JP2015207562A - Plasma processing device and plasma processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a plasma processing apparatus and a plasma processing method.
高周波電力を印加することで発生させるプラズマに誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）がある。誘導結合型プラズマは、広い領域に高密度なプラズマを発生させることができるため各種のプラズマ処理に広く利用されている。
この様な誘導結合型プラズマを発生可能なプラズマ処理装置には、高周波電力が印加されるプラズマ励起用の負荷部（アンテナなどとも称される）が設けられている。また、負荷部は、処理容器の外部に設けられ、処理容器に設けられた誘電体などからなる窓部を介して電磁場を処理容器の内部に発生させることができるようになっている。
Plasma generated by applying high-frequency power includes inductively coupled plasma (ICP). Inductively coupled plasma is widely used for various plasma processes because it can generate high-density plasma over a wide area.
A plasma processing apparatus capable of generating such inductively coupled plasma is provided with a plasma excitation load section (also referred to as an antenna) to which high-frequency power is applied. The load section is provided outside the processing container, and can generate an electromagnetic field inside the processing container through a window made of a dielectric or the like provided in the processing container.
ここで、高密度なプラズマを発生させるために、負荷部に印加する高周波電力を大きくすると絶縁破壊を起こしたり、生成されたイオンが窓部側に引き寄せられて窓部に衝突して窓部が損傷したりするおそれがある。 Here, in order to generate a high-density plasma, if the high-frequency power applied to the load portion is increased, dielectric breakdown occurs, or the generated ions are attracted to the window portion side and collide with the window portion, so that the window portion is There is a risk of damage.
そのため、負荷部における電位差が最大となる点の電位差の値が小さくなるように、負荷部に設けられた導体部（部分アンテナなどとも称される）のインダクタンスやコンデンサの容量を規定する技術が提案されている（特許文献１を参照）。
特許文献１に記載された技術によれば、窓部の損傷を低減させることができる。
しかしながら、窓部の損傷をなくすことができないため、窓部の損傷をさらに低減させることができる技術の開発が望まれている。
For this reason, a technique for defining the inductance of the conductor portion (also referred to as a partial antenna) provided in the load portion and the capacitance of the capacitor is proposed so that the value of the potential difference at the point where the potential difference at the load portion is maximized becomes small. (See Patent Document 1).
According to the technique described in
However, since damage to the window portion cannot be eliminated, development of a technique that can further reduce damage to the window portion is desired.
本発明が解決しようとする課題は、窓部の損傷を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of reducing damage to a window portion.
実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置部と、前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器に設けられ、電磁波を透過させる窓部と、前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部と複数の容量部とを有した負荷部と、前記負荷部に電力を印加する電源と、を備えている。そして、前記導体部と前記容量部とは電気的に交互に接続され、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じるようにされ、前記負荷部の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下とされている。 The plasma processing apparatus according to the embodiment is provided in a processing container capable of maintaining an atmosphere depressurized from atmospheric pressure, a decompression unit that decompresses the inside of the processing container to a predetermined pressure, and the inside of the processing container. A placement part for placing an object to be treated, a gas supply part for supplying gas to the inside of the processing container, a window part provided in the processing container for transmitting electromagnetic waves, and an outer part of the window part And a load portion having a plurality of conductor portions and a plurality of capacitance portions for generating an electromagnetic field, and a power source for applying power to the load portion. And when the said conductor part and the said capacity | capacitance part are electrically connected alternately and perform the plasma processing of a to-be-processed object, the imaginary number component of an electrical potential difference is in the said conductor part provided between the said capacity | capacitance parts. A position that becomes 0 (zero) is generated, and the value of the imaginary component of the potential difference between the first terminal and the second terminal of the load unit is equal to or less than the value of the real component of the potential difference. .
また、実施形態に係るプラズマ処理方法は、誘導結合型プラズマを用いたプラズマ処理方法であって、導体部と容量部とが電気的に交互に接続された負荷部に電力を印加する工程と、前記導体部のインダクタンス、前記容量部の容量、前記電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つの制御を行う工程と、を備えている。そして、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記制御を行う工程において、前記負荷部の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下となるように制御される。 In addition, the plasma processing method according to the embodiment is a plasma processing method using inductively coupled plasma, and a step of applying power to a load portion in which a conductor portion and a capacitor portion are electrically connected, and And a step of performing at least one control selected from the group consisting of an inductance of the conductor part, a capacity of the capacitor part, and a frequency of the power. When plasma processing is performed on an object to be processed, the value of the imaginary component of the potential difference between the first terminal and the second terminal of the load unit is the real number of the potential difference in the control step. It is controlled so as to be less than the value of the component.
本発明の実施形態によれば、窓部の損傷を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法が提供される。 According to the embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of reducing damage to a window portion are provided.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、特に断らない限り、電位差と電流の振幅や位相はフェーザ表示を使って表し、フェーザ表示の基準を電流が実数成分のみの場合、すなわち位相が０の場合とする。
また、本明細書において、電位が０（ゼロ）は接地電位を意味し、特に断らない限り、電位差は接地電位に対するものとしている。
[第１の実施形態]
図１は、第１の実施形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式図である。
図２は、図１におけるＡ−Ａ矢視図である。
図１に示すように、プラズマ処理装置１には、処理容器２、窓部３、載置部４、電源６ａ、電源６ｂ、減圧部９、ゲートバルブ１７、ガス供給部１８、負荷部２０、制御部２４、測定部２５などが設けられている。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
Unless otherwise specified, the potential difference and the amplitude and phase of the current are expressed using phasor display, and the phasor display is based on the case where the current is only a real component, that is, the phase is zero.
In this specification, a potential of 0 (zero) means a ground potential, and unless otherwise specified, the potential difference is relative to the ground potential.
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic view for illustrating the plasma processing apparatus according to the first embodiment.
FIG. 2 is an AA arrow view in FIG.
As shown in FIG. 1, the
処理容器２は、両端が閉塞された略円筒形状を呈し、大気圧よりも減圧された雰囲気が維持可能な気密構造となっている。
処理容器２の内部には、被処理物Ｗをプラズマ処理するための空間である処理空間１５が設けられている。被処理物Ｗは、例えば、半導体ウェーハ、フォトマスク基板、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板などとすることができる。
The
A
処理容器２の天井中央部分には、ガスＧを導入するためのガス導入口１２が設けられている。
窓部３は、誘電体材料（例えば、石英など）などから形成されており、後述する負荷部２０にて発生した電磁場を透過させる。窓部３は、処理容器２の天井中央部分であって、ガス導入口１２の周囲に設けられている。
載置部４は、処理容器２の内部であって、処理空間１５の下方に設けられている。載置部４の上面は被処理物Ｗを載置するための載置面となっており、載置部４の内部に内蔵された図示しない静電チャックなどにより載置された被処理物Ｗを保持することができるようになっている。
絶縁リング５は、誘電体材料（例えば、石英など）などから形成され、載置部４の周囲を覆うようにして設けられている。
A
The window portion 3 is made of a dielectric material (for example, quartz or the like) and transmits an electromagnetic field generated by a
The
The
電源６ａは、整合器１６ａを介して載置部４に電気的に接続されている。電源６ａは、いわゆるバイアス制御用の高周波電源である。すなわち、電源６ａは、載置部４に載置、保持された被処理物Ｗに引き込むイオンのエネルギーを制御するために設けられている。 電源６ａは、イオンを引き込むために適した比較的低い周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ以下の周波数）を有する高周波電力を載置部４に印加するものとすることができる。 整合器１６ａには、電源６ａ側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などが設けられている。
The
電源６ｂは、整合器１６ｂを介して負荷部２０に電気的に接続されている。電源６ｂは、プラズマＰを発生させるための高周波電源である。すなわち、電源６ｂは、処理空間１５において高周波放電を生じさせてプラズマＰを発生させるために設けられている。
電源６ｂは、１００ＫＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の周波数を有する高周波電力を負荷部２０に印加するものとすることができる。この場合、プラズマＰの発生に適した比較的高い周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数）を有する高周波電力を負荷部２０に印加するものとすることができる。
また、電源６ｂは、出力する高周波電力の周波数を変化させることができるものとすることができる。
整合器１６ｂには、電源６ｂ側のインピーダンスと、プラズマＰ側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合回路などが設けられている。
The
The
Moreover, the
The matching
減圧部９は、処理容器２の内部が所定の圧力となるように減圧する。減圧部９は、例えば、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ：Turbo Molecular Pump）などとすることができる。減圧部９は、処理容器２の底部に設けられた排気口７に圧力制御部８を介して接続されている。 圧力制御部８は、処理容器２の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、処理容器２の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部８は、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）などとすることができる。
The decompression unit 9 decompresses so that the inside of the
処理容器２の側壁には、被処理物Ｗを搬入搬出するための搬入搬出口１９が設けられ、搬入搬出口１９を気密に閉鎖できるようゲートバルブ１７が設けられている。
ゲートバルブ１７は、Ｏ（オー）リングのようなシール部材１４を備える扉１３を有し、図示しないゲート開閉機構により開閉される。扉１３が閉まった時には、シール部材１４が搬入搬出口１９の壁面に押しつけられ、搬入搬出口１９が気密に閉鎖されるようになっている。
A loading /
The
ガス供給部１８は、ガス導入口１２を介して処理容器２の内部にガスＧを供給する。ガス供給部１８は、例えば、ガスＧを収納した高圧ボンベなどとすることができる。
また、処理容器２の内部に供給するガスＧの種類を切り替える切換部２１を設けるようにすることができる。
例えば、エッチング処理などのような被処理物Ｗのプラズマ処理に用いられるガスを供給するガス供給部１８ａと、クリーニング処理などに用いられるガスを供給するガス供給部１８ｂとを備え、プラズマ処理の種類に応じて処理容器２の内部に供給するガスＧの種類を切り替える切換部２１を例示することができる。
また、ガス供給部１８から処理容器２の内部にガスＧを供給する際に流量や圧力などを制御する図示しないＭＦＣ（Mass Flow Controller）などを設けるようにすることができる。
負荷部２０は、窓部３の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部と複数の容量部（コンデンサ）とを有している。また、導体部と容量部とが電気的に交互に接続されている。そのため、負荷部２０は、処理容器２に設けられた誘電体などからなる窓部３を介して電磁場を処理容器２の内部に導入することができる。
なお、負荷部２０の構成に関する詳細は後述する。
The
Moreover, the switching
For example, a
Further, an MFC (Mass Flow Controller) (not shown) that controls the flow rate, pressure, and the like when the gas G is supplied from the
The
Details regarding the configuration of the
また、負荷部２０と窓部３との間にはファラデーシールド１０が設けられている。負荷部２０とファラデーシールド１０との間には絶縁部１１が設けられている。
Further, a
図２に示すように、ファラデーシールド１０には、金属などの導体から形成された本体部１０ａと、複数のスリット１０ｂとが設けられている。
ファラデーシールド１０の本体部１０ａは、電気的に接地することができる。
なお、後述するクリーニング処理などの場合に本体部１０ａに電圧を印加するようにすることもできる。ファラデーシールド１０の本体部１０ａに電圧を印加する場合には、図示しない電源を本体部１０ａに電気的に接続すればよい。
スリット１０ｂは、放射状に配置することができる。この場合、放射状のスリット１０ｂの中心は、環状に設けられた負荷部２０の導体部の中心と一致するようにすることができる。この様にすれば、負荷部２０による高周波電界方向に対して実質的に直角な方向に延在するスリット１０ｂとすることができる。
As shown in FIG. 2, the
The
Note that a voltage may be applied to the
The
ファラデーシールド１０にこの様なスリット１０ｂを設けるものとすれば、負荷部２０の導体部による高周波電界の方向と同一方向に電流経路が形成されることを抑制することができる。そのため、処理容器２の内部に高周波電界を発生させることができるとともに、負荷部２０の導体部とプラズマＰとの間の容量結合を抑制することができる。その結果、負荷部２０から導入される電磁場のエネルギーをプラズマＰの生成に効率よく利用することができる。
また、負荷部２０の導体部とプラズマＰとの間の容量結合を抑制することができるので、プラズマ処理中に窓部３などに負のバイアスがかかることを抑制することができる。そのため、窓部３にプラズマＰ中のイオンが衝突することを抑制することができるので、窓部３の損傷を抑制することができる。
絶縁部１１は、誘電体からなるものとすることができる。絶縁部１１は、例えば、樹脂材料、石英、セラミックス、空気（空間）などや、これらを組み合わせたものからなるものとすることができる。
絶縁部１１に樹脂材料を用いる場合は、例えば電気絶縁性が高く且つ耐熱温度が１００℃を超える樹脂材料（ＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥ、ＰＩ、ＰＥＥＫポリエーテルエーテルケトン、ＵＬＴＥＭ）を用いることができる。
また、負荷部２０から流れる電流の一部がファラデーシールド１０に漏れることで処理容器２内のプラズマＰの密度分布に影響を及ぼす場合がある。このような場合、絶縁部１１の厚みや材料、構造を選択し絶縁部１１の静電容量を小さくすることによって、負荷部２０からファラデーシールド１０への漏れ電流を抑制し、プラズマＰの密度分布を均一にすることができる。この場合、例えば、絶縁部１１は誘電率の低いポーラス材料とすることができる。または、漏れ電流が発生する場所に応じて絶縁部の厚みを決定し、静電容量の分布を調整することにより、プラズマＰの密度分布を均一にすることができる。
If such a
Moreover, since the capacitive coupling between the conductor part of the
The insulating
In the case of using a resin material for the insulating
In addition, a part of the current flowing from the
制御部２４は、導体部のインダクタンス、容量部の容量、電力の周波数の少なくとも１つを制御する。
測定部２５は、容量部同士の間に設けられた導体部の電位を測定する。測定部２５としては、例えばネットワークアナライザを用いることができる。
そして、制御部２４は、測定部２５による測定結果に基づいて、導体部のインダクタンス、容量部の容量、電力の周波数の少なくとも１つの制御を実行する。
また、制御部２４は、エッチング処理などのような被処理物Ｗのプラズマ処理を行う場合には、容量部同士の間に設けられた導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるように制御する。
この場合、正側と負側における電位の最大値の絶対値が同程度となるように制御することが好ましい。
例えば、導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるように制御すれば、正側と負側における電位の最大値の絶対値が同程度となるようにすることができる。
そのようにすれば、電位差の最大値が小さくなるようにすることができる。
また、クリーニング処理を行う場合には、容量部同士の間に設けられた導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じないように制御する。
なお、制御部２４、測定部２５に関する詳細は後述する。
The
The
Then, the
Further, when the plasma processing of the workpiece W such as etching processing is performed, the
In this case, it is preferable to control so that the absolute value of the maximum value of the potential on the positive side and the negative side is approximately the same.
For example, if the imaginary number component of the potential difference at the intermediate position between the capacitive portions of the conductor portion is controlled to be 0 (zero), the absolute value of the maximum value of the potential on the positive side and the negative side is approximately the same. Can be.
By doing so, the maximum value of the potential difference can be reduced.
When performing the cleaning process, control is performed so that a position where the imaginary number component of the potential difference becomes 0 (zero) does not occur in the conductor portion provided between the capacitor portions.
Details regarding the
次に、負荷部２０についてさらに例示する。
図３は、比較例に係る負荷部を例示するための模式図である。なお、図３（ａ）は比較例に係る負荷部の構成を例示するための模式図、図３（ｂ）は比較例に係る負荷部における電位の分布を例示するための模式グラフ図である。
図３（ａ）に示すように、比較例に係る負荷部２２０には電磁場を発生させる３個の導体部２２２と、３個の容量部２２３とが設けられている。また、端子Ｂ１（第１の端子の一例に相当する）、端子Ｂ２（第２の端子の一例に相当する）には導体部２２２が電気的にそれぞれ接続され、導体部２２２と容量部２２３とが電気的に交互に接続されている。そして、３個の導体部２２２のインダクタンスは等しいものとされ、３個の容量部２２３の容量は等しいものとされている。
Next, the
FIG. 3 is a schematic diagram for illustrating a load unit according to a comparative example. 3A is a schematic diagram for illustrating the configuration of the load unit according to the comparative example, and FIG. 3B is a schematic graph for illustrating the distribution of potentials in the load unit according to the comparative example. .
As shown in FIG. 3A, the
この様な構成を有する負荷部２２０の端子Ｂ１と端子Ｂ２とに高周波電力を印加すると、負荷部２２０における電位の分布は図３（ｂ）に示すもののようになる。
この場合、容量部２２３が設けられていない場合には、負荷部２２０における電位差の虚数成分の分布は図３（ｂ）中の破線Ｄ１に示すもののようになる。
When high frequency power is applied to the terminals B1 and B2 of the
In this case, when the
これに対し、容量部２２３を設けるようにすれば、負荷部２２０における電位差の虚数成分の分布は図３（ｂ）中の実線Ｄ２に示すもののようになる。また、負荷部２２０における電位差の実数成分の分布は図３（ｂ）中の一点鎖線Ｄ３に示すようになる。すなわち、容量部２２３における電位の上昇と、導体部２２２における電位の下降とが交互に行われることになるため負荷部２２０の両端子間における電位差の虚数成分Ｖ２を低減させることができる。
しかしながら、負荷部２２０における電位が最大となる点の電位差の虚数成分Ｖ１が高ければ、生成されたイオンの窓部３への衝突が激しくなり窓部３の損傷が激しくなるおそれがある。
そのため、負荷部２２０における電位が最大となる点の電位差の虚数成分Ｖ１をさらに低下させるようにすることが望ましい。
On the other hand, if the
However, if the imaginary number component V1 of the potential difference at the point where the potential at the
Therefore, it is desirable to further reduce the imaginary component V1 of the potential difference at the point where the potential in the
図４は、他の比較例に係る負荷部の一例を例示するための模式図である。なお、図４（ａ）は他の比較例に係る負荷部の構成を例示するための模式図、図４（ｂ）は他の比較例に係る負荷部における電位の分布を例示するための模式グラフ図である。
図４（ａ）に示すように、負荷部２０ａには電磁場を発生させる３個の導体部２２ａと、計３個の容量部２３ａ、２３ｂとが設けられている。また、導体部２２ａと容量部２３ａ、２３ｂとが電気的に交互に接続されており、容量部２３ｂは端子Ｂ２に電気的に接続されている。また、１個の導体部２２ａは端子Ｂ１に電気的に接続されている。そして、３個の導体部２２ａのインダクタンスは等しいものとされ、容量部２３ｂの容量は他の２個の容量部２３ａの容量の２倍とされている。
FIG. 4 is a schematic diagram for illustrating an example of a load unit according to another comparative example. 4A is a schematic diagram for illustrating the configuration of a load unit according to another comparative example, and FIG. 4B is a schematic diagram for illustrating a potential distribution in the load unit according to another comparative example. FIG.
As shown in FIG. 4A, the
この様な構成を有する負荷部２０ａの端子Ｂ１と端子Ｂ２とに高周波電力を印加すると、負荷部２０ａにおける電位の分布は図４（ｂ）に示すもののようになる。
この場合、容量部２３ａ、２３ｂが設けられていない場合には、図３（ｂ）において例示をしたものと同様に負荷部２０ａにおける電位差の虚数成分の分布は図４（ｂ）中の破線Ｄ１に示すもののようになる。
これに対し、容量部２３ａ、２３ｂを設けるようにすれば、負荷部２０ａにおける電位差の虚数成分の分布は図４（ｂ）中の実線Ｄ４に示すもののようになる。また、負荷部２０ａにおける電位差の実数成分の分布は図４（ｂ）中の一点鎖線Ｄ５に示すもののようになる。すなわち、容量部２３ａ、２３ｂにおける電位の上昇と、導体部２２ａにおける電位の下降とが交互に行われることになるため負荷部２０ａの両端子間における電位差の虚数成分Ｖ３を低減させることができる。この場合、容量部２３ｂは端子Ｂ２に電気的に接続されており、容量部２３ｂの容量は容量部２３ａの容量の２倍とされている。
そのため、容量部同士の間に設けられた導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるようにすることができる。また、図４（ｂ）に示したものの場合には、導体部２２ａの容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるようになっているので、正側と負側における電位の最大値の絶対値が同程度となるようにすることができる。その結果、図３において例示をした負荷部２２０の場合に比べて、負荷部２０ａにおける電位が最大となる点の電位差を大幅に低下させることができるので、窓部３の損傷を抑制することができる。しかしながら、この場合、負荷部２０ａにおける電位が最大となる点の電位差の虚数成分と両端子間における電位差の虚数成分Ｖ３とがほぼ同じであり、電位差の虚数成分Ｖ３がまだ大きいため、その高い電位差により両端子間において異常放電が発生するおそれがある。
When high frequency power is applied to the terminals B1 and B2 of the
In this case, when the
On the other hand, if the
Therefore, a position where the imaginary number component of the potential difference is 0 (zero) can be generated in the conductor portion provided between the capacitor portions. In the case shown in FIG. 4B, the imaginary component of the potential difference at the intermediate position between the capacitive portions of the
図５は、本実施の形態に係る負荷部の例を例示するための模式図である。なお、図５は負荷部の構成を例示するための模式図である。
図５に示すように、負荷部２０ｂには電磁場を発生させるＮ個の導体部と、（Ｎ−１）個の容量部とが設けられている。また、導体部と容量部とが電気的に交互に接続されており、１番目の導体部が端子Ｂ１に電気的に接続され、Ｎ番目の導体部が端子Ｂ２に電気的に接続されている。なお、Ｎは正の整数である。
FIG. 5 is a schematic diagram for illustrating an example of the load unit according to the present embodiment. FIG. 5 is a schematic diagram for illustrating the configuration of the load section.
As shown in FIG. 5, the
そして、各導体部のインダクタンスと、各容量部の容量と、高周波電力の周波数とが、負荷部２０ｂにおける合計インピーダンスの虚数成分が０（ゼロ）となるような関係となっている。すなわち、動作周波数において負荷部２０ｂ全体が共振するような関係となっている。
またさらに、端子Ｂ１、Ｂ２に電気的に接続された導体部以外の（Ｎ−２）個の各導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるようになっている。すなわち、容量部同士の間に設けられた導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるようになっている。
また、負荷部２０ｂの端子Ｂ１、Ｂ２の間における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるようになっている。
And the inductance of each conductor part, the capacity | capacitance of each capacity | capacitance part, and the frequency of high frequency electric power have the relationship that the imaginary number component of the total impedance in the
Furthermore, a position where the imaginary number component of the potential difference becomes 0 (zero) occurs in each of the (N−2) conductor portions other than the conductor portions electrically connected to the terminals B1 and B2. That is, a position where the imaginary component of the potential difference becomes 0 (zero) occurs in the conductor portion provided between the capacitor portions.
Further, the imaginary component of the potential difference between the terminals B1 and B2 of the
動作周波数において負荷部２０ｂ全体が共振し、負荷部２０ｂの端子Ｂ１、Ｂ２の間における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となり、また、端子Ｂ１、Ｂ２に電気的に接続された導体部以外の（Ｎ−２）個の各導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるようになっている。
なお、図５に例示をしたものの場合には、（Ｎ−２）個の各導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるようになっている。
この場合、（Ｎ−２）個の各導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるようにするためには、導体部のインダクタンスと、容量部の容量と、高周波電力の周波数とが以下の（１）式〜（３）式を満足するような関係となればよい。なお、角周波数をω、周波数をｆとすれば、ω＝２πｆと表すことができる。
The
In the case illustrated in FIG. 5, the imaginary component of the potential difference at the intermediate position between the capacitive portions of the (N−2) conductor portions is 0 (zero).
In this case, in order to make the imaginary component of the potential difference at the intermediate position between the capacitor portions of the (N−2) conductor portions be 0 (zero), the inductance of the conductor portion and the capacitance portion It is only necessary that the capacity and the frequency of the high frequency power satisfy the following expressions (1) to (3). If the angular frequency is ω and the frequency is f, it can be expressed as ω = 2πf.
例えば、端子Ｂ１に一番近い容量部の容量Ｃ１が以下の（１）式を満足するようにすればよい。
ここで、Ｃ１は端子Ｂ１側から見て１番目に設けられた容量部の容量、Ｌ１は端子Ｂ１側から見て１番目に設けられた導体部のインダクタンス、Ｌ２は端子Ｂ１側から見て２番目に設けられた導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
For example, the capacitance C1 of the capacitance portion closest to the terminal B1 may satisfy the following expression (1).
Here, C1 is the capacitance of the first capacitor portion viewed from the terminal B1 side, L1 is the inductance of the first conductor portion viewed from the terminal B1 side, and L2 is 2 from the terminal B1 side. The inductance, f, of the conductor portion provided in the second is the frequency of the power.
そして、端子Ｂ１側から見てｎ番目の容量部の容量Ｃｎが以下の（２）式を満足するようにすればよい。なお、ｎは正の整数である。
ここで、Ｃｎは端子Ｂ１側から見てｎ番目に設けられた容量部の容量、Ｌｎは端子Ｂ１側から見てｎ番目に設けられた導体部のインダクタンス、Ｌｎ＋１は端子Ｂ１側から見て（ｎ＋１）番目に設けられた導体部のインダクタンス、ｆは電力の周波数である。
Then, the capacitance Cn of the nth capacitor section as viewed from the terminal B1 side may satisfy the following expression (2). Note that n is a positive integer.
Here, Cn is the capacitance of the nth capacitor section viewed from the terminal B1 side, Ln is the inductance of the nth conductor section viewed from the terminal B1 side, and Ln + 1 is viewed from the terminal B1 side ( The inductance of the (n + 1) th conductor portion, f is the power frequency.
またさらに、端子Ｂ１側から見て（Ｎ−１）番目の容量部の容量ＣＮ−１が以下の（３）式を満足するようにすればよい。すなわち、端子Ｂ２に一番近い容量部の容量ＣＮ−１が以下の（３）式を満足するようにすればよい。
ここで、ＣＮ−１は端子Ｂ１側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた容量部の容量、ＬＮは端子Ｂ１側から見てＮ番目に設けられた導体部のインダクタンス、ＬＮ−１は端子Ｂ１側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた導体部のインダクタンス、ｆは電力の周波数である。
Furthermore, the capacitor CN-1 of the (N-1) th capacitor unit viewed from the terminal B1 side may satisfy the following expression (3). That is, the capacitor CN-1 of the capacitor portion closest to the terminal B2 may satisfy the following expression (3).
Here, CN-1 is the capacitance of the (N-1) th capacitor section viewed from the terminal B1 side, LN is the inductance of the Nth conductor section viewed from the terminal B1 side, LN-1 Is the inductance of the (N-1) th conductor portion viewed from the terminal B1 side, and f is the frequency of power.
また、この様にすれば、１個の導体部と１個の容量部とで構成される部分的なＬＣ直列回路がすべてω２・Ｌ・Ｃ＝１を満たすようにすることができるので、負荷部２０ｂ全体を共振させることができる。
In this way, all the partial LC series circuits composed of one conductor portion and one capacitance portion can satisfy ω2 · L · C = 1. The
次に、図５に例示をした負荷部２０ｂについてさらに例示をする。
図６は、図５に例示をした負荷部の一例を例示するための模式図である。なお、図６（ａ）は負荷部の構成を例示するための模式図、図６（ｂ）は負荷部における電位の分布を例示するための模式グラフ図である。
図６（ａ）に示すように、負荷部２０ｂ１には電磁場を発生させる４個の導体部２２ｂ１〜２２ｂ４と、３個の容量部２３ｂ１〜２３ｂ３とが設けられている。また、導体部と容量部とが電気的に交互に接続されており、１番目の導体部２２ｂ１が端子Ｂ１に電気的に接続され、４番目の導体部２２ｂ４が端子Ｂ２に電気的に接続されている。
Next, the
FIG. 6 is a schematic diagram for illustrating an example of the load unit illustrated in FIG. 5. 6A is a schematic diagram for illustrating the configuration of the load section, and FIG. 6B is a schematic graph for illustrating the distribution of potentials in the load section.
As shown in FIG. 6A, the load portion 20b1 is provided with four conductor portions 22b1 to 22b4 that generate an electromagnetic field and three capacitance portions 23b1 to 23b3. In addition, the conductor portions and the capacitor portions are electrically connected alternately, the first conductor portion 22b1 is electrically connected to the terminal B1, and the fourth conductor portion 22b4 is electrically connected to the terminal B2. ing.
そして、導体部２２ｂ２と導体部２２ｂ３とのインダクタンスが等しいものとされ、導体部２２ｂ１と導体部２２ｂ４とのインダクタンスが等しいものとされている。また、導体部２２ｂ２または導体部２２ｂ３のインダクタンスは、導体部２２ｂ１または導体部２２ｂ４のインダクタンスの２倍とされている。すなわち、容量部同士の間に設けられた導体部２２ｂ２、２２ｂ３のインダクタンスは、端子Ｂ１および端子Ｂ２にそれぞれ接続された導体部２２ｂ１、２２ｂ４のインダクタンスの２倍とされている。 The inductances of the conductor part 22b2 and the conductor part 22b3 are equal, and the inductances of the conductor part 22b1 and the conductor part 22b4 are equal. In addition, the inductance of the conductor portion 22b2 or the conductor portion 22b3 is set to be twice the inductance of the conductor portion 22b1 or the conductor portion 22b4. That is, the inductance of the conductor portions 22b2 and 22b3 provided between the capacitor portions is twice the inductance of the conductor portions 22b1 and 22b4 connected to the terminal B1 and the terminal B2, respectively.
この様なインダクタンスの関係を（１）式〜（３）式に代入して容量部２３ｂ１〜２３ｂ３の容量を求めるといずれの容量もＣａ＝ω−２／Ｌとなる。すなわち、３個の容量部２３ｂ１〜２３ｂ３の容量は等しいものとなる。 By substituting such inductance relationships into the equations (1) to (3) to obtain the capacitances of the capacitance portions 23b1 to 23b3, all capacitances are Ca = ω-2 / L. That is, the three capacitors 23b1 to 23b3 have the same capacity.
この様な構成を有する負荷部２０ｂ１の端子Ｂ１と端子Ｂ２とに高周波電力を印加すると、負荷部２０ｂ１における電位の分布は図６（ｂ）に示すもののようになる。
この場合、容量部２３ｂ１〜２３ｂ３が設けられていない場合には、図３（ｂ）において例示をしたものと同様に負荷部２０ｂ１における電位差の虚数成分の分布は図６（ｂ）中の破線Ｄ１に示すもののようになる。
これに対し、前述した関係を満足する導体部２２ｂ１〜２２ｂ４と、容量部２３ｂ１〜２３ｂ３とを設けるようにすれば、負荷部２０ｂ１における電位差の虚数成分の分布は図６（ｂ）中の実線Ｄ６に示すもののようになる。また、負荷部２０ｂ１における電位の実数成分の分布は図６（ｂ）中の一点鎖線Ｄ７に示すもののようになる。
すなわち、負荷部２０ｂ１における電位が最大となる点の電位差を大幅に低下させることができるので、窓部３の損傷を抑制することができる。
さらに、負荷部２０ｂ１の端子Ｂ１、Ｂ２における電位差の虚数成分と、導体部２２ｂ２、２２ｂ３の中心位置における電位差の虚数成分とが０（ゼロ）となるようにすることができる。
ここで、電位差の虚数成分は実数成分に比べて極めて大きく、窓部３がスパッタされることに関して支配的である。
そのため、両端子間における電位差の虚数成分を０（ゼロ）とすれば、負荷部２０ｂ１の両端子間における電位差Ｖ４は実数成分となるのでその値を極めて低くすることができる。その結果両端子間における異常放電を抑制することができ、窓部３の損傷を抑制することもできる。
この場合、両端子間における電位差の虚数成分は制御可能な限り０（ゼロ）となるようにすることが好ましいが、電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下となればよい。
また、この様にすれば１個の導体部と１個の容量部とで構成される部分的なＬＣ直列回路がすべてω２・Ｌ・Ｃ＝１を満たすようにすることができるので、負荷部２０ｂ１全体を共振させることもできる。
When high frequency power is applied to the terminals B1 and B2 of the load unit 20b1 having such a configuration, the potential distribution in the load unit 20b1 is as shown in FIG. 6B.
In this case, when the capacitor portions 23b1 to 23b3 are not provided, the distribution of the imaginary number component of the potential difference in the load portion 20b1 is the broken line D1 in FIG. 6B as in the case illustrated in FIG. It looks like that shown in
On the other hand, if the conductor portions 22b1 to 22b4 and the capacitance portions 23b1 to 23b3 satisfying the above-described relationship are provided, the distribution of the imaginary component of the potential difference in the load portion 20b1 is the solid line D6 in FIG. It looks like that shown in Further, the distribution of the real number component of the potential in the load portion 20b1 is as shown by the alternate long and short dash line D7 in FIG.
That is, since the potential difference at the point where the potential in the load portion 20b1 becomes maximum can be greatly reduced, damage to the window portion 3 can be suppressed.
Furthermore, the imaginary number component of the potential difference at the terminals B1 and B2 of the load portion 20b1 and the imaginary number component of the potential difference at the center position of the conductor portions 22b2 and 22b3 can be set to 0 (zero).
Here, the imaginary number component of the potential difference is extremely larger than the real number component, and is dominant with respect to the fact that the window 3 is sputtered.
Therefore, if the imaginary component of the potential difference between both terminals is set to 0 (zero), the potential difference V4 between both terminals of the load portion 20b1 becomes a real component, so that the value can be made extremely low. As a result, abnormal discharge between the two terminals can be suppressed, and damage to the window portion 3 can also be suppressed.
In this case, the imaginary number component of the potential difference between both terminals is preferably 0 (zero) as long as it can be controlled, but the value of the imaginary number component of the potential difference may be equal to or less than the value of the real number component of the potential difference.
In this way, since the partial LC series circuit composed of one conductor portion and one capacitor portion can satisfy all ω2 · L · C = 1, the load portion It is also possible to resonate the entire 20b1.
ここで、発生したプラズマＰの状態により、導体部のインダクタンスが変化して前述した関係が満たされなくなる場合がある。
その様な場合には、発生したプラズマＰの状態に基づいて、導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを制御して、前述した関係が満たされるようにすればよい。
例えば、プラズマＰの電子密度に基づいて導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを制御するようにすることができる。
この場合、導体部２２ｂ２や導体部２２ｂ３などの電位を測定部２５により測定し、測定部２５による測定結果に基づいて、制御部２４によりこの電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるように導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを制御するようにすることができる。なお、測定部２５により導体部２２ｂ２や導体部２２ｂ３などの中間位置における電位を測定するようにすることができる。
なお、測定部２５による測定結果に基づいて、作業者などが導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを調整するようにすることもできる。
Here, depending on the state of the generated plasma P, the inductance of the conductor portion may change and the above-described relationship may not be satisfied.
In such a case, based on the state of the generated plasma P, it is necessary to control at least one of the inductance of the conductor part, the capacity of the capacitor part, and the frequency of the high frequency power so that the above-described relationship is satisfied. Good.
For example, it is possible to control at least one of the inductance of the conductor, the capacitance of the capacitor, and the frequency of the high-frequency power based on the electron density of the plasma P.
In this case, the potential of the conductor part 22b2 and the conductor part 22b3 is measured by the measuring
Note that an operator or the like can adjust at least one of the inductance of the conductor part, the capacity of the capacitor part, and the frequency of the high-frequency power based on the measurement result by the
導体部においては、例えば、インダクタンスの異なる導体部に取り替えたり、導体部に接続点を設けて導体部と容量部との接続位置を変化させたりすることで導体部のインダクタンスを制御するようにすることができる。
また、容量部においては、例えば、容量の異なる容量部に取り替えたり、可変容量のコンデンサを容量部に用いて容量を変化させたりすることで容量部の容量を制御するようにすることができる。
なお、導体部のインダクタンスや容量部の容量を制御部２４により制御する場合には、ステップモータなどの制御モータなどにより可変範囲内の各制御位置を選択することで制御を行うようにすることができる。
また、高周波電力の周波数においては、例えば、可変周波数の高周波電源を用いて高周波電力の周波数を制御するようにすることができる。
In the conductor section, for example, the inductance of the conductor section is controlled by replacing the conductor section with a different inductance, or by changing the connection position between the conductor section and the capacitor section by providing a connection point on the conductor section. be able to.
In the capacity section, for example, the capacity of the capacity section can be controlled by changing to a capacity section having a different capacity or changing the capacity by using a variable capacity capacitor for the capacity section.
In addition, when controlling the inductance of a conductor part and the capacity | capacitance part by the
In addition, for the frequency of the high frequency power, for example, the frequency of the high frequency power can be controlled using a variable frequency high frequency power source.
次に、プラズマ処理装置１の作用について例示する。
この場合、一例として、被処理物Ｗをエッチング処理する場合について例示する。
ゲートバルブ１７の扉１３を、図示しないゲート開閉機構により開く。
図示しない搬送部により、搬入搬出口１９から被処理物Ｗを処理容器２内に搬入する。搬入された被処理物Ｗは載置部４上に載置され、載置部４に内蔵された図示しない静電チャックなどにより保持される。
図示しない搬送部を処理容器２の外に退避させる。
図示しないゲート開閉機構によりゲートバルブ１７の扉１３を閉じる。
減圧部９により処理容器２内が所定の圧力となるように減圧される。この際、処理容器２の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、処理容器２内が所定の圧力となるように圧力制御部８により制御される。
Next, the operation of the
In this case, as an example, a case where the workpiece W is etched is illustrated.
The
The workpiece W is carried into the
A transport unit (not shown) is retracted out of the
The
The decompression unit 9 decompresses the inside of the
次に、ガス供給部１８ａから切換部２１、ガス導入口１２を介して処理空間１５内にエッチング処理に用いられるガスを供給する。この際、図示しないＭＦＣ（Mass Flow Controller）などにより供給するガスの流量や圧力などが制御される。エッチング処理に用いられるガスとしては、例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＮＦ３などやこれらの混合ガスなどを例示することができる。
Next, the gas used for the etching process is supplied from the
次に、電源６ｂにより所定の周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数）を有する高周波電力が負荷部２０に印加される。また、電源６ａにより所定の周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ以下の周波数）を有する高周波電力が載置部４に印加される。
Next, high frequency power having a predetermined frequency (for example, a frequency of 13.56 MHz) is applied to the
すると、負荷部２０の導体部が誘導結合型電極を構成するので、負荷部２０の導体部から窓部３を介して電磁場が処理容器２の内部に導入される。そのため、処理容器２の内部に導入された電磁場により処理空間１５にプラズマＰが発生する。発生したプラズマＰによりエッチング処理に用いられるガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物が、処理空間１５内を下降して被処理物Ｗの表面に到達し、エッチング処理が施される。
Then, since the conductor part of the
この場合、負荷部を図４において例示をした構成とすれば、負荷部における電位が最大となる点の電位差を大幅に低下させることができるので、窓部３の損傷を抑制することができる。
負荷部を図５、図６において例示をした構成とすれば、負荷部における電位が最大となる点の電位差を大幅に低下させることができるので、窓部３の損傷を抑制することができる。さらに、負荷部の両端子間における電位差を極めて低くすることができるので両端子間における異常放電を抑制することができるとともに窓部３の損傷を抑制することができる。
In this case, if the load portion is configured as illustrated in FIG. 4, the potential difference at the point where the potential at the load portion is maximized can be greatly reduced, so that damage to the window portion 3 can be suppressed.
If the load portion is configured as illustrated in FIGS. 5 and 6, the potential difference at the point where the potential at the load portion becomes maximum can be significantly reduced, and thus damage to the window portion 3 can be suppressed. Furthermore, since the potential difference between both terminals of the load part can be made extremely low, abnormal discharge between both terminals can be suppressed and damage to the window part 3 can be suppressed.
ここで、発生したプラズマＰの状態により、導体部のインダクタンスが変化して図４〜図６において例示をした関係が満たされなくなる場合がある。
その様な場合には、測定部２５による測定結果に基づいて、制御部２４により導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを制御して、前述した関係が満たされるようにする。
Here, depending on the state of the generated plasma P, the inductance of the conductor portion may change, and the relationships illustrated in FIGS. 4 to 6 may not be satisfied.
In such a case, based on the measurement result by the
また、ファラデーシールド１０の作用により、負荷部２０の導体部とプラズマＰとの間の容量結合が抑制される。そのため、エッチング処理中に窓部３などに負のバイアスがかかることを抑制することができるので、窓部３にプラズマＰ中のイオンが衝突することを抑制することができる。その結果、窓部３の損傷を抑制することができる。また、負荷部２０から導入される電磁場のエネルギーをプラズマＰの生成に効率よく利用することもできる。
Moreover, the capacitive coupling between the conductor part of the
また、電源６ａにより高周波電力が載置部４に印加されることにより、被処理物Ｗにバイアスが印加される。そのため、被処理物Ｗの表面に生成されたイオンを引き込むことができるので、効率の良い異方性エッチング処理を行うことができる。なお、電源６ａによる高周波電力の印加を行わずにエッチング処理を行うこともできる。
In addition, a bias is applied to the workpiece W by applying high frequency power to the
残余のガス、反応生成物、副生成物などの多くは、排気口７から処理容器２外に排出される。
Most of the remaining gas, reaction products, by-products, etc. are discharged out of the
被処理物Ｗのエッチング処理が終了すると、処理容器２内の圧力とゲートバルブ１７の扉１３の外側の圧力とがほぼ等しくなるように、ガス導入口１２からパージガスなどが導入される。
そして、ゲートバルブ１７の扉１３を図示しないゲート開閉機構により開く。
図示しない搬送部により、エッチング処理が施された被処理物Ｗを搬出する。
以上のようにして、被処理物Ｗのエッチング処理が終了する。
When the etching process of the workpiece W is completed, a purge gas or the like is introduced from the
Then, the
The workpiece W subjected to the etching process is carried out by a transport unit (not shown).
As described above, the etching process of the workpiece W is completed.
次に、クリーニング処理を行う場合について例示をする。
ここで、生成されたイオンを窓部３などに衝突させることができれば、副生成物が付着することで形成されたデポ物を除去することができる。
そのため、クリーニング処理を行う場合には、負荷部における電位差が最大となる点の電位差の値を所定の範囲内で大きくしたり、負荷部の両端子間における電位差を所定の範囲内で大きくしたりするようにする。
Next, the case where the cleaning process is performed will be illustrated.
Here, if the generated ions can collide with the window portion 3 or the like, the deposit formed by the by-product can be removed.
Therefore, when performing the cleaning process, the value of the potential difference at the point where the potential difference at the load portion becomes maximum is increased within a predetermined range, or the potential difference between both terminals of the load portion is increased within a predetermined range. To do.
この場合、測定部２５による測定結果に基づいて、制御部２４により導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを制御することで、負荷部における電位差が最大となる点の電位差の値を所定の範囲内で大きくする。
In this case, the potential difference in the load portion is maximized by controlling at least one of the inductance of the conductor portion, the capacitance of the capacitance portion, and the frequency of the high frequency power by the
クリーニング処理を行う場合には、まず、図示しないゲート開閉機構によりゲートバルブ１７の扉１３を閉じる。
次に、減圧部９により処理容器２内が所定の圧力となるように減圧される。この際、処理容器２の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、処理容器２内が所定の圧力となるように圧力制御部８により制御される。
When performing the cleaning process, first, the
Next, the pressure in the
次に、切換部２１により供給されるガスの種類が切り換えられる。そして、ガス供給部１８ｂから切換部２１、ガス導入口１２を介して処理空間１５内にクリーニング処理に用いられるガスを供給する。この際、図示しないＭＦＣ（Mass Flow Controller）などにより供給するガスの流量や圧力などが制御される。クリーニング処理に用いられるガスとしては、例えば、Ｏ２、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣｌＦ３、Ｃｌ２、ＨＣｌ、Ａｒなどを例示することができる。
Next, the type of gas supplied by the switching
次に、電源６ｂにより所定の周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数）を有する高周波電力が負荷部２０に印加される。
すると、負荷部２０の導体部が誘導結合型電極を構成するので、負荷部２０の導体部から窓部３を介して高周波電力が処理容器２の内部に導入される。そのため、処理容器２の内部に導入された高周波電力により処理空間１５にプラズマＰが発生する。発生したプラズマＰによりクリーニング処理に用いられるガスが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子などの反応生成物が生成される。この生成された反応生成物により処理容器２内に付着しているデポ物が除去される。
Next, high frequency power having a predetermined frequency (for example, a frequency of 13.56 MHz) is applied to the
Then, since the conductor part of the
ここで、測定部２５による測定結果に基づいて、制御部２４により導体部のインダクタンス、容量部の容量、高周波電力の周波数の少なくとも１つを制御することで、負荷部における電位差が最大となる点の電位差の値を所定の範囲内で大きくしたり、負荷部の両端子間における電位差を所定の範囲内で大きくしたりする。
すなわち、負荷部における電位差を制御することで前述した関係が満たされないようにして、窓部３などに衝突するイオンを増やすようにする。
なお、窓部３などに衝突するイオンを増加させすぎると窓部３などが損傷するおそれがある。そのため、デポ物の付着量などに基づいて予め実験などにより求められた制御範囲内において制御を行うようにする。
Here, the potential difference in the load portion is maximized by controlling at least one of the inductance of the conductor portion, the capacitance of the capacitance portion, and the frequency of the high-frequency power based on the measurement result by the
That is, by controlling the potential difference in the load portion, the above-described relationship is not satisfied, and the number of ions colliding with the window portion 3 and the like is increased.
Note that if the number of ions colliding with the window 3 or the like is increased too much, the window 3 or the like may be damaged. Therefore, control is performed within a control range obtained in advance through experiments or the like based on the amount of deposits.
またさらに、ファラデーシールド１０の本体部１０ａに電圧を印加することで、クリーニング処理中に窓部３などに負のバイアスを印加するようにすることもできる。そのようにすれば、窓部３などにより多くのイオンを衝突させることができるので、クリーニング処理の効率を向上させることができる。
Furthermore, a negative bias can be applied to the window 3 or the like during the cleaning process by applying a voltage to the
残余のガス、反応生成物、除去されたデポ物などは、排気口７から処理容器２外に排出される。
なお、載置部４の載置面を保護するためにダミーの被処理物Ｗを載置した状態で前述したクリーニング処理を行うようにすることもできる。
以上のようにして、クリーニング処理が終了する。
The remaining gas, reaction products, removed deposits, etc. are discharged out of the
In addition, in order to protect the mounting surface of the mounting
As described above, the cleaning process ends.
本実施の形態によれば、窓部３の損傷を低減させることができる。また、プラズマ処理の種類によって負荷部における電位差を制御することができる。そのため、例えば、エッチング処理などのように被処理物Ｗをプラズマ処理する場合には窓部３の損傷や異常放電の発生を抑制することができ、クリーニング処理などの場合には付着しているデポ物を効率よく除去することができる。 According to the present embodiment, damage to the window portion 3 can be reduced. Further, the potential difference in the load portion can be controlled by the type of plasma treatment. Therefore, for example, when plasma processing is performed on the workpiece W, such as an etching process, damage to the window 3 and abnormal discharge can be suppressed. Things can be removed efficiently.
[第２の実施形態]
次に、第２の実施形態に係るプラズマ処理方法について例示をする。
本実施の形態に係るプラズマ処理方法は、誘導結合型プラズマを用いたプラズマ処理方法であって、導体部と容量部とが電気的に交互に接続された負荷部に電力を印加する工程と、導体部のインダクタンス、容量部の容量、電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つの制御を行う工程と、を備えている。そして、前記制御を行う工程において、導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるように制御される。例えば、導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるように制御される。
[Second Embodiment]
Next, the plasma processing method according to the second embodiment is illustrated.
The plasma processing method according to the present embodiment is a plasma processing method using inductively coupled plasma, and a step of applying power to a load portion in which a conductor portion and a capacitor portion are electrically connected, and And a step of performing at least one control selected from the group consisting of the inductance of the conductor portion, the capacitance of the capacitor portion, and the frequency of power. In the step of performing the control, control is performed so that a position where the imaginary number component of the potential difference is 0 (zero) occurs in the conductor portion. For example, the imaginary number component of the potential difference at the intermediate position between the capacitor portions of the conductor portion is controlled to be 0 (zero).
この場合、前記制御を行う工程において、負荷部の端子Ｂ１と端子Ｂ２との間における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるように制御されるようにすることができる。
また、導体部はＮ個設けられ、容量部は（Ｎ−１）個設けられ、端子Ｂ１および端子Ｂ２にはそれぞれ導体部が接続され、前記制御を行う工程において、導体部のインダクタンスと、容量部の容量と、電力の周波数との関係が前述した以下の（１）式乃至（３）式を満たすように制御されるようにすることができる。
In this case, in the step of performing the control, control can be performed so that the imaginary number component of the potential difference between the terminal B1 and the terminal B2 of the load unit becomes 0 (zero).
Further, N conductor portions are provided, (N-1) capacitor portions are provided, and the conductor portions are connected to the terminals B1 and B2, respectively. In the step of performing the control, the inductance and capacitance of the conductor portions are provided. The relationship between the capacity of the unit and the frequency of power can be controlled so as to satisfy the following expressions (1) to (3).
また、端子Ｂ１および端子Ｂ２にはそれぞれ導体部が接続され、前記制御を行う工程において、容量部同士の間に設けられた導体部のインダクタンスは、端子Ｂ１および端子Ｂ２にそれぞれ接続された導体部のインダクタンスの２倍となり、容量部の容量が等しいものとなるように制御されるようにすることができる。
また、容量部同士の間に設けられた導体部の電位を測定する工程を備え、前記制御を行う工程において、前記測定を行う工程における測定結果に基づいて制御を実行するようにすることができる。この場合、前記測定を行う工程において、導体部の容量部同士の間の中間位置における電位を測定するようにすることができる。
In addition, a conductor portion is connected to each of the terminal B1 and the terminal B2, and in the step of performing the control, the inductance of the conductor portion provided between the capacitor portions is a conductor portion connected to the terminal B1 and the terminal B2, respectively. It is possible to control so that the capacitance of the capacitor portion becomes equal to twice the inductance of the capacitor.
Further, the method includes a step of measuring a potential of a conductor portion provided between the capacitor portions, and in the step of performing the control, the control can be executed based on a measurement result in the step of performing the measurement. . In this case, in the step of performing the measurement, the potential at an intermediate position between the capacitor portions of the conductor portion can be measured.
また、前記制御を行う工程において、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、導体部おいて電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるように制御し、クリーニング処理を行う場合には、導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じないように制御するようにすることができる。
この場合、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるように制御し、クリーニング処理を行う場合には、導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）とならないように制御するようにすることができる。
Further, in the step of performing the control, when performing the plasma processing of the workpiece, the cleaning is performed by controlling the conductor portion so that the position where the imaginary component of the potential difference becomes 0 (zero) is generated. Can be controlled so that a position where the imaginary component of the potential difference becomes 0 (zero) does not occur in the conductor portion.
In this case, when plasma processing is performed on the workpiece, the imaginary number component of the potential difference at the intermediate position between the capacitor portions of the conductor portion is controlled to be 0 (zero), and the cleaning processing is performed. The imaginary number component of the potential difference at the intermediate position between the capacitor portions of the conductor portion can be controlled so as not to be 0 (zero).
また、負荷部と電磁波を透過させる窓部との間に設けられたファラデーシールドの電位を制御する工程を備え、被処理物のプラズマ処理を行う場合には、ファラデーシールドの電位を接地電位とし、クリーニング処理を行う場合には、ファラデーシールドにバイアス電源を接続し、バイアス電圧を印加するようにしたものとすることができる。
なお、各工程における内容や作用、効果などは、前述したプラズマ処理装置１において例示をしたものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
In addition, the method includes a step of controlling the potential of the Faraday shield provided between the load portion and the window portion through which electromagnetic waves are transmitted, and when performing plasma processing of the workpiece, the potential of the Faraday shield is set to the ground potential, When performing the cleaning process, a bias power supply may be connected to the Faraday shield to apply a bias voltage.
In addition, since the content, operation | movement, effect, etc. in each process can be made to be the same as that of what was illustrated in the
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、プラズマ処理装置１が備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
例えば、プラズマ処理装置１の天井部分に平面的に配置された負荷部２０を例示したが、プラズマ処理装置に螺旋状に巻きつけられた負荷部とすることもできる。
また、プラズマ処理の一例として、エッチング処理、クリーニング処理を例示したがこれらに限定されるわけではない。誘導結合型プラズマを用いて行うプラズマ処理に広く適用させることができる。
また同様に、エッチング処理を行うプラズマエッチング処理装置に限定されるわけではない。誘導結合型プラズマを発生可能なプラズマ処理装置に広く適用させることができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
Regarding the above-described embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added the process, omitted, or changed the conditions also have the features of the present invention. As long as it is within the scope of the present invention.
For example, the shape, size, material, arrangement, number, and the like of each element included in the
For example, although the
Moreover, although an etching process and a cleaning process were illustrated as an example of a plasma process, it is not necessarily limited to these. The present invention can be widely applied to plasma processing performed using inductively coupled plasma.
Similarly, the present invention is not limited to a plasma etching apparatus that performs an etching process. The present invention can be widely applied to plasma processing apparatuses capable of generating inductively coupled plasma.
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is combined can be combined as much as possible, and what combined these is also included in the scope of the present invention as long as the characteristics of the present invention are included.
１ プラズマ処理装置、２ 処理容器、３ 窓部、４ 載置部、６ａ 電源、６ｂ 電源、９ 減圧部、１０ ファラデーシールド、１７ ゲートバルブ、１８ ガス供給部、２０ 負荷部、２０ａ 負荷部、２０ｂ１ 負荷部、２１ 切換部、２２ａ 導体部、２２ｂ１〜２２ｂ４ 導体部、２３ａ 容量部、２３ｂ 容量部、２３ｂ１〜２３ｂ３ 容量部、２４ 制御部、２５ 測定部、Ｇ ガス、Ｐ プラズマ、Ｗ 被処理物
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置部と、
前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器に設けられ、電磁波を透過させる窓部と、
前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部と複数の容量部とを有した負荷部と、
前記負荷部に電力を印加する電源と、
を備え、
前記導体部と前記容量部とは電気的に交互に接続され、
被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じるようにされ、
前記負荷部の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下とされたことを特徴とするプラズマ処理装置。 A treatment container capable of maintaining an atmosphere depressurized from atmospheric pressure;
A decompression section for decompressing the inside of the processing container to a predetermined pressure;
A placement unit that is provided inside the processing container and places a workpiece;
A gas supply unit for supplying gas into the processing container;
A window that is provided in the processing container and transmits electromagnetic waves;
A load portion disposed outside the window portion and having a plurality of conductor portions and a plurality of capacitance portions for generating an electromagnetic field;
A power supply for applying power to the load section;
With
The conductor portion and the capacitor portion are electrically connected alternately,
When performing plasma processing of the workpiece, a position where the imaginary component of the potential difference is 0 (zero) is generated in the conductor portion provided between the capacitor portions,
The plasma processing apparatus characterized in that the value of the imaginary component of the potential difference between the first terminal and the second terminal of the load section is equal to or less than the value of the real component of the potential difference.
前記第１の端子および前記第２の端子にはそれぞれ前記導体部が接続され、
前記導体部のインダクタンスと、前記容量部の容量と、前記電力の周波数との関係が以下の（４）式乃至（６）式を満たしたことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
ここで、Ｃ１は前記第１の端子側から見て１番目に設けられた前記容量部の容量、Ｌ１は前記第１の端子側から見て１番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、Ｌ２は前記第１の端子側から見て２番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
ここで、Ｃｎは前記第１の端子側から見てｎ番目に設けられた前記容量部の容量、Ｌｎは前記第１の端子側から見てｎ番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、Ｌｎ＋１は前記第１の端子側から見て（ｎ＋１）番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
ここで、ＣＮ−１は前記第１の端子側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた前記容量部の容量、ＬＮは前記第１の端子側から見てＮ番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ＬＮ−１は前記第１の端子側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。 The load portion includes N conductor portions and (N−1) capacitor portions,
The conductor portion is connected to each of the first terminal and the second terminal,
3. The plasma according to claim 1, wherein the relationship between the inductance of the conductor portion, the capacitance of the capacitance portion, and the frequency of the power satisfies the following equations (4) to (6): 4. Processing equipment.
Here, C1 is the capacitance of the capacitor portion provided first when viewed from the first terminal side, L1 is the inductance of the conductor portion provided first when viewed from the first terminal side, L2 Is the inductance of the conductor provided second when viewed from the first terminal side, and f is the frequency of the power.
Here, Cn is a capacitance of the capacitor portion provided nth when viewed from the first terminal side, Ln is an inductance of the conductor portion provided nth when viewed from the first terminal side, and Ln + 1 Is the inductance of the conductor portion provided at the (n + 1) th as viewed from the first terminal side, and f is the frequency of the power.
Here, CN-1 is the capacitance of the capacitor portion provided at the (N-1) th as viewed from the first terminal side, and LN is the Nth capacitor as viewed from the first terminal side. The inductance of the conductor part, LN-1 is the inductance of the conductor part provided at the (N-1) th as viewed from the first terminal side, and f is the frequency of the power.
前記容量部同士の間に設けられた前記導体部のインダクタンスは、前記第１の端子および前記第２の端子にそれぞれ接続された前記導体部のインダクタンスの２倍とされ、
前記容量部の容量が等しいものとされたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。 The conductor portion is connected to each of the first terminal and the second terminal,
The inductance of the conductor portion provided between the capacitor portions is twice the inductance of the conductor portion connected to the first terminal and the second terminal, respectively.
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the capacities of the capacities are equal.
前記制御部は、前記測定部による測定結果に基づいて制御を実行することを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。 A measuring unit for measuring the potential of the conductor provided between the capacitors;
The plasma processing apparatus according to claim 5, wherein the control unit performs control based on a measurement result by the measurement unit.
クリーニング処理を行う場合には、前記導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じないように制御することを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理装置。 When the plasma processing of the workpiece is performed, the control unit performs control so that a position where the imaginary number component of the potential difference is 0 (zero) occurs in the conductor portion.
The plasma processing apparatus according to claim 6, wherein when performing the cleaning process, control is performed so that a position where an imaginary number component of the potential difference becomes 0 (zero) does not occur in the conductor portion.
前記負荷部と前記ファラデーシールドとの間に設けられた絶縁部と、
を備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。 A Faraday shield provided between the load portion and the window portion;
An insulating part provided between the load part and the Faraday shield;
The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising:
導体部と容量部とが電気的に交互に接続された負荷部に電力を印加する工程と、
前記導体部のインダクタンス、前記容量部の容量、前記電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つの制御を行う工程と、
を備え、
被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記制御を行う工程において、前記負荷部の第１の端子と、第２の端子と、の間における電位差の虚数成分の値が電位差の実数成分の値以下となるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法。 A plasma processing method using inductively coupled plasma,
Applying power to a load portion in which the conductor portion and the capacitor portion are electrically connected alternately;
Performing at least one control selected from the group consisting of the inductance of the conductor portion, the capacitance of the capacitance portion, and the frequency of the power;
With
When performing plasma processing on the workpiece, in the step of performing the control, the value of the imaginary component of the potential difference between the first terminal and the second terminal of the load unit is the real component of the potential difference. A plasma processing method, wherein the plasma processing method is controlled to be equal to or less than a value.
前記第１の端子および前記第２の端子にはそれぞれ前記導体部が接続され、
前記制御を行う工程において、前記導体部のインダクタンスと、前記容量部の容量と、前記電力の周波数との関係が以下の（７）式乃至（９）式を満たすように制御されることを特徴とする請求項１０または１１に記載のプラズマ処理方法。
ここで、Ｃ１は前記第１の端子側から見て１番目に設けられた前記容量部の容量、Ｌ１は前記第１の端子側から見て１番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、Ｌ２は前記第１の端子側から見て２番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
ここで、Ｃｎは前記第１の端子側から見てｎ番目に設けられた前記容量部の容量、Ｌｎは前記第１の端子側から見てｎ番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、Ｌｎ＋１は前記第１の端子側から見て（ｎ＋１）番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
ここで、ＣＮ−１は前記第１の端子側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた前記容量部の容量、ＬＮは前記第１の端子側から見てＮ番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ＬＮ−１は前記第１の端子側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。 The load portion includes N conductor portions and (N−1) capacitor portions,
The conductor portion is connected to each of the first terminal and the second terminal,
In the step of performing the control, the relationship between the inductance of the conductor part, the capacity of the capacitor part, and the frequency of the power is controlled so as to satisfy the following expressions (7) to (9). The plasma processing method according to claim 10 or 11.
Here, C1 is the capacitance of the capacitor portion provided first when viewed from the first terminal side, L1 is the inductance of the conductor portion provided first when viewed from the first terminal side, L2 Is the inductance of the conductor provided second when viewed from the first terminal side, and f is the frequency of the power.
Here, Cn is a capacitance of the capacitor portion provided nth when viewed from the first terminal side, Ln is an inductance of the conductor portion provided nth when viewed from the first terminal side, and Ln + 1 Is the inductance of the conductor portion provided at the (n + 1) th as viewed from the first terminal side, and f is the frequency of the power.
Here, CN-1 is the capacitance of the capacitor portion provided at the (N-1) th as viewed from the first terminal side, and LN is the Nth capacitor as viewed from the first terminal side. The inductance of the conductor part, LN-1 is the inductance of the conductor part provided at the (N-1) th as viewed from the first terminal side, and f is the frequency of the power.
前記制御を行う工程において、前記容量部同士の間に設けられた前記導体部のインダクタンスは、前記第１の端子および前記第２の端子にそれぞれ接続された前記導体部のインダクタンスの２倍となり、
前記容量部の容量が等しいものとなるように制御されることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。 The conductor portion is connected to each of the first terminal and the second terminal,
In the step of performing the control, the inductance of the conductor portion provided between the capacitor portions is twice the inductance of the conductor portion connected to the first terminal and the second terminal, respectively.
The plasma processing method according to claim 10, wherein the capacities of the capacities are controlled to be equal.
前記制御を行う工程において、前記測定を行う工程における測定結果に基づいて制御を実行することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。 Comprising the step of measuring the potential of the conductor portion provided between the capacitance portions,
The plasma processing method according to claim 10, wherein in the step of performing control, control is performed based on a measurement result in the step of performing measurement.
前記被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記ファラデーシールドの電位を接地電位とし、
クリーニング処理を行う場合には、前記ファラデーシールドにバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。 Comprising the step of controlling the potential of a Faraday shield provided between the load portion and a window portion that transmits electromagnetic waves,
When performing plasma treatment of the object to be treated, the potential of the Faraday shield is set to the ground potential,
16. The plasma processing method according to claim 10, wherein a bias voltage is applied to the Faraday shield when performing a cleaning process.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020053326A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Plasma processing apparatus |
| WO2020242206A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 한국기초과학지원연구원 | Plasma device comprising oes device, and electrode |
| JP2022541054A (en) * | 2019-07-19 | 2022-09-21 | 江蘇魯▲もん▼儀器有限公司 | PLASMA PROCESSING SYSTEM AND PLASMA PROCESSING METHOD INCLUDING FARADAY SHIELD DEVICE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070107A (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Ulvac Japan Ltd | Plasma exciting antenna and plasma processor |
| JP2003031558A (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | Apparatus and method for generating plasma |
-
2015
- 2015-06-15 JP JP2015119873A patent/JP2015207562A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070107A (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Ulvac Japan Ltd | Plasma exciting antenna and plasma processor |
| JP2003031558A (en) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | Apparatus and method for generating plasma |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020053326A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Plasma processing apparatus |
| US11387082B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-07-12 | Shibaura Mechatronics Corporation | Plasma processing apparatus |
| WO2020242206A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 한국기초과학지원연구원 | Plasma device comprising oes device, and electrode |
| JP2022541054A (en) * | 2019-07-19 | 2022-09-21 | 江蘇魯▲もん▼儀器有限公司 | PLASMA PROCESSING SYSTEM AND PLASMA PROCESSING METHOD INCLUDING FARADAY SHIELD DEVICE |
| JP7278471B2 (en) | 2019-07-19 | 2023-05-19 | 江蘇魯▲もん▼儀器股▲ふん▼有限公司 | PLASMA PROCESSING SYSTEM AND PLASMA PROCESSING METHOD INCLUDING FARADAY SHIELD DEVICE |
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