JP2015212871A - 記憶媒体破壊装置及び制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】データを保持している記憶媒体が正規の手段を経ないで移動された場合に記憶媒体を破壊する。【解決手段】情報の記憶に用いられる半導体メモリを備え、かつ制御装置１内に設置された記憶媒体２が、正規の手続きを経ないでされた移動を検知する検知装置３と、半導体メモリを破壊する半導体メモリ破壊装置と、を含む。正規の手続きを経ずに移動された場合に半導体メモリを破壊することで内容を知られないことができる。半導体メモリを保護する記憶媒体２の外殻を破壊する外殻破壊装置３１を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、制御装置又はその構成部材が盗難された場合等に、記憶媒体を破壊する方法に関する。

正常に機能するために不可欠な電気回路本体と、この電子回路本体の中枢部に設けた、この中枢部を通る信号を遮断する遮断部を設けることで記憶媒体を破壊することなく動作不能にする方法が記載されている。

特開２００６-２１５６９５号公報

正規の手続きを経ないで、第三者の手に渡り、内容を知られることが好ましくないデータを保持している、制御装置、データ保管等のシステムが存在する。

そのようなデータを格納している電子回路においては、盗難時等に記憶媒体をフォレンジック及び分析が不可能なレベルに破壊する必要がある。

特許文献１に示すように、従来は破壊することなく動作不能にする方法及び手動のスイッチによりサージ電流を回路に意図的に流すことにより破壊する方法はあったが、盗難時等に破壊する技術は存在しなかった。

本発明は、データを保持している記憶媒体が正規の手続きを経ずに移動される前に記憶媒体を破壊することを目的とする。

本発明は、情報の記憶に用いられる半導体メモリを備え、かつ制御装置内に設置された記憶媒体が、正規の手続きを経ないでされた移動を検知する検知装置と、前記半導体メモリを破壊する半導体メモリ破壊装置と、を含む記憶媒体破壊装置である。

本発明に係る記憶媒体破壊装置は、正規の手続きを経ずに移動された場合に半導体メモリを破壊することで内容を知られないことができる。

前記半導体メモリを保護する前記記憶媒体の外殻を破壊する外殻破壊装置を含むことが好ましい。

前記半導体メモリと同時に外殻を破壊することで、正規の手続きを経ないで入手しようとした第三者に視覚的に壊れたことを認識させ、盗難意欲を奪うことができる。

前記半導体メモリ破壊装置が蓄電器に接続されており、前記半導体メモリに前記半導体メモリ破壊装置の一部又は前記記憶媒体の回路を介して電気を流すものであることが好ましい。

半導体メモリに想定されている以上の電気を流すことで、半導体メモリを構成している半導体のゲートを破壊して導体とし、電子として蓄えられた情報を再現不能に消去できる。同時にラッチアップ現象を発生させ熱でボンディングワイヤを溶解し、半導体メモリ内の回路を壊して情報を再現不能にすることもできる。

前記半導体メモリ破壊装置は、前記半導体メモリを物理的に破壊するものであることが好ましい。

半導体メモリを物理的に破壊することにより、正規の手続きを経ずに入手しようとした第三者に視覚的に壊れたことを認識させ、盗難意欲を奪うことができる。

前記検知装置は、前記記憶媒体の移動量があらかじめ設定した閾値を超えたことを検知したとき、前記記憶媒体が、正規の手続きを経ないで移動されたと判断する方式であるあることが好ましい。

移動の偏差をあらかじめ設定した閾値を超えたことで判断することにより、微小な振動等による誤作動を防ぐことができる。

本発明は、前述した記憶媒体破壊装置を備えた制御装置である。

前述の情報破壊装置を備えることで、不正な移動を検知し、記憶媒体を破壊することで、正規の手続きを経ないで移動した第三者に情報を奪われないことができる。また、外見上破壊することで、盗難意欲を奪うことができる。

本発明は、データを保持している記憶媒体が正規の手段を経ないで移動された場合に記憶媒体を破壊することができる。

図１は、制御装置の図である。 図２は、制御装置に備えられた記憶媒体の構成図である。 図３は、記憶媒体の外殻を破壊する装置を示す図である。 図４は、記憶媒体を破壊する装置を示す図である。 図５ａは、記憶媒体内の半導体メモリを破壊する装置の例を示す図である。 図５ｂは、記憶媒体内の半導体メモリを破壊する装置の例を示す図である。 図６ａは、記憶媒体内の半導体メモリを破壊する装置の例を示す図である。 図６ｂは、記憶媒体内の半導体メモリを破壊する装置の例を示す図である。 図７は、正規の手続きを経ないで移動したことを検知する処理のフローの一例を示すフローチャートである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。

図１は、制御装置の図である。図２は、制御装置に備えられた記憶媒体の構成図である。図３は、記憶媒体の外殻を破壊する装置を示す図である。図４は、記憶媒体を破壊する装置を示す図である。図５ａから図６ｂは、記憶媒体内の半導体メモリを破壊する装置の例を示す図である。

図１を参照して、制御装置１の全体を説明する。制御装置１は、記憶媒体２と、トリガー装置３と、蓄電器４、無線受信確認部品５と、位置確認部品６と、記憶媒体用位置確認部品７と、外殻破壊装置３１とを含む。

記憶媒体２は、例えば、ソリッドステートデバイス（ＳＳＤ：Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ）であり故障の原因になりやすい回転する磁気ディスクを持たず、半導体メモリに情報を蓄えるタイプの記憶媒体である。

無線受信確認部品５は、制御装置１の移動を検知するセンサーを含む。位置確認部品６との距離を計測し、閾値との関係を検知装置３に転送する。

トリガー装置３は、制御装置１の移動が閾値を超えた場合に破壊指示を出す装置である。正規の手続きを経ない移動とは、盗難、施設への襲撃などである。本実施形態において、制御装置１又は記憶媒体２の移動が所定の閾値以上である場合、この移動を正規の手続きを経ない移動であるとする。

記憶媒体用位置確認部品７は、記憶媒体２の移動を検知するセンサーを含む。位置確認部品との距離を計測し、閾値との関係を計算する。記憶媒体２の移動が、閾値を超えた場合に破壊指示を出す装置である。正規の手順を経ない移動の判定は、記憶媒体２の移動が所定の閾値以上である場合、正規の手続きを経ない移動であると判断する。

蓄電器４は、電力を蓄える手段である。蓄電器４は、検知装置３により、正規の手順を経ない移動がなされた場合に、外殻破壊装置３１が記憶媒体２を破壊する際に必要な電力を供給する用途に用いられる。蓄電器４は、例えば、充放電が可能な二次電池又はキャパシタ等である。

図２を参照して、記憶媒体２の装置構成を説明する。記憶媒体２は、記憶媒体２内の電源のコントロールを行うとともに、半導体メモリ２３の選択を行っているＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、電力制御用集積回路）２１、電源投入時にのみ一時的に情報を記録するキャッシュメモリ２２及びデータを保管するための半導体メモリ２３を含む。半導体メモリ２３は、ＮＡＮＤ型、又はＮＯＲ型、あるいはその他の型でも良い。

半導体メモリ２３は、記憶領域が酸化金属電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成されているメモリである。例えば、キャッシュメモリ２２は外部からのデータを一時的に保存するメモリである。キャッシュメモリ２２は、通常は電源の喪失によりデータも失われる揮発性メモリであるが、電源の喪失によりデータが失われない不揮発性メモリであっても良い。

ＰＭＩＣ２１は外部からの電力を制御することにより、キャッシュメモリ２２に一時的に蓄えられた情報を、どの半導体メモリ２３に格納するかを選択し、さらにどれだけの電力を各半導体メモリ２３に与えるかを決定する。

図３を参照して、外殻破壊装置３１を説明する。外殻破壊装置３１は、付勢手段３３と複数個の円錐状の楔３２を含み、楔３２の鋭い側が、外殻３５の破壊したい位置と面して配置される。楔３２の面積の広い、つまり鋭くない側に付勢手段３３が設けられ、トリガー装置３又は記憶媒体用位置確認部品７からの指示により楔３２を射出する。付勢手段は、例えば、圧縮された弾性体であっても良いし、化学反応により急激に体積を増すような化学物質であっても良いし、電磁力によって楔３２を加速する手段であっても良い。射出された楔３２は記憶媒体２の外殻３５を破壊し、通常時は外殻３５に守られている半導体メモリ２３に直接アクセスできるようにする。楔３２は、ドリルの刃状であっても良いし、底面が星形等あっても良い。

図４から図６ｂを用いて、に半導体メモリ破壊装置を説明する。図４に示す外殻破壊装置３１の円錐状の楔３２は、記憶媒体２の外殻３５を破壊した後、１つの半導体メモリ２３につき２本以上が刺さるように配置されている。楔３２が記憶媒体２の外殻３５を破壊して、半導体メモリ２３まで到達したら、蓄電器４から半導体メモリ２３に高電圧を流してこれを破壊する。

図５ａに示す外殻破壊装置３１の円錐状の楔３２は複数のパーツ３２Ｐを有し、記憶媒体２の外殻３５を破壊した後、半導体メモリ２３に突き刺さる。刺さった状態から先端の留め具４１を突き刺さり時の摩擦による温度上昇で溶ける等の手段によって、又は半導体メモリ２３に突き刺さるときの応力等によって外す。その後、楔３２の各パーツは、図５ｂに示すように、付勢力によって開がり、半導体メモリ２３を破壊する。付勢力は、例えば圧縮された弾性体によって付与されるものであっても良いし、化学反応により急激に体積を増すような化学物質が化学反応を起こすことによって付与されるものであっても良いし、電磁力であっても良い。

図６ａに示す外殻破壊装置３１の円錐状の楔３２は、記憶媒体２の外殻３５を破壊した後、図６ｂに示すように半導体メモリ２３のさらに奥まで侵入することで、半導体メモリ２３の破壊面積を大きくして半導体メモリ２３を確実に破壊する。

図７は、制御装置１又は記憶媒体２が正規の手続きを経ないで移動したことを検知する処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ００１は、制御装置１の移動距離が閾値よりも大きいかを確認するステップである。制御装置１の移動距離が閾値よりも大きい場合（ステップＳ００１、Ｙｅｓ）、ステップＳ００２において盗難防止が解除されているかを確認する。制御装置１の移動距離が閾値よりも小さい場合（ステップＳ００１、Ｎｏ）、記憶媒体２の移動距離を確認するステップＳ００３を行う。

ステップＳ００２は、制御装置１の保守作業を行うために盗難防止が解除してあるかを確認するステップである。盗難防止が解除されていた場合（ステップＳ００２、Ｙｅｓ）保守作業中であることを確認するステップＳ００５を行う。盗難防止が解除されていない場合（ステップＳ００２、Ｎｏ）、正規の手続きを経ないで制御装置１又は記憶媒体２が移動されたとみなし、記憶媒体を破壊するステップＳ００４を行う。

ステップＳ００３において、制御装置１の移動距離が閾値以下だった場合（ステップＳ００３、Ｙｅｓ）、ステップＳ００２に進み、制御装置１の保守作業のために盗難防止が解除してあるかを確認する。ステップＳ００３において、制御装置１の移動距離が閾値よりも小さい場合（ステップＳ００３、Ｎｏ）、終了する。

ステップＳ００４は、実施例で述べた各種方法により、記憶媒体２の外殻、半導体メモリを破壊するステップである。

以上、本実施形態を説明したが、上述した内容により本実施形態が限定されるものではない。また、上述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、上述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、本実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

１ 制御装置
２ 記憶媒体
３ 検知装置
４ 蓄電器
２１ 電力制御ＩＣ
２２ キャッシュメモリ
２３ 半導体メモリ
３１ 外殻破壊装置
３２ 楔
３３ 付勢手段
３５ 外殻
４１ 留め具

Claims (6)

1. 情報の記憶に用いられる半導体メモリを備え、かつ制御装置内に設置された記憶媒体が、正規の手続きを経ないでされた移動を検知する検知装置と、
   前記半導体メモリを破壊する半導体メモリ破壊装置と、
   を含む記憶媒体破壊装置。
2. 前記半導体メモリを保護する前記記憶媒体の外殻を破壊する外殻破壊装置を含む、請求項１に記載の記憶媒体破壊装置。
3. 前記半導体メモリ破壊装置が蓄電器に接続されており、前記半導体メモリに前記半導体メモリ破壊装置の一部又は前記記憶媒体の回路を介して電気を流すものである請求項１又は請求項２に記載の記憶媒体破壊装置。
4. 前記半導体メモリ破壊装置は、前記半導体メモリを物理的に破壊するものである請求項１又は請求項２に記載の記憶媒体破壊装置。
5. 前記検知装置は、前記記憶媒体の移動量があらかじめ設定した閾値を超えたことを検知したとき、前記記憶媒体が、正規の手続きを経ないで移動されたと判断する方式である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の記憶媒体破壊装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の記憶媒体破壊装置を備えた制御装置。

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