JP2010183004A - Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device - Google Patents

Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device Download PDF

Info

Publication number
JP2010183004A
JP2010183004A JP2009027363A JP2009027363A JP2010183004A JP 2010183004 A JP2010183004 A JP 2010183004A JP 2009027363 A JP2009027363 A JP 2009027363A JP 2009027363 A JP2009027363 A JP 2009027363A JP 2010183004 A JP2010183004 A JP 2010183004A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charged particle
aperture
shaping
electron
deviation information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009027363A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fusao Miyamoto
房雄 宮本
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
株式会社ニューフレアテクノロジー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc, 株式会社ニューフレアテクノロジー filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2009027363A priority Critical patent/JP2010183004A/en
Publication of JP2010183004A publication Critical patent/JP2010183004A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam drawing device and a charged particle beam drawing method which can automatically adjust the current density distribution during drawing. <P>SOLUTION: In the charged particle beam drawing method, a charged particle beam is emitted from a charged particle gun; the charged particle beam is subjected to first shaping through a first aperture; the charged particle beam subjected to the first shaping is emitted to one of the edges of a second aperture with a predetermined area to conduct second shaping; the current value of the charged particle beam subjected to the second shaping is measured; displacement information on the center position of the charged particle beam is obtained from current values determined; by conducting the second shaping and the measurement of current values similarly on the multiple edges; and then alignment is adjusted, based on the displacement information. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えばマスクパターンの形成などに用いられる荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置に関する。   The present invention relates to a charged particle beam drawing method and a charged particle beam drawing apparatus used for forming a mask pattern, for example.
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、LSI等のマスクパターンの微細化が要求されている。そして、この微細なマスクパターンの形成に、優れた解像度を有する荷電粒子ビーム描画装置が利用されている。このような荷電粒子ビーム描画装置には、例えば荷電粒子銃としてカソードフィラメントを用いた熱電子放射型などの電子銃が用いられる。この場合、熱電子放射型の電子銃により、フィラメント電力によりカソードを加熱することにより電子が放出される。そして、放出された電子をバイアス電圧により集束し、加速電圧により加速させる。このようにして電子ビームが形成され、アパーチャ、偏向器などの光学系を経て試料に照射され、所定の電流密度でパターンの描画が行われる(例えば特許文献1など参照)。   In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, miniaturization of mask patterns such as LSIs has been required. A charged particle beam drawing apparatus having an excellent resolution is used for forming this fine mask pattern. In such a charged particle beam drawing apparatus, for example, a thermionic emission type electron gun using a cathode filament as a charged particle gun is used. In this case, electrons are emitted by heating the cathode with filament power using a thermionic emission electron gun. Then, the emitted electrons are focused by a bias voltage and accelerated by an acceleration voltage. Thus, an electron beam is formed, irradiated onto the sample through an optical system such as an aperture and a deflector, and a pattern is drawn at a predetermined current density (see, for example, Patent Document 1).
このような電子ビームにおいて、電流密度分布の変動は、描画精度を劣化させる一因となる。そこで、通常、定期的に電流密度分布の測定を行い、均一性が劣化すると警告を発し、補正するなどの手法が採られている。   In such an electron beam, fluctuations in the current density distribution contribute to deterioration of the drawing accuracy. Therefore, a method is usually employed in which the current density distribution is periodically measured, a warning is issued when the uniformity deteriorates, and correction is performed.
特開平5−166481号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-166481
半導体デバイスのさらなる微細化に伴い、電流密度分布の変動をより抑える必要が生じる。あるいは、描画装置の光学系の距離を短くした場合などにおいても、照射分布の変動が試料上での大きな電流密度分布の変動となる。このような場合、電流密度分布の調整頻度を上げる必要がある。しかしながら、電流密度分布の測定には、電子ビームの照射位置を移動させながら、アパーチャに別途形成された微小な穴を通して、マトリックス状に多数のポイントにおける電流値を測定することが必要である。従って、描画中に電流密度分布を測定し、調整を行うことは困難である。   With further miniaturization of semiconductor devices, it is necessary to further suppress fluctuations in current density distribution. Alternatively, even when the distance of the optical system of the drawing apparatus is shortened, the variation in the irradiation distribution becomes a large variation in the current density distribution on the sample. In such a case, it is necessary to increase the adjustment frequency of the current density distribution. However, to measure the current density distribution, it is necessary to measure current values at a large number of points in a matrix through minute holes separately formed in the aperture while moving the irradiation position of the electron beam. Therefore, it is difficult to measure and adjust the current density distribution during drawing.
そこで、本発明は、電流密度分布の自動調整を行いながら描画を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画方法、および描画中の電流密度分布の自動調整が可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a charged particle beam drawing method capable of performing drawing while automatically adjusting the current density distribution, and a charged particle beam drawing apparatus capable of automatically adjusting the current density distribution during drawing. With the goal.
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子銃より荷電粒子ビームを照射し、荷電粒子ビームを第1のアパーチャで第1の成形を行い、第1の成形がなされた荷電粒子ビームを、第2のアパーチャのエッジのいずれかに所定の面積がかかるように照射することにより第2の成形を行い、第2の成形がなされた荷電粒子ビームの電流値を測定し、第2の成形および電流値の測定を、複数のエッジについて同様に行うことにより得られた各電流値より、荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得し、ズレ情報に基づき、前記荷電粒子ビームのアライメント調整を行うことを特徴とするものである。   In the charged particle beam drawing method of one embodiment of the present invention, a charged particle beam is irradiated from a charged particle gun, the charged particle beam is subjected to a first shaping with a first aperture, and the charged particle beam subjected to the first shaping. The second shaping is performed by irradiating any one of the edges of the second aperture with a predetermined area, and the current value of the charged particle beam subjected to the second shaping is measured. The deviation information of the center position of the charged particle beam is obtained from each current value obtained by performing the shaping and the current value measurement similarly for a plurality of edges, and the alignment adjustment of the charged particle beam is performed based on the deviation information. It is characterized by performing.
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法において、各前記電流値が等しくなるように前記荷電粒子ビームのアライメント調整を行うことが好ましい。   In the charged particle beam writing method of one embodiment of the present invention, it is preferable to perform alignment adjustment of the charged particle beam so that the current values are equal.
また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法において、第2の成形において、荷電粒子ビームを2軸方向にスキャンし、スキャン位置に対応した電流値を測定し、測定された各電流値の変動より、ズレ情報を取得することが好ましい。このとき、さらにズレ情報に基づき、アライメント調整量を算出することが好ましい。   In the charged particle beam drawing method of one embodiment of the present invention, in the second shaping, the charged particle beam is scanned in two axial directions, a current value corresponding to the scan position is measured, and each measured current value is measured. It is preferable to acquire deviation information from fluctuation. At this time, it is preferable to further calculate the alignment adjustment amount based on the deviation information.
また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを照射する荷電粒子銃と、荷電粒子ビームのアライメント調整を行うアライナと、荷電粒子ビームを偏向させる偏向器と、荷電粒子ビームを成形する第1のアパーチャと、第1のアパーチャにより成形された荷電粒子ビームを成形する第2のアパーチャと、荷電粒子ビームが第2のアパーチのいずれかのエッジにかかるように照射されることにより成形された荷電粒子ビームの各電流値を測定する検出器と、測定された各電流値より荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得するズレ情報取得機構と、ズレ情報に基づきアライナの調整量を算出する調整量算出機構と、を備えることを特徴とするものである。   A charged particle beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes a charged particle gun that irradiates a charged particle beam, an aligner that performs alignment adjustment of the charged particle beam, a deflector that deflects the charged particle beam, and a charged particle beam. A first aperture that shapes the second particle, a second aperture that shapes the charged particle beam shaped by the first aperture, and the charged particle beam is irradiated so as to hit one of the edges of the second aperture A detector that measures each current value of the charged particle beam formed by the above, a deviation information acquisition mechanism that acquires deviation information of the center position of the charged particle beam from each measured current value, and alignment adjustment based on the deviation information And an adjustment amount calculation mechanism for calculating the amount.
本発明によれば、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法において、描画中の電流密度分布の自動調整が可能となる。   According to the present invention, in the charged particle beam drawing apparatus and the charged particle beam drawing method, the current density distribution during drawing can be automatically adjusted.
本発明の一態様の電子ビーム描画装置の概念図である。It is a conceptual diagram of the electron beam drawing apparatus of 1 aspect of this invention. 本発明の一態様におけるアライメント調整のフローチャートである。It is a flowchart of alignment adjustment in one mode of the present invention. 本発明の一態様におけるアパーチャの形状と照射位置を示す図である。It is a figure which shows the shape and irradiation position of the aperture in 1 aspect of this invention. 本発明の一態様における照射位置による電流値の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a current value depending on an irradiation position in one embodiment of the present invention. 本発明の一態様における照射位置による電流値の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a current value depending on an irradiation position in one embodiment of the present invention. 本発明の一態様における電子ビームの中心位置のずれを示す図である。It is a figure which shows the shift | offset | difference of the center position of the electron beam in 1 aspect of this invention. 本発明の一態様におけるアライメント調整のフローチャートである。It is a flowchart of alignment adjustment in one mode of the present invention. 本発明の一態様におけるアパーチャの形状と照射位置を示す図である。It is a figure which shows the shape and irradiation position of the aperture in 1 aspect of this invention. 本発明の一態様におけるスキャン量に対する電流値を示す図。FIG. 10 shows current values with respect to scan amounts in one embodiment of the present invention. 本発明の一態様におけるスキャン量に対する電流値を示す図。FIG. 10 shows current values with respect to scan amounts in one embodiment of the present invention. 本発明の一態様における電流値の変化量とスキャン位置の関係を示す図である。6 is a diagram illustrating a relationship between a change amount of a current value and a scan position in one embodiment of the present invention. 本発明の一態様における電子ビームの中心位置のずれを示す図である。It is a figure which shows the shift | offset | difference of the center position of the electron beam in 1 aspect of this invention.
以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施形態1)
図1に、本実施形態の荷電粒子ビーム描画装置である電子ビーム描画装置の概念図を示す。図1に示すように、電子ビーム10を照射する電子銃11の下方に、電子ビーム10を制御する制御系として、電子ビームのアライメント調整を行うアライナ12と、電子ビーム10を偏向させる偏向器13と、電子ビーム10を成形するアパーチャ14a、14bなどが配置されている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows a conceptual diagram of an electron beam drawing apparatus which is a charged particle beam drawing apparatus of the present embodiment. As shown in FIG. 1, an aligner 12 that adjusts the alignment of the electron beam and a deflector 13 that deflects the electron beam 10 are arranged below the electron gun 11 that irradiates the electron beam 10 as a control system that controls the electron beam 10. Apertures 14a and 14b for shaping the electron beam 10 are arranged.
アライナ12は、これを制御し、電源、アンプなどを備えるアライナドライバ22aと接続され、偏向器13は、これを制御する偏向器ドライバ23が接続されている。   The aligner 12 controls this and is connected to an aligner driver 22a having a power source, an amplifier, and the like, and the deflector 13 is connected to a deflector driver 23 that controls the aligner driver 22a.
ここで、上方のアパーチャ14aには、正方形の開口部が形成されている。下方のアパーチャ14bは、二組の平行なエッジを有し、さらにこれらのエッジと45°の角度を有する一組の平行なエッジと、これと垂直なエッジを有する開口部が形成されている。   Here, a square opening is formed in the upper aperture 14a. The lower aperture 14b has two sets of parallel edges, and further, an opening having a pair of parallel edges having an angle of 45 ° with these edges and an edge perpendicular thereto is formed.
これらから構成される制御系の下方には、さらに描画に供される試料15が載置されるステージ16が設置されている。ステージ15の下方には、二つのアパーチャ14a、14bを経て成形された電子ビーム10が照射され、電流を測定するためのファラデーカップ17aと、電流計17bを備える検出器17が設置されている。   A stage 16 on which a sample 15 to be used for drawing is further placed is placed below the control system composed of these. Below the stage 15, an electron beam 10 shaped through two apertures 14a and 14b is irradiated, and a Faraday cup 17a for measuring current and a detector 17 having an ammeter 17b are installed.
このような検出器17は、電子ビーム10の中心位置のズレ情報を取得するズレ情報取得機構18と接続されている。さらに、取得されたズレ情報に基づきアライナの調整量を算出する調整量算出機構19と接続されている。そして、調整量算出機構19は、アライナドライバ22と接続されている。   Such a detector 17 is connected to a deviation information acquisition mechanism 18 that acquires deviation information of the center position of the electron beam 10. Further, it is connected to an adjustment amount calculation mechanism 19 that calculates the adjustment amount of the aligner based on the acquired deviation information. The adjustment amount calculation mechanism 19 is connected to the aligner driver 22.
このような電子ビーム描画装置を用いて、試料15上に描画が行われる。先ず、電子銃11において、カソード(図示せず)より電子が放射され、制御、加速されることにより、電子ビーム10が照射される。   Drawing is performed on the sample 15 using such an electron beam drawing apparatus. First, in the electron gun 11, electrons are emitted from a cathode (not shown), and are controlled and accelerated to irradiate the electron beam 10.
照射された電子ビーム10は、先ず、アライナ12において、XY方向にアライメントが初期調整される。そして、アパーチャ14a、14bにより成形され、偏光器13において、位置が調整された後、ステージ16をXY方向に走査させ、載置された試料15上の所望の位置に照射されることにより、描画が行われる。   The alignment of the irradiated electron beam 10 is initially adjusted in the XY direction in the aligner 12. Then, after being shaped by the apertures 14a and 14b and adjusted in position by the polarizer 13, the stage 16 is scanned in the X and Y directions and irradiated to a desired position on the placed sample 15, thereby drawing. Is done.
描画が行われる間、例えば、所定時間毎にアライメント調整が行われる。   While drawing is performed, for example, alignment adjustment is performed every predetermined time.
図2にフローチャートを示すように、電子銃11より電子ビーム10が照射される(Step1−1)。このとき、アライナドライバ22により制御されたアライナ12により、XY方向にアライメントの初期調整が行われる。そして、アライメント調整が行われた電子ビーム10は、アパーチャ14aに照射される。アパーチャ14aにおいて、正方形に成形された電子ビーム10は、図3に示すように、偏向器ドライバ23により制御された偏向器13により、アパーチャ14bの二組の平行なエッジにその中心がかかるように、a、b、c、dの各位置に照射され、測定形状に成形される(Step1−2)。   As shown in the flowchart in FIG. 2, the electron gun 10 emits the electron beam 10 (Step 1-1). At this time, initial alignment adjustment is performed in the XY directions by the aligner 12 controlled by the aligner driver 22. Then, the electron beam 10 that has undergone the alignment adjustment is irradiated onto the aperture 14a. In the aperture 14a, the electron beam 10 formed into a square is centered on two parallel edges of the aperture 14b by the deflector 13 controlled by the deflector driver 23, as shown in FIG. , A, b, c, and d are irradiated to form a measurement shape (Step 1-2).
a、b、c、dの各位置に照射され、成形された電子ビームは、それぞれ検出器17において、ファラデーカップ17aに捕集され、電流計17bによりそれぞれの電流値が測定される(Step1−3)。このとき、電子ビームの中心位置がアパーチャ14aにおいて成形された正方形の中心(正しい位置)にある場合、図4に示すように、これらの電流値は、ほぼ等しくなる。   The electron beams irradiated and shaped at the respective positions a, b, c, and d are collected by the Faraday cup 17a by the detector 17, and the respective current values are measured by the ammeter 17b (Step1- 3). At this time, when the center position of the electron beam is at the center (correct position) of the square formed in the aperture 14a, these current values are substantially equal as shown in FIG.
しかしながら、中心からずれている場合、これらの電流値は、ばらつきが生じる。例えば、図5に示すように、aが大きく、cが小さくなっている場合、電子ビームの中心位置10cは、図6に示すように、アパーチャ14aにおいて成形された正方形においてずれている(10c’)ことになる。従って、これを矢印分補正する必要がある。   However, when the current value deviates from the center, these current values vary. For example, when a is large and c is small as shown in FIG. 5, the center position 10c of the electron beam is shifted in the square formed in the aperture 14a as shown in FIG. 6 (10c ′ ) Therefore, it is necessary to correct this for the arrow.
そこで、測定されたそれぞれの電流値の差がスペック内であるかどうかを判断する(Step1−4)。スペック内であれば、アライメント調整は行われない。一方、スペックを超えた場合、ズレ情報取得機構18において、ズレの方向やおよそのズレ量などのズレ情報が取得される(Step1−5)。   Therefore, it is determined whether or not the difference between the measured current values is within the specifications (Step 1-4). If it is within the specification, alignment adjustment is not performed. On the other hand, when the specification is exceeded, the shift information acquisition mechanism 18 acquires shift information such as the shift direction and the approximate shift amount (Step 1-5).
そして、そのズレ情報に基づき、調整量算出機構19において、アライナ12におけるXY制御のための電流の調整量が算出される(Step1−6)。さらに、算出された調整量によりアライナドライバ22によりアライナ12が制御され、アライメント調整が行われる(Step1−7)。   Based on the deviation information, the adjustment amount calculation mechanism 19 calculates the adjustment amount of the current for XY control in the aligner 12 (Step 1-6). Further, the aligner driver 22 controls the aligner 12 based on the calculated adjustment amount, and alignment adjustment is performed (Step 1-7).
このようにしてアライメント調整された電子ビームが、再度同様にアパーチャ14bのエッジにかかるように照射される(Step1−2)。そして、同様にして、電流値の差がスペック以内に抑えられたとき、終了する。   The electron beam thus adjusted in alignment is again irradiated so as to be applied to the edge of the aperture 14b (Step 1-2). Similarly, when the difference in current value is suppressed within the specification, the process ends.
このようにして、電子ビームをアパーチャにより4つの形状に成形し、それぞれの電流値を測定することにより、従来のように、多くの点における電流値を測定することなく、簡易にズレの有無を検出することができるとともに、ズレ情報を取得することが可能となる。従って、上述のように、描画中、所定時間毎に電子ビームのアライメント調整を行うことが可能となる。   In this way, the electron beam is shaped into four shapes by the aperture, and each current value is measured, so that it is possible to easily detect the deviation without measuring the current values at many points as in the past. In addition to being able to detect, it is possible to acquire deviation information. Therefore, as described above, the alignment adjustment of the electron beam can be performed every predetermined time during drawing.
本実施形態において、アパーチャ14bのエッジに、アパーチャ14aにより成形された電子ビームの対角線がかかるように成形されているが、それぞれの位置で同じ角度に回転した状態で成形されてもよい。例えば、45°回転させ、長方形となるように成形されてもよい。また、アパーチャ14bにおける二組の平行したエッジは、二軸方向に形成されていれば、必ずしも垂直でなくてもよい。   In the present embodiment, the edge of the aperture 14b is shaped so that the diagonal line of the electron beam shaped by the aperture 14a is applied, but it may be shaped in the state of being rotated to the same angle at each position. For example, it may be formed to be a rectangle by rotating 45 °. Further, the two sets of parallel edges in the aperture 14b do not necessarily have to be vertical as long as they are formed in two axial directions.
(実施形態2)
本実施形態において、実施形態1と同様の装置により、同様に描画中に電子ビームの中心位置のズレを調整するが、上方のアパーチャで成形された電子ビームをスキャンさせて電流値を測定する点で異なっている。
(Embodiment 2)
In the present embodiment, the deviation of the center position of the electron beam is similarly adjusted during drawing by the same apparatus as in the first embodiment, but the current value is measured by scanning the electron beam formed by the upper aperture. Is different.
実施形態1と同様に、描画中、所定時間毎にアライメント調整が行われる。   Similar to the first embodiment, alignment adjustment is performed every predetermined time during drawing.
図7にフローチャートを示すように、電子銃11より電子ビーム10が照射される(Step2−1)。同様にアライメントの初期調整が行われ、アパーチャ14aに照射されて正方形に成形された電子ビーム10は、図8に示すように、アパーチャ14bの位置a、dにおいて、偏向器ドライバ23により制御された偏向器13により、それぞれアパーチャ14のエッジとの角度が45°となる方向に(矢印方向)スキャン照射される(Step2−2)。   As shown in the flowchart of FIG. 7, the electron beam 10 is irradiated from the electron gun 11 (Step 2-1). Similarly, the initial alignment adjustment was performed, and the electron beam 10 irradiated to the aperture 14a and formed into a square was controlled by the deflector driver 23 at positions a and d of the aperture 14b as shown in FIG. Scanning irradiation is performed by the deflector 13 in the direction in which the angle with the edge of the aperture 14 becomes 45 ° (in the direction of the arrow) (Step 2-2).
照射された電子ビームは、同様に検出器17において、それぞれの電流値が測定される(Step2−3)。例えば、位置aにおけるスキャン方向を電流値は、図9に示すようになり、位置dにおけるスキャン量に対する電流値は、図10に示すようになる。   Similarly, each of the irradiated electron beams is measured at the detector 17 (Step 2-3). For example, the current value in the scan direction at the position a is as shown in FIG. 9, and the current value with respect to the scan amount at the position d is as shown in FIG.
このとき、電子ビームの中心位置がアパーチャ14aにおいて成形された正方形の中心(正しい位置)にある場合、それぞれの電流値の変化量(電流の微分波形)のピークが中心の位置となる。   At this time, when the center position of the electron beam is at the center (correct position) of the square formed in the aperture 14a, the peak of the change amount (current differential waveform) of each current value becomes the center position.
しかしながら、中心からずれている場合、少なくともいずれかのピーク位置が中心からずれる。例えば、図11に電流値の変化量とスキャン位置の関係を示すように、位置aにおけるピークはずれていないのに、位置dにおけるピークがずれている場合、電子ビームの中心位置10cは、図12のようにずれている(10c”)ことになる。従って、これを矢印分補正する必要がある。   However, when it deviates from the center, at least one of the peak positions deviates from the center. For example, as shown in FIG. 11 showing the relationship between the change amount of the current value and the scan position, when the peak at the position a is not shifted but the peak at the position d is shifted, the center position 10c of the electron beam is as shown in FIG. Therefore, it is necessary to correct this by the amount of the arrow.
このように、測定されたそれぞれの電流値より、ズレ情報取得機構18において、ズレ量、ズレ方向などのズレ情報が取得される(Step2−4)。そして、そのズレ量がスペック内であるかどうかを判断する(Step2−5)。スペック内であれば、アライメント調整は行われない。一方、スペックを超えた場合、ズレ情報に基づき、調整量算出機構19において、アライナ12におけるXY制御のための電流の調整量が算出され(Step2−6)、アライメント調整が行われる(Step2−7)。   Thus, the shift information acquisition mechanism 18 acquires shift information such as the shift amount and the shift direction from each measured current value (Step 2-4). Then, it is determined whether or not the amount of deviation is within the specification (Step 2-5). If it is within the specification, alignment adjustment is not performed. On the other hand, when the spec is exceeded, the adjustment amount calculation mechanism 19 calculates the adjustment amount of the current for XY control in the aligner 12 (Step 2-6) based on the deviation information, and the alignment adjustment is performed (Step 2-7). ).
このようにして、成形された電子ビームを、アパーチャのエッジにかかるように2軸方向にスキャンし、スキャン位置に対応するそれぞれの電流値を測定することにより、従来のように、多くの点における電流値を測定することなく、簡易にズレ情報を取得し、アライメント調整することが可能となる。従って、上述のように、描画中、所定時間毎にアライメント調整を行うことが可能となる。   In this way, the shaped electron beam is scanned in two axial directions so as to be applied to the edge of the aperture, and each current value corresponding to the scan position is measured. Without measuring the current value, it is possible to easily acquire misalignment information and adjust the alignment. Therefore, as described above, alignment adjustment can be performed at predetermined time intervals during drawing.
本実施形態において、アパーチャ14bのエッジとの角度が45°となるようにスキャンしたが、スキャン方向は特に限定されるものではなく、任意の2軸方向であればよい。   In the present embodiment, scanning is performed so that the angle with the edge of the aperture 14b is 45 °, but the scanning direction is not particularly limited and may be any biaxial direction.
また、これら実施形態において、描画中の所定時間毎にアライメント調整を行ったが、描画完了時あるいは描画前に行ってもよく、あるいは、位置ズレの警告に伴い行われてもよい。   In these embodiments, the alignment adjustment is performed every predetermined time during drawing. However, the alignment adjustment may be performed when drawing is completed or before drawing, or may be performed in accordance with a positional deviation warning.
また、これら実施形態において、荷電粒子ビームとして電子ビームを用いたが、電子ビームに限定されるものではなく、イオンビームなど、他の荷電粒子ビームを用いることも可能である。イオンビームを用いる場合、カソードで発生した熱電子がイオン銃内に導入されたArガスなどと衝突することにより、Ar+イオンが形成される。形成されたAr+イオンは、電子ビームと同様に加速され、試料上に照射され、所定のパターンが描画される。その際、同様にして、アライメント調整を行うことができる。   In these embodiments, the electron beam is used as the charged particle beam. However, the present invention is not limited to the electron beam, and other charged particle beams such as an ion beam can be used. In the case of using an ion beam, Ar + ions are formed by collision of thermoelectrons generated at the cathode with Ar gas or the like introduced into the ion gun. The formed Ar + ions are accelerated in the same manner as the electron beam, irradiated onto the sample, and a predetermined pattern is drawn. At that time, alignment adjustment can be performed in the same manner.
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above. Various other modifications can be made without departing from the scope of the invention.
10…電子ビーム
11…電子銃
12…アライナ
13…偏向器
14a、14b…アパーチャ
15…試料
16…ステージ
17…検出器
17a…ファラデーカップ
17b…電流計
18…ズレ情報取得機構
19…調整量算出機構
22…アライナドライバ
23…偏向器ドライバ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electron beam 11 ... Electron gun 12 ... Aligner 13 ... Deflector 14a, 14b ... Aperture 15 ... Sample 16 ... Stage 17 ... Detector 17a ... Faraday cup 17b ... Ammeter 18 ... Deviation information acquisition mechanism 19 ... Adjustment amount calculation mechanism 22 ... aligner driver 23 ... deflector driver

Claims (5)

  1. 荷電粒子銃より荷電粒子ビームを照射し、
    前記荷電粒子ビームを第1のアパーチャで第1の成形を行い、
    前記第1の成形がなされた前記荷電粒子ビームを、第2のアパーチャのエッジのいずれかに所定の面積がかかるように照射することにより第2の成形を行い、
    前記第2の成形がなされた前記荷電粒子ビームの電流値を測定し、
    前記第2の成形および前記電流値の測定を、複数の前記エッジについて同様に行うことにより得られた各前記電流値より、前記荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得し、
    前記ズレ情報に基づき、前記荷電粒子ビームのアライメント調整を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
    Irradiate a charged particle beam from a charged particle gun,
    A first shaping of the charged particle beam with a first aperture;
    Performing the second shaping by irradiating one of the edges of the second aperture with the charged particle beam having undergone the first shaping so as to have a predetermined area;
    A current value of the charged particle beam subjected to the second shaping is measured;
    From each of the current values obtained by performing the second shaping and the measurement of the current value in the same manner for a plurality of the edges, obtaining deviation information of the center position of the charged particle beam,
    A charged particle beam drawing method, wherein alignment adjustment of the charged particle beam is performed based on the deviation information.
  2. 各前記電流値が等しくなるように前記荷電粒子ビームのアライメント調整を行うことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。   The charged particle beam drawing method according to claim 1, wherein alignment adjustment of the charged particle beam is performed so that each of the current values becomes equal.
  3. 前記第2の成形において、前記荷電粒子ビームを2軸方向にスキャンし、
    スキャン位置に対応した前記電流値を測定し、
    測定された各前記電流値の変動より、前記ズレ情報を取得することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
    In the second shaping, the charged particle beam is scanned in two axial directions,
    Measure the current value corresponding to the scan position,
    The charged particle beam drawing method according to claim 1, wherein the deviation information is acquired from fluctuations of the measured current values.
  4. 前記ズレ情報に基づき、アライメント調整量を算出することを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。   The charged particle beam drawing method according to claim 3, wherein an alignment adjustment amount is calculated based on the deviation information.
  5. 荷電粒子ビームを照射する荷電粒子銃と、
    前記荷電粒子ビームのアライメント調整を行うアライナと、
    前記荷電粒子ビームを偏向させる偏向器と、
    前記荷電粒子ビームを成形する第1のアパーチャと、
    前記第1のアパーチャにより成形された前記荷電粒子ビームを成形する第2のアパーチャと、
    前記荷電粒子ビームが前記第2のアパーチャのいずれかのエッジにかかるように照射されることにより成形された前記荷電粒子ビームの各電流値を測定する検出器と、
    測定された前記各電流値より前記荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得するズレ情報取得機構と、
    前記ズレ情報に基づきアライナの調整量を算出する調整量算出機構と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
    A charged particle gun for irradiating a charged particle beam;
    An aligner for adjusting the alignment of the charged particle beam;
    A deflector for deflecting the charged particle beam;
    A first aperture for shaping the charged particle beam;
    A second aperture for shaping the charged particle beam shaped by the first aperture;
    A detector for measuring each current value of the charged particle beam formed by irradiating the charged particle beam so as to be applied to any edge of the second aperture;
    A deviation information acquisition mechanism for acquiring deviation information of the center position of the charged particle beam from the measured current values;
    A charged particle beam drawing apparatus comprising: an adjustment amount calculation mechanism that calculates an adjustment amount of the aligner based on the deviation information.
JP2009027363A 2009-02-09 2009-02-09 Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device Pending JP2010183004A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009027363A JP2010183004A (en) 2009-02-09 2009-02-09 Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009027363A JP2010183004A (en) 2009-02-09 2009-02-09 Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010183004A true JP2010183004A (en) 2010-08-19

Family

ID=42764304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009027363A Pending JP2010183004A (en) 2009-02-09 2009-02-09 Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010183004A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094614A (en) * 2010-10-26 2012-05-17 Jeol Ltd Automatic adjusting method of charged particle beam drawing device, and charged particle beam drawing device
JP2015153630A (en) * 2014-02-14 2015-08-24 株式会社島津製作所 Charged particle beam irradiation device and charged particle beam axis adjustment method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094614A (en) * 2010-10-26 2012-05-17 Jeol Ltd Automatic adjusting method of charged particle beam drawing device, and charged particle beam drawing device
JP2015153630A (en) * 2014-02-14 2015-08-24 株式会社島津製作所 Charged particle beam irradiation device and charged particle beam axis adjustment method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9799485B2 (en) Particle beam system and method for operating a particle optical unit
US9159535B2 (en) Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus
US8330103B2 (en) Charged particle beam apparatus and specimen inspection method
JP4167904B2 (en) Electron beam drawing apparatus and electron beam drawing method
KR20130025348A (en) Multi-charged particle beam writing apparatus and multi-charged particle beam writing method
US9653262B2 (en) Method of measuring beam position of multi charged particle beam, and multi charged particle beam writing apparatus
JP2013197468A (en) Multi charged particle beam lithography apparatus and multi charged particle beam lithography method
US10042261B2 (en) Method of aperture alignment and multi charged particle beam writing apparatus
JP2016134486A (en) Rotation angle measuring method for multi-charged particle beam image, rotation angle adjusting method for multi-charged particle beam image, and multi-charged particle beam lithography apparatus
US7423274B2 (en) Electron beam writing system and electron beam writing method
US10134558B2 (en) Scanning electron microscope
KR102194561B1 (en) Charged particle beam device, charged particle beam influencing device, and method of operating a charged particle beam device
JP2010183004A (en) Charged particle beam drawing method and charged particle beam drawing device
CN112840431A (en) Charged particle beam apparatus, curvature of field corrector, and method of operating charged particle beam apparatus
US10867774B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP5432630B2 (en) Charged particle beam drawing apparatus, timing adjustment method between deflectors, and deflection amplifier failure detection method
KR101575117B1 (en) Method for adjusting electric current of multi beam
JP2004228430A (en) Method and device for adjusting electron beam proximity exposure device
TWI732305B (en) Charged particle beam device, field curvature corrector, and methods of operating a charged particle beam device
US10923313B1 (en) Charged particle beam device and method of operating a charged particle beam device
US20200294757A1 (en) Charged Particle Beam Apparatus
JP6376014B2 (en) Charged particle beam writing apparatus, charged particle beam beam resolution measuring method, and charged particle beam writing apparatus adjustment method
JP2006253556A (en) Method for calibrating charged particle beam drawing device