JP2016030292A - 透明材料の内部スクライビング方法とレーザ・ダイシング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】確実な加工層を生成し、高速で安定した割断をしやすいダイシング・プロセスおよびスクライビング・プロセスを提供する。【解決手段】レーザ光により水平方向に少なくとも一層の改質層を生じさせ、水平方向の改質層に加えてレーザ光6の焦点を垂直方向に振動させながら同時に透明材料1またはレーザ光6を水平移動させて生成した少なくとも一層の波状改質層11の組み合わせにより透明材料内部の底面近傍から表面近傍まで垂直方向に連続した改質層10を生成して割断を容易にする。【選択図】図1
Description
本発明は、透明材料の内部改質の方法を用いたレーザ・ダイシング装置に係わる。
透明材料の例としてガラス、石英、サファイア、シリコン、SiCなどが挙げられる。レーザを光源として加工する例として、透明材料の表面近傍の内部改質によるスクライビング及び内部改質によるダイシング方法が発表されている
透明材料の内部改質層の作成方法として熱による方法あるいは、多光子吸収による方法あるいは、電子雪崩現象等によるヴォイドなどの微小空間や脆弱な層を生じさせる方法が考案されている。
透明材料に内部改質層を作る為にはパルス幅ではフェムト秒、ピコ秒などの超短パルスのレーザやYAGレーザ基本波の3倍波以上の短い波長が用いられる場合がある。それらのレーザを用いて内部改質層が得られる原理は其々異なる。
透明材料の内部改質による加工の利点は表面加工と比較して外部に加工屑を出さないので被加工物の汚れが少ない。また光学系や加工環境に対しても加工屑の影響を最小限に抑える事が出来る利点がある。
実際の内部改質プロセスでは、クラックを生じない程度の適度なレーザエネルギーと焦点位置の変更による走査の繰り返しによる多層(マルチレイヤー)プロセスが必要である。
特許文献1では「レーザパルスを集光レンズを通して加工対象物の表面近傍に集光照射しながら」云々とある。加工対象物はLED基板用、厚さ数百ミクロンのサファイアである事を推測する。当然厚いサファイア基板を加工する際にレーザのエネルギーを高くして深い応力歪を生成させると基板に不規則なクラックを生じる危険性がある。
特許文献2によると、図14に示している内部改質では一層だけの改質層ではサファイアなどの硬質な基板を分割する際には大きな切断力が必要となる為、実施例ではパルスの相を同相又は異相による2層の改質層を示している。
特許文献2の図15の断面を見るかぎり、被加工物に対して深い改質層がえられていない。この改質層によってサファイアなどの硬質な基板を分割する際には大きな切断力が必要となる為、実際のプロセスに追加の改質層が必要と推定されるが、それについての検討がされていない。
特許文献3の図1に内部改質によるダイシングの原理が示されている。基板の内部に改質層を生成して割断を可能とすると記述されているが、厚いガラスの場合図1の様に1層による割断は容易でない事が推定される。この文献では触れていないが実際は多層の改質層によるダイシングが必要であると推定される。
特許文献3によると、「スクライビング・プロセスにおいては、ビームはビームの表面に溝を生成するために基板の表面近傍に集光させる」とある。適応する基板は100ミクロン未満の厚さに有効であるとの記述がある。そして「スクライビングの深さは典型的には基板の全厚の15%である」と記述されている。
しかしながら実際には100ミクロンの基板をこのスクライビング・プロセス即ち表面近傍にレーザの焦点を合わせることによって表面に15ミクロン以下の溝を均一に生成することは基板の精度と光学系を含む加工機の動作に於ける精度を考慮すると、このプロセスは容易でない事が想定される。
内部に改質層を生成して基板の割断を実施する際に、内部に延びる溝の具体的な記述が無く、これらの改質層を生成することも基板の精度と光学系を含む加工機の動作に於ける精度を考慮すると、このプロセスは容易でない事を想定される。
特許文献3には改質層の層数の記述は無いが、実用上は何層かのプロセスにより基板の分割を容易にする必要があると推察される。
結晶体の割断について、特許文献2及び特許文献3の内部改質プロセス及びスクライブなどのプロセスでは劈開により、直角な断面を再現性良く得ることが困難である。
本発明の加工方式とレーザ加工装置は、多層の内部改質によるスクライビングまたはダイシングの方法を備えた装置であり、図5に示す従来の直線的な多層の改質層に加え1Hz以上50KHz以下の正弦波、三角波、鋸波、台形波、またはそれらの波形の組み合わせによる電圧をピエゾ素子に印加する。
波状層を生成する際には、ピエゾ素子に印加する電圧は各層の高さに相当する直流電圧と正弦波、三角波、鋸波、台形波などの波形の電圧を重畳させて印加する。
よってレーザの対物レンズの焦点を変化させレーザを照射して図1に示すようなプロセスにより内部改質の位置を基板の表面近くから底面近くまで連続的に生成することが可能となる。
内部改質層を基板の表面近くから底面近くまで連続的に生成することが可能となるため、結晶性基板の劈開による斜めの割断を防止する事が可能となり、また厚い基板のプロセスも可能となる。
ピエゾ素子ユニットを用いた対物レンズの移動による焦点の移動距離はピエゾ素子の段数やその構造によって制限がある。また移動距離によって応答時間的が異なる。それを解決する為に、ピエゾ素子の多段化と段ごとの個別の制御によって可能であり、他の電気・機械的方式、例えばモータ駆動ボール・スクリューなど組み合わせで解決可能である。
組み合わせの例として、ミクロン単位の移動をピエゾ素子ユニットで行い、数百ミクロン以上の移動をモータ駆動ボール・スクリューで行えば内部改質の図2に示すような多層プロセスが可能となる。よって厚みのある板ガラスや透明材料の内部スクライブが可能になる。
本発明のプロセスについては、最下層改質層、波状層改質層、最上層改質層による内部改質のプロセスが基本であるが、最下層改質層または最上層改質層を省いても良い。基本的には最下層改質層と波状層改質層と最上層改質層が繋がって透明材料の上面と下面近傍に達する改質層を生成する事が要点である。多層のプロセスの場合も同様に最下層改質層、中間層改質層、再上層改質層の各層を省いてプロセスを簡略化することが可能である。
図5の最下層改質層と最上層改質層の改質層は説明上、粗く描いているが、実際はKHzからMHzの繰り返し周波数のパルス・レーザと透明材料とレーザ光の相対速度によって生成されるので改質層の密度が高く生成される。
図1から図4の改質層を説明上、粗く描いているが、実際は10KHzから50MHzの間の繰り返し周波数を備えたパルス・レーザとピエゾ素子に印加する電圧の変化と周波数の変化による振動による焦点の移動と透明材料の移動速度によって密度は異なる。
焦点が異なる波状層を生成する際、パルス・レーザの繰り返し周波数は最下層改質層または最上層改質層の場合と異なる設定が可能である。例えば波状層に第一層の1.1倍から10倍の繰り返し周波数を用いて改質層を密にして改質層数の低減が可能である。
本発明のレーザ・ダイシング装置一例としてレーザ光源に波長1064ナノメータの20ピコ秒台の超短パルス・ファイバー・レーザを用いる事が望ましい。その理由について、ファイバー・レーザは高品質で安定した高いエネルギーのレーザ光が得られ、特にKHzからMHz台の高繰り返し周波数のレーザの場合は透明材料への吸収が高いため、安定した改質層が得られる。
本発明による加工方法より確実な加工層を生成し、高速で安定した割断しやすいダイシング・プロセスおよびスクライビング・プロセスを提供する事が可能となる。
以下、図により本発明を実施する為の最良の形態(以下、実施の形態)を説明する。
本発明のダイシング・プロセスと、透明材料のレーザ・ダイシング装置の光学系の実施の形態(透明材料の加工断面図および改質層を生成する光学系の概略図)を図1から図4に示し、構成と機能を説明する。
本発明のダイシング・プロセスと、透明材料のレーザ・ダイシング装置の光学系の実施の形態(透明材料の加工断面図および改質層を生成する光学系の概略図)を図1から図4に示し、構成と機能を説明する。
図1は本発明の加工方法である内部改質による透明材料1の加工断面図および複数の改質層10を生成する光学系の概略図である。本図の例では最下層改質層8と中間の波状層改質層11と最上層改質層9の三層を加工したプロセスを示している。
図1の光学系の構成として、ピエゾ素子5と対物レンズ3を連結する。対物レンズ3は単純化して図式化しているが、実用上は組レンズを用いる。ピエゾ素子5はピエゾ素子ドライバー22によるピエゾ印加電圧23によってピエゾ素子5の厚みを変化させ、レンズ3のZ軸移動4を生じさせ、平行光15の集光光6の焦点7を変化させる構造である。改質層位置信号20と波形信号21を重畳した信号によりピエゾ素子ドライバー22がピエゾ素子5にピエゾ印加電圧23の高電圧を印加する構造である。
図1のステップ1のプロセスとして図1−1に示すようにピエゾ素子5に印加する改質層位置信号20の電圧を増大してピエゾ印加電圧23によりピエゾ素子5を厚い状態にして対物レンズ3のZ軸移動4を行い、同時に透明材料1を水平移動2させながら透明材料1の内部の下面近傍に集光光6の焦点7によって底面近傍に改質層10すなわち最下層改質層8を生成する。
図1のステップ2のプロセスとして図1−2に示す様にピエゾ素子5にステップ1より低い改質層位置信号20に波形信号21を重畳して増幅してピエゾ素子印加電圧23によりピエゾ素子5を振動させて対物レンズ3のZ軸移動4を行う。本プロセスの例では波形信号21を三角波としているが、正弦波または台形波でも良い。同時に透明材料1を水平移動2させながら透明材料1の内部の中心部に集光光6の焦点7によって基板の中間近傍に改質層10すなわち状層改質層11を生成する。
図1のステップ3のプロセスとして図1−3に示す様にピエゾ素子5にステップ2の改質位置信号20より低いピエゾ印加電圧23を印加してピエゾ素子5を薄い状態にして対物レンズ3のZ軸移動4を行い、同時に透明材料1を水平移動させながら透明材料1の内部の表面近傍に集光光6の焦点7によって基板表面近傍に改質層10すなわち最上層改質層9を生成する。
本プロセスの評価としては各層の改質層10が連結されているか、または各改質層10の厚さ以下で上下の距離以下で生成されている状態が望ましい。
図2は本発明の加工方法である図1の最下層8を省略した透明材料1の加工断面図および改質層を生成する光学系の概略図である。本図の例では中間の波状層改質層12と最上層改質層9の二層を加工したプロセスを示している。
図3は本発明の加工方法である図1の最下上層9を省略した透明材料1の加工断面図および改質層を生成する光学系の概略図である。本図の例では最下層改質層8と中間の波状改質層12の二層を加工したプロセスを示している。
図4は本発明の加工方法である図1のプロセスを基に透明材料1の内部の垂直方向に多層の深い改質層を生成させるプロセスを示している。図1との異差として厚い透明材料1を加工する場合、ピエゾ素子5によるレンズ3の移動距離に限界があるため、電気・機械的な方法を用いる。本例ではモータ17とモータ駆動ウォーム・ギア16を用いてZ軸の大きな移動18によるプロセスを示したものである。
図4のプロセスは図1によるプロセスと基本的には同じ概念である。ステップ1のプロセスで最下層改質層8を生成する。ステップ2として第一波状層改質層12を生成する。ステップ3として中間層改質層19を生成する。ステップ4として第二波状層改質層13を生成する。ステップ5として最上層改質層14を生成する。
図4のプロセスは図1によるプロセスと基本的には同じ概念である。ステップ1のプロセスで最下層改質層8を生成する。ステップ2として第一波状層改質層12を生成する。ステップ3として中間層改質層19を生成する。ステップ4として第二波状層改質層13を生成する。ステップ5として最上層改質層14を生成する。
図5に従来の内部スクライブの加工例を示す。2層の加工例を示す。弱い改質層であれば多層(マルチレイヤ)によるプロセスが必要となると考えられる。
以上のことから本実施の形態では、波状改質層の組み合わせによる透明材料の加工法を用いたレーザ加工装置によれば、従来の装置と比較して厚い透明材料や結晶性を持つ透明材料を容易に割断することが可能なレーザ・ダイシング装置を提供する事が可能となる。
上記プロセスによりピコ秒ファイバー・レーザ波長1024ナノメータ、パルス幅27ピコ秒、繰り返し周波数50KHzから6MHzでバースト波30MHzを含むレーザ発振器とピエゾ素子及びピエゾ素子ドライバーによる焦点変更ユニットとNA0.7の対物レンズと最高速度500mm/SのXYZテーブルの構成により透明材料内部に図1に示した改質層を生成した。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、その他様々な構成が取り得る。
1 透明材料、2 水平移動、3 対物レンズ、4 Z軸移動、5 ピエゾ素子、6 集光光、7 焦点、8 最下層改質層、9 最上層改質層、10 改質層、11 波状層改質層、12 第一波状層改質層、13 第二波状層改質層、14 最上層改質層、15 平行光、16 モータ駆動ウォーム・ギア、17 モータ、18 大きな移動、19 中間層改質層、20 改質層位置信号、21 波形信号、22 ピエゾ素子ドライバー、23 ピエゾ印加電圧
Claims (8)
- レーザ光によるダイシング及びスクライビング方法に於いて透明材料内でレーザ光の焦点を水平移動してレーザ光を照射し、レーザ光のエネルギーの吸収によって透明材料内部の水平方向に少なくとも一層の改質層を生じさせ、該改質層に加えてレーザ光の焦点を垂直方向に振動させながら同時に透明材料またはレーザ光を水平方向に移動させて生成した少なくとも一層の波状改質層の組み合わせにより透明材料内部の底面近傍から表面近傍まで垂直方向に連続する改質層によって透明材料の分割を容易にする加工方法。
- 前記レーザ光の焦点の振動方法としてピエゾ素子を用いて、該素子に1Hzから50KHzの正弦波または台形波または三角波または鋸波またはそれらの組み合わせの印加電圧により対物レンズの位置を0ミクロンから1ミリメートルの間を調節することが可能な透明材料の加工方法。
- 前記レーザ光の焦点の移動方法としてリニア・モータまたはモータ駆動ボール・スクリューまたは、エア・スピンドル・モータまたはモータ駆動ウォーム・ギアまたはヴォイス・コイルなどの電気機械的移動方法を用い、対物レンズの位置を0ミクロンから10ミリの間を調節することが可能な透明材料の加工方法。
- 前記レーザ光の焦点の移動方法として請求項2の単独または複数のピエゾ及び請求項3の単独または複数の電気機械的な移動法方法の組み合わせによって垂直方向に多層の深い改質層を生成させることが可能な透明材料の加工方法。
- 前記レーザ光は赤外光から紫外光の超短パルス・レーザであり、波長は100フェムト秒から100ピコ秒、照射エネルギーは50ミリワット以上300ワット以下とし、被加工物上のパルス光のオーバーラップが5%以上から95%である透明材料の加工方法。
- 前記レーザ光の繰り返し周波数は10KHz以上50MHz以下であり、該周波数の内10KHz以上50MHz以下の組み合わせによるバースト波を選択可能にしたレーザ光による透明材料の加工方法。
- 請求項1から請求項6のレーザ・ダイシング方法で、前記透明材料がガラス、セラミックス石英などの非結晶である厚い透明材料の加工方法を用いたレーザ・ダイシング装置。
- 請求項1から請求項6のレーザ・ダイシング方法で、前記透明材料がサファイア、SiC、水晶などの結晶である透明材料の加工方法を用いたレーザ・ダイシング装置。
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JP2018207009A (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
WO2020032206A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP2020027855A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
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WO2020032206A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP2020027855A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
US11626490B2 (en) | 2018-08-10 | 2023-04-11 | Rohm Co., Ltd. | SiC semiconductor device |
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