JP2015112544A - Gas treatment device and gas treatment cartridge - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガスの処理装置及びガスの処理カートリッジに関する。 The present invention relates to a gas processing apparatus and a gas processing cartridge.
近年、排気ガスによる環境負荷を低減するために、排気ガスに対する規制が厳しくなってきている。これに伴い、排気ガスの処理方法が種々提案されている。例えば、特許文献１では、半導体装置においてエッチングが行われたときに排出される排気ガスを処理する方法が提案されている。具体的には、排気ガスを、充填塔内に充填された除害剤及び吸着剤としての活性炭を通過させることにより処理する方法が提案されている。 In recent years, regulations on exhaust gas have become stricter in order to reduce the environmental load caused by exhaust gas. Along with this, various methods for treating exhaust gas have been proposed. For example, Patent Document 1 proposes a method for treating exhaust gas discharged when etching is performed in a semiconductor device. Specifically, there has been proposed a method for treating exhaust gas by passing activated carbon as a detoxifying agent and adsorbent packed in a packed tower.
具体的には、特許文献１に記載の処理装置では、充填塔の上流側に、鉄化合物とマンガン化合物とを含む除害剤が配されており、下流側に、活性炭が配されている。 Specifically, in the treatment apparatus described in Patent Document 1, a detoxifying agent containing an iron compound and a manganese compound is disposed on the upstream side of the packed tower, and activated carbon is disposed on the downstream side.
ガスの処理装置の処理能力をさらに高めたいという要望がある。 There is a desire to further increase the processing capacity of gas processing equipment.
本発明の主な目的は、優れた処理能力を有するガスの処理装置を提供することにある。 A main object of the present invention is to provide a gas processing apparatus having an excellent processing capacity.
本発明に係るガスの処理装置は、容器を備える。容器は、導入口と、排出口と、処理室とを有する。導入口からは、被処理ガスが導入される。排出口からは、処理済みのガスが排出される。処理室は、導入口と排出口とに接続されている。処理室は、第１の処理部と、第２の処理部とを有する。第２の処理部は、第１の処理部よりも排出口側に位置している。第１の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物が配されている。第２の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物と、硫黄原子を有する還元剤とが配されている。 The gas processing apparatus according to the present invention includes a container. The container has an introduction port, a discharge port, and a processing chamber. A gas to be treated is introduced from the introduction port. The treated gas is discharged from the discharge port. The processing chamber is connected to the inlet and the outlet. The processing chamber includes a first processing unit and a second processing unit. The second processing unit is located closer to the discharge port than the first processing unit. At least one inorganic compound selected from a metal oxide, a metal hydroxide, and a metal carbonate is disposed in the first processing unit. In the second processing section, at least one inorganic compound selected from a metal oxide, a metal hydroxide, and a metal carbonate, and a reducing agent having a sulfur atom are arranged.
本発明に係るガスの処理カートリッジは、容器を備える。容器は、導入口と、排出口と、処理室とを有する。導入口からは、被処理ガスが導入される。排出口からは、処理済みのガスが排出される。処理室は、導入口と排出口とに接続されている。処理室は、第１の処理部と、第２の処理部とを有する。第２の処理部は、第１の処理部よりも排出口側に位置している。第１の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物が配されている。第２の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物と、硫黄原子を有する還元剤とが配されている。 The gas processing cartridge according to the present invention includes a container. The container has an introduction port, a discharge port, and a processing chamber. A gas to be treated is introduced from the introduction port. The treated gas is discharged from the discharge port. The processing chamber is connected to the inlet and the outlet. The processing chamber includes a first processing unit and a second processing unit. The second processing unit is located closer to the discharge port than the first processing unit. At least one inorganic compound selected from a metal oxide, a metal hydroxide, and a metal carbonate is disposed in the first processing unit. In the second processing section, at least one inorganic compound selected from a metal oxide, a metal hydroxide, and a metal carbonate, and a reducing agent having a sulfur atom are arranged.
本発明によれば、優れた処理能力を有するガスの処理装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the gas processing apparatus which has the outstanding processing capacity can be provided.
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。 Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。 Moreover, in each drawing referred in embodiment etc., the member which has a substantially the same function shall be referred with the same code | symbol. The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described. A ratio of dimensions of an object drawn in a drawing may be different from a ratio of dimensions of an actual object. The dimensional ratio of the object may be different between the drawings. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係るガスの処理装置の模式的断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a gas processing apparatus according to the present embodiment.
図１に示される処理装置１は、より具体的には、例えば、アルミニウム膜等のドライエッチング装置から排出される、三塩化ホウ素などのハロゲン化合物と、塩素ガスなどのハロゲンガスとの両方を含むガスを処理するために好適に用いられる。 More specifically, the processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes both a halogen compound such as boron trichloride and a halogen gas such as chlorine gas discharged from a dry etching apparatus such as an aluminum film. It is suitably used for treating gas.
図１に示されるように、処理装置１は、筐体１０を備えている。筐体１０内には、処理カートリッジ２０が配されている。この処理カートリッジ２０によりガスの処理が行われる。
As shown in FIG. 1, the processing apparatus 1 includes a
処理カートリッジ２０は、容器２１を有する。容器２１は、導入口２２と、排出口２３と、処理室２４とを有する。導入口２２及び排出口２３は、それぞれ、処理室２４に接続されている。処理対象である被処理ガスは、導入口２２から処理室２４に導入される。被処理ガスは、処理室２４において処理される。処理済みのガスは、排出口２３から排出される。本実施形態では、導入口２２は、容器２１の下部に設けられている。排出口２３は、容器２１の上部に設けられている。もっとも、本発明は、この構成に限定されない。容器の上部に導入口が設けられており、下部に排出口が設けられていてもよい。
The
処理室２４は、第１の処理部２４ａと、第２の処理部２４ｂとを有する。第１の処理部２４ａは、導入口２２に接続されている。第２の処理部２４ｂは、第１の処理部２４ａよりも排出口２３側に配されている。このため、導入口２２から導入されたガスは、第１の処理部２４ａと、第２の処理部２４ｂとをこの順番で経由して排出口２３に到る。
The
第１の処理部２４ａには、第１の処理剤３１が配されている。第１の処理剤３１は、第１の処理部２４ａに充填されている。第１の処理剤３１は、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物を含む。本実施形態では、第１の処理剤３１は、硫黄原子を有する還元剤を含まない。
A
第２の処理部２４ｂには、第２の処理剤３２が配されている。第２の処理剤３２は、第２の処理部２４ｂに充填されている。第２の処理剤３２は、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物と、硫黄原子を有する還元剤とを含む。
A
第１及び第２の処理剤３１，３２に含まれる、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物は、例えばハロゲン化合物等の、被処理ガスに含まれる処理しようとする成分、又は処理しようとする成分から生成した成分と反応する。
The at least one inorganic compound selected from metal oxides, metal hydroxides and metal carbonates contained in the first and second treating
金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物の具体例としては、例えば、鉄、亜鉛、銅及びマンガンからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物、水酸化物又は炭酸塩等が挙げられる。これらのうちの１種のみを用いてもよいし、複数種類を混合して用いてもよい。なかでも、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物としては、鉄及び亜鉛の少なくとも一方を含む酸化物が好ましく用いられる。第１の処理剤３１に酸化鉄が含まれており、第２の処理剤３２に酸化亜鉛が含まれていることがより好ましい。
Specific examples of at least one inorganic compound selected from metal oxides, metal hydroxides and metal carbonates include, for example, at least one metal selected from the group consisting of iron, zinc, copper and manganese. Oxides, hydroxides, carbonates, and the like. Only one of these may be used, or a plurality of types may be mixed and used. Among these, as the at least one inorganic compound selected from metal oxides, metal hydroxides and metal carbonates, oxides containing at least one of iron and zinc are preferably used. More preferably, the
硫黄原子を有する還元剤は、被処理ガスに含まれる処理しようとする成分、又は処理しようとする成分から生成した成分と反応する。 The reducing agent having a sulfur atom reacts with a component to be processed contained in the gas to be processed or a component generated from the component to be processed.
硫黄原子を有する還元剤の具体例としては、例えば、亜硫酸塩、亜二チオン酸塩、四チオン酸塩、チオ硫酸塩等が挙げられる。好ましく用いられる亜硫酸塩の具体例としては、例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸アンモニウム等が挙げられる。好ましく用いられる亜二チオン酸塩の具体例としては、亜二チオン酸ナトリウム、亜二チオン酸カリウム等が挙げられる。好ましく用いられる四チオン酸塩の具体例としては、四チオン酸ナトリウム、四チオン酸カリウム等が挙げられる。好ましく用いられるチオ硫酸塩の具体例としては、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム等が挙げられる。これらの還元剤の１種のみを用いてもよいし、複数種類を混合して用いてもよい。 Specific examples of the reducing agent having a sulfur atom include sulfite, dithionite, tetrathionate, thiosulfate, and the like. Specific examples of sulfites that are preferably used include sodium sulfite, potassium sulfite, and ammonium sulfite. Specific examples of dithionite used preferably include sodium dithionite and potassium dithionite. Specific examples of the tetrathionate preferably used include sodium tetrathionate and potassium tetrathionate. Specific examples of thiosulfate preferably used include sodium thiosulfate, potassium thiosulfate, and ammonium thiosulfate. Only one kind of these reducing agents may be used, or a plurality of kinds may be mixed and used.
硫黄原子を有する還元剤は、Ｎａ２Ｓ２Ｏ３・５Ｈ２Ｏなどの水和物であることが好ましい。 The reducing agent having a sulfur atom is preferably a hydrate, such as Na 2 S 2 O 3 · 5H 2 O.
処理装置１の作用について、三塩化ホウ素ガスと、塩素ガスとを含む被処理ガスが処理装置１に導入された場合を例に挙げて説明する。なお、ここでは、第１の処理剤３１が酸化亜鉛又は酸化鉄を含み、第２の処理剤３２が酸化亜鉛又は酸化鉄とチオ硫酸ナトリウムとを含むものとする。
The operation of the processing apparatus 1 will be described by taking as an example a case where a gas to be processed including boron trichloride gas and chlorine gas is introduced into the processing apparatus 1. Here, the
第１及び第２の処理剤３１，３２が酸化亜鉛を含む場合は、被処理ガスに含まれる三塩化ホウ素ガスは、以下の反応式（１）及び反応式（２）により、第１及び第２の処理剤３１，３２によって処理される。
When the first and second treating
ＢＣｌ３＋３Ｈ２Ｏ＝３ＨＣｌ＋Ｈ３ＢＯ３ ……… （１）
２ＨＣｌ＋ＺｎＯ＝ＺｎＣｌ２＋Ｈ２Ｏ ……… （２）
一方、第１及び第２の処理剤３１，３２が酸化鉄を含む場合は、被処理ガスに含まれる三塩化ホウ素ガスは、以下の反応式（１）、反応式（３）及び反応式（４）により、第１及び第２の処理剤３１，３２によって処理される。
BCl 3 + 3H 2 O = 3HCl + H 3 BO 3 (1)
2HCl + ZnO = ZnCl 2 + H 2 O (2)
On the other hand, when the first and
ＢＣｌ３＋３Ｈ２Ｏ＝３ＨＣｌ＋Ｈ３ＢＯ３ ……… （１）
６ＨＣｌ＋Ｆｅ２Ｏ３＝２ＦｅＣｌ３＋３Ｈ２Ｏ ……… （３）
２ＢＣｌ３＋Ｆｅ２Ｏ３＝２ＦｅＣｌ３＋Ｂ２Ｏ３ ……… （４）
第２の処理剤３２が酸化亜鉛を含む場合は、被処理ガスに含まれる塩素ガスは、以下の反応式（５）により、第２の処理剤３２により処理される。
BCl 3 + 3H 2 O = 3HCl + H 3 BO 3 (1)
6HCl + Fe 2 O 3 = 2FeCl 3 + 3H 2 O (3)
2BCl 3 + Fe 2 O 3 = 2FeCl 3 + B 2 O 3 ......... (4)
When the
４Ｃｌ２＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ３・５Ｈ２Ｏ＋５ＺｎＯ＝２ＮａＣｌ＋３ＺｎＣｌ２＋２ＺｎＳＯ４＋５Ｈ２Ｏ ……… （５）
特許文献１に記載の処理装置では、上流側に配された鉄化合物等により、三塩化ホウ素ガス等のハロゲン化物が処理される。一方、塩素ガス等のハロゲンガスは、上流側に配された鉄化合物等によっては処理されない。ハロゲンガスは、活性炭により吸着される。ここで、鉄化合物とハロゲン化物との反応は発熱反応である。このため、鉄化合物とハロゲン化物との反応により活性炭の吸着能が低下する。さらに、鉄化合物とハロゲン化物との反応により生じた水が活性炭に吸着されることにより、活性炭のハロゲン化物の吸着可能量が少なくなる。従って、特許文献１に記載の処理装置の、ハロゲン化物とハロゲンガスとを含む被処理ガスに対する処理能力は、必ずしも十分に高いとはいえない場合もある。
4Cl 2 + Na 2 S 2 O 3 .5H 2 O + 5ZnO = 2NaCl + 3ZnCl 2 + 2ZnSO 4 + 5H 2 O (5)
In the processing apparatus described in Patent Document 1, a halide such as boron trichloride gas is processed by an iron compound or the like disposed on the upstream side. On the other hand, halogen gas such as chlorine gas is not treated by an iron compound or the like disposed on the upstream side. Halogen gas is adsorbed by activated carbon. Here, the reaction between the iron compound and the halide is an exothermic reaction. For this reason, the adsorption ability of activated carbon falls by reaction with an iron compound and a halide. Furthermore, when the water produced by the reaction between the iron compound and the halide is adsorbed on the activated carbon, the adsorbable amount of the activated carbon halide is reduced. Therefore, the processing capacity of the processing apparatus described in Patent Document 1 for a gas to be processed including a halide and a halogen gas may not necessarily be sufficiently high.
本実施形態の処理装置１における第１の処理剤３１とハロゲン化物との反応も発熱反応である。このため、第２の処理部２４ｂが第１の処理剤３１により加熱される。第２の処理剤３２とハロゲン化物、ハロゲンガスとの反応は、高温になるほど進行しやすくなる。このため、第１の処理剤３１とハロゲン化物との反応により、第２の処理剤３２によるハロゲン化物及びハロゲンガスの処理も促進される。従って、処理装置１は、ハロゲン化物とハロゲンガスとを含む被処理ガスに対して高い処理能力を有する。
The reaction between the
なお、ハロゲンガスに対する処理能力を高める観点から、第１の処理剤にも硫黄原子を含む還元剤を含有させることも考えられる。しかしながら、硫黄原子を含む還元剤とハロゲンガスとの反応も発熱反応である。このため、第１の処理剤にまで硫黄原子を含む還元剤を添加してしまうと、第２の処理剤の温度が高くなりすぎる場合がある。よって、処理室において水分が欠乏してしまう場合がある。水分が欠乏すると、式（１）〜（４）から理解される通り、ハロゲン化物及びハロゲンガスの処理が進行しにくくなる。従って、ハロゲン化物及びハロゲンガスの処理能力がかえって低下してしまう。本実施形態のように、第１及び第２の処理剤３１，３２のそれぞれに、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物を含ませ、硫黄原子を有する還元剤は第１の処理剤３１に含有させず、第２の処理剤３２に含有させることにより、ハロゲン化物とハロゲンガスとを含む被処理ガスに対する高い処理能力を実現させることができる。
Note that, from the viewpoint of increasing the treatment capacity for the halogen gas, it is also conceivable that the first treating agent contains a reducing agent containing sulfur atoms. However, the reaction between the reducing agent containing a sulfur atom and the halogen gas is also an exothermic reaction. For this reason, if the reducing agent containing a sulfur atom is added to the 1st processing agent, the temperature of the 2nd processing agent may become too high. Therefore, moisture may be deficient in the processing chamber. When moisture is deficient, as understood from the formulas (1) to (4), the processing of halides and halogen gases is difficult to proceed. Therefore, the processing capacity of halide and halogen gas is rather lowered. As in this embodiment, each of the first and
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。 Hereinafter, other examples of preferred embodiments of the present invention will be described. In the following description, members having substantially the same functions as those of the first embodiment are referred to by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態に係るガスの処理装置の模式的断面図である。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a gas processing apparatus according to the second embodiment.
本実施形態に係るガスの処理装置２は、処理室２４が、第１及び第２の処理部２４ａ、２４ｂに加え、第３の処理部２４ｃを有する点で、第１の実施形態に係る処理装置１と異なる。
The
第３の処理部２４ｃには、第３の処理剤３３が配されている。第３の処理剤３３は、第３の処理部２４ｃに充填されている。第３の処理部２４ｃは、活性炭、ゼオライト等の吸着剤を含む。このため、例えば、第１及び第２の処理部２４ａ、２４ｂにおいて酸化硫黄（ＳＯＸ）等が生じた場合、その酸化硫黄は第３の処理剤３３に吸着されるため、処理装置２外に排出されにくくなる。また、酸化硫黄以外のその他の有害物質も、第３の処理剤３３により吸着され得るため、処理装置２外に排出されにくくなる。
A
１，２：処理装置
１０：筐体
２０：処理カートリッジ
２１：容器
２２：導入口
２３：排出口
２４：処理室
２４ａ：第１の処理部
２４ｂ：第２の処理部
２４ｃ：第３の処理部
３１：第１の処理剤
３２：第２の処理剤
３３：第３の処理剤
1, 2: Processing device 10: Housing 20: Processing cartridge 21: Container 22: Inlet 23: Discharge port 24:
Claims (6)
前記処理室は、
第１の処理部と、
前記第１の処理部よりも前記排出口側に位置する第２の処理部と、
を有し、
前記第１の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物が配されており、
前記第２の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物と、硫黄原子を有する還元剤とが配されている、ガスの処理装置。 A container having an introduction port into which a gas to be treated is introduced, a discharge port through which treated gas is discharged, and a treatment chamber connected to the introduction port and the discharge port;
The processing chamber is
A first processing unit;
A second processing unit located closer to the discharge port than the first processing unit;
Have
In the first treatment part, at least one inorganic compound selected from metal oxide, metal hydroxide and metal carbonate is disposed,
In the second processing section, at least one inorganic compound selected from a metal oxide, a metal hydroxide, and a metal carbonate, and a reducing agent having a sulfur atom are disposed, Processing equipment.
前記第２の処理部には、酸化亜鉛と前記硫黄原子を有する還元剤とが配されている、請求項２に記載のガスの処理装置。 Iron oxide is arranged in the first processing unit,
The gas processing apparatus according to claim 2, wherein zinc oxide and a reducing agent having a sulfur atom are arranged in the second processing unit.
前記処理室は、
第１の処理部と、
前記第１の処理部よりも前記排出口側に位置する第２の処理部と、
を有し、
前記第１の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物が配されており、
前記第２の処理部には、金属の酸化物、金属の水酸化物及び金属の炭酸塩から選ばれた少なくとも一種の無機化合物と、硫黄原子を有する還元剤とが配されている、ガスの処理カートリッジ。
A container having an introduction port into which a gas to be treated is introduced, a discharge port through which treated gas is discharged, and a treatment chamber connected to the introduction port and the discharge port;
The processing chamber is
A first processing unit;
A second processing unit located closer to the discharge port than the first processing unit;
Have
In the first treatment part, at least one inorganic compound selected from metal oxide, metal hydroxide and metal carbonate is disposed,
In the second processing section, at least one inorganic compound selected from a metal oxide, a metal hydroxide, and a metal carbonate, and a reducing agent having a sulfur atom are disposed, Processing cartridge.
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06319947A (en) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Ube Ind Ltd | Toxicity-removing agent for etching exhaust gas and method for using the same |
| JPH08206444A (en) * | 1995-02-03 | 1996-08-13 | Nippon Sanso Kk | Detoxification of harmful gas |
| JPH09234336A (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Japan Pionics Co Ltd | Purification of harmful gas |
| JPH1170319A (en) * | 1997-06-20 | 1999-03-16 | Ebara Corp | Treatment of exhaust gas containing inorganic halogenated gas and treatment device |
| JP2001017831A (en) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Toyo C C I Kk | Treating agent for halogen gas |
| JP2001029742A (en) * | 1999-07-16 | 2001-02-06 | Mitsui Chemicals Inc | Treating agent for exhaust metal halide gas and treating method therefor |
| JP2001338910A (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Showa Denko Kk | Abatement agent for halogen type gas, abatement method and its use |
| US20030082918A1 (en) * | 2000-05-26 | 2003-05-01 | Yuji Hayasaka | Harm-removing agent and method for rendering halogen-containing gas harmless and uses thereof |
| US20040107833A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-10 | Sweeney Joseph D | Method and apparatus for the abatement of toxic gas components from a semiconductor manufacturing process effluent stream |
| US20050061147A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | Marganski Paul J. | Chemisorbent system for abatement of effluent species |
| JP4564242B2 (en) * | 2003-05-30 | 2010-10-20 | 株式会社荏原製作所 | Treatment method, treatment agent and treatment apparatus for exhaust gas containing inorganic halogenated gas containing chlorine trifluoride |
-
2013
- 2013-12-12 JP JP2013256706A patent/JP2015112544A/en active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06319947A (en) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Ube Ind Ltd | Toxicity-removing agent for etching exhaust gas and method for using the same |
| JPH08206444A (en) * | 1995-02-03 | 1996-08-13 | Nippon Sanso Kk | Detoxification of harmful gas |
| JPH09234336A (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Japan Pionics Co Ltd | Purification of harmful gas |
| JPH1170319A (en) * | 1997-06-20 | 1999-03-16 | Ebara Corp | Treatment of exhaust gas containing inorganic halogenated gas and treatment device |
| JP2001017831A (en) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Toyo C C I Kk | Treating agent for halogen gas |
| JP2001029742A (en) * | 1999-07-16 | 2001-02-06 | Mitsui Chemicals Inc | Treating agent for exhaust metal halide gas and treating method therefor |
| JP2001338910A (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Showa Denko Kk | Abatement agent for halogen type gas, abatement method and its use |
| US20030082918A1 (en) * | 2000-05-26 | 2003-05-01 | Yuji Hayasaka | Harm-removing agent and method for rendering halogen-containing gas harmless and uses thereof |
| US20040107833A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-10 | Sweeney Joseph D | Method and apparatus for the abatement of toxic gas components from a semiconductor manufacturing process effluent stream |
| JP2006508798A (en) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | アドヴァンスド テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド | Method and apparatus for removing toxic gas components from semiconductor manufacturing process waste streams |
| JP4564242B2 (en) * | 2003-05-30 | 2010-10-20 | 株式会社荏原製作所 | Treatment method, treatment agent and treatment apparatus for exhaust gas containing inorganic halogenated gas containing chlorine trifluoride |
| US20050061147A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | Marganski Paul J. | Chemisorbent system for abatement of effluent species |
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