JP2015168853A - Vent method of vacuum device, electronic component and vacuum device - Google Patents

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Hiroyoshi Furusato
大喜 古里
新一 浦林
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新一 浦林
伊藤　亮
Akira Ito
亮 伊藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent adhesion of dust (particles) onto the surface of an electronic component caused by a turbulent flow of gas in a vent step of a vacuum chamber, and to shorten a time of the vent step.SOLUTION: A vent method of a vacuum evaporation system 100 has a first vent step for introducing a first gas into a vacuum chamber 110, and a second vent step for introducing a second gas having a higher pressure than the pressure of the first gas into the vacuum chamber 110 after the first vent step.

Description

本発明は、真空装置のベント方法、真空装置を用いて製造された電子部品、および真空装置に関する。   The present invention relates to a method for venting a vacuum device, an electronic component manufactured using the vacuum device, and a vacuum device.

電子部品の製造方法では、真空装置を用いて、例えば成膜などの表面処理が行われている。このような真空装置を用いる場合、チャンバー（排気室）を開放する際に粉塵が発生し、電子部品の表面に付着してしまうことがあった。それに対応するため、チャンバー（排気室）を開放する際のベント方法を、チャンバー（排気室）内の圧力をチャンバー（排気室）外の圧力より高くなるように気体を導入して、チャンバー（排気室）内を大気圧にする過程を有することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。   In a method for manufacturing an electronic component, surface treatment such as film formation is performed using a vacuum apparatus. When such a vacuum apparatus is used, dust may be generated when the chamber (exhaust chamber) is opened and may adhere to the surface of the electronic component. To cope with this, the vent method when opening the chamber (exhaust chamber) is introduced by introducing gas so that the pressure in the chamber (exhaust chamber) becomes higher than the pressure outside the chamber (exhaust chamber), and the chamber (exhaust chamber) It is disclosed to have a process of making the inside of the chamber) atmospheric pressure (for example, see Patent Document 1).

特開昭６２−２０９８２５号公報JP-A 62-209825

しかしながら、前述の方法では、チャンバー（排気室）内を大気圧にするために気体を導入する際、気体の乱流が発生し、チャンバー（排気室）内の粉塵（パーティクル）が巻き上げられて落下し、電子部品の表面に付着してしまう虞があった。また、気体の乱流を生じさせないためには、導入する気体量を絞ることが必要となり、チャンバー（排気室）内を大気圧にするまでの時間が長くなり、作業効率の低下を招いてしまう。   However, in the above-described method, when introducing gas to bring the inside of the chamber (exhaust chamber) to atmospheric pressure, gas turbulence occurs, and dust (particles) in the chamber (exhaust chamber) is rolled up and dropped. However, there is a risk of adhering to the surface of the electronic component. Further, in order not to cause turbulent gas flow, it is necessary to reduce the amount of gas to be introduced, and it takes a long time to bring the inside of the chamber (exhaust chamber) to atmospheric pressure, resulting in a reduction in work efficiency. .

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る真空装置のベント方法は、チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、を含んでいることを特徴とする。   [Application Example 1] A vacuum device venting method according to this application example includes a first vent process for introducing a first gas into a chamber, and a pressure higher than the pressure of the first gas after the first vent process. And a second vent step for introducing a second gas into the chamber.

本適用例によれば、第１ベント工程と第２ベント工程を有しており、第１気体による乱流を生じさせないスローベントの第１ベントと、第２気体による冷却効果の高い第２ベントとを組み合わせることにより、電子部品への粉塵（パーティクル）の付着を防止しつつ、効率的（短時間）にベントを行うことが可能となる。なお、本明細書で用いている「ベント」とは、低圧力チャンバー内の圧力を上げ、大気圧に近づける処理、あるいは真空容器内を大気圧にする処理のことをいう。   According to this application example, the first vent of the slow vent that does not cause the turbulent flow due to the first gas and the second vent that has a high cooling effect by the second gas has the first vent step and the second vent step. In combination, the venting can be performed efficiently (for a short time) while preventing the adhesion of dust (particles) to the electronic component. As used herein, the term “vent” refers to a process for increasing the pressure in the low-pressure chamber to bring it close to atmospheric pressure, or a process for bringing the inside of the vacuum vessel to atmospheric pressure.

［適用例２］上記適用例に記載の真空装置のベント方法において、前記第２ベント工程では、前記チャンバー内の気圧が、１．０気圧を超え１．２気圧以下となるまでベントを行うことが好ましい。   Application Example 2 In the vacuum device venting method according to the application example described above, in the second venting step, venting is performed until the atmospheric pressure in the chamber exceeds 1.0 atm and is 1.2 atm or less. Is preferred.

本適用例によれば、チャンバーの開放時に、チャンバー内の圧力が外気圧力に対して正圧になっているため、チャンバー内への外気の流入を抑えることができ、外気の流入によって持ち込まれる粉塵（パーティクル）が電子部品に付着することを防止することができる。   According to this application example, when the chamber is opened, the pressure in the chamber is positive with respect to the outside air pressure. Therefore, the inflow of outside air into the chamber can be suppressed, and dust brought in by the inflow of outside air can be suppressed. It is possible to prevent (particles) from adhering to the electronic component.

［適用例３］上記適用例に記載の真空装置のベント方法において、前記第２ベント工程における前記ベントは、前記チャンバー内の圧力が０．１気圧以上０．９気圧以下の圧力になったら開始されることが好ましい。   Application Example 3 In the vacuum device venting method according to the application example described above, the vent in the second vent process starts when the pressure in the chamber reaches a pressure of 0.1 atm or more and 0.9 atm or less. It is preferred that

本適用例によれば、第２ベント工程によりチャンバー内の圧力を正圧にすることが出来、チャンバー開放時にパーティクルの流入を防ぐことが出来ると同時に、冷却効果をより高めることができることからチャンバー内の冷却時間を短縮することができる。   According to this application example, the pressure in the chamber can be made positive by the second vent process, and the inflow of particles can be prevented when the chamber is opened, and at the same time, the cooling effect can be further enhanced. The cooling time can be shortened.

［適用例４］上記適用例に記載の真空装置のベント方法において、前記第２ベント工程の後に、前記第２気体を前記チャンバー内に導入する第３ベント工程を含んでいることが好ましい。   Application Example 4 In the vacuum device venting method according to the application example described above, it is preferable that a third vent step of introducing the second gas into the chamber is included after the second vent step.

本適用例によれば、チャンバーが開放されている際に、チャンバー内からチャンバー外へ流れている第２気体によって粉塵（パーティクル）がチャンバー内に流入することを防止することができ、冷却効果を更に高めることができることからチャンバー内の冷却時間を短縮することができる。   According to this application example, when the chamber is opened, dust (particles) can be prevented from flowing into the chamber by the second gas flowing from the inside of the chamber to the outside of the chamber. Since it can be further increased, the cooling time in the chamber can be shortened.

［適用例５］本適用例に係る電子部品は、チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、を含む真空装置のベント方法を含み製造されていることを特徴とする。   Application Example 5 An electronic component according to this application example includes a first vent process for introducing a first gas into a chamber, and a second gas having a pressure higher than the pressure of the first gas after the first vent process. And a second venting process for introducing the gas into the chamber.

本適用例によれば、第１気体による乱流を生じさせないスローベントの第１ベントと、第２気体による冷却効果の高い第２ベントとを組み合わせることにより、効率的（短時間）、且つ粉塵（パーティクル）の付着を防止して製造された電子部品を提供することができる。   According to this application example, by combining the first vent of the slow vent that does not cause the turbulent flow caused by the first gas and the second vent having a high cooling effect by the second gas, it is efficient (short time) and dust. An electronic component manufactured by preventing adhesion of (particles) can be provided.

［適用例６］本適用例に係る真空装置は、チャンバー内に第１気体を導入する第１ポートと、前記第１気体の導入後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ポートと、が備えられていることを特徴とする。   Application Example 6 A vacuum apparatus according to this application example includes a first port for introducing a first gas into a chamber, and a second gas having a pressure higher than the pressure of the first gas after the introduction of the first gas. And a second port for introduction into the chamber.

本適用例によれば、第１気体による乱流を生じさせないスローベントの第１ベントと、第２気体による冷却効果の高い第２ベントとを組み合わせてベントを行うことができる。これにより、効率的（短時間）、且つ粉塵（パーティクル）の付着を防止することが可能な真空装置を提供することができる。   According to this application example, venting can be performed by combining the first vent of the slow vent that does not cause turbulent flow by the first gas and the second vent that has a high cooling effect by the second gas. Thereby, the vacuum apparatus which can prevent adhesion of dust (particles) efficiently (for a short time) can be provided.

本発明に係る真空装置としての真空蒸着装置の概略構成を示す構成図。The block diagram which shows schematic structure of the vacuum evaporation system as a vacuum device which concerns on this invention. 真空蒸着装置に用いるデバイス保持具の概略を示す斜視図。The perspective view which shows the outline of the device holder used for a vacuum evaporation system. 真空蒸着装置のベント工程の手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure of the vent process of a vacuum evaporation system. 真空蒸着装置内の温度および真空度のプロファイル。Temperature and vacuum profile in the vacuum deposition system. 真空蒸着装置の扉開放時における風の流れ状態を示すグラフ。The graph which shows the flow state of the wind at the time of the door opening of a vacuum evaporation system. 真空蒸着装置内におけるデバイス保持具上の落下塵（パーティクル）の状態を示すグラフ。The graph which shows the state of the falling dust (particle) on the device holder in a vacuum evaporation system.

以下、本発明を添付図面に示した実施形態にもとづいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では本発明に係る真空装置のベント方法を用いて製造される電子部品として、光学デバイス（光学多層膜フィルター）を一例に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings. In the following embodiments, an optical device (optical multilayer filter) will be described as an example of an electronic component manufactured using the vacuum apparatus vent method according to the present invention.

（真空蒸着装置の構成）
先ず、本発明に係る真空装置としての真空蒸着装置の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、本発明に係る真空装置の一例としての真空蒸着装置の概略構成を示す構成図である。図２は、真空蒸着装置に用いるデバイス保持具の概略を示す斜視図である。なお、作図の便宜上、図１の配管部品については、記号を用いて示している。 (Configuration of vacuum evaporation system)
First, the configuration of a vacuum vapor deposition apparatus as a vacuum apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIG. FIG. 1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a vacuum vapor deposition apparatus as an example of a vacuum apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing an outline of a device holder used in the vacuum deposition apparatus. For convenience of drawing, the piping parts in FIG. 1 are shown using symbols.

図１に示すように、真空装置の一例としての真空蒸着装置１００は、真空チャンバー１１０内に、加熱装置を含む蒸着源１３０、防着容器１５０、シャッター１６０、多数の光学デバイス用の基板１０を保持するデバイス保持具１７０を備えている。なお、本形態における基板１０の材質は、例えば、ガラス、シリコン、水晶を適用することができる。
蒸着源１３０は、真空チャンバー１１０内の底面側に設けられ、デバイス保持具１７０は天井側に設けられている。また、シャッター１６０は、蒸着源１３０とデバイス保持具１７０との間に配設されている。 As shown in FIG. 1, a vacuum deposition apparatus 100 as an example of a vacuum apparatus includes a deposition source 130 including a heating apparatus, a deposition container 150, a shutter 160, and a substrate 10 for many optical devices in a vacuum chamber 110. A device holder 170 for holding is provided. For example, glass, silicon, or quartz can be used as the material of the substrate 10 in this embodiment.
The vapor deposition source 130 is provided on the bottom side in the vacuum chamber 110, and the device holder 170 is provided on the ceiling side. The shutter 160 is disposed between the vapor deposition source 130 and the device holder 170.

真空チャンバー１１０には、側壁に排気口１１１と、第１ベント口１１５と、第２ベント口１１６と、図示しない開閉扉が設けられている。排気口１１１には、図示しないドライポンプとターボ分子ポンプを組み合わせた真空ポンプが連結されている。この真空ポンプを作動して真空チャンバー１１０内の排気が行われることで所定の真空状態が確保される。なお、真空ポンプは図示しない制御部に接続され、この制御部により制御される。また、本説明における真空状態とは、通常の大気圧より低い圧力（１×１０5Ｐａ〜１×１０-10Ｐａ以下（ＪＩＳ Ｚ ８１２６−１：１９９９））の空間の状態をいう。なお、図示しない開閉扉は、例えば、真空チャンバー１１０内に保持するデバイス保持具１７０を脱着したり、蒸着源１３０に蒸着材料１３４を投入したりする場合に開放される。 The vacuum chamber 110 is provided with an exhaust port 111, a first vent port 115, a second vent port 116, and an open / close door (not shown) on the side wall. A vacuum pump that combines a dry pump and a turbo molecular pump (not shown) is connected to the exhaust port 111. A predetermined vacuum state is secured by evacuating the vacuum chamber 110 by operating the vacuum pump. The vacuum pump is connected to a control unit (not shown) and controlled by this control unit. Moreover, the vacuum state in this description refers to the state of the space at a pressure lower than normal atmospheric pressure (1 × 10 5 Pa to 1 × 10 −10 Pa or less (JIS Z 8126-1: 1999)). The open / close door (not shown) is opened when, for example, the device holder 170 held in the vacuum chamber 110 is detached or the vapor deposition material 134 is put into the vapor deposition source 130.

第１ベント口１１５には、第１ベント口１１５側から、第１バルブ１８０、レギュレーター（減圧弁）１８１、フィルター１８９などが連結されている。第１ベント口１１５、第１ベント口１１５に連結されている第１バルブ１８０、フィルター１８９などが、第１ベントを行う第１ポートを構成する。そして、第１ベント口１１５には、フィルター１８９などによって異物が除去され、レギュレーター１８１によって減圧された第１気体としての大気が供給される。第１ベント口１１５は、第１ベントのための吸気口としての機能を有している。   A first valve 180, a regulator (pressure reducing valve) 181, a filter 189, and the like are connected to the first vent port 115 from the first vent port 115 side. The first vent 115, the first valve 180 connected to the first vent 115, the filter 189, and the like constitute a first port that performs the first vent. The first vent port 115 is supplied with atmospheric air as a first gas from which foreign substances are removed by a filter 189 and the like, and the pressure is reduced by a regulator 181. The first vent port 115 has a function as an intake port for the first vent.

第２ベント口１１６には、第２ベント口１１６側から、圧力計（例えば、ピラニー真空計）１８８、第２バルブ１８５、レギュレーター（減圧弁）１８７、フィルター１８９、空気溜め器１８２、空気圧縮機１８６などが連結されている。第２ベント口１１６、第２ベント口１１６に連結されている圧力計１８８、第２バルブ１８５、レギュレーター１８７、フィルター１８９、空気溜め器１８２、空気圧縮機１８６などが、第２ベントを行う第２ポートを構成する。なお、空気溜め器１８２には、図示しないが、例えばエアードライヤーなどの水分や異物を除去する機器が設けられており、水分や異物が除去された比較的高い圧力のドライエアーが貯留されている。そして、第２ベント口１１６には、レギュレーター１８７によって流量が絞られた第２気体としてのドライエアーが供給される。このときの第２ベント口１１６に供給されるドライエアーの圧力は、第１気体としての大気より高い圧力に設定される。第２ベント口１１６は、第１ベントに続く第２ベントのための吸気口としての機能を有している。また、第２ベント口１１６は、デバイス保持具１７０を間にして真空チャンバー１１０の開閉扉の反対側に設けられていることが望ましい。これは、ドライエアーの流れを、第２ベント口１１６からデバイス保持具１７０を通り、真空チャンバー１１０の開閉扉に向かうようにすることで、デバイス保持具１７０の位置に真空チャンバー１１０の開閉扉から流れ込む気流を生じさせないためである。   From the second vent port 116 side to the second vent port 116, a pressure gauge (for example, a Pirani vacuum gauge) 188, a second valve 185, a regulator (pressure reducing valve) 187, a filter 189, an air reservoir 182 and an air compressor 186 etc. are connected. The second vent port 116, the pressure gauge 188 connected to the second vent port 116, the second valve 185, the regulator 187, the filter 189, the air reservoir 182, the air compressor 186, etc. perform the second vent. Configure the port. Although not shown, the air reservoir 182 is provided with a device for removing moisture and foreign matter such as an air dryer, and stores relatively high-pressure dry air from which moisture and foreign matter have been removed. . The second vent port 116 is supplied with dry air as the second gas whose flow rate is reduced by the regulator 187. At this time, the pressure of the dry air supplied to the second vent port 116 is set to a pressure higher than the atmosphere as the first gas. The second vent port 116 has a function as an intake port for the second vent following the first vent. The second vent port 116 is preferably provided on the opposite side of the open / close door of the vacuum chamber 110 with the device holder 170 in between. This is because the flow of dry air is directed from the second vent port 116 through the device holder 170 to the open / close door of the vacuum chamber 110, so that the device holder 170 is moved from the open / close door of the vacuum chamber 110 to the position of the device holder 170. This is because no airflow flows in.

蒸着源１３０は、基板１０への蒸着材料１３４が充填されたルツボ１３１、ヒーター１３２、ルツボ１３１を保持する保持容器１３３を備えている。
ルツボ１３１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）あるいはベリリア（ＢｅＯ）などの高融点酸化物からなり、内部に蒸着材料１３４が充填されている。また、ルツボ１３１の外周部には、ヒーター１３２が巻き回されて、ルツボ１３１とヒーター１３２は、共に保持容器１３３内に収容、保持されている。なお、本実施形態において、ヒーター１３２と保持容器１３３とで加熱手段を構成している。 The vapor deposition source 130 includes a crucible 131 filled with a vapor deposition material 134 for the substrate 10, a heater 132, and a holding container 133 that holds the crucible 131.
The crucible 131 is made of a high melting point oxide such as alumina (Al 2 O 3 ) or beryllia (BeO) and is filled with a vapor deposition material 134. In addition, a heater 132 is wound around the outer periphery of the crucible 131, and both the crucible 131 and the heater 132 are accommodated and held in a holding container 133. In the present embodiment, the heater 132 and the holding container 133 constitute a heating means.

ヒーター１３２は、図示しない制御部を介して電源に接続されており、制御部の制御により通電されてルツボ１３１を加熱し、ルツボ１３１内に充填された蒸着材料１３４を加熱する。このように構成された蒸着源１３０は、防着容器１５０内に収容されている。   The heater 132 is connected to a power source via a control unit (not shown), and is energized by the control of the control unit to heat the crucible 131 and heat the vapor deposition material 134 filled in the crucible 131. The vapor deposition source 130 configured as described above is accommodated in the deposition preventing container 150.

防着容器１５０は、真空チャンバー１１０の天井に向かって開口する開口部１５１を有し、例えばステンレス鋼から形成されている。この防着容器１５０は、蒸着源１３０のルツボ１３１内に充填された蒸着材料１３４の蒸気を基板１０に蒸着する際に、蒸着源１３０から放出される蒸発物質が、他の構成部位に付着して汚染されることを防止する機能を有する。また、蒸着源１３０が収納された防着容器１５０は、真空チャンバー１１０の底面上に配設されている。   The deposition preventing container 150 has an opening 151 that opens toward the ceiling of the vacuum chamber 110 and is made of, for example, stainless steel. In the deposition container 150, when vapor of the vapor deposition material 134 filled in the crucible 131 of the vapor deposition source 130 is vapor deposited on the substrate 10, the vaporized substance released from the vapor deposition source 130 adheres to other components. It has a function to prevent contamination. Further, the deposition container 150 in which the vapor deposition source 130 is accommodated is disposed on the bottom surface of the vacuum chamber 110.

シャッター１６０は、回転軸１６１に固着され、真空チャンバー１１０の底面の中央部に、回転可能に支持されている。回転軸１６１は、真空チャンバー１１０の底面壁を貫通して外部に延出し、端部には回転軸１６１を回転駆動する、すなわちシャッター１６０を回転するためのモーター１６２が接続されている。   The shutter 160 is fixed to the rotating shaft 161 and is rotatably supported at the center of the bottom surface of the vacuum chamber 110. The rotating shaft 161 penetrates the bottom wall of the vacuum chamber 110 and extends to the outside, and a motor 162 for rotating the rotating shaft 161, that is, for rotating the shutter 160, is connected to the end.

シャッター１６０は、蒸着源１３０が収容された防着容器１５０の少なくとも開口部１５１を被う大きさを有し、防着容器１５０の上部に近接して配置されている。この防着容器１５０の上部（開口部１５１）とシャッター１６０との間隔は、小さい程好ましいが、シャッター１６０の確実な作動を確保すると共に、蒸着源１３０から放出される蒸気の回り込みを防ぐためには、１ｍｍ〜５ｍｍ程度の範囲が好ましい。   The shutter 160 has a size that covers at least the opening 151 of the deposition preventing container 150 in which the vapor deposition source 130 is accommodated, and is disposed close to the upper portion of the deposition preventing container 150. The smaller the distance between the upper part (opening 151) of the deposition-proof container 150 and the shutter 160, the better. However, in order to ensure the reliable operation of the shutter 160 and prevent the vapor released from the vapor deposition source 130 from flowing around. A range of about 1 mm to 5 mm is preferable.

回転軸１６１を回転駆動するモーター１６２は、モーター１６２の回転位置（すなわち、回転軸１６１およびシャッター１６０の位置）を検出するためのエンコーダー（図示せず）が取り付けられており、エンコーダーの検出位置に基づいてモーター１６２が回転制御される。なお、モーター１６２およびエンコーダーは図示しない制御部に接続し、制御部によって制御される。
このモーター１６２が回転駆動することで回転軸１６１が回転すると共に、回転軸１６１に固着されたシャッター１６０が回転する。これにより、シャッター１６０は、防着容器１５０の開口部１５１を開放状態、あるいは遮蔽状態にする。 An encoder (not shown) for detecting the rotation position of the motor 162 (that is, the position of the rotation shaft 161 and the shutter 160) is attached to the motor 162 that rotationally drives the rotation shaft 161. Based on this, rotation of the motor 162 is controlled. The motor 162 and the encoder are connected to a control unit (not shown) and controlled by the control unit.
When the motor 162 is driven to rotate, the rotating shaft 161 rotates and the shutter 160 fixed to the rotating shaft 161 rotates. Thereby, the shutter 160 brings the opening 151 of the deposition preventing container 150 into an open state or a shielded state.

図２に示すように、デバイス保持具１７０は、円錐型ドーム状に形成された基板１０の保持具である。デバイス保持具１７０は、円錐型ドーム状の本体５１に複数の開口窓５２が形成された構造である。これらの開口窓５２は、デバイス保持具１７０の頂部から底部へ向かって放射状に形成されており、成膜治具１２に装着された基板１０が取り付けられた際に、基板１０の成膜面がデバイス保持具１７０の内表面側に露出するように形成されている。ここで、デバイス保持具１７０の内表面側とは、円錐型ドームの重心に近い方の面である。成膜治具１２は、デバイス保持具１７０の本体５１に装着されるホルダー（図示せず）と、このホルダーへ基板１０を押さえる押さえ部材（図示せず）とを備えている。基板１０は、ホルダーと押さえ部材との間に保持されている。そして、開口窓５２に露出する基板１０に蒸着材料１３４からなる薄膜が蒸着される。また、デバイス保持具１７０は、ドーム状の上面中央部が回転軸１７１に取り外し可能に構成され、真空チャンバー１１０の天井壁の中央部に回転可能に支持された回転軸１７１に保持固定されている。即ち、デバイス保持具１７０は、内表面側が蒸着源１３０に向けて配置されている。   As shown in FIG. 2, the device holder 170 is a holder for the substrate 10 formed in a conical dome shape. The device holder 170 has a structure in which a plurality of open windows 52 are formed in a conical dome-shaped main body 51. These opening windows 52 are formed radially from the top to the bottom of the device holder 170, and when the substrate 10 mounted on the film-forming jig 12 is attached, the film-forming surface of the substrate 10 is It is formed so as to be exposed on the inner surface side of the device holder 170. Here, the inner surface side of the device holder 170 is a surface closer to the center of gravity of the conical dome. The film forming jig 12 includes a holder (not shown) attached to the main body 51 of the device holder 170 and a pressing member (not shown) that holds the substrate 10 against the holder. The substrate 10 is held between the holder and the pressing member. Then, a thin film made of the vapor deposition material 134 is deposited on the substrate 10 exposed in the opening window 52. Further, the device holder 170 is configured such that the central portion of the dome-shaped upper surface is detachable from the rotary shaft 171 and is held and fixed to the rotary shaft 171 rotatably supported by the central portion of the ceiling wall of the vacuum chamber 110. . That is, the device holder 170 is disposed with the inner surface side facing the vapor deposition source 130.

デバイス保持具１７０が保持固定された回転軸１７１は、真空チャンバー１１０の天井壁を貫通して外部に延出し、端部には、デバイス保持具１７０の多数の開口に載置されて有機蒸着物質が蒸着される基板１０間での成膜厚さを平均化するために、回転軸１７１（即ち、デバイス保持具１７０）を回転するモーター１７２が接続されている。   The rotation shaft 171 on which the device holder 170 is held and fixed extends through the ceiling wall of the vacuum chamber 110 and extends to the outside. A motor 172 that rotates the rotating shaft 171 (that is, the device holder 170) is connected in order to average the film thickness between the substrates 10 on which the metal is deposited.

なお、上述の例では、ルツボ１３１の加熱手段として、ヒーター１３２と保持容器１３３とを含む構成で説明したが、ヒーター１３２に替えて、電子銃を用いた電子ビーム蒸着（いわゆるＥＢ蒸着法）を用いることもできる。具体的には、基板１０を真空チャンバー１１０内に取り付けた後、真空チャンバー１１０内の下部に蒸着材料１３４を充填したルツボ１３１を配置し、電子ビームにより蒸着材料１３４を加熱して蒸発させることによって、基板１０に蒸着材料１３４を付着させる。   In the above example, the heater 132 and the holding container 133 are described as the heating means of the crucible 131. However, instead of the heater 132, electron beam evaporation using an electron gun (so-called EB evaporation method) is used. It can also be used. Specifically, after the substrate 10 is mounted in the vacuum chamber 110, a crucible 131 filled with the vapor deposition material 134 is disposed in the lower portion of the vacuum chamber 110, and the vapor deposition material 134 is heated and evaporated by an electron beam. Then, the vapor deposition material 134 is attached to the substrate 10.

（真空蒸着装置のベント方法）
次に、このように構成された真空蒸着装置１００を用いて、基板１０の表面に無機薄膜を形成する蒸着工程における真空蒸着装置１００のベント工程について、図３および図４を参照しながら説明する。図３は、真空蒸着装置のベント工程の手順を示すフローチャートである。図４は、真空装置内の温度および真空度の時間軸に沿ったプロファイルであり（ａ）は比較例としての従来例のプロファイルを示し、（ｂ）は本発明に係る実施形態の真空蒸着およびベント工程のプロファイルを示している。なお、本説明では、光学デバイスの一例としての光学多層膜フィルターの製造方法を例に説明する。また、本説明においては、前述の図１および図２も併せて参照し、同符号を用いて説明する。 (Venting method of vacuum deposition equipment)
Next, the venting process of the vacuum vapor deposition apparatus 100 in the vapor deposition process of forming an inorganic thin film on the surface of the substrate 10 using the vacuum vapor deposition apparatus 100 configured as described above will be described with reference to FIGS. 3 and 4. . FIG. 3 is a flowchart showing a procedure of a vent process of the vacuum vapor deposition apparatus. FIG. 4 is a profile along the time axis of the temperature and the degree of vacuum in the vacuum apparatus, (a) shows a profile of a conventional example as a comparative example, and (b) shows the vacuum deposition and the embodiment of the present invention. The profile of a vent process is shown. In this description, a method for manufacturing an optical multilayer filter as an example of an optical device will be described as an example. Further, in the present description, the above-described FIG. 1 and FIG.

先ず、光学多層膜フィルターの製造方法について簡潔に説明する。ここで説明する光学多層膜フィルターは、可視波長域を通過し、所定波長以下の紫外波長域と所定波長以上の赤外波長域での光をカットする分光特性を有しており、ＵＶ−ＩＲカットフィルターともいわれる。図示しないが、多層の無機薄膜を備えてなる光学多層膜フィルターは、光を透過させるための、例えば厚さ０．３ｍｍのガラス基板（基板１０）の上面に複数層の無機薄膜を備えて構成される。この複数層の無機薄膜の形成工程において、真空蒸着装置１００が用いられ、真空蒸着法により基板１０に無機薄膜が形成される。   First, a method for manufacturing an optical multilayer filter will be briefly described. The optical multilayer filter described here has a spectral characteristic that passes light in the visible wavelength range and cuts light in the ultraviolet wavelength range below a predetermined wavelength and the infrared wavelength range above a predetermined wavelength, and UV-IR Also called a cut filter. Although not shown, the optical multilayer film filter including a multilayer inorganic thin film includes a plurality of layers of inorganic thin films on the upper surface of a glass substrate (substrate 10) having a thickness of, for example, 0.3 mm for transmitting light. Is done. In the formation process of the multi-layered inorganic thin film, a vacuum deposition apparatus 100 is used, and the inorganic thin film is formed on the substrate 10 by a vacuum deposition method.

なお、ガラス基板としては、白板ガラス、ＢＫ７、サファイアガラス、ホウケイ酸ガラス、青板ガラス、ＳＦ３、ＳＦ７、シリコン、および水晶などの透明基板であってもよいし、一般に市販されている光学ガラス基板も使用できる。また、高屈折率材料層の材料としてＴｉＯ2を用いた場合で説明するが、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5を適用することもできる。 In addition, as a glass substrate, transparent substrates, such as white plate glass, BK7, sapphire glass, borosilicate glass, blue plate glass, SF3, SF7, silicon, and a crystal | crystallization, The optical glass substrate generally marketed is also used. Can be used. Further, although TiO 2 is used as the material for the high refractive index material layer, Ta 2 O 5 and Nb 2 O 5 can be applied.

無機薄膜の材料は、高屈折率材料層（Ｈ）がＴｉＯ2（ｎ＝２．４０）、低屈折率材料層（Ｌ）がＳｉＯ2（ｎ＝１．４６）から構成される。
この無機薄膜は、ガラス基板側から、高屈折率材料のＴｉＯ2膜がまず積層され、積層された高屈折率材料のＴｉＯ2膜の上面に、低屈折率材料のＳｉＯ2膜が積層され、以下、低屈折率材料のＳｉＯ2膜の上面に高屈折率材料のＴｉＯ2膜と低屈折率材料のＳｉＯ2膜が順次、交互に積層され、無機薄膜の最上膜層（最表層）は、低屈折率材料のＳｉＯ2膜が積層されて、各々３０層、計６０層の無機薄膜を形成している。 The material of the inorganic thin film is composed of TiO 2 (n = 2.40) for the high refractive index material layer (H) and SiO 2 (n = 1.46) for the low refractive index material layer (L).
In this inorganic thin film, a TiO 2 film of a high refractive index material is first laminated from the glass substrate side, and a SiO 2 film of a low refractive index material is laminated on the upper surface of the laminated high refractive index TiO 2 film, Hereinafter, a TiO 2 film of a high refractive index material and a SiO 2 film of a low refractive index material are sequentially laminated on the upper surface of the SiO 2 film of a low refractive index material, and the uppermost layer (outermost layer) of the inorganic thin film is A SiO 2 film of a low refractive index material is laminated to form an inorganic thin film of 30 layers, a total of 60 layers.

真空蒸着装置１００による真空蒸着法は、基板１０が装着されたデバイス保持具１７０を真空チャンバー１１０内に固定した後、真空チャンバー１１０の開閉扉が閉じられる。その後、真空チャンバー１１０と連結されている、図示しないドライポンプとターボ分子ポンプを組み合わせた真空ポンプを作動させて、基板１０を加熱しながら真空チャンバー１１０内の圧力が所定の圧力となるまで排気が行われる。本例では、真空チャンバー１１０内の圧力が、１×１０-3Ｐａ以下となるように設定されている。そして、真空チャンバー１１０内の圧力が、１×１０-3Ｐａ以下となった後、上述の無機薄膜を真空蒸着法において基板１０の表面に形成する。基板１０の加熱条件としては、一例として３５０℃程度の加熱温度が適用される。 In the vacuum deposition method using the vacuum deposition apparatus 100, the device holder 170 on which the substrate 10 is mounted is fixed in the vacuum chamber 110, and then the open / close door of the vacuum chamber 110 is closed. Thereafter, a vacuum pump that is connected to the vacuum chamber 110 and combined with a dry pump (not shown) and a turbo molecular pump is operated, and the substrate 10 is heated and exhausted until the pressure in the vacuum chamber 110 reaches a predetermined pressure. Done. In this example, the pressure in the vacuum chamber 110 is set to be 1 × 10 −3 Pa or less. Then, after the pressure in the vacuum chamber 110 becomes 1 × 10 −3 Pa or less, the above-described inorganic thin film is formed on the surface of the substrate 10 by vacuum deposition. As an example of the heating condition of the substrate 10, a heating temperature of about 350 ° C. is applied.

（真空チャンバーのベント）
続いて、表面に無機薄膜が形成された基板１０を真空チャンバー１１０から取り出すために真空チャンバー１１０内を大気開放するベント工程が行われる。ここで、図３および図４を参照しながら基板１０の表面に無機薄膜を形成する蒸着工程における真空蒸着装置１００のベント工程について説明する。なお、ここでの「ベント工程」とは、真空チャンバー１１０内の圧力を上げ、大気圧に近づける処理を行う工程、あるいは真空チャンバー１１０内を大気圧にする処理を行う工程をいう。なお、後述する「第１ベント工程」、および「第２ベント工程」についても同様である。また、以下に説明するベント工程は、図４（ｂ）に示す真空装置内の温度および真空度のプロファイルに沿った条件において行われている。 (Vent in the vacuum chamber)
Subsequently, in order to take out the substrate 10 having the inorganic thin film formed on the surface from the vacuum chamber 110, a vent process for releasing the inside of the vacuum chamber 110 to the atmosphere is performed. Here, the venting process of the vacuum deposition apparatus 100 in the vapor deposition process for forming the inorganic thin film on the surface of the substrate 10 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. Here, the “venting step” means a step of performing a process of raising the pressure in the vacuum chamber 110 to bring it close to atmospheric pressure, or a step of performing a process of bringing the inside of the vacuum chamber 110 to atmospheric pressure. The same applies to a “first vent process” and a “second vent process” described later. Moreover, the vent process demonstrated below is performed on the conditions according to the profile of the temperature in a vacuum device and the vacuum degree shown in FIG.4 (b).

先ず、蒸着工程が終了し、表面に無機薄膜が形成された基板１０は、真空チャンバー１１０内において、真空中での冷却が行われる（ステップＳ１０１）。そして、所定の冷却を行った後、第１ベント工程に移行する。第１ベント工程には、スローベント（ステップＳ１０２）およびベント（ステップＳ１０３）の二つのベント処理が含まれており、第１ポートから行われる。   First, the substrate 10 having the inorganic thin film formed on the surface after the vapor deposition step is cooled in the vacuum chamber 110 (step S101). And after performing predetermined | prescribed cooling, it transfers to a 1st vent process. The first vent process includes two vent processes, slow vent (step S102) and vent (step S103), and is performed from the first port.

第１ベント工程では、先ず第１バルブ１８０を開き、レギュレーター１８１によって流量を絞った第１気体としての大気が、第１ベント口１１５から真空チャンバー１１０内に流入するスローベントを開始する（ステップＳ１０２）。このように、先ず、流量を絞った大気を導入するスローベントを行うことにより、真空チャンバー１１０内の気体の乱流を防止することができ、これにより気体の乱流によって生じる粉塵（パーティクル）の巻き上げと、巻き上げられた粉塵（パーティクル）が落下し、基板１０の表面に付着してしまうことを防止することができる。
所定時間が経過した後、引き続き、流量を多くした大気を真空チャンバー１１０内に流入するベントを開始する（ステップＳ１０３）。 In the first vent process, first, the first valve 180 is opened, and the slow vent in which the atmosphere as the first gas whose flow rate is reduced by the regulator 181 flows into the vacuum chamber 110 from the first vent port 115 is started (step S102). ). In this way, first, by performing a slow vent that introduces an atmosphere with a reduced flow rate, turbulent gas flow in the vacuum chamber 110 can be prevented, and thereby dust (particles) generated by the turbulent gas flow can be prevented. It is possible to prevent winding and dust (particles) that has been rolled up from falling and adhering to the surface of the substrate 10.
After a predetermined time elapses, the venting for inflowing the atmosphere with the increased flow rate into the vacuum chamber 110 is started (step S103).

次に、スローベントおよびベントにより真空チャンバー１１０内の圧力が上がり、所定の圧力に到達したか否かを圧力計１８８によって判定する（ステップＳ１０４）。ここで、所定の圧力は、０．１気圧以上０．９気圧以下に設定され、本形態では０．５気圧（５×１０4（Ｐａ））に設定されている。この判定で所定の圧力に到達していれば（ステップＳ１０４：Ｙｅｓ）、規定時間経過後にスローベントとベントを終了する（ステップＳ１０５）。換言すれば、第１ベント工程を終了する。なお、本形態での、ステップＳ１０４における規定時間は、ほぼ５分に設定されている。 Next, it is determined by the pressure gauge 188 whether or not the pressure in the vacuum chamber 110 is increased by the slow vent and the vent and reaches a predetermined pressure (step S104). Here, the predetermined pressure is set to 0.1 atm or more and 0.9 atm or less, and is set to 0.5 atm (5 × 10 4 (Pa)) in this embodiment. If the predetermined pressure has been reached in this determination (step S104: Yes), the slow vent and the vent are ended after the lapse of the specified time (step S105). In other words, the first vent process is terminated. In this embodiment, the specified time in step S104 is set to approximately 5 minutes.

ステップＳ１０５の終了後、第２ベント工程に移行する。第２ベント工程は、第１ベントが終了した状態の圧力下で開始する。したがって、第２ベント工程は、０．１気圧以上０．９気圧以下で開始され、本形態では、０．５気圧（５×１０4（Ｐａ））で開始される。第２ベント工程では、先ず第２バルブ１８５を開き、第１気体よりも高い圧力に設定された第２気体としてのドライエアー（クリーンエアー）を第２ベント口１１６から真空チャンバー１１０内に流入させる第２ベントを開始する（ステップＳ１０６）。ここでのドライエアーは、空気圧縮機１８６によって概ね５気圧（５×１０5（Ｐａ））に加圧され、エアードライヤーやフィルターなどによって水分や異物が除去された後、レギュレーター１８７によって流量を絞った気体である。 After step S105 ends, the process proceeds to the second vent process. The second vent process starts under a pressure in a state where the first vent is finished. Therefore, the second vent step is started at 0.1 atm or more and 0.9 atm or less, and in this embodiment, is started at 0.5 atm (5 × 10 4 (Pa)). In the second vent step, first, the second valve 185 is opened, and dry air (clean air) as a second gas set at a pressure higher than that of the first gas is caused to flow into the vacuum chamber 110 from the second vent port 116. The second vent is started (step S106). The dry air here is pressurized to approximately 5 atm (5 × 10 5 (Pa)) by an air compressor 186, and after moisture and foreign matter are removed by an air dryer or a filter, the flow rate is reduced by a regulator 187. Gas.

次に、第２ベントにより真空チャンバー１１０内の圧力が上がり、大気圧に到達したか否かを圧力計１８８によって判定する（ステップＳ１０７）。この判定で大気圧に到達していれば（ステップＳ１０７：Ｙｅｓ）、第２ベントを終了する（ステップＳ１０８）。なお、ここでの大気圧は、１．０気圧（１×１０5（Ｐａ））を超え１．２気圧（１．２×１０5（Ｐａ））以下の範囲内で設定され、本形態では、１．１気圧（１．１×１０5（Ｐａ））に設定されている。即ち、真空チャンバー１１０内の圧力は、大気圧よりもわずかに高い圧力（正圧）となるように設定する。
以上説明した、ステップＳ１０６〜ステップＳ１０８が第２ベント工程である。 Next, the pressure gauge 188 determines whether or not the pressure in the vacuum chamber 110 has increased due to the second vent and has reached atmospheric pressure (step S107). If the atmospheric pressure has been reached in this determination (step S107: Yes), the second vent is terminated (step S108). Note that the atmospheric pressure here is set within a range exceeding 1.0 atm (1 × 10 5 (Pa)) and not more than 1.2 atm (1.2 × 10 5 (Pa)). 1.1 atm (1.1 × 10 5 (Pa)). That is, the pressure in the vacuum chamber 110 is set to be slightly higher than the atmospheric pressure (positive pressure).
Steps S106 to S108 described above are the second vent process.

次に、第２ベント終了後、規定時間が経過しているか否かを判定する（ステップＳ１０９）。そして、規定時間が経過していれば（ステップＳ１０９：Ｙｅｓ）、ブザーなどで告知し、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放する（ステップＳ１１０）と共に、第３ベント工程に移行する。なお、本形態での、ステップＳ１０９における規定時間は、ほぼ５分に設定されている。   Next, it is determined whether or not a specified time has elapsed after the end of the second vent (step S109). If the specified time has elapsed (step S109: Yes), a buzzer or the like is notified to open the open / close door of the vacuum chamber 110 (step S110), and the process proceeds to the third vent process. In this embodiment, the specified time in step S109 is set to approximately 5 minutes.

上述のように、真空チャンバー１１０内がわずかに大気圧より高い圧力（正圧）になった状態で第２ベント工程を終了し、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放することにより、真空チャンバー１１０の外側から内側への粉塵（パーティクル）の流入を防止することができる。
また、第２ベントにより第１ベントにおける第１気体よりも高い圧力に設定された第２気体としてのドライエアー（クリーンエアー）が導入されるため、真空チャンバー１１０内の冷却効果を向上させることができ、冷却時間を短縮することができる。 As described above, the second venting process is terminated in a state where the inside of the vacuum chamber 110 is slightly higher than the atmospheric pressure (positive pressure), and the opening / closing door of the vacuum chamber 110 is opened, whereby the vacuum chamber 110 is opened. Inflow of dust (particles) from the outside to the inside can be prevented.
In addition, since the second vent introduces dry air (clean air) as the second gas set to a pressure higher than the first gas in the first vent, the cooling effect in the vacuum chamber 110 can be improved. The cooling time can be shortened.

次に、第３ベント工程について説明する。第３ベント工程では、真空チャンバー１１０の開閉扉が開放された状態で、第２ベントと同じ圧力のドライエアーをレギュレーター１８７によって流量を絞り、第２ベント口１１６から真空チャンバー１１０内に流入する第３ベントを開始する（ステップＳ１１１）。   Next, the third vent process will be described. In the third vent step, with the open / close door of the vacuum chamber 110 opened, the flow of dry air having the same pressure as the second vent is reduced by the regulator 187 and flows into the vacuum chamber 110 from the second vent port 116. 3 venting is started (step S111).

第３ベントは、タイマーによって流入時間が制御され、規定時間が経過したか否かを判定（ステップＳ１１２）し、規定時間が経過していれば（ステップＳ１１２：Ｙｅｓ）第３ベントのドライエアーの流入を停止して第３ベントを終了する（ステップＳ１１３）。なお、本形態での規定時間は、第３ベントの開始（ステップＳ１１１）を起点として約２０分間、ドライエアーを流入するように設定されている。   The third vent is controlled by a timer to determine whether or not the specified time has elapsed (step S112), and if the specified time has elapsed (step S112: Yes) The inflow is stopped and the third vent is ended (step S113). The specified time in this embodiment is set so that dry air flows in for about 20 minutes from the start of the third vent (step S111).

このように、真空チャンバー１１０の開閉扉が開放された状態で第３ベントを行うことにより、開閉扉の開放後に真空チャンバー１１０の内側から開閉扉の外側、即ち真空チャンバー１１０の外側に向かう気流を保ち続けることができ、この気流によって真空チャンバー１１０内への外気の流入を抑えることができ、外気の流入によって持ち込まれる粉塵（パーティクル）が基板１０や真空チャンバー１１０内に付着することを防止することができる。
また、真空チャンバー１１０の開閉扉の開放された状態で第３ベントを行うことにより、真空チャンバー１１０の内側から開閉扉の外側に向かう気流が継続して存在するため、冷却効果が向上し、第３ベント工程による真空チャンバー１１０内の冷却時間を短縮することができる。 In this way, by performing the third vent in a state where the open / close door of the vacuum chamber 110 is opened, an air flow from the inside of the vacuum chamber 110 to the outside of the open / close door, that is, the outside of the vacuum chamber 110 after the open / close door is opened. The airflow can be kept constant, the inflow of outside air into the vacuum chamber 110 can be suppressed by this air flow, and dust (particles) brought in by the inflow of outside air can be prevented from adhering to the substrate 10 or the vacuum chamber 110. Can do.
In addition, by performing the third vent while the open / close door of the vacuum chamber 110 is open, an air flow continuously exists from the inside of the vacuum chamber 110 to the outside of the open / close door, thereby improving the cooling effect, The cooling time in the vacuum chamber 110 by the 3 vent process can be shortened.

なお、上述した第２ベント工程および第３ベント工程に係る粉塵付着防止の効果、および冷却効果については、後段にて詳細に説明する。
以上のような工程によって、真空チャンバー１１０内を大気開放するベント工程が終了する。 In addition, the dust adhesion preventing effect and the cooling effect according to the second vent process and the third vent process described above will be described in detail later.
The venting process for opening the inside of the vacuum chamber 110 to the atmosphere is completed by the process as described above.

ここで、図４を参照して、真空チャンバー１１０内の冷却時間短縮の効果について、従来のベント工程と比較して詳細を説明する。図４（ａ）に示す比較例としての従来のプロファイルと、図４（ｂ）に示す本実施形態に係るプロファイルとを比較する。   Here, with reference to FIG. 4, the effect of shortening the cooling time in the vacuum chamber 110 will be described in detail in comparison with the conventional vent process. A conventional profile as a comparative example shown in FIG. 4A is compared with the profile according to the present embodiment shown in FIG.

図４（ａ）に示す比較例では、基板１０の表面への無機薄膜の形成が終わった時点（図中コート完了）からベント終了までの真空チャンバー１１０内の温度は、略同じ傾きで低下している。換言すれば、真空チャンバー１１０内の温度は、経過時間に比例して低下している。また、ベント終了からは自然冷却となる。   In the comparative example shown in FIG. 4A, the temperature in the vacuum chamber 110 from the time when the formation of the inorganic thin film on the surface of the substrate 10 is completed (coating completion in the drawing) to the end of the venting decreases with substantially the same inclination. ing. In other words, the temperature in the vacuum chamber 110 decreases in proportion to the elapsed time. Moreover, natural cooling is performed after the end of the vent.

それに対し、図４（ｂ）に示す本実施形態では、第１ベント工程、第２ベント工程、および第３ベント工程で、それぞれベント処理が行われるため、冷却効率を高められる。詳細に説明すると、基板１０の表面への無機薄膜の形成が終わった時点（図中コート完了）以降、第１ベント工程から第３ベント工程終了までの真空チャンバー１１０内の温度は、三つの傾きを有して低下している。具体的には、真空チャンバー１１０内の温度は、第１ベント工程における温度低下の傾きと、第２ベント工程における温度低下の傾きと、第３ベント工程における温度低下の傾きとが、異なっている。図４（ｂ）の温度プロファイルに示されているように、第２ベント工程の温度低下の傾きが、第１ベント工程の温度低下の傾きよりも大きい。また、第３ベント工程における温度低下の傾きも第２ベント工程と同様な傾きとなっている。したがって、第２ベント工程および第３ベント工程によって、比較例と比べて高い冷却効果を得ていることが判る。   On the other hand, in this embodiment shown in FIG. 4B, the venting process is performed in each of the first vent process, the second vent process, and the third vent process, so that the cooling efficiency can be improved. More specifically, after the formation of the inorganic thin film on the surface of the substrate 10 (coating completion in the figure), the temperature in the vacuum chamber 110 from the first vent process to the end of the third vent process has three inclinations. Has fallen. Specifically, the temperature in the vacuum chamber 110 is different from the slope of the temperature drop in the first vent process, the slope of the temperature drop in the second vent process, and the slope of the temperature drop in the third vent process. . As shown in the temperature profile of FIG. 4B, the slope of the temperature drop in the second vent process is larger than the slope of the temperature drop in the first vent process. Further, the inclination of the temperature decrease in the third vent process is the same as that in the second vent process. Therefore, it turns out that the high cooling effect is acquired by the 2nd vent process and the 3rd vent process compared with the comparative example.

このように、第２ベント工程および第３ベント工程のそれぞれによる冷却効果が高いため、真空チャンバー１１０を開放して真空チャンバー１１０内の、例えば基板１０の取り出しなどの作業を行うことが可能となるまでの冷却時間が短縮される。図４（ａ）の比較例と、図４（ｂ）の本実施形態で比較すると、コート作業開始からチャンバー内作業開始までの所要時間は、比較例では２５０分（ｍｉｎ）であるのに対し、本実施形態では２２０分（ｍｉｎ）と、１サイクルで３０分（ｍｉｎ）の短縮が図れている。上述したように、光学多層膜フィルターでは、無機薄膜を計６０層形成する。したがって、この蒸着工程（コート工程）が繰り返し行われることになり、１サイクルごとの時間短縮が、全体として大きな作業効率の向上につながることになる。   Thus, since the cooling effect by each of the second vent process and the third vent process is high, it is possible to open the vacuum chamber 110 and perform an operation such as taking out the substrate 10 in the vacuum chamber 110, for example. The cooling time until is shortened. When the comparative example of FIG. 4A is compared with the present embodiment of FIG. 4B, the time required from the start of the coating operation to the start of the in-chamber operation is 250 minutes (min) in the comparative example. In this embodiment, a reduction of 220 minutes (min) and 30 minutes (min) in one cycle can be achieved. As described above, in the optical multilayer filter, a total of 60 inorganic thin films are formed. Therefore, this vapor deposition process (coating process) is repeatedly performed, and shortening the time for each cycle leads to a large improvement in work efficiency as a whole.

ここで、図５および図６を参照して、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放する際の気体の流れ、および基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態について説明する。
図５は、真空蒸着装置の扉開放時における風（気体）の流れ状態を示すグラフであり、図５（ａ）は、真空蒸着装置１００を正面から見たときの概略図に、風（気体）の流れの測定位置を示した図、図５（ｂ）は、各測定位置における風（気体）の流れの状態を示したグラフである。なお、図５（ｂ）では、風（気体）の流れの状態について、比較例として従来のベント工程の後と、本実施形態の第２ベント工程の後との対比を行っている。 Here, with reference to FIG. 5 and FIG. 6, the flow of gas when opening the opening / closing door of the vacuum chamber 110 and the state of falling dust (particles) on the substrate 10 will be described.
FIG. 5 is a graph showing the flow state of wind (gas) when the door of the vacuum vapor deposition apparatus is opened. FIG. 5A is a schematic view of the vacuum vapor deposition apparatus 100 as viewed from the front. FIG. 5B is a graph showing the flow state of the wind (gas) at each measurement position. In FIG. 5B, as a comparative example, the flow state of the wind (gas) is compared between the conventional vent process and the second vent process of the present embodiment.

図５（ａ）、および図５（ｂ）に示されているように、比較例における風（気体）の流れは、それぞれの計測位置において、風速がマイナス（−）方向、即ち真空チャンバー１１０の外側から真空チャンバー１１０の内側に向かって流れる風（気体）が計測されている。したがって、真空チャンバー１１０の外側からの塵（パーティクル）の流入を生じる虞がある。それに対し本実施形態における風（気体）の流れは、測定Ｃの位置（真空チャンバー１１０の下部）を除き、他の測定位置では、風速がプラス（＋）方向、即ち真空チャンバー１１０の内側から真空チャンバー１１０の外側に向かって流れる風（気体）が計測されている。測定位置Ｃにおいては、真空チャンバー１１０の外側から真空チャンバー１１０の内側に向かって流れる風（気体）が計測されているが、風速はわずかではあり、且つデバイス保持具１７０と離れた位置であり、風（気体）の流入による影響は小さいと推測される。このように、本実施形態では、デバイス保持具１７０を取り囲む位置（計測位置Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ）では、真空チャンバー１１０の内側から真空チャンバー１１０の外側に向かって風（気体）が流れているため、真空チャンバー１１０の外側からの塵（パーティクル）の流入を防止することができる。   As shown in FIG. 5A and FIG. 5B, the flow of the wind (gas) in the comparative example is such that the wind speed is in the minus (−) direction, that is, in the vacuum chamber 110 at each measurement position. Wind (gas) flowing from the outside toward the inside of the vacuum chamber 110 is measured. Therefore, dust (particles) may flow from the outside of the vacuum chamber 110. On the other hand, the flow of the wind (gas) in this embodiment is a vacuum from the positive (+) direction, that is, from the inside of the vacuum chamber 110 at the other measurement positions except the position of the measurement C (lower part of the vacuum chamber 110). Wind (gas) flowing toward the outside of the chamber 110 is measured. At the measurement position C, wind (gas) flowing from the outside of the vacuum chamber 110 toward the inside of the vacuum chamber 110 is measured, but the wind speed is slight and is away from the device holder 170. It is estimated that the influence of wind (gas) inflow is small. As described above, in this embodiment, wind (gas) flows from the inside of the vacuum chamber 110 toward the outside of the vacuum chamber 110 at the positions (measurement positions A, B, D, E) surrounding the device holder 170. Therefore, inflow of dust (particles) from the outside of the vacuum chamber 110 can be prevented.

また、塵（パーティクル）の流入を防止するための風（気体）の流れの方向は、デバイス保持具１７０の位置において、真空チャンバー１１０の外側に向かっていることが望ましい。したがって、第２ベント工程を行う第２ベント口１１６の設置位置は、真空チャンバー１１０の開閉扉と反対側の真空チャンバー１１０の壁面に設けられることが望ましい。換言すれば、デバイス保持具１７０が、第２ベント口１１６と、真空チャンバー１１０の開閉扉との間に配置されるような構成が好ましい。   Further, it is desirable that the flow direction of the wind (gas) for preventing the inflow of dust (particles) is toward the outside of the vacuum chamber 110 at the position of the device holder 170. Therefore, it is desirable that the installation position of the second vent port 116 for performing the second vent process is provided on the wall surface of the vacuum chamber 110 on the side opposite to the open / close door of the vacuum chamber 110. In other words, a configuration in which the device holder 170 is disposed between the second vent port 116 and the open / close door of the vacuum chamber 110 is preferable.

また、上述では、第２ベント工程終了時において、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放する際の気体の流れ、および基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態について説明したが、真空チャンバー１１０の開閉扉を開放した状態で行う第３ベント工程においても同様な状態を得ることができる。したがって、第３ベント工程においても、第２ベント工程と同様な効果を得ることができる。   In the above description, the gas flow and the state of falling dust (particles) on the substrate 10 at the time of opening the open / close door of the vacuum chamber 110 at the end of the second vent process have been described. A similar state can be obtained in the third venting step performed with the door opened. Therefore, the same effect as the second vent process can be obtained in the third vent process.

以上説明したように、第１ベント工程、第２ベント工程、および第３ベント工程を備えた一連の真空チャンバー１１０のベントを行うことにより、粉塵（パーティクル）が基板１０や真空チャンバー１１０内に付着することを防止すると共に、冷却効果をより高めることができ、真空チャンバー１１０内の冷却時間を短縮することができる。   As described above, dust (particles) adheres to the substrate 10 and the vacuum chamber 110 by venting the vacuum chamber 110 including the first vent process, the second vent process, and the third vent process. In addition, the cooling effect can be further enhanced, and the cooling time in the vacuum chamber 110 can be shortened.

図６は、真空蒸着装置１００の真空チャンバー１１０内において、デバイス保持具１７０に装着された基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態を示すグラフである。なお、図６における測定位置は、図２に示すＰ１〜Ｐ４の位置に対応している。即ち、デバイス保持具１７０上の略４等分に分割された位置に装着された基板１０について測定を行った結果である。なお、図６に示す落下塵（パーティクル）の状態とは、ベント工程終了後の、デバイス保持具１７０に装着された基板１０上に付着した落下塵（パーティクル）の数をカウントした値であり、測定位置（Ｐ１〜Ｐ４）ごとに４枚の基板１０を測定した平均値を示している。また、図６では、基板１０上の落下塵（パーティクル）の状態について、比較例として従来のベント工程の後と、本実施形態の第２ベント工程の後との対比を行っている。   FIG. 6 is a graph showing the state of falling particles (particles) on the substrate 10 mounted on the device holder 170 in the vacuum chamber 110 of the vacuum deposition apparatus 100. Note that the measurement positions in FIG. 6 correspond to the positions P1 to P4 shown in FIG. In other words, it is a result of measurement performed on the substrate 10 mounted on the device holder 170 at a position divided into approximately four equal parts. The state of falling dust (particles) shown in FIG. 6 is a value obtained by counting the number of falling dust (particles) attached to the substrate 10 attached to the device holder 170 after the end of the venting process. The average value which measured the four board | substrates 10 for every measurement position (P1-P4) is shown. In FIG. 6, as a comparative example, the state of dust (particles) falling on the substrate 10 is compared between the conventional vent process and the second vent process of the present embodiment.

図６に示されているように、基板１０上の落下塵（パーティクル）の個数は、どの測定位置（Ｐ１〜Ｐ４）においても、比較例に対し本実施形態の方が少なくなっている。同図に示す実施形態では比較例に対し、基板１０上の落下塵（パーティクル）の個数は、１／２から１／１０に減少しており、明らかな削減効果がみられる。   As shown in FIG. 6, the number of dust particles (particles) on the substrate 10 is smaller in the present embodiment than in the comparative example at any measurement position (P1 to P4). In the embodiment shown in the figure, the number of dust particles (particles) on the substrate 10 is reduced from 1/2 to 1/10 as compared with the comparative example, and an obvious reduction effect is seen.

このような工程による真空チャンバー１１０のベント工程によれば、第１ベント工程と、第１ベント工程に続く第２ベント工程および第３ベント工程を有している。そして、冷却効果を高めつつ、第２気体としてのドライエアー（クリーンエアー）によるチャンバー内を正圧にする第２ベント工程と、ドライエアーによる冷却効果の高い第３ベント工程とを組み合わせることにより、基板１０への粉塵（パーティクル）の付着を防止しつつ、効率的（短時間）にベントを行うことが可能となる。   According to the vent process of the vacuum chamber 110 by such a process, it has a 1st vent process and the 2nd vent process and 3rd vent process following a 1st vent process. And, by combining the second vent process that makes the inside of the chamber positive with dry air (clean air) as the second gas and the third vent process that has a high cooling effect by dry air while enhancing the cooling effect, It is possible to vent efficiently (for a short time) while preventing the adhesion of particles (particles) to the substrate 10.

また、上述した、第１ベント工程に続く第２ベント工程および第３ベント工程を有した真空チャンバー１１０のベント方法を適用した電子部品としての光学多層膜フィルターは、効率的（短時間）に製造されると共に、粉塵（パーティクル）の付着が減少している。なお、上述のように第１ベント工程に続く第２ベント工程および第３ベント工程を有した真空チャンバー１１０のベント方法を適用することが可能な電子部品としては、光学ローパスフィルター、水晶振動素子、半導体回路素子、加速度センサー素子、ジャイロセンサー素子などが挙げられる。   Moreover, the optical multilayer filter as an electronic component to which the above-described vent method for the vacuum chamber 110 having the second vent process and the third vent process following the first vent process is manufactured efficiently (in a short time). In addition, the adhesion of dust (particles) is reduced. As described above, the electronic components to which the venting method of the vacuum chamber 110 having the second vent process and the third vent process following the first vent process can be applied include an optical low-pass filter, a crystal resonator element, A semiconductor circuit element, an acceleration sensor element, a gyro sensor element, etc. are mentioned.

また、上述では、真空装置として真空蒸着装置１００を例に説明したが、真空装置は真空蒸着装置１００に限らず、例えば、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、化学蒸着（CVD: chemical vapor deposition）装置などを挙げることができる。   In the above description, the vacuum deposition apparatus 100 has been described as an example of the vacuum apparatus. However, the vacuum apparatus is not limited to the vacuum deposition apparatus 100. For example, a sputtering apparatus, a dry etching apparatus, a chemical vapor deposition (CVD) apparatus, and the like. Can be mentioned.

１０…基板、１２…成膜治具、５１…本体、５２…開口窓、１００…真空蒸着装置、１１０…真空チャンバー、１１１…排気口、１１５…第１ベント口、１１６…第２ベント口、１３０…蒸着源、１３１…ルツボ、１３２…ヒーター、１３３…保持容器、１３４…蒸着材料、１５０…防着容器、１５１…開口部、１６０…シャッター、１６１…回転軸、１６２…モーター、１７０…デバイス保持具、１７１…回転軸、１７２…モーター、１８０…第１バルブ、１８１…レギュレーター（減圧弁）、１８２…空気溜め器、１８５…第２バルブ、１８６…空気圧縮機、１８７…レギュレーター（減圧弁）、１８８…圧力計、１８９…フィルター。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 12 ... Film-forming jig | tool, 51 ... Main body, 52 ... Opening window, 100 ... Vacuum evaporation apparatus, 110 ... Vacuum chamber, 111 ... Exhaust port, 115 ... 1st vent port, 116 ... 2nd vent port, DESCRIPTION OF SYMBOLS 130 ... Deposition source, 131 ... Crucible, 132 ... Heater, 133 ... Holding container, 134 ... Deposition material, 150 ... Deposition container, 151 ... Opening, 160 ... Shutter, 161 ... Rotating shaft, 162 ... Motor, 170 ... Device 171 ... Rotary shaft, 172 ... Motor, 180 ... First valve, 181 ... Regulator (pressure reducing valve), 182 ... Air reservoir, 185 ... Second valve, 186 ... Air compressor, 187 ... Regulator (pressure reducing valve) 188 ... Pressure gauge, 189 ... Filter.

Claims (6)

チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、
前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、
を含んでいることを特徴とする真空装置のベント方法。 A first vent step for introducing a first gas into the chamber;
A second vent step for introducing a second gas having a pressure higher than the pressure of the first gas into the chamber after the first vent step;
A method for venting a vacuum apparatus, comprising: 前記第２ベント工程では、前記チャンバー内の気圧が、１．０気圧を超え１．２気圧以下となるまでベントを行うことを特徴とする請求項１に記載の真空装置のベント方法。   The method for venting a vacuum apparatus according to claim 1, wherein, in the second venting step, venting is performed until an atmospheric pressure in the chamber exceeds 1.0 atm and becomes 1.2 atm or less. 前記第２ベント工程における前記ベントは、前記チャンバー内の圧力が０．１気圧以上０．９気圧以下の圧力になったら開始されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空装置のベント方法。   3. The vacuum according to claim 1, wherein the vent in the second vent step is started when the pressure in the chamber reaches a pressure of 0.1 atm or more and 0.9 atm or less. How to vent the device. 前記第２ベント工程の後に、前記第２気体を前記チャンバー内に導入する第３ベント工程を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の真空装置のベント方法。   4. The vacuum device according to claim 1, further comprising a third vent step for introducing the second gas into the chamber after the second vent step. 5. Vent method. チャンバー内に第１気体を導入する第１ベント工程と、
前記第１ベント工程の後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ベント工程と、を含んでいる真空装置のベント方法を含み製造されていることを特徴とする電子部品。 A first vent step for introducing a first gas into the chamber;
After the first venting step, the second venting step of introducing a second gas having a pressure higher than the pressure of the first gas into the chamber is manufactured. Electronic parts characterized by チャンバー内に第１気体を導入する第１ポートと、
前記第１気体の導入後、前記第１気体の圧力より高い圧力の第２気体を前記チャンバー内に導入する第２ポートと、
が備えられていることを特徴とする真空装置。 A first port for introducing a first gas into the chamber;
A second port for introducing a second gas having a pressure higher than the pressure of the first gas into the chamber after the introduction of the first gas;
A vacuum apparatus comprising:
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466120A (en) * 1990-07-05 1992-03-02 Kobe Steel Ltd Venting method for vacuum vessel
JPH04352326A (en) * 1991-05-29 1992-12-07 Tokyo Electron Ltd Fine processing device
JPH0631154A (en) * 1992-07-21 1994-02-08 Hitachi Ltd Vacuum device
JPH06256948A (en) * 1993-03-09 1994-09-13 Hitachi Ltd Vacuum treating device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466120A (en) * 1990-07-05 1992-03-02 Kobe Steel Ltd Venting method for vacuum vessel
JPH04352326A (en) * 1991-05-29 1992-12-07 Tokyo Electron Ltd Fine processing device
JPH0631154A (en) * 1992-07-21 1994-02-08 Hitachi Ltd Vacuum device
JPH06256948A (en) * 1993-03-09 1994-09-13 Hitachi Ltd Vacuum treating device

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