JP2015177165A - Front opening shipping box and manufacturing method therefor - Google Patents

Front opening shipping box and manufacturing method therefor Download PDF

Info

Publication number
JP2015177165A
JP2015177165A JP2014054826A JP2014054826A JP2015177165A JP 2015177165 A JP2015177165 A JP 2015177165A JP 2014054826 A JP2014054826 A JP 2014054826A JP 2014054826 A JP2014054826 A JP 2014054826A JP 2015177165 A JP2015177165 A JP 2015177165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
front opening
resin
semiconductor wafer
housing
shipping box
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014054826A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
六田 充輝
Mitsuteru Rokuta
充輝 六田
雅一 徳永
Masakazu Tokunaga
雅一 徳永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Evonik Ltd
Original Assignee
Daicel Evonik Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daicel Evonik Ltd filed Critical Daicel Evonik Ltd
Priority to JP2014054826A priority Critical patent/JP2015177165A/en
Publication of JP2015177165A publication Critical patent/JP2015177165A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a front opening shipping box (FOSB) which allows for smooth insertion of a semiconductor wafer.SOLUTION: In a FOSB1 including a housing 2 capable of housing a plurality of semiconductor wafers 5, a lid 4 capable of sealing the semiconductor wafers in the housing, and a guide 3 formed of a plurality of protrusions protruding, at intervals, from the inner wall of the housing, and capable of isolating each semiconductor wafer, and transferring the semiconductor wafer, the housing is formed of polycarbonate resin, and the guide is formed of aromatic polyether ketone resin at least in a part of the contact surface with the semiconductor wafer. The housing and guide may be integrated by welding.

Description

本発明は、シリコンウエハなどの半導体ウエハを搬送するためのフロントオープニングシッピングボックス(FOSB)及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a front opening shipping box (FOSB) for transporting a semiconductor wafer such as a silicon wafer and a method for manufacturing the same.

シリコンに代表される半導体は、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、タブレット型コンピュータなど、現代を象徴する全ての電子製品に利用されているが、まず大きなサイズの半導体ウエハ(シリコンウエハ)として製造され、この半導体ウエハから小さなICチップを切り出して利用される。そのため、半導体ウエハを切り出す工程へ運搬する必要があるが、半導体ウエハは不純物の付着を非常に嫌うため、フロントオープニングシッピングボックス(FOSB)と称されるプラスチック製の密閉容器で運搬されており、このFOSBを構成するプラスチックとしては、強度が高く、かつ高い透明性により内部の状態を視認できる点から、ポリカーボネート樹脂が汎用されている。   Semiconductors represented by silicon are used in all electronic products that symbolize the modern world, such as personal computers, smartphones, and tablet computers. First, they are manufactured as large-sized semiconductor wafers (silicon wafers). A small IC chip is cut out from and used. Therefore, it is necessary to transport the semiconductor wafer to the process of cutting out the semiconductor wafer. However, since the semiconductor wafer is very disliked by the adhesion of impurities, it is transported in a plastic closed container called a front opening shipping box (FOSB). As a plastic constituting FOSB, a polycarbonate resin is widely used because it has high strength and an internal state can be visually recognized due to high transparency.

図1は、フロントオープニングシッピングボックス(FOSB)に半導体ウエハを収容する方法を説明するための概略斜視図である。図1に示すように、フロントオープニングシッピングボックス1の構造は、半導体ウエハ5を収容可能な筐体部(ケース)2と、この筐体部を密閉可能な蓋部4とから構成されているが、前記筐体部2には、間隔をおいて多数の半導体ウエハを収容できるように、その内壁において、前記蓋部2から前記蓋部2と対向する筐体部の底部2aに向かって、間隔をおいて平行に延びる複数の突起部で構成されたガイド部3を備えている。半導体ウエハ5は、隣接するガイド部間に形成された溝に沿って、図1の矢印の方向に挿入され、筐体内に収容される。収容された複数の半導体ウエハは、隣接するガイド部により外縁部(端部)が支持され(図1では1つの半導体ウエハのみ図示)、半導体ウエハ同士が接触することなく、ガイド部により隔離されている。   FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining a method of accommodating a semiconductor wafer in a front opening shipping box (FOSB). As shown in FIG. 1, the structure of the front opening shipping box 1 is composed of a housing part (case) 2 that can accommodate a semiconductor wafer 5 and a lid part 4 that can seal the housing part. The casing 2 is spaced from the lid 2 toward the bottom 2a of the casing facing the lid 2 on the inner wall so that a large number of semiconductor wafers can be accommodated at intervals. And a guide portion 3 composed of a plurality of protrusions extending in parallel with each other. The semiconductor wafer 5 is inserted in the direction of the arrow in FIG. 1 along a groove formed between adjacent guide portions, and is accommodated in the housing. The plurality of accommodated semiconductor wafers are supported at their outer edges (end portions) by adjacent guide portions (only one semiconductor wafer is shown in FIG. 1), and are separated by the guide portions without contacting each other. Yes.

このようなFOSBは、強度や透明性に優れる点から、ポリカーボネートで形成されているが、ポリカーボネートは摺動性が低い。そのため、従来のFOSBは、半導体ウエハを挿入する際に半導体ウエハがガイド部に引っ掛かったり、やや間隔に余裕のあるガイド部では半導体ウエハがガイド部と平行に挿入されず、ガイド部に対して傾斜して挿入され易い。また、前述のように、半導体ウエハは不純物の混入を極めて嫌うために、FOSBへの挿入作業は機械化されており、挿入時における異常の発見は容易ではなかった。さらに、半導体ウエハは大きければ大きいほど効率的にチップを切り出せるため、年々その大きさが大きくなる傾向があり、その大きさと重量の増大は、ガイド部の摺動性についての問題をより深刻化していた。   Such FOSB is formed of polycarbonate because it is excellent in strength and transparency, but polycarbonate has low slidability. For this reason, in the conventional FOSB, when the semiconductor wafer is inserted, the semiconductor wafer is caught on the guide part, or the semiconductor part is not inserted in parallel with the guide part in the guide part having a slight clearance, and is inclined with respect to the guide part. And easy to insert. Further, as described above, since semiconductor wafers are extremely reluctant to mix impurities, the insertion work into FOSB has been mechanized, and it has not been easy to find abnormalities at the time of insertion. Furthermore, since the larger the semiconductor wafer, the more efficiently the chip can be cut out, the size tends to increase year by year, and the increase in size and weight makes the problem of the sliding property of the guide portion more serious. It was.

一方、半導体ウエハの摺動性に影響するのはガイド部であるため、汎用の樹脂ケースであれば、このガイド部を摺動性に優れた異種の樹脂材料で形成し、接着剤を用いた接着や嵌め込み(機械的な嵌合)などで複合化させることにより容易に課題を解決できる。しかし、不純物を嫌う半導体ウエハでは、接着剤に含まれる揮発性溶剤の残留物が深刻な品質問題を引き起こす可能性があり、嵌め込みの場合は機密性を損なったり、ガタつきにより樹脂の磨耗粉が発生し半導体を汚染する可能性があるため、これらの方法を採用することはできなかった。また、接着剤を用いた接着や嵌め込みの他に、インサート成形などによる複合化も考えられるが、ポリカーボネートは、インサート成形などによる異樹脂との複合化についてもあまり好適な材料とは考えられておらず、当業者の間では困難な課題であった。例えば、Nikkei Material & Technology No.144(1994)(非特許文献1)には、二色成形の組み合わせについて、以下の表1に示す関係が開示されている。   On the other hand, since it is the guide part that affects the slidability of the semiconductor wafer, if it is a general-purpose resin case, this guide part is formed of a different kind of resin material having excellent slidability and an adhesive is used. The problem can be easily solved by combining them by bonding or fitting (mechanical fitting). However, in semiconductor wafers that do not like impurities, the residue of volatile solvents contained in the adhesive can cause serious quality problems. These methods could not be employed because they may occur and contaminate the semiconductor. In addition to bonding and fitting using adhesives, compounding by insert molding or the like is also conceivable, but polycarbonate is not considered a very suitable material for compounding with different resins by insert molding or the like. However, it was a difficult problem for those skilled in the art. For example, Nikkei Material & Technology No. 144 (1994) (Non-Patent Document 1) discloses the relationship shown in Table 1 below for combinations of two-color molding.

Figure 2015177165
Figure 2015177165

表1から明らかなように、ポリカーボネート樹脂と接着が良好な樹脂は、いずれも摺動性の低い樹脂であった。   As is apparent from Table 1, the polycarbonate resin and the resin having good adhesion were both resins having low slidability.

なお、特公平6−38413号公報(特許文献1)には、ポリエーテルエーテルケトン樹脂より成形された集積回路チップの製造におけるウエハ処理用容器が開示されている。この文献には、この容器は、シリコンウエハを収容して、高温の液浴や腐食性化学物質を含む液浴中で処理しても、歪みやクラックが発生しない安定な容器であることが記載されている。   Japanese Patent Publication No. 6-38413 (Patent Document 1) discloses a wafer processing container in the production of an integrated circuit chip molded from a polyether ether ketone resin. This document describes that this container is a stable container that contains a silicon wafer and does not generate distortion or cracking even when processed in a high temperature liquid bath or a liquid bath containing a corrosive chemical substance. Has been.

しかし、この文献には、FOSB、シリコンウエハに対する摺動性のいずれについても記載されていない。また、この容器は、容器全体がポリエーテルエーテルケトン樹脂で形成され、成形性や経済性が低い上に、液浴で処理するために、密閉された容器ではない。   However, this document does not describe any slidability with respect to FOSB or silicon wafer. Further, this container is not a hermetically sealed container because the entire container is made of polyetheretherketone resin, has low moldability and economy, and is processed in a liquid bath.

特公平6−38413号公報(請求項1、第1欄6行〜第3欄3行、実施例)Japanese Patent Publication No. 6-38413 (Claim 1, first column, line 6 to third column, line 3, example)

Nikkei Material & Technology No.144(1994)Nikkei Material & Technology No.144 (1994)

従って、本発明の目的は、半導体ウエハの汚染物質を発生させることなく、半導体ウエハを円滑に挿入し、かつ安定して搬送できるとともに、透明性及び強度にも優れるFOSB及びその製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a FOSB that can smoothly insert and stably transport a semiconductor wafer without generating contaminants of the semiconductor wafer, and is excellent in transparency and strength, and a method for manufacturing the same. There is.

本発明の他の目的は、大型のサイズであっても、高い成形性及び生産性で製造できるFOSB及びその製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a FOSB that can be manufactured with high moldability and productivity even in a large size and a manufacturing method thereof.

本発明者らは、前記課題を達成するため鋭意検討した結果、筐体部がポリカーボネート樹脂で形成されたフロントオープニングシッピングボックス(FOSB)のガイド部を、半導体ウエハとの接触面の少なくとも一部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成することにより、半導体ウエハを円滑に挿入できることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned problems, the present inventors have found that the guide part of the front opening shipping box (FOSB) in which the casing part is formed of polycarbonate resin is formed on at least a part of the contact surface with the semiconductor wafer. The present inventors have found that a semiconductor wafer can be smoothly inserted by forming with an aromatic polyetherketone resin, thereby completing the present invention.

すなわち、本発明のFOSBは、複数の半導体ウエハを収容可能な筐体部と、前記半導体ウエハを前記筐体部に密閉可能な蓋部と、前記筐体部の内壁から間隔をおいて突出した複数の突起部で形成され、前記半導体ウエハの各々を隔離可能なガイド部とを備え、かつ半導体ウエハを搬送するためのFOSBであって、前記筐体部が、ポリカーボネート樹脂を含み、かつ前記ガイド部が、半導体ウエハとの接触面の少なくとも一部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂を含む。前記筐体部とガイド部とは溶着で一体化していてもよい。前記芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂であってもよい。前記芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、温度400℃、せん断速度1216秒−1の条件において、170Pa・s以下の溶融粘度を有していてもよい。本発明のFOSBは、前記筐体部が、略正方体状又は略長方体状であるとともに、かつ前記ガイド部が、対向する筐体部の内壁の両側で対向して突出し、かつ各内壁で間隔をおいて蓋部に直交する方向に延びる複数の突起部で形成されていてもよい。特に、この突起部は、少なくとも蓋部側の端部及び筐体部の底部側の端部において芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成されていてもよい。 That is, the FOSB of the present invention protrudes from the inner wall of the housing part with a housing part capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers, a lid part capable of sealing the semiconductor wafer to the housing part, and the inner wall of the housing part. A FOSB formed with a plurality of protrusions and capable of isolating each of the semiconductor wafers, and for transporting the semiconductor wafer, wherein the housing part includes a polycarbonate resin, and the guides The portion includes an aromatic polyether ketone resin in at least a part of the contact surface with the semiconductor wafer. The housing part and the guide part may be integrated by welding. The aromatic polyether ketone resin may be a polyether ether ketone resin. The aromatic polyether ketone resin may have a melt viscosity of 170 Pa · s or less under conditions of a temperature of 400 ° C. and a shear rate of 1216 seconds− 1 . In the FOSB of the present invention, the casing portion has a substantially rectangular parallelepiped shape or a substantially rectangular parallelepiped shape, and the guide portions protrude oppositely on both sides of the inner walls of the opposing casing portions, and each inner wall You may form in the some protrusion part extended in the direction orthogonal to a cover part at intervals. In particular, this protrusion may be formed of an aromatic polyether ketone resin at least at the end on the lid side and the end on the bottom side of the casing.

本発明には、筐体部とガイド部とを溶着する溶着工程を含む前記FOSBの製造方法も含まれる。前記溶着工程において、筐体部とガイド部とをオーバーモールドで熱融着してもよい。   The present invention also includes a method for manufacturing the FOSB including a welding step of welding the housing and the guide. In the welding step, the housing part and the guide part may be heat-sealed by overmolding.

本発明では、フロントオープニングシッピングボックス(FOSB)のガイド部が、半導体ウエハとの接触面の少なくとも一部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成されているため、半導体ウエハを円滑に挿入できる。そのため、半導体ウエハが12インチ又はそれ以上の大きさでもスムーズに挿入、格納が可能であり、機械化された生産現場であっても、安全に又は安定して半導体ウエハを搬送できる。また、ポリカーボネート樹脂で形成された筐体部に溶着できるため、半導体ウエハの汚染物質を発生させることなく、半導体ウエハを安定して搬送できるとともに、透明性及び強度にも優れる。さらに、特定の溶融粘度を有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂を用いると、大型のサイズであっても、高い成形性及び生産性でFOSBを製造できる。特に、成形不良を抑制できるとともに、穏和な条件でガイド部と筐体部との接合強度も向上できる。   In the present invention, since the guide portion of the front opening shipping box (FOSB) is formed of the aromatic polyether ketone resin at least at a part of the contact surface with the semiconductor wafer, the semiconductor wafer can be smoothly inserted. Therefore, even when the size of the semiconductor wafer is 12 inches or more, it can be smoothly inserted and stored, and the semiconductor wafer can be transported safely or stably even at a mechanized production site. In addition, since it can be welded to the casing formed of polycarbonate resin, the semiconductor wafer can be stably conveyed without generating contaminants of the semiconductor wafer, and it is excellent in transparency and strength. Furthermore, when an aromatic polyether ketone resin having a specific melt viscosity is used, FOSB can be produced with high moldability and productivity even in a large size. In particular, molding defects can be suppressed, and the bonding strength between the guide portion and the housing portion can be improved under mild conditions.

図1は、フロントオープニングシッピングボックス(FOSB)に半導体ウエハを収容する方法を説明するための概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining a method of accommodating a semiconductor wafer in a front opening shipping box (FOSB). 図2は、実施例15で作製したFOSBの断面図(ガイド部の長手方向に垂直な方向の断面図)である。FIG. 2 is a cross-sectional view (a cross-sectional view in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the guide portion) of the FOSB manufactured in Example 15. 図3は、実施例15で作製したFOSBの断面図(ガイド部の長手方向に平行な方向の断面図)である。FIG. 3 is a cross-sectional view (a cross-sectional view in a direction parallel to the longitudinal direction of the guide portion) of the FOSB produced in Example 15. 図4は、実施例16で作製したFOSBの断面図(ガイド部の長手方向に垂直な方向の断面図)である。FIG. 4 is a cross-sectional view (a cross-sectional view in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the guide portion) of FOSB produced in Example 16.

[フロントオープニングシッピングボックス(FOSB)]
本発明のFOSBは、前述の図1に示されるように、複数の半導体ウエハ5を収容可能な筐体部2と、前記半導体ウエハ5を前記筐体部2に密閉可能な蓋部4と、前記筐体部2の内壁から間隔をおいて(等間隔で)突出した複数の突起部で形成され、前記半導体ウエハの各々を隔離可能なガイド部3とを備えている。
[Front opening shipping box (FOSB)]
As shown in FIG. 1, the FOSB of the present invention includes a housing portion 2 that can accommodate a plurality of semiconductor wafers 5, a lid portion 4 that can seal the semiconductor wafer 5 in the housing portion 2, and And a guide portion 3 formed with a plurality of protrusions protruding from the inner wall of the housing portion 2 at regular intervals (equal intervals) and capable of isolating each of the semiconductor wafers.

(筐体部)
筐体部の形状は、半導体ウエハの形状に応じて選択でき、半導体ウエアを収容でき、蓋部と組み合わせて密閉可能な形状(開口部を有する箱状又は袋状)であれば、特に限定されない。半導体ウエハの平面形状は、例えば、正方形状や長方形状などの四角形状、円形状などであり、通常、真円形状などの略円形状である。筐体部の形状(外形状)は、例えば、略正方体状や略直方体状などの略多角方形状、略円柱状、略半円柱状、略半球状などが挙げられる。これらのうち、略正方体状又は略直方体状が汎用される。
(Case)
The shape of the housing portion can be selected according to the shape of the semiconductor wafer, and is not particularly limited as long as it can accommodate semiconductor wear and can be sealed in combination with the lid portion (box shape or bag shape having an opening). . The planar shape of the semiconductor wafer is, for example, a quadrangular shape such as a square shape or a rectangular shape, a circular shape, or the like, and is generally a substantially circular shape such as a perfect circle shape. Examples of the shape (outer shape) of the housing include a substantially polygonal shape such as a substantially rectangular parallelepiped shape and a substantially rectangular parallelepiped shape, a substantially cylindrical shape, a substantially semicylindrical shape, and a substantially hemispherical shape. Of these, a substantially rectangular shape or a substantially rectangular parallelepiped shape is widely used.

筐体部は、内部に収容された半導体ウエハを密閉可能な樹脂で形成されており、内部の半導体ウエハを視認可能であり、取り扱い性に優れる点から、透明樹脂で形成され、透明性及び強度に優れる点から、ポリカーボネート樹脂を含む。   The housing part is formed of a resin capable of sealing the semiconductor wafer accommodated therein, and the internal semiconductor wafer can be visually recognized. From the point which is excellent in, polycarbonate resin is included.

ポリカーボネート樹脂には、ビスフェノール類をベースとする芳香族ポリカーボネートなどが含まれる。ビスフェノール類としては、例えば、ジヒドロキシビフェニルなどのビフェノール類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールADなどのビス(ヒドロキシアリール)アルカン類、ビス(ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンなどのビス(ヒドロキシアリール)シクロアルカン類、4,4′−ジ(ヒドロキシフェニル)エーテルなどのジ(ヒドロキシフェニル)エーテル類、4,4′−ジ(ヒドロキシフェニル)ケトンなどのジ(ヒドロキシフェニル)ケトン類、ビスフェノールSなどのジ(ヒドロキシフェニル)スルホキシド類、ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン類、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレンなどのビスフェノールフルオレン類などが挙げられる。これらのビスフェノール類は、C2−4アルキレンオキサイド付加体であってもよい。これらのビスフェノール類は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。 Polycarbonate resins include aromatic polycarbonates based on bisphenols. Examples of bisphenols include biphenols such as dihydroxybiphenyl, bis (hydroxyaryl) alkanes such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol AD, and bis (hydroxyaryl) cycloalkanes such as bis (hydroxyphenyl) cyclohexane. Di (hydroxyphenyl) ethers such as 4,4'-di (hydroxyphenyl) ether, di (hydroxyphenyl) ketones such as 4,4'-di (hydroxyphenyl) ketone, di (hydroxyphenyl) such as bisphenol S And bisphenol fluorenes such as sulfoxides, bis (hydroxyphenyl) sulfones, and 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene. These bisphenols may be C 2-4 alkylene oxide adducts. These bisphenols can be used alone or in combination of two or more.

ポリカーボネート樹脂はジカルボン酸成分(脂肪族、脂環族又は芳香族ジカルボン酸又はその酸ハライドなど)を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよい。これらのポリカーボネート樹脂は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。好ましいポリカーボネート樹脂は、ビス(ヒドロキシフェニル)C1−6アルカン類をベースとする樹脂、例えば、ビスフェノールA型ポリカーボネート系樹脂である。 The polycarbonate resin may be a polyester carbonate resin copolymerized with a dicarboxylic acid component (such as an aliphatic, alicyclic or aromatic dicarboxylic acid or an acid halide thereof). These polycarbonate resins can be used alone or in combination of two or more. Preferred polycarbonate resins are resins based on bis (hydroxyphenyl) C 1-6 alkanes, for example, bisphenol A type polycarbonate resins.

ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、特に制限されないが、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)において、ポリスチレン換算で、10000〜500000程度の範囲から選択でき、例えば、12000〜100000、好ましくは13000〜50000(特に15000〜30000)程度である。ポリカーボネート樹脂の分子量が小さすぎると筐体部の強度が低下し、分子量が大きすぎると成形性が低下し易い。   The number average molecular weight of the polycarbonate resin is not particularly limited. For example, in gel permeation chromatography (GPC), the number average molecular weight can be selected from a range of about 10,000 to 500,000 in terms of polystyrene, for example, 12,000 to 100,000, preferably 13,000 to 50,000 ( In particular, it is about 15000-30000). If the molecular weight of the polycarbonate resin is too small, the strength of the housing portion is lowered, and if the molecular weight is too large, the moldability tends to be lowered.

ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度は、例えば、130〜280℃程度、好ましくは135〜250℃程度、さらに好ましくは140〜200℃程度である。ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度が小さすぎると筐体部の強度が低下し、ガラス転移温度が大きすぎると成形性が低下し易い。   The glass transition temperature of polycarbonate resin is about 130-280 degreeC, for example, Preferably it is about 135-250 degreeC, More preferably, it is about 140-200 degreeC. If the glass transition temperature of the polycarbonate resin is too low, the strength of the housing portion is lowered, and if the glass transition temperature is too high, the moldability tends to be lowered.

本明細書では、ガラス転移温度点は、例えば、示差走査熱量分析(DSC)により測定できる。   In the present specification, the glass transition temperature point can be measured by, for example, differential scanning calorimetry (DSC).

筐体部は、ポリカーボネート樹脂で形成された単一の層であってもよく、ポリカーボネート樹脂で形成された層と他の透明樹脂で形成された層との積層体であってもよい。積層体は、例えば、ポリカーボネート樹脂で形成された第1の層とガイド部と同一の芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成された第2の層との積層体であり、第2の層がガイド部と接触する側に配置された積層体であってもよい。   The housing part may be a single layer formed of polycarbonate resin, or may be a laminate of a layer formed of polycarbonate resin and a layer formed of other transparent resin. The laminate is, for example, a laminate of a first layer formed of polycarbonate resin and a second layer formed of the same aromatic polyetherketone resin as the guide portion, and the second layer is the guide portion. The laminated body arrange | positioned on the side which contacts with may be sufficient.

筐体部は、樹脂成分に加えて、慣用の添加剤、例えば、安定化剤(酸化防止剤、紫外線吸収剤、耐光安定剤、熱安定化剤など)、難燃剤、難燃助剤、充填剤、可塑剤、耐衝撃改良剤、補強剤、分散剤、帯電防止剤、抗菌剤などを含んでいてもよいが、半導体ウエハの汚染を抑制する点から、実質的に添加剤を含まないのが好ましい。   In addition to the resin component, the case is filled with conventional additives such as stabilizers (antioxidants, UV absorbers, light-resistant stabilizers, heat stabilizers, etc.), flame retardants, flame retardant aids, filling It may contain additives, plasticizers, impact modifiers, reinforcing agents, dispersants, antistatic agents, antibacterial agents, etc., but it contains substantially no additives from the viewpoint of suppressing contamination of the semiconductor wafer. Is preferred.

(ガイド部)
筐体部の内壁には、半導体ウエハを支持するためのガイド部が形成されている。ガイド部は、筐体部の内壁から間隔をおいて突出した複数の突起部で形成されており、複数の半導体ウエハの各々を隔離可能である。すなわち、ガイド部は、筐体部の内部に収納された複数の半導体ウエハを互いに接触させることなく、支持可能な複数の突起部で形成されていればよく、ガイド部により半導体ウエハの端部(四角形状の半導体ウエハの場合、通常、対向する両端部)を支持することにより、半導体ウエハを隔離する。複数の突起部は、半導体ウエハを安定して保持でき、取り扱い性に優れる点から、開口部(蓋部)に直交する方向(略垂直な方向)に延びる複数の突起部であってもよい。
(Guide part)
A guide portion for supporting the semiconductor wafer is formed on the inner wall of the housing portion. The guide part is formed of a plurality of protrusions protruding at intervals from the inner wall of the housing part, and each of the plurality of semiconductor wafers can be isolated. In other words, the guide portion only needs to be formed by a plurality of protrusions that can be supported without bringing a plurality of semiconductor wafers housed inside the housing portion into contact with each other. In the case of a rectangular semiconductor wafer, the semiconductor wafer is usually isolated by supporting opposite ends. The plurality of protrusions may be a plurality of protrusions extending in a direction (substantially perpendicular) to the opening (lid) from the viewpoint that the semiconductor wafer can be stably held and the handleability is excellent.

特に、筐体部が略正方体状又は略長方体状である場合、ガイド部は、図1に示すように、対向する筐体部の内壁の両側で対向して突出し、かつ各内壁で間隔をおいて蓋部に直交する方向に延びる複数の突起部で形成されていてもよい。各突起部の形状は、図1に示すように、蓋部(開口部)に直交する方向に連続して延びる形状に限定されず、蓋部に直交する方向で間欠的(部分的)に形成された形状であってもよい。これらのうち、半導体ウエハを安定して保持できる点から、蓋部に直交する方向に連続して伸びる形状が好ましい。また、連続して延びる突起部の形状は、均一な幅に限定されず、不均一な幅であってもよく、例えば、蓋部側(開口部側)及び/又は筐体部の底部側が幅広に形成されていてもよい。すなわち、突起部の平面形状は、図1に示す連続した長方形状に限定されず、例えば、中央部が狭い幅で形成され、かつ蓋部側及び底部側が広い幅で形成された形状などであってもよい。   In particular, when the casing is in the shape of a substantially rectangular parallelepiped or a substantially rectangular parallelepiped, as shown in FIG. 1, the guides protrude oppositely on both sides of the inner walls of the opposing casing and are spaced from each other in the inner walls. It may be formed of a plurality of protrusions extending in a direction orthogonal to the lid portion. As shown in FIG. 1, the shape of each protrusion is not limited to a shape that extends continuously in a direction orthogonal to the lid (opening), but is formed intermittently (partially) in a direction orthogonal to the lid. It may be a shaped shape. Among these, a shape that continuously extends in a direction orthogonal to the lid is preferable from the viewpoint that the semiconductor wafer can be stably held. Moreover, the shape of the protrusion part extending continuously is not limited to a uniform width, and may be a non-uniform width. For example, the lid part side (opening part side) and / or the bottom part side of the casing part is wide. It may be formed. In other words, the planar shape of the protrusion is not limited to the continuous rectangular shape shown in FIG. 1, and may be, for example, a shape in which the central part is formed with a narrow width and the lid part side and the bottom part side are formed with a wide width. May be.

突起部の幅(特に、蓋部(開口部)に直交する方向に連続して延びる突起部の幅)は、半導体ウエハのサイズに応じて適宜選択でき、例えば、5〜100mm、好ましくは10〜50mm、さらに好ましくは20〜40mm程度である。   The width of the protrusion (particularly, the width of the protrusion that extends continuously in the direction orthogonal to the lid (opening)) can be appropriately selected according to the size of the semiconductor wafer, and is, for example, 5 to 100 mm, preferably 10 to 10 mm. It is about 50 mm, more preferably about 20 to 40 mm.

ガイド部は、半導体ウエハとの接触面の少なくとも一部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂を含む。   The guide part includes an aromatic polyether ketone resin in at least a part of the contact surface with the semiconductor wafer.

芳香族ポリエーテルケトン樹脂(ポリアリールエーテルケトン樹脂)は、通常、アリーレン基とエーテル基[−O−]とカルボニル基[−C(=O)−]とで構成された繰り返し単位を含んでいる場合が多い。このような樹脂としては、特に制限されないが、例えば、下記式(a1)〜(a5)のいずれかで表される繰り返し単位を含んでいてもよい。
[−Ar−O−Ar−C(=O)−] (a1)
[−Ar−O−Ar−C(=O)−Ar−C(=O)−] (a2)
[ −Ar−O−Ar−O−Ar−C(=O)−] (a3)
[−Ar−O−Ar−C(=O)−Ar−O−Ar−C(=O)−Ar−C(=O)−] (a4)
[−Ar−O−Ar−O−Ar−C(=O)−Ar−C(=O)−] (a5)
(式中、Arは置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環基を表す)。
Aromatic polyetherketone resins (polyaryletherketone resins) usually contain a repeating unit composed of an arylene group, an ether group [—O—], and a carbonyl group [—C (═O) —]. There are many cases. Although it does not restrict | limit especially as such resin, For example, the repeating unit represented by either of following formula (a1)-(a5) may be included.
[—Ar—O—Ar—C (═O) —] (a1)
[-Ar-O-Ar-C (= O) -Ar-C (= O)-] (a2)
[-Ar-O-Ar-O-Ar-C (= O)-] (a3)
[—Ar—O—Ar—C (═O) —Ar—O—Ar—C (═O) —Ar—C (═O) —] (a4)
[-Ar-O-Ar-O-Ar-C (= O) -Ar-C (= O)-] (a5)
(In the formula, Ar represents a divalent aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent).

Arで表される2価の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニレン基(o−、m−又はp−フェニレン基など)、ナフチレン基などのC6−10アリーレン基、ビフェニレン基(2,2’−ビフェニレン基、3,3’−ビフェニレン基、4,4’−ビフェニレン基など)などのビC6−10アリーレン基、o−、m−又はp−ターフェニレン基などのターC6−10アリーレン基などが例示できる。これらの芳香族炭化水素環基は、置換基、例えば、ハロゲン原子、アルキル基(メチル基などの直鎖状又は分岐鎖状C1−4アルキル基など)、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基(メトキシ基などの直鎖状又は分岐鎖状C1−4アルコキシ基など)、メルカプト基、アルキルチオ基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、N−置換アミノ基、シアノ基などを有していてもよい。なお、繰り返し単位(a1)〜(a5)において、各Arの種類は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。 Examples of the divalent aromatic hydrocarbon ring group represented by Ar include a C 6-10 arylene group such as a phenylene group (such as o-, m- or p-phenylene group) and a naphthylene group, a biphenylene group (2 , 2'-biphenylene group, 3,3'-biphenylene, 4,4'-biphenylene group) bicycloalkyl C 6-10 arylene group such as, o-, terpolymers C 6, such as m- or p- terphenylene Examples thereof include a -10 arylene group. These aromatic hydrocarbon ring groups are substituted with, for example, a halogen atom, an alkyl group (a linear or branched C 1-4 alkyl group such as a methyl group), a haloalkyl group, a hydroxyl group, an alkoxy group ( A linear or branched C 1-4 alkoxy group such as a methoxy group), a mercapto group, an alkylthio group, a carboxyl group, a sulfo group, an amino group, an N-substituted amino group, a cyano group, etc. Good. In the repeating units (a1) to (a5), the types of Ar may be the same as or different from each other.

好ましいArは、フェニレン基(例えば、p−フェニレン基)、ビフェニレン基(例えば、4,4’−ビフェニレン基)である。   Preferred Ar is a phenylene group (for example, p-phenylene group) or a biphenylene group (for example, 4,4'-biphenylene group).

繰り返し単位(a1)を有する樹脂としては、ポリエーテルケトン樹脂(例えば、Victrex社製「PEEK-HT」)などが例示できる。繰り返し単位(a2)を有する樹脂としては、ポリエーテルケトンケトン樹脂(例えば、Arkema+Oxford Performance Material社製「PEKK」)などが例示できる。繰り返し単位(a3)を有する樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン樹脂(例えば、Victrex社製「VICTREX PEEK」、Evonik社製「Vestakeep(登録商標)」、ダイセル・エボニック社製「Vestakeep-J」、Solvay Advanced Polymers社製「Ketaspire(登録商標)」)、ポリエーテル−ジフェニル−エーテル−フェニル−ケトン−フェニル樹脂(例えば、Solvay Advanced Polymers社製「Kadel(登録商標)」)などが例示できる。繰り返し単位(a4)を有する樹脂としては、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン樹脂(例えば、Victrex社製「VICTREX ST」)などが例示できる。繰り返し単位(a5)を有する樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトンケトン樹脂(PEEK)などが例示できる。   Examples of the resin having the repeating unit (a1) include polyetherketone resin (for example, “PEEK-HT” manufactured by Victrex). Examples of the resin having the repeating unit (a2) include polyether ketone ketone resin (for example, “PEKK” manufactured by Arkema + Oxford Performance Material). Examples of the resin having the repeating unit (a3) include polyether ether ketone resins (for example, “VICTREX PEEK” manufactured by Victrex, “Vestakeep (registered trademark)” manufactured by Evonik, “Vestakeep-J” manufactured by Daicel Evonik, Solvay Advanced Polymers "Ketaspire (registered trademark)"), polyether-diphenyl-ether-phenyl-ketone-phenyl resin (for example, "Kadel (registered trademark)" manufactured by Solvay Advanced Polymers) and the like can be exemplified. Examples of the resin having the repeating unit (a4) include polyether ketone ether ketone ketone resin (for example, “VICTREX ST” manufactured by Victrex). Examples of the resin having the repeating unit (a5) include polyether ether ketone ketone resin (PEEK).

アリーレン基とエーテル基とカルボニル基とで構成された繰り返し単位において、エーテルセグメント(E)とケトンセグメント(K)との割合は、例えば、前者/後者(E/K)=0.5/1〜2/1、好ましくは1/1〜2/1程度である。エーテルセグメントは分子鎖に柔軟性を付与し、ケトンセグメントは分子鎖に剛直性を付与するため、エーテルセグメントが多いほど結晶化速度は速く、最終的に到達可能な結晶化度も高くなり、ケトンセグメントが多いほどガラス転移温度及び融点が高くなる傾向にある。   In the repeating unit composed of an arylene group, an ether group and a carbonyl group, the ratio of the ether segment (E) to the ketone segment (K) is, for example, the former / the latter (E / K) = 0.5 / 1 2/1, preferably about 1/1 to 2/1. The ether segment imparts flexibility to the molecular chain, and the ketone segment imparts rigidity to the molecular chain, so the more the ether segment, the faster the crystallization rate and the higher the crystallinity that can ultimately be reached. As the number of segments increases, the glass transition temperature and melting point tend to increase.

芳香族ポリエーテルケトン樹脂の中でも、繰り返し単位(a1)〜(a3)のいずれかを有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂、特に、ガラス転移温度及び融点が高く、分解温度と加工温度とのバランスに優れる点から、繰り返し単位(a3)を有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂(例えば、ポリエーテルエーテルケトン樹脂)が好ましい。   Among aromatic polyetherketone resins, aromatic polyetherketone resins having any one of repeating units (a1) to (a3), in particular, have a high glass transition temperature and melting point, and are excellent in the balance between decomposition temperature and processing temperature. From the viewpoint, an aromatic polyether ketone resin (for example, polyether ether ketone resin) having the repeating unit (a3) is preferable.

なお、芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、前記市販品を利用してもよく、慣用の方法(例えば、芳香族ジオール成分と芳香族ジハライド成分とを縮合させる方法、芳香族モノハライドモノオール成分を自己縮合させる方法などの求核置換反応を利用した方法)で得られた合成品を利用してもよい。   As the aromatic polyether ketone resin, the above-mentioned commercially available products may be used, and conventional methods (for example, a method of condensing an aromatic diol component and an aromatic dihalide component, an aromatic monohalide monool component as a self A synthetic product obtained by a method using a nucleophilic substitution reaction such as a condensation method may be used.

芳香族ジオール成分としては、ジヒドロキシベンゼン(ハイドロキノンなど)、ジヒドロキシベンゾフェノン(4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノンなど)などが例示できる。芳香族ジハライド成分としては、ジハロベンゾフェノン(4,4’−ジフルオロベンゾフェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノンなど)などが例示できる。芳香族モノハライドモノオール成分としては、ハロ−ヒドロキシベンゾフェノン(4−フルオロ−4’−ヒドロキシベンゾフェノンなど)などが例示できる。   Examples of the aromatic diol component include dihydroxybenzene (such as hydroquinone) and dihydroxybenzophenone (such as 4,4'-dihydroxybenzophenone). Examples of the aromatic dihalide component include dihalobenzophenone (such as 4,4'-difluorobenzophenone and 4,4'-dichlorobenzophenone). Examples of the aromatic monohalide monool component include halo-hydroxybenzophenone (such as 4-fluoro-4'-hydroxybenzophenone).

縮合反応は、塩基及び/又は溶媒の存在下で行ってもよい。塩基としては、アルカリ金属塩、例えば、(無水)炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩などが例示できる。溶媒としては、高沸点溶媒、例えば、ジフェニルスルホン、スルホランなどが例示できる。反応温度は、例えば、150〜400℃、好ましくは200〜350℃程度であってもよい。   The condensation reaction may be performed in the presence of a base and / or a solvent. Examples of the base include alkali metal salts such as alkali metal carbonates such as (anhydrous) potassium carbonate. Examples of the solvent include high boiling point solvents such as diphenyl sulfone and sulfolane. The reaction temperature may be, for example, about 150 to 400 ° C, preferably about 200 to 350 ° C.

なお、反応生成物は、慣用の分離手段、例えば、濾過、濃縮、晶析、クロマトグラフィーなどにより分離精製できる。また、反応生成物は、必要により洗浄し、乾燥してもよい。洗浄溶媒としては、水、アルコール類(メタノール、エタノールなど)、ケトン類(アセトンなど)、これらの混合溶媒などが例示できる。さらに、固形状の反応生成物は、粒度を調整するため、粉砕してもよく、分級してもよい。   The reaction product can be separated and purified by conventional separation means such as filtration, concentration, crystallization, chromatography and the like. The reaction product may be washed and dried as necessary. Examples of the cleaning solvent include water, alcohols (such as methanol and ethanol), ketones (such as acetone), and mixed solvents thereof. Further, the solid reaction product may be pulverized or classified to adjust the particle size.

反応生成物の末端基(ハロゲン原子など)は、結晶化温度の調整などの点から、例えば、アルカリスルホネート基(リチウムスルホネート基、ナトリウムスルホネート基、カリウムスルホネート基など)などで修飾されていてもよい。   The terminal group (such as a halogen atom) of the reaction product may be modified with, for example, an alkali sulfonate group (such as a lithium sulfonate group, a sodium sulfonate group, or a potassium sulfonate group) from the viewpoint of adjusting the crystallization temperature. .

芳香族ポリエーテルケトン樹脂の溶融粘度は、温度400℃、せん断速度1216秒−1の条件において、400Pa・s以下(好ましくは300Pa・s以下、さらに好ましくは200MPa以下)であってもよく、成形性の点から、170MPa以下(例えば、10〜170MPa)、好ましくは30〜130MPa、さらに好ましくは50〜120MPa(特に80〜110MPa)程度である。溶融粘度が大きすぎると(例えば、300Pa・sを超えると)、成形性が低下し、大型のFOSBや過酷な条件での成形により成形不良が発生し易く、筐体部とガイド部との接合強度も低下し易い。溶融粘度は、慣用の装置、例えば、キャピラリーレオメーターを用いて測定できる。 The melt viscosity of the aromatic polyetherketone resin may be 400 Pa · s or less (preferably 300 Pa · s or less, more preferably 200 MPa or less) under the conditions of a temperature of 400 ° C. and a shear rate of 1216 seconds− 1. From the point of property, it is 170 MPa or less (for example, 10-170 MPa), Preferably it is 30-130 MPa, More preferably, it is about 50-120 MPa (especially 80-110 MPa). If the melt viscosity is too large (for example, exceeding 300 Pa · s), the moldability is deteriorated, and molding is likely to occur due to molding under a large FOSB or severe conditions. The strength tends to decrease. The melt viscosity can be measured using a conventional apparatus such as a capillary rheometer.

芳香族ポリエーテルケトン樹脂の数平均分子量は、特に制限されないが、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)において、ポリスチレン換算で、40000以下であってもよく、例えば、10000〜40000、好ましくは20000〜40000、さらに好ましくは30000〜40000(特に30000〜35000)程度である。分子量が大きすぎると、成形性が低下し易く、筐体部との接着強度も低下し易い。   The number average molecular weight of the aromatic polyether ketone resin is not particularly limited. For example, in gel permeation chromatography (GPC), it may be 40000 or less in terms of polystyrene, for example, 10,000 to 40,000, preferably 20000. It is about 40,000, more preferably about 30000-40000 (particularly 30000-35000). If the molecular weight is too large, the moldability is likely to be reduced, and the adhesive strength with the casing is also likely to be reduced.

前記形状を有するガイド部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、半導体ウエハとの接触面の少なくとも一部に含まれていればよく、他の部分は、芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成されていてもよく、芳香族ポリエーテルケトン樹脂以外の他の樹脂で形成されていてもよい。ガイド部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成する部位は特に限定されないが、少なくとも蓋部側の端部を芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成するのが好ましい。特に、筐体部が略正方体状又は略長方体状である場合、ガイド部のうち、少なくとも蓋部側の端部及び筐体部の底部側の端部が芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成されているのが好ましい。   In the guide portion having the shape, the aromatic polyether ketone resin may be included in at least a part of the contact surface with the semiconductor wafer, and the other part is formed of the aromatic polyether ketone resin. Alternatively, it may be formed of a resin other than the aromatic polyetherketone resin. In the guide portion, the site formed with the aromatic polyether ketone resin is not particularly limited, but it is preferable that at least the end portion on the lid side is formed with the aromatic polyether ketone resin. In particular, when the casing is in the shape of a substantially rectangular parallelepiped or a substantially rectangular parallelepiped, at least the end on the lid side and the end on the bottom side of the casing are formed of an aromatic polyether ketone resin. It is preferable.

ガイド部における半導体ウエハとの全接触面のうち、芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成された領域の割合は、例えば、10%以上、好ましくは15%以上、さらに好ましくは20%以上(特に25%以上)であり、蓋部側の端部及び筐体部の底部側の端部に形成した場合は、例えば、20〜50%(特に25〜40%)程度であっても、高い摺動性を発現できる。芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成された領域の面積比が小さすぎると、摺動性が低下する。   The ratio of the region formed of the aromatic polyether ketone resin in the entire contact surface with the semiconductor wafer in the guide portion is, for example, 10% or more, preferably 15% or more, more preferably 20% or more (particularly 25%). In the case where it is formed at the end on the lid side and the end on the bottom side of the casing, for example, even if it is about 20 to 50% (especially 25 to 40%), high slidability Can be expressed. If the area ratio of the region formed of the aromatic polyether ketone resin is too small, the slidability is lowered.

他の樹脂としては、筐体部との接合強度の点から、筐体部を形成する透明樹脂(特にポリカーボネート樹脂)が好ましい。   As other resin, the transparent resin (especially polycarbonate resin) which forms a housing | casing part is preferable from the point of joining strength with a housing | casing part.

ガイド部も、樹脂成分に加えて、慣用の添加剤を含んでいてもよいが、半導体ウエハの汚染を抑制する点から、実質的に添加剤を含まないのが好ましい。特に、ガイド部は、摺動性の点から、フッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルピニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)など)を芳香族ポリエーテルケトン樹脂に対して5〜20重量%程度の割合で含んでいてもよいが、摺動性及び摩耗分の発生などによる半導体ウエハの汚染を抑制できる点から、半導体ウエハとの接触面は実質的に芳香族ポリエーテルケトン樹脂のみで形成されているのが好ましい。   The guide portion may also contain a conventional additive in addition to the resin component, but it is preferable that the guide portion substantially does not contain an additive from the viewpoint of suppressing contamination of the semiconductor wafer. In particular, the guide portion is made of fluororesin (polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene / perfluoroalkylpinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer, from the viewpoint of slidability. (FEP) etc.) may be included at a ratio of about 5 to 20% by weight with respect to the aromatic polyetherketone resin, but it is possible to suppress contamination of the semiconductor wafer due to slidability and generation of wear. It is preferable that the contact surface with the semiconductor wafer is substantially formed of only an aromatic polyether ketone resin.

筐体部とガイド部とは、後述する製造方法により溶着で一体化している。そのため、接着剤が介在しないため、接着剤により半導体ウエハを汚染することがなく、溶着しているため、嵌め込みにおいて生じる摩耗粉により半導体ウエハを汚染することもない。   The housing part and the guide part are integrated by welding by a manufacturing method described later. Therefore, since no adhesive is present, the semiconductor wafer is not contaminated by the adhesive and is welded. Therefore, the semiconductor wafer is not contaminated by wear powder generated during fitting.

(蓋部)
筐体部の開口部は、半導体ウエハを収容した筐体部を密閉するための蓋部を備えている。蓋部は、半導体ウエハを筐体部内に密閉可能に収容できればよく、慣用の方法、例えば、パッキンなどを介して係合手段を用いて密閉する方式の蓋部などであってもよい。
(Cover)
The opening of the housing part is provided with a lid part for sealing the housing part containing the semiconductor wafer. The lid portion only needs to be able to seal the semiconductor wafer in the housing portion, and may be a conventional method, for example, a lid portion that is sealed using an engagement means via packing or the like.

蓋部の材質は、特に限定されないが、通常、筐体部を形成する透明樹脂(特にポリカーボネート樹脂)で形成されている。蓋部も、透明樹脂に加えて、慣用の添加剤を含んでいてもよい。   The material of the lid is not particularly limited, but is usually formed of a transparent resin (particularly polycarbonate resin) that forms the casing. The lid portion may also contain a conventional additive in addition to the transparent resin.

[FOSBの製造方法]
本発明のFOSBは、筐体部とガイド部とを溶着(又は融着)する溶着工程を含む製造方法により得られる。
[FOSB manufacturing method]
The FOSB of the present invention is obtained by a manufacturing method including a welding step of welding (or fusing) a casing portion and a guide portion.

溶着工程において、溶着(融着)方法としては、例えば、オーバーモールディング、レーザーウェルディング、高周波ウェルディング、振動ウェルディングなどが挙げられる。これらの方法のうち、FOSBの筐体部自体が幅、奥行きともに30〜50cmと大きなサイズであり、ガイド部の数も、通常片側で25(両側で50)と多いため、生産性などの点から、射出成形を利用したインサート成形によるオーバーモールディングで熱融着する方法が好ましい。   In the welding step, examples of the welding (fusion) method include overmolding, laser welding, high frequency welding, and vibration welding. Of these methods, the FOSB housing itself has a large width and depth of 30 to 50 cm, and the number of guides is usually 25 on one side (50 on both sides). Therefore, a method of heat-sealing by overmolding by insert molding using injection molding is preferable.

オーバーモールドによる熱融着の方法としては、例えば、ガイド部を芳香族ポリエーテルケトン樹脂のみで形成する場合、筐体部をポリカーボネート樹脂で成形した後、得られた筐体部を別の金型にインサートし、射出成形により芳香族ポリエーテルケトン樹脂をオーバーモールドする方法であってもよく、ガイド部をポリカーボネート樹脂と芳香族ポリエーテルケトン樹脂との複合体で形成する場合、ガイド部の一部をポリカーボネート樹脂で成形した後、得られた成形体をインサートした上で芳香族ポリエーテルケトン樹脂をオーバーモールドして、複合成形体としてのガイド部を作製した後、さらにこの複合成形体をインサートして筐体部をポリカーボネート樹脂でオーバーモールドにより成形する方法であってもよい。本発明では、いずれの方法においても、前述の溶融粘度を有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂を用いると、容易にガイド部と筐体部との接合強度の高いFOSBを作製できる。   As a method of thermal fusion by overmolding, for example, when the guide part is formed only with an aromatic polyetherketone resin, after the casing part is molded with polycarbonate resin, the obtained casing part is replaced with another mold. It may be a method in which an aromatic polyetherketone resin is overmolded by injection molding, and when the guide part is formed of a composite of polycarbonate resin and aromatic polyetherketone resin, a part of the guide part After molding the molded body with polycarbonate resin, insert the resulting molded body, overmold the aromatic polyetherketone resin to produce a guide part as a composite molded body, and then insert this composite molded body further. Alternatively, the casing portion may be formed by overmolding with a polycarbonate resin. In any of the methods according to the present invention, when the aromatic polyether ketone resin having the above-described melt viscosity is used, a FOSB having a high bonding strength between the guide portion and the housing portion can be easily produced.

オーバーモールドによる射出成形において、射出圧力は、例えば、5〜150MPa、好ましくは10〜100MPa、さらに好ましくは20〜80Mpa程度である。射出圧力が低すぎると、ガイド部と筐体部との接合強度が低下し、高すぎると、筐体部(例えば、ポリカーボネート樹脂で形成された筐体部)の変形が生じ易い。本発明では、ガイド部を前述の溶融粘度を有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成することにより、50MPa以下(例えば、5〜40MP、好ましくは10〜30MPa、さらに好ましくは15〜25MPa程度)の低射出圧力であっても、ガイド部と筐体部との接合強度が実用的に問題のないFOSBが得られる。   In the injection molding by overmolding, the injection pressure is, for example, about 5 to 150 MPa, preferably about 10 to 100 MPa, and more preferably about 20 to 80 MPa. When the injection pressure is too low, the bonding strength between the guide portion and the housing portion is reduced, and when it is too high, the housing portion (for example, the housing portion formed of polycarbonate resin) is likely to be deformed. In the present invention, the guide portion is formed of the aromatic polyether ketone resin having the above-described melt viscosity, so that it is as low as 50 MPa or less (for example, about 5 to 40 MP, preferably 10 to 30 MPa, more preferably about 15 to 25 MPa). Even with the injection pressure, a FOSB with practically no problem in the bonding strength between the guide portion and the housing portion can be obtained.

射出速度は、例えば、10〜200mm/秒、好ましくは15〜150mm/秒、さらに好ましくは20〜100mm/秒程度である。射出速度が低すぎると、ガイド部と筐体部との接合強度が低下し、高すぎると、筐体部の変形が生じ易い。本発明では、ガイド部を前述の溶融粘度を有する芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成することにより、50mm/秒以下(例えば、5〜40mm/秒、好ましくは10〜30mm/秒、さらに好ましくは15〜25mm/秒程度)の低射出速度であっても、ガイド部と筐体部との接合強度が実用的に問題のないFOSBが得られる。   The injection speed is, for example, about 10 to 200 mm / second, preferably about 15 to 150 mm / second, and more preferably about 20 to 100 mm / second. If the injection speed is too low, the bonding strength between the guide portion and the housing portion decreases, and if it is too high, the housing portion is likely to be deformed. In the present invention, the guide portion is formed of the above-described aromatic polyether ketone resin having melt viscosity, so that it is 50 mm / second or less (for example, 5 to 40 mm / second, preferably 10 to 30 mm / second, more preferably 15 mm). Even at a low injection speed (about 25 mm / sec), FOSB can be obtained in which the bonding strength between the guide portion and the housing portion has no practical problem.

金型温度は、220℃以下であってもよく、例えば、50〜220℃、好ましくは80〜200℃、さらに好ましくは100〜180程度である。金型温度が高すぎると、筐体部の変形が生じ易い。   The mold temperature may be 220 ° C. or lower, for example, 50 to 220 ° C., preferably 80 to 200 ° C., more preferably about 100 to 180. If the mold temperature is too high, the housing part is likely to be deformed.

なお、蓋部も射出成形などの慣用の方法で製造できる。   The lid can also be manufactured by a conventional method such as injection molding.

以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例及び比較例で使用した材料の略号は下記の通りであり、実施例及び比較例で得られたFOSBを以下の項目で評価した。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. Abbreviations of materials used in Examples and Comparative Examples are as follows, and FOSBs obtained in Examples and Comparative Examples were evaluated by the following items.

[材料]
1000G:PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、ダイセル・エボニック(株)製「ベスタキープ(登録商標)1000G」
2000G:PEEK、ダイセル・エボニック(株)製「ベスタキープ2000G」
3300G:PEEK、ダイセル・エボニック(株)製「ベスタキープ3300G」
ZV7402:PEEK、ダイセル・エボニック(株)製「ベスタキープ−J ZV7402」
ポリカーボネート:帝人化成(株)製「パンライトL−1225Z 100」。
[material]
1000G: PEEK (polyetheretherketone), “Vesta Keep (registered trademark) 1000G” manufactured by Daicel-Evonik Co., Ltd.
2000G: “PESTAKEEP 2000G” manufactured by PEEK, Daicel Evonik Co., Ltd.
3300G: “PESTAKEEP 3300G” manufactured by PEEK, Daicel Evonik Co., Ltd.
ZV7402: PEEK, manufactured by Daicel Evonik Co., Ltd. “Vesta Keep-J ZV7402”
Polycarbonate: “Panlite L-1225Z 100” manufactured by Teijin Chemicals Ltd.

[溶融粘度]
実施例で用いたPEEKについて、温度400℃、せん断速度1216秒−1の条件において、キャピラリーレオメーター((株)東洋精機製作所製「キャピログラフ1D」)を用いて測定した。
[Melt viscosity]
The PEEK used in the examples was measured using a capillary rheometer (“Capillograph 1D” manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.) under the conditions of a temperature of 400 ° C. and a shear rate of 1216 seconds− 1 .

[接着強度]
ISO 527−1/−2に準拠した引張試験(50mm/分)に基づいて、万能試験機((株)オリエンテック製「RTA−1T」)を用いて、ポリカーボネートで形成されたISOダンベル片と、PEEK樹脂で形成された成形体との接着強度(引張破断強度)を測定した。引張破断強度が30MPa以上を有する場合は、FOSBとして耐久性に優れた接着強度である。
[Adhesive strength]
Based on a tensile test (50 mm / min) based on ISO 527-1 / -2, using a universal testing machine ("RTA-1T" manufactured by Orientec Co., Ltd.), an ISO dumbbell piece formed of polycarbonate and The adhesion strength (tensile rupture strength) with the molded body formed of PEEK resin was measured. When the tensile strength at break is 30 MPa or more, the bond strength is excellent in durability as FOSB.

[シリコンウエハの挿入性]
実施例及び比較例で得られたFOSBに対し、直径300mm及び厚み1.5mmのシリコンウエハを、5枚無作為に挿入し、シリコンウエハが斜めにならずにガイド部に沿って円滑に挿入できた枚数を数える試験を20回行った。すなわち、計100回(5枚×20回)の試行において、シリコンウエハをFOSBに円滑に挿入できた回数を測定した。
[Insertability of silicon wafer]
Five silicon wafers with a diameter of 300 mm and a thickness of 1.5 mm are randomly inserted into the FOSBs obtained in the examples and comparative examples, and the silicon wafers can be smoothly inserted along the guide portion without being inclined. The test of counting the number of sheets was performed 20 times. That is, the number of times the silicon wafer could be smoothly inserted into the FOSB was measured in a total of 100 trials (5 × 20).

実施例1〜14
ISO 527−1/−2に準拠したダンベル片をポリカーボネート樹脂で、射出成形機(ファナック(株)製「Roboshot S−2000 i−100B」)を用いて、シリンダー温度:290℃,金型温度100℃,射出速度:60mm/秒,射出圧力:30MPaの条件で成形し、得られたダンベル片をニッパーを用いて等間隔で2分割した。一方のダンベル片を、改めて金型にインサートし、表2に示す条件でオーバーモールドし、複合成形体を得た。得られた複合成形体の接着強度を測定した結果を表2に示す。
Examples 1-14
A dumbbell piece conforming to ISO 527-1 / -2 is made of polycarbonate resin, using an injection molding machine (“Roboshot S-2000 i-100B” manufactured by FANUC CORPORATION), cylinder temperature: 290 ° C., mold temperature: 100 Molding was performed under the conditions of ° C., injection speed: 60 mm / second, injection pressure: 30 MPa, and the obtained dumbbell pieces were divided into two at equal intervals using a nipper. One dumbbell piece was again inserted into the mold and overmolded under the conditions shown in Table 2 to obtain a composite molded body. Table 2 shows the results of measuring the adhesive strength of the obtained composite molded body.

Figure 2015177165
Figure 2015177165

表2の結果から明らかなように、溶融粘度の低いPEEKを用いた実施例1〜7では、溶融粘度の高いPEEKを用いた実施例8〜14に比べて、高い接着強度の複合成形体が得られた。   As is clear from the results of Table 2, in Examples 1 to 7 using PEEK having a low melt viscosity, composite molded bodies having high adhesive strength were obtained compared to Examples 8 to 14 using PEEK having a high melt viscosity. Obtained.

実施例15
射出成形機(Roboshot S−2000 i−100B)を用いて、シリンダー温度:290℃,金型温度100℃,射出速度:60mm/秒,射出圧力:30MPaの条件で、ポリカーボネートで筐体部を成形した後、改めて金型にインサートし、実施例1と同様の条件で、PEEEK(1000G)でガイド部をオーバーモールドし、図2及び3に示すFOSB(筐体部及びガイド部のみ)を作製した。FOSB1は、内部のサイズが300mm×330mm×600mmの略正方体状の筐体部2と、この筐体部2の対向する内壁に等間隔で形成された6対のガイド部3(幅30mm×長さ350mm×厚み5mm)とで形成されている。
Example 15
Using an injection molding machine (Robotshot S-2000 i-100B), the casing is molded from polycarbonate under the conditions of cylinder temperature: 290 ° C, mold temperature: 100 ° C, injection speed: 60mm / sec, injection pressure: 30MPa. After that, it was inserted again into the mold, and the guide part was overmolded with PEEEK (1000G) under the same conditions as in Example 1 to produce the FOSB (only the housing part and the guide part) shown in FIGS. . The FOSB 1 has a substantially rectangular housing portion 2 with an internal size of 300 mm × 330 mm × 600 mm, and six pairs of guide portions 3 (width 30 mm × length) formed on the opposing inner walls of the housing portion 2 at equal intervals. 350 mm × thickness 5 mm).

実施例16
図4に示すように、ガイド部を、筐体部の開口部側の端部3a(長さ50mm)と、筐体部の底部側の端部3c(長さ50mm)とをPEEK(1000G)で形成し、中央部3bをポリカーボネートで形成し、FOSB1を作製した。成形方法としては、射出成形機を用いてシリンダー温度:290℃,金型温度100℃,射出速度:60mm/秒,射出圧力:30MPaの条件で、ガイド部の中央部をポリカーボネートで成形した後、得られた成形体を金型にインサートした上で、実施例1と同様の条件で、PEEK(1000G)をオーバーモールドして、複合成形体としてのガイド部を作製した。さらにこの複合成形体を金型にインサートして、シリンダー温度:290℃,金型温度100℃,射出速度:60mm/秒,射出圧力:30MPaの条件で、筐体部をポリカーボネートでオーバーモールドにより成形した。
Example 16
As shown in FIG. 4, PEEK (1000G) has a guide portion including an end portion 3a (length 50 mm) on the opening side of the housing portion and an end portion 3c (length 50 mm) on the bottom side of the housing portion. And the central portion 3b was formed of polycarbonate to produce FOSB1. As a molding method, after molding the center part of the guide part with polycarbonate under the conditions of cylinder temperature: 290 ° C., mold temperature: 100 ° C., injection speed: 60 mm / second, injection pressure: 30 MPa using an injection molding machine, After the obtained molded body was inserted into a mold, PEEK (1000G) was overmolded under the same conditions as in Example 1 to produce a guide part as a composite molded body. Furthermore, this composite molded body is inserted into a mold, and the casing is molded by overmolding with polycarbonate under the conditions of cylinder temperature: 290 ° C., mold temperature 100 ° C., injection speed: 60 mm / second, injection pressure: 30 MPa. did.

比較例1
ガイド部を形成する樹脂として、PEEKの代わりにポリカーボネートを用いる以外は実施例1と同様にしてFOSBを作製した。
Comparative Example 1
FOSB was produced in the same manner as in Example 1 except that polycarbonate was used instead of PEEK as the resin for forming the guide portion.

実施例15〜16及び比較例1で得られたFOSBについて、シリコンウエハの挿入性を評価した結果を表3に示す。   Table 3 shows the results of evaluating the insertability of the silicon wafer for the FOSBs obtained in Examples 15 to 16 and Comparative Example 1.

Figure 2015177165
Figure 2015177165

表3の結果から明らかなように、実施例では、全て円滑にシリコンウエハが挿入できたのに対して、比較例では、27%のシリコンウエハが円滑に挿入できなかった。   As is clear from the results in Table 3, in all of the examples, the silicon wafer could be inserted smoothly, whereas in the comparative example, 27% of the silicon wafer could not be inserted smoothly.

本発明のFOSBは、シリコンウエハなどの半導体ウエハの輸送に利用できる。   The FOSB of the present invention can be used for transporting a semiconductor wafer such as a silicon wafer.

1…フロントオープニングシッピングボックス
2…筐体部
3…ガイド部
4…蓋部
5…半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Front opening shipping box 2 ... Housing | casing part 3 ... Guide part 4 ... Cover part 5 ... Semiconductor wafer

Claims (8)

複数の半導体ウエハを収容可能な筐体部と、前記半導体ウエハを前記筐体部に密閉可能な蓋部と、前記筐体部の内壁から間隔をおいて突出した複数の突起部で形成され、前記半導体ウエハの各々を隔離可能なガイド部とを備え、かつ半導体ウエハを搬送するためのフロントオープニングシッピングボックスであって、前記筐体部が、ポリカーボネート樹脂を含み、かつ前記ガイド部が、半導体ウエハとの接触面の少なくとも一部において、芳香族ポリエーテルケトン樹脂を含むフロントオープニングシッピングボックス。   A housing portion that can accommodate a plurality of semiconductor wafers, a lid portion that can seal the semiconductor wafer to the housing portion, and a plurality of protrusions that protrude from the inner wall of the housing portion, A front opening shipping box for transporting the semiconductor wafer, wherein the housing portion includes polycarbonate resin, and the guide portion is a semiconductor wafer. A front opening shipping box containing an aromatic polyetherketone resin on at least a part of the contact surface with the surface. 筐体部とガイド部とが溶着で一体化している請求項1記載のフロントオープニングシッピングボックス。   The front opening shipping box according to claim 1, wherein the casing and the guide are integrated by welding. 芳香族ポリエーテルケトン樹脂が、ポリエーテルエーテルケトン樹脂である請求項1又は2記載のフロントオープニングシッピングボックス。   The front opening shipping box according to claim 1 or 2, wherein the aromatic polyether ketone resin is a polyether ether ketone resin. 芳香族ポリエーテルケトン樹脂が、温度400℃、せん断速度1216秒−1の条件において、170Pa・s以下の溶融粘度を有する請求項1〜3のいずれかに記載のフロントオープニングシッピングボックス。 The front opening shipping box according to any one of claims 1 to 3, wherein the aromatic polyetherketone resin has a melt viscosity of 170 Pa · s or less under conditions of a temperature of 400 ° C and a shear rate of 1216 sec- 1 . 筐体部が、略正方体状又は略長方体状であるとともに、かつガイド部が、対向する筐体部の内壁の両側で対向して突出し、かつ各内壁で間隔をおいて蓋部に直交する方向に延びる複数の突起部で形成されている請求項1〜4のいずれかに記載のフロントオープニングシッピングボックス。   The housing part has a substantially rectangular parallelepiped shape or a substantially rectangular parallelepiped shape, and the guide part protrudes oppositely on both sides of the inner wall of the opposing housing part, and is orthogonal to the lid part at intervals between the inner walls. The front opening shipping box according to any one of claims 1 to 4, wherein the front opening shipping box is formed of a plurality of protrusions extending in a direction to be moved. 突起部が、少なくとも蓋部側の端部及び筐体部の底部側の端部において芳香族ポリエーテルケトン樹脂で形成されている請求項5記載のフロントオープニングシッピングボックス。   6. The front opening shipping box according to claim 5, wherein the protrusion is formed of an aromatic polyether ketone resin at least at the end on the lid side and the end on the bottom side of the casing. 筐体部とガイド部とを溶着する溶着工程を含む請求項1〜6のいずれか記載のフロントオープニングシッピングボックスの製造方法。   The manufacturing method of the front opening shipping box of any one of Claims 1-6 including the welding process of welding a housing | casing part and a guide part. 融着工程において、筐体部とガイド部とをオーバーモールドで熱融着する請求項7記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 7, wherein in the fusing step, the casing portion and the guide portion are thermally fused by overmolding.
JP2014054826A 2014-03-18 2014-03-18 Front opening shipping box and manufacturing method therefor Pending JP2015177165A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014054826A JP2015177165A (en) 2014-03-18 2014-03-18 Front opening shipping box and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014054826A JP2015177165A (en) 2014-03-18 2014-03-18 Front opening shipping box and manufacturing method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015177165A true JP2015177165A (en) 2015-10-05

Family

ID=54256008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014054826A Pending JP2015177165A (en) 2014-03-18 2014-03-18 Front opening shipping box and manufacturing method therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015177165A (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH107898A (en) * 1996-06-28 1998-01-13 Sumitomo Chem Co Ltd Polyether-ketone resin composition and carrier for processing and treating semiconductor wafer
JP2000012673A (en) * 1998-05-28 2000-01-14 Fluoroware Inc Wafer carrier and its manufacturing method
JP2008021744A (en) * 2006-07-11 2008-01-31 Shin Etsu Polymer Co Ltd Housing container for semiconductor wafer
JP2008140948A (en) * 2006-12-01 2008-06-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd Multi-color molded object, multi-color molding method, and substrate storage container
JP2012199302A (en) * 2011-03-18 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate container

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH107898A (en) * 1996-06-28 1998-01-13 Sumitomo Chem Co Ltd Polyether-ketone resin composition and carrier for processing and treating semiconductor wafer
JP2000012673A (en) * 1998-05-28 2000-01-14 Fluoroware Inc Wafer carrier and its manufacturing method
JP2008021744A (en) * 2006-07-11 2008-01-31 Shin Etsu Polymer Co Ltd Housing container for semiconductor wafer
JP2008140948A (en) * 2006-12-01 2008-06-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd Multi-color molded object, multi-color molding method, and substrate storage container
JP2012199302A (en) * 2011-03-18 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate container

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107922624B (en) Method for producing polycarbonate-polyorganosiloxane copolymer
TWI694111B (en) Polycarbonate resin composition and its molded product
TWI576392B (en) Flame retardant thermoplastic resin composition
JP6013525B2 (en) Polycarbonate resin composition and polycarbonate resin molded body
US10975225B2 (en) Polycarbonate resin composition and molded product thereof
TWI687482B (en) Polycarbonate resin composition, molded product, and structural member for solar power generation
CN108026278B (en) Toughened poly (aryl ether sulfone)/poly (aryl ether ketone) blends
US11203664B2 (en) Polycarbonate resin composition and molded article thereof
US11945908B2 (en) Polycarbonate-polyorganosiloxane copolymer
TW201704290A (en) Polycarbonate resin composition and molded article of same
WO2018066210A1 (en) Flame-retardant resin composition
JP2011502208A (en) Polyol-containing flame resistant polycarbonate
TW201137041A (en) Thermoplastic resin composition and molded article thereof
JP2015177165A (en) Front opening shipping box and manufacturing method therefor
JP6863975B2 (en) Thermoplastic resin composition and molded products containing it
JP2011225832A (en) Method of manufacturing thermoplastic resin composition
EP1980586B1 (en) High-performance polysulfone composition
JP3966935B2 (en) Storage container for precision parts
TWI646157B (en) Coated polycarbonate resin molding material, molded product, and painted molded product
TW201120136A (en) Flame-retardant polycarbonate resin composition and moldings thereof
JP2016210934A (en) Polycarbonate resin composition
JP3014594B2 (en) Composite resin molded article for enclosure and production method
US10239993B2 (en) Branched polycarbonate resin and method for producing same
JP3785180B2 (en) Manufacturing method of storage container for precision member
JP3282584B2 (en) Storage container for precision parts

Legal Events

Date Code Title Description
A625 Written request for application examination (by other person)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625

Effective date: 20160906

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170613

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20171107