JP2015132005A - Film deposition method and sputtering apparatus - Google Patents

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淳介 松崎
Junsuke Matsuzaki
淳介 松崎
高橋　明久
Akihisa Takahashi
明久 高橋
長谷川　正樹
Masaki Hasegawa
正樹 長谷川
裕章 本間
Hiroaki Honma
裕章 本間
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition method capable of suppressing that the resistivity of an indium-tin oxide film increases with the lapse of time, and a sputtering apparatus.SOLUTION: A sputtering apparatus 10 comprises: a film formation roller 15R for conveying a resin sheet S; a temperature control part for controlling the temperature of the film formation roller 15R; an ITO cathode 15C for forming an ITO film on the resin sheet S conveyed by the film formation roller 15R; and a controller for controlling the drive of the ITO cathode 15C, the drive of the film formation roller 15R and the drive of the temperature control part. The controller drives the temperature control part to control the temperature of the film formation roller 15R to 80°C or more and 200°C or less, drives the film formation roller 15R to control the conveyance speed of the resin sheet S to 1 m/min or more and 10 m/min and drives the ITO cathode 15C to form an amorphous ITO film on the resin sheet S.

Description

本開示の技術は、透明導電膜である酸化インジウムスズ膜の成膜方法、および、酸化インジウムスズ膜を形成するスパッタ装置に関する。   The technology of the present disclosure relates to a method for forming an indium tin oxide film, which is a transparent conductive film, and a sputtering apparatus that forms an indium tin oxide film.

タッチパネルのセンサーには、タッチパネルの視認性を高めるために透明導電膜である酸化インジウムスズ膜が用いられている。酸化インジウムスズ膜（ＩＴＯ膜）は、例えば特許文献１に記載のように、ロールツーロール方式のスパッタ装置を用いて形成される。   In order to improve the visibility of the touch panel, an indium tin oxide film that is a transparent conductive film is used for the sensor of the touch panel. The indium tin oxide film (ITO film) is formed using a roll-to-roll type sputtering apparatus as described in Patent Document 1, for example.

特開２００３−４８２６７号公報JP 2003-48267 A

ところで、成膜対象物にＩＴＯ膜が形成されると、ＩＴＯ膜の結晶化を進めるために、ＩＴＯ膜に対するアニール処理が行われる。一方、ＩＴＯ膜のパターニングを行う上では、ＩＴＯ膜の結晶化が進んでいないことが好ましい。そのため、ＩＴＯ膜のパターニングが行われた後に、ＩＴＯ膜に対するアニール処理が行われる場合もある。   By the way, when an ITO film is formed on a film formation target, an annealing process is performed on the ITO film in order to promote crystallization of the ITO film. On the other hand, when patterning the ITO film, it is preferable that the crystallization of the ITO film has not progressed. For this reason, the ITO film may be annealed after patterning of the ITO film.

ところが、ＩＴＯ膜の結晶化が進められていない状態で、ＩＴＯ膜が形成されてからＩＴＯ膜のパターニングが完了するまでの時間が経過すると、少なからずＩＴＯ膜の変質が進む。結果として、ＩＴＯ膜に対するアニール処理がその後に行われても、ＩＴＯ膜の移動度、および、ＩＴＯ膜のキャリア密度が低いために、ＩＴＯ膜が成膜された直後にＩＴＯ膜に対してアニール処理が行われる場合と比べて、ＩＴＯ膜の比抵抗が高くなってしまう。   However, when the time from the formation of the ITO film to the completion of the patterning of the ITO film elapses in a state where the crystallization of the ITO film is not progressed, the alteration of the ITO film proceeds not a little. As a result, even if annealing is performed on the ITO film after that, the ITO film is annealed immediately after the ITO film is formed because the mobility of the ITO film and the carrier density of the ITO film are low. The specific resistance of the ITO film becomes higher than in the case where is performed.

本開示の技術は、酸化インジウムスズ膜の比抵抗が、時間の経過に伴って高まることを抑える成膜方法、および、スパッタ装置を提供することを目的とする。   An object of the technology of the present disclosure is to provide a film forming method and a sputtering apparatus that suppress an increase in the specific resistance of an indium tin oxide film over time.

本開示の技術における成膜方法の一態様は、成膜ローラーが搬送している樹脂製シートに、スパッタ法を用いてアモルファス状態の酸化インジウムスズ膜が形成されること、を備える。前記成膜ローラーの温度が、８０℃以上２００℃以下であり、前記樹脂製シートの搬送速度が、１ｍ／分以上１０ｍ／分以下である。   One aspect of the film forming method according to the technique of the present disclosure includes forming an indium tin oxide film in an amorphous state on a resin sheet conveyed by a film forming roller using a sputtering method. The temperature of the film forming roller is 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, and the conveyance speed of the resin sheet is 1 m / min or higher and 10 m / min or lower.

本開示の技術におけるスパッタ装置の一態様は、樹脂製シートを搬送する搬送部と、前記搬送部に含まれる成膜ローラーの温度を調節する調節部と、前記成膜ローラーが搬送している前記樹脂製シートに酸化インジウムスズを含むスパッタ粒子を放出して酸化インジウムスズ膜を形成する成膜部と、前記成膜部の駆動、前記搬送部の駆動、および、前記調節部の駆動の制御を通じて、前記成膜ローラーの温度を８０℃以上２００℃以下にし、前記樹脂製シートの搬送速度を１ｍ／分以上１０ｍ／分以下にし、前記樹脂製シートにアモルファス状態の前記酸化インジウムスズ膜を形成させる制御部とを備える。   One aspect of the sputtering apparatus in the technology of the present disclosure includes a conveyance unit that conveys a resin sheet, an adjustment unit that adjusts a temperature of a film formation roller included in the conveyance unit, and the film formation roller that is conveyed Through control of driving of the film forming unit, driving of the transporting unit, and driving of the adjusting unit, a film forming unit that discharges sputtered particles containing indium tin oxide to a resin sheet to form an indium tin oxide film The temperature of the film forming roller is set to 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, and the conveying speed of the resin sheet is set to 1 m / min or higher and 10 m / min or lower to form the amorphous indium tin oxide film on the resin sheet. And a control unit.

本願発明者らは、酸化インジウムスズ膜の成膜方法およびスパッタ装置を鋭意研究する中で、以下の条件（Ａ）と条件（Ｂ）とが満たされるとき、樹脂製シートに形成される酸化インジウムスズ膜の比抵抗が時間の経過に伴い高くなることが抑えられることを見出した。   Inventors of the present application intensively researched a method for forming an indium tin oxide film and a sputtering apparatus, and indium oxide formed on a resin sheet when the following conditions (A) and (B) are satisfied. It has been found that the specific resistance of the tin film can be suppressed from increasing with time.

条件（Ａ）：成膜ローラーの温度が、８０℃以上２００℃以下である。
条件（Ｂ）：樹脂製シートの搬送速度が、１ｍ／分以上１０ｍ／分以下である。
この点で、本開示の技術における成膜方法の一態様およびスパッタ装置の一態様によれば、酸化インジウムスズ膜が樹脂製シートに形成されるとき、上述の２つの条件が満たされるため、酸化インジウムスズ膜の比抵抗が、時間の経過に伴って高まることが抑えられる。 Condition (A): The temperature of the film forming roller is 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.
Condition (B): The conveyance speed of the resin sheet is 1 m / min or more and 10 m / min or less.
In this respect, according to one aspect of the film forming method and one aspect of the sputtering apparatus according to the technology of the present disclosure, when the indium tin oxide film is formed on the resin sheet, the above two conditions are satisfied. It is suppressed that the specific resistance of an indium tin film | membrane increases with progress of time.

本開示の技術におけるスパッタ装置の他の態様は、前記成膜部が、酸化インジウムスズ成膜部であり、前記酸化インジウムスズ成膜部は、複数の酸化インジウムスズカソードを有し、前記搬送部が搬送している前記樹脂製シートに酸化ケイ素カソードからケイ素を含むスパッタ粒子を放出して酸化ケイ素膜を形成する酸化ケイ素成膜部をさらに備える。前記酸化インジウムスズ成膜部と前記酸化ケイ素成膜部とは、前記樹脂製シートの搬送方向に沿って並び、前記制御部は、前記酸化インジウムスズ成膜部、および、前記酸化ケイ素成膜部の駆動を制御して、前記樹脂製シートに前記酸化ケイ素膜と前記酸化インジウムスズ膜とをこの順に形成させる。前記搬送方向にて互いに隣り合う酸化ケイ素カソードと酸化インジウムスズカソードとの間の距離は、互いに隣り合う酸化インジウムスズカソードの間の距離以下である。   In another aspect of the sputtering apparatus according to the technology of the present disclosure, the film forming unit is an indium tin oxide film forming unit, the indium tin oxide film forming unit includes a plurality of indium tin oxide cathodes, and the transfer unit Is further provided with a silicon oxide film forming part for discharging silicon-containing sputtered particles from the silicon oxide cathode to form a silicon oxide film. The indium tin oxide film forming unit and the silicon oxide film forming unit are arranged along the transport direction of the resin sheet, and the control unit includes the indium tin oxide film forming unit and the silicon oxide film forming unit. And the silicon oxide film and the indium tin oxide film are formed in this order on the resin sheet. The distance between the silicon oxide cathode and the indium tin oxide cathode adjacent to each other in the transport direction is not more than the distance between the adjacent indium tin oxide cathodes.

本開示の技術におけるスパッタ装置の他の態様によれば、樹脂製シートが酸化ケイ素カソードから酸化インジウムスズカソードまでの間に、樹脂製シートの温度が低下しにくくなる。そのため、酸化ケイ素カソードから搬送されたときの樹脂製シートの温度と、酸化インジウムスズカソードまで搬送された樹脂製シートの温度との差が小さくなる。結果として、酸化インジウムスズカソードの形成の初期から、好ましい熱量を受ける状態で、酸化インジウムスズ膜が形成され、また、酸化インジウムスズ膜が形成される途中で、樹脂製シートの温度が変わりにくくなる。それゆえに、酸化インジウムスズ膜の特性が、酸化インジウムスズの積み重なる方向にて変わりにくくなる。   According to another aspect of the sputtering apparatus in the technology of the present disclosure, the temperature of the resin sheet is unlikely to decrease between the resin oxide sheet and the indium tin oxide cathode. Therefore, the difference between the temperature of the resin sheet when conveyed from the silicon oxide cathode and the temperature of the resin sheet conveyed to the indium tin oxide cathode is reduced. As a result, the indium tin oxide film is formed in a state where a preferable amount of heat is received from the initial stage of the formation of the indium tin oxide cathode, and the temperature of the resin sheet is hardly changed during the formation of the indium tin oxide film. . Therefore, the characteristics of the indium tin oxide film are hardly changed in the direction in which the indium tin oxide is stacked.

本開示の技術におけるスパッタ装置の他の態様は、前記成膜部が、１つのチャンバ内に、前記酸化インジウムスズ成膜部と前記酸化ケイ素成膜部とを備える。
本開示の技術におけるスパッタ装置の他の態様によれば、１つのチャンバ内に酸化インジウムスズ成膜部と酸化ケイ素成膜部とを備える構成であるため、酸化インジウムスズが成膜されるとき、樹脂製シートの温度が、酸化インジウムスズ膜の成膜の初期から所望とする温度になりやすくなる。それゆえに、酸化インジウムスズ膜の特性が、酸化インジウムスズの積み重なる方向にて変わりにくくなる。 In another aspect of the sputtering apparatus according to the technique of the present disclosure, the film forming unit includes the indium tin oxide film forming unit and the silicon oxide film forming unit in one chamber.
According to another aspect of the sputtering apparatus in the technology of the present disclosure, since the indium tin oxide film forming unit and the silicon oxide film forming unit are provided in one chamber, when indium tin oxide is formed, The temperature of the resin sheet tends to become a desired temperature from the initial stage of the formation of the indium tin oxide film. Therefore, the characteristics of the indium tin oxide film are hardly changed in the direction in which the indium tin oxide is stacked.

本開示のスパッタ装置を具体化した一実施形態の模式的な構成をスパッタ装置の処理対象である樹脂製シートとともに示す構成図である。It is a block diagram which shows the typical structure of one Embodiment which actualized the sputtering device of this indication with the resin-made sheet | seat which is a process target of a sputtering device. スパッタ装置が備えるＩＴＯカソードの模式的な構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the typical structure of the ITO cathode with which a sputtering device is provided. スパッタ装置が備える温度調節部の模式的な構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the typical structure of the temperature control part with which a sputtering device is provided. スパッタ装置が備える制御部の電気的な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical structure of the control part with which a sputtering device is provided. 搬送速度、樹脂製シートと成膜ローラーとの接触時間、および、樹脂製シートの温度との関係を示す表である。It is a table | surface which shows the relationship between a conveyance speed, the contact time of a resin-made sheet | seat and the film-forming roller, and the temperature of a resin-made sheet | seat. 薄膜積層体の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a thin film laminated body. 経過時間と比抵抗との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between elapsed time and specific resistance. 経過時間と劣化率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between elapsed time and a deterioration rate. 変形例の模式的な構成の一部を示す構成図である。It is a block diagram which shows a part of schematic structure of a modification. 薄膜積層体の他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of a thin film laminated body.

図１から図４を参照して、スパッタ装置をロールツーロール方式のスパッタ装置として具体化した一実施形態を説明する。以下では、スパッタ装置の全体構成、カソードの構成、温度調節部の構成、および、制御装置の電気的構成を順に説明する。なお、以下では、酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）と酸化インジウムスズ膜（ＩＴＯ膜）とを形成するスパッタ装置を、スパッタ装置の一例として説明する。 With reference to FIGS. 1 to 4, an embodiment in which the sputtering apparatus is embodied as a roll-to-roll sputtering apparatus will be described. Below, the whole structure of a sputtering device, the structure of a cathode, the structure of a temperature control part, and the electrical structure of a control apparatus are demonstrated in order. Hereinafter, a sputtering apparatus for forming a silicon oxide film (SiO 2 film) and an indium tin oxide film (ITO film) will be described as an example of the sputtering apparatus.

［スパッタ装置の全体構成］
図１を参照してスパッタ装置の全体構成を説明する。
図１に示されるように、スパッタ装置１０は、図１の左側から順に、送り出しチャンバ１１、前処理チャンバ１２、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３、ＩＴＯスパッタチャンバ１５、および、巻き取りチャンバ１６を備えている。５つのチャンバは、１つの方向である搬送方向に沿ってこの順に並んでいる。５つのチャンバのうち、互いに隣り合うチャンバの間の各々は、連絡通路１７によって接続されている。 [Overall configuration of sputtering equipment]
The overall configuration of the sputtering apparatus will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, the sputtering apparatus 10 includes a delivery chamber 11, a pretreatment chamber 12, a SiO 2 sputtering chamber 13, an ITO sputtering chamber 15, and a winding chamber 16 in order from the left side of FIG. 1. . The five chambers are arranged in this order along the conveyance direction which is one direction. Of the five chambers, each of the adjacent chambers is connected by a communication passage 17.

連絡通路１７を除く５つのチャンバの各々は、各チャンバの内部を個別に減圧する排気部１８に接続している。５つのチャンバの各々は、複数の搬送ローラー１９を各チャンバの内部に搭載している。複数の搬送ローラー１９の各々は、搬送方向と直交する軸方向に沿って延び、搬送方向に沿って延びる帯状に形成された樹脂製シートＳは、複数の搬送ローラー１９の各々に掛け渡される。複数の搬送ローラー１９の各々、あるいは、複数の搬送ローラー１９の一部は、搬送ローラー１９の中心軸を中心として搬送ローラー１９を自転させるモーターに接続している。複数の搬送ローラー１９は、送り出しチャンバ１１から巻き取りチャンバ１６に向けて樹脂製シートＳを搬送する。   Each of the five chambers excluding the communication passage 17 is connected to an exhaust unit 18 that individually decompresses the interior of each chamber. Each of the five chambers has a plurality of transport rollers 19 mounted inside each chamber. Each of the plurality of transport rollers 19 extends along an axial direction orthogonal to the transport direction, and the resin sheet S formed in a strip shape extending along the transport direction is stretched over each of the plurality of transport rollers 19. Each of the plurality of transport rollers 19 or a part of the plurality of transport rollers 19 is connected to a motor that rotates the transport rollers 19 around the central axis of the transport rollers 19. The plurality of transport rollers 19 transport the resin sheet S from the delivery chamber 11 toward the take-up chamber 16.

送り出しチャンバ１１は、軸方向に沿って延びて樹脂製シートＳが巻き付けられた送り出しローラー１１Ｒを搭載し、送り出しローラー１１Ｒは、成膜前の樹脂製シートＳを巻き取りチャンバ１６に向けて送り出す。樹脂製シートＳの形成材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、および、ポリエーテルサルホンから構成される群から選択される少なくとも１つの合成樹脂である。樹脂製シートＳの軸方向に沿った幅は、例えば、１５００ｍｍである。   The delivery chamber 11 includes a delivery roller 11R that extends along the axial direction and is wound with the resin sheet S. The delivery roller 11R delivers the resin sheet S before film formation toward the take-up chamber 16. The material for forming the resin sheet S is, for example, at least one synthetic resin selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, and polyethersulfone. The width along the axial direction of the resin sheet S is, for example, 1500 mm.

前処理チャンバ１２は、樹脂製シートＳを加熱する加熱部１２Ｈを搭載している。加熱部１２Ｈは、樹脂製シートＳを加熱することによって、樹脂製シートＳが含む水分子を樹脂製シートＳの外部へ放出させる。樹脂製シートＳが含む水分子は、樹脂製シートＳが吸着した水分子、および、樹脂製シートＳが吸蔵した水分子である。また、加熱部１２Ｈは、樹脂製シートＳが吸着したガス、および、吸蔵したガスも樹脂製シートＳの外部へ放出させる。加熱部１２Ｈは、樹脂製シートＳの温度を８０℃以上２００℃以下に含まれる温度に加熱する。   The pretreatment chamber 12 is equipped with a heating unit 12H that heats the resin sheet S. The heating unit 12H heats the resin sheet S to release water molecules contained in the resin sheet S to the outside of the resin sheet S. The water molecules contained in the resin sheet S are water molecules adsorbed by the resin sheet S and water molecules occluded by the resin sheet S. The heating unit 12H also releases the gas adsorbed by the resin sheet S and the occluded gas to the outside of the resin sheet S. The heating unit 12H heats the temperature of the resin sheet S to a temperature included in the range of 80 ° C to 200 ° C.

前処理チャンバ１２においては、加熱部１２Ｈが樹脂製シートＳを加熱するため、前処理チャンバ１２よりも樹脂製シートＳの流れにおける下流に位置するチャンバでは、加熱部を備えていない構成と比べて、水分子の分圧が低くなる。   In the pretreatment chamber 12, since the heating unit 12H heats the resin sheet S, the chamber located downstream in the flow of the resin sheet S relative to the pretreatment chamber 12 is compared with a configuration that does not include a heating unit. , The partial pressure of water molecules is lowered.

前処理チャンバ１２は、送り出しチャンバ１１から連絡通路１７を介して搬入した樹脂製シートＳを搬送方向に沿ってＳｉＯ２スパッタチャンバ１３に向けて搬送しながら加熱する。 The pretreatment chamber 12 heats the resin sheet S carried from the delivery chamber 11 through the communication passage 17 while being conveyed toward the SiO 2 sputtering chamber 13 along the conveyance direction.

ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３は、成膜空間Ｓ１と、成膜空間Ｓ１を囲む搬送空間Ｓ２とにＳｉＯ２スパッタチャンバ１３の内部を分ける分離壁部１３ａを有し、複数の搬送ローラー１９は、搬送空間Ｓ２の内部に位置している。ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３は、成膜ローラー１３Ｒを搭載し、成膜ローラー１３Ｒは、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３の内部における略中央に位置し、成膜ローラー１３Ｒにおいて、その外周面のほとんどは成膜空間Ｓ１に位置し、その外周面の一部が搬送空間Ｓ２に位置している。 The SiO 2 sputter chamber 13 has a separation wall portion 13a that divides the inside of the SiO 2 sputter chamber 13 into a film forming space S1 and a transport space S2 surrounding the film forming space S1, and the plurality of transport rollers 19 include a transport space. It is located inside S2. The SiO 2 sputter chamber 13 is equipped with a film forming roller 13R, and the film forming roller 13R is located substantially at the center inside the SiO 2 sputter chamber 13, and most of the outer peripheral surface of the film forming roller 13R is a film forming space. Located in S1, a part of the outer peripheral surface is located in the transport space S2.

成膜ローラー１３Ｒは、成膜ローラー１３Ｒの中心軸を中心として成膜ローラー１３Ｒを自転させるモーターに接続している。成膜ローラー１３Ｒは、モーターの回転を受けて樹脂製シートＳを搬送方向に沿って搬送する方向に回転する。成膜ローラー１３Ｒは、前処理チャンバ１２から連絡通路１７を介して搬入した樹脂製シートＳを連絡通路１７に向けて搬送する。成膜ローラー１３Ｒでの樹脂製シートＳの搬送速度は、１ｍ／分以上１０ｍ／分以下の範囲に含まれる所定の速度である。搬送空間Ｓ２は、１つの排気部１８に接続している。   The film formation roller 13R is connected to a motor that rotates the film formation roller 13R around the central axis of the film formation roller 13R. The film forming roller 13 </ b> R rotates in a direction in which the resin sheet S is conveyed along the conveying direction in response to the rotation of the motor. The film forming roller 13 </ b> R conveys the resin sheet S carried from the pretreatment chamber 12 through the communication path 17 toward the communication path 17. The conveyance speed of the resin sheet S by the film forming roller 13R is a predetermined speed included in the range of 1 m / min to 10 m / min. The conveyance space S2 is connected to one exhaust unit 18.

ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３は、複数の酸化ケイ素カソード（ＳｉＯ２カソード）１３Ｃ、例えば、４つのＳｉＯ２カソード１３Ｃを成膜空間Ｓ１の内部に搭載し、４つのＳｉＯ２カソード１３Ｃは、搬送方向に沿って並んでいる。 The SiO 2 sputter chamber 13 has a plurality of silicon oxide cathodes (SiO 2 cathodes) 13C, for example, four SiO 2 cathodes 13C mounted in the film forming space S1, and the four SiO 2 cathodes 13C extend along the transport direction. Are lined up.

ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３は、軸方向に沿って延びる３つの隔壁部１３ｂを成膜空間Ｓ１の内部に有し、各隔壁部１３ｂは、搬送方向にて互いに隣り合うＳｉＯ２カソード１３Ｃの間に位置している。各隔壁部１３ｂの軸方向における２つの端面の一方は、軸方向にて対向するＳｉＯ２スパッタチャンバ１３の２つの側壁の一方に接続し、２つの端面の他方は、２つの側壁の他方に接続している。 The SiO 2 sputtering chamber 13 has three partition walls 13b extending in the axial direction inside the film formation space S1, and each partition wall 13b is positioned between SiO 2 cathodes 13C adjacent to each other in the transport direction. doing. One of the two end faces in the axial direction of each partition wall 13b is connected to one of the two side walls of the SiO 2 sputtering chamber 13 opposed in the axial direction, and the other of the two end faces is connected to the other of the two side walls. doing.

各隔壁部１３ｂは、軸方向に直交する高さ方向に沿って延び、高さ方向の２つの端面のうち、下方の端面がＳｉＯ２スパッタチャンバ１３の底壁部に接続し、上方の端面が成膜ローラー１３Ｒに接しない状態で、成膜ローラー１３Ｒの外周面の近くに位置している。こうした構成からなる各隔壁部１３ｂは、成膜空間Ｓ１内にて、１つのＳｉＯ２カソード１３Ｃが位置する空間と他のＳｉＯ２カソード１３Ｃが位置する空間とを互いに分ける。複数の隔壁部１３ｂによって区画された複数の空間は、それぞれ１つの排気部１８に接続して排気部１８によって個別に減圧される。 Each partition wall portion 13b extends along a height direction orthogonal to the axial direction, and of the two end surfaces in the height direction, the lower end surface is connected to the bottom wall portion of the SiO 2 sputtering chamber 13, and the upper end surface is It is located near the outer peripheral surface of the film forming roller 13R without being in contact with the film forming roller 13R. Each partition wall portion 13b having such a configuration separates a space where one SiO 2 cathode 13C is located and a space where other SiO 2 cathodes 13C are located in the film formation space S1. The plurality of spaces partitioned by the plurality of partition walls 13 b are connected to one exhaust unit 18 and are individually decompressed by the exhaust unit 18.

ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３は、連絡通路１７を介して前処理チャンバ１２から搬入した樹脂製シートＳを連絡通路１７に向けて搬送しながら、各ＳｉＯ２カソード１３Ｃと向かい合う樹脂製シートＳの側面にＳｉＯ２膜を形成する。 The SiO 2 sputter chamber 13 conveys the resin sheet S carried in from the pretreatment chamber 12 through the communication passage 17 toward the communication passage 17, and the SiO 2 sputtering chamber 13 forms SiO on the side surface of the resin sheet S facing each SiO 2 cathode 13C. Two films are formed.

ＩＴＯスパッタチャンバ１５は、成膜空間Ｓ１と、成膜空間Ｓ１を囲む搬送空間Ｓ２とにＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部を分ける分離壁部１５ａを有し、複数の搬送ローラー１９は、搬送空間Ｓ２の内部に位置している。ＩＴＯスパッタチャンバ１５は、成膜ローラー１５Ｒを搭載し、成膜ローラー１５Ｒは、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部における略中央に位置し、成膜ローラー１５Ｒにおいて、その外周面のほとんどは成膜空間Ｓ１に位置し、その外周面の一部が搬送空間Ｓ２に位置している。   The ITO sputter chamber 15 has a separation wall portion 15a that divides the inside of the ITO sputter chamber 15 into a film formation space S1 and a transport space S2 surrounding the film formation space S1, and the plurality of transport rollers 19 are arranged in the transport space S2. Located inside. The ITO sputter chamber 15 is equipped with a film forming roller 15R, and the film forming roller 15R is positioned substantially at the center inside the ITO sputter chamber 15, and most of the outer peripheral surface of the film forming roller 15R is in the film forming space S1. And a part of the outer peripheral surface thereof is located in the transport space S2.

成膜ローラー１５Ｒは、成膜ローラー１５Ｒの中心軸を中心として成膜ローラー１５Ｒを自転させるモーターに接続している。成膜ローラー１５Ｒは、モーターの回転によって複数の搬送ローラー１９と同じ方向に回転して、連絡通路１７から搬入した樹脂製シートＳを搬送ローラー１９とともに巻き取りチャンバ１６に向けて搬送する。搬送ローラー１９での樹脂製シートＳの搬送速度は、１ｍ／分以上１０ｍ／分以下の範囲に含まれる所定の速度である。搬送空間Ｓ２は、１つの排気部１８に接続している。   The film formation roller 15R is connected to a motor that rotates the film formation roller 15R around the central axis of the film formation roller 15R. The film formation roller 15 </ b> R rotates in the same direction as the plurality of conveyance rollers 19 by the rotation of the motor, and conveys the resin sheet S carried in from the communication path 17 toward the take-up chamber 16 together with the conveyance roller 19. The conveyance speed of the resin sheet S by the conveyance roller 19 is a predetermined speed included in the range of 1 m / min to 10 m / min. The conveyance space S2 is connected to one exhaust unit 18.

ＩＴＯスパッタチャンバ１５は、複数の酸化インジウムスズカソード（ＩＴＯカソード）１５Ｃ、例えば、４つのＩＴＯカソード１５Ｃを成膜空間Ｓ１の内部に搭載し、４つのＩＴＯカソード１５Ｃは、搬送方向に沿って並んでいる。   The ITO sputter chamber 15 has a plurality of indium tin oxide cathodes (ITO cathodes) 15C, for example, four ITO cathodes 15C mounted in the film formation space S1, and the four ITO cathodes 15C are arranged along the transport direction. Yes.

ＩＴＯスパッタチャンバ１５は、軸方向に沿って延びる３つの隔壁部１５ｂを成膜空間Ｓ１の内部に有し、各隔壁部１５ｂは、搬送方向にて互いに隣り合うＩＴＯカソード１５Ｃの間に位置している。各隔壁部１５ｂの軸方向における２つの端面の一方は、軸方向にて対向するＩＴＯスパッタチャンバ１５の２つの側壁の一方に接続し、２つの端面の他方は、２つの側壁の他方に接続している。   The ITO sputtering chamber 15 has three partition walls 15b extending along the axial direction inside the film formation space S1, and each partition wall 15b is positioned between ITO cathodes 15C adjacent to each other in the transport direction. Yes. One of the two end faces in the axial direction of each partition wall 15b is connected to one of the two side walls of the ITO sputtering chamber 15 opposed in the axial direction, and the other of the two end faces is connected to the other of the two side walls. ing.

各隔壁部１５ｂは、軸方向に直交する高さ方向に沿って延び、高さ方向の２つの端面のうち、下方の端面がＩＴＯスパッタチャンバ１５の底壁部に接続し、上方の端面が成膜ローラー１５Ｒに接しない状態で、成膜ローラー１５Ｒの外周面の近くに位置している。こうした構成からなる各隔壁部１５ｂは、成膜空間Ｓ１内にて、１つのＩＴＯカソード１５Ｃが位置する空間と他のＩＴＯカソード１５Ｃが位置する空間とを互いに分ける。複数の隔壁部１５ｂによって区画された複数の空間は、それぞれ１つの排気部１８に接続して排気部１８によって個別に減圧される。   Each partition wall 15b extends along a height direction orthogonal to the axial direction, and of the two end surfaces in the height direction, the lower end surface is connected to the bottom wall portion of the ITO sputtering chamber 15, and the upper end surface is formed. It is located near the outer peripheral surface of the film forming roller 15R without being in contact with the film roller 15R. Each partition wall portion 15b having such a structure separates a space where one ITO cathode 15C is located and a space where other ITO cathodes 15C are located in the film formation space S1. The plurality of spaces defined by the plurality of partition walls 15 b are connected to one exhaust unit 18 and are individually decompressed by the exhaust unit 18.

ＩＴＯスパッタチャンバ１５は、連絡通路１７から搬入した樹脂製シートＳを巻き取りチャンバ１６に向けて搬送しながら、各ＩＴＯカソード１５Ｃと向かい合う樹脂製シートＳの側面に形成されたＳｉＯ２膜の上にアモルファス状態のＩＴＯ膜を形成する。 The ITO sputter chamber 15 transports the resin sheet S carried in from the communication passage 17 toward the take-up chamber 16, and on the SiO 2 film formed on the side surface of the resin sheet S facing each ITO cathode 15C. An amorphous ITO film is formed.

巻き取りチャンバ１６は、軸方向に沿って延びて成膜後の樹脂製シートＳを巻き取る巻き取りローラー１６Ｒを搭載し、巻き取りローラー１６Ｒは、連絡通路１７を介してＩＴＯスパッタチャンバ１５から搬入した樹脂製シートＳを巻き取る。送り出しローラー１１Ｒ、成膜ローラー１３Ｒ，１５Ｒ、巻き取りローラー１６Ｒ、および、複数の搬送ローラー１９が、搬送部の一例である。   The take-up chamber 16 includes a take-up roller 16 </ b> R that extends along the axial direction and takes up the resin sheet S after film formation. The take-up roller 16 </ b> R is carried from the ITO sputter chamber 15 through the communication path 17. The obtained resin sheet S is wound up. The delivery roller 11R, the film forming rollers 13R and 15R, the take-up roller 16R, and the plurality of transport rollers 19 are examples of the transport unit.

スパッタ装置１０は、送り出しローラー１１Ｒに巻き付けられた樹脂製シートＳを送り出しローラー１１Ｒの回転によって送り出し、送り出した樹脂製シートＳを複数の搬送ローラー１９および成膜ローラー１３Ｒ，１５Ｒによって、巻き取りローラー１６Ｒに向けて搬送する。スパッタ装置１０は、樹脂製シートＳを送り出しローラー１１Ｒから巻き取りローラー１６Ｒに向けて搬送する途中で、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３にて、樹脂製シートＳにおけるＳｉＯ２カソード１３Ｃと向かい合う側面にＳｉＯ２膜を形成する。スパッタ装置１０は、ＳｉＯ２膜が形成された樹脂製シートＳを巻き取りローラー１６Ｒに向けて搬送する途中で、ＩＴＯスパッタチャンバ１５にて、樹脂製シートＳにおけるＩＴＯカソード１５Ｃと向かい合う面であって、ＳｉＯ２膜が形成された側面にアモルファス状態のＩＴＯ膜を形成する。 The sputtering apparatus 10 sends out the resin sheet S wound around the delivery roller 11R by the rotation of the delivery roller 11R, and the taken-up resin sheet S is taken up by a plurality of transport rollers 19 and film forming rollers 13R and 15R. Transport toward In the middle of conveying the resin sheet S from the feed roller 11R to the take-up roller 16R, the sputtering apparatus 10 has a SiO 2 film on the side surface of the resin sheet S facing the SiO 2 cathode 13C in the SiO 2 sputtering chamber 13. Form. The sputtering apparatus 10 is a surface facing the ITO cathode 15C of the resin sheet S in the ITO sputtering chamber 15 while the resin sheet S on which the SiO 2 film is formed is being conveyed toward the take-up roller 16R. An amorphous ITO film is formed on the side surface on which the SiO 2 film is formed.

［カソード］
図２を参照してＩＴＯカソード１５Ｃの一例を説明する。なお、４つのＩＴＯカソード１５Ｃでは、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部での位置が互いに異なるものの、ＩＴＯ膜の形成に関わる構成は互いに同じである。また、ＳｉＯ２カソード１３Ｃは、ＩＴＯカソード１５Ｃと比べて、それが配置されるチャンバ、ターゲットの形成材料における主な成分とが互いに異なるものの、薄膜の形成に関わる構成は互いに同じである。そのため以下では、１つのＩＴＯカソード１５Ｃを説明し、他のＩＴＯカソード１５Ｃ、および、各ＳｉＯ２カソード１３Ｃの詳しい説明を省略する。 [Cathode]
An example of the ITO cathode 15C will be described with reference to FIG. Note that the four ITO cathodes 15C have the same configuration regarding the formation of the ITO film, although the positions inside the ITO sputtering chamber 15 are different from each other. Further, the SiO 2 cathode 13C is different from the ITO cathode 15C in the chamber in which it is disposed and the main components in the target forming material, but the configuration relating to the formation of the thin film is the same. Therefore, in the following, one ITO cathode 15C will be described, and detailed description of the other ITO cathode 15C and each SiO 2 cathode 13C will be omitted.

図２に示されるように、ＩＴＯカソード１５Ｃは、成膜ローラー１５Ｒの外周面に対する接線ＴＬとほぼ平行な方向である接線方向に沿って並ぶ２つのターゲット２１を備えている。各ターゲット２１は、軸方向に沿って延びる板状に形成され、１つの側面である表面が、成膜ローラー１５Ｒと向かい合う。各ターゲット２１の形成材料における主な成分は、三酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）であり、残りの成分は、二酸化スズ（ＳｎＯ２）である。ターゲット２１の形成材料のうちの８５質量％以上９９質量％以下がＩｎ２Ｏ３であり、かつ、１質量％以上１５質量％以下がＳｎＯ２であり、好ましくは、ターゲット２１の形成材料のうちの９０質量％以上９５質量％以下がＩｎ２Ｏ３であり、かつ、５質量％以上１０質量％以下がＳｎＯ２である。 As shown in FIG. 2, the ITO cathode 15C includes two targets 21 arranged along a tangential direction that is substantially parallel to the tangent TL with respect to the outer peripheral surface of the film forming roller 15R. Each target 21 is formed in a plate shape extending along the axial direction, and the surface which is one side surface faces the film forming roller 15R. The main component in the forming material of each target 21 is indium trioxide (In 2 O 3 ), and the remaining component is tin dioxide (SnO 2 ). Of the forming material of the target 21, 85 mass% or more and 99 mass% or less is In 2 O 3 and 1 mass% or more and 15 mass% or less is SnO 2. 90 wt% to 95 wt% or less is an in 2 O 3, and 10 wt% 5 wt% or more or less is SnO 2.

各ターゲット２１の側面のうち、成膜ローラー１５Ｒと向かい合わない１つの側面には、軸方向に沿って延びる板状に形成されたバッキングプレート２２が接続している。バッキングプレート２２は例えば銅等の金属で形成され、バッキングプレート２２では、接線方向における幅がターゲット２１の接線方向における幅よりも大きく、かつ、軸方向における幅がターゲット２１の軸方向における幅よりも大きい。   A backing plate 22 formed in a plate shape extending along the axial direction is connected to one side surface of each target 21 that does not face the film forming roller 15R. The backing plate 22 is made of, for example, a metal such as copper. In the backing plate 22, the width in the tangential direction is larger than the width in the tangential direction of the target 21, and the width in the axial direction is larger than the width in the axial direction of the target 21. large.

各バッキングプレート２２に対するターゲット２１とは反対側には、ターゲット２１の表面に漏洩磁場を形成する磁気回路２３が位置している。磁気回路２３では、軸方向に沿った幅が、ターゲット２１の軸方向に沿った幅に略等しい。２つのバッキングプレート２２は、１つのカソード電源２４に対して例えば並列に接続している。カソード電源２４は、各バッキングプレート２２に直流電圧を印加する。なお、ＳｉＯ２カソード１３Ｃのカソード電源２４は、各バッキングプレート２２に交流電圧を印加する。 On the opposite side of each backing plate 22 from the target 21, a magnetic circuit 23 that forms a leakage magnetic field on the surface of the target 21 is located. In the magnetic circuit 23, the width along the axial direction is substantially equal to the width along the axial direction of the target 21. The two backing plates 22 are connected to one cathode power source 24 in parallel, for example. The cathode power supply 24 applies a DC voltage to each backing plate 22. The cathode power supply 24 of the SiO 2 cathode 13C applies an alternating voltage to each backing plate 22.

接線方向における２つのターゲット２１の間、および、各ターゲット２１の接線方向における他のターゲット２１とは隣り合わない端部の各々には、軸方向に沿って延びる略板状に形成されたシールド２５が位置している。各シールド２５は、金属で形成され、各シールド２５では、軸方向での幅が、ターゲット２１の軸方向の幅よりも大きい。   A shield 25 formed in a substantially plate shape extending along the axial direction between the two targets 21 in the tangential direction and at each end portion not adjacent to the other target 21 in the tangential direction of each target 21. Is located. Each shield 25 is made of metal, and the width in the axial direction of each shield 25 is larger than the width in the axial direction of the target 21.

接線方向と直交する方向である法線方向では、ターゲット２１の表面と成膜ローラー１５Ｒの外周面との間に、マスク２６が位置し、マスク２６は、法線方向に沿ってマスク２６を貫通する開口を有している。マスク２６は、ターゲット２１から放出される複数のスパッタ粒子のうち、所定の方向に向けて飛行したスパッタ粒子を成膜ローラー１５Ｒに到達させない。   In the normal direction, which is a direction perpendicular to the tangential direction, the mask 26 is located between the surface of the target 21 and the outer peripheral surface of the film forming roller 15R, and the mask 26 penetrates the mask 26 along the normal direction. Has an opening. The mask 26 prevents the sputtered particles flying in a predetermined direction from the plurality of sputtered particles emitted from the target 21 from reaching the film forming roller 15R.

法線方向におけるターゲット２１とマスク２６との間であって、接線方向での２つのターゲット２１の端部のうち、他のターゲット２１と隣り合わない端部の各々には、反応ガス供給配管２７が位置している。各反応ガス供給配管２７は、軸方向に沿って延びる円筒状に形成されて、軸方向に沿って並ぶ複数の配管を含む。各配管は、軸方向にて等間隔を空けて形成されて、外周面を貫通する複数の供給孔を有している。反応ガス供給配管２７は、例えば、酸素ガスをターゲット２１に向けて供給する。   A reactive gas supply pipe 27 is provided between each of the ends of the two targets 21 in the tangential direction between the target 21 and the mask 26 in the normal direction and not adjacent to the other targets 21. Is located. Each reaction gas supply pipe 27 is formed in a cylindrical shape extending along the axial direction, and includes a plurality of pipes arranged along the axial direction. Each pipe has a plurality of supply holes that are formed at equal intervals in the axial direction and penetrate the outer peripheral surface. For example, the reactive gas supply pipe 27 supplies oxygen gas toward the target 21.

法線方向におけるターゲット２１と各反応ガス供給配管２７との間であって、接線方向での各反応ガス供給配管２７よりも外側の各々には、スパッタガス供給配管２８が位置している。各スパッタガス供給配管２８は、軸方向に沿って延びる円筒状に形成されて、軸方向に沿って並ぶ複数の配管を含む、各配管は、軸方向にて等間隔を空けて形成されて、外周面を貫通する複数の供給孔を有している。スパッタガス供給配管２８は、例えば、アルゴンガスをターゲット２１に向けて供給する。   Sputtering gas supply pipes 28 are located between the target 21 and the reactive gas supply pipes 27 in the normal direction and outside the reactive gas supply pipes 27 in the tangential direction. Each sputter gas supply pipe 28 is formed in a cylindrical shape extending along the axial direction, and includes a plurality of pipes arranged along the axial direction.Each pipe is formed at equal intervals in the axial direction. A plurality of supply holes penetrating the outer peripheral surface are provided. For example, the sputtering gas supply pipe 28 supplies argon gas toward the target 21.

ＩＴＯカソード１５Ｃ、カソード電源２４、反応ガス供給配管２７、および、スパッタガス供給配管２８が、成膜部の一例であり、酸化インジウムスズ成膜部の一例である。
なお、ＳｉＯ２カソード１３Ｃでは、ターゲットの形成材料における主な成分が、Ｓｉである。また、ＳｉＯ２カソード１３Ｃでは、反応ガス供給配管が酸素ガスをターゲットに向けて供給し、スパッタガス供給配管が例えばアルゴンガスをターゲットに向けて供給する。ＳｉＯ２カソード１３Ｃは、酸化ケイ素成膜部の一例である。 The ITO cathode 15C, the cathode power supply 24, the reaction gas supply pipe 27, and the sputtering gas supply pipe 28 are examples of a film forming unit and an example of an indium tin oxide film forming unit.
In the SiO 2 cathode 13C, the main component in the target forming material is Si. In the SiO 2 cathode 13C, the reactive gas supply pipe supplies oxygen gas toward the target, and the sputter gas supply pipe supplies, for example, argon gas toward the target. The SiO 2 cathode 13C is an example of a silicon oxide film forming unit.

［温度調節部の構成］
図３を参照して成膜ローラー１５Ｒの温度を調節する温度調節部の一例を説明する。なお、成膜ローラー１３Ｒの温度を調節する温度調節部は、成膜ローラー１５Ｒの温度調節部と比べて、それが配置されるチャンバが互いに異なるものの、温度調節に関わる構成は同じである。そのため以下では、成膜ローラー１５Ｒの温度調節部を説明し、成膜ローラー１３Ｒの温度調節部の説明を省略する。 [Configuration of temperature control unit]
An example of a temperature adjusting unit that adjusts the temperature of the film forming roller 15R will be described with reference to FIG. Note that the temperature adjusting unit that adjusts the temperature of the film forming roller 13R is different from the temperature adjusting unit of the film forming roller 15R, although the chambers in which the temperature adjusting unit is arranged are different from each other, the configuration related to temperature adjustment is the same. Therefore, below, the temperature control part of the film-forming roller 15R will be described, and the description of the temperature control part of the film-forming roller 13R will be omitted.

図３に示されるように、温度調節部３０は、熱媒タンク３１、熱媒供給配管３２、熱媒回収配管３３、熱媒ポンプ３４、熱媒冷却部３５、熱媒加熱部３６、および、温度測定部３７を備えている。熱媒タンク３１は、成膜ローラー１５Ｒの加熱あるいは冷却に用いられる熱媒を溜める。   As shown in FIG. 3, the temperature adjusting unit 30 includes a heat medium tank 31, a heat medium supply pipe 32, a heat medium recovery pipe 33, a heat medium pump 34, a heat medium cooling part 35, a heat medium heating part 36, and A temperature measuring unit 37 is provided. The heat medium tank 31 stores a heat medium used for heating or cooling the film forming roller 15R.

熱媒供給配管３２は、２つの端部を有し、２つの端部の一方が熱媒タンク３１に接続し、他方が成膜ローラー１５Ｒに形成された熱媒通路１５ｐに接続している。熱媒供給配管３２は、成膜ローラー１５Ｒとの熱交換前の熱媒を成膜ローラー１５Ｒに供給する。   The heat medium supply pipe 32 has two ends, and one of the two ends is connected to the heat medium tank 31, and the other is connected to the heat medium passage 15p formed in the film forming roller 15R. The heat medium supply pipe 32 supplies the heat medium before heat exchange with the film forming roller 15R to the film forming roller 15R.

熱媒回収配管３３は、２つの端部を有し、２つの端部の一方が成膜ローラー１５Ｒに形成された熱媒通路１５ｐのうち、熱媒供給配管３２が接続する部分とは異なる部分に接続し、他方が熱媒タンク３１に接続している。熱媒回収配管３３は、成膜ローラー１５Ｒとの熱交換後の熱媒を熱媒タンク３１に戻す。   The heat medium recovery pipe 33 has two ends, and one of the two ends is a part different from the part to which the heat medium supply pipe 32 is connected in the heat medium passage 15p formed in the film forming roller 15R. And the other is connected to the heat medium tank 31. The heat medium recovery pipe 33 returns the heat medium after heat exchange with the film forming roller 15 </ b> R to the heat medium tank 31.

熱媒ポンプ３４は、熱媒供給配管３２が熱媒タンク３１から成膜ローラー１５Ｒに向けて延びる途中に位置し、熱媒タンク３１に溜められた熱媒を成膜ローラー１５Ｒに向けて熱媒供給配管３２の内部に吐出する。熱媒ポンプ３４は、例えば、一定の流量の熱媒を熱媒供給配管３２に吐出する。   The heat medium pump 34 is located in the middle of the heat medium supply pipe 32 extending from the heat medium tank 31 toward the film formation roller 15R, and the heat medium stored in the heat medium tank 31 is directed toward the film formation roller 15R. Discharge into the supply pipe 32. For example, the heat medium pump 34 discharges a heat medium having a constant flow rate to the heat medium supply pipe 32.

熱媒冷却部３５は、熱媒回収配管３３の内部を流れる熱媒を冷却する。熱媒冷却部３５は、例えば、熱媒回収配管３３の外周面を覆う熱交換器、熱媒に設定される所定の温度よりも低い所定の温度に保たれた冷媒を溜めるタンク、熱交換器とタンクとを繋ぐ配管、および、配管を開放あるいは閉塞する弁等によって構成される。熱媒冷却部３５は、冷媒を用いて熱媒回収配管３３の内部を流れる熱媒を冷却する。熱媒冷却部３５は、熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度が所定の温度よりも高いとき、熱媒冷却部３５の内部に冷媒を流すことによって、熱媒回収配管３３の内部を流れる熱媒を冷却する。   The heat medium cooling unit 35 cools the heat medium flowing through the heat medium recovery pipe 33. The heat-medium cooling unit 35 includes, for example, a heat exchanger that covers the outer peripheral surface of the heat-medium recovery pipe 33, a tank that stores a refrigerant kept at a predetermined temperature lower than a predetermined temperature set in the heat medium, and a heat exchanger And a tank connecting the tank and a valve for opening or closing the pipe. The heat medium cooling unit 35 cools the heat medium flowing inside the heat medium recovery pipe 33 using a refrigerant. When the temperature of the heat medium in the heat medium tank 31 is higher than a predetermined temperature, the heat medium cooling unit 35 flows through the heat medium recovery pipe 33 by flowing the refrigerant into the heat medium cooling unit 35. Cool the heating medium.

熱媒加熱部３６は、熱媒回収配管３３の内部を流れる熱媒を加熱する。熱媒加熱部３６は、例えば、熱媒回収配管３３の外周面に巻き付いたヒーターである。熱媒加熱部３６は、熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度が所定の温度よりも低いとき、熱媒回収配管３３の内部を流れる熱媒を加熱する。   The heat medium heating unit 36 heats the heat medium flowing inside the heat medium recovery pipe 33. The heat medium heating unit 36 is, for example, a heater wound around the outer peripheral surface of the heat medium recovery pipe 33. The heat medium heating unit 36 heats the heat medium flowing through the heat medium recovery pipe 33 when the temperature of the heat medium inside the heat medium tank 31 is lower than a predetermined temperature.

温度測定部３７は、熱媒タンク３１から延びる配管に接続し、熱媒タンク３１の内部に溜められた熱媒の温度を測定する。温度測定部３７は、測定した熱媒の温度を現在の熱媒の温度として出力する。   The temperature measurement unit 37 is connected to a pipe extending from the heat medium tank 31 and measures the temperature of the heat medium stored in the heat medium tank 31. The temperature measuring unit 37 outputs the measured temperature of the heat medium as the current temperature of the heat medium.

温度調節部３０は、熱媒タンク３１に溜められた熱媒の温度を８０℃以上２００℃以下に含まれる所定の温度に保つことで、熱媒が供給される成膜ローラー１５Ｒの温度、特に、成膜ローラー１５Ｒにて樹脂製シートＳと接する部分である外周面の温度を熱媒と同じ温度に保つ。温度調節部３０は、温度測定部３７の測定した熱媒の温度が所定の温度よりも高いとき、熱媒冷却部３５によって熱媒を冷却し、温度測定部３７の測定した温度が所定の温度よりも低いとき、熱媒加熱部３６によって熱媒を加熱することによって、熱媒の温度、ひいては、成膜ローラー１５Ｒの温度を所定の温度に保つ。   The temperature adjusting unit 30 maintains the temperature of the heat medium stored in the heat medium tank 31 at a predetermined temperature that is included in the range of 80 ° C. to 200 ° C., so that the temperature of the film forming roller 15R to which the heat medium is supplied, The temperature of the outer peripheral surface, which is the portion in contact with the resin sheet S, is maintained at the same temperature as the heat medium by the film forming roller 15R. When the temperature of the heat medium measured by the temperature measuring unit 37 is higher than a predetermined temperature, the temperature adjusting unit 30 cools the heat medium by the heat medium cooling unit 35, and the temperature measured by the temperature measuring unit 37 is the predetermined temperature. When the temperature is lower than that, the heating medium is heated by the heating medium heating unit 36, thereby keeping the temperature of the heating medium, and thus the temperature of the film forming roller 15R, at a predetermined temperature.

成膜ローラー１５Ｒの搬送速度が上述の範囲に含まれる所定の速度であり、かつ、成膜ローラー１５Ｒの温度が上述の範囲に含まれる所定の温度であるとき、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部のプラズマがＩＴＯ膜に与える熱によらず、アモルファス状態のＩＴＯ膜が形成される。   When the transport speed of the film forming roller 15R is a predetermined speed included in the above range, and the temperature of the film forming roller 15R is a predetermined temperature included in the above range, the plasma inside the ITO sputtering chamber 15 is An amorphous ITO film is formed regardless of the heat applied to the ITO film.

なお、アモルファスの状態のＩＴＯ膜が形成されるとき、ＩＴＯ膜の透過性を保つ上では、ＩＴＯ膜の厚さが３５ｎｍ以下であることが好ましい。また、ＩＴＯ膜の抵抗値を高まりにくくする上では、ＩＴＯ膜が成膜されるときのＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部における水の分圧が低いことが好ましい。   When an amorphous ITO film is formed, the thickness of the ITO film is preferably 35 nm or less in order to maintain the transparency of the ITO film. In order to make it difficult to increase the resistance value of the ITO film, it is preferable that the partial pressure of water in the ITO sputtering chamber 15 when the ITO film is formed is low.

上述のように、ＩＴＯスパッタチャンバ１５が搬入する樹脂製シートＳは、加熱部１２Ｈによって加熱された樹脂製シートＳである。そのため、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部では、ＩＴＯ膜が成膜されるときに樹脂製シートＳから水分子が放出されることが抑えられる。結果として、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部では、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の排気の後にＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部に残った水分子が主な水分子であるため、水の分圧がＩＴＯ膜を成膜する処理によって高められにくい状態で、ＩＴＯ膜を形成することができる。   As described above, the resin sheet S carried into the ITO sputtering chamber 15 is the resin sheet S heated by the heating unit 12H. Therefore, in the ITO sputter chamber 15, it is possible to prevent water molecules from being released from the resin sheet S when the ITO film is formed. As a result, in the ITO sputter chamber 15, the water molecules remaining inside the ITO sputter chamber 15 after the exhaust of the ITO sputter chamber 15 are the main water molecules, so the partial pressure of water forms an ITO film. An ITO film can be formed in a state in which it is difficult to increase by treatment.

［制御装置の電気的構成］
図４を参照してスパッタ装置１０の駆動を制御する制御装置の構成の一例を説明する。なお、以下では、制御装置のうち、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部での樹脂製シートＳの搬送に関わる構成、ＩＴＯカソード１５Ｃの駆動に関わる構成、成膜ローラー１５Ｒの温度の調節に関わる構成のみを説明する。 [Electrical configuration of control device]
An example of the configuration of a control device that controls the driving of the sputtering apparatus 10 will be described with reference to FIG. In the following description, only the configuration related to the transport of the resin sheet S inside the ITO sputtering chamber 15, the configuration related to driving of the ITO cathode 15C, and the configuration related to the adjustment of the temperature of the film forming roller 15R in the control unit. explain.

図４に示されるように、制御装置４０は、成膜ローラー１５Ｒを回転させる成膜用モーター１５Ｍ、各搬送ローラー１９を回転させる複数の搬送用モーター１９Ｍに接続している。また、制御装置４０は、ターゲット２１に電力を供給する複数のカソード電源２４、反応ガス供給配管２７が供給する酸素ガスの流量を調節する複数の反応ガス用調節部２７Ｍ、および、スパッタガス供給配管２８が供給するアルゴンガスの流量を調節する複数のスパッタガス用調節部２８Ｍに接続している。さらに、制御装置４０は、温度調節部３０の熱媒冷却部３５の熱媒冷却弁３５Ｖ、および、熱媒加熱部３６のヒーター３６Ｈに接続している。制御装置４０は、制御部の一例である。   As shown in FIG. 4, the control device 40 is connected to a film formation motor 15 </ b> M that rotates the film formation roller 15 </ b> R and a plurality of transfer motors 19 </ b> M that rotate each transfer roller 19. The control device 40 also includes a plurality of cathode power supplies 24 that supply power to the target 21, a plurality of reaction gas adjustment units 27 </ b> M that adjust the flow rate of oxygen gas supplied by the reaction gas supply pipe 27, and a sputter gas supply pipe. It is connected to a plurality of sputter gas adjusting sections 28M that adjust the flow rate of the argon gas supplied by 28. Furthermore, the control device 40 is connected to the heat medium cooling valve 35V of the heat medium cooling unit 35 of the temperature adjusting unit 30 and the heater 36H of the heat medium heating unit 36. The control device 40 is an example of a control unit.

成膜用モーター１５Ｍは、成膜用モーター１５Ｍに駆動信号を出力する成膜用ドライバ１５Ｄを介して制御装置４０に接続し、各搬送用モーター１９Ｍは、各搬送用モーター１９Ｍに駆動信号を出力する搬送用ドライバ１９Ｄを介して制御装置４０に接続している。各反応ガス用調節部２７Ｍは、各反応ガス用調節部２７Ｍに駆動信号を出力する反応ガス用ドライバ２７Ｄを介して制御装置４０に接続し、各スパッタガス用調節部２８Ｍは、各スパッタガス用調節部２８Ｍに駆動信号を出力するスパッタガス用ドライバ２８Ｄに接続している。熱媒冷却弁３５Ｖは、熱媒冷却弁３５Ｖに駆動信号を出力する冷却用ドライバ３５Ｄを介して制御装置４０に接続し、ヒーター３６Ｈに駆動信号を出力する加熱用ドライバ３６Ｄを介して制御装置４０に接続している。   The film formation motor 15M is connected to the control device 40 via a film formation driver 15D that outputs a drive signal to the film formation motor 15M, and each transfer motor 19M outputs a drive signal to each transfer motor 19M. It is connected to the control device 40 via a transport driver 19D. Each reaction gas adjustment unit 27M is connected to the control device 40 via a reaction gas driver 27D that outputs a drive signal to each reaction gas adjustment unit 27M, and each sputtering gas adjustment unit 28M is used for each sputtering gas. It is connected to a sputtering gas driver 28D that outputs a drive signal to the adjusting unit 28M. The heat medium cooling valve 35V is connected to the control device 40 via a cooling driver 35D that outputs a drive signal to the heat medium cooling valve 35V, and is connected to the control device 40 via a heating driver 36D that outputs a drive signal to the heater 36H. Connected to.

制御装置４０は、例えば、樹脂製シートＳの搬送速度の設定値、ターゲット２１に供給される電力の設定値、反応ガスの設定流量、スパッタガスの設定流量を入力値として入力する。また、制御装置４０は、温度測定部３７の測定した熱媒の温度、熱媒の設定温度、各搬送用のモーターあるいはガス用調節部を駆動するモーター等のエンコーダーの検出値等を入力値として入力する。   The control device 40 inputs, for example, a set value of the conveyance speed of the resin sheet S, a set value of power supplied to the target 21, a set flow rate of reactive gas, and a set flow rate of sputtering gas as input values. Further, the control device 40 uses as input values the temperature of the heat medium measured by the temperature measuring unit 37, the set temperature of the heat medium, the detection value of an encoder such as a motor for driving each conveyance motor or the gas adjustment unit, and the like. input.

制御装置４０は、樹脂製シートＳの搬送速度の設定値等に基づき成膜用モーター１５Ｍの回転を制御するための制御信号を生成して成膜用ドライバ１５Ｄに出力する。成膜用ドライバ１５Ｄは、制御装置４０からの制御信号に応じて成膜用モーター１５Ｍを駆動するための駆動信号を生成して成膜用モーター１５Ｍに出力する。   The control device 40 generates a control signal for controlling the rotation of the film forming motor 15M based on the set value of the conveyance speed of the resin sheet S and outputs the control signal to the film forming driver 15D. The film formation driver 15D generates a drive signal for driving the film formation motor 15M in accordance with a control signal from the control device 40, and outputs the drive signal to the film formation motor 15M.

制御装置４０は、樹脂製シートＳの搬送速度の設定値等に基づき各搬送用モーター１９Ｍの回転を制御するための制御信号を生成して各搬送用ドライバ１９Ｄに出力する。各搬送用ドライバ１９Ｄは、制御装置４０からの制御信号に応じて搬送用モーター１９Ｍを駆動するための駆動信号を生成して搬送用モーター１９Ｍに出力する。   The control device 40 generates a control signal for controlling the rotation of each conveyance motor 19M based on a set value of the conveyance speed of the resin sheet S and outputs the control signal to each conveyance driver 19D. Each transport driver 19D generates a drive signal for driving the transport motor 19M in accordance with a control signal from the control device 40, and outputs the drive signal to the transport motor 19M.

制御装置４０は、成膜用モーター１５Ｍおよび複数の搬送用モーター１９Ｍの回転を制御することによって、１ｍ／分以上１０ｍ／分の範囲に含まれる所定の速度で、成膜ローラー１５Ｒおよび複数の搬送ローラー１９に樹脂製シートＳを搬送させる。   The control device 40 controls the rotation of the film formation motor 15M and the plurality of transfer motors 19M, thereby forming the film formation roller 15R and the plurality of transfer at a predetermined speed included in the range of 1 m / min to 10 m / min. The resin sheet S is conveyed to the roller 19.

制御装置４０は、ターゲット２１に供給される電力の設定値等に基づき各カソード電源２４を制御するための制御信号を生成して各カソード電源２４に出力する。
制御装置４０は、反応ガスの設定流量等に基づき各反応ガス用調節部２７Ｍを駆動するための制御信号を生成して各反応ガス用ドライバ２７Ｄに出力する。各反応ガス用ドライバ２７Ｄは、制御装置４０からの制御信号に応じて反応ガス用調節部２７Ｍを駆動するための駆動信号を生成して反応ガス用調節部２７Ｍに出力する。 The control device 40 generates a control signal for controlling each cathode power source 24 based on a set value of power supplied to the target 21 and outputs the control signal to each cathode power source 24.
The control device 40 generates a control signal for driving each reaction gas adjusting unit 27M based on the set flow rate of the reaction gas and outputs the control signal to each reaction gas driver 27D. Each reaction gas driver 27D generates a drive signal for driving the reaction gas adjustment unit 27M according to a control signal from the control device 40, and outputs the drive signal to the reaction gas adjustment unit 27M.

制御装置４０は、スパッタガスの設定流量等に基づき各スパッタガス用調節部２８Ｍを駆動するための制御信号を生成して各スパッタガス用ドライバ２８Ｄに出力する。各スパッタガス用ドライバ２８Ｄは、制御装置４０からの制御信号に応じてスパッタガス用調節部２８Ｍを駆動するための駆動信号を生成してスパッタガス用調節部２８Ｍに出力する。   The control device 40 generates a control signal for driving each sputtering gas adjustment unit 28M based on the set flow rate of the sputtering gas and outputs the control signal to each sputtering gas driver 28D. Each sputtering gas driver 28D generates a drive signal for driving the sputtering gas adjustment unit 28M in accordance with a control signal from the control device 40, and outputs the drive signal to the sputtering gas adjustment unit 28M.

制御装置４０は、カソード電源２４、反応ガス用調節部２７Ｍ、および、スパッタガス用調節部２８Ｍの駆動を制御することによって、ＩＴＯスパッタチャンバ１５の内部を搬送されている樹脂製シートＳに対してＩＴＯ膜を形成する。   The control device 40 controls the drive of the cathode power supply 24, the reactive gas adjustment unit 27M, and the sputtering gas adjustment unit 28M, thereby controlling the resin sheet S conveyed inside the ITO sputtering chamber 15. An ITO film is formed.

制御装置４０は、熱媒の設定温度や熱媒の温度の測定値等に基づき熱媒冷却弁３５Ｖの駆動を制御するための制御信号を生成して冷却用ドライバ３５Ｄに出力する。熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度が所定の温度よりも高いとき、制御装置４０は、熱媒冷却弁３５Ｖを開くための制御信号を生成して冷却用ドライバ３５Ｄに出力する。一方、熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度が所定の温度以下であるとき、制御装置４０は、熱媒冷却弁３５Ｖを閉じるための制御信号を生成して冷却用ドライバ３５Ｄに出力する。冷却用ドライバ３５Ｄは、制御装置４０からの制御信号に応じて熱媒冷却弁３５Ｖを駆動するための駆動信号を生成して熱媒冷却弁３５Ｖに出力する。   The control device 40 generates a control signal for controlling the drive of the heat medium cooling valve 35V based on the set temperature of the heat medium, the measured value of the temperature of the heat medium, and the like, and outputs the control signal to the cooling driver 35D. When the temperature of the heat medium inside the heat medium tank 31 is higher than a predetermined temperature, the control device 40 generates a control signal for opening the heat medium cooling valve 35V and outputs it to the cooling driver 35D. On the other hand, when the temperature of the heat medium in the heat medium tank 31 is equal to or lower than a predetermined temperature, the control device 40 generates a control signal for closing the heat medium cooling valve 35V and outputs the control signal to the cooling driver 35D. The cooling driver 35D generates a drive signal for driving the heat medium cooling valve 35V in accordance with a control signal from the control device 40, and outputs the drive signal to the heat medium cooling valve 35V.

制御装置４０は、熱媒の設定温度や熱媒の温度の測定値等に基づきヒーター３６Ｈの駆動を制御するための制御信号を生成して加熱用ドライバ３６Ｄに出力する。熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度が所定の温度よりも低いとき、制御装置４０は、ヒーター３６Ｈの駆動を開始するための制御信号を生成して加熱用ドライバ３６Ｄに出力する。一方、熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度が所定の温度以上であるとき、制御装置４０は、ヒーター３６Ｈの駆動を停止するための制御信号を生成して加熱用ドライバ３６Ｄに出力する。加熱用ドライバ３６Ｄは、制御装置４０からの制御信号に応じてヒーター３６Ｈを駆動するための駆動信号を生成してヒーター３６Ｈに出力する。   The control device 40 generates a control signal for controlling the driving of the heater 36H based on the set temperature of the heat medium, the measured value of the temperature of the heat medium, and the like, and outputs the control signal to the heating driver 36D. When the temperature of the heat medium inside the heat medium tank 31 is lower than the predetermined temperature, the control device 40 generates a control signal for starting the driving of the heater 36H and outputs it to the heating driver 36D. On the other hand, when the temperature of the heat medium inside the heat medium tank 31 is equal to or higher than a predetermined temperature, the control device 40 generates a control signal for stopping the driving of the heater 36H and outputs it to the heating driver 36D. The heating driver 36D generates a drive signal for driving the heater 36H according to a control signal from the control device 40, and outputs the drive signal to the heater 36H.

制御装置４０は、熱媒冷却部３５および熱媒加熱部３６の駆動を制御することによって、熱媒タンク３１の内部の熱媒の温度を８０℃以上２００℃以下の範囲に含まれる所定の温度に保つ。これにより、制御装置４０は、成膜ローラー１５Ｒの温度、特に、成膜ローラー１５Ｒにおいて樹脂製シートＳに接する外周面の温度を８０℃以上２００℃以下の範囲に含まれる所定の温度に保つ。   The control device 40 controls the driving of the heat medium cooling unit 35 and the heat medium heating unit 36 to thereby set the temperature of the heat medium in the heat medium tank 31 within a predetermined temperature range of 80 ° C. or more and 200 ° C. or less. Keep on. Thereby, the control apparatus 40 maintains the temperature of the film-forming roller 15R, in particular, the temperature of the outer peripheral surface in contact with the resin-made sheet S in the film-forming roller 15R at a predetermined temperature included in the range of 80 ° C. or more and 200 ° C. or less.

［実施例］
図５から図８を参照して実施例を説明する。
［成膜ローラーの状態と樹脂製シートの温度との関係］
図５を参照して、成膜ローラー１５Ｒの状態と樹脂製シートＳの温度との関係を説明する。以下では、成膜ローラー１５Ｒの状態として、樹脂製シートＳの搬送速度（ｍ／分）、および、成膜ローラー１５Ｒと樹脂製シートＳとの接触時間（秒）の各々と、これらと樹脂製シートＳの温度との関係を説明する。 [Example]
The embodiment will be described with reference to FIGS.
[Relationship between state of film forming roller and temperature of resin sheet]
With reference to FIG. 5, the relationship between the state of the film forming roller 15R and the temperature of the resin sheet S will be described. In the following, as the state of the film forming roller 15R, the conveyance speed (m / min) of the resin sheet S, the contact time (second) between the film forming roller 15R and the resin sheet S, and these and the resin roller The relationship with the temperature of the sheet S will be described.

形成材料がポリエチレンテレフタレートであり、かつ、厚さが１００μｍである樹脂製シートＳを、外周面のうち、樹脂製シートＳと触れる部分の長さが３０００ｍｍである成膜ローラー１５Ｒを用いて加熱した。このとき、樹脂製シートＳにおける成膜ローラー１５Ｒとは接しない面にヒートラベルを貼り付け、樹脂製シートＳが成膜ローラー１５Ｒを通過した直後の温度を測定した。   The resin sheet S having a forming material of polyethylene terephthalate and having a thickness of 100 μm was heated using a film forming roller 15R having a length of 3000 mm at the part of the outer peripheral surface that contacts the resin sheet S. . At this time, a heat label was affixed to the surface of the resin sheet S that does not contact the film forming roller 15R, and the temperature immediately after the resin sheet S passed the film forming roller 15R was measured.

なお、樹脂製シートＳの搬送速度を１ｍ／分、２ｍ／分、５ｍ／分、７．５ｍ／分、および、１０ｍ／分に設定し、各搬送速度において、成膜ローラー１５Ｒの温度を８０℃、１２０℃、および、１５０℃としたときの各々での樹脂製シートＳの温度を測定した。図５は、樹脂製シートＳの温度の測定結果を示している。なお、加熱前の樹脂製シートＳの温度は２５℃であることが認められた。   The conveyance speed of the resin sheet S is set to 1 m / min, 2 m / min, 5 m / min, 7.5 m / min, and 10 m / min, and the temperature of the film forming roller 15R is set to 80 at each conveyance speed. The temperature of the resin sheet S at each of ° C, 120 ° C, and 150 ° C was measured. FIG. 5 shows the measurement results of the temperature of the resin sheet S. In addition, it was recognized that the temperature of the resin sheet S before heating is 25 ° C.

図５が示すように、成膜ローラー１５Ｒの温度が８０℃に設定されるとき、樹脂製シートＳの温度は６０℃以上７７℃以下の範囲に含まれ、かつ、樹脂製シートＳの搬送速度が高いほど、樹脂製シートＳの温度が低いことが認められた。また、成膜ローラー１５Ｒの温度が１２０℃に設定されるとき、樹脂製シートＳの温度は８８℃以上１１６℃以下の範囲に含まれ、かつ、樹脂製シートＳの搬送速度が高いほど、樹脂製シートＳの温度が低いことが認められた。そして、成膜ローラー１５Ｒの温度が１５０℃に設定されるとき、樹脂製シートＳの温度は１１６℃以上１４９℃以下の範囲に含まれ、かつ、樹脂製シートＳの搬送速度が高いほど、樹脂製シートＳの温度が低いことが認められた。   As shown in FIG. 5, when the temperature of the film forming roller 15R is set to 80 ° C., the temperature of the resin sheet S is included in the range of 60 ° C. to 77 ° C., and the conveyance speed of the resin sheet S It was confirmed that the higher the value, the lower the temperature of the resin sheet S. Further, when the temperature of the film forming roller 15R is set to 120 ° C., the temperature of the resin sheet S is included in the range of 88 ° C. or higher and 116 ° C. or lower, and the higher the conveyance speed of the resin sheet S, the higher the resin. It was found that the temperature of the sheet S was low. When the temperature of the film forming roller 15R is set to 150 ° C., the temperature of the resin sheet S is included in the range of 116 ° C. or more and 149 ° C. or less, and the higher the conveyance speed of the resin sheet S, the higher the resin. It was found that the temperature of the sheet S was low.

つまり、成膜ローラー１５Ｒの温度が８０℃以上１５０℃以下の範囲に含まれる温度であり、かつ、樹脂製シートの搬送速度が１ｍ／分以上１０ｍ／分以下の範囲に含まれる速度であれば、ＩＴＯ膜の形成が完了したとき、樹脂製シートＳの温度が、６０℃以上１５０℃以下の範囲に含まれる温度であることが認められた。   That is, if the temperature of the film forming roller 15R is a temperature included in the range of 80 ° C. or more and 150 ° C. or less and the conveyance speed of the resin sheet is included in the range of 1 m / min or more and 10 m / min or less. When the formation of the ITO film was completed, it was recognized that the temperature of the resin sheet S was within the range of 60 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.

［薄膜積層体］
図６を参照して薄膜積層体を説明する。
図６に示されるように、形成材料がポリエチレンテレフタレートである樹脂製シートＳの一側面に、二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）５１と、酸化インジウムスズ膜（ＩＴＯ膜）５２とがこの順に積層された薄膜積層体５０が形成された。ＳｉＯ２膜５１では、樹脂製シートＳの一側面に対する法線方向に沿った幅が５ｎｍであり、ＩＴＯ膜５２では、同じく法線方向に沿った幅が２５ｎｍであった。 [Thin film laminate]
The thin film laminate will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 6, a silicon dioxide film (SiO 2 film) 51 and an indium tin oxide film (ITO film) 52 are laminated in this order on one side of a resin sheet S whose forming material is polyethylene terephthalate. A thin film laminate 50 was formed. In the SiO 2 film 51, the width along the normal direction with respect to one side surface of the resin sheet S was 5 nm, and in the ITO film 52, the width along the normal direction was 25 nm.

実施例では、ＩＴＯ膜が形成されるとき、樹脂製シートＳの搬送速度が４ｍ／分であり、成膜ローラー１５Ｒの温度が８０℃であり、アルゴンガスの流量が７００ｓｃｃｍであり、酸素ガスの流量が８ｓｃｃｍであり、直流電力が４．４Ｗ／ｃｍ２であった。また、実施例では、前処理チャンバの加熱部によって８０℃に加熱された後の樹脂製シートＳに対して、ＩＴＯ膜が形成された。 In the example, when the ITO film is formed, the conveyance speed of the resin sheet S is 4 m / min, the temperature of the film forming roller 15R is 80 ° C., the flow rate of argon gas is 700 sccm, The flow rate was 8 sccm and the DC power was 4.4 W / cm 2 . In the example, an ITO film was formed on the resin sheet S after being heated to 80 ° C. by the heating unit of the pretreatment chamber.

［ＩＴＯ膜の比抵抗］
図７および図８を参照してＩＴＯ膜の比抵抗を説明する。なお、以下に説明する比較例１では、上述の実施例の条件から成膜ローラー１５Ｒの温度のみを０℃に変えて、ＳｉＯ２膜とＩＴＯ膜とが形成された。また、比較例２では、同じく実施例の条件から成膜ローラー１５Ｒの温度のみを４０℃に変えて、ＳｉＯ２膜とＩＴＯ膜とが形成された。 [Resistivity of ITO film]
The specific resistance of the ITO film will be described with reference to FIGS. In Comparative Example 1 described below, the SiO 2 film and the ITO film were formed by changing only the temperature of the film forming roller 15R to 0 ° C. from the conditions of the above-described example. Further, in Comparative Example 2, the SiO 2 film and the ITO film were formed by changing only the temperature of the film forming roller 15R to 40 ° C. from the conditions of the example.

実施例、比較例１、および、比較例２の各々では、それぞれの条件によってＳｉＯ２膜とＩＴＯ膜とが樹脂製シートＳ上に形成されて薄膜積層体が形成された。薄膜積層体が大気に曝露されてからアニール処理が行われるまでの経過時間の各々にて、アニール処理後のＩＴＯ膜の比抵抗が測定された。アニール処理では、薄膜積層体が、大気圧かつ１５０℃である雰囲気に６０分間配置された。 In each of the example, comparative example 1, and comparative example 2, the SiO 2 film and the ITO film were formed on the resin sheet S according to the respective conditions to form a thin film laminate. The specific resistance of the ITO film after the annealing treatment was measured at each elapsed time from when the thin film laminate was exposed to the atmosphere until the annealing treatment was performed. In the annealing treatment, the thin film laminate was placed in an atmosphere at atmospheric pressure and 150 ° C. for 60 minutes.

ここで、タッチパネルのセンサーとして用いられるＩＴＯ膜では、シート抵抗が１００Ω／ｓｑ程度であること、および、高い透過率を満たす上で、樹脂製シートにおけるＩＴＯが形成される面に対する放線方向に沿った幅が３５ｎｍ以下であることが好ましい。つまり、ＩＴＯ膜における上述の幅が３５ｎｍであるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３５０μΩｃｍ以下であることが好ましい。一方、ＩＴＯ膜が形成されるとき、成膜ローラーの温度が高いほど、ＩＴＯ膜のシート抵抗が低くなるものの、樹脂製シートの熱変形を抑える上では、成膜ローラーの温度が２００℃以下であることが好ましい。   Here, in the ITO film used as the sensor of the touch panel, the sheet resistance is about 100 Ω / sq, and in order to satisfy the high transmittance, along the ray direction with respect to the surface on which the ITO is formed in the resin sheet. The width is preferably 35 nm or less. That is, when the above-described width of the ITO film is 35 nm, the specific resistance of the ITO film is preferably 350 μΩcm or less. On the other hand, when the ITO film is formed, the higher the temperature of the film forming roller, the lower the sheet resistance of the ITO film. However, in order to suppress thermal deformation of the resin sheet, the temperature of the film forming roller is 200 ° C. or less. Preferably there is.

図７に示されるように、実施例では、経過時間が０時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３３９μΩｃｍであり、経過時間が４８時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３４９μΩｃｍであることが認められた。また、実施例では、経過時間が１２０時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３４７μΩｃｍであり、経過時間が２８８時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３４３μΩｃｍであることが認められた。   As shown in FIG. 7, in the example, when the elapsed time is 0 hour, the specific resistance of the ITO film is 339 μΩcm, and when the elapsed time is 48 hours, the specific resistance of the ITO film is 349 μΩcm. Was recognized. In the examples, when the elapsed time was 120 hours, the specific resistance of the ITO film was 347 μΩcm, and when the elapsed time was 288 hours, the specific resistance of the ITO film was 343 μΩcm.

このように、実施例によれば、経過時間が０時間から２８８時間までにわたって、ＩＴＯ膜の比抵抗が３５０μΩｃｍ以下であることが認められ、成膜後からの時間の経過に伴ってＩＴＯ膜の比抵抗が高まることが抑えられることが認められた。   Thus, according to the example, it is recognized that the specific resistance of the ITO film is 350 μΩcm or less over the elapsed time from 0 hour to 288 hours, and as the time elapses after the film formation, the ITO film It was confirmed that the increase in specific resistance was suppressed.

アニール処理によってＩＴＯ膜に熱が与えられると、アモルファス状態のＩＴＯ膜の結晶化と、Ｉｎ２Ｏ３に含まれるインジウムとＳｎＯ２に含まれるスズとの置換とが起こる。これにより、ＩＴＯ膜では、キャリア電子密度が高まるため、ＩＴＯ膜の導電性が高くなる。 When heat is applied to the ITO film by the annealing treatment, crystallization of the amorphous ITO film and substitution of indium contained in In 2 O 3 and tin contained in SnO 2 occur. Thereby, in the ITO film, since the carrier electron density is increased, the conductivity of the ITO film is increased.

ここで、実施例のＩＴＯ膜が形成されるときの成膜ローラーの温度と、樹脂製シートの搬送速度とは、ＩＴＯ膜の結晶化が進まず、かつ、Ｉｎ２Ｏ３に含まれるインジウムと、ＳｎＯ２に含まれるスズとが置換される程度の熱量をＩＴＯ膜に与えることができる。そのため、ＩＴＯ膜が大気に曝露されてから時間が経過するに伴ってＩＴＯ膜の一部にてＩｎ２Ｏ３が微結晶を形成しても、Ｉｎ２Ｏ３の微結晶には、インジウムとスズとが置換されたものも含まれる。そのため、アニール処理後の結晶化したＩＴＯ膜では、Ｉｎ２Ｏ３に含まれるインジウムがスズに置換された部分が含まれるため、ＩＴＯ膜の比抵抗が時間の経過に伴って高まることが抑えられる。 Here, the temperature of the film-forming roller when the ITO film of the example is formed and the conveyance speed of the resin sheet are that the crystallization of the ITO film does not proceed and indium contained in In 2 O 3 The amount of heat that can replace the tin contained in SnO 2 can be given to the ITO film. Therefore, even In 2 O 3 in some ITO film ITO film along with the elapse of time since the exposure to the atmosphere to form microcrystals, the microcrystals of In 2 O 3 is indium Also included are those substituted with tin. Therefore, the crystallized ITO film after the annealing treatment includes a portion in which the indium contained in In 2 O 3 is replaced with tin, so that the specific resistance of the ITO film is suppressed from increasing with time. .

一方、比較例１では、経過時間が０時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３５１μΩｃｍであり、経過時間が４８時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３５１μΩｃｍであることが認められた。また、比較例１では、経過時間が１２０時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３９１μΩｃｍであり、経過時間が２８８時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３７４μΩｃｍであることが認められた。   On the other hand, in Comparative Example 1, when the elapsed time was 0 hour, the specific resistance of the ITO film was 351 μΩcm, and when the elapsed time was 48 hours, the specific resistance of the ITO film was found to be 351 μΩcm. In Comparative Example 1, it was confirmed that when the elapsed time was 120 hours, the specific resistance of the ITO film was 391 μΩcm, and when the elapsed time was 288 hours, the specific resistance of the ITO film was 374 μΩcm.

比較例２では、経過時間が０時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３４７μΩｃｍであり、経過時間が４８時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３６６μΩｃｍであることが認められた。また、経過時間が１２０時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３６２μΩｃｍであり、経過時間が２８８時間であるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗は３７９μΩｃｍであることが認められた。   In Comparative Example 2, when the elapsed time was 0 hour, the specific resistance of the ITO film was 347 μΩcm, and when the elapsed time was 48 hours, the specific resistance of the ITO film was found to be 366 μΩcm. Further, it was confirmed that when the elapsed time was 120 hours, the specific resistance of the ITO film was 362 μΩcm, and when the elapsed time was 288 hours, the specific resistance of the ITO film was 379 μΩcm.

このように、比較例１では、経過時間が０時間であってもＩＴＯ膜の比抵抗が３５０μΩｃｍを超えてしまうことが認められた。また、比較例２では、経過時間が０時間であるときのＩＴＯ膜の比抵抗は３５０μΩｃｍ以下であっても、アニール処理が行われるまでの時間の経過に伴って、ＩＴＯ膜の比抵抗が高められてしまい、結果として、ＩＴＯ膜の比抵抗が３５０μΩｃｍを大幅に超えてしまうことが認められた。   Thus, in Comparative Example 1, it was recognized that the specific resistance of the ITO film exceeded 350 μΩcm even when the elapsed time was 0 hour. In Comparative Example 2, the specific resistance of the ITO film increases as time elapses until the annealing process is performed even if the specific resistance of the ITO film when the elapsed time is 0 hour is 350 μΩcm or less. As a result, it was recognized that the specific resistance of the ITO film greatly exceeded 350 μΩcm.

比較例１および比較例２のＩＴＯ膜が形成されるときの成膜ローラーの温度と、樹脂製シートの搬送速度とは、ＩＴＯ膜がアモルファス状態の膜が形成されるとき、Ｉｎ２Ｏ３に含まれるインジウムと、ＳｎＯ２に含まれるスズとが置換できない程度の熱量しかＩＴＯ膜に与えることができない。そのため、ＩＴＯ膜が大気に曝露されてから時間が経過するに伴ってＩＴＯ膜の一部にてインジウムとスズとの置換が進まない状態で、Ｉｎ２Ｏ３が微結晶を形成する。Ｉｎ２Ｏ３が微結晶を形成した後にアニール処理によってＩＴＯ膜に熱量が与えられても、微結晶化したＩｎ２Ｏ３ではインジウムとスズとの置換が起こらないため、ＩＴＯ膜でのキャリア電子密度が高まらない。結果として、ＩＴＯ膜の比抵抗が時間の経過に伴って高くなる。 The temperature of the film forming roller when the ITO film of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 is formed, and the conveyance speed of the resin sheet are set to In 2 O 3 when the amorphous film is formed. Only an amount of heat that cannot replace the indium contained and the tin contained in SnO 2 can be applied to the ITO film. Therefore, In 2 O 3 forms microcrystals in a state in which the replacement of indium and tin does not proceed in a part of the ITO film as time passes after the ITO film is exposed to the atmosphere. For In 2 O 3 even if heat is applied to the ITO film by annealing after forming the microcrystal substitution of a fine crystallized In 2 in O 3, indium and tin does not occur, the carrier electrons in the ITO film The density does not increase. As a result, the specific resistance of the ITO film increases with time.

図８に示されるように、実施例では、経過時間が０時間であるときのＩＴＯ膜の比抵抗を基準とする劣化率が、経過時間が４８時間であるとき３％であり、経過時間が１２０時間であるとき２．４％であり、経過時間が２８８時間であるとき１．２％であることが認められた。つまり、実施例によれば、経過時間に関わらず劣化率が５％以下であることが認められた。   As shown in FIG. 8, in the example, the deterioration rate based on the specific resistance of the ITO film when the elapsed time is 0 hour is 3% when the elapsed time is 48 hours, and the elapsed time is It was found to be 2.4% at 120 hours and 1.2% when the elapsed time was 288 hours. That is, according to the example, it was recognized that the deterioration rate was 5% or less regardless of the elapsed time.

一方、比較例１では、同じく経過時間が０時間であるときのＩＴＯ膜の比抵抗を基準とする劣化率が、経過時間が４８時間であるとき０％であり、経過時間が１２０時間であるとき１１．４％であり、経過時間が２８８時間であるとき６．６％であることが認められた。また、比較例２では、同じく経過時間が０時間であるときのＩＴＯ膜の比抵抗を基準とする劣化率が、経過時間が４８時間であるとき５．５％であり、経過時間が１２０時間であるとき４．３％であり、経過時間が２８８時間であるとき６．６％であることが認められた。このように、比較例１および比較例２では、劣化率が５％を超える場合があることが認められた。   On the other hand, in Comparative Example 1, the deterioration rate based on the specific resistance of the ITO film when the elapsed time is 0 hour is 0% when the elapsed time is 48 hours, and the elapsed time is 120 hours. 11.4% and 6.6% when the elapsed time was 288 hours. In Comparative Example 2, the deterioration rate based on the specific resistance of the ITO film when the elapsed time is 0 hour is 5.5% when the elapsed time is 48 hours, and the elapsed time is 120 hours. Was 4.3%, and 6.6% when the elapsed time was 288 hours. Thus, in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, it was recognized that the deterioration rate might exceed 5%.

なお、ＩＴＯ膜が形成されるとき、成膜ローラーの温度が８０℃以上２００℃以下の範囲に含まれる温度であり、かつ、樹脂製シートの搬送速度が１ｍ／分以上１０ｍ／分以下の範囲に含まれる速度であれば、実施例１と同等の効果が得られることも認められている。つまり、こうした成膜ローラーの温度の条件と、樹脂製シートの搬送速度の条件とが満たされるとき、ＩＴＯ膜の比抵抗が３５０μΩｃｍ以下であり、上述の劣化率が５％以下であることも認められている。   When the ITO film is formed, the temperature of the film forming roller is a temperature included in the range of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, and the resin sheet conveyance speed is in the range of 1 m / min or higher and 10 m / min or lower. It is also recognized that the same effect as in Example 1 can be obtained if the speed is included in the above. In other words, when the conditions for the temperature of the film formation roller and the conditions for the conveyance speed of the resin sheet are satisfied, it is also recognized that the specific resistance of the ITO film is 350 μΩcm or less and the above-described deterioration rate is 5% or less. It has been.

以上説明したように、上記実施形態によれば以下に列挙する効果を得ることができる。
（１）ＩＴＯ膜が形成されるとき、成膜ローラー１５Ｒの温度が、８０℃以上２００℃以下であり、樹脂製シートＳの搬送速度が、１ｍ／分以上１０ｍ／分以下であるため、樹脂製シートＳに対して単位時間あたりに供給される熱量が、これらによって定められる範囲内となる。成長過程のＩＴＯ膜に加えられる熱量は、ＩＴＯ膜の比抵抗を大きく左右するパラメータであり、成膜ローラー１５Ｒの温度、および、樹脂製シートＳの搬送速度が上記範囲内であれば、ＩＴＯ膜５２の比抵抗が、時間の経過に伴って高まることが抑えられる。 As described above, according to the embodiment, the effects listed below can be obtained.
(1) When the ITO film is formed, the temperature of the film forming roller 15R is 80 ° C. or more and 200 ° C. or less, and the transport speed of the resin sheet S is 1 m / min or more and 10 m / min or less. The amount of heat supplied to the manufactured sheet S per unit time is within a range determined by these. The amount of heat applied to the ITO film during the growth is a parameter that greatly affects the specific resistance of the ITO film. If the temperature of the film forming roller 15R and the transport speed of the resin sheet S are within the above ranges, the ITO film It is suppressed that the specific resistance of 52 increases with the passage of time.

なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
・スパッタ装置１０は、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３とＩＴＯスパッタチャンバ１５との間に連絡通路１７を備えていない構成でもよく、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３とＩＴＯスパッタチャンバ１５とが直接接続された構成でもよい。こうした構成であれば、連絡通路１７を備えていない分、搬送方向にて互いに隣り合うＳｉＯ２カソード１３Ｃにて、酸素ラジカルからも熱を受けることによって加熱された樹脂製シートＳの温度が、ＩＴＯカソード１５Ｃに到達するまでに低下しにくくなる。そのため、樹脂製シートＳの温度が、ＩＴＯ膜の形成の初期から、上述した温度の範囲に含まれやすくなり、かつ、ＩＴＯ膜の形成が完了するまで、上述した温度の範囲のうちで高い温度の範囲で保たれやすくなる。それゆえに、ＩＴＯ膜５２の比抵抗が高まることを抑える上では、連絡通路１７を備えていない構成がより好ましい。 The embodiment described above can be implemented with appropriate modifications as follows.
Sputtering apparatus 10 may be configured without a communication passage 17 between the SiO 2 sputtering chamber 13 and the ITO sputtering chamber 15, and SiO 2 sputtering chamber 13 and the ITO sputtering chamber 15 may be connected to each other directly . In such a configuration, since the communication passage 17 is not provided, the temperature of the resin sheet S heated by receiving heat from oxygen radicals at the SiO 2 cathodes 13C adjacent to each other in the transport direction is set to be ITO. It becomes difficult to decrease before reaching the cathode 15C. Therefore, the temperature of the resin sheet S is likely to be included in the above-described temperature range from the initial stage of the formation of the ITO film, and is a higher temperature within the above-described temperature range until the formation of the ITO film is completed. It becomes easy to be kept in the range. Therefore, in order to suppress an increase in the specific resistance of the ITO film 52, a configuration that does not include the communication passage 17 is more preferable.

なお、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３とＩＴＯスパッタチャンバ１５とが連絡通路１７によって接続される場合であれ、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３とＩＴＯスパッタチャンバ１５とが直接接続される場合であれ、スパッタ装置１０が以下の構成を備えることがより好ましい。すなわち、スパッタ装置１０においては、スパッタ装置１０が複数のＩＴＯカソード１５Ｃを備えるとき、搬送方向にて互いに隣り合うＳｉＯ２カソード１３ＣとＩＴＯカソード１５Ｃとの間の距離が、搬送方向にて互いに隣り合うＩＴＯカソード１５Ｃの間の距離以下であることが好ましい。 Whether the SiO 2 sputter chamber 13 and the ITO sputter chamber 15 are connected by the communication passage 17 or when the SiO 2 sputter chamber 13 and the ITO sputter chamber 15 are directly connected, the sputter apparatus 10 is as follows. It is more preferable to have the configuration of That is, in the sputtering apparatus 10, when the sputtering apparatus 10 includes a plurality of ITO cathodes 15C, the distance between the SiO 2 cathode 13C and the ITO cathode 15C adjacent to each other in the transport direction is adjacent to each other in the transport direction. The distance is preferably equal to or less than the distance between the ITO cathodes 15C.

これにより、樹脂製シートＳがＳｉＯ２カソード１３Ｃにて受けた熱が、樹脂製シートＳから放出される量を小さくすることができるため、ＩＴＯ膜の形成の初期から、樹脂製シートＳの温度が、アモルファス状態のＩＴＯ膜を形成し、かつ、インジウムとスズとの置換が起こる程度の温度になりやすい。結果として、ＩＴＯ膜の比抵抗が時間の経過とともに高くなることが抑えられる。また、酸化インジウムスズ膜の特性が、酸化インジウムスズの積み重なる方向にて変わりにくくなる。 Accordingly, since the amount of heat received by the resin sheet S at the SiO 2 cathode 13C can be reduced, the temperature of the resin sheet S can be reduced from the initial stage of the ITO film formation. However, the temperature tends to be such that an ITO film in an amorphous state is formed and substitution between indium and tin occurs. As a result, it is suppressed that the specific resistance of the ITO film increases with time. In addition, the characteristics of the indium tin oxide film are less likely to change in the direction in which the indium tin oxide is stacked.

・図９に示されるように、スパッタ装置１０は、ＳｉＯ２カソード１３Ｃと、ＩＴＯカソード１５Ｃとを搭載した成膜チャンバ６１を備える構成でもよい。この際に、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３とＩＴＯスパッタチャンバ１５とが割愛されてもよい。こうした構成では、成膜チャンバ６１が、成膜チャンバ６１の内部を成膜空間Ｓ１と搬送空間Ｓ２とに分ける分離壁部６１ａを有し、成膜空間Ｓ１の内部に、ＳｉＯ２カソード１３ＣとＩＴＯカソード１５Ｃとを搭載する構成が好ましい。また、成膜チャンバ６１は、搬送方向における各カソードの間に隔壁部６１ｂを備えることが好ましい。 As shown in FIG. 9, the sputtering apparatus 10 may include a film forming chamber 61 on which the SiO 2 cathode 13C and the ITO cathode 15C are mounted. At this time, the SiO 2 sputtering chamber 13 and the ITO sputtering chamber 15 may be omitted. In such a configuration, the film forming chamber 61 has a separation wall portion 61a that divides the inside of the film forming chamber 61 into a film forming space S1 and a transfer space S2, and the SiO 2 cathode 13C and the ITO are formed in the film forming space S1. A configuration in which the cathode 15C is mounted is preferable. The film forming chamber 61 preferably includes a partition wall 61b between the cathodes in the transport direction.

こうした構成においては、搬送方向にて互いに隣り合うＳｉＯ２カソード１３ＣとＩＴＯカソード１５Ｃとの間の距離Ｄ１が、互いに隣り合うＩＴＯカソード１５Ｃの間の距離Ｄ２以下である構成とすることが容易である。さらには、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３とＩＴＯスパッタチャンバ１５とが各別に位置するよりも、ＳｉＯ２カソード１３ＣとＩＴＯカソード１５Ｃとの距離を小さくすることも可能になる。そのため、樹脂製シートＳが、ＳｉＯ２カソード１３Ｃにて受けた熱をより維持したまま、ＩＴＯカソード１５Ｃによる成膜が樹脂製シートＳに対して行われる。結果として、樹脂製シートＳの温度が、インジウムとスズとの置換が起こる温度に保たれた状態でＩＴＯカソード１５Ｃと対向する位置に搬送されやすくなるため、ＩＴＯ膜において、時間の経過とともに比抵抗が高くなることが抑えられる。また、酸化インジウムスズ膜の特性が、酸化インジウムスズの積み重なる方向にて変わりにくくなる。 In such a configuration, the distance D1 between the SiO 2 cathode 13C and the ITO cathode 15C adjacent to each other in the transport direction can be easily set to be equal to or less than the distance D2 between the adjacent ITO cathodes 15C. . Furthermore, the distance between the SiO 2 cathode 13C and the ITO cathode 15C can be made smaller than when the SiO 2 sputtering chamber 13 and the ITO sputtering chamber 15 are separately located. Therefore, film formation by the ITO cathode 15C is performed on the resin sheet S while the resin sheet S maintains more heat received by the SiO 2 cathode 13C. As a result, since the temperature of the resin sheet S is maintained at a temperature at which substitution of indium and tin is maintained, the resin sheet S is easily transported to a position facing the ITO cathode 15C. Is suppressed from becoming high. In addition, the characteristics of the indium tin oxide film are less likely to change in the direction in which the indium tin oxide is stacked.

こうした構成では、成膜チャンバ６１が、成膜ローラー６１Ｒによって樹脂製シートＳを搬送する間に、樹脂製シートＳの１つの側面に、ＳｉＯ２膜とＩＴＯ膜とを形成する。
・スパッタ装置１０は、ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３、あるいは、ＳｉＯ２カソード１３Ｃを備えていない構成でもよい。こうした構成であっても、ＩＴＯスパッタチャンバ１５を備える以上は、上述の（１）に準じた効果を得ることができる。 In such a configuration, the film forming chamber 61 forms the SiO 2 film and the ITO film on one side surface of the resin sheet S while the resin sheet S is conveyed by the film forming roller 61R.
The sputtering apparatus 10 may be configured not to include the SiO 2 sputtering chamber 13 or the SiO 2 cathode 13C. Even with such a configuration, as long as the ITO sputter chamber 15 is provided, the effect according to the above (1) can be obtained.

・温度調節部３０は、熱媒回収配管３３における成膜ローラー１５Ｒに接続する端部と、熱媒冷却部３５との間に、熱媒回収配管３３の内部を流れる熱媒の温度を測定する回収側温度測定部を備えてもよい。この場合には、制御装置４０が、回収側温度測定部の測定した熱媒の温度が所定の温度よりも高いとき、熱媒冷却部３５を駆動して熱媒を冷却し、熱媒の温度が所定の温度よりも低いとき、熱媒加熱部３６を駆動して熱媒を加熱する構成であればよい。こうした構成によっても、成膜ローラー１５Ｒの温度を所定の温度に保つことは可能である。   The temperature adjusting unit 30 measures the temperature of the heat medium flowing in the heat medium recovery pipe 33 between the end connected to the film forming roller 15 </ b> R in the heat medium recovery pipe 33 and the heat medium cooling part 35. A recovery side temperature measurement unit may be provided. In this case, when the temperature of the heat medium measured by the recovery side temperature measurement unit is higher than a predetermined temperature, the control device 40 drives the heat medium cooling unit 35 to cool the heat medium, and the temperature of the heat medium. When the temperature is lower than the predetermined temperature, the heat medium heating unit 36 may be driven to heat the heat medium. Even with such a configuration, it is possible to keep the temperature of the film forming roller 15R at a predetermined temperature.

・回収側温度測定部を備える温度調節部３０では、制御装置４０が、回収側温度測定部の測定した熱媒の温度が所定の温度よりも高いほど、熱媒ポンプ３４から吐出される熱媒の流量を大きくし、熱媒の温度が所定の温度よりも低いほど、熱媒ポンプ３４から吐出される熱媒の流量を小さくする構成でもよい。こうした構成によれば、成膜ローラー１５Ｒの温度をより速く所定の温度に近付けることができる。   In the temperature adjustment unit 30 including the recovery side temperature measurement unit, the control device 40 causes the heat medium discharged from the heat medium pump 34 to be higher as the temperature of the heat medium measured by the recovery side temperature measurement unit is higher than a predetermined temperature. The flow rate of the heat medium discharged from the heat medium pump 34 may be reduced as the temperature of the heat medium is increased and the temperature of the heat medium is lower than a predetermined temperature. According to such a configuration, the temperature of the film forming roller 15R can be brought closer to the predetermined temperature faster.

・１つのＩＴＯカソード１５Ｃは２つのターゲット２１を備えていなくともよく、１つのターゲットを備える構成でもよいし、３つ以上のターゲットを備える構成でもよい。
・ＳｉＯ２スパッタチャンバ１３およびＩＴＯスパッタチャンバ１５の各々は、４つのカソードを内部に搭載していなくともよく、各チャンバの搭載するカソードの個数は、１つ以上３つ以下でもよいし、５つ以上であってもよい。 -One ITO cathode 15C does not need to be provided with two targets 21, and may be configured with one target or may be configured with three or more targets.
Each of the SiO 2 sputtering chamber 13 and the ITO sputtering chamber 15 may not have four cathodes mounted therein, and the number of cathodes mounted in each chamber may be one or more and three or less, and five It may be the above.

・スパッタガス供給配管２８の供給するスパッタガスは、アルゴンガス以外の希ガス、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、キセノンガス、および、クリプトンガス等でもよい。   The sputtering gas supplied from the sputtering gas supply pipe 28 may be a rare gas other than argon gas, for example, helium gas, neon gas, xenon gas, krypton gas, or the like.

・制御装置４０は、熱媒冷却弁３５Ｖの開放および閉塞のみを制御する構成でなくともよく、熱媒冷却弁３５Ｖの開度を制御する構成でもよい。例えば、熱媒の温度が所定の温度よりも高いほど、熱媒冷却弁３５Ｖの開度を大きくする構成でもよい。こうした構成によれば、熱媒の温度が所定の温度から離れるほど、熱媒冷却部３５に供給される冷媒の流量が大きくなるため、熱媒の温度が所定の温度により速く近付く。   The controller 40 may not be configured to control only the opening and closing of the heat medium cooling valve 35V, but may be configured to control the opening degree of the heat medium cooling valve 35V. For example, the opening degree of the heat medium cooling valve 35V may be increased as the temperature of the heat medium is higher than a predetermined temperature. According to such a configuration, the flow rate of the refrigerant supplied to the heat medium cooling unit 35 increases as the temperature of the heat medium moves away from the predetermined temperature, so that the temperature of the heat medium approaches the predetermined temperature faster.

・制御装置４０は、ヒーター３６Ｈの駆動の開始と停止とのみを制御する構成でなくともよく、ヒーター３６Ｈに供給する電流量を制御して、ヒーター３６Ｈの発する熱量を変える構成でもよい。例えば、熱媒の温度が所定の温度よりも低いほど、ヒーター３６Ｈに供給する電流量を大きくして、ヒーター３６Ｈの発する熱量を大きくする構成でもよい。こうした構成によれば、熱媒の温度が所定の温度から離れるほど、ヒーター３６Ｈに供給される電流量が大きくなるため、熱媒の温度が所定の温度により速く近付く。   The controller 40 may not be configured to control only the start and stop of the driving of the heater 36H, but may be configured to control the amount of current supplied to the heater 36H and change the amount of heat generated by the heater 36H. For example, a configuration in which the amount of heat generated by the heater 36H is increased by increasing the amount of current supplied to the heater 36H as the temperature of the heat medium is lower than a predetermined temperature. According to such a configuration, the amount of current supplied to the heater 36H increases as the temperature of the heating medium is further away from the predetermined temperature, so that the temperature of the heating medium approaches the predetermined temperature faster.

要するに、調節部は、成膜ローラーの温度を８０℃以上２００℃以下に変更できる構成であって、制御部は、成膜ローラーの温度を８０℃以上２００℃以下に調整する構成であればよい。   In short, the adjustment unit may be configured to change the temperature of the film formation roller to 80 ° C. or more and 200 ° C. or less, and the control unit may be configured to adjust the temperature of the film formation roller to 80 ° C. or more and 200 ° C. or less. .

・樹脂製シートＳは、ＳｉＯ２膜およびＩＴＯ膜が形成される１つの側面に、屈折率を調節するインデックスマッチング層（ＩＭ層）を有していてもよい。
・図１０に示されるように、スパッタ装置１０は、五酸化ニオブ膜（Ｎｂ２Ｏ５膜）７１、ＳｉＯ２膜７２、および、ＩＴＯ膜７３が樹脂製シートＳ側からこの順に積層された薄膜積層体を形成する構成でもよい。この場合には、スパッタ装置１０は、Ｎｂ２Ｏ５膜７１を形成するためのスパッタチャンバを有する構成でもよいし、Ｎｂ２Ｏ５膜７１が予め形成された樹脂製シートＳに対してＳｉＯ２膜７２とＩＴＯ膜７３とを形成する構成でもよい。 The resin sheet S may have an index matching layer (IM layer) that adjusts the refractive index on one side surface on which the SiO 2 film and the ITO film are formed.
As shown in FIG. 10, the sputtering apparatus 10 is a thin film in which a niobium pentoxide film (Nb 2 O 5 film) 71, a SiO 2 film 72, and an ITO film 73 are laminated in this order from the resin sheet S side. The structure which forms a laminated body may be sufficient. In this case, the sputtering apparatus 10, Nb 2 O 5 film 71 may be configured with a sputtering chamber for forming, Nb 2 O 5 film 71 SiO 2 with respect to the preformed resin sheet S The film 72 and the ITO film 73 may be formed.

・スパッタ装置１０は、ＩＴＯ膜を樹脂製シートＳの１つの側面のみに形成する装置でなくともよく、樹脂製シートＳにおいて１つの側面と対向する他の側面にもＩＴＯ膜を形成する構成でもよい。   The sputter apparatus 10 does not have to be an apparatus that forms an ITO film on only one side surface of the resin sheet S, and may be configured to form an ITO film on the other side surface that faces the one side surface of the resin sheet S. Good.

１０…スパッタ装置、１１…送り出しチャンバ、１１Ｒ…送り出しローラー、１２…前処理チャンバ、１２Ｈ…加熱部、１３…ＳｉＯ２スパッタチャンバ、１３ａ，１５ａ，６１ａ…分離壁部、１３ｂ，１５ｂ，６１ｂ…隔壁部、１３Ｃ…ＳｉＯ２カソード、１３Ｒ，１５Ｒ，６１Ｒ…成膜ローラー、１５…ＩＴＯスパッタチャンバ、１５Ｃ…ＩＴＯカソード、１５Ｄ…成膜用ドライバ、１５Ｍ…成膜用モーター、１５ｐ…熱媒通路、１６…巻き取りチャンバ、１６Ｒ…巻き取りローラー、１７…連絡通路、１８…排気部、１９…搬送ローラー、１９Ｄ…搬送用ドライバ、１９Ｍ…搬送用モーター、２１…ターゲット、２２…バッキングプレート、２３…磁気回路、２４…カソード電源、２５…シールド、２６…マスク、２７…反応ガス供給配管、２７Ｄ…反応ガス用ドライバ、２７Ｍ…反応ガス用調節部、２８…スパッタガス供給配管、２８Ｄ…スパッタガス用ドライバ、２８Ｍ…スパッタガス用調節部、３０…温度調節部、３１…熱媒タンク、３２…熱媒供給配管、３３…熱媒回収配管、３４…熱媒ポンプ、３５…熱媒冷却部、３５Ｄ…冷却用ドライバ、３５Ｖ…熱媒冷却弁、３６…熱媒加熱部、３６Ｄ…加熱用ドライバ、３６Ｈ…ヒーター、３７…温度測定部、４０…制御装置、５０，７０…薄膜積層体、５１，７２…ＳｉＯ２膜、５２，７３…ＩＴＯ膜、６１…成膜チャンバ、７１…Ｎｂ２Ｏ５膜、Ｓ…樹脂製シート、Ｓ１…成膜空間、Ｓ２…搬送空間、ＴＬ…接線。 10 ... sputtering apparatus, 11 ... feed chamber, 11R ... feeding roller, 12 ... pre-treatment chamber, 12H ... heating section, 13 ... SiO 2 sputter chamber, 13a, 15a, 61a ... separation wall, 13b, 15b, 61b ... partition wall Part, 13C ... SiO 2 cathode, 13R, 15R, 61R ... film forming roller, 15 ... ITO sputtering chamber, 15C ... ITO cathode, 15D ... film forming driver, 15M ... film forming motor, 15p ... heat medium passage, 16 ... take-up chamber, 16R ... take-up roller, 17 ... communication passage, 18 ... exhaust part, 19 ... transport roller, 19D ... transport driver, 19M ... transport motor, 21 ... target, 22 ... backing plate, 23 ... magnetic Circuit, 24 ... Cathode power supply, 25 ... Shield, 26 ... Mask, 27 ... Reaction gas supply Piping, 27D ... reactive gas driver, 27M ... reactive gas adjusting unit, 28 ... sputter gas supply piping, 28D ... sputtering gas driver, 28M ... sputtering gas adjusting unit, 30 ... temperature adjusting unit, 31 ... heating medium tank 32 ... Heat medium supply pipe, 33 ... Heat medium recovery pipe, 34 ... Heat medium pump, 35 ... Heat medium cooling part, 35D ... Cooling driver, 35V ... Heat medium cooling valve, 36 ... Heat medium heating part, 36D ... heating driver, 36H ... heater, 37 ... temperature measuring unit, 40 ... controller, 50, 70 ... thin film multilayer body, 51,72 ... SiO 2 film, 52,73 ... ITO film, 61 ... film forming chamber, 71 ... Nb 2 O 5 film, S ... resin sheet, S1 ... deposition space, S2 ... conveyance space, TL ... tangent.

Claims (4)

成膜ローラーが搬送している樹脂製シートに、スパッタ法を用いてアモルファス状態の酸化インジウムスズ膜が形成されること、を備え、
前記成膜ローラーの温度が、８０℃以上２００℃以下であり、
前記樹脂製シートの搬送速度が、１ｍ／分以上１０ｍ／分以下である
成膜方法。 An indium tin oxide film in an amorphous state is formed on the resin sheet conveyed by the film forming roller using a sputtering method,
The temperature of the film forming roller is 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower,
The film forming method, wherein a conveyance speed of the resin sheet is 1 m / min or more and 10 m / min or less. 樹脂製シートを搬送する搬送部と、
前記搬送部に含まれる成膜ローラーの温度を調節する調節部と、
前記成膜ローラーが搬送している前記樹脂製シートに酸化インジウムスズを含むスパッタ粒子を放出して酸化インジウムスズ膜を形成する成膜部と、
前記成膜部の駆動、前記搬送部の駆動、および、前記調節部の駆動の制御を通じて、
前記成膜ローラーの温度を８０℃以上２００℃以下にし、
前記樹脂製シートの搬送速度を１ｍ／分以上１０ｍ／分以下にし、
前記樹脂製シートにアモルファス状態の前記酸化インジウムスズ膜を形成させる制御部と、
を備えるスパッタ装置。 A transport unit for transporting a resin sheet;
An adjusting unit for adjusting the temperature of the film forming roller included in the conveying unit;
A film forming unit that forms an indium tin oxide film by discharging sputtered particles containing indium tin oxide to the resin sheet that is transported by the film forming roller;
Through control of driving of the film forming unit, driving of the transport unit, and driving of the adjusting unit,
The temperature of the film forming roller is 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower,
The conveyance speed of the resin sheet is 1 m / min to 10 m / min,
A control unit for forming the indium tin oxide film in an amorphous state on the resin sheet;
A sputtering apparatus comprising: 前記成膜部は、酸化インジウムスズ成膜部であり、
前記酸化インジウムスズ成膜部は、複数の酸化インジウムスズカソードを有し、
前記搬送部が搬送している前記樹脂製シートに酸化ケイ素カソードからケイ素を含むスパッタ粒子を放出して酸化ケイ素膜を形成する酸化ケイ素成膜部をさらに備え、
前記酸化インジウムスズ成膜部と前記酸化ケイ素成膜部とは、前記樹脂製シートの搬送方向に沿って並び、
前記制御部は、
前記酸化インジウムスズ成膜部、および、前記酸化ケイ素成膜部の駆動を制御して、前記樹脂製シートに前記酸化ケイ素膜と前記酸化インジウムスズ膜とをこの順に形成させ、
前記搬送方向にて互いに隣り合う酸化ケイ素カソードと酸化インジウムスズカソードとの間の距離は、互いに隣り合う酸化インジウムスズカソードの間の距離以下である
請求項２に記載のスパッタ装置。 The film forming unit is an indium tin oxide film forming unit,
The indium tin oxide film forming section has a plurality of indium tin oxide cathodes,
Further comprising a silicon oxide film forming section for discharging silicon-containing sputtered particles from the silicon oxide cathode to form a silicon oxide film on the resin sheet transported by the transport section;
The indium tin oxide film forming part and the silicon oxide film forming part are aligned along the transport direction of the resin sheet,
The controller is
By controlling the driving of the indium tin oxide film forming part and the silicon oxide film forming part, the silicon oxide film and the indium tin oxide film are formed in this order on the resin sheet,
The sputtering apparatus according to claim 2, wherein a distance between the silicon oxide cathode and the indium tin oxide cathode adjacent to each other in the transport direction is equal to or less than a distance between the adjacent indium tin oxide cathodes. 前記成膜部は、１つのチャンバ内に、前記酸化インジウムスズ成膜部と前記酸化ケイ素成膜部とを備える
請求項３に記載のスパッタ装置。 The sputtering apparatus according to claim 3, wherein the film forming unit includes the indium tin oxide film forming unit and the silicon oxide film forming unit in one chamber.
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