JP2015149645A - Strip line - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば化合物半導体高速ICに好適な高周波伝送線路であるストリップ線路に関するものである。 The present invention relates to a strip line which is a high-frequency transmission line suitable for a compound semiconductor high-speed IC, for example.
ストリップ線路は、簡潔な構造によって伝送路を構成することができることから、高周波伝送線路として広く使われている(非特許文献1参照)。図6(A)は従来のストリップ線路の構造を示す平面図、図6(B)は図6(A)のB−B線断面図である。ストリップ線路は、図6(A)、図6(B)に示すように、表面に導体L3が形成され、裏面に導体L1が形成された板状の誘電体10の内部に線状の導体L2を形成した構造を持ち、電磁波を伝達する伝送線路である。線状の導体L2が伝送線路で、表面と裏面の導体L3,L1はGNDになっている。図6(A)、図6(B)では、伝送線路の幅をW、長さをLとしている。 The strip line is widely used as a high-frequency transmission line because the transmission line can be configured with a simple structure (see Non-Patent Document 1). 6A is a plan view showing the structure of a conventional strip line, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 6A. As shown in FIGS. 6A and 6B, the strip line has a linear conductor L2 inside a plate-like dielectric 10 in which a conductor L3 is formed on the front surface and a conductor L1 is formed on the back surface. It is a transmission line that has a structure in which an electromagnetic wave is transmitted. The linear conductor L2 is a transmission line, and the conductors L3 and L1 on the front surface and the back surface are GND. 6A and 6B, the width of the transmission line is W and the length is L.
ストリップ線路の場合、特性インピーダンスZ0を決定するものとして、線路幅Wと誘電体10の厚さTと誘電体10の誘電率εrが挙げられるが、誘電体10の厚さTや誘電率εrは簡単には変えることが出来ない。そこで通常、IC設計では線路幅Wを変化させ、線路の特性インピーダンスZ0を所望の値に設定している。 In the case of a strip line, the characteristic impedance Z 0 is determined by the line width W, the thickness T of the dielectric 10, and the dielectric constant εr of the dielectric 10. The thickness T of the dielectric 10 and the dielectric constant εr are exemplified. Cannot be changed easily. Therefore, normally, in IC design, the line width W is changed and the characteristic impedance Z 0 of the line is set to a desired value.
しかしながら、ICチップの小型化および低コスト化や線路の損失の低減が求められるアプリケーションに対しては、線路幅Wにも制約が生じる。具体的には、ICチップの小型化のためには、線路幅Wを小さくする必要があり、線路の伝送損失の低減のためには、線路幅Wを大きくする必要がある。したがって、チップサイズと線路の伝送損失とに要求値がある場合には、許容される線路幅Wの範囲が制限される。この結果、線路の特性インピーダンスZ0を所望の値に設定することが困難であった。 However, the line width W is also limited for applications that require reduction in size and cost of the IC chip and reduction in line loss. Specifically, it is necessary to reduce the line width W in order to reduce the size of the IC chip, and it is necessary to increase the line width W in order to reduce transmission loss of the line. Therefore, when there are required values for the chip size and the transmission loss of the line, the allowable range of the line width W is limited. As a result, it has been difficult to set the characteristic impedance Z 0 of the line to a desired value.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、特性インピーダンスを所望の値に設定することができるストリップ線路を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a strip line capable of setting a characteristic impedance to a desired value.
本発明のストリップ線路は、誘電体の表面に形成された表面グランドと、前記誘電体の裏面に形成された裏面グランドと、前記表面グランドと前記裏面グランドとの間の前記誘電体中に形成された信号線路とを備え、前記表面グランドと前記裏面グランドの各々に前記信号線路の信号伝搬方向に沿ってギャップが設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明のストリップ線路の1構成例は、信号伝搬方向に沿った前記信号線路の中心線の水平位置と、前記表面グランドと前記裏面グランドの各々に設けられたギャップの中心線の水平位置とが一致することを特徴とするものである。
また、本発明のストリップ線路の1構成例において、前記表面グランドに設けられたギャップの幅aと前記裏面グランドに設けられたギャップの幅bとは、前記信号線路の所望の幅Wとストリップ線路の特性インピーダンスZ0の所望の値とに応じて設定される。
The strip line of the present invention is formed in the dielectric between the front surface ground formed on the surface of the dielectric, the back surface ground formed on the back surface of the dielectric, and the front surface ground and the back surface ground. And a gap is provided in each of the front surface ground and the back surface ground along the signal propagation direction of the signal line.
Also, one configuration example of the strip line according to the present invention includes a horizontal position of a center line of the signal line along a signal propagation direction, and a horizontal position of a center line of a gap provided in each of the front surface ground and the back surface ground. And are in agreement with each other.
Further, in one configuration example of the strip line of the present invention, the width a of the gap provided in the front surface ground and the width b of the gap provided in the back surface ground are determined by the desired width W of the signal line and the strip line. Is set in accordance with a desired value of the characteristic impedance Z 0 .
本発明によれば、表面グランドと信号線路と裏面グランドとを備えたストリップ線路において、信号線路の信号伝搬方向に沿って表面グランドと裏面グランドの各々にギャップを設け、これらのギャップの幅a,bの値を適宜調節することによって、線路幅を一定に保持したまま(すなわち、トレードオフの関係にある信号線路のサイズとストリップ線路の伝送損失とを一定に保持したまま)、ストリップ線路の特性インピーダンスを所望の値に設定することができる。また、ギャップの幅a,bの値を適宜調節することにより、ストリップ線路の特性インピーダンスを一定に保持したまま、チップサイズと伝送損失の要求条件から最適な線路幅を設定することができる。つまり、チップサイズと伝送損失はトレードオフの関係にあるので、ICチップの小型化が求められるアプリケーションにおいては、特性インピーダンスを一定に保持できる範囲において、線路幅を小さく設定することができ(伝送損失は大きくなる)、ストリップ線路の伝送損失の低減が求められるアプリケーションにおいては、特性インピーダンスを一定に保持できる範囲において、線路幅を大きく設定することができる。 According to the present invention, in a strip line having a front surface ground, a signal line, and a back surface ground, a gap is provided in each of the front surface ground and the back surface ground along the signal propagation direction of the signal line, and the widths a, By appropriately adjusting the value of b, the characteristic of the strip line is maintained while keeping the line width constant (that is, keeping the signal line size and the transmission loss of the strip line in a trade-off relationship constant). The impedance can be set to a desired value. Further, by appropriately adjusting the values of the gap widths a and b, it is possible to set an optimum line width from the chip size and transmission loss requirement conditions while keeping the characteristic impedance of the strip line constant. In other words, since chip size and transmission loss are in a trade-off relationship, in applications where IC chip miniaturization is required, the line width can be set small within a range where the characteristic impedance can be kept constant (transmission loss). In an application where reduction of the transmission loss of the strip line is required, the line width can be set large within a range where the characteristic impedance can be kept constant.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1(A)は本実施の形態に係るストリップ線路の構造を示す平面図、図1(B)は図1(A)のA−A線断面図である。本実施の形態のストリップ線路は、板状の誘電体10の表面に形成された板状の導体からなる表面グランドL3と、誘電体10の裏面に形成された板状の導体からなる裏面グランドL1と、表面グランドL3および裏面グランドL1と平行になるように誘電体10中に形成された帯状の導体からなる信号線路L2とを備え、誘電体10の表面に表面グランドL3が無く気体(空気)で満たされた領域であるギャップ11が信号線路L2の信号伝搬方向(図1(A)上下方向)に沿って形成され、誘電体10の裏面に裏面グランドL1が無く気体(空気)で満たされた領域であるギャップ12が信号線路L2の信号伝搬方向に沿って形成されていることを特徴としている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view showing a structure of a strip line according to the present embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The strip line of the present embodiment includes a surface ground L3 made of a plate-like conductor formed on the surface of the plate-like dielectric 10, and a back surface ground L1 made of a plate-like conductor formed on the back surface of the dielectric 10. And a signal line L2 made of a strip-shaped conductor formed in the dielectric 10 so as to be parallel to the front surface ground L3 and the back surface ground L1, and there is no surface ground L3 on the surface of the dielectric 10, and gas (air) 1 is formed along the signal propagation direction (vertical direction in FIG. 1A) of the signal line L2, and the back surface of the dielectric 10 is filled with gas (air) without the back surface ground L1. A
本実施の形態では、信号線路L2の厚みを1μm、表面グランドL3の厚みを1μm、裏面グランドL1の厚みを1μmとした。なお、表面グランドL3と裏面グランドL1との間に信号線路L2を挿入する場合、導体の厚みよりも誘電体10の厚みの方がストリップ線路の特性に強く影響を及ぼし、また信号を伝送した場合、電荷は導体の内部に一様に分布するのではなく、表面に集中するので、本発明の場合、信号線路L2と表面グランドL3と裏面グランドL1の厚みは上記の数値に限定されるものではない。 In the present embodiment, the thickness of the signal line L2 is 1 μm, the thickness of the front surface ground L3 is 1 μm, and the thickness of the back surface ground L1 is 1 μm. When the signal line L2 is inserted between the front surface ground L3 and the back surface ground L1, the thickness of the dielectric 10 has a stronger influence on the characteristics of the strip line than the thickness of the conductor, and the signal is transmitted. In the present invention, the thicknesses of the signal line L2, the front surface ground L3, and the back surface ground L1 are not limited to the above values because the charges are not uniformly distributed inside the conductor but concentrated on the surface. Absent.
ギャップ11は、信号伝搬方向に沿った信号線路L2の中心線a0の水平位置(図1(B)の左右方向の位置)とギャップ11の中心線b0の水平位置とが一致するように配置される。同様に、ギャップ12は、信号伝搬方向に沿った信号線路L2の中心線a0の水平位置とギャップ12の中心線c0の水平位置とが一致するように配置される。
In the
信号伝搬方向と垂直な方向におけるギャップ11の幅aとギャップ12の幅bの値を調節することにより、信号線路L2の線路幅Wを一定に保持したまま、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0を変化させることが可能となる。また、ギャップ11の幅aとギャップ12の幅bの値を調節すれば、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0を一定に保持したまま、線路幅Wを任意に設定することが可能となる。表面グランドL3と信号線路L2間の距離をX、信号線路L2と裏面グランドL1間の距離をYとすると、幅a,bの値の変化がストリップ線路の特性インピーダンスZ0の変化に及ぼす影響は、距離XおよびYが小さいほど大きくなる。
ストリップ線路の特性インピーダンスZ0は式(1)で表される。
By adjusting the width a of the
The characteristic impedance Z 0 of the strip line is expressed by equation (1).
ここで、Rはストリップ線路の単位長あたりの直列抵抗(Ω)、Lはストリップ線路の単位長あたりの直列インダクタンス(H)、Gはストリップ線路の単位長あたりの並列コンダクタンス(S)、Cはストリップ線路の単位長あたりの並列静電容量(F)である。 Here, R is a series resistance (Ω) per unit length of the strip line, L is a series inductance (H) per unit length of the strip line, G is a parallel conductance (S) per unit length of the strip line, and C is This is the parallel capacitance (F) per unit length of the strip line.
ギャップ11,12の幅a=b=0の場合(ギャップ11,12が存在しない場合)、並列静電容量Cや並列コンダクタンスGの値が大きくなり、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0は小さくなる。この時の特性インピーダンスZ0の値をZ1とする。
ギャップ11,12の幅a=b=∞の場合(表面グランドL3と裏面グランドL1が存在しない場合)、並列静電容量Cや並列コンダクタンスGの値が小さくなり、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0は大きくなる。この時の特性インピーダンスZ0の値をZ2とする。
When the width a = b = 0 of the
When the widths a = b = ∞ of the
ギャップ11,12の幅a,bが0〜∞の間では、幅a,bの値を調節することにより、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0をZ1〜Z2の間で任意に決定することができる。
When the widths a and b of the
また、信号線路L2の線路幅Wを大きくすると、並列静電容量Cや並列コンダクタンスGの値が大きくなり、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0は小さくなる。この特性インピーダンスZ0の減少分を、ギャップ11,12の幅a,bの値の調節によって補償することで、特性インピーダンスZ0を一定に保持したまま、線路幅Wの値をある範囲内で任意に設定することができる。
Further, when the line width W of the signal line L2 is increased, the values of the parallel capacitance C and the parallel conductance G are increased, and the characteristic impedance Z 0 of the strip line is decreased. By compensating for the decrease in the characteristic impedance Z 0 by adjusting the values of the widths a and b of the
なお、式(1)によると、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0は周波数の関数である。すなわち、低周波数(GHz以下)では特性インピーダンスZ0は高くなり、高周波数になるにつれて特性インピーダンスZ0は低くなる。ただし、数十GHz以上になると、特性インピーダンスZ0は周波数に殆ど依存しない値となる。本実施の形態では、高周波数(GHzオーダー)の信号を伝送するストリップ線路を想定しているので、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0は周波数によって殆ど変動しない。以下の例で示す特性インピーダンスZ0および伝送損失TLの値は周波数60GHzの信号を伝送した場合のものである。 According to the equation (1), the characteristic impedance Z 0 of the strip line is a function of frequency. That is, the characteristic impedance Z 0 at a low frequency (GHz hereinafter) becomes high, the characteristic impedance Z 0 as becomes higher frequency becomes lower. However, when the frequency is several tens of GHz or more, the characteristic impedance Z 0 becomes a value almost independent of the frequency. In the present embodiment, since a strip line that transmits a high-frequency (GHz order) signal is assumed, the characteristic impedance Z 0 of the strip line hardly varies depending on the frequency. The values of characteristic impedance Z 0 and transmission loss TL shown in the following example are those when a signal with a frequency of 60 GHz is transmitted.
裏面グランドL1と信号線路L2と表面グランドL3の材料としてAu(金)を使用し、誘電体10としてベンゾシクロブテン(BCB)基板(εr=2.7、(文献「酒井啓之他,“BCB誘電体を用いた低損失ミリ波フリップチップIC”,電子情報通信学会技術研究報告.ED,電子デバイス96(462),P41−46,1997−01−24」参照))を用いた、線路長300μm(図1(A)の上下方向の長さ)のストリップ線路の特性インピーダンスZ0の変化を図2に示す。ここでは、表面グランドL3と信号線路L2間の距離X=1.0μm、信号線路L2と裏面グランドL1間の距離Y=1.0μmとした。 Au (gold) is used as the material of the back surface ground L1, the signal line L2, and the front surface ground L3, and the benzocyclobutene (BCB) substrate (εr = 2.7 as the dielectric 10) (references “Hiroyuki Sakai et al.,” BCB Dielectric Line length of 300 μm using a low-loss millimeter-wave flip-chip IC using a body ”, IEICE technical report. ED, electronic device 96 (462), P41-46, 1997-01-24”). FIG. 2 shows a change in the characteristic impedance Z 0 of the strip line (length in the vertical direction in FIG. 1A). Here, the distance X between the front surface ground L3 and the signal line L2 is 1.0 μm, and the distance Y between the signal line L2 and the rear surface ground L1 is 1.0 μm.
図2の20がギャップ11,12の幅a=b=∞の場合の特性インピーダンスZ0の変化を示し、21が幅a=b=0μmの場合の特性インピーダンスZ0の変化を示している。幅a=b=∞の場合は、帯状の信号線路L2のみが存在する従来の孤立配線となり、幅a=b=0μmの場合は、表面グランドL3と裏面グランドL1が有ってギャップ11,12が無い従来のストリップ線路となる。本実施の形態のストリップ線路の構成は、ギャップ11,12の幅a,bの値が0<a<∞、0<b<∞の場合であり、図2の20と21の間のエリアが本実施の形態のストリップ線路の特性インピーダンスZ0となる。
20 in Figure 2 indicates the change in the characteristic impedance Z 0 when the width a = b = ∞ of
図3は線路幅Wを6μmに固定した場合のギャップ11,12の幅a,bとストリップ線路の特性インピーダンスZ0との関係を示す図である。シミュレーションの簡素化のため、ここではa=bに設定している。また、a=b=∞の場合、シミュレーションの収束性が悪いため、信号線路L2の端から線路幅方向に上下30μm離れたところに表面グランドL3と裏面グランドL1があるものとしてシミュレーションを行っている。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the widths a and b of the
図2、図3より、ギャップ11,12の幅a,bの値を変化させることで、図2の20の値(a=b=∞の時のZ0=Z2)から図2の21の値(a=b=0の時のZ0=Z1)までの範囲で、線路幅Wを変えることなく、特性インピーダンスZ0を任意に設定可能なことが分かる。また、ギャップ11の幅a,bの値を変化させることで、特性インピーダンスZ0を変化させずに、線路幅Wを任意に設定可能なことが分かる。例えば特性インピーダンスZ0を50Ωに固定した場合、ギャップ11,12の幅a,bの値を0〜∞まで変化させることにより、線路幅Wを3.4μm〜数十μmの範囲で変化させることができる。
2 and 3, by changing the values of the widths a and b of the
裏面グランドL1と信号線路L2と表面グランドL3の材料としてAu(金)を使用し、誘電体10としてベンゾシクロブテン(BCB)基板(εr=2.7)を用いた、線路長300μmのストリップ線路の伝送損失TLの変化を図4に示す。図2、図3の場合と同様に、表面グランドL3と信号線路L2間の距離X=1.0μm、信号線路L2と裏面グランドL1間の距離Y=1.0μmとした。 Strip line having a line length of 300 μm using Au (gold) as the material of the back surface ground L1, the signal line L2, and the front surface ground L3, and using a benzocyclobutene (BCB) substrate (εr = 2.7) as the dielectric 10 FIG. 4 shows the change in the transmission loss TL. As in the case of FIGS. 2 and 3, the distance X between the front surface ground L3 and the signal line L2 was set to 1.0 μm, and the distance Y between the signal line L2 and the rear surface ground L1 was set to 1.0 μm.
図4の40がギャップ11,12の幅a=b=∞の場合の伝送損失TLの変化を示し、41が幅a=b=0μmの場合の伝送損失TLの変化を示している。幅a=b=∞の場合は、帯状の信号線路L2のみが存在する従来の孤立配線となり、幅a=b=0μmの場合は、表面グランドL3と裏面グランドL1が有ってギャップ11,12が無い従来のストリップ線路となる。本実施の形態のストリップ線路の構成は、ギャップ11,12の幅a,bの値が0<a<∞、0<b<∞の場合であり、図4の40と41の間のエリアが本実施の形態のストリップ線路の伝送損失TLとなる。
4 shows a change in the transmission loss TL when the width a = b = ∞ of the
図5は線路幅Wを6μmに固定した場合のギャップ11,12の幅a,bとストリップ線路の伝送損失TLとの関係を示す図である。図4、図5より、ギャップ11,12の幅a,bの値を変化させることにより、ストリップ線路の伝送損失TLの値も変化することが分かる。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the widths a and b of the
図3より、例えば線路幅Wを6μmに固定すると、信号線路L2が孤立配線の場合(a=b=∞の場合)、特性インピーダンスZ0が大きくなることが分かる。a=b=∞で、線路幅W=6μmの場合、特性インピーダンスZ0=92Ωである。また、表面グランドL3と裏面グランドL1が有ってギャップ11,12が無いストリップ線路の場合(a=b=0μm)、特性インピーダンスZ0が小さくなることが分かる。a=b=0μmで、線路幅W=6μmの場合、特性インピーダンスZ0=22Ωである。このように、ギャップ11,12の幅a,bの値を変化させることにより、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0を22〜92Ωの範囲で変化させることができる。
From FIG. 3, for example, when the line width W is fixed to 6 μm, the characteristic impedance Z 0 increases when the signal line L2 is an isolated wiring (when a = b = ∞). When a = b = ∞ and the line width W = 6 μm, the characteristic impedance Z 0 = 92Ω. Further, it can be seen that the characteristic impedance Z 0 is small in the case of a strip line having the front surface ground L 3 and the back
図5より、例えば線路幅Wを6μmに固定すると、信号線路L2が孤立配線の場合(a=b=∞の場合)、伝送損失TLが小さくなることが分かる。a=b=∞で、線路幅W=6μmの場合、伝送損失TLは0.26dBである。また、表面グランドL3と裏面グランドL1が有ってギャップ11,12が無いストリップ線路の場合(a=b=0μm)、伝送損失TLが大きくなることが分かる。a=b=0μmで、線路幅W=6μmの場合、伝送損失TLは0.62dBである。このように、ギャップ11,12の幅a,bの値を変化させることにより、ストリップ線路の伝送損失TLを0.26〜0.62dBの範囲で変化させることができる。
From FIG. 5, it can be seen that, for example, when the line width W is fixed to 6 μm, the transmission loss TL becomes small when the signal line L2 is an isolated wiring (when a = b = ∞). When a = b = ∞ and the line width W = 6 μm, the transmission loss TL is 0.26 dB. It can also be seen that the transmission loss TL increases when the strip line has the front surface ground L3 and the back surface ground L1 and does not have the
例えば、光通信用受信モジュールに使用されるトランスインピーダンスアンプ(TIA)の入出力インピーダンスは50Ωであるため、インピーダンス不整合による反射の影響を低減するためには、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0も50Ωであることが望ましい。
線路幅W=6μmの場合、ギャップ11,12の幅a=b=8μmに設定すると、特性インピーダンスZ0を50Ωに設定することができる。
For example, since the input / output impedance of a transimpedance amplifier (TIA) used in a receiving module for optical communication is 50Ω, in order to reduce the influence of reflection due to impedance mismatch, the characteristic impedance Z 0 of the strip line is also 50Ω. It is desirable that
In the case of the line width W = 6 μm, the characteristic impedance Z 0 can be set to 50Ω by setting the widths a = b = 8 μm of the
以上のように、本実施の形態では、表面グランドL3と信号線路L2と裏面グランドL1とを備えたストリップ線路において、表面グランドL3と裏面グランドL1の各々にギャップ11,12を設け、ギャップ11,12の幅a,bの値を適宜調節することにより、線路幅Wを一定に保持したまま(すなわち、トレードオフの関係にある信号線路L2のサイズとストリップ線路の伝送損失とを一定に保持したまま)、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0を所望の値に設定することができる。また、ギャップ11,12の幅a,bの値を適宜調節することにより、ストリップ線路の特性インピーダンスZ0を一定に保持したまま、チップサイズと伝送損失の要求条件から最適な線路幅Wを設定することができる。
なお、本実施の形態では、シミュレーションの簡素化のためにa=bに設定しているが、ギャップ11,12の幅a,bの値は個別に設定できることは言うまでもない。
As described above, in the present embodiment, in the strip line including the front surface ground L3, the signal line L2, and the back surface ground L1, the
In this embodiment, a = b is set to simplify the simulation, but it goes without saying that the widths a and b of the
本発明は、IC等に用いる高周波伝送線路に適用することができる。 The present invention can be applied to a high-frequency transmission line used for an IC or the like.
L1…裏面グランド、L2…信号線路、L3…表面グランド、10…誘電体、11,12…ギャップ。 L1 ... back surface ground, L2 ... signal line, L3 ... front surface ground, 10 ... dielectric, 11, 12 ... gap.
Claims (3)
前記誘電体の裏面に形成された裏面グランドと、
前記表面グランドと前記裏面グランドとの間の前記誘電体中に形成された信号線路とを備え、
前記表面グランドと前記裏面グランドの各々に前記信号線路の信号伝搬方向に沿ってギャップが設けられていることを特徴とするストリップ線路。 A surface ground formed on the surface of the dielectric;
A back surface ground formed on the back surface of the dielectric;
A signal line formed in the dielectric between the front surface ground and the back surface ground,
A strip line, wherein a gap is provided in each of the front surface ground and the back surface ground along a signal propagation direction of the signal line.
信号伝搬方向に沿った前記信号線路の中心線の水平位置と、前記表面グランドと前記裏面グランドの各々に設けられたギャップの中心線の水平位置とが一致することを特徴とするストリップ線路。 The stripline according to claim 1, wherein
A strip line characterized in that a horizontal position of a center line of the signal line along a signal propagation direction coincides with a horizontal position of a center line of a gap provided in each of the front surface ground and the back surface ground.
前記表面グランドに設けられたギャップの幅aと前記裏面グランドに設けられたギャップの幅bとは、前記信号線路の所望の幅Wとストリップ線路の特性インピーダンスZ0の所望の値とに応じて設定されることを特徴とするストリップ線路。 The stripline according to claim 1 or 2,
The width a of the gap provided in the front surface ground and the width b of the gap provided in the back surface ground depend on a desired width W of the signal line and a desired value of the characteristic impedance Z 0 of the strip line. Stripline characterized by being set.
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Citations (5)
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- 2014-02-07 JP JP2014022009A patent/JP2015149645A/en active Pending
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