JP2015230242A - Temperature sensor - Google Patents

Temperature sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2015230242A
JP2015230242A JP2014116551A JP2014116551A JP2015230242A JP 2015230242 A JP2015230242 A JP 2015230242A JP 2014116551 A JP2014116551 A JP 2014116551A JP 2014116551 A JP2014116551 A JP 2014116551A JP 2015230242 A JP2015230242 A JP 2015230242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
temperature
pressure
recess
sensitive resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014116551A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6287600B2 (en
Inventor
大野　和幸
Kazuyuki Ono
和幸 大野
野村　浩
Hiroshi Nomura
浩 野村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2014116551A priority Critical patent/JP6287600B2/en
Publication of JP2015230242A publication Critical patent/JP2015230242A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6287600B2 publication Critical patent/JP6287600B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a reduction in detection accuracy and a reduction in response.SOLUTION: Recessed portions 24 and 39 are formed between a portion in which temperature sensitive resistors 17a to 17d are formed and a portion sealed with mold resin 2 in a sensor section 1. Wit this configuration, the recessed portions 24 and 39 can narrow a heat transfer passage in which heat is transferred between the portion in which the temperature sensitive resistors 17a to 17b are formed and the portion sealed with the mold resin 2, and it is possible to suppress the transfer of heat in the portion in which the temperature sensitive resistors 17a to 17b are formed to the mold resin 2 via the portion sealed with the mold resin 2. It is, therefore, possible to suppress a reduction in detection accuracy and a reduction in response.

Description

本発明は、測定媒体の温度に応じたセンサ信号を出力するセンサ部の一部がモールド樹脂で封止された温度センサに関するものである。   The present invention relates to a temperature sensor in which a part of a sensor unit that outputs a sensor signal corresponding to the temperature of a measurement medium is sealed with a mold resin.

従来より、例えば、特許文献１には、圧力に応じたセンサ信号を出力するセンサ部を備える圧力センサが提案されている。具体的には、この圧力センサでは、センサ部は、半導体基板等の基板を用いて構成され、当該基板に測定媒体の圧力に応じて抵抗値が変化する感圧抵抗体が形成されている。そして、センサ部は、感圧抵抗体が露出するように、モールド樹脂で封止されている。   Conventionally, for example, Patent Document 1 proposes a pressure sensor including a sensor unit that outputs a sensor signal corresponding to pressure. Specifically, in this pressure sensor, the sensor unit is configured by using a substrate such as a semiconductor substrate, and a pressure-sensitive resistor whose resistance value changes according to the pressure of the measurement medium is formed on the substrate. The sensor portion is sealed with a mold resin so that the pressure sensitive resistor is exposed.

特開２０１１−１９１２７３号公報JP 2011-191273 A

ところで、上記のような圧力センサの感圧抵抗体を感温抵抗体として温度センサとすることも知られている。   By the way, it is also known that a pressure sensor as described above is used as a temperature sensor.

しかしながら、上記のように温度センサを構成した場合、モールド樹脂は、エポキシ樹脂等によって構成されるために熱容量が大きい。このため、感温抵抗体（基板のうちの感温抵抗体が形成される部分）に印加される測定媒体の熱がモールド樹脂に伝達され易く、感温抵抗体で検出される温度と実際の測定媒体の温度との間に温度差が発生し易い。したがって、検出精度が低下し易く、また、応答性が低下し易いという問題がある。   However, when the temperature sensor is configured as described above, the mold resin is composed of an epoxy resin or the like, and thus has a large heat capacity. For this reason, the heat of the measurement medium applied to the temperature sensitive resistor (the portion of the substrate where the temperature sensitive resistor is formed) is easily transferred to the mold resin, and the temperature detected by the temperature sensitive resistor and the actual temperature are detected. A temperature difference is likely to occur between the temperature of the measurement medium. Therefore, there are problems that the detection accuracy is likely to be lowered and the responsiveness is likely to be lowered.

本発明は上記点に鑑みて、検出精度が低下することを抑制でき、かつ、応答性が低下することを抑制できる温度センサを提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the temperature sensor which can suppress that a detection accuracy falls, and can suppress that a response falls.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一端部および一端部と反対側の他端部を有する基板（１ａ）を用いて構成され、基板の一端部側に温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗体（１７ａ〜１７ｄ）が形成されることで温度に応じた温度検出信号を出力するセンサ部（１）と、感温抵抗体を露出させつつ、他端部側を封止するモールド樹脂（２）と、を備え、センサ部は、感温抵抗体とモールド樹脂で封止される部分との間に、窪み部（２４、３９）が形成されていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a substrate (1a) having one end and the other end opposite to the one end is configured, and the one end of the substrate is in accordance with the temperature. The temperature sensing resistor (17a-17d) whose resistance value changes is formed, and the sensor unit (1) that outputs a temperature detection signal corresponding to the temperature and the other end side while exposing the temperature sensing resistor And the sensor part has a depression (24, 39) formed between the temperature-sensitive resistor and the part sealed with the mold resin. It is a feature.

これによれば、感温抵抗体（感温抵抗体が形成される部分）とモールド樹脂で封止される部分との間の熱の伝達経路を窪み部によって細くできる。このため、感温抵抗体（感温抵抗体が形成される部分）の熱がモールド樹脂で封止される部分を介してモールド樹脂に伝達される（逃げる）ことを抑制できる。したがって、感温抵抗体（感温抵抗体が形成される部分）の温度と実際の測定媒体の温度との間に温度差が発生することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できると共に、応答性が低下することを抑制できる。   According to this, the heat transfer path between the temperature sensitive resistor (the portion where the temperature sensitive resistor is formed) and the portion sealed with the mold resin can be narrowed by the recess. For this reason, it can suppress that the heat | fever of a temperature sensing resistor (part in which a temperature sensing resistor is formed) is transmitted (escapes) to mold resin through the part sealed with mold resin. Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of a temperature difference between the temperature of the temperature sensitive resistor (the portion where the temperature sensitive resistor is formed) and the actual temperature of the measurement medium, and it is possible to suppress a decrease in detection accuracy. , It can suppress that responsiveness falls.

また、請求項７に記載の発明は、請求項５または６に記載の温度センサの製造方法であり、感温抵抗体および感圧抵抗体が形成された第１基板を用意する工程と、第１基板の他面側に、凹部および窪み部を同時に形成する工程と、第２基板を用意する工程と、第２基板の一面側に、凹部および窪み部を同時に形成する工程と、第１基板の一面と第２基板の一面とが対向するように、第１基板に第２基板を接合する工程と、を行うことを特徴としている。   A seventh aspect of the invention is a method of manufacturing a temperature sensor according to the fifth or sixth aspect, wherein a step of preparing a first substrate on which a temperature-sensitive resistor and a pressure-sensitive resistor are formed; A step of simultaneously forming a recess and a recess on the other surface of one substrate, a step of preparing a second substrate, a step of simultaneously forming a recess and a recess on one surface of the second substrate, and the first substrate And a step of bonding the second substrate to the first substrate so that one surface of the second substrate faces one surface of the second substrate.

これによれば、凹部を形成する工程と窪み部を形成する工程とを同時に行うため、製造工程が増加することを抑制できる。   According to this, since the process of forming a recessed part and the process of forming a hollow part are performed simultaneously, it can suppress that a manufacturing process increases.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態における温度、圧力一体型センサの断面図である。It is sectional drawing of the temperature and pressure integrated sensor in 1st Embodiment of this invention. 第１基板の一面側の平面図である。It is a top view of the one surface side of the 1st substrate. ゲージ抵抗が構成する回路図である。It is a circuit diagram which a gauge resistance comprises. 第２基板の一面側の平面図である。It is a top view of the one surface side of the 2nd substrate. 熱の移動経路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the movement path | route of heat. 図１に示す温度、圧力一体型センサの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the temperature and pressure integrated sensor shown in FIG. 図６に続く製造工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing step that follows FIG. 6. 本発明の第２実施形態における第１基板の一面側の平面図である。It is a top view of the one surface side of the 1st substrate in a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の他の実施形態における第１基板の一面側の平面図である。It is a top view of the one surface side of the 1st substrate in other embodiments of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、本発明の温度センサを温度、圧力一体型センサに適用した例について説明する。なお、この温度、圧力一体型センサは、例えば、自動車に搭載され、オイルポンプから排出されたオイルの温度および圧力を検出するものとして適用されると好適である。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, an example in which the temperature sensor of the present invention is applied to a temperature and pressure integrated sensor will be described. Note that this temperature / pressure integrated sensor is preferably applied, for example, as a sensor that is mounted in an automobile and detects the temperature and pressure of oil discharged from an oil pump.

図１に示されるように、温度、圧力一体型センサは、センサ部１およびモールド樹脂２等を備えている。まず、本実施形態のセンサ部１の構成について説明する。   As shown in FIG. 1, the temperature and pressure integrated sensor includes a sensor unit 1 and a mold resin 2. First, the configuration of the sensor unit 1 of the present embodiment will be described.

センサ部１は、一面１０ａおよびこの一面１０ａと反対側の他面１０ｂを有する第１基板１０と、一面３０ａおよびこの一面３０ａと反対側の他面３０ｂを有する第２基板３０とを備えるセンサ基板１ａを備えている。なお、本実施形態では、センサ基板１ａが本発明の基板に相当している。   The sensor unit 1 includes a first substrate 10 having one surface 10a and another surface 10b opposite to the one surface 10a, and a second substrate 30 having one surface 30a and another surface 30b opposite to the one surface 30a. 1a is provided. In the present embodiment, the sensor substrate 1a corresponds to the substrate of the present invention.

第１基板１０は、本実施形態では、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層され、一方向を長手方向（図１中紙面左右方向）とする平面矩形状のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板で構成されている。そして、半導体層１３のうちの絶縁膜１２と反対側の一面が第１基板１０の一面１０ａとされ、支持基板１１のうちの絶縁膜１２と反対側の一面が第１基板１０の他面１０ｂとされている。なお、本実施形態では、半導体層１３はＰ型のシリコン基板等で構成されている。   In this embodiment, the first substrate 10 includes a support substrate 11, an insulating film 12, and a semiconductor layer 13 that are stacked in order, and a planar rectangular SOI (Silicon on) with one direction as a longitudinal direction (left and right direction in FIG. 1). Insulator) board. One surface of the semiconductor layer 13 opposite to the insulating film 12 is the one surface 10 a of the first substrate 10, and one surface of the supporting substrate 11 opposite to the insulating film 12 is the other surface 10 b of the first substrate 10. It is said that. In the present embodiment, the semiconductor layer 13 is composed of a P-type silicon substrate or the like.

第１基板１０には、図１および図２に示されるように、半導体層１３の表層部にＮ型層１４が形成されている。また、第１基板１０には、長手方向の一端部側（図１中紙面右側）に、他面１０ｂから凹部１５が形成されることでダイヤフラム部１６が構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, an N-type layer 14 is formed on the surface layer portion of the semiconductor layer 13 on the first substrate 10. Moreover, the diaphragm part 16 is comprised in the 1st board | substrate 10 by forming the recessed part 15 from the other surface 10b in the one end part side (paper surface right side in FIG. 1) of a longitudinal direction.

凹部１５は、本実施形態では、第１基板１０の他面１０ｂから絶縁膜１２に達するように形成され、平面矩形状とされている。そして、凹部１５の底面と第１基板１０の一面１０ａとの間に位置する絶縁膜１２および半導体層１３にてダイヤフラム部１６が構成されている。   In this embodiment, the recess 15 is formed so as to reach the insulating film 12 from the other surface 10b of the first substrate 10 and has a planar rectangular shape. And the diaphragm part 16 is comprised by the insulating film 12 and the semiconductor layer 13 which are located between the bottom face of the recessed part 15, and the one surface 10a of the 1st board | substrate 10. FIG.

ダイヤフラム部１６には、図１〜図３に示されるように、ダイヤフラム部１６の変形（圧力）に応じて抵抗値が変化すると共に、温度に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成されている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the diaphragm portion 16 has gauge resistors 17 a to 17 d that change in resistance value according to deformation (pressure) of the diaphragm portion 16 and change in resistance value according to temperature. Is formed.

本実施形態では、４つのゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成され、各ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄは、４つの接続点１８ａ〜１８ｄを有するブリッジ回路を構成するように接続配線層１９によって適宜接続されている。そして、ブリッジ回路における接続点１８ａに定電流が供給されるようになっている。つまり、本実施形態のセンサ部１は、いわゆる定電流駆動型とされている。   In the present embodiment, four gauge resistors 17a to 17d are formed, and each gauge resistor 17a to 17d is appropriately connected by the connection wiring layer 19 so as to form a bridge circuit having four connection points 18a to 18d. . A constant current is supplied to the connection point 18a in the bridge circuit. That is, the sensor unit 1 of the present embodiment is a so-called constant current drive type.

なお、本実施形態では、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが本発明の感温抵抗体および感圧抵抗体に相当している。つまり、感温抵抗体および感圧抵抗体が共通の抵抗体で構成されている。また、図１中の第１基板１０は、図２中のI−I線に沿った断面図に相当している。   In the present embodiment, the gauge resistors 17a to 17d correspond to the temperature-sensitive resistor and the pressure-sensitive resistor of the present invention. That is, the temperature-sensitive resistor and the pressure-sensitive resistor are configured by a common resistor. Moreover, the 1st board | substrate 10 in FIG. 1 is corresponded in sectional drawing along the II line | wire in FIG.

そして、図１および図２に示されるように、半導体層１３には、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと電気的に接続される引き出し配線層２０が形成されている。この引き出し配線層２０は、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと接側される部分から半導体層１３の他端部側（図１および図２中紙面左側）まで引き出されている。本実施形態では、引き出し配線層２０は、４つ形成されており、ブリッジ回路における接続点１８ａと接続されて定電流を供給する配線層、ブリッジ回路における接続点１８ｃと接続されることでグランド電位を印加する配線層、ブリッジ回路における接続点１８ｂ、１８ｄと接続されて中点電圧を出力する２つの配線層とされている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a lead wiring layer 20 that is electrically connected to the gauge resistors 17 a to 17 d is formed in the semiconductor layer 13. The lead-out wiring layer 20 is drawn from the portion in contact with the gauge resistors 17a to 17d to the other end side of the semiconductor layer 13 (the left side in FIG. 1 and FIG. 2). In the present embodiment, four lead-out wiring layers 20 are formed, and are connected to the connection point 18a in the bridge circuit to supply a constant current, and are connected to the connection point 18c in the bridge circuit, thereby being ground potential. Are connected to the connection points 18b and 18d in the bridge circuit and output two midpoint voltages.

これにより、温度に応じた温度検出信号としてブリッジ回路における接続点１８ａ、１８ｃの差電圧（ＶＳＩ−ＧＮＤ）が出力され、圧力に応じた圧力検出信号としてブリッジ回路における接続点１８ｂ、１８ｄの差電圧（ＶＳＰ−ＶＳＭ）が出力される。   As a result, the voltage difference (VSI-GND) between the connection points 18a and 18c in the bridge circuit is output as a temperature detection signal corresponding to the temperature, and the voltage difference between the connection points 18b and 18d in the bridge circuit is output as a pressure detection signal corresponding to the pressure. (VSP-VSM) is output.

そして、引き出し配線層２０のうちのゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと接続される部分と反対側の端部には、引き出し配線層２０と接続された接続部２１が形成されている。接続部２１は、後述する貫通電極３７と電気的に接続される部分であり、本実施形態では、平面円形状とされている。   A connection portion 21 connected to the lead-out wiring layer 20 is formed at the end of the lead-out wiring layer 20 opposite to the portion connected to the gauge resistors 17a to 17d. The connection portion 21 is a portion that is electrically connected to a through-electrode 37 to be described later, and has a planar circular shape in the present embodiment.

なお、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１は、それぞれＰ型の不純物を拡散させた拡散層等で構成され、Ｎ型層１４内に形成されている。   The gauge resistors 17 a to 17 d, the connection wiring layer 19, the lead-out wiring layer 20, and the connection portion 21 are each formed of a diffusion layer or the like in which a P-type impurity is diffused, and is formed in the N-type layer 14.

また、半導体層１３のうちのＮ型層１４内には、接続部２１よりも他端部側に、Ｎ型層１４よりも高不純物濃度とされたＮ＋型のコンタクト層２２が形成されている。このコンタクト層２２は、Ｎ型層１４を所定電位に維持するために後述する貫通電極３７と接続される部分である。 In the N-type layer 14 of the semiconductor layer 13, an N + -type contact layer 22 having a higher impurity concentration than the N-type layer 14 is formed on the other end side of the connection portion 21. Yes. The contact layer 22 is a portion connected to a through electrode 37 described later in order to maintain the N-type layer 14 at a predetermined potential.

さらに、半導体層１３には、コンタクト層２２よりも他端部側であってＮ型層１４の外側に、半導体層１３よりも高不純物濃度とされたＰ＋型のコンタクト層２３が形成されている。このコンタクト層２３は、半導体層１３を所定電位に維持するために後述する貫通電極３７と接続される部分である。 Further, a P + -type contact layer 23 having a higher impurity concentration than the semiconductor layer 13 is formed on the semiconductor layer 13 on the other end side of the contact layer 22 and outside the N-type layer 14. Yes. The contact layer 23 is a portion connected to a through electrode 37 described later in order to maintain the semiconductor layer 13 at a predetermined potential.

また、図１に示されるように、上記第１基板１０の一面１０ａには、第２基板３０が配置されている。第２基板３０は、シリコン等の基板３１のうちの第１基板１０と対向する一面側に絶縁膜３２が形成された構成とされている。   As shown in FIG. 1, a second substrate 30 is disposed on one surface 10 a of the first substrate 10. The second substrate 30 is configured such that an insulating film 32 is formed on one surface side of the substrate 31 made of silicon or the like facing the first substrate 10.

そして、第２基板３０は、絶縁膜３２が第１基板１０（半導体層１３）と接合されている。本実施形態では、絶縁膜３２と第１基板１０（半導体層１３）とは、絶縁膜３２および半導体層１３のうちの接合面を活性化させて接合するいわゆる直接接合等で接合されている。   The second substrate 30 has the insulating film 32 bonded to the first substrate 10 (semiconductor layer 13). In the present embodiment, the insulating film 32 and the first substrate 10 (semiconductor layer 13) are bonded by so-called direct bonding or the like in which the bonding surfaces of the insulating film 32 and the semiconductor layer 13 are activated and bonded.

なお、本実施形態では、絶縁膜３２のうちの基板３１と反対側の一面が第２基板３０の一面３０ａとされ、基板３１のうちの絶縁膜３２と反対側の一面が第２基板３０の他面３０ｂとされている。   In the present embodiment, one surface of the insulating film 32 opposite to the substrate 31 is the one surface 30 a of the second substrate 30, and one surface of the substrate 31 opposite to the insulating film 32 is the second substrate 30. The other surface 30b is used.

第２基板３０の一面３０ａには、ダイヤフラム部１６と対向する部分に凹部３４が形成されている。そして、第１基板１０と第２基板３０との間には、この凹部３４によって基準圧力室４１が構成され、ダイヤフラム部１６のうちの一面１０ａ側に基準圧力室４１から基準圧力が印加されるようになっている。このため、ダイヤフラム部１６は、基準圧力とダイヤフラム部１６のうちの他面１０ｂ側に印加される測定媒体の圧力との差圧に応じて変形する。なお、本実施形態では、基準圧力室４１は、真空圧とされている。   On one surface 30a of the second substrate 30, a recess 34 is formed at a portion facing the diaphragm portion 16. A reference pressure chamber 41 is formed by the recess 34 between the first substrate 10 and the second substrate 30, and a reference pressure is applied from the reference pressure chamber 41 to the one surface 10 a side of the diaphragm portion 16. It is like that. For this reason, the diaphragm part 16 deform | transforms according to the differential pressure | voltage of the reference | standard pressure and the pressure of the measurement medium applied to the other surface 10b side among the diaphragm parts 16. FIG. In the present embodiment, the reference pressure chamber 41 is set to a vacuum pressure.

また、第２基板３０には、他面３０ｂ側に絶縁膜３３が形成されている。そして、第２基板３０のうちの他端部側（図１中紙面左側）には、絶縁膜３３、第２基板３０、第１基板１０の積層方向に絶縁膜３３および第２基板３０を貫通する６つの貫通孔３５（図１中では４つのみ図示）が形成されている。具体的には、この貫通孔３５は、各接続部２１およびコンタクト層２２、２３をそれぞれ露出させるように形成されている。そして、貫通孔３５の壁面には、ＴＥＯＳ（Tetra ethyl ortho silicate）等で構成される絶縁膜３６が成膜され、絶縁膜３６上にはＡｌ等で構成される貫通電極３７が適宜接続部２１およびコンタクト層２２、２３と電気的に接続されるように形成されている。さらに、絶縁膜３３上には、貫通電極３７を介してゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄと電気的に接続されると共に外部回路と接続されるパッド部３８が形成されている。   Further, an insulating film 33 is formed on the second substrate 30 on the other surface 30b side. The other end side of the second substrate 30 (the left side in FIG. 1) penetrates the insulating film 33 and the second substrate 30 in the stacking direction of the first substrate 10. Six through holes 35 (only four are shown in FIG. 1) are formed. Specifically, the through hole 35 is formed so as to expose each connection portion 21 and the contact layers 22 and 23. An insulating film 36 made of TEOS (Tetra ethyl orthosilicate) or the like is formed on the wall surface of the through hole 35, and a through electrode 37 made of Al or the like is appropriately formed on the insulating film 36 at the connection portion 21. The contact layers 22 and 23 are electrically connected. Further, on the insulating film 33, a pad portion 38 is formed which is electrically connected to the gauge resistors 17a to 17d via the through electrode 37 and connected to an external circuit.

なお、図１では、最も紙面左側に位置する貫通電極３７と電気的に接続されるパッド部３８のみを図示しているが、他の貫通電極３７も図１とは別断面に形成されたパッド部３８と電気的に接続されている。   1 shows only the pad portion 38 that is electrically connected to the penetrating electrode 37 located on the leftmost side of the drawing, the other penetrating electrode 37 is also a pad formed in a cross section different from that of FIG. The unit 38 is electrically connected.

以上が本実施形態におけるセンサ部１の構成である。そして、センサ部１は、第１基板１０の他面１０ｂの他端部側において、接着剤等の接合部材５０を介して支持部材６０に支持されている。なお、この支持部材６０は、銅や４２アロイ等で構成されるリードフレームで構成されている。   The above is the configuration of the sensor unit 1 in the present embodiment. And the sensor part 1 is supported by the support member 60 via the joining members 50, such as an adhesive agent, in the other end part side of the other surface 10b of the 1st board | substrate 10. FIG. The support member 60 is composed of a lead frame made of copper, 42 alloy, or the like.

そして、センサ部１のうちの他端部側および支持部材６０等は、エポキシ樹脂等で構成されるモールド樹脂２によって封止されて固定されている。つまり、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）を露出させつつ貫通電極３７およびパッド部３８が封止されるように、モールド樹脂２が配置されている。   The other end side of the sensor unit 1 and the support member 60 are sealed and fixed by a mold resin 2 made of epoxy resin or the like. That is, the mold resin 2 is arranged so that the through electrodes 37 and the pad portions 38 are sealed while exposing the gauge resistors 17a to 17d (diaphragm portion 16).

以上が本実施形態における温度、圧力一体型センサの基本的な構成である。そして、本実施形態では、第１基板１０には、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成される部分とモールド樹脂２で封止される部分との間に、窪み部２４が形成されている。また、第２基板３０には、凹部３４とモールド樹脂２で封止される部分との間に窪み部３９が形成されている。なお、第１基板１０と第２基板３０との間には、窪み部３９によって封止空間４２が構成され、封止空間４２は基準圧力室４１と同様に真空圧とされている。   The above is the basic configuration of the temperature and pressure integrated sensor in the present embodiment. In the present embodiment, a recess 24 is formed in the first substrate 10 between a portion where the gauge resistors 17 a to 17 d are formed and a portion sealed with the mold resin 2. In addition, a recess 39 is formed in the second substrate 30 between the recess 34 and the portion sealed with the mold resin 2. A sealed space 42 is formed between the first substrate 10 and the second substrate 30 by the recess 39, and the sealed space 42 is set to a vacuum pressure like the reference pressure chamber 41.

本実施形態では、窪み部２４は、図１および図２に示されるように、第１基板１０の他面１０ｂから絶縁膜１２に達するように形成され、開口部が凹部１５と同じ平面矩形状とされていると共に深さが凹部１５と等しくされている。また、窪み部３９は、図１および図４に示されるように、第２基板３０の一面３０ａに形成され、開口部が凹部３４と同じ平面矩形状とされていると共に深さが凹部３４と等しくされている。   In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the recess 24 is formed so as to reach the insulating film 12 from the other surface 10 b of the first substrate 10, and the opening has the same planar rectangular shape as the recess 15. And the depth is made equal to the recess 15. As shown in FIGS. 1 and 4, the recess 39 is formed on the one surface 30 a of the second substrate 30, and the opening has the same planar rectangular shape as the recess 34 and the depth is the recess 34. Are equal.

以上が本実施形態における温度、圧力一体型センサの構成である。このような温度、圧力一体側センサでは、Ｎ型層１４（コンタクト層２２）が、Ｐ型のゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１より高電位とされた状態で温度および圧力の検出を行う。つまり、Ｎ型層１４と、Ｐ型のゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１とで構成されるダイオードに逆バイアスが印加される状態で温度および圧力の検出を行う。   The above is the configuration of the temperature and pressure integrated sensor in the present embodiment. In such a temperature / pressure integrated sensor, the N-type layer 14 (contact layer 22) has a higher potential than the P-type gauge resistors 17a to 17d, the connection wiring layer 19, the lead-out wiring layer 20, and the connection portion 21. Temperature and pressure are detected in the state. That is, the temperature and pressure are detected in a state where a reverse bias is applied to the diode constituted by the N-type layer 14, the P-type gauge resistors 17 a to 17 d, the connection wiring layer 19, the lead-out wiring layer 20, and the connection portion 21. I do.

そして、ダイヤフラム部１６のうちの他面１０ｂ側に測定媒体が印加されると、当該測定媒体の温度に応じた温度検出信号および当該測定媒体の圧力に応じた圧力検出信号が出力される。   When a measurement medium is applied to the other surface 10b side of the diaphragm section 16, a temperature detection signal corresponding to the temperature of the measurement medium and a pressure detection signal corresponding to the pressure of the measurement medium are output.

このとき、図５に示されるように、測定媒体Ａの熱がセンサ部１の一端部側に印加されると、矢印Ｂで示すように、当該熱は主に、窪み部２４と窪み部３９との間の部分の半導体層１３を介してセンサ部１の他端部側に伝達された後、モールド樹脂２や支持部材６０等に伝達される。つまり、窪み部２４および窪み部３９によって熱の伝達経路を細くできる。このため、センサ部１の一端部側から他端部側に熱を伝達し難くでき、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の熱がモールド樹脂２や支持部材６０等に伝達されることを抑制できる。   At this time, as shown in FIG. 5, when the heat of the measurement medium A is applied to one end portion side of the sensor unit 1, the heat mainly includes the depression 24 and the depression 39 as indicated by an arrow B. After being transmitted to the other end portion side of the sensor unit 1 through the semiconductor layer 13 in the portion between the two, it is transmitted to the mold resin 2, the support member 60, and the like. That is, the heat transfer path can be narrowed by the recess 24 and the recess 39. For this reason, it is difficult to transfer heat from the one end side of the sensor unit 1 to the other end side, and the heat of the gauge resistors 17a to 17d (diaphragm unit 16) is transmitted to the mold resin 2, the support member 60, and the like. Can be suppressed.

次に、上記温度、圧力一体型センサの製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the temperature / pressure integrated sensor will be described.

まず、図６（ａ）に示されるように、支持基板１１、絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層された第１基板１０を用意する。そして、イオン注入や熱拡散等の工程を適宜行うことにより、半導体層１３に、Ｎ型層１４、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ、接続配線層１９、引き出し配線層２０、接続部２１、コンタクト層２２、２３等を形成する。   First, as shown in FIG. 6A, a first substrate 10 in which a support substrate 11, an insulating film 12, and a semiconductor layer 13 are sequentially laminated is prepared. Then, by appropriately performing processes such as ion implantation and thermal diffusion, the N-type layer 14, gauge resistors 17 a to 17 d, connection wiring layer 19, lead-out wiring layer 20, connection portion 21, contact layer 22, 23 etc. are formed.

次に、図６（ｂ）に示されるように、第１基板１０の他面１０ｂに図示しないマスクを配置し、当該マスクを用いてドライエッチング等を行うことにより、凹部１５および窪み部２４を形成する。つまり、本実施形態では、第１基板１０に凹部１５および窪み部２４を同時に形成する。なお、この工程にて凹部１５を形成することによってダイヤフラム部１６が構成される。   Next, as shown in FIG. 6B, by placing a mask (not shown) on the other surface 10b of the first substrate 10 and performing dry etching or the like using the mask, the recess 15 and the recess 24 are formed. Form. That is, in the present embodiment, the recess 15 and the recess 24 are formed in the first substrate 10 at the same time. In addition, the diaphragm part 16 is comprised by forming the recessed part 15 at this process.

また、図６（ｃ）に示されるように、図６（ａ）および図６（ｂ）とは別工程において、基板３１の一面側に絶縁膜３２が形成された第２基板３０を用意する。そして、絶縁膜３２上に図示しないマスクを配置し、当該マスクを用いてドライエッチング等を行うことにより、凹部３４および窪み部３９を形成する。つまり、本実施形態では、第２基板３０に凹部３４および窪み部３９を同時に形成する。   Further, as shown in FIG. 6C, a second substrate 30 having an insulating film 32 formed on one surface side of the substrate 31 is prepared in a step different from that shown in FIGS. 6A and 6B. . Then, a mask (not shown) is placed on the insulating film 32, and dry etching or the like is performed using the mask, thereby forming the recess 34 and the recess 39. That is, in the present embodiment, the concave portion 34 and the concave portion 39 are simultaneously formed on the second substrate 30.

続いて、図７（ａ）に示されるように、第１基板１０と第２基板３０とを接合してセンサ基板１ａを構成する。本実施形態では、まず、半導体層１３および絶縁膜３２にＡｒイオンビーム等を照射し、各接合面を活性化させる。そして、第１、第２基板１０、３０に適宜設けられたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、真空条件下において室温〜５５０°の低温で接合するいわゆる直接接合により、半導体層１３と絶縁膜３２とを接合する。これにより、凹部３４によって基準圧力室４１が構成されると共に窪み部３９によって封止空間４２が構成され、基準圧力室４１および封止空間４２が真空圧とされる。   Subsequently, as shown in FIG. 7A, the first substrate 10 and the second substrate 30 are joined to form the sensor substrate 1a. In the present embodiment, first, the semiconductor layer 13 and the insulating film 32 are irradiated with an Ar ion beam or the like to activate each bonding surface. Then, alignment by an infrared microscope or the like is performed using alignment marks or the like appropriately provided on the first and second substrates 10 and 30, and the semiconductor is bonded by so-called direct bonding which is performed at a low temperature of room temperature to 550 ° under vacuum conditions. The layer 13 and the insulating film 32 are bonded. As a result, the reference pressure chamber 41 is formed by the recess 34 and the sealed space 42 is formed by the recessed portion 39, and the reference pressure chamber 41 and the sealed space 42 are set to a vacuum pressure.

次に、図７（ｂ）に示されるように、基板３１上に図示しないマスクを配置し、当該マスクを用いてドライエッチング等を行うことにより、第２基板３０を貫通して接続部２１およびコンタクト層２２、２３を露出させる貫通孔３５を形成する。そして、各貫通孔３５の壁面にＴＥＯＳ等の絶縁膜３６を成膜する。このとき、第２基板３０の他面３０ｂに形成された絶縁膜にて上記絶縁膜３３が構成される。次に、各貫通孔３５の底部に形成された絶縁膜３６を除去する。そして、各貫通孔３５にスパッタ法や蒸着法等でＡｌやＡｌ−Ｓｉ等の金属膜を成膜することにより、接続部２１およびコンタクト層２２、２３と電気的に接続される貫通電極３７を形成する。その後、絶縁膜３３上に形成された金属膜をパターニングしてパッド部３８を形成することにより、上記センサ部１が製造される。   Next, as shown in FIG. 7B, a mask (not shown) is disposed on the substrate 31, and dry etching or the like is performed using the mask, thereby penetrating through the second substrate 30 and the connection portion 21 and A through hole 35 exposing the contact layers 22 and 23 is formed. Then, an insulating film 36 such as TEOS is formed on the wall surface of each through hole 35. At this time, the insulating film 33 is composed of an insulating film formed on the other surface 30 b of the second substrate 30. Next, the insulating film 36 formed at the bottom of each through hole 35 is removed. Then, by forming a metal film such as Al or Al-Si in each through hole 35 by sputtering or vapor deposition, the through electrode 37 electrically connected to the connection portion 21 and the contact layers 22 and 23 is formed. Form. Thereafter, the sensor part 1 is manufactured by patterning the metal film formed on the insulating film 33 to form the pad part 38.

その後は、特に図示しないが、当該センサ部１を支持部材６０に接合部材５０を介して支持し、センサ部１のうちの他端部側および支持部材６０をモールド樹脂２にて封止することにより、上記図１に示す温度、圧力一体型センサが製造される。   Thereafter, although not particularly illustrated, the sensor unit 1 is supported on the support member 60 via the bonding member 50, and the other end side of the sensor unit 1 and the support member 60 are sealed with the mold resin 2. Thus, the temperature and pressure integrated sensor shown in FIG. 1 is manufactured.

以上説明したように、本実施形態では、第１基板１０には、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄが形成される部分とモールド樹脂２で封止される部分との間に窪み部２４が形成されている。また、第２基板３０には、凹部３４とモールド樹脂２で封止される部分との間に窪み部３９が形成されている。このため、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）とモールド樹脂２との間の熱の伝達経路を細くでき、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の熱がモールド樹脂２に伝達される（逃げる）ことを抑制できる。したがって、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の温度と実際の測定媒体Ａの温度との間に温度差が発生することを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できると共に、応答性が低下することを抑制できる。   As described above, in the present embodiment, the first substrate 10 is formed with the recess 24 between the portion where the gauge resistors 17a to 17d are formed and the portion sealed with the mold resin 2. . In addition, a recess 39 is formed in the second substrate 30 between the recess 34 and the portion sealed with the mold resin 2. Therefore, the heat transmission path between the gauge resistors 17a to 17d (diaphragm portion 16) and the mold resin 2 can be narrowed, and the heat of the gauge resistors 17a to 17d (diaphragm portion 16) is transmitted to the mold resin 2 ( (Escape) can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of a temperature difference between the temperature of the gauge resistors 17a to 17d (diaphragm unit 16) and the actual temperature of the measurement medium A, and it is possible to suppress the detection accuracy from being lowered and the responsiveness. It can suppress that it falls.

また、封止空間４２が真空圧とされているため、さらにゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（ダイヤフラム部１６）の熱がモールド樹脂２に伝達されることを抑制できる。すなわち、上記のように、熱は、主に第１、第２基板１０、３０を介して伝達されるが、封止空間４２等を介しても伝達される。このため、封止空間４２を真空圧とすることにより、封止空間４２を介して熱が伝達されることをさらに抑制できる。   Further, since the sealing space 42 is set to a vacuum pressure, it is possible to further suppress the heat of the gauge resistors 17 a to 17 d (diaphragm portion 16) from being transmitted to the mold resin 2. That is, as described above, heat is transmitted mainly through the first and second substrates 10 and 30, but is also transmitted through the sealing space 42 and the like. For this reason, it can further suppress that heat is transmitted through the sealing space 42 by making the sealing space 42 into a vacuum pressure.

さらに、ゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄを感温抵抗体および感圧抵抗体の共通の抵抗として用いている。このため、センサ部１の小型化を図ることができる。   Further, the gauge resistors 17a to 17d are used as a common resistor for the temperature sensitive resistor and the pressure sensitive resistor. For this reason, size reduction of the sensor part 1 can be achieved.

そして、温度、圧力一体型センサを製造する際には、凹部１５および窪み部２４を同時に形成している。また、凹部３４および窪み部３９を同時に形成している。このため、製造工程が増加することも抑制できる。   And when manufacturing a temperature and pressure integrated sensor, the recessed part 15 and the hollow part 24 are formed simultaneously. Moreover, the recessed part 34 and the hollow part 39 are formed simultaneously. For this reason, it can also suppress that a manufacturing process increases.

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して窪み部２４の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。 (Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the shape of the hollow portion 24 is changed with respect to the first embodiment, and the other aspects are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

本実施形態では、図８に示されるように、第１基板１０には、複数の窪み部２４が形成されている。そして、各窪み部２４は、第１基板１０の面方向に対する法線方向から視たとき、開口部が六角形状とされており、第１基板１０には、各窪み部２４の間に位置する部分（格子）にてハニカム構造が構成されている。言い換えると、第１基板１０には、ハニカム構造を構成するように複数の窪み部２４が形成されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 8, the first substrate 10 is formed with a plurality of depressions 24. Each recess 24 has a hexagonal opening when viewed from the normal direction to the surface direction of the first substrate 10, and the first substrate 10 is positioned between the recesses 24. A honeycomb structure is constituted by portions (lattices). In other words, the first substrate 10 is formed with a plurality of depressions 24 so as to form a honeycomb structure.

これによれば、ハニカム構造を構成するように複数の窪み部２４が形成されているため、窪み部２４を形成することによる曲げに対する剛性が低くなることを抑制できる。すなわち、測定媒体Ａの突発的な圧力変化によってセンサ部１の一端部側に大きな曲げモーメントが発生するような場合であっても、センサ部１が破壊されることを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。   According to this, since the plurality of depressions 24 are formed so as to constitute the honeycomb structure, it is possible to suppress the bending rigidity due to the formation of the depressions 24 from being lowered. That is, even when a large bending moment is generated on one end portion side of the sensor unit 1 due to the sudden pressure change of the measurement medium A, the sensor unit 1 is prevented from being destroyed, and the first The same effect as the embodiment can be obtained.

なお、本実施形態では、第１基板１０に形成される窪み部２４の形状について説明したが、第２基板３０に形成される窪み部３９についても同様である。つまり、第２基板３０には、ハニカム構造を構成するように複数の窪み部３９が形成されていてもよい。   In the present embodiment, the shape of the recess 24 formed in the first substrate 10 has been described, but the same applies to the recess 39 formed in the second substrate 30. That is, the second substrate 30 may be formed with a plurality of depressions 39 so as to form a honeycomb structure.

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。 (Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.

上記各実施形態において、温度、圧力一体型センサではなく、温度のみを検出する温度センサとしてもよい。この場合、基準圧力室４１は必要ないため、例えば、第１基板１０のみ（１つの基板のみ）を用いてセンサ部１を構成してもよい。   In each of the above embodiments, a temperature sensor that detects only the temperature may be used instead of the temperature and pressure integrated sensor. In this case, since the reference pressure chamber 41 is not necessary, for example, the sensor unit 1 may be configured using only the first substrate 10 (only one substrate).

また、上記各実施形態において、温度を検出するゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（感温抵抗体）と、圧力を検出するゲージ抵抗１７ａ〜１７ｄ（感圧抵抵抗体）とを別々に構成してもよい。   Moreover, in each said embodiment, you may comprise separately the gauge resistance 17a-17d (temperature sensitive resistor) which detects temperature, and the gauge resistance 17a-17d (pressure sensitive resistor) which detects a pressure. .

そして、上記第各実施形態において、第１基板１０にのみ窪み部２４が形成されていてもよいし、第２基板３０にのみ窪み部３９が形成されていてもよい。さらに、窪み部２４は、第１基板１０の一面１０ａ側に形成されていてもよいし、窪み部３９は第２基板３０の他面３０ｂ側に形成されていてもよい。   In each of the above embodiments, the recess 24 may be formed only in the first substrate 10, or the recess 39 may be formed only in the second substrate 30. Further, the recess 24 may be formed on the one surface 10 a side of the first substrate 10, and the recess 39 may be formed on the other surface 30 b side of the second substrate 30.

さらに、上記各実施形態において、窪み部２４は、凹部１５と深さが異なっていてもよい。同様に、窪み３９は、凹部３４と深さが異なっていてもよい。   Furthermore, in each said embodiment, the recessed part 24 may differ from the recessed part 15 in depth. Similarly, the recess 39 may have a depth different from that of the recess 34.

そして、上記第２実施形態において、複数の窪み部２４、３９が形成される場合、開口部は六角形状でなくてもよい。例えば、図９に示されるように、複数の窪み部２４は、開口部が正方形状とされていてもよい。同様に、複数の窪み部３９は、開口部が正方形状とされていてもよい。   And in the said 2nd Embodiment, when several hollow parts 24 and 39 are formed, an opening part does not need to be hexagonal. For example, as shown in FIG. 9, the plurality of depressions 24 may have a square opening. Similarly, the plurality of depressions 39 may have a square opening.

１ センサ部
１ａ 基板
２ モールド樹脂
１７ａ〜１７ｄ ゲージ抵抗（感温抵抗体、感圧抵抗体）
２４、３９ 窪み部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor part 1a Board | substrate 2 Mold resin 17a-17d Gauge resistance (temperature sensitive resistor, pressure sensitive resistor)
24, 39 hollow

Claims (7)

一端部および前記一端部と反対側の他端部を有する基板（１ａ）を用いて構成され、前記基板の一端部側に温度に応じて抵抗値が変化する感温抵抗体（１７ａ〜１７ｄ）が形成されることで前記温度に応じた温度検出信号を出力するセンサ部（１）と、
前記感温抵抗体を露出させつつ、前記他端部側を封止するモールド樹脂（２）と、を備え、
前記センサ部は、前記感温抵抗体と前記モールド樹脂で封止される部分との間に、窪み部（２４、３９）が形成されていることを特徴とする温度センサ。 A temperature-sensitive resistor (17a to 17d) configured by using a substrate (1a) having one end portion and the other end portion opposite to the one end portion, and having a resistance value that changes depending on temperature on the one end portion side of the substrate. A sensor unit (1) that outputs a temperature detection signal according to the temperature by forming
A mold resin (2) for sealing the other end side while exposing the temperature sensitive resistor,
The sensor part is characterized in that a depression (24, 39) is formed between the temperature sensitive resistor and a part sealed with the mold resin. 前記窪み部は、複数形成され、それぞれの開口部が六角形状とされており、
前記基板の面方向に対する法線方向から視たとき、前記基板は、前記基板のうちの前記窪み部の間に位置する部分にてハニカム構造が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の温度センサ。 A plurality of the depressions are formed, and each opening has a hexagonal shape.
2. The honeycomb structure according to claim 1, wherein when viewed from a normal direction with respect to a surface direction of the substrate, the substrate has a honeycomb structure formed in a portion of the substrate located between the depressions. The temperature sensor described. 前記センサ部は、圧力に応じて抵抗値が変化する感圧抵抗体（１７ａ〜１７ｄ）が形成され、前記温度検出信号と共に、前記圧力に応じた圧力検出信号も出力することを特徴とする請求項１または２に記載の温度センサ。   The pressure sensor (17a-17d) whose resistance value changes according to pressure is formed in the sensor part, and the pressure detection signal according to the pressure is outputted together with the temperature detection signal. Item 3. The temperature sensor according to Item 1 or 2. 前記感温抵抗体および前記感圧抵抗体は、共通の抵抗体とされていることを特徴とする請求項３に記載の温度センサ。   The temperature sensor according to claim 3, wherein the temperature-sensitive resistor and the pressure-sensitive resistor are common resistors. 前記基板は、一面（１０ａ）および前記一面と反対側の他面（１０ｂ）を有し、前記他面に凹部（１５）が形成されることによって前記一面側にダイヤフラム部（１６）が構成されると共に前記ダイヤフラム部に前記感温抵抗体および前記感圧抵抗体が形成された第１基板（１０）と、前記第１基板の一面側に配置され、前記第１基板側の一面（３０ａ）および当該一面と反対側の他面（３０ｂ）を有し、前記一面のうちの前記ダイヤフラム部と対向する部分に凹部（３４）が形成された第２基板（３０）と、を有し、
前記窪み部は、前記第１基板の他面側に形成されていると共に、前記第２基板の一面側に形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の温度センサ。 The substrate has one surface (10a) and the other surface (10b) opposite to the one surface, and a concave portion (15) is formed on the other surface to form a diaphragm portion (16) on the one surface side. And a first substrate (10) having the temperature-sensitive resistor and the pressure-sensitive resistor formed on the diaphragm, and a first surface (30a) on the first substrate side. And a second substrate (30) having a second surface (30b) opposite to the one surface and having a recess (34) formed in a portion of the one surface facing the diaphragm portion,
5. The temperature sensor according to claim 3, wherein the recess is formed on the other surface side of the first substrate and is formed on the one surface side of the second substrate. 6. 前記第１基板と前記第２基板との間には、前記第２基板に形成された窪み部によって封止空間（４２）が構成されており、
前記封止空間は、真空圧とされていることを特徴とする請求項５に記載の温度センサ。 Between the first substrate and the second substrate, a sealing space (42) is configured by a recess formed in the second substrate,
The temperature sensor according to claim 5, wherein the sealed space has a vacuum pressure. 請求項５または６に記載の温度センサの製造方法であって、
前記感温抵抗体および前記感圧抵抗体が形成された前記第１基板を用意する工程と、
前記第１基板の他面側に、前記凹部および前記窪み部を同時に形成する工程と、
前記第２基板を用意する工程と、
前記第２基板の一面側に、前記凹部および前記窪み部を同時に形成する工程と、
前記第１基板の一面と前記第２基板の一面とが対向するように、前記第１基板に前記第２基板を接合する工程と、を行うことを特徴とする温度センサの製造方法。



A temperature sensor manufacturing method according to claim 5 or 6,
Preparing the first substrate on which the temperature-sensitive resistor and the pressure-sensitive resistor are formed;
Simultaneously forming the recess and the depression on the other surface of the first substrate;
Preparing the second substrate;
Simultaneously forming the recess and the recess on one side of the second substrate;
Bonding the second substrate to the first substrate such that one surface of the first substrate and one surface of the second substrate face each other.



JP2014116551A 2014-06-05 2014-06-05 Temperature sensor Expired - Fee Related JP6287600B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014116551A JP6287600B2 (en) 2014-06-05 2014-06-05 Temperature sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014116551A JP6287600B2 (en) 2014-06-05 2014-06-05 Temperature sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015230242A true JP2015230242A (en) 2015-12-21
JP6287600B2 JP6287600B2 (en) 2018-03-07

Family

ID=54887081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014116551A Expired - Fee Related JP6287600B2 (en) 2014-06-05 2014-06-05 Temperature sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6287600B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101806490B1 (en) * 2016-12-26 2017-12-07 주식회사 현대케피코 sensor element
JP2018096756A (en) * 2016-12-09 2018-06-21 株式会社デンソー Temperature sensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02242121A (en) * 1989-03-15 1990-09-26 Nippondenso Co Ltd Pressure/temperature compound detector
JPH08122160A (en) * 1994-10-24 1996-05-17 Ricoh Seiki Co Ltd Heat-dependence detection device
JP2011191273A (en) * 2010-03-16 2011-09-29 Denso Corp Wafer level package structure, sensor element, sensor device, and method of manufacturing them
JP2014070955A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Mitsubishi Materials Corp Temperature sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02242121A (en) * 1989-03-15 1990-09-26 Nippondenso Co Ltd Pressure/temperature compound detector
JPH08122160A (en) * 1994-10-24 1996-05-17 Ricoh Seiki Co Ltd Heat-dependence detection device
JP2011191273A (en) * 2010-03-16 2011-09-29 Denso Corp Wafer level package structure, sensor element, sensor device, and method of manufacturing them
JP2014070955A (en) * 2012-09-28 2014-04-21 Mitsubishi Materials Corp Temperature sensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018096756A (en) * 2016-12-09 2018-06-21 株式会社デンソー Temperature sensor
KR101806490B1 (en) * 2016-12-26 2017-12-07 주식회사 현대케피코 sensor element
US10876916B2 (en) 2016-12-26 2020-12-29 Hyundai Kefico Corporation Sensor element

Also Published As

Publication number Publication date
JP6287600B2 (en) 2018-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10270001B2 (en) Device having at least two wafers for detecting electromagnetic radiation and method for producing said device
JP5783297B2 (en) Mechanical quantity sensor
JP4925306B2 (en) Pressure sensor
JP2015512046A (en) Micro mechanical measuring element
JP6287600B2 (en) Temperature sensor
WO2015133101A1 (en) Pressure sensor
US10527513B2 (en) Pressure sensor with resin portion and membrane having reduced temperature change distortion
JP6443362B2 (en) Semiconductor device
US10209155B2 (en) Physical quantity sensing semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2008082952A (en) Semiconductor strain sensor
JP2008122304A (en) Electrostatic capacitance type acceleration sensor
JP6201887B2 (en) Pressure sensor
JP6760029B2 (en) Temperature sensor
JP2009031005A (en) Semiconductor pressure sensor
JP6098399B2 (en) Accelerometer
JP6265052B2 (en) Physical quantity sensor
JP2014102225A (en) Physical quantity sensor and method for manufacturing the same
JP2014134511A (en) Semiconductor device
JP5767076B2 (en) Thermal acceleration sensor
JP2008170271A (en) External force detection sensor
JP2018205257A (en) Pressure sensor
JP2018063126A (en) Pressure sensor and method for manufacturing the same
JP2007047100A (en) Electrostatic capacitive pressure sensor and its manufacturing method
JP2016066648A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP6642036B2 (en) Sensor device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170804

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180122

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6287600

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees