JP2016012803A - Piezoelectric device with constant temperature oven - Google Patents

Piezoelectric device with constant temperature oven Download PDF

Info

Publication number
JP2016012803A
JP2016012803A JP2014133041A JP2014133041A JP2016012803A JP 2016012803 A JP2016012803 A JP 2016012803A JP 2014133041 A JP2014133041 A JP 2014133041A JP 2014133041 A JP2014133041 A JP 2014133041A JP 2016012803 A JP2016012803 A JP 2016012803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mounting
heater
mounting surface
heat transfer
piezoelectric device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014133041A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
倫大 齊藤
Michihiro Saito
倫大 齊藤
邦彦 小野
Kunihiko Ono
邦彦 小野
伸郎 竹野
Nobuo Takeno
伸郎 竹野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Crystal Device Corp
Original Assignee
Kyocera Crystal Device Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Crystal Device Corp filed Critical Kyocera Crystal Device Corp
Priority to JP2014133041A priority Critical patent/JP2016012803A/en
Publication of JP2016012803A publication Critical patent/JP2016012803A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device with a constant temperature oven (an oven-controlled crystal oscillator) which promptly makes a temperature of a piezoelectric device constant.SOLUTION: An oven-controlled crystal oscillator includes: a mounting substrate 17 including a first mounting surface 24a and a second mounting surface 24b on the back surface of the first mounting surface 24a; a temperature compensated type crystal oscillator (TCXO) 3 mounted on the first mounting surface 24a; a heater 21 mounted on the second mounting surface 24b; and a case that houses the mounting substrate 17, the TCXO 3, and the heater 21. The mounting substrate 17 includes: an insulation substrate 24 forming the first mounting surface 24a and the second mounting surface 24b; and a heat transfer body 63 which is made of a material having heat conductivity higher than that of the insulation substrate 24, penetrates through the insulation substrate 24 to be exposed on the second mounting surface 24b side in an area overlapping with the heater 21 and exposed on the first mounting surface 24a side in an area overlapping with the TCXO 3, and is not electrically connected with the TCXO 3.

Description

本発明は、恒温槽付圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a thermostatic chamber-equipped piezoelectric device.

恒温槽を有する圧電デバイスが知られている。例えば、特許文献1は、実装基板と、実装基板の一方の主面に実装された温度補償型水晶発振器(TCXO:Temperature Compensated Crystal Oscillator)と、実装基板の他方の主面に実装されたヒータと、これらを収容するケースとを有した恒温槽付水晶発振器(OCXO:Oven Controlled Crystal Oscillator)を開示している。なお、ヒータ及びケースによって恒温槽が構成されている。恒温槽によってTCXOの周囲の温度は一定とされる。これにより、TCXOの発振信号の周波数が温度によって変動してしまうことが低減される。   A piezoelectric device having a thermostatic chamber is known. For example, Patent Document 1 discloses a mounting substrate, a temperature compensated crystal oscillator (TCXO) mounted on one main surface of the mounting substrate, and a heater mounted on the other main surface of the mounting substrate. And an oven controlled crystal oscillator (OCXO) having a case for housing them. In addition, the thermostat is comprised by the heater and the case. The temperature around the TCXO is made constant by the thermostatic bath. This reduces the fluctuation of the frequency of the TCXO oscillation signal due to temperature.

特開2013−211752号公報JP2013-211752A

特許文献1の技術では、圧電デバイス(TCXO)とヒータとの間には実装基板が介在している。従って、ヒータの熱の一部が実装基板に移動し、圧電デバイスの温度が一定の温度になるまでに時間がかかるおそれがある。ひいては、圧電デバイスの電気的特性が安定するまで時間がかかるおそれがある。   In the technique of Patent Document 1, a mounting substrate is interposed between the piezoelectric device (TCXO) and the heater. Therefore, a part of the heat of the heater may move to the mounting substrate, and it may take time for the temperature of the piezoelectric device to reach a constant temperature. As a result, it may take time until the electrical characteristics of the piezoelectric device are stabilized.

従って、圧電デバイスの温度を迅速に一定の温度にできる恒温槽付圧電デバイスが提供されることが望まれる。   Therefore, it is desired to provide a piezoelectric device with a thermostatic chamber that can quickly bring the temperature of the piezoelectric device to a constant temperature.

本発明の一態様に係る恒温槽付圧電デバイスは、第1実装面及びその背面の第2実装面を有する実装基体と、前記第1実装面に実装された圧電デバイスと、前記第2実装面に実装されたヒータと、前記圧電デバイス、前記実装基体及び前記ヒータを収容するケースと、を有し、前記実装基体は、前記第1実装面及び前記第2実装面を構成する絶縁基体と、前記絶縁基体よりも熱伝導率が高い材料からなり、前記絶縁基体を貫通し、前記ヒータに重なる領域にて前記第2実装面側に露出するとともに前記圧電デバイスに重なる領域にて前記第1実装面側に露出し、前記圧電デバイスに対して電気的に非接続とされた伝熱体と、を有している。   A thermostatic chamber-equipped piezoelectric device according to an aspect of the present invention includes a mounting substrate having a first mounting surface and a second mounting surface on the back thereof, a piezoelectric device mounted on the first mounting surface, and the second mounting surface A heater, and a case for housing the piezoelectric device, the mounting substrate, and the heater, and the mounting substrate includes an insulating substrate that constitutes the first mounting surface and the second mounting surface; The first mounting is made of a material having a higher thermal conductivity than the insulating base, penetrates the insulating base, is exposed to the second mounting surface side in a region overlapping the heater, and overlaps the piezoelectric device. And a heat transfer body exposed to the surface side and electrically disconnected from the piezoelectric device.

好適には、前記伝熱体は、前記第1実装面に設けられ、前記圧電デバイスに対向する第1伝熱膜を含む。   Preferably, the heat transfer body includes a first heat transfer film provided on the first mounting surface and facing the piezoelectric device.

好適には、前記伝熱体は、前記第2実装面に設けられ、前記ヒータに対向する第2伝熱膜を含む。   Preferably, the heat transfer body includes a second heat transfer film provided on the second mounting surface and facing the heater.

好適には、前記圧電デバイスと前記第1実装面との間には空間が形成されており、前記実装基体には、前記ヒータ及び前記空間に重なる領域に、前記絶縁基体を前記第2実装面側から前記第1実装面側へ貫通して前記空間に通じる中空の貫通孔が形成されており、前記伝熱体は、前記貫通孔の内周面に設けられた内周伝熱膜を含む。   Preferably, a space is formed between the piezoelectric device and the first mounting surface, and the insulating substrate is disposed on the mounting substrate in a region overlapping the heater and the space. A hollow through hole penetrating from the side to the first mounting surface side and leading to the space is formed, and the heat transfer body includes an inner peripheral heat transfer film provided on an inner peripheral surface of the through hole. .

好適には、前記圧電デバイスと前記第1実装面との間には空間が形成されており、前記伝熱体は、前記空間と重なる領域においてのみ前記第1実装面側に露出している。   Preferably, a space is formed between the piezoelectric device and the first mounting surface, and the heat transfer body is exposed to the first mounting surface side only in a region overlapping the space.

好適には、前記圧電デバイスは、互いに反対側に開口する第1凹部及び第2凹部を有する素子搭載部材と、前記第1凹部に収容された圧電素子と、前記第2凹部に収容された集積回路素子と、を有し、第2凹部側を前記第1実装面に向けて前記第1実装面に実装され、前記第2凹部は、前記第1空間の少なくとも一部を構成している。   Preferably, the piezoelectric device includes an element mounting member having a first concave portion and a second concave portion opening on opposite sides, a piezoelectric element accommodated in the first concave portion, and an integration accommodated in the second concave portion. And is mounted on the first mounting surface with the second recess side facing the first mounting surface, and the second recess constitutes at least a part of the first space.

好適には、前記伝熱体は、前記第2実装面に設けられ、バンプを介して前記ヒータと接合された実装パッドに接続されている。   Preferably, the heat transfer body is provided on the second mounting surface and connected to a mounting pad joined to the heater via a bump.

上記の構成によれば、圧電デバイスの温度を迅速に一定の温度にできる。   According to said structure, the temperature of a piezoelectric device can be rapidly made constant.

本発明の実施形態に係るOCXOの概略構成を、一部を破断して示す斜視図。1 is a perspective view showing a schematic configuration of an OCXO according to an embodiment of the present invention with a part thereof broken. FIG. 図1のII−II線における断面図。Sectional drawing in the II-II line of FIG. 図2の一部拡大図。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2. 図1のOCXOの実装基体の上面図及び下面図。The top view and bottom view of the mounting base | substrate of OCXO of FIG. 図1のOCXOの信号処理系の概略構成を示すブロック図。The block diagram which shows schematic structure of the signal processing system of OCXO of FIG.

以下、本発明の実施形態に係るOCXOについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。   Hereinafter, OCXO according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.

OCXOは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともにz方向の正側を上方として、上面、下面などの用語を用いるものとする。   The OCXO may be set in any direction upward or downward, but hereinafter, for convenience, terms such as an upper surface and a lower surface are defined by defining the orthogonal coordinate system xyz and setting the positive side in the z direction upward. Shall be used.

同一又は類似する構成については、「第1外部端子23A」、「第2外部端子23B」のように、名称の頭に番号を付すとともに符号の末尾に大文字のアルファベットを付すことがある。また、この場合において、単に「外部端子23」のように、番号及びアルファベットを省略し、区別しないことがある。   For the same or similar configuration, a number may be added to the beginning of the name and a capital letter may be added to the end of the code, such as “first external terminal 23A” and “second external terminal 23B”. In this case, the numbers and alphabets may be omitted and not distinguished, just like “external terminal 23”.

配線やパッド等の導電体について、電気的乃至は熱的の説明無しに単に接続という場合、基本的には、対象物同士が接触したり、対象物同士が一体的に形成されたり、対象物同士がバンプ等を介して接合されたりするような接続を指し、電気的な接続及び熱的な接続を伴うものとする。熱的な接続は、例えば、2つの対象物が直接に接触乃至は一体的に形成されている状態、及び、2つの対象物の間に、後述する絶縁基体24の材料及びケース19内の気体(例えば空気)よりも熱伝導率が高い材料からなる1又は複数の部材が介在して熱の経路が構成されている状態をいうものとする。   When a conductor such as a wiring or a pad is simply connected without an electrical or thermal description, basically, the objects are in contact with each other, the objects are integrally formed, It refers to a connection in which the members are joined together via bumps or the like, and is accompanied by an electrical connection and a thermal connection. In the thermal connection, for example, the state in which the two objects are in direct contact with or integrally formed, and the material of the insulating base 24 described later and the gas in the case 19 are between the two objects. A state in which one or a plurality of members made of a material having a higher thermal conductivity than air (for example, air) is interposed to form a heat path.

図1は、本発明の実施形態に係るOCXO1の概略構成を、一部を破断して示す斜視図である。また、図2は、図1のII−II線における断面図である。   FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an OCXO 1 according to an embodiment of the present invention, with a part thereof broken. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.

OCXO1は、例えば、TCXO3と、TCXO3の周囲の雰囲気を所定の温度に維持するとともにTCXO3と外部機器との電気的接続を仲介するための恒温槽5とを有している。   The OCXO 1 includes, for example, a TCXO 3 and a thermostatic chamber 5 for maintaining an atmosphere around the TCXO 3 at a predetermined temperature and mediating electrical connection between the TCXO 3 and an external device.

TCXO3は、例えば、素子搭載部材7と、素子搭載部材7に搭載された振動素子9(図2)及びIC11(図2)と、振動素子9を封止するための蓋体13とを有している。   The TCXO 3 includes, for example, an element mounting member 7, a vibration element 9 (FIG. 2) and an IC 11 (FIG. 2) mounted on the element mounting member 7, and a lid 13 for sealing the vibration element 9. ing.

素子搭載部材7は、例えば、絶縁部材15と、絶縁部材15の表面又は内部に設けられた各種の配線及びパッドとを有している。   The element mounting member 7 includes, for example, an insulating member 15 and various wirings and pads provided on or inside the insulating member 15.

絶縁部材15(素子搭載部材7)は、図2に示すように、上方に開口し、振動素子9を収容する第1凹部15aと、下方に開口し、IC11を収容する第2凹部15bとを有している。別の観点では、絶縁部材15は、基板部15cと、基板部15cの一方の主面(第1搭載面15ca)上に位置する第1枠部15dと、基板部15cの他方の主面(第2搭載面15cb)上に位置する第2枠部15eとを有している。   As shown in FIG. 2, the insulating member 15 (element mounting member 7) includes a first concave portion 15 a that opens upward and accommodates the vibration element 9, and a second concave portion 15 b that opens downward and accommodates the IC 11. Have. In another aspect, the insulating member 15 includes a substrate portion 15c, a first frame portion 15d positioned on one main surface (first mounting surface 15ca) of the substrate portion 15c, and the other main surface of the substrate portion 15c ( And a second frame portion 15e located on the second mounting surface 15cb).

絶縁部材15は、例えば、アルミナ等のセラミックからなる層状部材を複数枚重ねて形成されている。図2の例では、絶縁部材15は、基板部15cを構成する2枚の層状部材、第1枠部15dを構成する層状部材、及び、第2枠部15eを構成する層状部材の4枚が重ねられて形成されている。   The insulating member 15 is formed by stacking a plurality of layered members made of ceramic such as alumina, for example. In the example of FIG. 2, the insulating member 15 includes four layered members constituting the substrate portion 15c, a layered member constituting the first frame portion 15d, and a layered member constituting the second frame portion 15e. Overlaid and formed.

素子搭載部材7の配線及びパッドは、例えば、絶縁部材15を構成する層状部材を上下方向に貫通するビア導体、及び、層状部材に重ねられた層状導体によって構成されている。これら導体は、例えば、Cu等の金属によって構成されており、絶縁部材15よりも熱伝導率が高い。   The wiring and pads of the element mounting member 7 are constituted by, for example, a via conductor that penetrates the layered member constituting the insulating member 15 in the vertical direction, and a layered conductor superimposed on the layered member. These conductors are made of a metal such as Cu, for example, and have a higher thermal conductivity than the insulating member 15.

振動素子9は、例えば、平板状の圧電素板10(図2)と、圧電素板10の両主面に設けられた1対の励振電極32(図5参照)とを備えている。圧電素板10は、例えば、水晶のような石英材料よりなり、結晶軸に対し所定の角度で切断され、平面視で長方形状とされている。圧電素板10は、1対の励振電極32に電圧が印加されることにより、所定の周波数で厚みすべり振動を生じる。振動素子9は、例えば、励振電極32から延びる不図示の引出電極が第1搭載面ca上の不図示のパッドにバンプによって接合されることによって素子搭載部材7に実装されている。   The vibration element 9 includes, for example, a plate-shaped piezoelectric element plate 10 (FIG. 2) and a pair of excitation electrodes 32 (see FIG. 5) provided on both main surfaces of the piezoelectric element plate 10. The piezoelectric element plate 10 is made of, for example, a quartz material such as quartz, cut at a predetermined angle with respect to a crystal axis, and has a rectangular shape in plan view. When a voltage is applied to the pair of excitation electrodes 32, the piezoelectric base plate 10 generates a thickness shear vibration at a predetermined frequency. The vibration element 9 is mounted on the element mounting member 7 by, for example, a lead electrode (not shown) extending from the excitation electrode 32 being bonded to a pad (not shown) on the first mounting surface ca by a bump.

IC11は、例えば、第2搭載面cbに設けられた不図示のパッドに対してバンプによって接合されることにより、第2搭載面cbに実装されている。IC11は、素子搭載部材7に設けられた配線及びパッドを介して、恒温槽5(より詳細には後述する実装基体17)に電気的に接続されるとともに、振動素子9に電気的に接続されている。   For example, the IC 11 is mounted on the second mounting surface cb by being bonded to a pad (not shown) provided on the second mounting surface cb by a bump. The IC 11 is electrically connected to the thermostatic chamber 5 (more specifically, a mounting substrate 17 to be described later) and also electrically connected to the vibration element 9 through wiring and pads provided on the element mounting member 7. ing.

蓋体13は、第1枠部15dの上面に接合され、第1凹部15aを封止する。蓋体13は、金属等の導電材料により構成されてもよいし、絶縁材料により構成されてもよいし、絶縁層と導電層とを積層した複合材料により構成されてもよい。例えば、蓋体13は、金属板から構成されており、この金属板は、シーム溶接等により第1枠部15dに接合されており、蓋体13が絶縁部材15の表面又は内部に設けられた配線によって、第2デバイスパッド25B(図5参照)と電気的に接続されている。   The lid 13 is bonded to the upper surface of the first frame portion 15d and seals the first recess 15a. The lid 13 may be made of a conductive material such as metal, may be made of an insulating material, or may be made of a composite material in which an insulating layer and a conductive layer are stacked. For example, the lid 13 is made of a metal plate, and this metal plate is joined to the first frame portion 15d by seam welding or the like, and the lid 13 is provided on the surface or inside of the insulating member 15. The wiring is electrically connected to the second device pad 25B (see FIG. 5).

恒温槽5は、例えば、TCXO3が実装される実装基体17と、TCXO3を収容するケース19と、ケース19内の雰囲気を加熱するためのヒータ21(図2)と、OCXO1を外部機器に実装するための複数(本実施形態では4個)の外部端子23(第1外部端子23A〜第4外部端子23D)とを有している。なお、実装基体17には、TCXO3及びヒータ21以外に、各種の電子部品(例えば電源用IC等)が実装されてもよい。   For example, the thermostatic chamber 5 mounts the mounting base 17 on which the TCXO 3 is mounted, the case 19 that houses the TCXO 3, the heater 21 (FIG. 2) for heating the atmosphere in the case 19, and the OCXO 1 to an external device. And a plurality (four in this embodiment) of external terminals 23 (first external terminal 23A to fourth external terminal 23D). In addition to the TCXO 3 and the heater 21, various electronic components (for example, a power supply IC) may be mounted on the mounting substrate 17.

実装基体17は、例えば、プリント配線基板により構成されており、絶縁基体24と、絶縁基体24に設けられた各種の導体とを有している。絶縁基体24(実装基体17)は、第1実装面24aと、その背面の第2実装面24bとを有している。第1実装面24aにはTCXO3が実装され、第2実装面24bにはヒータ21が実装されている。すなわち、TCXO3とヒータ21との間には実装基体17が介在している。絶縁基体24は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。   The mounting substrate 17 is made of, for example, a printed wiring board, and includes an insulating substrate 24 and various conductors provided on the insulating substrate 24. The insulating substrate 24 (mounting substrate 17) has a first mounting surface 24a and a second mounting surface 24b on the back surface thereof. TCXO3 is mounted on the first mounting surface 24a, and the heater 21 is mounted on the second mounting surface 24b. That is, the mounting substrate 17 is interposed between the TCXO 3 and the heater 21. The insulating base 24 is made of, for example, a glass epoxy material.

ケース19は、例えば、金属材料よりなり、TCXO3、実装基体17及びヒータ21を収容している。ケース19は、特に図示しないが、例えば、ケース19の下面を構成する部材と、ケース19の上面及び外周面を構成する部材とが固定されて構成されている。両部材は気密に接合されている(ケース19の内部は密閉されている)ことが好ましい。   The case 19 is made of, for example, a metal material, and houses the TCXO 3, the mounting substrate 17, and the heater 21. Although not particularly illustrated, the case 19 is configured, for example, by fixing a member constituting the lower surface of the case 19 and members constituting the upper surface and the outer peripheral surface of the case 19. Both members are preferably joined in an airtight manner (the inside of the case 19 is sealed).

ヒータ21は、例えば、実装基体17の第2実装面24bにおいて、TCXO3と重なる位置に実装されている。ヒータ21は、例えば、所定のパターンに延びる導電体(抵抗体)を絶縁材料により封止して構成されており、実装基体17を介して印加された電圧に応じた熱を生じる。   For example, the heater 21 is mounted on the second mounting surface 24b of the mounting substrate 17 at a position overlapping the TCXO3. For example, the heater 21 is configured by sealing a conductor (resistor) extending in a predetermined pattern with an insulating material, and generates heat corresponding to a voltage applied via the mounting substrate 17.

複数の外部端子23は、例えば、ピン状の端子であり、一端側が、実装基体17に形成された孔に挿通され、半田等により実装基体17に固定されるとともに電気的に接続されている。複数の外部端子23の他端側は、例えば、ケース19の下面から延び出ている。なお、複数の外部端子23は、ケース19に対して固定され、実装基体17とケース19の下面との間隔を確保しつつ、実装基体17とケース19とを固定することに寄与してもよい。   The plurality of external terminals 23 are, for example, pin-shaped terminals, and one end side is inserted into a hole formed in the mounting base 17 and is fixed to the mounting base 17 with solder or the like and electrically connected thereto. The other end sides of the plurality of external terminals 23 extend from, for example, the lower surface of the case 19. The plurality of external terminals 23 are fixed to the case 19 and may contribute to fixing the mounting base 17 and the case 19 while securing a space between the mounting base 17 and the lower surface of the case 19. .

図3は、図2の一部拡大図である。図3では、TCXO3及びヒータ21の実装基体17に対する実装に係る部分、及び、実装基体17の構成等を図2よりも詳細に図示している。   FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. In FIG. 3, the portion related to the mounting of the TCXO 3 and the heater 21 on the mounting base 17, the configuration of the mounting base 17, and the like are shown in more detail than FIG.

素子搭載部材7は、例えば、第2枠部15eの下面に設けられた複数(本実施形態では4つ)のデバイスパッド25(第1デバイスパッド25A〜第4デバイスパッド25D。図5も参照)を有している。デバイスパッド25は、素子搭載部材7の配線を介してIC11と電気的に接続されている。複数のデバイスパッド25の第2枠部15eの下面内における配置位置、平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。例えば、複数のデバイスパッド25は、第2枠部15eの4隅に設けられている。   The element mounting member 7 includes, for example, a plurality (four in the present embodiment) of device pads 25 (first device pad 25A to fourth device pad 25D provided on the lower surface of the second frame portion 15e. See also FIG. 5). have. The device pad 25 is electrically connected to the IC 11 through the wiring of the element mounting member 7. The arrangement position, planar shape, and area of the plurality of device pads 25 in the lower surface of the second frame portion 15e may be set as appropriate. For example, the plurality of device pads 25 are provided at the four corners of the second frame portion 15e.

TCXO3は、第2枠部15eの下面を実装基体17の第1実装面24aに対向させて配置される。そして、複数のデバイスパッド25は、第1実装面24aに設けられた複数のデバイス用実装パッド27(第1デバイス用実装パッド27A〜第4デバイス用実装パッド27D。図4(a)も参照)に対して複数のバンプ26によって接合される。これにより、TCXO3は、実装基体17に固定されるとともに電気的に接続される。バンプ26は、例えば、半田(鉛フリー半田を含む)又は導電性接着材によって構成されている。   The TCXO 3 is disposed with the lower surface of the second frame portion 15e facing the first mounting surface 24a of the mounting substrate 17. The plurality of device pads 25 are a plurality of device mounting pads 27 provided on the first mounting surface 24a (first device mounting pad 27A to fourth device mounting pad 27D; see also FIG. 4A). Are joined by a plurality of bumps 26. Thereby, the TCXO 3 is fixed and electrically connected to the mounting substrate 17. The bump 26 is made of, for example, solder (including lead-free solder) or a conductive adhesive.

素子搭載部材7に第2凹部15bが形成されていることにより、また、バンプ26が素子搭載部材7と実装基体17との間に介在していることによって、TCXO3と実装基体17との間には第1空間S1が構成されている。なお、第1空間S1は、複数のバンプ26の間の隙間を介して素子搭載部材7の外部と通じている。ただし、樹脂が素子搭載部材7の周囲乃至は複数のバンプ26の間に配置されることなどによって、第1空間S1は密閉されていてもよい。   Since the second recess 15b is formed in the element mounting member 7 and the bumps 26 are interposed between the element mounting member 7 and the mounting base 17, the TCXO 3 and the mounting base 17 are interposed. The first space S1 is configured. The first space S <b> 1 communicates with the outside of the element mounting member 7 through gaps between the plurality of bumps 26. However, the first space S <b> 1 may be hermetically sealed by arranging resin around the element mounting member 7 or between the plurality of bumps 26.

ヒータ21は、例えば、第2実装面24bに対向する面に複数(本実施形態では2つ)のヒータパッド28を有している。ヒータパッド28は、例えば、電力供給を受けるためのものであり、ヒータ21の長手方向の両側に設けられている。複数のヒータパッド28は、第2実装面24bに設けられた複数のヒータ用実装パッド30(第1ヒータ用実装パッド30A及び第2ヒータ用実装パッド30B)に対して複数のバンプ29によって接合される。これにより、ヒータ21は、実装基体17に固定されるとともに電気的に接続される。バンプ29は、例えば、半田(鉛フリー半田を含む)又は導電性接着材によって構成されている。   The heater 21 has, for example, a plurality (two in this embodiment) of heater pads 28 on the surface facing the second mounting surface 24b. The heater pad 28 is for receiving power supply, for example, and is provided on both sides of the heater 21 in the longitudinal direction. The plurality of heater pads 28 are bonded to the plurality of heater mounting pads 30 (the first heater mounting pad 30A and the second heater mounting pad 30B) provided on the second mounting surface 24b by the plurality of bumps 29. The Thereby, the heater 21 is fixed and electrically connected to the mounting substrate 17. The bump 29 is made of, for example, solder (including lead-free solder) or a conductive adhesive.

ヒータ21は、更に、接着剤31によっても実装基体17に対して固定されている。接着剤31は、例えば、ヒータ21を覆うように設けられている。すなわち、接着剤31は、ヒータ21の側面(例えば4側面又は2側面)、及び、ヒータ21の実装基体17とは反対側の面に密着するとともに、第2実装面24bのヒータ21の周囲の領域に密着している。なお、接着剤31は、ヒータ21に対して、ヒータ21の側面のみに密着してもよい。また、接着剤31は設けられなくてもよい。   The heater 21 is further fixed to the mounting substrate 17 by an adhesive 31. For example, the adhesive 31 is provided so as to cover the heater 21. That is, the adhesive 31 is in close contact with the side surface (for example, four or two side surfaces) of the heater 21 and the surface of the heater 21 opposite to the mounting substrate 17 and around the heater 21 on the second mounting surface 24b. It is in close contact with the area. The adhesive 31 may be in close contact with the heater 21 only on the side surface of the heater 21. Further, the adhesive 31 may not be provided.

ヒータ21と第2実装面24bとはバンプ29の厚みで離間しており、また、両者の間には、外周側を除いて接着剤31が流れ込んでいない。従って、両者の間には第2空間S2が構成されている。第2空間S2は、例えば、接着剤31がヒータ21の外周を囲むように設けられることによって密閉されている。ただし、第2空間S2は、接着剤がヒータ21の4側面のうち2側面のみを覆うように設けられることなどにより、ヒータ21の外側の空間と通じていてもよい。   The heater 21 and the second mounting surface 24b are separated by the thickness of the bump 29, and the adhesive 31 does not flow between them except for the outer peripheral side. Accordingly, a second space S2 is formed between the two. For example, the second space S <b> 2 is sealed by providing the adhesive 31 so as to surround the outer periphery of the heater 21. However, the second space S <b> 2 may communicate with the space outside the heater 21 by providing an adhesive so as to cover only two of the four side surfaces of the heater 21.

実装基体17には、TCXO3の昇温を好適化するために、TCXO3及びヒータ21に重なる領域に複数の貫通孔61が形成されている。複数の貫通孔61は、第1空間S1と第2空間S2とを連通している。複数の貫通孔61の数、配置、形状及び大きさは適宜に設定されてよい。なお、実装基体17に、当該実装基体17の導電層同士を接続するためのスルーホールが設けられる場合、貫通孔61は、このスルーホールと同一の形状及び大きさであれば、スルーホールと同様に形成できて都合がよい。   In the mounting substrate 17, a plurality of through holes 61 are formed in a region overlapping the TCXO 3 and the heater 21 in order to optimize the temperature rise of the TCXO 3. The plurality of through holes 61 communicate the first space S1 and the second space S2. The number, arrangement, shape, and size of the plurality of through holes 61 may be set as appropriate. When a through hole for connecting the conductive layers of the mounting substrate 17 is provided in the mounting substrate 17, the through hole 61 is the same as the through hole as long as it has the same shape and size as the through hole. It is convenient to form.

また、実装基体17は、第1空間S1の昇温を好適化するために、絶縁基体24を貫通して第1実装面24a及び第2実装面24bに露出する伝熱体63を有している。伝熱体63は、例えば、第1実装面24aに設けられ、TCXO3に対向する第1伝熱膜63aと、第2実装面24bに設けられ、ヒータ21に対向する第2伝熱膜63bと、貫通孔61の内周面に設けられ、第1伝熱膜63aと第2伝熱膜63bとを接続する内周伝熱膜63cと、を含んでいる。   In addition, the mounting substrate 17 includes a heat transfer body 63 that penetrates the insulating substrate 24 and is exposed to the first mounting surface 24a and the second mounting surface 24b in order to optimize the temperature increase in the first space S1. Yes. The heat transfer body 63 is, for example, provided on the first mounting surface 24a, the first heat transfer film 63a facing the TCXO3, and the second heat transfer film 63b provided on the second mounting surface 24b and facing the heater 21. And an inner peripheral heat transfer film 63c that is provided on the inner peripheral surface of the through hole 61 and connects the first heat transfer film 63a and the second heat transfer film 63b.

第2伝熱膜63bは、例えば、2つのヒータ用実装パッド30のうち一方と接続されている(ヒータ用実装パッド30を含んでいると捉えられてもよい。)。従って、伝熱体63は、ヒータ用実装パッド30及びバンプ29を介してヒータ21(ヒータパッド28)と熱的に接続されている。伝熱体63は、例えば、Cu等の金属により構成されており、絶縁基体24よりも伝熱率が高い。伝熱体63は、TCXO3に対して電気的に非接続とされている。   For example, the second heat transfer film 63b is connected to one of the two heater mounting pads 30 (may be regarded as including the heater mounting pad 30). Therefore, the heat transfer body 63 is thermally connected to the heater 21 (heater pad 28) via the heater mounting pad 30 and the bump 29. The heat transfer body 63 is made of, for example, a metal such as Cu, and has a higher heat transfer rate than the insulating base 24. The heat transfer body 63 is electrically disconnected from the TCXO 3.

図4(a)は、第1実装面24aの平面図であり、図4(b)は、第2実装面24bの平面図である。ただし、図4(b)は、第1実装面24a側から第2実装面24bを透視した図となっている。すなわち、図4(a)の紙面上下左右と、図4(b)の紙面上下左右とは互いに対応している(座標系xyz参照)。   4A is a plan view of the first mounting surface 24a, and FIG. 4B is a plan view of the second mounting surface 24b. However, FIG. 4B is a view seen through the second mounting surface 24b from the first mounting surface 24a side. That is, the upper, lower, left, and right sides of FIG. 4A correspond to the upper, lower, left, and right sides of FIG. 4B (see the coordinate system xyz).

また、図4(a)では、TCXO3を2点鎖線で示し、図4(b)では、ヒータ21及びヒータ21の制御を行うための制御IC50を2点鎖線で示している。   In FIG. 4A, TCXO3 is indicated by a two-dot chain line, and in FIG. 4B, the control IC 50 for controlling the heater 21 and the heater 21 is indicated by a two-dot chain line.

実装基体17には、複数(4つ)の外部端子23が挿入される複数の孔、及び、複数の外部端子23に接続される複数の接続端子65(第1接続端子65A〜第4接続端子65D)が設けられている。複数の孔及び複数の接続端子65は、例えば、実装基体17の外周側に、より具体的には4隅に設けられている。複数の接続端子65は、例えば、複数の孔の内周面、及び、第1実装面24a及び第2実装面24bにおける孔の周囲に金属膜が設けられることによって形成されている。   The mounting substrate 17 has a plurality of holes into which a plurality (four) of external terminals 23 are inserted, and a plurality of connection terminals 65 (first connection terminals 65A to fourth connection terminals) connected to the plurality of external terminals 23. 65D). The plurality of holes and the plurality of connection terminals 65 are provided, for example, on the outer peripheral side of the mounting substrate 17, more specifically at the four corners. The plurality of connection terminals 65 are formed, for example, by providing a metal film around the inner peripheral surface of the plurality of holes and the holes on the first mounting surface 24a and the second mounting surface 24b.

複数の接続端子65において、その位置と役割との関係は適宜に設定されてよい。本実施形態では、第1接続端子65Aは、TCXO3の生成する発振信号の周波数を制御するための制御電圧Vconが入力される端子であり、第2接続端子65Bは、基準電位となるグランドと接続される端子であり、第3接続端子65Cは、TCXO3の生成した発振信号Voutを出力する端子であり、第4接続端子65Dは、TCXO3及び恒温槽5を駆動するための電源電圧Vccが入力される端子であるものとする。   In the plurality of connection terminals 65, the relationship between the position and the role may be set as appropriate. In the present embodiment, the first connection terminal 65A is a terminal to which a control voltage Vcon for controlling the frequency of the oscillation signal generated by the TCXO3 is input, and the second connection terminal 65B is connected to the ground serving as a reference potential. The third connection terminal 65C is a terminal for outputting the oscillation signal Vout generated by the TCXO3, and the fourth connection terminal 65D is supplied with the power supply voltage Vcc for driving the TCXO3 and the thermostatic chamber 5. Terminal.

複数(4つ)のデバイス用実装パッド27は、TCXO3のデバイスパッド25がTCXO3の4隅に設けられていることに対応して、TCXO3の配置領域の4隅に設けられている。また、複数のデバイス用実装パッド27は、例えば、TCXO3の中心が第1実装面24aの中心に位置するように配置されている。   The plurality of (four) device mounting pads 27 are provided at the four corners of the TCXO3 arrangement region in correspondence with the device pads 25 of the TCXO3 being provided at the four corners of the TCXO3. Further, the plurality of device mounting pads 27 are arranged, for example, such that the center of the TCXO 3 is positioned at the center of the first mounting surface 24a.

なお、中心は、例えば、平面形状の重心である。後述するヒータ21等の中心も同様である。   The center is, for example, the center of gravity of the planar shape. The same applies to the center of a heater 21 and the like which will be described later.

第1デバイス用実装パッド27A〜第4デバイス用実装パッド27Dは、例えば、実装基体17に設けられた配線を介して、第1接続端子65A〜第4接続端子65Dに電気的に接続されている。なお、図4では、第1デバイス用実装パッド27A〜第4デバイス用実装パッド27Dの配置位置と、第1接続端子65A〜第4接続端子65Dの配置位置とは互いに対応しているが、必ずしも対応していなくてもよい。   The first device mounting pad 27A to the fourth device mounting pad 27D are electrically connected to the first connection terminal 65A to the fourth connection terminal 65D through, for example, wiring provided on the mounting base 17. . In FIG. 4, the arrangement positions of the first device mounting pads 27A to the fourth device mounting pads 27D and the arrangement positions of the first connection terminals 65A to the fourth connection terminals 65D correspond to each other. It does not have to be compatible.

複数(2つ)のヒータ用実装パッド30は、ヒータパッド28がヒータ21の長手方向の両側に設けられていることに対応して、ヒータ21の配置領域の長手方向の両側に設けられている。また、複数のヒータ用実装パッド30は、例えば、ヒータ21の中心が第2実装面24bの中心よりも基準電位であるグランドと電気的に接続される第2接続端子65B側に位置するように配置されている。   The plurality (two) of heater mounting pads 30 are provided on both sides of the heater 21 in the longitudinal direction corresponding to the heater pads 28 provided on both sides of the heater 21 in the longitudinal direction. . In addition, the plurality of heater mounting pads 30 are located, for example, such that the center of the heater 21 is located closer to the second connection terminal 65B that is electrically connected to the ground that is the reference potential than the center of the second mounting surface 24b. Has been placed.

第1ヒータ用パッド30Aは、例えば、実装基体17に実装された制御IC50から駆動信号が入力される。第2ヒータ用パッド30Bは、例えば、実装基体17に設けられた配線を介して、基準電位であるグランドと電気的に接続される第2接続端子65Bに電気的に接続されている。   For example, a drive signal is input to the first heater pad 30 </ b> A from the control IC 50 mounted on the mounting substrate 17. The second heater pad 30 </ b> B is electrically connected to the second connection terminal 65 </ b> B that is electrically connected to the ground that is the reference potential, for example, via a wiring provided on the mounting substrate 17.

制御IC50は、基準電位であるグランドと電気的に接続される第2接続端子65B、電源電圧が付与される第4接続端子65D、及び、ヒータ21に電気的に接続される第1ヒータ用パッド30Aに対して、実装基体17の配線を介して電気的に接続される。   The control IC 50 includes a second connection terminal 65B that is electrically connected to the ground that is a reference potential, a fourth connection terminal 65D that is supplied with a power supply voltage, and a first heater pad that is electrically connected to the heater 21. It is electrically connected to 30A through the wiring of the mounting substrate 17.

第1伝熱膜63aは、例えば、複数のデバイス用実装パッド27とバンプ26等によって短絡が生じないように、且つ、できるだけTCXO3との重なりが大きくなるように形成されている。例えば、第1伝熱膜63aは、第2凹部15bの平面形状と同様の形状(例えば矩形)とされるとともに、第2凹部15bの平面形状よりも若干小さくされている。   The first heat transfer film 63a is formed, for example, so that a short circuit is not caused by the plurality of device mounting pads 27 and the bumps 26 and the like and the overlap with the TCXO 3 is as large as possible. For example, the first heat transfer film 63a has a shape (for example, a rectangle) similar to the planar shape of the second recess 15b, and is slightly smaller than the planar shape of the second recess 15b.

第2伝熱膜63bは、例えば、第2実装面24b上の第2伝熱膜63bとは電位が異なる配線と短絡が生じないように、且つ、できるだけヒータ21との重なりが大きくなるように形成されている。例えば、第2伝熱膜63bは、ヒータ21と同等の幅(x方向)を有し、ヒータ21の2/3以上の面積を有するように形成されている。また、第2伝熱膜63bは、例えば、平面透視において、第1伝熱膜63aが収まるような大きさ及び形状に形成されている。   For example, the second heat transfer film 63b does not cause a short circuit with a wiring having a different potential from the second heat transfer film 63b on the second mounting surface 24b, and the overlap with the heater 21 is as large as possible. Is formed. For example, the second heat transfer film 63 b has the same width (x direction) as the heater 21 and is formed to have an area of 2/3 or more of the heater 21. Further, the second heat transfer film 63b is formed in a size and a shape so that the first heat transfer film 63a can be accommodated in, for example, a plan view.

複数の貫通孔61は、例えば、第1空間S1及びヒータ21に重なる領域(本実施形態では、ヒータ21は第1空間S1よりも広いので、第1空間S1と重なる領域と同一)の中央側に位置する第1貫通孔61Aと、第1空間S1及びヒータ21に重なる領域の外周側に位置し、第1貫通孔61Aを囲む複数(4つ)の第2貫通孔61Bと、を含んでいる。複数の第2貫通孔61Bは、例えば、矩形の第1空間S1の4隅に位置している。   The plurality of through-holes 61 are, for example, the central side of a region that overlaps the first space S1 and the heater 21 (in this embodiment, the heater 21 is wider than the first space S1, and thus is the same as the region that overlaps the first space S1). A first through hole 61A located on the outer periphery of a region overlapping the first space S1 and the heater 21, and a plurality of (four) second through holes 61B surrounding the first through hole 61A. Yes. The plurality of second through holes 61B are located at, for example, the four corners of the rectangular first space S1.

なお、第1空間S1及びヒータ21に重なる領域の中央側は、例えば、前記領域の外周縁部よりも前記領域の中心に近い範囲(中心側の半分の範囲)をいい、外周側は、前記中心よりも前記外周縁部に近い範囲(外周縁部側の半分の範囲)をいう。より好適には、中央側は、前記中心と前記外周縁部との中間位置よりも前記中心に近い範囲(中心側の1/4の範囲)位置であり、外周側は、前記中間位置よりも前記外周縁部に近い範囲(外周縁部側の1/4の範囲)位置である。   The central side of the region overlapping the first space S1 and the heater 21 is, for example, a range closer to the center of the region than the outer peripheral edge of the region (a half range of the central side), and the outer peripheral side is the A range closer to the outer periphery than the center (half range on the outer periphery). More preferably, the central side is a position closer to the center than the intermediate position between the center and the outer peripheral edge (a quarter of the center side), and the outer peripheral side is more than the intermediate position. It is a range (1/4 range on the outer peripheral edge side) position close to the outer peripheral edge.

実装基体17は、基準電位となるグランドと電気的に接続される第2接続端子65Bにヒータ21の熱を伝え易くするために、第2実装面24bに伝熱配線67(図4(b))を有している。伝熱配線67は、第2接続端子65Bに接続されるとともに、平面透視においてヒータ21に重なっている。ただし、伝熱配線67は、ヒータ21に対して電気的に接続されていない。又は、伝熱配線67は、ヒータ21(ヒータ用実装パッド30)に対して抵抗、キャパシタ又はインダクタ等の電子素子を介してヒータ21に電気的に接続されており、直接的に接続されていない。なお、伝熱配線67の第2接続端子65B側の他端は、ヒータ21に電気的に接続されていない場合、ヒータ21以外の電子素子に電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。伝熱配線67は、第2接続端子65Bからヒータ21に至るまで一体的に延びていることが望ましいが、その中途に熱の伝達をさほど妨げない電子素子が配置されていてもよい。伝熱配線67は、例えば、ヒータ21を横切るように2つのヒータ用実装パッド30の間において延びている。   In order to make it easier to transfer the heat of the heater 21 to the second connection terminal 65B electrically connected to the ground serving as the reference potential, the mounting substrate 17 has a heat transfer wiring 67 (see FIG. 4B) on the second mounting surface 24b. )have. The heat transfer wiring 67 is connected to the second connection terminal 65B and overlaps the heater 21 in a plan view. However, the heat transfer wiring 67 is not electrically connected to the heater 21. Alternatively, the heat transfer wiring 67 is electrically connected to the heater 21 via an electronic element such as a resistor, a capacitor, or an inductor with respect to the heater 21 (heater mounting pad 30), and is not directly connected. . The other end of the heat transfer wiring 67 on the second connection terminal 65B side may or may not be electrically connected to an electronic element other than the heater 21 when not electrically connected to the heater 21. It does not have to be. The heat transfer wiring 67 desirably extends integrally from the second connection terminal 65 </ b> B to the heater 21, but an electronic element that does not hinder heat transfer may be disposed in the middle of the heat transfer wiring 67. For example, the heat transfer wiring 67 extends between the two heater mounting pads 30 so as to cross the heater 21.

また、実装基体17は、基準電位となるグランドと電気的に接続される第2デバイス用実装パッド27Bにヒータ21の熱を伝え易くするために、第1実装面24aにダミーパッド69(図4(a))を有している。ダミーパッド69は、例えば、配線の一部(例えば先端)が拡幅することにより形成されており、第2接続端子65Bと第2デバイス用実装パッド27Bとを接続するデバイス用配線71に対して、第2デバイス用実装パッド27Bを介して接続されている。ダミーパッド69は、TCXO3と電気的に接続されていない。例えば、ダミーパッド69上には、バンプ26が設けられず、ダミーパッド69は、TCXO3と接合されない。又は、ダミーパッド69は、IC11及び振動素子9等のTCXO3のいずれの電子素子にも電気的に接続されていないダミーのデバイスパッド25とバンプ26によって接合されており、TCXO3と熱的には接続されているものの電気的には接続されていない。   Further, the mounting substrate 17 has a dummy pad 69 (see FIG. 4) on the first mounting surface 24a in order to easily transfer the heat of the heater 21 to the second device mounting pad 27B electrically connected to the ground serving as the reference potential. (A)). The dummy pad 69 is formed, for example, by widening a part of the wiring (for example, the tip), and with respect to the device wiring 71 that connects the second connection terminal 65B and the second device mounting pad 27B. The second device mounting pads 27B are connected. The dummy pad 69 is not electrically connected to the TCXO 3. For example, the bump 26 is not provided on the dummy pad 69, and the dummy pad 69 is not bonded to the TCXO3. Alternatively, the dummy pad 69 is bonded by a dummy device pad 25 and a bump 26 that are not electrically connected to any electronic element of the TCXO 3 such as the IC 11 and the vibration element 9 and is thermally connected to the TCXO 3. It is connected but not electrically connected.

図5は、OCXO1の信号処理系の概略構成を示すブロック図である。   FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of the signal processing system of OCXO1.

OCXO1は、既述のように、TCXO3と、恒温槽5とを有しており、両者は、複数のデバイスパッド25と複数のデバイス用実装パッド27とがバンプ26によって接合されることにより電気的に接続されている。また、恒温槽5の複数の外部端子23を介して、TCXO3の複数のデバイスパッド25は、種々の信号が入力され、又は、種々の信号を出力する。   As described above, the OCXO 1 includes the TCXO 3 and the thermostatic chamber 5, which are electrically connected by bonding a plurality of device pads 25 and a plurality of device mounting pads 27 with bumps 26. It is connected to the. In addition, various signals are input to the plurality of device pads 25 of the TCXO 3 via the plurality of external terminals 23 of the thermostat 5 or various signals are output.

TCXO3は、上述のように、振動素子9と、振動素子9と電気的に接続されるIC11とを有している。IC11は、例えば、振動素子9に電圧を印加して発振信号を生成する発振回路33と、発振信号の温度変化に対する補償を行うための温度補償回路35と、温度補償回路35の保持する温度補償に係るデータの内容を書き換えるための不図示の書換え回路とを有している。これら回路の構成は、公知の構成と同様でよい。   As described above, the TCXO 3 includes the vibration element 9 and the IC 11 that is electrically connected to the vibration element 9. The IC 11 includes, for example, an oscillation circuit 33 that generates a oscillation signal by applying a voltage to the vibration element 9, a temperature compensation circuit 35 that compensates for a temperature change of the oscillation signal, and a temperature compensation held by the temperature compensation circuit 35. And a rewriting circuit (not shown) for rewriting the contents of the data. The configuration of these circuits may be the same as a known configuration.

例えば、発振回路33は、特に図示しないが、入力側及び出力側が振動素子9に電気的に接続されるインバータ、インバータの入力側及び出力側に電気的に接続される帰還抵抗、インバータの入力側とグランド部との間に配置される可変容量素子、及び、インバータの出力側とグランド部との間に配置される可変容量素子を含んで構成されている。   For example, the oscillation circuit 33 is not particularly illustrated, but an inverter whose input side and output side are electrically connected to the vibration element 9, a feedback resistor electrically connected to the input side and output side of the inverter, and the input side of the inverter And a variable capacitance element disposed between the output side of the inverter and the ground portion.

また、例えば、温度補償回路35は、振動素子9とグランド部との間に配置される可変容量素子39と、可変容量素子39に電気的に接続された補償信号発生回路41と、補償信号発生回路41に電気的に接続されたROM43、RAM45及び第1温度センサ47とを有している。   In addition, for example, the temperature compensation circuit 35 includes a variable capacitance element 39 disposed between the vibration element 9 and the ground portion, a compensation signal generation circuit 41 electrically connected to the variable capacitance element 39, and a compensation signal generation. A ROM 43, a RAM 45, and a first temperature sensor 47 that are electrically connected to the circuit 41 are included.

なお、温度補償回路35の可変容量素子39には、制御電圧Vconに従って発振信号の周波数を変化させるために発振回路33に含まれる可変容量素子が兼用されてもよい。また、ROM43及びRAM45は、発振回路33が利用する情報を保持するROM及びRAMと兼用されるものであってもよい。第1温度センサ47は、IC11とは別個に設けられてもよい。   Note that the variable capacitance element 39 of the temperature compensation circuit 35 may also be used as a variable capacitance element included in the oscillation circuit 33 in order to change the frequency of the oscillation signal in accordance with the control voltage Vcon. Further, the ROM 43 and the RAM 45 may be used also as a ROM and a RAM that hold information used by the oscillation circuit 33. The first temperature sensor 47 may be provided separately from the IC 11.

補償信号発生回路41は、ROM43又はRAM45に記憶されている情報に基づいて、第1温度センサ47の検出する温度に応じた電圧を可変容量素子39に印加する。これにより、温度に応じて振動素子9の負荷容量が変化し、発振信号の周波数は温度補償がなされる。   The compensation signal generation circuit 41 applies a voltage corresponding to the temperature detected by the first temperature sensor 47 to the variable capacitance element 39 based on information stored in the ROM 43 or RAM 45. Thereby, the load capacity of the vibration element 9 changes according to the temperature, and the frequency of the oscillation signal is temperature-compensated.

恒温槽5は、上述したヒータ21に加えて、例えば、ケース19内の適宜な位置の温度を検出する第2温度センサ49と、第2温度センサ49の検出した温度に基づいてヒータ21を制御する温度制御回路51(制御IC50)とを有している。温度制御回路51は、例えば、第2温度センサ49の検出する温度が予め設定された温度に維持されるようにヒータ21をフィードバック制御する。   In addition to the heater 21 described above, the thermostat 5 controls the heater 21 based on, for example, a second temperature sensor 49 that detects the temperature at an appropriate position in the case 19 and the temperature detected by the second temperature sensor 49. Temperature control circuit 51 (control IC 50). For example, the temperature control circuit 51 feedback-controls the heater 21 so that the temperature detected by the second temperature sensor 49 is maintained at a preset temperature.

なお、TCXOには、第1温度センサ47の検出する温度をデバイスパッド25から出力可能なものがある。このようなTCXOがTCXO3として選択されている場合においては、第2温度センサ49を設けずに、第1温度センサ47の検出した温度に基づいてヒータ21が制御されてもよい。   Some TCXOs can output the temperature detected by the first temperature sensor 47 from the device pad 25. When such TCXO is selected as TCXO 3, the heater 21 may be controlled based on the temperature detected by the first temperature sensor 47 without providing the second temperature sensor 49.

図4(a)では、恒温槽5から露出する複数の外部端子23と、TCXO3の複数のデバイスパッド25とは、電子素子を介在させずに、実装基体17の配線によって接続されている。ただし、適宜な電子素子が介在していてもよい。例えば、増幅器又はインピーダンス整合を図るための素子が介在していてもよい。ただし、基準電位となるグランドと電気的に接続される第2外部端子23B(第2接続端子65B)と、第2デバイスパッド25Bとは、電子素子を介在させずに接続されていることが望ましい。   In FIG. 4A, the plurality of external terminals 23 exposed from the thermostat 5 and the plurality of device pads 25 of the TCXO 3 are connected by wiring of the mounting substrate 17 without interposing electronic elements. However, an appropriate electronic element may be interposed. For example, an amplifier or an element for impedance matching may be interposed. However, it is preferable that the second external terminal 23B (second connection terminal 65B) electrically connected to the ground serving as the reference potential and the second device pad 25B are connected without interposing an electronic element. .

以上に説明した本実施形態のOCXO1は、例えば、以下に述べる第1〜第3の観点の作用効果を奏する。   The OCXO 1 of the present embodiment described above exhibits, for example, the effects of the first to third aspects described below.

第1の観点では、本実施形態のOCXO1は、第1実装面24a及びその背面の第2実装面24bを有する実装基体17と、第1実装面24aに実装されたTCXO3と、第2実装面24bに実装されたヒータ21と、これらを収容するケース19とを有している。TCXO3と第1実装面24aとの間には第1空間S1が形成されている。実装基体17には、ヒータ21及び第1空間S1に重なる領域に、実装基体17を第2実装面24b側から第1実装面24a側へ貫通して第1空間S1に通じる中空の貫通孔61が形成されている。   In the first aspect, the OCXO 1 of the present embodiment includes a mounting substrate 17 having a first mounting surface 24a and a second mounting surface 24b on the back surface thereof, a TCXO 3 mounted on the first mounting surface 24a, and a second mounting surface. It has a heater 21 mounted on 24b and a case 19 for housing them. A first space S1 is formed between the TCXO 3 and the first mounting surface 24a. The mounting substrate 17 has a hollow through hole 61 that penetrates the mounting substrate 17 from the second mounting surface 24b side to the first mounting surface 24a side in a region overlapping the heater 21 and the first space S1 and communicates with the first space S1. Is formed.

従って、第1空間S1の気体(例えば空気)は、実装基体17を介さずに、貫通孔61を介して直接的にヒータ21に触れることができる。その結果、第1空間S1の温度がヒータ21によって上昇しやすくなり、ひいては、ヒータ21によってTCXO3の温度を迅速に一定の温度にすることができる。すなわち、OCXO1の特性が安定するまでの起動時間を短くすることができる。   Therefore, the gas (for example, air) in the first space S <b> 1 can directly touch the heater 21 through the through hole 61 without passing through the mounting substrate 17. As a result, the temperature of the first space S1 is easily raised by the heater 21, and as a result, the temperature of the TCXO 3 can be quickly made constant by the heater 21. That is, it is possible to shorten the startup time until the characteristics of the OCXO1 are stabilized.

また、本実施形態では、ヒータ21と第2実装面24bとの間には第2空間S2が形成されており、貫通孔61によって第1空間S1と第2空間S2とが連通されている。   In the present embodiment, a second space S2 is formed between the heater 21 and the second mounting surface 24b, and the first space S1 and the second space S2 are communicated with each other through the through hole 61.

通常、ヒータ21がバンプ29によって実装されることによって第2空間S2が形成されると、ヒータ21から実装基体17への伝熱性が低下し、ひいては、TCXO3を昇温させにくくなる。しかし、本実施形態では、貫通孔61によって第2空間S2の気体が第1空間S1に流れ込むことができることから、第2空間S2は、ヒータ21によって第1空間S1の気体を直接的に昇温させる空間として機能することになる。その結果、第2空間S2が形成されることによる伝熱性の低下を低減することができ、又は、第2空間S2が形成されない場合よりも伝熱性を向上させることができる。   Usually, when the second space S2 is formed by mounting the heater 21 with the bumps 29, the heat transfer from the heater 21 to the mounting substrate 17 is lowered, and as a result, it is difficult to raise the temperature of the TCXO3. However, in the present embodiment, since the gas in the second space S2 can flow into the first space S1 through the through-hole 61, the second space S2 directly heats up the gas in the first space S1 by the heater 21. It will function as a space to let you. As a result, a decrease in heat transfer due to the formation of the second space S2 can be reduced, or the heat transfer can be improved as compared with the case where the second space S2 is not formed.

また、本実施形態では、複数の貫通孔61によって第1空間S1と第2空間S2とが連通されている。   In the present embodiment, the first space S <b> 1 and the second space S <b> 2 are communicated with each other through the plurality of through holes 61.

従って、第2空間S2から複数の貫通孔61のいずれかを介した第1空間S1への気体の流れ、及び、第1空間S1から複数の貫通孔の他のいずれかを介した第2空間S2への気体の流れが生じ得る。その結果、第1空間S1及び第2空間S2に好適な対流が生じ、第1空間S1の温度が上昇しやすくなる。   Accordingly, the flow of gas from the second space S2 to the first space S1 via any of the plurality of through holes 61, and the second space from the first space S1 to any other of the plurality of through holes. A gas flow to S2 may occur. As a result, suitable convection occurs in the first space S1 and the second space S2, and the temperature of the first space S1 is likely to rise.

また、本実施形態では、複数の貫通孔61は、第1空間S1及びヒータ21に重なる領域の中央側に位置する第1貫通孔61A(中央側貫通孔)と、第1空間S1及びヒータ21に重なる領域の外周側に位置し、第1貫通孔61Aを囲む複数の第2貫通孔61B(外側貫通孔)と、を含んでいる。   In the present embodiment, the plurality of through holes 61 include a first through hole 61 </ b> A (center side through hole) located on the center side of a region overlapping the first space S <b> 1 and the heater 21, and the first space S <b> 1 and the heater 21. And a plurality of second through holes 61B (outer through holes) surrounding the first through hole 61A.

従って、上述の対流が好適に生じやすくなる。例えば、第1空間S1は、外周側が第2枠部15eに接しており、中央側がIC11に接しており、両者の温度に影響を及ぼす部材が異なっていることから、中央側及び外周側の一方が他方よりも温度が高くなりやすい。その結果、第1空間S1の中央側から外周側へ、又は、第1空間S1の外周側から中央側への気体の流れが生じやすい。その流れに対応した位置に第1貫通孔61A及び第2貫通孔61Bが配置されていることによって、これら貫通孔61に気体が流れやすくなり、ひいては、好適に対流が生じる。また、ヒータ21において、中央側と外周側とで温度差が生じやすく、且つ、TCXO3の中央側とヒータ21の中央側とが概ね一致していれば、さらに対流が生じやすくなる。   Therefore, the above-described convection is preferably easily generated. For example, in the first space S1, the outer peripheral side is in contact with the second frame portion 15e, the central side is in contact with the IC 11, and the members that affect the temperature of both are different. However, the temperature tends to be higher than the other. As a result, a gas flow tends to occur from the center side to the outer periphery side of the first space S1 or from the outer periphery side to the center side of the first space S1. By arranging the first through-hole 61A and the second through-hole 61B at a position corresponding to the flow, gas easily flows through these through-holes 61, and thus convection is preferably generated. Further, in the heater 21, a temperature difference is likely to occur between the center side and the outer peripheral side, and convection is more likely to occur if the center side of the TCXO 3 and the center side of the heater 21 substantially coincide.

また、本実施形態では、TCXO3は、互いに反対側に開口する第1凹部15a及び第2凹部15bを有する素子搭載部材7と、第1凹部15aに収容された振動素子9(圧電素子)と、第2凹部15bに収容されたIC11(集積回路素子)と、を有し、第2凹部15b側を第1実装面24aに向けて第1実装面24aに実装されている。第2凹部15bは、第1空間S1の少なくとも一部を構成し、貫通孔61は、第2凹部15bと重なる領域に位置している。   In the present embodiment, the TCXO 3 includes the element mounting member 7 having the first concave portion 15a and the second concave portion 15b that are open on opposite sides, the vibration element 9 (piezoelectric element) housed in the first concave portion 15a, IC 11 (integrated circuit element) housed in the second recess 15b, and is mounted on the first mounting surface 24a with the second recess 15b side facing the first mounting surface 24a. The 2nd recessed part 15b comprises at least one part of 1st space S1, and the through-hole 61 is located in the area | region which overlaps with the 2nd recessed part 15b.

従って、いわゆるH型の素子搭載部材7において、第2凹部15bの温度を迅速に上昇させることができる。その結果、第2凹部15b側から第1凹部15aを昇温しにくいというH型のデメリットを低減することができる。   Therefore, in the so-called H-type element mounting member 7, the temperature of the second recess 15b can be quickly raised. As a result, it is possible to reduce the H-shaped disadvantage that it is difficult to raise the temperature of the first recess 15a from the second recess 15b side.

また、第2の観点では、本実施形態のOCXO1は、第1実装面24a及びその背面の第2実装面24bを有する実装基体17と、第1実装面24aに実装されたTCXO3(圧電デバイス)と、第2実装面24bに実装されたヒータ21と、これらを収容するケース19と、を有している。実装基体17は、第1実装面24a及び第2実装面24bを構成する絶縁基体24と、絶縁基体24よりも熱伝導率が高い材料からなり、絶縁基体24を貫通し、ヒータ21に重なる領域にて第2実装面24b側に露出するとともにTCXO3に重なる領域にて第1実装面24a側に露出し、TCXO3に対して電気的に非接続とされた伝熱体63と、を有している。   In a second aspect, the OCXO 1 of the present embodiment includes a mounting substrate 17 having a first mounting surface 24a and a second mounting surface 24b on the back surface thereof, and a TCXO 3 (piezoelectric device) mounted on the first mounting surface 24a. And a heater 21 mounted on the second mounting surface 24b, and a case 19 for housing them. The mounting substrate 17 is made of an insulating substrate 24 constituting the first mounting surface 24a and the second mounting surface 24b, and a material having a higher thermal conductivity than the insulating substrate 24, and penetrates the insulating substrate 24 and overlaps the heater 21. A heat transfer body 63 that is exposed to the second mounting surface 24b side and exposed to the first mounting surface 24a side in a region that overlaps the TCXO3, and is electrically disconnected from the TCXO3. Yes.

従って、ヒータ21とTCXO3との間に絶縁基体24のみが介在している場合に比較して、ヒータ21の熱がTCXO3に伝わり易くなる。その結果、ヒータ21によってTCXO3の温度を迅速に一定の温度にすることができる。すなわち、OCXO1の特性が安定するまでの起動時間を短くすることができる。   Therefore, compared with the case where only the insulating base 24 is interposed between the heater 21 and the TCXO 3, the heat of the heater 21 is easily transmitted to the TCXO 3. As a result, the temperature of the TCXO 3 can be quickly brought to a constant temperature by the heater 21. That is, it is possible to shorten the startup time until the characteristics of the OCXO1 are stabilized.

また、本実施形態では、伝熱体63は、第1実装面24aに設けられ、TCXO3に対向する第1伝熱膜63aを含む。   In the present embodiment, the heat transfer body 63 includes a first heat transfer film 63a provided on the first mounting surface 24a and facing the TCXO3.

従って、単に絶縁基体24を貫通する導体(金属)を設けるような場合に比較して、伝熱体63の体積の増加を抑えつつ、広範囲に亘って伝熱体63からTCXO3に熱を伝えることできる。その結果、安価に伝熱性を向上させることができる。また、第1伝熱膜63aが基準電位となるグランドと電気的に接続されるとすれば、第1伝熱膜63aがシールドとして機能し、TCXO3の電気特性が向上することも期待される。   Therefore, heat is transferred from the heat transfer body 63 to the TCXO 3 over a wide range while suppressing an increase in the volume of the heat transfer body 63 as compared with a case where a conductor (metal) penetrating the insulating base 24 is simply provided. it can. As a result, heat conductivity can be improved at low cost. Further, if the first heat transfer film 63a is electrically connected to the ground serving as the reference potential, it is expected that the first heat transfer film 63a functions as a shield and the electrical characteristics of the TCXO 3 are improved.

また、本実施形態では、伝熱体63は、第2実装面24bに設けられ、ヒータ21に対向する第2伝熱膜63bを含む。   In the present embodiment, the heat transfer body 63 includes a second heat transfer film 63 b provided on the second mounting surface 24 b and facing the heater 21.

従って、単に絶縁基体24を貫通する導体(金属)を設けるような場合に比較して、伝熱体63の体積の増加を抑えつつ、広範囲に亘ってヒータ21から伝熱体63に熱を伝えることができる。その結果、安価に伝熱性を向上させることができる。また、第2伝熱膜63bも、第1伝熱膜63aと同様に、基準電位となるグランドと電気的に接続されることにより、TCXO3の電気特性を向上させるシールドとして機能することが期待される。   Therefore, heat is transmitted from the heater 21 to the heat transfer body 63 over a wide range while suppressing an increase in the volume of the heat transfer body 63 as compared with a case where a conductor (metal) penetrating the insulating base 24 is simply provided. be able to. As a result, heat conductivity can be improved at low cost. Similarly to the first heat transfer film 63a, the second heat transfer film 63b is expected to function as a shield that improves the electrical characteristics of the TCXO 3 by being electrically connected to the ground serving as the reference potential. The

また、本実施形態では、TCXO3と第1実装面24aとの間には第1空間S1が形成されている。実装基体17には、ヒータ21及び第1空間S1に重なる領域に、実装基体17を第2実装面24b側から第1実装面24a側へ貫通して第1空間S1に通じる中空の貫通孔61が形成されている。伝熱体63は、貫通孔61の内周面に設けられた内周伝熱膜63cを含む。   In the present embodiment, a first space S1 is formed between the TCXO 3 and the first mounting surface 24a. The mounting substrate 17 has a hollow through hole 61 that penetrates the mounting substrate 17 from the second mounting surface 24b side to the first mounting surface 24a side in a region overlapping the heater 21 and the first space S1 and communicates with the first space S1. Is formed. The heat transfer body 63 includes an inner peripheral heat transfer film 63 c provided on the inner peripheral surface of the through hole 61.

従って、第1の観点から説明した、第1空間S1の気体をヒータ21によって加熱することによる効果を得るとともに、当該効果を得るための貫通孔61を、伝熱体63を第2実装面24bから第1実装面24aに亘って設けるために利用できる。その結果、全体として簡便な製造方法乃至は構成によって効果的にヒータ21の熱をTCXO3に伝えることができる。   Therefore, while obtaining the effect by heating the gas of 1st space S1 with the heater 21 demonstrated from the 1st viewpoint, the through-hole 61 for obtaining the said effect, the heat-transfer body 63, and the 2nd mounting surface 24b. To the first mounting surface 24a. As a result, the heat of the heater 21 can be effectively transferred to the TCXO 3 by a simple manufacturing method or configuration as a whole.

また、本実施形態では、TCXO3と第1実装面24aとの間には第1空間S1が形成されている。伝熱体63は、第1空間S1と重なる領域においてのみ第1実装面24a側に露出している。   In the present embodiment, a first space S1 is formed between the TCXO 3 and the first mounting surface 24a. The heat transfer body 63 is exposed to the first mounting surface 24a side only in the region overlapping the first space S1.

従って、例えば、伝熱体63と、TCXO3を実装するためのデバイス用実装パッド27との短絡が生じるおそれが低減される。また、TCXO3の基板部15cは、第2枠部15e内の導体、デバイスパッド25及びバンプ26によって熱的に実装基体17に接続されている外周部に対して、第1空間S1を介して実装基体17と対向している中央部においてヒータ21の熱が伝わりにくい。そのような第1空間S1に集中的に伝熱体63を露出させることにより、バランスよくヒータ21の熱が基板部15cに伝えられることが期待される。   Therefore, for example, the possibility that a short circuit between the heat transfer body 63 and the device mounting pad 27 for mounting the TCXO 3 occurs is reduced. Further, the substrate portion 15c of the TCXO3 is mounted via the first space S1 on the outer peripheral portion that is thermally connected to the mounting substrate 17 by the conductor, the device pad 25, and the bump 26 in the second frame portion 15e. The heat of the heater 21 is not easily transmitted in the central portion facing the base 17. By exposing the heat transfer body 63 intensively in such a first space S1, it is expected that the heat of the heater 21 is transferred to the substrate portion 15c in a well-balanced manner.

また、本実施形態では、第1の観点においても述べたように、第1空間S1の少なくとも一部がH型の素子搭載部材7の第2凹部15bによって構成されており、上述した伝熱体63によって、第2凹部15b側から第1凹部15aを昇温しにくいというH型のデメリットを低減することができる。   In the present embodiment, as described in the first aspect, at least a part of the first space S1 is constituted by the second recess 15b of the H-type element mounting member 7, and the above-described heat transfer body. 63, it is possible to reduce the H-shaped disadvantage that it is difficult to raise the temperature of the first recess 15a from the second recess 15b side.

また、本実施形態では、伝熱体63は、第2実装面24bに設けられ、バンプ29を介してヒータ21と接合されたヒータ用実装パッド30に接続されている。   In the present embodiment, the heat transfer body 63 is provided on the second mounting surface 24 b and connected to the heater mounting pad 30 joined to the heater 21 via the bumps 29.

従って、伝熱体63は、ヒータ21に熱的に接続されることになり、ヒータ21の熱を好適にTCXO3側へ伝えることができる。しかも、伝熱体63は、ヒータ21を実装するためのヒータ用実装パッド30及びバンプ29によってヒータ21に熱的に接続されることから、全体としてOCXO1の構成が簡素化される。   Therefore, the heat transfer body 63 is thermally connected to the heater 21 and can suitably transfer the heat of the heater 21 to the TCXO 3 side. In addition, since the heat transfer body 63 is thermally connected to the heater 21 by the heater mounting pads 30 and the bumps 29 for mounting the heater 21, the configuration of the OCXO 1 is simplified as a whole.

また、第3の観点では、本実施形態のOCXO1は、第1実装面24a及びその背面の第2実装面24bを有する実装基体17と、第1実装面24aに実装されたTCXO3と、第2実装面24bに実装されたヒータ21と、これらを収容するケース19と、ケース19の外部に露出する複数の外部端子23と、を有している。実装基体17は、複数の外部端子23のいずれかに接続された第2接続端子65B(基準電位用接続端子)と、第2接続端子65Bから延びるデバイス用配線71と、デバイス用配線71に接続され、TCXO3が実装された第2デバイス用実装パッド27Bと、を有している。第2実装面24bの平面視において、ヒータ21の中心は、実装基体17の中心よりも第2接続端子65B側に位置している。   In a third aspect, the OCXO 1 of the present embodiment includes a mounting substrate 17 having a first mounting surface 24a and a second mounting surface 24b on the back surface thereof, a TCXO 3 mounted on the first mounting surface 24a, and a second The heater 21 mounted on the mounting surface 24b, a case 19 for housing these, and a plurality of external terminals 23 exposed to the outside of the case 19 are provided. The mounting substrate 17 is connected to the second connection terminal 65B (reference potential connection terminal) connected to any of the plurality of external terminals 23, the device wiring 71 extending from the second connection terminal 65B, and the device wiring 71. And a second device mounting pad 27B on which TCXO3 is mounted. In the plan view of the second mounting surface 24b, the center of the heater 21 is located closer to the second connection terminal 65B than the center of the mounting substrate 17.

基準電位用の第2接続端子65B、デバイス用配線71及び第2デバイス用実装パッド27Bは、外部端子23とTCXO3とを熱的に接続していることから、TCXO3の熱を外部端子23へ逃がしてしまいやすい。しかし、ヒータ21の中心が実装基体17の中心よりも第2接続端子65B側になるようにヒータ21が設けられ、ヒータ21によって第2接続端子65B及び第2外部端子23Bが昇温されることにより、TCXO3から第2接続端子65Bへの熱の流れが低減される。その結果、ヒータ21によってTCXO3の温度を迅速に一定の温度にすることができる。すなわち、OCXO1の特性が安定するまでの起動時間を短くすることができる。   Since the second connection terminal 65B for reference potential, the device wiring 71, and the second device mounting pad 27B thermally connect the external terminal 23 and the TCXO3, the heat of the TCXO3 is released to the external terminal 23. It is easy to end up. However, the heater 21 is provided so that the center of the heater 21 is closer to the second connection terminal 65B than the center of the mounting substrate 17, and the temperature of the second connection terminal 65B and the second external terminal 23B is increased by the heater 21. Thus, the heat flow from the TCXO 3 to the second connection terminal 65B is reduced. As a result, the temperature of the TCXO 3 can be quickly brought to a constant temperature by the heater 21. That is, it is possible to shorten the startup time until the characteristics of the OCXO1 are stabilized.

また、本実施形態では、実装基体17は、第2実装面24bのヒータ21に重なる領域に設けられ、第2接続端子65Bに接続され、ヒータ21に対して、電気的に非接続とされた又は電子素子を介して電気的に接続された伝熱配線67を有している。   In the present embodiment, the mounting substrate 17 is provided in a region overlapping the heater 21 on the second mounting surface 24b, connected to the second connection terminal 65B, and electrically disconnected from the heater 21. Or it has the heat-transfer wiring 67 electrically connected through the electronic element.

従って、ヒータ21から伝熱配線67を介して第2接続端子65Bに熱を伝えることができ、第2接続端子65Bを迅速に昇温することができる。その結果、TCXO3から第2接続端子65Bへの熱の流れが低減される。   Therefore, heat can be transmitted from the heater 21 to the second connection terminal 65B via the heat transfer wiring 67, and the temperature of the second connection terminal 65B can be quickly raised. As a result, the heat flow from the TCXO 3 to the second connection terminal 65B is reduced.

また、本実施形態では、実装基体17は、第1実装面24aのヒータ21に重なる領域に設けられ、第2デバイス用実装パッド27Bを介してデバイス用配線71と接続され、TCXO3に電気的に非接続とされたダミーパッド69と、を有している。   In the present embodiment, the mounting substrate 17 is provided in a region overlapping the heater 21 on the first mounting surface 24a, is connected to the device wiring 71 via the second device mounting pad 27B, and is electrically connected to the TCXO3. And a dummy pad 69 which is not connected.

従って、ダミーパッド69が実装基体17を介してヒータ21により昇温され、その熱が第2デバイス用実装パッド27Bに伝達されることにより、TCXO3から第2デバイス用実装パッド27Bを介した第2接続端子65Bへの熱の流れが低減される。なお、ダミーパッド69は、ヒータ21に重なっていれば、TCXO3に重なっていなくてもよい。ただし、TCXO3に重なっていれば、第1実装面24aの面積を節約できる。   Accordingly, the temperature of the dummy pad 69 is raised by the heater 21 via the mounting substrate 17, and the heat is transmitted to the second device mounting pad 27B, whereby the second pad via the second device mounting pad 27B is transmitted from the TCXO3. The heat flow to the connection terminal 65B is reduced. Note that the dummy pad 69 may not overlap the TCXO 3 as long as it overlaps the heater 21. However, if it overlaps with TCXO3, the area of the first mounting surface 24a can be saved.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

OCXOの構造は、適宜に変更されてよい。例えば、実装基体のヒータ側に実装基体とスペーサを介して対向する回路基板が設けられ、圧電デバイス(TCXO)、実装基体及び前記の回路基板の実装基体側の面を覆うケースが設けられ、前記の回路基板の実装基体とは反対側の面がケース外に露出されてもよい。この回路基板のケース外に露出する面に、パッド状の外部端子が設けられてもよい。別の観点では、外部端子に接続される実装基体の基準電位用接続端子(実施形態では第2接続端子65B)は、直接に外部端子に電気的及び熱的に接続されるのではなく、前記の回路基板の配線及び端子を介して電気的及び熱的に接続されていてもよい。   The structure of OCXO may be changed as appropriate. For example, a circuit board facing the mounting base via a spacer is provided on the heater side of the mounting base, a piezoelectric device (TCXO), a mounting base, and a case for covering the surface of the circuit board on the mounting base are provided, The surface of the circuit board opposite to the mounting substrate may be exposed outside the case. A pad-like external terminal may be provided on the surface of the circuit board that is exposed outside the case. In another aspect, the reference potential connection terminal (in the embodiment, the second connection terminal 65B) of the mounting substrate connected to the external terminal is not directly and electrically connected to the external terminal. The circuit board may be electrically and thermally connected via wiring and terminals.

圧電デバイスは、発振器に限定されず、例えば、SAWフィルタ等のフィルタであってもよい。なお、圧電デバイスがSAWフィルタの場合、圧電素子は、IDT電極が設けられた圧電基板である。また、圧電デバイスは、温度補償機能を有さないものであってもよい。   The piezoelectric device is not limited to an oscillator, and may be a filter such as a SAW filter, for example. When the piezoelectric device is a SAW filter, the piezoelectric element is a piezoelectric substrate provided with an IDT electrode. The piezoelectric device may not have a temperature compensation function.

圧電デバイスは、いわゆるH型の素子搭載部材を有するものに限定されない。例えば、圧電デバイスは、一つの凹部のみを有する素子搭載部材(箱状の素子搭載部材)に圧電素子が収容されるものであってもよいし、平板状の素子搭載部材に圧電素子が実装されたものであってもよいし、圧電基板の電極が設けられた面を樹脂封止したもの(素子搭載部材が設けられないもの)であってもよい。   The piezoelectric device is not limited to one having a so-called H-type element mounting member. For example, the piezoelectric device may be one in which the piezoelectric element is accommodated in an element mounting member (box-shaped element mounting member) having only one recess, or the piezoelectric element is mounted on a flat element mounting member. Alternatively, the surface on which the electrode of the piezoelectric substrate is provided may be resin-sealed (the device mounting member is not provided).

発振器は、実施形態に例示した以外の信号を入出力するものであってもよい。例えば、発振器は、制御電圧が入力されないもの(予め定められた一定の周波数の発振信号を出力するもの)であってもよいし、イネーブル・ディセーブル信号が入力されるものであってもよいし、周波数が互いに異なる又は同一の2つの発振信号を出力するものであってもよい。   The oscillator may input and output signals other than those exemplified in the embodiment. For example, the oscillator may be one that does not receive a control voltage (outputs an oscillation signal having a predetermined constant frequency), or one that receives an enable / disable signal. Alternatively, two oscillation signals having different frequencies or the same frequency may be output.

振動素子は、圧電体の両主面に1対の電極が設けられるものに限定されず、SAW型の振動素子のように圧電体の一主面に1対の電極が設けられるものであってもよい。圧電体のカットの角度は適宜に設定されてよい。圧電体は、水晶に限定されず、例えば、セラミックであってもよい。   The vibration element is not limited to one in which a pair of electrodes is provided on both main surfaces of the piezoelectric body, and a pair of electrodes is provided on one main surface of the piezoelectric body like a SAW type vibration element. Also good. The cut angle of the piezoelectric body may be set as appropriate. The piezoelectric body is not limited to quartz but may be ceramic, for example.

第2実装面とヒータとの間には第2空間が形成されていなくてもよい。例えば、実施形態において、ヒータと第2実装面との間にはアンダーフィルが充填されていてもよい。また、例えば、ヒータは、直接的に又は接着剤を介して間接的に第2実装面に密着され、第2実装面とは反対側の面に形成されたヒータパッドと実装基体のヒータ用実装パッドとがボンディングワイヤによって接続されるものであってもよい。   The second space may not be formed between the second mounting surface and the heater. For example, in the embodiment, an underfill may be filled between the heater and the second mounting surface. Further, for example, the heater is in close contact with the second mounting surface directly or indirectly through an adhesive, and the heater pad formed on the surface opposite to the second mounting surface and the mounting substrate for heater mounting The pad may be connected by a bonding wire.

実装基体に設けられた第1空間に通じる貫通孔(実施形態では貫通孔61)は、複数でなくてもよい。例えば、貫通孔は、1つのみでもよいし、気体の流入用と流出用との2つのみでもよい。複数の貫通孔が設けられる場合、その配置位置は適宜に設定されてよい。例えば、実施形態において、第1空間S1の4隅及び中央だけでなく、短辺及び/又は長辺に沿って多数の貫通孔が形成されてもよい。貫通孔の形状も円形に限定されず、楕円形や長方形であってもよい。   There may not be a plurality of through holes (through holes 61 in the embodiment) communicating with the first space provided in the mounting substrate. For example, the number of through holes may be only one, or only two for gas inflow and outflow. When a plurality of through holes are provided, the arrangement position may be set as appropriate. For example, in the embodiment, a large number of through holes may be formed along the short side and / or the long side as well as the four corners and the center of the first space S1. The shape of the through hole is not limited to a circle, and may be an ellipse or a rectangle.

伝熱体の材料は、導電材料でなくてもよいし、金属でなくてもよい。ただし、一般には、導電材料乃至は金属は熱伝導率が高く、伝熱体の材料として好適である。また、伝熱体の材料が導電材料であれば、伝熱体を配線乃至はパッドとともに形成することも可能であり、都合がよい。   The material of the heat transfer body may not be a conductive material or a metal. However, in general, a conductive material or a metal has high thermal conductivity and is suitable as a material for a heat transfer body. In addition, if the material of the heat transfer body is a conductive material, it is possible to form the heat transfer body together with wirings or pads, which is convenient.

伝熱体の形状及び配置は適宜に設定されてよい。例えば、伝熱体は、第1伝熱膜及び第2伝熱膜を接続する部分が、圧電デバイス又はヒータに重ならない領域において絶縁基体を貫通するものであってもよい。また、例えば、伝熱体は、絶縁基体を貫通する部分が、貫通孔の内面に設けられた膜状ではなく、貫通孔に充填された柱状とされてもよい。また、伝熱体は、圧電デバイス及びヒータに重なる領域において絶縁基体を貫通する柱状に形成され、第1伝熱膜及び第2伝熱膜を有さず、柱の上面及び下面を第1実装面及び第2実装側に露出させるものであってもよい。   The shape and arrangement of the heat transfer body may be set as appropriate. For example, the heat transfer body may be one in which the portion connecting the first heat transfer film and the second heat transfer film penetrates the insulating base in a region that does not overlap the piezoelectric device or the heater. In addition, for example, in the heat transfer body, the portion penetrating the insulating base may not be in the form of a film provided on the inner surface of the through hole, but in the form of a column filled in the through hole. Further, the heat transfer body is formed in a column shape penetrating the insulating base in a region overlapping with the piezoelectric device and the heater, does not have the first heat transfer film and the second heat transfer film, and the upper surface and the lower surface of the column are first mounted. It may be exposed to the surface and the second mounting side.

伝熱体は、圧電デバイスに対して電気的に非接続であれば、圧電デバイスに熱的に接続されてもよい。例えば、伝熱体は、圧電デバイスに設けられ、圧電デバイスのいずれの電子素子にも電気的に接続されていないダミーパッドにバンプを介して接続されてもよい。   The heat transfer body may be thermally connected to the piezoelectric device as long as it is not electrically connected to the piezoelectric device. For example, the heat transfer body may be provided via a bump to a dummy pad that is provided in the piezoelectric device and is not electrically connected to any electronic element of the piezoelectric device.

伝熱体は、実施形態では、ヒータに対して電気的及び熱的に接続されたが、ヒータに対して電気的に非接続とされつつ熱的に接続されてもよいし、ヒータに対して電気的及び熱的に非接続とされてもよい。実施形態では、伝熱体は、ヒータに駆動電圧を供給するためのヒータ用実装パッドに接続されたが、ヒータに基準電位であるグランドを電気的に接続するためのヒータ用実装パッドに接続されてもよい。伝熱体は、基準電位となるグランドと接続されず、電気的に浮遊状態とされてもよい。   In the embodiment, the heat transfer body is electrically and thermally connected to the heater. However, the heat transfer body may be thermally connected to the heater while being electrically disconnected from the heater. It may be disconnected electrically and thermally. In the embodiment, the heat transfer body is connected to the heater mounting pad for supplying a driving voltage to the heater, but is connected to the heater mounting pad for electrically connecting a ground that is a reference potential to the heater. May be. The heat transfer body may be electrically floated without being connected to the ground serving as the reference potential.

第1の観点の作用効果を得る観点からは、伝熱体は設けられなくてもよいし、ヒータは基準電位用接続端子寄りに設けられなくてもよい。第2の観点の作用効果を得る観点からは、第1空間及び貫通孔は設けられなくてもよいし、ヒータは基準電位用接続端子寄りに設けられなくてもよい。第3の観点の作用効果を得る観点からは、第1空間、貫通孔及び伝熱体は設けられなくてもよい。また、第1〜第3の観点の作用効果に対応した種々の構成は、適宜に組み合わされてもよい。   From the viewpoint of obtaining the effect of the first aspect, the heat transfer body may not be provided, and the heater may not be provided near the reference potential connection terminal. From the viewpoint of obtaining the effect of the second aspect, the first space and the through hole may not be provided, and the heater may not be provided near the reference potential connection terminal. From the viewpoint of obtaining the effect of the third aspect, the first space, the through hole, and the heat transfer body may not be provided. Moreover, the various structures corresponding to the effect of the 1st-3rd viewpoint may be combined suitably.

1…恒温槽付水晶発振器(OCXO、恒温槽付圧電デバイス)、3…温度補償型水晶発振器(TCXO、圧電デバイス)、17…実装基体、19…ケース、21…ヒータ、23…外部端子、24…絶縁基体、24a…第1実装面、24b…第2実装面、27B…第2デバイス用実装パッド、61…貫通孔、63…伝熱体、65B…第2接続端子(基準電位用接続端子)、71…デバイス用配線、S1…第1空間。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Crystal oscillator with a thermostat (OCXO, piezoelectric device with a thermostat), 3 ... Temperature compensation type crystal oscillator (TCXO, piezoelectric device), 17 ... Mounting base, 19 ... Case, 21 ... Heater, 23 ... External terminal, 24 ... Insulating substrate, 24a ... first mounting surface, 24b ... second mounting surface, 27B ... second device mounting pad, 61 ... through hole, 63 ... heat transfer body, 65B ... second connection terminal (reference potential connection terminal) , 71 ... Device wiring, S1 ... First space.

Claims (7)

第1実装面及びその背面の第2実装面を有する実装基体と、
前記第1実装面に実装された圧電デバイスと、
前記第2実装面に実装されたヒータと、
前記圧電デバイス、前記実装基体及び前記ヒータを収容するケースと、
を有し、
前記実装基体は、
前記第1実装面及び前記第2実装面を構成する絶縁基体と、
前記絶縁基体よりも熱伝導率が高い材料からなり、前記絶縁基体を貫通し、前記ヒータに重なる領域にて前記第2実装面側に露出するとともに前記圧電デバイスに重なる領域にて前記第1実装面側に露出し、前記圧電デバイスに対して電気的に非接続とされた伝熱体と、を有している
恒温槽付圧電デバイス。
A mounting substrate having a first mounting surface and a second mounting surface on the back thereof;
A piezoelectric device mounted on the first mounting surface;
A heater mounted on the second mounting surface;
A case housing the piezoelectric device, the mounting substrate and the heater;
Have
The mounting substrate is
An insulating base constituting the first mounting surface and the second mounting surface;
The first mounting is made of a material having a higher thermal conductivity than the insulating base, penetrates the insulating base, is exposed to the second mounting surface side in a region overlapping the heater, and overlaps the piezoelectric device. A piezoelectric device with a thermostatic chamber, comprising: a heat transfer body exposed to the surface side and electrically disconnected from the piezoelectric device.
前記伝熱体は、前記第1実装面に設けられ、前記圧電デバイスに対向する第1伝熱膜を含む
請求項1に記載の恒温槽付圧電デバイス。
The piezoelectric device with a thermostat according to claim 1, wherein the heat transfer body includes a first heat transfer film provided on the first mounting surface and facing the piezoelectric device.
前記伝熱体は、前記第2実装面に設けられ、前記ヒータに対向する第2伝熱膜を含む
請求項1又は2に記載の恒温槽付圧電デバイス。
The thermostat-equipped piezoelectric device according to claim 1, wherein the heat transfer body includes a second heat transfer film that is provided on the second mounting surface and faces the heater.
前記圧電デバイスと前記第1実装面との間には空間が形成されており、
前記実装基体には、前記ヒータ及び前記空間に重なる領域に、前記絶縁基体を前記第2実装面側から前記第1実装面側へ貫通して前記空間に通じる中空の貫通孔が形成されており、
前記伝熱体は、前記貫通孔の内周面に設けられた内周伝熱膜を含む
請求項1〜3のいずれか1項に記載の恒温槽付圧電デバイス。
A space is formed between the piezoelectric device and the first mounting surface,
The mounting base is formed with a hollow through hole penetrating the insulating base from the second mounting surface side to the first mounting surface side in a region overlapping with the heater and the space and leading to the space. ,
The piezoelectric device with a thermostat according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat transfer body includes an inner peripheral heat transfer film provided on an inner peripheral surface of the through hole.
前記圧電デバイスと前記第1実装面との間には空間が形成されており、
前記伝熱体は、前記空間と重なる領域においてのみ前記第1実装面側に露出している
請求項1〜3のいずれか1項に記載の恒温槽付圧電デバイス。
A space is formed between the piezoelectric device and the first mounting surface,
The thermostat-equipped piezoelectric device according to any one of claims 1 to 3, wherein the heat transfer body is exposed to the first mounting surface only in a region overlapping with the space.
前記圧電デバイスは、
互いに反対側に開口する第1凹部及び第2凹部を有する素子搭載部材と、
前記第1凹部に収容された圧電素子と、
前記第2凹部に収容された集積回路素子と、を有し、
第2凹部側を前記第1実装面に向けて前記第1実装面に実装され、
前記第2凹部は、前記第1空間の少なくとも一部を構成している
請求項4又は5に記載の恒温槽付圧電デバイス。
The piezoelectric device is
An element mounting member having a first recess and a second recess that open on opposite sides;
A piezoelectric element housed in the first recess;
An integrated circuit element housed in the second recess,
Mounted on the first mounting surface with the second recess side facing the first mounting surface,
The piezoelectric device with a thermostat according to claim 4 or 5, wherein the second recess constitutes at least a part of the first space.
前記伝熱体は、前記第2実装面に設けられ、バンプを介して前記ヒータと接合された実装パッドに接続されている
請求項1〜6のいずれか1項に記載の恒温槽付圧電デバイス。
The piezoelectric device with a thermostat according to any one of claims 1 to 6, wherein the heat transfer body is provided on the second mounting surface and connected to a mounting pad joined to the heater via a bump. .
JP2014133041A 2014-06-27 2014-06-27 Piezoelectric device with constant temperature oven Pending JP2016012803A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014133041A JP2016012803A (en) 2014-06-27 2014-06-27 Piezoelectric device with constant temperature oven

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014133041A JP2016012803A (en) 2014-06-27 2014-06-27 Piezoelectric device with constant temperature oven

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016012803A true JP2016012803A (en) 2016-01-21

Family

ID=55229271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014133041A Pending JP2016012803A (en) 2014-06-27 2014-06-27 Piezoelectric device with constant temperature oven

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016012803A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU198436U1 (en) * 2019-09-02 2020-07-08 Игорь Владимирович Абрамзон Quartz resonator thermostat
RU207070U1 (en) * 2021-07-23 2021-10-11 Акционерное общество "Морион" QUARTZ RESONATOR WITH PARTIAL INTERNAL LOCATION OF GENERATOR THERMOSTAT ELEMENTS
RU2777015C1 (en) * 2021-06-09 2022-08-01 Акционерное общество "Морион" Quartz resonator with partial internal placement of the generator thermostat elements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333315A (en) * 2004-05-19 2005-12-02 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for high stabilization using thermostatic chamber
JP2006238210A (en) * 2005-02-25 2006-09-07 Seiko Epson Corp Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2010062713A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Constant-temperature crystal oscillator
JP2010278712A (en) * 2009-05-28 2010-12-09 Seiko Epson Corp Piezoelectric oscillator
JP2013211752A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Kyocera Crystal Device Corp Temperature control type device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333315A (en) * 2004-05-19 2005-12-02 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for high stabilization using thermostatic chamber
JP2006238210A (en) * 2005-02-25 2006-09-07 Seiko Epson Corp Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2010062713A (en) * 2008-09-02 2010-03-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Constant-temperature crystal oscillator
JP2010278712A (en) * 2009-05-28 2010-12-09 Seiko Epson Corp Piezoelectric oscillator
JP2013211752A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Kyocera Crystal Device Corp Temperature control type device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU198436U1 (en) * 2019-09-02 2020-07-08 Игорь Владимирович Абрамзон Quartz resonator thermostat
RU2777015C1 (en) * 2021-06-09 2022-08-01 Акционерное общество "Морион" Quartz resonator with partial internal placement of the generator thermostat elements
RU207070U1 (en) * 2021-07-23 2021-10-11 Акционерное общество "Морион" QUARTZ RESONATOR WITH PARTIAL INTERNAL LOCATION OF GENERATOR THERMOSTAT ELEMENTS

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5351082B2 (en) Oscillator device including a thermally controlled piezoelectric resonator
JP2000151283A (en) Surface mounting type crystal oscillator
US20240120880A1 (en) Oven-controlled crystal oscillator
JP6662057B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP2016012803A (en) Piezoelectric device with constant temperature oven
US20230014023A1 (en) Oven-controlled crystal oscillator
JP2016103758A (en) Piezoelectric device
JP6425924B2 (en) Piezoelectric device with thermostat
JP6538316B2 (en) Piezoelectric device with thermostat
JP6538310B2 (en) Piezoelectric device with thermostat
JP2016103757A (en) Piezoelectric device
JP2016051992A (en) Piezoelectric device with thermostatic bath
JP2021158586A (en) Piezoelectric oscillator
JP2017130862A (en) Piezoelectric oscillator
JP5135018B2 (en) Constant temperature crystal oscillator
JP6538309B2 (en) Piezoelectric device with thermostat and method for manufacturing piezoelectric device with thermostat
JP2016158060A (en) Piezoelectric device with thermostatic tank
US11929709B2 (en) Oven-controlled crystal oscillator
JP7435150B2 (en) piezoelectric oscillator
JP7435132B2 (en) piezoelectric oscillator
US20240072727A1 (en) Oven-controlled crystal oscillator
WO2022149541A1 (en) Piezoelectric oscillation device
WO2023182062A1 (en) Thermostatic oven type piezoelectric oscillator
JP7238265B2 (en) piezoelectric vibration device
JP2015177413A (en) piezoelectric oscillator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170420

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20170517

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20171221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190108