JP2015199752A - Iridium complex mixture, organic electroluminescent element and method for producing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: an iridium complex mixture that is excellent in solubility, can be easily produced, and is excellent in durability of an element; an organic electroluminescent element using the iridium complex mixture; and a method for producing the same.SOLUTION: The iridium complex mixture has two or more iridium complexes represented by general formula (1) defined by (A)Ir(B)[A and B are bidentate ligands having different structures; A has a structure represented by general formula (2), where Rto Rare alkyl groups; and m is an integer from 0 to 2, and n is an integer from 1 to 3, satisfying m+n=3]. The bidentate ligands represented by B in the formula of at least two iridium complexes among the two or more iridium complexes are bidentate ligands having the same structure.

Description

本発明は、有機電界発光素子の有機層に適用可能なイリジウム錯体混合物、並びに有機電界発光素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an iridium complex mixture applicable to an organic layer of an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device, and a method for producing the same.

イリジウム錯体は、高い発光効率を有することから、近年、有機電界発光素子の材料として、研究開発が活発に行われている。   In recent years, iridium complexes have been actively researched and developed as materials for organic electroluminescent devices because of their high luminous efficiency.

有機電界発光素子は、自発光、高速応答などの特長を持ち、フラットパネルディスプレイへの適用が期待されており、特に、正孔輸送性の有機薄膜(正孔輸送層)と電子輸送性の有機薄膜(電子輸送層)とを積層した2層型(積層型)のものが報告されて以来、10V以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集めている。積層型の有機電界発光素子は、正極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/負極、を基本構成としている。   Organic electroluminescence devices have features such as self-emission and high-speed response, and are expected to be applied to flat panel displays. In particular, organic thin films (hole transport layer) that have a hole transport property and organic materials that have an electron transport property. Since a two-layer type (laminated type) in which a thin film (electron transport layer) is laminated is reported, it has attracted attention as a large-area light-emitting element that emits light at a low voltage of 10 V or less. The stacked organic electroluminescent element has a basic configuration of positive electrode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / negative electrode.

有機電界発光素子の製造においては、一般的に、真空蒸着法により各層を形成する方法が行われている。
しかしながら、真空蒸着法により層を形成する方法は、大掛かりな蒸着装置が必要でコストが高いという問題がある。また、製造される有機電界発光素子の大面積化が困難という問題がある。
In the manufacture of an organic electroluminescent element, generally, a method of forming each layer by a vacuum deposition method is performed.
However, the method of forming a layer by vacuum vapor deposition has a problem that a large vapor deposition apparatus is required and the cost is high. Further, there is a problem that it is difficult to increase the area of the manufactured organic electroluminescent device.

一方、真空蒸着法に比べてコストが安く、大面積な有機電界発光素子の製造が可能な方法としては、塗布液を用いた塗布により発光層などを形成する塗布法がある。
しかしながら、イリジウム錯体は、溶媒に対する溶解性が低いため、均一で安定な塗布液が得られない。そのため、この塗布液を用いて層を形成しても、均一な層が得られず、層の耐久性が悪いという問題がある。したがって、イリジウム錯体を含有する層は、真空蒸着法により形成されているのが現状である。
On the other hand, as a method that can be manufactured at a low cost and capable of manufacturing a large-area organic electroluminescent device, there is a coating method in which a light emitting layer is formed by coating using a coating solution.
However, since the iridium complex has low solubility in a solvent, a uniform and stable coating solution cannot be obtained. Therefore, even if a layer is formed using this coating solution, there is a problem that a uniform layer cannot be obtained and the durability of the layer is poor. Therefore, the layer containing the iridium complex is currently formed by a vacuum deposition method.

イリジウム錯体の溶媒に対する溶解性を高めるためには、異なる配位子を用いることにより、イリジウム錯体の構造を、イリジウム原子を中心として非対称にすることが有効である。
しかしながら、この非対称の構造を有するイリジウム錯体は、複数の配位子を用いて合成するため、1種類のイリジウム錯体のみを合成することは困難であり、通常、所望とするイリジウム錯体と配位子の構造が異なるイリジウム錯体との混合物が得られる。このようなイリジウム錯体混合物を有機電界発光素子の有機層に用いた場合、通常は、素子の耐久性が低下するといった問題がある。
また、合成したイリジウム錯体混合物から所望とするイリジウム錯体のみを得るには、通常、クロマトグラフィーなどの精製を行う必要があるが、イリジウム錯体には精製が困難なものが多い上に、精製はコストがかかるといった問題がある。
In order to increase the solubility of the iridium complex in the solvent, it is effective to make the structure of the iridium complex asymmetric about the iridium atom by using different ligands.
However, since the iridium complex having this asymmetric structure is synthesized using a plurality of ligands, it is difficult to synthesize only one kind of iridium complex. A mixture with an iridium complex having a different structure is obtained. When such an iridium complex mixture is used in the organic layer of an organic electroluminescent device, there is usually a problem that the durability of the device is lowered.
In addition, in order to obtain only the desired iridium complex from the synthesized iridium complex mixture, it is usually necessary to perform purification such as chromatography. However, many iridium complexes are difficult to purify, and purification is costly. There is a problem that it takes.

これらの問題を解決する技術として、第1に、2−フェニルイソキノリン誘導体を配位子の一つに用いた非対称の構造を有するイリジウム錯体混合物の技術が提案されている(特許文献1)。
しかしながら、この提案の技術は、得られるイリジウム錯体混合物の溶媒に対する溶解性が、未だ所望の程度に達していない。また、得られるイリジウム錯体混合物を有機電界発光素子に用いた場合、有機電界発光素子の耐久性が低いという問題がある。
As a technique for solving these problems, firstly, a technique of an iridium complex mixture having an asymmetric structure using a 2-phenylisoquinoline derivative as one of ligands has been proposed (Patent Document 1).
However, the proposed technique has not yet reached the desired degree of solubility in the solvent of the resulting iridium complex mixture. Moreover, when the obtained iridium complex mixture is used for an organic electroluminescent element, there exists a problem that durability of an organic electroluminescent element is low.

第2に、2種の配位子を用いその配位子の一つがニトロ基を有する非対称のイリジウム錯体に関する技術が提案されている(特許文献2)。
しかしながら、この提案の技術は、得られるイリジウム錯体の溶媒に対する溶解性が、未だ所望の程度に達していない。
Secondly, a technique related to an asymmetric iridium complex in which two types of ligands are used and one of the ligands has a nitro group has been proposed (Patent Document 2).
However, this proposed technique has not yet achieved the desired degree of solubility of the resulting iridium complex in a solvent.

第3に、3級又は4級の炭素原子のアルキル基を置換基に持つ2−フェニルピリジン誘導体配位子を有するイリジウム錯体を有機電界発光素子に用いる技術が提案されている(特許文献3)。
しかしながら、この提案のイリジウム錯体は、溶媒に対する溶解性が、未だ所望の程度に達していない。また、このイリジウム錯体を合成するには、クロマトグラフィーなどの精製が必要であるという問題がある。
なお、この提案において、2種以上のイリジウム錯体を混合したイリジウム錯体混合物については何ら検討されていない。
Thirdly, a technique using an iridium complex having a 2-phenylpyridine derivative ligand having an alkyl group of a tertiary or quaternary carbon atom as a substituent has been proposed (Patent Document 3). .
However, the proposed iridium complex has not yet reached the desired degree of solubility in solvents. Moreover, in order to synthesize this iridium complex, there is a problem that purification such as chromatography is required.
In this proposal, no study has been made on an iridium complex mixture obtained by mixing two or more iridium complexes.

さらに、イリジウム錯体は、合成における収率が低いことから、高い収率で合成できるイリジウム錯体が望まれているものの、前記特許文献1から3で提案のイリジウム錯体は、合成における収率が低いという問題がある。   Furthermore, since the iridium complex has a low yield in synthesis, an iridium complex that can be synthesized at a high yield is desired, but the iridium complexes proposed in Patent Documents 1 to 3 have a low yield in synthesis. There's a problem.

したがって、溶媒に対する溶解性に優れ、合成における収率が高く、クロマトグラフィーなどの精製の必要がなく製造が容易で、更に、有機電界発光素子に用いた場合に素子の耐久性に優れるイリジウム錯体混合物、並びに該イリジウム錯体混合物を用いた有機電界発光素子、及びその製造方法の提供が求められているのが現状である。   Therefore, an iridium complex mixture having excellent solubility in a solvent, high yield in synthesis, no need for purification such as chromatography, easy production, and excellent durability of the device when used in an organic electroluminescent device In addition, there is a demand for providing an organic electroluminescent device using the iridium complex mixture and a method for producing the same.

特表2008−528754号公報Special table 2008-528754 特表2006−507279号公報JP-T-2006-507279 特開2008−91894号公報JP 2008-91894 A

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、溶媒に対する溶解性に優れ、合成における収率が高く、クロマトグラフィーなどの精製の必要がなく製造が容易で、更に、有機電界発光素子に用いた場合に素子の耐久性に優れるイリジウム錯体混合物、並びに該イリジウム錯体混合物を用いた有機電界発光素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-described problems and achieve the following objects. That is, the present invention is excellent in solubility in a solvent, has a high yield in synthesis, is easy to manufacture without the need for purification such as chromatography, and further, when used in an organic electroluminescent device, it has improved device durability. It is an object of the present invention to provide an excellent iridium complex mixture, an organic electroluminescence device using the iridium complex mixture, and a production method thereof.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を2種以上有し、
該2種以上のイリジウム錯体のうちの少なくとも2種のイリジウム錯体の、下記一般式(1)中のBで表される2座配位子が同じ構造の2座配位子であることを特徴とするイリジウム錯体混合物である。
(A)Ir(B) 一般式(1)
ただし、前記一般式(1)中、A、及びBは、異なる構造の2座配位子を表す。Aは、下記一般式(2)で表される構造を有する。mは、0から2の整数を表し、nは、1から3の整数を表し、m+n=3である。
ただし、前記一般式(2)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
<2> イリジウム錯体のイリジウムと2座配位子とが、2座配位子の窒素原子及び炭素原子で結合している前記<1>に記載のイリジウム錯体混合物である。
<3> 一般式(1)で表されるイリジウム錯体が、下記一般式(3)で表されるイリジウム錯体である前記<1>から<2>のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物である。
ただし、前記一般式(3)中、R〜R19は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を表し、隣接するR〜R19は、互いに結合し環を形成してもよい。R〜R11の少なくとも1つは、下記一般式(2)で表される構造を有する。m、n及びm+nは、それぞれ一般式(1)におけるm、n及びm+nと同様である。
ただし、前記一般式(2)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
<4> mが0でないイリジウム錯体のうちの1種のイリジウム錯体が、全てのイリジウム錯体の合計量に対して91質量%以上99.99質量%以下である前記<1>から<3>のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物である。
<5> mが1であるイリジウム錯体が、全てのイリジウム錯体の合計量に対して91質量%以上99.99質量%以下である前記<1>から<4>のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物である。
<6> 2種以上のイリジウム錯体が、イリジウム錯体の合成における主生成物及び副生成物である前記<1>から<5>のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物である。
<7> 陽極と陰極の間に少なくとも1層の有機層を有してなり、
該有機層の少なくとも1層が、前記<1>から<6>のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物を含有する有機層であることを特徴とする有機電界発光素子である。
<8> 有機層を3層以上有する前記<7>に記載の有機電界発光素子である。
<9> イリジウム錯体混合物を含有する有機層が、発光層である前記<7>から<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<10> イリジウム錯体混合物を含有する有機層が、正孔注入層である前記<7>から<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<11> 前記<7>から<10>のいずれかに記載の有機電界発光素子を製造する有機電界発光素子の製造方法であって、イリジウム錯体混合物を含有する有機層を塗布により形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> having two or more iridium complexes represented by the following general formula (1),
The bidentate ligand represented by B in the following general formula (1) of at least two iridium complexes of the two or more iridium complexes is a bidentate ligand having the same structure. Is an iridium complex mixture.
(A) m Ir (B) n General formula (1)
However, in the said General formula (1), A and B represent the bidentate ligand of a different structure. A has a structure represented by the following general formula (2). m represents an integer of 0 to 2, n represents an integer of 1 to 3, and m + n = 3.
However, in said general formula (2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent an alkyl group each independently.
<2> The iridium complex mixture according to <1>, wherein the iridium of the iridium complex and the bidentate ligand are bonded to each other with a nitrogen atom and a carbon atom of the bidentate ligand.
<3> The iridium complex mixture according to any one of <1> to <2>, wherein the iridium complex represented by the general formula (1) is an iridium complex represented by the following general formula (3).
In the general formula (3), R 4 ~R 19 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, adjacent R 4 to R 19 are bonded to each other A ring may be formed. At least one of R 4 to R 11 has a structure represented by the following general formula (2). m, n and m + n are the same as m, n and m + n in the general formula (1), respectively.
However, in said general formula (2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent an alkyl group each independently.
<4> The above-mentioned <1> to <3>, wherein one iridium complex among the iridium complexes in which m is not 0 is 91% by mass or more and 99.99% by mass or less with respect to the total amount of all iridium complexes. The iridium complex mixture according to any one of the above.
<5> The iridium complex according to any one of <1> to <4>, wherein the iridium complex in which m is 1 is 91% by mass to 99.99% by mass with respect to the total amount of all iridium complexes. It is a mixture.
<6> The iridium complex mixture according to any one of <1> to <5>, wherein the two or more iridium complexes are main products and by-products in the synthesis of the iridium complex.
<7> having at least one organic layer between the anode and the cathode,
An organic electroluminescent device, wherein at least one of the organic layers is an organic layer containing the iridium complex mixture according to any one of <1> to <6>.
<8> The organic electroluminescence device according to <7>, wherein the organic electroluminescence device has three or more organic layers.
<9> The organic electroluminescent element according to any one of <7> to <8>, wherein the organic layer containing the iridium complex mixture is a light emitting layer.
<10> The organic electroluminescent element according to any one of <7> to <8>, wherein the organic layer containing the iridium complex mixture is a hole injection layer.
<11> A method for producing an organic electroluminescent device for producing an organic electroluminescent device according to any one of <7> to <10>, wherein an organic layer containing an iridium complex mixture is formed by coating. It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized.

本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、溶媒に対する溶解性に優れ、合成における収率が高く、クロマトグラフィーなどの精製の必要がなく製造が容易で、更に、有機電界発光素子に用いた場合に素子の耐久性に優れるイリジウム錯体混合物、並びに該イリジウム錯体混合物を用いた有機電界発光素子、及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the conventional problems can be solved, the solubility in a solvent is excellent, the yield in synthesis is high, the production is easy without the need for purification such as chromatography, and organic electroluminescence is further achieved. It is possible to provide an iridium complex mixture excellent in durability of an element when used in an element, an organic electroluminescent element using the iridium complex mixture, and a method for producing the same.

(イリジウム錯体混合物)
本発明のイリジウム錯体混合物は、下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を2種以上有し、更に必要に応じて、その他の化合物を有する。
(Iridium complex mixture)
The iridium complex mixture of this invention has 2 or more types of iridium complexes represented by following General formula (1), and also has another compound as needed.

<イリジウム錯体>
前記イリジウム錯体としては、下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
(A)Ir(B) 一般式(1)
ただし、前記一般式(1)中、A、及びBは、異なる構造の2座配位子を表す。Aは、下記一般式(2)で表される構造を有する。mは、0から2の整数を表し、nは、1から3の整数を表し、m+n=3である。
ただし、前記一般式(2)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
<Iridium complex>
As said iridium complex, if it is an iridium complex represented by following General formula (1), there will be no restriction | limiting in particular, According to the objective, it can select suitably.
(A) m Ir (B) n General formula (1)
However, in the said General formula (1), A and B represent the bidentate ligand of a different structure. A has a structure represented by the following general formula (2). m represents an integer of 0 to 2, n represents an integer of 1 to 3, and m + n = 3.
However, in said general formula (2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent an alkyl group each independently.

前記2座配位子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、以下の式で表される2座配位子が挙げられる。
(式中、*はイリジウムと結合する部位を示す。Rは、それぞれ独立に水素原子、置換基を表す。)
There is no restriction | limiting in particular as said bidentate ligand, According to the objective, it can select suitably, For example, the bidentate ligand represented by the following formula | equation is mentioned.
(In the formula, * represents a site bonded to iridium. R independently represents a hydrogen atom or a substituent.)

前記イリジウム錯体のイリジウムと2座配位子との結合の態様としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、2座配位子の窒素原子及び炭素原子で結合している態様、2座配位子の2つの窒素原子で結合している態様、2座配位子の2つの炭素原子で結合している態様、2座配位子の炭素原子及び酸素原子で結合している態様、2座配位子の2つの酸素原子で結合している態様などが挙げられる。これらの中でも、2座配位子の窒素原子及び炭素原子で結合している態様が、熱安定性に優れる点で好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as an aspect of a coupling | bonding of the iridium of the said iridium complex, and a bidentate ligand, According to the objective, it can select suitably, For example, it couple | bonds with the nitrogen atom and carbon atom of a bidentate ligand Embodiment in which the bidentate ligand is bonded with two nitrogen atoms Embodiment in which the bidentate ligand is bonded with two carbon atoms Carbon atom and oxygen atom in the bidentate ligand The mode which is couple | bonded by two oxygen atoms of a bidentate ligand, etc. are mentioned. Among these, the aspect which couple | bonds with the nitrogen atom and carbon atom of a bidentate ligand is preferable at the point which is excellent in thermal stability.

前記一般式(2)中の、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。R、R、及びRとしては、アルキル基であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、直鎖のアルキル基、分岐のアルキル基、環状のアルキル基が挙げられる。
前記アルキル基の炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、炭素数1〜10が好ましく、炭素数1〜6がより好ましく、炭素数1〜3が特に好ましい。
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。
In the general formula (2), R 1 , R 2 , and R 3 each independently represents an alkyl group. R 1 , R 2 , and R 3 are not particularly limited as long as they are alkyl groups, and can be appropriately selected according to the purpose. Examples thereof include linear alkyl groups, branched alkyl groups, and cyclic alkyl groups. Groups.
There is no restriction | limiting in particular as carbon number of the said alkyl group, Although it can select suitably according to the objective, C1-C10 is preferable, C1-C6 is more preferable, C1-C3 is especially preferable.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl. Group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, etc. Can be mentioned.

前記一般式(2)で表される構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、t−ブチル基、t−アミル基、3−メチルペンタン−3−イル基、2−メチルペンタン−2−イル基が、溶媒に対する溶解性及びキャリア輸送性(電荷移動)に優れる点で好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a structure represented by the said General formula (2), Although it can select suitably according to the objective, t-butyl group, t-amyl group, 3-methylpentane-3-yl group The 2-methylpentan-2-yl group is preferable because it is excellent in solubility in a solvent and carrier transportability (charge transfer).

前記一般式(1)で表されるイリジウム錯体としては、下記一般式(3)で表されるイリジウム錯体であることが、熱安定性、溶媒に対する溶解性に優れる点で好ましい。
ただし、前記一般式(3)中、R〜R19は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を表し、隣接するR〜R19は、互いに結合し環を形成してもよい。R〜R11の少なくとも1つは、下記一般式(2)で表される構造を有する。m、n及びm+nは、それぞれ前記一般式(1)におけるm、n及びm+nと同様である。
なお、R〜R11を有する2座配位子は前記一般式(1)中のAの2座配位子と対応する。R12〜R19を有する2座配位子は前記一般式(1)中のBの2座配位子と対応する。
ただし、前記一般式(2)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。R、R、及びRの例示及び好ましい態様は、前述と同様である。
The iridium complex represented by the general formula (1) is preferably an iridium complex represented by the following general formula (3) from the viewpoint of excellent thermal stability and solubility in a solvent.
In the general formula (3), R 4 ~R 19 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, adjacent R 4 to R 19 are bonded to each other A ring may be formed. At least one of R 4 to R 11 has a structure represented by the following general formula (2). m, n and m + n are the same as m, n and m + n in the general formula (1), respectively.
In addition, the bidentate ligand having R 4 to R 11 corresponds to the bidentate ligand of A in the general formula (1). The bidentate ligand having R 12 to R 19 corresponds to the bidentate ligand of B in the general formula (1).
However, in said general formula (2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent an alkyl group each independently. Examples and preferred embodiments of R 1 , R 2 and R 3 are the same as described above.

前記一般式(3)中、R〜R19は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を表し、隣接するR〜R19は、互いに結合し環を形成してもよい。 In the general formula (3), R 4 to R 19 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, an aryl group, or an alkoxy group, and adjacent R 4 to R 19 are bonded to each other to form a ring. It may be formed.

前記アルキル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、直鎖のアルキル基、分岐のアルキル基、環状のアルキル基が挙げられる。
前記アルキル基の炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、炭素数1〜10が好ましく、炭素数1〜6がより好ましく、炭素数1〜3が特に好ましい。
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。
There is no restriction | limiting in particular as said alkyl group, According to the objective, it can select suitably, For example, a linear alkyl group, a branched alkyl group, and a cyclic | annular alkyl group are mentioned.
There is no restriction | limiting in particular as carbon number of the said alkyl group, Although it can select suitably according to the objective, C1-C10 is preferable, C1-C6 is more preferable, C1-C3 is especially preferable.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl. Group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, etc. Can be mentioned.

前記アリール基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、置換基を有していてもよい。
前記アリール基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントニル基、フルオレニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などが挙げられる。
前記アリール基における置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチル基、t−ブチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、ジフェニルアミノ基、t−ブチルアミノ基等の置換アミノ基などが挙げられる。
There is no restriction | limiting in particular as said aryl group, According to the objective, it can select suitably, For example, you may have a substituent.
The aryl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.For example, a phenyl group, a naphthyl group, an antonyl group, a fluorenyl group, a pyrenyl group, a phenanthrenyl group, a chrysenyl group, a fluoranthenyl group, And triphenylenyl group.
There is no restriction | limiting in particular as a substituent in the said aryl group, According to the objective, it can select suitably, For example, alkyl groups, such as a methyl group, t-butyl group, and a trifluoromethyl group, a fluorine atom, a chlorine atom, etc. And a substituted amino group such as a diphenylamino group and a t-butylamino group.

前記アルコキシ基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、直鎖のアルコキシ基、分岐のアルコキシ基、環状のアルコキシ基が挙げられる。
前記アルコキシ基の炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭素数1〜10が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、i−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。
There is no restriction | limiting in particular as said alkoxy group, According to the objective, it can select suitably, For example, a linear alkoxy group, a branched alkoxy group, and a cyclic alkoxy group are mentioned.
There is no restriction | limiting in particular as carbon number of the said alkoxy group, According to the objective, it can select suitably, For example, C1-C10 is mentioned.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i-propyloxy group, butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyl. Oxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, nonyloxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, trifluoromethoxy, pentafluoroethoxy, perfluorobutoxy, perfluorohexyloxy, perfluoro A fluorooctyloxy group, a methoxymethyloxy group, a 2-methoxyethyloxy group and the like can be mentioned.

隣接するR〜R19が互いに結合し形成する環としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゼン環、シクロヘキシル環、ナフチル環などが挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as a ring which adjacent R < 4 > -R < 19 > couple | bonds and forms, According to the objective, it can select suitably, For example, a benzene ring, a cyclohexyl ring, a naphthyl ring etc. are mentioned.

前記一般式(3)で表されるイリジウム錯体としては、前記R、R、Rのいずれかが前記一般式(2)で表される構造を有することが好ましく、前記R、R、Rのいずれかが前記一般式(2)で表される構造であることがより好ましく、前記Rが前記一般式(2)で表される構造であることが特に好ましい。前記好ましい態様であると、溶媒に対する溶解性、熱安定性、発光効率、及びキャリア輸送性に優れる点で有利であり、前記特に好ましい態様であると、前記効果が顕著となる点で有利である。 As the iridium complex represented by the general formula (3), any one of the R 5 , R 6 and R 9 preferably has a structure represented by the general formula (2), and the R 5 , R 6 or R 9 is more preferably a structure represented by the general formula (2), and the R 5 is particularly preferably a structure represented by the general formula (2). The preferred embodiment is advantageous in that it is excellent in solubility in a solvent, thermal stability, light emission efficiency, and carrier transportability, and the particularly preferred embodiment is advantageous in that the effect is remarkable. .

前記イリジウム錯体混合物が有する、2種以上の前記一般式(1)で表されるイリジウム錯体のうちの少なくとも2種のイリジウム錯体は、前記一般式(1)中のBで表される2座配位子が同じ構造の2座配位子である。   Of the two or more iridium complexes represented by the general formula (1) that the iridium complex mixture has, at least two iridium complexes are bidentate represented by B in the general formula (1). The ligand is a bidentate ligand having the same structure.

前記少なくとも2種のイリジウム錯体としては、前記一般式(1)中のAで表される2座配位子が同じ構造の2座配位子であることが、合成及び精製を簡便に行うことができる点で好ましい。   In the at least two iridium complexes, the bidentate ligand represented by A in the general formula (1) is a bidentate ligand having the same structure, so that synthesis and purification can be easily performed. It is preferable at the point which can do.

前記少なくとも2種のイリジウム錯体の組合せとしては、例えば、以下の組合せが挙げられる。
Examples of the combination of the at least two iridium complexes include the following combinations.

前記イリジウム錯体混合物は、mが0でない前記イリジウム錯体のうちの1種のイリジウム錯体が、全ての前記イリジウム錯体の合計量に対して91質量%以上99.99質量%以下であることが好ましく、mが1である前記イリジウム錯体が、全ての前記イリジウム錯体の合計量に対して91質量%以上99.99質量%以下であることがより好ましい。前記好ましい態様であると、前記イリジウム錯体混合物を用いた有機電界発光素子の耐久性及び発光効率が優れる点で有利であり、前記より好ましい態様であると、前記効果が顕著となる点で有利である。   In the iridium complex mixture, it is preferable that one iridium complex of the iridium complexes in which m is not 0 is 91% by mass or more and 99.99% by mass or less based on the total amount of all the iridium complexes. The iridium complex in which m is 1 is more preferably 91% by mass or more and 99.99% by mass or less based on the total amount of all the iridium complexes. The preferred embodiment is advantageous in that the organic electroluminescence device using the iridium complex mixture is excellent in durability and luminous efficiency, and the more preferred embodiment is advantageous in that the effect is remarkable. is there.

前記イリジウム錯体混合物は、前記2種以上のイリジウム錯体が、イリジウム錯体の合成における主生成物及び副生成物であることが、製造が容易でかつカラムクロマト精製などの精製が省略できる点で有利である。
ここで、主生成物とは、合成される全生成物のうちの51質量%以上の生成物を意味し、副生成物とは、合成される全生成物のうちの49質量%未満の生成物を意味する。なお、副生成物は、1種であってもよく、2種以上であってもよい。
The iridium complex mixture is advantageous in that the two or more iridium complexes are a main product and a by-product in the synthesis of the iridium complex because they can be easily manufactured and purification such as column chromatography purification can be omitted. is there.
Here, the main product means a product of 51% by mass or more of the total product to be synthesized, and the by-product means a production of less than 49% by mass of the total product to be synthesized. Means a thing. In addition, 1 type may be sufficient as a by-product, and 2 or more types may be sufficient as it.

<イリジウム錯体混合物の製造方法>
前記イリジウム錯体混合物の製造方法としては、前記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を2種以上有し、該2種以上のイリジウム錯体のうちの少なくとも2種のイリジウム錯体の、前記一般式(1)中のBで表される2座配位子が同じ構造の2座配位子であるイリジウム錯体混合物が製造できる方法であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、構造の異なる2種以上のイリジウム錯体を混合する製造方法、前記2種以上のイリジウム錯体を、イリジウム錯体の合成における主生成物及び副生成物として製造する方法などが挙げられる。
<Method for producing iridium complex mixture>
As a method for producing the iridium complex mixture, the iridium complex has two or more iridium complexes represented by the general formula (1), and the general formula of at least two iridium complexes of the two or more iridium complexes is used. There is no particular limitation as long as the iridium complex mixture in which the bidentate ligand represented by B in (1) is a bidentate ligand having the same structure can be produced, and it is appropriately selected according to the purpose. Examples thereof include a production method in which two or more iridium complexes having different structures are mixed, and a method in which the two or more iridium complexes are produced as a main product and a by-product in the synthesis of the iridium complex.

前記2種以上のイリジウム錯体を、イリジウム錯体の合成における主生成物及び副生成物として製造する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、一般的なイリジウム錯体の合成方法を適用することができる。   The method for producing the two or more iridium complexes as a main product and a by-product in the synthesis of the iridium complex is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, common iridium Complex synthesis methods can be applied.

前記イリジウム錯体混合物の製造方法を以下に例示する。
A method for producing the iridium complex mixture will be exemplified below.

−イリジウム錯体混合物Aの製造方法−
−−化合物1aの製造方法−−
前記化合物1aの製造方法は、例えば、4−t−アミルフェノールとトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを反応させる工程、生成物を溶媒により抽出する工程、生成物を精製する工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
具体的には、4−t−アミルフェノールのピリジン溶液に、氷冷下でトリフルオロメタンスルホン酸無水物を滴下し、室温にて反応させる。次に、反応液を水に注加し、それを酢酸エチル/希塩酸に注加し、有機層を食塩水で洗浄する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮する。次に、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製する。これら工程により、前記化合物1aが製造できる。
-Manufacturing method of iridium complex mixture A-
--Method for producing compound 1a--
The method for producing the compound 1a includes, for example, a step of reacting 4-t-amylphenol with trifluoromethanesulfonic anhydride, a step of extracting the product with a solvent, and a step of purifying the product. Depending on the situation, other steps are included.
Specifically, trifluoromethanesulfonic anhydride is added dropwise to a pyridine solution of 4-t-amylphenol under ice cooling and allowed to react at room temperature. The reaction is then poured into water, it is poured into ethyl acetate / dilute hydrochloric acid, and the organic layer is washed with brine. Next, after drying over magnesium sulfate, it is concentrated under reduced pressure. Next, the concentrated residue is purified by silica gel column chromatography. By these steps, the compound 1a can be produced.

−−化合物1bの製造方法−−
前記化合物1bの製造方法は、例えば、前記化合物1aと2−トリブチルスタニルピリジンとを反応させる工程、生成物を溶媒により抽出する工程、生成物を精製する工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
具体的には、前記化合物1a及び2−トリブチルスタニルピリジンのDMF溶液に、塩化リチウム、ジターシャリーブチルヒドロキシトルエンを加え、更にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムを添加し、窒素雰囲気下で反応させる。次に、反応液をフッ化カリウム水溶液に注加し、酢酸エチルを加えた後、セライト濾過し、濾液の有機層を食塩水で洗浄する。次に、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮する。次に、濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製する。これら工程により、前記化合物1bが製造できる。
--Method for producing compound 1b--
The production method of the compound 1b includes, for example, a step of reacting the compound 1a with 2-tributylstannylpyridine, a step of extracting the product with a solvent, and a step of purifying the product, and if necessary, Including other processes.
Specifically, lithium chloride and ditertiary butylhydroxytoluene are added to the DMF solution of the compound 1a and 2-tributylstannylpyridine, and further dichlorobistriphenylphosphine palladium is added and reacted in a nitrogen atmosphere. Next, the reaction solution is poured into an aqueous potassium fluoride solution, ethyl acetate is added, and the mixture is filtered through Celite, and the organic layer of the filtrate is washed with brine. Next, after drying over magnesium sulfate, it is concentrated under reduced pressure. Next, the concentrated residue is purified by silica gel column chromatography. By these steps, the compound 1b can be produced.

−−化合物1cの製造方法−−
前記化合物1cの製造方法は、例えば、3塩化イリジウム水和物とフェニルピリジンとを反応させる工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
具体的には、3塩化イリジウム水和物の水及びエトキシエタノール溶液に、フェニルピリジンを添加し、反応させる。次に、反応液を濾過し、得られた濾液を減圧にて濃縮する。次に、濃縮残さに水、及びジエチルエーテルを添加し、析出した固体を濾取する。これら工程により、前記化合物1cが製造できる。
--Method for producing compound 1c--
The method for producing the compound 1c includes, for example, a step of reacting iridium trichloride hydrate with phenylpyridine, and further includes other steps as necessary.
Specifically, phenylpyridine is added to water of iridium trichloride hydrate and an ethoxyethanol solution, and reacted. Next, the reaction solution is filtered, and the obtained filtrate is concentrated under reduced pressure. Next, water and diethyl ether are added to the concentrated residue, and the precipitated solid is collected by filtration. By these steps, the compound 1c can be produced.

−−化合物1dの製造方法−−
前記化合物1dの製造方法は、例えば、前記化合物1cとトリフルオロメタンスルホン酸銀とを反応させる工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
具体的には、前記化合物1c及びトリフルオロメタンスルホン酸銀のメタノール及びジクロロメタン溶液を室温で攪拌し、反応液を濾過する。次に、得られた濾液を減圧にて濃縮する。これら工程により、前記化合物1dが製造できる。
--Method for producing compound 1d--
The method for producing the compound 1d includes, for example, a step of reacting the compound 1c with silver trifluoromethanesulfonate, and further includes other steps as necessary.
Specifically, a methanol and dichloromethane solution of the compound 1c and silver trifluoromethanesulfonate is stirred at room temperature, and the reaction solution is filtered. Next, the obtained filtrate is concentrated under reduced pressure. By these steps, the compound 1d can be produced.

−−イリジウム錯体混合物Aの製造方法−−
前記イリジウム錯体混合物Aの製造方法は、例えば、前記化合物1bと前記化合物1dとを反応させる工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
具体的には、前記化合物1b及び前記化合物1dのメトキシエタノール溶液を窒素雰囲気下で反応させる。次に、反応液を濾過して、粗結晶を得て、これを再結晶する。これら工程により、イリジウム錯体混合物Aが製造できる。
--Method for producing iridium complex mixture A--
The method for producing the iridium complex mixture A includes, for example, a step of reacting the compound 1b and the compound 1d, and further includes other steps as necessary.
Specifically, the compound 1b and the methoxyethanol solution of the compound 1d are reacted in a nitrogen atmosphere. Next, the reaction solution is filtered to obtain crude crystals, which are recrystallized. By these steps, the iridium complex mixture A can be produced.

前記製造方法により得られるイリジウム錯体混合物Aは、例えば、前記イリジウム錯体1を主生成物とするイリジウム錯体1から3の混合物である。   The iridium complex mixture A obtained by the production method is, for example, a mixture of iridium complexes 1 to 3 having the iridium complex 1 as a main product.

(有機電界発光素子)
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に少なくとも1層の有機層を有し、更に必要に応じてその他の層を有する。
(Organic electroluminescence device)
The organic electroluminescent element of the present invention has at least one organic layer between the anode and the cathode, and further has other layers as necessary.

<有機層>
前記有機層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔輸送層、正孔注入層などが挙げられる。
前記有機層の少なくとも1層は、前記イリジウム錯体混合物を含有する。このことは、有機層を塗布により容易に形成することができ、かつ有機電界発光素子の耐久性が優れる点で有利である。
<Organic layer>
There is no restriction | limiting in particular as said organic layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a light emitting layer, an electron carrying layer, an electron injection layer, a positive hole transport layer, a positive hole injection layer etc. are mentioned.
At least one of the organic layers contains the iridium complex mixture. This is advantageous in that the organic layer can be easily formed by coating and the durability of the organic electroluminescent element is excellent.

前記有機層の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機電界発光素子において3層以上であることが、低電圧化、発光効率向上、及び耐久性向上の点で好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a structure of the said organic layer, Although it can select suitably according to the objective, It is low-voltage, luminous efficiency improvement, and durability that it is three or more layers in the said organic electroluminescent element. It is preferable in terms of improvement.

−発光層−
前記発光層は、その材料、形状、構造、大きさなどについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、また、その平面形状としては、四角形、円形などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
-Light emitting layer-
The material, shape, structure, size, and the like of the light emitting layer are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. Examples of the shape include a film shape and a sheet shape. Further, examples of the planar shape include a quadrangle and a circle, and examples of the structure include a single-layer structure and a laminated structure. The size can be appropriately selected according to the application. .

前記発光層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記イリジウム錯体混合物を含有する発光層であることが、該発光層を塗布により容易に形成することができ、かつ純度の高いイリジウム錯体と比べても有機電界発光素子の外部量子効率の低下がなく、更に耐久性に優れる点で好ましい。   The light emitting layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the light emitting layer containing the iridium complex mixture can be easily formed by coating. In addition, even when compared with a highly pure iridium complex, the external quantum efficiency of the organic electroluminescence device does not decrease, and it is preferable in terms of excellent durability.

前記イリジウム錯体混合物の含有量は、発光層を構成する全化合物質量に対して、0.5質量%〜30質量%が好ましく、0.5質量%〜20質量%がより好ましく、3質量%〜10質量%が特に好ましい。前記含有量が、0.5質量%未満であると、発光効率が小さくなることがあり、30質量%を超えると、濃度消光による発光効率の低下をおこすことがある。前記含有量が、特に好ましい範囲であると、発光効率向上、及び耐久性向上の点で有利である。   The content of the iridium complex mixture is preferably 0.5% by mass to 30% by mass, more preferably 0.5% by mass to 20% by mass, and more preferably 3% by mass to the total mass of the compound constituting the light emitting layer. 10% by mass is particularly preferred. When the content is less than 0.5% by mass, the light emission efficiency may be reduced, and when it exceeds 30% by mass, the light emission efficiency may be decreased due to concentration quenching. When the content is in a particularly preferred range, it is advantageous in terms of improving luminous efficiency and durability.

前記発光層は、前記イリジウム錯体混合物以外の発光材料、ホスト化合物を有していてもよい。   The light emitting layer may have a light emitting material other than the iridium complex mixture and a host compound.

−−発光材料−−
前記発光材料としては、燐光発光材料及び蛍光発光材料のいずれも用いることができる。
--Luminescent material--
As the light emitting material, either a phosphorescent light emitting material or a fluorescent light emitting material can be used.

−−−燐光発光材料−−−
前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば遷移金属原子、ランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。
--- Phosphorescent material ---
There is no restriction | limiting in particular as said phosphorescence-emitting material, According to the objective, it can select suitably, For example, the complex etc. which contain a transition metal atom and a lanthanoid atom are mentioned.

前記遷移金属原子としては、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。   Examples of the transition metal atom include ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, and the like. Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.

前記ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムなどが挙げられる。これらの中でも、ネオジム、ユーロピウム、ガドリニウムが特に好ましい。   Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these, neodymium, europium, and gadolinium are particularly preferable.

前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry,Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社、1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、ハロゲン配位子(好ましくは塩素配位子)、芳香族炭素環配位子(例えば、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、又はナフチルアニオンなど)、含窒素ヘテロ環配位子(例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、又はフェナントロリンなど)、ジケトン配位子(例えば、アセチルアセトンなど)、カルボン酸配位子(例えば、酢酸配位子など)、アルコラト配位子(例えば、フェノラト配位子など)、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子などが挙げられる。これらの中でも、含窒素ヘテロ環配位子が特に好ましい。
Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Listed by Yersin, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, published by Springer-Verlag, 1987, Akio Yamamoto, “Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications,” published by Soukabo, 1982, etc. It is done.
Specific ligands include halogen ligands (preferably chlorine ligands), aromatic carbocyclic ligands (eg, cyclopentadienyl anion, benzene anion, naphthyl anion, etc.), nitrogen-containing hetero Ring ligands (eg, phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline), diketone ligands (eg, acetylacetone, etc.), carboxylic acid ligands (eg, acetic acid ligands, etc.), alcoholates Examples include ligands (eg, phenolate ligands), carbon monoxide ligands, isonitrile ligands, cyano ligands, and the like. Among these, a nitrogen-containing heterocyclic ligand is particularly preferable.

前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、また、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。これらの中でも、燐光発光材料としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time. Among these, examples of the phosphorescent light emitting material include the following, but are not limited thereto.

前記燐光発光材料の含有量は、発光層を構成する全化合物質量に対して、0.5質量%〜30質量%が好ましく、0.5質量%〜20質量%がより好ましく、3質量%〜10質量%が特に好ましい。前記含有量が、0.5質量%未満であると、発光効率が小さくなることがあり、30質量%を超えると、燐光発光材料自身の会合により、発光効率が低下することがある。   The content of the phosphorescent material is preferably 0.5% by mass to 30% by mass, more preferably 0.5% by mass to 20% by mass, and more preferably 3% by mass to the total mass of the compound constituting the light emitting layer. 10% by mass is particularly preferred. When the content is less than 0.5% by mass, the light emission efficiency may be reduced, and when it exceeds 30% by mass, the light emission efficiency may be reduced due to association of the phosphorescent material itself.

−−−蛍光発光材料−−−
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、ペンタセンなど)、8−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン又はこれらの誘導体、などが挙げられる。
--- Fluorescent material ---
The fluorescent light emitting material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin , Pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compound, condensed polycyclic aromatic compound (anthracene, Phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, pentacene, etc.), 8-quinolinol metal complexes, various metal complexes represented by pyromethene complexes and rare earth complexes, polythiophene, Rifeniren, polymer compounds such as polyphenylene vinylene, organic silane or a derivative thereof, and the like.

これらの中でも、前記蛍光発光材料の具体例としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Among these, specific examples of the fluorescent light emitting material include the following, but are not limited thereto.

前記蛍光発光材料の含有量は、発光層を構成する全化合物質量に対して、0.1質量%〜30質量%が好ましく、耐久性、発光効率の観点から0.2質量%〜15質量%がより好ましく、0.5質量%〜12質量%が特に好ましい。   The content of the fluorescent light-emitting material is preferably 0.1% by mass to 30% by mass with respect to the total compound mass constituting the light emitting layer, and is 0.2% by mass to 15% by mass from the viewpoint of durability and light emission efficiency. Is more preferable, and 0.5% by mass to 12% by mass is particularly preferable.

−−ホスト化合物−−
前記ホスト化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、トリアゾール、オキサール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、などが挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にインドール骨格、カルバゾール骨格、アザインドール骨格、アザカルバゾール骨格、又は芳香族第三級アミン骨格を有するものがより好ましく、カルバゾール骨格を有する化合物が特に好ましい。
また、本発明においては、前記ホスト化合物の水素を一部又はすべて重水素に置換したホスト材料を用いることができる(特開2009−277790号公報、特表2004−515506号公報)。
--Host compound--
The host compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.For example, pyrrole, indole, carbazole, azaindole, azacarbazole, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, Amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, pyridine, pyrimidine, triazine, triazole, oxal, oxadiazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluoreni Heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as redenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, naphthaleneperylene, phthalocyanine, aromatic tertiary amination , Styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organic silanes, carbon Examples thereof include films, derivatives thereof, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles, and various metal complexes represented by metal complexes having benzothiazole as a ligand.
Among these, indole derivatives, carbazole derivatives, azaindole derivatives, azacarbazole derivatives, aromatic tertiary amine compounds, and thiophene derivatives are preferable, and indole skeleton, carbazole skeleton, azaindole skeleton, azacarbazole skeleton, or aromatic in the molecule Those having an aromatic group tertiary amine skeleton are more preferred, and compounds having a carbazole skeleton are particularly preferred.
In the present invention, a host material in which part or all of the hydrogen in the host compound is substituted with deuterium can be used (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-277790, Japanese Translation of PCT International Publication No. 2004-515506).

また、前記ホスト化合物としては、例えば金属錯体、アゾール誘導体(ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体等)、アジン誘導体(ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等)などが挙げられる。これらの中でも、本発明においては、耐久性の点から金属錯体が好ましい。前記金属錯体は、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
前記金属錯体中の金属イオンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、錫イオン、白金イオン、パラジウムイオンが好ましく、ベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、白金イオン、パラジウムイオンがより好ましく、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオンが特に好ましい。
Examples of the host compound include metal complexes, azole derivatives (benzimidazole derivatives, imidazopyridine derivatives, etc.), azine derivatives (pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, etc.), and the like. Among these, in the present invention, a metal complex is preferable from the viewpoint of durability. The metal complex is more preferably a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom, oxygen atom or sulfur atom coordinated to a metal.
The metal ion in the metal complex is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose, but beryllium ion, magnesium ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, indium ion, tin ion, platinum ion. Palladium ions are preferable, beryllium ions, aluminum ions, gallium ions, zinc ions, platinum ions, and palladium ions are more preferable, and aluminum ions, zinc ions, and palladium ions are particularly preferable.

前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」、Springer−Verlag社、H.Yersin著、1987年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」、裳華房社、山本明夫著、1982年発行等に記載の配位子が挙げられる。   There are various known ligands contained in the metal complex. For example, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds”, Springer-Verlag, H.C. Examples include the ligands described in Yersin, published in 1987, “Organometallic Chemistry: Fundamentals and Applications”, Sakai Hanafusa, Yamamoto Akio, published in 1982, and the like.

前記配位子としては、例えばアジン配位子(例えば、ピリジン配位子、ビピリジル配位子、ターピリジン配位子などが挙げられる)、ヒドロキシフェニルアゾール配位子(例えば、ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾピリジン配位子などが挙げられる)、アルコキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシロキシなどが挙げられる)、アリールオキシ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、2,4,6−トリメチルフェニルオキシ、4−ビフェニルオキシなどが挙げられる)、ヘテロアリールオキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、及びキノリルオキシなどが挙げられる)、アルキルチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる)、アリールチオ配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる)、ヘテロアリールチオ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、2−ベンズオキサゾリルチオ、及び2−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる)、シロキシ配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数3〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、及びトリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる。)、芳香族炭化水素アニオン配位子(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜25、特に好ましくは炭素数6〜20であり、例えばフェニルアニオン、ナフチルアニオン、及びアントラニルアニオンなどが挙げられる)、芳香族ヘテロ環アニオン配位子(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数2〜25、特に好ましくは炭素数2〜20であり、例えばピロールアニオン、ピラゾールアニオン、ピラゾールアニオン、トリアゾールアニオン、オキサゾールアニオン、ベンゾオキサゾールアニオン、チアゾールアニオン、ベンゾチアゾールアニオン、チオフェンアニオン、及びベンゾチオフェンアニオンなどが挙げられる)、インドレニンアニオン配位子などが挙げられ、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、又はシロキシ配位子であり、特に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子、芳香族炭化水素アニオン配位子、又は芳香族ヘテロ環アニオン配位子である。   Examples of the ligand include an azine ligand (for example, pyridine ligand, bipyridyl ligand, terpyridine ligand, etc.), a hydroxyphenylazole ligand (for example, hydroxyphenylbenzimidazole coordination). , A hydroxyphenylbenzoxazole ligand, a hydroxyphenylimidazole ligand, a hydroxyphenylimidazopyridine ligand, etc.), an alkoxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 1 carbon atoms). 20, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy and the like, aryloxy ligands (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably carbon numbers) 6 to 20, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, for example phenylo , 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 2,4,6-trimethylphenyloxy, 4-biphenyloxy, etc.), heteroaryloxy ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy etc. are mentioned, Alkylthio ligand (preferably C1-C30, More preferably carbon 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio, and arylthio ligands (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably Has 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio), heteroarylthio A ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms such as pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, and 2- Benzthiazolylthio and the like), a siloxy ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms, for example, a triphenylsiloxy group, A triethoxysiloxy group, a triisopropylsiloxy group, etc.), an aromatic hydrocarbon anion ligand (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 25 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 6 carbon atoms). 20 and examples thereof include a phenyl anion, a naphthyl anion, and an anthranyl anion), an aromatic heterocyclic anion Ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 25 carbon atoms, particularly preferably 2 to 20 carbon atoms, such as pyrrole anion, pyrazole anion, pyrazole anion, triazole anion, oxazole anion, benzoxazole Anion, thiazole anion, benzothiazole anion, thiophene anion, and benzothiophene anion), indolenine anion ligand, etc., preferably nitrogen-containing heterocyclic ligand, aryloxy ligand, hetero An aryloxy group or a siloxy ligand, particularly preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, a siloxy ligand, an aromatic hydrocarbon anion ligand, or an aromatic heterocyclic anion arrangement It is a rank.

前記金属錯体としては、例えば、特開2002−235076号公報、特開2004−214179号公報、特開2004−221062号公報、特開2004−221065号公報、特開2004−221068号公報、特開2004−327313号公報などに記載の化合物が挙げられる。   Examples of the metal complex include Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-235076, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-214179, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221106, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221106, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221068, Japanese Patent Application Laid-Open No. Examples thereof include compounds described in 2004-327313.

このようなホスト化合物としての具体的化合物としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the host compound include, but are not limited to, the following compounds.

前記ホスト化合物の含有量は、前記発光層を構成する全化合物質量に対して、10質量%〜90質量%が好ましく、20質量%〜80質量%がより好ましく、30質量%〜70質量%が特に好ましい。   The content of the host compound is preferably 10% by mass to 90% by mass, more preferably 20% by mass to 80% by mass, and more preferably 30% by mass to 70% by mass with respect to the total mass of the compound constituting the light emitting layer. Particularly preferred.

前記発光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、2nm〜500nmが好ましく、3nm〜200nmがより好ましく、5nm〜100nmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said light emitting layer, Although it can select suitably according to the objective, 2 nm-500 nm are preferable, 3 nm-200 nm are more preferable, and 5 nm-100 nm are especially preferable.

−電子注入層、電子輸送層−
前記電子注入層及び前記電子輸送層は、陽極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。
-Electron injection layer, electron transport layer-
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the anode side and transporting them to the anode side.

前記電子注入層及び前記電子輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体などが挙げられる。   The material for the electron injection layer and the electron transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane. Derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, phthalocyanine derivatives, 8-quinolinol derivatives Examples include complexes, metal phthalocyanines, metal complexes having benzoxazole or benzothiazole as a ligand.

前記電子注入層及び前記電子輸送層としては、正孔受容性ドーパントを含有させることができる。
前記正孔受容性ドーパントとしては、正孔受容性で有機化合物を還元する性質を有すれば、無機化合物であってもよく、有機化合物であってもよい。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、その金属酸化物などが挙げられる。
The electron injection layer and the electron transport layer can contain a hole-accepting dopant.
The hole-accepting dopant may be an inorganic compound or an organic compound as long as it has a hole-accepting property and a property of reducing an organic compound.
There is no restriction | limiting in particular as said inorganic compound, According to the objective, it can select suitably, For example, an alkali metal, alkaline-earth metal, its metal oxide, etc. are mentioned.

前記電子注入層及び前記電子輸送層の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The structures of the electron injection layer and the electron transport layer are not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a single layer structure or a plurality of layers having the same composition or different compositions can be used. The multilayer structure which consists of may be sufficient.

前記電子注入層及び前記電子輸送層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1nm〜5μmが好ましく、5nm〜1μmがより好ましく、10nm〜500nmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said electron injection layer and the said electron carrying layer, Although it can select suitably according to the objective, 1 nm-5 micrometers are preferable, 5 nm-1 micrometer are more preferable, 10 nm-500 nm are especially preferable. .

−正孔注入層、正孔輸送層−
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
-Hole injection layer, hole transport layer-
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side.

前記正孔注入層及び前記正孔輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよく、また、無機化合物であってもよい。
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、三酸化モリブデンなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
The material for the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose, and may be a low molecular compound or a high molecular compound, It may be an inorganic compound.
The material for the hole injection layer and the hole transport layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include pyrrole derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives. , Imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amines Compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organic silane derivatives, carbon, molybdenum trioxide, etc. . These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

前記正孔注入層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記イリジウム錯体混合物を含有する正孔注入層であることが、該正孔注入層を塗布により容易に形成することができ、かつ耐久性に優れる点で好ましい。   The hole injection layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the hole injection layer containing the iridium complex mixture is easily applied by coating the hole injection layer. It is preferable in that it can be formed in a wide range and has excellent durability.

前記正孔注入層における前記イリジウム錯体混合物の含有量は、前記正孔注入層を構成する全化合物質量に対して、5質量%〜50質量%が好ましく、10質量%〜40質量%がより好ましく、10質量%〜30質量%が特に好ましい。前記含有量が、5質量%未満であると、耐久性が向上しないことがあり、50質量%を超えると、上層を塗布した時にイリジウム錯体が溶出することがある。前記含有量が、特に好ましい範囲であると、耐久性に優れる点で有利である。   The content of the iridium complex mixture in the hole injection layer is preferably 5% by mass to 50% by mass and more preferably 10% by mass to 40% by mass with respect to the total compound mass constituting the hole injection layer. 10 mass%-30 mass% is especially preferable. When the content is less than 5% by mass, the durability may not be improved. When the content exceeds 50% by mass, the iridium complex may be eluted when the upper layer is applied. If the content is in a particularly preferred range, it is advantageous in terms of excellent durability.

前記正孔注入層及び前記正孔輸送層としては、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物であってもよく、有機化合物であってもよい。
前記無機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン化金属、金属酸化物などが挙げられる。
前記ハロゲン化金属としては、例えば、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどが挙げられる。
前記金属酸化物としては、例えば、五酸化バナジウム、三酸化モリブデンなどが挙げられる。
前記有機化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどが挙げられる。
これらの電子受容性ドーパントは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を用いてもよい。
The hole injection layer and the hole transport layer may contain an electron accepting dopant.
The electron-accepting dopant may be an inorganic compound or an organic compound as long as it is electron-accepting and has the property of oxidizing an organic compound.
There is no restriction | limiting in particular as said inorganic compound, According to the objective, it can select suitably, For example, a metal halide, a metal oxide, etc. are mentioned.
Examples of the metal halide include ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride.
Examples of the metal oxide include vanadium pentoxide and molybdenum trioxide.
The organic compound is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a compound having a nitro group, a halogen, a cyano group, a trifluoromethyl group or the like as a substituent, a quinone compound, an acid anhydride Compounds, fullerenes and the like.
These electron-accepting dopants may be used alone or in combination of two or more.

前記電子受容性ドーパントの使用量としては、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料又は正孔注入材料に対して0.01質量%〜50質量%が好ましく、0.05質量%〜50質量%がより好ましく、0.1質量%〜30質量%が特に好ましい。   The amount of the electron-accepting dopant used varies depending on the type of material, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass, and 0.05% by mass to 50% by mass with respect to the hole transport layer material or the hole injection material. % By mass is more preferable, and 0.1% by mass to 30% by mass is particularly preferable.

前記正孔注入層及び前記正孔輸送層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a single layer structure may be used, or a plurality of layers having the same composition or different compositions. The multilayer structure which consists of may be sufficient.

前記正孔注入層及び前記正孔輸送層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1nm〜500nmが好ましく、5nm〜200nmがより好ましく、10nm〜100nmが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as average thickness of the said positive hole injection layer and the said positive hole transport layer, Although it can select suitably according to the objective, 1 nm-500 nm are preferable, 5 nm-200 nm are more preferable, 10 nm-100 nm Is particularly preferred.

<陽極>
前記陽極を構成する材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アンチモン、フッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとITOとの積層物、などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが特に好ましい。
<Anode>
There is no restriction | limiting in particular as a material which comprises the said anode, According to the objective, it can select suitably, For example, an antimony, a fluorine oxide doped tin oxide (ATO, FTO), a tin oxide, a zinc oxide, an indium oxide Conductive metal oxides such as indium tin oxide (ITO) and zinc indium oxide (IZO); metals such as gold, silver, chromium and nickel; mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides; Inorganic conductive substances such as copper chloride and copper sulfide; organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole; and laminates of these with ITO. Among these, a conductive metal oxide is preferable, and ITO is particularly preferable in terms of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

前記陽極の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、10nm〜50μmが好ましく、50nm〜20μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said anode, Although it can select suitably according to the objective, 10 nm-50 micrometers are preferable, and 50 nm-20 micrometers are more preferable.

<陰極>
前記陰極を構成する材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属、アルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が特に好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など)を意味する。
<Cathode>
There is no restriction | limiting in particular as a material which comprises the said cathode, According to the objective, it can select suitably, For example, an alkali metal (for example, Li, Na, K, Cs etc.), an alkaline earth metal (for example, Mg, Ca) Etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy, lithium-aluminum alloy, magnesium-silver alloy, rare earth metals such as indium and ytterbium, and the like. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.
Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injecting properties, and materials mainly composed of aluminum are particularly preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum). Alloy).

前記陰極の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、10nm〜5μmが好ましく、50nm〜1μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said cathode, Although it can select suitably according to the objective, 10 nm-5 micrometers are preferable, and 50 nm-1 micrometer are more preferable.

前記有機電界発光素子の性質上、前記陽極及び前記陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、前記陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、前記陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。   In view of the nature of the organic electroluminescence device, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent. Usually, the anode may have a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and the cathode may have a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer.

前記陽極及び前記陰極の形成方法については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式;真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式;CVD、プラズマCVD法等の化学的方式、などが挙げられる。これらの中でも、前記陽極及び前記陰極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って基板上に形成することができる。例えば、前記陽極の材料としてITOを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等により形成することができる。前記陰極の材料として金属等を選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法等により形成することができる。   There is no restriction | limiting in particular about the formation method of the said anode and the said cathode, According to the objective, it can select suitably. For example, a wet method such as a printing method or a coating method; a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method; a chemical method such as a CVD method or a plasma CVD method may be used. Among these, it can be formed on the substrate in accordance with an appropriately selected method in consideration of suitability with the materials constituting the anode and the cathode. For example, when ITO is selected as the material of the anode, it can be formed by direct current or high frequency sputtering, vacuum deposition, ion plating, or the like. When a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be formed simultaneously or sequentially by sputtering or the like.

なお、前記陽極及び前記陰極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。   In addition, when patterning is performed when forming the anode and the cathode, it may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching using a laser or the like, and a mask is overlapped. It may be performed by vacuum deposition, sputtering, or the like, or may be performed by a lift-off method or a printing method.

<その他の層>
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板などが挙げられる。
<Other layers>
There is no restriction | limiting in particular as said other layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a board | substrate etc. are mentioned.

−基板−
前記有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料、などが挙げられる。
-Board-
The organic electroluminescent element is preferably provided on a substrate, and may be provided in such a manner that the electrode and the substrate are in direct contact with each other, or may be provided with an intermediate layer interposed therebetween.
The material for the substrate is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, inorganic materials such as yttria-stabilized zirconia (YSZ) and glass (such as alkali-free glass and soda lime glass); polyethylene terephthalate And polyesters such as polybutylene phthalate and polyethylene naphthalate; organic materials such as polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene).

前記基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2以上の部材で形成されていてもよい。基板は透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the shape of the said board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. The substrate may be transparent or opaque, and if transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent.

前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、例えば窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
The substrate may be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
Examples of the material of the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer) include inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide.
The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.

−保護層−
前記有機電界発光素子は、保護層によって保護されていてもよい。
前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばIn、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属;MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、TiO等の金属酸化物;SiNx、SiNxOy等の金属窒化物;MgF、LiF、AlF、CaF等の金属フッ化物;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質、などが挙げられる。
-Protective layer-
The organic electroluminescent element may be protected by a protective layer.
The material contained in the protective layer is not particularly limited as long as it has a function of suppressing the entry of elements that promote element deterioration such as moisture and oxygen into the element. For example, metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni; MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 Metal oxides such as O 3 , Y 2 O 3 and TiO 2 ; Metal nitrides such as SiNx and SiNxOy; Metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 and CaF 2 ; Polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide , Polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene A copolymer of dichlorodifluoroethylene, a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer, a fluorinated copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, water absorption Examples thereof include a water-absorbing substance having a rate of 1% or more, a moisture-proof substance having a water absorption rate of 0.1% or less, and the like.

前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a formation method of the said protective layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a vacuum evaporation method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam method , Ion plating method, plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method and the like.

−封止容器−
前記有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体が封止されていてもよい。更に、前記封止容器と前記有機電界発光素子の間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム、などが挙げられる。
前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばパラフィン類、流動パラフィン類;パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤;塩素系溶剤、シリコーンオイル類、などが挙げられる。
-Sealing container-
The organic electroluminescent element may be entirely sealed using a sealing container. Furthermore, a water absorbent or an inert liquid may be sealed in a space between the sealing container and the organic electroluminescent element.
The moisture absorbent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, chloride Calcium, magnesium chloride, copper chloride, cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide, and the like can be given.
The inert liquid is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include paraffins, liquid paraffins; fluorinated solvents such as perfluoroalkane, perfluoroamine, and perfluoroether; Examples include solvents and silicone oils.

−樹脂封止層−
前記有機電界発光素子は、大気からの酸素や水分による素子性能劣化を樹脂封止層により封止することで抑制することが好ましい。
前記樹脂封止層の樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、エステル系樹脂、などが挙げられる。これらの中でも、水分防止機能の点からエポキシ樹脂が特に好ましい。前記エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、又は光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。
-Resin sealing layer-
The organic electroluminescent element is preferably suppressed by sealing the element performance deterioration due to oxygen or moisture from the atmosphere with a resin sealing layer.
The resin material for the resin sealing layer is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, acrylic resin, epoxy resin, fluorine resin, silicone resin, rubber resin, ester resin, Etc. Among these, an epoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of moisture prevention function. Among the epoxy resins, a thermosetting epoxy resin or a photocurable epoxy resin is preferable.

前記樹脂封止層の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着やスパッタリング等により乾式重合する方法、などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a preparation method of the said resin sealing layer, According to the objective, it can select suitably, For example, the method of apply | coating a resin solution, the method of crimping | bonding or thermocompressing a resin sheet, vapor deposition, sputtering, etc. And a dry polymerization method.

−封止接着剤−
前記有機電界発光素子は、封止接着剤により、端部からの水分や酸素の侵入を防止してもよい。
前記封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。これらの中でも、水分の侵入防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が特に好ましい。
前記封止接着剤にフィラーを添加することも好ましい。前記フィラーとしては、例えばSiO、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)、SiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。該フィラーの添加により、封止接着剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、及び耐湿性が向上する。
前記封止接着剤は、乾燥剤を含有してもよい。前記乾燥剤としては、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、などが挙げられる。前記乾燥剤の添加量は、前記封止接着剤に対し0.01質量%〜20質量%が好ましく、0.05質量%〜15質量%がより好ましい。前記添加量が、0.01質量%未満であると、乾燥剤の添加効果が薄れることになり、20質量%を超えると、封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になることがある。
本発明においては、前記乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後基板を重ねて、硬化させることにより封止することができる。
-Sealing adhesive-
The organic electroluminescent element may prevent moisture and oxygen from entering from the end portion with a sealing adhesive.
As the material of the sealing adhesive, the same material as that used for the resin sealing layer can be used. Among these, an epoxy adhesive is preferable from the viewpoint of preventing moisture from entering, and a photocurable adhesive or a thermosetting adhesive is particularly preferable.
It is also preferable to add a filler to the sealing adhesive. As the filler, for example SiO 2, SiO (silicon oxide), SiON (silicon oxynitride), an inorganic material such as SiN (silicon nitride) are preferred. Addition of the filler increases the viscosity of the sealing adhesive, improves processing suitability, and improves moisture resistance.
The sealing adhesive may contain a desiccant. Examples of the desiccant include barium oxide, calcium oxide, and strontium oxide. The addition amount of the desiccant is preferably 0.01% by mass to 20% by mass and more preferably 0.05% by mass to 15% by mass with respect to the sealing adhesive. When the addition amount is less than 0.01% by mass, the effect of adding the desiccant is diminished, and when it exceeds 20% by mass, it is difficult to uniformly disperse the desiccant in the sealing adhesive. Sometimes.
In the present invention, the sealing adhesive containing the desiccant can be applied by an arbitrary amount using a dispenser or the like, and the substrates can be sealed by overlapping and curing after application.

<駆動>
前記有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
<Drive>
The organic electroluminescence device obtains light emission by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Can do.

前記有機電界発光素子の光取り出し効率は、特に制限はなく、種々の公知の工夫により、向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する(例えば微細な凹凸パターンを形成する)、基板、ITO層、有機層の屈折率を制御する、基板、ITO層、有機層の厚みを制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
本発明の有機電界発光素子からの光取り出し方式は、トップエミッション方式であってもボトムエミッション方式であってもよい。
The light extraction efficiency of the organic electroluminescence device is not particularly limited, and can be improved by various known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate, ITO layer, organic layer, controlling the thickness of the substrate, ITO layer, organic layer, etc. It is possible to improve the external quantum efficiency.
The light extraction method from the organic electroluminescence device of the present invention may be a top emission method or a bottom emission method.

本発明の有機電界発光素子は、共振器構造を有してもよい。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明又は半透明電極、発光層、及び金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明又は半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、2つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第1の態様の場合の計算式は、特開平9−180883号公報に記載されている。第2の態様の場合の計算式は、特開2004−127795号公報に記載されている。
The organic electroluminescent element of the present invention may have a resonator structure. For example, a multilayer mirror made of a plurality of laminated films having different refractive indexes, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are superimposed on a transparent substrate. The light generated in the light emitting layer resonates repeatedly with the multilayer mirror and the metal electrode as a reflection plate.
In another preferred embodiment, a transparent or translucent electrode and a metal electrode each function as a reflecting plate on a transparent substrate, and light generated in the light emitting layer repeats reflection and resonates between them.
In order to form a resonant structure, the optical path length determined from the effective refractive index of the two reflectors and the refractive index and thickness of each layer between the reflectors is adjusted to an optimum value to obtain the desired resonant wavelength. Is done. The calculation formula in the case of the first aspect is described in JP-A-9-180883. The calculation formula in the case of the second aspect is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-127795.

<用途>
前記有機電界発光素子の用途としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、液晶表示装置のバックライト、カラーフィルタ、複写機の光源、室内外照明、看板、表示板、標識などへ好適に利用できる。
<Application>
The use of the organic electroluminescent element is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. The backlight of the liquid crystal display device, the color filter, the light source of the copying machine, the indoor / outdoor lighting, the signboard, and the display board , Can be suitably used for signs and the like.

(有機電界発光素子の製造方法)
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、前記イリジウム錯体混合物を含有する有機層を塗布により形成する塗布工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
(Method for manufacturing organic electroluminescent device)
The manufacturing method of the organic electroluminescent element of this invention includes the application | coating process which forms the organic layer containing the said iridium complex mixture by application | coating, and also includes another process as needed.

<塗布工程>
前記塗布工程は、前記イリジウム錯体混合物を含有する有機層を、塗布液を用いた塗布により形成する工程である。
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スプレーデポジション、スピンコート、カーテンコート、ロールコート、印刷法、インクジェット方式などが挙げられる。これらの中でも、均一な厚みの層が形成可能な点で、スプレーデポジション、スピンコート、インクジェット方式が好ましい。
<Application process>
The coating step is a step of forming an organic layer containing the iridium complex mixture by coating using a coating solution.
The application method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include spray deposition, spin coating, curtain coating, roll coating, a printing method, and an inkjet method. Among these, spray deposition, spin coating, and an inkjet method are preferable in that a layer having a uniform thickness can be formed.

前記塗布液は、前記イリジウム錯体混合物と、溶媒とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の構成を含有する。   The coating solution contains at least the iridium complex mixture and a solvent, and further contains other components as necessary.

前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酢酸エチル、メチルエチルケトン(MEK)、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、2−ブタノン、ジブチルエーテル、プロピレングリコールジアセテートなどが挙げられる。   The solvent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, ethyl acetate, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, tetrahydrofuran, toluene, xylene, 2-butanone, dibutyl ether, propylene glycol diacetate Etc.

前記塗布液における前記イリジウム錯体混合物の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.025質量%〜2質量%が好ましく、0.05質量%〜1質量%がより好ましく、0.1質量%〜0.5質量%が特に好ましい。前記含有量が、0.025質量%未満であると、素子において、十分な輝度や耐久性が得られないことがあり、2質量%を超えると、塗布膜の平滑性が低下したり、素子において、濃度消光により発光効率が低下することがある。前記含有量が、前記特に好ましい範囲であると、塗布膜の平滑性向上、並びに素子の発光効率向上、及び耐久性向上の点で有利である。   There is no restriction | limiting in particular as content of the said iridium complex mixture in the said coating liquid, Although it can select suitably according to the objective, 0.025 mass%-2 mass% are preferable, 0.05 mass%-1 % By mass is more preferable, and 0.1% by mass to 0.5% by mass is particularly preferable. When the content is less than 0.025% by mass, sufficient brightness and durability may not be obtained in the device. When the content exceeds 2% by mass, the smoothness of the coating film may be lowered, or the device In this case, the light emission efficiency may decrease due to concentration quenching. When the content is in the particularly preferred range, it is advantageous in terms of improving the smoothness of the coating film, improving the light emission efficiency of the device, and improving the durability.

<その他の工程>
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、陰極形成工程、陽極形成工程などが挙げられる。
<Other processes>
There is no restriction | limiting in particular as said other process, According to the objective, it can select suitably, For example, a cathode formation process, an anode formation process, etc. are mentioned.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
<イリジウム錯体混合物1の合成>
以下の合成方法に従って、イリジウム錯体混合物1を合成した。
(Example 1)
<Synthesis of Iridium Complex Mixture 1>
The iridium complex mixture 1 was synthesized according to the following synthesis method.

−化合物1aの合成−
4−t−アミルフェノール(東京化成製)(25g)のピリジン溶液(105mL)に、氷冷下でトリフルオロメタンスルホン酸無水物(ALDRICH製)(30.7mL)を滴下し、室温にて3時間反応させた。反応液を水に注加し、それを酢酸エチル/希塩酸に注加し、有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製(展開溶媒:ヘキサン)することにより、化合物1a(43.5g)を得た。
-Synthesis of Compound 1a-
To a pyridine solution (105 mL) of 4-t-amylphenol (manufactured by Tokyo Chemical Industry) (25 g), trifluoromethanesulfonic anhydride (ALDRICH) (30.7 mL) was added dropwise under ice-cooling, and 3 hours at room temperature. Reacted. The reaction solution was poured into water, which was poured into ethyl acetate / dilute hydrochloric acid, and the organic layer was washed with brine, dried over magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure. The concentrated residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane) to obtain Compound 1a (43.5 g).

−化合物1bの合成−
前記化合物1a(32.2g)及び2−トリブチルスタニルピリジン(和光純薬製)(40g)のDMF溶液(260mL)に、塩化リチウム(13.8g)、ジターシャリーブチルヒドロキシトルエン(0.4g)を加え、更にジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(3.8g)を添加し、窒素雰囲気下100℃で18時間反応させた。反応液を10%フッ化カリウム水溶液に注加し、酢酸エチルを加えた後、セライト濾過し、濾液の有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて濃縮した。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマト精製(展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/5(体積比))することにより、化合物1b(16.3g)を得た。
-Synthesis of Compound 1b-
Lithium chloride (13.8 g) and ditertiary butylhydroxytoluene (0.4 g) were added to a DMF solution (260 mL) of the compound 1a (32.2 g) and 2-tributylstannylpyridine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (40 g). And dichlorobistriphenylphosphine palladium (3.8 g) was added, and the mixture was reacted at 100 ° C. for 18 hours under a nitrogen atmosphere. The reaction mixture was poured into a 10% aqueous potassium fluoride solution, ethyl acetate was added, and the mixture was filtered through Celite. The organic layer of the filtrate was washed with brine, dried over magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure. The concentrated residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 1/5 (volume ratio)) to obtain Compound 1b (16.3 g).

−化合物1cの合成−
3塩化イリジウム水和物(20g)のエトキシエタノール(1,250mL)及び水(420mL)溶液に、フェニルピリジン(26g)を添加し、120℃にて24時間反応させた。反応液を濾過し、得られた濾液を減圧にて濃縮した。濃縮残さに水、及びジエチルエーテルを添加し、析出した固体を濾取することで、化合物1cを32g得た。
-Synthesis of Compound 1c-
Phenylpyridine (26 g) was added to a solution of iridium trichloride hydrate (20 g) in ethoxyethanol (1,250 mL) and water (420 mL), and reacted at 120 ° C. for 24 hours. The reaction solution was filtered, and the obtained filtrate was concentrated under reduced pressure. Water and diethyl ether were added to the concentrated residue, and the precipitated solid was collected by filtration to obtain 32 g of Compound 1c.

−化合物1dの合成−
前記化合物1c(25g)及びトリフルオロメタンスルホン酸銀(12.2g)のメタノール(83mL)及びジクロロメタン(1.7L)溶液を室温で1時間攪拌し、反応液を濾過した。得られた濾液を減圧にて濃縮することで、化合物1dを23.4g得た。
-Synthesis of Compound 1d-
A solution of the compound 1c (25 g) and silver trifluoromethanesulfonate (12.2 g) in methanol (83 mL) and dichloromethane (1.7 L) was stirred at room temperature for 1 hour, and the reaction solution was filtered. The obtained filtrate was concentrated under reduced pressure to obtain 23.4 g of Compound 1d.

−イリジウム錯体混合物1の合成−
前記化合物1b(16.3g)及び前記化合物1d(23.4g)のメトキシエタノール溶液(800mL)を窒素雰囲気下95℃にて18時間反応させた。反応液を濾過することで、粗結晶1を得た。前記粗結晶1をトルエンに溶解させトルエン溶液を得た後、該トルエン溶液に、結晶が析出するまでイソプロピルアルコールを滴下し、濾取することにより、淡黄色固体の外観を有するイリジウム錯体混合物1(14g)を得た。得られたイリジウム錯体混合物1の前記化合物1dに対する収率は53.6%であった。
得られたイリジウム錯体混合物1の分析は、後述する分析により行った。
-Synthesis of iridium complex mixture 1-
A methoxyethanol solution (800 mL) of the compound 1b (16.3 g) and the compound 1d (23.4 g) was reacted at 95 ° C. for 18 hours in a nitrogen atmosphere. By filtering the reaction solution, crude crystals 1 were obtained. The crude crystal 1 was dissolved in toluene to obtain a toluene solution, and then isopropyl alcohol was added dropwise to the toluene solution until crystals were precipitated, followed by filtration to obtain an iridium complex mixture 1 (appearance of a pale yellow solid) 14 g) was obtained. The yield of the obtained iridium complex mixture 1 with respect to the compound 1d was 53.6%.
The obtained iridium complex mixture 1 was analyzed by analysis described later.

(実施例2)
<イリジウム錯体混合物2の合成>
実施例1で得られたイリジウム錯体混合物1を、ジクロロメタン/メタノール=1/1(体積比)で再結晶することにより、イリジウム錯体混合物2を得た。
(Example 2)
<Synthesis of Iridium Complex Mixture 2>
The iridium complex mixture 1 obtained in Example 1 was recrystallized with dichloromethane / methanol = 1/1 (volume ratio) to obtain an iridium complex mixture 2.

(実施例3、及び実施例4)
<イリジウム錯体混合物3、及びイリジウム錯体混合物4の合成>
実施例1で得られた粗結晶1を昇華精製し、昇華管からイリジウム錯体混合物3、及びイリジウム錯体混合物4を取り出した。なお、昇華管の粗体ボートより近い位置から掻き取ったものが、イリジウム錯体混合物3であり、遠い位置から掻き取ったものが、イリジウム錯体混合物4である。
(Example 3 and Example 4)
<Synthesis of Iridium Complex Mixture 3 and Iridium Complex Mixture 4>
The crude crystal 1 obtained in Example 1 was purified by sublimation, and the iridium complex mixture 3 and the iridium complex mixture 4 were taken out from the sublimation tube. In addition, what was scraped off from the position near the coarse body boat of the sublimation tube is the iridium complex mixture 3, and what was scraped off from a far position is the iridium complex mixture 4.

(比較例1、及び比較例2)
<イリジウム錯体1、及びイリジウム錯体2の合成>
実施例1で得られたイリジウム錯体混合物1のトルエン溶液を用い、シリカゲルクロマトグラフ精製(展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/1(体積比))を3回行うことにより、イリジウム錯体混合物1からイリジウム錯体1及びイリジウム錯体2を分離して、イリジウム錯体1及びイリジウム錯体2をそれぞれ得た。
(Comparative Example 1 and Comparative Example 2)
<Synthesis of Iridium Complex 1 and Iridium Complex 2>
By using the toluene solution of the iridium complex mixture 1 obtained in Example 1 and performing silica gel chromatography purification (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 1/1 (volume ratio)) three times, the iridium complex mixture 1 The iridium complex 1 and the iridium complex 2 were separated to obtain the iridium complex 1 and the iridium complex 2, respectively.

(比較例3)
<イリジウム錯体3の合成>
Tris(2−phenylpyridine)iridium(III)(ALDRICH社製、昇華精製グレード品)を昇華精製することにより、イリジウム錯体3を得た。
(Comparative Example 3)
<Synthesis of Iridium Complex 3>
Tris (2-phenylpyridine) iridium (III) (manufactured by ALDRICH, sublimation purification grade product) was purified by sublimation to obtain iridium complex 3.

<イリジウム錯体、及びイリジウム錯体混合物の分析>
実施例1〜4で得られたイリジウム錯体混合物、及び比較例1〜3で得られたイリジウム錯体について、以下の分析を行った。
<Analysis of Iridium Complex and Iridium Complex Mixture>
The following analysis was performed about the iridium complex mixture obtained in Examples 1-4 and the iridium complex obtained in Comparative Examples 1-3.

<<組成比の分析>>
イリジウム錯体混合物及びイリジウム錯体について、HPLC装置(島津製作所製、高速液体クロマトグラフ:プロミネンスグラジエントシステム)を用いて、組成比を分析した。
HPLC装置の条件は以下のとおりである。
カラム:東ソー社製TSK−Gel ODS−100V3μm
展開液A:H
展開液B:アセトニトリル/メタノール=9/1(体積比)(緩衝剤:CHCONH
グラジエントプログラム:
0分〜20分 A:B=30:70(体積比)
20分〜30分 A:B=0:100(体積比)
得られた結果を表1に示す。
<< Analysis of composition ratio >>
About the iridium complex mixture and the iridium complex, the composition ratio was analyzed using the HPLC apparatus (The Shimadzu Corporation make, a high performance liquid chromatograph: Prominence gradient system).
The conditions of the HPLC apparatus are as follows.
Column: Tosoh TSK-Gel ODS-100V3 μm
Developing solution A: H 2 O
Developing solution B: acetonitrile / methanol = 9/1 (volume ratio) (buffering agent: CH 3 CO 2 NH 4 )
Gradient program:
0 to 20 minutes A: B = 30: 70 (volume ratio)
20 to 30 minutes A: B = 0: 100 (volume ratio)
The obtained results are shown in Table 1.

表中の%は、検出波長254nmにおける吸収面積比率を示す。なお、この吸収面積比率とイリジウム錯体混合物におけるイリジウム錯体の質量比率は、ほとんど一致する。 % In the table indicates the absorption area ratio at a detection wavelength of 254 nm. In addition, this absorption area ratio and the mass ratio of the iridium complex in an iridium complex mixture almost correspond.

前記イリジウム錯体1〜3の構造を以下に示す。
The structures of the iridium complexes 1 to 3 are shown below.

(実施例5)
<イリジウム錯体混合物5の合成>
実施例1において、4−t−アミルフェノールを4−t−ブチルフェノールに代えた以外は、実施例1と同様の合成方法で、イリジウム錯体混合物5を得た。得られたイリジウム錯体混合物5の収率は67%であった。
得られたイリジウム錯体混合物5の分析は、後述する分析により行った。
(Example 5)
<Synthesis of Iridium Complex Mixture 5>
In Example 1, except that 4-t-amylphenol was replaced with 4-t-butylphenol, an iridium complex mixture 5 was obtained by the same synthesis method as in Example 1. The yield of the obtained iridium complex mixture 5 was 67%.
The obtained iridium complex mixture 5 was analyzed by analysis described later.

(比較例4、及び比較例5)
<イリジウム錯体4、及びイリジウム錯体5の合成>
実施例5で得られたイリジウム錯体混合物5のトルエン溶液を用い、シリカゲルクロマトグラフ精製(展開溶媒:酢酸エチル/ヘキサン=1/1(体積比))を3回行うことにより、イリジウム錯体混合物5からイリジウム錯体4及びイリジウム錯体5を分離して、イリジウム錯体4及びイリジウム錯体5をそれぞれ得た。
(Comparative Example 4 and Comparative Example 5)
<Synthesis of Iridium Complex 4 and Iridium Complex 5>
By using the toluene solution of the iridium complex mixture 5 obtained in Example 5 and performing silica gel chromatography purification (developing solvent: ethyl acetate / hexane = 1/1 (volume ratio)) three times, from the iridium complex mixture 5 The iridium complex 4 and the iridium complex 5 were separated to obtain the iridium complex 4 and the iridium complex 5, respectively.

<イリジウム錯体及びイリジウム錯体混合物の分析>
実施例5で得られたイリジウム錯体混合物及び比較例3〜5で得られたイリジウム錯体について、以下の分析を行った。
<Analysis of Iridium Complex and Iridium Complex Mixture>
The following analysis was performed about the iridium complex mixture obtained in Example 5, and the iridium complex obtained in Comparative Examples 3-5.

<<組成比の分析>>
イリジウム錯体混合物及びイリジウム錯体について、HPLC装置(島津製作所製、高速液体クロマトグラフ:プロミネンスグラジエントシステム)を用いて、組成比を分析した。
HPLC装置の条件は以下のとおりである。
カラム:東ソー社製TSK−Gel ODS−100V3μm
展開液A:THF/HO=1/9(体積比)(緩衝剤:酢酸、トリエチルアミン)
展開液B:THF/HO=9/1(体積比)(緩衝剤:酢酸、トリエチルアミン)
グラジエントプログラム:
0分〜20分 A:B=50:50(体積比)
20分〜30分 A:B=0:100(体積比)
得られた結果を表2に示す。
<< Analysis of composition ratio >>
About the iridium complex mixture and the iridium complex, the composition ratio was analyzed using the HPLC apparatus (The Shimadzu Corporation make, a high performance liquid chromatograph: Prominence gradient system).
The conditions of the HPLC apparatus are as follows.
Column: Tosoh TSK-Gel ODS-100V3 μm
Developing solution A: THF / H 2 O = 1/9 (volume ratio) (buffering agents: acetic acid, triethylamine)
Developing solution B: THF / H 2 O = 9/1 (volume ratio) (buffering agents: acetic acid, triethylamine)
Gradient program:
0 to 20 minutes A: B = 50: 50 (volume ratio)
20 to 30 minutes A: B = 0: 100 (volume ratio)
The obtained results are shown in Table 2.

表中の%は、検出波長254nmにおける吸収面積比率を示す。なお、この吸収面積比率とイリジウム錯体混合物におけるイリジウム錯体の質量比率は、ほとんど一致する。 % In the table indicates the absorption area ratio at a detection wavelength of 254 nm. In addition, this absorption area ratio and the mass ratio of the iridium complex in an iridium complex mixture almost correspond.

前記イリジウム錯体4及び5の構造を以下に示す。
The structures of the iridium complexes 4 and 5 are shown below.

<評価>
<<溶解度測定>>
上記実施例1〜5及び比較例1〜5で得られたイリジウム錯体混合物、及びイリジウム錯体について、溶解度測定を行った。
<Evaluation>
<< Solubility Measurement >>
The solubility measurement was performed about the iridium complex mixture and iridium complex which were obtained in the said Examples 1-5 and Comparative Examples 1-5.

−検量線の作成−
イリジウム錯体混合物、及びイリジウム錯体の各粉体を黄色灯下でバイアル瓶に秤量し、溶媒(キシレン又は酢酸エチル)を所定量加えた後、BRANSON社の卓上超音波洗浄機B1510J−MTHを用いて超音波を1時間かけた。0.2μmフィルターで濾過した溶液を石英セルにいれ、紫外可視分光光度計(島津製作所UV−2400)にて吸光度を測定した。濃度を変えた溶液を3種作製し、吸光度を測定することで検量線を作成した。
−Creation of calibration curve−
The iridium complex mixture and each powder of the iridium complex are weighed into a vial under a yellow lamp, and after adding a predetermined amount of a solvent (xylene or ethyl acetate), a tabletop ultrasonic cleaner B1510J-MTH manufactured by BRANSON is used. Ultrasound was applied for 1 hour. The solution filtered through a 0.2 μm filter was placed in a quartz cell, and the absorbance was measured with an ultraviolet-visible spectrophotometer (Shimadzu Corporation UV-2400). Three types of solutions with different concentrations were prepared, and a calibration curve was prepared by measuring the absorbance.

−溶解度の算出−
検量線を作成した濃度よりも高い濃度にて飽和溶液を調製し、その吸光度と検量線より、溶解度を算出した。得られた結果を表3に示す。
-Calculation of solubility-
A saturated solution was prepared at a concentration higher than the concentration at which the calibration curve was created, and the solubility was calculated from the absorbance and the calibration curve. The obtained results are shown in Table 3.

表3から、本発明のイリジウム錯体混合物は、1種類のみのイリジウム錯体と比較して、高い溶解性を有していることがわかる。 From Table 3, it can be seen that the iridium complex mixture of the present invention has high solubility compared to only one type of iridium complex.

(実施例6)
イリジウム錯体混合物を発光材料として用い、真空蒸着法により有機電界発光素子を作製した。
(Example 6)
Using an iridium complex mixture as a light-emitting material, an organic electroluminescent device was produced by vacuum deposition.

<有機電界発光素子1の作製>
0.7mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み150nmにスパッタして設けた。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。このITO付きガラス基板上に各層を積層した。
<Preparation of organic electroluminescent element 1>
On a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a square of 2.5 cm, ITO (Indium Tin Oxide) was sputtered to a thickness of 150 nm as an anode. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes. Each layer was laminated | stacked on this glass substrate with ITO.

なお、以下の実施例及び比較例における蒸着速度は、特に断りのない場合は0.1nm/秒である。蒸着速度は水晶振動子を用いて測定した。また、以下の各層厚みは水晶振動子を用いて測定した。   In addition, the vapor deposition rate in the following examples and comparative examples is 0.1 nm / second unless otherwise specified. The deposition rate was measured using a quartz resonator. The thickness of each layer below was measured using a quartz resonator.

まず、陽極(ITO)上に、正孔注入層として下記構造式で表される4,4’,4”−トリス(N,N−(2−ナフチル)−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)を厚みが40nmになるように真空蒸着法により形成した。
First, on the anode (ITO), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N- (2-naphthyl) -phenylamino) triphenylamine (2- TNATA) was formed by vacuum deposition so that the thickness was 40 nm.

次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として下記構造式で表されるNPD(N,N’−ジナフチル−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)を厚みが10nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, an NPD (N, N′-dinaphthyl-N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 represented by the following structural formula as a hole transport layer is formed on the hole injection layer. '-Diamine) was formed by vacuum deposition so that the thickness was 10 nm.

次に、正孔輸送層上に、ホスト化合物である下記構造式で表されるホスト化合物1と前記イリジウム錯体混合物1を発光層における質量比が95:5となるようにして共蒸着し、厚みが30nmの発光層を形成した。
Next, the host compound 1 represented by the following structural formula, which is a host compound, and the iridium complex mixture 1 are co-deposited on the hole transport layer so that the mass ratio in the light emitting layer is 95: 5. Formed a light emitting layer having a thickness of 30 nm.

次に、発光層上に、電子注入層として下記構造式で表されるBAlq(Bis−(2−methyl−8−quinolinolato)−4−(phenyl−phenolate)−aluminium (III))を厚みが40nmとなるように真空蒸着法により形成した。
Next, BAlq (Bis- (2-methyl-8-quinolinolato) -4- (phenyl-phenolate) -aluminum (III)) represented by the following structural formula as an electron injection layer is formed on the light emitting layer with a thickness of 40 nm. It formed by the vacuum evaporation method so that it might become.

次に、電子注入層上に、フッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, lithium fluoride (LiF) was formed on the electron injection layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.

次に、フッ化リチウムの層上に、パターニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、陰極として金属アルミニウムを厚み100nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, a patterned mask (a mask having a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the lithium fluoride layer, and metallic aluminum was formed as a cathode by vacuum deposition so as to have a thickness of 100 nm.

以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、イリジウム錯体混合物1を発光層に用いた有機電界発光素子1を作製した。   The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). Thus, an organic electroluminescence device 1 using the iridium complex mixture 1 as a light emitting layer was produced.

<有機電界発光素子2の作製>
前記有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1に代えて前記イリジウム錯体混合物5を用いた以外は、前記有機電界発光素子1の作製と同様にして、有機電界発光素子2を作製した。
<Preparation of organic electroluminescent element 2>
An organic electroluminescent device 2 was prepared in the same manner as the organic electroluminescent device 1 except that the iridium complex mixture 5 was used instead of the iridium complex mixture 1 in the production of the organic electroluminescent device 1. .

(比較例6)
<有機電界発光素子3の作製>
前記有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1に代えて前記イリジウム錯体1を用いた以外は、前記有機電界発光素子1の作製と同様にして、有機電界発光素子3を作製した。
(Comparative Example 6)
<Preparation of organic electroluminescent element 3>
An organic electroluminescent device 3 was prepared in the same manner as the organic electroluminescent device 1 except that the iridium complex 1 was used in place of the iridium complex mixture 1 in the manufacture of the organic electroluminescent device 1.

<有機電界発光素子4の作製>
前記有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1に代えて前記イリジウム錯体4を用いた以外は、前記有機電界発光素子1の作製と同様にして、有機電界発光素子4を作製した。
<Preparation of organic electroluminescent element 4>
An organic electroluminescence device 4 was produced in the same manner as the organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex 4 was used instead of the iridium complex mixture 1 in the production of the organic electroluminescence device 1.

<有機電界発光素子5の作製>
前記有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1に代えて前記イリジウム錯体6を用いた以外は、前記有機電界発光素子1の作製と同様にして、有機電界発光素子5を作製した。
<Preparation of organic electroluminescent element 5>
An organic electroluminescent element 5 was produced in the same manner as the organic electroluminescent element 1 except that the iridium complex 6 was used instead of the iridium complex mixture 1 in the production of the organic electroluminescent element 1.

<評価>
実施例6及び比較例6で得た各有機電界発光素子について、定電流(2.5mA/cm)を印加した際の電圧及び外部量子効率を測定した。評価結果を表4に示す。
<Evaluation>
For each organic electroluminescent element obtained in Example 6 and Comparative Example 6, the voltage and external quantum efficiency when a constant current ( 2.5 mA / cm 2 ) was applied were measured. The evaluation results are shown in Table 4.

<<電圧>>
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、通電時の駆動電圧を計測した。
<< Voltage >>
Using a source measure unit 2400 manufactured by KEITHLEY, the drive voltage during energization was measured.

<<外部量子効率>>
KEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型を用いて、電流密度2.5mA/cmの直流電流を各素子に通電し、発光させた。その輝度と発光スペクトルを、トプコン社製輝度計SR−3を用いて測定した。これらの測定結果をもとに、外部量子効率を発光スペクトル換算法により算出した。
<< External quantum efficiency >>
Using a source measure unit type 2400 manufactured by KEITHLEY, each element was supplied with a direct current having a current density of 2.5 mA / cm 2 to emit light. The brightness and emission spectrum were measured using a luminance meter SR-3 manufactured by Topcon Corporation. Based on these measurement results, the external quantum efficiency was calculated by an emission spectrum conversion method.

表4から明らかなように、本発明のイリジウム錯体混合物を発光材料として用いた有機電界発光素子は、該イリジウム錯体混合物中の主成分のイリジウム錯体のみを発光材料として用いた有機電界発光素子と比較して、電圧、外部量子効率ともに同等であった。 As is apparent from Table 4, the organic electroluminescent device using the iridium complex mixture of the present invention as a luminescent material is compared with the organic electroluminescent device using only the main component iridium complex in the iridium complex mixture as the luminescent material. Thus, both voltage and external quantum efficiency were the same.

(実施例7)
イリジウム錯体混合物を発光材料として用いた塗布型有機電界発光素子を作製した。
(Example 7)
A coating type organic electroluminescent device using an iridium complex mixture as a luminescent material was produced.

<塗布型有機電界発光素子1の作製>
−塗布液の作製−
前記イリジウム錯体混合物1(0.05質量%)と、前記ホスト化合物1(0.95質量%)とを、MEK(99質量%)に混合し、有機電界発光素子用塗布液(塗布液1)を得た。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 1>
-Preparation of coating solution-
The iridium complex mixture 1 (0.05% by mass) and the host compound 1 (0.95% by mass) are mixed in MEK (99% by mass), and the coating liquid for organic electroluminescent elements (coating liquid 1) is obtained. Got.

−塗布型有機電界発光素子1の作製−
0.7mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み150nmにスパッタして設けた。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
-Production of coating type organic electroluminescent element 1-
On a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a square of 2.5 cm, ITO (Indium Tin Oxide) was sputtered to a thickness of 150 nm as an anode. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.

このITO付きガラス基板上に、PTPDES−2(ケミプロ化成製、Tg=205℃、高Tg高分子材料)2質量部を電子工業用シクロヘキサノン(関東化学製)98質量部に溶解した溶液をスピンコートした後、120℃で30分間乾燥し、更に160℃で10分間アニール処理することで、厚み40nmの正孔注入層を形成した。   On this glass substrate with ITO, a solution obtained by dissolving 2 parts by mass of PTPDES-2 (manufactured by Chemipro Kasei, Tg = 205 ° C., high Tg polymer material) in 98 parts by mass of cyclohexanone for electronics industry (manufactured by Kanto Chemical) is spin-coated Then, it was dried at 120 ° C. for 30 minutes, and further annealed at 160 ° C. for 10 minutes to form a hole injection layer having a thickness of 40 nm.

次に、グローブボックス(露点−68℃、酸素濃度10ppm)内で、正孔注入層上に、前記塗布液1をスピンコートし、厚み30nmの発光層を形成した。   Next, in a glove box (dew point -68 ° C., oxygen concentration 10 ppm), the coating solution 1 was spin coated on the hole injection layer to form a light emitting layer having a thickness of 30 nm.

次に、発光層上に、真空蒸着法にて前記BAlqを蒸着し、厚み40nmの電子注入層を形成した。   Next, the BAlq was deposited on the light emitting layer by a vacuum deposition method to form an electron injection layer having a thickness of 40 nm.

次に、電子注入層上に、フッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, lithium fluoride (LiF) was formed on the electron injection layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.

次に、フッ化リチウムの層上に、パターニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、陰極として金属アルミニウムを厚み100nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, a patterned mask (a mask having a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the lithium fluoride layer, and metallic aluminum was formed as a cathode by vacuum deposition so as to have a thickness of 100 nm.

以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、塗布型有機電界発光素子1を作製した。   The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). The coating type organic electroluminescent element 1 was produced by the above.

<塗布型有機電界発光素子2の作製>
前記塗布型有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体混合物2に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子1の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子2を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 2>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 1, the coating type organic electroluminescence device 1 was prepared in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex mixture 2. 2 was produced.

<塗布型有機電界発光素子3の作製>
前記塗布型有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体混合物3に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子1の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子3を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 3>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 1, the coating type organic electroluminescence device 1 was prepared in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex mixture 3. 3 was produced.

<塗布型有機電界発光素子4の作製>
前記塗布型有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体混合物4に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子1の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子4を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 4>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 1, the coating type organic electroluminescence device 1 was prepared in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex mixture 4. 4 was produced.

<塗布型有機電界発光素子5の作製>
前記塗布型有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体混合物5に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子1の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子5を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 5>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 1, the coating type organic electroluminescence device 1 was prepared in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex mixture 5. 5 was produced.

(比較例7)
<塗布型有機電界発光素子6の作製>
前記塗布型有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を下記構造のイリジウム錯体6に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子1の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子6を作製した。
(Comparative Example 7)
<Preparation of Coating Type Organic Electroluminescent Element 6>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 1, the coating type organic electroluminescence device is produced in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex mixture 1 is replaced with the iridium complex 6 having the following structure. Element 6 was produced.

<塗布型有機電界発光素子7の作製>
前記塗布型有機電界発光素子1の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を下記構造式で表されるイリジウム錯体7に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子1の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子7を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 7>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 1, the coating type organic electroluminescence device 1 was coated in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 1 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex 7 represented by the following structural formula. Type organic electroluminescent element 7 was produced.

<評価(素子耐久性)>
実施例7及び比較例7で得た塗布型有機電界発光素子について、素子耐久性評価を行った。
初期の発光輝度1,000cd/mで、室温において、塗布型有機電界発光素子にKEITHLEY社製ソースメジャーユニット2400型により定電流(2.5mA/cm)を印加して連続的に駆動を行い、発光輝度が1/2に低下するまでの時間(輝度半減期)を測定し、イリジウム錯体混合物1を用いた塗布型有機電界発光素子1の時間を1として規格化して評価した。評価結果を表5に示す。
なお、発光輝度は、トプコン社製輝度計SR−3により測定した。
<Evaluation (element durability)>
About the coating type organic electroluminescent element obtained in Example 7 and Comparative Example 7, element durability evaluation was performed.
A constant current ( 2.5 mA / cm 2 ) is applied continuously to a coating type organic electroluminescent element by a source measure unit 2400 made by KEITHLEY at room temperature at an initial emission luminance of 1,000 cd / m 2. The time until the emission luminance decreased to ½ (luminance half-life) was measured, and the time of the coating type organic electroluminescence device 1 using the iridium complex mixture 1 was normalized as 1 and evaluated. The evaluation results are shown in Table 5.
The emission luminance was measured with a luminance meter SR-3 manufactured by Topcon Corporation.

表5から明らかなように、イリジウム錯体6、7を用いた塗布型有機電界発光素子6、7と比べ、本発明のイリジウム錯体混合物1〜5を用いた塗布型有機電界発光素子1〜5は、耐久性に優れる。また、イリジウム錯体1の含有量がイリジウム錯体混合物に対して91質量%以上であるイリジウム錯体混合物1〜3を用いた塗布型有機電界発光素子1〜3、及びイリジウム錯体4の含有量がイリジウム錯体混合物に対して91質量%以上であるイリジウム錯体混合物5を用いた塗布型有機電界発光素子5は、イリジウム錯体1の含有量がイリジウム錯体混合物に対して91質量%未満であるイリジウム錯体混合物4を用いた塗布型有機電界発光素子4よりも、更に耐久性に優れる。 As is apparent from Table 5, compared with the coating type organic electroluminescence devices 6 and 7 using the iridium complexes 6 and 7, the coating type organic electroluminescence devices 1 to 5 using the iridium complex mixtures 1 to 5 of the present invention are Excellent durability. Moreover, the coating type organic electroluminescent elements 1-3 using the iridium complex mixtures 1-3 whose iridium complex 1 content is 91% by mass or more with respect to the iridium complex mixture, and the iridium complex 4 content is iridium complex. The coating type organic electroluminescent device 5 using the iridium complex mixture 5 that is 91% by mass or more with respect to the mixture includes the iridium complex mixture 4 in which the content of the iridium complex 1 is less than 91% by mass with respect to the iridium complex mixture. It is more excellent in durability than the coating type organic electroluminescent element 4 used.

(実施例8及び比較例8)
イリジウム錯体混合物及びイリジウム錯体の塗布液を作製し、該塗布液により形成される発光層の熱安定性を評価した。
(Example 8 and Comparative Example 8)
An iridium complex mixture and an iridium complex coating solution were prepared, and the thermal stability of the light-emitting layer formed by the coating solution was evaluated.

<熱安定性の評価>
<<塗布液の作製>>
−発光層1に用いる塗布液の作製−
前記イリジウム錯体混合物1(0.05質量%)と、前記ホスト化合物1(0.95質量%)とを、MEK(99質量%)に混合し、発光層1に用いる塗布液を得た。
−発光層2に用いる塗布液の作製−
前記イリジウム錯体混合物5(0.05質量%)と、前記ホスト化合物1(0.95質量%)とを、MEK(99質量%)に混合し、発光層2に用いる塗布液を得た。
−発光層3に用いる塗布液の作製−
前記イリジウム錯体1(0.05質量%)と、前記ホスト化合物1(0.95質量%)とを、MEK(99質量%)に混合し、発光層3に用いる塗布液を得た。
−発光層4に用いる塗布液の作製−
前記イリジウム錯体4(0.05質量%)と、前記ホスト化合物1(0.95質量%)とを、MEK(99質量%)に混合し、発光層4に用いる塗布液を得た。
−発光層5に用いる塗布液の作製−
下記構造式で表されるイリジウム錯体8(0.05質量%)と、前記ホスト化合物1(0.95質量%)とを、MEK(99質量%)に混合し、発光層5に用いる塗布液を得た。
<Evaluation of thermal stability>
<< Preparation of coating liquid >>
-Preparation of coating solution used for light emitting layer 1-
The iridium complex mixture 1 (0.05% by mass) and the host compound 1 (0.95% by mass) were mixed with MEK (99% by mass) to obtain a coating solution used for the light emitting layer 1.
−Preparation of coating solution used for light emitting layer 2−
The iridium complex mixture 5 (0.05% by mass) and the host compound 1 (0.95% by mass) were mixed with MEK (99% by mass) to obtain a coating solution used for the light emitting layer 2.
-Preparation of coating solution used for light emitting layer 3-
The iridium complex 1 (0.05% by mass) and the host compound 1 (0.95% by mass) were mixed with MEK (99% by mass) to obtain a coating solution used for the light emitting layer 3.
-Preparation of coating solution used for light emitting layer 4-
The iridium complex 4 (0.05% by mass) and the host compound 1 (0.95% by mass) were mixed with MEK (99% by mass) to obtain a coating solution used for the light emitting layer 4.
-Preparation of coating solution used for light emitting layer 5-
A coating solution used for the light-emitting layer 5 by mixing iridium complex 8 (0.05% by mass) represented by the following structural formula and the host compound 1 (0.95% by mass) in MEK (99% by mass). Got.

<<評価試料の作製>>
基材として石英ガラス(厚み0.7mm、長さ16mm、幅16mm)を用い、該基材上に前記各塗布液をグローブボックス内でスピンコートし、厚み30μmの発光層を形成することにより、評価試料を作製した。
<< Preparation of Evaluation Sample >>
By using quartz glass (thickness 0.7 mm, length 16 mm, width 16 mm) as a base material, and spin-coating each of the coating liquids in the glove box on the base material to form a light emitting layer having a thickness of 30 μm, An evaluation sample was prepared.

<<熱安定性試験>>
絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製、C9920−02)を用いてPL量子収率の測定を行った。測定は、グローブボックス中にて、ホットプレートで160℃30分加熱した前後において行った。そして、加熱前後のPL量子収率変化割合を評価した。評価結果を表6に示す。
<< Thermal stability test >>
The PL quantum yield was measured using an absolute PL quantum yield measuring apparatus (C9920-02, manufactured by Hamamatsu Photonics). The measurement was performed before and after heating at 160 ° C. for 30 minutes on a hot plate in a glove box. And the PL quantum yield change rate before and behind a heating was evaluated. The evaluation results are shown in Table 6.

表6から明らかなように、イリジウムと2座配位子との結合原子が窒素原子及び炭素原子のみであるイリジウム錯体混合物は、結合原子が窒素原子、炭素原子、及び酸素原子(アセチルアセトナート)であるイリジウム錯体8と比較して、熱安定性が高いことがわかる。 As is apparent from Table 6, the iridium complex mixture in which the iridium and bidentate ligand atoms are only nitrogen atoms and carbon atoms has nitrogen atoms, carbon atoms, and oxygen atoms (acetylacetonate). It can be seen that the thermal stability is higher than that of the iridium complex 8.

(実施例9)
イリジウム錯体混合物を正孔注入層に用いた塗布型有機電界発光素子を作製した。
Example 9
A coating type organic electroluminescent device using an iridium complex mixture as a hole injection layer was prepared.

<塗布型有機電界発光素子8の作製>
−塗布液の作製−
イリジウム錯体混合物1(0.6質量%)と、PTPDES(ケミプロ化成製、高Tg高分子材料)(1.4質量%)とを、電子工業用シクロヘキサノン(関東化学製)(98質量%)に混合し、有機電界発光素子用塗布液(塗布液2)を得た。
<Preparation of Coating Type Organic Electroluminescent Element 8>
-Preparation of coating solution-
Iridium complex mixture 1 (0.6% by mass) and PTPDES (manufactured by Chemipro Kasei Co., Ltd., high Tg polymer material) (1.4% by mass) to cyclohexanone for electronic industry (manufactured by Kanto Chemical) (98% by mass) The organic electroluminescent element coating liquid (Coating liquid 2) was obtained by mixing.

−塗布型有機電界発光素子8の作製−
0.7mm厚み、2.5cm角のガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide)を厚み150nmにスパッタして設けた。次に、このITO付きガラス基板を洗浄容器に入れ、2−プロパノール中で超音波洗浄した後、30分間UV−オゾン処理を行った。
-Production of coating type organic electroluminescent element 8-
On a glass substrate having a thickness of 0.7 mm and a square of 2.5 cm, ITO (Indium Tin Oxide) was sputtered to a thickness of 150 nm as an anode. Next, this ITO-attached glass substrate was put into a cleaning container, subjected to ultrasonic cleaning in 2-propanol, and then subjected to UV-ozone treatment for 30 minutes.

このITO付きガラス基板上に、前記塗布液2をスピンコートした後、120℃で30分間乾燥し、更に160℃で10分間アニール処理することで、厚み40nmの正孔注入層を形成した。   The coating solution 2 was spin-coated on this ITO-coated glass substrate, dried at 120 ° C. for 30 minutes, and further annealed at 160 ° C. for 10 minutes to form a hole injection layer having a thickness of 40 nm.

次に、正孔注入層上に、正孔輸送層として前記NPDを厚みが10nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, the NPD as a hole transport layer was formed on the hole injection layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 10 nm.

次に、正孔輸送層上に、ホスト化合物として下記構造式表されるCBPと発光材料としてイリジウム錯体3を発光層における質量比が95:5となるようにして共蒸着し、厚みが30nmの発光層を形成した。
Next, CBP represented by the following structural formula as a host compound and iridium complex 3 as a light emitting material were co-deposited on the hole transport layer so that the mass ratio in the light emitting layer was 95: 5, and the thickness was 30 nm. A light emitting layer was formed.

次に、発光層上に、電子注入層として前記BAlqを、厚みが40nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, the BAlq was formed as an electron injection layer on the light emitting layer by vacuum deposition so as to have a thickness of 40 nm.

次に、電子注入層上に、フッ化リチウム(LiF)を、厚みが1nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, lithium fluoride (LiF) was formed on the electron injection layer by a vacuum deposition method so as to have a thickness of 1 nm.

次に、フッ化リチウムの層上に、パターニングしたマスク(発光領域が2mm×2mmとなるマスク)を設置し、陰極として金属アルミニウムを厚み100nmとなるように真空蒸着法により形成した。   Next, a patterned mask (a mask having a light emitting area of 2 mm × 2 mm) was placed on the lithium fluoride layer, and metallic aluminum was formed as a cathode by vacuum deposition so as to have a thickness of 100 nm.

以上により作製した積層体を、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶、及び紫外線硬化型の接着剤(XNR5516HV、長瀬チバ株式会社製)を用いて封止した。以上により、塗布型有機電界発光素子8を作製した。   The laminate produced as described above was put in a glove box substituted with argon gas, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). The coating type organic electroluminescent element 8 was produced by the above.

<塗布型有機電界発光素子9の作製>
前記塗布型有機電界発光素子8の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体混合物5に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子8の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子9を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 9>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 8, the coating type organic electroluminescence device 8 was prepared in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 8 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex mixture 5. 9 was produced.

(比較例9)
<塗布型有機電界発光素子10の作製>
前記塗布型有機電界発光素子8の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体1に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子8の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子10を作製した。
(Comparative Example 9)
<Preparation of Coating Type Organic Electroluminescent Device 10>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 8, the coating type organic electroluminescence device 10 was prepared in the same manner as the production of the coating type organic electroluminescence device 8, except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex 1. Was made.

<塗布型有機電界発光素子11の作製>
前記塗布型有機電界発光素子8の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体4に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子8の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子11を作製した。
<Preparation of coating type organic electroluminescent element 11>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 8, the coating type organic electroluminescence device 11 is prepared in the same manner as the production of the coating type organic electroluminescence device 8 except that the iridium complex mixture 1 is replaced with the iridium complex 4. Was made.

<塗布型有機電界発光素子12の作製>
前記塗布型有機電界発光素子8の作製において、前記イリジウム錯体混合物1を前記イリジウム錯体6に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子8の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子12を作製した。
<Preparation of Coating Type Organic Electroluminescent Element 12>
In the production of the coating type organic electroluminescence device 8, the coating type organic electroluminescence device 12 was prepared in the same manner as the coating type organic electroluminescence device 8 except that the iridium complex mixture 1 was replaced with the iridium complex 6. Was made.

<塗布型有機電界発光素子13の作製>
前記塗布型有機電界発光素子8の作製において、前記塗布液2を、PTPDES(2.0質量%)を電子工業用シクロヘキサノン(関東化学製)(98質量%)に混合した塗布液に代えた以外は、前記塗布型有機電界発光素子8の作製と同様にして、塗布型有機電界発光素子13を作製した。
<Preparation of Coating Type Organic Electroluminescent Element 13>
In the production of the coating type organic electroluminescent element 8, the coating solution 2 was replaced with a coating solution in which PTPDES (2.0% by mass) was mixed with cyclohexanone for electronics industry (manufactured by Kanto Chemical) (98% by mass). In the same manner as in the preparation of the coating type organic electroluminescent element 8, a coating type organic electroluminescent element 13 was prepared.

<評価>
実施例9及び比較例9で得た有機電界発光素子について、以下の評価を行った。
<Evaluation>
The organic EL devices obtained in Example 9 and Comparative Example 9 were evaluated as follows.

<<電圧及び外部量子効率>>
電流密度2.5mA/cmとなるように調節したときの電圧及び外部量子効率を測定した。なお、電圧及び外部量子効率の測定方法は前述と同様である。測定結果を表7に示す。
<< Voltage and external quantum efficiency >>
The voltage and the external quantum efficiency were measured when the current density was adjusted to 2.5 mA / cm 2 . In addition, the measuring method of a voltage and external quantum efficiency is the same as the above-mentioned. Table 7 shows the measurement results.

<<素子耐久性>>
初期の発光輝度1,000cd/mで、室温において、有機電界発光素子に定電流(2.5mA/cm)を印加して連続的に駆動を行い、発光輝度が1/2に低下するまでの時間(輝度半減期)を測定し、塗布型有機電界発光素子8の時間を1として規格化して評価した。評価結果を表7に示す。
<< Element durability >>
The constant luminance (2.5 mA / cm 2 ) is applied to the organic electroluminescent element at room temperature at an initial light emission luminance of 1,000 cd / m 2 to continuously drive the light emission luminance to ½. Time (luminance half-life) was measured, and the time of the coating type organic electroluminescent element 8 was normalized as 1 and evaluated. Table 7 shows the evaluation results.

表7から、正孔注入層に本発明のイリジウム錯体混合物を添加することで、電圧、及び外部量子効率をほとんど変化させることなく、耐久性が大幅に向上することがわかる。 From Table 7, it can be seen that by adding the iridium complex mixture of the present invention to the hole injection layer, the durability is greatly improved with almost no change in voltage and external quantum efficiency.

表3の結果から、本発明のイリジウム錯体混合物は、純度100%のイリジウム錯体よりも、溶媒に対する溶解性に優れていることが確認できる。
表4の結果から、本発明のイリジウム錯体混合物を発光層に用いた有機電界発光素子は、純度100%のイリジウム錯体を発光層に用いた有機電界発光素子と比較して、電圧、外部量子効率ともに同等であることが確認できる。
表5の結果から、本発明のイリジウム錯体混合物を発光層に用いた有機電界発光素子は、耐久性に優れることが確認できる。
表7の結果から、本発明のイリジウム錯体混合物を正孔注入層に添加した有機電界発光素子は、未添加の素子と比較して耐久性が大幅に向上することが確認できる。
From the results in Table 3, it can be confirmed that the iridium complex mixture of the present invention is superior in solubility in a solvent than an iridium complex having a purity of 100%.
From the results shown in Table 4, the organic electroluminescent device using the iridium complex mixture of the present invention for the light emitting layer was compared with the organic electroluminescent device using 100% pure iridium complex for the light emitting layer. It can be confirmed that both are equivalent.
From the results shown in Table 5, it can be confirmed that the organic electroluminescence device using the iridium complex mixture of the present invention for the light emitting layer is excellent in durability.
From the results of Table 7, it can be confirmed that the durability of the organic electroluminescent device in which the iridium complex mixture of the present invention is added to the hole injection layer is significantly improved as compared with the non-added device.

本発明のイリジウム錯体混合物は、溶媒に対する溶解性に優れ、合成における収率が高く、クロマトグラフィーなどの精製の必要がなく製造が容易で、更に、有機電界発光素子に用いた場合に素子の耐久性に優れることから、有機電界発光素子の発光層、正孔注入層に好適に用いることができる。   The iridium complex mixture of the present invention is excellent in solubility in a solvent, has a high yield in synthesis, is easy to produce without the need for purification such as chromatography, and is durable when used in an organic electroluminescent device. Because of its excellent properties, it can be suitably used for a light emitting layer and a hole injection layer of an organic electroluminescence device.

Claims (10)

下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体を2種以上有し、
該2種以上のイリジウム錯体のうちの少なくとも2種のイリジウム錯体の、下記一般式(1)中のBで表される2座配位子が同じ構造の2座配位子であり、
該2種以上のイリジウム錯体が、イリジウム錯体の合成における主生成物及び副生成物である
ことを特徴とするイリジウム錯体混合物。
(A)Ir(B) 一般式(1)
ただし、前記一般式(1)中、A、及びBは、異なる構造の2座配位子を表す。Aは、下記一般式(2)で表される構造を有する。mは、0から2の整数を表し、nは、1から3の整数を表し、m+n=3である。
ただし、前記一般式(2)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
Having two or more iridium complexes represented by the following general formula (1),
The bidentate ligand represented by B in the following general formula (1) of at least two iridium complexes of the two or more iridium complexes is a bidentate ligand having the same structure,
The iridium complex mixture, wherein the two or more iridium complexes are a main product and a by-product in the synthesis of the iridium complex.
(A) m Ir (B) n General formula (1)
However, in the said General formula (1), A and B represent the bidentate ligand of a different structure. A has a structure represented by the following general formula (2). m represents an integer of 0 to 2, n represents an integer of 1 to 3, and m + n = 3.
However, in said general formula (2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent an alkyl group each independently.
イリジウム錯体のイリジウムと2座配位子とが、2座配位子の窒素原子及び炭素原子で結合している請求項1に記載のイリジウム錯体混合物。   The iridium complex mixture according to claim 1, wherein the iridium of the iridium complex and the bidentate ligand are bonded to each other by a nitrogen atom and a carbon atom of the bidentate ligand. 一般式(1)で表されるイリジウム錯体が、下記一般式(3)で表されるイリジウム錯体である請求項1から2のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物。
ただし、前記一般式(3)中、R〜R19は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基を表し、隣接するR〜R19は、互いに結合し環を形成してもよい。R〜R11の少なくとも1つは、下記一般式(2)で表される構造を有する。m、n及びm+nは、それぞれ一般式(1)におけるm、n及びm+nと同様である。
ただし、前記一般式(2)中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
The iridium complex mixture according to any one of claims 1 to 2, wherein the iridium complex represented by the general formula (1) is an iridium complex represented by the following general formula (3).
In the general formula (3), R 4 ~R 19 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, adjacent R 4 to R 19 are bonded to each other A ring may be formed. At least one of R 4 to R 11 has a structure represented by the following general formula (2). m, n and m + n are the same as m, n and m + n in the general formula (1), respectively.
However, in said general formula (2), R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > represent an alkyl group each independently.
mが0でないイリジウム錯体のうちの1種のイリジウム錯体が、全てのイリジウム錯体の合計量に対して91質量%以上99.99質量%以下である請求項1から3のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物。   4. The iridium according to claim 1, wherein one kind of iridium complex among the iridium complexes in which m is not 0 is 91% by mass or more and 99.99% by mass or less based on the total amount of all iridium complexes. Complex mixture. mが1であるイリジウム錯体が、全てのイリジウム錯体の合計量に対して91質量%以上99.99質量%以下である請求項1から4のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物。   The iridium complex mixture according to any one of claims 1 to 4, wherein the iridium complex in which m is 1 is 91 mass% or more and 99.99 mass% or less based on the total amount of all iridium complexes. 陽極と陰極の間に少なくとも1層の有機層を有してなり、
該有機層の少なくとも1層が、請求項1から5のいずれかに記載のイリジウム錯体混合物を含有する有機層であることを特徴とする有機電界発光素子。
Having at least one organic layer between the anode and the cathode;
An organic electroluminescent device, wherein at least one of the organic layers is an organic layer containing the iridium complex mixture according to any one of claims 1 to 5.
有機層を3層以上有する請求項6に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to claim 6, comprising three or more organic layers. イリジウム錯体混合物を含有する有機層が、発光層である請求項6から7のいずれかに記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to any one of claims 6 to 7, wherein the organic layer containing the iridium complex mixture is a light emitting layer. イリジウム錯体混合物を含有する有機層が、正孔注入層である請求項6から7のいずれかに記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescent element according to any one of claims 6 to 7, wherein the organic layer containing the iridium complex mixture is a hole injection layer. 請求項6から9のいずれかに記載の有機電界発光素子を製造する有機電界発光素子の製造方法であって、イリジウム錯体混合物を含有する有機層を塗布により形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。











An organic electroluminescence device manufacturing method for manufacturing an organic electroluminescence device according to any one of claims 6 to 9, wherein an organic layer containing an iridium complex mixture is formed by coating. Device manufacturing method.











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