JP2015196781A - Polymerizable monomer, resin, resist composition, and production method of resist pattern - Google Patents

Polymerizable monomer, resin, resist composition, and production method of resist pattern Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymerizable monomer from which a resist pattern having a good mask error factor(MEF) can be produced, a resin containing a structural unit derived from the polymerizable monomer, and a resist composition comprising the resin.SOLUTION: The polymerizable monomer has a group represented by formula (I1). In the formula, Rrepresents H or a 1-24C hydrocarbon group; ring W represents a 3-36C alicyclic hydrocarbon ring, in which a methylene group included in the alicyclic hydrocarbon ring may be replaced by O, C, a carbonyl group or a sulfonyl group and H included in the alicyclic hydrocarbon ring may be replaced by a hydroxy group, a 1-12C alkyl group, a 1-12C alkoxy group, a 3-12C alicyclic hydrocarbon group, a 6-10C aromatic hydrocarbon group, or a combined group of the above groups.

Description

本発明は、重合性モノマー、該重合性モノマーに由来する構成単位を有する樹脂、該樹脂を含むレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a polymerizable monomer, a resin having a structural unit derived from the polymerizable monomer, a resist composition containing the resin, and a method for producing a resist pattern.

特許文献1には、下記の構造単位を有する樹脂が記載されている。

Figure 2015196781
Patent Document 1 describes a resin having the following structural unit.
Figure 2015196781

特開2006−257078号公報JP 2006-257078 A

上記の樹脂を含むレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター(MEF)が必ずしも満足できない場合があった。   In the resist composition containing the above resin, the mask error factor (MEF) of the resulting resist pattern may not always be satisfied.

本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I1)で表される基を有する重合性モノマー。

Figure 2015196781
[式(I1)中、
1は、水素原子又は炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。]
[2]ビニリデン基と、式(I1)で表される基とを有する[1]に記載の重合性モノマー。
[3]ビニル基、アクリロイル基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基と、式(I1)で表される基とを有する[1]又は[2]に記載の重合性モノマー。
[4]式(I1)で表される基を有する重合性モノマーが、式(I)で表される化合物である[1]〜[3]のいずれかに記載の重合性モノマー。
Figure 2015196781
[式(I)中、
1及びWは、上記と同じ意味を表す。
2は、水素原子又はメチル基を表す。
は、式(X−1)〜式(X−3)のいずれかで表される基を表す。
Figure 2015196781
(式(X−1)〜式(X−3)中、*はAとの結合手を表す。)
1は、単結合又は炭素数1〜24の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]
[5]環Wが、式(W−1)で表される環、式(W−2)で表される環又は式(W−3)で表される環である[1]〜[4]のいずれかに記載の重合性モノマー。
Figure 2015196781
[式(W−1)、式(W−2)及び式(W−3)中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
[6]Xが、式(X−1)で表される基である[4]又は[5]に記載の重合性モノマー。
[7]Aが、単結合である[4]〜[6]のいずれかに記載の重合性モノマー。
[8][1]〜[7]のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
[9]酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位を、さらに有する[8]記載の樹脂。
[10][8]又は[9]に記載の樹脂と酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
[11]酸発生剤が、式(B1)で表される酸発生剤である[10]記載のレジスト組成物。
Figure 2015196781
[式(B1)中、
b1及びQb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Zb+は、有機カチオンを表す。]
[12]酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い塩をさらに含有する[10]又は[11]に記載のレジスト組成物。
[13](1)[10]〜[12]のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] A polymerizable monomer having a group represented by the formula (I1).
Figure 2015196781
[In the formula (I1),
R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the methylene group contained in the hydrocarbon group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group, and hydrogen contained in the hydrocarbon group The atom may be substituted with a halogen atom or a hydroxy group.
Ring W represents an alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. Well, the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon ring is a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, The aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms or a combination thereof may be substituted. ]
[2] The polymerizable monomer according to [1], which has a vinylidene group and a group represented by the formula (I1).
[3] The polymerizable monomer according to [1] or [2], which has at least one group selected from the group consisting of a vinyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group, and a group represented by the formula (I1).
[4] The polymerizable monomer according to any one of [1] to [3], wherein the polymerizable monomer having a group represented by the formula (I1) is a compound represented by the formula (I).
Figure 2015196781
[In the formula (I),
R 1 and W represent the same meaning as described above.
R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group.
X 1 represents a group represented by any one of formulas (X 1 -1) to (X 1 -3).
Figure 2015196781
(In formula (X 1 -1) to formula (X 1 -3), * represents a bond with A 1. )
A 1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. ]
[5] Ring W is a ring represented by formula (W-1), a ring represented by formula (W-2), or a ring represented by formula (W-3) [1] to [4] ] The polymerizable monomer in any one of.
Figure 2015196781
[In Formula (W-1), Formula (W-2) and Formula (W-3),
The methylene group contained in the ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group, and the hydrogen atom contained in the ring is a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atom. It may be substituted with a 12 alkoxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. ]
[6] X 1 is a polymerizable monomer according to which a group represented by the formula (X 1 -1) [4] or [5].
[7] The polymerizable monomer according to any one of [4] to [6], wherein A 1 is a single bond.
[8] A resin having a structural unit derived from the compound according to any one of [1] to [7].
[9] The resin according to [8], further having a structural unit derived from a monomer having an acid labile group.
[10] A resist composition comprising the resin according to [8] or [9] and an acid generator.
[11] The resist composition according to [10], wherein the acid generator is an acid generator represented by the formula (B1).
Figure 2015196781
[In the formula (B1),
Q b1 and Q b2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group is an oxygen atom or a carbonyl group. It may be replaced.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Zb + represents an organic cation. ]
[12] The resist composition according to [10] or [11], further containing a salt having a lower acidity than the acid generated from the acid generator.
[13] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [10] to [12] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:

良好なマスクエラーファクター(MEF)のレジストパターンを製造することができる重合成モノマー、該重合成モノマーに由来する構造単位を含む樹脂及び該樹脂を含むレジスト組成物を提供する。   Provided are a polysynthetic monomer capable of producing a resist pattern having a good mask error factor (MEF), a resin containing a structural unit derived from the polysynthetic monomer, and a resist composition containing the resin.

本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。
本明細書において、重合成モノマーとは、重合反応が起きる部位(以下、重合性基という場合がある。)を少なくとも1つ有するモノマーを意味する。
重合性基としては、ビニリデン基を含む基が挙げられ、ビニル基、アクリロイル基、及びメタアクリロイル基が好ましい。
In the present specification, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having a "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " structure of To do. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.
In this specification, the polysynthetic monomer means a monomer having at least one site where a polymerization reaction occurs (hereinafter sometimes referred to as a polymerizable group).
Examples of the polymerizable group include a group containing a vinylidene group, and a vinyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group are preferable.

本発明は、式(I1)で表される基を少なくとも1つ有する重合性モノマー(以下、モノマー(I1)という場合がある)である。

Figure 2015196781
[式(I1)中、
1は、水素原子又は炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。] The present invention is a polymerizable monomer having at least one group represented by the formula (I1) (hereinafter sometimes referred to as monomer (I1)).

Figure 2015196781
[In the formula (I1),
R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the methylene group contained in the hydrocarbon group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group, and hydrogen contained in the hydrocarbon group The atom may be substituted with a halogen atom or a hydroxy group.
Ring W represents an alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. Well, the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon ring is a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, The aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms or a combination thereof may be substituted. ]

炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基及びn−ドデシル基が挙げられる。好ましくは、炭素数1〜12のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜6のアルキル基である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基及びシクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。好ましくは炭素数3〜12の脂環式炭化水素基である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トシル基、ナフチル基、ビフェニル基、キシリル基、アントラセニル基等が挙げられる。好ましくは炭素数6〜18の芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくはフェニル基又はナフチル基である。
組み合わせることにより形成される基としては、例えばアラルキル基が挙げられ、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group formed by a combination thereof.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, 2 -Ethylhexyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group and n-dodecyl group are mentioned. Preferably, it is a C1-C12 alkyl group, More preferably, it is a C1-C6 alkyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be either monocyclic or polycyclic, and the monocyclic alicyclic hydrocarbon group includes a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a methylcyclohexyl group. And cycloalkyl groups such as dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cycloheptyl group and cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, norbornyl group, Examples thereof include a methylnorbornyl group and an isobornyl group. Preferably it is a C3-C12 alicyclic hydrocarbon group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a tosyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a xylyl group, and an anthracenyl group. An aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable.
As a group formed by combining, an aralkyl group is mentioned, for example, A benzyl group, a phenethyl group, etc. are mentioned.
Examples of those in which the methylene group contained in the aliphatic hydrocarbon group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include an alkoxy group, an acyl group, and an acyloxy group.

としては、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基及びこれらの組み合わせることにより形成される基(但し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。)が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基がより好ましい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。好ましくはフッ素原子である。
R 1 includes an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and a group formed by a combination thereof (provided that the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group). The methylene group contained in may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.) Is preferable, and an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is more preferable.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Preferred is a fluorine atom.

環Wにおける炭素数3〜36の脂環式炭化水素環としては、式(W−1)〜式(W−11)で表される環が挙げられ、炭素数3〜18の脂環式炭化水素環が好ましく、なかでも、式(W−1)で表される環、式(W−2)で表される環又は式(W−3)で表される環が好ましい。

Figure 2015196781
[式(W−1)〜式(W−11)で表される環中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。*は、結合手を表す。] Examples of the alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms in the ring W include rings represented by formulas (W-1) to (W-11), and alicyclic carbonization having 3 to 18 carbon atoms. A hydrogen ring is preferable, and among them, a ring represented by the formula (W-1), a ring represented by the formula (W-2) or a ring represented by the formula (W-3) is preferable.
Figure 2015196781
[In the ring represented by Formula (W-1) to Formula (W-11),
The methylene group contained in the ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group, and the hydrogen atom contained in the ring is a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atom. It may be substituted with a 12 alkoxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. * Represents a bond. ]

炭素数3〜36の脂環式炭化水素基が有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
炭素数3〜36の脂環式炭化水素基が有していてもよい炭素数1〜12のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基及びn−ドデシルオキシ基が挙げられる。
炭素数3〜36の脂環式炭化水素基が有していてもよい炭素数3〜12の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基が挙げられる。

Figure 2015196781
式(W−1)〜式(W−11)における炭素数6〜10の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms that the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms may have include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, sec -Butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group and 2 -An ethylhexyl group is mentioned.
Examples of the alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms that the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms may have include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an n-butoxy group, and n-pentyloxy. Group, n-hexyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group, n-undecyloxy group and n-dodecyloxy group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms that the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms may have include the following groups.
Figure 2015196781
Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms in Formula (W-1) to Formula (W-11) include a phenyl group and a naphthyl group.

式(I1)で表される基としては、下記構造のものが挙げられる。下記構造における*は結合手を表す。

Figure 2015196781
Examples of the group represented by the formula (I1) include the following structures. * In the following structure represents a bond.

Figure 2015196781

モノマー(I1)は、式(I1)で表される基を複数有していてもよい。モノマー(I1)が、複数の式(I1)で表される基を有する場合、複数の式(I1)で表される基はそれぞれ異なっていてもよい。
モノマー(I1)は、ビニル基、アクリロイル基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基と、式(I1)で表される基とを有するモノマーであることが好ましく、式(I)で表される化合物であることがより好ましい。

Figure 2015196781
[式(I)中、
1及びWは、上記と同じ意味を表す。
2は、水素原子又はメチル基を表す。
は、式(X−1)〜式(X−3)のいずれかで表される基を表す。
Figure 2015196781
(式(X−1)〜式(X−3)中、*はAとの結合手を表す。)
1は、単結合又は炭素数1〜24の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。] The monomer (I1) may have a plurality of groups represented by the formula (I1). When the monomer (I1) has a plurality of groups represented by the formula (I1), the plurality of groups represented by the formula (I1) may be different from each other.
The monomer (I1) is preferably a monomer having at least one group selected from the group consisting of a vinyl group, an acryloyl group and a methacryloyl group, and a group represented by the formula (I1). It is more preferable that it is a compound represented by these.
Figure 2015196781
[In the formula (I),
R 1 and W represent the same meaning as described above.
R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group.
X 1 represents a group represented by any one of formulas (X 1 -1) to (X 1 -3).
Figure 2015196781
(In formula (X 1 -1) to formula (X 1 -3), * represents a bond with A 1. )
A 1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. ]

1で表される2価の飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基及びヘプタデカン−1,17−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、ペンタン−2,4−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group represented by A 1 include alkanediyl groups, monocyclic or polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon groups, and two or more of these groups. May be combined.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1,6-diyl group, heptane-1 , 7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group, dodecane-1,12-diyl group , Tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group and heptadecane-1,17-diyl group Alkanediyl group;
Ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-1,2-diyl group, propane-2,2-diyl group, pentane-2,4-diyl group, 2-methylpropane- Branched alkanediyl groups such as 1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

1で表される2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、式(a−g1)で表される基などが挙げられる。

Figure 2015196781
(式(a−g1)中、
sは0〜2の整数を表す。
10は、炭素数1〜5の脂肪族炭化水素基を表す。
11は、単結合又は炭素数1〜5の脂肪族炭化水素基を表す。
sが2のとき、複数存在するA10は、互いに同一であるか相異なる。
10は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
sが2のとき、複数存在するX10は、互いに同一であるか相異なる。) Examples of the group in which the methylene group contained in the divalent saturated hydrocarbon group represented by A 1 is replaced by an oxygen atom or a carbonyl group include a group represented by the formula (a-g1).
Figure 2015196781
(In the formula (a-g1),
s represents the integer of 0-2.
A 10 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms.
A 11 represents a single bond or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms.
When s is 2, a plurality of A 10 are the same or different from each other.
X 10 represents an oxygen atom, a carbonyl group, a carbonyloxy group or an oxycarbonyl group.
When s is 2, a plurality of X 10 are the same or different from each other. )

式(a−g1)において、A10及びA11で表される脂肪族炭化水素基は2価の脂肪族炭化水素基であり、アルカンジイル基が好ましい。アルカンジイル基は、直鎖状であっても、分岐していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、1,2−プロパンジイル基、1,3−プロパンジイル基、1,4−ブタンジイル基、1,5−ペンタンジイル基及び1,3−ペンタンジイル基等が挙げられ、好ましくはメチレン基及びエチレン基である。 In the formula (a-g1), the aliphatic hydrocarbon group represented by A 10 and A 11 is a divalent aliphatic hydrocarbon group, and an alkanediyl group is preferable. The alkanediyl group may be linear or branched, for example, methylene group, ethylene group, 1,2-propanediyl group, 1,3-propanediyl group, 1,4-butanediyl group. 1,5-pentanediyl group, 1,3-pentanediyl group and the like, preferably methylene group and ethylene group.

また、式(a−g1)で表される基(以下「基(a−g1)」という場合がある)の具体例を以下に示す。各具体例において、*は結合手を表す。sが1又は2であって、酸素原子を有する基(a−g1)としては、

Figure 2015196781
等が挙げられる。 Specific examples of the group represented by the formula (a-g1) (hereinafter sometimes referred to as “group (a-g1)”) are shown below. In each specific example, * represents a bond. As the group (a-g1) in which s is 1 or 2 and has an oxygen atom,
Figure 2015196781
Etc.

カルボニル基を有する基(a−g1)としては、

Figure 2015196781
等が挙げられる。 As the group (a-g1) having a carbonyl group,
Figure 2015196781
Etc.

カルボニルオキシ基を有する基(a−g1)としては、

Figure 2015196781
等が挙げられる。 As the group (a-g1) having a carbonyloxy group,
Figure 2015196781
Etc.

オキシカルボニル基を有する基(a−g1)としては、

Figure 2015196781
等が挙げられる。 As the group having an oxycarbonyl group (a-g1),
Figure 2015196781
Etc.

は、単結合又は基(a−g1)であることが好まし、単結合であることがより好ましい。 A 1 is preferably a single bond or a group (a-g1), and more preferably a single bond.

式(I)で表される化合物としては、下記のもの等が例示される。   Examples of the compound represented by the formula (I) include the following.

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781

<モノマー(I1)の製造方法>
モノマー(I1)の製造方法について説明する。
式(I1)で表される基を有する化合物は、式(I―a)で表される基を有する化合物と式(I―b)で表される化合物とを、塩基触媒下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

Figure 2015196781
(式中、R及びWは、上記と同じ意味を表す。)
塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
溶媒としては、ジメチルエーテル等が挙げられる。 <Method for Producing Monomer (I1)>
A method for producing the monomer (I1) will be described.
The compound having a group represented by the formula (I1) is obtained by combining a compound having a group represented by the formula (Ia) and a compound represented by the formula (Ib) in a solvent under a base catalyst. It can be produced by reacting.
Figure 2015196781
(Wherein R 1 and W represent the same meaning as described above.)
Examples of the base catalyst include pyridine.
Examples of the solvent include dimethyl ether.

式(I−a)で表される化合物は、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場より容易に入手することができる。

Figure 2015196781
式(I−b)で表される化合物としては、下記式で表される塩等が挙げられ、市場より容易に入手することができる。
Figure 2015196781
Examples of the compound represented by the formula (Ia) include compounds represented by the following formula, and can be easily obtained from the market.
Figure 2015196781
Examples of the compound represented by the formula (Ib) include salts represented by the following formula, and can be easily obtained from the market.
Figure 2015196781

〈樹脂(A)〉
本発明は、式(I1)で表される基を有する重合性モノマーに由来する構造単位(以下「構造単位(I1)」という場合がある)を有する樹脂(以下、場合により「樹脂(A)」という。)である。
<Resin (A)>
The present invention relates to a resin having a structural unit derived from a polymerizable monomer having a group represented by the formula (I1) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I1)”) (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”. ").

樹脂(A)に含まれる構造単位(I1)の含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常1〜100モル%、好ましくは1〜50モル%、より好ましくは1〜30モル%、さらに好ましくは2〜20モル%、特に好ましくは3〜10モル%である。
本発明の樹脂(A)は、構造単位(I1)以外に、酸不安定基を有する構造単位(以下「構造単位(a1)」という場合がある)を含む。また、樹脂(A)は酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(s)」という場合がある)を含んでいてもよい。
ここでいう酸不安定基は、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、構造単位が親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)に変換される基を意味する。
樹脂(A)は、酸不安定基を有する構造単位(以下「構造単位(a1)」という場合がある)を有する。樹脂(A)は、さらに、構造単位(a1)以外の構造単位を含んでいることが好ましい。構造単位(a1)以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(s)」という場合がある)が挙げられる。
The content of the structural unit (I1) contained in the resin (A) is usually 1 to 100 mol%, preferably 1 to 50 mol%, more preferably 1 to 30 mol based on all structural units of the resin (A). It is mol%, More preferably, it is 2-20 mol%, Most preferably, it is 3-10 mol%.
The resin (A) of the present invention contains a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1)”) in addition to the structural unit (I1). The resin (A) may contain a structural unit having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (s)”).
The acid labile group as used herein refers to a group having a leaving group, which is removed by contact with an acid and the structural unit is converted into a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). means.
The resin (A) has a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1)”). The resin (A) preferably further contains a structural unit other than the structural unit (a1). Examples of the structural unit other than the structural unit (a1) include a structural unit having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (s)”).

<構造単位(a1)>
構造単位(a1)は、酸不安定基を有するモノマー(以下「モノマー(a1)」という場合がある)から導かれる。
「酸不安定基」は、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、構成単位が親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を有する構成単位に変換する基を意味する。樹脂(A)においては、式(1)で表される基及び/又は式(2)で表される基が好ましい。

Figure 2015196781
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。
naは、0又は1を表す。
*は結合手を表す。]
Figure 2015196781
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−S−で置き換わってもよい。
Xは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
*は結合手を表す。] <Structural unit (a1)>
The structural unit (a1) is derived from a monomer having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1)”).
The “acid labile group” has a leaving group, and the leaving group is eliminated by contact with an acid, and the structural unit is converted into a structural unit having a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). Means a group. In the resin (A), a group represented by the formula (1) and / or a group represented by the formula (2) is preferable.
Figure 2015196781
[In Formula (1), R <a1 > -R < a3 > respectively independently represents a C1-C8 alkyl group, a C3-C20 alicyclic hydrocarbon group, or the group which combined these, R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.
na represents 0 or 1.
* Represents a bond. ]
Figure 2015196781
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-.
X represents an oxygen atom or a sulfur atom.
* Represents a bond. ]

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等が挙げられる。
a1〜Ra3の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。

Figure 2015196781
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせた基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。
naは、好ましくは0である。 Examples of the alkyl group represented by R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, an n-heptyl group, and an n-octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group for R a1 to R a3 may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and the following group (* represents a bond). The alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.
Figure 2015196781
Examples of the group in which an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group are combined include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a methylnorbornyl group, a cyclohexylmethyl group, an adamantylmethyl group, and a norbornylethyl group. It is done.
na is preferably 0.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。*は−O−との結合手を表す。

Figure 2015196781
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. * Represents a bond with -O-.
Figure 2015196781

式(1)で表される基としては、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中においてRa1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)等が挙げられる。 Examples of the group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (a group in which R a1 to R a3 are alkyl groups in the formula (1), preferably a tert-butoxycarbonyl group), 2- An alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom to which they are bonded form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane- 1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1'〜Ra3'の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
a2'及びRa3'が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、Ra1'〜Ra3'の炭化水素基から水素原子を1個取り去った基が挙げられる。
a1'及びRa2'のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
Examples of the hydrocarbon group of R a1 ′ to R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group formed by combining these.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include groups in which one hydrogen atom has been removed from the hydrocarbon groups of R a1 ′ to R a3 ′ .
At least one of R a1 ′ and R a2 ′ is preferably a hydrogen atom.

式(2)で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。

Figure 2015196781
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.

Figure 2015196781

モノマー(a1)は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー(a1)に由来する構造単位を有する樹脂(A)をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If the resin (A) having a structural unit derived from the monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used in the resist composition, the resolution of the resist pattern can be improved.

式(1)で表される基を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは、式(a1−0)で表される構造単位、式(a1−1)で表される構造単位又は式(a1−2)で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−0)で表される構造単位、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−0)、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−0)を誘導するモノマー、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−0)、モノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having a group represented by the formula (1), a structural unit represented by the formula (a1-0) is preferably represented by the formula (a1-1). The structural unit represented by a structural unit or a formula (a1-2) is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by formula (a1-0), the structural unit represented by formula (a1-1), and the structural unit represented by formula (a1-2) are each represented by structural unit (a1). -0), structural unit (a1-1) and structural unit (a1-2), a monomer for deriving structural unit (a1-0), a monomer for deriving structural unit (a1-1), and a structural unit (a1- The monomer that induces 2) may be referred to as monomer (a1-0), monomer (a1-1), and monomer (a1-2), respectively.

Figure 2015196781
[式(a1−0)中、
a01は、酸素原子又は−O−(CH2k01−CO−O−を表し、k01は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基との結合手を表す。
a01は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a02、Ra03及びRa04は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表す。]
Figure 2015196781
[In the formula (a1-0),
L a01 represents an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k01 —CO—O—, k01 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to a carbonyl group.
R a01 independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a02 , R a03 and R a04 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or a group obtained by combining these. ]

Figure 2015196781
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせることにより形成される基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
Figure 2015196781
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or a group formed by combining these.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a02は、好ましくは、酸素原子又は−O−(CH2k01−CO−O−であり、より好ましくは酸素原子である。k01は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a02、Ra03及びRa04のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合わせた基としては、式(1)のRa1〜Ra3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
a02、Ra03及びRa04のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a02、Ra03及びRa04の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた合計炭素数が、18以下であることが好ましい。このような基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
a02及びRa03は、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
a04は、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数5〜12の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
L a02 is preferably an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k01 —CO—O—, and more preferably an oxygen atom. k01 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
Examples of the alkyl group of R a02 , R a03, and R a04 , the alicyclic hydrocarbon group, and the group obtained by combining these include the same groups as those described for R a1 to R a3 in formula (1).
The alkyl group for R a02 , R a03 and R a04 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group represented by R a02 , R a03 and R a04 preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
The group combining the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group preferably has a total carbon number of 18 or less, combining the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group. Examples of such a group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.
R a02 and R a03 are preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.
R a04 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 12 carbon atoms, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, or an adamantyl group.

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1’−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1’は、1〜4の整数であり、好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基等が挙げられる。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
a6及びRa7のアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせることにより形成された基としては、アラルキル基が挙げられ、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
a6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 ′ —CO—O—, more preferably —O—. k1 ′ is an integer of 1 to 4, preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group for R a6 and R a7 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, Examples include n-heptyl group, 2-ethylhexyl group, n-octyl group and the like.
The alicyclic hydrocarbon group for R a6 and R a7 may be either monocyclic or polycyclic, and the monocyclic alicyclic hydrocarbon group includes a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cycloheptyl group, and a cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, and norbornyl. Group, methylnorbornyl group, isobornyl group and the like.
Examples of the group formed by combining the alkyl group of R a6 and R a7 and the alicyclic hydrocarbon group include an aralkyl group, and examples thereof include a benzyl group and a phenethyl group.
The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group of R a6 and R a7 preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー(a1−0)としては、式(a1−0−1)〜式(a1−1−12)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a1−0−1)〜式(a1−1−10)のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2015196781
As the monomer (a1-0), a monomer represented by any one of the formulas (a1-0-1) to (a1-1-12) is preferable, and the formula (a1-0-1) to the formula (a1- The monomer represented by any one of 1-10) is more preferable.
Figure 2015196781

上記の構造単位において、Ra01に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(a1−0)の具体例として挙げることができる。 In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R a01 is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (a1-0).

モノマー(a1−1)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2015196781
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned. Among these, a monomer represented by any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) is preferable, and any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) is preferable. The monomer represented by is more preferable.
Figure 2015196781

モノマー(a1−2)としては、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロオクタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)、式(a1−2−4)、式(a1−2−9)又は式(a1−2−10)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)又は式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 2015196781
As the monomer (a1-2), 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-methylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclooctane-1-yl (meth) acrylate, 1-isopropylcyclopentan-1-yl (Meth) acrylate, 1-isopropylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, etc. are mentioned. A monomer represented by any one of the formulas (a1-2-1) to (a1-2-12) is preferable, and the formula (a1-2-3), the formula (a1-2-4), the formula (a1- The monomer represented by 2-9) or formula (a1-2-10) is more preferred, and the monomer represented by formula (a1-2-3) or formula (a1-2-9) is more preferred.
Figure 2015196781

樹脂(A)が構造単位(a1−0)及び/又は構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When the resin (A) includes the structural unit (a1-0) and / or the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), the total content thereof is the total structure of the resin (A). It is 10-95 mol% normally with respect to a unit, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

さらに、基(1)を有する構造単位(a1)としては、式(a1−3)で表される構造単位も挙げられる。式(a1−3)で表される構造単位を、構造単位(a1−3)という場合がある。また、構造単位(a1−3)を誘導するモノマーを、モノマー(a1−3)という場合がある。

Figure 2015196781
式(a1−3)中、
a9は、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1〜3の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、水素原子又は−COORa13を表す。
a13は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基、又はこれらを組み合わせることにより形成される基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−−又は−CO−に置き換わっていてもよい。
a10、Ra11及びRa12は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせることにより形成される基を表すか、Ra10及びRa11は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。 Furthermore, examples of the structural unit (a1) having the group (1) include a structural unit represented by the formula (a1-3). The structural unit represented by the formula (a1-3) may be referred to as a structural unit (a1-3). Moreover, the monomer which derives the structural unit (a1-3) may be referred to as a monomer (a1-3).
Figure 2015196781
In formula (a1-3),
R a9 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms which may have a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, a hydrogen atom, or —COOR a13 .
R a13 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a group formed by a combination thereof, the aliphatic hydrocarbon group and the The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, and —CH 2 — contained in the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group is —O——. Alternatively, it may be replaced by -CO-.
R a10 , R a11 and R a12 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a group formed by combining these, R a10 and R a11 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded.

ここで、−COORa13は、例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。 Here, -COOR a13 includes, for example, a group in which a carbonyl group is bonded to an alkoxy group such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group.

a9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2−ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
a13の炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
a13の炭素数3〜20の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1−アダマンチル−1−メチルエチル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基及び2−オキソ−オキソラン−4−イル基等が挙げられる。
a10〜Ra12のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基等が挙げられる。
a10〜Ra12の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
a10及びRa11が互いに結合して、それらが結合している炭素原子とともに2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra10)(Ra11)(Ra12)としては、下記の基が好ましい。

Figure 2015196781
Examples of the aliphatic hydrocarbon group which may have a hydroxy group of R a9 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hydroxymethyl group and a 2-hydroxyethyl group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms represented by R a13 include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R a13 include a cyclopentyl group, a cyclopropyl group, an adamantyl group, an adamantylmethyl group, a 1-adamantyl-1-methylethyl group, and 2-oxo-oxolane-3- Yl group and 2-oxo-oxolan-4-yl group.
Examples of the alkyl group represented by R a10 to R a12 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, Examples include n-heptyl group, 2-ethylhexyl group, n-octyl group and the like.
The alicyclic hydrocarbon group for R a10 to R a12 may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and cyclopentyl. And cycloalkyl groups such as a group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cycloheptyl group, and a cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, and norbornyl. Group, methylnorbornyl group, isobornyl group and the like.
-C (R a10 ) (R a11 ) (R a12 ) in the case where R a10 and R a11 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group together with the carbon atom to which they are bonded, Groups are preferred.
Figure 2015196781

モノマー(a1−3)は、具体的には、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−tert−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル及び5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチル等が挙げられる。   Specific examples of the monomer (a1-3) include 5-norbornene-2-carboxylic acid-tert-butyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-cyclohexyl-1-methylethyl, and 5-norbornene-2-carboxylic acid. Acid 1-methylcyclohexyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-methyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-ethyl-2-adamantyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4 -Methylcyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1- (4-hydroxycyclohexyl) -1-methylethyl, 5-norbornene-2-carboxylic acid 1-methyl-1- (4-oxo (Cyclohexyl) ethyl and 1- (1-adamantyl) -1-methyl 5-norbornene-2-carboxylate Chill, and the like.

構造単位(a1−3)を含む樹脂(A)は、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになるため、このような樹脂(A)を含む本発明のレジスト組成物からは、より高解像度でレジストパターンを得ることができる。また、主鎖に剛直なノルボルナン環が導入されるため、得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れる傾向がある。   Since the resin (A) containing the structural unit (a1-3) includes a sterically bulky structural unit, the resist composition of the present invention containing such a resin (A) is more expensive. A resist pattern can be obtained with resolution. Further, since a rigid norbornane ring is introduced into the main chain, the resulting resist pattern tends to be excellent in dry etching resistance.

樹脂(A)が構造単位(a1−3)を含む場合、その含有量は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%が好ましく、15〜90モル%がより好ましく、20〜85モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) contains the structural unit (a1-3), the content thereof is preferably 10 to 95 mol%, more preferably 15 to 90 mol%, based on all the structural units of the resin (A). 20-85 mol% is more preferable.

基(2)で表される基を有する構造単位(a1)としては、式(a1−4)で表される構造単位(以下、「構造単位(a1−4)」という場合がある。)が挙げられる。

Figure 2015196781
[式(a1−4)中、
a32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。
a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
laは0〜4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は互いに同一であっても異なってもよい。
a34及びRa35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra36は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra35及びRa36は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−S−で置き換わってもよい。] As the structural unit (a1) having a group represented by the group (2), a structural unit represented by the formula (a1-4) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1-4)”). Can be mentioned.
Figure 2015196781
[In the formula (a1-4),
R a32 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom.
R a33 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyloxy group, or Represents a methacryloyloxy group.
la represents an integer of 0 to 4. When la is 2 or more, the plurality of R a33 may be the same as or different from each other.
R a34 and R a35 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, R a36 may represent a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, R a35 and R a36 are bonded to each other To form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group may be replaced by —O— or —S—. Good. ]

a32及びRa33のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられる。該アルキル基は、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
a32及びRa33のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
a34及びRa35としては、式(2)のR14及びR15と同様の基が挙げられる。
a36としては、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基又はこれらが組合わせることにより形成される基が挙げられる。
Examples of the alkyl group for R a32 and R a33 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and further preferably a methyl group.
Examples of the halogen atom for R a32 and R a33 include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom.
The R a34 and R a35, include the same groups as R 14 and R 15 of formula (2).
R a36 is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, or a group formed by combining these. Can be mentioned.

式(a1−2)において、Ra32は、水素原子が好ましい。
a33は、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
laは、0又は1が好ましく、0がより好ましい。
a34は、好ましくは、水素原子である。
a35は、好ましくは、炭素数1〜12の炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
a36の炭化水素基は、好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基又はこれらが組合わせることにより形成される基であり、より好ましくは、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数7〜18のアラルキル基である。Ra36におけるアルキル基及び前記脂環式炭化水素基は無置換が好ましい。Ra36における芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基としては炭素数6〜10のアリールオキシ基が好ましい。
In formula (a1-2), R a32 is preferably a hydrogen atom.
R a33 is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methoxy group or an ethoxy group, and further preferably a methoxy group.
la is preferably 0 or 1, more preferably 0.
R a34 is preferably a hydrogen atom.
R a35 is preferably a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group.
The hydrocarbon group for Ra36 is preferably an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, or a combination thereof. And more preferably an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms. The alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group in R a36 are preferably unsubstituted. When the aromatic hydrocarbon group in R a36 has a substituent, the substituent is preferably an aryloxy group having 6 to 10 carbon atoms.

構造単位モノマー(a1−4)を導くモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−4−1)〜式(a1−4−7)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−4−1)〜式(a1−4−5)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2015196781
Examples of the monomer for deriving the structural unit monomer (a1-4) include monomers described in JP2010-204646A. Especially, the monomer respectively represented by Formula (a1-4-1)-Formula (a1-4-7) is preferable, and each is represented by Formula (a1-4-1)-Formula (a1-4-5). Monomers are more preferred.
Figure 2015196781

樹脂(A)が、構造単位(a1−4)を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%が好ましく、15〜90モル%がより好ましく、20〜85モル%がさらに好ましい。   When resin (A) has a structural unit (a1-4), the content rate is preferable with respect to all the structural units of resin (A), and 10-95 mol% is preferable, and 15-90 mol% is more preferable. 20 to 85 mol% is more preferable.

酸不安定基を有する構造単位としては、式(a1−5)で表される構造単位(以下「構造単位(a1−5)」という場合がある)も挙げられる。

Figure 2015196781
式(a1−5)中、
a8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a1は、単結合又は*−(CH2h3−CO−L54−を表し、h3は1〜4の整数を表し、*は、L51との結合手を表す。
51、L52、L53及びL54は、それぞれ独立に、−O−又は−S−を表す。
s1は、1〜3の整数を表す。
s1’は、0〜3の整数を表す。 Examples of the structural unit having an acid labile group include a structural unit represented by the formula (a1-5) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1-5)”).
Figure 2015196781
In formula (a1-5),
R a8 represents a C 1-6 alkyl group optionally having a halogen atom, a hydrogen atom, or a halogen atom.
Z a1 represents a single bond or * — (CH 2 ) h3 —CO—L 54 —, h3 represents an integer of 1 to 4, and * represents a bond to L 51 .
L 51 , L 52 , L 53 and L 54 each independently represent —O— or —S—.
s1 represents an integer of 1 to 3.
s1 ′ represents an integer of 0 to 3.

式(a1−5)においては、Ra8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
51は、酸素原子が好ましい。
52及びL53は、一方が−O−、他方が−S−であることが好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
a1は、単結合又は*−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R a8 is preferably a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
L 51 is preferably an oxygen atom.
One of L 52 and L 53 is preferably —O— and the other is —S—.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z a1 is preferably a single bond or * —CH 2 —CO—O—.

構造単位(a1−5)を導くモノマーとしては、例えば、特開2010−61117号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−5−1)〜式(a1−5−4)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−5−1)又は式(a1−5−2)で表されるモノマーがより好ましい。

Figure 2015196781
As a monomer which introduce | transduces structural unit (a1-5), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-61117 is mentioned, for example. Among these, monomers represented by formulas (a1-5-1) to (a1-5-4) are preferable, and monomers represented by formula (a1-5-1) or formula (a1-5-2) are preferable. Is more preferable.
Figure 2015196781

樹脂(A)が、構造単位(a1−5)を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜50モル%が好ましく、3〜45モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。   When resin (A) has a structural unit (a1-5), the content rate is preferable 1-50 mol% with respect to all the structural units of resin (A), and 3-45 mol% is more preferable. 5 to 40 mol% is more preferable.

樹脂(A)中の酸不安定基を有する構造単位(a)としては、構造単位(a1−0)、構造単位(a1−1)、構造単位(a1−2)及び構造単位(a1−5)からなる群から選ばれる少なくとも一種以上が好ましく、少なくとも二種以上がより好ましく、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)の組み合わせ、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−5)の組み合わせ、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−0)の組み合わせ、構造単位(a1−2)及び構造単位(a1−0)の組み合わせ、構造単位(a1−5)及び構造単位(a1−0)の組み合わせ、構造単位(a1−0)、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)の組み合わせ、構造単位(a1−0)、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−5)の組み合わせがさらに好ましく、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)の組み合わせ、構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−5)の組み合わせがさらにより好ましい。 The structural unit (a) having an acid labile group in the resin (A) includes the structural unit (a1-0), the structural unit (a1-1), the structural unit (a1-2), and the structural unit (a1-5). ) Is preferably at least one selected from the group consisting of, and more preferably at least two, a combination of structural unit (a1-1) and structural unit (a1-2), structural unit (a1-1) and structural unit ( a1-5), a structural unit (a1-1) and a structural unit (a1-0), a structural unit (a1-2) and a structural unit (a1-0), and a structural unit (a1-5) And a combination of the structural unit (a1-0), a structural unit (a1-0), a combination of the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), a structural unit (a1-0), and a structural unit (a1- 1) and structural unit (a1-5) More preferably a combination, the combination of the structural units (a1-1) and the structural unit (a1-2), more preferably a combination of structural units (a1-1) and the structural unit (a1-5).

〈酸不安定基を有さない構造単位〉
構造単位(s)は、酸不安定基を有さないモノマー(以下「モノマー(s)」という場合がある)から導かれる。構造単位(s)を導くモノマー(以下「モノマー(s)」という場合がある)は、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位(s)としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(a2)」という場合がある)及び/又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(a3)」という場合がある)を有する樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
<Structural unit without acid labile group>
The structural unit (s) is derived from a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer (s)”). As the monomer for deriving the structural unit (s) (hereinafter sometimes referred to as “monomer (s)”), a monomer having no acid labile group known in the resist field can be used.
As the structural unit (s), a structural unit having a hydroxy group or a lactone ring and having no acid labile group is preferable. A structure having a hydroxy group and having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2)”) and / or a lactone ring and having no acid labile group If a resin having a unit (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a3)”) is used in the resist composition of the present invention, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

〈構造単位(a2)〉
構造単位(a2)が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてKrFエキシマレーザ(248nm)、電子線又はEUV(超紫外光)等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位(a2)として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を用いることが好ましい。また、ArFエキシマレーザ(193nm)等を用いる場合には、構造単位(a2)として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)が好ましく、構造単位(a2−1)を用いることがより好ましい。構造単位(a2)としては、1種を単独で含んでいてもよく、2種以上を含んでいてもよい。
<Structural unit (a2)>
The hydroxy group contained in the structural unit (a2) may be an alcoholic hydroxy group or a phenolic hydroxy group.
When a resist pattern is produced from the resist composition of the present invention, when a high energy beam such as a KrF excimer laser (248 nm), an electron beam or EUV (ultra-ultraviolet light) is used as an exposure light source, the structural unit (a2) It is preferable to use the structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group. When an ArF excimer laser (193 nm) or the like is used, the structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group is preferable as the structural unit (a2), and the structural unit (a2-1) is more preferable. As a structural unit (a2), 1 type may be included independently and 2 or more types may be included.

フェノール性ヒドロキシ基有する構造単位(a2)としては、以下に表される構造単位が挙げられる。

Figure 2015196781
中でも、式(a2−0−1)又は式(a2−0−2)で表されるものがより好ましい。
構造単位(a2−0)を誘導するモノマーとしては、例えば、特開2010−204634号公報に記載されているモノマーが挙げられる。 Examples of the structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group include the structural units represented below.
Figure 2015196781
Especially, what is represented by a formula (a2-0-1) or a formula (a2-0-2) is more preferable.
Examples of the monomer that derives the structural unit (a2-0) include monomers described in JP 2010-204634 A.

フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を含む樹脂(A)は、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を誘導するモノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーを用いて重合反応を行い、その後脱保護処理することにより製造できる。ただし、脱保護処理を行う際には、構造単位(a1)が有する酸不安定基を著しく損なわないようにして行う必要がある。このような保護基としては、アセチル基等が挙げられる。   The resin (A) containing the structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group is obtained by using a monomer in which the phenolic hydroxy group of the monomer for deriving the structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group is protected with a protective group. It can be produced by conducting a polymerization reaction and then deprotecting. However, when the deprotection treatment is performed, the acid labile group of the structural unit (a1) needs to be not significantly impaired. Examples of such protecting groups include acetyl groups.

樹脂(A)が、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、5〜95モル%が好ましく、10〜80モル%がより好ましく、15〜80モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group, the content is preferably from 5 to 95 mol%, more preferably from 10 to 80 mol, based on all structural units of the resin (A). % Is more preferable, and 15 to 80 mol% is more preferable.

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)としては、以下の構造単位が挙げられる。

Figure 2015196781

式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)のいずれかで表される構造単位が好ましく、式式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表される構造単位がより好ましい。
アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を誘導するモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。 Examples of the structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group include the following structural units.
Figure 2015196781

A structural unit represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4) is preferable, and is represented by formula (a2-1-1) or formula (a2-1-3). The structural unit is more preferable.
Examples of the monomer for deriving the structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group include monomers described in JP2010-204646A.

樹脂(A)がアルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を含む場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常1〜45モル%であり、好ましくは1〜40モル%であり、より好ましくは1〜35モル%であり、さらに好ましくは2〜20モル%である。   When the resin (A) contains a structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group, the content is usually 1 to 45 mol%, preferably 1 to 45 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). It is 40 mol%, More preferably, it is 1-35 mol%, More preferably, it is 2-20 mol%.

〈構造単位(a3)〉
構造単位(a3)が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。構造単位(a3)は1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。構造単位(a3)としては、以下の構造単位が挙げられる。
<Structural unit (a3)>
The lactone ring of the structural unit (a3) may be a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, or a condensed ring of a monocyclic lactone ring and another ring. But you can. Preferably, a γ-butyrolactone ring or a bridged ring containing a γ-butyrolactone ring structure is used. The structural unit (a3) may contain one kind alone or two or more kinds. Examples of the structural unit (a3) include the following structural units.


Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781

構造単位(a3)を導くモノマーとしては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマー、特開2000−122294号公報に記載されたモノマー、特開2012−41274号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位(a3)としては、式(a3−1−1)〜式(a3−1−6)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)、式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)及び式(a3−4−1)〜式(a3−4−6)のいずれかで表される構造単位が好ましく、式(a3−1−1)、式(a3−1−2)及び式(a3−2−3)〜式(a3−2−4)のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表される構造単位がさらに好ましい。   As monomers for deriving the structural unit (a3), monomers described in JP 2010-204646 A, monomers described in JP 2000-122294 A, monomers described in JP 2012-41274 A are listed. Can be mentioned. As the structural unit (a3), the formula (a3-1-1) to the formula (a3-1-6), the formula (a3-2-1) to the formula (a3-2-4), and the formula (a3-3) 1) to a structural unit represented by any one of the formula (a3-3-4) and the formula (a3-4-1) to the formula (a3-4-6), the formula (a3-1-1), The structural unit represented by any one of the formula (a3-1-2) and the formula (a3-2-3) to the formula (a3-2-4) is more preferable, and the formula (a3-1-1) or the formula ( The structural unit represented by a3-2-3) is more preferable.

樹脂(A)が構造単位(a3)を含む場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。   When the resin (A) includes the structural unit (a3), the content is usually 5 to 70 mol%, preferably 10 to 65 mol%, based on all the structural units of the resin (A). More preferably, it is 10-60 mol%.

<その他の構造単位(t)>
構造単位(t)としては、構造単位(a2)及び構造単位(a3)以外にハロゲン原子を有する構造単位(以下、場合により「構造単位(a4)」という。)及び非脱離炭化水素基を有する構造単位(s)(以下「構造単位(a5)」という場合がある)などが挙げられる。
<Other structural units (t)>
As the structural unit (t), in addition to the structural unit (a2) and the structural unit (a3), a structural unit having a halogen atom (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a4)”) and a non-leaving hydrocarbon group. And a structural unit (s) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a5)”).

構造単位(a4)におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。構造単位(a4)としては、以下の構造単位が挙げられる。以下に記載の構造単位が挙げられる。

Figure 2015196781

Figure 2015196781
The halogen atom in the structural unit (a4) is preferably a fluorine atom. Examples of the structural unit (a4) include the following structural units. The structural units described below are mentioned.
Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

樹脂(A)が、構造単位(a4)を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜20モル%が好ましく、2〜15モル%がより好ましく、3〜10モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit (a4), the content is preferably 1 to 20 mol%, more preferably 2 to 15 mol%, based on all structural units of the resin (A). More preferably, it is 10 mol%.

<構造単位(a5)>
構造単位(a5)が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基が挙げられる。なかでも、構造単位(a5)は、脂環式炭化水素基であることが好ましい。構造単位(a5)としては、以下の構造単位が挙げられる。

Figure 2015196781

Figure 2015196781
<Structural unit (a5)>
Examples of the non-leaving hydrocarbon group that the structural unit (a5) has include a linear, branched, or cyclic hydrocarbon group. Especially, it is preferable that a structural unit (a5) is an alicyclic hydrocarbon group. Examples of the structural unit (a5) include the following structural units.

Figure 2015196781

Figure 2015196781

上記の構造単位において、メチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(a5)の具体例として挙げることができる。   In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (a5).

樹脂(A)は、上述の構造単位以外の構造単位を有していてもよく、かかる構造単位としては、当技術分野で周知の構造単位を挙げられる。   The resin (A) may have a structural unit other than the above-described structural unit, and examples of the structural unit include structural units well known in the art.

樹脂(A)は、好ましくは、構造単位(I1)、構造単位(a1)と構造単位(s)とからなる樹脂、すなわち、モノマー(I1)、モノマー(a1)とモノマー(s)との共重合体である。
構造単位(a1)は、好ましくは構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)(好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位)の少なくとも一種、より好ましくは構造単位(a1−1)である。
構造単位(s)は、好ましくは構造単位(a2)及び構造単位(a3)の少なくとも一種である。構造単位(a2)は、好ましくは式(a2−1)で表される構造単位である。構造単位(a3)は、好ましくは式(a3−1)で表される構造単位及び式(a3−2)で表される構造単位の少なくとも一種である。
The resin (A) is preferably a resin comprising the structural unit (I1), the structural unit (a1) and the structural unit (s), that is, the monomer (I1), the monomer (a1) and the monomer (s). It is a polymer.
The structural unit (a1) is preferably at least one of the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) (preferably the structural unit having a cyclohexyl group or a cyclopentyl group), more preferably the structural unit (a1- 1).
The structural unit (s) is preferably at least one of the structural unit (a2) and the structural unit (a3). The structural unit (a2) is preferably a structural unit represented by the formula (a2-1). The structural unit (a3) is preferably at least one of a structural unit represented by the formula (a3-1) and a structural unit represented by the formula (a3-2).

樹脂(A)は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に、構造単位(a1−1))を、構造単位(a1)の含有量に対して15モル%以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有量が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。   The resin (A) may contain a structural unit derived from a monomer having an adamantyl group (particularly the structural unit (a1-1)) in an amount of 15 mol% or more based on the content of the structural unit (a1). preferable. When the content of the structural unit having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。樹脂(A)が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,000以上(より好ましくは2,500以上、さらに好ましくは3,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
Each structural unit constituting the resin (A) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do. The content rate of each structural unit which resin (A) has can be adjusted with the usage-amount of the monomer used for superposition | polymerization.
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,000 or more (more preferably 2,500 or more, more preferably 3,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, further preferably 15,000 or less).

<樹脂(A)以外の樹脂>
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)以外の樹脂を含んでもよい。このような樹脂としては、例えば、酸不安定基を有する樹脂、構造単位(s)のみからなる樹脂が挙げられる。
<Resin other than resin (A)>
The resist composition of the present invention may contain a resin other than the resin (A). Examples of such a resin include a resin having an acid labile group and a resin consisting only of the structural unit (s).

樹脂(A)以外の樹脂としては、構造単位(a4)を含む樹脂(ただし、構造単位(a1)を含まない。;以下「樹脂(X)」という場合がある。)が好ましい。樹脂(X)において、構造単位(a4)の含有率は、樹脂(X)の全構造単位に対して、80モル%以上が好ましく、85モル%以上がより好ましく、90モル%以上がさらに好ましい。
樹脂(X)がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位(a2)、構造単位(a3)及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。
樹脂(X)の重量平均分子量は、好ましくは、8,000以上(より好ましくは10,000以上)、80,000以下(より好ましくは60,000以下)である。かかる樹脂(X)の重量平均分子量の測定手段は、樹脂(A)の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂(X)を含む場合、その含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1〜60質量部であり、より好ましくは3〜50質量部であり、さらに好ましくは5〜40質量部であり、特に好ましくは7〜30質量部である。
As the resin other than the resin (A), a resin containing the structural unit (a4) (however, the structural unit (a1) is not included; hereinafter may be referred to as “resin (X)”) is preferable. In the resin (X), the content of the structural unit (a4) is preferably 80 mol% or more, more preferably 85 mol% or more, and still more preferably 90 mol% or more with respect to all the structural units of the resin (X). .
Examples of the structural unit that the resin (X) may further include a structural unit derived from the structural unit (a2), the structural unit (a3), and other known monomers.
The weight average molecular weight of the resin (X) is preferably 8,000 or more (more preferably 10,000 or more) and 80,000 or less (more preferably 60,000 or less). The means for measuring the weight average molecular weight of the resin (X) is the same as that for the resin (A).
When the resist composition contains the resin (X), the content thereof is preferably 1 to 60 parts by mass, more preferably 3 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Preferably it is 5-40 mass parts, Most preferably, it is 7-30 mass parts.

樹脂(A)と樹脂(A)以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、80質量%以上99質量%以下が好ましい。本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤(E)を除いた成分の合計を意味する。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。   As for the total content rate of resin other than resin (A) and resin (A), 80 to 99 mass% is preferable with respect to solid content of a resist composition. In the present specification, the “solid content of the resist composition” means the total of components excluding the solvent (E) described later from the total amount of the resist composition. The solid content of the resist composition and the resin content relative thereto can be measured by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、上述した樹脂(A)及び酸発生剤を含有する。さらに、塩基性化合物(C)又は溶剤(E)を含有することが好ましく、塩基性化合物(C)及び溶剤(E)の両方を含有することがより好ましい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention contains the above-described resin (A) and an acid generator. Furthermore, it is preferable to contain a basic compound (C) or a solvent (E), and it is more preferable to contain both a basic compound (C) and a solvent (E).

<酸発生剤>
酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物の酸発生剤(B)においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
<Acid generator>
The acid generator is classified into a nonionic type and an ionic type, and any of the acid generators (B) of the resist composition of the present invention may be used. Nonionic acid generators include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonates), sulfones (e.g. disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. The ionic acid generator is typically an onium salt containing an onium cation (for example, diazonium salt, phosphonium salt, sulfonium salt, iodonium salt). Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

酸発生剤(B)としては、特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。   As the acid generator (B), JP-A-63-26653, JP-A-55-164824, JP-A-62-69263, JP-A-63-146038, JP-A-63-163452, Kaisho 62-153853, JP 63-146029, U.S. Pat. No. 3,779,778, U.S. Pat. No. 3,849,137, German Patent 3914407, European Patent 126,712 The compound which generate | occur | produces an acid by the radiation as described in etc. can be used. Moreover, you may use the compound manufactured by the well-known method.

酸発生剤(B)としては、有機スルホン酸塩等が挙げられ、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表される酸発生剤(以下「酸発生剤(B1)」という場合がある)である。   Examples of the acid generator (B) include organic sulfonates, preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably an acid generator (hereinafter referred to as “acid generator (B1) represented by the formula (B1)”. ) ”.

Figure 2015196781
[式(B1)中、
b1及びQb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Zb+は、有機カチオンを表す。]
Figure 2015196781
[In the formula (B1),
Q b1 and Q b2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group is an oxygen atom or a carbonyl group. It may be replaced.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Zb + represents an organic cation. ]

b1及びQb2のペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
b1及びQb2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group for Q b1 and Q b2 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, a perfluoropentyl group, A perfluorohexyl group etc. are mentioned.
Q b1 and Q b2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

b1で表される2価の飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよく、上述したL1で表される2価の基と同様の基が挙げられる。 Examples of the divalent saturated hydrocarbon group represented by L b1 include alkanediyl groups, monocyclic or polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon groups, and two or more of these groups. A group similar to the divalent group represented by L 1 described above may be used.

酸発生剤(B1)としては、特開2013−68914号公報、特開2013−3155号公報、特開2013−11905号公報記載の酸発生剤等が挙げられる。具体的には、式(B1−1)〜式(B1−24)のいずれかで表される塩が挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)、式(B1−14)、式(B1−20)、式(B1−21)、式(B1−23)及び式(B1−24)のいずれかで表される塩がより好ましい。 Examples of the acid generator (B1) include acid generators described in JP2013-68914A, JP2013-3155A, and JP2013-11905A. Specifically, a salt represented by any one of formulas (B1-1) to (B1-24) can be given. Among them, those containing an arylsulfonium cation are preferable. Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-3), Formula (B1-6), Formula (B1-7), Formula (B1-11) ), Formula (B1-12), Formula (B1-13), Formula (B1-14), Formula (B1-20), Formula (B1-21), Formula (B1-23), and Formula (B1-24) Or a salt represented by any of the above.

Figure 2015196781
Figure 2015196781

Figure 2015196781
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Figure 2015196781
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Figure 2015196781
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Figure 2015196781
Figure 2015196781

<レジスト組成物>
本発明のレジスト組成物は、酸不安定基を有する樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)と酸発生剤とを含有する。
レジスト組成物は、塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)を含有することが好ましく、溶剤(以下「溶剤(D)」という場合がある)を含有することが好ましい。
塩基性化合物(C)は、レジスト組成物において、クエンチャーとして用いることができる。
酸発生剤の含有量は、樹脂(A)に対して、好ましくは1.5質量%以上(より好ましくは3質量%以上)、好ましくは40質量%以下(より好ましくは35質量%以下)である。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention contains a resin having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”) and an acid generator.
The resist composition preferably contains a basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”), and preferably contains a solvent (hereinafter sometimes referred to as “solvent (D)”). .
The basic compound (C) can be used as a quencher in the resist composition.
The content of the acid generator is preferably 1.5% by mass or more (more preferably 3% by mass or more), preferably 40% by mass or less (more preferably 35% by mass or less) with respect to the resin (A). is there.

<樹脂(A)>   <Resin (A)>

〈溶剤(E)〉
溶剤(E)の含有率は、通常、レジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content of the solvent (E) is usually 90% by mass or more in the resist composition, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more, for example, 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass. It is as follows. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤(E)の1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate Esters such as acetone, methyl isobutyl ketone, ketones such as 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; and the like. One kind of the solvent (E) may be contained alone, or two or more kinds may be contained.

〈塩基性化合物(C)〉
塩基性化合物(C)は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸発生剤(B)から発生する酸よりも酸性度の弱い塩が挙げられる。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
<Basic compound (C)>
Examples of the basic compound (C) include salts having weaker acidity than basic nitrogen-containing organic compounds or acids generated from the acid generator (B).
Examples of the basic nitrogen-containing organic compound include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines.

塩基性化合物(C)としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン、2,2’−メチレンビスアニリン、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、ピリジン、4−メチルピリジン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   As the basic compound (C), 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, Diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, Trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexyl Amine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonylamine , Ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2-diphenyl Ethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, 2,2′-methylenebisaniline, imida , 4-methylimidazole, pyridine, 4-methylpyridine, 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene 1,2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4 ′ -Dipyridyl sulfide, 4,4'-dipyridyl disulfide, 2,2'-dipyridylamine, 2,2'-dipycolylamine, bipyridine and the like, preferably diisopropylaniline, particularly preferably 2,6- Diisopropylaniline is mentioned.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

酸発生剤(B)から発生する酸よりも酸性度の弱い塩における酸性度は酸解離定数(pKa)で示される。酸発生剤(B)から発生する酸よりも酸性度の弱い塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常−3<pKaの塩であり、好ましくは−1<pKa<7の塩であり、より好ましくは0<pKa<5の塩である。
酸発生剤(B)から発生ずる酸よりも酸性度の弱い塩としては、下記式で表される塩、式(D)で表される弱酸分子内塩、並びに特開2012−229206号公報、特開2012−6908号公報、特開2012−72109号公報、特開2011−39502号公報及び特開2011−191745号公報記載の塩が挙げられる。好ましくは、式(D)で表される弱酸分内塩である。

Figure 2015196781

Figure 2015196781
The acidity in a salt having a weaker acidity than the acid generated from the acid generator (B) is represented by an acid dissociation constant (pKa). The salt having a lower acidity than the acid generated from the acid generator (B) is a salt in which the acid dissociation constant of the acid generated from the salt is usually -3 <pKa, preferably -1 <pKa <7. A salt, more preferably a salt of 0 <pKa <5.
Examples of the salt having a lower acidity than the acid generated from the acid generator (B) include a salt represented by the following formula, a weak acid inner salt represented by the formula (D), and JP 2012-229206 A: Examples thereof include salts described in JP 2012-6908 A, JP 2012-72109 A, JP 2011-39502 A, and JP 2011-191745 A. Preferably, it is a weak acid salt represented by the formula (D).
Figure 2015196781

Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

〈弱酸分子内塩(D)〉
弱酸分子内塩(D)は式(D)で表される化合物である。

Figure 2015196781
[式(D)中、
D1及びRD2は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の1価の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアシル基、炭素数2〜7のアシルオキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
m’及びn’は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、m’が2以上の場合、複数のRD1は同一又は相異なり、n’が2以上の場合、複数のRD2は同一又は相異なる。] <Weak acid inner salt (D)>
The weak acid inner salt (D) is a compound represented by the formula (D).
Figure 2015196781
[In the formula (D),
R D1 and R D2 are each independently a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 7 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms. Represents an alkoxycarbonyl group having 2 to 7 carbon atoms, a nitro group, or a halogen atom.
m ′ and n ′ each independently represents an integer of 0 to 4, and when m ′ is 2 or more, the plurality of R D1 are the same or different, and when n ′ is 2 or more, the plurality of R D2 are Same or different. ]

式(D)で表される化合物においては、RD1及びRD2の炭化水素基としては、1価の脂肪族炭化水素基、1価の脂環式炭化水素基、1価の芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
1価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。
1価の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基等のシクロアルキル基、ノルボニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
1価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基、4−ヘキシルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、アントリル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
これらを組み合わせることにより形成される基としては、アルキル−シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、アラルキル基(例えば、フェニルメチル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニル−1−プロピル基、1−フェニル−2−プロピル基、2−フェニル−2−プロピル基、3−フェニル−1−プロピル基、4−フェニル−1−ブチル基、5−フェニル−1−ペンチル基、6−フェニル−1−ヘキシル基等)等が挙げられる。
In the compound represented by the formula (D), the hydrocarbon groups of R D1 and R D2 are a monovalent aliphatic hydrocarbon group, a monovalent alicyclic hydrocarbon group, and a monovalent aromatic hydrocarbon. And groups formed by combining these groups.
Examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, and nonyl group.
The monovalent alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and may be either saturated or unsaturated. Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclononyl group, and cyclododecyl group, norbornyl group, adamantyl group, and the like.
Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4- Propylphenyl group, 4-isopropylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 4-hexylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, anthryl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group , Aryl groups such as cumenyl group, mesityl group, biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the group formed by combining these include an alkyl-cycloalkyl group, a cycloalkyl-alkyl group, an aralkyl group (for example, phenylmethyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenyl-1 -Propyl group, 1-phenyl-2-propyl group, 2-phenyl-2-propyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-butyl group, 5-phenyl-1-pentyl group, 6 -Phenyl-1-hexyl group, etc.).

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、シクロヘキサンカルボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、上記アシル基にオキシ基(−O−)が結合した基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、上記アルコキシ基にカルボニル基(−CO−)が結合した基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include a methoxy group and an ethoxy group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propanoyl group, a benzoyl group, and a cyclohexanecarbonyl group.
Examples of the acyloxy group include a group in which an oxy group (—O—) is bonded to the acyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include a group in which a carbonyl group (—CO—) is bonded to the above alkoxy group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom.

式(D)においては、RD1及びRD2は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、炭素数2〜4のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子が好ましい。
m’及びn’は、それぞれ独立に、0〜2の整数が好ましく、0がより好ましい。m’が2以上の場合、複数のRD1は同一又は相異なり、n’が2以上の場合、複数のRD2は同一又は相異なる。
In the formula (D), R D1 and R D2 are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or 2 to 2 carbon atoms. Preferred are an acyl group having 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 4 carbon atoms, a nitro group, or a halogen atom.
m ′ and n ′ are each independently preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0. When m ′ is 2 or more, the plurality of R D1 are the same or different, and when n ′ is 2 or more, the plurality of R D2 are the same or different.

化合物(D)としては、以下の化合物が挙げられる。

Figure 2015196781
Examples of the compound (D) include the following compounds.

Figure 2015196781

Figure 2015196781
Figure 2015196781

化合物(D)は、「Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296」に記載の方法で製造することができる。また、化合物(D)は、市販されている化合物を用いることができる。   Compound (D) can be produced by the method described in “Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296”. Moreover, the compound (D) can use the compound marketed.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%であり、より好ましく0.01〜3質量%である。   The content of the basic compound (C) is preferably 0.01 to 5% by mass and more preferably 0.01 to 3% by mass in the solid content of the resist composition.

〈その他の成分〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある。)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other ingredients>
The resist composition of the present invention may contain components other than the above components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”) as necessary. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)及び本発明の酸発生剤、並びに、必要に応じて用いられる樹脂(A)以外の樹脂、溶剤(D)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤(D)に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A) and an acid generator of the present invention, and a resin other than the resin (A) used as necessary, a solvent (D), a basic compound (C) and other It can be prepared by mixing component (F). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature from 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (D), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。   The resist composition can be applied onto the substrate by a commonly used apparatus such as a spin coater. Examples of the substrate include an inorganic substrate such as a silicon wafer. Before applying the resist composition, the substrate may be washed, or an antireflection film or the like may be formed on the substrate.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、50〜200℃が好ましく、加熱時間は、10〜180秒間が好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), or using a decompression device. The heating temperature is preferably 50 to 200 ° C., and the heating time is preferably 10 to 180 seconds. The pressure during drying under reduced pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) Using various lasers such as those that convert wavelength of laser light from the laser and emit harmonic laser light in the far-ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate electron beams or extreme ultraviolet light (EUV), etc. Can do. In this specification, the irradiation of these radiations may be collectively referred to as “exposure”. At the time of exposure, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. When the exposure light source is an electron beam, exposure may be performed by direct drawing without using a mask.

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)を行う。加熱温度は、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。   The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection reaction in the acid labile group. The heating temperature is usually about 50 to 200 ° C, preferably about 70 to 150 ° C.

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃が好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間が好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。   The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example. A positive resist pattern or a negative resist pattern can be produced by selecting the type of developer as follows.

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン等のケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤;アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention includes a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly an electron. It is suitable as a resist composition for line (EB) exposure or a resist composition for EUV exposure, and is useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部は」、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography. The analysis conditions for gel permeation chromatography are as follows.
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

化合物の構造は、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型)を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「MASS」で示す。   The structure of the compound was confirmed by measuring the molecular peak using mass spectrometry (LC is model 1100 manufactured by Agilent, and MASS is LC / MSD manufactured by Agilent). In the following examples, the value of this molecular peak is indicated by “MASS”.

実施例1:式(I−1)で表される化合物の合成

Figure 2015196781
Example 1: Synthesis of compound represented by formula (I-1)
Figure 2015196781

式(I−1−a)で表される化合物2.50部、式(I−1−b)で表される化合物1.07部及びジメチルエーテル1.75部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、ピリジン0.84部を添加し、23℃で3時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル25部を添加撹拌した後、5%シュウ酸水溶液16部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液4.5部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水7.5部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を4回行った。得られた有機層を濃縮することにより、式(I−1)で表される化合物10.06部を得た。   2.50 parts of the compound represented by the formula (I-1-a), 1.07 part of the compound represented by the formula (I-1-b) and 1.75 parts of dimethyl ether were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. did. Thereafter, 0.84 part of pyridine was added and stirred at 23 ° C. for 3 hours. To the obtained reaction product, 25 parts of ethyl acetate was added and stirred, and then 16 parts of 5% oxalic acid aqueous solution was added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated. To the collected organic layer, 4.5 parts of a 10% aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated. The recovered organic layer was charged with 7.5 parts of ion exchange water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed 4 times. The obtained organic layer was concentrated to obtain 10.06 parts of a compound represented by the formula (I-1).

MASS:263.2 MASS: 263.2

合成例1:式(B1−5)で表される塩の合成

Figure 2015196781
式(B1−5−a)で表される塩50.49部及びクロロホルム252.44部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した後、式(B1−5−b)で表される化合物16.27部を滴下し、23℃で1時間攪拌することにより、式(B1−5−c)で表される塩を含む溶液を得た。得られた式(B1−5−c)で表される塩を含む溶液に、式(B1−5−d)で表される塩48.80部及びイオン交換水84.15部を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水84.15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭3.88部を添加攪拌し、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル125.87部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル20.62部及びtert−ブチルメチルエーテル309.30部を加えて23℃で30分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、n−ヘプタン200部を添加、23℃で30分間攪拌し、ろ過することにより、式(B1−5)で表される塩61.54部を得た。 Synthesis Example 1: Synthesis of salt represented by formula (B1-5)
Figure 2015196781
50.49 parts of the salt represented by the formula (B1-5-a) and 252.44 parts of chloroform are charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then represented by the formula (B1-5-b). 16.27 parts of the compound was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour to obtain a solution containing a salt represented by the formula (B1-5-c). To the obtained solution containing the salt represented by the formula (B1-5-c), 48.80 parts of the salt represented by the formula (B1-5-d) and 84.15 parts of ion-exchanged water are added, The mixture was stirred at 23 ° C. for 12 hours. Since the resulting reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and removed, and 84.15 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. To the obtained chloroform layer, 3.88 parts of activated carbon was added and stirred, followed by filtration. The collected filtrate was concentrated, and 125.87 parts of acetonitrile was added to the resulting residue, and the mixture was stirred and concentrated. To the obtained residue, 20.62 parts of acetonitrile and 309.30 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained residue, 200 parts of n-heptane was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered to obtain 61.54 parts of the salt represented by the formula (B1-5).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 375.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 375.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

合成例2[式(B1−21)で表される塩の合成]

Figure 2015196781
Synthesis Example 2 [Synthesis of salt represented by formula (B1-21)]
Figure 2015196781

特開2008−209917号公報に記載された方法によって得られた式(B1−21−b)で表される化合物30.00部、式(B1−21−a)で表される塩35.50部、クロロホルム100部及びイオン交換水50部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水30部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル100部を加えて23℃で30分間攪拌した後、ろ過することにより、式(B1−21−c)で表される塩48.57部を得た。   30.00 parts of a compound represented by the formula (B1-21-b) obtained by the method described in JP-A-2008-209917, and a salt 35.50 represented by the formula (B1-21-a). Part, 100 parts of chloroform, and 50 parts of ion-exchanged water were stirred at 23 ° C. for 15 hours. Since the obtained reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and 30 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. The chloroform layer was concentrated, 100 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting residue, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered to obtain the salt 48 represented by the formula (B1-21-c). .57 parts were obtained.

Figure 2015196781
式(B1−21−c)で表される塩20.00部、式(B1−21−d)で表される化合物2.84部及びモノクロロベンゼン250部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.21部を添加した後、更に、100℃で1時間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム200部及びイオン交換水50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を5回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、アセトニトリル53.51部に溶解し、濃縮した後、tert−ブチルメチルエーテル113.05部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式(B1−21)で表される塩10.47部を得た。
Figure 2015196781
20.00 parts of a salt represented by the formula (B1-21-c), 2.84 parts of a compound represented by the formula (B1-21-d) and 250 parts of monochlorobenzene were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. . After adding 0.21 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for further 1 hour. After concentrating the obtained reaction solution, 200 parts of chloroform and 50 parts of ion-exchanged water were added to the obtained residue and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out an organic layer. 50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out the organic layer. This washing operation was repeated 5 times. After concentrating the obtained organic layer, the residue obtained was dissolved in 53.51 parts of acetonitrile, concentrated, 113.05 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and then filtered. 10.47 parts of the salt represented by the formula (B1-21) were obtained.

MASS(ESI(+)Spectrum):M 237.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 237.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

合成例3[式(B1−22)で表される塩の合成]

Figure 2015196781
Synthesis Example 3 [Synthesis of Salt Represented by Formula (B1-22)]
Figure 2015196781

式(B1−22−a)で表される塩11.26部、式(B1−22−b)で表される化合物10.00部、クロロホルム50部及びイオン交換水25部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、ろ過することにより、式(B1−22−c)で表される塩11.75部を得た。   11.26 parts of a salt represented by the formula (B1-22-a), 10.00 parts of a compound represented by the formula (B1-22-b), 50 parts of chloroform and 25 parts of ion-exchanged water were charged at 23 ° C. For 15 hours. Since the obtained reaction liquid was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and further 15 parts of ion-exchanged water was added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. The chloroform layer was concentrated, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting residue, the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered to obtain the salt 11 represented by the formula (B1-22-c). .75 parts were obtained.

Figure 2015196781
式(B1−22−c)で表される塩11.71部、式(B1−22−d)で表される化合物1.70部及びモノクロロベンゼン46.84部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.12部を添加した後、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム50部及びイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を8回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式(B1−22)で表される塩6.84部を得た。
Figure 2015196781
11.71 parts of a salt represented by the formula (B1-22-c), 1.70 parts of a compound represented by the formula (B1-22-d) and 46.84 parts of monochlorobenzene were charged, and the mixture was charged at 23 ° C. for 30 minutes. Stir. After adding 0.12 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for 30 minutes further. After concentrating the obtained reaction solution, 50 parts of chloroform and 12.50 parts of ion-exchanged water were added to the obtained residue and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out an organic layer. 12.50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out the organic layer. This washing operation was repeated 8 times. After concentration of the obtained organic layer, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added to the obtained residue, stirred, and then filtered to obtain 6.84 parts of the salt represented by the formula (B1-22). Got.

MASS(ESI(+)Spectrum):M 237.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 323.0
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 237.1
MASS (ESI (-) Spectrum): M - 323.0

樹脂の合成
樹脂(A)の合成に使用した化合物(モノマー)を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー(a1−1−2)」等という。

Figure 2015196781
Synthesis of Resin The compound (monomer) used for the synthesis of the resin (A) is shown below. Hereinafter, these compounds are referred to as “monomer (a1-1-2)” or the like according to the formula number.
Figure 2015196781

実施例2〔樹脂A1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−3)、モノマー(a3−4−2)及びモノマー(I−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−3):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−3):モノマー(a3−4−2):モノマー(I−1)〕が45:14:2.5:35.5:3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×10の樹脂A1(共重合体)を収率58%で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2015196781
Example 2 [Synthesis of Resin A1]
As the monomer, monomer (a1-1-3), monomer (a1-2-9), monomer (a2-1-3), monomer (a3-4-2) and monomer (I-1) were used, The ratio [monomer (a1-1-3): monomer (a1-2-9): monomer (a2-1-3): monomer (a3-4-2): monomer (I-1)] is 45:14: 2.5: 35.5: 3 was mixed, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin A1 (copolymer) having a molecular weight of 7.9 × 10 3 was obtained in a yield of 58%. This resin A1 has the following structural units.
Figure 2015196781

実施例3〔樹脂A2の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(I−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1):モノマー(I−1)〕が、50:22:25:3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.4×103の樹脂A2を収率72%で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。
Example 3 [Synthesis of Resin A2]
As the monomer, monomer (a1-1-2), monomer (a2-1-1), monomer (a3-1-1) and monomer (I-1) were used, and the molar ratio [monomer (a1-1-2) ): Monomer (a2-1-1): monomer (a3-1-1): monomer (I-1)] is mixed so as to be 50: 22: 25: 3. A mass-fold amount of propylene glycol monomethyl ether acetate was added to prepare a solution. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. These were heated at 75 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin A2 having a molecular weight of 8.4 × 10 3 was obtained in a yield of 72%. This resin A2 has the following structural units.

Figure 2015196781
Figure 2015196781

合成例4〔樹脂AX1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−2)、モノマー(a2−1−1)及びモノマー(a3−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−2):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1))〕が、50:25:25となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.1×103の樹脂AX1を収率66%で得た。この樹脂AX1は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 4 [Synthesis of Resin AX1]
As the monomer, monomer (a1-1-2), monomer (a2-1-1) and monomer (a3-1-1) were used, and the molar ratio [monomer (a1-1-2): monomer (a2-1) -1): monomer (a3-1-1))] was mixed at 50:25:25, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added to obtain a solution. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. These were heated at 75 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin AX1 having a molecular weight of 9.1 × 10 3 was obtained in a yield of 66%. This resin AX1 has the following structural units.

Figure 2015196781
Figure 2015196781

合成例5〔樹脂X1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a4−1−7)を用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.7mol%及び2.1mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。
かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×104の樹脂X1を収率77%で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 2015196781
Synthesis Example 5 [Synthesis of Resin X1]
Monomer (a4-1-7) was used as a monomer, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. Azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the solution in an amount of 0.7 mol% and 2.1 mol%, respectively, with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered.
The resin thus obtained was dissolved again in dioxane, and the solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent was precipitated twice, and the resin was filtered twice to perform the reprecipitation operation twice. 8 × 10 4 of resin X1 was obtained with a yield of 77%. This resin X1 has the following structural units.
Figure 2015196781

<レジスト組成物の調製>
表1に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
As shown in Table 1, the following components were mixed, and the resulting mixture was filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 2015196781
Figure 2015196781

<樹脂>
A1〜A2、AX1、X1:樹脂A1〜樹脂A2、樹脂AX1、樹脂X1
<酸発生剤>
B1−X:特開2006−257078号公報の実施例に従って合成

Figure 2015196781
B1−5:式(B1−5)で表される塩
B1−21:式(B1−21)で表される塩
B1−22:式(B1−22)で表される塩 <Resin>
A1-A2, AX1, X1: Resin A1-Resin A2, Resin AX1, Resin X1
<Acid generator>
B1-X: synthesized according to the example of JP-A-2006-257078
Figure 2015196781
B1-5: salt represented by formula (B1-5) B1-21: salt represented by formula (B1-21) B1-22: salt represented by formula (B1-22)

<クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン
D1:

Figure 2015196781
<Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline D1:
Figure 2015196781

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20部
2−ヘプタノン 20部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts Propylene glycol monomethyl ether 20 parts 2-heptanone 20 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<レジスト組成物の液浸露光評価>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥(プリベーク)後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布したシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、レジスト膜を形成した。レジスト膜が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ100nm/ホール径70nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Immersion exposure evaluation of resist composition>
An organic antireflection film having a thickness of 780 mm is formed by applying a composition for organic antireflection film (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) to a silicon wafer and baking it at 205 ° C. for 60 seconds. Formed. Subsequently, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 85 nm. The silicon wafer coated with the resist composition was pre-baked on a direct hot plate at a temperature described in the “PB” column of Table 1 for 60 seconds to form a resist film. ArF excimer stepper for immersion exposure (XT: 1900Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light) on a silicon wafer on which a resist film is formed, and a contact hole pattern (hole pitch 100 nm / Using a mask for forming a hole diameter of 70 nm, exposure was performed while changing the exposure amount stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, the silicon wafer was post-exposure baked on a hot plate at a temperature described in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds. Next, this silicon wafer was subjected to paddle development for 60 seconds with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to obtain a resist pattern.

各レジスト膜において、ホール径70nmのマスクで形成したパターンのホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。   In each resist film, an exposure amount at which the hole diameter of a pattern formed with a mask having a hole diameter of 70 nm was 55 nm was defined as effective sensitivity.

マスクエラーファクター(MEF)評価:実効感度において、ホール径がそれぞれ72nm、71nm、70nm、69nm、68nmのマスクを使用し、パターンをそれぞれ形成した。マスクサイズを横軸に、各マスクパターンを用いて形成したラインパターンの線幅を縦軸にプロットした。直線の傾きが、
2.9以下のものを◎、
2.9を超え3.2以下のものを○、
3.2を超えるものを×、
として判断した。
以上のようにして求められたマスクエラーファクター(MEF)の結果を、上述の水準評価で表し、表2にまとめる。括弧内の数値は上記の直線の傾きを示す。括弧内の数値は直線の傾きを示す。
Mask error factor (MEF) evaluation: In the effective sensitivity, masks with hole diameters of 72 nm, 71 nm, 70 nm, 69 nm, and 68 nm were used, respectively, and patterns were formed. The mask size is plotted on the horizontal axis, and the line width of the line pattern formed using each mask pattern is plotted on the vertical axis. The slope of the straight line
2.9 or less
○ over 2.9 and under 3.2
X over 3.2
Judged as.
The mask error factor (MEF) results obtained as described above are expressed by the above-mentioned level evaluation and are summarized in Table 2. The numbers in parentheses indicate the slope of the straight line. The numbers in parentheses indicate the slope of the straight line.

Figure 2015196781
Figure 2015196781

本発明の重合性モノマーに由来する構造単位を有する樹脂を含むレジスト組成物によれば、良好なマスクエラーファクター(MEF)で、レジストパターンを得ることができる。   According to the resist composition containing a resin having a structural unit derived from the polymerizable monomer of the present invention, a resist pattern can be obtained with a good mask error factor (MEF).

Claims (13)

式(I1)で表される基を有する重合性モノマー。
Figure 2015196781
[式(I1)中、
1は、水素原子又は炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基で置換されていてもよい。]
A polymerizable monomer having a group represented by formula (I1).
Figure 2015196781
[In the formula (I1),
R 1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the methylene group contained in the hydrocarbon group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group, and hydrogen contained in the hydrocarbon group The atom may be substituted with a halogen atom or a hydroxy group.
Ring W represents an alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. Well, the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon ring is a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, The aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms or a combination thereof may be substituted. ]
ビニリデン基と、式(I1)で表される基とを有する請求項1に記載の重合性モノマー。   The polymerizable monomer according to claim 1, comprising a vinylidene group and a group represented by formula (I1). ビニル基、アクリロイル基及びメタアクリロイル基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基と、式(I1)で表される基とを有する請求項1又は2に記載の重合性モノマー。   The polymerizable monomer according to claim 1 or 2, comprising at least one group selected from the group consisting of a vinyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group, and a group represented by the formula (I1). 式(I1)で表される基を有する重合性モノマーが、式(I)で表される化合物である請求項1〜3のいずれかに記載の重合性モノマー。
Figure 2015196781
[式(I)中、
1及びWは、上記と同じ意味を表す。
2は、水素原子又はメチル基を表す。
は、式(X−1)〜式(X−3)のいずれかで表される基を表す。
Figure 2015196781
(式(X−1)〜式(X−3)中、*はAとの結合手を表す。)
1は、単結合又は炭素数1〜24の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]
The polymerizable monomer according to claim 1, wherein the polymerizable monomer having a group represented by the formula (I1) is a compound represented by the formula (I).
Figure 2015196781
[In the formula (I),
R 1 and W represent the same meaning as described above.
R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group.
X 1 represents a group represented by any one of formulas (X 1 -1) to (X 1 -3).
Figure 2015196781
(In formula (X 1 -1) to formula (X 1 -3), * represents a bond with A 1. )
A 1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group. ]
環Wが、式(W−1)で表される環、式(W−2)で表される環又は式(W−3)で表される環である請求項1〜4のいずれかに記載の重合性モノマー。
Figure 2015196781
[式(W−1)、式(W−2)及び式(W−3)中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
The ring W is a ring represented by the formula (W-1), a ring represented by the formula (W-2), or a ring represented by the formula (W-3). The polymerizable monomer as described.
Figure 2015196781
[In Formula (W-1), Formula (W-2) and Formula (W-3),
The methylene group contained in the ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group, and the hydrogen atom contained in the ring is a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or 1 to 1 carbon atom. It may be substituted with a 12 alkoxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. ]
が、式(X−1)で表される基である請求項4又は5に記載の重合性モノマー。 X 1 is a polymerizable monomer according to claim 4 or 5, a group represented by the formula (X 1 -1). が、単結合である請求項4〜6のいずれかに記載の重合性モノマー。 A 1 is a polymerizable monomer according to any one of claims 4 to 6 is a single bond. 請求項1〜7のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。   Resin which has a structural unit derived from the compound in any one of Claims 1-7. 酸不安定基を有するモノマーに由来する構造単位を、さらに有する請求項8記載の樹脂。   The resin according to claim 8, further comprising a structural unit derived from a monomer having an acid labile group. 請求項8又は9に記載の樹脂と酸発生剤とを含有するレジスト組成物。   A resist composition comprising the resin according to claim 8 or 9 and an acid generator. 酸発生剤が、式(B1)で表される酸発生剤である請求項10記載のレジスト組成物。
Figure 2015196781
[式(B1)中、
b1及びQb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Zb+は、有機カチオンを表す。]
The resist composition according to claim 10, wherein the acid generator is an acid generator represented by the formula (B1).
Figure 2015196781
[In the formula (B1),
Q b1 and Q b2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a C1-C17 divalent saturated hydrocarbon group which may have a single bond or a substituent, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group is an oxygen atom or a carbonyl group. It may be replaced.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. The methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a sulfonyl group or a carbonyl group.
Zb + represents an organic cation. ]
酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い塩をさらに含有する請求項10又は11に記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 10 or 11, further comprising a salt having a lower acidity than the acid generated from the acid generator. (1)請求項10〜12のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 10-12 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
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