JP2015153630A - Charged particle beam irradiation device and charged particle beam axis adjustment method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、走査電子顕微鏡、電子線微小部分析装置等の分析装置・観察装置や、電子ビーム描画装置、電子ビーム加工機、イオンビーム微細加工装置等の加工装置など、電子ビームやイオンビームなどの荷電粒子を利用する各種装置において荷電粒子ビームを試料等の対象物に照射する荷電粒子ビーム照射装置、及び、そうした荷電粒子ビーム照射装置において荷電粒子ビームの光軸を調整する軸調整方法に関する。 The present invention includes an electron beam, an ion beam, etc., such as a scanning electron microscope, an analysis device / observation device such as an electron beam microanalyzer, an electron beam drawing device, an electron beam processing machine, an ion beam micromachining device, etc. The present invention relates to a charged particle beam irradiation apparatus for irradiating an object such as a sample with a charged particle beam in various apparatuses using charged particles, and an axis adjustment method for adjusting the optical axis of the charged particle beam in such a charged particle beam irradiation apparatus.
特許文献1には、このような荷電粒子ビーム照射装置とその軸調整方法が開示されている。図4に、従来の荷電粒子ビーム照射装置の概略構成図を示す。図4に示す荷電粒子ビーム照射装置400は、荷電粒子ビームとして電子ビームを試料に照射する装置であり、電子ビームEを射出する電子銃で成るビーム源401と電子ビームが照射される試料ステージ409上に設置された試料408との間に、それらビーム源401と試料408とを結ぶ軸Cに沿って、第1アパーチャ板414、第1集束レンズ419、X方向、Y方向偏向器421、422から成るビーム偏向部402、第2集束レンズ403、第2アパーチャ板405、走査コイル406、及び対物レンズ407を備えている。また、これら各部を制御するための、制御部410、レンズ電源部411、偏向電源部412、ビーム走査電源部413、二次電子計測部415、画像処理部416、操作部417、及び表示部418を備えている。ビーム源401から射出され、第1アパーチャ板414を通過した電子ビームは、第1集束レンズ419で集束され、ビーム偏向部402により第2集束レンズ403のアパーチャ板(コンデンサ用アパーチャ板)403aの第1開口部430を通過するように調整される。第2集束レンズ403を通過した集束電子ビームは第2アパーチャ板405を通過した後、走査コイル406により試料408上を走査するように偏向される。その後、対物レンズ407により試料408の表面上に集束される。
Patent Document 1 discloses such a charged particle beam irradiation apparatus and its axis adjustment method. FIG. 4 shows a schematic configuration diagram of a conventional charged particle beam irradiation apparatus. A charged particle
このような荷電粒子ビーム照射装置において、ビーム源401の電子ビームが射出される位置、第2集束レンズ403の電子ビームの通過領域を制限するコンデンサ用アパーチャ板403aの第1開口部430の中心位置、第2アパーチャ板405の第2開口部450の中心位置、及び対物レンズ407の中心位置がいずれも一直線上にあって、これらの位置が動かないものであれば理想的である。しかし、実際には、各位置のずれが全くないように各構成要素を配置することは困難であり、また、理想的な配置をしたとしても、装置に加わる衝撃や振動などによって各位置のずれが生じてしまう。このような荷電粒子ビーム照射装置において、微小径の荷電粒子ビームを試料や加工物上の所定位置に正確に照射するためには、荷電粒子ビームがビーム源401から試料408に進む際に通過する軌道を軸Cと合わせる調整(以下、軸調整と呼ぶ)を高精度に行っておく必要がある。
In such a charged particle beam irradiation apparatus, the center position of the
従来の荷電粒子ビーム照射装置400における荷電粒子ビームの軸調整は、次のように行われていた。まず、軸調整用試料408aを試料ステージ409上に載置する。軸調整用試料408aは、荷電粒子ビームが照射された際に二次電子を放出する試料であり、例えば、酸化ジルコニウムが用いられる。
The axis adjustment of the charged particle beam in the conventional charged particle
次に、ビーム源401から電子ビームを射出し、第1集束レンズ419を調整して該電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403aの第1開口部430に集束させる。制御部410は、偏向電源部412に走査信号を与え、ビーム偏向部402のX方向、Y方向偏向器421、422を用いて電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403a上で走査する。電子ビームが第1開口部430を通過した場合には、電子ビームが軸調整用試料408aに入射し、そこから二次電子が放出されるが、電子ビームがコンデンサ用アパーチャ板403aで遮蔽された場合には軸調整用試料408aから二次電子が放出されない。
Next, an electron beam is emitted from the
二次電子計測部415は電子ビームの各走査位置において、軸調整用試料408aから放出される二次電子を検出する。画像処理部416は、制御部410が有する電子ビームの走査位置の情報と二次電子計測部415が検出した二次電子の情報からアパーチャ像を作成し、表示部418に該アパーチャ像を表示する。
The secondary
アパーチャ像の一例を図5に示す。図5において、枠線57は電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403a上で走査させた範囲を示す。十字で示された走査中心位置56はビーム偏向部402が電子ビームをコンデンサ用アパーチャ板403a上で走査させた範囲の中心に相当し、アパーチャ像の円形パターン55は、電子ビームが軸調整用試料408aに入射する範囲、つまり、第1開口部430を通過した領域に相当する。走査中心位置56と円形パターン55の中心位置のずれは、電子ビームが軸Cからずれていることを反映している。
An example of the aperture image is shown in FIG. In FIG. 5, a
ユーザは表示部418の画面に表示されたアパーチャ像を見ながら、図6のようにアパーチャ像の円形パターン55の中心が、十字で表示された走査中心位置56に来るように、操作部417を用いてアパーチャ像を移動させる。制御部410は、このような画像上の操作による移動量のデータから走査中心位置56に対応する電子ビームの偏向方向を決定すると共に、該偏向方向が走査範囲の中心と対応するようにX方向、Y方向偏向器421、422への供給電流等の制御パラメータを調整する。
While viewing the aperture image displayed on the screen of the
このような手順で行われる従来の荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整は、軸調整用試料408aを試料ステージ409上に載置したり、制御パラメータを調整するためにユーザが表示部418の画面を見ながら手動で画像を操作したりする必要があるなど、操作性が悪い。また、軸調整用試料408aおよびユーザ依存の調整であるため、荷電粒子ビームの軸調整の精度は調整毎にばらついてしまう。
The charged particle beam axis adjustment in the conventional charged particle beam irradiation apparatus performed in such a procedure is performed by the user in order to place the
本発明は上記の点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、荷電粒子ビーム照射装置における荷電粒子ビームの軸調整の操作性を向上し、また、その精度を向上させることにある。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to improve the operability of the axis adjustment of the charged particle beam in the charged particle beam irradiation apparatus and to improve the accuracy thereof. It is in.
上記課題を解決するために成された本発明に係る荷電粒子ビーム照射装置は、
a)荷電粒子ビームを射出するビーム源と、
b)開口部を有するアパーチャ板と、
c)前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向部と、
d)前記アパーチャ板上で前記開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを前記偏向部に走査させる制御部と、
e)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に挿入可能に設けられ、且つ、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出部と、
f)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出部と、
g)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する補正部と、
を備える。
The charged particle beam irradiation apparatus according to the present invention, which has been made to solve the above problems,
a) a beam source for emitting a charged particle beam;
b) an aperture plate having an opening;
c) a deflection unit for deflecting the charged particle beam;
d) a control unit that causes the deflection unit to scan the charged particle beam in a scanning range that is wider than the opening on the aperture plate;
e) a detection unit provided so as to be insertable on an axis passing through the center of the beam source and the opening, and detecting the passing of the deflected charged particle beam through the opening;
f) a beam position extraction unit that obtains the position of the center of gravity of the charged particle region that has passed through the opening in the scanning range;
g) a correction unit that determines an amount of current to be supplied to the deflecting unit, wherein the position of the center of gravity is the center of the scanning range;
Is provided.
また、上記課題を解決するために成された本発明に係る荷電粒子ビーム軸調整方法は、
a)ビーム源から荷電粒子ビームを射出する射出ステップと、
b)アパーチャ板上で該アパーチャ板が有する開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを走査させるように偏向部に前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向ステップと、
c)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に検出部を挿入し、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出ステップと、
d)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出ステップと、
e)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する決定ステップと、
を備える。
Further, the charged particle beam axis adjusting method according to the present invention, which has been made to solve the above problems,
a) an injection step of emitting a charged particle beam from a beam source;
b) a deflection step for deflecting the charged particle beam on the aperture plate so that the charged particle beam is scanned in a scanning range that is wider than the aperture of the aperture plate;
c) a detection step of inserting a detector on an axis passing through the center of the beam source and the opening, and detecting the passing of the deflected charged particle beam through the opening;
d) a beam position extraction step for obtaining a gravity center position of a charged particle region that has passed through the opening in the scanning range;
e) a determination step of determining an amount of current to be supplied to the deflection unit, wherein the position of the center of gravity is the center of the scanning range;
Is provided.
前記重心位置は、前記開口部を通過した荷電粒子の領域における前記検出部による測定値を重みとした、前記走査範囲の中心を原点とする前記走査範囲の走査位置の加重平均(重み付き平均)を計算して求める構成にしてもよい。ここで、前記検出部がファラデーカップを備え、該ファラデーカップで検出されたビーム電流量(荷電粒子ビームの絶対強度)を測定値として用いてもよいし、該ファラデーカップで検出されたビーム電流量の所定の電流との差(荷電粒子ビームの相対強度)を測定値として用いてもよい。 The center-of-gravity position is a weighted average (weighted average) of the scanning positions of the scanning range with the center of the scanning range as the origin, with the measurement value by the detection unit in the charged particle region that has passed through the opening as a weight. You may make it the structure which calculates | requires and calculates | requires. Here, the detection unit may include a Faraday cup, and a beam current amount (absolute intensity of the charged particle beam) detected by the Faraday cup may be used as a measurement value, or a beam current amount detected by the Faraday cup. The difference from the predetermined current (relative intensity of the charged particle beam) may be used as a measured value.
本発明に係る荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法によれば、試料やユーザに依らず荷電粒子ビームの軸調整を行うことができるため、荷電粒子ビームの軸調整の操作性を向上し、またその精度を向上させることができる。 According to the charged particle beam irradiation apparatus and the charged particle beam axis adjusting method according to the present invention, the charged particle beam axis can be adjusted regardless of the sample or the user, so that the operability of the charged particle beam axis adjustment is improved. In addition, the accuracy can be improved.
以下、本発明を実施するための形態を図1〜図3を参照しつつ実施例を用いて説明する。 Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated using an Example, referring FIGS. 1-3.
本実施例の荷電粒子ビーム照射装置100の概略構成図を図1に示す。図1に示す荷電粒子ビーム照射装置100は、荷電粒子ビームとして電子ビームを試料に照射する装置であり、電子ビームEを射出する電子銃で成るビーム源101と電子ビームが照射される試料ステージ109上に設置された試料108との間に、それらビーム源101と試料108とを結ぶ軸Cに沿って、第1アパーチャ板114、第1集束レンズ119、X方向、Y方向偏向器121、122から成るビーム偏向部102、第2集束レンズ103、検出部140、第2アパーチャ板105、走査コイル106、及び対物レンズ107を備えている。また、これら各部を制御するための、制御部110、レンズ電源部111、偏向電源部112、ビーム走査電源部113、操作部117、ビーム位置抽出部141、及び補正部142を備えている。
A schematic configuration diagram of the charged particle
本実施例の荷電粒子ビーム照射装置100は、検出部140、ビーム位置抽出部141、及び補正部142を用いて、荷電粒子ビームの軸調整を行う構成であることに特徴を有している。検出部140がファラデーカップを備え、このファラデーカップが、コンデンサ用アパーチャ板103aを有する第2集束レンズ103と第2アパーチャ板105の間に、ビーム源101と試料108とを結ぶ軸Cから外れた位置140aから軸C上に挿入可能に設けられている場合を説明する。
The charged particle
ここで、「軸C」は、ビーム源101から電子ビームが射出される位置と、ビーム源101の直下であって、電子ビームが何ら外乱を受けなかった場合に試料108上に到達する位置とを結ぶものである。また、「ファラデーカップ」は金属製のカップであって、その金属の部分に荷電粒子ビームが当たると、金属には電荷が蓄積される。ファラデーカップに電流計を接続すると、金属の部分に当たった荷電粒子の数に応じた電流が流れるため、ファラデーカップを備える検出部140は、電流値として荷電粒子ビームの強度を検出することができる。
Here, “axis C” is a position at which the electron beam is emitted from the
荷電粒子ビームの軸調整は、試料の測定前に予め行っておくものであり、以下、この軸調整の手順を図2を参照して説明する。 The axis adjustment of the charged particle beam is performed in advance before the measurement of the sample, and the procedure of this axis adjustment will be described below with reference to FIG.
まず、ユーザが操作部117を構成するマウスやキーボード等を操作して軸調整を荷電粒子ビーム照射装置100に指示する。荷電粒子ビーム照射装置100の制御部110が、この指示を受け取ると、制御部110は、図示しないモータ等の動力源を制御して、ファラデーカップで成る検出部140をコンデンサ用アパーチャ板103aの下であって、ビーム源101とコンデンサ用アパーチャ板103aの第1開口部130の中心を通る軸(軸C)上に移動させる。また、ビーム源101は、電子ビームEを射出する(ステップS21)。
First, the user operates the mouse, keyboard, or the like constituting the
次に、制御部110は第1集束レンズ119を調整する信号をレンズ電源部111に送り、レンズ電源部111は第1集束レンズ119に制御電流を供給する。第1集束レンズ119は、制御電流に従って、電子ビームEを第1開口部130近傍に集束させる。
Next, the
制御部110は、X方向、Y方向偏向器121、122による電子ビームEの偏向方向を変える走査信号を偏向電源部112に与える。偏向電源部112は走査信号に従って所定の電流をX方向、Y方向偏向器121、122に供給する。供給された制御電流の量に応じて、偏向器121は電子ビームEをX方向に偏向し、偏向器122は電子ビームEをY方向に偏向する(ステップS22)。ここで、X方向及びY方向は、軸Cと直交する面(X−Y面)内の方向である。走査信号は、このように電子ビームEをX方向及びY方向に偏向させ、電子ビームEをX−Y面内で第1開口部130よりも広い走査範囲に亘って走査させるものである。一例として、第1開口部130が直径25μmの円である場合、X方向に80μm、Y方向に80μmの正方形の範囲を走査範囲にすることができる。
The
電子ビームEを第1開口部130近傍に集束させた場合における、該第1開口部130近傍の拡大図を図3(a)及び図3(b)に示す。電子ビームEを図3(a)のように、第1開口部130が形成されたX−Y面内に集束させると、電子ビームEで照射されるX−Y面の範囲Rは、電子ビームEをコンデンサ用アパーチャ板103a上で走査させた範囲Sと同じ範囲になるため、軸調整の微調整ができる。一方、電子ビームEを集束させる位置を、図3(b)のように、X−Y面から軸Cに沿った電子ビームの進行方向である+Z方向に数μm程度ずらした位置にすると、電子ビームEで照射されるX−Y面の範囲R’は、電子ビームEをコンデンサ用アパーチャ板103a上で走査させた範囲Sより広い範囲になるため、軸調整の粗調整ができる。
3A and 3B are enlarged views of the vicinity of the
上述の走査範囲の中心を原点とした座標で上述の走査範囲を表すと、走査範囲はX方向に±40μm、Y方向に±40μmの正方形の範囲となる。この範囲において、電子ビームEが第1開口部130を通過する領域が全くないか一部の領域だけとなる場合は軸ずれが大きい。この場合、例えば、走査範囲をX方向に±120μm、Y方向に±120μmの正方形の範囲に拡げて粗調整を行い、第1開口部130の全領域が走査範囲内に収まるような電子ビームEの偏向方向を把握する。該偏向方向を次に行う走査範囲の中心に対応させた後、X方向、Y方向偏向器121、122への供給電流等の制御パラメータを調整する微調整を行う。以下では、微調整を行う場合を説明する。
If the above-mentioned scanning range is expressed by coordinates with the center of the above-mentioned scanning range as the origin, the scanning range is a square range of ± 40 μm in the X direction and ± 40 μm in the Y direction. In this range, when there is no region where the electron beam E passes through the
コンデンサ用アパーチャ板103aの下であって軸C上に移動されたファラデーカップを備える検出部140は、X方向、Y方向偏向器121、122によって偏向された電子ビームEの強度に応じた電流値を出力する。これにより、走査範囲内の各偏向方向について、電子ビームEの第1開口部130の通過を検出する(ステップS23)。電子ビームEがコンデンサ用アパーチャ板103aによって遮蔽されると電流値は小さくなるが、電子ビームEが第1開口部130を通過すると電流値は大きくなる。
The
次に、ビーム位置抽出部141は、検出部140による測定値の情報と、制御部110が把握する走査位置の情報を取得し、検出部140による測定値を重みとした、走査範囲の中心を原点とする走査位置の加重平均(重み付き平均)を計算して、第1開口部130を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求める(ステップS24)。すなわち、iを測定値が得られた全ての走査位置に割り当てられた変数、走査範囲の中心を原点として、測定値が得られた走査位置をx座標についてTxi[μm]、y座標についてTyi[μm]、測定値をIiとすると、重心位置のx座標の位置Tcxおよびy座標の位置Tcyは、それぞれ、Tcx=Σ(Ii×Txi)/ΣIi、Tcy=Σ(Ii×Tyi)/ΣIiを計算して求める。ここで、ファラデーカップで検出されたビーム電流量(荷電粒子ビームの絶対強度)を測定値として用いてもよいし、ファラデーカップで検出されたビーム電流量の所定の電流との差(荷電粒子ビームの相対強度)を測定値として用いてもよい。
Next, the beam
補正部142は、ステップS24で求めた重心位置が走査範囲の中心となる、偏向部102が備えるX方向、Y方向偏向器121、122に供給する電流量を決定する(ステップS25)。これにより、第1開口部130を通過した荷電粒子の領域の重心位置が、走査範囲の中心(原点)になり、荷電粒子ビームの軸調整が終了する。
The
このように、本実施例の荷電粒子ビーム照射装置及び荷電粒子ビーム軸調整方法によれば、荷電粒子ビームの軸調整が、試料やユーザに依らず調整毎にばらつくことなく行えるため、荷電粒子ビームの軸調整の精度を向上させることができる。また、ビーム位置抽出部が強度の二次元空間分布の重心位置を定量的に求めるため、定量的な調整も可能である。さらに、本実施例の荷電粒子ビーム照射装置が、従来はユーザが手動で行っていた操作を行うため、操作性が向上する。 As described above, according to the charged particle beam irradiation apparatus and the charged particle beam axis adjusting method of the present embodiment, the charged particle beam axis adjustment can be performed without variation for each adjustment regardless of the sample and the user. The accuracy of the axis adjustment can be improved. Further, since the beam position extraction unit quantitatively obtains the position of the center of gravity of the intensity two-dimensional spatial distribution, quantitative adjustment is also possible. Furthermore, since the charged particle beam irradiation apparatus according to the present embodiment performs an operation that is conventionally performed manually by a user, the operability is improved.
本実施例では、荷電粒子ビームとして電子ビームを用いる場合を説明したが、本発明はこれに限られず、イオンビームなど、電荷を有し、その偏向方向を偏向器によって変えることができるものであれば、どのような荷電粒子ビームを用いてもよい。 In this embodiment, the case where an electron beam is used as the charged particle beam has been described. However, the present invention is not limited to this, and any ion beam or the like that has a charge and whose deflection direction can be changed by a deflector. Any charged particle beam may be used.
55…円形パターン
56…走査中心位置
57…枠線
100、400…荷電粒子ビーム照射装置
101、401…ビーム源
102、402…ビーム偏向部
103、403…集束レンズ
103a、403a…コンデンサ用アパーチャ板
105、405…第2アパーチャ板
106、406…走査コイル
107、407…対物レンズ
108、408…試料
109、409…試料ステージ
110、410…制御部
111、411…レンズ電源部
112、412…偏向電源部
113、413…ビーム走査電源部
114、414…第1アパーチャ板
117、417…操作部
119、419…集束レンズ
121、122、421、422…偏向器
130、430…第1開口部
140…検出部
141…ビーム位置抽出部
142…補正部
150、450…第2開口部
415…二次電子計測部
416…画像処理部
418…表示部
55 ...
Claims (6)
b)開口部を有するアパーチャ板と、
c)前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向部と、
d)前記アパーチャ板上で前記開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを前記偏向部に走査させる制御部と、
e)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に挿入可能に設けられ、且つ、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出部と、
f)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出部と、
g)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する補正部と、
を備える、荷電粒子ビーム照射装置。 a) a beam source for emitting a charged particle beam;
b) an aperture plate having an opening;
c) a deflection unit for deflecting the charged particle beam;
d) a control unit that causes the deflection unit to scan the charged particle beam in a scanning range that is wider than the opening on the aperture plate;
e) a detection unit provided so as to be insertable on an axis passing through the center of the beam source and the opening, and detecting the passing of the deflected charged particle beam through the opening;
f) a beam position extraction unit that obtains the position of the center of gravity of the charged particle region that has passed through the opening in the scanning range;
g) a correction unit that determines an amount of current to be supplied to the deflecting unit, wherein the position of the center of gravity is the center of the scanning range;
A charged particle beam irradiation apparatus comprising:
b)アパーチャ板上で該アパーチャ板が有する開口部よりも広い範囲である走査範囲において前記荷電粒子ビームを走査させるように偏向部に前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向ステップと、
c)前記ビーム源と前記開口部の中心を通る軸上に検出部を挿入し、偏向された前記荷電粒子ビームの前記開口部の通過を検出する検出ステップと、
d)前記走査範囲における、前記開口部を通過した荷電粒子の領域の重心位置を求めるビーム位置抽出ステップと、
e)前記重心位置が前記走査範囲の中心となる、前記偏向部に供給する電流量を決定する決定ステップと、
を備える、荷電粒子ビーム軸調整方法。 a) an injection step of emitting a charged particle beam from a beam source;
b) a deflection step for deflecting the charged particle beam on the aperture plate so that the charged particle beam is scanned in a scanning range that is wider than the aperture of the aperture plate;
c) a detection step of inserting a detector on an axis passing through the center of the beam source and the opening, and detecting the passing of the deflected charged particle beam through the opening;
d) a beam position extraction step for obtaining a gravity center position of a charged particle region that has passed through the opening in the scanning range;
e) a determination step of determining an amount of current to be supplied to the deflection unit, wherein the position of the center of gravity is the center of the scanning range;
A charged particle beam axis adjusting method comprising:
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