JP2015109347A - High frequency module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高速で動作する電子デバイス、或いは光デバイスを実装した高周波モジュールに関するものである。 The present invention relates to a high-frequency module mounted with an electronic device or an optical device that operates at high speed.
一般的に高周波デバイスを実装するモジュールにおいては、図1に示すように、パッケージ20の内部と外部を電気的に接続するフィードスルー部61が設けられ、このフィードスルー部61に高周波信号線路、電源供給用線路、モニター信号用線路等の電気線路63が形成されている。フィードスルーの外部端子にはピン、或いはフレキシブル平面回路基板が接続され、それを介して外部のプリント基板等と電気的に接続される。
In general, in a module for mounting a high frequency device, as shown in FIG. 1, a
また、パッケージ20内には、基板31上のキャリア32に、チップ抵抗35やチップコンデンサ36等の電気部品や、直接変調半導体レーザアレイや電界吸収型変調器集積半導体レーザアレイ(非特許文献1参照)等の光部品34が実装されたサブキャリア33が設けられている。さらにキャリア32上にはレンズ37、38が、パッケージ20の一端に設けられた光ファイバ10と光学的に接続するように配置されている。また、パッケージ20の他端には、パッケージ内の電気部品に電気信号を供給するフィードスルー部61が設けられている。フィードスルー部61の上面には、電気信号を供給する電気線路63が形成されている。この電気線路63は、パッケージ20の接続部分において保護部材21により保護されている。
Further, in the
このようなパッケージ20内では、実装された電気部品35、36等とフィードスルー部61の電気線路63とをワイヤにより配線接続を行なっている。したがって、フィードスルー部61の電気線路63と基板31上に実装された電気部品35、36とがパッケージ20内の同じ側に配置されていなければならない。図1では、5本の電気線路63は、電気部品35、36が実装された側と同じ側であるフィードスルー部61の上面に設けられている。
In such a
ここで、図1に示すような高周波デバイスに対しては、ピンやフレキシブル平面回路基板がモジュールのフィードスルー外部端子にハンダ接続される。この接続のためには、隣接する外部端子間の間隔(すなわち電気線路63の間隔に相当)はある程度の間隔が必要である。したがって外部端子間の間隔を小さくする(概ね0.6mm以下にする)ことは非常に困難である。しかしながら、パッケージに実装されるデバイスが複数であったり、或いは単体であっても多くの端子を有するデバイスであるためにフィードスルー部61の電気線路63が多く必要な場合には、端子間間隔による制約が問題となる。
Here, for a high-frequency device as shown in FIG. 1, pins and flexible planar circuit boards are soldered to the feedthrough external terminals of the module. For this connection, an interval between adjacent external terminals (that is, corresponding to the interval between the electric lines 63) needs a certain amount of interval. Therefore, it is very difficult to reduce the interval between the external terminals (generally 0.6 mm or less). However, when there are a plurality of devices mounted on the package or a device having many terminals even if it is a single device, if a large number of
そこで、限られた幅の中にこれらの電気線路を配置するためにフィードスルーの外部端子側では上下両面に端子を設ける方法が提案されている。この方法では、パッケージ内部ではフィードスルー部の上面に配置されている端子と接続されるパッケージ外部の端子の一部がフィードスルー部の下面に配置されるために、これらを結ぶ電気線路については、ビアを設けてフィードスルー部61の上面にワイヤ接続用の端子を引き出す必要が生じる。高周波モジュールが装置に実装される形態によって、高周波信号線用の外部端子をフィードスルー部61の上面に配置する場合と下面に配置する場合との両方が考えられるが、下面に配置する場合では高周波信号線路にビアが設けられることになる。
Therefore, in order to arrange these electric lines within a limited width, a method has been proposed in which terminals are provided on both upper and lower surfaces on the external terminal side of the feedthrough. In this method, since a part of the terminals outside the package connected to the terminals arranged on the upper surface of the feedthrough portion inside the package is arranged on the lower surface of the feedthrough portion, It is necessary to provide a via and to draw out a wire connection terminal on the upper surface of the
例えば図2に示すように、フィードスルー部61の下面に電気配線があり、電気信号はその電気配線を伝搬した上で、フィードスルー部61を貫通する穴の中に金属導体を埋め込んだビア83によって、上面に引き出される。このように、フィードスルー部61の下面からでは電気部品にワイヤ接続することができないので、上面に引き出すためにビア83が必要になる。(特許文献1参照)
For example, as shown in FIG. 2, there is an electrical wiring on the lower surface of the
このような構造では高周波信号がビアを通過することになるのであるが、高周波信号、特に10GHzを超えるような高周波信号については、ビア構造を通過する際に発生する伝播損失が問題となる。 In such a structure, a high-frequency signal passes through the via. However, for a high-frequency signal, particularly a high-frequency signal exceeding 10 GHz, a propagation loss that occurs when passing through the via structure becomes a problem.
図3の(a)はビア83を伝搬する電気信号の伝搬損失、(b)はビアを伝搬しない(すなわち図1に示すようにフィードスルー部61の表面に設けられた電気線路63を伝搬する)電気信号の伝搬損失である。図3(b)は−3dB帯域として11GHzを得ているが、図3(a)は6GHz付近に大きな損失劣化(ディップ)がある。
3A is a propagation loss of an electric signal propagating through the
本発明は、上述の従来技術の問題に鑑みなされたものであって、本発明の課題は、パッケージ内部においてフィードスルー上面に設置された端子とパッケージ外部においてフィードスルー下面に設けられた端子を、ビアを用いずに接続し、フィードスルーでの高周波伝播損失の少ない高周波パッケージを提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a terminal provided on the upper surface of the feedthrough inside the package and a terminal provided on the lower surface of the feedthrough outside the package. The object is to provide a high-frequency package that is connected without using vias and has low high-frequency propagation loss in feedthrough.
上記の課題を解決するために、本実施形態の高周波モジュールは、内部に電子デバイスを実装したパッケージと、前記パッケージの外部と内部との間で高周波電気信号を伝播させるフィードスルー部とを備えた高周波モジュールであって、前記フィードスルー部は、前記電子デバイスが実装された面と同じ側の面である第1の面および該第1の面の裏面である第2の面にそれぞれ電気配線が形成され、少なくとも第2の面上の配線には高周波配線を含む第1の基板と、前記第2の面の高周波配線に接触することにより電気的に接続された高周波配線であって、前記第2の面の配線に対応した高周波配線が形成された第3の面を有する第2の基板とを有し、前記パッケージの外部においては、前記第1の面および前記第2の面の両面が露出されており、前記パッケージの内部においては、前記第1の面、及び前記第3の面が露出していることを特徴とする高周波モジュールである。 In order to solve the above-described problem, the high-frequency module according to the present embodiment includes a package in which an electronic device is mounted inside, and a feed-through unit that propagates a high-frequency electric signal between the outside and the inside of the package. In the high-frequency module, the feedthrough portion has electrical wiring on a first surface that is the same surface as the surface on which the electronic device is mounted and a second surface that is the back surface of the first surface. A high frequency wiring formed and electrically connected to a first substrate including a high frequency wiring at least on the second surface and contacting the high frequency wiring on the second surface, And a second substrate having a third surface on which high-frequency wiring corresponding to the wiring on the second surface is formed, and both the first surface and the second surface are outside the package. Exposed Cage, in the interior of the package, a radio frequency module, characterized in that said first surface, and said third surface is exposed.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
本実施形態の高周波モジュールは、内部に電子デバイスを実装したパッケージと、パッケージの外部と内部との間で高周波電気信号を伝播させるフィードスルー部とを備えた高周波モジュールである。フィードスルー部は、電子デバイスが実装された面と同じ側の面である第1の面(上面)および第1の面の裏面である第2の面(下面)にそれぞれ電気配線が形成され、少なくとも第2の面上の配線には高周波配線を含む第1の基板と、第2の面の高周波配線に接触することにより電気的に接続された高周波配線であって、第2の面の高周波配線に対応した高周波配線が形成された第3の面を有する第2の基板とを有している。さらに、フィードスルー部は、前記パッケージの外部においては、前記第1の面および前記第2の面の両面が露出されており、前記パッケージの内部においては、第1の面、及び前記第3の面が露出しているものである。 The high-frequency module according to the present embodiment is a high-frequency module that includes a package in which an electronic device is mounted inside, and a feed-through portion that propagates a high-frequency electrical signal between the outside and the inside of the package. In the feedthrough portion, electrical wiring is formed on each of the first surface (upper surface) which is the same surface as the surface on which the electronic device is mounted and the second surface (lower surface) which is the back surface of the first surface, At least the wiring on the second surface is a high-frequency wiring electrically connected to the first substrate including the high-frequency wiring by contacting the high-frequency wiring on the second surface, and the high-frequency wiring on the second surface And a second substrate having a third surface on which high-frequency wiring corresponding to the wiring is formed. Furthermore, the feedthrough portion has both the first surface and the second surface exposed outside the package, and the first surface and the third surface are exposed inside the package. The surface is exposed.
本実施形態の高周波モジュールは、上記のように構成されているため、高周波信号の伝播損失を増加させずに、パッケージ内部においてフィードスルー上面に設置された端子とパッケージ外部においてフィードスルー下面に設けられた端子とを接続する高周波伝送線路を設けることが可能となる。 Since the high-frequency module according to the present embodiment is configured as described above, the terminals installed on the upper surface of the feedthrough inside the package and the lower surface of the feedthrough outside the package without increasing the propagation loss of the high-frequency signal. It is possible to provide a high-frequency transmission line that connects the connected terminals.
(第1の実施形態)
図4は本発明の第1の実施の形態に係る高周波モジュールの構成を示す図面である。図4において、(a)はフィードスルー部の構成を示す図であり、(b)はフィードスルー部の基板2の上面の配線パターンを示す図であり、(c)はフィードスルー部の基板2の下面の配線パターンを示す図であり、(d)はフィードスルー部の基板1の上面の配線パターンを示す図である。なお、図4(c)は基板2の上面からの透視図である。
(First embodiment)
FIG. 4 is a drawing showing the configuration of the high-frequency module according to the first embodiment of the present invention. 4A is a diagram illustrating the configuration of the feedthrough portion, FIG. 4B is a diagram illustrating a wiring pattern on the upper surface of the
本実施形態の高周波モジュールでは、内部に電子部品(図示せず)を実装したパッケージ20と、パッケージ20の内部と外部との間で高周波電気信号を伝播させるフィードスルー部60とを備えている。フィードスルー部60は、少なくとも2つの基板が階段状にスライドさせた状態で積層された構成を有している。図4に示す例では、フィードスルー部60は、2つの配線基板1、2と、1つの保護基板3とが積層された構成を有している。なお、フィードスルー部60以外の構成は、図1、2に示す従来の高周波デバイスと同様の構成を備えている。
The high frequency module of the present embodiment includes a
配線基板1、2は、セラミックで構成されたフィードスルー用基板であり、表面に配線パターンが形成されている。配線基板1には少なくとも1つの面1Tに配線パターンが形成されており、配線基板2には両面2T、2Bに配線パターンが形成されている。配線基板1、2に形成される配線パターンは、高周波配線4a、5a、4b、5bと直流配線6a、6c、6d、71、72、73、74、6c、75、76、77、78である。
The
配線基板1、2は、積層された構成を有しており、配線基板2の面2Bは配線基板1の面1Tと直接接触するので、面1T上の高周波配線4b、5bと重なるように面2B上に高周波配線4a、5aを形成しておくと、面1T上の線路と面2B上の高周波配線4a、5a、4b、5bを電気的に接続することが可能となる。
The
配線基板1は、パッケージ20の内部においては、他の配線基板2よりも図示右側に突出しているので、面1Tが露出している。図4には示されていないが、パッケージ20内には電子部品が実装されており、その実装面は面1Tと同じ側である。その結果、配線基板1の面1Tに形成された配線パターンは、パッケージ20内部に実装された電子部品とワイヤ接続することができる。
Since the
配線基板2は、パッケージ20の外部においては、他の基板1、3よりも図示左側に突出しているので、面2T、面2Bの両面が露出されている。その結果、配線基板2の面2T、2Bの両面に形成された配線パターンは、配線基板2の面2T、2Bの両面において外部接続することができる。
Since the
保護基板3は、セラミックで構成されたフィードスルー用基板であり、配線基板2の面2Tに形成された配線パターンとパッケージ20との絶縁を行なう保護部材として機能する。保護基板3は、パッケージ20との接続部分において、配線基板2の面2Tに接して設けられている。
The
本実施形態の高周波モジュールによれば、パッケージ20の外部において配線基板2の下面2Bに設けられた高周波信号線路4a、5aとパッケージ20内部において配線基板1の上面1Tに設けられた高周波信号線路4b、5bが接続される。ここで、この高周波信号線路4a、5a、4b、5bの接続にはビアは用いておらず構造上も同一基板上に高周波信号線路を形成したものとほぼ変わらないため、伝播損失の増加は無視できる程度である。すなわち図3(b)の特性が得られる。
According to the high frequency module of the present embodiment, the high
また、本実施形態の高周波モジュールでは、パッケージ20の外部において配線基板2の上面である面2Tに設けられた直流用電気線路6aと、下面である2B面に設けられた直流用電気線路6cをビア6bを介して接続し、さらに前述の高周波線路の場合と同様にして2B面上の直流用電気線路6cと3T面上の直流用電気線路6dとを接続している。直流用線路であるため、ビアの存在は問題にはならない。本実施例においては、図に記載されているその他の電気線路はすべて直流用である。
In the high frequency module of the present embodiment, the DC electric line 6a provided on the
なお、上記ではフィードスルーが3層の場合で説明したが、3層に限るものではなく、2層、4層、もしくは5層以上あっても構わない。また、図4に示す実施形態では、配線基板1、2が左右方向に階段状にスライドさせた状態で積層された構成である場合を例に挙げて説明したが、図示手前方向、奥手方向などいずれの方向にスライドさせてもよい。
In the above description, the feedthrough has three layers. However, the feedthrough is not limited to three layers, and there may be two, four, or five or more layers. In the embodiment shown in FIG. 4, the case where the
また、直流配線6a、6c、6d、71、72、73、74、6c、75、76、77、78は、低周波用(例えば図3の場合5GHz以下)の配線としても構わない。
Further, the
配線基板1、2、保護基板3として用いられるフィードスルー基板は、通常、セラミック、FR−4(エポキシ樹脂/ガラス繊維)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)系樹脂等の上に、金、錫、ニッケル等の配線のメッキ工程によって作られるが、これに限定されるものではない。
The feed-through boards used as the
1、2 配線基板
3 保護基板
4a、5a、4b、5b 高周波配線
6a、6c、6d、71、72、73、74、6c、75、76、77、78 直流配線
10 光ファイバ
20 パッケージ
31 基板
32 キャリア
33 サブキャリア
34 光部品
35 チップ抵抗
36 チップコンデンサ
37、38 レンズ
61 フィードスルー部
63 電気線路
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記パッケージの外部と内部との間で高周波電気信号を伝播させるフィードスルー部とを備えた高周波モジュールであって、
前記フィードスルー部は、前記電子デバイスが実装された面と同じ側の面である第1の面および該第1の面の裏面である第2の面にそれぞれ電気配線が形成され、少なくとも第2の面上の配線には高周波配線を含む第1の基板と、前記第2の面の高周波配線に接触することにより電気的に接続された高周波配線であって、前記第2の面の配線に対応した高周波配線が形成された第3の面を有する第2の基板とを有し、
前記パッケージの外部においては、前記第1の面および前記第2の面の両面が露出されており、前記パッケージの内部においては、前記第1の面、及び前記第3の面が露出していることを特徴とする高周波モジュール。 A package with electronic devices mounted inside,
A high-frequency module comprising a feedthrough portion for propagating a high-frequency electrical signal between the outside and the inside of the package,
In the feedthrough portion, electrical wiring is formed on a first surface that is the same surface as the surface on which the electronic device is mounted and a second surface that is the back surface of the first surface, and at least a second surface is formed. The wiring on the first surface is a high-frequency wiring electrically connected by contacting the first substrate including the high-frequency wiring and the high-frequency wiring on the second surface, and the wiring on the second surface A second substrate having a third surface on which a corresponding high-frequency wiring is formed,
Both the first surface and the second surface are exposed outside the package, and the first surface and the third surface are exposed inside the package. A high-frequency module characterized by that.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020017622A (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 京セラ株式会社 | Wiring board, package for electronic component, and electronic device |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11150371A (en) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer circuit board |
JP2001308547A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Sharp Corp | High-frequency multilayer circuit board |
JP2003008310A (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | High-frequency transmission line coupling structure and variable phase shifter using the same |
JP2003198201A (en) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | Signal transmission path and optical module |
JP2004153179A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and electronic device |
JP2004288668A (en) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
JP2007005636A (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Kyocera Corp | Input/output terminal, package for storing electronic component, and electronic apparatus |
JP2007012717A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Nec Electronics Corp | Package type semiconductor device |
JP2008166730A (en) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Nec Corp | Optical module and optical transceiver |
JP2011129695A (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical module |
JP2011155091A (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Opnext Japan Inc | Optical module |
JP2011192939A (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-29 | Opnext Japan Inc | Optical module |
JP2012243781A (en) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Semiconductor element housing package |
JP2012248653A (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Hitachi Ltd | Signal wiring board and signal transmission circuit |
JP2013197285A (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ceramic multilayer substrate and semiconductor package |
-
2013
- 2013-12-04 JP JP2013251453A patent/JP6206919B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11150371A (en) * | 1997-11-19 | 1999-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer circuit board |
JP2001308547A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Sharp Corp | High-frequency multilayer circuit board |
JP2003008310A (en) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | High-frequency transmission line coupling structure and variable phase shifter using the same |
JP2003198201A (en) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | Signal transmission path and optical module |
JP2004153179A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and electronic device |
JP2004288668A (en) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
JP2007005636A (en) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Kyocera Corp | Input/output terminal, package for storing electronic component, and electronic apparatus |
JP2007012717A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Nec Electronics Corp | Package type semiconductor device |
JP2008166730A (en) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Nec Corp | Optical module and optical transceiver |
JP2011129695A (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical module |
JP2011155091A (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Opnext Japan Inc | Optical module |
JP2011192939A (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-29 | Opnext Japan Inc | Optical module |
JP2012243781A (en) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Semiconductor element housing package |
JP2012248653A (en) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Hitachi Ltd | Signal wiring board and signal transmission circuit |
JP2013197285A (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Ceramic multilayer substrate and semiconductor package |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020017622A (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 京セラ株式会社 | Wiring board, package for electronic component, and electronic device |
JP7036687B2 (en) | 2018-07-25 | 2022-03-15 | 京セラ株式会社 | Wiring boards, electronic component packages and electronic devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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