JP2015126101A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】高感度の固体撮像素子を提供すること。【解決手段】実施形態の固体撮像素子は、半導体基板と、前記半導体基板表面上に設けられたフォトダイオードと、前記半導体基板表面上に形成された第1屈折率を有する第1絶縁膜と、前記フォトダイオード上方に前記第1絶縁膜を介して設けられ前記第1屈折率より高い第2屈折率を有する第2絶縁膜と、前記フォトダイオードの上方において、前記第2絶縁膜上に前記第2屈折率より高い第3屈折率を有する第3絶縁膜と、前記フォトダイオード上方に設けられたマイクロレンズとを備えることを特徴とする。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、固体撮像素子に関する。
デジタルカメラなどのデジタル電子機器には、電源電圧が低く低消費電力であるという観点からCMOSイメージセンサの固体撮像素子が用いられている。近年のデジタル電子機器などの高度化に伴い高感度が求められている。CMOSイメージセンサには光を電気信号に変換し増幅して転送するための画素が複数配列されている。この画素の面積が大きく、または画素が多いほど光を多く吸収できる為高感度になる。しかし、小型化に伴い1つ当たりの画素が小さくなると、光を吸収できる面積も小さくなるので1つ当たりの画素の感度は低くなってしまう。そのため1つ1つの画素が高感度であることが必要である。
このCMOSイメージセンサでは、半導体基板内に光電変換部であるフォトダイオード(以下PD)が形成される。半導体基板およびPD上には平坦化された絶縁膜、カラーフィルタ、およびマイクロレンズが順次形成される。配線層が絶縁膜中に形成される。上記絶縁膜より高屈折率を有する絶縁膜がこの配線層に挟まれて形成される。高屈折率を有する絶縁膜を低屈折率を有する絶縁膜で挟むことにより、高屈折率絶縁膜と低屈折率絶縁膜との界面における反射により光が閉じ込められた光路が形成される。これにより、入射光の配線による反射が抑制されPDの受光効率が向上する。しかしながら、PD上にも配線層の周りを覆う絶縁膜がある。PD上の絶縁膜と光路を構成する高屈折率絶縁膜との屈折率の差が大きいので、これらの境界面で入射光が反射してしまいPDが効率よく受光することができない。
高感度の固体撮像素子を提供することである。
本実施形態の固体撮像素子では、半導体基板と、前記半導体基板表面上に設けられたフォトダイオードと、前記半導体基板表面上に形成された第1屈折率を有する第1の絶縁膜と、前記フォトダイオード上方に前記第1の絶縁膜を介して設けられ前記第1屈折率より高い第2屈折率を有する第2の絶縁膜と、前記フォトダイオード上方において、前記第2の絶縁膜上に前記第2屈折率より高い第3屈折率を有する第3のの絶縁膜と、前記フォトダイオード上方に設けられたマイクロレンズと、を備えることを特徴とする。
(第1実施形態)
以下、実施形態の固体撮像素子を図面を参照して説明する。
以下、実施形態の固体撮像素子を図面を参照して説明する。
図1は本実施形態に係る固体撮像素子の構成の一部を示す断面図である。図1に示されるように、固体撮像素子は、半導体基板1、フォトダイオード(PD)2、第1絶縁膜3、第2絶縁膜4、第3絶縁膜5、第1配線層6、第2配線層7、配線層8、配線9、第1反射防止膜10、保護膜11、第2反射防止膜12、カラーフィルタ13、マイクロレンズ14、第4絶縁膜19を備える。固体撮像素子はPD上にマイクロレンズを形成し、PDで光を受光する。
PD2は半導体基板1表面に設けられている。半導体基板1上に第1の屈折率を有する第1絶縁膜3が設けられている。
PD2の上方の第1絶縁膜3上に、第2絶縁膜4が設けられている。
第2絶縁膜4は第1屈折率より高い第2屈折率を有する。
第3絶縁膜5は、PD2の上方の第2絶縁膜4上に設けられている。第3絶縁膜5は、第2屈折率より高い第3屈折率を有する。
以上述べた第2絶縁膜4は第1絶縁膜3中に設けられ、半導体基板1表面に平行な方向において、第1絶縁膜3に囲まれている。また、第3絶縁膜5は第4絶縁膜19に囲まれている。ここで、第4絶縁膜19は、第1絶縁膜3と同一若しくは異なる材料でもよい。材料が異なる場合、屈折率は第3屈折率よりも低い。
多層配線は、第1絶縁膜3中に形成される。多層配線層は、半導体基板1表面と平行方向において、第2絶縁膜4間と、第3絶縁膜5間とにそれぞれ設けられる。第1絶縁膜3中に設けられた多層配線は、半導体基板1表面に対して垂直方向に第1配線層6、第2配線層7とを少なくとも有する複数の配線層8から構成される。
各配線層8は、半導体基板1表面と平行な面内において、第1絶縁膜3を介して互いに離間して延伸する複数の配線9とを有する。各配線層8の配線9は必要により、半導体基板1に垂直な方向において他の配線9とビア(図示せず)で電気的に接続される。
配線9及びビアには、例えば、Cuが用いられる。
カラーフィルター13は絶縁膜層最上部に保護膜11と第2反射防止膜12を介して設けられている。
本実施例では多層配線構造は、説明を容易にするために2層構造の例である。
ここでは第3絶縁膜5までしか示さないが、半導体基板1表面に対し垂直方向に屈折率が高くなる膜であれば、PD2の上方に1以上の別の絶縁膜をさらに設けることも可能である。
第2絶縁膜4の第2屈折率は、第1絶縁膜3から第3絶縁膜5に向かい単調に、または段階的に増加する。または、第2屈折率は、第1屈折率と第3屈折率との間の一定の値を有してもよい。すなわち、第2絶縁膜4は、1番低い屈折率を有する第1絶縁膜3と1番高い屈折率を有する第3絶縁膜5との中間の屈折率を有していればよい。第3絶縁膜5の第3屈折率も第2絶縁膜4の第2屈折率と同様に段階的に増加してもよいし、一定の値を有してもよい。
絶縁膜層の最上部には保護膜11と第2反射防止膜12を介して1つの画素に対応するマイクロレンズ14がカラーフィルター13の上に形成されている。
以下固体撮像素子の動作について説明する。
マイクロレンズ14は固体撮像素子に向けて入射した光を効率よくPD2に集光させる。
マイクロレンズ14を通過した入射光は、カラーフィルター13を通り各画素の色の情報を持つ。
カラーフィルター13を通過した入射光がPD2の上方に形成された第3絶縁膜5に入射する。
第3絶縁膜5は半導体基板1表面と平行方向において第4絶縁膜19に囲まれている。これにより、第3絶縁膜5は半導体基板1表面に垂直な方向においてPD2への光路を構成する。第4絶縁膜19と第3絶縁膜6の屈折率差により、入射光は半導体基板1表面に垂直方向において効率よく光路内を伝搬する。
PD2上面には光路形成の加工ダメージによるPD2の機能不良を防止するために第1絶縁膜3が設けられている。そのため光路としての役割を担う第3絶縁膜5とPD2上面に形成された第1絶縁膜3との界面で屈折率差が大きいことにより入射光が反射してしまうため、入射光をPD2で効率よく受光することができない。
そこで本実施形態に係る固体撮像素子では、第1絶縁膜3と第3絶縁膜5との界面で屈折率差を小さくするために、屈折率に関して中間層の役割を担う絶縁膜が設けられる。
第1屈折率を有する第1絶縁膜3と第3屈折率を有する第3絶縁膜5との間に、第1屈折率より高く第3屈折率より低い屈折率を有する第2絶縁膜4が設けられる。図1に示すように、屈折率に関して中間層としての役割を持つ絶縁膜が設けられることによりPD2の受光効率が良くなる。
第1絶縁膜3と第2絶縁膜4との界面、及び第2絶縁膜4と第3絶縁膜5との界面の方が、第1絶縁膜3と第3絶縁膜5との界面に比べ屈折率差が小さい。このため、本実施形態に係る固体撮像素子では、光がPD2に効率的に取り込まれる。
次に固体撮像素子の製造方法について図面を参照して説明する。
例えばSiなどからなる半導体基板1に不純物イオンを注入してPD2を形成する。
図2に示すように例えばプラズマCVD (Chemical Vapor Deposition)法などで、例えばSiNをPD2を有する側の半導体基板1上全体に第1反射防止膜10を形成する。
第1反射防止膜10の上全体に例えばプラズマCVD法や熱CVD法などで、例えばSiO2を成膜し、第1屈折率を有する第1絶縁膜3を形成する。
次に、第1絶縁膜中3に半導体基板1表面に垂直方向に多層配線を形成するため、図3に示すように、例えば、リソグラフィー技術及びドライエッチング技術により第1絶縁膜3に溝15を形成する。
次に図は省略するが、配線9に用いられるCuが絶縁膜中に拡散しないように、溝15の表面に例えばスパッタ法などで例えば、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaN)、チタン(Ti)又は窒化チタン(TiN)などのバリアメタルを成膜する。
バリアメタルを成膜後、図4に示すようにメッキにより配線9に用いられるCuを溝15に埋め込む。Cu及び第1絶縁膜3の表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法で平坦化する。これによりCuからなる配線9が第1絶縁膜中3に形成される。次に第1配線層6のCu配線9が第1絶縁膜3に拡散しないようにプラズマCVD法などにより例えばSiNなどからなる保護膜11を第1の絶縁膜3及びCu配線9上に成膜する。
次に第1配線層6と同一層内に第2絶縁膜4を形成する。図5に示すように第1配線層6形成後、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)とウエットエッチング法により第1絶縁膜3中のPD2上方に溝16を形成する。ここで、溝16は第1反射防止膜10までは達していない。
図6に示すように、溝16に第2絶縁膜4をプラズマCVD法などにより成膜する。その後、例えばCMP法やRIE法で第2絶縁膜4を平坦化する。これにより、第2絶縁膜4がPD2上方であって第1絶縁膜3内に形成される。第1配線層6と第2絶縁膜4は同一層内に形成される。
続いて第2配線を形成する。図7に示すように、第4絶縁膜19が、プラズマCVD法などにより図2と同様に保護膜11上に形成する。
第4絶縁膜19は、第1絶縁膜3と同一若しくは異なる材料でもよい。材料が異なる場合、屈折率は第2屈折率、第3屈折率よりも低い。
次に図8に示すように、図3と同様に、溝17を第4絶縁膜19にその表面から例えばリソグラフィー技術及びドライエッチング技術により形成する。
次に図は省略するが、配線9に用いられるCuが絶縁膜中に拡散しないように、溝17の表面に例えばスパッタ法などでバリアメタルを成膜する。
バリアメタルを成膜後、図9に示すように、メッキにより配線9に用いられるCuを溝17に埋め込む。Cu及び第4絶縁膜19の表面をCMP法により平坦化する。これにより、Cuからなる配線9が第4絶縁膜19に形成される。次に第2配線層7のCu配線9が第4絶縁膜19に拡散しないようプラズマCVD法などによりSiNなどからなる保護膜11を成膜する。
次に、第3絶縁膜5を形成する。第2配線層7形成後、図10に示すように、RIE法及びウエットエッチング法により、PD2上方で第4絶縁膜19の表面から第2絶縁膜4の上面に達する溝18を第4絶縁膜19に形成する。
図11に示すように、第3絶縁膜5を第4絶縁膜19に形成した上記溝18にプラズマCVD法などにより成膜し、その後例えばCMP法やRIE法で第3絶縁膜5を平坦化する。これにより、第3絶縁膜5が、PD2上方であって第4絶縁膜19に第2絶縁膜4と接するように形成される。次に半導体基板1上の最上面に例えばSiNからなる第2反射防止膜12をプラズマCVD 法やスパッタ法などにより第4絶縁膜19上面及び、保護膜11上に成膜する。第2反射防止膜12の上面には1つの画素に対応するマイクロレンズ14がカラーフィルタ13の上に形成されている。以上より図1に示した固体撮像素子が完成する。
ここでの第1絶縁膜3及び第4絶縁膜19は例えば酸化シリコン(屈折率1.4)からなる。第2絶縁膜4、第3絶縁膜5はそれぞれ、例えば窒素の組成の異なる窒化シリコンからなり、それぞれの屈折率は例えば1.6、2.0である。
本実施例において、第1絶縁膜3、第2絶縁膜4、第3絶縁膜5及び第4絶縁膜19は組成の異なる窒化シリコンで説明したが、これだけに限定されず、絶縁材料に例えばTiを添加することでも絶縁膜の屈折率を制御できる。
また本実施例において絶縁膜の成膜方法にプラズマCVD法を用いて説明を行ったが、プラズマCVD法だけに限定されず、例えばスパッタ法や塗布を用いて成膜することもできる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や趣旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1・・・半導体基板
2・・・フォトダイオード
3・・・第1絶縁膜
4・・・第2絶縁膜
5・・・第3絶縁膜
6・・・第1配線層
7・・・第2配線層
8・・・配線層
9・・・配線
10・・・第1反射防止膜
11・・・保護膜
12・・・第2反射防止膜
13・・・カラーフィルター
14・・・マイクロレンズ
15、16、17、18・・・溝
19・・・第4絶縁膜
2・・・フォトダイオード
3・・・第1絶縁膜
4・・・第2絶縁膜
5・・・第3絶縁膜
6・・・第1配線層
7・・・第2配線層
8・・・配線層
9・・・配線
10・・・第1反射防止膜
11・・・保護膜
12・・・第2反射防止膜
13・・・カラーフィルター
14・・・マイクロレンズ
15、16、17、18・・・溝
19・・・第4絶縁膜
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板表面上に設けられたフォトダイオードと、
前記半導体基板表面上に形成された第1屈折率を有する第1の絶縁膜と、
前記フォトダイオード上方に前記第1絶縁膜を介して設けられ前記第1屈折率より高い第2屈折率を有する第2の絶縁膜と、
前記フォトダイオードの上方において、前記第2絶縁膜上に前記第2屈折率より高い第3屈折率を有する第3の絶縁膜と、
前記フォトダイオード上方に設けられたマイクロレンズと、
を備えた固体撮像素子。 - 前記第2及び第3の絶縁膜の側面に前記第3屈折率より小さい屈折率を有する第4の絶縁膜が設けられている
ことを特徴とする
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第4絶縁膜の屈折率は前記第1の絶縁膜の屈折率と同一であることを特徴とする
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 隣り合う前記第2の絶縁膜の間に配線が設けられていることを特徴とする
請求項1乃至3のいづれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記第2屈折率は前記第1の絶縁膜から前記第3の絶縁膜に向かい増大する
請求項1乃至4のいづれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の絶縁膜から前記第3の絶縁膜へ向かって、前記第2屈折率は、単調に増加または段階的に増加する
ことを特徴とする
請求項5に記載の固体撮像素子。
Priority Applications (2)
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JP2013269433A JP2015126101A (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 固体撮像素子 |
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