JP2015109340A - Optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determination device and manufacturing management device - Google Patents
Optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determination device and manufacturing management device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015109340A JP2015109340A JP2013251346A JP2013251346A JP2015109340A JP 2015109340 A JP2015109340 A JP 2015109340A JP 2013251346 A JP2013251346 A JP 2013251346A JP 2013251346 A JP2013251346 A JP 2013251346A JP 2015109340 A JP2015109340 A JP 2015109340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- information
- optical semiconductor
- storage area
- varnish
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、光半導体装置の製造方法、システム、製造条件決定装置および製造管理装置、詳しくは、光半導体装置の製造方法、その製造条件を決定および管理するシステム、製造条件決定装置ならびに製造管理装置に関する。 The present invention relates to an optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determining device, and manufacturing management device, and more particularly, an optical semiconductor device manufacturing method, a system for determining and managing the manufacturing conditions, a manufacturing condition determining device, and a manufacturing management device. About.
従来、光半導体装置の製造方法として、まず、粒子および硬化性樹脂を含む未硬化の硬化性樹脂組成物を調製し、その後、それを発光ダイオードが実装されたパッケージなどにポッティングし、その後、硬化性樹脂組成物を硬化させる方法が知られている(例えば、下記特許文献1参照。)。
Conventionally, as an optical semiconductor device manufacturing method, first, an uncured curable resin composition containing particles and a curable resin is prepared, and then potted on a package or the like on which a light emitting diode is mounted, and then cured. A method for curing a functional resin composition is known (for example, see
あるいは、粒子および硬化性樹脂を含むAステージのワニスを調製し、その後、それを剥離シートに塗布し、その後、Bステージ化し、その後、Bステージシートによって、基板に実装される発光ダイオードを被覆し、その後、BステージシートをCステージ化する方法が提案されている(例えば、下記特許文献2参照。)。
Alternatively, an A-stage varnish containing particles and a curable resin is prepared, and then applied to a release sheet, then converted to a B-stage, and then the light-emitting diode mounted on the substrate is covered with the B-stage sheet. Thereafter, a method of converting the B stage sheet into a C stage has been proposed (see, for example,
しかしながら、特許文献1の方法では、硬化性樹脂組成物の硬化層の厚みが不均一となり易く、そのため、光半導体装置の発光効率が低下するという不具合がある。
However, the method of
一方、特許文献2の方法では、AステージのワニスからBステージシートを調製する工程が必要であり、そのため、工数が多く、手間となる。その結果、光半導体装置の製造方法の製造効率を向上させにくいという不具合がある。
On the other hand, the method of
本発明の目的は、被覆層を均一な厚みで調製して、発光効率に優れるとともに、工数を低減して、製造効率を向上させることのできる、光半導体装置の製造方法、その製造条件を決定および管理するシステム、製造条件決定装置ならびに製造管理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to determine a manufacturing method of an optical semiconductor device and a manufacturing condition thereof, in which a coating layer is prepared with a uniform thickness and has excellent luminous efficiency, can reduce man-hours, and improve manufacturing efficiency. Another object of the present invention is to provide a management system, a manufacturing condition determination device, and a manufacturing management device.
上記目的を達成するために、本発明の光半導体装置の製造方法は、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからAステージの被覆層を製造する被覆層製造工程、および、前記Aステージの被覆層によって光半導体素子を被覆する被覆工程を備えることを特徴としている。 In order to achieve the above object, an optical semiconductor device manufacturing method of the present invention includes a varnish manufacturing process for manufacturing a varnish containing particles and a curable resin, a coating layer manufacturing process for manufacturing an A-stage coating layer from the varnish, And a coating step of coating the optical semiconductor element with the coating layer of the A stage.
この方法によれば、Aステージの被覆層によって光半導体素子を被覆するので、特許文献2のようなBステージシートを調製する工数を削減することができる。そのため、工数を低減して、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。
According to this method, since the optical semiconductor element is coated with the coating layer of the A stage, it is possible to reduce the number of steps for preparing the B stage sheet as in
また、この方法によれば、ワニスからAステージの被覆層を製造した後、かかるAステージの被覆層によって光半導体素子を被覆するので、特許文献1のようなポッティングに比べて、被覆層を均一な厚みで調製することができる。そのため、発光効率に優れる光半導体装置を得ることができる。
Further, according to this method, after the A-stage covering layer is manufactured from the varnish, the optical semiconductor element is covered with the A-stage covering layer, so that the covering layer is more uniform than the potting as in
その結果、この方法によれば、発光効率に優れる光半導体装置を低コストで得ることができる。 As a result, according to this method, an optical semiconductor device having excellent luminous efficiency can be obtained at low cost.
また、本発明のシステムは、上記した光半導体装置の製造方法における前記被覆層製造工程の製造条件を決定および管理するシステムであって、前記システムは、製造条件決定装置と、製造管理装置とを備え、前記製造条件決定装置は、前記光半導体素子および前記光半導体装置に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備え、前記製造管理装置は、前記決定手段によって決定される前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を管理する管理手段とを備えることを特徴としている。 The system of the present invention is a system for determining and managing the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in the method for manufacturing an optical semiconductor device described above, wherein the system includes a manufacturing condition determining device and a manufacturing management device. The manufacturing condition determination device includes a first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element and the optical semiconductor device, and a second information storage area for storing second information related to the varnish. And determining means for determining the manufacturing condition based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area, The management device is based on a third information storage area for storing third information related to the manufacturing condition determined by the determination means, and the third information stored in the third information storage area. It is characterized in that it comprises a management means for managing the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process.
このシステムでは、製造条件決定装置が、第1情報格納領域と、第2情報格納領域と、決定手段とを備える一方、製造管理装置が、第3情報格納領域と、管理手段とを備える。 In this system, the manufacturing condition determination apparatus includes a first information storage area, a second information storage area, and a determination unit, while the manufacturing management apparatus includes a third information storage area and a management unit.
そして、製造条件決定装置が、第1情報および第2情報のそれぞれを、第1情報格納領域および第2情報格納領域のそれぞれに格納しており、決定手段によって、被覆層製造工程の製造条件を決定し、これを、製造管理装置に提供することができる。 The manufacturing condition determining device stores each of the first information and the second information in each of the first information storage area and the second information storage area, and the determining means determines the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process. This can be determined and provided to the manufacturing management device.
そして、製造管理装置では、製造条件決定装置から提供された製造条件に関連する第3情報を、第3情報格納領域に格納して、かかる第3情報に基づいて、管理手段によって、被覆層製造工程の製造条件を管理する。 In the production management device, the third information related to the production condition provided from the production condition determination device is stored in the third information storage area, and the coating layer is produced by the management means based on the third information. Manage process manufacturing conditions.
そのため、被覆層製造工程の製造条件を、製造管理装置とは、別途、製造条件決定装置において決定することができるとともに、製造管理装置が、管理することができる。 Therefore, the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process can be determined separately from the manufacturing management apparatus by the manufacturing condition determination apparatus, and can be managed by the manufacturing management apparatus.
また、製造条件決定装置から提供される被覆層製造工程の製造条件に関連する第3情報は、第1情報および第2情報に基づいている。そのため、製造管理装置は、製造条件決定装置から提供される第3情報に基づいて、管理手段によって、被覆層製造工程の製造条件を精度よく管理することができる。その結果、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。 Moreover, the 3rd information relevant to the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process provided from a manufacturing condition determination apparatus is based on 1st information and 2nd information. Therefore, the production management device can accurately manage the production conditions of the coating layer production process by the management means based on the third information provided from the production condition determination device. As a result, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明のシステムは、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定および管理し、前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定し、前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することが好適である。 The system of the present invention further determines and manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process, and the determining means includes the first information stored in the first information storage area and the second information storage area. The manufacturing condition of the varnish manufacturing process is further determined based on the second information stored in the varnish, and the management means determines the varnish based on the third information stored in the third information storage area. It is preferable to further manage the manufacturing conditions of the manufacturing process.
このシステムでは、決定手段が、第1情報格納領域に格納される第1情報、および、第2情報格納領域に格納される第2情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、管理手段が、第3情報格納領域に格納される第3情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに管理する。そのため、目的とする光半導体装置に適合する被覆層を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。 In this system, the determining means further determines manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area, The management means further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area. Therefore, a coating layer suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明のシステムでは、第1情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことが好適である。 In the system of the present invention, it is preferable that the first information includes information related to a substrate on which the optical semiconductor element is mounted.
このシステムによれば、第1情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むので、製造条件決定装置が、光半導体素子が実装される基板に関連する情報も、上記した各情報と併せて備えることができる。 According to this system, since the first information includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted, the manufacturing condition determining apparatus also includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted. It can be provided with information.
そのため、第1情報に基づいて決定された製造条件に関連する精度の高い第3情報に基づいて、製造管理装置は、被覆層製造工程の製造条件をより一層精度よく管理することができる。 Therefore, based on the highly accurate third information related to the manufacturing condition determined based on the first information, the manufacturing management device can manage the manufacturing condition of the coating layer manufacturing process with higher accuracy.
また、本発明のシステムでは、前記製造管理装置は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を修正する修正手段とを備えることが好適である。 In the system of the present invention, the manufacturing management device includes at least one lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or a manufacturing amount of the optical semiconductor device per unit period. Preferably, the apparatus includes a fourth information storage area that stores four information, and a correction unit that corrects the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process based on the fourth information stored in the fourth information storage area. It is.
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子のロット情報は、ロット毎に、変動する。また、単位期間当たりの光半導体装置の製造量は、単位期間毎に、変動する。そのため、ロットおよび/または単位期間毎に、製造される光半導体装置の物性が変動する場合がある。そのような場合には、製造条件決定装置が、毎回、第4情報に基づいて、製造条件を決定するのは煩雑である。 Lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element varies from lot to lot. In addition, the manufacturing amount of the optical semiconductor device per unit period varies for each unit period. Therefore, the physical properties of the manufactured optical semiconductor device may vary from lot to lot and / or unit period. In such a case, it is complicated for the manufacturing condition determination device to determine the manufacturing conditions based on the fourth information every time.
しかし、このシステムでは、製造管理装置において、修正手段によって、第4情報格納領域に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報に基づいて、被覆層製造工程の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置の製造量の変動に容易に対応して、被覆層製造工程の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。 However, in this system, in the production management apparatus, at least one lot information of particles, curable resin, varnish and optical semiconductor element stored in the fourth information storage area by the correcting means, and / or the unit period Based on the fourth information including the manufacturing amount of the hit optical semiconductor device, the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process can be corrected. Therefore, the target optical semiconductor device can be accurately manufactured by correcting the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in response to the variation in the lot information and / or the manufacturing amount of the optical semiconductor device.
また、本発明のシステムでは、前記製造条件決定装置は、前記被覆層を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆層を今回製造するための製造条件を決定することが好適である。 In the system of the present invention, the manufacturing condition determining device includes a fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the coating layer before this time, and the fifth information storage area includes the fifth information storage area. It is preferable to determine manufacturing conditions for manufacturing the coating layer this time based on the stored fifth information.
このシステムによれば、製造条件決定装置が、被覆層を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置に適合する被覆層を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を精度よく今回製造することができる。 According to this system, the manufacturing condition determination device can accumulate the fifth information related to the manufacturing conditions in which the coating layer was manufactured before this time. Therefore, based on the manufacturing conditions accumulated in the past, a coating layer suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured this time, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured accurately this time.
また、本発明のシステムでは、前記製造条件決定装置は、ネットワークを介して前記製造管理装置と遠隔通信することが好適である。 In the system of the present invention, it is preferable that the manufacturing condition determining device communicates with the manufacturing management device remotely via a network.
このシステムによれば、製造条件決定装置が、ネットワークを介して製造管理装置と遠隔通信するので、製造条件決定装置が、製造管理装置に対して遠隔に位置していても、製造条件決定装置において決定した被覆層製造工程の製造条件を、製造管理装置に迅速に提供することができる。 According to this system, since the manufacturing condition determining device communicates with the manufacturing management device remotely via the network, even if the manufacturing condition determining device is remotely located with respect to the manufacturing management device, the manufacturing condition determining device The determined manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process can be quickly provided to the manufacturing management apparatus.
また、本発明のシステムでは、前記製造管理装置は、被覆層製造装置内に設けられ、前記製造条件決定装置は、前記被覆層製造装置に対して遠端に位置する制御部門に設けられることが好適である。 In the system of the present invention, the manufacturing management device may be provided in a coating layer manufacturing device, and the manufacturing condition determination device may be provided in a control department located at a far end with respect to the coating layer manufacturing device. Is preferred.
このシステムによれば、製造管理装置が、被覆層製造装置内に設けられ、製造条件決定装置が、被覆層製造装置に対して遠端に位置する制御部門に設けられていても、製造条件決定装置が、ネットワークを介して製造管理装置と遠隔通信するので、制御部門の製造条件決定装置において決定した被覆層製造工程の製造条件を、製造管理装置に迅速に提供することができる。 According to this system, the manufacturing management device is provided in the coating layer manufacturing device, and the manufacturing condition determination device is determined even if the manufacturing condition determination device is provided in the control department located at the far end with respect to the coating layer manufacturing device. Since the apparatus remotely communicates with the manufacturing management apparatus via the network, the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process determined by the manufacturing condition determining apparatus in the control department can be quickly provided to the manufacturing management apparatus.
本発明の製造条件決定装置は、上記した光半導体装置の製造方法における前記被覆層製造工程の製造条件を決定するための製造条件決定装置であって、前記光半導体素子に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備えることを特徴としている。 The manufacturing condition determining apparatus of the present invention is a manufacturing condition determining apparatus for determining manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in the above-described manufacturing method of an optical semiconductor device, and includes first information related to the optical semiconductor element. A first information storage area for storing; a second information storage area for storing second information relating to the varnish; the first information stored in the first information storage area; and the second information storage area Determining means for determining the manufacturing condition based on the second information stored in the storage device.
この製造条件決定装置は、第1情報格納領域と、第2情報格納領域と、決定手段とを備える。 The manufacturing condition determining apparatus includes a first information storage area, a second information storage area, and a determination unit.
そのため、この製造条件決定装置によれば、第1情報および第2情報のそれぞれを、第1情報格納領域および第2情報格納領域のそれぞれに格納して、決定手段によって、被覆層製造工程の製造条件を決定することができる。 Therefore, according to this manufacturing condition determination device, each of the first information and the second information is stored in each of the first information storage area and the second information storage area, and the determination means manufactures the coating layer manufacturing process. Conditions can be determined.
その結果、かかる被覆層製造工程の製造条件に基づけば、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。 As a result, based on the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明の製造条件決定装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定することが好適である。 Further, the manufacturing condition determining apparatus of the present invention further determines manufacturing conditions of the varnish manufacturing process, and the determining means stores the first information stored in the first information storage area and the second information storing. It is preferable that the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process are further determined based on the second information stored in the region.
この製造条件決定装置では、決定手段が、第1情報格納領域に格納される第1情報、および、第2情報格納領域に格納される第2情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに決定する。そのため、目的とする光半導体装置に適合する被覆層を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。 In the manufacturing condition determining apparatus, the determining means further determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. decide. Therefore, a coating layer suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明の製造条件決定装置では、前記第1情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことが好適である。 In the manufacturing condition determining apparatus of the present invention, it is preferable that the first information includes information related to a substrate on which the optical semiconductor element is mounted.
この製造条件決定装置によれば、第1情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むので、製造条件決定装置が、光半導体素子が実装される基板に関連する情報も、上記した各情報と併せて備えることができる。 According to this manufacturing condition determining apparatus, since the first information includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted, the manufacturing condition determining apparatus also includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted. It can be provided together with each of the information described above.
そのため、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。 Therefore, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明の製造条件決定装置は、前記被覆層を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆層を今回製造するための製造条件を決定することが好適である。 Moreover, the manufacturing condition determination apparatus of the present invention includes a fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the coating layer before this time, and is stored in the fifth information storage area. It is preferable to determine manufacturing conditions for manufacturing the coating layer this time based on the fifth information.
この製造条件決定装置によれば、被覆層を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置に適合する被覆層を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を精度よく今回製造することができる。 According to this manufacturing condition determining apparatus, it is possible to accumulate the fifth information related to the manufacturing conditions for manufacturing the coating layer before this time. Therefore, based on the manufacturing conditions accumulated in the past, a coating layer suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured this time, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured accurately this time.
本発明の製造管理装置は、上記した光半導体装置の製造方法における前記被覆層製造工程の製造条件を管理するための製造管理装置であって、前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を管理する管理手段とを備えることを特徴としている。 The production management apparatus of the present invention is a production management apparatus for managing the production conditions of the coating layer production process in the method for producing an optical semiconductor device described above, and stores third information relating to the production conditions. 3 information storage area, and the management means which manages the said manufacturing conditions of the said coating layer manufacturing process based on the said 3rd information stored in the said 3rd information storage area, It is characterized by the above-mentioned.
この製造管理装置によれば、被覆層製造工程の製造条件に関連する第3情報を、第3情報格納領域に格納して、かかる第3情報に基づいて、管理手段によって、被覆層製造工程の製造条件を精度よく管理することができる。 According to this manufacturing management apparatus, the third information related to the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process is stored in the third information storage area, and based on the third information, the management means performs the process of the coating layer manufacturing process. Manufacturing conditions can be managed with high accuracy.
そのため、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。 Therefore, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明の製造管理装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに管理し、前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することが好適である。 The production management device of the present invention further manages the production conditions of the varnish production process, and the management means performs the varnish production process based on the third information stored in the third information storage area. It is preferable to further manage the manufacturing conditions.
この製造管理装置によれば、管理手段が、第3情報格納領域に格納される第3情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに管理するので、目的とする光半導体装置に適合する被覆層を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。 According to this manufacturing management apparatus, since the management means further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area, the covering suitable for the target optical semiconductor device The layer can be manufactured with high accuracy, and the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
また、本発明の製造管理装置は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を修正する修正手段とを備えることが好適である。 The production management device of the present invention stores at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or fourth information including the production amount of the optical semiconductor device per unit period. Preferably, the information processing apparatus includes a fourth information storage area to be corrected, and correction means for correcting the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process based on the fourth information stored in the fourth information storage area.
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子のロット情報は、ロット毎に、変動する。また、単位期間当たりの光半導体装置の製造量は、単位期間毎に、変動する。そのため、ロットおよび/または単位期間毎に、製造される光半導体装置の物性が変動する場合がある。そのような場合には、製造条件決定装置が、毎回、第4情報に基づいて、製造条件を決定するのは煩雑である。 Lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element varies from lot to lot. In addition, the manufacturing amount of the optical semiconductor device per unit period varies for each unit period. Therefore, the physical properties of the manufactured optical semiconductor device may vary from lot to lot and / or unit period. In such a case, it is complicated for the manufacturing condition determination device to determine the manufacturing conditions based on the fourth information every time.
しかし、この製造管理装置では、修正手段によって、第4情報格納領域に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報に基づいて、被覆層製造工程の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置の製造量の変動に容易に対応して、被覆層製造工程の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。 However, in this production management apparatus, the correction means stores at least one lot information of particles, curable resin, varnish and optical semiconductor element and / or light per unit period stored in the fourth information storage area. Based on the fourth information including the manufacturing amount of the semiconductor device, the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process can be corrected. Therefore, the target optical semiconductor device can be accurately manufactured by correcting the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in response to the variation in the lot information and / or the manufacturing amount of the optical semiconductor device.
本発明の光半導体装置の製造方法によれば、発光効率に優れる光半導体装置を低コストで得ることができる。 According to the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, an optical semiconductor device having excellent light emission efficiency can be obtained at low cost.
本発明の製造条件決定装置および製造管理装置を備える、本発明のシステムによれば、製造管理装置とは、別途、製造条件決定装置において決定することができるとともに、製造管理装置が、管理することができる。また、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。 According to the system of the present invention including the manufacturing condition determining device and the manufacturing management device of the present invention, the manufacturing management device can be determined separately from the manufacturing management device and managed by the manufacturing management device. Can do. Moreover, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.
本発明の光半導体装置の製造方法の一実施形態は、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、ワニスからAステージの被覆層を製造する被覆層製造工程、および、Aステージの被覆層によって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える。以下、各工程について詳述する。 One embodiment of a method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention includes a varnish manufacturing process for manufacturing a varnish containing particles and a curable resin, a coating layer manufacturing process for manufacturing an A stage coating layer from the varnish, and an A stage A coating step of coating the optical semiconductor element with the coating layer; Hereinafter, each process is explained in full detail.
<ワニス製造工程>
粒子としては、例えば、蛍光体、充填剤などが挙げられる。
<Varnish manufacturing process>
Examples of the particles include phosphors and fillers.
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。 The phosphor has a wavelength conversion function, and examples thereof include a yellow phosphor capable of converting blue light into yellow light, and a red phosphor capable of converting blue light into red light.
黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)2SiO4;Eu、(Sr,Ba)2SiO4:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、Y3Al5O12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。 Examples of the yellow phosphor include silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 ; Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)), such as Y 3 Al. Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce), Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium, aluminum, garnet): Ce) Examples thereof include oxynitride phosphors such as Ca-α-SiAlON.
赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。 Examples of the red phosphor include nitride phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu and CaSiN 2 : Eu.
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。 Examples of the shape of the phosphor include a spherical shape, a plate shape, and a needle shape.
蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。 The average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a sphere, the average particle diameter) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 1 μm or more, and for example, 200 μm or less, preferably 100 μm or less. It is.
蛍光体の吸収ピーク波長は、例えば、300nm以上、好ましくは、430nm以上であり、また、例えば、550nm以下、好ましくは、470nm以下である。 The absorption peak wavelength of the phosphor is, for example, 300 nm or more, preferably 430 nm or more, and, for example, 550 nm or less, preferably 470 nm or less.
蛍光体は、単独使用または併用することができる。 The phosphors can be used alone or in combination.
蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、例えば、80質量部以下、好ましくは、50質量部以下である。 The blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 80 parts by mass or less, preferably 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curable resin. Or less.
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子(具体的には、シリコーンゴム粒子を含む)などの有機微粒子、例えば、シリカ(例えば、煙霧シリカなど)、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子などが挙げられる。また、充填剤の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。充填剤は、単独使用または併用することができる。充填剤の配合割合は、硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、また、例えば、70質量部以下、好ましくは、50質量部以下である。 Examples of the filler include organic fine particles such as silicone particles (specifically, including silicone rubber particles), inorganic fine particles such as silica (for example, fumed silica), talc, alumina, aluminum nitride, and silicon nitride. Etc. Further, the average value of the maximum length of the filler (in the case of a spherical shape, the average particle diameter) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 1 μm or more, and, for example, 200 μm or less, preferably 100 μm or less. The filler can be used alone or in combination. The blending ratio of the filler is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 70 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass of the curable resin. It is 50 parts by mass or less.
硬化性樹脂としては、例えば、1段階硬化型樹脂が挙げられる。 An example of the curable resin is a one-step curable resin.
1段階硬化型樹脂は、1段階の反応機構を有しており、1段階目の反応で完全硬化する硬化性樹脂である。1段階硬化型樹脂としては、例えば、加熱により硬化する1段階硬化型熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線(例えば、紫外線、電子線など)の照射により硬化する1段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。好ましくは、1段階硬化型熱硬化性樹脂が挙げられる。 The one-step curable resin has a one-step reaction mechanism and is a curable resin that is completely cured by the first-step reaction. As the one-step curable resin, for example, a one-step curable thermosetting resin that is cured by heating, for example, one-step curable active energy ray curing that is cured by irradiation with active energy rays (for example, ultraviolet rays, electron beams, etc.). For example, a functional resin. Preferably, a one-step curable thermosetting resin is used.
具体的には、1段階硬化型熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、透光性および耐久性の観点から、1段階硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。 Specifically, examples of the one-step curable thermosetting resin include silicone resin, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin. Preferably, a one-step curable silicone resin is used from the viewpoint of translucency and durability.
Aステージの1段階硬化型樹脂の粘度は、例えば、1,000mPa・s以上、好ましくは、3,000mPa・s以上、より好ましくは、5,000mPa・s以上であり、また、例えば、1,000,000mPa・s以下、好ましくは、500,000mPa・s以下、より好ましくは、200,000mPa・s以下である。なお、Aステージの1段階硬化型樹脂の粘度は、Aステージの1段階硬化型樹脂を25℃に温度調節し、E型コーンを用いて、回転数99s-1で測定される。以下の粘度は、上記と同様の方法によって、測定される。 The viscosity of the A-stage one-stage curable resin is, for example, 1,000 mPa · s or more, preferably 3,000 mPa · s or more, more preferably 5,000 mPa · s or more. 1,000,000 mPa · s or less, preferably 500,000 mPa · s or less, more preferably 200,000 mPa · s or less. The viscosity of the A-stage one-stage curable resin is measured at a rotational speed of 99 s −1 by adjusting the temperature of the A-stage one-stage curable resin to 25 ° C. and using an E-type cone. The following viscosities are measured by the same method as described above.
硬化性樹脂の配合割合は、ワニス(以下、粒子含有硬化性樹脂組成物という場合がある。)に対して、例えば、30質量%以上、好ましくは、40質量%以上、より好ましくは、50質量%以上であり、また、例えば、98質量%以下、好ましくは、95質量%以下、より好ましくは、90質量%以下である。 The blending ratio of the curable resin is, for example, 30% by mass or more, preferably 40% by mass or more, and more preferably 50% by mass with respect to the varnish (hereinafter may be referred to as a particle-containing curable resin composition). % Or more, for example, 98% by mass or less, preferably 95% by mass or less, and more preferably 90% by mass or less.
また、粒子含有硬化性樹脂組成物には、必要により、溶媒を含有させることもできる。 Moreover, a solvent can also be contained in the particle-containing curable resin composition as necessary.
溶媒としては、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、キシレンなどの芳香族炭化水素、例えば、ビニルメチル環状シロキサン、両末端ビニルポリジメチルシロキサンなどのシロキサンなどが挙げられる。溶媒は、粒子含有硬化性樹脂組成物が後述する粘度となるような配合割合で、粒子含有硬化性樹脂組成物に配合される。 Examples of the solvent include aliphatic hydrocarbons such as hexane, aromatic hydrocarbons such as xylene, and siloxanes such as vinylmethyl cyclic siloxane and both-end vinyl polydimethylsiloxane. A solvent is mix | blended with a particle | grain containing curable resin composition by the compounding ratio which becomes a viscosity which a particle | grain containing curable resin composition mentions later.
粒子含有硬化性樹脂組成物を調製するには、所望の粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、粒子が蛍光体を含む場合には、蛍光体の吸収ピーク波長、ワニスの粘度などに基づいて、配合する。続いて、攪拌機などを用いてそれらを混合する。 In order to prepare the particle-containing curable resin composition, the desired particle type, the mixing ratio of the particles, the average value of the maximum length of the particles, the type of the curable resin, the viscosity of the curable resin, the compounding of the curable resin When the ratio and particles contain a phosphor, they are blended based on the absorption peak wavelength of the phosphor, the viscosity of the varnish, and the like. Subsequently, they are mixed using a stirrer or the like.
これによって、Aステージのワニスを調製する。 In this way, an A-stage varnish is prepared.
つまり、ワニスは、Aステージの硬化性樹脂を含むため、Aステージのワニスとされる。 That is, since the varnish contains the A-stage curable resin, the varnish is the A-stage varnish.
ワニスの25℃、1気圧の条件下における粘度は、ワニスが離型シート28(後述、図1A参照)の上面の周端部からこぼれない程度に設定されており、具体的には、例えば、1,000mPa・s以上、好ましくは、4,000mPa・s以上、より好ましくは、8,000mPa・sであり、また、例えば、1,000,000mPa・s以下、好ましくは、500,000mPa・s以下、より好ましくは、200,000mPa・s以下である。 The viscosity of the varnish at 25 ° C. and 1 atm is set to such an extent that the varnish does not spill from the peripheral edge of the upper surface of the release sheet 28 (described later, see FIG. 1A). 1,000 mPa · s or more, preferably 4,000 mPa · s or more, more preferably 8,000 mPa · s, for example, 1,000,000 mPa · s or less, preferably 500,000 mPa · s. Hereinafter, it is more preferably 200,000 mPa · s or less.
<被覆層製造工程>
ワニスからAステージの被覆層を製造するには、図1Aに示すように、例えば、まず、ワニスを、離型シート28の表面に塗布する。
<Coating layer manufacturing process>
In order to produce the A-stage coating layer from the varnish, for example, first, the varnish is applied to the surface of the
離型シート28としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム(PETなど)などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート28の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。
Examples of the
ワニスを離型シート28の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が挙げられ、好ましくは、ディスペンサが挙げられる。
In order to apply the varnish to the surface of the
塗布されたAステージの被覆層50の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、2,000μm以下、好ましくは、1,000μm以下である。
The thickness of the coated
ワニスが溶媒を含有する場合には、塗布後の被覆層50を加熱することもできる。なお、加熱条件は、硬化性樹脂の硬化反応が実質的に促進しない条件であって、具体的には、温度が、例えば、40℃以上、好ましくは、60℃以上であり、また、例えば、150℃以下、好ましくは、130℃以下である。また、加熱時間は、例えば、1分間以上、好ましくは、5分間以上であり、また、例えば、60分間以下、好ましくは、40分間以下である。
When a varnish contains a solvent, the
<被覆工程>
Aステージの被覆層50によって光半導体素子13を被覆するには、例えば、まず、図1Aに示すように、光半導体素子13が実装された基板14を用意する。
<Coating process>
In order to cover the
基板14は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板が挙げられる。基板14の外形形状としては、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状、平面視略円形状などが挙げられる。基板14の寸法は適宜選択され、例えば、最大長さが、例えば、2mm以上、好ましくは、10mm以上であり、また、例えば、300mm以下、好ましくは、100mm以下である。
Examples of the
また、基板14の表面には、次に説明する光半導体素子13の端子(図示せず)と電気的に接続するための電極(図示せず)と、それに連続する配線とを備える導体パターン(図示せず)が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体が挙げられる。
Further, on the surface of the
また、基板14の表面は、平坦状に形成されている。あるいは、図示しないが、基板14における光半導体素子13が実装される表面(図1における下面)に、裏面(図1における上面)に向かって凹む凹部が形成されていてもよい。
Further, the surface of the
光半導体素子13は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するLED(発光ダイオード素子)やLD(レーザーダイオード)などであり、例えば、厚みが面方向長さ(厚み方向に対する直交方向長さ)より短い断面視略矩形状が挙げられる。光半導体素子13として、好ましくは、青色光を発光する青色LEDが挙げられる。光半導体素子13の寸法は、用途および目的に応じて適宜選択され、具体的には、厚みが、例えば、10μm以上、1000μm以下であり、最大長さが、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、2mm以下である。
The
光半導体素子13の発光ピーク波長は、例えば、400nm以上、好ましくは、430nm以上であり、また、例えば、500nm以下、好ましくは、470nm以下である。
The emission peak wavelength of the
光半導体素子13は、基板14に対して、例えば、フリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。
The
また、光半導体素子13を、1つの基板14に対して、複数(図1では3つ)実装することができる。1つの基板14当たりの光半導体素子13の実装数は、例えば、1以上、好ましくは、4以上であり、また、例えば、2000以下、好ましくは、400以下である。
Also, a plurality (three in FIG. 1) of
次いで、この方法では、光半導体素子13が実装された基板14を、積層装置35に設置する。積層装置35は、上下方向に間隔を隔てて対向配置され、積層装置35および基板14を上下方向に移動可能な2枚の平板41を有する。
Next, in this method, the
光半導体素子13が実装された基板14を、積層装置35に設置するには、具体的には、光半導体素子13が下方に向かうように、基板14を下側の平板41に設置する。
In order to install the
別途、離型シート28の上面に設けられる被覆層50を、光半導体素子13の下側に対向配置させる。つまり、被覆層50が光半導体素子13に(すなわち、下側に)向かうように、離型シート28を下側の平板41の上面に配置する。
Separately, a
次いで、図1Bに示すように、被覆層50によって光半導体素子13を被覆する。被覆層50によって光半導体素子13を埋設する。具体的には、積層装置35によって、基板14と被覆層50とを互いに近接させて積層する。詳しくは、図1Aの矢印および図1Bで示すように、光半導体素子13が実装された基板14を、被覆層50が設けられた離型シート28に対して降下させる(押し下げる)。つまり、上側の平板41を降下させる。あるいは、図1Aの仮想線矢印および図1Bで示すように、被覆層50が設けられた離型シート28を、光半導体素子13が実装された基板14に対して上昇させる(押し上げる)。つまり、下側の平板41を上昇させる。
Next, as shown in FIG. 1B, the
これによって、被覆層50によって光半導体素子13を被覆する。つまり、被覆層50によって光半導体素子13を埋設する。
Thus, the
その後、Aステージの被覆層50をCステージ化(完全硬化)する。
Thereafter, the
例えば、硬化性樹脂が熱硬化性樹脂であれば、Aステージの被覆層50を加熱する。
For example, if the curable resin is a thermosetting resin, the
詳しくは、具体的には、積層装置35による被覆層50に対する挟持状態を維持しながら、オーブン(図示せず)内に投入する。これによって、Aステージの被覆層50を加熱する。
Specifically, it is put into an oven (not shown) while maintaining the sandwiched state of the
加熱温度は、例えば、80℃以上、好ましくは、100℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下である。また、加熱時間は、例えば、10分間以上、好ましくは、30分間以上であり、また、例えば、10時間以下、好ましくは、5時間以下である。 The heating temperature is, for example, 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, and for example, 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower. The heating time is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, and for example, 10 hours or less, preferably 5 hours or less.
被覆層50の加熱によって、Aステージの被覆層50がCステージ化(完全硬化)する。
By heating the
一方、硬化性樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂であれば、被覆層50に活性エネルギー線を照射する。これによって、Aステージの被覆層50をCステージ化(完全硬化)させる。具体的には、紫外線ランプなどを用いてAステージの被覆層50に紫外線を照射する。
On the other hand, if the curable resin is an active energy ray curable resin, the
これによって、被覆層50と、被覆層50によって封止される光半導体素子13と、光半導体素子13が実装された基板14とを備える光半導体装置20が製造される。
Thus, the
図1Bでは、1つの光半導体装置20において、複数(3つ)の光半導体素子13が設けられている。
In FIG. 1B, a plurality of (three)
その後、図1Cに示すように、離型シート28を、矢印で示すように、被覆層50から引き剥がす。
Thereafter, as shown in FIG. 1C, the
なお、その後、必要により、複数の光半導体素子13が1つの基板14に実装される場合には、各光半導体素子13に対応して、被覆層50を切断して個片化することもできる。
After that, if necessary, when a plurality of
[光半導体装置の製造方法の作用効果]
この方法によれば、Aステージの被覆層50によって光半導体素子13を被覆するので、特許文献2のようなBステージシートを調製する工数を削減することができる。そのため、工数を低減して、製造条件決定装置20の製造効率を向上させることができる。
[Operational effect of optical semiconductor device manufacturing method]
According to this method, since the
また、この方法によれば、ワニスからAステージの被覆層50を製造した後、かかるAステージの被覆層50によって光半導体素子13を被覆するので、特許文献1のようなポッティングに比べて、被覆層50を均一な厚みで調製することができる。そのため、発光効率に優れる光半導体装置20を得ることができる。
Further, according to this method, since the
その結果、この方法によれば、発光効率に優れる光半導体装置20を低コストで得ることができる。
As a result, according to this method, the
[変形例]
図1Bの被覆工程では、2つの平板41を備える積層装置35を用いて、枚葉式の被覆層50および離型シート28を、光半導体素子13が実装された基板14に積層しているが、例えば、図示しないが、ロール装置などを用いて、長尺状の被覆層50および離型シート28を、複数の光半導体素子13が実装された基板14に連続して積層することもできる。
[Modification]
In the coating process of FIG. 1B, the sheet-fed
この方法によれば、光半導体装置20の製造効率をより一層向上させることができる。
According to this method, the manufacturing efficiency of the
[システムの構成]
次に、上記した光半導体装置20の製造方法における被覆層製造工程の製造条件を決定および管理するシステムについて説明する。
[System configuration]
Next, a system for determining and managing the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in the method for manufacturing the
図2に示すように、このシステム1は、封止層製造工場の制御部門5と、その封止層製造工場とは別途設けられる光半導体装置製造工場4とに設けられるシステムである。システム1は、粒子および硬化性樹脂を含むワニス11を製造するワニス製造工程S1、ワニス11からAステージの被覆層の一例としての封止層12を製造する封止層製造工程S2(被覆層製造工程の一例)、および、封止層12によって光半導体素子13を封止する封止工程S3(被覆工程の一例)を備える光半導体装置20の製造方法におけるワニス製造工程S1および封止層製造工程S2の製造条件を決定および管理する。システム1は、製造条件決定装置2と、製造管理装置としての封止層製造管理装置3とを備える。
As shown in FIG. 2, the
制御部門5は、例えば、光半導体装置製造工場4の封止層製造装置34(後述)で製造する封止層12と同様の封止層12を製造可能な封止層製造工場内に設けられている。
The
制御部門5は、製造条件決定装置2を備える。
The
製造条件決定装置2は、第1情報格納領域としての第1メモリ6と、第2情報格納領域としての第2メモリ7と、決定手段としての第1CPU8と、第5情報格納領域としての第5メモリ10とを備える。
The manufacturing
第1メモリ6は、光半導体素子13、光半導体素子13が実装される基板14、光半導体装置20に関連する第1情報15を格納する。
The
第1情報15としては、具体的には、光半導体素子13に関連する情報として、例えば、光半導体素子13の形状、光半導体素子13の寸法、光半導体素子13の発光ピーク波長、基板14の単位面積当たりの光半導体素子13の実装数、1つの基板14当たりの光半導体素子13の実装数などが挙げられる。
Specifically, as the
また、第1情報15としては、具体的には、基板14に関連する情報として、例えば、基板14の外形形状、基板14の寸法、基板14の表面形状(凹部の有無など)などが挙げられる。
As the
さらに、第1情報15としては、具体的には、光半導体装置20に関連する情報として、例えば、光半導体装置20の色温度、光半導体装置20の全光束、光半導体装置20の配光特性などが挙げられる。具体的には、目標となる色温度は、目標とする光の色が昼白色である場合には、例えば、4600K以上であり、また、例えば、5500K以下である。また、目標となる色温度は、目標とする光の色が温白色である場合には、例えば、3250K以上であり、また、例えば、3800K以下である。目標となる色温度は、上記温度範囲から選択される。
Further, as the
第1メモリ6は、光半導体装置製造工場4が有する第1情報源21から入力されるように構成されている。
The
第2メモリ7は、ワニス11に関連する第2情報16を格納する。
The second memory 7 stores
第2情報16としては、具体的には、粒子に関連する情報として、例えば、粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値(粒子が球形状である場合には、平均粒子径)などが挙げられる。なお、粒子が上記した蛍光体を含む場合には、粒子に関連する情報として、蛍光体の吸収ピーク波長も挙げられる。また、第2情報16としては、具体的には、硬化性樹脂に関連する情報として、例えば、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、硬化性樹脂の硬化速度などが挙げられる。さらに、第2情報16としては、具体的には、ワニスに関連する情報として、例えば、ワニスの粘度が挙げられる。さらにまた、第2情報16として、上記した離型シート28に位置決めマーク(図示せず)が設けられている場合には、塗布後の複数のワニス11の相対位置情報なども挙げられる。
Specifically, as the
第2情報16は、封止層製造工場の制御部門5が有する第2情報源22から入力されるように構成されている。
The
第1CPU8は、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて、封止層12の製造条件を決定する決定装置である。
The
第1CPU8には、所定のプログラム処理が予め格納されており、第1CPU8は、プログラム処理に従って、封止層12の製造条件を決定する。
The
封止層12の製造条件としては、例えば、ワニス11の塗布条件などが挙げられる。なお、ワニスが溶媒を含有する場合には、ワニスを加熱によって乾燥する際の加熱条件なども挙げられる。
Examples of manufacturing conditions for the
ワニス11の塗布条件としては、例えば、塗布直後のワニス11の形状、塗布直後のワニス11の厚みなどが挙げられる。なお、上記した形状には、ワニス11が互いに間隔を隔てられた形状を含む。
Examples of application conditions for the
第1CPU8は、第1メモリ6に格納される第1情報15と、第2メモリ7に格納される第2情報16とを、読み出し可能に構成されている。
The
第5メモリ10は、第1CPU8によって決定された封止層12の製造条件を格納する領域である。
The
なお、第5メモリ10には、封止層12を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報19を記録可能な記録領域(図示せず)が設けられている。なお、記録領域に記録されて蓄積される第5情報19は、今回の製造において第1CPU8によって読み出され、再度、第1CPU8によって、封止層12の製造条件を決定するように、構成されている。
The
光半導体装置製造工場4は、封止層製造装置34と、封止装置32とを備える。
The optical semiconductor device manufacturing factory 4 includes a sealing
封止層製造装置34は、ワニス製造装置33と、塗布装置31と、封止層製造管理装置3とを備える。
The sealing
ワニス製造装置33は、例えば、攪拌機51を装備する容器52を備える。
The
塗布装置31は、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどを備える。また、塗布装置31は、図示しないが、間隔を隔てて配置されるヒータを有するオーブンを備えることもできる。
The
封止層製造管理装置3は、第3情報格納領域としての第3メモリ23と、第4情報格納領域としての第4メモリ24と、管理手段である修正手段としての第2CPU25とを備える。
The sealing layer
第3メモリ23は、第1CPU8によって決定される封止層12の製造条件に関連する第3情報17を格納する。
The
第3情報17は、第1CPU8によって決定される封止層12の製造条件を含む。
The
第3メモリ23は、第5メモリ10において決定される第3情報17が、第5メモリ10から入力されるように構成されている。
The
第4メモリ24は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子13の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量を含む第4情報18を格納する。
The
ロット情報は、ロットの変更に伴って変動する情報であって、具体的には、ロットによって異なる粒子の最大長さの平均値(粒子が球形状である場合には、平均粒子径)、などが挙げられ、また、ロットによって異なる硬化性樹脂の粘度などが挙げられる。なお、粒子が、蛍光体を含む場合には、蛍光体のロット情報として、ロットによって異なる蛍光体の吸収ピーク波長が挙げられる。さらに、ロットによって異なるワニスに関連する情報として、上記粒子および/または硬化性樹脂のロットが異なることに起因する、ワニスの粘度が挙げられる。 The lot information is information that fluctuates with the change of the lot, and specifically, the average value of the maximum length of particles that differ depending on the lot (the average particle diameter when the particles are spherical), etc. In addition, the viscosity of the curable resin, which varies depending on the lot, may be used. In addition, when particle | grains contain fluorescent substance, the absorption peak wavelength of the fluorescent substance which changes with lots is mentioned as lot information of fluorescent substance. Furthermore, information related to varnishes that vary from lot to lot includes the viscosity of the varnish resulting from different lots of the particles and / or curable resin.
単位期間当たりの光半導体装置20の製造量としては、1月間当たりの光半導体装置20の製造量として、例えば、1,000個以上、好ましくは、5,000個以上であり、また、例えば、200,000個以下の範囲から選択される。
The production amount of the
第4メモリ24は、光半導体装置製造工場4における第1情報源21、および、制御部門5における第2情報源22から、第4情報18が入力されるように構成されている。
The
第4情報18のうち、第1情報源21から入力される第4情報18Bとしては、例えば、光半導体素子13のロット情報、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量が挙げられ、また、第2情報源22から入力される第4情報18Aとしては、例えば、粒子のロット情報、硬化性樹脂のロット情報、ワニスのロット情報が挙げられる。
Among the
第2CPU25には、所定のプログラム処理が予め格納されており、第2CPU25は、第3メモリ23に格納される第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を管理する。また、第2CPU25は、第4メモリ24に格納される第4情報18に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を修正することもできる。
Predetermined program processing is stored in advance in the
第2CPU25は、第3メモリ23に格納される第3情報17、および、第4メモリ24に格納される第4情報18を、読み出し可能に構成されている。
The
第2CPU25は、ワニス製造装置33および塗布装置31のそれぞれに、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件のそれぞれを管理可能かつ修正可能に構成されている。
The
封止装置32は、積層装置35と、封止制御装置36とを備える。
The sealing
積層装置35は、例えば、上下方向に間隔を隔てて対向配置され、封止層12および基板14を上下方向に移動可能な2枚の平板41を有する積層機などが選択される。
As the
封止制御装置36は、封止工程S3の封止条件を制御できるように構成されている。なお、封止制御装置36には、図示しないメモリが設けられ、第1情報源21から封止工程S3の封止条件が入力され、そして、封止工程S3の封止条件を制御するように、構成されている。
The sealing
次に、このシステム1を利用して、光半導体装置製造工場4において光半導体装置20を製造する方法について、説明する。
Next, a method for manufacturing the
1.製造条件決定工程
この方法では、まず、第1情報15を、第1情報源21から第1メモリ6に入力する。第1情報15を第1メモリ6へ入力するには、特に限定されず、例えば、第1情報源21と第1メモリ6とを接続するネットワークなどの回線を通じて、第1情報15を入力したり、あるいは、例えば、第1情報源21から、ファクス、メール、郵便などの通信手段を介した後、第1情報15を第2メモリ7に入力することもできる。
1. Manufacturing Condition Determination Step In this method,
別途、第2情報16を、第2情報源22から第2メモリ7に入力する。第2情報16を第2メモリ7に入力する方法は、第1情報15の第1メモリ6への入力方法と同様である。
Separately, the
次に、第1CPU8が、第1メモリ6に格納される第1情報15と、第2メモリ7に格納される第2情報16とを読み出し、続いて、所定のプログラム処理に従い、これら第1情報15および第2情報16に基づいて、封止層12の製造条件を第3情報17(次に詳述される)として決定する。
Next, the
2.製造管理工程
その後、第1CPU8によって決定された第3情報17は、第5メモリ10に記録され、続いて、第5メモリ10に記録された第3情報17は、第3メモリ23に入力される。
2. Manufacturing management process Thereafter, the
第3情報17を第3メモリ23に入力する方法は、第1情報15の第1メモリ6への入力方法と同様である。
The method for inputting the
別途、第4情報18を、第1情報源21および第2情報源22から第4メモリ24に入力する。第4情報18を第4メモリ24に入力する方法は、第1情報15の第1メモリ6への入力方法と同様である。
Separately, the
その後、第2CPU25が、第3メモリ23に格納される第3情報17を読み出し、続いて、所定のプログラム処理に従い、第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を管理する。
Thereafter, the
そして、封止層製造装置34では、第2CPU25によって管理される製造条件に基づいて、ワニス製造工程S1および封止層製造工程S2を順次実施する。
And in the sealing
3.ワニス製造工程S1
ワニス製造装置33では、まず、ワニス製造工程S1を、第2CPU25によって管理される製造条件に従って、実施する。
3. Varnish manufacturing process S1
In the
具体的には、ワニス製造工程S1では、まず、粒子および硬化性樹脂のそれぞれを用意し、これらを混合して、ワニス11を粒子含有硬化性樹脂組成物として調製する。
Specifically, in varnish manufacturing process S1, first, each of particle | grains and curable resin is prepared, these are mixed, and
粒子は、例えば、上記の例示から選択され、具体的には、蛍光体、充填剤から選択される。 The particles are selected from, for example, the above examples, specifically, phosphors and fillers.
蛍光体の形状は、上記した例示から選択される。蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、上記した例示の範囲から選択される。蛍光体の吸収ピーク波長は、上記した例示の範囲から選択される。蛍光体の配合割合は、上記した例示の範囲から選択される。 The shape of the phosphor is selected from the above examples. The average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a spherical shape, the average particle diameter) is selected from the above exemplary range. The absorption peak wavelength of the phosphor is selected from the above exemplary range. The blending ratio of the phosphor is selected from the above-described exemplary range.
充填剤は、上記した例示から選択される。充填剤の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、上記した例示の範囲から選択される。充填剤の配合割合は、上記した例示の範囲から選択される。 The filler is selected from the above examples. The average value of the maximum length of the filler (in the case of a spherical shape, the average particle diameter) is selected from the above-described exemplary range. The blending ratio of the filler is selected from the above exemplary range.
硬化性樹脂は、上記した例示から選択される。Aステージの1段階硬化型樹脂の粘度は、上記した例示の範囲から選択される。硬化性樹脂の配合割合は、上記した例示の範囲から選択される。 The curable resin is selected from the above examples. The viscosity of the A-stage one-stage curable resin is selected from the above-described exemplary range. The blending ratio of the curable resin is selected from the above-described exemplary range.
粒子含有硬化性樹脂組成物を調製するには、具体的には、図2に示すように、ワニス製造装置33において、容器52内に上記した各成分を、第2CPU25によって管理された、ワニス製造工程S1の製造条件、例えば、第2CPU25によって管理されるワニス11の種類、より具体的には、第2CPU25によって管理された、粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値(粒子が球形状である場合には、平均粒子径)、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、粒子が蛍光体を含む場合には、蛍光体の吸収ピーク波長、ワニス11の粘度などに基づいて、配合する。続いて、攪拌機51を用いてそれらを混合する。
In order to prepare the particle-containing curable resin composition, specifically, as shown in FIG. 2, in the
これによって、Aステージのワニス11を調製する。
In this way,
ワニス11の25℃、1気圧の条件下における粘度は、上記した例示の範囲内となるように、調整される。
The viscosity of the
4.封止層製造工程S2
塗布装置31では、ワニス製造工程S1の後に、封止層製造工程S2を、第2CPU25によって管理される製造条件に従って、実施する。
4). Sealing layer manufacturing process S2
In the
すなわち、ワニス11から封止層12を製造する。
That is, the
封止層12を製造するには、例えば、まず、ワニス11を、離型シート28の表面に塗布する。
In order to manufacture the
離型シート28は、上記した例示から選択される。離型シート28の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状(短冊状、長尺状を含む)などから選択される。さらに、離型シート28としては、位置決めマーク(図示せず)の形成の有無、さらには、位置決めマークの位置情報、寸法などが選択される。マークは、ワニス11が塗布される領域が確保されるように、形成される。
The
ワニス11を離型シート28の表面に塗布する塗布装置31として、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどから選択される。好ましくは、ディスペンサから選択される。
The
封止層12の厚みが、上記した例示の範囲となるように、ワニス11の塗布条件から選択される。
The thickness of the
つまり、ワニス11を、第2CPU25によって管理される製造条件、具体的には、第2CPU25によって管理される、塗布直後のワニス11の形状、塗布直後のワニス11の厚みに調節されるように、塗布装置31の塗布条件から選択される。
That is, the
なお、離型シート28に位置決めマーク(図示せず)が形成されている場合には、塗布装置31に装備されるセンサ(図示せず)によって、位置決めマークに対する塗布位置を確認しながら、位置決めマークに対するワニス11の相対位置が調節される。
When a positioning mark (not shown) is formed on the
その後、ワニス11が溶媒を含有する場合には、ワニス11を乾燥させる。具体的には、ワニス11を加熱する。加熱条件は、上記した例示の範囲から選択される。
Thereafter, when the
これによって、離型シート28の表面に設けられる封止層12を製造する。
Thereby, the
5.封止工程S3
封止装置32の積層装置35において、封止層製造工程S2の後に、封止工程S3を、封止制御装置36によって制御される条件に従って、実施する。
5. Sealing step S3
In the stacking
具体的には、封止工程S3では、まず、光半導体素子13が実装された基板14を用意する。
Specifically, in the sealing step S3, first, a
基板14は、上記した例示から選択される。基板14の外形形状は、上記した例示から選択される。基板14の寸法は、上記した例示から選択される。
The
光半導体素子13は、上記した例示から選択される。光半導体素子13の寸法は、上記した例示の範囲から選択される。光半導体素子13の発光ピーク波長は、上記した例示の範囲から選択される。
The
光半導体素子13は、基板14に対して、例えば、フリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。
The
また、光半導体素子13の、1つの基板14に対する実装数は、複数(図1では3つ)実装することができる。1つの基板14当たりの光半導体素子13の実装数は、上記した例示の範囲から選択される。
Further, the
次いで、この方法では、光半導体素子13が実装された基板14を、積層装置35に設置する。積層装置35は、上記した例示から選択される。光半導体素子13が実装された基板14を、積層装置35に設置する方法としては、上記した例示が採用される。
Next, in this method, the
次いで、封止層12によって光半導体素子13を被覆する。封止層12によって光半導体素子13を被覆する方法は、上記した例示が採用される。
Next, the
その後、Aステージの封止層12をCステージ化する。
Thereafter, the
例えば、封止制御装置36によって制御された、Cステージ化における封止層12の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件に基づいて、Aステージの封止層12をCステージ化する。
For example, the
具体的には、1段階硬化型樹脂として熱硬化型から選択される場合には、Aステージの封止層12を加熱する。
Specifically, when the thermosetting type is selected as the one-step curable resin, the
詳しくは、具体的には、平板41による封止層12に対する挟持状態を維持しながら、積層装置35をオーブン内に投入する。これによって、Aステージの封止層12を加熱する。
Specifically, the
加熱温度は、上記した例示の範囲から選択される。また、加熱時間は、上記した例示の範囲から選択される。 The heating temperature is selected from the above exemplary range. The heating time is selected from the above-described exemplary range.
封止層12の加熱によって、Aステージの封止層12がCステージ化(完全硬化)する。
By heating the
これによって、封止層12と、封止層12によって封止される光半導体素子13と、光半導体素子13が実装された基板14とを備える光半導体装置20が製造される。
Thus, the
その後、図1Cが参照されるように、離型シート28を、矢印で示すように、封止層12から引き剥がす。
Thereafter, as shown in FIG. 1C, the
6.製造条件の蓄積、ロット変更および単位期間当たりの製造量
今回以前の封止層12の製造において、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件は、第5メモリ10の記録領域(図示せず)に記録され蓄積される。
6). Accumulation of manufacturing conditions, lot change and manufacturing amount per unit period In the manufacturing of the
つまり、第5メモリ10は、第3情報17を第3メモリ23に入力するとともに、第3情報17を過去の情報である第5情報19として、第5メモリ10の記録領域にそのまま蓄積する。
That is, the
そして、今回の封止層12の製造によって、第1CPU8は、第5メモリ10に蓄積される、封止層12を今回以前に製造した、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を読み出し、これに基づいて、今回のワニス製造工程S1の製造条件、および、今回の封止層製造工程S2の製造条件を決定する。
And by manufacture of the
また、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量は、変動する。その変動に対応して、それらの第4情報18が、第1情報源21および第2情報源22から第4メモリ24に入力され、続いて、第2CPU25が、第4メモリ24に格納される第4情報18を読み出して、所定のプログラム処理に従い、ワニス製造工程S1の製造条件、および/または、封止層製造工程S2の製造条件を修正する。
In addition, the lot information of at least one kind of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or the production amount of the
[システムの作用効果]
そして、このシステム1では、製造条件決定装置2が、第1メモリ6と、第2メモリ7と、第1CPU8とを備える一方、封止層製造管理装置3が、第3メモリ23と、第2CPU25とを備える。
[System effects]
In the
そして、製造条件決定装置2が、第1情報15および第2情報16のそれぞれを、第1メモリ6および第2メモリ7のそれぞれに格納しており、第1CPU8によって、封止層製造工程S2の製造条件を決定し、これを、封止層製造管理装置3に提供することができる。
Then, the manufacturing
そして、封止層製造管理装置3では、製造条件決定装置2から提供された製造条件に関連する第3情報17を、第3メモリ23に格納して、かかる第3情報17に基づいて、第2CPU25によって、封止層製造工程S2の製造条件を管理する。
Then, in the sealing layer
そのため、封止層製造工程S2の製造条件を、封止層製造管理装置3とは、別途、製造条件決定装置2において決定することができるとともに、封止層製造管理装置3が、管理することができる。
Therefore, the manufacturing conditions of the sealing layer manufacturing step S2 can be determined separately from the sealing layer
また、製造条件決定装置2から提供される封止層製造工程S2の製造条件に関連する第3情報17は、第1情報15および第2情報16に基づいている。そのため、封止層製造管理装置3は、製造条件決定装置2から提供される第3情報17に基づいて、第2CPU25によって、封止層製造工程S2の製造条件を精度よく管理することができる。その結果、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。
Further, the
また、このシステム1では、第1CPU8が、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件をさらに決定し、第2CPU25が、第3メモリ23に格納される第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件をさらに管理する。そのため、目的とする光半導体装置20に適合する封止層12を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。
Further, in this
さらに、このシステム1によれば、第1情報15は、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報を含むので、製造条件決定装置2が、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報も、光半導体素子13に関連する情報、および、光半導体装置20に関連する情報と併せて備えることができる。
Furthermore, according to this
そのため、第1情報15に基づいて決定された封止層製造工程S2の製造条件に関連する精度の高い第3情報17に基づいて、封止層製造管理装置3は、封止層製造工程S2の製造条件をより一層精度よく管理することができる。
Therefore, based on the highly accurate
また、このシステム1では、封止層製造管理装置3において、第2CPU25によって、第4メモリ24に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子13の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量を含む第4情報18に基づいて、封止層製造工程S2の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置20の製造量の変動に容易に対応して、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。
In the
さらに、このシステム1によれば、製造条件決定装置2の第5メモリ10が、封止層12を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報19を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置20に適合する封止層12を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を精度よく今回製造することができる。
Furthermore, according to the
このシステムによれば、製造条件決定装置2が、ネットワークを介して封止層製造管理装置3と遠隔通信できるので、製造条件決定装置2が、封止層製造管理装置3に対して遠隔に位置していても、製造条件決定装置2において決定した封止層製造工程S2の製造条件を、封止層製造管理装置3に迅速に提供することができる。
According to this system, since the manufacturing
さらに、このシステム1によれば、封止層製造管理装置3が、光半導体装置製造工場4の封止層製造装置34内に設けられ、製造条件決定装置2が、封止層製造装置34に対して遠端に位置する制御部門5に設けられていても、製造条件決定装置2が、ネットワークを介してシート製造管理装置3と遠隔通信できるので、製造条件決定装置2において決定したシート製造工程S2の製造条件を、シート製造管理装置3に迅速に提供することができる。
Furthermore, according to this
この製造条件決定装置2は、第1メモリ6と、第2メモリ7と、第1CPU8とを備える。
The manufacturing
そのため、この製造条件決定装置2によれば、第1情報15および第2情報16のそれぞれを、第1メモリ6および第2メモリ7のそれぞれに格納して、第1CPU8によって、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を決定することができる。
Therefore, according to this manufacturing
その結果、かかるワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件に基づけば、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。
As a result, based on the manufacturing conditions of the varnish manufacturing step S1 and the manufacturing conditions of the sealing layer manufacturing step S2, the target
また、この製造条件決定装置2では、第2CPU25が、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件をさらに決定する。そのため、目的とする光半導体装置20に適合する封止層12を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。
Further, in the manufacturing
また、この製造条件決定装置2によれば、第1情報15は、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報を含むので、製造条件決定装置2が、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報も、光半導体素子13に関連する情報、および、光半導体装置20に関連する情報と併せて備えることができる。
Further, according to the manufacturing
そのため、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。
Therefore, the target
この製造条件決定装置2によれば、封止層12を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報19を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置20に適合する封止層12を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を精度よく今回製造することができる。
According to the manufacturing
この封止層製造管理装置3によれば、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件に関連する製造条件を含む第3情報17を、第3メモリ23に格納して、かかる第3情報17に基づいて、第2CPU25によって、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を精度よく管理することができる。
According to the sealing layer
そのため、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。
Therefore, the target
また、この封止層製造管理装置3によれば、第2CPU25が、第3メモリ23に格納される第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件をさらに管理するので、目的とする光半導体装置20に適合する封止層12を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。
Moreover, according to this sealing layer
また、この封止層製造管理装置3では、第2CPU25によって、第4メモリ24に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量を含む第4情報18に基づいて、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置20の製造量の変動に容易に対応して、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、封止層製造工程S2の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。
Further, in the sealing layer
[変形例]
図3の説明において、図2と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
[Modification]
In the description of FIG. 3, the same members as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図2の実施形態では、製造条件決定装置2と封止層製造管理装置3とが1対1の関係、つまり、1つの製造条件決定装置2に対して、1つの封止層製造管理装置3を設けている。しかし、製造条件決定装置2および封止層製造管理装置3の対応関係は、これに限定されず、例えば、図3に示すように、1つの製造条件決定装置2に対して、複数の封止層製造管理装置3を設けることもできる。
In the embodiment of FIG. 2, the manufacturing
具体的には、互いに独立して設けられる複数の光半導体装置製造工場4のそれぞれに、封止層製造管理装置3が設置されている。製造条件決定装置2および複数の封止層製造管理装置3は、複数の封止層製造管理装置3のそれぞれが有する第1情報源21から複数の第1情報15を第1メモリ6に入力可能となり、かつ、第1CPU8によって決定された第3情報17を第5メモリ10から複数の第3メモリ23に入力可能となるように、構成されている。
Specifically, the sealing layer
図3の実施形態では、1つの製造条件決定装置2が、一の封止層製造管理装置3A(3)に、第3情報17を提供し、かつ、一の封止層製造管理装置3A(3)の第1情報源21から第1情報15を取得して第1メモリ6に格納し、この第1情報15を第5メモリ10で蓄積して、そして、他の封止層製造管理装置3B(あるいは、他の複数の封止層製造管理装置3Bおよび3C)(3)に提供することもできる。
In the embodiment of FIG. 3, one manufacturing
つまり、1つの製造条件決定装置2が、複数の封止層製造管理装置3から提供される複数の第1情報15(第1メモリ6に格納されるべき第1情報15、具体的には、光半導体素子13に関連する情報、基板14に関連する情報、光半導体装置20に関連する情報)を一元化することができる。すなわち、1つの製造条件決定装置2が、複数の封止層製造管理装置3の第1情報15を集約して、複数の封止層製造管理装置3に、それらに対応する第3情報17を提供できる集約型の製造条件決定装置2として機能することができる。
That is, one manufacturing
そのため、1つの製造条件決定装置2でありながら、各封止層製造管理装置3に、精度の高い第3情報17を提供することができる。
Therefore, it is possible to provide the
また、図2の実施形態では、システム1がワニス製造工程S1の製造工程を決定および管理している。つまり、封止層製造管理装置3によって、ワニス製造工程S1の製造条件を管理している。しかし、システム1がワニス製造工程S1の製造工程を決定および管理しないように、システム1を構成することもできる。具体的には、ワニス製造工程S1の製造条件を管理することなく、封止層製造工程S2の製造条件のみを管理することもできる。
In the embodiment of FIG. 2, the
この実施形態によれば、第2CPU25がワニス製造工程S1の製造条件を管理する必要がないので、第2CPU25の構成を簡易にすることができる。
According to this embodiment, since it is not necessary for the
また、図2の実施形態では、本発明の製造管理装置として、封止層製造管理装置3に、封止層製造工程S2の製造条件を管理させ、封止制御装置36が、封止工程S3の封止条件を管理させているが、例えば、封止層製造管理装置3が封止制御装置36を兼用して、1つの製造管理装置を構成して、封止層製造工程S2の製造条件と、封止工程S3の封止条件との両方を管理させることもできる。
In the embodiment of FIG. 2, as the manufacturing management apparatus of the present invention, the sealing layer
さらに、図2および図3の実施形態では、封止層12を、蛍光体層(蛍光体含有封止層)として選択しているが、例えば、図示しないが、蛍光体を含有しない封止層(樹脂層)12として選択することもできる。
2 and 3, the
また、図2の説明では、第1情報15は、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報を含んでいるが、これを含まず、第1情報15を構成することもできる。
In the description of FIG. 2, the
1 システム
2 製造条件決定装置
3 シート製造管理装置
6 第1メモリ
8 第1CPU
11 ワニス
12 封止層
13 光半導体素子
14 基板
15 第1情報
16 第2情報
17 第3情報
20 光半導体装置
23 第3メモリ
24 第4メモリ
50 被覆層
S1 ワニス製造工程
S2 被覆層製造工程
S3 封止工程
DESCRIPTION OF
11
Claims (15)
前記ワニスからAステージの被覆層を製造する被覆層製造工程、および、
前記Aステージの被覆層によって光半導体素子を被覆する被覆工程
を備える光半導体装置の製造方法。 Varnish production process for producing varnish containing particles and curable resin,
A coating layer production process for producing an A-stage coating layer from the varnish; and
A method of manufacturing an optical semiconductor device comprising a coating step of coating an optical semiconductor element with the coating layer of the A stage.
前記システムは、製造条件決定装置と、製造管理装置とを備え、
前記製造条件決定装置は、
前記光半導体素子および前記光半導体装置に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、
前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、
前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備え、
前記製造管理装置は、
前記決定手段によって決定される前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、
前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を管理する管理手段と
を備えることを特徴とする、システム。 A system for determining and managing manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in the method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1,
The system includes a manufacturing condition determination device and a manufacturing management device,
The manufacturing condition determining device is:
A first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element and the optical semiconductor device;
A second information storage area for storing second information related to the varnish;
Determining means for determining the manufacturing conditions based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area;
The manufacturing management apparatus is
A third information storage area for storing third information related to the manufacturing conditions determined by the determining means;
And a management unit that manages the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area.
前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定し、
前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することを特徴とする、請求項2に記載のシステム。 The system further determines and manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process;
The determination means further determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. Decide
The system according to claim 2, wherein the management unit further manages the manufacturing condition of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area.
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、
前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を修正する修正手段と
を備えることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか一項に記載のシステム。 The manufacturing management apparatus is
A fourth information storage area storing at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or fourth information including the production amount of the optical semiconductor device per unit period;
The correction means which correct | amends the said manufacturing conditions of the said coating layer manufacturing process based on the said 4th information stored in the said 4th information storage area, The any one of Claims 2-4 characterized by the above-mentioned. The system described in the section.
前記被覆層を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、
前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆層を今回製造するための製造条件を決定する
ことを特徴とする、請求項2〜5のいずれか一項に記載のシステム。 The manufacturing condition determining device is:
A fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the covering layer before this time;
6. The manufacturing condition for manufacturing the covering layer at this time is determined based on the fifth information stored in the fifth information storage area. 6. System.
前記製造条件決定装置は、前記被覆層製造装置に対して遠端に位置する制御部門に設けられることを特徴とする、請求項7に記載のシステム。 The manufacturing management device is provided in the coating layer manufacturing device,
The system according to claim 7, wherein the manufacturing condition determination device is provided in a control department located at a far end with respect to the coating layer manufacturing device.
前記光半導体素子に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、
前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、
前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備える
ことを特徴とする、製造条件決定装置。 A manufacturing condition determining device for determining manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process in the method of manufacturing an optical semiconductor device according to claim 1,
A first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element;
A second information storage area for storing second information related to the varnish;
And determining means for determining the manufacturing conditions based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. Manufacturing condition determination device.
前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定することを特徴とする、請求項9に記載の製造条件決定装置。 The manufacturing condition determining device further determines manufacturing conditions of the varnish manufacturing process,
The determination means further determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. The manufacturing condition determination device according to claim 9, wherein the determination is performed.
前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆層を今回製造するための製造条件を決定することを特徴とする、請求項9〜11のいずれか一項に記載の製造条件決定装置。 A fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the covering layer before this time;
12. The manufacturing condition for manufacturing the coating layer at this time is determined based on the fifth information stored in the fifth information storage area, according to claim 9. Manufacturing condition determination device.
前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、
前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を管理する管理手段と
を備えることを特徴とする、製造管理装置。 A manufacturing management device for managing manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process according to claim 1,
A third information storage area for storing third information related to the manufacturing conditions;
A manufacturing management apparatus comprising: a management unit that manages the manufacturing conditions of the coating layer manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area.
前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することを特徴とする、請求項13に記載の製造管理装置。 The production management device manages the production conditions of the varnish production process,
The manufacturing management apparatus according to claim 13, wherein the management means further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area. .
前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記被覆層製造工程の前記製造条件を修正する修正手段と
を備えることを特徴とする、請求項13または14に記載の製造管理装置。 A fourth information storage area storing at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or fourth information including the production amount of the optical semiconductor device per unit period;
The manufacturing method according to claim 13, further comprising correction means for correcting the manufacturing condition of the coating layer manufacturing process based on the fourth information stored in the fourth information storage area. Management device.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013251346A JP2015109340A (en) | 2013-12-04 | 2013-12-04 | Optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determination device and manufacturing management device |
PCT/JP2014/056750 WO2014156696A1 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-13 | Method for manufacturing optical semiconductor device, system, manufacturing conditions determination device, and manufacturing management device |
CN201480016394.8A CN105051874A (en) | 2013-03-28 | 2014-03-13 | Method for manufacturing optical semiconductor device, system, manufacturing conditions determination device, and manufacturing management device |
EP14776104.3A EP2980836A1 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-13 | Method for manufacturing optical semiconductor device, system, manufacturing conditions determination device, and manufacturing management device |
KR1020157026598A KR20150135314A (en) | 2013-03-28 | 2014-03-13 | Method and system for producing optical semiconductor device, producing condition determination device and production management device |
US14/778,197 US20160087170A1 (en) | 2013-03-28 | 2014-03-13 | Method and system for producing optical semiconductor device, production condition determination device and production management device |
TW103111521A TW201448283A (en) | 2013-03-28 | 2014-03-27 | Method for manufacturing optical semiconductor device, system, manufacturing conditions determination device, and manufacturing management device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013251346A JP2015109340A (en) | 2013-12-04 | 2013-12-04 | Optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determination device and manufacturing management device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015109340A true JP2015109340A (en) | 2015-06-11 |
Family
ID=53439505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013251346A Withdrawn JP2015109340A (en) | 2013-03-28 | 2013-12-04 | Optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determination device and manufacturing management device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015109340A (en) |
-
2013
- 2013-12-04 JP JP2013251346A patent/JP2015109340A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9219015B2 (en) | Phosphor layer-covered optical semiconductor element, producing method thereof, optical semiconductor device, and producing method thereof | |
US20100295077A1 (en) | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion | |
KR101621130B1 (en) | Method for generating a luminescence conversion material layer, composition therefor and component comprising such a luminescence conversion material layer | |
US9214362B2 (en) | Producing method of encapsulating layer-covered semiconductor element and producing method of semiconductor device | |
KR20160040696A (en) | Luminescent coatings and devices | |
CN107919430A (en) | For the phosphor in the inorganic bonding agent of LED applications | |
TW201725763A (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2020184641A (en) | Manufacturing method of optoelectronic component and optoelectronic component | |
US9048401B2 (en) | Producing method of semiconductor device | |
WO2017221606A1 (en) | Optical semiconductor element having phosphor layer, and method for manufacturing optical semiconductor element | |
JP5972571B2 (en) | Optical semiconductor device and lighting device | |
JP5373215B1 (en) | System, manufacturing condition determination device and manufacturing management device | |
WO2014155850A1 (en) | Manufacturing method for optical semiconductor device | |
TW201522940A (en) | Phosphor-sheet evaluation method and manufacturing method | |
WO2014156696A1 (en) | Method for manufacturing optical semiconductor device, system, manufacturing conditions determination device, and manufacturing management device | |
JP2015109340A (en) | Optical semiconductor device manufacturing method, system, manufacturing condition determination device and manufacturing management device | |
US11398587B2 (en) | Method of manufacturing light-transmissive sheet | |
JP2022007638A (en) | Molding, light emitting device and method for producing molding | |
KR101658446B1 (en) | Method of manufacturing luminescence powder resin film and luminescence powder resin film manufactured thereby | |
CN103959488B (en) | System, manufacturing condition determination device and manufacturing management device | |
JP2017220530A (en) | Manufacturing method of light-emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160923 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20170214 |