JP2015532511A - 光取出し下部構造を有するoled及びこれを組み込んでいる表示デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
1.6≧η(P)≧1.3
2.0≧ηeff(O)≧1.7
ηeff(WG)>1.7
1.6≧η(G)≧1.4
|η(P)−η(G)|<0.2
|ηeff(O)−ηeff(WG)|≦0.3
ηeff(O)−η(P)≧0.2
を満たすことができると考えられ、光の取出し及び放出をさらに高めるために、以下のさらに狭範囲の関係、
ηeff(WG)≧1.75
|ηeff(O)−ηeff(WG)|≦0.2
ηeff(O)−η(P)≧0.25
が代わりに適用され得ることが了解されると考えられる。
1.55≧η(P)≧1.45
1.85≧ηeff(O)>1.75
ηeff(WG)>1.7
1.55≧η(G)≧1.45
|η(P)−η(G)|<0.1
|ηeff(O)−ηeff(WG)|≦0.1
ηeff(O)−η(P)≧0.2
を満たすことができると考えられ、光の取出し及び放出をさらに高めるために、以下のさらに狭範囲の関係、
ηeff(WG)≧1.75
|ηeff(O)−ηeff(WG)|≦0.05
ηeff(O)−η(P)≧0.25
が代わりに適用され得ることが了解されると考えられる。
P=e(−2qd)
で与えられ、ここで、
q=2πλ(η1 2−ηeff 2)−1/2
である。上記の屈折率値、1.65の上部構造形態の実行屈折率及び0.75μmの離隔距離に対して、トンネリングの確率は10−8のオーダーであり、これは非常に小さい。しかし、光が結合できる導波路が存在すれば、結合長は近似的に、
[2πP(λ)/λ]1/2
で与えられる。図5は、結合長に正比例するパラメータである、導波路離隔距離の関数としてのp1/2のプロットである。導波路のパラメータが整合していなければ導波路間の結合が指数関数的に低下することに注意することが重要である。この部分低下は、
C2/(C2+(Δβ/2)2)
で与えられる。Cが一般に小さな数、例えば、10−3または10−4である以上、導波路の実効屈折率間の差は、
Δβ=(2π/λ)Δneff
であるから、比較的小さくなければならない。ここで、Δneffは導波路の実効屈折率の差である。
12 アノード
14 カソード
15 上部構造導波路
16 有機発光半導体材料
20 光取出し下部構造
22 ガラス基板
24 離散光取出し導波路素子
24A,24B 導波路素子終端点
25 光取出し下部構造のダイオード上部構造係合側
26 ガラス基板の導波路面
30 光放出マトリックス
35 光放出サイト
40 封入層
100 OLED
Claims (8)
- 光取出し下部構造及びダイオード上部構造を有する有機発光ダイオードにおいて、
前記ダイオード上部構造が、合わせて上部構造導波路を定めるための、カソードと、アノードと、前記カソードと前記アノードの間に配された有機発光半導体材料とを有し、
前記光取出し下部構造が、ガラス基板と、前記ガラス基板の導波路面上に分散する複数の離散光取出し導波路素子と、前記離散光取出し導波路素子と前記ガラス基板の前記導波路面上に広がる光放出マトリックスとを有し、
前記離散光取出し導波路素子が、導波路素子終端点の間を、前記上部構造導波路によって定められる光伝搬方向に沿って延びるものであり、
前記光放出マトリックスが、前記光取出し下部構造の前記ダイオード上部構造が係合する側の平坦性を高め、かつ、前記離散光取出し導波路素子の前記導波路素子終端点に光放出サイトを設けるために、異なる厚さで広げられ、
動作において、前記ダイオード上部構造の前記有機発光半導体材料内で発した光が前記光取出し下部構造の前記離散導波路素子に結合されるように、前記上部構造導波路及び前記光取出し下部構造が構成され、それぞれの結合モードは、光学モードが前記上部構造導波路から前記離散光取出し導波路素子の1つに結合されるに必要な伝搬距離として定義される近似結合長で特徴づけられ、
前記導波路素子終端点の間の前記離散光取出し導波路素子の大半の直線の長さが前記結合長の5倍をこえない、
ことを特徴とする有機発光ダイオード。 - 前記離散光取出し導波路素子の大半の前記導波路素子終端点の間に延びる長さが、ほぼ20μmより小さく、
前記光放出マトリックスの屈折率η(P)が、前記上部構造導波路の実効屈折率ηeff(O)及び前記離散光取出し導波路素子の実効屈折率ηeff(WG)より、少なくともほぼ0.2は小さく、
前記上部構造導波路の厚さx(O)と、前記離散光取出し導波路素子及び前記光放出マトリックスの複合厚さx(WG+P)との、前記光伝搬方向と直交する方向の差が、ほぼ1.5μmより小さく、
前記上部構造導波路の前記光伝搬方向と直交する方向における前記離散光取出し導波路素子からの離隔距離が、ほぼ1.5μmより小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ダイオード。 - 前記上部構造導波路の実効屈折率ηeff(O)と、前記離散光取出し素子の実効屈折率ηeff(WG)と、前記光放出マトリックスの屈折率η(P)とが以下の関係、
1.6≧η(P)≧1.3
2.0≧ηeff(O)≧1.7
ηeff(WG)>1.7
|ηeff(O)−ηeff(WG)|≦0.3
ηeff(O)−η(P)≧0.2
を満たすことを特徴とする請求項2に記載の有機発光ダイオード。 - 前記上部構造導波路の実効屈折率ηeff(O)と、前記離散光取出し素子の実効屈折率ηeff(WG)と、前記光放出マトリックスの屈折率η(P)と、前記ガラス基板の屈折率η(G)とが以下の関係、
1.6≧η(P)≧1.3
2.0≧ηeff(O)≧1.7
ηeff(WG)>1.7
1.6≧η(G)≧1.4
|η(P)−η(G)|<0.2
|ηeff(O)−ηeff(WG)|≦0.3
ηeff(O)−η(P)≧0.2
を満たすことを特徴とする請求項2または3に記載の有機発光ダイオード。 - 前記結合長が、前記上部構造導波路と前記光取出し下部構造の前記離散導波路素子の選ばれた1つを隔てる距離の関数であり、
前記離散光取出し導波路素子の前記光伝搬方向と直交する方向に沿う前記上部構造導波路からの離隔距離が、ほぼ0.5μm以下であり、
前記近似結合長が、20μm以下であり、
前記離散光取出し導波路素子の大半の前記導波路終端点間の直線の長さが、ほぼ20μm以下である、
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の有機光発光ダイオード、 - ダイオード上部構造及び光取出し下部構造を有する有機発光ダイオードにおいて、
前記ダイオード上部構造が、合わせて上部構造導波路を定めるためのカソードと、アノードと、前記カソード及び前記アノードの間に配された有機発光半導体材料とを有し、
前記光取出し下部構造が、ガラス基板と、前記ガラス基板の導波路面上に分散する複数の離散光取出し導波路素子と、前記離散光取出し導波路素子と前記ガラス基板の前記導波路面上に広がる光放出マトリックスとを有する、
前記離散光取出し導波路素子の大半の前記上部構造導波路によって定められる光伝搬方向に沿って導波路素子終端点の間に延びる長さが、ほぼ20μmより小さく、
前記光放出マトリックスが、前記光取出し下部構造の前記ダイオード上部構造が係合する側の平坦性を高め、かつ、前記離散光取出し導波路素子の前記導波路素子終端点に光放出サイトを設けるために、異なる厚さで広げられ、
前記光放出マトリックスの屈折率η(P)が、前記上部構造導波路の実効屈折率ηeff(O)及び前記離散光取出し導波路素子の実効屈折率ηeff(WG)より、少なくともほぼ0.2は小さく、
前記上部構造導波路の実効屈折率ηeff(O)と、前記離散光取出し導波路素子の実効屈折率ηeff(WG)との差が、ほぼ0.3以下であり、
前記上部構造導波路の厚さx(O)と、前記離散光取出し導波路素子及び前記光放出マトリックスの複合厚さx(WG+P)との、前記光伝搬方向と直交する方向に沿う差が、ほぼ1.5μmより小さく、
前記上部構造導波路の前記光伝搬方向と直交する方向における前記離散光取出し導波路素子からの離隔距離が、ほぼ1.5μmより小さい、
ことを特徴とする有機発光ダイオード。 - 表示デバイスにおいて、請求項1から6のいずれかに記載の有機発光ダイオードを1つ以上組み込んでいる表示デバイス。
- 請求項1から6のいずれかに記載の有機発光ダイオードの形成方法において、
a.基板上に離散光取出し導波路素子を形成する工程と、
b.前記離散光取出し導波路素子上に光放出マトリックスを形成する工程と、
c.前記光放出マトリックス上にダイオード上部構造を形成する工程と、
d.必要に応じて、前記ダイオード上部構造上に封入層を形成する工程と、
を含み、
前記ダイオード上部構造は、
i. カソード、
ii. アノード、及び
iii.前記カソードと前記アノードの間に配された有機発光半導体材料、
を有すことを特徴とする方法。
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