JP2015146352A - Cleaning device and cleaning method - Google Patents
Cleaning device and cleaning method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015146352A JP2015146352A JP2014017857A JP2014017857A JP2015146352A JP 2015146352 A JP2015146352 A JP 2015146352A JP 2014017857 A JP2014017857 A JP 2014017857A JP 2014017857 A JP2014017857 A JP 2014017857A JP 2015146352 A JP2015146352 A JP 2015146352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- substrate
- nozzles
- discharge direction
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Details Or Accessories Of Spraying Plant Or Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、洗浄装置及び洗浄方法に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method.
特許文献1には、ウェーハを第1の回転速度で回転させて所定時間洗浄し、次いで第1の回転速度よりも高速な第2の回転速度に切り替えて回転させて所定時間洗浄し、これを複数回繰り返してウェーハを洗浄するダイシング装置のウェーハの洗浄方法が記載されている。
In
特許文献2には、第1純水吐出手段により純水を基板の主面に吐出することで基板を正に帯電させ、第2純水吐出手段により純水を基板の主面に吐出することで基板を負に帯電させて、第1純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電を相殺して基板の電位を中和する基板洗浄処理装置が記載されている。
In
特許文献3には、基板の表面処理のための洗浄液を吐出する洗浄液吐出口を有する洗浄液流路と、処理流路を流通する洗浄液に超音波振動を付与するための超音波振動付与手段と、洗浄液吐出口から吐出される洗浄液と気体とを混合させて、洗浄液の液滴の噴流を形成するための液滴噴流形成手段とを含む洗浄液供給装置が記載されている。
In
しかしながら、特許文献1〜3は、基板を洗浄するときに基板を載置する載置台まで洗浄残りなく洗浄することができる洗浄装置を開示するものではない。特許文献1〜3では、基板を載置する載置台の洗浄に関して、何ら考慮がなされていない。
However,
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を洗浄するときに基板を載置する載置台まで洗浄残りなく洗浄することができる洗浄装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a cleaning apparatus capable of cleaning without cleaning residue up to a mounting table on which a substrate is placed when cleaning the substrate.
上記の課題を解決するために、本発明に係る洗浄装置は、基板を洗浄するための洗浄液を吐出する複数のノズルを備えている洗浄装置であって、上記複数のノズルの吐出方向を互いに独立して変更する吐出方向変更手段を備えていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a cleaning apparatus according to the present invention includes a plurality of nozzles that discharge a cleaning liquid for cleaning a substrate, and the discharge directions of the plurality of nozzles are independent of each other. The discharge direction changing means for changing is provided.
また、本発明に係る洗浄方法は、基板を洗浄するための洗浄液を吐出する複数のノズルを備えた洗浄装置で当該基板を洗浄する洗浄方法であって、上記複数のノズルの吐出方向を互いに独立して変更する吐出方向変更手段によって、上記複数のノズルのうち少なくとも一つのノズルの上記洗浄液の吐出方向を変更する工程を含むことを特徴とする。 The cleaning method according to the present invention is a cleaning method for cleaning a substrate with a cleaning apparatus having a plurality of nozzles for discharging a cleaning liquid for cleaning the substrate, wherein the discharge directions of the plurality of nozzles are independent of each other. And changing the discharge direction of the cleaning liquid from at least one of the plurality of nozzles by the discharge direction changing means.
本発明は、基板を洗浄するときに基板を載置する載置台まで洗浄残りなく洗浄することができるという効果を奏する。 The present invention has an effect that when a substrate is cleaned, the mounting table on which the substrate is placed can be cleaned without any remaining cleaning.
<洗浄装置100>
図1及び図2を用いて本発明に係る洗浄装置の一実施形態である洗浄装置100についてより詳細に説明する。図1の(a)〜(c)は、洗浄装置100が備えているノズル1について説明する図である。また、図2の(a)は、洗浄装置100を上面から見た概略を説明する図である。また、図2の(b)は、洗浄装置100を側面から見た概略を説明する断面図である。
<
The
図1及び図2に示すように、洗浄装置100は、基板10を洗浄するための洗浄液を吐出するノズル1を備えている洗浄装置であって、複数のノズル1が備えているノズル1a、1b及び1cの吐出方向を互いに独立して変更する吐出方向変更部(吐出方向変更手段)2を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
また、図2の(a)に示すように、洗浄装置100は、アーム(アーム部材)3及びスピンチャック(載置台)5を備えている。
As shown in FIG. 2A, the
洗浄装置100は、クランプ(保持部)を備えていてもよい。
The
また、図2の(b)に示す通り、洗浄装置100は、上部排気口6a、第1遮蔽部6、下部排気口7a、第2遮蔽部7及び気流変更部9を備えている。
As shown in FIG. 2B, the
洗浄装置100は、純水吐出用ノズル及びエアブロー用ノズルを備えていてもよい。
The
図2の(a)及び(b)に示すように、洗浄装置100では、第1遮蔽部6及び第2遮蔽部7の内周部分の内側を複数のノズル1が移動する。ここで、第1遮蔽部6及び第2遮蔽部7は、洗浄液ミストがカップ8の外側に飛散することを防止する。これにより、洗浄装置100のカップ8の周囲が洗浄液ミストにより汚染されることを防止することができる。
As shown in FIGS. 2A and 2B, in the
その一方、第1遮蔽部6及び第2遮蔽部7によって洗浄液ミストの飛散を好適に防止することができるように第1遮蔽部6及び第2遮蔽部7の内径を設定すると、アーム3の回動によって移動する複数のノズル1の移動範囲が制限される。このため、洗浄装置100が備えているスピンチャック5及びクランプ等に洗浄残りが生じ易くなる。
On the other hand, when the inner diameters of the
しかしながら、洗浄装置100では、第1遮蔽部6及び第2遮蔽部7によって複数のノズル1の移動範囲が制限されても、吐出方向変更部2によって複数のノズル1のうちの少なくとも1つのノズルの洗浄液の吐出方向を変更することができる。これによって、複数のノズル1が洗浄液を供給する範囲を広くすることができる。従って、スピンチャック5及びクランプ等まで洗浄残りなく洗浄することができる。
However, in the
つまり、洗浄装置100によれば、スピンチャック5及びクランプ等まで洗浄残りなく洗浄することができるのみならず、洗浄液ミストの飛散によるカップ8の周囲の汚染を防止することができる。
In other words, according to the
〔ノズル1〕
図1の(a)に示すように、ノズル1は、基板10を洗浄する洗浄液を吐出するためのものであり、複数のノズル1としてノズル1a、1b及び1cを備えている。また、ノズル1a、1b及び1cは、吐出方向変更部2によって洗浄液の吐出方向を互いに独立して変更することができる。
[Nozzle 1]
As shown in FIG. 1A, the
また、ノズル1a、1b及び1cには、典型的には、2流体スプレーノズルを用いることができる。また、ノズルの数は、3個に限定されるものではない。洗浄装置100は、複数のノズルとして、2以上、6以下の数の2流体スプレーノズルを備えていることが好ましい。これにより、基板10のみならずスピンチャック5等まで好適に洗浄することができる。
Further, as the
〔吐出方向変更部2〕
吐出方向変更部(吐出方向変更手段)2は、ノズル1の吐出方向を変更するためのものであり、吐出方向変更部2a、2b及び2cを備えている。ここで、吐出方向変更部2a、2b及び2cは、それぞれ独立してノズル1a、1b及び1cに設けられている。これによって、吐出方向変更部2a、2b及び2cは、ノズル1a、1b及び1cの吐出方向を互いに独立して変更することができる。ノズル1a、1b及び1cの吐出方向が変更されることにより、基板10を洗浄するときに洗浄液を供給する範囲を調整することができる。このため、基板を洗浄するときに、基板のみならず、基板を載置する載置台にまで好適に洗浄液を供給することができる。従って、基板を洗浄するときに基板を載置する載置台まで洗浄残りなく洗浄することができる。
[Discharge direction changing unit 2]
The discharge direction changing unit (discharge direction changing means) 2 is for changing the discharge direction of the
吐出方向変更部2は、ノズル1のうちの少なくとも1つのノズルの上記洗浄液の吐出方向を、スピンチャック5の中心から外側へ向かう方向に変更することができる。
The discharge
すなわち、吐出方向変更部2は、例えば、図1の(b)に示すように、複数のノズル1のうちの一部のノズル1cの洗浄液の吐出方向を残りの他のノズル1a及び1bの洗浄液の吐出方向と異なる方向、つまり、スピンチャック5の中心から外側へ向かう方向に変更することができる。これによって、複数のノズル1は、ダイシングフレーム12の外周部分の端部よりも外側に位置するスピンチャック5にまで範囲に洗浄液を供給することができる(図3の(a)〜(c))。
That is, for example, as shown in FIG. 1B, the discharge
また、吐出方向変更部2は、例えば、図1の(c)に示すように、ノズル1a、1b及び1cの向きを同じ方向にしつつ、ノズル1全体における洗浄液を吐出する方向をスピンチャック5の中心から外側へ向かう方向に変更することもできる。これによって、アーム3の移動できる範囲よりも広い範囲にまで洗浄液を供給し、スピンチャック5まで洗浄することができる(図3の(d)〜(f))。
In addition, as shown in FIG. 1C, for example, the discharge
このように、吐出方向変更部2により、複数のノズル1が洗浄液を供給できる範囲を変更することによって、複数のノズル1は、図2の(a)に示すダイシングフレーム12の外周部分の端部よりも外側に位置するスピンチャック5及びクランプにまで洗浄液を供給することができる。このため、ダイシングフレーム12を保持するスピンチャック5まで洗浄残りなく好適に洗浄することができる。
Thus, by changing the range in which the plurality of
吐出方向変更部2は、例えば、それぞれ独立し、締めたり緩めたりすることが自在な固定ネジなどの構成で実現することができ、任意の方向に吐出方向を変更することができる。
The discharge
〔アーム3〕
一実施形態に係る洗浄装置100は、一本のアーム(アーム部材)3を備え、複数のノズル1はアーム3の先端に一列に並ぶようにして設けられている。
[Arm 3]
The
アーム3は、図2の(a)における点線部のように回動軸4を中心にして回動することができる。これによって、図2の(a)に示す第1遮蔽部6の内側において、アーム3の先端に設けられた複数のノズル1がスピンチャック5に保持された基板10の上方を移動することができる。
The
ここで、アーム3を回動させるときに、アーム3の先端に設けられた複数のノズル1における洗浄液の吐出方向を、例えば、図1の(b)又は(c)に示すように変更しておけば、図1の(a)に示すようなノズル1における洗浄液の吐出方向よりも広い範囲に洗浄液を供給することかできる。
Here, when the
〔スピンチャック5〕
スピンチャック(載置台)5は、基板10を支持するダイシングテープ(支持膜)11のダイシングフレーム(枠部)12を戴置する台である。
[Spin chuck 5]
The spin chuck (mounting table) 5 is a table on which a dicing frame (frame portion) 12 of a dicing tape (supporting film) 11 that supports the
また、スピンチャック5は、真空ポンプ等の機構によりダイシングテープ11を吸着し、保持する。ここで、基板10はダイシングテープ11の粘着性によって保持される。また、ダイシングフレーム12はクランプによってスピンチャック5に保持される。これにより、基板10はダイシングテープ11を介してスピンチャック5に保持される。また、スピンチャック5は、吸着された状態の基板10を吸着面の面内方向に回転させることができるものであればよい。
Further, the
スピンチャック5には、例えば、一般的な真空チャック及びモータから構成されるスピンチャックを用いることができる。
For the
〔クランプ〕
洗浄装置100は、基板10を保持するダイシングテープ11のダイシングフレーム12を保持するクランプ(保持部、図示せず)を備えていることが好ましい。
[Clamp]
The
クランプは、図2の(a)に示すダイシングフレーム12の外周部分に設けられた4箇所の切り欠き部において、ダイシングフレーム12をスピンチャック5に保持する。これにより、洗浄装置100が基板10を洗浄するときに、ダイシングフレーム12のダイシングテープ11に支持された基板10がスピンチャック5から脱離することをより好適に防止することができる。
The clamp holds the dicing
ダイシングフレーム12をクランプによって保持し、基板10の洗浄を行なうと、クランプ及びダイシングフレーム12の切り欠き部から露出したスピンチャック5及びクランプに洗浄残りを生じる。ここで、洗浄装置100では、複数のノズル1が備えているノズル1a、1b及び1cのうちの少なくとも1つのノズルにおいて洗浄液の吐出方向を変更し、洗浄液をクランプ及びスピンチャック5にまで供給することができる。このため、クランプ及びスピンチャック5に生じた洗浄残りまで好適に洗浄することができる。
When the dicing
〔上部排気口6a〕
洗浄装置100において、上部排気口6aは、カップ8内に収容されたスピンチャック5上に載置される基板10の上方に位置している。また、上部排気口6aは、カップ8の側面側に設けられている。つまり、スピンチャック5上に設けられた基板10の外周よりも外側に設けられている。これにより、上部排気口6aは、基板上を流れる気体を基板の外周上方から排気する。
[
In the
なお、上部排気口6aは、洗浄装置100に複数設けられていてもよい。また、上部排気口6aは、基板10上の気体を吸引する吸引手段(図示せず)をさらに備えていてもよい。これにより、基板10上に上部排気口6aに向かって流れる気流が発生し、基板10上の気体を上部排気口6aからより効率よく排気することができる。また、図2の(b)において、上部排気口6aは上部壁の端部に位置しており、その開口径は、上部壁により基板10上部から上部排気口6aまで形成される排気流路の内径よりも小さくなっているが、上部排気口6aの構成としてはこれに限定されない。
A plurality of
〔第1遮蔽部6〕
図2の(b)に示すように、第1遮蔽部6は、上部排気口6aからスピンチャック5の方向、すなわち、スピンチャック5に載置される基板10方向に延伸するように設けられている板状体である。また、第1遮蔽部6は、上部排気口6aへと続く上部壁に接続されている。
[First shielding part 6]
As shown in FIG. 2B, the
第1遮蔽部6は、基板10上を流れる気体が上部排気口6aへと流れ込むように、気体の流れる向きを変更する。すなわち、第1遮蔽部6は、基板10上を流れる気体であって、基板10から上方へと向かう気体の進行方向に位置することによって、その流れを遮り、上部排気口6aに向かうように変更する。
The
アーム3を回動させることで複数のノズル1を移動させながら、複数のノズル1から洗浄液を吐出すると、洗浄液ミストが拡散し、洗浄装置100の周囲の汚染が顕著となる。ここで、洗浄装置100においては、上部排気口6aと第1遮蔽部6とを備えているので、基板10上を流れる気体を基板の外周上方から効率よく排気することが可能である。このため、気体の排気に伴って、洗浄液ミストを上部排気口6aからカップ8の外部に排出(排液)することができる。
When the cleaning liquid is discharged from the plurality of
〔第2遮蔽部7〕
第2遮蔽部7は、スピンチャック5の上方、すなわち基板10の上面と上部排気口6aとの間に位置している。第2遮蔽部7は、第1遮蔽部6よりも基板10側に位置しており、上部排気口6aからスピンチャック5の方向、すなわちスピンチャック5に載置される基板10方向に延伸するように設けられている板状体である。また、第2遮蔽部7は、第1遮蔽部6が接続された上部壁よりも下側に位置し、上部排気口6aへと続く下部壁に接続されている。
[Second shielding part 7]
The
第2遮蔽部7は、基板10の上方に向かって流れる気体を基板の下方に向かって流れるように、気体の流れる向きを変更する。すなわち、第2遮蔽部7は、基板10上を流れる気体であって、基板10から上方へと向かう気体の進行方向に位置することによって、その流れを遮り、基板10よりも下側に向かうように変更する。
The
このように、第2遮蔽部7によって基板10よりも下側に向かうように流れが変更された気体は、後述する下部排気口7aを介して排気される。したがって、下部排気口7aからの気体の排気に伴って、基板10上に拡散された洗浄液ミストをカップ8の外部に排出することができる。これにより、カップ8の周囲が汚染するのをより確実に防ぐことができる。なお、基板10の上方に向かう気体のうち、第2遮蔽部7から外れた位置を流れる気体は、第1遮蔽部6にその流路が塞がれる。このため、第1遮蔽部6によって上部排気口6aに向かうようにその気体の流れが変更される。
As described above, the gas whose flow is changed by the
このように、基板10の上方に向かう気体に対して、第1遮蔽部6及び第2遮蔽部7による2段階の気流変更を行なうので、基板10上を流れる気体をより確実に上部排気口6a及び下部排気口7aへと導くことができる。その結果、上部排気口6a及び下部排気口7aに導かれる気体に伴って、洗浄液ミストを上部排気口6a及び下部排気口7aから排出することが可能である。このように、洗浄装置100によれば、洗浄液ミストをカップ8外に飛散させることがないため、カップ8の周囲が汚染するのをより確実に防ぐことができる。
In this way, since the air flow is changed in two stages by the
なお、上部排気口6a及び第1遮蔽部6と、第2遮蔽部7が接続される下部壁が設けられたカップ8とは、独立して設けられている。また、第2遮蔽部7は、第1遮蔽部6と同様に、基板10の外周に円周状に設けられている。
In addition, the
また、図2の(b)に示すように、第2遮蔽部7とダイシングフレーム12の外周との間の距離Aは、3〜20mmであることが好ましく、第2遮蔽部7とダイシングフレーム12の上面との間の距離Bは、10〜50mmであることが好ましい。これにより、基板から第2遮蔽部7を越えて上方に向かう気体の発生を抑え、当該気体による洗浄液ミストの飛散を防ぐことができる。なお、距離A及び距離Bは、ダイシングフレーム12の大きさ、基板10の回転数、ノズルの数等に応じて適宜変更可能なものである。
As shown in FIG. 2B, the distance A between the
なお、ダイシングフレームを用いずに基板をスピンチャック上に保持する場合、距離Aは、第2遮蔽部7と基板10の外周との間の距離であり得る。また、距離Bは、第2遮蔽部7と基板10の上面との間の距離であり得る。
When the substrate is held on the spin chuck without using the dicing frame, the distance A can be a distance between the
〔下部排気口7a〕
下部排気口7aは、スピンチャック5の下方、すなわち基板10の下方に位置しており、基板10の下方から気体を排気する。基板10上を流れる気体のうち、第2遮蔽部7によって基板10の下方に向かって流れるように、流れる向きを変更された気体は、下部排気口7aから排気される。この気体の流れに伴って、基板10上の洗浄液ミストが、下部排気口から排出される。このように、基板10の下方にも排気口を設けたことによって、より確実に洗浄液ミストの拡散を防止することができる。なお、基板10の下方に流れる気体を下部排気口7aに効率よく導くために、下部排気口7aは、基板10の下方に設けられた排気ダクトの端部に設けられていてもよい。また、下部排気口7aは複数設けられていてもよく、この場合、基板10の同心円上において等間隔に設けられていることが好ましい。
[
The
〔気流変更部9〕
気流変更部9は、スピンチャック5の下方、すなわち基板10の下方に位置しており、基板10の下方に向かって流れる気体が下部排気口7aに流れ込むように、気体の流れる向きを変更する。図2に示すように、気流変更部9の中心はスピンチャック5の中心と同一であり得るが、その直径はスピンチャック5の直径よりも大きく、スピンチャック5の外周よりも外側にはみ出すように設けられている。気流変更部9は板状体であり、中心から外周へと下方に向かって湾曲している。すなわち、気流変更部9は、下部排気口7aに繋がる排気ダクトの入口に向かって湾曲している。これにより、図2の矢印に示すように、基板10の下方に向かって流れる気体は、気流変更部9によってその流れが下部排気口7aに繋がる排気ダクト方向に変更される。その結果、排気ダクトを介して下部排気口7aから効率よく排気され、これに伴って洗浄液ミストが排出される。
[Airflow changer 9]
The air flow changing unit 9 is located below the
〔純水吐出用ノズル〕
洗浄装置100は、例えば、洗浄液によって洗浄した基板10、ダイシングテープ11及びダイシングフレーム12に純水を吐出する純水吐出用ノズル(図示せず)を備えていてもよい。複数のノズル1により洗浄液を吐出して基板10を洗浄した後、純水吐出用ノズルにより基板10、ダイシングテープ11及びダイシングフレーム12に供給することによって基板10に残留する水溶性の汚れを好適に除去することができる。
[Pure water discharge nozzle]
The
〔エアブロー用ノズル〕
また、洗浄装置100は、洗浄後の基板10、ダイシングテープ11及びダイシングフレーム12を乾燥させるためのエアブロー用ノズル(図示せず)が設けられていてもよい。これにより、基板10、ダイシングテープ11及びダイシングフレーム12をより素早く乾燥させることができる。なお、エアブローには、N2等の不活性ガスを用いることが好ましい。
[Air blow nozzle]
Moreover, the
〔基板10〕
洗浄装置100が洗浄する基板10は、サポートプレートに支持された(貼り付けられた)状態で、薄化、搬送、実装等のプロセスに供される。基板10は、ウエハ基板に限定されず、例えば、サポートプレートによる支持が必要なセラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板であってもよい。また、基板10は、例えば、回路素子が形成されていてもよい。
[Substrate 10]
The
洗浄装置100において洗浄される基板10は、基板を支持するためのサポートプレートから分離された基板であり得る。この場合、基板10には、接着剤層又は分離層等の残渣が汚れとして残留している。
The
接着剤層の残渣には、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、炭化水素系樹脂、エラストマー等の熱可塑性樹脂が含まれている。また、分離層の残渣には、例えば、CVD法によって形成されたフルオロカーボン膜等の有機膜の残渣又は金属膜等の無機膜の残渣が含まれている。 The residue of the adhesive layer includes, for example, thermoplastic resins such as acrylic resins, styrene resins, maleimide resins, hydrocarbon resins, and elastomers. The residue of the separation layer includes, for example, an organic film residue such as a fluorocarbon film or an inorganic film residue such as a metal film formed by a CVD method.
〔洗浄液〕
洗浄装置100において用いる洗浄液は、接着剤層又は分離層の残渣を溶解し、除去できるものであれば限定されない。洗浄液としては、例えば、直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐状の炭化水素、環状炭化水素、テルペン系溶剤、ケトン類、多価アルコール類、多価アルコールのアルキルエステル誘導体、多価アルコールのアルキルエーテル誘導体、環式エーテル類、エステル類及び芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
[Cleaning liquid]
The cleaning liquid used in the
〔ダイシングテープ11〕
ダイシングテープ(支持膜)11は、基板10の強度を補強するために基板10の片面に接着される。基板10は、その外周にダイシングフレーム12が取り付けられたダイシングテープ11に貼着されている。
[Dicing tape 11]
A dicing tape (support film) 11 is bonded to one side of the
ダイシングテープ11としては、例えばベースフィルムに粘着層が形成された構成のダイシングテープを用いることができる。ベースフィルムとしては、例えば、PVC(ポリ塩化ビニル)、ポリオレフィン又はポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。ダイシングテープ11の外径は基板10の外径よりも大きく、これらを貼り合わせると基板10の外縁部分にダイシングテープ11の一部が露出した状態になっている。
As the dicing
〔ダイシングフレーム12〕
ダイシングテープ11の露出面のさらに外周には、ダイシングテープ11の撓みを防止するためのダイシングフレーム(枠部)12が取り付けられている。すなわち、ダイシングテープ11の外縁部分では、ダイシングフレーム12が露出した状態になっている。ダイシングフレーム12としては、例えば、アルミニウム等の金属製のダイシングフレーム、ステンレススチール(SUS)等の合金製のダイシングフレーム、及び樹脂製のダイシングフレームが挙げられる。樹脂製のダイシングフレームとしては、例えば、信越ポリマー株式会社製又は株式会社ディスコ製の樹脂製ダイシングフレーム等が挙げられる。
[Dicing frame 12]
A dicing frame (frame portion) 12 for preventing bending of the dicing
〔変形例〕
本発明に係る洗浄装置は、上記実施形態に限定されない。一変形例に係る洗浄装置では、例えば、ユーザによって予め入力された洗浄条件を示す洗浄条件情報に基づいて吐出方向を変更するように吐出方向変更手段を制御する吐出方向制御手段を備えていてもよい。
[Modification]
The cleaning apparatus according to the present invention is not limited to the above embodiment. The cleaning apparatus according to the modified example may include, for example, a discharge direction control unit that controls the discharge direction changing unit to change the discharge direction based on cleaning condition information indicating a cleaning condition input in advance by a user. Good.
すなわち、吐出方向制御手段は、各機能を実現するプログラムの命令を実行するMPU等のCPU、このプログラムを格納したROM(Read Only Memory)、上記プログラムを実行可能な形式に展開するRAM(Random Access Memory)、及び、上記プログラム及び各種データを格納するメモリ等の記憶装置(記録媒体)を備えている。 In other words, the discharge direction control means includes a CPU such as an MPU that executes instructions of a program that realizes each function, a ROM (Read Only Memory) that stores the program, and a RAM (Random Access) that expands the program into an executable format. Memory) and a storage device (recording medium) such as a memory for storing the program and various data.
そして、本発明の目的は、吐出方向制御手段のプログラムメモリに固定的に担持されている場合に限らず、プログラムのプログラムコード(実行形式プログラム、中間コードプログラム、又は、ソースプログラム)を記録した記録媒体を装置に供給し、装置が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出して実行することによっても達成可能である。 The object of the present invention is not limited to the case where the discharge direction control means is fixedly held in the program memory, and the program code (execution format program, intermediate code program, or source program) of the program is recorded. This can also be achieved by supplying a medium to the apparatus and reading and executing the program code recorded on the recording medium.
<洗浄方法>
図3を用いて、本発明に係る洗浄方法の一実施形態について詳細に説明する。
<Washing method>
An embodiment of the cleaning method according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.
〔洗浄方法の実施形態1〕
図3の(a)〜(c)に示すように、一実施形態(実施形態1)に係る洗浄方法は、基板10を洗浄するための洗浄液を吐出する複数のノズル1a、1b及び1cを備えた洗浄装置100で基板10を洗浄する洗浄方法であって、複数のノズル1a、1b及び1cの吐出方向を互いに独立して変更する吐出方向変更部2a、2b及び2cによって、上記複数のノズル1a、1b及び1cのうち少なくとも一つのノズルの洗浄液の吐出方向を変更する工程を含んでいる。また、一実施形態に係る洗浄方法は、洗浄液を吐出しているノズル1a、1b及び1cを移動させるノズル移動工程を包含している。
[
As shown in FIGS. 3A to 3C, the cleaning method according to an embodiment (Embodiment 1) includes a plurality of
〔吐出方向変更工程〕
図3の(a)に示すように、本実施形態に係る洗浄方法が包含している吐出方向変更工程では、吐出方向変更部2がノズル1a、1b及び1cのうち、ノズル1cの洗浄液の吐出方向をスピンチャック5の中心から外側へ向かう方向に変更する。これによって、ノズルが洗浄液を、ダイシングフレーム12の外周部分の端部よりも外側に位置するスピンチャック5にまで供給することができる。このため、基板10を洗浄するときにスピンチャック5まで好適に洗浄することができる。また、ダイシングフレーム12がクランプによって固定されていれば、クランプまで好適に洗浄することができる。
[Discharge direction changing process]
As shown in FIG. 3A, in the discharge direction changing step included in the cleaning method according to the present embodiment, the discharge
ここで、スピンチャック5は、基板10並びに基板10を支持したダイシングテープ11及びダイシングフレーム12を保持した状態で回転している。スピンチャック5の回転数は、10rpm以上、3000rpm以下であることが好ましく、100rpm以上、2500rpm以下であることがより好ましく、200rpm以上、2200rpm以下であることが最も好ましい。スピンチャック5の回転数が、10rpm以上、3000rpm以下であれば、洗浄液の過度な飛散を抑制しつつ、好適に基板10を洗浄することができる。
Here, the
〔ノズル移動工程〕
ノズル移動工程では、吐出方向変更工程によってノズル1cの洗浄液の吐出方向を変更した後に、基板10の上方からダイシングフレーム12の外周部分の端部よりも外側に位置するスピンチャック5にまで洗浄液が供給されるように、アーム3によってノズル1a、1b及び1cを移動させる(図3の(b)及び(c))。
[Nozzle movement process]
In the nozzle moving process, after changing the discharge direction of the cleaning liquid from the
ここで、ノズル移動工程では、ノズルの移動幅を調整することによって基板10を重点的に洗浄した後に(図3の(a)及び(c))、スピンチャック5及びクランプ等にまで洗浄液を供給できるようにノズルを移動させてもよい(図3の(c))。また、ノズル移動工程は、1回の基板10の洗浄において、必要に応じて複数回行なってもよい。
Here, in the nozzle moving step, after the
また、ノズル移動工程では、ノズル1a、1b及び1cを往復移動させている間に、吐出方向変更工程によってノズル1cの洗浄液の吐出方向を変更させてもよい。
In the nozzle moving step, the discharge direction of the cleaning liquid from the
つまり、本実施形態に係る洗浄方法では、吐出方向変更工程における吐出方向変更部2cによるノズル1cの洗浄液の吐出方向の変更のタイミング、並びにノズル移動工程におけるアーム3による複数のノズル1の移動幅及び複数のノズル1の往復移動回数を適宜調整するとよい。
That is, in the cleaning method according to the present embodiment, the timing of changing the discharge direction of the cleaning liquid of the
これによって、本実施形態に係る洗浄方法では、基板10を重点的に洗浄することができる(図3の(a)及び(b))。また、スピンチャック5まで好適に洗浄することもできる(図3の(c))。また、基板10及びスピンチャック5の汚れの程度に応じて、洗浄液を供給する範囲を変更することができるため、洗浄液が過度に消費されることを防止することができる。
Thereby, in the cleaning method according to the present embodiment, the
〔洗浄方法の実施形態2〕
本発明に係る洗浄方法は、上記実施形態1に限定されない。例えば、本発明に係る洗浄方法の別の実施形態(実施形態2)では、図3の(d)〜(f)に示すように、吐出工程変更工程において、吐出方向変更部2a、2b及び2cによって、ノズル1a、1b及び1cの向きを同じ方向にして、ノズル1a、1b及び1cにおける洗浄液を吐出する方向をスピンチャック5の中心から外側へ向かう方向に変更してもよい。これによって、実施形態1に係る洗浄方法と同様に、スピンチャック5及びクランプ等にまで好適に洗浄液を供給することができる(図3の(f))。
[
The cleaning method according to the present invention is not limited to the first embodiment. For example, in another embodiment (Embodiment 2) of the cleaning method according to the present invention, as shown in FIGS. 3D to 3F, in the discharge process changing step, the discharge
また、実施形態2に係る洗浄方法においても、ノズル移動工程によってノズルを移動させつつ、吐出方向変更工程によってノズルにおける洗浄液の吐出方向を変更することができることは言うまでもない。また、ノズル移動工程において、ノズル1a、1b及び1cの移動幅及びノズル1a、1b及び1cの往復移動回数を調整することができることは言うまでもない。これによって、実施形態1に係る洗浄方法を実施する場合と同様に、実施形態2に係る洗浄方法では、基板10を重点的に洗浄することができる(図3の(d)及び(e))。また、基板10を洗浄するときにスピンチャック5にまで好適に洗浄液を供給することができる(図3の(f))。
In the cleaning method according to the second embodiment, it is needless to say that the discharge direction of the cleaning liquid in the nozzle can be changed by the discharge direction changing step while moving the nozzle by the nozzle moving step. Needless to say, in the nozzle moving step, the moving width of the
実施形態1及び実施形態2に係る洗浄方法では、吐出方向変更部2によって洗浄液の吐出方向を変更し、スピンチャック5にまで好適に洗浄液を供給することができる。このため、基板10を洗浄するときにスピンチャック5まで好適に洗浄することができ、スピンチャック5の洗浄残りを防止することができる。
In the cleaning method according to the first and second embodiments, the discharge direction of the cleaning liquid can be changed by the discharge
一方、図4の(a)〜(c)に示すように、吐出方向変更手段を備えていないノズル20では、基板10を洗浄するときにスピンチャック5にまで好適に洗浄液を供給することができない。このため、吐出方向変更手段を備えていないノズル20を備えた洗浄装置では、基板10を洗浄するときにスピンチャック5に洗浄残りを生じる。
On the other hand, as shown in FIGS. 4A to 4C, the
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
〔洗浄評価〕
実施例として、アームの先端部に3つの2流体スプレーノズルと吐出方向変更部とを備えた洗浄装置を用いて、ノズルにおける洗浄液の吐出方向を変更し、基板の洗浄を行なった。その後、基板並びにスピンチャック及びクランプの洗浄残りの有無を評価した。
[Cleaning evaluation]
As an example, the substrate was cleaned by changing the discharge direction of the cleaning liquid in the nozzle using a cleaning device provided with three two-fluid spray nozzles and a discharge direction changing unit at the tip of the arm. Then, the presence or absence of cleaning residue on the substrate, spin chuck and clamp was evaluated.
(基板の準備)
洗浄評価に用いた基板は次のようにして準備した。まず、流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2500W及び成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてC4F8を使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を支持体(12インチガラスサポートプレート、厚さ700μm)上に形成した。次に、12インチシリコンウエハには接着剤組成物であるTZNR(登録商標)−A3007t(東京応化工業株式会社製)をスピン塗布して、100℃、160℃、200℃で各3分加熱して接着層を形成した(膜厚50μm)。そして、真空下、220℃、4000Kgの条件で3分間、接着層及び分離層を介してシリコンウエハとサポートプレートとの貼り合せを行ない、積層体を作製した。その後、シリコンウエハの裏面をDISCO社製のバックグラインド装置を用いて薄化処理(50μm)を行なった。
(Preparation of substrate)
The substrate used for cleaning evaluation was prepared as follows. First, under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 700 mTorr, a high frequency power of 2500 W, and a film forming temperature of 240 ° C., a fluorocarbon film (
その後、上記作製条件により作製した積層体に、積層体のサポートプレート側から532nmの波長を有するパルスレーザを照射して分離層を変質させた。レーザ条件としては、照射速度が6,500mm/sec、パルス周波数が40kHz、照射ピッチが180μmであった。これにより得られた接着剤及び分離層の残渣が残るシリコンウエハを洗浄評価に用いた。 After that, the separation layer was altered by irradiating the laminate produced under the above production conditions with a pulsed laser having a wavelength of 532 nm from the support plate side of the laminate. As laser conditions, the irradiation speed was 6,500 mm / sec, the pulse frequency was 40 kHz, and the irradiation pitch was 180 μm. The silicon wafer in which the residue of the adhesive and separation layer obtained by this was used for cleaning evaluation.
実施例1においては、以下の表1におけるステップ9〜13において、3つの2流体スプレーノズルのうちの1つの2流体スプレーノズルにおける洗浄液の吐出方向を吐出方向制御手段によって自動的に変更させた。ここで、ステップ9、11及び13においてノズルをスピンチャックの中心より外側に向け、スピンチャックの外周部分及びクランプまで洗浄液を供給し、洗浄を行なった。また、各ステップにおけるスピンチャックのスピン回転数及び処理時間は表1の通りである。
In Example 1, in Steps 9 to 13 in Table 1 below, the discharge direction of the cleaning liquid in one of the two two-fluid spray nozzles was automatically changed by the discharge direction control means. Here, in
また、実施例2においては、実施例1における条件と同様にして、ステップ9〜13において手動によりノズルにおける洗浄液の吐出方向を変更した。 In Example 2, the discharge direction of the cleaning liquid at the nozzle was changed manually in Steps 9 to 13 in the same manner as the conditions in Example 1.
〔評価結果〕
実施例1及び実施例2において、基板のみならず、スピンチャック及びクランプについても洗浄残りなく洗浄することができることを確認した。
〔Evaluation results〕
In Example 1 and Example 2, it was confirmed that not only the substrate but also the spin chuck and the clamp could be cleaned without any remaining cleaning.
本発明は、種々の分野で用いられる基板の洗浄に利用することができる。 The present invention can be used for cleaning substrates used in various fields.
1 ノズル
1a ノズル
1b ノズル
1c ノズル
2 吐出方向変更部(吐出方向変更手段)
2a 吐出方向変更部(吐出方向変更手段)
2b 吐出方向変更部(吐出方向変更手段)
2c 吐出方向変更部(吐出方向変更手段)
3 アーム(アーム部材)
5 スピンチャック(載置台)
11 ダイシングテープ(支持膜)
12 ダイシングフレーム(枠部)
100 洗浄装置
DESCRIPTION OF
2a Discharge direction changing part (discharge direction changing means)
2b Discharge direction changing part (discharge direction changing means)
2c Discharge direction changing part (discharge direction changing means)
3 Arm (arm member)
5 Spin chuck (mounting table)
11 Dicing tape (support film)
12 Dicing frame (frame part)
100 Cleaning device
Claims (6)
上記複数のノズルの吐出方向を互いに独立して変更する吐出方向変更手段を備えていることを特徴とする洗浄装置。 A cleaning apparatus comprising a plurality of nozzles for discharging a cleaning liquid for cleaning a substrate,
A cleaning apparatus comprising: a discharge direction changing unit that changes the discharge directions of the plurality of nozzles independently of each other.
上記吐出方向変更手段は、上記複数のノズルのうちの少なくとも1つのノズルの上記洗浄液の吐出方向を、上記載置台の中心から外側へ向かう方向に変更することを特徴とする請求項1又は2に記載の洗浄装置。 A mounting table for the substrate;
The discharge direction changing means changes the discharge direction of the cleaning liquid of at least one of the plurality of nozzles from the center of the mounting table to the outside. The cleaning device described.
上記複数のノズルの吐出方向を互いに独立して変更する吐出方向変更手段によって、上記複数のノズルのうち少なくとも一つのノズルの上記洗浄液の吐出方向を変更する工程を含むことを特徴とする洗浄方法。 A cleaning method for cleaning a substrate with a cleaning apparatus including a plurality of nozzles for discharging a cleaning liquid for cleaning the substrate,
A cleaning method comprising: changing a discharge direction of the cleaning liquid of at least one of the plurality of nozzles by a discharge direction changing unit that changes the discharge directions of the plurality of nozzles independently of each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014017857A JP2015146352A (en) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Cleaning device and cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014017857A JP2015146352A (en) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Cleaning device and cleaning method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015146352A true JP2015146352A (en) | 2015-08-13 |
Family
ID=53890473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014017857A Pending JP2015146352A (en) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Cleaning device and cleaning method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015146352A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111451902A (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-28 | 株式会社迪思科 | Processing device |
JP2021057496A (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 信越エンジニアリング株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2021057503A (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2014
- 2014-01-31 JP JP2014017857A patent/JP2015146352A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111451902A (en) * | 2019-01-21 | 2020-07-28 | 株式会社迪思科 | Processing device |
CN111451902B (en) * | 2019-01-21 | 2023-08-15 | 株式会社迪思科 | Processing device |
JP2021057496A (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 信越エンジニアリング株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2021057503A (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP7401243B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-12-19 | 信越エンジニアリング株式会社 | Substrate processing equipment and substrate processing method |
JP7504573B2 (en) | 2019-09-30 | 2024-06-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101019445B1 (en) | Liquid treatment device | |
JP6118758B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium recording substrate processing program | |
US9721813B2 (en) | Liquid processing apparatus with cleaning jig | |
JP5486708B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JPWO2008013118A1 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP5726686B2 (en) | Liquid processing apparatus and method for controlling liquid processing apparatus | |
JP6449097B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and computer-readable storage medium storing substrate processing program | |
US10546763B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
JP2015146352A (en) | Cleaning device and cleaning method | |
JP4933945B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP5317505B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2007287999A (en) | Liquid processing device | |
US20140251539A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2010114123A (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP2009231619A (en) | Development apparatus and development method | |
JP2004235216A (en) | Substrate processor and substrate processing method | |
JPH10199852A (en) | Rotary substrate treatment device | |
TWI384542B (en) | Treatment device and surface treatment jig | |
JP4912020B2 (en) | Liquid processing equipment | |
JP2017069336A (en) | Substrate processing apparatus, cleaning method of suction holding unit, and storage medium | |
TWI747060B (en) | Processing cup unit and substrate processing apparatus | |
JP2018125499A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2017098295A (en) | Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2010003816A (en) | Wafer cleaning device | |
JP2009289803A (en) | Wet processing method and wet processing device |