JP2016025226A - Wiring board for mounting light-emitting element, and manufacturing method therefor - Google Patents

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誠 永井
聖二 森
Seiji Mori
聖二 森
哲也 矢崎
Tetsuya Yazaki
哲也 矢崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance reflection efficiency in a board for mounting a light-emitting element.SOLUTION: A board for mounting a light-emitting element, includes: an insulation layer; a plurality of connection terminals; and a reflection film. Each connection terminal is formed in the mounting region of a light-emitting element on the insulation layer. The reflection film is laminated on the insulation layer, and the outer peripheral surface of the connection terminal, including a part constituted as a peripheral surface forming a cavity surrounding the mounting region, is in contact with the reflection film. At least a part of the peripheral surface is formed as a curved surface. In the curved surface, the angle formed by a tangent line from an arbitrary point of the peripheral surface toward the side separating from the insulation layer, and a parallel line from an arbitrary point toward the side separating from the connection terminal in parallel with the surface of the insulation layer is larger than 0 degree and smaller than 90 degree, in a cut surface set in the direction perpendicular to the surface of the insulation layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光素子搭載用配線基板に関する。   The present invention relates to a light emitting element mounting wiring board.

LED等の発光素子は、配線基板に設けられたキャビティに実装されることがある。このようなキャビティを取り囲む周囲面(壁面)に反射膜を設けることによって、発光素子から直接、外部に放出される光に加え、その反射膜による反射光も外部に放出できる。このような反射膜が設けられた周囲面の形状として、湾曲したものが知られている(例えば特許文献1)。特許文献1の開示では、この湾曲した周囲面は、発光素子の接続端子に接触しないように配置されている。   A light emitting element such as an LED may be mounted in a cavity provided on a wiring board. By providing a reflective film on the peripheral surface (wall surface) surrounding such a cavity, in addition to the light emitted directly from the light emitting element, the reflected light from the reflective film can also be emitted to the outside. As the shape of the peripheral surface provided with such a reflective film, a curved shape is known (for example, Patent Document 1). In the disclosure of Patent Document 1, the curved peripheral surface is arranged so as not to contact the connection terminal of the light emitting element.

特開2006−270046号公報JP 2006-270046 A

本願発明は、上記先行技術を踏まえ、反射効率の向上を解決課題とする。上記先行技術の場合、湾曲した周囲面が接続端子に接触しないように配置されているので、実装領域を取り囲む反射膜の面積がキャビティの面積に対して小さい。よって、反射膜以外の部位に照射される光の量が多くなり、この結果、反射効率が悪かった。   Based on the above prior art, the invention of the present application aims to improve reflection efficiency. In the case of the above prior art, since the curved peripheral surface is arranged so as not to contact the connection terminal, the area of the reflective film surrounding the mounting region is smaller than the area of the cavity. Therefore, the amount of light irradiated to the part other than the reflective film is increased, and as a result, the reflection efficiency is poor.

本発明は、上記課題を解決するためのものであり、以下の形態として実現できる。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve the above-described problems, and the invention can be implemented as the following forms.

(1)本発明の一形態によれば、絶縁層と;前記絶縁層上において、発光素子の実装領域に形成された複数の接続端子と;前記絶縁層上に積層され、前記実装領域を取り囲んでキャビティを形成する周囲面として構成された部位を含む反射膜とを備える発光素子搭載用配線基板が提供される。この発光素子搭載用配線基板は;前記接続端子の外周面は、前記反射膜と接しており;前記周囲面の少なくとも一部は、湾曲面として形成されており;前記絶縁層の表面に対して垂直な方向に沿った切断面において、前記湾曲面の任意の点から前記絶縁層から離れる側に向かう接線と、前記任意の点から前記絶縁層の表面と平行に前記接続端子から離れる側に向かう平行線と、の角度は0度よりも大きく90度よりも小さいことを特徴とする。この形態によれば、反射効率を向上させることができる。この形態の場合、接続端子の外周面が反射膜と接しているので、キャビティの面積に対する反射膜の面積が大きくなる。この結果、上記効果を得ることができる。 (1) According to one embodiment of the present invention, an insulating layer; a plurality of connection terminals formed in a mounting region of a light emitting element on the insulating layer; and stacked on the insulating layer and surrounding the mounting region And a reflective film including a portion configured as a peripheral surface forming a cavity. The wiring board for mounting a light emitting element includes: an outer peripheral surface of the connection terminal is in contact with the reflective film; at least a part of the peripheral surface is formed as a curved surface; In a cut surface along the vertical direction, a tangent line extending from an arbitrary point on the curved surface toward the side away from the insulating layer, and a line extending from the arbitrary point parallel to the surface of the insulating layer toward the side away from the connection terminal. The angle with the parallel line is greater than 0 degrees and smaller than 90 degrees. According to this embodiment, the reflection efficiency can be improved. In the case of this form, since the outer peripheral surface of the connection terminal is in contact with the reflection film, the area of the reflection film with respect to the area of the cavity is increased. As a result, the above effect can be obtained.

(2)前記反射膜は、前記実装領域に配置された部位を含んでもよい。この形態によれば、反射効率を更に向上させることができる。この形態の場合、周囲面に加え、実装領域にも反射膜が配置されているからである。 (2) The reflective film may include a portion disposed in the mounting region. According to this embodiment, the reflection efficiency can be further improved. This is because, in the case of this form, the reflective film is also disposed in the mounting region in addition to the peripheral surface.

(3)前記反射膜は、前記接続端子の外周面と接する部位において、前記絶縁層の表面に対して垂直な方向についての高さが、前記接続端子の高さと同じであってもよい。この形態によれば、接続端子を露出させつつ、反射膜を発光素子に近づけることができるので、反射効率を向上させることができる。 (3) The height of the reflective film in a direction perpendicular to the surface of the insulating layer may be the same as the height of the connection terminal at a portion in contact with the outer peripheral surface of the connection terminal. According to this aspect, the reflective film can be brought close to the light emitting element while exposing the connection terminals, so that the reflection efficiency can be improved.

(4)別の形態として、上記形態の発光素子搭載用配線基板を製造する方法が提供される。この製造方法は;基材と、前記基材上に積層された第1金属シートと、前記第1金属シート上に積層された第2金属シートと、を有する金属シート付き基材を準備する工程と;前記第2金属シート上に、開口部を有するめっきレジスト層を形成する工程と;前記開口部内にめっきを実施することで、凸状の金属導体部を、前記第2金属シート上に形成する工程と;前記金属導体部をエッチングすることによって、前記金属導体部を、前記周囲面に対応した形状に加工する工程と;前記反射膜となる絶縁性樹脂層で前記金属導体部を被覆する工程と;前記第2金属シートから、前記第1金属シートを剥離する工程と;前記第2金属シートと前記金属導体部とを前記絶縁性樹脂層から除去する工程とを含む。上記形態の発光素子搭載用配線基板は、例えば、上記の方法で製造できる。 (4) As another form, a method for manufacturing the light emitting element mounting wiring board of the above form is provided. The manufacturing method includes a step of preparing a base material, a base material with a metal sheet, and a first metal sheet laminated on the base material, and a second metal sheet laminated on the first metal sheet. Forming a plating resist layer having an opening on the second metal sheet; and forming a convex metal conductor on the second metal sheet by performing plating in the opening. And a step of etching the metal conductor portion to process the metal conductor portion into a shape corresponding to the peripheral surface; and covering the metal conductor portion with an insulating resin layer serving as the reflective film. And a step of peeling the first metal sheet from the second metal sheet; and a step of removing the second metal sheet and the metal conductor portion from the insulating resin layer. The wiring board for mounting a light emitting element in the above form can be manufactured, for example, by the above method.

(5)別の形態として、上記形態の発光素子搭載用配線基板を製造する方法が提供される。この製造方法は;前記絶縁層上に前記複数の接続端子を形成する工程と;前記絶縁層と前記複数の接続端子とを、前記反射膜となる感光性の絶縁性樹脂層で被覆する工程と;前記感光性の絶縁性樹脂層に露光および現像を施すことによって、前記絶縁性樹脂層に凹みを形成する工程と;前記凹みが形成された絶縁性樹脂層に、熱硬化を施し、その後、光硬化を施すことで、前記凹みの壁面を前記湾曲面に変形させる工程とを含むことを特徴とする製造方法。上記形態の発光素子搭載用配線基板は、例えば、上記の方法で製造できる。 (5) As another form, a method for producing a light emitting element mounting wiring board of the above form is provided. The manufacturing method includes: a step of forming the plurality of connection terminals on the insulating layer; a step of covering the insulating layer and the plurality of connection terminals with a photosensitive insulating resin layer serving as the reflective film; Exposing and developing the photosensitive insulating resin layer to form a recess in the insulating resin layer; applying heat curing to the insulating resin layer in which the recess is formed; and And a step of deforming the wall surface of the dent into the curved surface by performing photocuring. The wiring board for mounting a light emitting element in the above form can be manufactured by the above method, for example.

本発明は、上記以外の形態で実現できる。例えば、発光素子を搭載した発光装置として実現できる。   The present invention can be realized in forms other than those described above. For example, it can be realized as a light emitting device equipped with a light emitting element.

発光素子搭載用配線基板の断面図(以下、実施形態1)。Sectional drawing of a wiring board for light emitting element mounting (henceforth Embodiment 1). 発光素子を実装した発光素子搭載用配線基板の断面図。Sectional drawing of the wiring board for light emitting element mounting which mounted the light emitting element. 基板の製造工程図。The manufacturing process figure of a board | substrate. 支持基板上に、複層金属シートを積層した様子を示す図(P205)。The figure which shows a mode that the multilayer metal sheet was laminated | stacked on the support substrate (P205). めっきレジスト層を形成した様子を示す図(P210)。The figure which shows a mode that the plating resist layer was formed (P210). 複層金属シート上に金属導体部を形成した様子を示す図(P215)。The figure which shows a mode that the metal conductor part was formed on the multilayer metal sheet (P215). 金属導体部から湾曲導体部を形成した様子を示す図(P220)The figure which shows a mode that the curved conductor part was formed from the metal conductor part (P220) 複層金属シート上に反射膜を形成した様子を示す図(P230)。The figure which shows a mode that the reflecting film was formed on the multilayer metal sheet (P230). 反射膜に第1ビア穴を形成した様子を示す図(P235)。The figure which shows a mode that the 1st via hole was formed in the reflecting film (P235). 導体部を形成した様子を示す図(P245)。The figure which shows a mode that the conductor part was formed (P245). 絶縁層を形成した様子を示す図(P250)。The figure which shows a mode that the insulating layer was formed (P250). 絶縁層に第2ビア穴を形成した様子を示す図(P255)。The figure which shows a mode that the 2nd via hole was formed in the insulating layer (P255). 接続端子を形成した様子を示す図(P265)。The figure which shows a mode that the connection terminal was formed (P265). 反射膜を形成した様子を示す図(P270)。The figure which shows a mode that the reflective film was formed (P270). 反射膜に開口部を形成した様子を示す図(P275)。The figure which shows a mode that the opening part was formed in the reflecting film (P275). 積層体全体の両端を切り落とした様子を示す図(P280)。The figure which shows a mode that the both ends of the whole laminated body were cut off (P280). 銅箔と銅箔とを剥離させた様子を示す図(P285)。The figure which shows a mode that copper foil and copper foil were peeled (P285). 発光素子搭載用配線基板の平面図(以下、実施形態2)。The top view of the wiring board for light emitting element mounting (henceforth Embodiment 2). 発光素子搭載用配線基板の断面図。Sectional drawing of the wiring board for light emitting element mounting. 発光素子を実装した発光素子搭載用配線基板の平面図。The top view of the wiring board for light emitting element mounting which mounted the light emitting element. 発光素子を実装した発光素子搭載用配線基板の断面図。Sectional drawing of the wiring board for light emitting element mounting which mounted the light emitting element. 基板の製造工程図。The manufacturing process figure of a board | substrate. 銅箔付きコア基板を準備した様子を示す図(P405)。The figure which shows a mode that the core board | substrate with copper foil was prepared (P405). コア基板に、ビア孔形成した様子を示す図(P410)。The figure which shows a mode that the via hole was formed in the core board | substrate (P410). ビア導体とめっき層とを形成した様子を示す図(P420)。The figure which shows a mode that the via conductor and the plating layer were formed (P420). ドライフィルムをパターン成形した様子を示す図(P425)。The figure which shows a mode that the dry film was pattern-formed (P425). めっき層をエッチングした様子を示す図(P430)。The figure which shows a mode that the plating layer was etched (P430). ドライフィルムを剥離した様子を示す図(P435)。The figure which shows a mode that the dry film was peeled (P435). 反射膜をコア基板にコートした様子を示す図(P440)。The figure which shows a mode that the reflective film was coated on the core board | substrate (P440). 外側領域となる反射膜を光硬化させた様子を示す図(P445)。The figure which shows a mode that the reflecting film used as an outer side area | region was photocured (P445). 炭酸ナトリウム水溶液に浸漬させた様子を示す図(P450)。The figure which shows a mode that it was immersed in the sodium carbonate aqueous solution (P450). 反射膜を乳化させた様子を示す図(P455)。The figure which shows a mode that the reflective film was emulsified (P455). 膨潤および乳化した反射膜を除去した様子を示す図(P460)。The figure which shows a mode that the reflective film which swelled and emulsified was removed (P460). 発光素子搭載用配線基板の断面図(実施形態3)。Sectional drawing of the wiring board for light emitting element mounting (Embodiment 3).

実施形態1を説明する。図1は、発光素子搭載用配線基板10(以下「基板10」という)の断面図である。図2は、発光素子(LED)500を実装した基板10の断面図である。基板10は、反射膜21、絶縁層50、反射膜23が積層した構造を有する。これの断面は、図1,図2に示す絶縁層50の表面に対して垂直な方向に沿っている。絶縁層50の表面とは、反射膜21又は反射膜23との境界となる面のことである。発光素子500は、図2に示すように、無色透明の封止樹脂Mによって封止されている。   Embodiment 1 will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting element mounting wiring substrate 10 (hereinafter referred to as “substrate 10”). FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate 10 on which the light emitting element (LED) 500 is mounted. The substrate 10 has a structure in which the reflective film 21, the insulating layer 50, and the reflective film 23 are stacked. The cross section thereof is along a direction perpendicular to the surface of the insulating layer 50 shown in FIGS. The surface of the insulating layer 50 is a surface that becomes a boundary with the reflective film 21 or the reflective film 23. As shown in FIG. 2, the light emitting element 500 is sealed with a colorless and transparent sealing resin M.

基板10には、キャビティ15が設けられている。キャビティ15は、発光素子500用の実装領域を形成する。キャビティ15内において、接続端子34a,34bが露出している。この露出した部位を、露出部S3と呼ぶ。キャビティ15の外において、絶縁層50の表面と平行な面を上面S1と呼ぶ。露出部S3と上面S1との間における反射膜21の表面を、周囲面S2と呼ぶ。断面図において2つの露出部S3には挟まれた領域を、底面S4と呼ぶ。本実施形態における周囲面S2は、全体が湾曲している湾曲面として形成されている。接続端子34a,34bの外周面は、周囲面S2に、つまり反射膜21と接している。   A cavity 15 is provided in the substrate 10. The cavity 15 forms a mounting area for the light emitting element 500. In the cavity 15, the connection terminals 34a and 34b are exposed. This exposed portion is called an exposed portion S3. A surface parallel to the surface of the insulating layer 50 outside the cavity 15 is referred to as an upper surface S1. The surface of the reflective film 21 between the exposed portion S3 and the upper surface S1 is referred to as a peripheral surface S2. In the cross-sectional view, a region sandwiched between two exposed portions S3 is referred to as a bottom surface S4. The peripheral surface S2 in the present embodiment is formed as a curved surface that is entirely curved. The outer peripheral surfaces of the connection terminals 34 a and 34 b are in contact with the peripheral surface S 2, that is, the reflective film 21.

周囲面S2の湾曲形状は、次のように表現できる。周囲面S2上おける任意の点T1から、絶縁層50に対して離れる側に向かう接線と、点T1から絶縁層50の表面と平行に、接続端子34aから離れる側に向かう平行線との角度θは、0度<θ<90度を満たす。   The curved shape of the peripheral surface S2 can be expressed as follows. An angle θ between a tangent line from the arbitrary point T1 on the peripheral surface S2 toward the side away from the insulating layer 50 and a parallel line from the point T1 parallel to the surface of the insulating layer 50 and away from the connection terminal 34a. Satisfies 0 ° <θ <90 °.

図1に示すように、接続端子34bの外周面と接する部位T2において、絶縁層50の表面に対して垂直な方向についての反射膜21の高さを、高さH1とする。一方、図1に示すように、部位T2において、絶縁層50の表面に対して垂直な方向についての接続端子34bの高さを、高さH2とする。高さH1は、図1に示すように、高さH2に等しい。これによって、接続端子34bを露出させつつ、できるだけ周囲面S2が高く配置される。この結果、周囲面S2が発光素子500に近くなり、ひいては反射効率が向上する。このような高さの関係は、接続端子34aにも当てはまる。   As shown in FIG. 1, the height of the reflective film 21 in the direction perpendicular to the surface of the insulating layer 50 is defined as a height H1 at a portion T2 in contact with the outer peripheral surface of the connection terminal 34b. On the other hand, as shown in FIG. 1, the height of the connection terminal 34b in the direction perpendicular to the surface of the insulating layer 50 at the portion T2 is defined as a height H2. The height H1 is equal to the height H2, as shown in FIG. Accordingly, the peripheral surface S2 is arranged as high as possible while exposing the connection terminal 34b. As a result, the peripheral surface S2 becomes closer to the light emitting element 500, and the reflection efficiency is improved. Such a height relationship also applies to the connection terminal 34a.

さらに、基板10による効果を述べる。下記の効果は、後述する実施形態2にも共通である。以下の説明において、実施形態2の場合を、括弧内に表記する。   Further, effects of the substrate 10 will be described. The following effects are common to Embodiment 2 described later. In the following description, the case of Embodiment 2 is described in parentheses.

接続端子34a,34b(103a,103b)の外周面が反射膜21(105)と接していることによって、キャビティ15(115)内における反射膜の面積が大きくなり、ひいては反射効率が向上する。
周囲面S2(S12)が先述したように湾曲していることによって、図2(図21)に示すように、特に平行光の反射効率が向上する。
実装領域内に配置された底面S4(S14)における反射によって、反射効率が向上する。
発光素子500からの光が絶縁層50(コア基板101)に照射されないので、絶縁層50(コア基板101)の劣化が抑制される。
Since the outer peripheral surfaces of the connection terminals 34a and 34b (103a and 103b) are in contact with the reflective film 21 (105), the area of the reflective film in the cavity 15 (115) is increased, thereby improving the reflection efficiency.
Since the peripheral surface S2 (S12) is curved as described above, the reflection efficiency of parallel light is particularly improved as shown in FIG. 2 (FIG. 21).
Reflection efficiency is improved by reflection at the bottom surface S4 (S14) disposed in the mounting region.
Since the light from the light emitting element 500 is not irradiated onto the insulating layer 50 (core substrate 101), deterioration of the insulating layer 50 (core substrate 101) is suppressed.

以下、基板10の製造方法を説明する。図3は、基板10の製造工程図である。以下、製造工程の説明図として、図4〜図17を参照する。   Hereinafter, a method for manufacturing the substrate 10 will be described. FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the substrate 10. Hereinafter, FIGS. 4 to 17 will be referred to as explanatory diagrams of the manufacturing process.

まず、支持基板51を用意し、図4に示すように、支持基板51上に複層金属シート54を積層し、金属シート付き基材59を形成する(工程P205)。支持基板51は、ガラスエポキシ樹脂などによって形成される。複層金属シート54は、互いに接着された2枚の銅箔55,56(第1金属シート,第2金属シート)から構成されている。銅箔55,56同士の接着は、後の工程で互いに剥離できる程度の接着力で行われる。具体的には、金属めっきによって接着される。さらに具体的には、クロムめっき、ニッケルめっき及びチタンめっき、並びにこれらの複合めっきの何れかによって接着される。   First, a support substrate 51 is prepared, and as shown in FIG. 4, a multilayer metal sheet 54 is laminated on the support substrate 51 to form a base 59 with a metal sheet (process P205). The support substrate 51 is formed of glass epoxy resin or the like. The multilayer metal sheet 54 is composed of two copper foils 55 and 56 (first metal sheet and second metal sheet) bonded to each other. The copper foils 55 and 56 are bonded to each other with an adhesive force that can be separated from each other in a later step. Specifically, it is bonded by metal plating. More specifically, bonding is performed by any one of chromium plating, nickel plating, titanium plating, and composite plating thereof.

次に、図5に示すように、複層金属シート54上に、めっきレジスト層52を形成する(工程P210)。具体的には、無電解銅めっきによって、支持基板51と複層金属シート54とを覆う全面めっき層を形成する。そして、複層金属シート54上に、ドライフィルムをラミネートし、このドライフィルムに対して露光および現像(以下「露光現像」という)を施すと、めっきレジスト層52が形成される。めっきレジスト層52には、所望のパターンの開口部が設けられている。   Next, as shown in FIG. 5, the plating resist layer 52 is formed on the multilayer metal sheet 54 (process P210). Specifically, an entire plating layer covering the support substrate 51 and the multilayer metal sheet 54 is formed by electroless copper plating. Then, when a dry film is laminated on the multilayer metal sheet 54 and the dry film is exposed and developed (hereinafter referred to as “exposure development”), the plating resist layer 52 is formed. The plating resist layer 52 is provided with openings having a desired pattern.

続いて、図6に示すように、複層金属シート54上に金属導体部57を形成する(工程P215)。具体的には、めっきレジスト層52の開口部を利用し、電解銅めっきを実施する。その後、めっきレジスト層52を剥離すると、図6に示す状態になる。金属導体部57は、図6に示すように凸状である。   Subsequently, as shown in FIG. 6, a metal conductor portion 57 is formed on the multilayer metal sheet 54 (process P215). Specifically, electrolytic copper plating is performed using the opening of the plating resist layer 52. Thereafter, when the plating resist layer 52 is peeled off, the state shown in FIG. 6 is obtained. The metal conductor portion 57 is convex as shown in FIG.

次に、図7に示すように、エッチングによって、金属導体部57から湾曲導体部58を形成する(工程P220)。図7に示すように、湾曲導体部58は、断面形状が湾曲している。湾曲導体部58の形状は、キャビティ15の形状を転写するためのものである。エッチングには、例えば、塩化第二鉄水溶液を用いる。エッチング後の断面形状は、エッチングの条件によって変化する。エッチングの条件とは、水溶液の濃度等の変化に伴って変化するエッチングスピード等である。狙いの形状が得られるように、本実施形態ではエッチングの条件を、実験によって適宜、決定した。   Next, as shown in FIG. 7, the curved conductor part 58 is formed from the metal conductor part 57 by etching (process P220). As shown in FIG. 7, the curved conductor 58 has a curved cross-sectional shape. The shape of the curved conductor portion 58 is for transferring the shape of the cavity 15. For example, an aqueous ferric chloride solution is used for the etching. The cross-sectional shape after etching varies depending on the etching conditions. The etching conditions are an etching speed that changes with a change in the concentration of the aqueous solution and the like. In this embodiment, the etching conditions are appropriately determined by experiments so that the target shape can be obtained.

続いて、湾曲導体部58の表面を粗化する(工程P225)。粗化を実施すると、湾曲導体部58と感光性の絶縁性樹脂層(後述)との密着性が高まる。   Subsequently, the surface of the curved conductor portion 58 is roughened (process P225). When roughening is performed, the adhesion between the curved conductor portion 58 and the photosensitive insulating resin layer (described later) increases.

その後、図8に示すように、複層金属シート54と湾曲導体部58とを覆うように反射膜21を形成する(工程P230)。反射膜21の素材は、感光性の絶縁性樹脂層であり、具体的には白色のソルダーレジスト層である。用意したソルダーレジストフィルムをラミネートすることで、反射膜21を形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 8, the reflective film 21 is formed so as to cover the multilayer metal sheet 54 and the curved conductor portion 58 (process P230). The material of the reflective film 21 is a photosensitive insulating resin layer, specifically, a white solder resist layer. The reflective film 21 is formed by laminating the prepared solder resist film.

次に、図9に示すように、反射膜21に第1ビア穴33a,33bを形成する(工程P235)。この形成は、めっきレジスト層52と同様に、露光現像を利用して実施する。この後、第1ビア穴33a,33b内のデスミア処理を実施する(工程P240)。デスミア処理とは、スミア(樹脂の付着物)を除去する処理のことである。デスミア処理には、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いる。後述するデスミア処理においても、同じ手法を用いる。   Next, as shown in FIG. 9, first via holes 33a and 33b are formed in the reflective film 21 (process P235). This formation is carried out using exposure and development in the same manner as the plating resist layer 52. Thereafter, desmear processing in the first via holes 33a and 33b is performed (step P240). A desmear process is a process which removes a smear (resin deposit | attachment). An etching solution such as a potassium permanganate solution is used for the desmear treatment. The same method is also used in desmear processing described later.

続いて、図10に示すように、接続端子34a,34bを形成する(工程P245)。この形成は、無電解銅めっき及び電解銅めっきによって実行する。接続端子34a,34bは、第1ビア穴33a,33b内に設けられたビア導体と、反射膜21上に設けられる導体層とからなる。接続端子34a,34bは各々、湾曲導体部58と導通する。   Subsequently, as shown in FIG. 10, connection terminals 34a and 34b are formed (process P245). This formation is performed by electroless copper plating and electrolytic copper plating. The connection terminals 34 a and 34 b include a via conductor provided in the first via holes 33 a and 33 b and a conductor layer provided on the reflective film 21. Each of the connection terminals 34 a and 34 b is electrically connected to the curved conductor portion 58.

次に、図11に示すように、接続端子34a,34bの導体層を覆うように、絶縁層50を形成する(工程P250)。絶縁層50は、樹脂製であり、反射膜21とは異なる材料で形成される。   Next, as shown in FIG. 11, the insulating layer 50 is formed so as to cover the conductor layers of the connection terminals 34a and 34b (process P250). The insulating layer 50 is made of resin and is made of a material different from that of the reflective film 21.

続いて、図12に示すように、絶縁層50に第2ビア穴35a,35bを形成する(工程P255)。この形成には、レーザ加工を用いる。第2ビア穴35a,35bは、接続端子34a,34bの導体層の一部を露出させる。次に、第2ビア穴35a,35bにデスミア処理を施す(工程P260)。   Subsequently, as shown in FIG. 12, second via holes 35a and 35b are formed in the insulating layer 50 (process P255). Laser processing is used for this formation. The second via holes 35a and 35b expose part of the conductor layers of the connection terminals 34a and 34b. Next, desmear processing is performed on the second via holes 35a and 35b (process P260).

続いて、図13に示すように、導体部36a,36bを形成する(工程P265)。この形成は、無電解銅めっき及び電解銅めっきによって実行する。導体部36a,36bは、第2ビア穴35a,35b内に設けられたビア導体と、絶縁層50上に設けられる導体層とからなる。導体部36aは、接続端子34aと導通する。導体部36bは、接続端子34bと導通する。   Subsequently, as shown in FIG. 13, conductor portions 36a and 36b are formed (process P265). This formation is performed by electroless copper plating and electrolytic copper plating. The conductor portions 36 a and 36 b are formed of via conductors provided in the second via holes 35 a and 35 b and a conductor layer provided on the insulating layer 50. The conductor portion 36a is electrically connected to the connection terminal 34a. The conductor portion 36b is electrically connected to the connection terminal 34b.

次に、図14に示すように、導体部36a,36bの導体層を覆うように、反射膜23を形成する(工程P270)。反射膜23の素材は、反射膜21のものと同じである。   Next, as shown in FIG. 14, the reflective film 23 is formed so as to cover the conductor layers of the conductor portions 36a and 36b (process P270). The material of the reflective film 23 is the same as that of the reflective film 21.

続いて、図15に示すように、反射膜23に開口部37a,37bを形成する(工程P275)。この形成は、反射膜21に形成した接続端子34a,34bと同様に、露光現像を利用して実施する。開口部37aは、導体部36aの導体層を露出させる。開口部37bは、導体部36aの導体層を露出させる。   Subsequently, as shown in FIG. 15, openings 37a and 37b are formed in the reflective film 23 (process P275). This formation is performed using exposure and development in the same manner as the connection terminals 34a and 34b formed on the reflective film 21. The opening portion 37a exposes the conductor layer of the conductor portion 36a. The opening 37b exposes the conductor layer of the conductor part 36a.

次に、図16に示すように、これまでの工程によって形成した積層体全体の端を切り落とす(工程P280)。このように切り落とすことによって、図16に示すように、複層金属シート54の端が露出する。   Next, as shown in FIG. 16, the edge of the whole laminated body formed by the steps so far is cut off (step P280). By cutting off in this way, as shown in FIG. 16, the end of the multilayer metal sheet 54 is exposed.

続いて、図17に示すように、銅箔55と銅箔56とを剥離させる(工程P285)。最後に、銅箔55と湾曲導体部58とを除去する(工程P290)。この除去には、エッチング液を用いる。この除去によって、図1に示す基板10が完成する。   Then, as shown in FIG. 17, the copper foil 55 and the copper foil 56 are peeled off (process P285). Finally, the copper foil 55 and the curved conductor portion 58 are removed (process P290). For this removal, an etching solution is used. By this removal, the substrate 10 shown in FIG. 1 is completed.

上記の製造方法による効果を述べる。下記の効果は、後述する実施形態2にも共通である。以下の説明において、実施形態2の場合を、括弧内に表記する。   The effect by said manufacturing method is described. The following effects are common to Embodiment 2 described later. In the following description, the case of Embodiment 2 is described in parentheses.

周囲面S2(S12)は、キャビティ15(115)の形成に研磨(例えばバフ研磨)を用いる場合と比べ、表面粗さが小さくて滑らかである。このため、反射効率が向上する。   The peripheral surface S2 (S12) has a small surface roughness and is smooth as compared with the case where polishing (for example, buffing) is used to form the cavity 15 (115). For this reason, the reflection efficiency is improved.

キャビティ15(115)の形成に研磨を用いないので、微細化された配線パターンを傷つける虞が殆ど無い。   Since polishing is not used to form the cavity 15 (115), there is almost no risk of damaging the miniaturized wiring pattern.

基板10(100)が樹脂製であるので、加工性に優れ、小型化が容易である。このため、基板10(100)は、例えば一辺が1mm以下の小型の発光素子搭載用配線基板に適している。   Since the substrate 10 (100) is made of resin, it has excellent processability and can be easily downsized. For this reason, the board | substrate 10 (100) is suitable for the small wiring board for light emitting element mounting whose one side is 1 mm or less, for example.

実施形態2を説明する。図18及び図19は、発光素子搭載用配線基板100(以下「基板100」という)の構成図である。図18は、基板100の平面図、図19は、図18の線分X−Xにおける基板100の断面図である。   A second embodiment will be described. 18 and 19 are configuration diagrams of the light emitting element mounting wiring substrate 100 (hereinafter referred to as “substrate 100”). 18 is a plan view of the substrate 100, and FIG. 19 is a cross-sectional view of the substrate 100 taken along line XX in FIG.

図20及び図21は、発光素子500を実装した基板100の構成図である。図20は、発光素子500及び基板100の平面図、図21は、図20の線分Y−Yにおける発光素子500及び基板100の断面図である。発光素子500は、図20及び図21に示すように、無色透明の封止樹脂Mによって封止されている。   20 and 21 are configuration diagrams of the substrate 100 on which the light emitting element 500 is mounted. 20 is a plan view of the light-emitting element 500 and the substrate 100, and FIG. 21 is a cross-sectional view of the light-emitting element 500 and the substrate 100 taken along line YY in FIG. The light emitting element 500 is sealed with a colorless and transparent sealing resin M as shown in FIGS.

図19に示すように、基板100は、コア基板101と、導体層102と、導体層103と、複数のビア導体104bと、反射膜105とを備える。導体層102は、コア基板101の裏面側に形成される。導体層103は、コア基板101の表面側に形成される。表面側とは、発光素子が実装される側の面のことである。複数のビア導体104bの各々は、導体層102と導体層103とを接続する。反射膜105は、コア基板101の表面側に設けられる。   As shown in FIG. 19, the substrate 100 includes a core substrate 101, a conductor layer 102, a conductor layer 103, a plurality of via conductors 104 b, and a reflective film 105. The conductor layer 102 is formed on the back side of the core substrate 101. The conductor layer 103 is formed on the surface side of the core substrate 101. The front surface side is a surface on which the light emitting element is mounted. Each of the plurality of via conductors 104 b connects the conductor layer 102 and the conductor layer 103. The reflective film 105 is provided on the surface side of the core substrate 101.

コア基板101は、絶縁性の耐熱性樹脂板(例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状の樹脂製基板であり、絶縁層として機能する。   The core substrate 101 is a plate-shaped resin substrate made of an insulating heat-resistant resin plate (for example, bismaleimide-triazine resin plate) or a fiber reinforced resin plate (for example, glass fiber reinforced epoxy resin). Acts as a layer.

コア基板101は、補強材を含む。補強材は、本実施形態では、インバー(invar)である。インバーは、熱膨張率が小さいため、コア基板101内にインバーを含ませることで、温度変化に伴うコア基板101の熱膨張と熱収縮とを抑制できる。この結果、基板100の信頼性が向上する。   The core substrate 101 includes a reinforcing material. In this embodiment, the reinforcing material is an invar. Since invar has a small coefficient of thermal expansion, it is possible to suppress thermal expansion and thermal contraction of the core substrate 101 due to temperature change by including invar in the core substrate 101. As a result, the reliability of the substrate 100 is improved.

導体層102は、複数の接続端子102a,102bと配線(図示しない)とを有する。配線は、接続端子102a,102bと接続される。導体層103は、複数の接続端子103a,103bと、配線(図示しない)を有する。接続端子103a,103bには、発光素子500が実装される。配線は、接続端子103a,103bと接続される。   The conductor layer 102 has a plurality of connection terminals 102a and 102b and wiring (not shown). The wiring is connected to the connection terminals 102a and 102b. The conductor layer 103 has a plurality of connection terminals 103a and 103b and wiring (not shown). The light emitting element 500 is mounted on the connection terminals 103a and 103b. The wiring is connected to the connection terminals 103a and 103b.

発光素子500は、半田Pを介して、発光素子500の接続端子500aを接続端子130a,103bに接続することによって、基板100に実装される。導体層102及び導体層103は、コア基板101を貫通するビア導体104bによって電気的に接続されている。導体層102、導体層103及びビア導体104bは、電気伝導性の高い材料、例えば、銅で形成される。   The light emitting element 500 is mounted on the substrate 100 by connecting the connection terminal 500a of the light emitting element 500 to the connection terminals 130a and 103b via the solder P. The conductor layer 102 and the conductor layer 103 are electrically connected by a via conductor 104 b that penetrates the core substrate 101. The conductor layer 102, the conductor layer 103, and the via conductor 104b are formed of a material having high electrical conductivity, for example, copper.

基板100には、キャビティ115が形成される。反射膜105は、キャビティ115内において、周囲面S12と底面S14とを形成する。反射膜105は、キャビティ115の外においてコア基板101の表面と平行な上面S11を形成する。周囲面S12は、発光素子500の実装領域を取り囲む面である。本実施形態における周囲面S12は、全体が湾曲面として形成されている。底面S14は、実装領域内において複数の接続端子102a,102bの上端S13よりも低く位置する平面である。接続端子103a,103bの外周面は、周囲面S12に、つまり反射膜105に接している。   A cavity 115 is formed in the substrate 100. The reflective film 105 forms a peripheral surface S12 and a bottom surface S14 in the cavity 115. The reflective film 105 forms an upper surface S11 that is parallel to the surface of the core substrate 101 outside the cavity 115. The peripheral surface S12 is a surface surrounding the mounting area of the light emitting element 500. The entire peripheral surface S12 in the present embodiment is formed as a curved surface. The bottom surface S14 is a plane located lower than the upper ends S13 of the plurality of connection terminals 102a and 102b in the mounting region. The outer peripheral surfaces of the connection terminals 103a and 103b are in contact with the peripheral surface S12, that is, the reflective film 105.

周囲面S12の湾曲は、次のように表現できる。周囲面S12上おける任意の点T11から、絶縁層であるコア基板101に対して離れる側に向かう接線と、点T11からコア基板101の表面と平行に、接続端子103aから離れる側に向かう平行線との角度θは、0度<θ<90度を満たす。   The curvature of the peripheral surface S12 can be expressed as follows. A tangent line extending from an arbitrary point T11 on the peripheral surface S12 toward the side away from the core substrate 101, which is an insulating layer, and a parallel line extending from the point T11 in parallel to the surface of the core substrate 101 and away from the connection terminal 103a The angle [theta] satisfies 0 [deg.] <[Theta] <90 [deg.].

キャビティ115内において、接続端子103a,103bの上端S13が、反射膜105の一部としての底面S14や、周囲面S12と接続端子103a,103bの接続部位よりも高い位置にあり、接続端子103a,103bの外周面の一部が反射膜105から露出する。この露出によって、発光素子500によって発生する熱が放熱されやすい。   In the cavity 115, the upper ends S13 of the connection terminals 103a and 103b are positioned higher than the bottom surface S14 as a part of the reflective film 105 and the connection portion between the peripheral surface S12 and the connection terminals 103a and 103b. A part of the outer peripheral surface of 103 b is exposed from the reflective film 105. Due to this exposure, heat generated by the light emitting element 500 is easily radiated.

図22は、基板100の製造工程図である。以下、製造工程の説明図として、図23〜図33を参照する。   FIG. 22 is a manufacturing process diagram of the substrate 100. Hereinafter, FIGS. 23 to 33 will be referred to as explanatory diagrams of the manufacturing process.

まず、図23に示すように、板状の樹脂製基板の表面および裏面に銅箔L1,L2が貼り付けられたコア基板101を準備する(工程P405)。   First, as shown in FIG. 23, a core substrate 101 in which copper foils L1 and L2 are attached to the front and back surfaces of a plate-shaped resin substrate is prepared (process P405).

次に、図24に示すように、コア基板101に、ビア孔104a形成する(工程P410)。ビア孔104aは、貫通孔であり、ドリルによって形成される。続いて、ビア孔104aにデスミア処理を施す(工程P415)。   Next, as shown in FIG. 24, via holes 104a are formed in the core substrate 101 (process P410). The via hole 104a is a through hole and is formed by a drill. Subsequently, a desmear process is performed on the via hole 104a (process P415).

続いて、図25に示すように、ビア孔104a内にビア導体104bを形成するとともに、コア基板101の表面および裏面にめっき層M1,M2を形成する(工程P420)。ビア導体104bとめっき層M1,M2との形成には、無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いる。めっき層M1,M2は、先述した導体層102,103の元となる。銅箔L1,L2は、工程P420によって、めっき層M1,M2と一体となるので、めっき層M1,M2の一部として図示されている。   Subsequently, as shown in FIG. 25, the via conductor 104b is formed in the via hole 104a, and the plating layers M1 and M2 are formed on the front surface and the back surface of the core substrate 101 (process P420). Electroless copper plating and electrolytic copper plating are used to form the via conductor 104b and the plating layers M1 and M2. The plating layers M1 and M2 are the basis of the conductor layers 102 and 103 described above. Since the copper foils L1 and L2 are integrated with the plating layers M1 and M2 by the process P420, they are illustrated as a part of the plating layers M1 and M2.

次に、図26に示すように、めっき層M1,M2の表面において、感光性のドライフィルムDF1,DF2を所望のパターンに成形する(工程P425)。具体的には、ドライフィルムDF1,DF2をめっき層M1,M2の表面にラミネートした後、露光現像を施す。   Next, as shown in FIG. 26, photosensitive dry films DF1 and DF2 are formed into a desired pattern on the surfaces of the plating layers M1 and M2 (step P425). Specifically, after the dry films DF1 and DF2 are laminated on the surfaces of the plating layers M1 and M2, exposure and development are performed.

続いて、図27に示すように、パターン成形したドライフィルムDF1,DF2をマスクとして、めっき層M1,M2をエッチングする(工程P430)。本実施形態では、微細化に対応するためにドライエッチングを用いる。   Subsequently, as shown in FIG. 27, the plating layers M1 and M2 are etched using the patterned dry films DF1 and DF2 as a mask (process P430). In this embodiment, dry etching is used to cope with miniaturization.

次に、図28に示すように、ドライフィルムDF1,DF2を剥離する(工程P435)。この結果、所望のパターンに成形された導体層102,103を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 28, the dry films DF1 and DF2 are peeled off (process P435). As a result, the conductor layers 102 and 103 formed in a desired pattern can be obtained.

続いて、図29に示すように、反射膜105となる感光性の絶縁性樹脂層をコア基板101の表面側にコートする(工程P440)。反射膜105の厚みD1が、導体層103の厚みD3よりも厚いものをラミネートする。感光性の絶縁性樹脂層は、本実施形態では、ソルダーレジスト層である。   Subsequently, as shown in FIG. 29, a photosensitive insulating resin layer to be the reflective film 105 is coated on the surface side of the core substrate 101 (process P440). The reflective film 105 having a thickness D1 greater than the thickness D3 of the conductor layer 103 is laminated. In this embodiment, the photosensitive insulating resin layer is a solder resist layer.

次に、図30に示すように、マスクMSを用い、キャビティ125の予定領域の外側に位置する絶縁性樹脂層を光硬化させる(工程P445)。キャビティ125とは、キャビティ115の元となる形状を有するキャビティである。   Next, as shown in FIG. 30, the insulating resin layer located outside the predetermined region of the cavity 125 is photocured using a mask MS (process P445). The cavity 125 is a cavity having a shape that is the basis of the cavity 115.

続いて、炭酸ナトリウム水溶液に、製造途中の基板100を浸漬する(工程P450)。図31は、膨潤した部位を、ハッチングで模式的に示す。浸漬させる時間は、短時間である。具体的には、未感光部の絶縁性樹脂層の表面が、若干膨潤する程度の時間である。水溶液の濃度は、本実施形態では1質量%に設定した。   Subsequently, the substrate 100 being manufactured is immersed in an aqueous sodium carbonate solution (process P450). FIG. 31 schematically shows the swollen portion by hatching. The time for dipping is a short time. Specifically, the time is such that the surface of the insulating resin layer of the unexposed portion is slightly swollen. The concentration of the aqueous solution was set to 1% by mass in this embodiment.

その後、図32に示すように、膨潤した絶縁性樹脂層を水洗によって乳化させる(工程P455)。上記の浸漬(工程P450)と水洗(工程P455)とを1回ずつ実施した場合に、導体層103の接続端子103a,103bが露出しないときがある。このようなときは、接続端子103a,103bが露出するまで、上記の浸漬と水洗とを繰り返す。   Thereafter, as shown in FIG. 32, the swollen insulating resin layer is emulsified by washing with water (process P455). When the above immersion (process P450) and water washing (process P455) are performed once, the connection terminals 103a and 103b of the conductor layer 103 may not be exposed. In such a case, the above immersion and washing are repeated until the connection terminals 103a and 103b are exposed.

次に、膨潤および乳化した絶縁性樹脂層を製造途中の基板100から除去する(工程P460)。これによって、図33に示すように、キャビティ125が形成される。   Next, the swollen and emulsified insulating resin layer is removed from the substrate 100 being manufactured (process P460). As a result, as shown in FIG. 33, a cavity 125 is formed.

その後、未感光の絶縁性樹脂層を熱硬化させる(工程P465)。具体的には、初めは低温で、その後、100〜200℃で30〜60分間、加熱する。本実施形態では、150℃、60分間の条件を採用した。   Thereafter, the non-photosensitive insulating resin layer is thermally cured (process P465). Specifically, it is initially heated at a low temperature and then heated at 100 to 200 ° C. for 30 to 60 minutes. In this embodiment, the conditions of 150 ° C. and 60 minutes are adopted.

続いて、熱硬化させた絶縁性樹脂層を、光硬化させる(工程P470)。光硬化には、紫外線を用いる。積算照射量は、0.5J/cm以上、2.5J/cm以下が好ましく、1J/cm以上、2J/cm以下が更に好ましい。 Subsequently, the thermally cured insulating resin layer is photocured (process P470). Ultraviolet rays are used for photocuring. Integrated irradiation amount, 0.5 J / cm 2 or more, preferably 2.5 J / cm 2 or less, 1 J / cm 2 or more, 2J / cm 2 or less is more preferable.

このように熱硬化、光硬化の順で絶縁性樹脂層に作用させると、壁面S12aが周囲面S12(図19)に変化した状態で硬化する。つまり、キャビティ125が、キャビティ115(図19)に変形した状態で、反射膜105が硬化する。この結果、基板100が完成する。   Thus, when it is made to act on an insulating resin layer in order of thermosetting and photocuring, it will harden in the state where wall surface S12a changed to peripheral surface S12 (Drawing 19). That is, the reflective film 105 is cured with the cavity 125 deformed into the cavity 115 (FIG. 19). As a result, the substrate 100 is completed.

実施形態3を説明する。図34は、発光素子搭載用配線基板200(以下「基板200」という)を示す。基板200は、実装領域において、周囲面S12の代わりに周囲面S22を備える点において、基板100と異なる。   A third embodiment will be described. FIG. 34 shows a light emitting element mounting wiring substrate 200 (hereinafter referred to as “substrate 200”). The board 200 is different from the board 100 in that a mounting surface includes a peripheral surface S22 instead of the peripheral surface S12.

周囲面S22は、湾曲面S221と平面S222とから構成される。湾曲面S221は、平面S222と滑らかに接続される。平面S222は、コア基板101の表面と平行な平面であり、湾曲面S221と接続端子102a,103aとを接続する。このような接続は「湾曲面S221と平面S222との接続部位において、エッジが立っていない」と表現することもできる。或いは、「周囲面S22の断面形状は、任意の点で微分可能である」と表現することもできる。実施形態2で定義したθは、平面S222との接続部位においてθ=0度である。   The peripheral surface S22 includes a curved surface S221 and a flat surface S222. The curved surface S221 is smoothly connected to the plane S222. The plane S222 is a plane parallel to the surface of the core substrate 101, and connects the curved surface S221 and the connection terminals 102a and 103a. Such a connection can also be expressed as “the edge is not standing at the connection portion between the curved surface S221 and the plane S222”. Alternatively, it can also be expressed as “the cross-sectional shape of the peripheral surface S22 is differentiable at an arbitrary point”. Θ defined in the second embodiment is θ = 0 degrees at the connection portion with the plane S222.

周囲面S22の形成は、光硬化に用いるマスクの形状(工程P445)及びポスト硬化の条件(工程P465,P470)を、実施形態2から変更することによって実現される。   The formation of the peripheral surface S22 is realized by changing the shape of the mask used for photocuring (process P445) and the post-curing conditions (process P465, P470) from the second embodiment.

基板200によれば、平面S222によってキャビティ内の反射膜の面積を広げることができる。さらに、湾曲面S221と平面S222とが滑らかに接続されているので、光の反射角を滑らかに変化させることができ、ひいては平行光の反射効率を向上させやすくなる。   According to the substrate 200, the area of the reflective film in the cavity can be increased by the plane S222. Furthermore, since the curved surface S221 and the flat surface S222 are smoothly connected, the reflection angle of light can be changed smoothly, and it becomes easy to improve the reflection efficiency of parallel light.

本発明は、本明細書の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、先述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、先述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。例えば、以下のものが例示される。   The present invention is not limited to the embodiments, examples, and modifications of the present specification, and can be implemented with various configurations without departing from the spirit of the present invention. For example, the technical features in the embodiments, examples, and modifications corresponding to the technical features in the embodiments described in the summary section of the invention are to solve some or all of the above-described problems, or In order to achieve part or all of the effects described above, replacement or combination can be performed as appropriate. If the technical feature is not described as essential in this specification, it can be deleted as appropriate. For example, the following are exemplified.

実施形態1についての変形例は、次のものが例示される。
ビア穴の形成に、レーザ加工を用いてもよい。レーザとしては、エキシマレーザ、UVレーザ、COレーザなどを用いてもよい。
デスミア処理には、Oプラズマによるプラズマアッシングの処理を用いてもよい。
支持基板に複層金属シートを積層する工程(P205)は、実施しなくてもよい。この工程を実施しない場合、複層金属シートが積層された支持基板を準備してもよい。この準備として、例えば、購入をしてもよい。
Examples of the modification of the first embodiment are as follows.
Laser processing may be used for forming the via hole. As the laser, an excimer laser, a UV laser, a CO 2 laser, or the like may be used.
For the desmear process, a plasma ashing process using O 2 plasma may be used.
The step (P205) of laminating the multilayer metal sheet on the support substrate may not be performed. When this step is not performed, a support substrate on which a multilayer metal sheet is laminated may be prepared. As this preparation, you may purchase, for example.

実施形態1では銅箔として例示された第1金属シート自体が、複層構造を有してもよい。この場合、剥離工程(P285)において剥離される面が、第1金属シートと第2金属シートとの境界となる。第2金属シートについても同様に、それ自体が複層構造を有してもよい。
反射膜21の高さH1は、導体部36a,36bの高さH2より低くてもよい。
周囲面は、実施形態3のように平面を含んでもよいし、接線が絶縁層の表面と直交する部位を含んでもよい。つまり、θ=0度やθ=90度の部位を含んでもよい。
In the first embodiment, the first metal sheet itself exemplified as the copper foil may have a multilayer structure. In this case, the surface peeled in the peeling step (P285) becomes the boundary between the first metal sheet and the second metal sheet. Similarly, the second metal sheet itself may have a multilayer structure.
The height H1 of the reflective film 21 may be lower than the height H2 of the conductor portions 36a and 36b.
The peripheral surface may include a flat surface as in the third embodiment, or may include a portion where the tangent line is orthogonal to the surface of the insulating layer. That is, it may include a portion where θ = 0 degrees or θ = 90 degrees.

実施形態2についての変形例は、次のものが例示される。
ビア孔は、ドリル以外の加工方法、例えばレーザ加工によって形成してもよい。
めっき層のエッチングは、ウェットエッチングでもよい。
周囲面S12は、接続端子103a,103bと接触する部位において、露出部S3と高さが同じでもよい。
周囲面は、コア基板の表面と直交する部位を含んでもよい。つまり、θ=90度の部位を含んでもよい。
多層基板の一部を、実施形態2として説明した構成にしてもよい。
Examples of the modification of the second embodiment are as follows.
The via hole may be formed by a processing method other than drilling, for example, laser processing.
The etching of the plating layer may be wet etching.
The peripheral surface S12 may have the same height as the exposed portion S3 in the portion that contacts the connection terminals 103a and 103b.
The peripheral surface may include a portion orthogonal to the surface of the core substrate. That is, it may include a portion of θ = 90 degrees.
A part of the multilayer substrate may be configured as described in the second embodiment.

10…基板
15…キャビティ
21…反射膜
23…反射膜
33a…第1ビア穴
33b…第1ビア穴
34a…接続端子
34b…接続端子
35a…第2ビア穴
35b…第2ビア穴
36a…導体部
36b…導体部
37a…開口部
37b…開口部
50…絶縁層
51…支持基板
52…めっきレジスト層
54…複層金属シート
55…銅箔
56…銅箔
57…金属導体部
58…湾曲導体部
59…金属シート付き基材
100…基板
101…コア基板
102…導体層
102a…接続端子
102b…接続端子
103…導体層
103a…接続端子
103b…接続端子
104a…ビア孔
104b…ビア導体
105…反射膜
115…キャビティ
125…キャビティ
130a…接続端子
200…基板
500…発光素子
500a…接続端子
DF1…ドライフィルム
DF2…ドライフィルム
L1…銅箔
L2…銅箔
M…封止樹脂
MS…マスク
P…半田
S1…上面
S2…周囲面
S3…露出部
S4…底面
S11…上面
S12…周囲面
S12a…壁面
S13…上端
S14…底面
S22…周囲面
S221…湾曲面
S222…平面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate 15 ... Cavity 21 ... Reflective film 23 ... Reflective film 33a ... 1st via hole 33b ... 1st via hole 34a ... Connection terminal 34b ... Connection terminal 35a ... 2nd via hole 35b ... 2nd via hole 36a ... Conductor part 36b ... Conductor part 37a ... Opening part 37b ... Opening part 50 ... Insulating layer 51 ... Support substrate 52 ... Plating resist layer 54 ... Multi-layer metal sheet 55 ... Copper foil 56 ... Copper foil 57 ... Metal conductor part 58 ... Curved conductor part 59 ... Base material with metal sheet 100 ... Substrate 101 ... Core substrate 102 ... Conductive layer 102a ... Connecting terminal 102b ... Connecting terminal 103 ... Conductive layer 103a ... Connecting terminal 103b ... Connecting terminal 104a ... Via hole 104b ... Via conductor 105 ... Reflective film 115 ... Cavity 125 ... Cavity 130a ... Connection terminal 200 ... Substrate 500 ... Light emitting element 500a ... Connection terminal DF1 ... Do Lay film DF2 ... Dry film L1 ... Copper foil L2 ... Copper foil M ... Sealing resin MS ... Mask P ... Solder S1 ... Upper surface S2 ... Peripheral surface S3 ... Exposed part S4 ... Bottom surface S11 ... Upper surface S12 ... Peripheral surface S12a ... Wall surface S13 ... Upper end S14 ... Bottom S22 ... Peripheral surface S221 ... Curved surface S222 ... Plane

Claims (5)

絶縁層と、
前記絶縁層上において、発光素子の実装領域に形成された複数の接続端子と、
前記絶縁層上に積層され、前記実装領域を取り囲んでキャビティを形成する周囲面として構成された部位を含む反射膜と
を備える発光素子搭載用配線基板であって、
前記接続端子の外周面は、前記反射膜と接しており、
前記周囲面の少なくとも一部は、湾曲面として形成されており、
前記絶縁層の表面に対して垂直な方向に沿った切断面において、前記湾曲面の任意の点から前記絶縁層から離れる側に向かう接線と、前記任意の点から前記絶縁層の表面と平行に前記接続端子から離れる側に向かう平行線と、の角度は0度よりも大きく90度よりも小さいこと
を特徴とする発光素子搭載用配線基板。
An insulating layer;
On the insulating layer, a plurality of connection terminals formed in the mounting region of the light emitting element,
A wiring board for mounting a light-emitting element, comprising: a reflective film that is laminated on the insulating layer and includes a portion configured as a peripheral surface surrounding the mounting region and forming a cavity;
The outer peripheral surface of the connection terminal is in contact with the reflective film,
At least a portion of the peripheral surface is formed as a curved surface;
In a cut surface along a direction perpendicular to the surface of the insulating layer, a tangent line extending from an arbitrary point of the curved surface to a side away from the insulating layer, and parallel to the surface of the insulating layer from the arbitrary point The wiring board for mounting a light-emitting element, wherein an angle with a parallel line facing away from the connection terminal is larger than 0 degree and smaller than 90 degrees.
前記反射膜は、前記実装領域に配置された部位を含むこと
を特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用配線基板。
The wiring board for mounting a light-emitting element according to claim 1, wherein the reflective film includes a portion disposed in the mounting region.
前記反射膜は、前記接続端子の外周面と接する部位において、前記絶縁層の表面に対して垂直な方向についての高さが、前記接続端子の高さと同じであること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光素子搭載用配線基板。
The height of the reflective film in a direction perpendicular to the surface of the insulating layer is the same as the height of the connection terminal at a portion in contact with the outer peripheral surface of the connection terminal. Or the wiring board for light emitting element mounting of Claim 2.
請求項1から請求項3までの何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板を製造する方法であって、
基材と、前記基材上に積層された第1金属シートと、前記第1金属シート上に積層された第2金属シートと、を有する金属シート付き基材を準備する工程と、
前記第2金属シート上に、開口部を有するめっきレジスト層を形成する工程と、
前記開口部内にめっきを実施することで、凸状の金属導体部を、前記第2金属シート上に形成する工程と、
前記金属導体部をエッチングすることによって、前記金属導体部を、前記周囲面に対応した形状に加工する工程と、
前記反射膜となる絶縁性樹脂層で前記金属導体部を被覆する工程と、
前記第2金属シートから、前記第1金属シートを剥離する工程と、
前記第2金属シートと前記金属導体部とを前記絶縁性樹脂層から除去する工程と
を含むことを特徴とする製造方法。
A method for manufacturing a wiring board for mounting a light emitting element according to any one of claims 1 to 3,
Preparing a base with metal sheet having a base, a first metal sheet laminated on the base, and a second metal sheet laminated on the first metal sheet;
Forming a plating resist layer having an opening on the second metal sheet;
Forming a convex metal conductor on the second metal sheet by performing plating in the opening; and
Processing the metal conductor portion into a shape corresponding to the peripheral surface by etching the metal conductor portion;
Covering the metal conductor portion with an insulating resin layer to be the reflective film;
Peeling the first metal sheet from the second metal sheet;
Removing the second metal sheet and the metal conductor portion from the insulating resin layer.
請求項1から請求項3までの何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板を製造する方法であって、
前記絶縁層上に前記複数の接続端子を形成する工程と、
前記絶縁層と前記複数の接続端子とを、前記反射膜となる感光性の絶縁性樹脂層で被覆する工程と、
前記感光性の絶縁性樹脂層に露光および現像を施すことによって、前記絶縁性樹脂層に凹みを形成する工程と、
前記凹みが形成された絶縁性樹脂層に、熱硬化を施し、その後、光硬化を施すことで、前記凹みの壁面を前記湾曲面に変形させる工程と
を含むことを特徴とする製造方法。
A method for manufacturing a wiring board for mounting a light emitting element according to any one of claims 1 to 3,
Forming the plurality of connection terminals on the insulating layer;
Coating the insulating layer and the plurality of connection terminals with a photosensitive insulating resin layer serving as the reflective film;
Forming a recess in the insulating resin layer by exposing and developing the photosensitive insulating resin layer; and
And a step of deforming the wall surface of the dent into the curved surface by performing thermosetting on the insulating resin layer in which the dent is formed, and then performing photocuring.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN117038818A (en) * 2023-10-08 2023-11-10 盐城鸿石智能科技有限公司 High-reflection micro LED and preparation method thereof

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