JP2016008352A - Plasma resistant member - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の態様は、一般的に、耐プラズマ性部材に関し、具体的にはチャンバー内でドライエッチング、アッシング、スパッタリングおよびＣＶＤ等の処理を行う半導体製造装置に使用される耐プラズマ性部材に関する。 Aspects of the present invention generally relate to a plasma-resistant member, and more specifically to a plasma-resistant member used in a semiconductor manufacturing apparatus that performs processes such as dry etching, ashing, sputtering, and CVD in a chamber.
半導体の製造プロセスにおいては、製造されるデバイスの不具合の低減による歩留まりの向上と、歩留まりの安定性が求められている。 2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, improvement in yield and reduction in yield due to reduction in defects of devices to be manufactured are required.
これに対して、チャンバーの天井部が石英ガラスにより構成され、天井部の内面に形成された微小凹凸部の平均表面粗さが０．２〜５μｍである電子デバイスの製造装置がある（特許文献１）。また、ポアや粒界層が存在せず、耐プラズマ性部材からの脱粒の発生を抑制・低減する耐プラズマ性部材がある（特許文献２）。 On the other hand, there is an apparatus for manufacturing an electronic device in which the ceiling portion of the chamber is made of quartz glass, and the average surface roughness of the minute irregularities formed on the inner surface of the ceiling portion is 0.2 to 5 μm (Patent Document) 1). In addition, there is a plasma-resistant member that does not have pores or grain boundary layers and suppresses or reduces the occurrence of degranulation from the plasma-resistant member (Patent Document 2).
半導体の製造プロセス中では、製造されるデバイスの不具合の低減による歩留まりの向上のために、チャンバーの内壁に耐プラズマ性に優れたイットリア膜をコーティングし、パーティクルの発生を低減させている。さらに昨今では、半導体デバイスの微細パターン化が進み、ナノレベルでのパーティクルの安定的なコントロールが求められている。 During the semiconductor manufacturing process, in order to improve the yield by reducing the defects of the manufactured device, the inner wall of the chamber is coated with an yttria film having excellent plasma resistance to reduce the generation of particles. In recent years, finer patterning of semiconductor devices has progressed, and stable control of particles at the nano level is required.
パーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができる耐プラズマ性部材を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a plasma-resistant member that can reduce particles and stably maintain chamber conditions.
第１の発明は、基材と、前記基材の表面にエアロゾルデポジション法により形成されたイットリア多結晶体を含み耐プラズマ性を有する層状構造物とを備え、前記層状構造物を構成するイットリア多結晶体の結晶構造は、立方晶と単斜晶とが混在し、立方晶に対する単斜晶の比が６０％以下であり、前記層状構造物を構成するイットリア多結晶体の結晶子サイズが５０ｎｍ以下であることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 1st invention is equipped with the base material and the layered structure which has the yttria polycrystal formed in the surface of the said base material by the aerosol deposition method, and has plasma resistance, The yttria which comprises the said layered structure The crystal structure of the polycrystal is a mixture of cubic and monoclinic crystals, the ratio of monoclinic to cubic is 60% or less, and the crystallite size of the yttria polycrystal constituting the layered structure is It is a plasma-resistant member characterized by being 50 nm or less.
この耐プラズマ性部材によれば、層状構造物は、イットリア焼成体やイットリア溶射膜などと比較すると緻密な構造を有する。これにより、耐プラズマ性部材の耐プラズマ性は、焼成体や溶射膜などの耐プラズマ性よりも高い。また、耐プラズマ性部材がパーティクルの発生源になる確率は、焼成体や溶射膜などがパーティクルの発生源になる確率よりも低い。これにより、耐プラズマ性部材の耐プラズマ性を維持するとともに、パーティクルを低減することができる。また、層状構造物を構成するイットリア多結晶体の結晶子サイズが５０ｎｍ以下と非常に小さいため、半導体の製造プロセス中にチャンバー内で発生するパーティクルを低減させることができる。層状構造物を構成するイットリア多結晶体の結晶子サイズは２０ｎｍ以上３５ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは８ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
また、立方晶に対する単斜晶の比を６０％以下にすることにより、層状構造物の表面粗さのばらつきを小さくすることができる。立方晶に対する単斜晶の比は２０％以上４０％以下が好ましく、より好ましくは０％以上５％以下である。チャンバー内に搭載される耐プラズマ性部材の表面粗さのばらつきを小さくすることにより、チャンバー内に発生させるプラズマの状態を安定化させることがきる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができる。ここで、表面粗さのばらつきとは、耐プラズマ性部材ごとの表面粗さのばらつき、および、耐プラズマ性部材の面内における表面粗さのばらつきを指す。
According to this plasma-resistant member, the layered structure has a dense structure as compared with the yttria fired body, the yttria sprayed film, and the like. Thereby, the plasma resistance of the plasma-resistant member is higher than the plasma resistance of the fired body or the sprayed film. In addition, the probability that the plasma-resistant member becomes a particle generation source is lower than the probability that the fired body or the sprayed film becomes a particle generation source. Thereby, while maintaining the plasma resistance of a plasma-resistant member, a particle can be reduced. In addition, since the crystallite size of the yttria polycrystal constituting the layered structure is as small as 50 nm or less, particles generated in the chamber during the semiconductor manufacturing process can be reduced. The crystallite size of the yttria polycrystal constituting the layered structure is preferably 20 nm or more and 35 nm or less, more preferably 8 nm or more and 25 nm or less.
Further, by setting the ratio of monoclinic crystal to cubic crystal to 60% or less, variation in the surface roughness of the layered structure can be reduced. The ratio of the monoclinic crystal to the cubic crystal is preferably 20% or more and 40% or less, more preferably 0% or more and 5% or less. By reducing the variation in surface roughness of the plasma-resistant member mounted in the chamber, the state of plasma generated in the chamber can be stabilized. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced, and the chamber condition can be stably maintained. Here, the variation in surface roughness refers to the variation in surface roughness for each plasma-resistant member and the variation in surface roughness within the surface of the plasma-resistant member.
第２の発明は、第１の発明において、前記層状構造物を構成するイットリア多結晶体は、酸素欠損量が３０％未満であることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 A second invention is the plasma-resistant member according to the first invention, wherein the yttria polycrystal constituting the layered structure has an oxygen deficiency amount of less than 30%.
この耐プラズマ性部材によれば、層状構造物を構成するイットリア多結晶体の結晶子サイズを微細な大きさで維持しながら、層状構造物の表面粗さのばらつきをより小さくすることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に保持することができる。 According to this plasma-resistant member, the variation in the surface roughness of the layered structure can be further reduced while maintaining the fine crystallite size of the yttria polycrystal constituting the layered structure. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced, and the chamber condition can be stably maintained.
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記層状構造物を構成するイットリア多結晶体は、粒子間の空隙が１０ｎｍ未満であることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 A third invention is the plasma-resistant member according to the first or second invention, wherein the yttria polycrystal constituting the layered structure has a gap between particles of less than 10 nm.
この耐プラズマ性部材によれば、層状構造物の微細構造がより明確となる。層状構造物を構成するイットリア多結晶体は、粒子間の空隙が１０ｎｍ未満と非常に小さく、腐食の起点となる空隙が非常に小さいため、パーティクルを低減することができる。また、緻密な構造であるため、層状構造物の表面粗さのばらつきをより小さくすることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができる。 According to this plasma-resistant member, the fine structure of the layered structure becomes clearer. Since the yttria polycrystal constituting the layered structure has a very small void between particles of less than 10 nm and a very small void serving as a starting point of corrosion, particles can be reduced. Moreover, since it is a dense structure, the variation in the surface roughness of the layered structure can be further reduced. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced, and the chamber condition can be stably maintained.
第４の発明は、第３の発明において、前記層状構造物を構成するイットリア多結晶体は、イットリア粒子表面のＯＨ基を介して結合していることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 A fourth invention is the plasma-resistant member according to the third invention, wherein the yttria polycrystals constituting the layered structure are bonded through OH groups on the surface of the yttria particles.
この耐プラズマ性部材によれば、イットリア粒子間の結合がより強固になるため、パーティクルを低減することができる。また、より緻密な構造であるため、層状構造物の表面粗さのばらつきをより小さくすることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができる。 According to this plasma-resistant member, since the bonds between yttria particles become stronger, particles can be reduced. Moreover, since it has a denser structure, variations in the surface roughness of the layered structure can be further reduced. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced, and the chamber condition can be stably maintained.
第５の発明は、第１〜第４のいずれか１つの発明において、前記層状構造物は、結晶粒子サイズが原料粒子サイズに比べて小さいイットリア多結晶体であり、前記層状構造物の表面の一部に形成され結晶粒子の集団が脱落した空隙を有する第１の凹凸構造と、前記層状構造物の表面の全体において前記第１の凹凸構造に重畳して形成され前記第１の凹凸構造よりも微細な凹凸であって前記結晶粒子の大きさの微細な凹凸を有する第２の凹凸構造とを有することを特徴とする耐プラズマ性部材である。 According to a fifth invention, in any one of the first to fourth inventions, the layered structure is a yttria polycrystal having a crystal grain size smaller than a raw material particle size, and the surface of the layered structure is The first concavo-convex structure having a void formed in part and having a group of crystal grains dropped off, and the first concavo-convex structure formed over the first concavo-convex structure over the entire surface of the layered structure. And a second concavo-convex structure having fine concavo-convex portions and fine concavo-convex portions of the size of the crystal grains.
この耐プラズマ性部材によれば、層状構造物は、第２の微細な凹凸構造が第１の凹凸構造に重畳して形成された構造を有する。半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる。 According to this plasma-resistant member, the layered structure has a structure in which the second fine concavo-convex structure is formed so as to overlap the first concavo-convex structure. Reaction products and particles generated in the semiconductor device manufacturing process can be reliably captured with a high and stable adhesion strength by a fine uneven structure, and a stable adhesion strength can be obtained. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced.
第６の発明は、第５の発明において、前記層状構造物の表面の算術平均Ｓａは、０．０２６μｍ以上０．０７５μｍ以下であり、前記層状構造物の表面の負荷曲線から求められるコア部の実体体積Ｖｍｃは、０．０３μｍ３／μｍ２以上０．０７９μｍ３／μｍ２以下であり、前記層状構造物の表面の負荷曲線から求められるコア部の中空体積Ｖｖｃは、０．０３６μｍ３／μｍ２以上０．１μｍ３／μｍ２以下であり、前記層状構造物の表面の界面の展開面積率Ｓｄｒは、３．４以上２８以下であることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 In a sixth aspect based on the fifth aspect, the arithmetic mean Sa of the surface of the layered structure is 0.026 μm or more and 0.075 μm or less, and the core portion obtained from the surface load curve of the layered structure entity volume and Vmc, 0.03 .mu.m 3 / [mu] m is 2 or more 0.079μm 3 / μm 2 or less, the hollow volume Vvc core portion obtained from the load curve of the surface of the layered structure, 0.036μm 3 / μm 2 or more and 0.1 μm 3 / μm 2 or less, and the development area ratio Sdr of the interface of the surface of the layered structure is 3.4 or more and 28 or less.
この耐プラズマ性部材によれば、層状構造物の表面の３次元表面性状がより明確となる。これにより、半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる。 According to this plasma-resistant member, the three-dimensional surface property of the surface of the layered structure becomes clearer. Thereby, reaction products and particles generated during the manufacturing process of the semiconductor device can be reliably captured with a high and stable adhesion strength by a fine uneven structure, and a stable adhesion strength can be obtained. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced.
第７の発明は、第５または第６の発明において、前記第１の凹凸構造および前記第２の凹凸構造は、化学的処理が施されることにより形成されたことを特徴とする耐プラズマ性部材である。 The seventh invention is the plasma resistance according to the fifth or sixth invention, wherein the first concavo-convex structure and the second concavo-convex structure are formed by chemical treatment. It is a member.
この耐プラズマ性部材によれば、半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる。 According to this plasma-resistant member, reaction products and particles generated during the manufacturing process of a semiconductor device can be reliably captured with high and stable adhesion strength by a fine concavo-convex structure, and stable adhesion strength can be obtained. it can. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced.
第８の発明は、第５の発明において、面解析におけるカットオフが０．８μｍである場合において、前記層状構造物の表面の算術平均Ｓａは、０．０１０μｍ以上０．０３３μｍ以下であり、前記層状構造物の表面の負荷曲線から求められるコア部の実体体積Ｖｍｃは、０．０１μｍ３／μｍ２以上０．０３４μｍ３／μｍ２以下であり、前記層状構造物の表面の負荷曲線から求められるコア部の中空体積Ｖｖｃは、０．０１２μｍ３／μｍ２以上０．０４５μｍ３／μｍ２以下であり、前記層状構造物の表面の界面の展開面積率Ｓｄｒは、１．１以上１５以下であり、前記層状構造物の表面の二乗平均平方根傾斜ＳΔｑは、０．１５以上０．５７以下であることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 In an eighth aspect based on the fifth aspect, when the cut-off in the surface analysis is 0.8 μm, the arithmetic average Sa of the surface of the layered structure is 0.010 μm or more and 0.033 μm or less, entity volume Vmc of the core obtained from the load curve of the surface of the layered structure, 0.01 [mu] m 3 / [mu] m is 2 or more 0.034μm 3 / μm 2 or less, determined from the load curve of the surface of the layered structure The hollow volume Vvc of the core part is 0.012 μm 3 / μm 2 or more and 0.045 μm 3 / μm 2 or less, and the development area ratio Sdr of the interface of the surface of the layered structure is 1.1 or more and 15 or less. The root mean square slope SΔq of the surface of the layered structure is 0.15 or more and 0.57 or less, which is a plasma resistant member.
この耐プラズマ性部材によれば、半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができる。これにより、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる。 According to this plasma-resistant member, reaction products and particles generated during the manufacturing process of a semiconductor device can be reliably captured with high and stable adhesion strength by a fine concavo-convex structure, and stable adhesion strength can be obtained. it can. Thereby, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced.
第９の発明は、第５〜第８のいずれか１つの発明において、前記層状構造物は、前記イットリア多結晶体の粗密構造を有することを特徴とする耐プラズマ性部材である。 A ninth invention is the plasma-resistant member according to any one of the fifth to eighth inventions, wherein the layered structure has a dense structure of the yttria polycrystal.
この耐プラズマ性部材によれば、層状構造物がイットリア多結晶体の粗密構造を有するため、第１の凹凸構造と、第２の凹凸構造と、が生じやすい。すなわち、第１の凹凸構造は、密度が粗の部分において形成されやすい。そのため、第２の凹凸構造が第１の凹凸構造に重畳して形成されやすいと考えられる。これにより、半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができ、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる。 According to this plasma-resistant member, since the layered structure has a dense structure of yttria polycrystal, the first uneven structure and the second uneven structure are likely to occur. That is, the first concavo-convex structure is likely to be formed in a portion where the density is coarse. For this reason, it is considered that the second concavo-convex structure is easily formed so as to overlap the first concavo-convex structure. As a result, reaction products and particles generated in the semiconductor device manufacturing process can be reliably captured with high and stable adhesion strength by a fine uneven structure, and a stable adhesion strength can be obtained. Particles generated inside can be reduced.
第１０の発明は、第９の発明において、前記粗密構造のうちの粗の部分は、前記層状構造物の表面の層から前記表面の層よりも深い層へ向かうと小さくなることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 A tenth aspect of the invention is characterized in that, in the ninth aspect, a coarse portion of the dense structure becomes smaller when going from a layer on the surface of the layered structure to a layer deeper than the layer on the surface. It is a plasma resistant member.
この耐プラズマ性部材によれば、粗密構造のうちの粗の部分は、層状構造物の表面の層から表面の層よりも深い層へ向かうと小さくなる。そのため、微細な凹凸構造の凹部が層状構造物の表面の層よりも深い層において形成されやすい。これにより、アンカー効果が得られ、半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができ、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる。 According to this plasma-resistant member, the coarse portion of the dense structure becomes smaller when going from the surface layer of the layered structure to a layer deeper than the surface layer. Therefore, the concave portion of the fine concavo-convex structure is easily formed in a layer deeper than the layer on the surface of the layered structure. As a result, an anchor effect can be obtained, and reaction products and particles generated in the semiconductor device manufacturing process can be reliably captured with high and stable adhesion strength by a fine uneven structure to obtain stable adhesion strength. In addition, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced.
第１１の発明は、第９の発明において、前記粗密構造は、密の部分の中に密度が前記密の部分の密度よりも小さい粗の部分が三次元的に分布したことを特徴とする耐プラズマ性部材である。 An eleventh invention is characterized in that, in the ninth invention, the coarse-dense structure is characterized in that a coarse portion having a density smaller than the density of the dense portion is three-dimensionally distributed in the dense portion. It is a plasma member.
この耐プラズマ性部材によれば、粗密構造は、層状構造物の表面および厚さ方向（深さ方向）に三次元的に分布している。そのため、半導体デバイスの製造プロセス中で生成される反応生成物やパーティクルは、微細な凹凸構造により高く安定した密着強度で確実に捕獲し、安定した密着強度を得ることができ、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができる According to the plasma-resistant member, the dense structure is three-dimensionally distributed on the surface of the layered structure and in the thickness direction (depth direction). Therefore, reaction products and particles generated in the semiconductor device manufacturing process can be reliably captured with a high and stable adhesion strength due to the fine uneven structure, and a stable adhesion strength can be obtained. Can reduce particles generated
第１２の発明は、第１〜第１１のいずれか１つの発明において、前記層状構造物は、加熱処理が施されることにより形成されることを特徴とする耐プラズマ性部材である。 A twelfth invention is the plasma-resistant member according to any one of the first to eleventh inventions, wherein the layered structure is formed by performing a heat treatment.
この耐プラズマ性部材によれば、半導体の製造プロセス中に発生するパーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができるためのより好ましい層状構造物を得ることができる。 According to the plasma-resistant member, particles generated during the semiconductor manufacturing process can be reduced, and a more preferable layered structure for stably maintaining the chamber condition can be obtained.
本発明の態様によれば、パーティクルを低減させることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができる耐プラズマ性部材が提供される。 According to the aspect of the present invention, there is provided a plasma-resistant member capable of reducing particles and stably maintaining chamber conditions.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる耐プラズマ性部材を備えた半導体製造装置を表す模式的断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus provided with a plasma-resistant member according to an embodiment of the present invention.
図１に表した半導体製造装置１００は、チャンバー１１０と、耐プラズマ性部材１２０と、静電チャック１６０と、を備える。耐プラズマ性部材１２０は、例えば天板などと呼ばれ、チャンバー１１０の内部における上部に設けられている。静電チャック１６０は、チャンバー１１０の内部における下部に設けられている。つまり、耐プラズマ性部材１２０は、チャンバー１１０の内部において静電チャック１６０の上に設けられている。ウェーハ２１０等の被吸着物は、静電チャック１６０の上に載置される。 The semiconductor manufacturing apparatus 100 illustrated in FIG. 1 includes a chamber 110, a plasma resistant member 120, and an electrostatic chuck 160. The plasma-resistant member 120 is called, for example, a top plate or the like, and is provided in the upper part inside the chamber 110. The electrostatic chuck 160 is provided in the lower part inside the chamber 110. That is, the plasma resistant member 120 is provided on the electrostatic chuck 160 inside the chamber 110. An object to be attracted such as the wafer 210 is placed on the electrostatic chuck 160.
耐プラズマ性部材１２０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を含む基材の表面にイットリア（Ｙ２Ｏ３）多結晶体を含む層状構造物１２３が形成された構造を有する。イットリア多結晶体の層状構造物１２３は、「エアロゾルデポジション法」により形成されている。なお、基材の材料は、アルミナなどのセラミックスに限定されず、石英、アルマイト、金属あるいはガラスなどであってもよい。 The plasma-resistant member 120 has, for example, a structure in which a layered structure 123 including a yttria (Y 2 O 3 ) polycrystal is formed on the surface of a base material including alumina (Al 2 O 3 ). The layered structure 123 of yttria polycrystal is formed by the “aerosol deposition method”. The material of the substrate is not limited to ceramics such as alumina, and may be quartz, anodized, metal or glass.
「エアロゾルデポジション法」は、脆性材料を含む微粒子をガス中に分散させた「エアロゾル」をノズルから基材に向けて噴射し、金属やガラス、セラミックスやプラスチックなどの基材に微粒子を衝突させ、この衝突の衝撃により脆性材料微粒子に変形や破砕を起させしめてこれらを接合させ、基材上に微粒子の構成材料からなる層状構造物（膜状構造物ともいう）１２３をダイレクトに形成させる方法である。この方法によれば、特に加熱手段や冷却手段などを必要とせず、常温で層状構造物１２３の形成が可能であり、焼成体と同等以上の機械的強度を有する層状構造物１２３を得ることができる。また、微粒子を衝突させる条件や微粒子の形状、組成などを制御することにより、層状構造物１２３の密度や機械強度、電気特性などを多様に変化させることが可能である。 In the “Aerosol Deposition Method”, “Aerosol”, in which fine particles containing brittle materials are dispersed in a gas, is sprayed from a nozzle toward the base material, causing the fine particles to collide with a base material such as metal, glass, ceramics or plastic. A method of directly forming a layered structure (also referred to as a film-like structure) 123 made of a constituent material of fine particles on a base material by causing deformation and crushing of the brittle material fine particles by the impact of the collision and joining them. It is. According to this method, the layered structure 123 can be formed at room temperature without requiring any heating means or cooling means, and the layered structure 123 having mechanical strength equal to or higher than that of the fired body can be obtained. it can. In addition, the density, mechanical strength, electrical characteristics, and the like of the layered structure 123 can be changed in various ways by controlling the conditions under which the fine particles collide and the shape and composition of the fine particles.
なお、本願明細書において「多結晶」とは、結晶粒子が接合・集積してなる構造体をいう。結晶粒子は、実質的にひとつで結晶を構成する。結晶粒子の径は、通常５ナノメートル（ｎｍ）以上である。但し、微粒子が破砕されずに構造物中に取り込まれる場合には、結晶粒子は、多結晶である。 In the present specification, “polycrystal” refers to a structure formed by bonding and accumulating crystal particles. The crystal particles are substantially one and constitute a crystal. The diameter of the crystal particles is usually 5 nanometers (nm) or more. However, when the fine particles are taken into the structure without being crushed, the crystal particles are polycrystalline.
また、本願明細書において「微粒子」とは、一次粒子が緻密質粒子である場合には、粒度分布測定や走査型電子顕微鏡などにより同定される平均粒径が５マイクロメータ（μｍ）以下のものをいう。一次粒子が衝撃によって破砕されやすい多孔質粒子である場合には、平均粒径が５０μｍ以下のものをいう。 In the present specification, the term “fine particles” means that when the primary particles are dense particles, the average particle diameter identified by particle size distribution measurement or scanning electron microscope is 5 micrometers (μm) or less. Say. When the primary particles are porous particles that are easily crushed by impact, the average particle size is 50 μm or less.
また、本願明細書において「エアロゾル」とは、ヘリウム、窒素、アルゴン、酸素、乾燥空気、これらを含む混合ガスなどのガス中に前述の微粒子を分散させた固気混合相体を指し、一部「凝集体」を含む場合もあるが、実質的には微粒子が単独で分散している状態をいう。エアロゾルのガス圧力と温度は任意であるが、ガス中の微粒子の濃度は、ガス圧を１気圧、温度を摂氏２０度に換算した場合に、吐出口から噴射される時点において０.０００３ｍＬ／Ｌ〜５ｍＬ／Ｌの範囲内であることが層状構造物１２３の形成にとって望ましい。 In the specification of the present application, “aerosol” refers to a solid-gas mixed phase body in which the aforementioned fine particles are dispersed in a gas such as helium, nitrogen, argon, oxygen, dry air, or a mixed gas containing these. Although it may contain an “aggregate”, it means a state in which fine particles are dispersed substantially alone. The gas pressure and temperature of the aerosol are arbitrary, but the concentration of fine particles in the gas is 0.0003 mL / L at the time when the gas is injected from the discharge port when the gas pressure is converted to 1 atm and the temperature is converted to 20 degrees Celsius. It is desirable for the formation of the layered structure 123 to be in the range of ˜5 mL / L.
エアロゾルデポジションのプロセスは、通常は常温で実施され、微粒子材料の融点より十分に低い温度、すなわち摂氏数１００度以下で層状構造物１２３の形成が可能であるところにひとつの特徴がある。
なお、本願明細書において「常温」とは、セラミックスの焼結温度に対して著しく低い温度で、実質的には０〜１００℃の室温環境をいう。
The aerosol deposition process is usually performed at room temperature, and has one feature that the layered structure 123 can be formed at a temperature sufficiently lower than the melting point of the fine particle material, that is, at a temperature of 100 degrees centigrade or less.
In the present specification, “normal temperature” refers to a room temperature environment that is substantially lower than the sintering temperature of ceramics and is substantially 0 to 100 ° C.
層状構造物１２３の原料となる粉体を構成する微粒子は、セラミックスや半導体などの脆性材料を主体とし、同一材質の微粒子を単独であるいは粒径の異なる微粒子を混合させて用いることができるほか、異種の脆性材料微粒子を混合させたり、複合させて用いることが可能である。また、金属材料や有機物材料などの微粒子を脆性材料微粒子に混合したり、脆性材料微粒子の表面にコーティングさせて用いることも可能である。これらの場合でも、層状構造物１２３の形成の主となるものは、脆性材料である。
なお、本願明細書において「粉体」とは、前述した微粒子が自然凝集した状態をいう。
The fine particles constituting the powder as the raw material of the layered structure 123 are mainly brittle materials such as ceramics and semiconductors, and the fine particles of the same material can be used alone or mixed with fine particles having different particle diameters. Different brittle material fine particles can be mixed or combined to be used. Moreover, it is also possible to mix fine particles such as metal materials and organic materials with brittle material fine particles, or to coat the surface of brittle material fine particles. Even in these cases, the main component of the formation of the layered structure 123 is a brittle material.
In the present specification, “powder” refers to a state in which the above-mentioned fine particles are naturally agglomerated.
この手法によって形成される複合構造物において、結晶性の脆性材料微粒子を原料として用いる場合、複合構造物の層状構造物１２３の部分は、その結晶粒子サイズが原料微粒子のそれに比べて小さい多結晶体であり、その結晶は実質的に結晶配向性がない場合が多い。また、脆性材料結晶同士の界面には、ガラス層からなる粒界層が実質的に存在しない。また多くの場合、複合構造物の層状構造物１２３部分は、基材の表面に食い込む「アンカー層」を形成する。このアンカー層が形成されている層状構造物１２３は、基材に対して極めて高い強度で強固に付着して形成される。 In the composite structure formed by this method, when crystalline brittle material fine particles are used as a raw material, the layered structure 123 portion of the composite structure is a polycrystalline body whose crystal particle size is smaller than that of the raw material fine particles. In many cases, the crystal has substantially no crystal orientation. Moreover, the grain boundary layer which consists of a glass layer does not exist substantially in the interface of brittle material crystals. In many cases, the layered structure 123 portion of the composite structure forms an “anchor layer” that bites into the surface of the substrate. The layered structure 123 in which the anchor layer is formed is formed by being firmly attached to the base material with extremely high strength.
エアロゾルデポジション法において、飛来してきた脆性材料微粒子が基材の上で破砕・変形を起していることは、原料として用いる脆性材料微粒子と、形成された脆性材料構造物の結晶子（結晶粒子）サイズとをＸ線回折法などで測定することにより確認できる。すなわち、エアロゾルデポジション法で形成された層状構造物１２３の結晶子サイズは、原料微粒子の結晶子サイズよりも小さい。微粒子が破砕や変形をすることで形成される「ずれ面」や「破面」には、もともとの微粒子の内部に存在し別の原子と結合していた原子が剥き出しの状態となった「新生面」が形成される。表面エネルギーが高く活性なこの新生面が、隣接した脆性材料微粒子の表面や同じく隣接した脆性材料の新生面あるいは基材の表面と接合することにより層状構造物１２３が形成されるものと考えられる。 In the aerosol deposition method, the brittle material fine particles that have come to the surface are crushed and deformed on the substrate. The brittle material fine particles used as the raw material and the crystallites (crystal particles of the formed brittle material structure) ) The size can be confirmed by measuring by an X-ray diffraction method or the like. That is, the crystallite size of the layered structure 123 formed by the aerosol deposition method is smaller than the crystallite size of the raw material fine particles. The “developed surface” or “fracture surface” formed by crushing or deforming fine particles is a “new surface” in which atoms that were originally present inside the fine particles and bonded to other atoms are exposed. Is formed. It is considered that the layered structure 123 is formed by joining this new surface having high surface energy and activity to the surface of the adjacent brittle material fine particles, the new surface of the adjacent brittle material, or the surface of the substrate.
半導体製造装置１００では、高周波電力が供給され、図１に表した矢印Ａ１のように例えばハロゲン系ガスなどの原料ガスがチャンバー１１０の内部に導入される。すると、チャンバー１１０の内部に導入された原料ガスは、静電チャック１６０と耐プラズマ性部材１２０との間の領域１９１においてプラズマ化する。 In the semiconductor manufacturing apparatus 100, high-frequency power is supplied, and a source gas such as a halogen-based gas is introduced into the chamber 110 as indicated by an arrow A1 shown in FIG. Then, the source gas introduced into the chamber 110 is turned into plasma in a region 191 between the electrostatic chuck 160 and the plasma resistant member 120.
耐プラズマ性部材１２０は、高密度プラズマを発生させるための重要な部材の１つである。ここで、チャンバー１１０の内部において発生したパーティクル２２１がウェーハ２１０に付着すると、製造された半導体デバイスに不具合が発生する場合がある。すると、半導体デバイスの歩留まりおよび生産性が低下する場合がある。そのため、耐プラズマ性部材１２０には、耐プラズマ性が要求される。 The plasma resistant member 120 is one of important members for generating high density plasma. Here, when the particles 221 generated inside the chamber 110 adhere to the wafer 210, a defect may occur in the manufactured semiconductor device. Then, the yield and productivity of the semiconductor device may be reduced. Therefore, the plasma resistance member 120 is required to have plasma resistance.
本実施形態の耐プラズマ性部材１２０は、イットリア多結晶体を含む層状構造物１２３がアルミナを含む基材の表面にエアロゾルデポジション法により形成された構造を有する。エアロゾルデポジション法により形成されたイットリア多結晶体の層状構造物１２３は、イットリア焼成体やイットリア溶射膜などと比較すると緻密な構造を有する。これにより、本実施形態の耐プラズマ性部材１２０の耐プラズマ性は、焼成体や溶射膜などの耐プラズマ性よりも高い。また、本実施形態の耐プラズマ性部材１２０がパーティクルの発生源になる確率は、焼成体や溶射膜などがパーティクルの発生源になる確率よりも低い。また、イットリア多結晶体を含む層状構造物１２３を緻密化させるために、製膜補助粒子として機能する微粒子を使用してもよい。ここで、製膜補助粒子とは、イットリア微粒子を変形あるいは破砕せしめて新生面を生じさせるためのもので、衝突後は反射し、不可避的に混入するものを除いて直接層状構造物の構成材料にはならない。 The plasma-resistant member 120 of this embodiment has a structure in which a layered structure 123 containing a yttria polycrystal is formed on the surface of a substrate containing alumina by an aerosol deposition method. The layered structure 123 of the yttria polycrystal formed by the aerosol deposition method has a dense structure as compared with the yttria fired body or the yttria sprayed film. Thereby, the plasma resistance of the plasma-resistant member 120 of this embodiment is higher than the plasma resistance of a fired body or a sprayed film. In addition, the probability that the plasma-resistant member 120 of this embodiment is a particle generation source is lower than the probability that a fired body or a sprayed coating is a particle generation source. Moreover, in order to densify the layered structure 123 containing the yttria polycrystal, fine particles that function as film forming auxiliary particles may be used. Here, the film-forming auxiliary particles are for deforming or crushing yttria fine particles to form a new surface, and after the collision, they are directly reflected in the constituent material of the layered structure except those that are reflected and inevitably mixed. Must not.
さらに、本実施形態の耐プラズマ性部材１２０は、図２に示すように粗面化された表面を有する。これによれば、本発明者は、耐プラズマ性部材１２０の耐プラズマ性を維持しつつ、パーティクルを低減することができる知見を得た。 以下、本実施形態の耐プラズマ性部材１２０の表面に形成された層状構造物１２３について、図面を参照しつつ説明する。 Furthermore, the plasma-resistant member 120 of this embodiment has a roughened surface as shown in FIG. According to this, the present inventor has obtained knowledge that particles can be reduced while maintaining the plasma resistance of the plasma resistant member 120. Hereinafter, the layered structure 123 formed on the surface of the plasma resistant member 120 of the present embodiment will be described with reference to the drawings.
本発明者は、耐プラズマ性部材１２０の表面に形成された層状構造物に加熱処理を施した後、化学的処理を施し層状構造物１２３の表面を粗面化した。加熱処理が施される層状構造物は緻密な構造を有している。
本願明細書において「加熱処理」とは、乾燥器、オーブン、焼成炉、レーザー、電子ビーム、イオンビーム、分子ビーム、原子ビーム、高周波、プラズマなどを用いて物体を加熱処理することを言う。また、加熱処理は層状構造物を作製するプロセス途中であっても作製後であってもよい。
また、本願明細書において本願明細書において「化学的処理」とは、水溶液中で水素イオンを生成するものを用いて物体の表面を処理することをいう。例えば、化学的処理としては、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸、硫酸、フルオロスルホン酸、硝酸、塩酸、リン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、クロム酸、ホウ酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、酢酸、クエン酸、ギ酸、グルコン酸、乳酸、シュウ酸、酒石酸、フッ化水素酸、炭酸および硫化水素の少なくともいずれかを含む水溶液を用いた表面処理が挙げられる。
あるいは、本願明細書において「化学的処理」とは、水溶液中で水酸化物イオンを生成するものを用いて物体の表面を処理することをいう。例えば、化学的処理としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化銅、水酸化アルミニウムおよび水酸化鉄の少なくともいずれかを含む水溶液を用いた表面処理が挙げられる。
そして、本発明者は、加熱処理を施した後、化学的処理を施した層状構造物１２３の表面を観察した。その写真図は図２に示した通りである。
The present inventor performed heat treatment on the layered structure formed on the surface of the plasma-resistant member 120 and then performed chemical treatment to roughen the surface of the layered structure 123. The layered structure subjected to the heat treatment has a dense structure.
In this specification, “heat treatment” refers to heat treatment of an object using a dryer, oven, baking furnace, laser, electron beam, ion beam, molecular beam, atomic beam, high frequency, plasma, or the like. Further, the heat treatment may be performed during or after the process of manufacturing the layered structure.
In the present specification, the term “chemical treatment” refers to treating the surface of an object using a material that generates hydrogen ions in an aqueous solution. For example, chemical treatment includes hydrobromic acid, hydroiodic acid, hypochlorous acid, chlorous acid, chloric acid, perchloric acid, sulfuric acid, fluorosulfonic acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, hexafluoroantimony Acid, tetrafluoroboric acid, hexafluorophosphoric acid, chromic acid, boric acid, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, acetic acid, citric acid, Examples include surface treatment using an aqueous solution containing at least one of formic acid, gluconic acid, lactic acid, oxalic acid, tartaric acid, hydrofluoric acid, carbonic acid, and hydrogen sulfide.
Alternatively, “chemical treatment” in the present specification means that the surface of an object is treated with a substance that generates hydroxide ions in an aqueous solution. For example, the chemical treatment includes surface treatment using an aqueous solution containing at least one of sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, calcium hydroxide, barium hydroxide, copper hydroxide, aluminum hydroxide, and iron hydroxide. Can be mentioned.
Then, the inventor observed the surface of the layered structure 123 subjected to the chemical treatment after the heat treatment. The photograph is as shown in FIG.
図３は、層状構造物１２３の加熱処理温度と立方晶に対する単斜晶の比および結晶子サイズと表面粗さＳａのばらつきの関係を示した表である。立方晶に対する単斜晶の比が０％以上６０％以下の時、表面粗さのばらつきを０．２μｍ以下と小さくすることができ、チャンバーコンディションを安定的に維持することができる。また、加熱処理を施しても結晶子サイズは５０ｎｍ以下と非常に小さいため、パーティクルを低減することができる。 FIG. 3 is a table showing the heat treatment temperature of the layered structure 123, the ratio of the monoclinic crystal to the cubic crystal, and the relationship between the crystallite size and the variation of the surface roughness Sa. When the ratio of the monoclinic crystal to the cubic crystal is 0% or more and 60% or less, the variation in surface roughness can be reduced to 0.2 μm or less, and the chamber condition can be stably maintained. Further, even when heat treatment is performed, the crystallite size is as small as 50 nm or less, so that particles can be reduced.
ここで、結晶子サイズおよび立方晶に対する単斜晶の比は、ＸＲＤを用いて測定した。立方晶に対する単斜晶の比は、２θ＝２９°近傍の立方晶に起因する最強ピーク強度と２θ＝３０°近傍の単斜晶に起因する最強ピーク強度から算出した。尚、立方晶に対する単斜晶の割合は、ピーク強度比でなくとも、ピーク面積比より算出してもよい。ＸＲＤとしては「Ｘ‘ＰｅｒｔＰＲＯ／パナリティカル製」を使用した。管電圧４５ｋＶ、管電流４０ｍＡ、スキャンステップ０．０１７°を使用した。
尚、結晶子サイズの測定はＴＥＭ観察などの画像から算出してもよい。
Here, the crystallite size and the ratio of monoclinic crystal to cubic crystal were measured using XRD. The ratio of the monoclinic crystal to the cubic crystal was calculated from the strongest peak intensity attributed to the cubic crystal near 2θ = 29 ° and the strongest peak intensity attributed to the monoclinic crystal near 2θ = 30 °. Note that the ratio of the monoclinic crystal to the cubic crystal may be calculated from the peak area ratio instead of the peak intensity ratio. As XRD, “X'PertPRO / Panalytical” was used. A tube voltage of 45 kV, a tube current of 40 mA, and a scan step of 0.017 ° were used.
The crystallite size may be measured from an image such as TEM observation.
本発明者は、耐プラズマ性部材１２０の表面に形成された層状構造物１２３の表面粗さＳａのばらつきを、レーザ顕微鏡を用いて測定した。レーザー顕微鏡としては、「ＯＬＳ４０００／オリンパス製」を使用した。対物レンズの倍率は５０倍、ズームは１倍を使用した。カットオフについては８０μｍに設定した。 This inventor measured the dispersion | variation in the surface roughness Sa of the layered structure 123 formed in the surface of the plasma-resistant member 120 using the laser microscope. As the laser microscope, “OLS4000 / manufactured by Olympus” was used. The magnification of the objective lens was 50 times and the zoom was 1 time. The cut-off was set to 80 μm.
高さ方向の振幅平均（算術平均）Ｓａとは、２次元の算術平均粗さＲａを３次元に拡張したものであり、３次元粗さパラメータ（３次元高さ方向パラメータ）である。具体的には、算術平均Ｓａは、表面形状曲面と平均面とで囲まれた部分の体積を測定面積で割ったものである。平均面をｘｙ面、縦方向をｚ軸とし、測定された表面形状曲線をｚ（ｘ、ｙ）とすると、算術平均Ｓａは、次式で定義される。ここで、式（１）の中の「Ａ」は、測定面積である。
The amplitude average (arithmetic average) Sa in the height direction is obtained by extending the two-dimensional arithmetic average roughness Ra to three dimensions, and is a three-dimensional roughness parameter (three-dimensional height direction parameter). Specifically, the arithmetic average Sa is obtained by dividing the volume of the portion surrounded by the surface shape curved surface and the average surface by the measurement area. When the average plane is the xy plane, the vertical direction is the z-axis, and the measured surface shape curve is z (x, y), the arithmetic mean Sa is defined by the following equation. Here, “A” in the formula (1) is a measurement area.
次に、本発明者は、算術平均Ｓａ、コア部の実体体積Ｖｍｃ、コア部の中空体積Ｖｖｃ、界面の展開面積率Ｓｄｒ、および二乗平均平方根傾斜ＳΔｑにより、耐プラズマ性部材１２０の表面に形成された層状構造物１２３の表面状態を、層状構造物１２３の表面の全体を網羅した形で表現し評価できると判断した。
図４は、３次元表面性状パラメータを説明する模式図である。なお、図４（ａ）は、高さ方向の振幅平均（算術平均）Ｓａを説明するグラフ図である。図４（ｂ）は、コア部の実体体積Ｖｍｃおよびコア部の中空体積Ｖｖｃを説明するグラフ図である。図４（ｃ）は、定義したセグメンテーション内での突起（あるいは穴）密度を説明する模式的平面図である。
Next, the inventor forms on the surface of the plasma-resistant member 120 by the arithmetic mean Sa, the substantial volume Vmc of the core part, the hollow volume Vvc of the core part, the developed area ratio Sdr of the interface, and the root mean square slope SΔq. It was determined that the surface state of the layered structure 123 thus obtained can be expressed and evaluated in a form that covers the entire surface of the layered structure 123.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the three-dimensional surface property parameter. FIG. 4A is a graph illustrating amplitude average (arithmetic average) Sa in the height direction. FIG. 4B is a graph illustrating the substantial volume Vmc of the core portion and the hollow volume Vvc of the core portion. FIG. 4C is a schematic plan view for explaining the protrusion (or hole) density in the defined segmentation.
本発明者は、レーザー顕微鏡を用いて層状構造物の表面状態を調べた。レーザ顕微鏡としては、「ＯＬＳ４０００／オリンパス製」を使用した。対物レンズの倍率は、１００倍である。ズームは、５倍である。カットオフについては、２．５μｍあるいは０．８μｍに設定した。 The inventor examined the surface state of the layered structure using a laser microscope. As the laser microscope, “OLS4000 / manufactured by Olympus” was used. The magnification of the objective lens is 100 times. The zoom is 5 times. The cut-off was set to 2.5 μm or 0.8 μm.
負荷曲線から求めるコア部の実体体積Ｖｍｃおよびコア部の中空体積Ｖｖｃに関するパラメータは、図４（ｂ）に表したグラフ図のように定義され、３次元体積パラメータである。すなわち、負荷面積率が１０％のときの高さが、山部の実体体積Ｖｍｐと、コア部の実体体積Ｖｍｃおよびコア部の中空体積Ｖｖｃと、の境界となる。負荷面積率が８０％のときの高さが、谷部の中空体積Ｖｖｖと、コア部の実体体積Ｖｍｃおよびコア部の中空体積Ｖｖｃと、の境界となる。山部の実体体積Ｖｍｐ、コア部の実体体積Ｖｍｃ、コア部の中空体積Ｖｖｃおよび谷部の中空体積Ｖｖｖは、単位面積あたりの体積（単位：ｍ３／ｍ２）を表す。 Parameters relating to the substantial volume Vmc of the core portion and the hollow volume Vvc of the core portion obtained from the load curve are defined as a graph shown in FIG. 4B and are three-dimensional volume parameters. That is, the height when the load area ratio is 10% is a boundary between the substantial volume Vmp of the mountain part, the substantial volume Vmc of the core part, and the hollow volume Vvc of the core part. The height when the load area ratio is 80% is a boundary between the hollow volume Vvv of the valley part, the substantial volume Vmc of the core part, and the hollow volume Vvc of the core part. The substantial volume Vmp of the peak part, the substantial volume Vmc of the core part, the hollow volume Vvc of the core part, and the hollow volume Vvv of the valley part represent a volume per unit area (unit: m 3 / m 2 ).
界面の展開面積率Ｓｄｒは、サンプリング面に対する界面の増加割合を示すパラメータである。界面の展開面積率Ｓｄｒは、四点で形成される小さな界面の展開面積の総和を測定面積で割った値であり、次式で定義される。ここで、式（２）の中の「Ａ」は、定義したセグメンテーションの面積を表す。
The developed area ratio Sdr of the interface is a parameter indicating the increase rate of the interface with respect to the sampling surface. The developed area ratio Sdr of the interface is a value obtained by dividing the total developed area of the small interfaces formed by four points by the measured area, and is defined by the following equation. Here, “A” in Equation (2) represents the defined segmentation area.
二乗平均平方根傾斜ＳΔｄは、サンプリング面での二次元の二乗平均傾斜角Δｑを表す。あらゆる点において、表面傾斜は、次式で表される。
The root mean square slope SΔd represents a two-dimensional mean square slope angle Δq on the sampling surface. At every point, the surface slope is expressed as:
したがって、二乗平均平方根傾斜ＳΔｑは、次式で表される。
Therefore, the root mean square slope SΔq is expressed by the following equation.
以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、半導体製造装置１００などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置などや耐プラズマ性部材１２０および静電チャック１６０の設置形態などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
The embodiment of the present invention has been described. However, the present invention is not limited to these descriptions. As long as the features of the present invention are provided, those skilled in the art appropriately modified the design of the above-described embodiments are also included in the scope of the present invention. For example, the shape, size, material, arrangement, etc. of each element included in the semiconductor manufacturing apparatus 100 and the like, and the installation form of the plasma resistant member 120 and the electrostatic chuck 160 are not limited to those illustrated, but may be changed as appropriate. be able to.
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is provided can be combined as long as technically possible, and the combination of these is also included in the scope of the present invention as long as it includes the features of the present invention.
１００ 半導体製造装置、 １１０ チャンバー、 １２０ 耐プラズマ性部材、 １２３ 層状構造物、 １６０ 静電チャック、 １９１ 領域、 ２１０ ウェーハ、 ２２１ パーティクル DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Semiconductor manufacturing apparatus, 110 Chamber, 120 Plasma-resistant member, 123 Layered structure, 160 Electrostatic chuck, 191 area | region, 210 wafer, 221 particle
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