JP2015125063A

JP2015125063A - Radiation detector

Info

Publication number: JP2015125063A
Application number: JP2013269814A
Authority: JP
Inventors: 哲佐野; Satoru Sano; 佐藤　敏幸; Toshiyuki Sato; 敏幸佐藤; 晃一田邊; Koichi Tanabe; 吉牟田　利典; Toshinori Yoshimuta; 利典吉牟田; 弘之岸原; Hiroyuki Kishihara; 貴弘土岐; Takahiro Toki
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2013-12-26
Filing date: 2013-12-26
Publication date: 2015-07-06

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detector with which it is possible to raise the upper limit of an exposure dose and shorten a measurement time.SOLUTION: In an X-ray strip detector 1, an X strip 5 and a Y strip 7 are separated so as to divide an entire sensitive area A of a conversion layer 3 in matrix form. Therefore, an incident position specification circuit 37 specifies, on the basis of electric charges read out by the separated X strip 5 and Y strip 7, an X-ray incident position for each of divided sensitive areas A1 to A4 that are divided in matrix form. That is to say, even when two or more X rays are incident within a readout time, and if the X rays are incident on different divided sensitive areas A1 to A4, it is possible to specify the X-ray incident positions. Since the number of X rays detectable within the readout time can therefore be increased, it is possible to raise the upper limit of an exposure dose, and hence to shorten a measurement time until the sufficient number of X rays is counted.

Description

本発明は、放射線に感応して電荷を生成する変換層を備えた放射線検出器に関する。 The present invention relates to a radiation detector including a conversion layer that generates charges in response to radiation.

従来、放射線検出器の一例として、Ｘ線検出器がある（例えば、特許文献１参照）。Ｘ線検出器は、Ｘ線管と共に、Ｘ線透視装置などに設けられている。 Conventionally, there exists an X-ray detector as an example of a radiation detector (for example, refer patent document 1). The X-ray detector is provided in an X-ray fluoroscope or the like together with the X-ray tube.

Ｘ線検出器は、Ｘ線検出方式として、間接変換型と直接変換型の２つの方式がある。間接変換型は、入射したＸ線をシンチレータで別の光に変換し、その光をフォトダイオード又はＣＣＤで電荷に変換することにより、Ｘ線を検出するという方式である。一方、直接変換型は、入射したＸ線を半導体層で電荷に変換することにより、Ｘ線を検出するという方法である。 There are two types of X-ray detectors, an indirect conversion type and a direct conversion type, as X-ray detection methods. The indirect conversion type is a system in which X-rays are detected by converting incident X-rays into another light with a scintillator and converting the light into charges with a photodiode or CCD. On the other hand, the direct conversion type is a method of detecting X-rays by converting incident X-rays into electric charges in a semiconductor layer.

間接変換型では、シンチレータのＸ線の反応位置と、フォトダイオードが捕らえた位置とで位置ずれが生じる。これに対し、直接変換式では、半導体層において、Ｘ線の反応位置から直接電荷（電子またはホール）が収集用の電極に向かってドリフトするので、間接変換型よりも優れた位置分解能を得ることができる。 In the indirect conversion type, a displacement occurs between the X-ray reaction position of the scintillator and the position captured by the photodiode. On the other hand, in the direct conversion type, in the semiconductor layer, since direct charges (electrons or holes) drift from the X-ray reaction position toward the collecting electrode, a position resolution superior to the indirect conversion type can be obtained. Can do.

このようなＸ線検出器は、一般的に、ピクセル検出器が用いられる。ピクセル検出器は、ピクセルに対応する数における、Ｘ線を検出するＸ線検出素子を多数平面状に配置したものである。また、ピクセル検出器の読み出し方式は、Ｘ線から変換された電荷を蓄積容量に一定期間で貯めた後、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子で、貯めた電荷を読み出すという積分型である。この積分型に対し、近年、フォトンカウンティング型の検出器が普及しつつあり、一部の医用機器においても使用され始めている。 As such an X-ray detector, a pixel detector is generally used. In the pixel detector, a large number of X-ray detection elements that detect X-rays in a number corresponding to the pixels are arranged in a plane. In addition, the pixel detector readout method is an integral type in which charges converted from X-rays are stored in a storage capacitor for a certain period, and then the stored charges are read by a switching element such as a TFT (thin film transistor). In contrast to this integral type, in recent years, photon counting type detectors have become widespread and have begun to be used in some medical devices.

フォトンカウンティング型の検出器として、図１２のような、ストリップ検出器１０１がある。ストリップ検出器１０１は、入射したＸ線に感応し電荷を生成するｎ型の半導体層１０３と、半導体層１０３を挟み込むように設けられたＸ方向およびＹ方向に長手のストリップ電極１０５，１０７とを備えている。ストリップ電極１０５，１０７は、細長い板状の電極である。複数のストリップ電極１０５，１０７は、並列に配置される。 As a photon counting type detector, there is a strip detector 101 as shown in FIG. The strip detector 101 includes an n-type semiconductor layer 103 that generates charges in response to incident X-rays, and strip electrodes 105 and 107 that are long in the X direction and the Y direction so as to sandwich the semiconductor layer 103. I have. The strip electrodes 105 and 107 are elongated plate-like electrodes. The plurality of strip electrodes 105 and 107 are arranged in parallel.

なお、図１２のストリップ検出器１０１において、Ｘ方向に長手のストリップ電極１０５と半導体層１０３との間には、Ｘ方向に長手のｐ^＋層１７１が設けられている。また、Ｙ方向に長手のストリップ電極１０７と半導体層１０３との間には、Ｙ方向に長手のｎ^＋層１７３が設けられており、隣接する２つのｎ^＋層１７３の間には、ｐ^＋層１７５が設けられている。半導体層１０３のストリップ電極１０５，１０７が形成されないところでは、絶縁層（例えばＳｉＯ_２：二酸化ケイ素）１７７が形成されている。 In the strip detector 101 of FIG. 12, a p ⁺ layer 171 that is long in the X direction is provided between the strip electrode 105 that is long in the X direction and the semiconductor layer 103. In addition, an n ⁺ layer 173 that is long in the Y direction is provided between the strip electrode 107 that is long in the Y direction and the semiconductor layer 103, and p ⁺ is between two adjacent n ⁺ layers 173. A layer 175 is provided. Where the strip electrodes 105 and 107 of the semiconductor layer 103 are not formed, an insulating layer (for example, SiO ₂ : silicon dioxide) 177 is formed.

このようなストリップ検出器１０１によれば、例えば、ピクセル検出器が３×３ピクセルで構成される場合、９（＝３×３）個の読み出しチャンネルを必要とするが、ストリップ電極の個数の合計である６（＝３＋３）個の読み出しチャンネルとすることができる利点がある。すなわち、読み出しチャンネルの個数を大幅に抑えることができる。 According to such a strip detector 101, for example, when the pixel detector is composed of 3 × 3 pixels, 9 (= 3 × 3) readout channels are required, but the total number of strip electrodes is required. There is an advantage that 6 (= 3 + 3) read channels can be obtained. That is, the number of read channels can be greatly reduced.

ストリップ検出器は、例えば、産業機器における非破壊検査装置でのマイクロフォーカスＸ線管を用いた微小観察に用いられる。すなわち、マイクロフォーカスＸ線管を用い、また、２次元センサーの有感領域が狭いときは、あまりＸ線が来ない。そのため、ストリップ検出器が用いられる。 The strip detector is used, for example, for micro observation using a microfocus X-ray tube in a nondestructive inspection apparatus in industrial equipment. That is, when a microfocus X-ray tube is used and the sensitive area of the two-dimensional sensor is narrow, X-rays do not come much. Therefore, a strip detector is used.

なお、特許文献２，３には、シリコン貫通電極（ＴＳＶ：through silicon via）技術を用いて、シリコンウェーハにフォトダイオード・アレイを形成する方法が記載されている。 Patent Documents 2 and 3 describe a method of forming a photodiode array on a silicon wafer using a through silicon via (TSV) technique.

特開２００５−０１９５４３号公報JP 2005-019543 A 特開２０１３−１４０９６２号公報JP2013-140962A 特開２０１３−１４０９７５号公報JP2013-140975A

Ｘ線をフォトンとして説明する。従来のストリップ検出器１０１は、半導体層１０３に１フォトンが入射すると、光電効果により電子およびホールが生じる。半導体層１０３には、バイアス電圧により電場が加わっているので、電子とホールは各々、反対方向にドリフトし、Ｘ方向に長手のストリップ電極１０５、およびＹ方向に長手のストリップ電極１０７で読み出される。そして電子またはホールを読み出したストリップ電極１０５およびストリップ電極１０７の組合せにより、フォトンの入射位置が特定される。すなわち、図１３のように、矢印ＬＸのストリップ電極１０５および矢印ＬＹのストリップ電極１０７により、各々、電荷およびホールを読み出した場合、フォトンの入射位置が符号Ｒであることが判る。 X-rays will be described as photons. In the conventional strip detector 101, when one photon enters the semiconductor layer 103, electrons and holes are generated by the photoelectric effect. Since an electric field is applied to the semiconductor layer 103 by a bias voltage, electrons and holes drift in opposite directions and are read by the strip electrode 105 that is long in the X direction and the strip electrode 107 that is long in the Y direction. The incident position of the photon is specified by the combination of the strip electrode 105 and the strip electrode 107 from which electrons or holes are read. That is, as shown in FIG. 13, when charges and holes are read out by the strip electrode 105 indicated by the arrow LX and the strip electrode 107 indicated by the arrow LY, respectively, it can be seen that the incident position of the photon is the symbol R.

しかしながら、有感領域全体Ａで検出する際に、読み出し時間（読み出し周期）内に２以上のフォトンが入射すると、実際に入射していない位置も入射位置の候補に挙がってしまう。すなわち、図１３において、読み出し時間内に２つの位置Ｒ，Ｓにフォトンが入射すると、位置Ｒ，Ｓの他に、実際に入射していない位置Ｔ，Ｕも入射位置の候補に挙がってしまう。そのため、フォトンの入射位置を特定できない問題が生じる。この場合、フォトン入射のイベントが使用できなくなる。 However, when two or more photons are incident within the readout time (readout period) when detecting in the entire sensitive area A, positions that are not actually incident are also listed as candidates for the incident position. That is, in FIG. 13, when photons are incident on two positions R and S within the readout time, in addition to positions R and S, positions T and U that are not actually incident are also listed as incident position candidates. Therefore, there arises a problem that the incident position of photons cannot be specified. In this case, the photon incident event cannot be used.

２以上のフォトンが入射し、フォトン入射のイベントが使用できなくことを抑えるためには、照射線量の上限を下げなければならない。また、２以上のフォトンが入射してしまうことは、有感領域の面積が大きいほど起こりやすい。 In order to suppress that two or more photons are incident and the event of photon incidence cannot be used, the upper limit of the irradiation dose must be lowered. In addition, the incidence of two or more photons is more likely to occur as the area of the sensitive region increases.

また、半導体層１０３が実装されるプリント基板の配線の最小ピッチは、１００μｍ程度である。そのため、半導体層１０３の両側に形成されるストリップ電極１０５，１０７のピッチが細かくなると、ストリップ電極１０５，１０７とプリント基板との間を直接バンプ接続できない問題が生じる。 Moreover, the minimum pitch of the wiring of the printed circuit board on which the semiconductor layer 103 is mounted is about 100 μm. Therefore, when the pitch of the strip electrodes 105 and 107 formed on both sides of the semiconductor layer 103 is reduced, there arises a problem that direct bump connection cannot be established between the strip electrodes 105 and 107 and the printed board.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、照射線量の上限を上げて、計測時間を短縮できる放射線検出器を提供することを目的とする。また、変換層に設けられたストリップ電極のピッチが細かい場合であっても、ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続できる放射線検出器を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It raises the upper limit of irradiation dose and aims at providing the radiation detector which can shorten measurement time. Another object of the present invention is to provide a radiation detector that can connect the strip electrode and the wiring of the readout substrate even when the pitch of the strip electrode provided in the conversion layer is fine.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変換する変換層と、前記変換層の放射線入射面内に複数で並列に設けられた、第１方向に長手の第１ストリップ電極と、前記変換層の放射線入射反対面内に複数で並列に設けられた、前記第１方向と交わる第２方向に長手の第２ストリップ電極と、を備え、前記第１ストリップ電極および前記第２ストリップ電極は、前記変換層の有感領域全体をマトリクス状に分割するように、分断されており、分断された前記第１ストリップ電極および前記第２ストリップ電極により読み出された前記電荷に基づき、マトリクス状に分割された分割有感領域ごとに、放射線の入射位置を特定する入射位置特定部をさらに備えていることを特徴とするものである。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the radiation detector according to the present invention includes a conversion layer that converts incident radiation into electric charges, and a plurality of first strip electrodes that are provided in parallel within the radiation incident surface of the conversion layer and are long in the first direction. And a plurality of second strip electrodes provided in parallel in the radiation incident opposite surface of the conversion layer and extending in the second direction intersecting with the first direction, the first strip electrode and the second strip electrode The strip electrode is divided so as to divide the entire sensitive region of the conversion layer into a matrix, and based on the charges read by the divided first strip electrode and the second strip electrode, Each of the divided sensitive regions divided in a matrix form further includes an incident position specifying unit that specifies the incident position of the radiation.

本発明に係る放射線検出器によれば、第１ストリップ電極および第２ストリップ電極は、変換層の有感領域全体をマトリクス状に分割するように、分断されている。そのため、入射位置特定部は、分断された第１ストリップ電極および第２ストリップ電極により読み出された電荷に基づき、マトリクス状に分割された分割有感領域ごとに、放射線の入射位置を特定する。すなわち、読み出し時間内に２以上の放射線が入射しても、異なる分割有感領域に入射すれば、放射線の入射位置を特定できる。そのため、読み出し時間内に検出できる放射線数を増やすことができるので、照射線量の上限を上げることができ、十分な放射線数をカウントするまでの計測時間を短縮することができる。 According to the radiation detector of the present invention, the first strip electrode and the second strip electrode are divided so as to divide the entire sensitive region of the conversion layer into a matrix. Therefore, the incident position specifying unit specifies the radiation incident position for each divided sensitive region divided in a matrix based on the charges read by the divided first strip electrode and second strip electrode. That is, even if two or more radiations are incident within the readout time, the incident position of the radiation can be specified if they are incident on different divided sensitive areas. Therefore, since the number of radiations that can be detected within the readout time can be increased, the upper limit of the irradiation dose can be increased, and the measurement time until a sufficient number of radiations is counted can be shortened.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記電荷を読み出すための配線が形成された読み出し基板と、前記変換層の前記放射線入射面を覆うように設けられ、前記第１ストリップ電極のピッチを前記読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、前記第１ストリップ電極と前記読み出し基板の配線とを接続させる入射側インターポーザとを備えていることが好ましい。入射側インターポーザは、第１ストリップ電極のピッチを読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、第１ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続させる。これにより、変換層に設けられた第１ストリップ電極のピッチが細かい場合であっても、第１ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続できる。 Further, in the radiation detector according to the present invention, the readout substrate on which the wiring for reading out the electric charge is formed, and the radiation incident surface of the conversion layer are provided so as to cover the pitch of the first strip electrode. It is preferable to include an incident-side interposer that enlarges the pitch of the wiring of the readout substrate to connect the first strip electrode and the wiring of the readout substrate. The incident side interposer enlarges the pitch of the first strip electrode so as to be the pitch of the wiring of the readout substrate, and connects the first strip electrode and the wiring of the readout substrate. Thereby, even if the pitch of the 1st strip electrode provided in the conversion layer is fine, a 1st strip electrode and the wiring of a read-out board | substrate can be connected.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記入射側インターポーザは、配線が形成される基板がシリコンで構成されていることが好ましい。これにより、入射側インターポーザが変換層を覆っている場合であっても、放射線の透過効率を高くすることができる。 Moreover, the radiation detector which concerns on this invention WHEREIN: It is preferable that the said incident side interposer is comprised by the board | substrate with which wiring is formed with a silicon | silicone. Thereby, even if the incident side interposer covers the conversion layer, the radiation transmission efficiency can be increased.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記変換層は、前記分割有感領域に合わせて複数個で構成され、前記入射側インターポーザは、複数個の前記変換層に各々設けられた前記第１ストリップ電極と接続することが好ましい。すなわち、変換層の有感領域をマトリクス状に分割するように、第１ストリップ電極および第２ストリップ電極が分断される構成を、第１ストリップ電極および第２ストリップ電極が分断されていない変換層を複数個配置することにより実現することができる。また、複数個の変換層を入射側インターポーザで読み出すので、構成を簡単にすることができる。 Further, in the radiation detector according to the present invention, the conversion layer includes a plurality of the conversion layers corresponding to the divided sensitive regions, and the incident side interposer is provided in each of the plurality of conversion layers. It is preferable to connect with a strip electrode. That is, a configuration in which the first strip electrode and the second strip electrode are divided so as to divide the sensitive region of the conversion layer into a matrix shape, and a conversion layer in which the first strip electrode and the second strip electrode are not divided is used. This can be realized by arranging a plurality. Further, since the plurality of conversion layers are read by the incident side interposer, the configuration can be simplified.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記読み出し基板の配線は、前記入射側インターポーザが前記第１ストリップ電極と接続する面と同じ面で接続することが好ましい。これにより、入射側インターポーザの両面に形成された配線とシリコン貫通電極（ＴＳＶ）とを有する構成を、片面のみに形成された配線を有する構成とすることができる。そのため、入射側インターポーザの構成を簡単にすることができる。 In the radiation detector according to the present invention, it is preferable that the wiring of the readout substrate is connected on the same surface as the surface on which the incident side interposer is connected to the first strip electrode. Thereby, the structure which has the wiring and silicon penetration electrode (TSV) which were formed in both surfaces of the incident side interposer can be made into the structure which has the wiring formed in only one side. Therefore, the configuration of the incident side interposer can be simplified.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記電荷を読み出すための配線が形成された読み出し基板と、前記変換層の前記放射線入射反対面を覆うように設けられ、前記第２ストリップ電極のピッチを前記読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、前記第２ストリップ電極と前記読み出し基板の配線とを接続させる反対側インターポーザとを備えていることが好ましい。反対側インターポーザは、第２ストリップ電極のピッチを読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、第２ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続させる。これにより、変換層に設けられた第２ストリップ電極のピッチが細かい場合であっても、第２ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続できる。 Further, in the radiation detector according to the present invention, a readout substrate on which the wiring for reading out the electric charge is formed, and the radiation layer opposite to the radiation incident surface of the conversion layer are provided, and the pitch of the second strip electrode is set. It is preferable to include an opposite interposer that enlarges the pitch of the wiring of the readout substrate to connect the second strip electrode and the wiring of the readout substrate. The opposite interposer enlarges the pitch of the second strip electrode so as to be the pitch of the wiring of the readout substrate, and connects the second strip electrode and the wiring of the readout substrate. Thereby, even when the pitch of the second strip electrodes provided in the conversion layer is fine, the second strip electrode and the wiring of the readout substrate can be connected.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記変換層は、前記分割有感領域に合わせて複数個で構成され、前記反対側インターポーザは、複数個の前記変換層に各々設けられた前記第２ストリップ電極と接続することが好ましい。すなわち、変換層の有感領域をマトリクス状に分割するように、第１ストリップ電極および第２ストリップ電極が分断される構成を、第１ストリップ電極および第２ストリップ電極が分断されていない変換層を複数個配置することにより実現することができる。また、複数個の変換層を反対側インターポーザで読み出すので構成を簡単にすることができる。 Further, in the radiation detector according to the present invention, the conversion layer includes a plurality of the conversion layers corresponding to the divided sensitive regions, and the second interposer is provided in each of the plurality of conversion layers. It is preferable to connect with a strip electrode. That is, a configuration in which the first strip electrode and the second strip electrode are divided so as to divide the sensitive region of the conversion layer into a matrix shape, and a conversion layer in which the first strip electrode and the second strip electrode are not divided is used. This can be realized by arranging a plurality. In addition, since the plurality of conversion layers are read by the opposite interposer, the configuration can be simplified.

また、本発明に係る放射線検出器において、前記変換層の前記放射線入射面を覆うように設けられ、前記第１ストリップ電極のピッチを前記読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、前記第１ストリップ電極と前記読み出し基板の配線とを接続させる入射側インターポーザを備え、前記入射側インターポーザは、ワイヤーボンディングにより、前記反対側インターポーザと接続する前記読み出し基板と接続していることが好ましい。これにより、放射線入射側に読み出し基板を設けなくてもよく、構成を簡単にすることができる。また、入射側インターポーザが設けられているので、第１ストリップ電極のピッチが細かくても、ワイヤーボンディング可能なピッチに拡大させることができる。 Further, in the radiation detector according to the present invention, the radiation detector is provided so as to cover the radiation incident surface of the conversion layer, and the pitch of the first strip electrode is enlarged so as to become the pitch of the wiring of the readout substrate, It is preferable that an incident-side interposer for connecting the first strip electrode and the wiring of the readout substrate is provided, and the incident-side interposer is connected to the readout substrate connected to the opposite-side interposer by wire bonding. Accordingly, it is not necessary to provide a readout substrate on the radiation incident side, and the configuration can be simplified. Moreover, since the incident side interposer is provided, even if the pitch of the first strip electrode is small, the pitch can be increased to a wire bonding possible pitch.

なお、本明細書は、次のような放射線検出器に係る発明も開示している。
すなわち、本発明に係る放射線検出器において、前記第１ストリップ電極および前記第２ストリップ電極は、前記変換層の有感領域全体を３行以上でかつ３列以上に分割するように、分断されることが好ましい。これにより、さらに、読み出し時間内に検出できる放射線数を増やすことができる。また、一般的に、第１ストリップ電極および前記第２ストリップ電極から読み出す電荷は、有感領域全体の端に設けられた配線でしか読み出せなかった。しかしながら、入射側インターポーザおよび反対側インターポーザは、変換層の放射線入射面または放射線入射反対面を覆うように設けられているので、有感領域全体の真ん中の分割有感領域からも電荷を読み出すことが容易にできる。 Note that the present specification also discloses an invention relating to the following radiation detector.
That is, in the radiation detector according to the present invention, the first strip electrode and the second strip electrode are divided so that the entire sensitive region of the conversion layer is divided into three rows or more and three columns or more. It is preferable. This further increases the number of radiations that can be detected within the readout time. In general, the charges read from the first strip electrode and the second strip electrode can be read only by the wiring provided at the end of the entire sensitive region. However, since the incident side interposer and the opposite side interposer are provided so as to cover the radiation incident surface or the radiation incident opposite surface of the conversion layer, the charge can be read out from the divided sensitive region in the middle of the entire sensitive region. Easy to do.

また、本発明に係る放射線検出器によれば、入射側インターポーザは、第１ストリップ電極のピッチを読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、第１ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続させる。また、反対側インターポーザは、第２ストリップ電極のピッチを読み出し基板の配線のピッチとなるように拡大して、第２ストリップ電極と読み出し基板の配線とを接続させる。これにより、変換層に設けられた第１ストリップ電極または第２ストリップ電極のピッチが細かい場合であっても、第１ストリップ電極または第２ストリップ電極と、読み出し基板の配線とを接続できる。 Further, according to the radiation detector of the present invention, the incident side interposer expands the pitch of the first strip electrode so as to become the pitch of the wiring of the readout substrate, and the first strip electrode and the wiring of the readout substrate are expanded. Connect. The opposite interposer enlarges the pitch of the second strip electrode so as to be the pitch of the wiring of the readout substrate, and connects the second strip electrode and the wiring of the readout substrate. Thus, even when the pitch of the first strip electrode or the second strip electrode provided in the conversion layer is fine, the first strip electrode or the second strip electrode can be connected to the wiring of the readout substrate.

実施例１に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view showing an X-ray strip detector according to Embodiment 1. FIG. 変換層と、Ｘ方向およびＹ方向のストリップ電極を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conversion layer and the strip electrode of a X direction and a Y direction. 変換層と、Ｘ方向およびＹ方向のストリップ電極を示す平面図である。It is a top view which shows the conversion layer and the strip electrode of a X direction and a Y direction. （ａ）は、下部インターポーザの平面図である。（ｂ）は、（ａ）のＥ−Ｅ部分の縦断面図である。(A) is a top view of a lower interposer. (B) is a longitudinal cross-sectional view of the EE part of (a). 実施例１に係るＸ線ストリップ検出器を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an X-ray strip detector according to Embodiment 1. FIG. 実施例２に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。6 is a longitudinal sectional view showing an X-ray strip detector according to Embodiment 2. FIG. 実施例３に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。7 is a longitudinal sectional view showing an X-ray strip detector according to Embodiment 3. FIG. 実施例４に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the X-ray strip detector which concerns on Example 4. FIG. 実施例４に係る変換層を説明するための図である。6 is a diagram for explaining a conversion layer according to Example 4. FIG. 実施例５に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing an X-ray strip detector according to Embodiment 5. 実施例５に係るＸ方向およびＹ方向のストリップ電極を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining strip electrodes in the X direction and the Y direction according to Example 5. 従来に係る、変換層と、Ｘ方向およびＹ方向のストリップ電極を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conversion layer and strip electrode of a X direction and a Y direction based on the past. 従来に係る、変換層と、Ｘ方向およびＹ方向のストリップ電極を示す平面図である。It is a top view which shows the conversion layer based on the former, and the strip electrode of a X direction and a Y direction.

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。放射線検出器の一例として、Ｘ線ストリップ検出器について説明する。図１は、実施例１に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図であり、図２は、変換層と、Ｘ方向およびＹ方向のストリップ電極を示す斜視図である。なお、図１中の符号ＸＲは、Ｘ線照射を示している。 Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. An X-ray strip detector will be described as an example of the radiation detector. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an X-ray strip detector according to the first embodiment, and FIG. 2 is a perspective view showing a conversion layer and strip electrodes in the X and Y directions. In addition, the code | symbol XR in FIG. 1 has shown X-ray irradiation.

＜変換層とストリップ電極＞
図１または図２を参照する。Ｘ線ストリップ検出器１は、入射したＸ線を直接電荷に変換する変換層３を備えている。変換層３は、Ｓｉ（シリコン）、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、ＣｄＺｎＴｅ（ＣＺＴ：テルル化亜鉛カドミウム）およびＰｂＩ_２（ヨウ化鉛）等のいずれかの半導体層で構成されている。 <Conversion layer and strip electrode>
Please refer to FIG. 1 or FIG. The X-ray strip detector 1 includes a conversion layer 3 that converts incident X-rays directly into electric charges. The conversion layer 3 is composed of any semiconductor layer such as Si (silicon), CdTe (cadmium telluride), CdZnTe (CZT: cadmium zinc telluride) and PbI ₂ (lead iodide).

変換層３のＸ線入射面３ａ内には、Ｘ方向に長手のＸ方向ストリップ電極（以下適宜、「Ｘストリップ」と称する）５が設けられている。複数のＸストリップ５は、並列に配置されている。一方、変換層３のＸ線入射反対面３ｂには、Ｘ方向と直交する（交わる）Ｙ方向に長手のＹ方向ストリップ電極（以下、「Ｙストリップ」）７が設けられている。複数のＹストリップ７は、並列に配置されている。Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等の導電性材料で構成される。なお、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、細長い板状の電極である。 In the X-ray incident surface 3 a of the conversion layer 3, an X-direction strip electrode (hereinafter referred to as “X strip” as appropriate) 5 that is long in the X direction is provided. The plurality of X strips 5 are arranged in parallel. On the other hand, a Y-direction strip electrode (hereinafter referred to as “Y strip”) 7 that is long in the Y direction orthogonal to (intersects with) the X direction is provided on the opposite surface 3 b of the X-ray incidence of the conversion layer 3. The plurality of Y strips 7 are arranged in parallel. The X strip 5 and the Y strip 7 are made of a conductive material such as Al (aluminum), for example. The X strip 5 and the Y strip 7 are elongated plate-like electrodes.

また、Ｘストリップ５には、バイアス電圧Ｖｈが印加されている。すなわち、Ｘストリップ５とＹストリップ７との間には、電圧が加えられ、変換層３内に電場が形成される。これにより、変換層３で変換された電子およびホールを反対方向にドリフトさせて、Ｘストリップ５およびＹストリップ７の各々で電子またはホールを読み出せるようになっている。 A bias voltage Vh is applied to the X strip 5. That is, a voltage is applied between the X strip 5 and the Y strip 7, and an electric field is formed in the conversion layer 3. As a result, electrons and holes converted in the conversion layer 3 are drifted in the opposite directions, and the electrons or holes can be read out by each of the X strip 5 and the Y strip 7.

なお、Ｘ線入射面３ａは、本発明の放射線入射面に相当し、Ｘ線入射反対面３ｂは、本発明の放射線入射反対面に相当する。また、Ｘストリップ５は、本発明の第１ストリップ電極に相当し、Ｙストリップ７は、本発明の第２ストリップ電極に相当する。また、Ｘ方向が本発明の第１方向に相当し、Ｙ方向が本発明の第２方向に相当する。 The X-ray incident surface 3a corresponds to the radiation incident surface of the present invention, and the X-ray incident opposite surface 3b corresponds to the radiation incident opposite surface of the present invention. The X strip 5 corresponds to the first strip electrode of the present invention, and the Y strip 7 corresponds to the second strip electrode of the present invention. The X direction corresponds to the first direction of the present invention, and the Y direction corresponds to the second direction of the present invention.

＜変換層の有感領域全体の分割＞
次に、本発明の第１の特徴部分である、変換層３の有感領域全体Ａの分割に伴う構成について説明する。図３は、変換層３とＸストリップ５とＹストリップ７を示す平面図である。上述のように、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、変換層３の両面３ａ，３ｂ（図２参照）に直交して設けられている。また、変換層３の有感領域全体（読み出し領域）Ａは、太字の二点鎖線で示される。図３において、有感領域全体Ａは、変換層３の一部の領域であるが、変換層３の全部の領域であってもよい。 <Division of the entire sensitive area of the conversion layer>
Next, a configuration associated with the division of the entire sensitive area A of the conversion layer 3, which is the first characteristic part of the present invention, will be described. FIG. 3 is a plan view showing the conversion layer 3, the X strip 5, and the Y strip 7. As described above, the X strip 5 and the Y strip 7 are provided orthogonal to both surfaces 3a and 3b (see FIG. 2) of the conversion layer 3. The entire sensitive area (readout area) A of the conversion layer 3 is indicated by a bold two-dot chain line. In FIG. 3, the entire sensitive area A is a partial area of the conversion layer 3, but may be the entire area of the conversion layer 3.

本発明では、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、変換層３の有感領域全体Ａをマトリクス状に分割するように、分断されている。すなわち、図３において、Ｘストリップ５は、境界線ＢＸで分断されている。一方、Ｙストリップ７は、境界線ＢＹで分断されている。これにより、図３では、２行×２列に分割された４つの分割有感領域Ａ１〜Ａ４の各々でＸ線の入射位置を特定することができる。 In the present invention, the X strip 5 and the Y strip 7 are divided so as to divide the entire sensitive area A of the conversion layer 3 into a matrix. That is, in FIG. 3, the X strip 5 is divided by the boundary line BX. On the other hand, the Y strip 7 is divided by a boundary line BY. Thereby, in FIG. 3, the X-ray incident position can be specified in each of the four divided sensitive areas A1 to A4 divided into 2 rows × 2 columns.

＜プリント基板とインターポーザ＞
次に、変換層３で変換された電荷（電子およびホール）を読み出すための構成について説明する。図１に戻る。Ｘストリップ５およびＹストリップ７で読み出した電荷は、上部プリント基板９および下部プリント基板１１に送られる。なお、上部プリント基板９および下部プリント基板１１を区別しない場合は、プリント基板９，１１として説明する。なお、プリント基板９，１１は、本発明の読み出し基板に相当する。 <Printed circuit board and interposer>
Next, a configuration for reading out charges (electrons and holes) converted by the conversion layer 3 will be described. Returning to FIG. The charges read by the X strip 5 and the Y strip 7 are sent to the upper printed board 9 and the lower printed board 11. In addition, when not distinguishing the upper printed circuit board 9 and the lower printed circuit board 11, it demonstrates as the printed circuit boards 9 and 11. FIG. Note that the printed boards 9 and 11 correspond to a readout board of the present invention.

プリント基板９，１１は、一般的に、バンプ接続できる配線ピッチが約１００μｍ程度である。そのため、Ｘストリップ５およびＹストリップ７のピッチが例えば１０ｕｍなど、プリント基板９，１１の配線ピッチよりも細かく（狭く）なると、Ｘストリップ５と上部プリント基板９との間、およびＹストリップ７と下部プリント基板１１との間を直接バンプ接続できない。 The printed circuit boards 9 and 11 generally have a wiring pitch that can be bump-connected to about 100 μm. Therefore, when the pitch of the X strip 5 and the Y strip 7 is finer (narrower) than the wiring pitch of the printed circuit boards 9 and 11, such as 10 μm, for example, between the X strip 5 and the upper printed circuit board 9 and between the Y strip 7 and the lower part. Bump connection cannot be made directly to the printed circuit board 11.

そこで、本発明の第２の特徴部分である、上部インターポーザ１３および下部インターポーザ１５を介して、配線ピッチを拡大させている。これにより、Ｘストリップ５と上部プリント基板９との間、およびＹストリップ７と下部プリント基板１１との間を接続させることができる。なお、上部インターポーザ１３および下部インターポーザ１５を区別しない場合は、インターポーザ１３，１５として説明する。なお、上部インターポーザ１３は、入射側インターポーザに相当し、下部インターポーザ１５は、反対側インターポーザに相当する。 Therefore, the wiring pitch is increased through the upper interposer 13 and the lower interposer 15, which are the second characteristic part of the present invention. Thereby, it is possible to connect between the X strip 5 and the upper printed circuit board 9 and between the Y strip 7 and the lower printed circuit board 11. In addition, when not distinguishing the upper interposer 13 and the lower interposer 15, it demonstrates as the interposers 13 and 15. The upper interposer 13 corresponds to an incident side interposer, and the lower interposer 15 corresponds to an opposite side interposer.

インターポーザ１３，１５の構成を、下部インターポーザ１５を一例に説明する。図４（ａ）は、下部インターポーザ１５の平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＥ−Ｅ部分の縦断面図である。 The configuration of the interposers 13 and 15 will be described using the lower interposer 15 as an example. FIG. 4A is a plan view of the lower interposer 15. FIG. 4B is a vertical cross-sectional view of the EE portion of FIG.

図４（ｂ）のように、下部インターポーザ１５は、Ｓｉ（シリコン）等の基板１７を備えている。基板１７のＹストリップ７側の面１７ａには、配線（または電極）１９ａが形成され、基板１７の下部プリント基板１１側の面１７ｂには、配線（または電極）１９ｂが形成されている。この基板１７を挟み込む２つの配線１９ａ，１９ｂは、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）２１により接続されている。シリコン貫通電極２１は、基板１７に設けられた貫通穴に、Ａｌ等の導電性材料を充填させて形成したものである。Ｙストリップ７と配線１９ａは、半田などのバンプ２３により接続される。同様に、配線１９ｂと下部プリント基板１１の配線１１ａは、半田などのバンプ２５により接続される。 As shown in FIG. 4B, the lower interposer 15 includes a substrate 17 such as Si (silicon). A wiring (or electrode) 19a is formed on the surface 17a on the Y strip 7 side of the substrate 17, and a wiring (or electrode) 19b is formed on the surface 17b on the lower printed circuit board 11 side of the substrate 17. Two wirings 19 a and 19 b sandwiching the substrate 17 are connected by a through silicon via (TSV) 21. The through silicon electrode 21 is formed by filling a through hole provided in the substrate 17 with a conductive material such as Al. The Y strip 7 and the wiring 19a are connected by bumps 23 such as solder. Similarly, the wiring 19b and the wiring 11a of the lower printed circuit board 11 are connected by bumps 25 such as solder.

下部インターポーザ１５は、図４（ａ）のように、Ｙストリップ７のピッチＰ１を下部プリント基板１１の配線１１ａのピッチＰ２となるように拡大して、Ｙストリップ７と下部プリント基板１１の配線１１ａとを接続させている。同様に、上部インターポーザ１３は、Ｘストリップ５のピッチＰ１を上部プリント基板９の配線９ａのピッチＰ２となるように拡大して、Ｘストリップ５と上部プリント基板９の配線９ａとを接続させている。なお、Ｘストリップ５のピッチＰ１と、Ｙストリップ７のピッチＰ１は、同じ長さであってもよいし異なる長さであってもよい。また、上部プリント基板９の配線９ａのピッチＰ２と、下部プリント基板１１の配線１１ａのピッチＰ２は、同じ長さであってもよいし異なる長さであってもよい。 As shown in FIG. 4A, the lower interposer 15 expands the pitch P1 of the Y strip 7 so as to become the pitch P2 of the wiring 11a of the lower printed circuit board 11, and thereby the wiring 11a of the Y strip 7 and the lower printed circuit board 11. Are connected. Similarly, the upper interposer 13 expands the pitch P1 of the X strip 5 so as to become the pitch P2 of the wiring 9a of the upper printed circuit board 9, and connects the X strip 5 and the wiring 9a of the upper printed circuit board 9. . Note that the pitch P1 of the X strip 5 and the pitch P1 of the Y strip 7 may be the same length or different lengths. Moreover, the pitch P2 of the wiring 9a of the upper printed circuit board 9 and the pitch P2 of the wiring 11a of the lower printed circuit board 11 may be the same length or different lengths.

＜入射位置特定回路等＞
次に、Ｘストリップ５およびＹストリップ７によって読み出された、変換層３で変換された電荷を処理する構成について説明する。図５は、実施例１に係るＸ線ストリップ検出器１を示すブロック図である。図５において、プリント基板９，１１およびインターポーザ１３，１５を省略して説明する。 <Injection position specifying circuit, etc.>
Next, a configuration for processing charges converted by the conversion layer 3 read by the X strip 5 and the Y strip 7 will be described. FIG. 5 is a block diagram illustrating the X-ray strip detector 1 according to the first embodiment. In FIG. 5, the printed circuit boards 9 and 11 and the interposers 13 and 15 are omitted.

Ｘストリップ５およびＹストリップ７の各々の出力側には、アレイアンプ回路３１、マルチプレクサ３３およびＡ／Ｄ変換器３５が順番に接続されている。アレイアンプ回路３１は、電荷を電圧信号に変換する。マルチプレクサ３３は、複数の電圧信号から１つの電圧信号を選択して出力する。Ａ／Ｄ変換器３５は、電圧信号をアナログからディジタルに変換する。 An array amplifier circuit 31, a multiplexer 33, and an A / D converter 35 are connected in order to the output side of each of the X strip 5 and the Y strip 7. The array amplifier circuit 31 converts the charge into a voltage signal. The multiplexer 33 selects and outputs one voltage signal from the plurality of voltage signals. The A / D converter 35 converts the voltage signal from analog to digital.

また、Ａ／Ｄ変換器３５の出力側には、さらに、入射位置特定回路３７およびデータ収集部３９が設けられている。入射位置特定回路３７は、分断されたＸストリップ５およびＹストリップ７により読み出された電荷に基づき、マトリクス状に分割された４つの分割有感領域Ａ１〜Ａ４ごとに、Ｘ線の入射位置を特定する。データ収集部３９は、４つの分割有感領域Ａ１〜Ａ４ごとに特定したＸ線の入射位置と、そのＸ線入射の個数のデータを収集する。 Further, an incident position specifying circuit 37 and a data collection unit 39 are further provided on the output side of the A / D converter 35. The incident position specifying circuit 37 determines the X-ray incident position for each of the four divided sensitive areas A1 to A4 divided into a matrix based on the charges read by the divided X strip 5 and Y strip 7. Identify. The data collection unit 39 collects data of the X-ray incident positions and the number of X-ray incidents specified for each of the four divided sensitive areas A1 to A4.

アレイアンプ回路３１、マルチプレクサ３３、Ａ／Ｄ変換器３５、入射位置特定回路３７およびデータ収集部３９等は、検出器制御部４１により統轄的に制御される。検出器制御部４１は、予め設定された読み出し時間（０＜ｔ≦約１μｓ程度）で電荷を繰り返し読み出すように制御する。データ収集部３９は、収集した、Ｘ線の入射位置およびＸ線入射の個数のデータに基づき、Ｘ線画像を出力する。これにより、Ｘ線ストリップ検出器１は、Ｘ線画像を出力する。 The array amplifier circuit 31, the multiplexer 33, the A / D converter 35, the incident position specifying circuit 37, the data collection unit 39, and the like are controlled in a unified manner by the detector control unit 41. The detector control unit 41 performs control so that charges are repeatedly read out in a preset readout time (0 <t ≦ about 1 μs). The data collection unit 39 outputs an X-ray image based on the collected data of the X-ray incident position and the number of X-ray incidents. Thereby, the X-ray strip detector 1 outputs an X-ray image.

＜Ｘ線ストリップ検出器の動作＞
次に、Ｘ線ストリップ検出器１の動作を説明する。図１を参照する。Ｘ線ストリップ検出器１のＸストリップ５には、予め設定されたバイアス電圧Ｖｈが印加されている。Ｘ線管（図示せず）から被検体（図示せず）にＸ線を照射し、被検体を透過したＸ線をＸ線ストリップ検出器１で検出する。 <Operation of X-ray strip detector>
Next, the operation of the X-ray strip detector 1 will be described. Please refer to FIG. A preset bias voltage Vh is applied to the X strip 5 of the X-ray strip detector 1. A subject (not shown) is irradiated with X-rays from an X-ray tube (not shown), and the X-ray transmitted through the subject is detected by the X-ray strip detector 1.

Ｘ線ストリップ検出器１の変換層３にＸ線が入射すると、変換層３内で光電効果を起こし、電子−ホール対が生成される。Ｘストリップ５には、バイアス電圧Ｖｈにより変換層３に電場が形成されているので、電子とホールは反対方向にドリフトして、例えば、Ｘストリップ５には、電子が読み出され、Ｙストリップ７には、ホールが読み出される。 When X-rays are incident on the conversion layer 3 of the X-ray strip detector 1, a photoelectric effect is caused in the conversion layer 3 to generate electron-hole pairs. Since an electric field is formed in the conversion layer 3 by the bias voltage Vh in the X strip 5, electrons and holes drift in opposite directions. For example, electrons are read out in the X strip 5, and the Y strip 7 The hole is read out.

Ｘストリップ５で読み出された電子は、上部インターポーザ１３を通って上部プリント基板９に送られる。一方、Ｙストリップ７で読み出されたホールは、下部インターポーザ１３を通って下部プリント基板１５に送られる。 The electrons read by the X strip 5 are sent to the upper printed board 9 through the upper interposer 13. On the other hand, the holes read by the Y strip 7 are sent to the lower printed circuit board 15 through the lower interposer 13.

また、分断されたＸストリップ５またはＹストリップ７で読み出された電子またはホールは、図５のように、出力側に設けられたアレイアンプ回路３１により電子またはホールを電圧信号に変換する。すなわち、分断されたＸストリップ５およびＹストリップ７ごとに、電圧信号が生成される。複数の電圧信号は、マルチプレクサ３３により１つの電圧信号が選ばれて出力される。Ａ／Ｄ変換器３５は、電圧信号をアナログからディジタルに変換する。ディジタル変換された電気信号は、入射位置特定回路３７に送られる。 Further, the electrons or holes read by the divided X strip 5 or Y strip 7 are converted into voltage signals by the array amplifier circuit 31 provided on the output side as shown in FIG. That is, a voltage signal is generated for each divided X strip 5 and Y strip 7. A plurality of voltage signals are selected by the multiplexer 33 and output. The A / D converter 35 converts the voltage signal from analog to digital. The converted electric signal is sent to the incident position specifying circuit 37.

入射位置特定回路３７は、複数のＸストリップ５に対応する電圧信号の強度から、Ｘストリップ５におけるＸ線入射位置を特定する。同様に、入射位置特定回路３７は、複数のＹストリップ７に対応する電圧信号の強度から、Ｙストリップ５におけるＸ線入射位置を特定する。なお、Ｘ線入射により変換された電荷は、複数のＸストリップ５およびＹストリップ７にまたがっているので、入射位置特定回路３７は、例えば、電圧信号の最大値をＸ線入射位置として特定する。 The incident position specifying circuit 37 specifies the X-ray incident position in the X strip 5 from the intensity of the voltage signal corresponding to the plurality of X strips 5. Similarly, the incident position specifying circuit 37 specifies the X-ray incident position in the Y strip 5 from the intensity of the voltage signal corresponding to the plurality of Y strips 7. In addition, since the electric charge converted by X-ray incidence is straddling the some X strip 5 and Y strip 7, the incident position specific | specification circuit 37 specifies the maximum value of a voltage signal as an X-ray incident position, for example.

例えば、図３のように、矢印ＬＸのＸストリップ５でＸ線入射位置であると特定し、矢印ＬＹのＹストリップ７でＸ線入射位置であると特定する。これにより、１本のＸ線が、矢印ＬＸ，ＬＹのＸストリップ５とＹストリップ７とが交わる交点ＲでＸ線入射したと特定する。また、読み出し時間（０＜ｔ≦約１μｓ程度）内に、例えば図３中の位置Ｒ，ＳにＸ線が入射しても、異なる分割有感領域Ａ１，Ａ４に入射すれば、入射位置特定部３７は、Ｘストリップ５とＹストリップ７とが分断して構成された分割有感領域Ａ１〜Ａ４ごとに入射位置を特定する。そのため、Ｘストリップ５とＹストリップ７とが分断されていない従来装置のように、位置Ｒ，Ｓの他に、実際にＸ線が入射していない位置Ｔ，Ｕ（図１３参照）が入射位置の候補に挙がることがない。 For example, as shown in FIG. 3, the X strip 5 indicated by the arrow LX specifies the X-ray incident position, and the Y strip 7 indicated by the arrow LY specifies the X-ray incident position. Thereby, it is specified that one X-ray is incident at the intersection R where the X strip 5 and the Y strip 7 indicated by the arrows LX and LY intersect. Further, for example, even if X-rays are incident on the positions R and S in FIG. 3 within the readout time (0 <t ≦ about 1 μs), the incident position is specified if they are incident on different divided sensitive areas A1 and A4. The part 37 specifies an incident position for each of the divided sensitive areas A1 to A4 configured by dividing the X strip 5 and the Y strip 7. Therefore, as in the conventional apparatus in which the X strip 5 and the Y strip 7 are not divided, in addition to the positions R and S, the positions T and U where the X-rays are not actually incident (see FIG. 13) are incident positions. Cannot be listed as a candidate.

そのため、入射位置を特定できなくて、使用できないＸ線入射のイベントを減らすことができる。すなわち、読み出し時間内に検出できるＸ線数を増やすことができるので、照射線量の上限を上げることができ、十分なＸ線数をカウントするまでの計測時間を短縮することができる。 Therefore, the incident position cannot be specified, and the number of X-ray incident events that cannot be used can be reduced. That is, since the number of X-rays that can be detected within the readout time can be increased, the upper limit of the irradiation dose can be increased, and the measurement time until a sufficient number of X-rays is counted can be shortened.

また、Ｘ線入射位置と、その位置におけるＸ線入射数のデータは、データ収集部３９で収集される。データ収集部３９、すなわちＸ線ストリップ検出器１は、Ｘ線入射位置と、その位置におけるＸ線入射数のデータに基づきＸ線画像を出力する。出力されたＸ線画像は、必要な画像処理が行われる。そして、Ｘ線画像は、液晶モニタなどの表示部（図示しない）に表示され、記憶部（図示しない）に記憶される。 Further, data of the X-ray incident position and the number of X-ray incidents at that position are collected by the data collection unit 39. The data collection unit 39, that is, the X-ray strip detector 1, outputs an X-ray image based on the X-ray incident position and the data of the number of X-ray incidents at that position. Necessary image processing is performed on the output X-ray image. The X-ray image is displayed on a display unit (not shown) such as a liquid crystal monitor and stored in a storage unit (not shown).

本実施例によれば、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、変換層３の有感領域全体Ａをマトリクス状に分割するように、分断されている。そのため、入射位置特定回路３７は、分断されたＸストリップ５およびＹストリップ７により読み出された電荷に基づき、マトリクス状に分割された分割有感領域Ａ１〜Ａ４ごとに、Ｘ線の入射位置を特定する。すなわち、読み出し時間内に２以上のＸ線が入射しても、異なる分割有感領域Ａ１〜Ａ４に入射すれば、Ｘ線の入射位置を特定できる。そのため、読み出し時間内に検出できるＸ線数を増やすことができるので、照射線量の上限を上げることができ、十分なＸ線数をカウントするまでの計測時間を短縮することができる。 According to this embodiment, the X strip 5 and the Y strip 7 are divided so as to divide the entire sensitive area A of the conversion layer 3 into a matrix. Therefore, the incident position specifying circuit 37 determines the X-ray incident position for each of the divided sensitive areas A1 to A4 divided into a matrix based on the charges read by the divided X strip 5 and Y strip 7. Identify. That is, even if two or more X-rays are incident within the readout time, the incident position of the X-rays can be specified if they are incident on different divided sensitive areas A1 to A4. Therefore, since the number of X-rays that can be detected within the readout time can be increased, the upper limit of the irradiation dose can be increased, and the measurement time until a sufficient number of X-rays is counted can be shortened.

また、上部インターポーザ１３は、Ｘストリップ５のピッチＰ１を上部プリント基板９の配線のピッチＰ２となるように拡大して、Ｘストリップ５と上部プリント基板９の配線とを接続させる。これにより、変換層３に設けられたＸストリップ５のピッチＰ１が細かい場合であっても、Ｘストリップ５と上部プリント基板９の配線とを接続できる。 Further, the upper interposer 13 enlarges the pitch P1 of the X strip 5 so as to become the wiring pitch P2 of the upper printed circuit board 9, and connects the X strip 5 and the wiring of the upper printed circuit board 9. Thereby, even if the pitch P1 of the X strip 5 provided in the conversion layer 3 is fine, the X strip 5 and the wiring of the upper printed circuit board 9 can be connected.

また、下部インターポーザ１５は、Ｙストリップ７のピッチＰ１を下部プリント基板１１の配線のピッチＰ２となるように拡大して、Ｙストリップ７と下部プリント基板１１の配線とを接続させる。これにより、変換層３に設けられたＹストリップ７のピッチＰ１が細かい場合であっても、Ｙストリップ７と下部プリント基板１１の配線とを接続できる。 Further, the lower interposer 15 expands the pitch P1 of the Y strip 7 so as to become the wiring pitch P2 of the lower printed circuit board 11, and connects the Y strip 7 and the wiring of the lower printed circuit board 11. Thereby, even if the pitch P1 of the Y strip 7 provided in the conversion layer 3 is fine, the Y strip 7 and the wiring of the lower printed circuit board 11 can be connected.

また、上部インターポーザ１３は、シリコンで構成されている。これにより、上部インターポーザ１３が変換層３を覆っている場合であっても、Ｘ線の透過効率を高くすることができる。そのため、十数keV程度以上のX線に対しては感度の低下を抑えることができる。 The upper interposer 13 is made of silicon. Thereby, even if the upper interposer 13 covers the conversion layer 3, the X-ray transmission efficiency can be increased. For this reason, it is possible to suppress a decrease in sensitivity for X-rays of about ten or more keV.

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図６は、実施例２に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。 Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the description which overlaps with Example 1 is abbreviate | omitted. FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing the X-ray strip detector according to the second embodiment.

実施例１では、図１のように、上部プリント基板９の配線９ａは、上部インターポーザ１３がＸストリップ５と接続する面１７ａと反対側の面１７ｂで、接続していた。しかしながら、実施例２では、図６のように、上部プリント基板９の配線９ａは、上部インターポーザ１３がＸストリップ５と接続する面１７ａと同じの面１７ａで、接続される。 In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the wiring 9 a of the upper printed circuit board 9 is connected on the surface 17 b opposite to the surface 17 a where the upper interposer 13 connects to the X strip 5. However, in the second embodiment, as shown in FIG. 6, the wiring 9 a of the upper printed circuit board 9 is connected on the same surface 17 a as the surface 17 a that connects the upper interposer 13 to the X strip 5.

実施例２によれば、上部プリント基板９の配線９ａは、上部インターポーザ１３がＸストリップ５と接続する面１７ａと同じ面１７ａで接続する。これにより、上部インターポーザ１３の両面に形成された配線１９ａ，１９ｂとシリコン貫通電極（ＴＳＶ）２１（図４（ｂ）参照）とを有する構成を、片面のみに形成された配線１９ａを有する構成とすることができる。そのため、上部インターポーザ１３の構成を簡単にすることができる。 According to the second embodiment, the wiring 9 a of the upper printed circuit board 9 is connected on the same surface 17 a as the surface 17 a where the upper interposer 13 is connected to the X strip 5. As a result, a configuration having wirings 19a and 19b formed on both surfaces of the upper interposer 13 and a silicon through electrode (TSV) 21 (see FIG. 4B) has a configuration having wiring 19a formed only on one side. can do. Therefore, the configuration of the upper interposer 13 can be simplified.

次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図７は、実施例３に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。 Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the description which overlaps with Example 1 is abbreviate | omitted. FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the X-ray strip detector according to the third embodiment.

実施例１では、図１のように、上部インターポーザ１３の配線１９ｂは、バンプ接続により、上部プリント基板９の配線９ａと接続している。しかしながら、実施例３では、図７のように、上部インターポーザ１３の配線１９ｂは、ワイヤーボンディングにより、下部インターポーザ１５と接続する下部プリント基板１１の配線１１ａと接続してもよい。 In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the wiring 19b of the upper interposer 13 is connected to the wiring 9a of the upper printed circuit board 9 by bump connection. However, in the third embodiment, as shown in FIG. 7, the wiring 19b of the upper interposer 13 may be connected to the wiring 11a of the lower printed circuit board 11 connected to the lower interposer 15 by wire bonding.

実施例３によれば、上部インターポーザ１３は、ワイヤーボンディングにより、下部インターポーザ１５と接続する下部プリント基板１１と接続している。これにより、Ｘ線入射側に上部プリント基板９を設けなくてもよく、構成を簡単にすることができる。また、上部インターポーザ１３が設けられているので、Ｘストリップ５のピッチが細かくても、ワイヤーボンディング可能なピッチに拡大させることができる。 According to the third embodiment, the upper interposer 13 is connected to the lower printed board 11 connected to the lower interposer 15 by wire bonding. Thereby, it is not necessary to provide the upper printed circuit board 9 on the X-ray incident side, and the configuration can be simplified. In addition, since the upper interposer 13 is provided, even if the pitch of the X strips 5 is fine, the pitch can be increased to a wire bonding pitch.

次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１から３のいずれかと重複する説明は省略する。図８は、実施例４に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図であり、図９は、実施例４に係る変換層を説明するための図である。 Next, Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the description which overlaps with any of Example 1-3 is abbreviate | omitted. FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the X-ray strip detector according to the fourth embodiment, and FIG. 9 is a diagram for explaining the conversion layer according to the fourth embodiment.

実施例１では、図１のように、変換層３は、単数で構成されていた。しかしながら、実施例４では、図８のように、変換層５１は、複数で構成されていてもよい。すなわち、図９のように、４つの変換層５１で構成される。 In Example 1, as illustrated in FIG. 1, the conversion layer 3 is composed of a single element. However, in Example 4, as shown in FIG. 8, the conversion layer 51 may be composed of a plurality. That is, as shown in FIG.

本実施例においても、図３のように、Ｘストリップ５は、境界線ＢＸで分断されて、一方、Ｙストリップ７は、境界線ＢＹで分断されている。これに加え、図３の変換層３を２本の境界線ＢＸ，ＢＹで分断して、図９の４つの変換層５１を実現している。なお、図９の分割有感領域Ａ３のように、分断されていないＸストリップ５およびＹストリップ７が形成された変換層５１を２行×２列で配置してもよい。 Also in this embodiment, as shown in FIG. 3, the X strip 5 is divided at the boundary line BX, while the Y strip 7 is divided at the boundary line BY. In addition to this, the conversion layer 3 of FIG. 3 is divided by two boundary lines BX and BY to realize the four conversion layers 51 of FIG. Note that the conversion layers 51 on which the X strips 5 and the Y strips 7 are not divided may be arranged in 2 rows × 2 columns as in the divided sensitive area A3 in FIG.

さらに、複数個の変換層５１に各々設けられたＸストリップ５は、１つの上部インターポーザ１３と接続する。また、複数個の変換層５１に各々設けられたＹストリップ７は、１つの下部インターポーザ１５と接続する。すなわち、複数の変換層５１で変換された電荷を、１つの上部インターポーザ１３および１つの下部インターポーザ１５で読み出している。そのため、Ｘストリップ５およびＹストリップのピッチを拡大すると共に、構成を簡単にすることができる。 Further, the X strips 5 provided on each of the plurality of conversion layers 51 are connected to one upper interposer 13. Further, the Y strip 7 provided on each of the plurality of conversion layers 51 is connected to one lower interposer 15. That is, the charges converted by the plurality of conversion layers 51 are read by one upper interposer 13 and one lower interposer 15. Therefore, the pitch of the X strip 5 and the Y strip can be increased and the configuration can be simplified.

なお、図８では、上部インターポーザ１３および下部インターポーザ１５は各々、１つで構成されているが、複数で読み出してもよい。 In FIG. 8, each of the upper interposer 13 and the lower interposer 15 is configured as one, but may be read out in plural.

実施例４によれば、変換層３は、分割有感領域Ａ１〜Ａ４に合わせて複数個で構成され、上部インターポーザ１３は、複数個の変換層３に各々設けられたＸストリップ５と接続する。すなわち、変換層３の有感領域全体Ａをマトリクス状に分割するように、Ｘストリップ５およびＹストリップ７が分断される構成を、Ｘストリップ５およびＹストリップ７が分断されていない変換層３を複数個配置することにより実現することができる。また、複数個の変換層を入射側インターポーザで読み出すので、構成を簡単にすることができる。 According to the fourth embodiment, a plurality of conversion layers 3 are configured in accordance with the divided sensitive areas A1 to A4, and the upper interposer 13 is connected to the X strips 5 provided in each of the plurality of conversion layers 3. . That is, the X strip 5 and the Y strip 7 are divided so that the entire sensitive area A of the conversion layer 3 is divided into a matrix, and the conversion layer 3 in which the X strip 5 and the Y strip 7 are not divided is used. This can be realized by arranging a plurality. Further, since the plurality of conversion layers are read by the incident side interposer, the configuration can be simplified.

また、変換層３は、分割有感領域Ａ１〜Ａ４に合わせて複数個で構成され、下部インターポーザ１５は、複数個の変換層３に各々設けられたＹストリップ７と接続する。すなわち、変換層３の有感領域全体Ａをマトリクス状に分割するように、Ｘストリップ５およびＹストリップ７が分断される構成を、Ｘストリップ５およびＹストリップ７が分断されていない変換層３を複数個配置することにより実現することができる。また、複数個の変換層３を下部インターポーザ１５で読み出すので構成を簡単にすることができる。 Further, a plurality of conversion layers 3 are formed in accordance with the divided sensitive areas A1 to A4, and the lower interposer 15 is connected to Y strips 7 respectively provided on the plurality of conversion layers 3. That is, the X strip 5 and the Y strip 7 are divided so that the entire sensitive area A of the conversion layer 3 is divided into a matrix, and the conversion layer 3 in which the X strip 5 and the Y strip 7 are not divided is used. This can be realized by arranging a plurality. Further, since the plurality of conversion layers 3 are read by the lower interposer 15, the configuration can be simplified.

次に、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。なお、実施例１から４のいずれかと重複する説明は省略する。図１０は、実施例５に係るＸ方向およびＹ方向のストリップ電極を説明するための図であり、図１１は、実施例５に係るＸ線ストリップ検出器を示す縦断面図である。 Next, Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the description which overlaps with any of Example 1 to 4 is abbreviate | omitted. FIG. 10 is a diagram for explaining strip electrodes in the X direction and the Y direction according to the fifth embodiment, and FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing the X-ray strip detector according to the fifth embodiment.

実施例１では、図３のように、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、変換層３の有感領域全体Ａを２行×２列で分割するように、分断されていた。しかしながら、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、図１０のように、変換層３の有感領域全体Ａを３行×３列で分割するように、分断されてもよい。なお、３行でかつ３列（３行×３列）に限らず、３行以上でかつ３列以上で有感領域全体Ａを分割してもよい。 In Example 1, as shown in FIG. 3, the X strip 5 and the Y strip 7 were divided so that the entire sensitive area A of the conversion layer 3 was divided into 2 rows × 2 columns. However, the X strip 5 and the Y strip 7 may be divided so as to divide the entire sensitive area A of the conversion layer 3 into 3 rows × 3 columns as shown in FIG. Note that the entire sensitive area A may be divided not only into three rows and three columns (3 rows × 3 columns) but also with three or more rows and three or more columns.

上部インターポーザ１３は、図１１のように、変換層３のＸ線入射面３ａを覆うように設けられている。上部インターポーザ１３は、Ｘ線の透過効率の高いＳｉを基板１７（図４ｂ参照）に使用している。また、下部インターポーザ１５は、変換層３のＸ線入射反対面３ｂを覆うように設けられている。上部インターポーザ１３により、図１０中の有感領域全体Ａの真ん中の分割有感領域Ａ１２や、分割有感領域Ａ２２，Ａ３２のＸストリップ５から電荷を読み出すことができる。また、下部インターポーザ１５により、図１０中の有感領域全体Ａの真ん中の分割有感領域Ａ２２や、分割有感領域Ａ２１，Ａ２３のＹストリップ７から電荷を読み出すことができる。 The upper interposer 13 is provided so as to cover the X-ray incident surface 3a of the conversion layer 3 as shown in FIG. The upper interposer 13 uses Si having high X-ray transmission efficiency for the substrate 17 (see FIG. 4B). The lower interposer 15 is provided so as to cover the surface 3b opposite to the X-ray incidence of the conversion layer 3. The upper interposer 13 can read out charges from the divided sensitive area A12 in the middle of the entire sensitive area A in FIG. 10 and the X strip 5 of the divided sensitive areas A22 and A32. Further, the lower interposer 15 can read out charges from the divided sensitive area A22 in the middle of the entire sensitive area A in FIG. 10 and the Y strip 7 of the divided sensitive areas A21 and A23.

実施例５によれば、Ｘストリップ５およびＹストリップ７は、変換層３の有感領域全体Ａを３行以上でかつ３列以上に分割するように、分断される。これにより、さらに、読み出し時間内に検出できるＸ線数を増やすことができる。また、一般的に、Ｘストリップ５およびＹストリップ７から読み出す電荷は、有感領域全体Ａの端に設けられた配線でしか読み出せなかった。しかしながら、上部インターポーザ１３および下部インターポーザ１５は、変換層３のＸ線入射面３ａまたはＸ線入射反対面３ｂを覆うように設けられているので、有感領域全体Ａの真ん中の分割有感領域２２等からも電荷を読み出すことが容易にできる。 According to the fifth embodiment, the X strip 5 and the Y strip 7 are divided so that the entire sensitive area A of the conversion layer 3 is divided into three rows or more and three columns or more. This further increases the number of X-rays that can be detected within the readout time. In general, the charges read from the X strip 5 and the Y strip 7 can be read only by the wiring provided at the end of the entire sensitive area A. However, since the upper interposer 13 and the lower interposer 15 are provided so as to cover the X-ray incident surface 3 a or the X-ray incident opposite surface 3 b of the conversion layer 3, the divided sensitive region 22 in the middle of the entire sensitive region A. It is possible to easily read out the charge from the above.

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

（１）上述した実施例１〜４では、有感領域Ａは、２行×２列に４つの有感領域Ａ１〜Ａ４に分割されていた。例えば、有感領域Ａは、２行×１列や、１行×２列、２行×３列、３行×２列であってもよい。ＸストリップとＹストリップとが直交する実施例に代えて、他の角度（例えば８８度等のほぼ直交）で交わってもよい。 (1) In Examples 1 to 4 described above, the sensitive area A is divided into four sensitive areas A1 to A4 in 2 rows × 2 columns. For example, the sensitive area A may be 2 rows × 1 column, 1 row × 2 columns, 2 rows × 3 columns, 3 rows × 2 columns. Instead of the embodiment in which the X strip and the Y strip are orthogonal to each other, they may intersect at another angle (for example, substantially orthogonal such as 88 degrees).

（２）上述した各実施例および変形例（１）において、プリント基板９，１１は、アレイアンプ回路３１、マルチプレクサ３３、Ａ／Ｄ変換器３５、入射位置特定回路３７、データ収集部３９および検出器制御部４１の少なくともいずれかを備えていてもよい。例えば、上部プリント基板９は、アレイアンプ回路３１、マルチプレクサ３３およびＡ／Ｄ変換器３５を備えている。一方、下部プリント基板１１は、アレイアンプ回路３１、マルチプレクサ３３、Ａ／Ｄ変換器３５、入射位置特定回路３７、データ収集部３９および検出器制御部４１を備えている。また、プリント基板９，１１の後段に、アレイアンプ回路３１等が設けられていてもよい。 (2) In each of the above-described embodiments and modification (1), the printed circuit boards 9 and 11 include the array amplifier circuit 31, the multiplexer 33, the A / D converter 35, the incident position specifying circuit 37, the data collection unit 39, and the detection. At least one of the vessel controller 41 may be provided. For example, the upper printed circuit board 9 includes an array amplifier circuit 31, a multiplexer 33, and an A / D converter 35. On the other hand, the lower printed circuit board 11 includes an array amplifier circuit 31, a multiplexer 33, an A / D converter 35, an incident position specifying circuit 37, a data collection unit 39, and a detector control unit 41. Further, an array amplifier circuit 31 or the like may be provided downstream of the printed boards 9 and 11.

（３）上述した各実施例および各変形例では、検出対象の放射線としてＸ線が例示されていたが、例えばガンマ線や赤外線等であってもよい。なお、本発明の放射線は、フォトンを含み、フォトンは、Ｘ線、ガンマ線および赤外線等の電磁波を含むものとする。 (3) In each embodiment and each modification described above, X-rays are exemplified as the radiation to be detected. However, for example, gamma rays or infrared rays may be used. The radiation of the present invention includes photons, which include electromagnetic waves such as X-rays, gamma rays, and infrared rays.

（４）上述した各実施例および各変形例では、図２の変換層３は、図１２のように、Ｘ方向に長手のｐ^＋層１７１、Ｙ方向に長手のｎ^＋層１７３、ｐ^＋層１７５、および絶縁層（ＳｉＯ_２：二酸化ケイ素）１７７の少なくともいずれかを備えるようにしてもよい。 (4) In each of the embodiments and modifications described above, the conversion layer 3 of FIG. 2, as in FIG. 12, the longitudinal of the ^{p +} layer 171 in the X direction, Y direction the length of the ^{n +} layer 173, ^{p +} At least one of the layer 175 and the insulating layer (SiO ₂ : silicon dioxide) 177 may be provided.

（５）上述した各実施例および各変形例では、変換層３のＸ線入射面３ａにＸストリップ５が設けられ、変換層３のＸ線入射反対面３ｂにＹストリップ７が設けられていたが、逆の構成で合ってもよい。すなわち、変換層３のＸ線入射面３ａにＹストリップ７が設けられ、変換層３のＸ線入射反対面３ｂにＸストリップ５が設けられてもよい。 (5) In each of the above-described embodiments and modifications, the X strip 5 is provided on the X-ray incident surface 3a of the conversion layer 3, and the Y strip 7 is provided on the X-ray incident opposite surface 3b of the conversion layer 3. However, the reverse configuration may be used. That is, the Y strip 7 may be provided on the X-ray incident surface 3 a of the conversion layer 3, and the X strip 5 may be provided on the X-ray incident opposite surface 3 b of the conversion layer 3.

１ … Ｘ線ストリップ検出器
３ … 変換層
３ａ … Ｘ線入射面
３ｂ … Ｘ線入射反対面
５ … Ｘ方向ストリップ電極（Ｘストリップ）
７ … Ｙ方向ストリップ電極（Ｙストリップ）
９ … 上部プリント基板
９ａ … 配線
１１ … 下部プリント基板
１１ａ … 配線
１３ … 上部インターポーザ
１５ … 下部インターポーザ
１７ … 基板
１７ａ … ストリップ電極側
１７ｂ … プリント基板側
３７ … 入射位置特定回路
３９ … データ収集部
４１ … 検出器制御部
５１ … 変換層
Ａ … 有感領域全体
Ａ１〜Ａ４，Ａ１１〜Ａ３３… 分割有感領域
Ｐ１，Ｐ２… ピッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray strip detector 3 ... Conversion layer 3a ... X-ray incident surface 3b ... X-ray incident opposite surface 5 ... X direction strip electrode (X strip)
7 ... Y direction strip electrode (Y strip)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 ... Upper printed circuit board 9a ... Wiring 11 ... Lower printed circuit board 11a ... Wiring 13 ... Upper interposer 15 ... Lower interposer 17 ... Substrate 17a ... Strip electrode side 17b ... Printed circuit board side 37 ... Incident position specific circuit 39 ... Data collection part 41 ... Detector control unit 51 ... Conversion layer A ... Sensitive area as a whole A1 to A4, A11 to A33 ... Divided sensitive area P1, P2 ... Pitch

Claims

A conversion layer that converts incident radiation into electric charge;
A plurality of first strip electrodes provided in parallel in the radiation incident surface of the conversion layer and elongated in the first direction;
A plurality of second strip electrodes provided in parallel in the radiation incident opposite surface of the conversion layer and extending in the second direction intersecting the first direction;
The first strip electrode and the second strip electrode are divided so as to divide the entire sensitive region of the conversion layer into a matrix,
An incident position specifying unit for specifying an incident position of radiation for each divided sensitive area divided in a matrix based on the charges read by the divided first strip electrode and the second strip electrode A radiation detector characterized by comprising.

The radiation detector according to claim 1.
A readout substrate on which wiring for reading out the charges is formed;
The first layer is provided so as to cover the radiation incident surface of the conversion layer, and the pitch of the first strip electrode is enlarged so as to become the pitch of the wiring of the readout substrate. A radiation detector, comprising: an incident side interposer for connecting the two.

The radiation detector according to claim 2, wherein
The incident-side interposer is a radiation detector, wherein a substrate on which wiring is formed is made of silicon.

The radiation detector according to claim 2 or 3,
The conversion layer is composed of a plurality according to the divided sensitive area,
The incident-side interposer is connected to the first strip electrode provided in each of the plurality of conversion layers.

In the radiation detector in any one of Claim 2 to 4,
The radiation detector is characterized in that the wiring of the readout substrate is connected on the same surface as the surface on which the incident-side interposer is connected to the first strip electrode.

The radiation detector according to any one of claims 1 to 5,
A readout substrate on which wiring for reading out the charges is formed;
The conversion layer is provided so as to cover the surface opposite to the radiation incident side, and the pitch of the second strip electrode is enlarged so as to be the pitch of the wiring of the readout substrate. A radiation detector, comprising:

The radiation detector according to claim 6.
The conversion layer is composed of a plurality according to the divided sensitive area,
The radiation detector according to claim 1, wherein the opposite interposer is connected to the second strip electrode provided in each of the plurality of conversion layers.

The radiation detector according to claim 6 or 7,
The first layer is provided so as to cover the radiation incident surface of the conversion layer, and the pitch of the first strip electrode is enlarged so as to become the pitch of the wiring of the readout substrate. Equipped with an incident side interposer to connect
The radiation detector, wherein the incident side interposer is connected to the readout substrate connected to the opposite side interposer by wire bonding.