JP2015100880A - Manufacturing method for glass substrate - Google Patents

Manufacturing method for glass substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2015100880A
JP2015100880A JP2013242896A JP2013242896A JP2015100880A JP 2015100880 A JP2015100880 A JP 2015100880A JP 2013242896 A JP2013242896 A JP 2013242896A JP 2013242896 A JP2013242896 A JP 2013242896A JP 2015100880 A JP2015100880 A JP 2015100880A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass substrate
protective film
polishing
polishing slurry
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013242896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
宝 三隅
Takara Misumi
宝 三隅
慧 板倉
Kei Itakura
慧 板倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avanstrate Inc
Avanstrate Asia Pte Ltd
Original Assignee
Avanstrate Inc
Avanstrate Asia Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Avanstrate Inc, Avanstrate Asia Pte Ltd filed Critical Avanstrate Inc
Priority to JP2013242896A priority Critical patent/JP2015100880A/en
Publication of JP2015100880A publication Critical patent/JP2015100880A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a glass substrate where product failure does not occur even if using polishing slurry including a magnetic substance.SOLUTION: A manufacturing method for a glass substrate comprises: a protection film forming step for forming a protection film on at least one of main surfaces of the glass substrate facing each other; and a polishing step for performing mirror polishing by contacting polishing slurry, including a magnetic substance held by a magnetic force body, on an edge face of the glass substrate where a protection film is formed.

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate.

ガラス基板の製造工程は、ガラス基板を切断して形成される端面を面取りする工程を含む。ガラス基板の端面は、ダイヤモンドホイールによって研削され、切断により生じたクラックや鋭いエッジが取り除かれる。また、端面の研磨加工技術としては、特許文献1に記載されるように、ガラス基板の端面の研磨加工に磁性体を含む研磨スラリーを用いて、端面を鏡面状に研磨する技術が知られている。   The manufacturing process of a glass substrate includes the process of chamfering the end surface formed by cutting the glass substrate. The end face of the glass substrate is ground by a diamond wheel to remove cracks and sharp edges caused by cutting. Further, as described in Patent Document 1, as a polishing technique for the end face, a technique for polishing the end face into a mirror shape by using a polishing slurry containing a magnetic material for polishing the end face of the glass substrate is known. Yes.

ダイヤモンドホイールによる端面加工により発生した研磨屑がガラス基板に付着した場合、洗浄液、純水を用いてガラス基板を洗浄することにより、研磨屑を除去することができる。一方、研磨スラリーには、Fe、Mn、Zn等の金属が含有されており、これらの金属は、ガラス基板との親和性が高いためガラス基板に付着すると、洗浄液、純水を用いてガラス基板を洗浄しても、除去することが困難である。そして、ガラス基板の主表面には回路配線、タッチパネルセンサー等の電気回路が形成されるため、主表面にこれらの金属が付着したままだと製品不良の原因となる。そのため、このようなガラス基板には、極めて低い接触角が要求される。   When the polishing waste generated by the end face processing with the diamond wheel adheres to the glass substrate, the polishing waste can be removed by cleaning the glass substrate with a cleaning liquid or pure water. On the other hand, the polishing slurry contains metals such as Fe, Mn, and Zn, and these metals have high affinity with the glass substrate. Even if it is washed, it is difficult to remove. And since electric circuits, such as a circuit wiring and a touch panel sensor, are formed in the main surface of a glass substrate, it will cause a product defect if these metals remain adhered to the main surface. Therefore, an extremely low contact angle is required for such a glass substrate.

国際公開第2012/067587号International Publication No. 2012/066757

そこで本発明は、磁性体を含む研磨スラリーを用いても製品不良が起きないガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for producing a glass substrate in which product defects do not occur even when a polishing slurry containing a magnetic material is used.

本発明の一態様は、ガラス基板の製造方法であって、
ガラス基板の対向する主表面の少なくとも一方に、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜が形成されたガラス基板の端面に、磁力体に保持された磁性体を含む研磨スラリーを接触させることで鏡面研磨する研磨工程と、を備える、
ことを特徴とする。
One aspect of the present invention is a method of manufacturing a glass substrate,
A protective film forming step of forming a protective film on at least one of the opposing main surfaces of the glass substrate;
A polishing step of mirror polishing by bringing a polishing slurry containing a magnetic body held by a magnetic body into contact with an end surface of the glass substrate on which the protective film is formed,
It is characterized by that.

前記磁性体を含む研磨スラリーは、少なくとも鉄金属を含有する、ことが好ましい。   The polishing slurry containing the magnetic material preferably contains at least iron metal.

前記ガラス基板には、電気回路が形成される、ことが好ましい。   It is preferable that an electric circuit is formed on the glass substrate.

前記保護膜は、非磁性体からなる、ことが好ましい。   The protective film is preferably made of a nonmagnetic material.

前記磁性体を含む研磨スラリーが付着する保護膜を、洗浄液で除去する除去工程と、をさらに備えてもよい。   A removal step of removing the protective film to which the polishing slurry containing the magnetic material adheres with a cleaning liquid may be further provided.

上記態様によれば、磁性体を含む研磨スラリーを用いても製品不良の発生を防ぐことができる。   According to the said aspect, generation | occurrence | production of a product defect can be prevented even if it uses the polishing slurry containing a magnetic body.

本発明のガラス基板の製造方法の工程を説明する工程図である。It is process drawing explaining the process of the manufacturing method of the glass substrate of this invention. 保護膜を形成したガラス基板を示す図である。It is a figure which shows the glass substrate in which the protective film was formed. ガラス基板の端面を研削する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of grinding the end surface of a glass substrate. 研磨装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a grinding | polishing apparatus. (a)は、ガラス基板の端面加工を説明するための図であり、(b)は、(a)のII−II線に沿う断面図である。(A) is a figure for demonstrating the end surface processing of a glass substrate, (b) is sectional drawing which follows the II-II line of (a). 洗浄工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a washing | cleaning process.

(実施形態1)
以下、図面を参照して、本実施形態のガラス基板の製造方法について説明する。
図1は、本実施形態に係るガラス基板の製造方法のフローチャートである。
まず、保護膜成形工程ST1では、図2に示すように、薄板状のガラス基板Gの一面、両面、及び/又は、端面に、磁性体を含む研磨スラリー、研磨砥粒が、後述する加工工程ST3によって付着するのを防止するための保護膜Fが形成される。ここで、保護膜Fが形成されるガラス基板Gは、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板(例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、有機ELディスプレイ用ガラス基板)、カバーガラスや磁気ディスク用などの強化ガラス用ガラス基板、ロール状に巻き取られるガラス基板、半導体ウエハ等の電子デバイスが積層されたガラス基板が挙げられる。ガラス基板Gは、SiO、Al等の組成からなるガラス原料が溶融されたガラスから、ダウンドロー法、フロート法等の公知の成形方法により成形される。
(Embodiment 1)
Hereinafter, with reference to drawings, the manufacturing method of the glass substrate of this embodiment is demonstrated.
FIG. 1 is a flowchart of the glass substrate manufacturing method according to the present embodiment.
First, in the protective film forming step ST1, as shown in FIG. 2, a polishing slurry and abrasive grains containing a magnetic material on one surface, both surfaces, and / or end surfaces of the thin glass substrate G are processed later. A protective film F for preventing adhesion by ST3 is formed. Here, the glass substrate G on which the protective film F is formed is a glass substrate for a flat panel display (for example, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a glass substrate for an organic EL display), a cover glass or a magnetic disk. Examples thereof include a glass substrate for tempered glass such as, a glass substrate wound up in a roll, and a glass substrate on which electronic devices such as a semiconductor wafer are laminated. The glass substrate G is formed by a known forming method such as a down draw method or a float method from glass in which a glass raw material having a composition such as SiO 2 or Al 2 O 3 is melted.

保護膜Fは、非磁性体の膜であり、好ましくは、アルカリ可溶性機能をさらに有し、さらに好ましくは、非水溶性で、pH0.2〜pH7未満の耐酸性機能を有する膜である。具体的には、保護膜Fは、アルカリ系共重合樹脂(アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルを素とした樹脂で、スルホン酸誘導体、カルボキシ基を有するもの)、エチルアルコール、n−プロピルアルコール(nPA)、イソプロピルアルコール(IPA)、エタノールなどを含む。   The protective film F is a non-magnetic film, preferably further having an alkali-soluble function, and more preferably a water-insoluble film having an acid resistance function of pH 0.2 to less than pH 7. Specifically, the protective film F is composed of an alkali copolymer resin (resin based on acrylic acid ester and methacrylic acid ester, having a sulfonic acid derivative and a carboxy group), ethyl alcohol, n-propyl alcohol (nPA ), Isopropyl alcohol (IPA), ethanol and the like.

保護膜Fを形成する形成方法としては、スプレー法、スクリーン印刷法、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。ここで、スプレー法では、保護膜Fを形成しない部分に予めマスキングテープ等を所定のパターンに付着させて、保護膜F用液をインクジェットと同様に吐出させてガラス基板G上に塗布する。保護膜F用液が乾燥した後、マスキングテープを除去することにより、所定のパターンの保護膜Fを形成することもできる。また、保護膜Fを、公知の方法により乾燥し、ガラス基板Gの面上に定着することもできる。保護膜Fを乾燥する乾燥温度、乾燥時間は、保護膜Fの厚さ、保護膜Fに含まれる成分濃度によって、適宜変更することができる。   As a forming method for forming the protective film F, a spray method, a screen printing method, a spin coating method, a roll coating method, a flow coating method, an ink jet method, a dip coating method, a casting film forming method, a bar coating method, a gravure printing method. Etc. Here, in the spray method, a masking tape or the like is attached in advance to a portion where the protective film F is not formed in a predetermined pattern, and the liquid for the protective film F is discharged and applied onto the glass substrate G in the same manner as the ink jet. After the protective film F liquid is dried, the masking tape is removed to form the protective film F having a predetermined pattern. Further, the protective film F can be dried and fixed on the surface of the glass substrate G by a known method. The drying temperature and drying time for drying the protective film F can be changed as appropriate depending on the thickness of the protective film F and the concentration of components contained in the protective film F.

保護膜Fの厚さは、例えば、0.2〜5μmであり、後述する洗浄工程ST4で保護膜Fを除去するため、薄い方が好ましい。また、保護膜Fのクロスカット評価(JIS−K5600−5−6)は、例えば、2以下であり、保護膜Fの引っかき硬度(JIS−K5600−5−4)は、例えば、2Hより硬い。保護膜Fは、ガラス基板Gを研磨スラリーなどから保護するため、ガラス基板Gとの密着性が高く、硬度が高い方が好ましい。   The thickness of the protective film F is, for example, 0.2 to 5 μm, and since the protective film F is removed in a cleaning process ST4 described later, the thinner one is preferable. Further, the cross cut evaluation (JIS-K5600-5-6) of the protective film F is, for example, 2 or less, and the scratch hardness (JIS-K5600-5-4) of the protective film F is, for example, harder than 2H. Since the protective film F protects the glass substrate G from polishing slurry or the like, it is preferable that the protective film F has high adhesion to the glass substrate G and high hardness.

次に、切断工程ST2では、図示しない切断装置で、保護膜Fが形成されたガラス基板Gが所定の製品サイズに切断される。なお、ガラス基板Gがすでに所定の製品サイズである場合等では、この工程を省略することもできる。また、切断工程ST2で切断したガラス基板Gに保護膜Fを形成することもできる。   Next, in the cutting step ST2, the glass substrate G on which the protective film F is formed is cut into a predetermined product size by a cutting device (not shown). In addition, when the glass substrate G is already a predetermined product size, this process can be omitted. Moreover, the protective film F can also be formed in the glass substrate G cut | disconnected by cutting process ST2.

次に、加工工程(研削工程、研磨工程)ST3では、ガラス基板Gの端面加工(研削、研磨及びコーナーカット)が行われる。研削工程では、ガラス基板Gの端面を、研削ホイールを所定の速度で回転させながら研削を行う。図3は、ガラス基板Gの端面を研削する方法を示す図である。研削装置30は、ガラス基板Gの両端面が、図示しない回転軸により自転する第1研削ホイール31と第2研削ホイール32とに接触するように、ガラス基板Gを移動させる。研削装置30は、第1研削ホイール31と第2研削ホイール32とを回転させ、ガラス基板Gの長辺側の端面33を加工した後、短辺側の端面33が第1研削ホイール31と第2研削ホイール32と接触するように、ガラス基板Gを移動、回転させ、短辺側の端面33を加工する。研削ホイールは、ダイヤモンドホイール等の公知のものが用いられ、特に制限されない。   Next, in the processing step (grinding step, polishing step) ST3, end face processing (grinding, polishing and corner cutting) of the glass substrate G is performed. In the grinding process, the end surface of the glass substrate G is ground while rotating the grinding wheel at a predetermined speed. FIG. 3 is a diagram illustrating a method of grinding the end surface of the glass substrate G. The grinding device 30 moves the glass substrate G so that both end surfaces of the glass substrate G are in contact with the first grinding wheel 31 and the second grinding wheel 32 that rotate by a rotation shaft (not shown). The grinding device 30 rotates the first grinding wheel 31 and the second grinding wheel 32 to process the end surface 33 on the long side of the glass substrate G, and then the end surface 33 on the short side becomes the first grinding wheel 31 and the first side. 2 The glass substrate G is moved and rotated so as to come into contact with the grinding wheel 32, and the end surface 33 on the short side is processed. As the grinding wheel, a known one such as a diamond wheel is used and is not particularly limited.

研磨工程では、長辺側、短辺側のガラス基板の端面33の研削を終えたガラス基板Gが、研磨装置による研磨を行う位置まで搬送され、研磨装置を用いてガラス基板Gの端面について鏡面研磨が行われる。図4は、研磨装置40の概略図を示す図である。研磨装置40は、磁性流体タンク41にある磁性流体をポンプ42で吸引し、吸引した磁性流体を供給ノズル43から回転する研磨ホイール44に供給する。研磨ホイール44の端部は磁気を帯びているため、その磁場の影響により磁性流体は、研磨ホイール44上を粘弾性を持って流れる。研磨装置40は、回転する研磨ホイール44上を流れた磁性流体を、ポンプ46を動作させて、吸引ノズル45から吸引し、磁性流体タンク41に回収する。研磨装置40は、ガラス基板Gの端面が磁性流体が供給された研磨ホイール44に接触するよう搬送し、回転する研磨ホイール44とガラス基板Gの端面とを接触させて鏡面加工を行う。研磨装置40は、ガラス基板Gを図示しないステージ上に移動させて加工する。図5(a)は、研磨加工するガラス基板Gを主表面上から見た図である。図5(b)は、図5(a)のII−II線に沿う断面図である。研磨装置40は、回転軸35を中心として研磨ホイール36を回転させる。回転ホイール36は、回転軸35の長さ方向に平行に設けられた円盤状の磁力体36a、36bの隙間(磁場形成部ともいう)に磁性体砥粒37(研磨メディアともいう)が設けられて構成される。ここでは、磁性体を含む研磨スラリーが用いられ、鏡面研磨される。磁性体を含む研磨スラリーとは、磁性体が主として研磨砥粒として作用する磁性体砥粒や、磁性体が主として研磨砥粒を運ぶためのキャリアとして働く磁性流体を含む。磁力体36a、36bにより磁場がかけられた磁性体砥粒37に、ガラス基板Gの端部が食い込んで、ガラス基板Gの端面が磁性体砥粒37と接触した状態で研磨ホイール36が回転する。これにより、磁性体砥粒37とガラス基板Gの端面とが相対的に移動して、ガラス基板Gの端面が、磁場形成部の形成する磁場により拘束された磁性体砥粒37によって研磨される。なお、研磨工程では、磁性体を含む研磨スラリーを用いた公知の手法でガラス基板Gの端面を研磨することができ、また、特願2013−065191号に記載される内容を含み、当該内容が参酌される。   In the polishing process, the glass substrate G after finishing the end surfaces 33 of the glass substrates on the long side and the short side is conveyed to a position where polishing is performed by the polishing apparatus, and the end surface of the glass substrate G is mirror-finished using the polishing apparatus. Polishing is performed. FIG. 4 is a diagram showing a schematic diagram of the polishing apparatus 40. The polishing apparatus 40 sucks the magnetic fluid in the magnetic fluid tank 41 with the pump 42 and supplies the sucked magnetic fluid to the polishing wheel 44 that rotates from the supply nozzle 43. Since the end of the grinding wheel 44 is magnetized, the magnetic fluid flows on the grinding wheel 44 with viscoelasticity due to the influence of the magnetic field. The polishing apparatus 40 sucks the magnetic fluid flowing on the rotating polishing wheel 44 from the suction nozzle 45 by operating the pump 46 and collects it in the magnetic fluid tank 41. The polishing apparatus 40 conveys the end surface of the glass substrate G so as to be in contact with the polishing wheel 44 supplied with the magnetic fluid, and makes the rotating polishing wheel 44 and the end surface of the glass substrate G contact to perform mirror surface processing. The polishing apparatus 40 moves and processes the glass substrate G on a stage (not shown). Fig.5 (a) is the figure which looked at the glass substrate G to polish from the main surface. FIG.5 (b) is sectional drawing which follows the II-II line | wire of Fig.5 (a). The polishing apparatus 40 rotates the polishing wheel 36 around the rotation shaft 35. In the rotating wheel 36, magnetic abrasive grains 37 (also referred to as polishing media) are provided in a gap (also referred to as a magnetic field forming portion) between disk-shaped magnetic bodies 36 a and 36 b provided in parallel with the length direction of the rotating shaft 35. Configured. Here, a polishing slurry containing a magnetic material is used and mirror-polished. The polishing slurry containing a magnetic substance includes magnetic abrasive grains in which the magnetic substance mainly acts as polishing abrasive grains, and magnetic fluid that acts as a carrier for the magnetic substance to mainly carry abrasive grains. The end of the glass substrate G bites into the magnetic abrasive grains 37 applied with a magnetic field by the magnetic bodies 36 a and 36 b, and the polishing wheel 36 rotates in a state where the end face of the glass substrate G is in contact with the magnetic abrasive grains 37. . As a result, the magnetic abrasive grains 37 and the end face of the glass substrate G move relatively, and the end face of the glass substrate G is polished by the magnetic abrasive grains 37 constrained by the magnetic field formed by the magnetic field forming unit. . In the polishing step, the end surface of the glass substrate G can be polished by a known method using a polishing slurry containing a magnetic substance, and includes the contents described in Japanese Patent Application No. 2013-066511, Be considered.

磁性体を含む研磨スラリー、研磨砥粒は、研磨ホイールが回転することにより飛び散り、ガラス基板Gの表裏面に付着する。研磨スラリー等は、Fe、Mn、Zn等の金属を含有するため、ガラス基板Gとの親和性が高く、ガラス基板Gの一面に付着すると、従来の酸洗浄、アルカリ洗浄では洗浄することが困難である。このため、研磨スラリーがガラス基板Gに付着する前に、保護膜Fを形成することにより、低い接触角(高い清浄度)を確保している。保護膜Fを形成することによりガラス基板Gを保護することができるため、研磨スラリーは種々の構成が可能である。例えば、研磨スラリーは、磁性粒子(カルボニル鉄、酸化鉄、窒化鉄、炭化鉄、二酸化クロム、低炭素鋼、ケイ素鋼、ニッケル、コバルト、及び/又は、これらの組合せ)、非磁性砥粒(酸化セリウム、炭化珪素、アルミナ、ジルコニア、ダイヤモンド、及び/又は、これらの組合せ)、液体溶媒(水、鉱油、合成油、プロピレングリコール、及び/又は、エチレングリコール)、界面活性剤、及び/又は、腐食防止剤を、含んでもよい。また、研磨スラリーの粘性を適宜変更することができる。液晶ディスプレイ用ガラス基板、強化ガラス用ガラス基板等によって変化するガラス素材に適した粘性がある。保護膜Fを形成することにより保護したガラス基板Gを研磨スラリーにより端面研磨する場合、研磨スラリーがガラス基板Gに付着するおそれがないため、最適な粘性を持った研磨スラリーにより研磨することができる。また、研磨ホイールの回転数を上げることにより、研磨スラリー等が飛び散ってガラス基板Gに付着するおそれがないため、研磨ホイールの回転数を適宜変更することができる。   The polishing slurry and abrasive grains containing the magnetic material are scattered by the rotation of the polishing wheel and adhere to the front and back surfaces of the glass substrate G. Since the polishing slurry or the like contains metals such as Fe, Mn, and Zn, it has a high affinity with the glass substrate G, and if it adheres to one surface of the glass substrate G, it is difficult to clean with conventional acid cleaning or alkali cleaning. It is. For this reason, the low contact angle (high cleanliness) is ensured by forming the protective film F before the polishing slurry adheres to the glass substrate G. Since the glass substrate G can be protected by forming the protective film F, the polishing slurry can have various configurations. For example, the polishing slurry can be magnetic particles (carbonyl iron, iron oxide, iron nitride, iron carbide, chromium dioxide, low carbon steel, silicon steel, nickel, cobalt, and / or combinations thereof), non-magnetic abrasive grains (oxidized Cerium, silicon carbide, alumina, zirconia, diamond, and / or combinations thereof), liquid solvents (water, mineral oil, synthetic oil, propylene glycol, and / or ethylene glycol), surfactants, and / or corrosion. An inhibitor may be included. In addition, the viscosity of the polishing slurry can be changed as appropriate. Viscosity suitable for glass materials that vary depending on the glass substrate for liquid crystal display, the glass substrate for tempered glass, and the like In the case where the glass substrate G protected by forming the protective film F is end-polished with the polishing slurry, the polishing slurry does not have a possibility of adhering to the glass substrate G, and therefore can be polished with the polishing slurry having the optimum viscosity. . Further, by increasing the number of rotations of the polishing wheel, there is no possibility that polishing slurry or the like scatters and adheres to the glass substrate G, so that the number of rotations of the polishing wheel can be changed as appropriate.

次に、加工工程ST3の研磨工程において金属付着物である研磨スラリー、研磨砥粒が付着した保護膜Fをガラス基板Gから除去する工程を含む洗浄工程(除去工程)について説明する。洗浄方式は,バッチ式、枚葉式、ワンバス式などが適用できるが、ここでは、バッチ式で説明する。図6は、ガラス基板Gを洗浄するバッチ洗浄システムにおける複数の液槽のうちの1つを概念的に示す断面図である。バッチ洗浄システムは、図6に示す液槽60を複数備えるとともに、複数のガラス基板Gを収容したカセット50を搬送する搬送機構を備えている。各液槽60は、必要に応じて、ガラス基板Gを液体Lに浸漬した状態で超音波により洗浄する超音波洗浄機構、及び、液体Lの温度を調節する温度調節機構を備えている。また、バッチ洗浄システムは、各液槽60に液体Lを供給するタンクを備えている。   Next, the cleaning process (removal process) including the process of removing the polishing film, which is a metal deposit, and the protective film F to which the polishing abrasive grains are adhered in the polishing process of the processing process ST3 will be described. As the cleaning method, a batch type, a single wafer type, a one-bath type, or the like can be applied, but here, a batch type will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view conceptually showing one of a plurality of liquid tanks in a batch cleaning system for cleaning the glass substrate G. The batch cleaning system includes a plurality of liquid tanks 60 illustrated in FIG. 6 and a transport mechanism that transports a cassette 50 that stores a plurality of glass substrates G. Each liquid tank 60 includes an ultrasonic cleaning mechanism that cleans the glass substrate G with ultrasonic waves in a state where the glass substrate G is immersed in the liquid L, and a temperature adjustment mechanism that adjusts the temperature of the liquid L as necessary. Further, the batch cleaning system includes a tank for supplying the liquid L to each liquid tank 60.

複数のガラス基板Gを収容したカセット50は、搬送設備によって搬送され、液槽60に貯留された酸性洗浄液、アルカリ性洗浄液、純水、超純水などの液体Lに、順次、浸漬されて洗浄される。各液槽60に貯留される酸性洗浄液としては、例えば、シュウ酸、酒石酸、フッ化水素(HF)の溶液を用いることができる。また、アルカリ性洗浄液としては、例えば、水酸化カリウム(KOH)の溶液を用いることができる。   A cassette 50 containing a plurality of glass substrates G is transported by a transport facility, and is sequentially immersed and cleaned in a liquid L such as an acidic cleaning liquid, an alkaline cleaning liquid, pure water, or ultrapure water stored in a liquid tank 60. The As the acidic cleaning liquid stored in each liquid tank 60, for example, a solution of oxalic acid, tartaric acid, and hydrogen fluoride (HF) can be used. As the alkaline cleaning liquid, for example, a potassium hydroxide (KOH) solution can be used.

酸性洗浄液は、ガラス基板用の洗浄剤を水で希釈した希釈液に、シュウ酸、酒石酸、クエン酸等の多価有機酸やフッ化水素から選択される1種以上の酸性成分を添加して、酸性洗浄液を生成する。有機酸を含む酸洗浄液はpHを1.6以下に下げることで、ガラス表面のゼータ電位を正にして研磨スラリー、研磨砥粒を除去し、酸洗浄液成分のキレート効果で再付着を防止することで研磨スラリー、研磨砥粒を効果的に洗浄することができる。また、アルカリ性洗浄液は、洗浄剤を水で希釈した希釈液に、水酸化カリウム等のアルカリ成分を加えてアルカリ性洗浄液を生成する。また、アルカリ性洗浄液に、界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤を含むアルカリ性洗浄液は、表面張力を低下させる効果があるため、保護膜Fとガラス基板Gとの間にアルカリ性洗浄液が浸透しやすくなり、保護膜Fを効果的に除去できる。   The acidic cleaning solution is obtained by adding one or more acidic components selected from polyhydric organic acids such as oxalic acid, tartaric acid, citric acid and hydrogen fluoride to a diluted solution obtained by diluting a glass substrate cleaning agent with water. To produce an acidic cleaning solution. The acid cleaning solution containing organic acid should lower the pH to 1.6 or less to remove the polishing slurry and abrasive grains by making the zeta potential on the glass surface positive, and prevent re-adhesion by the chelating effect of the acid cleaning solution component Thus, the polishing slurry and the abrasive grains can be effectively cleaned. Moreover, an alkaline cleaning liquid produces | generates an alkaline cleaning liquid by adding alkaline components, such as potassium hydroxide, to the dilution liquid which diluted the cleaning agent with water. Further, a surfactant can be added to the alkaline cleaning liquid. Since the alkaline cleaning liquid containing the surfactant has an effect of reducing the surface tension, the alkaline cleaning liquid easily penetrates between the protective film F and the glass substrate G, and the protective film F can be effectively removed.

バッチ洗浄システムにおいて、ガラス基板Gが浸漬される液体Lの種類および順序は、酸性洗浄液を用い、その後、アルカリ性洗浄液を用いる。一例として、1から2番目に酸性洗浄液、3から4番目に純水、5番目にアルカリ性洗浄液、6から7番目に純水を用いて、ガラス基板Gを洗浄することができる。   In the batch cleaning system, the type and sequence of the liquid L in which the glass substrate G is immersed use an acidic cleaning liquid, and then use an alkaline cleaning liquid. As an example, the glass substrate G can be cleaned using an acidic cleaning solution from the first to the second, a pure water from the third to a fourth, an alkaline cleaning solution from the fifth, and a pure water from the sixth to the seventh.

洗浄工程において、保護膜Fが形成されたガラス基板Gを、酸性洗浄液を用いて洗浄する。酸性洗浄液による洗浄は、公知の洗浄方法を用いることができ、洗浄回数は任意である。ガラス基板Gの表裏面、端面には、再生紙由来の粘着異物や、時間の経過により変質した粘着異物、及び、加工工程ST3の研磨工程において飛散した研磨スラリー、研磨砥粒が付着する。ここで、研磨スラリー、研磨砥粒は、上述したように研磨工程前に形成した保護膜Fに付着している。通常の粘着物質であれば、酸性洗浄液により除去することができるが、研磨スラリー、研磨砥粒を完全に除去することは困難である。しかし、研磨スラリー、研磨砥粒は、ガラス基板G上に形成された保護膜Fのキレート効果により付着しているため、酸性洗浄液により完全に除去する必要はない。保護膜Fは、非水溶性で、耐酸性を有するため、酸性洗浄液では除去されず、ガラス基板G上に残り、ガラス基板Gの一面を保護している。このため、酸性洗浄液を用いて洗浄することにより、保護膜Fを残してガラス基板Gの一面を保護しながら、通常の粘着物質を除去することができる。   In the cleaning process, the glass substrate G on which the protective film F is formed is cleaned using an acidic cleaning solution. For the cleaning with the acidic cleaning liquid, a known cleaning method can be used, and the number of times of cleaning is arbitrary. Adhesive foreign matter derived from recycled paper, adhesive foreign matter that has changed in quality over time, and polishing slurry and abrasive grains scattered in the polishing step of the processing step ST3 adhere to the front and back surfaces and end surfaces of the glass substrate G. Here, the polishing slurry and the abrasive grains adhere to the protective film F formed before the polishing step as described above. If it is a normal adhesive substance, it can be removed by an acidic cleaning solution, but it is difficult to completely remove the polishing slurry and abrasive grains. However, since the polishing slurry and the abrasive grains are attached due to the chelating effect of the protective film F formed on the glass substrate G, it is not necessary to completely remove them with the acidic cleaning liquid. Since the protective film F is water-insoluble and has acid resistance, the protective film F is not removed by the acidic cleaning liquid and remains on the glass substrate G to protect one surface of the glass substrate G. For this reason, it is possible to remove a normal adhesive substance while cleaning with an acidic cleaning liquid while protecting the one surface of the glass substrate G while leaving the protective film F.

次に、純水を用いてガラス基板Gを洗浄する。純水による洗浄は、公知の洗浄方法を用いることができ、洗浄回数は任意である。   Next, the glass substrate G is cleaned using pure water. For cleaning with pure water, a known cleaning method can be used, and the number of times of cleaning is arbitrary.

次に、アルカリ性洗浄液を用いてガラス基板Gを洗浄する。アルカリ性洗浄液による洗浄は、公知の洗浄方法を用いることができ、洗浄回数は任意である。アルカリ性洗浄液により、ガラス基板Gに付着した従来の粘着異物を除去し、さらに、研磨スラリー、研磨砥粒が付着した保護膜Fを除去する。保護膜Fはアルカリ可溶性を有するため、アルカリ性洗浄液により溶解され、保護膜Fとガラス基板Gとの間にアルカリ性洗浄液が浸透することにより、保護膜Fを除去する。保護膜F上には研磨スラリー、研磨砥粒が付着しており、保護膜Fを除去することにより、研磨スラリー、研磨砥粒を同時に除去する。アルカリ性洗浄液を用いて洗浄することにより、通常の粘着物質を除去することに加え、研磨スラリー、研磨砥粒が付着した保護膜Fを除去し、同時に研磨スラリー、研磨砥粒を除去できる。このため、研磨スラリー、研磨砥粒が付着していないガラス基板Gを製造することができる。   Next, the glass substrate G is cleaned using an alkaline cleaning solution. For cleaning with an alkaline cleaning solution, a known cleaning method can be used, and the number of cleanings is arbitrary. The conventional adhesive foreign matter adhering to the glass substrate G is removed by the alkaline cleaning liquid, and the protective film F to which the polishing slurry and abrasive grains are attached is further removed. Since the protective film F has alkali solubility, the protective film F is removed by being dissolved by the alkaline cleaning liquid and penetrating between the protective film F and the glass substrate G. Polishing slurry and abrasive grains are attached on the protective film F. By removing the protective film F, the polishing slurry and abrasive grains are simultaneously removed. By washing with an alkaline cleaning liquid, in addition to removing a normal adhesive substance, the protective film F to which the polishing slurry and the abrasive grains are attached can be removed, and at the same time, the polishing slurry and the abrasive grains can be removed. For this reason, the glass substrate G to which the polishing slurry and the abrasive grains are not attached can be manufactured.

アルカリ性洗浄液を用いた洗浄後に、保護膜Fに含まれるエタノール(沸点78℃)を除去する(揮発させる)ために、ガラス基板Gを加熱乾燥し、純水を用いてガラス基板Gをさらに洗浄することにより、ガラス基板Gの洗浄度を高め、ガラス基板Gの純水に対する接触角が例えば4度以下を実現する。洗浄工程ST4後、検査工程において、ガラス基板Gの端面および主表面の検査が行われて、その後、ディスプレイ用ガラス基板、強化ガラス用ガラス基板として、パネルメーカーなどに出荷される。   After the cleaning using the alkaline cleaning liquid, in order to remove (volatilize) ethanol (boiling point 78 ° C.) contained in the protective film F, the glass substrate G is dried by heating, and the glass substrate G is further cleaned using pure water. Thereby, the cleaning degree of the glass substrate G is increased, and the contact angle of the glass substrate G with pure water is, for example, 4 degrees or less. After the cleaning process ST4, in the inspection process, the end face and the main surface of the glass substrate G are inspected, and then shipped to a panel manufacturer or the like as a display glass substrate or a tempered glass substrate.

以上説明したように、本実施形態のガラス基板Gの製造方法によれば、磁性体を含む研磨スラリーを用いた研磨時にガラス基板Gの一面に研磨スラリーが付着するのを防ぐことができるため、研磨スラリーを用いても製品不良の発生を防ぐことができる。また、保護膜Fによりガラス基板Gを保護することにより、ガラス基板Gの接触角を下げることができる。   As described above, according to the method for manufacturing the glass substrate G of the present embodiment, it is possible to prevent the polishing slurry from adhering to one surface of the glass substrate G during polishing using the polishing slurry containing the magnetic material. Even if the polishing slurry is used, the occurrence of product defects can be prevented. Further, by protecting the glass substrate G with the protective film F, the contact angle of the glass substrate G can be lowered.

(実施形態2)
次に、保護膜Fが、非磁性体の酸可溶性の膜である場合について説明する。なお、上述の実施形態と共通する構成については説明を省略する。
(Embodiment 2)
Next, the case where the protective film F is a non-magnetic acid-soluble film will be described. In addition, description is abbreviate | omitted about the structure which is common in the above-mentioned embodiment.

保護膜Fは、非水溶性で、pH7〜pH12の耐アルカリ性を有する膜である。具体的には、保護膜Fは、酸性系共重合樹脂、エチルアルコール、n−プロピルアルコール(nPA)、イソプロピルアルコール(IPA)、エタノールなどを含む。   The protective film F is a water-insoluble film having alkali resistance of pH 7 to pH 12. Specifically, the protective film F includes an acidic copolymer resin, ethyl alcohol, n-propyl alcohol (nPA), isopropyl alcohol (IPA), ethanol, and the like.

保護膜形成工程ST1では、耐アルカリ性の保護膜Fを、実施形態1と同様に、ガラス基板Gに形成する。そして、洗浄工程ST4では、酸性洗浄液を用いて、保護膜Fを除去する。酸性洗浄液は、実施形態1と同様の洗浄液を用いることができる。これにより、洗浄工程ST4では、酸性洗浄液を用いた洗浄だけで保護膜Fを除去でき、保護膜Fに付着した研磨スラリーを除去できる。   In the protective film forming step ST1, an alkali-resistant protective film F is formed on the glass substrate G as in the first embodiment. In the cleaning step ST4, the protective film F is removed using an acidic cleaning liquid. As the acidic cleaning liquid, the same cleaning liquid as in the first embodiment can be used. Thereby, in cleaning process ST4, the protective film F can be removed only by cleaning using the acidic cleaning liquid, and the polishing slurry adhering to the protective film F can be removed.

本実施形態のガラス基板Gの製造方法によれば、酸性洗浄液を用いた洗浄だけで保護膜Fを除去できるため、洗浄工程を簡略化することができる。また、保護膜Fによりガラス基板Gを保護することにより、磁性体を含む研磨スラリーを用いても製品不良の発生を防ぐことができる。   According to the manufacturing method of the glass substrate G of this embodiment, since the protective film F can be removed only by cleaning using an acidic cleaning liquid, the cleaning process can be simplified. Further, by protecting the glass substrate G with the protective film F, it is possible to prevent the occurrence of product defects even when a polishing slurry containing a magnetic material is used.

G ガラス基板
F 保護膜
35 回転軸
36(36a、36b) 磁力体
37 磁性体砥粒
40 研磨装置
G Glass substrate F Protective film 35 Rotating shaft 36 (36a, 36b) Magnetic body 37 Magnetic body abrasive grain 40 Polishing device

Claims (5)

ガラス基板の対向する主表面の少なくとも一方に、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜が形成されたガラス基板の端面に、磁力体に保持された磁性体を含む研磨スラリーを接触させることで鏡面研磨する研磨工程と、を備える、
ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
A protective film forming step of forming a protective film on at least one of the opposing main surfaces of the glass substrate;
A polishing step of mirror polishing by bringing a polishing slurry containing a magnetic body held by a magnetic body into contact with an end surface of the glass substrate on which the protective film is formed,
A method for producing a glass substrate, comprising:
前記磁性体を含む研磨スラリーは、少なくとも鉄金属を含有する、
ことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の製造方法。
The polishing slurry containing the magnetic material contains at least iron metal,
The method for producing a glass substrate according to claim 1.
前記ガラス基板には、電気回路が形成される、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基板の製造方法。
An electrical circuit is formed on the glass substrate.
The manufacturing method of the glass substrate of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
前記保護膜は、非磁性体からなる、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
The protective film is made of a nonmagnetic material.
The manufacturing method of the glass substrate of any one of Claim 1 to 3 characterized by the above-mentioned.
前記磁性体を含む研磨スラリーが付着する保護膜を、洗浄液で除去する除去工程と、をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
A removal step of removing the protective film to which the polishing slurry containing the magnetic material adheres with a cleaning liquid;
The manufacturing method of the glass substrate of any one of Claim 1 to 4 characterized by the above-mentioned.
JP2013242896A 2013-11-25 2013-11-25 Manufacturing method for glass substrate Pending JP2015100880A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013242896A JP2015100880A (en) 2013-11-25 2013-11-25 Manufacturing method for glass substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013242896A JP2015100880A (en) 2013-11-25 2013-11-25 Manufacturing method for glass substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015100880A true JP2015100880A (en) 2015-06-04

Family

ID=53377044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013242896A Pending JP2015100880A (en) 2013-11-25 2013-11-25 Manufacturing method for glass substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015100880A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106466796A (en) * 2015-08-21 2017-03-01 蓝思科技(长沙)有限公司 A kind of manufacture method of 3D sapphire panel and sapphire panel
CN109824256A (en) * 2018-12-28 2019-05-31 维沃通信科技有限公司 Process method, screen cover board and the terminal device of screen cover board
CN112960897A (en) * 2021-03-01 2021-06-15 金玛瑙香水(明光)有限公司 Method for removing stress of thick-bottom glass bottle
CN114406804A (en) * 2021-12-31 2022-04-29 广东江粉高科技产业园有限公司 Machining device and method for improving strength of glass cover plate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106466796A (en) * 2015-08-21 2017-03-01 蓝思科技(长沙)有限公司 A kind of manufacture method of 3D sapphire panel and sapphire panel
CN106466796B (en) * 2015-08-21 2018-09-18 蓝思科技(长沙)有限公司 A kind of production method and sapphire panel of 3D sapphires panel
CN109824256A (en) * 2018-12-28 2019-05-31 维沃通信科技有限公司 Process method, screen cover board and the terminal device of screen cover board
CN112960897A (en) * 2021-03-01 2021-06-15 金玛瑙香水(明光)有限公司 Method for removing stress of thick-bottom glass bottle
CN114406804A (en) * 2021-12-31 2022-04-29 广东江粉高科技产业园有限公司 Machining device and method for improving strength of glass cover plate
CN114406804B (en) * 2021-12-31 2023-02-07 广东江粉高科技产业园有限公司 Machining device and method for improving strength of glass cover plate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI464125B (en) Preparation of synthetic quartz glass substrates
JP6206360B2 (en) Polishing method of silicon wafer
TWI719076B (en) Glass substrate and glass plate package
JP2015100880A (en) Manufacturing method for glass substrate
TWI600478B (en) Method for manufacturing glass substrate and method for manufacturing glass substrate for display
TW201742135A (en) Method for a double side polishing of a semiconductor wafer
WO2016143273A1 (en) Wafer chamfering apparatus and wafer chamfering method
TWI670243B (en) Glass substrate, method for manufacturing glass substrate, and black matrix substrate
US7559825B2 (en) Method of polishing a semiconductor wafer
US20200198090A1 (en) Cmp apparatus and method of performing ceria-based cmp process
JP5533355B2 (en) Glass substrate for magnetic recording medium, double-side polishing apparatus, glass substrate polishing method, and glass substrate manufacturing method
JP2010135524A (en) Cleaning method of silicon wafer having completed grinding process
TWI437093B (en) Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing
JP6368364B2 (en) Manufacturing method of glass substrate
JP2010102772A (en) Apparatus for cleaning substrate for magnetic recording medium, and method for cleaning substrate for magnetic recording medium
JP2005294707A (en) Method for manufacturing semiconductor device
Hazarika et al. Post-Chemical Mechanical Planarization Cleaning Technology
JP2004182800A (en) Rinsing agent composition
JP2010034387A (en) Method of manufacturing semiconductor wafer
TW448245B (en) Use of chemical mechanical polishing and/or PVA scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers
JP6858763B2 (en) How to process semiconductor wafers with polycrystalline finish
CN111986982A (en) Method for cleaning a substrate surface
TW202042924A (en) Method for cleaning surface of substrate
JP2016002510A (en) Rinse method of photomask glass substrate
CN116967849A (en) Processing method of double-sided polished silicon wafer