JP2015142486A - End structure of high voltage cable - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えばCVケーブルのような高圧ケーブルの端部において段剥きされ、端末材料に対する接続処理が施された後、ケーブルシース層の収縮による遮蔽層の損傷を抑制することができる高圧ケーブルの端部構造に関する。 The present invention relates to a high-voltage cable capable of suppressing damage to a shielding layer due to contraction of a cable sheath layer after being stripped at an end of a high-voltage cable such as a CV cable and subjected to a connection process to a terminal material. It relates to the end structure.
一般に、6600V以上の高電圧送電を行うための高圧ケーブルは、銅製のケーブル芯線の外周に内部半導電層、絶縁体層、外部半導電層及び遮蔽層が被覆形成されるとともに、その外周に塩化ビニル樹脂製のケーブルシース層が被覆されて構成されている。このように積層構成された高圧ケーブルの端部における電気接続に際しては、ケーブル芯線の外周の各層が段剥きされて端末材料に接続される。 In general, a high-voltage cable for high-voltage power transmission of 6600 V or more has an inner semiconductive layer, an insulator layer, an outer semiconductive layer, and a shielding layer coated on the outer periphery of a copper cable core wire, and a chloride chloride on the outer periphery. A cable sheath layer made of vinyl resin is covered. When electrical connection is made at the end of the high-voltage cable thus laminated, each layer on the outer periphery of the cable core is stripped and connected to the terminal material.
このように高圧ケーブルの端部が端末材料に接続された後、ケーブルシース層が経時的に長手方向へ収縮するシュリンクバック現象を引き起こす。この現象により遮蔽層が引っ張られ、その遮蔽層の巻き崩れや皺が発生し、さらには遮蔽層が切断されて、最悪の場合、地絡故障に発展し、電力供給に支障が生ずる。 Thus, after the end of the high-voltage cable is connected to the terminal material, a shrinkback phenomenon is caused in which the cable sheath layer shrinks in the longitudinal direction over time. Due to this phenomenon, the shielding layer is pulled, and the shielding layer is crushed and wrinkled. Further, the shielding layer is cut, and in the worst case, it develops into a ground fault, and the power supply is hindered.
この種の高圧ケーブルの端部構造として、例えば特許文献1には電力ケーブルの端末処理部が記載されている。この電力ケーブルの端末処理部は、電力ケーブルの端末部を段剥ぎしてケーブル導体、ケーブル絶縁体、ケーブル外部半導電層及びケーブル遮蔽銅テープ層がそれぞれ露出されている。そして、ケーブル絶縁体上には、両端にテーパ部を形成した差込型ストレス緩和チューブがその弾性による締付力を利用して装着され、その下部テーパ部からケーブル外部半導電層にわたって半導電性テープ巻層が設けられている。 As an end structure of this type of high-voltage cable, for example, Patent Document 1 describes a terminal processing unit of a power cable. In the terminal processing portion of the power cable, the cable conductor, the cable insulator, the cable external semiconductive layer, and the cable shielding copper tape layer are exposed by stripping the terminal portion of the power cable. On the cable insulator, a plug-type stress relief tube having tapered portions at both ends is mounted using the elastic tightening force, and the semiconductive property extends from the lower tapered portion to the cable outer semiconductive layer. A tape winding layer is provided.
前述した特許文献1に記載されている従来構成の電力ケーブルの端末処理部では、差込型ストレス緩和チューブがケーブル絶縁体を被覆するように設けられ、ケーブル遮蔽銅テープ層及びケーブルシース層は被覆されていない。このため、ケーブルシース層のシュリンクバック現象による収縮力に基づくケーブル遮蔽銅テープ層の損傷を抑えることは困難であった。 In the power cable terminal processing portion of the conventional configuration described in Patent Document 1 described above, the plug-in type stress relaxation tube is provided so as to cover the cable insulator, and the cable shielding copper tape layer and the cable sheath layer are covered. It has not been. For this reason, it has been difficult to suppress damage to the cable shielding copper tape layer based on the shrinkage force due to the shrink back phenomenon of the cable sheath layer.
さらに、半導電性テープ巻層も差込型ストレス緩和チューブの一端部から外部半導電層まで巻き付けられているだけであることから、ケーブルシース層のシュリンクバック現象によりケーブル遮蔽銅テープ層が引っ張られたとき、その引張力に対する耐性を示すことはできない。従って、ケーブル遮蔽銅テープ層にはケーブルシース層の収縮力が強く作用し、巻き崩れや皺が発生し、最悪の場合にはケーブル遮蔽銅テープ層が断裂するおそれがあるという問題があった。 In addition, since the semiconductive tape winding layer is only wound from one end of the plug-in stress relief tube to the external semiconductive layer, the cable shielding copper tape layer is pulled by the shrink back phenomenon of the cable sheath layer. Resistance to the tensile force cannot be shown. Therefore, the cable sheath copper tape layer is strongly affected by the contraction force of the cable sheath layer, causing collapse and wrinkles. In the worst case, the cable shield copper tape layer may be broken.
加えて、特許文献1に記載の電力ケーブルの端末処理部では、ストレス緩和チューブがケーブル絶縁体上に装着され、温度上昇によるケーブル絶縁体の膨張収縮に追従することはできるが、ケーブルシース層のシュリンクバック現象によるケーブル遮蔽銅テープ層の損傷を抑制することはできなかった。 In addition, in the terminal processing part of the power cable described in Patent Document 1, the stress relaxation tube is mounted on the cable insulator and can follow the expansion and contraction of the cable insulator due to the temperature rise. Damage to the cable shielding copper tape layer due to the shrinkback phenomenon could not be suppressed.
そこで、本発明の目的とするところは、簡易な構造で、ケーブルシース層のシュリンクバック現象による遮蔽層の損傷を有効に抑制することができる高圧ケーブルの端部構造を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an end structure of a high-voltage cable that can effectively prevent damage to a shielding layer due to a shrinkback phenomenon of a cable sheath layer with a simple structure.
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明の高圧ケーブルの端部構造は、ケーブル芯線の外周には内部半導電層、絶縁体層、外部半導電層及び遮蔽層が順に被覆されるとともに、前記遮蔽層の外周にはケーブルシース層が被覆された高圧ケーブルの端部構造であって、前記ケーブル芯線の外周に被覆された各層を段剥きした状態で、外部半導電層からケーブルシース層にわたって把持カバーを被せ、その把持カバーの少なくとも両端部に電気絶縁性の締付用テープを巻付けて、把持カバーを外部半導電層とケーブルシース層に固定したことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the end structure of the high voltage cable according to the first aspect of the present invention is such that the outer periphery of the cable core wire is coated with an inner semiconductive layer, an insulator layer, an outer semiconductive layer, and a shielding layer in order. In addition, the end structure of the high-voltage cable is covered with a cable sheath layer on the outer periphery of the shielding layer, and each layer covered on the outer periphery of the cable core wire is stripped from the outer semiconductive layer. The grip cover is covered over the cable sheath layer, and an electrically insulating fastening tape is wound around at least both ends of the grip cover to fix the grip cover to the external semiconductive layer and the cable sheath layer.
請求項2に記載の発明の高圧ケーブルの端部構造は、請求項1に係る発明において、前記把持カバーは、ケーブルシース層側が大径化されてケーブルシース層に密着し、外部半導電層側が小径化されて外部半導電層に密着するように構成されていることを特徴とする。 The end structure of the high voltage cable according to claim 2 is the invention according to claim 1, wherein the grip cover has a large diameter on the cable sheath layer side so as to be in close contact with the cable sheath layer, and the outer semiconductive layer side is It is configured to be reduced in diameter and to be in close contact with the external semiconductive layer.
請求項3に記載の発明の高圧ケーブルの端部構造は、請求項1又は請求項2に係る発明において、前記把持カバーは、ケーブルシース層の収縮力による変形が抑制されるゴムにより形成されていることを特徴とする。 The end structure of the high-voltage cable according to a third aspect of the present invention is the invention according to the first or second aspect, wherein the grip cover is formed of rubber that suppresses deformation due to contraction force of the cable sheath layer. It is characterized by being.
請求項4に記載の発明の高圧ケーブルの端部構造は、請求項3に係る発明において、前記把持カバーはエチレンープロピレン系の共重合ゴムで形成され、ケーブルシース層は塩化ビニル系樹脂で形成されていることを特徴とする。 The end structure of the high-voltage cable according to claim 4 is the invention according to claim 3, wherein the grip cover is made of an ethylene-propylene copolymer rubber, and the cable sheath layer is made of a vinyl chloride resin. It is characterized by being.
請求項5に記載の発明の高圧ケーブルの端部構造は、請求項1から請求項4のいずれか一項に係る発明において、前記締付用テープは、把持カバー全体を覆うように巻付けられていることを特徴とする。 The end portion structure of the high-voltage cable according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the fastening tape is wound so as to cover the entire gripping cover. It is characterized by.
請求項6に記載の発明の高圧ケーブルの端部構造は、請求項1から請求項5のいずれか一項に係る発明において、前記外部半導電層からケーブルシース層にわたる最外周には、耐紫外線性の保護層が形成されていることを特徴とする。 The end structure of the high-voltage cable of the invention according to claim 6 is the invention according to any one of claims 1 to 5, wherein the outermost periphery extending from the outer semiconductive layer to the cable sheath layer is UV resistant. It is characterized in that a protective layer is formed.
本発明の高圧ケーブルの端部構造によれば、簡易な構造で、ケーブルシース層のシュリンクバック現象による遮蔽層の損傷を有効に抑制することができるという優れた効果を奏する。 According to the end portion structure of the high voltage cable of the present invention, there is an excellent effect that damage to the shielding layer due to the shrinkback phenomenon of the cable sheath layer can be effectively suppressed with a simple structure.
以下、本発明の実施形態を図1〜図6に基づいて詳細に説明する。
図2に示すように、高圧ケーブル11は、ケーブル芯線12の外周に内部半導電層13、絶縁体層14、外部半導電層15及び遮蔽層16が順に被覆されるとともに、前記遮蔽層16の外周にはケーブルシース層17が被覆されて形成されている。ケーブル芯線12は、銅、アルミニウム等の金属により、断面円形状に形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
As shown in FIG. 2, the high-voltage cable 11 includes an inner semiconductive layer 13, an insulator layer 14, an outer semiconductive layer 15, and a shielding layer 16 that are sequentially coated on the outer periphery of the cable core wire 12. A cable sheath layer 17 is coated on the outer periphery. The cable core wire 12 is formed in a circular cross section by a metal such as copper or aluminum.
絶縁体層14は、ポリエチレン樹脂等の電気絶縁材料により形成されている。遮蔽層(シールド層)16は、銅テープ、アルミニウムテープ、鉄テープ等により静電遮蔽や電磁遮蔽を行うものである。ケーブルシース層17は、塩化ビニル系樹脂、ポリエチレン樹脂等により形成され、高圧ケーブル11の機械的保護を行うようになっている。前記遮蔽層16の外周には、接地線18の一端部が巻付けられてはんだ付けされている。その接地線18の他端部は引き出されて接地されている。引き出された接地線18の外周には、図示しないシールテープが巻付けられ、電気絶縁が図られている。 The insulator layer 14 is made of an electrically insulating material such as polyethylene resin. The shielding layer (shielding layer) 16 performs electrostatic shielding or electromagnetic shielding with a copper tape, an aluminum tape, an iron tape or the like. The cable sheath layer 17 is formed of a vinyl chloride resin, a polyethylene resin, or the like, and performs mechanical protection of the high voltage cable 11. One end of a ground wire 18 is wound around the outer periphery of the shielding layer 16 and soldered. The other end of the ground wire 18 is drawn out and grounded. A seal tape (not shown) is wound around the outer periphery of the drawn-out ground wire 18 to achieve electrical insulation.
図4に示すように、複数の高圧ケーブル11は結束具20で束ねられ、その端部は撚りが解かれて各高圧ケーブル11がクランプ21によりブラケット22に固定されている。ブラケット22に固定された部分より先端側の高圧ケーブル11は、端末材料23との電気的な接続ために必要な長さだけ延出されている。 As shown in FIG. 4, the plurality of high-voltage cables 11 are bundled by a binding tool 20, the ends thereof are untwisted, and each high-voltage cable 11 is fixed to a bracket 22 by a clamp 21. The high-voltage cable 11 on the distal end side from the portion fixed to the bracket 22 is extended by a length necessary for electrical connection with the terminal material 23.
高圧ケーブル11の端部の接続は、複数本(本実施形態では3本)の高圧ケーブル11の各端部を、それぞれ端末材料23に常法に従って電気的に接続することにより行われる。この場合、図2に示すように、高圧ケーブル11の端部は各層が段剥きされ、ケーブル芯線12、内部半導電層13、絶縁体層14、外部半導電層15及び遮蔽層16が所定長さで露出される。 Connection of the end portions of the high-voltage cable 11 is performed by electrically connecting each end portion of a plurality of (three in the present embodiment) high-voltage cables 11 to the terminal material 23 according to a conventional method. In this case, as shown in FIG. 2, the end portions of the high-voltage cable 11 are stepped, and the cable core wire 12, the internal semiconductive layer 13, the insulator layer 14, the external semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 have a predetermined length. Now it ’s exposed.
図3に示すように、高圧ケーブル11の端部の各層が段剥きされた状態で、少なくとも外部半導電層15及び遮蔽層16の外周には、半導電性のテープ24が巻付けられて遮蔽されている。この半導電性のテープ24は、ゴム系の材料を用いた粘着テープにより形成されている。このため、半導電性のテープ24を外部半導電層15と遮蔽層16の外周に締付けながら巻付けることにより、半導電性のテープ24を外部半導電層15及び遮蔽層16の外周面に簡単に密着させることができる。 As shown in FIG. 3, in a state where the layers of the end portion of the high voltage cable 11 are stepped off, a semiconductive tape 24 is wound around at least the outer periphery of the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 to shield it. Has been. The semiconductive tape 24 is formed of an adhesive tape using a rubber material. For this reason, the semiconductive tape 24 is easily wound around the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 by winding the semiconductive tape 24 around the outer semiconductive layer 15 and the outer periphery of the shielding layer 16. Can be adhered to.
図5に示すように、ケーブル芯線12の外周に被覆された各層が段剥きされた状態で、少なくとも外部半導電層15からケーブルシース層17にわたって把持カバー25が被せられている。 As shown in FIG. 5, a grip cover 25 is placed over at least the outer semiconductive layer 15 and the cable sheath layer 17 in a state where the respective layers covered on the outer periphery of the cable core wire 12 are stepped off.
図5及び図6に示すように、この把持カバー25は、ケーブルシース層17を被覆する拡径部26と、絶縁体層14を覆う縮径部27と、それらの拡径部26及び縮径部27を接続し、外部半導電層15及び遮蔽層16を被覆する傾斜部28とにより構成されている。該把持カバー25の拡径部26及び縮径部27は端部ほど外周面が縮径して薄肉となるテーパ状に形成され、把持カバー25の装着性を向上させている。また、把持カバー25の拡径部26から傾斜部28にかけて切欠き部29が把持カバー25の軸線方向に延びるように切欠き形成され、その切欠き部29から前記接地線18が引き出されるようになっている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the grip cover 25 includes a diameter-expanded portion 26 that covers the cable sheath layer 17, a diameter-reduced portion 27 that covers the insulator layer 14, and the diameter-expanded portion 26 and the diameter-reduced portion. The inclined portion 28 is connected to the portion 27 and covers the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16. The enlarged diameter portion 26 and the reduced diameter portion 27 of the grip cover 25 are formed in a tapered shape in which the outer peripheral surface is reduced in diameter toward the end portion, so that the mountability of the grip cover 25 is improved. Further, a notch 29 is formed so as to extend in the axial direction of the grip cover 25 from the enlarged diameter portion 26 to the inclined portion 28 of the grip cover 25, so that the ground wire 18 is drawn out from the notch 29. It has become.
この把持カバー25は、エチレン−プロピレン系の共重合ゴム、シリコーンゴム、クロロプレンゴム、ウレタンゴム等により筒状に成形されている。また、把持カバー25は、ケーブルシース層17の収縮力による変形が抑制されるゴムにより形成され、ケーブルシース層17のシュリンクバック現象による収縮力(引張力)に対する耐性を発揮できるようになっている。 The grip cover 25 is formed into a cylindrical shape from ethylene-propylene copolymer rubber, silicone rubber, chloroprene rubber, urethane rubber, or the like. The grip cover 25 is formed of rubber that suppresses deformation due to the contraction force of the cable sheath layer 17, and can exhibit resistance to the contraction force (tensile force) due to the shrink back phenomenon of the cable sheath layer 17. .
また、把持カバー25は外部半導電層15及び遮蔽層16の全体を覆うことが好ましく、ケーブルシース層17の軸線方向の長さとして例えば30mm以上の範囲を覆うことが好ましい。このように、把持カバー25が外部半導電層15及びケーブルシース層17を十分な被覆面積をもって被覆することにより、ケーブルシース層17の収縮力による遮蔽層16への影響を緩和することができる。 The grip cover 25 preferably covers the entire outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16, and preferably covers a range of, for example, 30 mm or more as the length in the axial direction of the cable sheath layer 17. As described above, the grip cover 25 covers the outer semiconductive layer 15 and the cable sheath layer 17 with a sufficient covering area, so that the influence of the contraction force of the cable sheath layer 17 on the shielding layer 16 can be reduced.
図1に示すように、前記把持カバー25の全面を覆うように電気絶縁性の締付用テープ30が巻付けられ、把持カバー25が外部半導電層15、遮蔽層16及びケーブルシース層17に固定されている。この締付用テープ30は、把持カバー25の少なくとも両端部において巻付けられておればよい。締付用テープ30は、前記把持カバー25と同種の材料により形成されている。 As shown in FIG. 1, an electrically insulating fastening tape 30 is wound so as to cover the entire surface of the grip cover 25, and the grip cover 25 is wrapped around the outer semiconductive layer 15, the shielding layer 16 and the cable sheath layer 17. It is fixed. The fastening tape 30 may be wound around at least both ends of the grip cover 25. The fastening tape 30 is made of the same material as the grip cover 25.
前記外部半導電層15からケーブルシース層17にわたる最外周には、耐紫外線性に優れた保護テープを巻付けた保護層31が形成されている。この保護層31としては、塩化ビニル系樹脂、架橋ポリエチレン樹脂等の耐紫外線性の良好な材料により形成されている。 On the outermost periphery extending from the outer semiconductive layer 15 to the cable sheath layer 17, a protective layer 31 is formed by winding a protective tape excellent in ultraviolet resistance. The protective layer 31 is formed of a material having good ultraviolet resistance such as vinyl chloride resin and crosslinked polyethylene resin.
次に、上記のように構成された高圧ケーブル11の端部構造について作用を説明する。
さて、図4に示すように、高圧ケーブル11の端部を端末材料23に接続する場合には、各高圧ケーブル11の端部を電気的接続のために必要な所定長さだけ残し、ブラケット22に対してクランプ21で固定する。
Next, the operation of the end structure of the high voltage cable 11 configured as described above will be described.
Now, as shown in FIG. 4, when connecting the end of the high voltage cable 11 to the terminal material 23, the end of each high voltage cable 11 is left for a predetermined length necessary for electrical connection, and the bracket 22 It fixes with the clamp 21 with respect to it.
続いて、図2に示すように、各高圧ケーブル11の端部を段剥きする。すなわち、高圧ケーブル11の端部の内部半導電層13、絶縁体層14、外部半導電層15、遮蔽層16及びケーブルシース層17をそれぞれ所定長さで段剥きし、ケーブル芯線12、内部半導電層13、絶縁体層14、外部半導電層15及び遮蔽層16を露出させる。なお、段剥きした各層の端部に面取りを施す。次いで、接地線18の端部を遮蔽層16に巻付けてはんだ付けする。そして、絶縁体層14、ケーブルシース層17等の表面を溶剤等が浸み込んだ布で拭いて清掃する。 Then, as shown in FIG. 2, the edge part of each high voltage | pressure cable 11 is stepped off. That is, the internal semiconductive layer 13, the insulator layer 14, the external semiconductive layer 15, the shielding layer 16, and the cable sheath layer 17 at the end of the high voltage cable 11 are stepped off to a predetermined length, respectively, The conductive layer 13, the insulator layer 14, the external semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 are exposed. In addition, chamfering is performed on the end of each stepped layer. Next, the end of the ground wire 18 is wound around the shielding layer 16 and soldered. Then, the surfaces of the insulator layer 14 and the cable sheath layer 17 are cleaned by wiping with a cloth soaked with a solvent or the like.
その後、図3に示すように、絶縁体層14の表面に潤滑剤を薄く塗布するとともに、端末材料23の開口端部にも潤滑剤を塗布する。そして、端末材料23を高圧ケーブル11の撚り方向と同じ方向に回しながら高圧ケーブル11に嵌挿し、高圧ケーブル11の端部を端末材料23に接続する。その状態で、六角ダイス等を使用して、高圧ケーブル11と端末材料23の接続部分を圧着する。そして、遮蔽層16、外部半導電層15及び絶縁体層14から端末材料23の端部にわたる外周に半導電性のテープ24を巻付ける。この場合、半導電性のテープ24を例えば1/2重ねで1往復巻付ける。 Thereafter, as shown in FIG. 3, the lubricant is thinly applied to the surface of the insulator layer 14, and the lubricant is also applied to the opening end portion of the terminal material 23. Then, the terminal material 23 is inserted into the high-voltage cable 11 while rotating in the same direction as the twisting direction of the high-voltage cable 11, and the end of the high-voltage cable 11 is connected to the terminal material 23. In this state, a connecting portion between the high voltage cable 11 and the terminal material 23 is crimped using a hexagonal die or the like. Then, a semiconductive tape 24 is wound around the outer periphery extending from the shielding layer 16, the outer semiconductive layer 15, and the insulator layer 14 to the end portion of the terminal material 23. In this case, the semiconductive tape 24 is wound once, for example, in a 1/2 layer.
次に、図5に示すように、把持カバー25の縮径部27を前にして高圧ケーブル11のケーブルシース層17側から高圧ケーブル11に嵌挿し、把持カバー25を外部半導電層15からケーブルシース層17にわたって装着する。このとき、把持カバー25は、傾斜部28が外部半導電層15及び遮蔽層16を被覆し、拡径部26がケーブルシース層17を被覆する。また、把持カバー25は、そのゴム弾性により、外部半導電層15、遮蔽層16及びケーブルシース層17の外周面に密着する。なお、接地線18を把持カバー25の切欠き部29を通して外部へ引き出す。 Next, as shown in FIG. 5, the grip cover 25 is fitted into the high-voltage cable 11 from the cable sheath layer 17 side of the high-voltage cable 11 with the reduced diameter portion 27 in front, and the grip cover 25 is connected to the cable from the external semiconductive layer 15. Wear over sheath layer 17. At this time, in the grip cover 25, the inclined portion 28 covers the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16, and the enlarged diameter portion 26 covers the cable sheath layer 17. The grip cover 25 is in close contact with the outer peripheral surfaces of the outer semiconductive layer 15, the shielding layer 16, and the cable sheath layer 17 due to its rubber elasticity. The ground wire 18 is pulled out through the notch 29 of the grip cover 25.
引き続き、図1に示すように、把持カバー25の外周の全面にわたって電気絶縁性の締付用テープ30を巻付ける。このとき、把持カバー25が外部半導電層15、遮蔽層16及びケーブルシース層17に対して強固に締付けられる。そのため、ケーブルシース層17にシュリンクバック現象が生じたとき、遮蔽層16は把持カバー25及び締付用テープ30を介してケーブルシース層17に一体的に形成されていることから、ケーブルシース層17の収縮が抑えられ、遮蔽層16にケーブルシース層17の収縮力が作用することが緩和される。従って、ケーブルシース層17の収縮力に基づく遮蔽層16の損傷が抑制される。なお、接地線18の外周にはシールテープを巻付け、接地線18を絶縁する。 Subsequently, as shown in FIG. 1, an electrically insulating fastening tape 30 is wound around the entire outer periphery of the grip cover 25. At this time, the grip cover 25 is firmly tightened to the outer semiconductive layer 15, the shielding layer 16, and the cable sheath layer 17. Therefore, when the shrinkback phenomenon occurs in the cable sheath layer 17, the shielding layer 16 is integrally formed with the cable sheath layer 17 via the grip cover 25 and the fastening tape 30. The contraction force of the cable sheath layer 17 acts on the shielding layer 16 is reduced. Therefore, damage to the shielding layer 16 based on the contraction force of the cable sheath layer 17 is suppressed. A seal tape is wound around the outer periphery of the ground wire 18 to insulate the ground wire 18.
その後、外部半導電層15からケーブルシース層17にわたる最外周に耐紫外線性の保護テープを巻付けて保護層31を形成する。このとき、保護テープは例えば1/2重ねで1.5往復巻付ける。このようにして、高圧ケーブル11の端部を端末材料23に対して接続することができる。 Thereafter, a protective layer 31 is formed by winding a UV-resistant protective tape around the outermost periphery extending from the outer semiconductive layer 15 to the cable sheath layer 17. At this time, for example, the protective tape is wound 1.5 times in a 1/2 layer. In this way, the end of the high voltage cable 11 can be connected to the terminal material 23.
以上詳述した実施形態によって得られる効果を以下にまとめて記載する。
(1)本実施形態の高圧ケーブル11の端部構造においては、ケーブル芯線12の外周に被覆された各層を段剥きした状態で、外部半導電層15からケーブルシース層17にわたって電気絶縁性の把持カバー25を被せ、その把持カバー25の外周に電気絶縁性の締付用テープ30を巻付けるように構成されている。
The effects obtained by the embodiment described in detail above are collectively described below.
(1) In the end structure of the high-voltage cable 11 according to the present embodiment, an electrically insulating grip is formed from the outer semiconductive layer 15 to the cable sheath layer 17 in a state where each layer coated on the outer periphery of the cable core wire 12 is stepped off. The cover 25 is covered and an electrically insulating fastening tape 30 is wound around the outer periphery of the grip cover 25.
このため、外部半導電層15及び遮蔽層16は、把持カバー25及び締付用テープ30を介してケーブルシース層17に固定される。従って、ケーブルシース層17にシュリンクバック現象が生じて収縮力が発生したとき、その収縮力が把持カバー25や締付用テープ30によって抑えられ、遮蔽層16に及ぶことが抑制される。 For this reason, the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 are fixed to the cable sheath layer 17 via the grip cover 25 and the fastening tape 30. Therefore, when a shrinkback phenomenon occurs in the cable sheath layer 17 and a contraction force is generated, the contraction force is suppressed by the grip cover 25 and the fastening tape 30 and is prevented from reaching the shielding layer 16.
よって、本実施形態の高圧ケーブル11の端部構造によれば、簡易な構造で、ケーブルシース層17のシュリンクバック現象による遮蔽層16の損傷を有効に抑制することができるという優れた効果を奏する。加えて、把持カバー25が遮蔽層16から外部半導電層15までを覆うようにして、高圧ケーブル11の端部を端末材料23に接続するように構成したことから、端末材料23の形状によらず、高圧ケーブル11の端部を端末材料23に接続することができる。 Therefore, according to the end structure of the high-voltage cable 11 of the present embodiment, there is an excellent effect that damage to the shielding layer 16 due to the shrinkback phenomenon of the cable sheath layer 17 can be effectively suppressed with a simple structure. . In addition, since the grip cover 25 covers the shielding layer 16 to the external semiconductive layer 15 and the end of the high voltage cable 11 is connected to the terminal material 23, the shape of the terminal material 23 depends. Instead, the end of the high voltage cable 11 can be connected to the terminal material 23.
(2)前記把持カバー25は、ケーブルシース層17側に拡径部26が設けられてケーブルシース層17に密着し、外部半導電層15及び遮蔽層16側に傾斜部28が設けられて外部半導電層15に密着するように構成されている。そのため、段剥きされた高圧ケーブル11の端部において、外径の異なるケーブルシース層17と外部半導電層15及び遮蔽層16に対する把持カバー25の密着性を向上させることができる。 (2) The grip cover 25 is provided with an enlarged diameter portion 26 on the cable sheath layer 17 side and is in close contact with the cable sheath layer 17, and an inclined portion 28 is provided on the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 side. It is configured to be in close contact with the semiconductive layer 15. Therefore, the adhesion of the grip cover 25 to the cable sheath layer 17, the outer semiconductive layer 15, and the shielding layer 16 having different outer diameters can be improved at the end of the stripped high voltage cable 11.
(3)前記把持カバー25は、ケーブルシース層17の収縮力による変形が抑制されるゴムにより形成されている。このため、把持カバー25にケーブルシース層17の収縮力が作用したとき、そのケーブルシース層17の収縮力を有効に抑えて、遮蔽層16の損傷を一層抑制することができる。 (3) The grip cover 25 is formed of rubber that suppresses deformation due to the contraction force of the cable sheath layer 17. For this reason, when the contraction force of the cable sheath layer 17 acts on the grip cover 25, the contraction force of the cable sheath layer 17 can be effectively suppressed, and damage to the shielding layer 16 can be further suppressed.
(4)前記把持カバー25はエチレンープロピレン系の共重合ゴムで形成され、ケーブルシース層17は塩化ビニル系樹脂で形成されている。従って、把持カバー25がケーブルシース層17の収縮力を効果的に抑制できるとともに、把持カバー25は電気絶縁性、耐熱性等の優れた特性を発揮でき、ケーブルシース層17は電気絶縁性、機械的物性等の優れた特性を発揮することができる。 (4) The grip cover 25 is made of an ethylene-propylene copolymer rubber, and the cable sheath layer 17 is made of a vinyl chloride resin. Therefore, the grip cover 25 can effectively suppress the contracting force of the cable sheath layer 17, the grip cover 25 can exhibit excellent characteristics such as electrical insulation and heat resistance, and the cable sheath layer 17 is electrically insulated and mechanical. Excellent properties such as physical properties can be exhibited.
(5)前記締付用テープ30は、把持カバー25の全面に巻付けられている。そのため、締付用テープ30は把持カバー25全体を強く締付けることができ、ケーブルシース層17の収縮力が遮蔽層16に及ぶことを一層抑制することができる。 (5) The fastening tape 30 is wound around the entire surface of the grip cover 25. Therefore, the tightening tape 30 can strongly tighten the entire grip cover 25 and can further suppress the contraction force of the cable sheath layer 17 from reaching the shielding layer 16.
(6)前記外部半導電層15からケーブルシース層17にわたる最外周には、耐紫外線性の保護層31が形成されている。このため、外部半導電層15からケーブルシース層17にわたる部位を紫外線から保護することができ、高圧ケーブル11の端部と端末材料23との接続部における耐久性を向上させることができる。 (6) A UV-resistant protective layer 31 is formed on the outermost periphery extending from the outer semiconductive layer 15 to the cable sheath layer 17. For this reason, the site | part from the external semiconductive layer 15 to the cable sheath layer 17 can be protected from an ultraviolet-ray, and durability in the connection part of the edge part of the high voltage | pressure cable 11 and the terminal material 23 can be improved.
なお、前記実施形態を次のように変更して具体化することも可能である。
・前記締付用テープ30を把持カバー25の両端部のみにおいて、それぞれ一定幅で締付けるように構成してもよい。
It should be noted that the embodiment described above can be modified and embodied as follows.
The fastening tape 30 may be configured to be tightened with a certain width only at both ends of the grip cover 25.
・前記把持カバー25を高圧ケーブル11の端部に装着したとき、把持カバー25の縮径部27が外部半導電層15や遮蔽層16を被覆するように設計してもよい。
・前記把持カバー25を、高圧ケーブル11の外部半導電層15、遮蔽層16及びケーブルシース層17の外径に合せて段差状に形成してもよい。
-When the grip cover 25 is attached to the end of the high voltage cable 11, the reduced diameter portion 27 of the grip cover 25 may be designed to cover the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16.
The grip cover 25 may be formed in a stepped shape according to the outer diameters of the outer semiconductive layer 15, the shielding layer 16, and the cable sheath layer 17 of the high-voltage cable 11.
・前記把持カバー25の内周面又は外部半導電層15及び遮蔽層16の外周面に接着剤を塗布した状態で把持カバー25を装着するように構成してもよい。
・前記把持カバー25の内周面に、外部半導電層15と遮蔽層16との段差又は遮蔽層16とケーブルシース層17との段差に係合する係合部を設けてもよい。
The grip cover 25 may be mounted with an adhesive applied to the inner peripheral surface of the grip cover 25 or the outer peripheral surfaces of the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16.
An engaging portion that engages with a step between the outer semiconductive layer 15 and the shielding layer 16 or a step between the shielding layer 16 and the cable sheath layer 17 may be provided on the inner peripheral surface of the grip cover 25.
11…高圧ケーブル、12…ケーブル芯線、13…内部半導電層、14…絶縁体層、15…外部半導電層、16…遮蔽層、17…ケーブルシース層、24…半導電性のテープ、25…把持カバー、30…締付用テープ、31…保護層。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... High voltage cable, 12 ... Cable core wire, 13 ... Internal semiconductive layer, 14 ... Insulator layer, 15 ... External semiconductive layer, 16 ... Shielding layer, 17 ... Cable sheath layer, 24 ... Semiconductive tape, 25 ... gripping cover, 30 ... fastening tape, 31 ... protective layer.
Claims (6)
前記ケーブル芯線の外周に被覆された各層を段剥きした状態で、外部半導電層からケーブルシース層にわたって把持カバーを被せ、その把持カバーの少なくとも両端部に電気絶縁性の締付用テープを巻付けて、把持カバーを外部半導電層とケーブルシース層に固定したことを特徴とする高圧ケーブルの端部構造。 The outer periphery of the cable core is covered with an inner semiconductive layer, an insulator layer, an outer semiconductive layer and a shielding layer in this order, and the outer periphery of the shielding layer is an end structure of a high voltage cable covered with a cable sheath layer. There,
With each layer coated on the outer periphery of the cable core stripped, a grip cover is placed from the outer semiconductive layer to the cable sheath layer, and an electrically insulating fastening tape is wrapped around at least both ends of the grip cover An end structure of the high voltage cable, wherein the grip cover is fixed to the outer semiconductive layer and the cable sheath layer.
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