JP2015220215A - Organic electroluminescence display device - Google Patents

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麻絵 伊藤
Asae ITO
麻絵 伊藤
大江 昌人
Masato Oe
昌人 大江
秀謙 尾方
Hidekane Ogata
秀謙 尾方
礼隆 遠藤
Noritaka Endo
礼隆 遠藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device which can efficiently discharge heat generated in an organic EL layer of an organic EL element or heat generated by driving of a TFT circuit or by wiring resistance, to the outside.SOLUTION: An organic EL display device 100 comprises: an organic EL element substrate 10 which has organic EL elements 40 formed on one surface 11a side of a substrate 11 and a plurality of first banks 16 for partitioning the organic EL elements 40; and an encapsulation substrate 20 which has a color conversion layer 23 formed on one surface 21a side of a transparent substrate 21 and a plurality of second banks 25 for partitioning the transparent substrate 21 into a plurality of regions. The organic EL element substrate 10 and the encapsulation substrate 20 are arranged opposite each other such that each first bank 16 and each second bank 25 are connected to each other in at least one part, and auxiliary electrodes 26 are provided between the transparent substrate 21 and the second banks 25, each auxiliary electrode 26 being provided with a feeding point 27.

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence display device.

有機エレクトロルミネッセンス(以下、「有機EL」と言うこともある。)表示装置としては、有機EL素子と、蛍光体を含む波長変換層およびカラーフィルターの少なくとも一方とを組み合わせた波長変換方式の有機EL表示装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。   As an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as “organic EL”) display device, a wavelength conversion type organic EL in which an organic EL element is combined with at least one of a wavelength conversion layer containing a phosphor and a color filter. A display device is known (for example, see Patent Document 1).

特開2005−268062号公報JP 2005-268062 A

有機EL表示装置を大型化した場合、表示画面の外周部と中央部とでは、各画素に駆動電流を供給するための配線の長さが極端に異なる。そのため、抵抗の高い材料からなる配線を使用した場合、部分的に電圧降下が生じて、有機EL層の輝度の均一性が低下し、輝度ムラが発生する。特に、多くのトップエミッションタイプの有機EL表示装置では、透明陰極の抵抗値が金属膜よりも高いため、電圧降下の影響が大きくなる。   When the organic EL display device is enlarged, the length of the wiring for supplying the drive current to each pixel is extremely different between the outer peripheral portion and the central portion of the display screen. For this reason, when a wiring made of a material having high resistance is used, a voltage drop partially occurs, the luminance uniformity of the organic EL layer is lowered, and luminance unevenness occurs. In particular, in many top emission type organic EL display devices, since the resistance value of the transparent cathode is higher than that of the metal film, the influence of the voltage drop becomes large.

また、有機EL表示装置では、有機EL層で発生した熱や、TFT駆動や配線抵抗による熱が装置の内部に滞留し、その熱を効率よく装置の外部に放出できない。有機EL素子は、熱に弱く、高温で動作させると寿命の低下や発光ムラ、素子自体の破壊が生じることがある。そのため、有機EL素子から発生した熱や、TFT駆動時に発生した熱を取り除く必要がある。
また、波長変換方式の有機EL表示装置では、有機EL層や波長変換層から発光する光が、それぞれの層内において、その厚み方向と垂直な方向に導波することにより光の損失が起こるため、光取り出し効率が低く、消費電力が高くなる。
Further, in the organic EL display device, heat generated in the organic EL layer and heat due to TFT driving and wiring resistance stay in the device, and the heat cannot be efficiently released to the outside of the device. Organic EL elements are vulnerable to heat, and if they are operated at high temperatures, their lifetime may be reduced, light emission unevenness, and destruction of the elements themselves may occur. Therefore, it is necessary to remove the heat generated from the organic EL element and the heat generated when driving the TFT.
In addition, in the wavelength conversion type organic EL display device, light emitted from the organic EL layer or the wavelength conversion layer is guided in a direction perpendicular to the thickness direction in each layer, so that light loss occurs. The light extraction efficiency is low and the power consumption is high.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層で発生した熱や、TFT回路の駆動や配線抵抗による熱を効率よく外部に放出することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and can efficiently release the heat generated in the organic electroluminescent layer of the organic electroluminescent element and the heat generated by driving the TFT circuit and wiring resistance to the outside. An object of the present invention is to provide an organic electroluminescence display device.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第1バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第2バンクと、を有する封止基板と、を備え、前記第1バンクと前記第2バンクとが少なくとも1箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、前記透明基板と前記第2バンクとの間に、金属からなる補助電極が設けられ、前記補助電極に、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする。   An organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention includes a substrate, an organic electroluminescence element formed on one surface of the substrate, and the organic electroluminescence element formed on one surface side of the substrate. A plurality of first banks, an organic electroluminescence element substrate having a transparent substrate, a color conversion layer formed on one surface of the transparent substrate, formed on one surface side of the transparent substrate, A sealing substrate having a plurality of second banks partitioning the transparent substrate into a plurality of regions, and the organic electroluminescence so that the first bank and the second bank are connected at least one place An element substrate and the sealing substrate are arranged to face each other, and an auxiliary electrode made of metal is provided between the transparent substrate and the second bank. Wherein the auxiliary electrode, characterized in that the feed point for connecting to an external power source is provided.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第1バンクおよび前記第2バンクは、熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, the first bank and the second bank may be made of a heat conductive material or a heat radiation material.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第1バンクの側面に、反射膜が設けられていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, a reflective film may be provided on a side surface of the first bank.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第2バンクの側面に、反射膜が設けられていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, a reflective film may be provided on a side surface of the second bank.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第2バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第1端面と、前記第1端面に対向し、前記第1端面の面積よりも小さい面積を有する第2端面と、側面と、から構成されていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, the second bank includes a first end surface facing one surface of the transparent substrate, a first end surface, and an area of the first end surface. Alternatively, the second end surface having a small area and a side surface may be included.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第2バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第1端面と、前記第1端面に対向し、前記第1端面の面積よりも大きい面積を有する第2端面と、側面と、から構成されていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, the second bank includes a first end surface facing one surface of the transparent substrate, a first end surface, and an area of the first end surface. May be configured by a second end surface having a large area and a side surface.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第1バンクと前記第2バンクとの間に、柱状または球状の導電性スペーサーが配設されていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, a columnar or spherical conductive spacer may be disposed between the first bank and the second bank.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第1バンクと前記第2バンクとの間に、金属細線が配設されていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, a thin metal wire may be disposed between the first bank and the second bank.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記透明基板と前記第2バンクとの間に、メッシュ状の金属細線が配設されていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, a mesh-shaped fine metal wire may be disposed between the transparent substrate and the second bank.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板の間に、導電性充填剤が充填された充填剤層が設けられていてもよい。   In the organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention, a filler layer filled with a conductive filler may be provided between the organic electroluminescence element substrate and the sealing substrate.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第1バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第2バンクと、を有する封止基板と、を備え、前記第1バンクと前記第2バンクとが少なくとも1箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、前記第1バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする。   An organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention includes a substrate, an organic electroluminescence element formed on one surface of the substrate, and the organic electroluminescence element formed on one surface side of the substrate. A plurality of first banks, an organic electroluminescence element substrate having a transparent substrate, a color conversion layer formed on one surface of the transparent substrate, formed on one surface side of the transparent substrate, A sealing substrate having a plurality of second banks partitioning the transparent substrate into a plurality of regions, and the organic electroluminescence so that the first bank and the second bank are connected at least one place The element substrate and the sealing substrate are arranged to face each other, and a feeding point for connecting to an external power source is provided in the first bank. To.

本発明の1つの態様の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第1バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第2バンクと、を有する封止基板と、を備え、前記第1バンクと前記第2バンクとが少なくとも1箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、前記第2バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする。   An organic electroluminescence display device according to one aspect of the present invention includes a substrate, an organic electroluminescence element formed on one surface of the substrate, and the organic electroluminescence element formed on one surface side of the substrate. A plurality of first banks, an organic electroluminescence element substrate having a transparent substrate, a color conversion layer formed on one surface of the transparent substrate, formed on one surface side of the transparent substrate, A sealing substrate having a plurality of second banks partitioning the transparent substrate into a plurality of regions, and the organic electroluminescence so that the first bank and the second bank are connected at least one place The element substrate and the sealing substrate are arranged to face each other, and a feeding point for connecting to an external power source is provided in the second bank. To.

本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス層で発生した熱や、TFT回路の駆動や配線抵抗による熱を効率よく外部に放出することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence display device capable of efficiently releasing heat generated in an organic electroluminescence layer of an organic electroluminescence element or heat generated by driving a TFT circuit or wiring resistance to the outside. it can.

(A)は、本発明の第1実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図、(B)は、有機EL素子の概略構成を示す図。(A) is sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus which is 1st Embodiment of this invention, (B) is a figure which shows schematic structure of an organic EL element. 本発明の第1実施形態である有機EL表示装置を示す上面図。1 is a top view showing an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 7th Embodiment of this invention. 本発明の第8実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 8th Embodiment of this invention. 本発明の第9実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 9th Embodiment of this invention. 本発明の第10実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescence display which is 10th Embodiment of this invention.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
An embodiment of the organic electroluminescence display device of the present invention will be described.
Note that this embodiment is specifically described in order to better understand the gist of the invention, and does not limit the present invention unless otherwise specified.

[第1実施形態]
図1(A)は、本発明の第1実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図1(B)は、有機EL素子の概略構成を示す図である。
図1(A)に示すように、本実施形態の有機EL表示装置100は、有機EL素子基板10と、封止基板(波長変換基板)20と、有機EL素子基板10と封止基板20との間に設けられた充填層30と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの有機EL表示装置である。
[First Embodiment]
FIG. 1A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is a diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL element.
As shown in FIG. 1A, an organic EL display device 100 according to this embodiment includes an organic EL element substrate 10, a sealing substrate (wavelength conversion substrate) 20, an organic EL element substrate 10, and a sealing substrate 20. A top emission type organic EL display device that is driven by an active driving method.

有機EL素子基板10は、基板11、TFT(薄膜トランジスタ)回路12、有機EL素子(有機発光素子)40を主として構成されており、TFT回路12を備えた基板11上に複数の有機EL素子40が設けられている。   The organic EL element substrate 10 mainly includes a substrate 11, a TFT (thin film transistor) circuit 12, and an organic EL element (organic light emitting element) 40. A plurality of organic EL elements 40 are provided on the substrate 11 including the TFT circuit 12. Is provided.

封止基板(波長変換基板)20は、透明基板21、カラーフィルター層(色調整層)22および色変換層(波長変換層)23を主として構成されており、透明基板21の一面21a側に、R,G,Bの各サブ画素Sに対応したカラーフィルター層(色調整層)22および色変換層23が設けられている。   The sealing substrate (wavelength conversion substrate) 20 mainly includes a transparent substrate 21, a color filter layer (color adjustment layer) 22, and a color conversion layer (wavelength conversion layer) 23. On the one surface 21a side of the transparent substrate 21, A color filter layer (color adjustment layer) 22 and a color conversion layer 23 corresponding to each of the R, G, and B sub-pixels S are provided.

本実施形態の有機EL表示装置100は、光源である有機EL素子40から発光された光が、色変換層23およびカラーフィルター層22へと入射することで、赤色、緑色、青色の三色の光として波長変換基板20の外側(観測者側)へと射出されるようになっている。   In the organic EL display device 100 of the present embodiment, light emitted from the organic EL element 40 that is a light source is incident on the color conversion layer 23 and the color filter layer 22, so that three colors of red, green, and blue are obtained. Light is emitted to the outside (observer side) of the wavelength conversion substrate 20.

図1(B)に示すように、有機EL素子40は、有機EL層41が第1電極42と第2電極43とにより挟持されて構成されている。図1(A)に示すように、第1電極42は、層間絶縁膜13および平坦化膜14を貫通して設けられたコンタクトホール12bにより、TFT回路12の1つに接続されている。第2電極43は、層間絶縁膜13、平坦化膜14を貫通して設けられた不図示の配線によりTFT回路12の1つに接続されている。   As shown in FIG. 1B, the organic EL element 40 is configured by an organic EL layer 41 sandwiched between a first electrode 42 and a second electrode 43. As shown in FIG. 1A, the first electrode 42 is connected to one of the TFT circuits 12 by a contact hole 12b provided through the interlayer insulating film 13 and the planarizing film 14. The second electrode 43 is connected to one of the TFT circuits 12 by a wiring (not shown) provided through the interlayer insulating film 13 and the planarizing film 14.

図2は、有機EL表示装置100を示す上面図である。
図2に示すように、本実施形態の有機EL表示装置100は、複数の画素24を有している。各画素24は、赤色光(R)、緑色光(G)、青色光(B)のそれぞれに対応する3つのサブ画素S(赤色画素部S(R)、緑色画素部S(G)、青色画素部S(B))から構成されている。
FIG. 2 is a top view showing the organic EL display device 100.
As shown in FIG. 2, the organic EL display device 100 according to the present embodiment has a plurality of pixels 24. Each pixel 24 includes three sub-pixels S (red pixel portion S (R), green pixel portion S (G), blue color corresponding to red light (R), green light (G), and blue light (B), respectively. Pixel portion S (B)).

赤色画素部S(R)、緑色画素部S(G)、青色画素部S(B)は、y軸に沿ってストライプ状に延長され、x軸に沿って赤色画素部S(R)、緑色画素部S(G)、青色画素部S(B)が順に配置された、2次元的なストライプ配列とされている。   The red pixel portion S (R), the green pixel portion S (G), and the blue pixel portion S (B) extend in a stripe shape along the y axis, and the red pixel portion S (R), green color along the x axis. The pixel portion S (G) and the blue pixel portion S (B) are arranged in this order to form a two-dimensional stripe arrangement.

なお、図2に示す例では、RGBの各サブ画素(赤色画素部S(R)、緑色画素部S(G)、青色画素部S(B))がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、RGBの各サブ画素(赤色画素部S(R)、緑色画素部S(G)、青色画素部S(B))の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知のRGB画素配列とすることもできる。   The example shown in FIG. 2 shows an example in which the RGB sub-pixels (red pixel portion S (R), green pixel portion S (G), and blue pixel portion S (B)) are arranged in stripes. The present embodiment is not limited to this, and the arrangement of the RGB sub-pixels (red pixel portion S (R), green pixel portion S (G), blue pixel portion S (B)) is a mosaic arrangement, a delta arrangement, or the like. Alternatively, a conventionally known RGB pixel array may be used.

「有機EL素子基板」
有機EL素子基板10は、図1(A)に示すように、アクティブマトリクス基板15と、アクティブマトリクス基板15上に設けられた複数の有機EL素子40と、第1バンク16と、封止層17とを有して構成されている。アクティブマトリクス基板15は、基板11、基板11上に形成されたTFT回路12、層間絶縁膜13および平坦化膜14を有する。
"Organic EL device substrate"
As shown in FIG. 1A, the organic EL element substrate 10 includes an active matrix substrate 15, a plurality of organic EL elements 40 provided on the active matrix substrate 15, a first bank 16, and a sealing layer 17. And is configured. The active matrix substrate 15 includes a substrate 11, a TFT circuit 12 formed on the substrate 11, an interlayer insulating film 13, and a planarizing film 14.

基板11上には、TFT回路12および各種配線(図示略)が形成され、さらに、基板11の上面およびTFT回路12を覆うように層間絶縁膜13と平坦化膜14が順次積層形成されている。   A TFT circuit 12 and various wirings (not shown) are formed on the substrate 11, and an interlayer insulating film 13 and a planarizing film 14 are sequentially stacked so as to cover the upper surface of the substrate 11 and the TFT circuit 12. .

基板11としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)等からなる金属基板、これらの基板上に酸化シリコン(SiO)等の有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、または、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されない。 As the substrate 11, for example, an inorganic material substrate made of glass, quartz or the like, a plastic substrate made of polyethylene terephthalate, polycarbazole, polyimide or the like, an insulating substrate such as a ceramic substrate made of alumina, etc., aluminum (Al), iron (Fe ), Etc., a substrate in which an insulator made of an organic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) is coated on the surface thereof, or a surface of a metal substrate made of aluminum or the like is anodized. Although the board | substrate etc. which performed the insulation process by the method are mentioned, this embodiment is not limited to these.

TFT回路12は、有機EL素子40を形成する前に、予め基板11上に形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。TFT回路12としては、従来公知のTFT回路を用いることができる。また、本実施形態においては、スイッチング用および駆動用素子としてTFTの代わりに金属−絶縁体−金属(MIM)ダイオードを用いることもできる。   The TFT circuit 12 is formed on the substrate 11 in advance before the organic EL element 40 is formed, and functions as a switching device and a driving device. As the TFT circuit 12, a conventionally known TFT circuit can be used. In this embodiment, a metal-insulator-metal (MIM) diode can be used instead of the TFT as a switching and driving element.

TFT回路12は、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。TFT回路12の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン(アモルファスシリコン)、多結晶シリコン(ポリシリコン)、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料または、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ(p−フェリレンビニレン)誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、TFT回路12の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。   The TFT circuit 12 can be formed using a known material, structure, and formation method. As the material of the active layer of the TFT circuit 12, for example, amorphous silicon (amorphous silicon), polycrystalline silicon (polysilicon), microcrystalline silicon, inorganic semiconductor materials such as cadmium selenide, zinc oxide, indium oxide-oxide Examples thereof include oxide semiconductor materials such as gallium-zinc oxide, and organic semiconductor materials such as polythiophene derivatives, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene) derivatives, naphthacene, and pentacene. Examples of the structure of the TFT circuit 12 include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

本実施形態で用いられるTFT回路12のゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、プラズマ誘起化学気相成長(PECVD)法、減圧化学気相成長(LPCVD)法等により形成されたSiOまたはポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるTFT回路12の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第1駆動電極および第2駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)等が挙げられる。 The gate insulating film of the TFT circuit 12 used in this embodiment can be formed using a known material. Examples thereof include SiO 2 formed by plasma oxidation chemical vapor deposition (PECVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), or the like, or SiO 2 obtained by thermally oxidizing a polysilicon film. Further, the signal electrode line, the scanning electrode line, the common electrode line, the first drive electrode, and the second drive electrode of the TFT circuit 12 used in this embodiment can be formed using a known material, for example, tantalum. (Ta), aluminum (Al), copper (Cu), and the like.

層間絶縁膜13は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、その材料としては、酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(SiN、または、Si)、酸化タンタル(TaO、または、Ta)等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。 The interlayer insulating film 13 can be formed using a known material. Examples of the material include silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN or Si 2 N 4 ), tantalum oxide (TaO, Alternatively, an inorganic material such as Ta 2 O 5 ), an organic material such as an acrylic resin or a resist material, or the like can be given.

層間絶縁膜13の形成方法としては、化学気相成長(CVD)法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。   Examples of the method for forming the interlayer insulating film 13 include a dry process such as a chemical vapor deposition (CVD) method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method. Moreover, it can also pattern by the photolithographic method etc. as needed.

平坦化膜14は、TFT回路12の表面の凸凹により有機EL素子40の欠陥(例えば、画素電極の欠損、有機EL層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等)等が発生することを防止するために設けられる。なお、平坦化膜14は省略することも可能である。   The planarization film 14 has a defect in the organic EL element 40 (for example, a defect in the pixel electrode, a defect in the organic EL layer, a disconnection in the counter electrode, a short circuit between the pixel electrode and the counter electrode, a decrease in breakdown voltage due to unevenness on the surface of the TFT circuit 12 Etc.) and the like are provided. The planarizing film 14 can be omitted.

平坦化膜14は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜14の形成方法としては、CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されない。また、平坦化膜14は、単層構造でも多層構造でもよい。   The planarization film 14 can be formed using a known material, and examples thereof include inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, and tantalum oxide, and organic materials such as polyimide resin, acrylic resin, and resist material. Examples of the method for forming the planarizing film 14 include a dry process such as a CVD method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coat method, but the present embodiment is not limited to these materials and the formation method. The planarizing film 14 may have a single layer structure or a multilayer structure.

第1バンク16は、有機EL素子40の周囲を取り囲み、各サブ画素Sを区画するようにして形成されている。第1バンク16は、基板11の一方の面11a上の少なくとも各サブ画素S間に形成され、第1電極42と第2電極43との間でリークを起こすことを防止する。   The first bank 16 surrounds the organic EL element 40 and is formed so as to partition each sub-pixel S. The first bank 16 is formed between at least the sub-pixels S on the one surface 11 a of the substrate 11, and prevents leakage between the first electrode 42 and the second electrode 43.

具体的に、第1バンク16は、基板11に対向する第1端面16aと、第1端面16aに対向して第1端面16aの面積よりも小さい面積を有する第2端面16bと、側面16cと、を有した順テーパー形状となっている。ここで、「順テーパー形状」とは、基板11から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。   Specifically, the first bank 16 includes a first end surface 16a facing the substrate 11, a second end surface 16b facing the first end surface 16a and having an area smaller than the area of the first end surface 16a, and a side surface 16c. , Has a forward taper shape. Here, the “forward taper shape” refers to a taper shape whose cross-sectional shape becomes narrower in a direction away from the substrate 11.

第1バンク16は、有機EL素子40からの光取り出し効率を考慮した白色のホワイトバンクからなる。これにより輝度が向上する。
第1バンク16は、絶縁材料を用いて、電子線(EB)蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。また、第1バンク16は、公知のドライ法またはウェット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化することができる。なお、第1バンク16の形成方法は、これらの形成方法に限定されるものではない。また、第1バンク16を構成する材料としては、特に限定されないが、公知の材料が用いられる。例えば、平坦化膜14と同様の材料を用いることも可能である。
The first bank 16 is a white bank that takes into account the light extraction efficiency from the organic EL element 40. Thereby, the luminance is improved.
The first bank 16 can be formed using an insulating material by a known method such as an electron beam (EB) vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a resistance heating vapor deposition method. The first bank 16 can be patterned by a known dry method or wet photolithography method. Note that the formation method of the first bank 16 is not limited to these formation methods. Further, the material constituting the first bank 16 is not particularly limited, but a known material is used. For example, the same material as that of the planarizing film 14 can be used.

第1バンク16は、第1電極42と第2電極43との絶縁性を十分に確保することのできる膜厚を有する。第1バンク16の膜厚としては、例えば、100nm〜2000nmであることが好ましい。第1バンク16の膜厚が100nm未満であると、絶縁性が十分ではなく、第1電極42と第2電極43との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、第1バンク16の膜厚が2000nmを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。   The first bank 16 has a film thickness that can sufficiently secure the insulation between the first electrode 42 and the second electrode 43. The film thickness of the first bank 16 is preferably 100 nm to 2000 nm, for example. If the film thickness of the first bank 16 is less than 100 nm, the insulation is not sufficient, and leakage occurs between the first electrode 42 and the second electrode 43, resulting in an increase in power consumption and non-light emission. On the other hand, when the film thickness of the first bank 16 exceeds 2000 nm, it takes time for the film forming process, and there is a concern that the productivity deteriorates.

第1バンク16は、その全体または表面(第1端面16a、第2端面16b、側面16c)が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。   The first bank 16 is preferably made of a heat conductive material or a heat radiating material in its entirety or on the surface (first end surface 16a, second end surface 16b, side surface 16c).

熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、アルミニウム(Al、235W/m・K)、銅(Cu、401W/m・K)、銀(Ag、428W/m・K)、金(Au、318W/m・K)、錫(Sn)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、亜鉛(Zn)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)等の金属、銅合金、リン青銅、ステンレス、金合金、ニッケル合金、鉄合金等の合金、酸化アルミニウム(Al、46W/m・K)、二酸化ケイ素(SiO、8.38W/m・K)、酸化チタン(TiO、8.38W/m・K)、酸化マグネシウム(MgO、60W/m・K)、炭化ケイ素(SiC、8.W/m・K)等の金属酸化物等が挙げられる。
なお、上記の数値は、それぞれの材料の熱伝導率(W/m・K)を示している。また、第1バンク16に用いられる絶縁材料である、アクリル樹脂の熱伝導率は0.2W/m・K、ポリイミド樹脂の熱伝導率は0.3W/m・Kである。
Examples of the heat conductive material or the heat radiation material include aluminum (Al, 235 W / m · K), copper (Cu, 401 W / m · K), silver (Ag, 428 W / m · K), gold (Au, Au, 318W / m · K), tin (Sn), titanium (Ti), iron (Fe), zinc (Zn), molybdenum (Mo), nickel (Ni) and other metals, copper alloys, phosphor bronze, stainless steel, gold alloys , Alloys such as nickel alloys and iron alloys, aluminum oxide (Al 2 O 3 , 46 W / m · K), silicon dioxide (SiO 2 , 8.38 W / m · K), titanium oxide (TiO 2 , 8.38 W / m · K), magnesium oxide (MgO, 60 W / m · K), metal oxides such as silicon carbide (SiC, 8. W / m · K), and the like.
In addition, said numerical value has shown the thermal conductivity (W / m * K) of each material. Moreover, the thermal conductivity of the acrylic resin, which is an insulating material used for the first bank 16, is 0.2 W / m · K, and the thermal conductivity of the polyimide resin is 0.3 W / m · K.

第1バンク16の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、第1バンク16の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
第1バンク16の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長(CVD)法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
When the surface of the first bank 16 is made of a heat conductive material or a heat radiating material, a thin film made of a heat conductive material or a heat radiating material is provided on the surface of the first bank 16.
As a method of forming a thin film made of a thermally conductive material or a thermally radiative material on the surface of the first bank 16, the above-described thermally conductive material or a thermally radiative material is used, for example, chemical vapor deposition (CVD). ) Method, dry process such as vacuum deposition, and wet process such as spin coating.

第1バンク16は、第1電極42と第2電極43との絶縁性を十分に確保することのできる膜厚を有する。第1バンク16の膜厚としては、例えば、100nm〜2000nmであることが好ましい。第1バンク16の膜厚が100nm未満であると、絶縁性が十分ではなく、第1電極42と第2電極43との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、第1バンク16の膜厚が2000nmを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。   The first bank 16 has a film thickness that can sufficiently secure the insulation between the first electrode 42 and the second electrode 43. The film thickness of the first bank 16 is preferably 100 nm to 2000 nm, for example. If the film thickness of the first bank 16 is less than 100 nm, the insulation is not sufficient, and leakage occurs between the first electrode 42 and the second electrode 43, resulting in an increase in power consumption and non-light emission. On the other hand, when the film thickness of the first bank 16 exceeds 2000 nm, it takes time for the film forming process, and there is a concern that the productivity deteriorates.

有機EL素子40は、第1電極42、有機EL層41、第2電極43を有する。
第1電極42および第2電極43は、有機EL素子40の陽極または陰極として対で機能する。
図1(A)、(B)および以下の説明においては、第1電極42が陽極、第2電極43が陰極の場合を例に説明する。
The organic EL element 40 includes a first electrode 42, an organic EL layer 41, and a second electrode 43.
The first electrode 42 and the second electrode 43 function as a pair as an anode or a cathode of the organic EL element 40.
1A and 1B and the following description, the case where the first electrode 42 is an anode and the second electrode 43 is a cathode will be described as an example.

第1電極42および第2電極43は、従来の電極材料を用いて形成することができる。
第1電極42は、例えば、有機EL層41に電子を効率良く注入するために、Ca/AlやCe/Al、Cs/Al、Ba/Al等の仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層して形成するのが好ましい。また、第1電極11は、Ca:Al合金やMg:Ag合金、Li:Al合金等の仕事関数の低い金属を含有する合金で形成してもよいし、LiF/AlやLiF/Ca/Al、BaF2/Ba/Al、LiF/Al/Ag等の薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせて形成してもよい。
The first electrode 42 and the second electrode 43 can be formed using a conventional electrode material.
For example, in order to efficiently inject electrons into the organic EL layer 41, the first electrode 42 includes a low work function metal such as Ca / Al, Ce / Al, Cs / Al, Ba / Al, and a stable metal. It is preferable to form by laminating. The first electrode 11 may be formed of an alloy containing a metal having a low work function, such as a Ca: Al alloy, Mg: Ag alloy, or Li: Al alloy, or LiF / Al or LiF / Ca / Al. , BaF2 / Ba / Al, LiF / Al / Ag, or other thin film insulating layers and metal electrodes may be combined.

第2電極43は、ITOやIDIXO、IZO、GZO、SnO等を用いて透明電極を形成することができる。第1電極42と第2電極43により微小共振器構造を構成する場合、第2電極43として半透明電極を用いることが好ましい。 As the second electrode 43, a transparent electrode can be formed using ITO, IDIXO, IZO, GZO, SnO 2 or the like. When the microresonator structure is constituted by the first electrode 42 and the second electrode 43, it is preferable to use a translucent electrode as the second electrode 43.

第2電極43としては、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせて用いることもできる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、5nm〜30nmが好ましい。半透明電極の膜厚が5nm未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得ることができない。また、半透明電極の膜厚が30nmを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、有機EL素子40の輝度および発光効率が低下するおそれがある。   The second electrode 43 may be a combination of a metal translucent electrode and a transparent electrode material. In particular, as a material for the semitransparent electrode, silver is preferable from the viewpoint of reflectance and transmittance. The film thickness of the translucent electrode is preferably 5 nm to 30 nm. When the film thickness of the translucent electrode is less than 5 nm, the light cannot be sufficiently reflected, and the interference effect cannot be obtained sufficiently. Further, when the film thickness of the semi-transparent electrode exceeds 30 nm, the light transmittance is drastically lowered, so that the luminance and light emission efficiency of the organic EL element 40 may be lowered.

有機EL層41は、第1電極42と第2電極43との間に配置され、電圧が印加されることによって発光する。有機EL層41は、例えば、図1(B)に示すように、第1電極42側から順に、正孔注入層44、正孔輸送層45、電子ブロッキング層46、発光層47、電子輸送層48、電子注入層49が設けられている(正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロッキング層/発光層/電子輸送層/電子注入層)。本実施形態の発光層47は、青色〜青緑色光を発光する単層構造とされている。   The organic EL layer 41 is disposed between the first electrode 42 and the second electrode 43 and emits light when a voltage is applied. For example, as illustrated in FIG. 1B, the organic EL layer 41 includes, in order from the first electrode 42 side, a hole injection layer 44, a hole transport layer 45, an electron blocking layer 46, a light emitting layer 47, and an electron transport layer. 48 and an electron injection layer 49 are provided (hole injection layer / hole transport layer / electron blocking layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer). The light emitting layer 47 of the present embodiment has a single layer structure that emits blue to blue-green light.

第1電極42と第2電極43により微小共振器構造が構成されると、第1電極42と第2電極43との干渉効果により、有機EL層41の発光を正面方向(光取り出し方向)に集光することができる。その際、有機EL層41の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機EL層41で生じる発光エネルギーをより効率良く、色変換層23側へ出射させることができ、ひいては、有機EL素子40の正面輝度を高めることができる。   When the microresonator structure is configured by the first electrode 42 and the second electrode 43, the light emission of the organic EL layer 41 is directed in the front direction (light extraction direction) due to the interference effect between the first electrode 42 and the second electrode 43. It can be condensed. In that case, since the directivity can be given to the light emission of the organic EL layer 41, the light emission loss escaping to the surroundings can be reduced, and the light emission efficiency can be increased. Thereby, the luminescence energy generated in the organic EL layer 41 can be emitted more efficiently to the color conversion layer 23 side, and the front luminance of the organic EL element 40 can be increased.

また、第1電極42と第2電極43により構成される微小共振器構造によれば、有機EL層41の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、有機EL層41の発光スペクトルを、色変換層23中の有機蛍光色素を効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することができる。   In addition, according to the microresonator structure constituted by the first electrode 42 and the second electrode 43, it is possible to adjust the emission spectrum of the organic EL layer 41, and to adjust to the desired emission peak wavelength and half width. Can do. Thereby, the emission spectrum of the organic EL layer 41 can be controlled to a spectrum that can effectively excite the organic fluorescent dye in the color conversion layer 23.

第1電極42と第2電極43の形成には、蒸着法やEB法、MBE法、スパッタ法等のドライプロセスを用いることもできるし、また、スピンコート法や印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを用いることもできる。   The first electrode 42 and the second electrode 43 can be formed by using a dry process such as an evaporation method, an EB method, an MBE method, or a sputtering method, or a wet method such as a spin coating method, a printing method, or an inkjet method. A process can also be used.

正孔注入層44は、第1電極42から効率良く正孔を受け取り、正孔輸送層45へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔注入層44に用いられる材料のHOMOレベルは、正孔輸送層45に用いられるHOMOレベルよりも低く、第1電極42の仕事関数よりも高いのが好ましい。正孔注入層44は、単層でも多層であってもよい。   The hole injection layer 44 is provided in order to efficiently receive holes from the first electrode 42 and efficiently transfer them to the hole transport layer 45. The HOMO level of the material used for the hole injection layer 44 is preferably lower than the HOMO level used for the hole transport layer 45 and higher than the work function of the first electrode 42. The hole injection layer 44 may be a single layer or a multilayer.

接着用の樹脂には、例えば、ポリカーボネートやポリエステル等を用いることができる。溶剤は、材料を溶解、または、分散できればく、例えば、純水、メタノール、エタノール、THF、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等を溶剤に用いることができる。   For example, polycarbonate or polyester can be used as the adhesive resin. The solvent is only required to dissolve or disperse the material. For example, pure water, methanol, ethanol, THF, chloroform, xylene, trimethylbenzene and the like can be used as the solvent.

正孔注入層44の材料には、有機EL素子や有機光導電体に対して一般に用いられている材料を用いることができる。例えば、無機p型半導体材料や、ポルフィリン化合物、N,N'−ビス−(3−メチルフェニル)−N,N'−ビス−(フェニル)−ベンジジン(TPD)、N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン(NPD)等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン(PANI)、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイト(PEDT/PSS)、ポリ[トリフェニルアミン誘導体](Poly−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等の高分子材料、ポリ(p−フェニレンビニレン)前駆体(Pre−PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン)前駆体(Pre−PNV)等の高分子材料前駆体等を用いることができる。   As a material of the hole injection layer 44, a material generally used for an organic EL element or an organic photoconductor can be used. For example, inorganic p-type semiconductor materials, porphyrin compounds, N, N′-bis- (3-methylphenyl) -N, N′-bis- (phenyl) -benzidine (TPD), N, N′-di (naphthalene) -1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine (NPD) and other aromatic tertiary amine compounds, hydrazone compounds, quinacridone compounds, styrylamine compounds and other low molecular materials, polyaniline (PANI), 3, 4 -Polymer materials such as polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDT / PSS), poly [triphenylamine derivative] (Poly-TPD), polyvinyl carbazole (PVCz), poly (p-phenylene vinylene) precursor ( Prepolymer materials such as Pre-PPV) and poly (p-naphthalene vinylene) precursor (Pre-PNV) A body or the like can be used.

正孔輸送層45は、正孔注入層44から効率良く正孔を受け取り、発光層47へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔輸送層45に用いられる材料のHOMOレベルは、正孔注入層44のHOMOレベルよりも高く、発光層47のHOMOレベルよりも低いのが好ましい。正孔をより効率よく発光層47に注入、輸送でき、発光に要する電圧の低減効果や発光効率の向上効果を得ることができるからである。   The hole transport layer 45 is provided in order to efficiently receive holes from the hole injection layer 44 and transfer them to the light emitting layer 47 efficiently. The HOMO level of the material used for the hole transport layer 45 is preferably higher than the HOMO level of the hole injection layer 44 and lower than the HOMO level of the light emitting layer 47. This is because holes can be injected and transported to the light emitting layer 47 more efficiently, and the effect of reducing the voltage required for light emission and the effect of improving the light emission efficiency can be obtained.

また、発光層47からの電子の漏れが抑制できるように、正孔輸送層45のLUMOレベルは発光層47のLUMOレベルより低くするのが好ましい。そうすれば、発光層47での発光効率を高めることができる。また、正孔輸送層45のバンドギャップは発光層47のバンドギャップより大きくするのが好ましい。そうすれば、発光層47中に励起子を効果的に閉じ込めることができる。   Further, the LUMO level of the hole transport layer 45 is preferably lower than the LUMO level of the light emitting layer 47 so that leakage of electrons from the light emitting layer 47 can be suppressed. If it does so, the luminous efficiency in the light emitting layer 47 can be improved. The band gap of the hole transport layer 45 is preferably larger than the band gap of the light emitting layer 47. Then, excitons can be effectively confined in the light emitting layer 47.

正孔輸送層45は、単層でも多層でもよく、ドライプロセスやウエットプロセスを用い、正孔注入層44と同じようにして形成することができる。   The hole transport layer 45 may be a single layer or a multilayer, and can be formed in the same manner as the hole injection layer 44 using a dry process or a wet process.

電子ブロッキング層46は、正孔注入層44と同種の材料を用いて形成することができる。但し、その材料のLUMOレベルの絶対値は、電子ブロッキング層46と接する発光層47が含む正孔注入層44の材料のLUMOレベルの絶対値より小さいのが好ましい。その理由は、電子をより効果的に発光層47中に閉じ込めることができるからである。
電子ブロッキング層46もまた、単層でも多層であってもよく、ドライプロセスやウエットプロセスを用い、正孔注入層44と同じようにして形成することができる。
The electron blocking layer 46 can be formed using the same material as the hole injection layer 44. However, the absolute value of the LUMO level of the material is preferably smaller than the absolute value of the LUMO level of the material of the hole injection layer 44 included in the light emitting layer 47 in contact with the electron blocking layer 46. This is because electrons can be more effectively confined in the light emitting layer 47.
The electron blocking layer 46 may be a single layer or a multilayer, and can be formed in the same manner as the hole injection layer 44 using a dry process or a wet process.

発光層47は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤(ドナー、アクセプター等)等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料(接着用樹脂)または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、発光層47の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。   The light emitting layer 47 may be composed only of the organic light emitting material exemplified below, or may be composed of a combination of a light emitting dopant and a host material, and optionally includes a hole transport material, an electron transport material, and an additive. An agent (donor, acceptor, etc.) may be included. Moreover, the structure by which these each material was disperse | distributed in the polymer material (adhesive resin) or the inorganic material may be sufficient. From the viewpoint of light emission efficiency and durability, the material of the light emitting layer 47 is preferably a material in which a light emitting dopant is dispersed in a host material.

有機発光材料としては、有機EL素子向けの公知の発光材料を用いることができる。
このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されない。
また、有機発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
As the organic light emitting material, a known light emitting material for an organic EL element can be used.
Such light-emitting materials are classified into low-molecular light-emitting materials, polymer light-emitting materials, and the like. Specific examples of these compounds are given below, but the present embodiment is not limited to these materials.
The organic light emitting material may be classified into a fluorescent material, a phosphorescent material, and the like. From the viewpoint of reducing power consumption, it is preferable to use a phosphorescent material with high emission efficiency.

発光層47に用いられる低分子発光材料(ホスト材料を含む)としては、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)等の芳香族ジメチリデン化合物;5−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3−(4−ビフェニル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)等のトリアゾール誘導体;1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料;アゾメチン亜鉛錯体、(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Alq3)等の蛍光発光有機金属錯体;BeBq(ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体);4,4’−ビス−(2,2−ジ−p−トリル−ビニル)−ビフェニル(DTVBi);トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオノ)(モノフェナントロリン)Eu(III)(Eu(DBM)3(Phen));ジフェニルエチレン誘導体;トリス[4−(9−フェニルフルオレン−9−イル)フェニル]アミン(TFTPA)等のトリフェニルアミン誘導体;ジアミノカルバゾール誘導体;ビススチリル誘導体;芳香族ジアミン誘導体;キナクリドン系化合物;ペリレン系化合物;クマリン系化合物;ジスチリルアリーレン誘導体(DPVBi);オリゴチオフェン誘導体(BMA−3T);4,4’−ジ(トリフェニルシリル)−ビフェニル(BSB)、ジフェニル−ジ(o−トリル)シラン(UGH1)、1,4−ビストリフェニルシリルベンゼン(UGH2)、1,3−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン(UGH3)、トリフェニル−(4−(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル)シラン(TPSi−F)等のシラン誘導体;9,9−ジ(4−ジカルバゾール−ベンジル)フルオレン(CPF)、3,6−ビス(トリフェニルシリル)カルバゾール(mCP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−2,2’−ジメチルビフェニル(CDBP)、N,N−ジカルバゾリル−3,5−ベンゼン(m−CP)、3−(ジフェニルホスホリル)−9−フェニル−9H−カルバゾール(PPO1)、3,6−ジ(9−カルバゾリル)−9−(2−エチルヘキシル)カルバゾール(TCz1)、9,9’−(5−(トリフェニルシリル)−1,3−フェニレン)ビス(9H−カルバゾール)(SimCP)、ビス(3,5−ジ(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル)ジフェニルシラン(SimCP2)、3−(ジフェニルホスホリル)−9−(4−ジフェニルホスホリル)フェニル)−9H−カルバゾール(PPO21)、2,2−ビス(4−カルバゾリルフェニル)−1,1−ビフェニル(4CzPBP)、3,6−ビス(ジフェニルホスホリル)−9−フェニル−9H−カルバゾール(PPO2)、9−(4−tert−ブチルフェニル)−3,6−ビス(トリフェニルシリル)−9H−カルバゾール(CzSi)、3,6−ビス[(3,5−ジフェニル)フェニル]−9−フェニル−カルバゾール(CzTP)、9−(4−tert−ブチルフェニル)−3,6−ジトリチル−9H−カルバゾール(CzC)、9−(4−tert−ブチルフェニル)−3,6−ビス(9−(4−メトキシフェニル)−9H−フルオレン−9−イル)−9H−カルバゾール(DFC)、2,2’−ビス(4−カルバゾール−9−イル)フェニル)−ビフェニル(BCBP)、9,9’−((2,6−ジフェニルベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジフラン−3,7−ジイル)ビス(4,1−フェニレン))ビス(9H−カルバゾール)(CZBDF)等のカルバゾール誘導体;4−(ジフェニルフォスフォイル)−N,N−ジフェニルアニリン(HM−A1)等のアニリン誘導体;1,3−ビス(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)ベンゼン(mDPFB)、1,4−ビス(9−フェニル−9H−フルオレン−9−イル)ベンゼン(pDPFB)、2,7−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジメチルフルオレン(DMFL−CBP)、2−[9,9−ジ(4−メチルフェニル)−フルオレン−2−イル]−9,9−ジ(4−メチルフェニル)フルオレン(BDAF)、2−(9,9−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9−スピロビフルオレン(BSBF)、9,9−ビス[4−(ピレニル)フェニル]−9H−フルオレン(BPPF)、2,2’−ジピレニル−9,9−スピロビフルオレン(Spiro−Pye)、2,7−ジピレニル−9,9−スピロビフルオレン(2,2’−Spiro−Pye)、2,7−ビス[9,9−ジ(4−メチルフェニル)−フルオレン−2−イル]−9,9−ジ(4−メチルフェニル)フルオレン(TDAF)、2,7−ビス(9,9−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9−スピロビフルオレン(TSBF)、9,9−スピロビフルオレン−2−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド(SPPO1)等のフルオレン誘導体;1,3−ジ(ピレン−1−イル)ベンゼン(m−Bpye)等のピレン誘導体;プロパン−2,2’−ジイルビス(4,1−フェニレン)ジベンゾエート(MMA1)等のベンゾエート誘導体;4,4’−ビス(ジフェニルフォスフィンオキサイド)ビフェニル(PO1)、2,8−ビス(ジフェニルフォスフォリル)ジベンゾ[b,d]チオフェン(PPT)等のフォスフィンオキサイド誘導体;4,4”−ジ(トリフェニルシリル)−p−ターフェニル(BST)等のターフェニル誘導体;2,4−ビス(フェノキシ)−6−(3−メチルジフェニルアミノ)−1,3,5−トリアジン(BPMT)等トリアジン誘導体等が挙げられる。   As the low molecular weight light emitting material (including host material) used for the light emitting layer 47, aromatic dimethylidene compounds such as 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) -biphenyl (DPVBi); 5-methyl- Oxadiazole compounds such as 2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] benzoxazole; 3- (4-biphenyl) -4-phenyl-5-t-butyl Triazole derivatives such as phenyl-1,2,4-triazole (TAZ); styrylbenzene compounds such as 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene; thiopyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, Fluorescent organic materials such as diphenoquinone derivatives and fluorenone derivatives; azomethine zinc complexes, (8- Fluoroluminescent organometallic complexes such as (roxyquinolinato) aluminum complex (Alq3); BeBq (bis (benzoquinolinolato) beryllium complex); 4,4′-bis- (2,2-di-p-tolyl-vinyl) -biphenyl (DTVBi); Tris (1,3-diphenyl-1,3-propanediono) (monophenanthroline) Eu (III) (Eu (DBM) 3 (Phen)); Diphenylethylene derivative; Tris [4- (9-phenyl) Triphenylamine derivatives such as fluoren-9-yl) phenyl] amine (TTPPA); diaminocarbazole derivatives; bisstyryl derivatives; aromatic diamine derivatives; quinacridone compounds; perylene compounds; coumarin compounds; distyrylarylene derivatives (DPVBi) An oligothiophene derivative (BMA- T); 4,4′-di (triphenylsilyl) -biphenyl (BSB), diphenyl-di (o-tolyl) silane (UGH1), 1,4-bistriphenylsilylbenzene (UGH2), 1,3-bis Silane derivatives such as (triphenylsilyl) benzene (UGH3), triphenyl- (4- (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) phenyl) silane (TPSi-F); 9,9-di (4- Dicarbazole-benzyl) fluorene (CPF), 3,6-bis (triphenylsilyl) carbazole (mCP), 4,4′-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP), 4,4′-bis ( Carbazol-9-yl) -2,2′-dimethylbiphenyl (CDBP), N, N-dicarbazolyl-3,5-benzene (m-CP), 3- (diphenyl) Enylphosphoryl) -9-phenyl-9H-carbazole (PPO1), 3,6-di (9-carbazolyl) -9- (2-ethylhexyl) carbazole (TCz1), 9,9 ′-(5- (triphenylsilyl) ) -1,3-phenylene) bis (9H-carbazole) (SimCP), bis (3,5-di (9H-carbazol-9-yl) phenyl) diphenylsilane (SimCP2), 3- (diphenylphosphoryl) -9 -(4-Diphenylphosphoryl) phenyl) -9H-carbazole (PPO21), 2,2-bis (4-carbazolylphenyl) -1,1-biphenyl (4CzPBP), 3,6-bis (diphenylphosphoryl)- 9-phenyl-9H-carbazole (PPO2), 9- (4-tert-butylphenyl) -3,6-bis ( Riphenylsilyl) -9H-carbazole (CzSi), 3,6-bis [(3,5-diphenyl) phenyl] -9-phenyl-carbazole (CzTP), 9- (4-tert-butylphenyl) -3, 6-ditrityl-9H-carbazole (CzC), 9- (4-tert-butylphenyl) -3,6-bis (9- (4-methoxyphenyl) -9H-fluoren-9-yl) -9H-carbazole ( DFC), 2,2′-bis (4-carbazol-9-yl) phenyl) -biphenyl (BCBP), 9,9 ′-((2,6-diphenylbenzo [1,2-b: 4,5- b ′] carbazole derivatives such as difuran-3,7-diyl) bis (4,1-phenylene)) bis (9H-carbazole) (CZBDF); 4- (diphenylphosphoyl) Aniline derivatives such as -N, N-diphenylaniline (HM-A1); 1,3-bis (9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) benzene (mDPFB), 1,4-bis (9-phenyl- 9H-fluoren-9-yl) benzene (pDPFB), 2,7-bis (carbazol-9-yl) -9,9-dimethylfluorene (DMFL-CBP), 2- [9,9-di (4-methyl) Phenyl) -fluoren-2-yl] -9,9-di (4-methylphenyl) fluorene (BDAF), 2- (9,9-spirobifluoren-2-yl) -9,9-spirobifluorene ( BSBF), 9,9-bis [4- (pyrenyl) phenyl] -9H-fluorene (BPPF), 2,2′-dipyrenyl-9,9-spirobifluorene (Spiro-Pye), 2,7 -Dipyrenyl-9,9-spirobifluorene (2,2'-Spiro-Pye), 2,7-bis [9,9-di (4-methylphenyl) -fluoren-2-yl] -9,9- Di (4-methylphenyl) fluorene (TDAF), 2,7-bis (9,9-spirobifluoren-2-yl) -9,9-spirobifluorene (TSBF), 9,9-spirobifluorene- Fluorene derivatives such as 2-yl-diphenyl-phosphine oxide (SPPO1); pyrene derivatives such as 1,3-di (pyren-1-yl) benzene (m-Bpye); propane-2,2′-diylbis (4 , 1-phenylene) dibenzoate (MMA1) and the like; 4,4′-bis (diphenylphosphine oxide) biphenyl (PO1), 2,8-bis (di) Phosphine oxide derivatives such as phenylphosphoryl) dibenzo [b, d] thiophene (PPT); terphenyl derivatives such as 4,4 ″ -di (triphenylsilyl) -p-terphenyl (BST); 2,4 Examples include triazine derivatives such as -bis (phenoxy) -6- (3-methyldiphenylamino) -1,3,5-triazine (BPMT).

発光層47に用いられる高分子発光材料としては、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP)、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PPP−NEt3+)、ポリ[2−(2’−エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF)等のポリスピロ誘導体;ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。   Polymer light emitting materials used for the light emitting layer 47 include poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) (DO-PPP), poly [2,5-bis- [2- (N, N, N-triethyl). Ammonium) ethoxy] -1,4-phenyl-alt-1,4-phenyllene] dibromide (PPP-NEt3 +), poly [2- (2′-ethylhexyloxy) -5-methoxy-1,4-phenylenevinylene ] (MEH-PPV), poly [5-methoxy- (2-propanoxysulfonide) -1,4-phenylenevinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis- (hexyloxy) -1 , 4-phenylene- (1-cyanovinylene)] (CN-PPV), etc .; poly (9,9-dioctylfluorene) (PDAF), etc. B derivatives; poly (N- vinylcarbazole) (PVK) carbazole derivatives such like.

有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。   The organic light emitting material is preferably a low molecular light emitting material, and a phosphorescent material having high light emission efficiency is preferably used from the viewpoint of reducing power consumption.

発光層47に用いられる発光性のドーパントとしては、有機EL素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようなドーパントとしては、紫外発光材料であれば、p−クォーターフェニル、3,5,3,5−テトラ−tert−ブチルセクシフェニル、3,5,3,5−テトラ−tert−ブチル−p−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料;ビス[(4,6−ジフルオロフェニル)−ピリジナト−N,C2’]ピコリネート イリジウム(III)(FIrpic)、ビス(4’,6’−ジフルオロフェニルポリジナト)テトラキス(1−ピラゾイル)ボレート イリジウム(III)(FIr)等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス(2−フェニルピリジナート)イリジウム(Ir(ppy))等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
発光層47の膜厚は、5nm〜500nmであることが好ましい。
As a luminescent dopant used for the light emitting layer 47, a well-known dopant for organic EL elements can be used. Examples of such a dopant include p-quaterphenyl, 3,5,3,5-tetra-tert-butylsecphenyl, 3,5,3,5-tetra-tert-butyl-p in the case of an ultraviolet light emitting material. -Fluorescent materials such as quinckphenyl. Further, in the case of a blue light emitting material, a fluorescent light emitting material such as a styryl derivative; bis [(4,6-difluorophenyl) -pyridinato-N, C2 ′] picolinate iridium (III) (FIrpic), bis (4 ′, 6 Examples include phosphorescent organic metal complexes such as' -difluorophenylpolydinato) tetrakis (1-pyrazoyl) borate iridium (III) (FIr 6 ). In addition, a phosphorescent organic metal complex such as tris (2-phenylpyridinate) iridium (Ir (ppy) 3 ) may be used as a green light emitting material.
The thickness of the light emitting layer 47 is preferably 5 nm to 500 nm.

電子輸送層48の材料としては、例えば、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の低分子材料;ポリ(オキサジアゾール)(Poly−OXZ)、ポリスチレン誘導体(PSS)等の高分子材料が挙げられる。   Examples of the material of the electron transport layer 48 include n-type semiconductor inorganic materials, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, thiopyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, fluorenone derivatives, and the like. Molecular materials; polymer materials such as poly (oxadiazole) (Poly-OXZ) and polystyrene derivatives (PSS) can be used.

電子注入層49は、第2電極43から効率良く電子を受け取り、電子輸送層48へ効率良く受け渡すために設けられている。電子注入層49の材料としては、例えば、フッ化リチウム(LiF)やフッ化バリウム(BaF)等のフッ化物、酸化リチウム(LiO)等の酸化物等が挙げられる。 The electron injection layer 49 is provided in order to efficiently receive electrons from the second electrode 43 and transfer them efficiently to the electron transport layer 48. Examples of the material of the electron injection layer 49 include fluorides such as lithium fluoride (LiF) and barium fluoride (BaF 2 ), and oxides such as lithium oxide (Li 2 O).

電子の注入、輸送をより効率よく行うために、電子注入層49に用いる材料は、電子輸送層48に用いられる材料よりもLUMOレベルが高いものが好ましい。また、電子輸送層48に用いる材料は、電子注入層49に用いられる材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。   In order to perform electron injection and transport more efficiently, the material used for the electron injection layer 49 preferably has a higher LUMO level than the material used for the electron transport layer 48. The material used for the electron transport layer 48 is preferably a material having a higher electron mobility than the material used for the electron injection layer 49.

なお、有機EL層41の構成はこれに限らず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、正孔輸送層/発光層/電子輸送層の構成や、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の構成、正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロッキング層/発光層/正孔ブロッキング層/電子注入層の構成にすることもできる。   Note that the configuration of the organic EL layer 41 is not limited to this, and can be appropriately set as necessary. For example, hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer configuration, hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer configuration, hole injection layer / hole transport layer / An electron blocking layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron injection layer can also be used.

有機EL層41を構成している各層の形成方法には、真空蒸着法等のドライプロセスや、ドクターブレード法、ディップコート法、マイクログラビア法、スプレー法、インクジェット法、印刷法等のウエットプロセスを用いることができる。ウエットプロセスでは、有機EL層41等に対する酸素や水分による影響を考慮すると、不活性ガス雰囲気下や真空条件下で処理するのが好ましい。また、各層の形成後には、溶媒を除去するために加熱等による乾燥処理を行うのが好ましい。その際、乾燥処理は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましく、減圧下で行うのがより好ましい。   The formation method of each layer constituting the organic EL layer 41 includes a dry process such as a vacuum evaporation method, and a wet process such as a doctor blade method, a dip coating method, a micro gravure method, a spray method, an ink jet method, and a printing method. Can be used. In the wet process, in consideration of the influence of oxygen and moisture on the organic EL layer 41 and the like, the treatment is preferably performed in an inert gas atmosphere or in a vacuum condition. Moreover, after forming each layer, it is preferable to perform a drying process by heating or the like in order to remove the solvent. In that case, it is preferable to perform a drying process in inert gas atmosphere, and it is more preferable to carry out under reduced pressure.

封止層17は、基板11の一方の面11a上に設けられた複数の有機EL素子40を封止するものである。封止層17は、第1バンク16と第1バンク16によって区画された有機EL素子40との表面を覆うようにして形成されている。封止層17により、外部から有機EL素子40内へ酸素や水分や混入するのを防止することができ、ひいては、有機EL素子40の寿命を向上させることができる。   The sealing layer 17 seals the plurality of organic EL elements 40 provided on the one surface 11 a of the substrate 11. The sealing layer 17 is formed so as to cover the surfaces of the first bank 16 and the organic EL element 40 partitioned by the first bank 16. By the sealing layer 17, it is possible to prevent oxygen, moisture, and mixing into the organic EL element 40 from the outside. As a result, the life of the organic EL element 40 can be improved.

封止層17の形成方法としては、例えば、EB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等を挙げることができる。また、封止層17の材料としては、有機物であればフタロシアニン等が挙げられ、無機物であればSiONやSiO、SiN等が挙げられる。   Examples of the method for forming the sealing layer 17 include EB vapor deposition, sputtering, ion plating, and resistance heating vapor deposition. Moreover, as a material of the sealing layer 17, if it is an organic substance, a phthalocyanine etc. will be mentioned, and if it is an inorganic substance, SiON, SiO, SiN etc. will be mentioned.

「封止基板(波長変換基板)」
封止基板(波長変換基板)20は、透明基板21と、透明基板21上に形成されたカラーフィルター層(色調整層)22と、色変換層(波長変換層)23と、第2バンク25とを有して構成されている。
"Encapsulation substrate (wavelength conversion substrate)"
The sealing substrate (wavelength conversion substrate) 20 includes a transparent substrate 21, a color filter layer (color adjustment layer) 22 formed on the transparent substrate 21, a color conversion layer (wavelength conversion layer) 23, and a second bank 25. And is configured.

透明基板21としては、特に限定されるものではないが、従来の有機EL表示装置で使用される光透過性を有する基板が用いられる。透明基板21の材料としては、例えば、透明無機ガラス基板、各種透明プラスチック基板、各種透明フィルム等が挙げられる。   Although it does not specifically limit as the transparent substrate 21, The board | substrate which has the light transmittance used with the conventional organic EL display apparatus is used. Examples of the material of the transparent substrate 21 include a transparent inorganic glass substrate, various transparent plastic substrates, and various transparent films.

第2バンク25は、サブ画素S同士の間に形成されるもので、透明基板21の一方の面21aのうち、カラーフィルター層22の赤色画素部S(R)、緑色画素部S(G)、青色画素部S(B)の間に形成されている。
具体的に、第2バンク25は、透明基板21に対向する第1端面25aと、第1端面25aに対向して第1端面25aの面積よりも小さい面積を有する第2端面25bと、側面25cと、を有した順テーパー形状となっている。ここで、「順テーパー形状」とは、透明基板21から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。
The second bank 25 is formed between the sub-pixels S, and the red pixel portion S (R) and the green pixel portion S (G) of the color filter layer 22 on one surface 21a of the transparent substrate 21. Are formed between the blue pixel portions S (B).
Specifically, the second bank 25 includes a first end face 25a facing the transparent substrate 21, a second end face 25b facing the first end face 25a and having an area smaller than the area of the first end face 25a, and a side face 25c. And a forward tapered shape. Here, the “forward taper shape” refers to a taper shape whose cross-sectional shape becomes narrower in a direction away from the transparent substrate 21.

第2バンク25の材料としては有機樹脂を用いることができる。第2バンク25の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。第2バンク25の膜厚は、色変換層23をインクジェット塗布法で形成する際に色変換層材料が所定のサブ画素領域外にあふれるのを防止できる層厚であることが好ましい。   An organic resin can be used as the material of the second bank 25. As a method of forming the second bank 25, a coating method can be used, and it is particularly preferable to use a photo process. The film thickness of the second bank 25 is preferably a layer thickness that can prevent the color conversion layer material from overflowing outside a predetermined sub-pixel region when the color conversion layer 23 is formed by the ink jet coating method.

カラーフィルター層22は、特定の波長の発光を得るもので、それ以外の波長の光を削減する機能を有する。
カラーフィルター層22は、透明基板21の一方の面21aに形成された、赤色カラーフィルター22R、緑色カラーフィルター22G、青色カラーフィルター22Bを有する。赤色カラーフィルター22Rにより赤色画素部S(R)が設定され、緑色カラーフィルター22Gにより緑色画素部S(G)が設定され、青色カラーフィルター22Bにより青色画素部S(B)が設定されることになる。
本実施形態におけるカラーフィルター層22は、色変換層23よりも低い屈折率を有する。
The color filter layer 22 obtains light having a specific wavelength and has a function of reducing light having other wavelengths.
The color filter layer 22 includes a red color filter 22R, a green color filter 22G, and a blue color filter 22B formed on one surface 21a of the transparent substrate 21. The red color filter 22R sets the red pixel portion S (R), the green color filter 22G sets the green pixel portion S (G), and the blue color filter 22B sets the blue pixel portion S (B). Become.
The color filter layer 22 in this embodiment has a lower refractive index than the color conversion layer 23.

第2バンク25は、その全体または表面(第1端面25a、第2端面25b、側面25c)が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。   The second bank 25 is preferably made of a heat conductive material or a heat radiating material in its entirety or on the surface (first end surface 25a, second end surface 25b, side surface 25c).

熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、第1バンク16と同様の材料が用いられる。   As the heat conductive material or the heat radiation material, the same material as that of the first bank 16 is used.

第2バンク25の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、第2バンク25の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
第2バンク25の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長(CVD)法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
When the surface of the second bank 25 is made of a heat conductive material or a heat radiating material, a thin film made of a heat conductive material or a heat radiating material is provided on the surface of the second bank 25.
As a method of forming a thin film made of a heat conductive material or a heat radiative material on the surface of the second bank 25, the above-described heat conductive material or heat radiative material is used, for example, chemical vapor deposition (CVD). ) Method, dry process such as vacuum deposition, and wet process such as spin coating.

カラーフィルター層22は、特定の波長の発光を得るもので、それ以外の波長の光を削減する機能を有する。
カラーフィルター層22は、透明基板21の一方の面21aに形成された、赤色カラーフィルター22R、緑色カラーフィルター22G、青色カラーフィルター22Bを有する。赤色カラーフィルター22Rにより赤色画素部S(R)が設定され、緑色カラーフィルター22Gにより緑色画素部S(G)が設定され、青色カラーフィルター22Bにより青色画素部S(B)が設定されることになる。
本実施形態におけるカラーフィルター層22は、色変換層23よりも低い屈折率を有する。
The color filter layer 22 obtains light having a specific wavelength and has a function of reducing light having other wavelengths.
The color filter layer 22 includes a red color filter 22R, a green color filter 22G, and a blue color filter 22B formed on one surface 21a of the transparent substrate 21. The red color filter 22R sets the red pixel portion S (R), the green color filter 22G sets the green pixel portion S (G), and the blue color filter 22B sets the blue pixel portion S (B). Become.
The color filter layer 22 in this embodiment has a lower refractive index than the color conversion layer 23.

色変換層23は、入射光を吸収して、異なる波長域の光を放射する機能を有する。具体的に、色変換層23は、入射光(基板11上に搭載される複数の有機EL素子40から放出される光)の一部を吸収して波長分布変換を行い、入射光の非吸収分と変換光とを含む光(入射光とは異なる波長分布を有する光)を放出するための層である。   The color conversion layer 23 has a function of absorbing incident light and emitting light in different wavelength ranges. Specifically, the color conversion layer 23 absorbs a part of incident light (light emitted from the plurality of organic EL elements 40 mounted on the substrate 11), performs wavelength distribution conversion, and does not absorb incident light. This is a layer for emitting light including minute and converted light (light having a wavelength distribution different from that of incident light).

色変換層23は、複数種の色変換色素からなる層であり、本実施形態においては赤色蛍光体層23Rおよび緑色蛍光体層23Gを有する。赤色蛍光体層23Rおよび緑色蛍光体層23Gは、透明基板21上の第2バンク25によって区画されたサブ画素のうち、サブ画素S(R)およびサブ画素S(G)に対応する位置に選択的に設けられている。赤色蛍光体層23Rは、赤色画素部S(R)に対応する位置であって、赤色カラーフィルター22Rの表面に積層されている。緑色蛍光体層23Gは、緑色画素部S(G)に対応する位置であって、緑色カラーフィルター22Gの表面に積層されている。   The color conversion layer 23 is a layer composed of a plurality of types of color conversion dyes, and in the present embodiment, includes a red phosphor layer 23R and a green phosphor layer 23G. The red phosphor layer 23R and the green phosphor layer 23G are selected at positions corresponding to the sub pixel S (R) and the sub pixel S (G) among the sub pixels partitioned by the second bank 25 on the transparent substrate 21. Provided. The red phosphor layer 23R is laminated on the surface of the red color filter 22R at a position corresponding to the red pixel portion S (R). The green phosphor layer 23G is a position corresponding to the green pixel portion S (G) and is laminated on the surface of the green color filter 22G.

色変換色素は、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の1種類以上を用い、さらに緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の1種類以上と組み合わせてもよい。すなわち、光源として青色領域から青緑色領域の光を発光する有機EL素子40を用いる場合、有機EL素子40からの光を単なる赤色フィルタに通して赤色領域の光を得ようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないために極めて暗い出力光になってしまう。したがって、有機EL素子40からの青色領域から青緑色領域の光を、色変換層23の蛍光色素によって赤色領域の光に変換することにより、十分な強度を有する赤色領域の光の出力が可能となる。   As the color conversion dye, at least one fluorescent dye that emits fluorescence in the red region may be used, and may be combined with one or more fluorescent dyes that emit fluorescence in the green region. That is, when the organic EL element 40 that emits light from the blue region to the blue-green region is used as the light source, if the light from the organic EL device 40 is passed through a simple red filter to obtain light in the red region, The output light becomes extremely dark because there is little light of the wavelength of. Therefore, by converting the light from the blue region to the blue-green region from the organic EL element 40 into the red region light by the fluorescent dye of the color conversion layer 23, it is possible to output the red region light having sufficient intensity. Become.

一方、緑色領域の光は、赤色領域の光と同様に、有機EL素子40からの光を別の有機蛍光色素によって緑色領域の光に変換させて出力してもよい。あるいは、有機EL素子40の発光が緑色領域の光を十分に含んでいれば、有機EL素子40からの光を単に緑色フィルタを通して出力してもよい。   On the other hand, the light in the green region may be output by converting the light from the organic EL element 40 into the light in the green region by another organic fluorescent dye, similarly to the light in the red region. Alternatively, if the light emission of the organic EL element 40 sufficiently includes light in the green region, the light from the organic EL element 40 may be simply output through the green filter.

有機EL素子40から放出された光のうち、青色領域から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば、ローダミンB、ローダミン6G、ローダミン3B、ローダミン101、ローダミン110、スルホローダミン、ベーシックバイオレット11、ベーシックレッド2等のローダミン系色素、シアニン系色素、1−エチル−2−[4−(p−ジメチルアミノフェニル)−1,3−ブタジエニル〕−ピリジニウム パークロレート(ピリジン1)等のピリジン系色素、あるいは、オキサジン系色素等が挙げられる。さらに、各種染料(直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等)も蛍光性があれば使用することができる。   Among the light emitted from the organic EL element 40, the fluorescent dyes that absorb light from the blue region to the blue-green region and emit fluorescence in the red region include, for example, rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101, Rhodamine 110, sulforhodamine, basic violet 11, basic red 2 and other rhodamine dyes, cyanine dyes, 1-ethyl-2- [4- (p-dimethylaminophenyl) -1,3-butadienyl] -pyridinium perchlorate Examples thereof include pyridine dyes such as (pyridine 1) or oxazine dyes. Furthermore, various dyes (direct dyes, acid dyes, basic dyes, disperse dyes, etc.) can be used if they are fluorescent.

有機EL素子40から放出された光のうち、青色領域から青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば、3−(2’−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、3−(2’−ベンゾイミダゾリル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマリン7)、3−(2’−N−メチルベンゾイミダゾリル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマリン30)、2,3,5,6−1H,4H−テトラヒドロ−8−トリフルオロメチルキノリジン(9,9a,1−gh)クマリン(クマリン153)等のクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー51、さらには、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等のナフタルイミド系色素等が挙げられる。さらに、各種染料(直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等)も蛍光性があれば使用することができる。   Among the light emitted from the organic EL element 40, as a fluorescent dye that absorbs light in the blue region to blue-green region and emits fluorescence in the green region, for example, 3- (2′-benzothiazolyl) -7-diethylamino Coumarin (coumarin 6), 3- (2′-benzimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin 7), 3- (2′-N-methylbenzimidazolyl) -7-N, N-diethylaminocoumarin (coumarin) 30), coumarin dyes such as 2,3,5,6-1H, 4H-tetrahydro-8-trifluoromethylquinolidine (9,9a, 1-gh) coumarin (coumarin 153), or coumarin dyes Some basic yellow 51, and naphthalimide dyes such as Solvent Yellow 11 and Solvent Yellow 116 are listed. It is. Furthermore, various dyes (direct dyes, acid dyes, basic dyes, disperse dyes, etc.) can be used if they are fluorescent.

なお、本実施形態に用いる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物等に予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料(以下、有機蛍光色素と有機蛍光顔料とを合わせて有機蛍光色素と総称する。)は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために2種以上を組み合わせて用いてもよい。   The organic fluorescent dyes used in the present embodiment are polymethacrylic acid ester, polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, alkyd resin, aromatic sulfonamide resin, urea resin, melamine resin, benzoguanamine resin and these. An organic fluorescent pigment may be obtained by kneading into a resin mixture or the like in advance to obtain a pigment. In addition, these organic fluorescent dyes and organic fluorescent pigments (hereinafter, organic fluorescent dyes and organic fluorescent pigments are collectively referred to as organic fluorescent dyes) may be used alone or in order to adjust the hue of fluorescence. You may use combining more than a seed.

本実施形態に用いる有機蛍光色素は、色変換層23に対して、色変換層23の質量を基準として0.01質量%〜5質量%、より好ましくは0.1質量%〜2質量%含有される。もし、有機蛍光色素の含有量が、色変換層23の質量に対して0.01質量%未満ならば、十分な波長変換を行うことができない。また、有機蛍光色素の含有量が、色変換層23の質量に対して5質量%を超えるならば、濃度消光等の効果により色変換効率の低下をもたらす。   The organic fluorescent dye used in the present embodiment contains 0.01% by mass to 5% by mass, more preferably 0.1% by mass to 2% by mass, based on the mass of the color conversion layer 23 with respect to the color conversion layer 23. Is done. If the content of the organic fluorescent dye is less than 0.01% by mass with respect to the mass of the color conversion layer 23, sufficient wavelength conversion cannot be performed. Further, if the content of the organic fluorescent dye exceeds 5% by mass with respect to the mass of the color conversion layer 23, the color conversion efficiency is lowered due to the effect of concentration quenching or the like.

本実施形態の色変換層23に用いられるマトリクス樹脂は、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂(レジスト)を、光および/または熱処理して、ラジカル種またはイオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものである。   The matrix resin used in the color conversion layer 23 of the present embodiment is polymerized or crosslinked by photocuring or photothermal combination curable resin (resist) by light and / or heat treatment to generate radical species or ion species. And insoluble and infusible.

また、パターニングに必要な色変換層23の材料としては、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を有するとともに、未露光の状態において有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶性であることが望ましい。   Moreover, as a material of the color conversion layer 23 required for patterning, it is desirable to have a photocurable or photothermal combination type curable resin and to be soluble in an organic solvent or an alkaline solution in an unexposed state.

具体的に、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂は、(1)アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物、(2)ボリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物、(3)鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物、および(4)エポキシ基を有するモノマーと酸発生剤とからなる組成物等を含む。特に(1)のアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと光または熱重合開始剤とからなる組成物が、高精細なパターニングが可能であること、および耐溶剤性、耐熱性等の信頼性が高いことから好ましい。前述したように、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂に光および/または熱を作用させて、マトリクス樹脂を形成する。   Specifically, the photocurable or photothermal combination type curable resin comprises (1) a composition comprising an acrylic polyfunctional monomer and oligomer having a plurality of acryloyl groups and methacryloyl groups, and photo or thermal polymerization initiator, (2 ) A composition comprising a polyvinylcinnamic acid ester and a sensitizer, (3) a composition comprising a chain or cyclic olefin and bisazide, and (4) a composition comprising an epoxy group-containing monomer and an acid generator, etc. including. In particular, the composition comprising the acrylic polyfunctional monomer and oligomer (1) and photo or thermal polymerization initiator is capable of high-definition patterning and has high reliability such as solvent resistance and heat resistance. To preferred. As described above, the matrix resin is formed by applying light and / or heat to the photocurable or photothermal combination type curable resin.

本実施形態で用いることができる光重合開始剤、増感剤および酸発生剤は、含まれる蛍光変換色素が吸収しない波長の光によって重合を開始させるものであることが好ましい。
色変換層23において、光硬化性を有する樹脂または光熱併用型硬化性樹脂中の樹脂が、光または熱により重合することが可能である場合には、光重合開始剤および熱重合開始剤を添加しないことも可能である。
The photopolymerization initiator, sensitizer, and acid generator that can be used in the present embodiment are preferably those that initiate polymerization by light having a wavelength that is not absorbed by the fluorescent conversion dye contained therein.
In the color conversion layer 23, when the photocurable resin or the resin in the photothermal combination curable resin can be polymerized by light or heat, a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator are added. It is also possible not to.

また、透明基板21と第2バンク25との間に、金属からなる補助電極(補助配線)26が設けられている。さらに、補助電極26に、図示しない外部電源と接続するための給電点27が、第2バンク25の第1端面25aに設けられている。   In addition, an auxiliary electrode (auxiliary wiring) 26 made of metal is provided between the transparent substrate 21 and the second bank 25. Further, a feeding point 27 for connecting to the auxiliary electrode 26 with an external power source (not shown) is provided on the first end face 25 a of the second bank 25.

補助電極26は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、Cu、Ag、Au、Pt、Al、Cr、Co、Mo等が挙げられる。
給電点27は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、銀ペーストやカーボンペースト等が挙げられる。
The auxiliary electrode 26 can be formed using a known material, and examples thereof include Cu, Ag, Au, Pt, Al, Cr, Co, and Mo.
The feeding point 27 can be formed using a known material, and examples of the material include silver paste and carbon paste.

本実施形態の有機EL表示装置100では、有機EL素子基板10の第1バンク16と、封止基板20の第2バンク25とが接続(接触)されるように、有機EL素子基板10と封止基板20とが対向して配置されている。
すなわち、図1に示すように、第1バンク16の第1端面16aと、第2バンク25の第1端面25aとが当接して、第1バンク16と第2バンク25とが接続されている。
In the organic EL display device 100 of the present embodiment, the organic EL element substrate 10 and the sealing are provided so that the first bank 16 of the organic EL element substrate 10 and the second bank 25 of the sealing substrate 20 are connected (contacted). The stop substrate 20 is disposed to face the stop substrate 20.
That is, as shown in FIG. 1, the first end face 16 a of the first bank 16 and the first end face 25 a of the second bank 25 are in contact with each other, and the first bank 16 and the second bank 25 are connected. .

有機EL素子基板10と封止基板20とは、有機EL素子基板10および封止基板20のいずれか一方の基板の周縁部に沿って配置されたシール部材31を介して貼り合わされている。   The organic EL element substrate 10 and the sealing substrate 20 are bonded together via a seal member 31 disposed along the peripheral edge of either the organic EL element substrate 10 or the sealing substrate 20.

充填層30は、有機EL素子基板10と封止基板20との間であって、シール部材31によって囲まれた空間内に設けられる。
充填層30は、透明性媒体からなる。透明性媒体としては、空気、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス、低屈折率の樹脂材料が用いられる。
The filling layer 30 is provided between the organic EL element substrate 10 and the sealing substrate 20 and in a space surrounded by the sealing member 31.
The filling layer 30 is made of a transparent medium. As the transparent medium, air, an inert gas such as nitrogen gas or argon gas, or a resin material having a low refractive index is used.

また、透明性媒体としては、イオン液体等の導電性充填剤が好ましい。イオン液体を構成するカチオンとしては、例えば、テトラアルキルアンモニウムイオン、テトラアルキルホスホニウムイオン、ジアルキルピペリジニウムイオン、ジアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルスルホニウムイオン、アルキルピリジニウムイオン等が挙げられる。
充填層30を構成する透明性媒体として導電性充填剤を用いることにより、有機EL素子40の有機EL層41で発生した熱や、TFT回路12の駆動や配線抵抗による熱を、充填層30を介して、効率よく装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。
Moreover, as a transparent medium, electroconductive fillers, such as an ionic liquid, are preferable. Examples of the cation constituting the ionic liquid include a tetraalkylammonium ion, a tetraalkylphosphonium ion, a dialkylpiperidinium ion, a dialkylimidazolium ion, a trialkylimidazolium ion, a trialkylsulfonium ion, and an alkylpyridinium ion.
By using a conductive filler as a transparent medium constituting the filling layer 30, heat generated in the organic EL layer 41 of the organic EL element 40, heat due to driving of the TFT circuit 12 and wiring resistance, Thus, it can be efficiently discharged to the outside of the device (on the transparent substrate 21 side of the sealing substrate 20).

また、イオン液体を構成するアニオンとしては、例えば、ヘキサフルオロホスファートイオン、テトラフルオロボレートイオン、メタンスルホン酸イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酸イオン、チオシアン酸イオン、ジシアナミドイオン、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン、ジブチルフォスファートイオン等が挙げられる。   Examples of the anion constituting the ionic liquid include hexafluorophosphate ion, tetrafluoroborate ion, methanesulfonate ion, chloride ion, bromide ion, acetate ion, trifluoroacid ion, thiocyanate ion, dicyanamide. Ion, bis (trifluoromethanesulfonyl) imide ion, dibutyl phosphate ion and the like.

透明な導電性充填剤としてイオン液体を用いる場合、イオン液体は、融点が常温以下であること、室温付近で低粘度の液体であること、紫外領域に吸収をもつ液体であることが好ましい。   When an ionic liquid is used as the transparent conductive filler, it is preferable that the ionic liquid has a melting point of room temperature or lower, a liquid having a low viscosity near room temperature, and a liquid having absorption in the ultraviolet region.

本実施形態の有機EL表示装置100では、有機EL素子40からの発光(励起光)が青色領域から青緑色領域の光である。青色画素部S(B)においては、有機EL素子40からの光が青色カラーフィルター22Bを透過することによって緑色の発光を削減して、色純度の高い青色の発光を得ている。緑色画素部S(G)においては、有機EL素子40からの光がまず緑色蛍光体層23Gを透過することによって略緑色に変換され、さらに緑色カラーフィルター22Gを透過することによって、略緑色に変換された光のうち青色に近い波長の光を削減して、緑色の発光を得ている。赤色画素部S(R)においては、有機EL素子40からの光がまず赤色蛍光体層23Rを透過することによって略赤色に変換され、さらに、赤色カラーフィルター22Rを透過することによって、略赤色に変換された光のうち緑色に近い波長の光を削減して、赤色の発光を得ている。   In the organic EL display device 100 of the present embodiment, light emission (excitation light) from the organic EL element 40 is light from the blue region to the blue-green region. In the blue pixel portion S (B), light emitted from the organic EL element 40 passes through the blue color filter 22B, thereby reducing green light emission and obtaining blue light emission with high color purity. In the green pixel portion S (G), the light from the organic EL element 40 is first converted to substantially green by transmitting through the green phosphor layer 23G, and further converted to approximately green by transmitting through the green color filter 22G. Of the emitted light, light having a wavelength close to blue is reduced to obtain green light emission. In the red pixel portion S (R), the light from the organic EL element 40 is first converted to substantially red by transmitting through the red phosphor layer 23R, and further converted to substantially red by transmitting through the red color filter 22R. Of the converted light, light having a wavelength close to green is reduced to obtain red light emission.

本実施形態の有機EL表示装置100によれば、第1バンク16と第2バンク25とが接続されているので、有機EL素子40の有機EL層41で発生した熱や、TFT回路12の駆動や配線抵抗による熱を効率よく装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。すなわち、有機EL層41やTFT回路12で発生した熱を、第1バンク16、第2バンク25、補助電極26および給電点27を介して、装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。よって、有機EL層41やTFT回路12で発生した熱が装置内部に滞留し、その熱により、有機EL素子40が破壊することを防止できる。   According to the organic EL display device 100 of the present embodiment, since the first bank 16 and the second bank 25 are connected, the heat generated in the organic EL layer 41 of the organic EL element 40, the driving of the TFT circuit 12, and so on. In addition, heat due to wiring resistance can be efficiently released to the outside of the device (on the transparent substrate 21 side of the sealing substrate 20). That is, the heat generated in the organic EL layer 41 and the TFT circuit 12 is transferred to the outside of the device (on the transparent substrate 21 side of the sealing substrate 20) via the first bank 16, the second bank 25, the auxiliary electrode 26 and the feeding point 27. ) Can be released. Therefore, the heat generated in the organic EL layer 41 and the TFT circuit 12 is retained in the device, and the organic EL element 40 can be prevented from being destroyed by the heat.

また、第1バンク16の全体または表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成され、かつ、第2バンク25の全体または表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されていれば、第1バンク16と第2バンク25とを電気的に接続することができるので、有機EL層41やTFT回路12で発生した熱を、より熱を効率よく装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。   Further, the whole or surface of the first bank 16 is made of a heat conductive material or a heat radiating material, and the whole or surface of the second bank 25 is made of a heat conductive material or a heat radiating material. Then, the first bank 16 and the second bank 25 can be electrically connected, so that the heat generated in the organic EL layer 41 and the TFT circuit 12 can be more efficiently transferred outside the device (sealing substrate). 20 transparent substrate 21 side).

なお、本実施形態では、全ての第1バンク16と第2バンク25とが電気的に接続されている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、第1バンク16と第2バンク25とが少なくとも1箇所で電気的に接続されていればよい。第1バンク16と第2バンク25とが電気的に接続する箇所の数は、有機EL表示装置100の大きさ等に応じて適宜調整される。すなわち、有機EL層41やTFT回路12で発生する熱量に応じて、第1バンク16と第2バンク25とが電気的に接続する箇所の数は、適宜調整される。   In the present embodiment, the case where all the first banks 16 and the second banks 25 are electrically connected is illustrated, but the present embodiment is not limited to this. In the present embodiment, it is only necessary that the first bank 16 and the second bank 25 are electrically connected at least at one location. The number of locations where the first bank 16 and the second bank 25 are electrically connected is appropriately adjusted according to the size of the organic EL display device 100 and the like. That is, the number of locations where the first bank 16 and the second bank 25 are electrically connected is appropriately adjusted according to the amount of heat generated in the organic EL layer 41 and the TFT circuit 12.

[第2実施形態]
図3は、本発明の第2実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図3において、図1に示した有機EL表示装置100と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置110が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点である。
[Second Embodiment]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG.
The organic EL display device 110 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that a reflective film 111 is provided on the side surface 16c of the first bank 16.

第1バンク16の側面16cに反射膜111を設けることにより、有機EL素子40からの等方発光のうち、側面方向へ発光(有機EL素子40を通しての導波成分)して、封止基板20側に取り出すことができない発光の損失成分を、反射膜111により、所望の画素内に反射、散乱させることで、発光を有効利用することができるようになり、所望の画素以外への発光の漏れによる色純度の低下を防止することができる。   By providing the reflective film 111 on the side surface 16 c of the first bank 16, among the isotropic light emission from the organic EL element 40, light is emitted in the side surface direction (waveguide component through the organic EL element 40), and the sealing substrate 20. The loss component of light emission that cannot be extracted to the side is reflected and scattered in the desired pixel by the reflection film 111, so that the light emission can be used effectively, and the light emission leaks to other than the desired pixel. It is possible to prevent a decrease in color purity due to.

反射膜111を形成する材料としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属等の反射膜、酸化チタン等の散乱膜が挙げられる。
第1バンク16の側面16cに反射膜111を形成する方法としては、例えば、化学気相成長(CVD)法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
The material for forming the reflective film 111 is not particularly limited, and examples thereof include a reflective film such as a metal such as gold, silver, and aluminum, and a scattering film such as titanium oxide.
Examples of the method for forming the reflective film 111 on the side surface 16c of the first bank 16 include a dry process such as a chemical vapor deposition (CVD) method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method.

なお、本実施形態では、第1バンク16の側面16cに反射膜111が設けられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、第2バンク25の側面25cにも、反射膜111と同様の材料からなる反射膜が設けられていてもよい。   In the present embodiment, the case where the reflective film 111 is provided on the side surface 16c of the first bank 16 is illustrated, but the present embodiment is not limited to this. In the present embodiment, a reflective film made of the same material as that of the reflective film 111 may also be provided on the side surface 25 c of the second bank 25.

[第3実施形態]
図4は、本発明の第3実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図4において、図1に示した有機EL表示装置100と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置120が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が、透明基板21に対向する第1端面25aとは反対側の第2端面25bの面積が、透明基板21に対向する第1端面25aの面積よりも大きい、逆テーパー形状となっている点である。ここで、「逆テーパー形状」とは、透明基板21から離れる方向に断面形状が太くなるテーパー形状のことをいう。
[Third Embodiment]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG.
The organic EL display device 120 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 is different from the first end surface 25a facing the transparent substrate 21. Is that the area of the second end face 25 b on the opposite side is larger than the area of the first end face 25 a facing the transparent substrate 21, and has an inversely tapered shape. Here, the “reverse taper shape” refers to a taper shape whose cross-sectional shape becomes thicker in a direction away from the transparent substrate 21.

封止基板20の第2バンク25の形状を逆テーパー形状とすることにより、有機EL素子40からの発光が、封止基板20の色変換層23に入射して、色変換層23で波長変換された光を、透明基板21側へ効果的に出射(伝搬)することができる。   By making the shape of the second bank 25 of the sealing substrate 20 into an inversely tapered shape, light emitted from the organic EL element 40 enters the color conversion layer 23 of the sealing substrate 20 and is converted in wavelength by the color conversion layer 23. The emitted light can be effectively emitted (propagated) to the transparent substrate 21 side.

[第4実施形態]
図5は、本発明の第4実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図5において、図1に示した有機EL表示装置100と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置130が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、および、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG.
The organic EL display device 130 according to the present embodiment is different from the organic EL display device 100 according to the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has a reverse taper shape and is sealed. The reflection film 131 is provided on the side surface 25c of the second bank 25 of the stop substrate 20.

第2バンク25の側面25cに反射膜131を設けることにより、色変換層23(赤色蛍光体層23R、緑色蛍光体層23G)からの等方発光のうち、側面方向へ発光(色変換層23を通しての導波成分)して、透明基板21側に取り出すことができない発光の損失成分を、反射膜131により、所望の画素内に反射、散乱させることで、発光を有効利用することができるようになり、所望の画素以外への発光の漏れによる色純度の低下を防止することができる。また、色変換層23からの発光を、各画素内に反射させることができるようになり、色変換層23からの発光を有効利用できるので、発光効率を向上することができるとともに、消費電力を低下させることができる。   By providing the reflective film 131 on the side surface 25c of the second bank 25, light emission in the side surface direction (color conversion layer 23) isotropic light emission from the color conversion layer 23 (red phosphor layer 23R, green phosphor layer 23G). The loss component of light emission that cannot be extracted to the transparent substrate 21 side is reflected and scattered in a desired pixel by the reflective film 131 so that the light emission can be used effectively. Thus, it is possible to prevent a decrease in color purity due to leakage of light emission to other than the desired pixel. In addition, the light emitted from the color conversion layer 23 can be reflected in each pixel, and the light emission from the color conversion layer 23 can be used effectively, so that the light emission efficiency can be improved and the power consumption can be reduced. Can be reduced.

反射膜131を形成する材料としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属等の反射膜、酸化チタン等の散乱膜が挙げられる。
第2バンク25の側面25cに反射膜131を形成する方法としては、例えば、化学気相成長(CVD)法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。
A material for forming the reflective film 131 is not particularly limited, and examples thereof include a reflective film made of metal such as gold, silver, and aluminum, and a scattering film made of titanium oxide.
Examples of the method for forming the reflective film 131 on the side surface 25c of the second bank 25 include a dry process such as a chemical vapor deposition (CVD) method and a vacuum deposition method, and a wet process such as a spin coating method.

[第5実施形態]
図6は、本発明の第5実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図6において、図1に示した有機EL表示装置100、図3に示した有機EL表示装置110、および、図5に示した有機EL表示装置130と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置140が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点、および、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点である。
[Fifth Embodiment]
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device 110 shown in FIG. 3, and the organic EL display device 130 shown in FIG. The description is omitted.
The organic EL display device 140 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has an inversely tapered shape, the first bank The reflective film 111 is provided on the side surface 16c of the 16th and the reflective film 131 is provided on the side surface 25c of the second bank 25 of the sealing substrate 20.

[第6実施形態]
図7は、本発明の第6実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図7において、図1に示した有機EL表示装置100、図3に示した有機EL表示装置110、および、図5に示した有機EL表示装置130と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置150が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点、および、第1バンク16と第2バンク25との間に、柱状または球状の導電性スペーサー151が配設されている点である。
[Sixth Embodiment]
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the sixth embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device 110 shown in FIG. 3, and the organic EL display device 130 shown in FIG. The description is omitted.
The organic EL display device 150 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has an inversely tapered shape, the first bank 16 is provided with the reflective film 111 on the side surface 16c, the reflective film 131 is provided on the side surface 25c of the second bank 25 of the sealing substrate 20, and the first bank 16 and the second bank. 25 is a columnar or spherical conductive spacer 151.

導電性スペーサー151としては、金メッキしたシリカビーズや、球状または柱状の金属粒子が用いられる。安全性および導電性が高ければ、何を用いてもよい。   As the conductive spacer 151, gold-plated silica beads or spherical or columnar metal particles are used. Anything may be used as long as safety and conductivity are high.

第1バンク16と第2バンク25との間、すなわち、第1バンク16の第2端面16bと第2バンク25の第2端面25bとの間に導電性スペーサー151が配設されていることにより、第1バンク16と第2バンク25とを確実に接続することができる。例えば、有機EL素子基板10と封止基板20とを対向して配設したとき、第1バンク16と第2バンク25との間に隙間があったとしても、導電性スペーサー151を配置することにより、第1バンク16と第2バンク25とを確実に接続することができる。特に、第1バンク16および第2バンク25が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されている場合、第1バンク16と第2バンク25との間に導電性スペーサー151を配設することにより、第1バンク16と第2バンク25とを確実に電気的に接続することができる。これにより、有機EL層41やTFT回路12で発生した熱を、より熱を効率よく装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。   The conductive spacer 151 is disposed between the first bank 16 and the second bank 25, that is, between the second end face 16b of the first bank 16 and the second end face 25b of the second bank 25. The first bank 16 and the second bank 25 can be reliably connected. For example, when the organic EL element substrate 10 and the sealing substrate 20 are disposed to face each other, the conductive spacer 151 is disposed even if there is a gap between the first bank 16 and the second bank 25. Thus, the first bank 16 and the second bank 25 can be reliably connected. In particular, when the first bank 16 and the second bank 25 are made of a heat conductive material or a heat radiation material, a conductive spacer 151 is disposed between the first bank 16 and the second bank 25. As a result, the first bank 16 and the second bank 25 can be reliably electrically connected. Thereby, the heat generated in the organic EL layer 41 and the TFT circuit 12 can be more efficiently released to the outside of the device (on the transparent substrate 21 side of the sealing substrate 20).

[第7実施形態]
図8は、本発明の第7実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図8において、図1に示した有機EL表示装置100、図3に示した有機EL表示装置110、および、図5に示した有機EL表示装置130と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置160が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点、および、第1バンク16と第2バンク25との間に、金属細線161が配設されている点である。
[Seventh Embodiment]
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the seventh embodiment of the present invention. 8, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device 110 shown in FIG. 3, and the organic EL display device 130 shown in FIG. The description is omitted.
The organic EL display device 160 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has an inversely tapered shape, the first bank 16 is provided with the reflective film 111 on the side surface 16c, the reflective film 131 is provided on the side surface 25c of the second bank 25 of the sealing substrate 20, and the first bank 16 and the second bank. 25, a metal fine wire 161 is disposed.

金属細線161としては、Au、Pt、Cu、Ni、Cr、Al等が用いられる。   As the metal thin wire 161, Au, Pt, Cu, Ni, Cr, Al, or the like is used.

第1バンク16と第2バンク25との間、すなわち、第1バンク16の第2端面16bと第2バンク25の第2端面25bとの間に金属細線161が配設されていることにより、第1バンク16と第2バンク25とを確実に接続することができる。例えば、有機EL素子基板10と封止基板20とを対向して配設したとき、第1バンク16と第2バンク25との間に隙間があったとしても、金属細線161を配置することにより、第1バンク16と第2バンク25とを確実に接続することができる。特に、第1バンク16および第2バンク25が熱伝導性の材料または熱放射性の材料から構成されている場合、第1バンク16と第2バンク25との間に金属細線161を配設することにより、第1バンク16と第2バンク25とを確実に電気的に接続することができる。これにより、有機EL層41やTFT回路12で発生した熱を、より熱を効率よく装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。   By arranging the fine metal wire 161 between the first bank 16 and the second bank 25, that is, between the second end face 16b of the first bank 16 and the second end face 25b of the second bank 25, The first bank 16 and the second bank 25 can be reliably connected. For example, when the organic EL element substrate 10 and the sealing substrate 20 are disposed to face each other, even if there is a gap between the first bank 16 and the second bank 25, by arranging the metal thin wire 161, The first bank 16 and the second bank 25 can be reliably connected. In particular, when the first bank 16 and the second bank 25 are made of a heat conductive material or a heat radiation material, the fine metal wires 161 are disposed between the first bank 16 and the second bank 25. Thus, the first bank 16 and the second bank 25 can be reliably electrically connected. Thereby, the heat generated in the organic EL layer 41 and the TFT circuit 12 can be more efficiently released to the outside of the device (on the transparent substrate 21 side of the sealing substrate 20).

[第8実施形態]
図9は、本発明の第8実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図9において、図1に示した有機EL表示装置100、図3に示した有機EL表示装置110、および、図5に示した有機EL表示装置130と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置170が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点、および、第1バンク16に、その第2端面16bを基端とし、第1端面16a側に延在する給電点171が設けられ、その給電点171とTFT回路12とが、導電体172,173を介して、外部電源180と接続されている点である。
[Eighth Embodiment]
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the eighth embodiment of the present invention. 9, the same components as those of the organic EL display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device 110 shown in FIG. 3, and the organic EL display device 130 shown in FIG. The description is omitted.
The organic EL display device 170 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has an inversely tapered shape, the first bank The reflective film 111 is provided on the side surface 16c of the 16th side, the reflective film 131 is provided on the side surface 25c of the second bank 25 of the sealing substrate 20, and the first bank 16 includes the first side thereof. A feeding point 171 is provided with the two end face 16b as a base end and extending toward the first end face 16a. The feeding point 171 and the TFT circuit 12 are connected to an external power source 180 via conductors 172 and 173. It is a point.

[第9実施形態]
図10は、本発明の第9実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図10において、図1に示した有機EL表示装置100、図3に示した有機EL表示装置110、図5に示した有機EL表示装置130、および、図9に示した有機EL表示装置170と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置190が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点、第1バンク16に、その第2端面16bを基端とし、第1端面16a側に延在する給電点171が設けられ、その給電点171とTFT回路12とが、導電体172,173を介して、外部電源180と接続されている点、および、第2バンク25に、その第1端面25a側から第2端面25b側に延在する金属細線191が設けられ、その金属細線191に、透明基板21と第2バンク25との間に配設されたメッシュ状の金属細線192が接続されている点である。
また、第1バンク16の給電点から第2バンク25を通じて、金属細線191,192に電流がリーク(漏洩)することを防ぐために、第2バンク25は絶縁体であることが好ましい。
[Ninth Embodiment]
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the ninth embodiment of the present invention. 10, the organic EL display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device 110 shown in FIG. 3, the organic EL display device 130 shown in FIG. 5, and the organic EL display device 170 shown in FIG. The same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
The organic EL display device 190 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has an inversely tapered shape, the first bank 16 is provided with a reflective film 111 on the side surface 16c, is provided with a reflective film 131 on the side surface 25c of the second bank 25 of the sealing substrate 20, and has a second end face on the first bank 16. A feeding point 171 is provided with 16b as a base end and extending toward the first end face 16a. The feeding point 171 and the TFT circuit 12 are connected to an external power source 180 via conductors 172 and 173. The thin metal wire 191 extending from the first end surface 25 a side to the second end surface 25 b side is provided on the point and the second bank 25, and the thin metal wire 191 is provided between the transparent substrate 21 and the second bank 25. Installed in In that Interview shaped metal thin wire 192 is connected.
The second bank 25 is preferably an insulator in order to prevent current from leaking to the thin metal wires 191 and 192 from the feeding point of the first bank 16 through the second bank 25.

透明基板21と第2バンク25との間に、メッシュ状の金属細線192が配設されていることにより、有機EL素子40の有機EL層41で発生した熱や、TFT回路12の駆動や配線抵抗による熱を、第1バンク16、第2バンク25、充填層30、金属細線191を介して、金属細線192に伝道し、金属細線192から、装置の外部(封止基板20の透明基板21側)に放出することができる。   Since the mesh-shaped fine metal wire 192 is disposed between the transparent substrate 21 and the second bank 25, heat generated in the organic EL layer 41 of the organic EL element 40, driving of the TFT circuit 12, and wiring Heat generated by the resistance is transmitted to the fine metal wire 192 through the first bank 16, the second bank 25, the filling layer 30, and the fine metal wire 191, and the metal fine wire 192 is connected to the outside of the device (the transparent substrate 21 of the sealing substrate 20). Side).

[第10実施形態]
図11は、本発明の第10実施形態である有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。図11において、図1に示した有機EL表示装置100、図3に示した有機EL表示装置110、図5に示した有機EL表示装置130、および、図9に示した有機EL表示装置170と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
本実施形態の有機EL表示装置200が、上述の第1実施形態の有機EL表示装置100と異なる点は、封止基板20の第2バンク25が逆テーパー形状となっている点、第1バンク16の側面16cに、反射膜111が設けられている点、封止基板20の第2バンク25の側面25cに、反射膜131が設けられている点、および、第2バンク25に、その第2端面25bを基端とし、第1端面25a側に延在する給電点201が設けられ、その給電点201とTFT回路12とが、導電体172,173を介して、外部電源180と接続されている点である。
[Tenth embodiment]
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the tenth embodiment of the present invention. 11, the organic EL display device 100 shown in FIG. 1, the organic EL display device 110 shown in FIG. 3, the organic EL display device 130 shown in FIG. 5, and the organic EL display device 170 shown in FIG. The same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
The organic EL display device 200 of the present embodiment is different from the organic EL display device 100 of the first embodiment described above in that the second bank 25 of the sealing substrate 20 has an inversely tapered shape, the first bank The reflective film 111 is provided on the side surface 16c of the sixteenth surface, the reflective film 131 is provided on the side surface 25c of the second bank 25 of the sealing substrate 20, and the second bank 25 is provided with the first film. A feeding point 201 is provided with the second end face 25b as a base end and extending toward the first end face 25a. The feeding point 201 and the TFT circuit 12 are connected to an external power source 180 via conductors 172 and 173. It is a point.

なお、第1〜第10実施形態では、封止基板20の全ての第2バンク25の高さが等しい場合を例示したが、第1〜第10実施形態はこれに限定されない。第1〜第10実施形態にあっては、第2バンク25の高さを、部分的に異ならせてもよい。このようにすれば、第1バンク16と第2バンク25の間に、部分的に隙間を形成することができるので、充填剤を介して、有機EL素子基板10と波長変換基板20とを貼り合せるとき、その充填剤を、有機EL素子基板10の全面および波長変換基板20の全面に十分に拡張させることができるため、有機EL素子基板10と波長変換基板20の間の距離(間隔)を小さくすることができる。これにより、第1バンク16と第2バンク25を接続し易くなる。   In the first to tenth embodiments, the case where all the second banks 25 of the sealing substrate 20 are equal in height is illustrated, but the first to tenth embodiments are not limited to this. In the first to tenth embodiments, the height of the second bank 25 may be partially different. In this way, a gap can be partially formed between the first bank 16 and the second bank 25, so that the organic EL element substrate 10 and the wavelength conversion substrate 20 are pasted via the filler. When combining, the filler can be sufficiently expanded over the entire surface of the organic EL element substrate 10 and the entire surface of the wavelength conversion substrate 20, so that the distance (interval) between the organic EL element substrate 10 and the wavelength conversion substrate 20 is increased. Can be small. Thereby, it becomes easy to connect the first bank 16 and the second bank 25.

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に利用可能である。   The present invention is applicable to an organic electroluminescence display device.

10・・・有機EL素子基板、11・・・基板、12・・・TFT回路、13・・・層間絶縁膜、14・・・平坦化膜、15・・・アクティブマトリクス基板、16・・・第1バンク、17・・・封止層、20・・・封止基板(波長変換基板)、21・・・透明基板、22・・・カラーフィルター層、23・・・色変換層(波長変換層)、24・・・画素、25・・・第2バンク、26・・・補助電極、27,171,201・・・給電点、30・・・充填層、31・・・シール部材、40・・・有機EL素子、41・・・有機EL層、42・・・第1電極、43・・・第2電極、44・・・正孔注入層、45・・・正孔輸送層、46・・・電子ブロッキング層、47・・・発光層、48・・・電子輸送層、49・・・電子注入層、100,110,120,130,140,150,160,170,190,200・・・有機エレクトロルミネッセンス表示装置(有機EL表示装置)、111,131・・・反射膜、151・・・導電性スペーサー、161,191,192・・・金属細線、172,173・・・導電体、180・・・外部電源。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL element substrate, 11 ... Substrate, 12 ... TFT circuit, 13 ... Interlayer insulating film, 14 ... Planarization film, 15 ... Active matrix substrate, 16 ... 1st bank, 17 ... sealing layer, 20 ... sealing substrate (wavelength conversion substrate), 21 ... transparent substrate, 22 ... color filter layer, 23 ... color conversion layer (wavelength conversion) Layer), 24 ... pixel, 25 ... second bank, 26 ... auxiliary electrode, 27, 171, 201 ... feeding point, 30 ... filling layer, 31 ... sealing member, 40 ... Organic EL element, 41 ... Organic EL layer, 42 ... First electrode, 43 ... Second electrode, 44 ... Hole injection layer, 45 ... Hole transport layer, 46 ... Electron blocking layer, 47 ... Light emitting layer, 48 ... Electron transport layer, 49 ... Electron injection layer, 100, 10, 120, 130, 140, 150, 160, 170, 190, 200 ... organic electroluminescence display device (organic EL display device), 111, 131 ... reflective film, 151 ... conductive spacer, 161 , 191, 192 ... fine metal wires, 172, 173 ... conductors, 180 ... external power source.

Claims (12)

基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第1バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、
透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第2バンクと、を有する封止基板と、を備え、
前記第1バンクと前記第2バンクとが少なくとも1箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、
前記透明基板と前記第2バンクとの間に、金属からなる補助電極が設けられ、前記補助電極に、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
An organic electroluminescence device comprising a substrate, an organic electroluminescence device formed on one surface of the substrate, and a plurality of first banks formed on one surface of the substrate and partitioning the organic electroluminescence device A substrate,
A transparent substrate, a color conversion layer formed on one surface of the transparent substrate, and a plurality of second banks formed on one surface side of the transparent substrate and partitioning the transparent substrate into a plurality of regions. A sealing substrate having,
The organic electroluminescence element substrate and the sealing substrate are disposed to face each other so that the first bank and the second bank are connected to at least one place.
An organic electroluminescence display device, wherein an auxiliary electrode made of metal is provided between the transparent substrate and the second bank, and a feeding point for connecting to an external power source is provided on the auxiliary electrode. .
前記第1バンクおよび前記第2バンクは、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   2. The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the first bank and the second bank are made of a heat conductive material or a heat radiation material. 前記第1バンクの側面に、反射膜が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein a reflective film is provided on a side surface of the first bank. 前記第2バンクの側面に、反射膜が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein a reflective film is provided on a side surface of the second bank. 前記第2バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第1端面と、前記第1端面に対向し、前記第1端面の面積よりも小さい面積を有する第2端面と、側面と、から構成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The second bank includes a first end surface facing one surface of the transparent substrate, a second end surface facing the first end surface and having an area smaller than the area of the first end surface, and a side surface. It is comprised, The organic electroluminescent display apparatus of any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 前記第2バンクは、前記透明基板の一方の面に対向する第1端面と、前記第1端面に対向し、前記第1端面の面積よりも大きい面積を有する第2端面と、側面と、から構成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The second bank includes a first end surface facing one surface of the transparent substrate, a second end surface facing the first end surface and having an area larger than the area of the first end surface, and a side surface. It is comprised, The organic electroluminescent display apparatus of any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 前記第1バンクと前記第2バンクとの間に、柱状または球状の導電性スペーサーが配設されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein a columnar or spherical conductive spacer is disposed between the first bank and the second bank. . 前記第1バンクと前記第2バンクとの間に、金属細線が配設されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein a thin metal wire is disposed between the first bank and the second bank. 前記透明基板と前記第2バンクとの間に、メッシュ状の金属細線が配設されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 8, wherein a fine metal wire in a mesh shape is disposed between the transparent substrate and the second bank. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板の間に、導電性充填剤が充填された充填剤層が設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic material according to claim 1, wherein a filler layer filled with a conductive filler is provided between the organic electroluminescence element substrate and the sealing substrate. Electroluminescence display device. 基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第1バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、
透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第2バンクと、を有する封止基板と、を備え、
前記第1バンクと前記第2バンクとが少なくとも1箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、
前記第1バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
An organic electroluminescence device comprising a substrate, an organic electroluminescence device formed on one surface of the substrate, and a plurality of first banks formed on one surface of the substrate and partitioning the organic electroluminescence device A substrate,
A transparent substrate, a color conversion layer formed on one surface of the transparent substrate, and a plurality of second banks formed on one surface side of the transparent substrate and partitioning the transparent substrate into a plurality of regions. A sealing substrate having,
The organic electroluminescence element substrate and the sealing substrate are disposed to face each other so that the first bank and the second bank are connected to at least one place.
An organic electroluminescence display device, wherein a feeding point for connecting to an external power source is provided in the first bank.
基板と、前記基板の一方の面に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記基板の一方の面側に形成され前記有機エレクトロルミネッセンス素子を区画する複数の第1バンクと、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、
透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された色変換層と、前記透明基板の一方の面側に形成され、前記透明基板を複数の領域に区画する複数の第2バンクと、を有する封止基板と、を備え、
前記第1バンクと前記第2バンクとが少なくとも1箇所接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板と前記封止基板とが対向して配置され、
前記第2バンクに、外部電源と接続するための給電点が設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
An organic electroluminescence device comprising a substrate, an organic electroluminescence device formed on one surface of the substrate, and a plurality of first banks formed on one surface of the substrate and partitioning the organic electroluminescence device A substrate,
A transparent substrate, a color conversion layer formed on one surface of the transparent substrate, and a plurality of second banks formed on one surface side of the transparent substrate and partitioning the transparent substrate into a plurality of regions. A sealing substrate having,
The organic electroluminescence element substrate and the sealing substrate are disposed to face each other so that the first bank and the second bank are connected to at least one place.
An organic electroluminescence display device, wherein a feeding point for connecting to an external power source is provided in the second bank.
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