JP2016032040A - Power semiconductor module - Google Patents

Power semiconductor module Download PDF

Info

Publication number
JP2016032040A
JP2016032040A JP2014154100A JP2014154100A JP2016032040A JP 2016032040 A JP2016032040 A JP 2016032040A JP 2014154100 A JP2014154100 A JP 2014154100A JP 2014154100 A JP2014154100 A JP 2014154100A JP 2016032040 A JP2016032040 A JP 2016032040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit body
power semiconductor
semiconductor module
case member
case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014154100A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6162659B2 (en
Inventor
臼井　正彦
Masahiko Usui
正彦 臼井
志村　隆弘
Takahiro Shimura
隆弘 志村
晃 松下
Akira Matsushita
晃 松下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority to JP2014154100A priority Critical patent/JP6162659B2/en
Publication of JP2016032040A publication Critical patent/JP2016032040A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6162659B2 publication Critical patent/JP6162659B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor module in which a circuit body can be housed in a housing space of a case member without a positional deviation.SOLUTION: In a power semiconductor module, there is provided a guide part 250 between each inner face of side face parts 233, 234 of a case member 200 and each side face 373, 374 of a circuit body 300, the guide part guiding the circuit body 300 when the circuit body 300 is inserted into a housing space through a through hole 220 of the case member 200. There is also provided a butting part 260 for restricting the insertion of the circuit body 300, between a bottom face part 235 of the case member 200 and a lower surface 375 of the circuit body 300.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、パワー半導体モジュールに関し、より詳細には、半導体素子を有する回路体が収納されたパワー半導体モジュールに関する。   The present invention relates to a power semiconductor module, and more particularly to a power semiconductor module in which a circuit body having a semiconductor element is accommodated.

自動車等の車両用に適用されるパワー半導体モジュールは、直流電力を交流電力に、または交流電力を直流電力に変換する電力変換回路を有する。電力変換回路は、発熱量が大きいパワー半導体素子を備えている。
このため、パワー半導体モジュールのケースは、通常、冷却可能な金属により形成される。ケースは、パワー半導体素子等の電子部品を有する回路体が収納される収納空間を備えている。 A power semiconductor module applied to a vehicle such as an automobile has a power conversion circuit that converts DC power into AC power or AC power into DC power. The power conversion circuit includes a power semiconductor element that generates a large amount of heat.
For this reason, the case of the power semiconductor module is usually formed of a metal that can be cooled. The case includes a storage space in which a circuit body having an electronic component such as a power semiconductor element is stored.

回路体を、ケースの挿入口から収納空間内の底面に達するまで挿入し、回路体の表裏面をケースの内面に熱伝導可能に配置したパワー半導体モジュールが知られている。回路体は、ケースに収納した後、ケースの外部から表裏両面が対向する厚さ方向に加圧され、ケース内面と回路体とが熱結合される（例えば、特許文献１参照）。   2. Description of the Related Art A power semiconductor module is known in which a circuit body is inserted from a case insertion opening until it reaches the bottom surface in a storage space, and the front and back surfaces of the circuit body are arranged on the inner surface of the case so as to be able to conduct heat. After the circuit body is housed in the case, pressure is applied from the outside of the case in the thickness direction in which the front and back surfaces face each other, and the case inner surface and the circuit body are thermally coupled (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１２−５３２２号公報JP 2012-5322 A

上記構成において、ケース内面と回路体とを熱結合するため、ケースの挿入口や内部空間は、回路体との隙間を小さくするような大きさに設定されている。このため、回路体を収納する際、回路体がケースの側面や表裏面の内面に局所的に突当り、収納空間内の正規の位置に収納することが困難となることがある。回路体が正規の位置に収納されないと、熱結合されるべき回路体の放熱面がケースの内面と位置ずれを起こしたり、隙間が生じたりして、放熱性が低下する。   In the above configuration, in order to thermally couple the inner surface of the case and the circuit body, the insertion opening and the internal space of the case are set to have a size that reduces the gap between the circuit body. For this reason, when the circuit body is stored, the circuit body locally bumps against the side surface of the case or the inner surfaces of the front and back surfaces, and it may be difficult to store the circuit body at a regular position in the storage space. If the circuit body is not housed in a proper position, the heat radiation surface of the circuit body to be thermally coupled may be displaced from the inner surface of the case or a gap may be generated, resulting in a decrease in heat dissipation.

本発明のパワー半導体モジュールは、複数の電極を有する半導体素子と、半導体素子の少なくとも一面に熱結合される導体板と、半導体素子の各電極に接続される複数の端子と、一対の側面、複数の端子が配列された上面および上面の反対面側に設けられた下面を有し、端子を外部に露出して半導体素子および導体板の周囲を封止する封止樹脂とを備えた回路体と、回路体の導体板に対面して配置された前面部と、前面部の反対面側の裏面部と、一対の側面部と、底面部と、回路体を挿入する挿入口とを有し、回路体を挿入口から端子を露出した状態で収納する収納空間が形成されたケース部材とを備え、ケース部材の各側面部の内面と回路体の各側面との間に、回路体をケース部材の挿入口から収納空間に挿入する際に回路体を案内する案内部が設けられ、ケース部材の底面部と回路体の下面との間に、回路体の挿入を規制するための突当部が設けられているものである。   The power semiconductor module of the present invention includes a semiconductor element having a plurality of electrodes, a conductor plate thermally coupled to at least one surface of the semiconductor element, a plurality of terminals connected to each electrode of the semiconductor element, a pair of side surfaces, and a plurality of side surfaces A circuit body comprising an upper surface on which the terminals of the semiconductor device are arranged and a lower surface provided on the opposite side of the upper surface, and a sealing resin that seals the periphery of the semiconductor element and the conductor plate by exposing the terminals to the outside; A front portion disposed to face the conductor plate of the circuit body, a back surface portion on the opposite side of the front surface portion, a pair of side surface portions, a bottom surface portion, and an insertion port for inserting the circuit body, And a case member formed with a storage space for storing the circuit body with the terminal exposed from the insertion port, and the circuit body is disposed between the inner surface of each side surface portion of the case member and each side surface of the circuit body. To guide the circuit body when inserting into the storage space from the insertion port Parts are provided, between the lower surface of the bottom portion and the circuit of the case member, in which the abutting portion for restricting the insertion of the circuit body is provided.

本発明によれば、回路体をケース部材に円滑に収納することが可能となり、回路体とケース部材との位置ずれに起因する放熱性の低下を抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to accommodate a circuit body in a case member smoothly, and the heat dissipation fall resulting from position shift with a circuit body and a case member can be suppressed.

本発明による一実施の形態に係るパワー半導体モジュールの外観斜視図。1 is an external perspective view of a power semiconductor module according to an embodiment of the present invention. 図１に図示されたパワー半導体モジュールの分解斜視図。FIG. 2 is an exploded perspective view of the power semiconductor module illustrated in FIG. 1. 図１に図示されたパワー半導体モジュールにおいて、金属ベースを取り除いた状態の正面図。FIG. 2 is a front view of the power semiconductor module illustrated in FIG. 1 with a metal base removed. 本発明のパワー半導体モジュールの回路の一例を示す回路図。The circuit diagram which shows an example of the circuit of the power semiconductor module of this invention. 本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態２を示し、ケース部材の中間部において底面部と平行な面で切断した状態の断面図。Sectional drawing which shows Embodiment 2 of the power semiconductor module by this invention, and cut | disconnected in the surface parallel to a bottom face part in the intermediate part of a case member. 本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態３を示し、実施形態１を示す図３と同様、金属ベースを取り除いた状態の正面図。The front view of the state which removed Embodiment 3 of the power semiconductor module by this invention and removed the metal base similarly to FIG. 3 which shows Embodiment 1. FIG. 本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態４を示し、実施形態１を示す図３と同様、金属ベースを取り除いた状態の正面図。The front view of the state which removed Embodiment 4 of Embodiment 4 of the power semiconductor module by this invention and removed the metal base similarly to FIG. 3 which shows Embodiment 1. FIG. 本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態５を示し、実施形態１を示す図３と同様、金属ベースを取り除いた状態の正面図。The front view of the state which removed Embodiment 5 of the power semiconductor module by this invention like FIG. 3 which shows Embodiment 1, and is removed.

−実施形態１−
［パワー半導体モジュールの構造］
以下、図面を参照して本発明によるパワー半導体モジュールを詳細に説明する。
図１は、本発明による一実施の形態に係るパワー半導体モジュールの外観斜視図であり、図２は、図１に図示されたパワー半導体モジュールの分解斜視図であり、図３は、図１に図示されたパワー半導体モジュールにおいて、金属ベースを取り除いた状態の正面図である。
パワー半導体モジュール１００は、ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両に搭載される。パワー半導体モジュール１００は、ケース部材２００と回路体３００とを備える。
回路体３００は、複数のパワー半導体素子を有し、直流電力を交流電力に変換する電力変換回路を備えている。不図示のバッテリやエンジンにより駆動されるオルタネータから供給される直流電力は、パワー半導体モジュール１００の回路体３００に内蔵された電力変換回路により交流電力に変換されてモータに供給される。パワー半導体モジュール１００を３個用い、各パワー半導体モジュール１００の回路体３００を接続して、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の３相ブリッジ回路を構成することができる。 Embodiment 1
[Structure of power semiconductor module]
Hereinafter, a power semiconductor module according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
1 is an external perspective view of a power semiconductor module according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of the power semiconductor module illustrated in FIG. 1, and FIG. It is a front view of the state where the metal base was removed in the illustrated power semiconductor module.
The power semiconductor module 100 is mounted on a vehicle such as a hybrid vehicle or an electric vehicle. The power semiconductor module 100 includes a case member 200 and a circuit body 300.
The circuit body 300 includes a plurality of power semiconductor elements and includes a power conversion circuit that converts DC power into AC power. DC power supplied from an alternator driven by a battery (not shown) or an engine is converted into AC power by a power conversion circuit built in the circuit body 300 of the power semiconductor module 100 and supplied to the motor. By using three power semiconductor modules 100 and connecting the circuit bodies 300 of the power semiconductor modules 100, a U-phase, V-phase, and W-phase three-phase bridge circuit can be configured.

ケース部材２００は、図２に図示されるように、枠状ケース２４０と、枠状ケース２４０の表裏面に接合された一対の金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂとにより構成されている。枠状ケース２４０と金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂとは、ともに、例えば、１０００番台、５０００番台、６０００番台のアルミニウム合金により形成されている。
枠状ケース２４０は、フランジ部２２０と、フランジ部２２０の下方に形成された枠状部２３０とを有する。フランジ部２２０と枠状部２３０は、アルミダイキャスト等により一体成形される。 As illustrated in FIG. 2, the case member 200 includes a frame-shaped case 240 and a pair of metal bases 210 </ b> A and 210 </ b> B joined to the front and back surfaces of the frame-shaped case 240. Both the frame-like case 240 and the metal bases 210A and 210B are made of, for example, aluminum alloys in the 1000s, 5000s, and 6000s.
The frame-shaped case 240 has a flange portion 220 and a frame-shaped portion 230 formed below the flange portion 220. The flange portion 220 and the frame-like portion 230 are integrally formed by aluminum die casting or the like.

枠状部２３０は、前面２３１と、前面２３１の反対側の裏面２３２と、一対の側面部２３３、２３４と、底面部２３５とを有し、ほぼ直方体形状を有する。枠状部２３０には、前・裏面２３１、２３２を貫通する、平面視でほぼ矩形形状の開口部２６１が形成されている。開口部２６１の周縁部、すなわち、枠状部２３０の前・裏面２３１、２３２の外周側辺の僅かに内側には、段部２６２が形成され、段部２６２の４つの角部は、円弧状に縁取りされている。段部２６２は、前・裏面２３１、２３２の表面から厚さ方向に窪むように形成されている。   The frame-like portion 230 includes a front surface 231, a back surface 232 opposite to the front surface 231, a pair of side surface portions 233 and 234, and a bottom surface portion 235, and has a substantially rectangular parallelepiped shape. The frame-shaped portion 230 is formed with an opening portion 261 that passes through the front and back surfaces 231 and 232 and has a substantially rectangular shape in plan view. Steps 262 are formed on the periphery of the opening 261, that is, slightly inside the outer peripheral sides of the front and back surfaces 231 and 232 of the frame-like portion 230, and the four corners of the step 262 are arcuate. It is outlined. The step portion 262 is formed so as to be recessed in the thickness direction from the front and back surfaces 231 and 232.

フランジ部２２０は、枠状部２３０より大きい外周側面を有し、枠状部２３０の前面２３１と、裏面２３２と一対の側面部２３３、２３４とを連結する。フランジ部２２０の中央部には、横長の貫通孔（挿入口）２２２が形成されている。
枠状部２３０の前面２３１と、裏面２３２と、一対の側面部２３３、２３４と、底面部２３５とにより回路体３００を収納する収納空間が形成され、この収納空間にフランジ部２２０の貫通孔２２２が連通する。回路体３００は、フランジ部２２０の貫通孔２２２から挿入され、後述する各端子をフランジ部２２０の上方に突き出した状態で、枠状ケース２４０の収納空間に収納される。枠状部２３０の一対の側面部２３３、２３４の内面には、貫通孔２２２の近傍が、貫通孔２２２側に向かって、漸次、外方に広がる傾斜部３６１が形成されている。 The flange portion 220 has a larger outer peripheral side surface than the frame-shaped portion 230, and connects the front surface 231, the back surface 232, and the pair of side surface portions 233 and 234 of the frame-shaped portion 230. A horizontally long through hole (insertion port) 222 is formed at the center of the flange portion 220.
A storage space for storing the circuit body 300 is formed by the front surface 231, the back surface 232, the pair of side surface portions 233 and 234, and the bottom surface portion 235 of the frame-shaped portion 230, and the through hole 222 of the flange portion 220 is formed in this storage space. Communicate. The circuit body 300 is inserted through the through-hole 222 of the flange portion 220 and is housed in the housing space of the frame-shaped case 240 in a state where each terminal to be described later protrudes above the flange portion 220. On the inner surfaces of the pair of side surface portions 233 and 234 of the frame-shaped portion 230, an inclined portion 361 is formed in which the vicinity of the through hole 222 gradually spreads outward toward the through hole 222 side.

金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂは、それぞれ、ほぼ平坦な板状部２１１と、板状部２１１から突出して形成された多数の柱状の放熱フィン２１２を有する。板状部２１１は、枠状部２３０の開口部２６１に嵌入される外周形状を有する。金属ベース２１０Ａは、枠状部２３０の開口部２６１に嵌合され、段部２６２上に載置される。この状態で、板状部２１１の周縁部と枠状部２３０の開口部２６１の周縁部とが、例えば、摩擦攪拌接合により接合され、接合部ＦＷ（図１参照）が形成される。枠状ケース２４０の前面２３１に金属ベース２１０Ａが接合されることにより、ケース部材２００の前面部が形成される。同様に、金属ベース２１０Ｂは、枠状部２３０の開口部２６１に嵌合され、段部２６２上に載置された状態で、板状部２１１の周縁部と枠状部２３０の開口部２６１の周縁部とが、例えば、摩擦攪拌接合により接合され、ケース部材２００の裏面部が形成される。   Each of the metal bases 210 </ b> A and 210 </ b> B has a substantially flat plate-like portion 211 and a large number of columnar heat radiation fins 212 formed to protrude from the plate-like portion 211. The plate-like portion 211 has an outer peripheral shape that is fitted into the opening 261 of the frame-like portion 230. The metal base 210 </ b> A is fitted into the opening 261 of the frame-like portion 230 and placed on the stepped portion 262. In this state, the peripheral part of the plate-like part 211 and the peripheral part of the opening part 261 of the frame-like part 230 are joined by, for example, friction stir welding to form a joint part FW (see FIG. 1). By joining the metal base 210 </ b> A to the front surface 231 of the frame-shaped case 240, the front surface portion of the case member 200 is formed. Similarly, the metal base 210 </ b> B is fitted in the opening 261 of the frame-shaped portion 230 and is placed on the stepped portion 262, so that the peripheral portion of the plate-shaped portion 211 and the opening 261 of the frame-shaped portion 230. The peripheral edge portion is joined by, for example, friction stir welding, and the back surface portion of the case member 200 is formed.

収納空間内に収納された回路体３００と、ケース部材２００の内面との間には、隙間が形成されており、回路体３００がケース部材２００の収納空間内に収納された後、この隙間に絶縁樹脂４０１が充填されて硬化される。絶縁樹脂４０１は、図１に図示されるように、フランジ部２２０の貫通孔２２２内の、フランジ部２２０の上面部２２１よりも少し低い位置まで充填される。   A gap is formed between the circuit body 300 housed in the housing space and the inner surface of the case member 200. After the circuit body 300 is housed in the housing space of the case member 200, The insulating resin 401 is filled and cured. As shown in FIG. 1, the insulating resin 401 is filled to a position slightly lower than the upper surface portion 221 of the flange portion 220 in the through hole 222 of the flange portion 220.

［回路体の回路構成］
回路体３００は、直流電力を交流電力に、または交流電力を直流電力に変換する電力変換回路を構成するパワー半導体素子を内蔵している。
図４は、図１に図示されたパワー半導体モジュールの回路の一例を示す回路図である。
図４に図示されるように、回路体３００は、上アームＩＧＢＴ１５５、上アームダイオード１５６、下アームＩＧＢＴ１５７、下アームダイオード１５８等のパワー半導体素子を有する。
上アームＩＧＢＴ１５５のゲート電極と下アームＩＧＢＴ１５７のゲート電極には、それぞれ、上アームゲート端子３２５Ｕ、下アームゲート端子３２５Ｌが接続される。上アームＩＧＢＴ１５５のエミッタ電極と下アームＩＧＢＴ１５７のエミッタ電極には、それぞれ、上アームエミッタ端子３２６Ｕ、下アームエミッタ端子３２６Ｌが接続される。 [Circuit configuration of the circuit body]
The circuit body 300 incorporates a power semiconductor element that constitutes a power conversion circuit that converts DC power into AC power or AC power into DC power.
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a circuit of the power semiconductor module shown in FIG.
As illustrated in FIG. 4, the circuit body 300 includes power semiconductor elements such as an upper arm IGBT 155, an upper arm diode 156, a lower arm IGBT 157, and a lower arm diode 158.
An upper arm gate terminal 325U and a lower arm gate terminal 325L are connected to the gate electrode of the upper arm IGBT 155 and the gate electrode of the lower arm IGBT 157, respectively. An upper arm emitter terminal 326U and a lower arm emitter terminal 326L are connected to the emitter electrode of the upper arm IGBT 155 and the emitter electrode of the lower arm IGBT 157, respectively.

上アームＩＧＢＴ１５５のコレクタ電極と上アームダイオード１５６のカソード電極は直流正極導体板３１５により接続され、直流正極導体板３１５は直流正極端子３１５Ａに接続される。上アームＩＧＢＴ１５５のエミッタ電極と上アームダイオード１５６のアノード電極は第二交流導体板３１８により接続される。
下アームＩＧＢＴ１５７のエミッタ電極と下アームダイオード１５８のアノード電極は直流負極導体板３１９により接続され、直流負極導体板３１９は直流負極端子３１９Ａに接続される。下アームＩＧＢＴ１５７のコレクタ電極と下アームダイオード１５８のカソード電極は第一交流導体板３１６により接続される。
第一交流導体板３１６と第二交流導体板３１８とは中間導体板１５９により接続される。
第一交流導体板３１６は、交流出力端子３２１に接続される。
図１に図示された回路体３００の各端子に付された参照符号は、図１に図示された上記各端子の参照符号と一致する。
なお、以下では、各導体板３１５、３１６、３１８、３１９を、適宜、単に導体板という。 The collector electrode of the upper arm IGBT 155 and the cathode electrode of the upper arm diode 156 are connected by a DC positive electrode conductor plate 315, and the DC positive electrode conductor plate 315 is connected to a DC positive electrode terminal 315A. The emitter electrode of the upper arm IGBT 155 and the anode electrode of the upper arm diode 156 are connected by a second AC conductor plate 318.
The emitter electrode of the lower arm IGBT 157 and the anode electrode of the lower arm diode 158 are connected by a DC negative conductor plate 319, and the DC negative conductor plate 319 is connected to a DC negative terminal 319A. The collector electrode of the lower arm IGBT 157 and the cathode electrode of the lower arm diode 158 are connected by a first AC conductor plate 316.
The first AC conductor plate 316 and the second AC conductor plate 318 are connected by an intermediate conductor plate 159.
The first AC conductor plate 316 is connected to the AC output terminal 321.
The reference numerals assigned to the respective terminals of the circuit body 300 illustrated in FIG. 1 coincide with the reference numerals of the respective terminals illustrated in FIG.
In the following description, the conductor plates 315, 316, 318, and 319 are simply referred to as conductor plates as appropriate.

［回路体の構成］
回路体３００の構造は図示されないが、その概要は以下の通りである。
図４に図示されるように、上アームＩＧＢＴ１５５と上アームダイオード１５６は、直流正極導体板３１５と第二交流導体板３１８との間に、各導体板３１５、３１８に熱結合した状態で挟持され、第１半導体ブロックとして形成される。下アームＩＧＢＴ１５７と下アームダイオード１５８は、交流出力端子３２１と直流負極導体板３１９との間に、各導体板３２１、３１９に熱結合した状態で挟持され第２半導体ブロックとして形成される。第一交流導体板３１６と第二交流導体板３１８とは中間導体板１５９により接続される。第１半導体ブロックと第２半導体ブロックとは、直流正極導体板３１５と第一交流導体板３１６とが同一平面となるように並べて金型内に配置され、モールド成形により、各端子３１５Ａ、３２５Ｕ、３２６Ｕ、３１９Ａ、３２１、３２５Ｌ、３２６Ｌを露出して封止される。このとき、直流正極導体板３１５と第一交流導体板３１６とは、一面側において封止樹脂の外表面と同一面とされ、樹脂から表出される。また、第二交流導体板３１８と直流負極導体板３１９とは、他面側において封止樹脂の外表面と同一面とされ、樹脂から表出される。 [Configuration of circuit body]
Although the structure of the circuit body 300 is not illustrated, the outline thereof is as follows.
As shown in FIG. 4, the upper arm IGBT 155 and the upper arm diode 156 are sandwiched between the DC positive conductor plate 315 and the second AC conductor plate 318 in a state of being thermally coupled to the conductor plates 315 and 318. , Formed as a first semiconductor block. The lower arm IGBT 157 and the lower arm diode 158 are sandwiched between the AC output terminal 321 and the DC negative conductor plate 319 while being thermally coupled to the conductor plates 321 and 319, and are formed as a second semiconductor block. The first AC conductor plate 316 and the second AC conductor plate 318 are connected by an intermediate conductor plate 159. The first semiconductor block and the second semiconductor block are arranged in the mold such that the DC positive electrode conductor plate 315 and the first AC conductor plate 316 are arranged in the same plane, and each terminal 315A, 325U, 326U, 319A, 321, 325L, and 326L are exposed and sealed. At this time, the DC positive electrode conductor plate 315 and the first AC conductor plate 316 are flush with the outer surface of the sealing resin on one side and are exposed from the resin. Further, the second AC conductor plate 318 and the DC negative electrode conductor plate 319 are flush with the outer surface of the sealing resin on the other surface side and are exposed from the resin.

つまり、回路体３００は、図２に図示されるように、パワー半導体素子に熱結合された導体板３１５、３１６の外表面が、封止樹脂４１０の一面４１０ａと同一面とされた状態で、外部に表出されている。また、図示はしないが、パワー半導体素子に熱結合された導体板３１８、３１９の外表面は、封止樹脂４１０の他面と同一面とされた状態で、外部に表出されている。封止樹脂４１０は、導体板３１５〜３１９の外周全体を覆う平坦状のほぼ直方体形状とされ、一対の側面３７３、３７４および下面３７５を有する。各側面３７３、３７４は、厚さの中央部が両端側よりも外方に張り出すように、断面がほぼ三角形状に形成されている。   That is, in the circuit body 300, as shown in FIG. 2, the outer surfaces of the conductor plates 315 and 316 thermally coupled to the power semiconductor element are flush with the one surface 410a of the sealing resin 410. Expressed externally. Although not shown, the outer surfaces of the conductor plates 318 and 319 thermally coupled to the power semiconductor element are exposed to the outside in the same state as the other surface of the sealing resin 410. The sealing resin 410 has a flat and substantially rectangular parallelepiped shape covering the entire outer periphery of the conductor plates 315 to 319 and has a pair of side surfaces 373 and 374 and a lower surface 375. Each of the side surfaces 373 and 374 has a substantially triangular cross section so that the central portion of the thickness protrudes outward from both end sides.

封止樹脂４１０の一面４１０ａから表出する導体板３１５、３１６および封止樹脂４１０の他面から表出する導体板３１８、３１９には、絶縁性熱伝導シート（絶縁性熱伝導層）４１１が貼付される。絶縁性熱伝導シート４１１に替えて熱伝導性の接着剤を塗布するようにしてもよい。
なお、図示はしないが、ダイオード１５６、１５８それぞれのアノード電極およびカソード電極を、封止樹脂の一面４１０ａまたは裏面から表出するようにしてもよい。 The conductive plates 315 and 316 exposed from one surface 410a of the sealing resin 410 and the conductive plates 318 and 319 exposed from the other surface of the sealing resin 410 are provided with insulating heat conductive sheets (insulating heat conductive layers) 411. Affixed. Instead of the insulating heat conductive sheet 411, a heat conductive adhesive may be applied.
Although not shown, the anode electrode and the cathode electrode of each of the diodes 156 and 158 may be exposed from the one surface 410a or the back surface of the sealing resin.

［ケース部材の構造］
図３に図示されるように、枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４それぞれの内面には、案内部２５０が形成されている。案内部２５０は、内側に向かって先細りとなるほぼ台形状の突起部２５１として形成され、底面部２３５の内面からの高さがほぼ同じ位置に配置されている。突起部２５１は、回路体３００に対向する側面２５２と、根元側から先端側に向けて先細りとなる直線状の傾斜面２５３ａ、２５３ｂを有する。上部側の傾斜面（上部傾斜面）２５３ａは、枠状ケース２４０の内側に向かって下り勾配の傾斜面として形成されている。下部側の傾斜面２５３ｂは、枠状ケース２４０の内側に向かって上り勾配の傾斜面として形成されている。突起部２５１は、枠状ケース２４０に一体成形され、図２に図示されるように、その厚さ（前面２３１から裏面２３２に向かう方向の長さ）は、回路体３００の封止樹脂４１０の厚さより薄く形成されている。 [Case member structure]
As shown in FIG. 3, guide portions 250 are formed on the inner surfaces of the side surface portions 233 and 234 of the frame-like case 240. The guide portion 250 is formed as a substantially trapezoidal protrusion 251 that tapers inward, and is arranged at a position where the height from the inner surface of the bottom surface portion 235 is substantially the same. The protruding portion 251 has a side surface 252 that faces the circuit body 300 and linear inclined surfaces 253a and 253b that taper from the base side toward the tip side. The upper inclined surface (upper inclined surface) 253a is formed as an inclined surface having a downward slope toward the inside of the frame-shaped case 240. The inclined surface 253b on the lower side is formed as an inclined surface having an upward slope toward the inside of the frame-shaped case 240. The protrusion 251 is integrally formed with the frame-shaped case 240, and as shown in FIG. 2, the thickness (the length in the direction from the front surface 231 to the back surface 232) of the sealing resin 410 of the circuit body 300. It is formed thinner than the thickness.

枠状ケース２４０の底面部２３５の内面には、一対の突当部２６０が形成されている。突当部２６０は、枠状ケース２４０の一方の側面部２３３と他方の側面部２３４との中心面に対して線対称に配置され、根元側が先端側よりも大きいほぼ台形形状の突起として形成されている。突当部２６０は、枠状ケース２４０に一体成形され、図２に図示されるように、その厚さ（前面２３１から裏面２３２に向かう方向の長さ）は、回路体３００の封止樹脂４１０の厚さより薄く形成されている。   A pair of abutting portions 260 are formed on the inner surface of the bottom surface portion 235 of the frame-shaped case 240. The abutting portion 260 is arranged symmetrically with respect to the center plane of the one side surface portion 233 and the other side surface portion 234 of the frame-shaped case 240, and is formed as a substantially trapezoidal protrusion whose root side is larger than the tip side. ing. The abutting portion 260 is formed integrally with the frame-like case 240, and as shown in FIG. 2, the thickness (the length in the direction from the front surface 231 to the back surface 232) is the sealing resin 410 of the circuit body 300. It is formed thinner than the thickness.

［回路体のケース部材への収納］
枠状ケース２４０の前・裏面２３１、２３２に金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂを接合し、ケース部材２００を形成した後、ケース部材２００内に回路体３００が収納される。
回路体３００は、その下面３７５側をケース部材２００側に向け、上面３７６側を反対面側にして、フランジ部２２０の貫通孔２２２からケース部材２００内に挿入される。回路体３００は、ケース部材２００の側面部２３３、２３４の内面に回路体３００の側面３７３、３７４を沿わせながら底面部２３５側に挿入されていく。挿入の過程において、回路体３００の下面３７５が枠状ケース２４０の突起部２５１に当接すると、回路体３００は突起部２５１の傾斜面２５３ａに案内されて突起部２５１の側面２５２間に嵌入する。これにより、回路体３００は、その側面３７３、３７４が枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４に対して傾いて挿入された場合でも、その側面３７３、３７４が枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４に対して平行となるように矯正される。 [Storage of circuit body in case member]
After the metal bases 210 </ b> A and 210 </ b> B are joined to the front and back surfaces 231 and 232 of the frame-like case 240 to form the case member 200, the circuit body 300 is accommodated in the case member 200.
The circuit body 300 is inserted into the case member 200 from the through hole 222 of the flange portion 220 with the lower surface 375 side facing the case member 200 side and the upper surface 376 side facing the opposite surface side. The circuit body 300 is inserted into the bottom surface portion 235 side along the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300 along the inner surfaces of the side surface portions 233 and 234 of the case member 200. In the process of insertion, when the lower surface 375 of the circuit body 300 comes into contact with the protrusion 251 of the frame-like case 240, the circuit body 300 is guided by the inclined surface 253 a of the protrusion 251 and fits between the side surfaces 252 of the protrusion 251. . Thereby, even when the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300 are inserted to be inclined with respect to the side surface portions 233 and 234 of the frame-shaped case 240, the side surfaces 373 and 374 are inserted into the side surface portions 233 and It is corrected so as to be parallel to 234.

このようにして、回路体３００は、ほぼ正規の姿勢のまま挿入され、その下面３７５が、枠状ケース２４０の突当部２６０に当接する。なお、「正規の姿勢」とは、設計上の公差内に収まる姿勢状態をいう。回路体３００の下面３７５が、枠状ケース２４０の突当部２６０に当接することにより、回路体３００をそれ以上挿入することが規制される。突当部２６０は、枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４の中心面に対して線対称に設けられている。従って、回路体３００の下面３７５が、側面部２３３、２３４の一方にのみ当接する片当り状態となった場合、回路体３００を時計方向および反時計方向に揺動させ、最も安定した位置に保持することにより、回路体３００をケース部材２００の収納空間内の正規の位置に収納させることができる。   In this way, the circuit body 300 is inserted in a substantially normal posture, and the lower surface 375 abuts against the abutting portion 260 of the frame-like case 240. The “regular posture” refers to a posture state that falls within design tolerances. When the lower surface 375 of the circuit body 300 abuts against the abutting portion 260 of the frame-shaped case 240, the further insertion of the circuit body 300 is restricted. The abutting portion 260 is provided line-symmetrically with respect to the center surface of the side surface portions 233 and 234 of the frame-like case 240. Therefore, when the lower surface 375 of the circuit body 300 comes into a single-contact state in which only the one of the side surface portions 233 and 234 comes into contact, the circuit body 300 is swung clockwise and counterclockwise and held in the most stable position. By doing so, the circuit body 300 can be stored at a regular position in the storage space of the case member 200.

図３において、回路体３００の下面３７５からは、リードの端面３３３が露出している。図示はしないが、導体板３１５および導体板３１６、または導体板３１８および導体板３１９は、それぞれ、連結部により連結された１つのリードフレームから形成される。上述した如く、導体板３１５〜３１９は封止樹脂４１０により封止されるが、導体板３１５および導体板３１６、または導体板３１８および導体板３１９は、封止前にはリードフレームの連結部により連結されている。連結部は、樹脂封止後に回路体３００を成型用金型から取り出す際に使用するためのものであり、金型から取り出した後に切断して、除去される。リードの端面３３３は、この切断面である。突当部２６０がリードの端面３３３に接続されると短絡を生じるので、各突当部２６０は、リードの端面３３３に接触しない位置に形成されている。   In FIG. 3, the end surface 333 of the lead is exposed from the lower surface 375 of the circuit body 300. Although not shown, each of the conductor plate 315 and the conductor plate 316, or the conductor plate 318 and the conductor plate 319 is formed by one lead frame connected by a connecting portion. As described above, the conductor plates 315 to 319 are sealed with the sealing resin 410, but the conductor plate 315 and the conductor plate 316, or the conductor plate 318 and the conductor plate 319 are connected by the connecting portion of the lead frame before sealing. It is connected. The connecting portion is for use when the circuit body 300 is taken out from the molding die after resin sealing, and is cut and removed after taking out from the die. The end surface 333 of the lead is this cut surface. When the abutting portion 260 is connected to the end surface 333 of the lead, a short circuit occurs. Therefore, each abutting portion 260 is formed at a position that does not contact the end surface 333 of the lead.

上記一実施の形態のパワー半導体モジュール１００によれば下記の効果を奏する。
（１）枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４それぞれの内面に案内部２５０が設けられている。案内部２５０には、枠状ケース２４０の貫通孔２２２に対向する上部側に、内側に向けて下り勾配の傾斜面２５３ａが形成されている。このため、回路体３００をケース部材２００の収納空間内に収納する際、回路体３００が枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４に対して傾斜して挿入された場合でも、回路体３００の側面３７３、３７４が枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４に対して平行となるように矯正される。 According to the power semiconductor module 100 of the one embodiment, the following effects are obtained.
(1) Guide portions 250 are provided on the inner surfaces of the side surface portions 233 and 234 of the frame-shaped case 240. In the guide portion 250, an inclined surface 253 a that is inclined downward is formed on the upper side facing the through hole 222 of the frame-like case 240. For this reason, when the circuit body 300 is stored in the storage space of the case member 200, even when the circuit body 300 is inserted to be inclined with respect to the side surface portions 233 and 234 of the frame-shaped case 240, 373 and 374 are corrected so as to be parallel to the side portions 233 and 234 of the frame-like case 240.

（２）枠状ケース２４０の底面部２３５の内面に突当部２６０が設けられている。このため、回路体３００の下面３７５が底面部２３５に対して傾斜して挿入された場合でも、回路体３００を揺動することにより、回路体３００の下面３７５を枠状ケース２４０の底面部２３５の内面と平行にすることができる。
上記（１）および（２）により、回路体３００をケース部材２００の収納空間内の正規の位置に収納することができる。これにより、回路体３００とケース部材との位置ずれに起因する放熱性の低下を抑制することができる。 (2) The abutting portion 260 is provided on the inner surface of the bottom surface portion 235 of the frame-like case 240. For this reason, even when the lower surface 375 of the circuit body 300 is inserted to be inclined with respect to the bottom surface portion 235, the lower surface 375 of the circuit body 300 is swung to the bottom surface portion 235 of the frame-shaped case 240 by swinging the circuit body 300. Can be parallel to the inner surface.
By the above (1) and (2), the circuit body 300 can be stored at a regular position in the storage space of the case member 200. Thereby, the fall of the heat dissipation resulting from position shift with the circuit body 300 and a case member can be suppressed.

（３）案内部２５０は、その厚さが回路体３００の封止樹脂４１０の厚さより薄く形成されている。このため、回路体３００をケース部材２００内に収納後、絶縁樹脂４０１を充填する際、絶縁樹脂４０１の流れが案内部２５０により止められることはない。また、案内部２５０が、根元側から先端側に向けて先細りの形状とされていることにより、絶縁樹脂４０１の流れが円滑となる。 (3) The guide portion 250 is formed so that the thickness thereof is thinner than the thickness of the sealing resin 410 of the circuit body 300. For this reason, when the insulating resin 401 is filled after the circuit body 300 is stored in the case member 200, the flow of the insulating resin 401 is not stopped by the guide portion 250. Further, since the guide portion 250 has a tapered shape from the root side to the tip side, the flow of the insulating resin 401 becomes smooth.

（４）同様に、突当部２６０は、その厚さが回路体３００の封止樹脂４１０の厚さより薄く形成されている。このため、回路体３００をケース部材２００内に収納後、絶縁樹脂４０１を充填する際、絶縁樹脂４０１の流れが突当部２６０により止められることはない。また、突当部２６０が、根元側から先端側に向けて先細りの形状とされていることにより、絶縁樹脂４０１の流れが円滑となる。
上記（３）および（４）により、ケース部材２００の収納空間内に収納された回路体３００とケース部材２００の内面との間に絶縁樹脂４０１が一様に充填される。 (4) Similarly, the abutting portion 260 is formed with a thickness smaller than the thickness of the sealing resin 410 of the circuit body 300. Therefore, when the insulating resin 401 is filled after the circuit body 300 is stored in the case member 200, the flow of the insulating resin 401 is not stopped by the abutting portion 260. Moreover, the flow of the insulating resin 401 becomes smooth because the abutting portion 260 has a tapered shape from the base side toward the tip side.
By the above (3) and (4), the insulating resin 401 is uniformly filled between the circuit body 300 housed in the housing space of the case member 200 and the inner surface of the case member 200.

（５）突当部２６０は、回路体３００のリードの端面３３３に接触しない位置に形成されている。このため、回路体３００の半導体素子を支持する導体板をリードフレームにより形成し、枠状ケース２４０を金属部材で形成しても回路体３００の短絡を防ぐことができる。つまり、リードフレームを導体板とする生産性の良い製造方法により作製した回路体３００、および枠状ケース２４０を金属製とする簡素な放熱構造を有するケース部材２００を用いた場合でも、本発明を採用することができる。 (5) The abutting portion 260 is formed at a position where it does not contact the end surface 333 of the lead of the circuit body 300. For this reason, even if the conductor plate that supports the semiconductor element of the circuit body 300 is formed of a lead frame and the frame-like case 240 is formed of a metal member, the circuit body 300 can be prevented from being short-circuited. That is, even when the circuit body 300 manufactured by a highly productive manufacturing method using a lead frame as a conductor plate and the case member 200 having a simple heat dissipation structure in which the frame-like case 240 is made of metal, the present invention is used. Can be adopted.

−実施形態２−
図５は、本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態２を示し、ケース部材の中間部において底面部と平行な面で切断した状態の断面図である。
実施形態２のパワー半導体モジュール１００Ａは、案内部２５０Ａが、実施形態１の案内部２５０と相違する。
枠状ケース２４０Ａに一体成形された案内部２５０Ａは、幅広の先端部２５４と、幅狭の支持部２５５とを有している。先端部２５４は、矩形状断面を有し、支持部２５５は、根元から先端部２５４まで、一様に、先端部２５４の厚さよりも薄い矩形状断面に形成されている。上述したように、回路体３００の側面３７３、３７４は、厚さの中央部が両端側よりも外方に張出して形成されており、先端側が幅狭に形成されている。案内部２５０Ａの先端部２５４は幅広に形成されているので、回路体３００が厚さ方向にずれた状態でケース部材２００内に挿入された場合でも、回路体３００側面３７３、３７４の厚さの中央部が案内部２５０Ａの先端部２５４に当接する。 Embodiment 2
FIG. 5 shows a second embodiment of the power semiconductor module according to the present invention, and is a cross-sectional view showing a state in which a middle portion of the case member is cut along a plane parallel to the bottom portion.
The power semiconductor module 100A of the second embodiment is different from the guide portion 250 of the first embodiment in the guide portion 250A.
The guide portion 250A integrally formed with the frame-like case 240A has a wide tip portion 254 and a narrow support portion 255. The distal end portion 254 has a rectangular cross section, and the support portion 255 is uniformly formed from the root to the distal end portion 254 with a rectangular cross section that is thinner than the thickness of the distal end portion 254. As described above, the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300 are formed such that the central portion of the thickness projects outward from the both end sides, and the tip end side is formed narrower. Since the leading end portion 254 of the guide portion 250A is formed wide, even when the circuit body 300 is inserted into the case member 200 in a state of being shifted in the thickness direction, the thickness of the circuit body 300 side surfaces 373 and 374 is reduced. The center part abuts on the tip part 254 of the guide part 250A.

なお、図示はしないが、案内部２５０Ａには、ケース部材２００の貫通孔２２２に対向する上部側に、実施形態１と同様に、根元側が先端側によりも貫通孔２２２側に近い下り勾配の傾斜面２５３ａを形成することが好ましい。   Although not shown in the drawings, the guide portion 250A has a downward slope on the upper side facing the through hole 222 of the case member 200, similar to the first embodiment, with the root side closer to the through hole 222 side than the tip side. It is preferable to form the surface 253a.

実施形態２における他の構成は実施形態１と同様である
従って、実施形態２のパワー半導体モジュール１００Ａにおいても、実施形態１のパワー半導体モジュール１００と同様な効果を奏する。
特に、実施形態２では、案内部２５０Ａの支持部２５５が、薄く形成されているので、ケース部材２００内に絶縁樹脂４０１を充填する際、絶縁樹脂４０１の流れをより円滑にすることができる。 Other configurations in the second embodiment are the same as those in the first embodiment. Therefore, the power semiconductor module 100A in the second embodiment also has the same effects as the power semiconductor module 100 in the first embodiment.
In particular, in Embodiment 2, since the support portion 255 of the guide portion 250A is formed thin, when the insulating resin 401 is filled in the case member 200, the flow of the insulating resin 401 can be made smoother.

−実施形態３−
図６は、本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態３を示し、実施形態１を示す図３と同様、金属ベースを取り除いた状態の正面図である。
実施形態３のパワー半導体モジュールは、案内部および突当部を回路体に形成した構造を備えている。
回路体３００Ｂの側面３７３、３７４のそれぞれには、案内部２５０Ｂが形成され、下面３７５には、一対の突当部２６０Ａが形成されている。案内部２５０Ｂおよび突当部２６０Ａは、封止樹脂４１０Ａに一体成形されている。 Embodiment 3
FIG. 6 shows a third embodiment of the power semiconductor module according to the present invention, and is a front view in a state where the metal base is removed as in FIG. 3 showing the first embodiment.
The power semiconductor module of Embodiment 3 has a structure in which a guide part and a bump part are formed in a circuit body.
A guide portion 250B is formed on each of the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300B, and a pair of abutting portions 260A are formed on the lower surface 375. The guide portion 250B and the abutting portion 260A are integrally formed with the sealing resin 410A.

一対の案内部２５０Ｂは、それぞれ台形状の突起部２５１ｂとして形成され、下面３７５からの高さがほぼ同じ位置に配置されている。突起部２５１ｂは、回路体３００Ｂに対向する側面２５２ｂと、根元側から先端側に向けて先細りとなる直線状の傾斜面２５３ｃ、２５３ｄを有する。下部側の傾斜面（下部傾斜面）２５３ｃは、外側に向けて上り勾配の傾斜面として形成されている。上部側の傾斜面２５３ｄは、外側に向けて下り勾配の傾斜面として形成されている。   The pair of guide portions 250B are each formed as a trapezoidal protrusion 251b, and are disposed at substantially the same height from the lower surface 375. The protruding portion 251b has a side surface 252b facing the circuit body 300B, and linear inclined surfaces 253c and 253d that taper from the root side toward the tip side. The lower inclined surface (lower inclined surface) 253c is formed as an upward inclined surface toward the outside. The upper side inclined surface 253d is formed as an inclined surface having a downward slope toward the outside.

突当部２６０Ａは、回路体３００Ｂの一方の側面３７３と他方の側面３７４との中心面に対して線対称に配置され、根元側が先端側よりも大きいほぼ台形形状の突起として形成されている。突当部２６０Ａは、リードの端面３３３間に、リードの端面３３３より突出して形成されている。これにより、回路体３００Ｂと枠状ケース２４０Ｂとの短絡が防止される。
図示はしないが、案内部２５０Ｂおよび突当部２６０Ａは、それぞれ、枠状ケース２４０Ｂの厚さより薄く形成されている。 The abutting portion 260A is arranged in line symmetry with respect to the center plane of the one side surface 373 and the other side surface 374 of the circuit body 300B, and is formed as a substantially trapezoidal protrusion whose root side is larger than the tip side. The abutting portion 260A is formed between the end surfaces 333 of the leads so as to protrude from the end surfaces 333 of the leads. This prevents a short circuit between the circuit body 300B and the frame-like case 240B.
Although not shown, the guide portion 250B and the abutting portion 260A are each formed thinner than the thickness of the frame-like case 240B.

実施形態３の他の構成は、実施形態１と同様である。
なお、実施形態３において、突当部２６０Ａは、実施形態１と同様、枠状ケース２４０Ｂに一体成形するようにしてもよい。 Other configurations of the third embodiment are the same as those of the first embodiment.
In the third embodiment, the abutting portion 260A may be integrally formed in the frame-like case 240B as in the first embodiment.

実施形態３のパワー半導体モジュール１００Ｂにおいても、回路体３００Ｂのケース部材２００への挿入を案内する案内部２５０Ｂ、および回路体３００Ｂの挿入を規制する突当部２６０Ａを備えている。また、案内部２５０Ｂの下部側には、外側に向けて上り勾配とされた傾斜面２５３ｃが形成されており、さらに、案内部２５０Ｂおよび突当部２６０Ａは、それぞれ、枠状ケース２４０Ｂの厚さより薄く形成されている。
従って、実施形態３のパワー半導体モジュール１００Ｂも実施形態１のパワー半導体モジュール１００と同様な効果を有する。 The power semiconductor module 100B of the third embodiment also includes a guide portion 250B that guides insertion of the circuit body 300B into the case member 200, and an abutment portion 260A that restricts insertion of the circuit body 300B. In addition, an inclined surface 253c that is inclined upward toward the outside is formed on the lower side of the guide portion 250B, and the guide portion 250B and the abutting portion 260A are respectively formed from the thickness of the frame-like case 240B. Thinly formed.
Therefore, the power semiconductor module 100B of the third embodiment also has the same effect as the power semiconductor module 100 of the first embodiment.

−実施形態４−
図７は、本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態４を示し、実施形態１を示す図３と同様、金属ベースを取り除いた状態の正面図である。
実施形態４のパワー半導体モジュール１００Ｃは、回路体の挿入を案内する案内部が突起部ではない点に特徴を有する。
図７に図示されるように、回路体３００Ｃの挿入を案内する案内部２５０Ｃは、枠状ケース２４０Ｃに形成された傾斜部２５１ｃとして形成されている。
傾斜部２５１ｃは、枠状ケース２４０Ｃの各側面部２３３、２３４の内面の、高さ方向における中間位置から、フランジ部２２０の貫通孔２２２側に向かって、外方に広がる方向に延在されている。傾斜部２５１ｃは、回路体３００Ｃの側面３７３、３７４と平行な端部側内面３６２に接続され、端部側内面３６２は、フランジ部２２０に形成された貫通孔２２２に接続されている。フランジ部２２０の貫通孔２２２の内面間の長さは、端部側内面３６２間の長さよりも大きく形成され、回路体３００Ｃの挿入が、可能となっている。 Embodiment 4
FIG. 7 shows a power semiconductor module according to a fourth embodiment of the present invention, and is a front view showing a state in which the metal base is removed as in FIG. 3 showing the first embodiment.
The power semiconductor module 100C of the fourth embodiment is characterized in that the guide part for guiding the insertion of the circuit body is not a protrusion.
As shown in FIG. 7, the guide part 250C for guiding the insertion of the circuit body 300C is formed as an inclined part 251c formed in the frame-like case 240C.
The inclined portion 251c extends from the intermediate position in the height direction of the inner surface of each side surface portion 233, 234 of the frame-shaped case 240C toward the through hole 222 side of the flange portion 220 in a direction that spreads outward. Yes. The inclined portion 251c is connected to an end-side inner surface 362 parallel to the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300C, and the end-side inner surface 362 is connected to a through hole 222 formed in the flange portion 220. The length between the inner surfaces of the through holes 222 of the flange portion 220 is formed to be larger than the length between the end portion-side inner surfaces 362, and the circuit body 300C can be inserted.

回路体３００Ｃの側面３７３、３７４は、上下方向において直線的に延在されている。回路体３００Ｃの側面３７３、側面３７４間の長さは、枠状ケース２４０Ｃの側面部２３３の内面と側面部２３４の内面間に充填される封止樹脂４１０の厚さとなるように設定される。回路体３００Ｃの下面３７５には、実施形態３と同様、封止樹脂４１０に一体に形成される突当部２６０Ａが形成されている。   The side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300C extend linearly in the vertical direction. The length between the side surface 373 and the side surface 374 of the circuit body 300C is set to be the thickness of the sealing resin 410 filled between the inner surface of the side surface portion 233 and the inner surface of the side surface portion 234 of the frame-like case 240C. The lower surface 375 of the circuit body 300C is formed with an abutting portion 260A formed integrally with the sealing resin 410, as in the third embodiment.

実施形態４において、ケース部材２００内に挿入される回路体３００Ｃは、傾斜部２５１ｃに案内されて、枠状ケース２４０Ｃの側面部２３３の内面と側面部２３４の内面との間に嵌入される。これにより、回路体３００Ｃを、ケース部材２００の収納空間内の正規の位置に収納させることができる。   In the fourth embodiment, the circuit body 300C inserted into the case member 200 is guided by the inclined portion 251c and is inserted between the inner surface of the side surface portion 233 and the inner surface of the side surface portion 234 of the frame-like case 240C. Thereby, the circuit body 300 </ b> C can be stored at a regular position in the storage space of the case member 200.

実施形態４の他の構成は、実施形態３と同様である。
なお、実施形態４において、突当部２６０Ａは、実施形態１と同様、枠状ケース２４０Ｃに一体成形するようにしてもよい。 Other configurations of the fourth embodiment are the same as those of the third embodiment.
In the fourth embodiment, the abutting portion 260A may be integrally formed in the frame-like case 240C as in the first embodiment.

実施形態４のパワー半導体モジュール１００Ｃにおいても、回路体３００Ｃのケース部材２００への挿入を案内する案内部２５０Ｃ、および回路体３００Ｃの挿入を規制する突当部２６０Ａを備えている。また、枠状ケース２４０Ｃの案内部２５０Ｃは、内側に向かって下り勾配とされた傾斜部２５１ｃとして形成されている。さらに、枠状ケース２４０Ｃの側面部２３３、２３４の各内面と回路体３００Ｃの側面３７３、３７４の各内面との隙間を塞ぐ部材を有していない。
従って、実施形態４のパワー半導体モジュール１００Ｃも実施形態１のパワー半導体モジュール１００と同様な効果を有する。 The power semiconductor module 100C of the fourth embodiment also includes a guide portion 250C that guides insertion of the circuit body 300C into the case member 200, and an abutment portion 260A that restricts insertion of the circuit body 300C. Further, the guide portion 250C of the frame-like case 240C is formed as an inclined portion 251c that is inclined downward toward the inside. Furthermore, there is no member that closes the gap between the inner surfaces of the side surfaces 233 and 234 of the frame-like case 240C and the inner surfaces of the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300C.
Therefore, the power semiconductor module 100C of the fourth embodiment has the same effect as the power semiconductor module 100 of the first embodiment.

−実施形態５−
図８は、本発明によるパワー半導体モジュールの実施形態５を示し、実施形態１を示す図３と同様、金属ベースを取り除いた状態の正面図である。
実施形態４では、案内部２５０Ｃは、端部側内面３６２を介してフランジ部２２０の上面部２２１に接続された構成であった。これに対し、実施形態５のパワー半導体モジュール１００Ｄでは、案内部２５０Ｄが、フランジ部２２０の貫通孔２２２ａにより形成された構成とされている。
つまり、枠状ケース２４０Ｄのフランジ部２２０の貫通孔２２２ａが形成された内面は、案内部２５０Ｄとしての機能を有する直線状の傾斜部２５１ｄとされている。換言すれば、傾斜部２５１ｄは、フランジ部２２０の上面部２２１から、直接、枠状ケース２４０Ｄの側面部２３３、２３４の各内面に延在されている。 -Embodiment 5
FIG. 8 shows a power semiconductor module according to a fifth embodiment of the present invention, and is a front view with the metal base removed, similar to FIG. 3 showing the first embodiment.
In the fourth embodiment, the guide portion 250 </ b> C is configured to be connected to the upper surface portion 221 of the flange portion 220 via the end portion side inner surface 362. On the other hand, in the power semiconductor module 100D of the fifth embodiment, the guide portion 250D is configured by the through hole 222a of the flange portion 220.
That is, the inner surface where the through hole 222a of the flange portion 220 of the frame-like case 240D is formed is a linear inclined portion 251d having a function as the guide portion 250D. In other words, the inclined portion 251d extends directly from the upper surface portion 221 of the flange portion 220 to each inner surface of the side surface portions 233 and 234 of the frame-like case 240D.

実施形態５において、ケース部材２００内に挿入される回路体３００Ｃは、傾斜部２５１ｄに案内されて、枠状ケース２４０Ｄの側面部２３３の内面と側面部２３４の内面との間に嵌入される。これにより、回路体３００Ｃを、ケース部材２００の収納空間内の正規の位置に収納させることができる。   In the fifth embodiment, the circuit body 300C inserted into the case member 200 is guided by the inclined portion 251d and is inserted between the inner surface of the side surface portion 233 and the inner surface of the side surface portion 234 of the frame-like case 240D. Thereby, the circuit body 300 </ b> C can be stored at a regular position in the storage space of the case member 200.

実施形態５における他の構成は、実施形態４と同様である。
なお、実施形態５において、突当部２６０Ａは、実施形態１と同様、枠状ケース２４０Ｄに一体成形するようにしてもよい。 Other configurations in the fifth embodiment are the same as those in the fourth embodiment.
In the fifth embodiment, the abutting portion 260A may be integrally formed in the frame-like case 240D as in the first embodiment.

実施形態５のパワー半導体モジュール１００Ｄにおいても、回路体３００Ｃのケース部材２００への挿入を案内する案内部２５０Ｄ、および回路体３００Ｃの挿入を規制する突当部２６０Ａを備えている。また、枠状ケース２４０Ｄに形成された案内部２５０Ｄは、内側に向けて下り勾配の傾斜部２５１ｄとして形成されている。さらに、枠状ケース２４０Ｄの側面部２３３、２３４の各内面と回路体３００Ｃの側面３７３、３７４の各内面との間を塞ぐ部材を有していない。
従って、実施形態５のパワー半導体モジュール１００Ｃも実施形態１のパワー半導体モジュール１００と同様な効果を有する。
なお、実施形態５において、突当部２６０Ａは、実施形態１と同様、枠状ケース２４０Ｃに一体成形するようにしてもよい。 The power semiconductor module 100D of the fifth embodiment also includes a guide portion 250D that guides the insertion of the circuit body 300C into the case member 200, and an abutting portion 260A that restricts the insertion of the circuit body 300C. Further, the guide portion 250D formed in the frame-like case 240D is formed as an inclined portion 251d having a downward slope toward the inside. Further, there is no member for closing between the inner surfaces of the side surfaces 233 and 234 of the frame-like case 240D and the inner surfaces of the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300C.
Therefore, the power semiconductor module 100C of the fifth embodiment has the same effect as the power semiconductor module 100 of the first embodiment.
In the fifth embodiment, the abutting portion 260A may be integrally formed in the frame-like case 240C as in the first embodiment.

なお、上記各実施形態では、案内部２５０、２５０Ａ〜２５０Ｄの各傾斜面２５３ａ、２５３ｄまたは傾斜部２５１ｃ、２５１ｄは、直線状として例示した。しかし、傾斜面２５３ａ、２５３ｄまたは傾斜部２５１ｃ、２５１ｄは、円弧状や、楕円状等の湾曲形状としてもよい。   In the above embodiments, the inclined surfaces 253a and 253d or the inclined portions 251c and 251d of the guide portions 250 and 250A to 250D are illustrated as straight lines. However, the inclined surfaces 253a and 253d or the inclined portions 251c and 251d may have a curved shape such as an arc or an ellipse.

上記各実施形態では金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂが、放熱フィン２１２を有している構造として例示した。しかし、金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂは、放熱フィン２１２を有していなくてもよい。   In the above embodiments, the metal bases 210 </ b> A and 210 </ b> B are exemplified as structures having the heat radiation fins 212. However, the metal bases 210 </ b> A and 210 </ b> B may not have the heat radiation fins 212.

上記実施形態では、回路体３００の導体板３１５、３１６、３１８、３１９に絶縁性熱伝導シート４１１を貼付した構造して例示した。しかし、回路体３００の導体板３１５、３１６、３１８、３１９に絶縁性熱伝導シート４１１を貼付せず、導体板３１５、３１６、３１８、３１９が、直接、金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂに接触するようにしてもよい。   In the said embodiment, the structure which stuck the insulating heat conductive sheet 411 on the conductor plates 315, 316, 318, and 319 of the circuit body 300 illustrated. However, the insulating heat conductive sheet 411 is not affixed to the conductor plates 315, 316, 318, and 319 of the circuit body 300, and the conductor plates 315, 316, 318, and 319 are in direct contact with the metal bases 210A and 210B. May be.

上記実施形態では、枠状ケース２４０の表裏面に金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂが接合されたケース部材２００として例示した。しかし、枠状ケース２４０には、金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂの一方が一体形成されており、金属ベース２１０Ａ、２１０Ｂの他方のみを枠状ケース２４０に接合してケース部材２００を構成するようにしてもよい。   In the said embodiment, it illustrated as the case member 200 by which metal base 210A, 210B was joined to the front and back of the frame-shaped case 240. FIG. However, one of the metal bases 210A and 210B is integrally formed in the frame-shaped case 240, and only the other of the metal bases 210A and 210B is joined to the frame-shaped case 240 to form the case member 200. Good.

上記実施形態１において、案内部２５０は、枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４の各内面に１つずつ形成した構成として例示した。しかし、案内部２５０は、枠状ケース２４０の側面部２３３、２３４の各内面に複数個、配列してもよい。   In the said Embodiment 1, the guide part 250 was illustrated as a structure formed 1 each in each inner surface of the side parts 233 and 234 of the frame-shaped case 240. FIG. However, a plurality of guide portions 250 may be arranged on each inner surface of the side surface portions 233 and 234 of the frame-like case 240.

同様に、上記実施形態３において、案内部２５０Ｂは、回路体３００Ｂの各側面３７３、３７４に１つずつ形成した構成として例示した。しかし、案内部２５０Ｂは、回路体３００Ｂの各側面３７３、３７４に複数個、配列してもよい。   Similarly, in the third embodiment, the guide portion 250B is exemplified as a configuration in which one guide portion 250B is formed on each of the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300B. However, a plurality of guide portions 250B may be arranged on each of the side surfaces 373 and 374 of the circuit body 300B.

上記実施形態では、回路体３００は、半導体素子を一対の導体板により挟持して形成された半導体ブロックを２個備える構造として例示した。しかし、回路体３００が、半導体ブロックを、１個または３個以上備える場合にも適用することができる。また、導体板は半導体素子の一面側のみに配置されている構造であってもよく、半導体ブロックの構造は、上記実施形態に特定されるものではない。   In the embodiment described above, the circuit body 300 is exemplified as a structure including two semiconductor blocks formed by sandwiching a semiconductor element between a pair of conductor plates. However, the present invention can also be applied to the case where the circuit body 300 includes one or more semiconductor blocks. Further, the conductor plate may be arranged on only one surface side of the semiconductor element, and the structure of the semiconductor block is not limited to the above embodiment.

本発明は、回路体３００が、インバータ回路、コンバータ回路等の電力変換回路を有するパワー半導体モジュールに適用することができる。   The present invention can be applied to a power semiconductor module in which the circuit body 300 includes a power conversion circuit such as an inverter circuit or a converter circuit.

その他、本発明のパワー半導体モジュールは、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して適用することが可能であり、要は、ケース部材の各側面部の内面と回路体の各側面との間に、回路体をケース部材の挿入口から収納空間に挿入する際に回路体を案内する案内部が設けられ、ケース部材の底面部および回路体の下面との少なくとも一方に、回路体の挿入を規制するための突当部が設けられている構成であればよい。   In addition, the power semiconductor module of the present invention can be variously modified and applied within the scope of the invention. In short, the power semiconductor module of the present invention can be applied between the inner surface of each side surface portion of the case member and each side surface of the circuit body. There is provided a guide portion for guiding the circuit body when the circuit body is inserted into the storage space from the insertion opening of the case member, and the circuit body is inserted into at least one of the bottom surface portion of the case member and the lower surface of the circuit body. What is necessary is just the structure in which the abutting part for restricting is provided.

１００、１００Ａ〜１００Ｄ パワー半導体モジュール
１５５、１５７ ＩＧＢＴ
１５６、１５８ ダイオード
２００ ケース部材
２１０Ａ、２１０Ｂ 金属ベース
２１１ 板状部
２１２ 放熱フィン
２２０ フランジ部
２２１ ケース部材の上面部
２２２、２２２ａ 貫通孔（挿入口）
２３０ 枠状部
２３１ 前面
２３２ 裏面
２３３、２３４ 側面部
２３５ 底面部
２４０、２４０Ａ〜２４０Ｄ 枠状ケース
２５０、２５０Ａ〜２５０Ｄ 案内部
２５１ 突起部
２５１ｃ、２５１ｄ 傾斜部
２５３ａ〜２５３ｄ 傾斜面
２６０、２６０Ａ 突当部
２６１ 開口部
２６２ 段部
３００、３００Ｂ、３００Ｃ 回路体
３１５、３１６、３１８、３１９ 導体板
３７３、３７４ 側面
３７５ 下面
３７６ 上面
４０１ 絶縁樹脂
４１０ 封止樹脂


100, 100A to 100D Power semiconductor module 155, 157 IGBT
156, 158 Diode 200 Case member 210A, 210B Metal base 211 Plate-like part 212 Radiation fin 220 Flange part 221 Case member upper surface part 222, 222a Through hole (insertion port)
230 Frame-shaped part 231 Front surface 232 Back surface 233, 234 Side surface part 235 Bottom surface part 240, 240A-240D Frame-shaped case 250, 250A-250D Guide part 251 Protrusion part 251c, 251d Inclination part 253a-253d Inclination surface 260, 260A Abutting part 261 Opening portion 262 Step portion 300, 300B, 300C Circuit body 315, 316, 318, 319 Conductor plate 373, 374 Side surface 375 Lower surface 376 Upper surface 401 Insulating resin 410 Sealing resin


Claims (8)

複数の電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一面に熱結合される導体板と、前記半導体素子の前記各電極に接続される複数の端子と、一対の側面、前記複数の端子が配列された上面および前記上面の反対面側に設けられた下面を有し、前記端子を外部に露出して前記半導体素子および前記導体板の周囲を封止する封止樹脂とを備えた回路体と、
前記回路体の前記導体板に対面して配置された前面部と、前記前面部の反対面側の裏面部と、一対の側面部と、底面部と、前記回路体を挿入する挿入口とを有し、前記回路体を前記挿入口から前記端子を露出した状態で収納する収納空間が形成されたケース部材とを備え、
前記ケース部材の前記各側面部の内面と前記回路体の前記各側面との間に、前記回路体を前記ケース部材の前記挿入口から前記収納空間に挿入する際に前記回路体を案内する案内部が設けられ、前記ケース部材の前記底面部と前記回路体の前記下面との間に、前記回路体の挿入を規制するための突当部が設けられている、パワー半導体モジュール。 A semiconductor element having a plurality of electrodes, a conductor plate thermally coupled to at least one surface of the semiconductor element, a plurality of terminals connected to the electrodes of the semiconductor element, a pair of side surfaces, and the plurality of terminals arranged A circuit body having a formed upper surface and a lower surface provided on a side opposite to the upper surface, the terminal being exposed to the outside and a sealing resin for sealing the periphery of the semiconductor element and the conductor plate; ,
A front portion disposed facing the conductor plate of the circuit body, a back surface portion on the opposite surface side of the front surface portion, a pair of side surfaces, a bottom surface portion, and an insertion port for inserting the circuit body. And a case member formed with a storage space for storing the circuit body in a state where the terminal is exposed from the insertion port,
A guide for guiding the circuit body between the inner surface of each side surface portion of the case member and each side surface of the circuit body when the circuit body is inserted into the housing space from the insertion port of the case member. A power semiconductor module is provided with an abutting portion for restricting insertion of the circuit body between the bottom surface portion of the case member and the lower surface of the circuit body. 請求項１に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記案内部は、前記ケース部材または前記回路体の前記封止樹脂に一体成形された突起部である、パワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to claim 1,
The power semiconductor module, wherein the guide portion is a protrusion formed integrally with the sealing resin of the case member or the circuit body. 請求項２に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記ケース部材の前記各側面部または前記回路体の前記各側面に沿って複数個の前記突起部が配列されている、パワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to claim 2,
A power semiconductor module, wherein a plurality of the protrusions are arranged along the side surfaces of the case member or the side surfaces of the circuit body. 請求項２に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記突起部は、前記ケース部材の前記各側面部に形成されており、前記ケース部材の内側に向けて下り勾配の上部傾斜面を有する、パワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to claim 2,
The protrusion is formed on each side surface of the case member, and has an upper inclined surface with a downward slope toward the inside of the case member. 請求項２に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記突起部は、前記回路体の前記封止樹脂の前記各側面に形成されており、外側に向かって上り勾配の下部傾斜面を有する、パワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to claim 2,
The said protrusion part is a power semiconductor module which is formed in each said side surface of the said sealing resin of the said circuit body, and has a lower inclined surface of an upward slope toward the outer side. 請求項２に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記ケース部材の前記各側面部の前記内面と、前記回路体の前記各側面との間に、絶縁樹脂が充填されている、パワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to claim 2,
A power semiconductor module, wherein an insulating resin is filled between the inner surface of each side surface portion of the case member and each side surface of the circuit body. 請求項１乃至６いずれか１項に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
さらに、前記回路体の前記導体板と前記ケース部材との間に介在された絶縁性熱伝導層を有し、
前記ケース部材は、前記導体板に対向する開口部を有する枠状ケースと、前記枠状ケースの前記開口部を塞いで前記開口部周縁部に接合された金属ベースとを備える、パワー半導体モジュール。 The power semiconductor module according to any one of claims 1 to 6,
Furthermore, an insulating heat conductive layer interposed between the conductor plate of the circuit body and the case member,
The case member includes a frame-like case having an opening facing the conductor plate, and a metal base that closes the opening of the frame-like case and is joined to the periphery of the opening. 請求項１に記載のパワー半導体モジュールにおいて、
前記導体板は、前記回路体の前記封止樹脂の前記下面から表出する端面を有するリードを備え、
前記ケース部材および前記突当部は金属により形成され、前記突当部は、前記リードの前記端面に接触しないように設けられている、パワー半導体モジュール。
The power semiconductor module according to claim 1,
The conductor plate includes a lead having an end surface exposed from the lower surface of the sealing resin of the circuit body,
The case member and the abutting portion are made of metal, and the abutting portion is provided so as not to contact the end face of the lead.
JP2014154100A 2014-07-29 2014-07-29 Power semiconductor module Expired - Fee Related JP6162659B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014154100A JP6162659B2 (en) 2014-07-29 2014-07-29 Power semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014154100A JP6162659B2 (en) 2014-07-29 2014-07-29 Power semiconductor module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016032040A true JP2016032040A (en) 2016-03-07
JP6162659B2 JP6162659B2 (en) 2017-07-12

Family

ID=55442251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014154100A Expired - Fee Related JP6162659B2 (en) 2014-07-29 2014-07-29 Power semiconductor module

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6162659B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021106519A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 日立Astemo株式会社 Power module and method for manufacturing power module

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621311A (en) * 1992-06-29 1994-01-28 New Japan Radio Co Ltd Vertical surface mount package
JPH0645477A (en) * 1992-07-24 1994-02-18 Nippondenso Co Ltd Electronic circuit device
JP2001244670A (en) * 2000-03-02 2001-09-07 Calsonic Kansei Corp Fixing structure of power element to heat dissipating member
JP2012178484A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi Automotive Systems Ltd Power semiconductor module, manufacturing method of the power semiconductor module, and electric power conversion apparatus
JP2014007209A (en) * 2012-06-22 2014-01-16 Hitachi Automotive Systems Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2014036526A (en) * 2012-08-09 2014-02-24 Hitachi Automotive Systems Ltd Power module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621311A (en) * 1992-06-29 1994-01-28 New Japan Radio Co Ltd Vertical surface mount package
JPH0645477A (en) * 1992-07-24 1994-02-18 Nippondenso Co Ltd Electronic circuit device
JP2001244670A (en) * 2000-03-02 2001-09-07 Calsonic Kansei Corp Fixing structure of power element to heat dissipating member
JP2012178484A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi Automotive Systems Ltd Power semiconductor module, manufacturing method of the power semiconductor module, and electric power conversion apparatus
JP2014007209A (en) * 2012-06-22 2014-01-16 Hitachi Automotive Systems Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2014036526A (en) * 2012-08-09 2014-02-24 Hitachi Automotive Systems Ltd Power module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021106519A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 日立Astemo株式会社 Power module and method for manufacturing power module

Also Published As

Publication number Publication date
JP6162659B2 (en) 2017-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5067267B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6269573B2 (en) Semiconductor device
JP6286039B2 (en) Power semiconductor module and method of manufacturing power semiconductor module
JP6565542B2 (en) Semiconductor device
JP5024169B2 (en) Power converter
JP6319137B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP7100569B2 (en) Manufacturing method of semiconductor modules, power converters and semiconductor modules
JP5193712B2 (en) Power module seal structure
JP6422592B2 (en) Power converter
JP2011009410A (en) Semiconductor module
JPWO2020105556A1 (en) Semiconductor device, power conversion device and manufacturing method of semiconductor device
JP6162659B2 (en) Power semiconductor module
US9960147B2 (en) Power module
JP5678490B2 (en) Power converter
JP2015185835A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
US20230040316A1 (en) Semiconductor device and power converter
JP6401444B2 (en) Power module and manufacturing method thereof
EP3098846A1 (en) Semiconductor device
JP5145966B2 (en) Semiconductor module
JP2017051006A (en) Semiconductor module
WO2019021507A1 (en) Semiconductor device and semiconductor module
JP5899962B2 (en) Semiconductor module and power conversion device
WO2017098621A1 (en) Electronic component unit and heat conductive placement member
JP2024124724A (en) Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle
JP2021048181A (en) Semiconductor module and semiconductor device with the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160725

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170526

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170615

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6162659

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170927

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees