のＥＩＳデータは、インピーダンスの低下を示している。これは前記被覆上の食塩水の腐食作用および材質の非最適性能を示唆している。
[実施例１３]
[0083]第１３の実施例は、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノールを酸化層１０７に４５０℃で約１０時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、前進するときに９７．９２°、後退するときに５１．０５°である。有機フッ素試薬のモル数を増やしてカルボキシシラン基材をより薄く蒸着すると（実施例１２と比較）、ＥＩＳ性能が脆弱な（Ｚｌｆ ＝ ５６．２ ｋｏｈｍ）低劣な表面が生じる。
[実施例１４]
[0084]第１４の実施例は、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノールを前記未酸化層に４００℃で約４時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０５．６７°、後退するときに４６．６６°である。ＥＩＳデータは、低周波数でインピーダンスが高いこと（Ｚｌｆ ＝ １７．８Ｍｏｈｍ）、および、酸化蒸着と比較して耐引っ掻き性が顕著に低下していることを示唆している。その後、クーポンを５０ｐｓｉａのゼロ空気の中で３００℃で２時間にわたって酸化する。その後、接触角は、ＥＩＳインピーダンス（Ｚｌｆ ＝ １１．２ ｋｏｈｍ）と同様、５４．８°に大幅に減少する。前記酸化後被覆の耐引っ掻き性は優れている。これはカルボシラン蒸着（Ｓｉ−Ｈ経由）部分を有機フッ素アルコール（Ｃ−ＯＨ官能性経由）で機能化する可能性を示唆しているが、この生成物の後酸化の結果として耐引っ掻き性は改善するが、疎水性と電気インピーダンスは失われる。
[実施例１５]
[0085]第１５の実施例は、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテルを前記カルボシラン（すなわち未酸化）層１０２に４００℃で約４時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる被覆は、脆弱な接着と脆弱な耐引っ掻き性とを備えている。これは前記カルボシランＳｉ−Ｈ部分を熱ヒドロシリル化を経由してアルケン機能性有機フッ素試薬に結合する試みである。前記ガラス試料は、ＤＩ水中での超音波処理によって容易に除去される黒ずんだ剥がれ落ちた被覆を有する。前記未被覆のガラスは艶消しの外観を有しており、前記有機フッ素試薬が分解していること、フッ化水素が形成されていること、および、前記ガラスのエッチングが生じていることを示唆している。機能化温度を下げればこの結果が改善され得ると結論づけられる。
[実施例１６]
[0086]第１６の実施例は、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテルを層１０２に３００℃で約４時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１０．９４°、後退するときに８８．０５°である。その結果として生じる被覆は、優れた接着と優れた耐引っ掻き性とを備えている。前記適度に高い水接触角は、何らかの機能化が生じていることを示唆している。優れた耐引っ掻き性もまた顕著であるが、この特性は酸化のステップなしに実現することは多くないためこれは異常である。ＥＩＳデータは、Ｚｌｆでのインピーダンスが１３．６６ Ｍｏｈｍと優れていることを明らかにしている。しかし、ＦＴＩＲデータはＳｉ−Ｈ伸縮が２０９６．５ ｃｍ−１と適度に広いことを示しており、前記カルボシラン基層でＳｉ−Ｈ部分との反応が不完全であることを示唆している。
[実施例１７]
[0087]第１７の実施例は、（ペルフルオロヘキシル）エチレンを前記未酸化層１０２に３５０℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０７．２５°、後退するときに９２．７０°である。その結果として生じる被覆は、優れた接着を備えており、優れた耐引っ掻き性を備えており、かつ極めて滑り易い（摩擦係数が低い）。高度にフッ素化したアルケンを用いた本発明のヒドロシリル化結合機構はこれらの条件である程度成功しているが、２０９６．３ ｃｍ−１の大きなＳｉ−Ｈ伸縮がなおも明白である。前記インピーダンスデータはＺｌｆ ＝ ８．８４ Ｍｏｈｍと優れた性能を示唆している。疎油性は１０Ｗ４０モーターオイルの接触角が５３．３°と適度である。硫化水素を２８ｐｐｂの濃度で長期間保有する研究を使用した不活性データは、優れた不活性を示唆している。ガスクロマトグラフ法（ＳＣＤ検出）で試験すると、３日間にわたって８８．２％のＨ２Ｓ回復率がみられる。
[実施例１８]
[0088]第１８の実施例は、（ペルフルオロブチル）エチレンを層１０２に３５０℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１１．９３°、後退するときに８９．１０°である。その結果として生じる被覆は、埃を含まず、鮮やかな色を備えている。すべてのＳｉ−Ｈ部分と反応させる試みにおいて、実施例１７で使用するものと比較してより小さいオルガノフルオロアルケンを使用する。ＦＴ−ＩＲデータはＳｉ−Ｈが２１０１．２ ｃｍ−１と大きいことをなおも示しており、ＥＩＳデータは低周波数でのインピーダンスがより不良である（Ｚｌｆ ＝ １．１６ Ｍｏｈｍ）を明らかにしている。
[実施例１９]
[0089]第１９の実施例は、（ペルフルオロヘキシル）エチレンを前記未酸化層１０２に３２５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１０８．６２°、後退するときに９９．２１°である。その結果として生じる被覆は、優れた蒸着と優れた耐引っ掻き性とを備えている。前記のより低い温度（実施例１７と比較）によってＳｉ−Ｈ部分との前記反応性は改善されず、また、ＥＩＳテスト結果（Ｚｌｆ ＝ ４．７７ Ｍｏｈｍ）も改善されない。
[実施例２０]
[0090]第２０の実施例は、（ペルフルオロオクチル）エチレンを層１０２に３２５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上を前進するときに１１２．８２°、後退するときに８９．３５°である。より大きいオルガノフルオロアルケン（実施例１７と比較）を使用すると接触角またはＥＩＳインピーダンス（Ｚｌｆ ＝ ６．６３ Ｍｏｈｍ）に対して追加の利点は得られない。硫化水素の吸着力に関するその後の不活性分析（２８ ｐｐｂの濃度での保有試験を使用）では、実施例１７よりも不良の性能が示されている。
[実施例２１]
[0091]第２１の実施例は、トリデカフルオロ １，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシランを酸化層１０７に３７５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は３１６ステンレス鋼上で１１３．９°である。前記酸化蒸着を機能化するためにアルコキシシラン機能性有機フッ素試薬を本発明の方法で使用すると、実施例１０で使用するヒドロシラン機能性有機フッ素類似物について大幅な経費節約が可能となる。この材料の熱酸化安定性は優れており、前記接触角を空気中で４５０℃に３０分間暴露した後に水接触角が１０６．６°まで減少する。空気中で４５０℃に計６０分間暴露すると１０２．２の水接触角が生じる。この強固な特性は、コーキング耐性、防汚性、および酸化環境で熱にさらされる耐静止摩擦環境で非常に望ましい。
[実施例２１]
[0092]第２１の実例は、トリフルオロプロピルトリメトキシルシランを層１０２に３７５℃で約７時間にわたって添加する手順を含む。その結果として生じる接触角は、３０４ステンレス鋼上で前進するときに９８．３°、後退するときに５９．３°である。より小さいトリフルオロプロピル試薬を本発明の方法で使用すると、前記のより大きな類似物よりも低劣な疎水性が示唆される。さらに、空気中で４５０℃に３０分間暴露した後に水接触角が７０．１°まで減少し、熱酸化抵抗性は低劣である。前記メトキシ機能性類似物（実施例２０）との適度な反応性がみられるが、費用または性能面で明らかな利点はない。
[0093]本発明の特定の特徴および実施形態のみが示され説明されているが、本特許請求の範囲で詳説されている主題事項の新規の教示内容および利点を著しく逸脱することなく多くの修正および変更（例えば、本発明の種々の素子の大きさ、寸法、構造、形状および比率、パラメータ（例えば、温度、圧力等）の値、取り付け方法、材料の使用、色、方向等の変形例）が当業者に生じ得る。あらゆる工程または方法のステップの順序または配列は、代替の実施形態に従って変更されまたは再度配列され得る。従って、添付された特許請求の範囲は、本発明の真実の趣旨に当てはまるすべてのそのような修正および変更を対象とするように意図されていることが理解されるべきである。さらに、本発明の実施形態の簡潔な説明を提供する取り組みにおいて、実際の実装のすべての特徴が説明されているわけではない（すなわち、現在考えられている本発明を実施する最良の態様と無関係な特徴や、特許請求の対象となる発明を可能にすることと無関係な特徴は説明されていない可能性がある）。あらゆるそのような実際の実装の開発において、あらゆるエンジニアリングまたは設計プロジェクトと同様に、多数の実装特有の意思決定が下され得ることが理解されるべきである。そのような開発の取り組みは複雑でかつ時間がかかるものであるかもしれないが、それにもかかわらず、不適当な実験を行うことなく本開示内容の利点を有する当業者にとっては設計、製造、および生産の日常的な引き受けである。
[発明の態様]
[１]
半導体製造工程であって、
被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布される層とを有しており、該層が液体材料によって塗布される手順と、
半導体製品を製造するためのシステム内に該被覆品を位置決めする手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。
[２]
前記層が酸化ジメチルシランを含有することを特徴とする、１に記載の工程。
[３]
前記層が酸化層、前処理層、またはその組み合わせに塗布されることを特徴とする、１に記載の工程。
[４]
前記酸化層が酸化カルボシラン材料を含有することを特徴とする、３に記載の工程。
[５]
前記酸化層が水、またはゼロ空気、またはその組み合わせによって形成されることを特徴とする、３に記載の工程。
[６]
前記酸化層が酸化ジメチルシランを含有することを特徴とする、３に記載の工程。
[７]
前記層が前記酸化ジメチルシランに塗布されるトリメチルシランを含有することを特徴とする、６に記載の工程。
[８]
前記液体材料が気体であることを特徴とする、１に記載の工程。
[９]
前記液体材料がプラズマであることを特徴とする、１に記載の工程。
[１０]
前記被覆品がチューブでありかつ前記層が該チューブの内表面であることを特徴とする、１に記載の工程。
[１１]
前記被覆品が取付金具でありかつ前記層が該取付金具の内表面であることを特徴とする、１に記載の工程。
[１２]
前記被覆品がパイプでありかつ前記層が該パイプの内表面であることを特徴とする、１に記載の工程。
[１３]
前記被覆品がチャンバでありかつ前記層が該チャンバ壁の内表面であることを特徴とする、位置に記載の工程。
[１４]
前記半導体製品が結晶性固体、多結晶材料、または非晶質材料を含有することを特徴とする、１に記載の工程。
[１５]
前記半導体製品が真性半導体を含むことを特徴とする、１に記載の工程。
[１６]
前記半導体製品が正電荷導体を有する外因性半導体を含むことを特徴とする、１に記載の工程。
[１７]
前記半導体製品が純元素半導体および化合物半導体からなる本発明の群から選択されることを特徴とする、１に記載の工程。
[１８]
前記半導体製品がアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、または硫化セレン（ＳｅＳ）からなる表面を含むことを特徴とする、１に記載の工程。
[１９]
半導体製造工程であって、
被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布される層とを有しており、該層が液体材料によって塗布される手順と、
システムの中に該被覆品を位置決めする手順と、
該システムから半導体製品を製造する手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。
[２０]
半導体製造工程であって、
化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって塗布された層を提供し、該層が液体材料によって塗布される手順と、
システムの中に該層を位置決めする手順と、
該システムから半導体製品を製造する手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。
前記半導体製品が正電荷導体を有する外因性半導体を含むことを特徴とする、１に記載の工程。
[１７]
前記半導体製品が純元素半導体および化合物半導体からなる本発明の群から選択されることを特徴とする、１に記載の工程。
[１８]
前記半導体製品がアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、または硫化セレン（ＳｅＳ）からなる表面を含むことを特徴とする、１に記載の工程。
[１９]
半導体製造工程であって、
被覆品を提供し、該被覆品が基板と化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって該基板に塗布される層とを有しており、該層が液体材料によって塗布される手順と、
システムの中に該被覆品を位置決めする手順と、
該システムから半導体製品を製造する手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。
[２０]
半導体製造工程であって、
化学気相蒸着によるジメチルシランの分解によって塗布された層を提供し、該層が液体材料によって塗布される手順と、
システムの中に該層を位置決めする手順と、
該システムから半導体製品を製造する手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。
Claims (15)
- 半導体製造工程であって、
被覆品を提供し、該被覆品は基板と、分解および熱化学気相蒸着によって該基板に塗布される層とを有し、該層は液体材料によって塗布される手順と、
半導体製品を製造するためのシステム内に該被覆品を位置決めする手順と
を含むことを特徴とする半導体製造工程。 - 前記分解がジメチルシランを含まないことを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記層が酸化ジメチルシランを含有することを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記層が酸化層、前処理層、またはその組み合わせたものに塗布されることを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記酸化層が酸化カルボシラン材料を含有することを特徴とする、請求項３に記載の工程。
- 前記酸化層が酸化ジメチルシランを含有することを特徴とする、請求項３に記載の工程。
- 前記層が前記酸化ジメチルシランに塗布されるトリメチルシランを含有することを特徴とする、請求項６に記載の工程。
- 前記液体材料が気体であることを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記液体材料がプラズマであることを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記被覆品がチューブであって前記層が該チューブの内表面である、前記被覆品が取付金具であって前記層が該取付金具の内表面である、前記被覆品がパイプであって前記層が該パイプの内表面である、または前記被覆品がチャンバであって前記層が該チャンバ壁の内表面であることを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記半導体製品が結晶性固体、多結晶材料、または非晶質材料を含有することを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記半導体製品が真性半導体を含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記半導体製品が正電荷導体を有する外因性半導体を含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記半導体製品が純元素半導体および化合物半導体からなる本発明の群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の工程。
- 前記半導体製品がアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、または硫化セレン（ＳｅＳ）からなる表面を含むことを特徴とする、請求項１に記載の工程。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/464,748 | 2014-08-21 | ||
| US14/464,748 US9340880B2 (en) | 2009-10-27 | 2014-08-21 | Semiconductor fabrication process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016046533A true JP2016046533A (ja) | 2016-04-04 |
| JP2016046533A5 JP2016046533A5 (ja) | 2020-01-09 |
Family
ID=53776472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015162941A Pending JP2016046533A (ja) | 2014-08-21 | 2015-08-20 | 半導体製造工程 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2988327A1 (ja) |
| JP (1) | JP2016046533A (ja) |
| KR (1) | KR20160028358A (ja) |
| CN (1) | CN105390371A (ja) |
| SG (1) | SG10201506024WA (ja) |
| TW (1) | TWI659121B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3954804A1 (de) | 2020-08-14 | 2022-02-16 | Siltronic AG | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht aus halbleitermaterial auf einer substratscheibe |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013508563A (ja) * | 2009-10-27 | 2013-03-07 | シルコテック コーポレイション | 化学気相成長コーティング、物品、及び方法 |
| JP2013545889A (ja) * | 2010-10-05 | 2013-12-26 | シルコテック・コーポレーション | 耐摩耗性コーティング、物品および方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4560589A (en) * | 1982-09-22 | 1985-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for providing a coating layer of silicon carbide on substrate surface |
| JP4166346B2 (ja) * | 1997-10-27 | 2008-10-15 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材、耐蝕性部材の製造方法および腐食性物質の加熱装置 |
| US6444326B1 (en) | 1999-03-05 | 2002-09-03 | Restek Corporation | Surface modification of solid supports through the thermal decomposition and functionalization of silanes |
| WO2003050324A1 (fr) * | 2001-12-03 | 2003-06-19 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Procede de formation d'un film mince, substrat presentant un film mince forme par ce procede, et dispositif de conversion photoelectrique faisant appel a ce substrat |
| US9612215B2 (en) * | 2004-07-22 | 2017-04-04 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Susceptor |
| WO2009032488A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | International Business Machines Corporation | Improved low k porous sicoh dielectric and integration with post film formation treatment |
| CN101318821A (zh) * | 2007-11-30 | 2008-12-10 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法 |
| CN102120822B (zh) * | 2011-04-02 | 2012-05-02 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种常压合成聚碳硅烷的方法 |
-
2015
- 2015-07-31 SG SG10201506024WA patent/SG10201506024WA/en unknown
- 2015-08-04 EP EP15179688.5A patent/EP2988327A1/en not_active Withdrawn
- 2015-08-11 TW TW104126087A patent/TWI659121B/zh active
- 2015-08-19 KR KR1020150116889A patent/KR20160028358A/ko unknown
- 2015-08-20 JP JP2015162941A patent/JP2016046533A/ja active Pending
- 2015-08-21 CN CN201510520640.XA patent/CN105390371A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013508563A (ja) * | 2009-10-27 | 2013-03-07 | シルコテック コーポレイション | 化学気相成長コーティング、物品、及び方法 |
| JP2013545889A (ja) * | 2010-10-05 | 2013-12-26 | シルコテック・コーポレーション | 耐摩耗性コーティング、物品および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI659121B (zh) | 2019-05-11 |
| TW201612350A (en) | 2016-04-01 |
| EP2988327A1 (en) | 2016-02-24 |
| KR20160028358A (ko) | 2016-03-11 |
| SG10201506024WA (en) | 2016-03-30 |
| CN105390371A (zh) | 2016-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9340880B2 (en) | Semiconductor fabrication process | |
| US11807777B2 (en) | Amorphous coating | |
| US10731247B2 (en) | Coated article | |
| KR102018241B1 (ko) | 코팅된 물품 및 화학적 기상증착방법 | |
| Broas et al. | Chemically stable atomic-layer-deposited Al2O3 films for processability | |
| US20150030885A1 (en) | Coated article and chemical vapor deposition process | |
| US20080090988A1 (en) | Method for handling polysilazane or polysilazane solution, polysilazane or polysilazane solution, and method for producing semiconductor device | |
| US20150064376A1 (en) | Coated automotive article | |
| Chan et al. | Metalorganic chemical vapor deposition and characterization of (Al, Si) O dielectrics for GaN-based devices | |
| Bansal et al. | Substrate modification during chemical vapor deposition of hBN on sapphire | |
| Guo et al. | Chemical treatment of low-k dielectric surfaces for patterning of thin solid films in microelectronic applications | |
| Silva-Quinones et al. | Reaction of Hydrazine with Solution-and Vacuum-Prepared Selectively Terminated Si (100) Surfaces: Pathways to the Formation of Direct Si–N Bonds | |
| JP2016046533A (ja) | 半導体製造工程 | |
| Silva-Quinones et al. | Solution chemistry to control boron-containing monolayers on silicon: Reactions of boric acid and 4-fluorophenylboronic acid with H-and Cl-terminated Si (100) | |
| JP2016046533A5 (ja) | ||
| WO2019138228A1 (en) | Graphene production method | |
| Minh et al. | Fluorinated alkyne-derived monolayers on oxide-free silicon nanowires via one-step hydrosilylation | |
| van der Wel et al. | Area-Selective Low-Pressure Thermal Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride | |
| Geidel et al. | In situ XPS investigation of the chemical surface composition during the ALD of ultra-thin aluminum oxide films | |
| Yamada | Reduction in Residual Impurities in Chemical Vapor Deposition–Grown Hexagonal Boron Nitride Thin Films | |
| Kaneda et al. | HREELS study of triethylphosphine (TEP) and tertiarybutylphosphine (TBP) on a Si (001)-(2× 1) surface | |
| Jones et al. | Atomic Layer Deposition Nucleation Dependence on Diamond Surface Termination | |
| Smith et al. | Amorphous silicon coatings for control of corrosion and metal ion contamination | |
| Zhang | Electronic Application of Two Dimensional Materials | |
| Tian | Modification of semiconductor surfaces with organic molecules by wet-chemistry approaches |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180703 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190522 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190522 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190822 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191023 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20191121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200302 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201005 |