JP2015227618A - Evacuation system - Google Patents

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JP2015227618A JP2014112480A JP2014112480A JP2015227618A JP 2015227618 A JP2015227618 A JP 2015227618A JP 2014112480 A JP2014112480 A JP 2014112480A JP 2014112480 A JP2014112480 A JP 2014112480A JP 2015227618 A JP2015227618 A JP 2015227618A
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篤志 塩川
哲郎 杉浦
Tetsuo Sugiura
哲郎 杉浦
関口 信一
Shinichi Sekiguchi
信一 関口
敬史 京谷
Takashi Kyotani
敬史 京谷
哲夫 駒井
Tetsuo Komai
哲夫 駒井
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Norio Kimura
憲雄 木村
敬一 石川
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敬一 石川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an evacuation system that can reduce an installation space and costs.SOLUTION: An evacuation system is a vacuum device for exhausting gas from a plurality of processing chambers 1. The evacuation system comprises: a plurality of first vacuum pumps 5 connected to the plurality of processing chambers 1 respectively; a collecting pipe 7 connected to the plurality of first vacuum pumps 5; and a second vacuum pump 8 connected to the collecting pipe 7.

Description

本発明は、半導体デバイス製造装置などに使用される複数の処理チャンバから処理ガスを排気するために使用される真空排気システムに関する。   The present invention relates to a vacuum exhaust system used for exhausting a processing gas from a plurality of processing chambers used in a semiconductor device manufacturing apparatus or the like.

一般的な半導体デバイス製造装置は、特許文献1に示すように、ウェハを処理するための複数の処理チャンバを有している。これらの処理チャンバ内では、化学蒸着(CVD),エッチングなどの処理が複数のウェハに行われる。ウェハの処理には原料ガスまたはエッチングガスなどの処理ガスが使用され、真空排気システムによって処理ガスが処理チャンバから排気される。   As shown in Patent Document 1, a general semiconductor device manufacturing apparatus has a plurality of processing chambers for processing a wafer. In these processing chambers, processes such as chemical vapor deposition (CVD) and etching are performed on a plurality of wafers. A processing gas such as a source gas or an etching gas is used for processing the wafer, and the processing gas is exhausted from the processing chamber by a vacuum exhaust system.

従来の真空排気システムは、上記特許文献1に示すように、複数の真空ポンプユニットが複数の処理チャンバにそれぞれ接続された構成を有している。最近では、より多くの枚数のウェハを処理するために、処理チャンバの数が増える傾向にある。このような傾向に伴い、真空排気システムに使用される真空ポンプの数も増えてきており、結果として、真空排気システムの設置スペースの増加およびコストが増加している。   As shown in Patent Document 1, the conventional vacuum exhaust system has a configuration in which a plurality of vacuum pump units are connected to a plurality of processing chambers, respectively. Recently, the number of processing chambers tends to increase in order to process a larger number of wafers. With such a trend, the number of vacuum pumps used in the vacuum exhaust system has increased, and as a result, the installation space and cost of the vacuum exhaust system have increased.

特開2005−232977号公報JP-A-2005-232977 特開2009−164213号公報JP 2009-164213 A

そこで、本発明は、設置スペースおよびコストを削減することができる真空排気システムを提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the vacuum exhaust system which can reduce installation space and cost.

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、複数の処理チャンバから気体を排気するための真空排気システムであって、前記複数の処理チャンバにそれぞれ接続される複数の第1真空ポンプと、前記複数の第1真空ポンプに接続された集合管と、前記集合管に接続された第2真空ポンプとを備えたことを特徴とする。   In order to achieve the above-described object, one aspect of the present invention is an evacuation system for exhausting gas from a plurality of processing chambers, and a plurality of first vacuum pumps connected to the plurality of processing chambers, respectively. And a collecting pipe connected to the plurality of first vacuum pumps, and a second vacuum pump connected to the collecting pipe.

本発明の好ましい態様は、前記第2真空ポンプは、前記複数の第1真空ポンプの近傍に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記集合管および前記第2真空ポンプはそれぞれ複数設けられており、前記複数の集合管のいずれも、前記複数の第1真空ポンプに接続されており、前記複数の第2真空ポンプは、前記複数の集合管にそれぞれ接続されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第2真空ポンプに連結された第3真空ポンプをさらに備え、前記第2真空ポンプは容積型多段真空ポンプであることを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the second vacuum pump is arranged in the vicinity of the plurality of first vacuum pumps.
In a preferred aspect of the present invention, a plurality of the collecting pipes and the second vacuum pumps are provided, and each of the plurality of collecting pipes is connected to the plurality of first vacuum pumps. The two vacuum pumps are connected to the plurality of collecting pipes, respectively.
A preferred aspect of the present invention further includes a third vacuum pump connected to the second vacuum pump, wherein the second vacuum pump is a positive displacement multi-stage vacuum pump.

本発明の好ましい態様は、前記複数の集合管は、複数の第1集合管であり、前記複数の第2真空ポンプを前記第3真空ポンプに連結する第2集合管をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第3真空ポンプは複数設けられており、前記複数の第3真空ポンプは並列に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第2集合管は、前記複数の第3真空ポンプにそれぞれ接続される複数の分岐管を有しており、前記複数の分岐管には複数の開閉弁がそれぞれ取り付けられていることを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the plurality of collecting pipes are a plurality of first collecting pipes, further comprising a second collecting pipe that connects the plurality of second vacuum pumps to the third vacuum pump. And
In a preferred aspect of the present invention, a plurality of the third vacuum pumps are provided, and the plurality of third vacuum pumps are arranged in parallel.
In a preferred aspect of the present invention, the second collecting pipe has a plurality of branch pipes respectively connected to the plurality of third vacuum pumps, and a plurality of on-off valves are respectively attached to the plurality of branch pipes. It is characterized by being.

本発明の好ましい態様は、前記集合管は、第1集合管であり、前記真空排気システムは、複数の排気ユニットと、前記第2真空ポンプの下流側に配置された第3真空ポンプを有し、前記複数の第1真空ポンプ、前記第2真空ポンプ、および前記第1集合管は、前記複数の排気ユニットのうちの1つの排気ユニットを構成し、前記複数の排気ユニットに含まれる前記複数の第2真空ポンプを前記第3真空ポンプに連結する第2集合管をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第3真空ポンプは複数設けられており、前記複数の第3真空ポンプの数は、前記複数の第2真空ポンプの数よりも少ないことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第2集合管および前記第3真空ポンプはそれぞれ複数設けられており、前記複数の第3真空ポンプは、並列に配置された前記複数の第2集合管を介して前記複数の第2真空ポンプに連結されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の第2集合管のそれぞれは、前記複数の第2真空ポンプにそれぞれ接続された複数の排気管と、前記複数の排気管が接続された連通管と、前記連通管に接続された主管を備え、前記複数の排気管には複数の開閉弁がそれぞれ取り付けられており、前記連通管には複数の遮断弁が取り付けられており、前記複数の遮断弁のそれぞれは、前記複数の排気ユニットのうちの隣接する2つの間に位置していることを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, the collecting pipe is a first collecting pipe, and the vacuum exhaust system includes a plurality of exhaust units and a third vacuum pump disposed downstream of the second vacuum pump. The plurality of first vacuum pumps, the second vacuum pump, and the first collecting pipe constitute one exhaust unit of the plurality of exhaust units, and the plurality of exhaust units are included in the plurality of exhaust units. A second collecting pipe connecting the second vacuum pump to the third vacuum pump is further provided.
In a preferred aspect of the present invention, a plurality of the third vacuum pumps are provided, and the number of the plurality of third vacuum pumps is smaller than the number of the plurality of second vacuum pumps.
In a preferred aspect of the present invention, a plurality of the second collecting pipes and the third vacuum pumps are provided, and the plurality of third vacuum pumps are connected via the plurality of second collecting pipes arranged in parallel. It is connected to the plurality of second vacuum pumps.
In a preferred aspect of the present invention, each of the plurality of second collecting pipes includes a plurality of exhaust pipes connected to the plurality of second vacuum pumps, a communication pipe connected to the plurality of exhaust pipes, A main pipe connected to the communication pipe, a plurality of on-off valves are attached to the plurality of exhaust pipes, a plurality of shut-off valves are attached to the communication pipes, and each of the plurality of shut-off valves Is located between two adjacent ones of the plurality of exhaust units.

本発明の好ましい態様は、前記第2真空ポンプは複数設けられており、前記複数の第2真空ポンプは前記集合管に並列に接続されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記集合管は、前記複数の第2真空ポンプにそれぞれ接続される複数の分岐管を有しており、前記複数の分岐管には複数の開閉弁がそれぞれ取り付けられていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の第1真空ポンプに接続されたクリーニングガス排出管と、前記クリーニングガス排出管に接続されたクリーニングガス排出用ポンプをさらに備え、前記クリーニングガス排出管と前記集合管は、並列に配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、クリーニングガスを処理するガス処理装置をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の処理チャンバに連結された大気排出管と、前記大気排出管に接続された粗引きポンプをさらに備え、前記大気排出管と前記集合管は、並列に配置されており、前記粗引きポンプは、大気圧下で動作することが可能であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記集合管には除害装置が取り付けられていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の処理チャンバから排気された処理ガスを無害化するガス処理装置をさらに備えたことを特徴とする。
In a preferred aspect of the present invention, a plurality of the second vacuum pumps are provided, and the plurality of second vacuum pumps are connected in parallel to the collecting pipe.
In a preferred aspect of the present invention, the collecting pipe has a plurality of branch pipes respectively connected to the plurality of second vacuum pumps, and a plurality of on-off valves are respectively attached to the plurality of branch pipes. It is characterized by being.
A preferred embodiment of the present invention further comprises a cleaning gas discharge pipe connected to the plurality of first vacuum pumps, and a cleaning gas discharge pump connected to the cleaning gas discharge pipe, and the cleaning gas discharge pipe and the assembly The tubes are arranged in parallel.
A preferred embodiment of the present invention is characterized by further comprising a gas processing device for processing the cleaning gas.
A preferable aspect of the present invention further includes an atmospheric discharge pipe connected to the plurality of processing chambers and a roughing pump connected to the atmospheric discharge pipe, and the atmospheric discharge pipe and the collecting pipe are arranged in parallel. The roughing pump is capable of operating under atmospheric pressure.
In a preferred aspect of the present invention, a detoxifying device is attached to the collecting pipe.
A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising a gas processing device that renders the processing gas exhausted from the plurality of processing chambers harmless.

第2真空ポンプは集合管により複数の第1真空ポンプに接続されているので、第2真空ポンプの数は、第1真空ポンプの数よりも少ない。よって、真空排気システム全体の設置スペースを小さくすることができ、さらに設置コストを下げることができる。   Since the second vacuum pump is connected to the plurality of first vacuum pumps by the collecting pipe, the number of the second vacuum pumps is smaller than the number of the first vacuum pumps. Therefore, the installation space of the entire vacuum exhaust system can be reduced, and the installation cost can be further reduced.

本発明の一実施形態に係る真空排気システムを示す図である。It is a figure which shows the vacuum exhaust system which concerns on one Embodiment of this invention. 真空排気システムの他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system. 真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system. 1つの排気ユニットを立ち上げるときの動作を説明する図である。It is a figure explaining the operation | movement when starting one exhaust unit. 真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system. 真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system. 図6に示す真空排気システムの運転の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the driving | operation of the vacuum exhaust system shown in FIG. 真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system. 真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system. 図9に示す真空排気システムの運転の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the driving | operation of the vacuum exhaust system shown in FIG. 真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of an evacuation system.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る真空排気システムを示す図である。この真空排気システムは、CVD装置、エッチング装置などの半導体デバイス製造装置に使用される複数の処理チャンバから処理ガスを排気するために使用される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an evacuation system according to an embodiment of the present invention. This vacuum evacuation system is used to evacuate a processing gas from a plurality of processing chambers used in a semiconductor device manufacturing apparatus such as a CVD apparatus or an etching apparatus.

図1に示すように、真空排気システムは、複数の処理チャンバ1にそれぞれ接続される複数の第1真空ポンプ5と、複数の第1真空ポンプ5に接続された第1集合管7と、第1集合管7に接続された第2真空ポンプ8と、複数の処理チャンバ1から排気された気体を無害化するガス処理装置10とを備えている。本実施形態では、第1真空ポンプ5として、ターボ分子ポンプなどの高真空ポンプが使用されている。   As shown in FIG. 1, the vacuum exhaust system includes a plurality of first vacuum pumps 5 connected to a plurality of processing chambers 1, a first collecting pipe 7 connected to the plurality of first vacuum pumps 5, A second vacuum pump 8 connected to one collecting pipe 7 and a gas processing apparatus 10 for detoxifying the gas exhausted from the plurality of processing chambers 1 are provided. In the present embodiment, a high vacuum pump such as a turbo molecular pump is used as the first vacuum pump 5.

処理チャンバ1は、搬送チャンバ12に接続されている。この搬送チャンバ12には粗引きポンプ15が接続されており、搬送チャンバ12内には常に真空が形成されている。搬送チャンバにはロードロックチャンバ16が接続されており、このロードロックチャンバ16にも粗引きポンプ15が接続されている。ロードロックチャンバ16は、搬送チャンバ12内の真空を維持しつつ、搬送チャンバ12内の真空空間と大気圧領域との間でウェハの搬送を可能とするゲートである。搬送チャンバ12内には図示しない搬送ロボットが配置されており、ウェハはこの搬送ロボットによっていずれかの処理チャンバ1に搬送される。   The processing chamber 1 is connected to the transfer chamber 12. A roughing pump 15 is connected to the transfer chamber 12, and a vacuum is always formed in the transfer chamber 12. A load lock chamber 16 is connected to the transfer chamber, and a roughing pump 15 is also connected to the load lock chamber 16. The load lock chamber 16 is a gate that enables wafer transfer between the vacuum space in the transfer chamber 12 and the atmospheric pressure region while maintaining the vacuum in the transfer chamber 12. A transfer robot (not shown) is disposed in the transfer chamber 12, and the wafer is transferred to one of the processing chambers 1 by the transfer robot.

各処理チャンバ1内には、エッチングガスなどの処理ガスが供給され、ウェハは処理チャンバ1内で処理される。図1に示す処理チャンバ1は、その内部で1枚のウェハが処理される、いわゆる枚葉式処理チャンバである。複数の(図1では5つの)第1真空ポンプ5は、複数の(図1では5つの)処理チャンバ1にそれぞれ隣接し、これら処理チャンバ1にそれぞれ接続されている。各処理チャンバ1内の真空は第1真空ポンプ5の運転によって形成される。1つの処理チャンバ1に複数の第1真空ポンプ5が接続される場合もある。   A processing gas such as an etching gas is supplied into each processing chamber 1, and the wafer is processed in the processing chamber 1. A processing chamber 1 shown in FIG. 1 is a so-called single wafer processing chamber in which one wafer is processed. A plurality of (five in FIG. 1) first vacuum pumps 5 are respectively adjacent to a plurality of (five in FIG. 1) processing chambers 1 and connected to these processing chambers 1. A vacuum in each processing chamber 1 is formed by the operation of the first vacuum pump 5. A plurality of first vacuum pumps 5 may be connected to one processing chamber 1.

本実施形態では、1つの第2真空ポンプ8が設けられている。第2真空ポンプ8は第1集合管7に接続されている。第2真空ポンプ8は、第1集合管7を通じて複数の第1真空ポンプ5のすべてに連結されている。第1集合管7は、複数の第1真空ポンプ5にそれぞれ接続された複数の排気管20と、これら排気管20が接続された1本の横引き管(連通管)21と、横引き管21に接続された1本の主管22とを備えている。主管22は第2真空ポンプ8の吸引口に接続されている。第1集合管7の排気管20には開閉弁24が取り付けられている。第2真空ポンプ8は第1集合管7により第1真空ポンプ5に接続されているので、第2真空ポンプ8の数は、第1真空ポンプ5の数よりも少ない。   In the present embodiment, one second vacuum pump 8 is provided. The second vacuum pump 8 is connected to the first collecting pipe 7. The second vacuum pump 8 is connected to all of the plurality of first vacuum pumps 5 through the first collecting pipe 7. The first collecting pipe 7 includes a plurality of exhaust pipes 20 connected to the plurality of first vacuum pumps 5, a single horizontal pipe (communication pipe) 21 to which the exhaust pipes 20 are connected, and a horizontal pipe. 1 main pipe 22 connected to 21. The main pipe 22 is connected to the suction port of the second vacuum pump 8. An open / close valve 24 is attached to the exhaust pipe 20 of the first collecting pipe 7. Since the second vacuum pump 8 is connected to the first vacuum pump 5 by the first collecting pipe 7, the number of the second vacuum pumps 8 is smaller than the number of the first vacuum pumps 5.

第2真空ポンプ8としては、容積式真空ポンプ(例えば、多段乃至は単段ルーツ型真空ポンプ、多段乃至は単段クロー型真空ポンプ、スクリュー型真空ポンプまたはそれらを複合させたポンプ)が使用されている。第2真空ポンプ8は、第1真空ポンプ5の背圧を数十Paに維持するとともに、数千Pa(例えば1000〜5000Pa)にまで処理ガスを圧縮する。   As the second vacuum pump 8, a positive displacement vacuum pump (for example, a multistage or single stage roots type vacuum pump, a multistage or single stage claw type vacuum pump, a screw type vacuum pump, or a combination of them) is used. ing. The second vacuum pump 8 maintains the back pressure of the first vacuum pump 5 at several tens of Pa and compresses the processing gas to several thousand Pa (for example, 1000 to 5000 Pa).

第2真空ポンプ8の下流側には複数の(図1では2つの)第3真空ポンプ28が並列に配置されている。これらの第3真空ポンプ28は第2真空ポンプ8に連結されている。第2真空ポンプ8は主管38に接続されており、主管38には複数の分岐管39が接続されている。複数の第3真空ポンプ28は、複数の分岐管39にそれぞれ接続されている。各分岐管39には開閉弁43が取り付けられている。   A plurality (two in FIG. 1) of third vacuum pumps 28 are arranged in parallel on the downstream side of the second vacuum pump 8. These third vacuum pumps 28 are connected to the second vacuum pump 8. The second vacuum pump 8 is connected to the main pipe 38, and a plurality of branch pipes 39 are connected to the main pipe 38. The plurality of third vacuum pumps 28 are respectively connected to the plurality of branch pipes 39. An opening / closing valve 43 is attached to each branch pipe 39.

本実施形態では、2台の第3真空ポンプ28が設けられている。2つの第3真空ポンプ28の両方を運転してもよいし、または2つの第3真空ポンプ28のうちの一方のみを運転し、他方を予備ポンプとして使用してもよい。2つの第3真空ポンプ28が同時に運転される場合は両方の開閉弁43が開かれ、1つの第3真空ポンプ28のみが運転される場合は一方の開閉弁43のみが開かれる。このように、2つの第3真空ポンプ28が並列に配置されているので、一方の第3真空ポンプ28が故障した場合には、他方の第3真空ポンプ28に切り替えることで、真空排気システム全体の運転を継続することができる。   In the present embodiment, two third vacuum pumps 28 are provided. Both of the two third vacuum pumps 28 may be operated, or only one of the two third vacuum pumps 28 may be operated and the other may be used as a spare pump. When the two third vacuum pumps 28 are operated simultaneously, both on-off valves 43 are opened, and when only one third vacuum pump 28 is operated, only one on-off valve 43 is opened. Thus, since the two third vacuum pumps 28 are arranged in parallel, when one of the third vacuum pumps 28 breaks down, the entire vacuum exhaust system is switched by switching to the other third vacuum pump 28. Can continue driving.

複数の第3真空ポンプ28には不活性ガス供給装置47が接続されている。この不活性ガス供給装置47は、窒素ガスなどの不活性ガスを第3真空ポンプ28に供給することによって、処理ガスを希釈し、第3真空ポンプ28の腐食を防止するためのものである。従来の真空排気システムでは、処理チャンバ1の数と同じ数の真空ポンプユニットが設けられているため、多量の不活性ガスを真空ポンプユニットに供給する必要があった。これに対し、図1に示す実施形態の真空排気システムは、処理チャンバ1よりも少ない数の第3真空ポンプ28を備えている。したがって、より少ない量の不活性ガスが処理ガスに注入され、後述する排ガス処理装置10への負荷を低減することができる。   An inert gas supply device 47 is connected to the plurality of third vacuum pumps 28. The inert gas supply device 47 is for diluting the processing gas by supplying an inert gas such as nitrogen gas to the third vacuum pump 28 to prevent the third vacuum pump 28 from being corroded. In the conventional vacuum exhaust system, since the same number of vacuum pump units as the number of processing chambers 1 are provided, it is necessary to supply a large amount of inert gas to the vacuum pump units. On the other hand, the evacuation system of the embodiment shown in FIG. 1 includes a smaller number of third vacuum pumps 28 than the processing chamber 1. Therefore, a smaller amount of inert gas is injected into the processing gas, and the load on the exhaust gas processing apparatus 10 described later can be reduced.

第3真空ポンプ28としては、容積式真空ポンプ(例えば、多段乃至は単段ルーツ型真空ポンプ、多段乃至は多段クロー型真空ポンプ、スクリュー型真空ポンプまたはそれらの複合ポンプ)が使用されている。第3真空ポンプ28は、第2真空ポンプ8の背圧を数千Pa(例えば1000〜5000Pa)に維持するとともに、大気圧にまで処理ガスを圧縮する。本実施形態では、複数の第3真空ポンプ28が設けられているが、1つの第3真空ポンプ28のみを設けてもよい。   As the third vacuum pump 28, a positive displacement vacuum pump (for example, a multistage or single stage roots type vacuum pump, a multistage or multistage claw vacuum pump, a screw type vacuum pump, or a composite pump thereof) is used. The third vacuum pump 28 maintains the back pressure of the second vacuum pump 8 at several thousand Pa (for example, 1000 to 5000 Pa) and compresses the processing gas to atmospheric pressure. In the present embodiment, a plurality of third vacuum pumps 28 are provided, but only one third vacuum pump 28 may be provided.

ガス処理装置10は、第3真空ポンプ28の下流側に配置されている。処理チャンバ1内で使用される処理ガスは、CVDに使用される原料ガス、またはドライエッチング処理に使用されるエッチングガスなどの有害ガスであり、このような処理ガスをそのまま大気に放出することはできない。そこで、処理ガスを処理して無害化するためにガス処理装置10が設けられている。本実施形態では、3つのガス処理装置10が並列に設けられている。ガス処理装置10は、集合管50を介して第3真空ポンプ28に連結されている。集合管50は2つの第3真空ポンプ28に接続される2つの排気管51を有しており、これらの排気管51には開閉弁53が取り付けられている。   The gas processing device 10 is disposed on the downstream side of the third vacuum pump 28. The processing gas used in the processing chamber 1 is a harmful gas such as a raw material gas used for CVD or an etching gas used for dry etching processing, and such processing gas cannot be directly released into the atmosphere. Can not. Therefore, a gas processing apparatus 10 is provided to process the processing gas and render it harmless. In the present embodiment, three gas processing apparatuses 10 are provided in parallel. The gas processing apparatus 10 is connected to the third vacuum pump 28 via the collecting pipe 50. The collecting pipe 50 has two exhaust pipes 51 connected to the two third vacuum pumps 28, and an open / close valve 53 is attached to these exhaust pipes 51.

各ガス処理装置10は、上段湿式除害装置61、触媒式除害装置62、および下段湿式除害装置63を備えており、これら3つの除害装置61,62,63はこの順に直列に並んでいる。半導体デバイス製造装置からは、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)などのアルカリ廃水が排出される。通常、このアルカリ廃水は廃棄されるのであるが、本実施形態ではこのアルカリ廃水を利用して処理ガスを処理する。半導体デバイス製造装置から排出されるアルカリ廃水は、上段湿式除害装置61および下段湿式除害装置63に供給され、これら湿式除害装置61,63は、アルカリ廃水を利用して処理ガスに含まれる臭化水素などの酸性ガスを除去する。このようにアルカリ廃水を使用することにより、湿式除害装置61,63でのランニングコストを低減することができる。   Each gas treatment device 10 includes an upper-stage wet removal device 61, a catalytic-type removal device 62, and a lower-stage wet removal device 63, and these three removal devices 61, 62, 63 are arranged in series in this order. It is out. Alkaline wastewater such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide) is discharged from the semiconductor device manufacturing apparatus. Normally, this alkaline wastewater is discarded, but in this embodiment, the treatment gas is processed using this alkaline wastewater. Alkaline wastewater discharged from the semiconductor device manufacturing apparatus is supplied to the upper-stage wet detoxification device 61 and the lower-stage wet detoxification device 63, and these wet detoxification devices 61 and 63 are contained in the processing gas using the alkaline wastewater. Remove acidic gases such as hydrogen bromide. Thus, by using alkaline wastewater, the running cost in the wet detoxification devices 61 and 63 can be reduced.

湿式除害装置61,63は、乾式除害装置に比べて多量のガスの処理ができ、ランニングコストが低いという利点がある。上段湿式除害装置61は、主に、エッチング処理に使用されるガス、例えば臭化水素(HBr)、臭素(Br2)、塩素ガス(Cl2)などを除去する。触媒式除害装置62は、処理ガスに含まれる有害なPFCs(パーフルオロコンパウンズ)ガスを分解するために設けられている。この触媒式除害装置62は、燃焼式除害装置、プラズマヒータ式除害装置に比べて、低い温度でガスを処理することができるので、ランニングコストが低いという利点がある。ただし、除害装置台数を削減するという目的においては、上段湿式除害装置61、触媒式除害装置62、および下段湿式除害装置63は、燃焼式除害装置、ヒータ式除害装置、プラズマ式除害装置など他処理方式でもよい。 The wet detoxification devices 61 and 63 have the advantage that they can process a larger amount of gas and have a lower running cost than the dry detoxification device. The upper wet-type abatement apparatus 61 mainly removes gases used for the etching process, such as hydrogen bromide (HBr), bromine (Br 2 ), chlorine gas (Cl 2 ), and the like. The catalytic abatement device 62 is provided to decompose harmful PFCs (perfluoro compounds) gas contained in the processing gas. Since this catalytic abatement device 62 can treat gas at a lower temperature than the combustion abatement device and the plasma heater abatement device, there is an advantage that the running cost is low. However, for the purpose of reducing the number of abatement devices, the upper-stage wet abatement device 61, the catalytic-type abatement device 62, and the lower-stage wet abatement device 63 are a combustion-type abatement device, a heater-type abatement device, and a plasma. Other processing methods such as an abatement device may be used.

PFCs(パーフルオロコンパウンズ)ガスを分解すると、HF(フッ化水素)などの酸性ガスが発生する。この酸性ガスを除去するために、触媒式除害装置62の下流側に下段湿式除害装置63が設けられている。この下段湿式除害装置63は、上述したように、半導体デバイス製造装置から排出されるアルカリ廃水を利用して酸性ガスを除去する。下段湿式除害装置63として水シャワーを使用してもよい。また、酸性ガスの濃度が排出濃度規制値を超過しなければ下段湿式除害装置63を省略してもよい。   When the PFCs (perfluoro compounds) gas is decomposed, an acidic gas such as HF (hydrogen fluoride) is generated. In order to remove this acidic gas, a lower wet-type detoxifying device 63 is provided on the downstream side of the catalytic detoxifying device 62. As described above, the lower-stage wet-type abatement apparatus 63 removes acidic gas using the alkaline waste water discharged from the semiconductor device manufacturing apparatus. A water shower may be used as the lower wet abatement apparatus 63. Further, if the concentration of the acid gas does not exceed the emission concentration regulation value, the lower wet detoxifying device 63 may be omitted.

本実施形態では3つのガス処理装置10が並列に設けられているので、処理すべき処理ガスの流量に基づいて3つすべてのガス処理装置10を運転してもよいし、1つ、または2つのガス処理装置10のみを運転してもよい。   In the present embodiment, since three gas processing apparatuses 10 are provided in parallel, all three gas processing apparatuses 10 may be operated based on the flow rate of the processing gas to be processed, or one or two. Only one gas processing device 10 may be operated.

上述したように、従来の真空排気システムに比べて、第3真空ポンプ28の台数は少ないので、第3真空ポンプ28に供給される不活性ガスの量も少ない。したがって、ガス処理装置10で処理すべき処理ガスの量が、従来の真空排気システムに比べて少なくできる。結果として、ガス処理装置10全体としてより小型化することができる。   As described above, since the number of the third vacuum pumps 28 is small as compared with the conventional vacuum exhaust system, the amount of the inert gas supplied to the third vacuum pump 28 is also small. Therefore, the amount of processing gas to be processed by the gas processing apparatus 10 can be reduced as compared with the conventional vacuum exhaust system. As a result, the gas processing apparatus 10 as a whole can be further downsized.

本実施形態では、処理チャンバ1に直接接続される第1真空ポンプ5は、ターボ分子ポンプなどの高真空ポンプであり、第1真空ポンプ5に連結される第2真空ポンプ8は、容積式多段真空ポンプからなるブースタポンプであり、第2真空ポンプ8に連結される第3真空ポンプ28は、容積式多段真空ポンプからなるメインポンプである。   In the present embodiment, the first vacuum pump 5 directly connected to the processing chamber 1 is a high vacuum pump such as a turbo molecular pump, and the second vacuum pump 8 connected to the first vacuum pump 5 is a positive displacement multistage. A booster pump composed of a vacuum pump, and the third vacuum pump 28 connected to the second vacuum pump 8 is a main pump composed of a positive displacement multi-stage vacuum pump.

図1に示すように、処理チャンバ1、第1真空ポンプ5、および第2真空ポンプ8は、同じ第1の部屋(例えばクリーンルーム)内に配置されている。第3真空ポンプ28およびガス処理装置10は、第1の部屋とは離れた別の部屋(第2の部屋)に配置されている。例えば、第1の部屋は階上にあり、第2の部屋は階下にある。第1真空ポンプ5と第2真空ポンプ8は同じ第1の部屋内に配置されているので、第2真空ポンプ8を第1真空ポンプ5に連結する第1集合管7を短くすることができる。第2真空ポンプ8は第1真空ポンプ5の近くに配置されている。好ましくは、第1真空ポンプ5と第2真空ポンプ8との距離は、1m〜5mであり、さらに好ましくは1m〜2mである。   As shown in FIG. 1, the processing chamber 1, the first vacuum pump 5, and the second vacuum pump 8 are arranged in the same first room (for example, a clean room). The third vacuum pump 28 and the gas processing apparatus 10 are arranged in another room (second room) that is separated from the first room. For example, the first room is on the floor and the second room is on the floor. Since the first vacuum pump 5 and the second vacuum pump 8 are disposed in the same first chamber, the first collecting pipe 7 that connects the second vacuum pump 8 to the first vacuum pump 5 can be shortened. . The second vacuum pump 8 is disposed near the first vacuum pump 5. Preferably, the distance between the first vacuum pump 5 and the second vacuum pump 8 is 1 m to 5 m, more preferably 1 m to 2 m.

従来の真空排気システムでは、第1真空ポンプと第2真空ポンプは別々の階に配置され、第1真空ポンプと第2真空ポンプとの距離は約10mであったが、本実施形態では第1真空ポンプ5と第2真空ポンプ8との距離は約2mである。結果として配管コンダクタンスが向上し、第2真空ポンプ8に要求される容量を小さくすることができる。したがって、第2真空ポンプの台数を減らすことができる。   In the conventional evacuation system, the first vacuum pump and the second vacuum pump are arranged on separate floors, and the distance between the first vacuum pump and the second vacuum pump is about 10 m. The distance between the vacuum pump 5 and the second vacuum pump 8 is about 2 m. As a result, the pipe conductance is improved and the capacity required for the second vacuum pump 8 can be reduced. Therefore, the number of second vacuum pumps can be reduced.

上述したように、第2真空ポンプ8はブースタポンプとして機能する。通常、ブースタポンプは容積式単段真空ポンプが使用されるが、本実施形態では、容積式多段真空ポンプが採用されている。容積式多段真空ポンプは、動作可能な圧力範囲が単段真空ポンプに比べて広い。言い換えれば、第2真空ポンプ8が運転できるために必要とされる背圧は、単段真空ポンプに比べて高い。したがって、下流側に連結されるメインポンプである第3真空ポンプ28として、より小型の真空ポンプを使用することができ、さらには第3真空ポンプ28の台数を減らすことができる。   As described above, the second vacuum pump 8 functions as a booster pump. Normally, a positive displacement single-stage vacuum pump is used as the booster pump, but in this embodiment, a positive displacement multi-stage vacuum pump is employed. The positive pressure multistage vacuum pump has a wider operable pressure range than the single stage vacuum pump. In other words, the back pressure required to operate the second vacuum pump 8 is higher than that of the single-stage vacuum pump. Therefore, a smaller vacuum pump can be used as the third vacuum pump 28 that is a main pump connected to the downstream side, and the number of the third vacuum pumps 28 can be reduced.

複数の処理チャンバ1には、大気排出管30が接続されている。この大気排出管30は複数の第3真空ポンプ28に接続されている。大気排出管30には、処理チャンバ1に連通する複数の開閉弁32が取り付けられている。さらに、大気排出管30には、複数の処理チャンバ1と、大気排出管30が接続された第3真空ポンプ28との連通を確立および遮断する開閉弁40が設けられている。通常の運転時には、これら開閉弁32,40は閉じられている。   An atmospheric discharge pipe 30 is connected to the plurality of processing chambers 1. The atmospheric discharge pipe 30 is connected to a plurality of third vacuum pumps 28. A plurality of on-off valves 32 communicating with the processing chamber 1 are attached to the atmospheric discharge pipe 30. Further, the atmospheric discharge pipe 30 is provided with an opening / closing valve 40 for establishing and blocking communication between the plurality of processing chambers 1 and the third vacuum pump 28 to which the atmospheric discharge pipe 30 is connected. During normal operation, these on-off valves 32 and 40 are closed.

処理チャンバ1から大気を排出すべきとき、開閉弁32,40が開かれる。例えば、複数の処理チャンバ1のうちのある処理チャンバ1のメンテナンスが終了した後、処理チャンバ1を真空引きする必要がある。このとき、処理チャンバ1から大気を第1真空ポンプ5、第2真空ポンプ8、および第3真空ポンプ28で排気すると、大気が他の処理チャンバ1に侵入するおそれがある。そこで、大気で満たされた処理チャンバ1に連通している開閉弁32のみを開き、さらに開閉弁40を開くとともに、2つの開閉弁43のうちの一方を閉じる。そして、大気排出管30が接続された第3真空ポンプ28を始動させる。処理チャンバ1内の大気は大気排出管30を通じて第3真空ポンプ28によって排気され、その一方で他の処理チャンバ1ではウェハの処理を継続することができる。   When the atmosphere is to be exhausted from the processing chamber 1, the on-off valves 32 and 40 are opened. For example, after the maintenance of a certain processing chamber 1 of the plurality of processing chambers 1 is completed, it is necessary to evacuate the processing chamber 1. At this time, if the atmosphere is exhausted from the processing chamber 1 by the first vacuum pump 5, the second vacuum pump 8, and the third vacuum pump 28, the atmosphere may enter the other processing chamber 1. Therefore, only the opening / closing valve 32 communicating with the processing chamber 1 filled with air is opened, the opening / closing valve 40 is opened, and one of the two opening / closing valves 43 is closed. Then, the third vacuum pump 28 to which the atmospheric discharge pipe 30 is connected is started. The atmosphere in the processing chamber 1 is exhausted by the third vacuum pump 28 through the atmospheric discharge pipe 30, while the processing of the wafer can be continued in the other processing chambers 1.

図2は、真空排気システムの他の実施形態を示す図である。本実施形態では、2つの第2真空ポンプ8が設けられている。これら第2真空ポンプ8は並列に配置され、2つの第1集合管7にそれぞれ接続されている。第2真空ポンプ8のそれぞれは、第1集合管7を通じて複数の第1真空ポンプ5のすべてに連結されている。各第1集合管7は、複数の第1真空ポンプ5にそれぞれ接続された複数の排気管20と、これら排気管20が接続された1本の横引き管(連通管)21と、横引き管21に接続された1本の主管22とを備えている。主管22は第2真空ポンプ8の吸引口に接続されている。本実施形態では、2つの第2真空ポンプ8が並列に配置され、これら2つの第2真空ポンプ8にそれぞれ接続された2つの第1集合管7も並列に配置されている。   FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the evacuation system. In the present embodiment, two second vacuum pumps 8 are provided. These second vacuum pumps 8 are arranged in parallel and connected to the two first collecting pipes 7 respectively. Each of the second vacuum pumps 8 is connected to all of the plurality of first vacuum pumps 5 through the first collecting pipe 7. Each first collecting pipe 7 includes a plurality of exhaust pipes 20 respectively connected to a plurality of first vacuum pumps 5, a single horizontal pipe (communication pipe) 21 to which these exhaust pipes 20 are connected, and a horizontal pipe And one main pipe 22 connected to the pipe 21. The main pipe 22 is connected to the suction port of the second vacuum pump 8. In the present embodiment, two second vacuum pumps 8 are arranged in parallel, and two first collecting pipes 7 respectively connected to the two second vacuum pumps 8 are also arranged in parallel.

2つの第2真空ポンプ8のうちの一方は予備ポンプとして機能し、通常は運転されない。したがって、予備ポンプとしての第2真空ポンプ8に連通する開閉弁24は閉じられている。他方の第2真空ポンプ8が故障した場合は、この故障した第2真空ポンプ8に連通する開閉弁24が閉じられ、その一方で、予備ポンプとしての第2真空ポンプ8が起動され、これに連通する開閉弁24が開かれる。   One of the two second vacuum pumps 8 functions as a backup pump and is not normally operated. Therefore, the on-off valve 24 that communicates with the second vacuum pump 8 serving as a preliminary pump is closed. When the other second vacuum pump 8 fails, the on-off valve 24 communicating with the failed second vacuum pump 8 is closed, while the second vacuum pump 8 serving as a backup pump is activated. The on-off valve 24 that communicates is opened.

このように、2つの第2真空ポンプ8および2つの第1集合管7が並列に配置されているので、万が一、一方の第2真空ポンプ8が故障した場合であっても、他方の第2真空ポンプ8に切り替えることで、真空排気システム全体の運転を継続することができる。第2真空ポンプ8は第1集合管7により第1真空ポンプ5に接続されているので、第2真空ポンプ8の数は、第1真空ポンプ5の数よりも少ない。   In this way, since the two second vacuum pumps 8 and the two first collecting pipes 7 are arranged in parallel, even if one of the second vacuum pumps 8 fails, the other second By switching to the vacuum pump 8, the operation of the entire vacuum exhaust system can be continued. Since the second vacuum pump 8 is connected to the first vacuum pump 5 by the first collecting pipe 7, the number of the second vacuum pumps 8 is smaller than the number of the first vacuum pumps 5.

複数の第3真空ポンプ28は、第2集合管35を介して複数の第2真空ポンプ8に連結されている。第2集合管35は、複数の第2真空ポンプ8にそれぞれ接続される複数の排気管36と、これら排気管36が接続された1本の横引き管(連通管)37と、横引き管37に接続された1本の主管38と、主管38に接続された複数の分岐管39とを有する。複数の第3真空ポンプ28は、複数の分岐管39にそれぞれ接続されている。   The plurality of third vacuum pumps 28 are connected to the plurality of second vacuum pumps 8 via the second collecting pipe 35. The second collecting pipe 35 includes a plurality of exhaust pipes 36 connected to the plurality of second vacuum pumps 8, one horizontal pipe (communication pipe) 37 to which the exhaust pipes 36 are connected, and a horizontal pipe. One main pipe 38 connected to 37, and a plurality of branch pipes 39 connected to the main pipe 38. The plurality of third vacuum pumps 28 are respectively connected to the plurality of branch pipes 39.

複数の処理チャンバ1には、大気排出管30が接続されており、この大気排出管30には粗引きポンプ31が接続されている。粗引きポンプ31は、大気圧下で動作することが可能に構成されている。大気排出管30には、処理チャンバ1に連通する複数の開閉弁32が取り付けられている。通常の運転時には、これら開閉弁32は閉じられており、粗引きポンプ31は停止している。   An atmospheric discharge pipe 30 is connected to the plurality of processing chambers 1, and a roughing pump 31 is connected to the atmospheric discharge pipe 30. The roughing pump 31 is configured to be able to operate under atmospheric pressure. A plurality of on-off valves 32 communicating with the processing chamber 1 are attached to the atmospheric discharge pipe 30. During normal operation, these on-off valves 32 are closed and the roughing pump 31 is stopped.

粗引きポンプ31は、処理チャンバ1から大気を排出するために使用される。具体的には、大気で満たされた処理チャンバ1に連通している開閉弁32のみを開き、粗引きポンプ31を始動させる。処理チャンバ1内の大気は大気排出管30を通じて粗引きポンプ31によって排気され、その一方で他の処理チャンバ1ではウェハの処理を継続することができる。   The roughing pump 31 is used to exhaust the atmosphere from the processing chamber 1. Specifically, only the on-off valve 32 communicating with the processing chamber 1 filled with air is opened, and the roughing pump 31 is started. The atmosphere in the processing chamber 1 is exhausted by the roughing pump 31 through the atmospheric discharge pipe 30, while the processing of the wafer can be continued in the other processing chambers 1.

図3は、真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図1に示す実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。図3に示す記号TLは、図1に示す5つの処理チャンバ1、5つの第1真空ポンプ5、搬送チャンバ12、2つのロードロックチャンバ16、および粗引きポンプ15を含む組立体を模式的に表している。言い換えれば、図3に示す各組立体TLは、5つの処理チャンバ1、5つの第1真空ポンプ5、搬送チャンバ12、2つのロードロックチャンバ16、および粗引きポンプ15を含んでいる。   FIG. 3 is a diagram showing still another embodiment of the evacuation system. The configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the embodiment shown in FIG. The symbol TL shown in FIG. 3 schematically shows an assembly including the five processing chambers 1, the five first vacuum pumps 5, the transfer chamber 12, the two load lock chambers 16, and the roughing pump 15 shown in FIG. 1. Represents. In other words, each assembly TL shown in FIG. 3 includes five processing chambers 1, five first vacuum pumps 5, a transfer chamber 12, two load lock chambers 16, and a roughing pump 15.

図3に示すように、複数の(図3では6つの)排気ユニット70が並列に並べられている。各排気ユニット70は、5つの第1真空ポンプ5、1つの第2真空ポンプ8、1つの第1集合管7、および第1集合管7に取り付けられた開閉弁24から構成されている。複数の排気ユニット70に含まれる複数の第2真空ポンプ8は、第2集合管35を介して複数の第3真空ポンプ28に連結されている。本実施形態では、3台の第3真空ポンプ28が並列に配置されている。   As shown in FIG. 3, a plurality of (six in FIG. 3) exhaust units 70 are arranged in parallel. Each exhaust unit 70 includes five first vacuum pumps 5, one second vacuum pump 8, one first collecting pipe 7, and on-off valve 24 attached to the first collecting pipe 7. The plurality of second vacuum pumps 8 included in the plurality of exhaust units 70 are connected to the plurality of third vacuum pumps 28 via the second collecting pipe 35. In the present embodiment, three third vacuum pumps 28 are arranged in parallel.

第2集合管35は、複数の排気ユニット70に含まれるすべての第2真空ポンプ8にそれぞれ接続された複数の排気管36と、これら排気管36が接続された1本の横引き管(連通管)37と、横引き管37に接続された1本の主管38と、主管38に接続された複数の(図3では3本の)分岐管39とを有する。複数の第3真空ポンプ28は、複数の分岐管39にそれぞれ接続されている。各排気管36には開閉弁42が取り付けられており、同様に、各分岐管39にも開閉弁43が取り付けられている。横引き管37には、複数の遮断弁73が取り付けられている。各遮断弁73は、複数の排気ユニット70のうちの隣接する2つの間に位置している。   The second collecting pipe 35 includes a plurality of exhaust pipes 36 respectively connected to all the second vacuum pumps 8 included in the plurality of exhaust units 70, and one horizontal pulling pipe (communication) to which the exhaust pipes 36 are connected. Tube) 37, one main pipe 38 connected to the horizontal pipe 37, and a plurality of (three in FIG. 3) branch pipes 39 connected to the main pipe 38. The plurality of third vacuum pumps 28 are respectively connected to the plurality of branch pipes 39. An open / close valve 42 is attached to each exhaust pipe 36, and similarly, an open / close valve 43 is attached to each branch pipe 39. A plurality of shut-off valves 73 are attached to the horizontal pipe 37. Each shut-off valve 73 is located between two adjacent ones of the plurality of exhaust units 70.

本実施形態では、3台の第3真空ポンプ28のすべてが運転される。3台の第3真空ポンプ28のうちの1台が故障またはメンテナンスのために停止した場合には、他の2台の第3真空ポンプ28によって処理ガスの排気が継続される。このように複数の第3真空ポンプ28を並列に配置することにより、ポンプ故障またはポンプメンテナンス中にも真空排気システム全体の運転を継続することができる。   In the present embodiment, all the three third vacuum pumps 28 are operated. When one of the three third vacuum pumps 28 stops due to failure or maintenance, the other two third vacuum pumps 28 continue to exhaust the processing gas. By arranging the plurality of third vacuum pumps 28 in parallel in this way, it is possible to continue operation of the entire vacuum exhaust system even during pump failure or pump maintenance.

本実施形態では、各ガス処理装置10は、湿式除害装置61および触媒式除害装置62を備えている。ガス処理装置10と第3真空ポンプ28とを連結する集合管50は、分岐管54およびバイパス排気ライン55を備えている。分岐管54は、ガス処理装置10にそれぞれ接続されている。これらの分岐管54には開閉弁56が取り付けられており、バイパス排気ライン55には開閉弁57が取り付けられている。バイパス排気ライン55は、通常は開閉弁57によって閉じられている。   In the present embodiment, each gas treatment device 10 includes a wet-type abatement device 61 and a catalytic abatement device 62. A collecting pipe 50 that connects the gas processing apparatus 10 and the third vacuum pump 28 includes a branch pipe 54 and a bypass exhaust line 55. The branch pipes 54 are respectively connected to the gas processing apparatus 10. An open / close valve 56 is attached to these branch pipes 54, and an open / close valve 57 is attached to the bypass exhaust line 55. The bypass exhaust line 55 is normally closed by an on-off valve 57.

図4は、1つの排気ユニット70を立ち上げるときの動作を説明する図である。以下の説明では、この排気ユニット70を排気ユニット70’と称する。この排気ユニット70’の第2真空ポンプ8の出口は、立ち上げ配管72を介して集合管50に連結される。排気ユニット70’の立ち上げ運転中は、排気ユニット70’に連通する開閉弁42は閉じられる。バイパス排気ライン55に取り付けられた開閉弁57は閉じられたままである。立ち上げ配管72には立ち上げ用ポンプ74が設置され、この立ち上げ用ポンプ74によって立ち上げ時の処理ガスが排気ユニット70’から排気され、集合管50を通じてガス処理装置10に送られる。   FIG. 4 is a diagram illustrating an operation when one exhaust unit 70 is started up. In the following description, the exhaust unit 70 is referred to as an exhaust unit 70 '. The outlet of the second vacuum pump 8 of the exhaust unit 70 ′ is connected to the collecting pipe 50 via a startup pipe 72. During the startup operation of the exhaust unit 70 ', the on-off valve 42 communicating with the exhaust unit 70' is closed. The on-off valve 57 attached to the bypass exhaust line 55 remains closed. A startup pump 74 is installed in the startup pipe 72, and the startup processing gas is exhausted from the exhaust unit 70 ′ by the startup pump 74 and sent to the gas processing apparatus 10 through the collecting pipe 50.

排気ユニット70’の立ち上げ運転は、他の排気ユニット70の排気運転とは独立した排気ルートを通じて行われる。したがって、他の排気ユニット70の排気運転に影響を与えることなく、排気ユニット70’の立ち上げ運転を実行することができる。   The startup operation of the exhaust unit 70 ′ is performed through an exhaust route independent of the exhaust operation of the other exhaust units 70. Accordingly, the startup operation of the exhaust unit 70 ′ can be executed without affecting the exhaust operation of the other exhaust units 70.

排気ユニット70’の立ち上げ運転が終了した後、立ち上げ配管72および立ち上げ用ポンプ74が取り外される。次に、粗引きポンプ31を駆動して排気ユニット70’に接続された処理チャンバ1(図1参照)を真空排気する。そして排気ユニット70’に連通する開閉弁42を開く。このような運転により、排気ユニット70’から排気されるガスが他の排気ユニット70に侵入することなく、排気ユニット70’を他の排気ユニット70に連結することができる。   After the startup operation of the exhaust unit 70 ′ is completed, the startup pipe 72 and the startup pump 74 are removed. Next, the roughing pump 31 is driven to evacuate the processing chamber 1 (see FIG. 1) connected to the exhaust unit 70 '. Then, the on-off valve 42 communicating with the exhaust unit 70 'is opened. By such an operation, the exhaust unit 70 ′ can be connected to the other exhaust unit 70 without the gas exhausted from the exhaust unit 70 ′ entering the other exhaust unit 70.

図5は、真空排気システムの他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図3に示す実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。各排気ユニット70は、図2に示す実施形態と同じように、並列に配置された2つの第2真空ポンプ8と、並列に配置された2つの第1集合管7を備えている。すなわち、各排気ユニット70は、5つの第1真空ポンプ5、2つの第2真空ポンプ8、2つの第1集合管7、および第1集合管7に取り付けられた開閉弁24から構成されている。複数の排気ユニット70に含まれる複数の第2真空ポンプ8は、第2集合管35を介して複数の第3真空ポンプ28に連結されている。本実施形態では、3台の第3真空ポンプ28が並列に配置されている。   FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the vacuum exhaust system. The configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the embodiment shown in FIG. Each exhaust unit 70 includes two second vacuum pumps 8 arranged in parallel and two first collecting pipes 7 arranged in parallel, as in the embodiment shown in FIG. That is, each exhaust unit 70 includes five first vacuum pumps 5, two second vacuum pumps 8, two first collecting pipes 7, and the opening / closing valve 24 attached to the first collecting pipe 7. . The plurality of second vacuum pumps 8 included in the plurality of exhaust units 70 are connected to the plurality of third vacuum pumps 28 via the second collecting pipe 35. In the present embodiment, three third vacuum pumps 28 are arranged in parallel.

図6は、真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図5に示す実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態では、2つの第2集合管35が並列に配置されている。2つの第2集合管35のそれぞれは複数の(図6では4つの)排気ユニット70に含まれるすべての第2真空ポンプ8に接続されている。さらに、2つの第2集合管35には、それぞれ複数の(図6では2台の)第3真空ポンプ28が接続されており、さらに第3真空ポンプ28にはそれぞれ排ガス処理装置10が連結されている。   FIG. 6 is a diagram showing still another embodiment of the evacuation system. The configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the embodiment shown in FIG. In the present embodiment, two second collecting pipes 35 are arranged in parallel. Each of the two second collecting pipes 35 is connected to all the second vacuum pumps 8 included in a plurality of (four in FIG. 6) exhaust units 70. Furthermore, a plurality of (two in FIG. 6) third vacuum pumps 28 are connected to the two second collecting pipes 35, respectively, and the exhaust gas treatment device 10 is connected to each of the third vacuum pumps 28. ing.

各第2集合管35は、複数の排気ユニット70に含まれるすべての第2真空ポンプ8にそれぞれ接続された複数の排気管36と、これら排気管36が接続された1本の横引き管(連通管)37と、横引き管37に接続された1本の主管38と、主管38に接続された複数の(図6では2本の)分岐管39とを有する。複数の第3真空ポンプ28は、複数の分岐管39にそれぞれ接続されている。各排気管36には開閉弁42が取り付けられており、同様に、各分岐管39にも開閉弁43が取り付けられている。横引き管37には、複数の遮断弁73が取り付けられている。各遮断弁73は、複数の排気ユニット70のうちの隣接する2つの間に位置している。   Each of the second collecting pipes 35 includes a plurality of exhaust pipes 36 respectively connected to all the second vacuum pumps 8 included in the plurality of exhaust units 70, and one horizontal pulling pipe (to which these exhaust pipes 36 are connected ( (Communication pipe) 37, one main pipe 38 connected to the horizontal pull pipe 37, and a plurality of (two in FIG. 6) branch pipes 39 connected to the main pipe 38. The plurality of third vacuum pumps 28 are respectively connected to the plurality of branch pipes 39. An open / close valve 42 is attached to each exhaust pipe 36, and similarly, an open / close valve 43 is attached to each branch pipe 39. A plurality of shut-off valves 73 are attached to the horizontal pipe 37. Each shut-off valve 73 is located between two adjacent ones of the plurality of exhaust units 70.

図6に示す実施形態は、開閉弁42および遮断弁73が取り付けられた2つの第2集合管35と、これら第2集合管35にそれぞれ連結された2セットの第3真空ポンプ28と、これら2セットの第3真空ポンプ28にそれぞれ連結されたガス処理装置10を有している。このような構成により、複数の排気ユニット70のうちのある排気ユニット70をメンテナンスする場合、その排気ユニット70と他の排気ユニット70との連通を遮断することができる。   The embodiment shown in FIG. 6 includes two second collecting pipes 35 to which the on-off valve 42 and the shut-off valve 73 are attached, two sets of third vacuum pumps 28 respectively connected to these second collecting pipes 35, and these The gas processing apparatus 10 is connected to each of the two sets of third vacuum pumps 28. With such a configuration, when maintenance is performed on an exhaust unit 70 of the plurality of exhaust units 70, communication between the exhaust unit 70 and another exhaust unit 70 can be blocked.

さらに、図7に示すように、ある排気ユニット70のみを2つの第2集合管35のうちの一方に連通させ、他の排気ユニット70を他方の第2集合管35に連通させることができる。このような場合、ある排気ユニット70の排気速度を、他の排気ユニット70の排気速度よりも高くすることができる。さらに、ある排気ユニット70で排気される処理ガスの種類は、他の排気ユニット70で排気される処理ガスの種類と異なってもよい。   Further, as shown in FIG. 7, only one exhaust unit 70 can be communicated with one of the two second collecting pipes 35, and the other exhaust unit 70 can be communicated with the other second collecting pipe 35. In such a case, the exhaust speed of one exhaust unit 70 can be made higher than the exhaust speed of other exhaust units 70. Further, the type of processing gas exhausted by a certain exhaust unit 70 may be different from the type of processing gas exhausted by another exhaust unit 70.

図8は、真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図1に示す実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。図8に示す処理チャンバ1は、その内部で複数のウェハが処理される、いわゆるバッチ式処理チャンバである。各処理チャンバ1内には、CVDの原料ガスなどの処理ガスが供給され、複数のウェハは処理チャンバ1内で処理される。   FIG. 8 is a diagram showing still another embodiment of the vacuum exhaust system. The configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the embodiment shown in FIG. A processing chamber 1 shown in FIG. 8 is a so-called batch processing chamber in which a plurality of wafers are processed. A processing gas such as a CVD source gas is supplied into each processing chamber 1, and a plurality of wafers are processed in the processing chamber 1.

複数の処理チャンバ1には、複数の第1真空ポンプ5がそれぞれ連結されている。これらの第1真空ポンプ5は、例えばターボ分子ポンプ、容積式真空ポンプ(例えば、ルーツ型真空ポンプ、クロー型真空ポンプまたはスクリュー型真空ポンプ)などである。各処理チャンバ1内の真空は第1真空ポンプ5の運転によって形成される。これらの第1真空ポンプ5は、集合管7を介して第2真空ポンプ8に連結されている。   A plurality of first vacuum pumps 5 are respectively connected to the plurality of processing chambers 1. These first vacuum pumps 5 are, for example, a turbo molecular pump, a positive displacement vacuum pump (for example, a roots-type vacuum pump, a claw-type vacuum pump, or a screw-type vacuum pump). A vacuum in each processing chamber 1 is formed by the operation of the first vacuum pump 5. These first vacuum pumps 5 are connected to a second vacuum pump 8 via a collecting pipe 7.

本実施形態では、3つの第2真空ポンプ8が設けられている。これら第2真空ポンプ8は並列に配置され、集合管7にそれぞれ接続されている。第2真空ポンプ8のそれぞれは、集合管7を通じて複数の第1真空ポンプ5のすべてに連結されている。集合管7は、複数の第1真空ポンプ5にそれぞれ接続された複数の排気管20と、これら排気管20が接続された1本の横引き管(連通管)21と、横引き管21に接続された1本の主管22と、主管22に接続された複数の分岐管23とを有する。複数の第2真空ポンプ8は、複数の分岐管23にそれぞれ接続されている。各排気管20には開閉弁24が取り付けられており、同様に、各分岐管23にも開閉弁25が取り付けられている。   In the present embodiment, three second vacuum pumps 8 are provided. These second vacuum pumps 8 are arranged in parallel and connected to the collecting pipe 7. Each of the second vacuum pumps 8 is connected to all of the plurality of first vacuum pumps 5 through the collecting pipe 7. The collecting pipe 7 includes a plurality of exhaust pipes 20 connected to the plurality of first vacuum pumps 5, a single horizontal pipe (communication pipe) 21 to which the exhaust pipes 20 are connected, and a horizontal pipe 21. It has one main pipe 22 connected and a plurality of branch pipes 23 connected to the main pipe 22. The plurality of second vacuum pumps 8 are respectively connected to the plurality of branch pipes 23. An open / close valve 24 is attached to each exhaust pipe 20, and similarly, an open / close valve 25 is attached to each branch pipe 23.

第2真空ポンプ8としては、処理ガスに対して耐性を有する真空ポンプが使用される。本実施形態では、3台の第2真空ポンプ8のすべてが運転される。3台の第2真空ポンプ8のうちの1台が故障またはメンテナンスのために停止した場合には、他の2台の第2真空ポンプ8によって処理ガスの排気が継続される。このように複数の第2真空ポンプ8を並列に配置することにより、ポンプ故障またはポンプメンテナンス中にも真空排気システム全体の運転を継続することができる。   As the second vacuum pump 8, a vacuum pump having resistance to the processing gas is used. In the present embodiment, all the three second vacuum pumps 8 are operated. When one of the three second vacuum pumps 8 stops due to a failure or maintenance, the other two second vacuum pumps 8 continue to exhaust the processing gas. By arranging the plurality of second vacuum pumps 8 in parallel in this way, the operation of the entire vacuum exhaust system can be continued even during pump failure or pump maintenance.

ガス処理装置10は、第2真空ポンプ8の下流側に配置されている。本実施形態では、2つのガス処理装置10が並列に設けられている。ガス処理装置10は、集合管50を介して第2真空ポンプ8に連結されている。各ガス処理装置10は、燃焼式除害装置101と、湿式除害装置102とを有している。これら燃焼式除害装置101と湿式除害装置102は、この順に直列に配置されている。   The gas processing device 10 is disposed on the downstream side of the second vacuum pump 8. In the present embodiment, two gas processing apparatuses 10 are provided in parallel. The gas processing apparatus 10 is connected to the second vacuum pump 8 via the collecting pipe 50. Each gas treatment device 10 includes a combustion type detoxifying device 101 and a wet type detoxifying device 102. The combustion-type abatement apparatus 101 and the wet-type abatement apparatus 102 are arranged in series in this order.

燃焼式除害装置101は、CVD(化学蒸着)に使用されるシランガス(SiH4)を除去するために設けられており、湿式除害装置102は、処理ガスの燃焼により生じたSiO2からなる粉体や酸性ガスを除去するために設けられている。燃焼式除害装置101は、ヒータ式除害装置、プラズマ式除害装置でもよい。また、粉体排出量が規定値を超過しない場合や酸性ガスの濃度が排出濃度規制値を超過しなければ湿式除害装置102を省略してもよい。 The combustion-type abatement apparatus 101 is provided for removing silane gas (SiH 4 ) used for CVD (chemical vapor deposition), and the wet-type abatement apparatus 102 is made of SiO 2 generated by combustion of the processing gas. It is provided to remove powder and acid gas. The combustion-type abatement apparatus 101 may be a heater-type abatement apparatus or a plasma-type abatement apparatus. Further, the wet abatement apparatus 102 may be omitted when the powder discharge amount does not exceed the specified value or when the concentration of the acid gas does not exceed the discharge concentration regulation value.

複数の第1真空ポンプ5には、クリーニングガス排出管80を介して複数のクリーニングガス排出用ポンプ81が連結されている。本実施形態では、3つのクリーニングガス排出用ポンプ81が設けられている。クリーニングガス排出管80は集合管の形状を有している。具体的には、クリーニングガス排出管80は、複数の第1真空ポンプ5にそれぞれ接続された複数の排気管84と、これら排気管84が接続された1本の横引き管(連通管)85と、横引き管85に接続された1本の主管86と、主管86に接続された複数の分岐管87とを有する。複数のクリーニングガス排出用ポンプ81は、複数の分岐管87にそれぞれ接続されている。各排気管84には開閉弁91が取り付けられており、同様に、各分岐管87にも開閉弁92が取り付けられている。   A plurality of cleaning gas discharge pumps 81 are connected to the plurality of first vacuum pumps 5 via a cleaning gas discharge pipe 80. In the present embodiment, three cleaning gas discharge pumps 81 are provided. The cleaning gas discharge pipe 80 has a collecting pipe shape. Specifically, the cleaning gas discharge pipe 80 includes a plurality of exhaust pipes 84 respectively connected to the plurality of first vacuum pumps 5, and one horizontal pulling pipe (communication pipe) 85 to which these exhaust pipes 84 are connected. And one main pipe 86 connected to the horizontal pipe 85 and a plurality of branch pipes 87 connected to the main pipe 86. The plurality of cleaning gas discharge pumps 81 are respectively connected to the plurality of branch pipes 87. An open / close valve 91 is attached to each exhaust pipe 84, and similarly, an open / close valve 92 is attached to each branch pipe 87.

処理チャンバ1内でCVD処理が行われる場合、処理ガスとして使用される原料ガスに含まれる原料が処理チャンバ1の内部に堆積する。そこで、処理チャンバ1の内部をクリーニングするために、クリーニングガスが処理チャンバ1内に供給される。クリーニングガスは、第1真空ポンプ5およびクリーニングガス排出用ポンプ81により処理チャンバ1から排気される。クリーニングガス排出用ポンプ81としては、クリーニングガスに対して耐性を有する真空ポンプが使用される。   When the CVD process is performed in the processing chamber 1, the raw material contained in the raw material gas used as the processing gas is deposited inside the processing chamber 1. Therefore, a cleaning gas is supplied into the processing chamber 1 in order to clean the inside of the processing chamber 1. The cleaning gas is exhausted from the processing chamber 1 by the first vacuum pump 5 and the cleaning gas discharge pump 81. As the cleaning gas discharge pump 81, a vacuum pump having resistance to the cleaning gas is used.

クリーニングガス排出用ポンプ81から排気されたクリーニングガスを無害化するための排ガス処理装置118が、クリーニングガス排出用ポンプ81の下流側に設けられている。この排ガス処理装置118は、湿式除害装置119から構成されている。また、排ガス処理装置118は、燃焼式除害装置など他の処理方式でもよい。排ガス処理装置118は、集合管110を介してクリーニングガス排出用ポンプ81に連結されている。集合管110は複数のクリーニングガス排出用ポンプ81に接続される複数の排気管111を有しており、これらの排気管111には開閉弁112が取り付けられている。   An exhaust gas treatment device 118 for detoxifying the cleaning gas exhausted from the cleaning gas discharge pump 81 is provided on the downstream side of the cleaning gas discharge pump 81. The exhaust gas treatment device 118 is composed of a wet detoxification device 119. Further, the exhaust gas treatment device 118 may be another treatment method such as a combustion type abatement device. The exhaust gas treatment device 118 is connected to the cleaning gas discharge pump 81 via the collecting pipe 110. The collecting pipe 110 has a plurality of exhaust pipes 111 connected to a plurality of cleaning gas discharge pumps 81, and open / close valves 112 are attached to these exhaust pipes 111.

複数の第1真空ポンプ5には、大気排出管30を介して複数の粗引きポンプ31が連結されている。本実施形態では、2つの粗引きポンプ31が設けられている。大気排出管30は集合管の形状を有している。具体的には、大気排出管30は、複数の第1真空ポンプ5にそれぞれ接続された複数の排気管33と、これら排気管33が接続された1本の横引き管(連通管)34と、横引き管34に接続された1本の主管41と、主管41に接続された複数の分岐管45とを有する。複数の粗引きポンプ31は、複数の分岐管45にそれぞれ接続されている。各排気管33には開閉弁32が取り付けられており、同様に、各分岐管45にも開閉弁95が取り付けられている。   A plurality of roughing pumps 31 are connected to the plurality of first vacuum pumps 5 through an atmospheric discharge pipe 30. In this embodiment, two roughing pumps 31 are provided. The air discharge pipe 30 has the shape of a collecting pipe. Specifically, the air discharge pipe 30 includes a plurality of exhaust pipes 33 respectively connected to the plurality of first vacuum pumps 5, and one horizontal pulling pipe (communication pipe) 34 to which the exhaust pipes 33 are connected. The main pipe 41 is connected to the horizontal pipe 34 and a plurality of branch pipes 45 are connected to the main pipe 41. The plurality of roughing pumps 31 are respectively connected to the plurality of branch pipes 45. An open / close valve 32 is attached to each exhaust pipe 33, and similarly, an open / close valve 95 is attached to each branch pipe 45.

粗引きポンプ31は、大気圧下で動作することが可能に構成されている。通常の運転時には、大気排出管30に取り付けられたすべての開閉弁32,95は閉じられており、粗引きポンプ31は停止している。粗引きポンプ31は、処理チャンバ1から大気を排出するために使用される。例えば、ある処理チャンバ1のメンテナンスが終了した後、大気で満たされた処理チャンバ1に連通している開閉弁32のみを開くとともに、開閉弁95を開き、さらに粗引きポンプ31を始動させる。処理チャンバ1内の大気は大気排出管30を通じて粗引きポンプ31によって排気される。粗引きポンプ31の下流側には、ガス処理装置10は設けられていない。   The roughing pump 31 is configured to be able to operate under atmospheric pressure. During normal operation, all the on-off valves 32 and 95 attached to the atmospheric discharge pipe 30 are closed, and the roughing pump 31 is stopped. The roughing pump 31 is used to exhaust the atmosphere from the processing chamber 1. For example, after the maintenance of a certain processing chamber 1 is completed, only the on-off valve 32 communicating with the processing chamber 1 filled with air is opened, the on-off valve 95 is opened, and the roughing pump 31 is started. The atmosphere in the processing chamber 1 is exhausted by the roughing pump 31 through the atmospheric discharge pipe 30. The gas processing device 10 is not provided on the downstream side of the roughing pump 31.

上述した集合管7、クリーニングガス排出管80、および大気排出管30は、並列に配置されている。処理ガス、クリーニングガス、および大気は、別々のルートを通じて別々の真空ポンプ8,81,31により排出される。したがって、第2真空ポンプ8、クリーニングガス排出用ポンプ81、および粗引きポンプ31として、排気すべきガスの種類に基づいて最適な真空ポンプを選択することができる。さらに、排気すべきガスの種類に基づいて最適な除害装置を選択することができる。   The collecting pipe 7, the cleaning gas discharge pipe 80, and the atmospheric discharge pipe 30 described above are arranged in parallel. The processing gas, cleaning gas, and atmosphere are exhausted by separate vacuum pumps 8, 81, 31 through separate routes. Therefore, as the second vacuum pump 8, the cleaning gas discharge pump 81, and the roughing pump 31, an optimum vacuum pump can be selected based on the type of gas to be exhausted. Furthermore, an optimum detoxifying device can be selected based on the type of gas to be exhausted.

第1真空ポンプ5は第1の部屋(例えばクリーンルーム)内に配置されており、第2真空ポンプ8、クリーニングガス排出用ポンプ81、および粗引きポンプ31は、クリーンルームとは別の部屋(第2の部屋)に配置されている。例えば、第1の部屋は階上にあり、第2の部屋は階下にある。図1に示す実施形態と同じように、第1真空ポンプ5は、処理チャンバ1に隣接して配置されている。   The first vacuum pump 5 is arranged in a first room (for example, a clean room), and the second vacuum pump 8, the cleaning gas discharge pump 81, and the roughing pump 31 are separate from the clean room (second room). In the room). For example, the first room is on the floor and the second room is on the floor. As in the embodiment shown in FIG. 1, the first vacuum pump 5 is disposed adjacent to the processing chamber 1.

図9は、真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図8に示す実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態では、2つの集合管7が並列に配置されており、2つの第2真空ポンプ8も並列に配置されている。これらの第2真空ポンプ8は、これらの集合管7を通じて複数の第1真空ポンプ5に連結されている。2つの第2真空ポンプ8には、2つのガス処理装置10がそれぞれ連結されている。ガス処理装置10としては、燃焼式除害装置101が使用されている。集合管7の横引き管(連通管)21には、複数の遮断弁121が取り付けられている。遮断弁121は、各排気管20と横引き管21との接続点の両側に配置されている。   FIG. 9 is a diagram showing still another embodiment of the evacuation system. The configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the embodiment shown in FIG. In the present embodiment, two collecting pipes 7 are arranged in parallel, and two second vacuum pumps 8 are also arranged in parallel. These second vacuum pumps 8 are connected to the plurality of first vacuum pumps 5 through these collecting pipes 7. Two gas processing apparatuses 10 are connected to the two second vacuum pumps 8, respectively. As the gas treatment device 10, a combustion type abatement device 101 is used. A plurality of shut-off valves 121 are attached to the horizontal pulling pipe (communication pipe) 21 of the collecting pipe 7. The shut-off valves 121 are disposed on both sides of the connection point between each exhaust pipe 20 and the horizontal pull pipe 21.

同様に、2つのクリーニングガス排出管80が並列に配置されており、2つのクリーニングガス排出用ポンプ81も並列に配置されている。これらのクリーニングガス排出用ポンプ81は、これらのクリーニングガス排出管80を通じて複数の第1真空ポンプ5に連結されている。クリーニングガス排出管80の横引き管(連通管)85には、複数の遮断弁122が取り付けられている。遮断弁122は、各排気管84と横引き管85との接続点の両側に配置されている。   Similarly, two cleaning gas discharge pipes 80 are arranged in parallel, and two cleaning gas discharge pumps 81 are also arranged in parallel. These cleaning gas discharge pumps 81 are connected to the plurality of first vacuum pumps 5 through these cleaning gas discharge pipes 80. A plurality of shut-off valves 122 are attached to a horizontal drawing pipe (communication pipe) 85 of the cleaning gas discharge pipe 80. The shutoff valves 122 are arranged on both sides of the connection point between each exhaust pipe 84 and the horizontal pulling pipe 85.

さらに、2つの大気排出管30が並列に配置されており、2つの粗引きポンプ31も並列に配置されている。これらの粗引きポンプ31は、これらの大気排出管30を通じて複数の第1真空ポンプ5に連結されている。大気排出管30の横引き管(連通管)34には、複数の遮断弁124が取り付けられている。遮断弁124は、各排気管33と横引き管34との接続点の両側に配置されている。   Further, two atmospheric discharge pipes 30 are arranged in parallel, and two roughing pumps 31 are also arranged in parallel. These roughing pumps 31 are connected to the plurality of first vacuum pumps 5 through these atmospheric discharge pipes 30. A plurality of shut-off valves 124 are attached to a horizontal pulling pipe (communication pipe) 34 of the atmospheric discharge pipe 30. The shut-off valves 124 are arranged on both sides of the connection point between each exhaust pipe 33 and the horizontal pull pipe 34.

図9に示す実施形態は、開閉弁24および遮断弁121が取り付けられた2つの集合管7と、これら集合管7にそれぞれ連結された2つの第2真空ポンプ8と、これら2つの第2真空ポンプ8にそれぞれ連結された2つのガス処理装置10を有している。このような構成により、複数の排気チャンバ1のうちのある排気チャンバ1をメンテナンスする場合、その排気チャンバ1と他の排気チャンバ1との連通を遮断することができる。   The embodiment shown in FIG. 9 includes two collecting pipes 7 to which the on-off valve 24 and the shut-off valve 121 are attached, two second vacuum pumps 8 respectively connected to the collecting pipes 7, and these two second vacuums. Two gas processing apparatuses 10 connected to the pump 8 are provided. With such a configuration, when maintaining an exhaust chamber 1 of the plurality of exhaust chambers 1, communication between the exhaust chamber 1 and the other exhaust chamber 1 can be blocked.

さらに、図10に示すように、ある排気チャンバ1のみを2つの集合管7のうちの一方に連通させ、他の排気チャンバ1を他方の集合管7に連通させることができる。このような場合、ある排気チャンバ1の排気速度を、他の排気チャンバ1の排気速度よりも高くすることができる。さらに、ある排気チャンバ1で排気される処理ガスの種類は、他の排気チャンバ1で排気される処理ガスの種類と異なってもよい。   Further, as shown in FIG. 10, only one exhaust chamber 1 can be communicated with one of the two collecting pipes 7, and the other exhaust chamber 1 can be communicated with the other collecting pipe 7. In such a case, the exhaust speed of one exhaust chamber 1 can be made higher than the exhaust speed of other exhaust chambers 1. Furthermore, the type of processing gas exhausted in one exhaust chamber 1 may be different from the type of processing gas exhausted in another exhaust chamber 1.

図11は、真空排気システムのさらに他の実施形態を示す図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図8に示す実施形態の構成と同じであるので、その重複する説明を省略する。本実施形態では、除害装置130が集合管7に取り付けられている。より具体的には、集合管7の複数の排気管20に、複数の除害装置130がそれぞれ取り付けられている。   FIG. 11 is a diagram showing still another embodiment of the vacuum exhaust system. The configuration of the present embodiment that is not specifically described is the same as the configuration of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, the abatement apparatus 130 is attached to the collecting pipe 7. More specifically, a plurality of abatement devices 130 are respectively attached to the plurality of exhaust pipes 20 of the collecting pipe 7.

本実施形態は、シリコン窒化膜を形成する低圧CVDが処理チャンバ1内で行われる場合に好適である。シリコン窒化膜を形成する低圧CVDでは、副生成物として塩化アンモニウム(NH4CL)が生成される。この塩化アンモニウムは、大気圧下で330℃程度で昇華する特性を有している。このため、高真空中ではガス状態で存在するが、圧力の上昇により固形化しやすくなる。 This embodiment is suitable when low-pressure CVD for forming a silicon nitride film is performed in the processing chamber 1. In low pressure CVD for forming a silicon nitride film, ammonium chloride (NH 4 CL) is generated as a by-product. This ammonium chloride has the property of sublimating at about 330 ° C. under atmospheric pressure. For this reason, although it exists in a gas state in high vacuum, it becomes easy to solidify by the rise in pressure.

塩化アンモニウムのような副生成物が真空ポンプ内で固形化すると、真空ポンプのメンテナンス頻度が高くなる。メンテナンス頻度を増やさないためには、処理ガスを高温に加熱し、副生成物をガス状態に維持する必要がある。しかし、処理ガスの加熱はエネルギー使用量の増大を招き、また、プロセス条件によっては、処理ガスの加熱のみではガス状態を維持できない場合もある。   When a by-product such as ammonium chloride is solidified in the vacuum pump, the maintenance frequency of the vacuum pump increases. In order not to increase the maintenance frequency, it is necessary to heat the processing gas to a high temperature and maintain the by-product in a gas state. However, heating of the processing gas causes an increase in energy consumption, and depending on the process conditions, the gas state may not be maintained only by heating the processing gas.

そこで、本実施形態では、第1真空ポンプ5の出口近傍に除害装置130を設置し、当該除害装置130で処理ガスの分解(低分子化)を行う。これにより、除害装置130の下流側では、塩化アンモニウムとしてのガスは存在しなくなるため、塩化アンモニウムが固形化しない。よって、処理ガスを高温に維持する必要がなくなり、省エネルギー化を達成できる。また、第2真空ポンプ8への負荷を小さく出来るため、第2真空ポンプ8の簡略化、メンテナンス頻度低減が実現できる。   Therefore, in the present embodiment, the abatement apparatus 130 is installed in the vicinity of the outlet of the first vacuum pump 5, and the processing gas is decomposed (low molecular weight) by the abatement apparatus 130. Thereby, since the gas as ammonium chloride does not exist in the downstream of the abatement apparatus 130, ammonium chloride does not solidify. Therefore, it is not necessary to maintain the processing gas at a high temperature, and energy saving can be achieved. In addition, since the load on the second vacuum pump 8 can be reduced, the second vacuum pump 8 can be simplified and the maintenance frequency can be reduced.

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。   The embodiment described above is described for the purpose of enabling the person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs to implement the present invention. Various modifications of the above embodiment can be naturally made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be construed in the widest scope according to the technical idea defined by the claims.

1 処理チャンバ
5 第1真空ポンプ
7 第1集合管
8 第2真空ポンプ
10 ガス処理装置
12 搬送チャンバ
15 粗引きポンプ
16 ロードロックチャンバ
20 排気管
21 横引き管(連通管)
22 主管
24 開閉弁
28 第3真空ポンプ
30 大気排出管
31 粗引きポンプ
32 開閉弁
33 排気管
34 横引き管(連通管)
35 第2集合管
36 排気管
37 横引き管(連通管)
38 主管
39 分岐管
40 開閉弁
42 開閉弁
43 開閉弁
47 不活性ガス供給装置
50 集合管
51 排気管
53 開閉弁
61 上段湿式除害装置
62 触媒式除害装置
63 下段湿式除害装置
70 排気ユニット
72 立ち上げ配管
73 遮断弁
74 立ち上げ用ポンプ
80 クリーニングガス排出管
81 クリーニングガス排出用ポンプ
84 排気管
85 横引き管(連通管)
86 主管
87 分岐管
91 開閉弁
92 開閉弁
101 燃焼式除害装置
102 湿式除害装置
111 排気管
112 開閉弁
118 排ガス処理装置
119 湿式除害装置
121,122,124 遮断弁
130 除害装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing chamber 5 1st vacuum pump 7 1st collecting pipe 8 2nd vacuum pump 10 Gas processing apparatus 12 Transfer chamber 15 Roughing pump 16 Load lock chamber 20 Exhaust pipe 21 Horizontal drawing pipe (communication pipe)
22 Main pipe 24 On-off valve 28 Third vacuum pump 30 Atmospheric discharge pipe 31 Roughing pump 32 On-off valve 33 Exhaust pipe 34 Horizontally-drawn pipe (communication pipe)
35 Second collecting pipe 36 Exhaust pipe 37 Horizontally drawn pipe (communication pipe)
38 Main pipe 39 Branch pipe 40 On-off valve 42 On-off valve 43 On-off valve 47 Inert gas supply device 50 Collecting pipe 51 Exhaust pipe 53 On-off valve 61 Upper wet detoxifying device 62 Catalytic detoxifying device 63 Lower wet detoxifying device 70 Exhaust unit 72 Start-up piping 73 Shut-off valve 74 Start-up pump 80 Cleaning gas discharge pipe 81 Cleaning gas discharge pump 84 Exhaust pipe 85 Horizontally drawn pipe (communication pipe)
86 Main pipe 87 Branch pipe 91 On-off valve 92 On-off valve 101 Combustion-type abatement device 102 Wet abatement device 111 Exhaust pipe 112 On-off valve 118 Exhaust gas treatment device 119 Wet abatement device 121, 122, 124 Shut-off valve 130 Abatement device

Claims (18)

複数の処理チャンバから気体を排気するための真空排気システムであって、
前記複数の処理チャンバにそれぞれ接続される複数の第1真空ポンプと、
前記複数の第1真空ポンプに接続された集合管と、
前記集合管に接続された第2真空ポンプとを備えたことを特徴とする真空排気システム。
An evacuation system for evacuating gas from a plurality of processing chambers,
A plurality of first vacuum pumps respectively connected to the plurality of processing chambers;
A collecting pipe connected to the plurality of first vacuum pumps;
An evacuation system comprising a second vacuum pump connected to the collecting pipe.
前記第2真空ポンプは、前記複数の第1真空ポンプの近傍に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。   2. The vacuum exhaust system according to claim 1, wherein the second vacuum pump is disposed in the vicinity of the plurality of first vacuum pumps. 前記集合管および前記第2真空ポンプはそれぞれ複数設けられており、
前記複数の集合管のいずれも、前記複数の第1真空ポンプに接続されており、
前記複数の第2真空ポンプは、前記複数の集合管にそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。
A plurality of the collecting pipes and the second vacuum pumps are provided,
Any of the plurality of collecting pipes is connected to the plurality of first vacuum pumps,
The vacuum exhaust system according to claim 1, wherein the plurality of second vacuum pumps are connected to the plurality of collecting pipes, respectively.
前記第2真空ポンプに連結された第3真空ポンプをさらに備え、
前記第2真空ポンプは容積型多段真空ポンプであることを特徴とする請求項3に記載の真空排気システム。
A third vacuum pump connected to the second vacuum pump;
The evacuation system according to claim 3, wherein the second vacuum pump is a positive displacement multi-stage vacuum pump.
前記複数の集合管は、複数の第1集合管であり、
前記複数の第2真空ポンプを前記第3真空ポンプに連結する第2集合管をさらに備えたことを特徴とする請求項4に記載の真空排気システム。
The plurality of collecting pipes are a plurality of first collecting pipes;
The vacuum exhaust system according to claim 4, further comprising a second collecting pipe that connects the plurality of second vacuum pumps to the third vacuum pump.
前記第3真空ポンプは複数設けられており、
前記複数の第3真空ポンプは並列に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の真空排気システム。
A plurality of the third vacuum pumps are provided,
The vacuum exhaust system according to claim 5, wherein the plurality of third vacuum pumps are arranged in parallel.
前記第2集合管は、前記複数の第3真空ポンプにそれぞれ接続される複数の分岐管を有しており、
前記複数の分岐管には複数の開閉弁がそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項6に記載の真空排気システム。
The second collecting pipe has a plurality of branch pipes respectively connected to the plurality of third vacuum pumps,
The vacuum exhaust system according to claim 6, wherein a plurality of on-off valves are respectively attached to the plurality of branch pipes.
前記集合管は、第1集合管であり、
前記真空排気システムは、複数の排気ユニットと、前記第2真空ポンプの下流側に配置された第3真空ポンプを有し、
前記複数の第1真空ポンプ、前記第2真空ポンプ、および前記第1集合管は、前記複数の排気ユニットのうちの1つの排気ユニットを構成し、
前記複数の排気ユニットに含まれる前記複数の第2真空ポンプを前記第3真空ポンプに連結する第2集合管をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。
The collecting pipe is a first collecting pipe;
The vacuum exhaust system includes a plurality of exhaust units and a third vacuum pump disposed downstream of the second vacuum pump,
The plurality of first vacuum pumps, the second vacuum pump, and the first collecting pipe constitute one exhaust unit of the plurality of exhaust units,
2. The vacuum exhaust system according to claim 1, further comprising a second collecting pipe that connects the plurality of second vacuum pumps included in the plurality of exhaust units to the third vacuum pump.
前記第3真空ポンプは複数設けられており、
前記複数の第3真空ポンプの数は、前記複数の第2真空ポンプの数よりも少ないことを特徴とする請求項8に記載の真空排気システム。
A plurality of the third vacuum pumps are provided,
9. The vacuum exhaust system according to claim 8, wherein the number of the plurality of third vacuum pumps is smaller than the number of the plurality of second vacuum pumps.
前記第2集合管および前記第3真空ポンプはそれぞれ複数設けられており、
前記複数の第3真空ポンプは、並列に配置された前記複数の第2集合管を介して前記複数の第2真空ポンプに連結されていることを特徴とする請求項8に記載の真空排気システム。
A plurality of the second collecting pipe and the third vacuum pump are provided,
The vacuum exhaust system according to claim 8, wherein the plurality of third vacuum pumps are connected to the plurality of second vacuum pumps via the plurality of second collecting pipes arranged in parallel. .
前記複数の第2集合管のそれぞれは、
前記複数の第2真空ポンプにそれぞれ接続された複数の排気管と、
前記複数の排気管が接続された連通管と、
前記連通管に接続された主管を備え、
前記複数の排気管には複数の開閉弁がそれぞれ取り付けられており、
前記連通管には複数の遮断弁が取り付けられており、
前記複数の遮断弁のそれぞれは、前記複数の排気ユニットのうちの隣接する2つの間に位置していることを特徴とする請求項10に記載の真空排気システム。
Each of the plurality of second collecting pipes is
A plurality of exhaust pipes respectively connected to the plurality of second vacuum pumps;
A communication pipe to which the plurality of exhaust pipes are connected;
A main pipe connected to the communication pipe;
A plurality of on-off valves are respectively attached to the plurality of exhaust pipes,
A plurality of shut-off valves are attached to the communication pipe,
The vacuum exhaust system according to claim 10, wherein each of the plurality of shut-off valves is located between two adjacent ones of the plurality of exhaust units.
前記第2真空ポンプは複数設けられており、前記複数の第2真空ポンプは前記集合管に並列に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。   2. The vacuum exhaust system according to claim 1, wherein a plurality of the second vacuum pumps are provided, and the plurality of second vacuum pumps are connected in parallel to the collecting pipe. 前記集合管は、前記複数の第2真空ポンプにそれぞれ接続される複数の分岐管を有しており、
前記複数の分岐管には複数の開閉弁がそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項12に記載の真空排気システム。
The collecting pipe has a plurality of branch pipes respectively connected to the plurality of second vacuum pumps;
The vacuum exhaust system according to claim 12, wherein a plurality of on-off valves are respectively attached to the plurality of branch pipes.
前記複数の第1真空ポンプに接続されたクリーニングガス排出管と、
前記クリーニングガス排出管に接続されたクリーニングガス排出用ポンプをさらに備え、
前記クリーニングガス排出管と前記集合管は、並列に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。
A cleaning gas discharge pipe connected to the plurality of first vacuum pumps;
A cleaning gas discharge pump connected to the cleaning gas discharge pipe;
The vacuum exhaust system according to claim 1, wherein the cleaning gas discharge pipe and the collecting pipe are arranged in parallel.
クリーニングガスを処理するガス処理装置をさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載の真空排気システム。   The vacuum exhaust system according to claim 14, further comprising a gas processing device that processes the cleaning gas. 前記複数の処理チャンバに連結された大気排出管と、
前記大気排出管に接続された粗引きポンプをさらに備え、
前記大気排出管と前記集合管は、並列に配置されており、
前記粗引きポンプは、大気圧下で動作することが可能であることを特徴とする請求項1に記載の真空排気システム。
An air discharge pipe connected to the plurality of processing chambers;
Further comprising a roughing pump connected to the atmospheric discharge pipe,
The air discharge pipe and the collecting pipe are arranged in parallel,
The evacuation system according to claim 1, wherein the roughing pump is capable of operating under atmospheric pressure.
前記集合管には除害装置が取り付けられていることを特徴とする請求項12に記載の真空排気システム。   The vacuum exhaust system according to claim 12, wherein a detoxifying device is attached to the collecting pipe. 前記複数の処理チャンバから排気された処理ガスを無害化するガス処理装置をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至17のいずれか一項に記載の真空排気システム。   18. The vacuum exhaust system according to claim 1, further comprising a gas processing device that renders the processing gas exhausted from the plurality of processing chambers harmless.
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