JP2016024437A - Exposure apparatus and exposure method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure apparatus and an exposure method by which a greater number of surfaces can be simultaneously exposed and efficient exposure can be achieved.SOLUTION: The exposure apparatus includes: a holding unit that holds an exposure target substrate 200; a first exposure light projection unit that is located at the top surface side of the exposure target substrate 200 and projects laser light LL1 on the exposure target substrate 200; and a second exposure light projection unit that is located at the back surface side of the exposure target substrate 200 and projects laser light LL2 to the exposure target substrate 200. The laser light LL1 is incident to the exposure target substrate 200 at an incident angle tilted forward in a sub-scanning direction with respect to the normal direction of the top surface, while the laser light LL2 is incident to the exposure target substrate 200 at an incident angle tilted backward in the sub-scanning direction with respect to the normal direction of the back surface.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、露光装置および露光方法に関するものである。   The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method.

サンプルの加工方法としてフォトリソグラフィー加工とエッチング加工を用いた方法が知られている。そして、特許文献1には、フォトリソグラフィー加工に含まれる露光工程を行うための露光装置が開示されている。特許文献1の図5に記載の露光装置は、サンプルの表面側から当該面に対して斜めに第1走査光を走査しつつ、裏面側から当該面に対して斜めに第2走査光を走査することで、サンプルの表面および裏面への露光と共に、側面への露光を可能とし、露光工程の削減を図っている。しかしながら、特許文献1の図5の構成では、第1、第2走査光が共にサンプルの同じ側面に走査されるため、一度の露光工程で1つの側面しか露光することができない。したがって、露光工程の削減が十分に図られているとは言えない。   As a sample processing method, a method using photolithography processing and etching processing is known. Patent Document 1 discloses an exposure apparatus for performing an exposure process included in photolithography. The exposure apparatus described in FIG. 5 of Patent Document 1 scans the second scanning light obliquely with respect to the surface from the back surface side while scanning the first scanning light obliquely with respect to the surface from the front surface side of the sample. By doing so, the exposure to the side surface as well as the exposure to the front surface and the back surface of the sample is made possible, and the exposure process is reduced. However, in the configuration of FIG. 5 of Patent Document 1, since both the first and second scanning lights are scanned on the same side surface of the sample, only one side surface can be exposed in one exposure process. Therefore, it cannot be said that the exposure process is sufficiently reduced.

特開2013−186291号公報JP 2013-186291 A

本発明の目的は、より多くの面を同時に露光することができ、効率的な露光が可能な露光装置および露光方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method capable of exposing more surfaces at the same time and enabling efficient exposure.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following application examples.

[適用例1]
本適用例の露光装置は、被露光物を保持する保持部と、
前記被露光物の第1主面側に位置し、第1方向に走査する第1露光光を前記被露光物に入射する第1露光光入射部と、
前記被露光物の前記第1主面の反対側である第2主面側に位置し、第2方向に走査する第2露光光を前記被露光物に入射する第2露光光入射部と、
前記保持部、前記第1露光光入射部、および前記第2露光光入射部を、前記第1方向と前記第2方向に交差する第3方向に相対的に移動させる移動手段と、を有し、
前記第1露光光は、前記第1主面の法線方向に対して前記第3方向の一方側に傾いた方向から前記被露光物に入射し、
前記第2露光光は、前記第2主面の法線方向に対して前記第3方向の他方側に傾いた方向から前記被露光物に入射することを特徴とする。
これにより、より多くの面を同時(同一工程中)に露光することができ、効率的な露光が可能な露光装置を提供することができる。
[Application Example 1]
The exposure apparatus of this application example includes a holding unit that holds an object to be exposed,
A first exposure light incident portion that is located on the first main surface side of the object to be exposed and that makes first exposure light that scans in a first direction enter the object to be exposed;
A second exposure light incident portion that is located on the second principal surface side opposite to the first principal surface of the object to be exposed, and that enters second exposure light that scans in a second direction to the object to be exposed;
Moving means for relatively moving the holding unit, the first exposure light incident unit, and the second exposure light incident unit in a third direction intersecting the first direction and the second direction; ,
The first exposure light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to one side of the third direction with respect to the normal direction of the first main surface,
The second exposure light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to the other side of the third direction with respect to the normal direction of the second main surface.
Accordingly, it is possible to provide an exposure apparatus that can expose more surfaces at the same time (during the same process) and can perform efficient exposure.

[適用例2]
本適用例の露光装置では、前記被露光物は、前記第1主面と前記第2主面に接続する側面を有し、
前記第1露光光によって、前記第1主面と前記側面の第1部分が露光され、
前記第2露光光によって、前記第2主面と前記側面の第2部分が露光されることが好ましい。
これにより、より多くの面を同時に露光することができる。
[Application Example 2]
In the exposure apparatus of this application example, the object to be exposed has side surfaces connected to the first main surface and the second main surface,
The first main surface and the first portion of the side surface are exposed by the first exposure light,
It is preferable that the second main surface and the second portion of the side surface are exposed by the second exposure light.
Thereby, more surfaces can be exposed simultaneously.

[適用例3]
本適用例の露光装置では、前記第1部分と前記第2部分の少なくとも一方には、互いに法線方向が異なる複数の面が含まれていることが好ましい。
これにより、さらに多くの面を同時に露光することができる。
[Application Example 3]
In the exposure apparatus according to this application example, it is preferable that at least one of the first portion and the second portion includes a plurality of surfaces having different normal directions.
Thereby, more surfaces can be exposed simultaneously.

[適用例4]
本適用例の露光装置では、前記第2方向は、前記第1方向に沿っていることが好ましい。
このように、第1露光光の走査方向と第2露光光の操作方法とを合わせることで、例えば、露光パターンを決定するプログラム等の作成が容易となる。
[Application Example 4]
In the exposure apparatus of this application example, it is preferable that the second direction is along the first direction.
Thus, by combining the scanning direction of the first exposure light and the operation method of the second exposure light, for example, it becomes easy to create a program or the like for determining an exposure pattern.

[適用例5]
本適用例の露光装置では、前記第1露光光の走査中心軸と前記第2露光光の走査中心軸は、同一直線上に沿っていることが好ましい。
このように設定することで、第1露光光および第2露光光の光軸の調整を行い易くなる。
[Application Example 5]
In the exposure apparatus of this application example, it is preferable that the scanning center axis of the first exposure light and the scanning center axis of the second exposure light are on the same straight line.
By setting in this way, it becomes easy to adjust the optical axes of the first exposure light and the second exposure light.

[適用例6]
本適用例の露光装置では、前記第1露光光と前記第2露光光の少なくとも一方の前記入射角を調整することができる入射角調整手段を有することが好ましい。
これにより、より精度よく被露光基板を露光することができる。
[Application Example 6]
The exposure apparatus according to this application example preferably includes an incident angle adjusting unit that can adjust the incident angle of at least one of the first exposure light and the second exposure light.
Thereby, a to-be-exposed board | substrate can be exposed more accurately.

[適用例7]
本適用例の露光方法は、第1方向に走査する第1露光光を被露光物の第1主面側から入射し、第2方向に走査する第2露光光を前記第1主面の反対側である第2主面側から入射し、前記第1露光光および前記第2露光光の入射位置を前記第1方向と前記第2方向に交差する第3方向に移動させることで、前記被露光物を露光する工程を含み、
前記工程では、前記第1露光光は、前記第1主面の法線方向に対して前記第3方向の一方側に傾いた方向から前記被露光物に入射し、前記第2露光光は、前記第2主面の法線方向に対して前記第3方向の他方側に傾いた方向から前記被露光物に入射することを特徴とする。
これにより、より多くの面を同時(同一工程中)に露光することができ、効率的な露光が可能となる。
[Application Example 7]
In the exposure method of this application example, the first exposure light scanned in the first direction is incident from the first main surface side of the object to be exposed, and the second exposure light scanned in the second direction is opposite to the first main surface. The incident position of the first exposure light and the second exposure light is moved in a third direction that intersects the first direction and the second direction. Including a step of exposing an exposed object,
In the step, the first exposure light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to one side of the third direction with respect to a normal direction of the first main surface, and the second exposure light is The light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to the other side of the third direction with respect to the normal direction of the second main surface.
Thereby, more surfaces can be exposed simultaneously (during the same process), and efficient exposure becomes possible.

[適用例8]
本適用例の露光方法では、前記被露光物は、前記第1主面と前記第2主面に接続する側面を有し、
前記第1露光光は、前記第1主面と前記側面の第1部分を露光し、
前記第2露光光は、前記第2主面と前記側面の第2部分を露光することが好ましい。
これにより、より多くの面を同時に露光することができる。
[Application Example 8]
In the exposure method of this application example, the object to be exposed has side surfaces connected to the first main surface and the second main surface,
The first exposure light exposes the first main surface and the first portion of the side surface,
The second exposure light preferably exposes the second main surface and the second portion of the side surface.
Thereby, more surfaces can be exposed simultaneously.

本発明の好適な実施形態に係る露光装置の構成図である。It is a block diagram of the exposure apparatus which concerns on suitable embodiment of this invention. 図1に示す露光装置の保持ユニットを示す側面図である。It is a side view which shows the holding | maintenance unit of the exposure apparatus shown in FIG. 図1に示す露光装置により露光される被露光基板の一例を示す図であり、(a)が平面図、(b)が同図(a)中のA−A線断面図である。It is a figure which shows an example of the to-be-exposed board | substrate exposed by the exposure apparatus shown in FIG. 1, (a) is a top view, (b) is the sectional view on the AA line in the figure (a). 図3に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the exposure method of the to-be-exposed board | substrate shown in FIG. 図3に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the exposure method of the to-be-exposed board | substrate shown in FIG. 図3に示す被露光基板の別の露光方法を説明する平面図および側面図である。It is the top view and side view explaining another exposure method of the to-be-exposed board | substrate shown in FIG. 製造物の一例としての振動素子を示し、(a)が平面図、(b)が同図(a)中のB−B線断面図である。The vibration element as an example of a product is shown, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 図7に示す振動素子が有する励振電極のパターニング方法を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the patterning method of the excitation electrode which the vibration element shown in FIG. 7 has. 製造物の一例としての波長可変フィルターを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the wavelength tunable filter as an example of a product. 製造物の一例としての発光素子を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light emitting element as an example of a manufactured product. 図10中のC−C線断面図である。It is CC sectional view taken on the line in FIG. 製造物の一例としてのインクジェットヘッドを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the inkjet head as an example of a product. 製造物の一例としてのメタルマスクを有する基材を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the base material which has a metal mask as an example of a manufactured product. 図13に示すメタルマスクの製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the metal mask shown in FIG.

以下、本発明の露光方法および露光装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, an exposure method and an exposure apparatus of the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.

<第1実施形態>
まず、本発明の露光方法および露光装置の第1実施形態について説明する。
<First Embodiment>
First, a first embodiment of the exposure method and exposure apparatus of the present invention will be described.

図1は、本発明の好適な実施形態に係る露光装置の構成図である。図2は、図1に示す露光装置の保持ユニットを示す側面図である。図3は、図1に示す露光装置により露光される被露光基板の一例を示す図であり、(a)が平面図、(b)が同図(a)中のA−A線断面図である。図4は、図3に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。図5は、図3に示す被露光基板の露光方法を説明する断面図である。図6は、図3に示す被露光基板の別の露光方法を説明する平面図および側面図である。なお、図1および図2では、説明の便宜上、互いに直交する3軸として、x軸、y軸およびz軸を図示している。また、以下では、x軸に平行な方向を「x軸方向」とも言い、y軸に平行な方向を「y軸方向」とも言い、z軸に平行な方向を「z軸方向」とも言う。   FIG. 1 is a block diagram of an exposure apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side view showing a holding unit of the exposure apparatus shown in FIG. 3A and 3B are diagrams showing an example of a substrate to be exposed exposed by the exposure apparatus shown in FIG. 1, wherein FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. is there. FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining an exposure method for the substrate to be exposed shown in FIG. FIG. 5 is a sectional view for explaining an exposure method for the substrate to be exposed shown in FIG. 6A and 6B are a plan view and a side view for explaining another exposure method for the substrate to be exposed shown in FIG. In FIG. 1 and FIG. 2, for convenience of explanation, the x axis, the y axis, and the z axis are illustrated as three axes orthogonal to each other. Hereinafter, a direction parallel to the x-axis is also referred to as “x-axis direction”, a direction parallel to the y-axis is also referred to as “y-axis direction”, and a direction parallel to the z-axis is also referred to as “z-axis direction”.

1.露光装置
図1に示す露光装置100は、被露光基板(被露光物)200を露光するのに用いられる露光装置である。このような露光装置100は、保持した被露光基板200を移動させる保持ユニット110と、被露光基板200に対して、表面(第1主面)側からレーザー光(露光光)LL1を入射する第1露光光入射ユニット(第1露光光入射部)120Aと、被露光基板200に対して裏面(第2主面)側からレーザー光(露光光)LL2を入射する第2露光光入射ユニット(第2露光光入射部)120Bと、を有しており、被露光基板200を表面側および裏面側から同時に露光することのできる両面露光型の露光装置である。
1. Exposure Apparatus An exposure apparatus 100 shown in FIG. 1 is an exposure apparatus used to expose a substrate to be exposed (object to be exposed) 200. Such an exposure apparatus 100 includes a holding unit 110 that moves the held substrate to be exposed 200, and a laser beam (exposure light) LL1 that is incident on the substrate to be exposed 200 from the surface (first main surface) side. A first exposure light incident unit (first exposure light incident part) 120A and a second exposure light incident unit (first exposure light) LL2 that enters laser light (exposure light) LL2 from the back surface (second main surface) side with respect to the exposed substrate 200. 2 exposure light incident part) 120B, and is a double-sided exposure type exposure apparatus capable of simultaneously exposing the substrate to be exposed 200 from the front surface side and the back surface side.

≪第1露光光入射ユニット≫
第1露光光入射ユニット120Aは、レーザー光LL1を出射するレーザー光源130Aと、レーザー光源130Aの駆動を制御するレーザー光源制御部140Aと、レーザー光LL1を光学補正する光学レンズ系150Aと、レーザー光LLを走査するポリゴンミラー160Aと、ミラー170Aと、を有している。
≪First exposure light incident unit≫
The first exposure light incident unit 120A includes a laser light source 130A that emits the laser light LL1, a laser light source controller 140A that controls driving of the laser light source 130A, an optical lens system 150A that optically corrects the laser light LL1, and a laser light. A polygon mirror 160A for scanning LL and a mirror 170A are provided.

レーザー光源130Aは、レーザー光源制御部140Aによって制御され、被露光基板200を決められたパターンで露光できるように所定タイミングでレーザー光LL1を出射する。レーザー光源130Aから出射されたレーザー光LL1は、ミラー170Aで反射した後、ポリゴンミラー160Aの反射面161に入射する。ポリゴンミラー160Aは、モーター等の図示しない駆動源によって軸Jまわりに回転駆動しており、入射したレーザー光LL1を一次元的に走査(主走査)する。   The laser light source 130A is controlled by the laser light source controller 140A and emits the laser light LL1 at a predetermined timing so that the exposed substrate 200 can be exposed with a predetermined pattern. The laser beam LL1 emitted from the laser light source 130A is reflected by the mirror 170A and then enters the reflecting surface 161 of the polygon mirror 160A. The polygon mirror 160A is rotationally driven around an axis J by a driving source (not shown) such as a motor, and scans the incident laser beam LL1 in one dimension (main scanning).

光学レンズ系150Aは、図1に示すように、レーザー光源130Aとミラー170Aとの間に配置されているコリメーターレンズ151、第1ズームレンズ152、第2ズームレンズ153および第1シリンドリカルレンズ154と、ポリゴンミラー160Aと保持ユニット110との間に配置されているfθレンズ155および第2シリンドリカルレンズ156と、を有している。   As shown in FIG. 1, the optical lens system 150A includes a collimator lens 151, a first zoom lens 152, a second zoom lens 153, and a first cylindrical lens 154 disposed between the laser light source 130A and the mirror 170A. And an fθ lens 155 and a second cylindrical lens 156 disposed between the polygon mirror 160A and the holding unit 110.

これらレンズのうち、コリメーターレンズ151は、レーザー光LL1を平行光とするためのレンズである。また、第1ズームレンズ152は、レーザー光LL1をz軸方向に拡大するレンズであり、第2ズームレンズ153は、レーザー光LL1をy軸方向に拡大するレンズである。レーザー光源130Aから出射されるレーザー光LL1の断面形状は、一般的に真円でない(楕円である)ため、第1、第2ズームレンズ152、153によってレーザー光LL1の断面形状(縦横比)を補正し、その断面形状をほぼ真円とする。また、第1シリンドリカルレンズ154および第2シリンドリカルレンズ156は、ポリゴンミラー160Aの反射面161の所謂「面倒れ」によるレーザー光LL1の走査位置のずれを補正し、面倒れの有無に関わらず、同じ位置にレーザー光LL1を結像させるためのレンズである。また、fθレンズ155は、レーザー光LL1を被露光基板200に等速で走査するためのレンズである。このような構成の光学レンズ系150Aを設けることで、被露光基板200に精度よくレーザー光LL1を入射することができる。   Among these lenses, the collimator lens 151 is a lens for making the laser beam LL1 into parallel light. The first zoom lens 152 is a lens that expands the laser beam LL1 in the z-axis direction, and the second zoom lens 153 is a lens that expands the laser beam LL1 in the y-axis direction. Since the cross-sectional shape of the laser light LL1 emitted from the laser light source 130A is generally not a perfect circle (ellipse), the cross-sectional shape (aspect ratio) of the laser light LL1 is changed by the first and second zoom lenses 152 and 153. Correction is made so that the cross-sectional shape is almost a perfect circle. Further, the first cylindrical lens 154 and the second cylindrical lens 156 correct the deviation of the scanning position of the laser beam LL1 due to the so-called “surface tilt” of the reflection surface 161 of the polygon mirror 160A, and are the same regardless of the presence or absence of the surface tilt. This is a lens for imaging the laser beam LL1 at a position. The fθ lens 155 is a lens for scanning the exposed substrate 200 with the laser light LL1 at a constant speed. By providing the optical lens system 150A having such a configuration, the laser beam LL1 can be incident on the substrate to be exposed 200 with high accuracy.

≪第2露光光入射ユニット≫
第2露光光入射ユニット120Bは、レーザー光LL2を出射するレーザー光源130Bと、レーザー光源130Bの駆動を制御するレーザー光源制御部140Bと、レーザー光LL2を光学補正する光学レンズ系150Bと、レーザー光LL2を走査するポリゴンミラー160Bと、ミラー170Bと、を有している。このような第2露光光入射ユニット120Bは、上述した第1露光光入射ユニット120Aと同様の構成である。そのため、第2露光光入射ユニット120Bの詳細な説明は、省略する。
≪Second exposure light incident unit≫
The second exposure light incident unit 120B includes a laser light source 130B that emits the laser light LL2, a laser light source controller 140B that controls driving of the laser light source 130B, an optical lens system 150B that optically corrects the laser light LL2, and a laser light. A polygon mirror 160B that scans LL2 and a mirror 170B are provided. Such a second exposure light incident unit 120B has the same configuration as the first exposure light incident unit 120A described above. Therefore, detailed description of the second exposure light incident unit 120B is omitted.

このような第2露光光入射ユニット120Bは、保持ユニット110(保持ユニット110に保持された被露光基板200)を介して第1露光光入射ユニット120Aと対向して配置されている。具体的に説明すると、保持ユニット110に保持された被露光基板200の表面側に第1露光光入射ユニット120Aが位置し、裏面側に第2露光光入射ユニット120Bが位置している。第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bをこのような配置とすることで、被露光基板200の表面側に第1露光光入射ユニット120Aからのレーザー光LL1を入射させ、裏面側に第2露光光入射ユニット120Bからのレーザー光LL2を入射させることができ、被露光基板200を表裏面側から同時露光することができる。   Such a second exposure light incident unit 120B is arranged to face the first exposure light incident unit 120A via the holding unit 110 (the substrate to be exposed 200 held by the holding unit 110). More specifically, the first exposure light incident unit 120A is positioned on the front surface side of the substrate to be exposed 200 held by the holding unit 110, and the second exposure light incident unit 120B is positioned on the back surface side. By arranging the first and second exposure light incident units 120A and 120B in such an arrangement, the laser light LL1 from the first exposure light incident unit 120A is incident on the front surface side of the substrate 200 to be exposed, and the first exposure light incident unit 120A and 120B is incident on the rear surface side. The laser light LL2 from the two-exposure light incident unit 120B can be made incident, and the exposed substrate 200 can be simultaneously exposed from the front and back sides.

特に、本実施形態では、第2露光光入射ユニット120Bは、レーザー光LL2の走査方向(第2方向)がレーザー光LL1の走査方向(第1方向)に沿うように配置されている。このようにレーザー光LL1、LL2の走査方向を揃えることで、例えば、被露光基板200の表面側を所定パターンで露光するためのレーザー光LL1のON(入射)/OFF(非入射)パターンと、裏面側を所定パターンで露光するためのレーザー光LL2のON/OFFパターンと、を同じようにしてプログラムすることができるので、第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bの制御が比較的簡単となり、より効率的に被露光基板200を露光することができる。また、レーザー光LL1、LL2の走査方向を揃えることで、被露光基板200の移動方向(副走査方向)を、各レーザー光LL1、LL2の走査方向(主走査方向)に対して直交させることができるので、被露光基板200を効率的に露光することができる。   In particular, in the present embodiment, the second exposure light incident unit 120B is arranged so that the scanning direction (second direction) of the laser light LL2 is along the scanning direction (first direction) of the laser light LL1. By aligning the scanning directions of the laser beams LL1 and LL2 in this way, for example, an ON (incident) / OFF (non-incident) pattern of the laser beam LL1 for exposing the surface side of the exposed substrate 200 with a predetermined pattern, Since the ON / OFF pattern of the laser beam LL2 for exposing the back surface side with a predetermined pattern can be programmed in the same manner, the control of the first and second exposure light incident units 120A and 120B is relatively easy. Thus, the substrate to be exposed 200 can be exposed more efficiently. Further, by aligning the scanning directions of the laser beams LL1 and LL2, the movement direction (sub-scanning direction) of the substrate to be exposed 200 can be made orthogonal to the scanning direction (main scanning direction) of the laser beams LL1 and LL2. Therefore, the exposed substrate 200 can be efficiently exposed.

また、本実施形態では、第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bは、レーザー光LL1の走査面(走査されたレーザー光LL1の軌跡で規定される面)とレーザー光LL2の走査面(走査されたレーザー光LL2の軌跡で規定される面)とが同一面内に位置している。これにより、レーザー光LL1、LL2の光軸調整が容易となり、被露光基板200をより精度よく露光することができる。なお、第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bは、さらに、レーザー光LL1の走査中心軸(走査角の二等分線)とレーザー光LL2の走査中心軸(走査角の二等分線)とが一致していること、すなわち、同一直線上に沿って位置していることが好ましい。これにより、上述した効果をより効果的に発揮することができる。   In the present embodiment, the first and second exposure light incident units 120A and 120B are configured to scan the laser light LL1 scanning surface (the surface defined by the trajectory of the scanned laser light LL1) and the laser light LL2 scanning surface ( And the surface defined by the trajectory of the scanned laser beam LL2) are located in the same plane. Thereby, the optical axes of the laser beams LL1 and LL2 can be easily adjusted, and the exposed substrate 200 can be exposed more accurately. The first and second exposure light incident units 120A and 120B further include a scanning center axis (bisector of scanning angle) of the laser beam LL1 and a scanning center axis (bisector of scanning angle) of the laser beam LL2. ) Are coincident with each other, that is, they are preferably located along the same straight line. Thereby, the effect mentioned above can be exhibited more effectively.

また、第1露光光入射ユニット120Aからのレーザー光LL1は、そのビームウェスト部分およびその近傍のビーム径が小さい領域が被露光基板200に入射するように設計されており、同様に、第2露光光入射ユニット120Bからのレーザー光LL2は、そのビームウェスト部分およびその近傍のビーム径が小さい領域が被露光基板200に入射するように設計されている。これにより、被露光基板200を微細に精度よく露光することができる。   Further, the laser beam LL1 from the first exposure light incident unit 120A is designed so that the beam waist portion and a region having a small beam diameter in the vicinity thereof are incident on the substrate to be exposed 200. Similarly, the second exposure light is irradiated with the second exposure light. The laser beam LL2 from the light incident unit 120B is designed so that the beam waist portion and a region having a small beam diameter in the vicinity thereof are incident on the substrate to be exposed 200. Thereby, the to-be-exposed substrate 200 can be finely and accurately exposed.

≪保持ユニット≫
保持ユニット110は、被露光基板200を保持した状態で、レーザー光LL1、LL2の走査方向(主走査方向)に交差(直交)する方向(第3方向。副走査方向)に移動することができる。したがって、保持ユニット110を副走査方向に移動させつつ、レーザー光LL1、LL2を主走査方向に走査することで、保持ユニット110に保持された被露光基板200に対して2次元的にレーザー光LL1、LL2が入射し、これにより、被露光基板200を所定パターンで露光することができる。
≪Holding unit≫
The holding unit 110 can move in a direction (third direction, sub-scanning direction) intersecting (orthogonal) with the scanning direction (main scanning direction) of the laser beams LL1 and LL2 while holding the exposed substrate 200. . Therefore, the laser beam LL1 is two-dimensionally moved with respect to the substrate to be exposed 200 held by the holding unit 110 by scanning the laser beams LL1 and LL2 in the main scanning direction while moving the holding unit 110 in the sub-scanning direction. , LL2 is incident, whereby the exposed substrate 200 can be exposed in a predetermined pattern.

また、保持ユニット110は、図2に示すように、その法線方向に沿う軸J1まわりに回転することもできる。これにより、保持した被露光基板200を所望の向きとすることができる。また、保持ユニット110は、x軸に沿い、レーザー光LL1、LL2の走査面内に位置する軸J2まわりに回動することができる。これにより、レーザー光LL1、LL2の走査面に対する被露光基板200の傾きを変化させることができ、被露光基板200に対するレーザー光LL1、LL2の入射角を調整することができる。   Further, as shown in FIG. 2, the holding unit 110 can also rotate around an axis J <b> 1 along the normal direction. Thereby, the to-be-exposed board | substrate 200 hold | maintained can be made into a desired direction. Further, the holding unit 110 can rotate around the axis J2 located in the scanning plane of the laser beams LL1 and LL2 along the x axis. Thereby, the inclination of the to-be-exposed board | substrate 200 with respect to the scanning surface of laser beam LL1, LL2 can be changed, and the incident angle of laser beam LL1, LL2 with respect to the to-be-exposed board | substrate 200 can be adjusted.

すなわち、保持ユニット110は、被露光基板200を移動させる移動手段として機能する共に、レーザー光LL1、LL2の入射角を調節する入射角調整手段としても機能する。   That is, the holding unit 110 functions as a moving unit that moves the substrate to be exposed 200, and also functions as an incident angle adjusting unit that adjusts the incident angles of the laser beams LL1 and LL2.

ここで、保持ユニット110の移動方向(副走査方向)は、保持ユニット110の傾きに応じて変化し、保持ユニット110は、その傾きに沿って移動する。保持ユニット110がこのように移動することで、保持ユニット110の移動中、被露光基板200に対してほぼ一定の径のレーザー光LL1、LL2を入射することができる。そのため、露光パターニングにムラ(粗密)が生じ難く、被露光基板200を均質に露光することができる。   Here, the moving direction (sub-scanning direction) of the holding unit 110 changes according to the inclination of the holding unit 110, and the holding unit 110 moves along the inclination. By moving the holding unit 110 in this way, the laser beams LL1 and LL2 having a substantially constant diameter can be incident on the substrate to be exposed 200 while the holding unit 110 is moving. Therefore, unevenness (roughness) does not easily occur in exposure patterning, and the exposed substrate 200 can be uniformly exposed.

なお、保持ユニット110の移動方向(副走査方向)は、特に限定されないが、鉛直方向に近い程好ましい。これにより、保持ユニット110に保持された被露光基板200が水平面に対して立った状態となるため、例えば、被露光基板200が水平面に沿った状態と比較して、被露光基板200の撓みを低減することができる。したがって、被露光基板200に対して精度よくレーザー光LL1、LL2を入射することができ、被露光基板200を精度よく露光することができる。なお、前述したように、保持ユニット110の移動方向は、保持ユニット110の傾斜によっても異なるため、例えば、z軸を鉛直方向と一致させてもよいし、また、頻繁に用いる保持ユニット110の傾斜角がある場合には、その傾斜角での保持ユニット110の移動方向を鉛直方向に一致させてもよい。   The moving direction (sub-scanning direction) of the holding unit 110 is not particularly limited, but it is preferable that the holding unit 110 is closer to the vertical direction. Thereby, since the to-be-exposed board | substrate 200 hold | maintained at the holding | maintenance unit 110 will be in the state stood with respect to the horizontal surface, for example, compared with the state to which the to-be-exposed substrate 200 followed the horizontal surface, the bending of the to-be-exposed substrate 200 was carried out. Can be reduced. Therefore, the laser beams LL1 and LL2 can be accurately incident on the exposed substrate 200, and the exposed substrate 200 can be accurately exposed. As described above, since the moving direction of the holding unit 110 varies depending on the inclination of the holding unit 110, for example, the z axis may coincide with the vertical direction, or the frequently used inclination of the holding unit 110 is inclined. When there is a corner, the moving direction of the holding unit 110 at the tilt angle may be matched with the vertical direction.

このような保持ユニット110の形状としては、特に限定されないが、本実施形態では、被露光基板200の縁部を保持する構成となっている。これにより、被露光基板200の表面および裏面を共に露出させることができる。   The shape of the holding unit 110 is not particularly limited, but in the present embodiment, the holding unit 110 is configured to hold the edge of the substrate 200 to be exposed. Thereby, both the front surface and the back surface of the substrate to be exposed 200 can be exposed.

以上、露光装置100の構成について簡単に説明した。このような露光装置100によれば、保持ユニット110の移動とレーザー光LL1、LL2の出射タイミングとを同期させることにより、被露光基板200を所定パターンで露光することができる。そのため、従来から知られているような露光装置(例えば、特開2006−210426に記載の装置)で用いられるような露光マスクが不要となり、露光マスクの製造期間および製造コスト等を省くことができる。したがって、露光装置100は、前記従来の露光装置に対して、安価にかつ迅速に露光を行うことができる。特に、定められた露光パターン(理想パターン)に対して実際の露光パターン(現実パターン)がずれてしまう場合、そのずれを補正するために、前記従来の露光装置では露光マスクを作り直す必要があるのに対して、露光装置100ではレーザー光源130A、130Bからのレーザー光LL1、LL2の出射タイミングを補正すればよい。この点から言っても、露光装置100は、前記従来の露光装置に対して、安価にかつ迅速に露光を行うことができる。   The configuration of the exposure apparatus 100 has been briefly described above. According to such an exposure apparatus 100, the substrate 200 to be exposed can be exposed in a predetermined pattern by synchronizing the movement of the holding unit 110 and the emission timing of the laser beams LL1 and LL2. For this reason, an exposure mask used in an exposure apparatus as conventionally known (for example, an apparatus described in JP-A-2006-210426) is not required, and the manufacturing time and manufacturing cost of the exposure mask can be saved. . Therefore, the exposure apparatus 100 can perform exposure inexpensively and quickly with respect to the conventional exposure apparatus. In particular, when an actual exposure pattern (actual pattern) is deviated from a predetermined exposure pattern (ideal pattern), it is necessary to recreate the exposure mask in the conventional exposure apparatus in order to correct the deviation. On the other hand, the exposure apparatus 100 may correct the emission timing of the laser beams LL1 and LL2 from the laser light sources 130A and 130B. Even in this respect, the exposure apparatus 100 can perform exposure at low cost and promptly with respect to the conventional exposure apparatus.

なお、露光装置100の構成は、光を走査して被露光基板200を露光することができれば、上記の構成に限定されない。例えば、光学レンズ系150A、150Bは、それぞれ、上記の各種レンズの内の少なくとも1つのレンズが省略されていてもよいし、上記各種レンズ以外の機能を有するレンズが含まれていてもよい。また、レーザー光LL1、LL2を走査する手段として、ポリゴンミラー160A、160Bに替えて、ミラー面を軸Jまわりに回動させて光走査を行うSiMEMSデバイスを用いてもよい。また、上記の構成では、第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bに対して保持ユニット110が傾斜・回転可能になっているが、保持ユニット110が傾斜・回転できず、その姿勢が一定に定められていてもよい。また、反対に、保持ユニット110に対して第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bが傾斜・回転する構成となっていてもよい。これによれば、保持ユニット110の移動方向を鉛直方向に固定することができるため、前述したような被露光基板200の撓みをより効果的に低減することができる。また、上記の構成では、第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bに対して保持ユニット110が副走査方向に移動する構成となっているが、反対に、保持ユニット110に対して第1、第2露光光入射ユニット120A、120Bが副走査方向に移動する構成となっていてもよい。   The configuration of the exposure apparatus 100 is not limited to the above configuration as long as the substrate to be exposed 200 can be exposed by scanning light. For example, in each of the optical lens systems 150A and 150B, at least one of the various lenses described above may be omitted, or a lens having a function other than the various lenses described above may be included. As a means for scanning the laser beams LL1 and LL2, a Si MEMS device that performs optical scanning by rotating the mirror surface around the axis J may be used instead of the polygon mirrors 160A and 160B. In the above configuration, the holding unit 110 can be tilted and rotated with respect to the first and second exposure light incident units 120A and 120B. However, the holding unit 110 cannot be tilted and rotated, and its posture is constant. May be stipulated. On the contrary, the first and second exposure light incident units 120A and 120B may be inclined and rotated with respect to the holding unit 110. According to this, since the moving direction of the holding unit 110 can be fixed in the vertical direction, it is possible to more effectively reduce the bending of the exposed substrate 200 as described above. In the above configuration, the holding unit 110 moves in the sub-scanning direction with respect to the first and second exposure light incident units 120A and 120B. The second exposure light incident units 120A and 120B may be configured to move in the sub-scanning direction.

2.露光方法
次に、露光装置100を用いた被露光基板200の露光方法について説明する。
2. Next, an exposure method for the substrate to be exposed 200 using the exposure apparatus 100 will be described.

まず、図3に基づいて、被露光基板200の一例について説明する。被露光基板200は、平面視が矩形状をなし、シリコン、水晶等で構成された基板210と、基板210上に成膜されている金属膜Mと、金属膜M上に成膜されているレジスト膜Rと、を有している。また、被露光基板200は、表裏関係にある表面201および裏面202と、表面201および裏面202を接続する4つの側面203、204、205、206と、を有している。なお、4つの側面203〜206のうち、側面203、205が対向して配置され、側面204、206が対向して配置されている。また、側面203〜206は、それぞれ、表面201および裏面202に対して直交している。   First, an example of the substrate to be exposed 200 will be described with reference to FIG. The exposed substrate 200 has a rectangular shape in plan view, and is formed on a substrate 210 made of silicon, quartz, or the like, a metal film M formed on the substrate 210, and a metal film M. And a resist film R. The exposed substrate 200 has a front surface 201 and a back surface 202 that are in a front / back relationship, and four side surfaces 203, 204, 205, and 206 that connect the front surface 201 and the back surface 202. Of the four side surfaces 203 to 206, the side surfaces 203 and 205 are disposed to face each other, and the side surfaces 204 and 206 are disposed to face each other. Further, the side surfaces 203 to 206 are orthogonal to the front surface 201 and the back surface 202, respectively.

このような被露光基板200が有するレジスト膜Rを露光装置100で露光することにより、レジスト膜Rから金属膜MをパターニングするためのレジストマスクRMが形成される。なお、レジスト膜Rは、露光された部分(レーザー光LLが照射された部分)が除去されるポジ型であってもよいし、露光された部分が残るネガ型であってもよい。
このような被露光基板200は、露光装置100によって次のように露光される。
By exposing the resist film R included in the exposed substrate 200 with the exposure apparatus 100, a resist mask RM for patterning the metal film M from the resist film R is formed. The resist film R may be a positive type in which an exposed portion (a portion irradiated with the laser beam LL) is removed or a negative type in which an exposed portion remains.
Such an exposed substrate 200 is exposed by the exposure apparatus 100 as follows.

≪露光方法1≫
被露光基板200の露光方法は、レーザー光LL1によって表面201および側面203上のレジスト膜Rを露光し、レーザー光LL2によって裏面202および側面205上のレジスト膜Rを露光する第1露光工程と、レーザー光LL1によって側面204上のレジスト膜Rを露光し、レーザー光LL2によって側面206上のレジスト膜Rを露光する第2露光工程と、を含んでいる。
<< Exposure Method 1 >>
The exposure method of the to-be-exposed substrate 200 includes a first exposure step of exposing the resist film R on the front surface 201 and the side surface 203 with the laser beam LL1, and exposing the resist film R on the back surface 202 and the side surface 205 with the laser beam LL2. A second exposure step of exposing the resist film R on the side surface 204 with the laser beam LL1 and exposing the resist film R on the side surface 206 with the laser beam LL2.

[第1露光工程]
まず、被露光基板200を用意し、用意した被露光基板200を保持ユニット110で保持する。次に、必要に応じて、保持ユニット110を軸J1まわりに回転させ、側面203、205の向き合う方向(離間方向)を副走査方向と一致させる。また、必要に応じて、保持ユニット110を軸J2まわりに傾斜させて、表面201および側面203に対するレーザー光LL1の入射角θinがそれぞれ約45°(表面201と側面203のなす角θの半分。すなわちθ/2)となり、裏面202および側面205に対するレーザー光LL2の入射角θinがそれぞれ約45°(裏面202と側面205のなす角θの半分。すなわちθ/2)となるように被露光基板200の姿勢を調整する。すなわち、表面201の法線方向L201に対して副走査方向前方側(一方側)へ約45°傾斜した入射角でレーザー光LL1が被露光基板200に入射すると共に、裏面202の法線方向L202に対して副走査方向後方側(他方側)へ約45°傾斜した入射角でレーザー光LL2が被露光基板200に入射するように、被露光基板200の姿勢を調整する。
[First exposure step]
First, the exposed substrate 200 is prepared, and the prepared exposed substrate 200 is held by the holding unit 110. Next, if necessary, the holding unit 110 is rotated about the axis J1, and the direction in which the side surfaces 203 and 205 face (separation direction) is made to coincide with the sub-scanning direction. Further, if necessary, the holding unit 110 is inclined about the axis J2, and the incident angle θin of the laser beam LL1 with respect to the surface 201 and the side surface 203 is about 45 ° (half the angle θ formed by the surface 201 and the side surface 203). That is, θ / 2), and the substrate to be exposed so that the incident angle θin of the laser beam LL2 with respect to the back surface 202 and the side surface 205 is about 45 ° (half the angle θ formed between the back surface 202 and the side surface 205, ie, θ / 2). Adjust the posture of 200. That is, the laser beam LL1 is incident on the substrate to be exposed 200 at an incident angle inclined by about 45 ° to the front side (one side) in the sub-scanning direction with respect to the normal direction L 201 of the front surface 201 and the normal direction of the back surface 202 as the laser beam LL2 is incident on the exposed substrate 200 at an incident angle of approximately 45 ° tilt in the sub-scanning direction rear side (the other side) relative to the L 202, adjusts the attitude of the substrate to be exposed 200.

そして、被露光基板200の向きおよび傾きを調整し終えたら、保持ユニット110の移動とレーザー光LL1、LL2の出射タイミングの同期を取りながら、レーザー光LL1、LL2を走査しつつ、保持ユニット110を副走査方向へ移動する。これにより、図4に示すように、被露光基板200の表面201および前方を向く側面203(第1部分)上のレジスト膜Rにレーザー光LL1が入射し、当該部分が所定パターンで露光されると共に、被露光基板200の裏面202および後方を向く側面205(第2部分)上のレジスト膜Rにレーザー光LL2が入射し、当該部分が所定パターンで露光される。   Then, after adjusting the orientation and inclination of the substrate 200 to be exposed, the holding unit 110 is moved while scanning the laser beams LL1 and LL2 while synchronizing the movement of the holding unit 110 and the emission timing of the laser beams LL1 and LL2. Move in the sub-scanning direction. As a result, as shown in FIG. 4, the laser beam LL1 is incident on the resist film R on the surface 201 of the substrate 200 to be exposed and the side surface 203 (first portion) facing forward, and the portion is exposed with a predetermined pattern. At the same time, the laser beam LL2 is incident on the resist film R on the back surface 202 and the rear side surface 205 (second portion) of the exposed substrate 200, and the portion is exposed in a predetermined pattern.

このように、一度の露光工程で、被露光基板200の4面を露光することができるので、被露光基板200の露光を効率的に行うことができる。特に、本実施形態では、各面に対するレーザー光LL1、LL2の入射角θinを45°に揃えているため、各面でのレーザー光LL1、LL2のスポット形状および面積をほぼ一定に揃えることができる。したがって、各面に対して粗密の少ないより均質な露光を行うことができる。加えて、各面での露光量(単位面積当たりのエネルギー量)を揃えることができるため、露光不足の部分や露光過多の部分の発生が低減され、各面に対してより均質な露光を行うことができる。なお、レーザー光LL1の表面201および側面203に対する入射角θinは、これら各面にレーザー光LL1を入射することができれば、上述した約45°に限定されないが、上述した効果を発揮するために、θ/2±15°の範囲内であることが好ましく、θ/2±5°の範囲内であることがより好ましい。レーザー光LL2の裏面202および側面205に対する入射角θinについても同様である。   Thus, since the four surfaces of the substrate to be exposed 200 can be exposed in a single exposure step, the substrate to be exposed 200 can be efficiently exposed. In particular, in this embodiment, since the incident angles θin of the laser beams LL1 and LL2 with respect to each surface are aligned to 45 °, the spot shapes and areas of the laser beams LL1 and LL2 on each surface can be approximately uniform. . Therefore, more uniform exposure with less density can be performed on each surface. In addition, since the exposure amount (energy amount per unit area) on each surface can be made uniform, the occurrence of underexposed or overexposed portions is reduced, and more uniform exposure is performed on each surface. be able to. Note that the incident angle θin of the laser beam LL1 with respect to the surface 201 and the side surface 203 is not limited to about 45 ° as long as the laser beam LL1 can be incident on each of these surfaces. It is preferably in the range of θ / 2 ± 15 °, more preferably in the range of θ / 2 ± 5 °. The same applies to the incident angle θin of the laser beam LL2 with respect to the back surface 202 and the side surface 205.

[第2露光工程]
まず、第1露光工程と同様に、例えば、保持ユニット110を軸J1まわりに90°回転させて、被露光基板200の側面204、206の向き合う方向(離間方向)を副走査方向と一致させる。また、必要に応じて、保持ユニット110を軸J2まわりに傾斜させて、側面204に対するレーザー光LL1の入射角θinが約45°となり、側面206に対するレーザー光LL2の入射角θinが約45°となるように被露光基板200の姿勢を調整する。
[Second exposure step]
First, similarly to the first exposure step, for example, the holding unit 110 is rotated by 90 ° around the axis J1, and the facing direction (separation direction) of the side surfaces 204 and 206 of the substrate 200 to be exposed is made coincident with the sub-scanning direction. If necessary, the holding unit 110 is tilted about the axis J2, and the incident angle θin of the laser beam LL1 with respect to the side surface 204 becomes about 45 °, and the incident angle θin of the laser beam LL2 with respect to the side surface 206 becomes about 45 °. The posture of the substrate to be exposed 200 is adjusted so that

そして、被露光基板200の姿勢を調整し終えたら、保持ユニット110の移動とレーザー光LL1、LL2の出射タイミングの同期を取って、レーザー光LL1、LL2を走査しつつ、保持ユニット110を副走査方向へ移動させる。これにより、図5に示すように、副走査方向の前方側を向く側面204上のレジスト膜Rにレーザー光LL1が入射し、当該部分が所定のパターンで露光されると共に、副走査方向の後方側を向く側面206上のレジスト膜Rにレーザー光LL2が入射し、当該部分が所定のパターンで露光される。このように、側面204、206についても、第1露光工程における各面に対する入射角θinと同じ入射角でレーザー光LL1、LL2を入射することで、側面204、206を第1露光工程で露光した面とほぼ等しい条件(レーザー光LL1、LL2のスポット面積、露光量等)で露光することができる。したがって、レジスト膜Rの全域をより均質に露光することが可能となる。   When the orientation of the substrate to be exposed 200 is adjusted, the holding unit 110 is sub-scanned while scanning the laser beams LL1 and LL2 by synchronizing the movement of the holding unit 110 and the emission timing of the laser beams LL1 and LL2. Move in the direction. As a result, as shown in FIG. 5, the laser beam LL1 is incident on the resist film R on the side surface 204 facing the front side in the sub-scanning direction, the portion is exposed in a predetermined pattern, and the rear in the sub-scanning direction. The laser beam LL2 is incident on the resist film R on the side surface 206 facing the side, and the portion is exposed with a predetermined pattern. As described above, the side surfaces 204 and 206 are exposed in the first exposure step by making the laser beams LL1 and LL2 incident at the same incident angle θin as the incident angle θin with respect to each surface in the first exposure step. The exposure can be performed under substantially the same conditions as the surface (spot areas of the laser beams LL1, LL2, exposure amount, etc.). Therefore, the entire region of the resist film R can be more uniformly exposed.

以上のような露光方法によれば、第1、第2露光工程によって、被露光基板200の6面全てに対して露光を行うことができる。すなわち、より多くの面を少ない露光工程で露光することができ、被露光基板200の露光を効率的に行うことができる。特に、本実施形態のように入射角θinを揃えることで、異なる面間での露光量のバラつきを抑えることができるため、露光ムラが低減され、レジスト膜Rを均質に露光することができる。なお、本実施形態では、表面201および裏面202上のレジスト膜Rを第1露光工程で露光しているが、当該箇所のレジスト膜Rは、側面204、206と共に第2露光工程で露光してもよい。   According to the exposure method as described above, all the six surfaces of the substrate to be exposed 200 can be exposed by the first and second exposure steps. That is, more surfaces can be exposed with fewer exposure processes, and the substrate to be exposed 200 can be exposed efficiently. In particular, since the variation in the exposure amount between different surfaces can be suppressed by aligning the incident angle θin as in the present embodiment, exposure unevenness can be reduced and the resist film R can be exposed uniformly. In the present embodiment, the resist film R on the front surface 201 and the back surface 202 is exposed in the first exposure process. However, the resist film R in the corresponding portion is exposed in the second exposure process together with the side surfaces 204 and 206. Also good.

≪露光方法2≫
また、被露光基板200は、次のような露光方法によっても露光することができる。被露光基板200の露光方法は、レーザー光LL1によって表面201および側面203、204上のレジスト膜Rを露光し、レーザー光LL2によって裏面202および側面205、206上のレジスト膜Rを露光する露光工程を含んでいる。
<< Exposure Method 2 >>
Moreover, the to-be-exposed board | substrate 200 can be exposed also with the following exposure methods. The exposure method of the to-be-exposed substrate 200 is an exposure process in which the resist film R on the front surface 201 and the side surfaces 203 and 204 is exposed with the laser beam LL1, and the resist film R on the back surface 202 and the side surfaces 205 and 206 is exposed with the laser beam LL2. Is included.

[露光工程]
まず、被露光基板200を用意し、用意した被露光基板200を保持ユニット110で保持する。次に、必要に応じて、保持ユニット110を軸J1まわりに回転させ、例えば、側面203、204の間の角と側面205、206の間の角とを結ぶ対角線の延在方向を副走査方向と一致させる。また、必要に応じて、保持ユニット110を軸J2まわりに傾斜させて、表面201の法線方向L201に対して副走査方向前方側へ傾斜した入射角でレーザー光LL1が被露光基板200に入射し、裏面202の法線方向L202に対して副走査方向後方側へ傾斜した入射角でレーザー光LL2が被露光基板200に入射するように、被露光基板200の姿勢を調整する。
[Exposure process]
First, the exposed substrate 200 is prepared, and the prepared exposed substrate 200 is held by the holding unit 110. Next, if necessary, the holding unit 110 is rotated around the axis J1, and for example, the extension direction of the diagonal line connecting the corner between the side surfaces 203 and 204 and the corner between the side surfaces 205 and 206 is the sub-scanning direction. To match. If necessary, the holding unit 110 is tilted about the shaft J2, the laser beam LL1 is the exposed substrate 200 at an incident angle inclined to the sub-scanning direction front side with respect to the normal direction L 201 of the surface 201 incident, as the laser beam LL2 is incident on the exposed substrate 200 at an incident angle inclined to the sub-scanning direction rear side with respect to the normal direction L 202 of the back 202, to adjust the attitude of the substrate to be exposed 200.

そして、被露光基板200の向きおよび傾きを調整し終えたら、保持ユニット110の移動とレーザー光LL1、LL2の出射タイミングの同期を取りながら、レーザー光LL1、LL2を走査しつつ、保持ユニット110を副走査方向へ移動させる。これにより、図6に示すように、被露光基板200の表面201および側面203、204(第1部分)にレーザー光LL1が入射し、当該部分のレジスト膜Rが所定のパターンで露光されると共に、被露光基板200の裏面202および側面205、206(第2部分)にレーザー光LL2が入射し、当該部分のレジスト膜Rが所定のパターンで露光される。   Then, after adjusting the orientation and inclination of the substrate 200 to be exposed, the holding unit 110 is moved while scanning the laser beams LL1 and LL2 while synchronizing the movement of the holding unit 110 and the emission timing of the laser beams LL1 and LL2. Move in the sub-scanning direction. As a result, as shown in FIG. 6, the laser beam LL1 is incident on the surface 201 and the side surfaces 203 and 204 (first portion) of the substrate 200 to be exposed, and the resist film R in the portion is exposed with a predetermined pattern. The laser beam LL2 is incident on the back surface 202 and the side surfaces 205 and 206 (second portion) of the substrate to be exposed 200, and the resist film R in the portion is exposed with a predetermined pattern.

このような露光方法によれば、レーザー光LL1によって、表面201および法線方向の異なる側面203、204の計3面上のレジスト膜Rを同時に露光することができ、レーザー光LL2によって、裏面202および法線方向の異なる側面205、206の計3面上のレジスト膜Rを同時に露光することができる。そのため、より少ない露光工程で効率的に被露光基板200の露光を行うことができる。特に、本実施形態では、一度の露光工程で、被露光基板200の全面を露光することができる。   According to such an exposure method, the resist film R on a total of three surfaces of the front surface 201 and the side surfaces 203 and 204 having different normal directions can be simultaneously exposed with the laser beam LL1, and the back surface 202 is irradiated with the laser beam LL2. In addition, the resist film R on a total of three side surfaces 205 and 206 having different normal directions can be exposed simultaneously. Therefore, the substrate to be exposed 200 can be efficiently exposed with fewer exposure steps. In particular, in the present embodiment, the entire surface of the substrate to be exposed 200 can be exposed in a single exposure process.

以上、本発明の露光方法および露光装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。   The exposure method and the exposure apparatus of the present invention have been described based on the illustrated embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of each part is an arbitrary configuration having the same function. Can be replaced. In addition, any other component may be added to the present invention.

次に、本発明の露光装置や露光方法を用いて製造することのできる製造物(被露光基板を含む物)の具体的な例を幾つか例示する。ただし、製造物としては、下記に挙げる例に限定されるものではない。   Next, some specific examples of the products (including the substrate to be exposed) that can be manufactured by using the exposure apparatus and the exposure method of the present invention will be illustrated. However, the product is not limited to the examples given below.

≪振動素子≫
図7は、製造物の一例としての振動素子を示し、(a)が平面図、(b)が同図(a)中のB−B線断面図である。図8は、図7に示す振動素子が有する励振電極のパターニング方法を説明する断面図である。
≪Vibration element≫
7A and 7B show a vibration element as an example of a manufactured product, in which FIG. 7A is a plan view and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a method for patterning excitation electrodes included in the vibration element shown in FIG.

図7(a)に示す振動素子500は、基部510と、基部510から延出する一対の振動腕520、530と、を有する音叉型の水晶振動素子である。また、振動腕520、530にはその延在方向に沿って複数の貫通孔521、531が形成されている。また、振動素子500は、図7(b)に示すように、振動腕520、530の側面(外側面および内側面)に配置された励振電極541、542を有しており、励振電極541、542間に交番電圧を印加することで、振動腕520、530が面内逆相モードで屈曲振動するようになっている。   A vibration element 500 shown in FIG. 7A is a tuning fork type crystal vibration element having a base 510 and a pair of vibration arms 520 and 530 extending from the base 510. A plurality of through holes 521 and 531 are formed in the vibrating arms 520 and 530 along the extending direction thereof. Further, as shown in FIG. 7B, the vibration element 500 includes excitation electrodes 541 and 542 disposed on the side surfaces (outer side surface and inner side surface) of the vibrating arms 520 and 530, and the excitation electrode 541, By applying an alternating voltage between 542, the vibrating arms 520 and 530 are flexibly vibrated in the in-plane reverse phase mode.

以上のような振動素子500においては、励振電極541、542を上述した露光装置100および露光方法を用いて形成することができる。例えば、まず、振動腕520、530の全面に金属膜Mおよびポジ型のレジスト膜Rを順に成膜したものを用意する。次に、図8(a)に示すように、約45°の入射角θinでレーザー光LL1、LL2を入射し、表裏面および側面上のレジスト膜Rを露光する。さらに残りの面についても同様に露光を行い、現像することで、図8(b)に示すように、励振電極541、542の形状に対応したレジストマスクRMが形成され、このレジストマスクRMを介して金属膜Mをエッチングした後、レジストマスクRMを除去することで、励振電極541、542を形成することができる。   In the vibration element 500 as described above, the excitation electrodes 541 and 542 can be formed using the exposure apparatus 100 and the exposure method described above. For example, first, a metal film M and a positive resist film R are sequentially formed on the entire surface of the vibrating arms 520 and 530. Next, as shown in FIG. 8A, laser beams LL1 and LL2 are incident at an incident angle θin of about 45 ° to expose the resist film R on the front and back surfaces and side surfaces. Further, the remaining surface is exposed and developed in the same manner, whereby a resist mask RM corresponding to the shape of the excitation electrodes 541 and 542 is formed as shown in FIG. 8B, and the resist mask RM passes through the resist mask RM. After the metal film M is etched, the resist electrodes 541 and 542 can be formed by removing the resist mask RM.

なお、図7では、音叉型の振動子について説明したが、振動子の構成はこれに限定されず、例えば、双音叉型の振動子であってもよいし、メサ型、逆メサ型等のATカット水晶振動子であってもよしい、基部と、基部から一方側へ延出する一対の駆動腕と、基部から他方側へ延出する一対の検出腕と、を有するH型の振動型ジャイロセンサー素子であってもよいし、基部と、基部から両側へ延出する一対の検出腕と、基部から一対の検出腕と直交する方向の両側へ延出する一対の接続腕と、一方の接続腕の先端部から両側へ延出する一対の駆動腕と、他方の接続腕の先端部から両側へ延出する一対の振動腕と、を有するWT型の振動型ジャイロセンサー素子であってもよい。   In FIG. 7, the tuning fork type vibrator has been described. However, the structure of the vibrator is not limited to this, and for example, a double tuning fork type vibrator may be used. An H-type vibrating gyroscope having a base, a pair of drive arms extending from the base to one side, and a pair of detection arms extending from the base to the other side, which may be an AT-cut crystal resonator It may be a sensor element, a base, a pair of detection arms extending from the base to both sides, a pair of connection arms extending from the base to both sides in a direction orthogonal to the pair of detection arms, and one connection A WT vibration type gyro sensor element having a pair of driving arms extending from both ends of the arm to both sides and a pair of vibrating arms extending from the tip of the other connecting arm to both sides may be used. .

≪波長可変フィルター≫
図9は、製造物の一例としての波長可変フィルターを示す断面図である。
≪Wavelength tunable filter≫
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a wavelength tunable filter as an example of a product.

図9に示す波長可変フィルター600は、共にガラス板から形成されている固定基板610および可動基板620を備え、これらが対向して接合されている。また、固定基板610は、周囲から突出した凸状の反射膜設置部611を有し、反射膜設置部611の上面には固定反射膜630が設けられている。一方、可動基板620は、周囲よりも薄肉な環状の保持部621と、この保持部621の内側に位置し、保持部621を弾性変形させつつ固定基板610に対して変位可能な可動部622とを有し、可動部622の下面には可動反射膜640が設けられている。固定反射膜630および可動反射膜640は、ギャップG1を介して対向配置されており、このギャップG1は、静電アクチュエーター650で調整することができる。   A wavelength tunable filter 600 shown in FIG. 9 includes a fixed substrate 610 and a movable substrate 620, both of which are formed from a glass plate, and these are bonded to face each other. Further, the fixed substrate 610 has a convex reflective film installation part 611 protruding from the periphery, and a fixed reflective film 630 is provided on the upper surface of the reflective film installation part 611. On the other hand, the movable substrate 620 includes an annular holding portion 621 that is thinner than the surroundings, and a movable portion 622 that is positioned inside the holding portion 621 and that can be displaced with respect to the fixed substrate 610 while elastically deforming the holding portion 621. A movable reflective film 640 is provided on the lower surface of the movable portion 622. The fixed reflection film 630 and the movable reflection film 640 are arranged to face each other via a gap G1, and the gap G1 can be adjusted by the electrostatic actuator 650.

静電アクチュエーター650は、固定基板610の上面に反射膜設置部611の周囲を囲むように配置された環状の固定電極651と、可動基板620の下面に固定電極651と対向するように配置された環状の可動電極652とを有し、固定電極651は、引出配線653によって引き出され、可動電極652は、引出配線654によって引き出されている。このような静電アクチュエーター650では、固定電極651および可動電極652の間に電圧を印加することにより発生する静電力を利用してギャップG1を調整することができる。このように、ギャップG1を調整することで、波長可変フィルター600に入射した検査対象光から所定の目的波長の光を取り出すことができる。   The electrostatic actuator 650 is disposed on the upper surface of the fixed substrate 610 so as to surround the reflection film installation portion 611 and is disposed on the lower surface of the movable substrate 620 so as to face the fixed electrode 651. The fixed electrode 651 is drawn out by the lead wiring 653, and the movable electrode 652 is drawn out by the lead wiring 654. In such an electrostatic actuator 650, the gap G1 can be adjusted using an electrostatic force generated by applying a voltage between the fixed electrode 651 and the movable electrode 652. In this way, by adjusting the gap G1, light having a predetermined target wavelength can be extracted from the inspection target light incident on the wavelength tunable filter 600.

以上のような波長可変フィルター600においては、例えば、固定電極651および引出配線653を上述した露光装置100および露光方法を用いて形成することができる。また、同様に、可動電極652および引出配線654を上述した露光装置100および露光方法を用いて形成することができる。なお、具体的な露光方法については前述した振動素子500とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。   In the wavelength tunable filter 600 as described above, for example, the fixed electrode 651 and the lead-out wiring 653 can be formed using the exposure apparatus 100 and the exposure method described above. Similarly, the movable electrode 652 and the lead wiring 654 can be formed using the exposure apparatus 100 and the exposure method described above. Note that a specific exposure method is substantially the same procedure as that of the vibration element 500 described above, and a description thereof will be omitted.

≪発光素子≫
図10は、製造物の一例としての発光素子を示す断面図である。図11は、図10中のC−C線断面図である。
≪Light emitting element≫
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a light emitting device as an example of a product. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG.

図10および図11に示す発光素子700は、SLD(スーパールミネッセントダイオード)であって、基板702と、第1クラッド層704と、活性層706と、第2クラッド層708と、コンタクト層709と、第1電極712と、第2電極714と、絶縁部720とが積層した構成となっている。   A light emitting element 700 shown in FIGS. 10 and 11 is an SLD (super luminescent diode), and includes a substrate 702, a first cladding layer 704, an active layer 706, a second cladding layer 708, and a contact layer 709. In addition, the first electrode 712, the second electrode 714, and the insulating portion 720 are stacked.

基板702は、例えばn型のGaAs基板である。また、第1クラッド層704は、例えばn型のInGaAlP層である。また、第2クラッド層708は、例えばp型のInGaAlP層である。また、活性層706は、例えばInGaPウェル層とInGaAlPバリア層とから構成される量子井戸構造を3つ重ねた多重量子井戸(MQW)構造である。   The substrate 702 is, for example, an n-type GaAs substrate. The first cladding layer 704 is, for example, an n-type InGaAlP layer. The second cladding layer 708 is, for example, a p-type InGaAlP layer. The active layer 706 has a multiple quantum well (MQW) structure in which, for example, three quantum well structures each composed of an InGaP well layer and an InGaAlP barrier layer are stacked.

活性層706は、光出射部730が形成される第1側面731と、第1側面731に対して傾斜した第2側面732および第3側面733を有している。なお、第2、第3側面732、733は、それぞれ、発光素子700を貫通する貫通孔741、742の内周面で構成されている。このような活性層706の一部は、第1利得領域751、第2利得領域752および第3利得領域753からなる利得領域群750を構成し、この利得領域群が複数設けられている。   The active layer 706 includes a first side surface 731 on which the light emitting portion 730 is formed, a second side surface 732 and a third side surface 733 that are inclined with respect to the first side surface 731. The second and third side surfaces 732 and 733 are configured by inner peripheral surfaces of through holes 741 and 742 that penetrate the light emitting element 700, respectively. A part of the active layer 706 forms a gain region group 750 including a first gain region 751, a second gain region 752, and a third gain region 753, and a plurality of gain region groups are provided.

このような構成の発光素子700では、第1電極712と第2電極714との間に、第1クラッド層704、活性層706および第2クラッド層708からなるpinダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層706に利得領域751、752、753を生じ、利得領域751、752、753において電子と正孔との再結合が起こって発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域751、752、753内で光の強度が増幅される。そして、強度が増幅された光は、光出射部730から光Lとして出射される。   In the light emitting device 700 having such a configuration, when a forward bias voltage of a pin diode including the first cladding layer 704, the active layer 706, and the second cladding layer 708 is applied between the first electrode 712 and the second electrode 714. Then, gain regions 751, 752, and 753 are generated in the active layer 706, and recombination of electrons and holes occurs in the gain regions 751, 752, and 753, and light emission occurs. With this generated light as the starting point, stimulated emission occurs in a chain, and the light intensity is amplified in the gain regions 751, 752, and 753. Then, the light whose intensity has been amplified is emitted as light L from the light emitting unit 730.

コンタクト層709と第2クラッド層708の一部とは、柱状部722を構成する。柱状部722の平面形状は、利得領域群750の平面形状と同じである。言い換えれば、柱状部722の平面形状によって、第1、第2電極712、714間の電流経路が決定され、その結果、利得領域群750の平面形状が決定される。   The contact layer 709 and a part of the second cladding layer 708 form a columnar portion 722. The planar shape of the columnar portion 722 is the same as the planar shape of the gain region group 750. In other words, the current path between the first and second electrodes 712 and 714 is determined by the planar shape of the columnar portion 722, and as a result, the planar shape of the gain region group 750 is determined.

第1電極712は、基板702の下の全面に形成されており、第2電極714は、コンタクト層709上に形成されている。第2電極714の平面形状は、例えば、利得領域群750の平面形状と同じである。これら第1、第2電極712、714は、例えば、Cr層、AuZn層、Au層の順で積層した金属積層体である。   The first electrode 712 is formed on the entire surface under the substrate 702, and the second electrode 714 is formed on the contact layer 709. The planar shape of the second electrode 714 is the same as the planar shape of the gain region group 750, for example. The first and second electrodes 712 and 714 are, for example, a metal laminate in which a Cr layer, an AuZn layer, and an Au layer are laminated in this order.

以上のような発光素子700においては、例えば、第2電極714を上述した露光方法を用いて形成することができる。また、例えば、貫通孔741、742を上述した露光方法を用いて形成することができる。なお、具体的な露光方法については、前述した振動素子500とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。   In the light emitting element 700 as described above, for example, the second electrode 714 can be formed using the exposure method described above. Further, for example, the through holes 741 and 742 can be formed using the exposure method described above. The specific exposure method is substantially the same procedure as that of the vibration element 500 described above, and the description thereof is omitted.

≪インクジェットヘッド≫
図12は、製造物の一例としてのインクジェットヘッドを示す断面図である。
≪Inkjet head≫
FIG. 12 is a cross-sectional view showing an inkjet head as an example of a product.

図12に示すインクジェットヘッド800は、ノズル基板811、流路形成基板812、振動板813、リザーバー形成基板814およびコンプライアンス基板815が順に積層された積層基板810と、振動板813上に配置された複数の圧電素子820と、圧電素子820を覆うように振動板813上に設けられた配線形成部830と、配線形成部830上に配置されたICパッケージ840とを有している。このようなインクジェットヘッド800は、圧電素子820が振動板813を振動させることで、圧力発生室890内の圧力を変化させ、ノズル基板811に形成された吐出口891からインクIを液滴として吐出するように構成されている。   An inkjet head 800 shown in FIG. 12 includes a laminated substrate 810 in which a nozzle substrate 811, a flow path forming substrate 812, a vibration plate 813, a reservoir forming substrate 814 and a compliance substrate 815 are sequentially stacked, and a plurality of substrates disposed on the vibration plate 813. Piezoelectric element 820, a wiring forming portion 830 provided on the vibration plate 813 so as to cover the piezoelectric element 820, and an IC package 840 disposed on the wiring forming portion 830. In such an inkjet head 800, the piezoelectric element 820 vibrates the vibration plate 813, thereby changing the pressure in the pressure generation chamber 890, and ejecting ink I as droplets from the ejection port 891 formed in the nozzle substrate 811. Is configured to do.

配線形成部830は、例えば、シリコン基板をウエットエッチング(異方性エッチング)することで、リザーバー形成基板814と一括形成されている。このような配線形成部830は、一対の傾斜面831、832と、傾斜面831、832の上端同士を連結する上面833とを有し、傾斜面831、832の傾斜角が約54°となっている。また、配線形成部830は、下面に開口する凹部を有し、この凹部と振動板813とで画成された空間に圧電素子820が配置されている。また、配線形成部830の上面833および傾斜面831、832には配線839が配置されており、この配線839が圧電素子820に電気的に接続されている。   For example, the wiring forming unit 830 is collectively formed with the reservoir forming substrate 814 by performing wet etching (anisotropic etching) on the silicon substrate. Such a wiring forming portion 830 has a pair of inclined surfaces 831 and 832 and an upper surface 833 that connects the upper ends of the inclined surfaces 831 and 832, and the inclined angle of the inclined surfaces 831 and 832 is about 54 °. ing. In addition, the wiring forming portion 830 has a recess opening on the lower surface, and the piezoelectric element 820 is disposed in a space defined by the recess and the diaphragm 813. Further, a wiring 839 is disposed on the upper surface 833 and the inclined surfaces 831 and 832 of the wiring forming portion 830, and the wiring 839 is electrically connected to the piezoelectric element 820.

ICパッケージ840は、各圧電素子820の駆動を独立して制御することができる回路を含み、半田や金バンプ等の導電性固定部材を介して配線形成部830の上面に固定されると共に、配線839と電気的に接続されている。   The IC package 840 includes a circuit that can control the driving of each piezoelectric element 820 independently, and is fixed to the upper surface of the wiring forming portion 830 via a conductive fixing member such as solder or gold bumps. 839 is electrically connected.

以上のようなインクジェットヘッド800においては、例えば、配線839を上述した露光装置100および露光方法を用いて形成することができる。なお、具体的な露光方法については、前述した振動素子500とほぼ同様の手順であるため、その説明を省略する。   In the inkjet head 800 as described above, for example, the wiring 839 can be formed by using the exposure apparatus 100 and the exposure method described above. The specific exposure method is substantially the same procedure as that of the vibration element 500 described above, and the description thereof is omitted.

≪メタルマスク≫
図13は、製造物の一例としてのメタルマスクを有する基材を示す断面図である。図14は、図13に示すメタルマスクの製造方法を示す断面図である。
≪Metal mask≫
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a base material having a metal mask as an example of a product. 14 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing the metal mask shown in FIG.

図13に示すメタルマスク910は、例えば、水晶基板やシリコン基板等の基材900をドライエッチングによりパターニングする際のマスクである。このようなメタルマスク910も上述した露光装置100および露光方法を用いて形成することができる。簡単に説明すると、まず、基材900を用意し、図14(a)に示すように、スパッタ、蒸着等によって基材900の表裏面にめっき成長用のシード層920を形成する。次に、シード層920上にレジスト膜Rを成膜し、このレジスト膜Rを上述した露光方法で露光することで、図14(b)に示すように、メタルマスク910の形状に対応した開口を有するレジストマスクRMを得る。次に、電解めっき、無電解めっき等によって、レジストマスクRMの開口内にめっき層930を成膜し、レジストマスクRMおよびめっき層930からはみ出ているシード層920を除去することで、図14(c)に示すように、メタルマスク910が得られる。   A metal mask 910 shown in FIG. 13 is a mask used when patterning a base material 900 such as a crystal substrate or a silicon substrate by dry etching, for example. Such a metal mask 910 can also be formed using the exposure apparatus 100 and the exposure method described above. Briefly, first, a base material 900 is prepared, and as shown in FIG. 14A, a seed layer 920 for plating growth is formed on the front and back surfaces of the base material 900 by sputtering, vapor deposition, or the like. Next, a resist film R is formed on the seed layer 920, and this resist film R is exposed by the above-described exposure method, whereby openings corresponding to the shape of the metal mask 910 are formed as shown in FIG. A resist mask RM having is obtained. Next, a plating layer 930 is formed in the opening of the resist mask RM by electrolytic plating, electroless plating, or the like, and the seed layer 920 protruding from the resist mask RM and the plating layer 930 is removed, whereby FIG. As shown in c), a metal mask 910 is obtained.

100……露光装置
110……保持ユニット
120A……第1露光光入射ユニット
120B……第2露光光入射ユニット
130A、130B……レーザー光源
140A、140B……レーザー光源制御部
150A、150B……光学レンズ系
151……コリメーターレンズ
152……第1ズームレンズ
153……第2ズームレンズ
154……第1シリンドリカルレンズ
155……fθレンズ
156……第2シリンドリカルレンズ
160A、160B……ポリゴンミラー
161……反射面
170A、170B……ミラー
200……被露光基板
201……表面
202……裏面
203、204、205、206……側面
210……基板
500……振動素子
510……基部
520、530……振動腕
521、531……貫通孔
541、542……励振電極
600……波長可変フィルター
610……固定基板
611……反射膜設置部
620……可動基板
621……保持部
622……可動部
630……固定反射膜
640……可動反射膜
650……静電アクチュエーター
651……固定電極
652……可動電極
653……引出配線
654……引出配線
700……発光素子
702……基板
704……第1クラッド層
706……活性層
708……第2クラッド層
709……コンタクト層
712……第1電極
714……第2電極
720……絶縁部
722……柱状部
730……光出射部
731……第1側面
732……第2側面
733……第3側面
741、742……貫通孔
750……利得領域群
751……第1利得領域
752……第2利得領域
753……第3利得領域
800……インクジェットヘッド
810……積層基板
811……ノズル基板
812……流路形成基板
813……振動板
814……リザーバー形成基板
815……コンプライアンス基板
820……圧電素子
830……配線形成部
831、832……傾斜面
833……上面
839……配線
840……ICパッケージ
890……圧力発生室
891……吐出口
900……基材
910……メタルマスク
920……シード層
930……めっき層
G1……ギャップ
I……インク
J、J1、J2……軸
201、L202……法線方向
LL1、LL2……レーザー光
L……光
M……金属膜
R……レジスト膜
RM……レジストマスク
θin……入射角
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Exposure apparatus 110 ... Holding unit 120A ... 1st exposure light incident unit 120B ... 2nd exposure light incident unit 130A, 130B ... Laser light source 140A, 140B ... Laser light source control part 150A, 150B ... Optical Lens system 151 ... Collimator lens 152 ... First zoom lens 153 ... Second zoom lens 154 ... First cylindrical lens 155 ... fθ lens 156 ... Second cylindrical lenses 160A, 160B ... Polygon mirror 161 ... ... reflective surfaces 170A, 170B ... mirror 200 ... substrate to be exposed 201 ... front surface 202 ... back surface 203, 204, 205, 206 ... side surface 210 ... substrate 500 ... vibration element 510 ... base 520, 530 ... ... Vibrating arm 521, 531 ... Through hole 541 542... Excitation electrode 600... Tunable filter 610... Fixed substrate 611. 650: Electrostatic actuator 651: Fixed electrode 652: Movable electrode 653 ... Lead wire 654 ... Lead wire 700 ... Light emitting element 702 ... Substrate 704 ... First clad layer 706 ... Active layer 708 ... Second clad layer 709 ... contact layer 712 ... first electrode 714 ... second electrode 720 ... insulating part 722 ... columnar part 730 ... light emitting part 731 ... first side 732 ... second side 733 …… Third side surface 741, 742 …… Through hole 750 …… Gain region group 751 …… First gain region 752 …… Second gain region 753 …… Third gain region Area 800... Inkjet head 810... Laminated substrate 811... Nozzle substrate 812. 831, 832 ... Inclined surface 833 ... Upper surface 839 ... Wiring 840 ... IC package 890 ... Pressure generating chamber 891 ... Discharge port 900 ... Base material 910 ... Metal mask 920 ... Seed layer 930 ... Plating layer G1 ...... gap I ...... ink J, J1, J2 ...... axis L 201, L 202 ...... normal direction LL1, LL2 ...... laser light L ...... light M ...... metal film R ...... resist film RM ... … Resist mask θin …… incident angle

Claims (8)

被露光物を保持する保持部と、
前記被露光物の第1主面側に位置し、第1方向に走査する第1露光光を前記被露光物に入射する第1露光光入射部と、
前記被露光物の前記第1主面の反対側である第2主面側に位置し、第2方向に走査する第2露光光を前記被露光物に入射する第2露光光入射部と、
前記保持部、前記第1露光光入射部、および前記第2露光光入射部を、前記第1方向と前記第2方向に交差する第3方向に相対的に移動させる移動手段と、を有し、
前記第1露光光は、前記第1主面の法線方向に対して前記第3方向の一方側に傾いた方向から前記被露光物に入射し、
前記第2露光光は、前記第2主面の法線方向に対して前記第3方向の他方側に傾いた方向から前記被露光物に入射することを特徴とする露光装置。
A holding unit for holding an object to be exposed;
A first exposure light incident portion that is located on the first main surface side of the object to be exposed and that makes first exposure light that scans in a first direction enter the object to be exposed;
A second exposure light incident portion that is located on the second principal surface side opposite to the first principal surface of the object to be exposed, and that enters second exposure light that scans in a second direction to the object to be exposed;
Moving means for relatively moving the holding unit, the first exposure light incident unit, and the second exposure light incident unit in a third direction intersecting the first direction and the second direction; ,
The first exposure light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to one side of the third direction with respect to the normal direction of the first main surface,
The exposure apparatus, wherein the second exposure light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to the other side of the third direction with respect to a normal line direction of the second main surface.
前記被露光物は、前記第1主面と前記第2主面に接続する側面を有し、
前記第1露光光によって、前記第1主面と前記側面の第1部分が露光され、
前記第2露光光によって、前記第2主面と前記側面の第2部分が露光される請求項1に記載の露光装置。
The object to be exposed has side surfaces connected to the first main surface and the second main surface;
The first main surface and the first portion of the side surface are exposed by the first exposure light,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second main surface and the second portion of the side surface are exposed by the second exposure light.
前記第1部分と前記第2部分の少なくとも一方には、互いに法線方向が異なる複数の面が含まれている請求項2に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein at least one of the first part and the second part includes a plurality of surfaces having different normal directions. 前記第2方向は、前記第1方向に沿っている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second direction is along the first direction. 前記第1露光光の走査中心軸と前記第2露光光の走査中心軸は、同一直線上に沿っている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光装置。   5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a scanning center axis of the first exposure light and a scanning center axis of the second exposure light are along the same straight line. 6. 前記第1露光光と前記第2露光光の少なくとも一方の前記入射角を調整することができる入射角調整手段を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising an incident angle adjusting unit capable of adjusting the incident angle of at least one of the first exposure light and the second exposure light. 第1方向に走査する第1露光光を被露光物の第1主面側から入射し、第2方向に走査する第2露光光を前記第1主面の反対側である第2主面側から入射し、前記第1露光光および前記第2露光光の入射位置を前記第1方向と前記第2方向に交差する第3方向に移動させることで、前記被露光物を露光する工程を含み、
前記工程では、前記第1露光光は、前記第1主面の法線方向に対して前記第3方向の一方側に傾いた方向から前記被露光物に入射し、前記第2露光光は、前記第2主面の法線方向に対して前記第3方向の他方側に傾いた方向から前記被露光物に入射することを特徴とする露光方法。
The first exposure light that scans in the first direction is incident from the first main surface side of the object to be exposed, and the second exposure light that scans in the second direction is the second main surface side opposite to the first main surface. And exposing the object to be exposed by moving the incident positions of the first exposure light and the second exposure light in a third direction intersecting the first direction and the second direction. ,
In the step, the first exposure light is incident on the object to be exposed from a direction inclined to one side of the third direction with respect to a normal direction of the first main surface, and the second exposure light is An exposure method, wherein the exposure object is incident from a direction inclined to the other side of the third direction with respect to a normal direction of the second main surface.
前記被露光物は、前記第1主面と前記第2主面に接続する側面を有し、
前記第1露光光は、前記第1主面と前記側面の第1部分を露光し、
前記第2露光光は、前記第2主面と前記側面の第2部分を露光する請求項7に記載の露光方法。
The object to be exposed has side surfaces connected to the first main surface and the second main surface;
The first exposure light exposes the first main surface and the first portion of the side surface,
The exposure method according to claim 7, wherein the second exposure light exposes the second main surface and a second portion of the side surface.
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