JP2015095836A - Method for manufacturing electronic component and electronic component - Google Patents

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Norihiko Nakamura
敬彦 中村
岸 松雄
Matsuo Kishi
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a thin electronic component capable of stably keeping conduction between an electronic element and an external electrode, and easily forming a through electrode.SOLUTION: A method for manufacturing an electronic component 1 in which an electronic element 30 is embedded, comprises: a through hole formation step for forming a through hole on a glass base 10; an electrode formation step for forming an electrode in a through hole; a mounting step for electrically connecting the electrode and the electronic element; a metal ball arrangement step for arranging a metal ball 50 in the through hole; and an encapsulation step for melting the metal ball.

Description

本発明は、水晶振動子や圧電素子に代表される電子部品の製造方法および電子部品に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component typified by a crystal resonator or a piezoelectric element, and an electronic component.

ジャイロセンサ、圧電素子、水晶振動子、赤外線センサ等の電子部品は、特性を安定させるために、外気の影響を遮断する必要があるので、密封容器に入れることが望ましい。このようなパッケージ構造の例としては、後述の「ガラス−セラミック複合体およびそれを用いたフラットパッケージ型圧電部品」などが提案されている(特許文献1)。   Electronic components such as a gyro sensor, a piezoelectric element, a crystal resonator, and an infrared sensor need to be shielded from the influence of outside air in order to stabilize the characteristics, and thus are desirably placed in a sealed container. As an example of such a package structure, a “glass-ceramic composite and a flat package type piezoelectric component using the same” described later has been proposed (Patent Document 1).

この特許文献1に記載のパッケージは、ベースに水晶振動子片を納め、キャップを被せてなる電子デバイスにおいて、水晶振動子片とほぼ同じ熱膨張率の材料であるセラミックとガラス粉末とを混合したものを用いて、パッケージが構成されることを特徴とする。しかし、このパッケージは、ガラス−セラミック複合体であるため、1個のベースに水晶振動子片を載せ、キャップを被せることによる単品生産によってなるため、生産性が著しく低い。加えて、このパッケージは、ガラス−セラミック複合体の加工が難しいため、生産コストが嵩む。   In the package described in Patent Document 1, a ceramic resonator piece, which is a material having substantially the same thermal expansion coefficient as that of a quartz resonator piece, is mixed in an electronic device in which a quartz resonator piece is placed in a base and a cap is put on the base. A package is constructed using a thing. However, since this package is a glass-ceramic composite, it is made by single-piece production by placing a crystal resonator piece on one base and covering the cap, so the productivity is extremely low. In addition, this package is difficult to process the glass-ceramic composite, which increases production costs.

これらの欠点を解消するべく、パッケージを加工容易なガラスで製造する方法が提案されており、一例として、後述の「電子部品パッケージ」などが知られている(特許文献2)。   In order to eliminate these drawbacks, a method of manufacturing a package with glass that is easy to process has been proposed. As an example, an “electronic component package” described later is known (Patent Document 2).

図3を用いて特許文献2記載の電子部品パッケージの概要を説明する。当該電子部品パッケージでは、ベース110に貫通孔を作製する工程(a)、貫通孔に低融点ガラスを流し込み、金属ピン120をはめ込む工程(b)、金属ピン120を押し込むと共に、ガラス板を凹状に加工する工程(c)、電極130を印刷によって形成する工程(d)、水晶振動子等の部品140を金属ピン120に搭載する工程(e)、封止材150を介してキャップ160とベース110を封止接合する工程(f)を経て、電子デバイス100が製造されている。ここで、(c)の工程において、加熱温度をガラスの軟化点温度(約1000℃)以上にしてガラスを溶着させることで、ベース110に密着固定した金属ピン120を得ることができるため、(f)の工程で確実に機密性を保つことが可能となり、低コストで電子デバイス100を製造できるというものである。   The outline of the electronic component package described in Patent Document 2 will be described with reference to FIG. In the electronic component package, a step (a) of forming a through hole in the base 110, a step (b) of pouring low melting glass into the through hole and fitting the metal pin 120, pushing the metal pin 120 and making the glass plate concave Step (c) for processing, step (d) for forming electrode 130 by printing, step (e) for mounting component 140 such as a crystal resonator on metal pin 120, cap 160 and base 110 via sealing material 150 The electronic device 100 is manufactured through the step (f) of sealing and bonding the components. Here, in the step (c), the metal pin 120 adhered and fixed to the base 110 can be obtained by welding the glass at a heating temperature equal to or higher than the softening point temperature (about 1000 ° C.) of the glass. In step f), confidentiality can be reliably maintained, and the electronic device 100 can be manufactured at low cost.

このような従来の電子デバイスの製造方法においては、金属ピンをガラス板に設ける図3の工程(c)において図4に示すような事態が生じうる。ここで、図4は、工程(c)の金属ピン部分の拡大図である。即ち、図4(c−1)に示すように、金属ピン120が短い場合や、または、押し込み量が少ない場合には、金属ピン120が低融点ガラス170に包まれてしまう。このため、工程(d)で形成する電極130と金属ピン120との電気的接続が確保できないという事態が生じうる。また、図4(c−2)に示すように、仮に設計通りに金属ピン120を押し込めたとしても、ベース110が低融点ガラス170の軟化点以上の温度にさらされているため、低融点ガラス170が金属ピン120の先端をカバーする可能性がある。さらには、図4(c−3)に示すように、金属ピン120が約1000℃の温度にさらされる結果、金属ピン120の周囲で酸化膜180が成長し、電極130と電子部品140とが導通しなくなるという事態が生じうる。また、近年の電子部品の小型・薄型の要求(例2012サイズ、0.6mm)を低コストで提供するという要求もある。さらに、金属ピンが設けられているとはいえ、ガラス板には貫通孔が設けられていることから、パッケージの気密性を十分に確保できないおそれも生じる。   In such a conventional electronic device manufacturing method, a situation as shown in FIG. 4 may occur in the step (c) of FIG. 3 in which the metal pin is provided on the glass plate. Here, FIG. 4 is an enlarged view of a metal pin portion in the step (c). That is, as shown in FIG. 4C-1, when the metal pin 120 is short or when the push amount is small, the metal pin 120 is wrapped in the low melting point glass 170. For this reason, the situation where the electrical connection of the electrode 130 and metal pin 120 which are formed at a process (d) cannot be ensured may arise. Further, as shown in FIG. 4C-2, even if the metal pin 120 is pushed in as designed, the base 110 is exposed to a temperature equal to or higher than the softening point of the low-melting glass 170. 170 may cover the tip of the metal pin 120. Furthermore, as shown in FIG. 4C-3, the metal pin 120 is exposed to a temperature of about 1000 ° C. As a result, an oxide film 180 grows around the metal pin 120, and the electrode 130 and the electronic component 140 are separated. There may be a situation where conduction is lost. In addition, there is also a demand to provide a low-cost and low-cost requirement for electronic components in recent years (eg, 2012 size, 0.6 mm). Furthermore, although the metal pin is provided, the glass plate is provided with the through hole, so that there is a possibility that the airtightness of the package cannot be sufficiently ensured.

特開平11−302034号公報JP-A-11-302034 特開2003−209198号公報JP 2003-209198 A

しかしながら、
本発明はこのような事情を考慮してなされるものであり、その目的は、パッケージの外部電極と内部部品との電気的導通を安定して確保しつつ、パッケージの気密性を確保できる電子部品の製造方法および電子部品を提供することにある。
However,
The present invention is made in consideration of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an electronic component capable of ensuring the hermeticity of the package while stably ensuring electrical continuity between the external electrode and the internal component of the package. A manufacturing method and an electronic component are provided.

上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明の電子部品の製造方法は、電子素子を内蔵する電子部品の製造方法であって、ガラス製のベースに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に電極を形成する電極形成工程と、前記電子素子を前記電極と電気的に接続する実装工程と、前記貫通孔に金属球を配置する金属球配置工程と、前記金属球を溶融する封止工程と、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides the following means.
The method for manufacturing an electronic component according to the present invention is a method for manufacturing an electronic component incorporating an electronic element, and includes a through-hole forming step for forming a through-hole in a glass base, and an electrode formation for forming an electrode in the through-hole. A mounting step of electrically connecting the electronic element to the electrode; a metal ball disposing step of disposing a metal ball in the through hole; and a sealing step of melting the metal ball. And

また、本発明の電子部品の製造方法は、前記金属球の径が、前記貫通孔の一方の開口径より大きく、他方の開口径より小さいことを特徴とする。   In the electronic component manufacturing method according to the present invention, the diameter of the metal sphere is larger than one opening diameter of the through hole and smaller than the other opening diameter.

また、本発明の電子部品の製造方法は、前記電極が、前記ベースにおける前記電子素子が配置される側の内部と前記電子素子が配置される側とは反対側の外部とに共通の電極である内外部共通電極であって、前記電極形成工程は、前記内外部共通電極を前記貫通孔を介して一括して形成することを特徴とする。   In the electronic component manufacturing method of the present invention, the electrode may be a common electrode in the base on the side where the electronic element is disposed and on the opposite side to the side where the electronic element is disposed. In the internal / external common electrode, in the electrode forming step, the internal / external common electrode is collectively formed through the through hole.

また、本発明の電子部品の製造方法は、前記電極形成工程が、めっき処理を施すことにより、前記内外部共通電極が形成されることを特徴とする。   In the electronic component manufacturing method of the present invention, the inner and outer common electrodes are formed by performing a plating process in the electrode forming step.

また、本発明の電子部品の製造方法は、前記電子素子を覆うカバーを前記ベースに接合する接合工程と、前記ベースと前記カバーとを切断する個片化工程とを更に有することを特徴とする。   The method of manufacturing an electronic component according to the present invention further includes a joining step of joining a cover that covers the electronic element to the base, and a singulation step of cutting the base and the cover. .

また、本発明の電子部品の製造方法は、前記金属球が少なくとも2成分からなる合金であることを特徴とする。   In the electronic component manufacturing method of the present invention, the metal sphere is an alloy composed of at least two components.

また、本発明の電子部品は、ガラス製のベースと、前記ベースの前記電子素子が配置される側の内部と前記電子素子が配置される側とは反対側の外部とに形成される電極が前記ベースに形成された貫通孔を介して一体に形成される内外部共通電極と、前記貫通孔に埋め込まれ、前記内外部共通電極と異なる封止金属と、を備えることを特徴とする。   Moreover, the electronic component of the present invention includes a glass base, and electrodes formed on the inside of the base where the electronic element is disposed and the outside opposite to the side where the electronic element is disposed. An internal / external common electrode integrally formed through a through-hole formed in the base, and a sealing metal embedded in the through-hole and different from the internal / external common electrode.

本発明に係る実施形態の電子部品の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component of embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態の電子部品の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the electronic component of embodiment which concerns on this invention. 従来例の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of a prior art example. 従来例の金属ピン部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the metal pin part of a prior art example.

以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明に係る電子部品の断面図である。電子部品1は、封止金属51を有するガラス製のベース10及びカバー40で囲まれた、外気と遮断された空洞部に電子素子30が搭載されている。そして、電子素子30は、接続部20、内外部共通電極12、を介して、基板に実装される端子である内外部共通電極12と電気的に接続されている。ここで、カバー40としては、ガラス製に限らず、例えば、電子部品1が圧力センサなどのMEMSデバイスの場合はシリコン製のもの等を用いることができる。また、カバー40はアルミ製のものを用いることもできる。内外部共通電極12は、電子素子30が実装される側の上端開口部12aと外気側の下端開口部12bとを有し、上端開口部12aの面積が下端開口部12bの面積より小さく形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic component according to the present invention. In the electronic component 1, the electronic element 30 is mounted in a hollow portion that is surrounded by a glass base 10 having a sealing metal 51 and a cover 40 and is blocked from outside air. The electronic element 30 is electrically connected to the internal / external common electrode 12, which is a terminal mounted on the substrate, via the connection unit 20 and the internal / external common electrode 12. Here, the cover 40 is not limited to glass, and for example, when the electronic component 1 is a MEMS device such as a pressure sensor, a cover made of silicon or the like can be used. The cover 40 can be made of aluminum. The inner / outer common electrode 12 has an upper end opening 12a on the side where the electronic element 30 is mounted and a lower end opening 12b on the outside air side, and the area of the upper end opening 12a is smaller than the area of the lower end opening 12b. ing.

封止金属51は、上端開口部12aより大きく、下端開口部12bより小さい金属球50を溶融して形成されている。溶融時、全体を真空下に置くことで、ベース10及びカバー40で囲まれた空洞部を真空にすることができる。   The sealing metal 51 is formed by melting a metal sphere 50 that is larger than the upper end opening 12a and smaller than the lower end opening 12b. When melting, the entire space is placed under vacuum, so that the cavity surrounded by the base 10 and the cover 40 can be evacuated.

図1に示す電子部品1は、電子素子30として音叉型の水晶振動子片を搭載した水晶振動子である。本願発明において、電子部品1は、これに限らず、圧電素子、ATカット水晶振動子、半導体回路、各種センサなど、ベース10上に搭載可能な各種の電子部品を搭載したものを含む。   An electronic component 1 shown in FIG. 1 is a crystal resonator on which a tuning-fork type crystal resonator piece is mounted as an electronic element 30. In the present invention, the electronic component 1 includes, but is not limited to, a component on which various electronic components that can be mounted on the base 10 such as a piezoelectric element, an AT cut crystal resonator, a semiconductor circuit, and various sensors are mounted.

内外部共通電極12は、銅で形成される。また、銅に限定されるものではなく、例えば、ベースとの熱膨張係数を考慮し、鉄−ニッケル合金、等を用いてもよい。また、内外部共通電極12の最表面は、金、銀、白金等の貴金属を使用した層状からなるものでもよい。ここで、貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、内外部共通電極12の長期的劣化を抑えることができるので、本願発明を用いた電子部品1の信頼性を向上させることができる。なお、金属拡散を防ぐための拡散防止層として、貴金属で形成された表面層の下地にニッケル等の金属層を形成しても良い。   The inner / outer common electrode 12 is made of copper. Moreover, it is not limited to copper, For example, an iron-nickel alloy etc. may be used in consideration of the thermal expansion coefficient with the base. Further, the outermost surface of the inner / outer common electrode 12 may have a layered shape using a noble metal such as gold, silver, or platinum. Here, since the noble metal has a small ionization tendency and has corrosion resistance, it is possible to suppress long-term deterioration of the inner and outer common electrodes 12, so that the reliability of the electronic component 1 using the present invention can be improved. it can. In addition, as a diffusion preventing layer for preventing metal diffusion, a metal layer such as nickel may be formed under the surface layer formed of a noble metal.

また、内外部共通電極12と電子素子30とを接続する接続部20は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内外部共通電極12と電子素子30とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤(接続部20)を焼成して接合される。しかし、電子素子30の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内外部共通電極12の最表面に金の膜(金膜)を形成した場合、電子素子30上に形成した金バンプ(図示しない)を接続部20として用いることができる。その場合、電子素子30上に形成した金バンプと内外部共通電極12の金膜とを熱圧着によって接合する金−金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。   Moreover, the connection part 20 which connects the internal / external common electrode 12 and the electronic element 30 can use conductive adhesives, such as a silver paste, for example. In that case, the inner / outer common electrode 12 and the electronic element 30 are bonded by baking a conductive adhesive (connecting portion 20) such as silver paste as a connecting portion. However, depending on the configuration of the electronic element 30, a conductive adhesive may not be used as the connection portion. For example, when a gold film (gold film) is formed on the outermost surface of the inner / outer common electrode 12, a gold bump (not shown) formed on the electronic element 30 can be used as the connection portion 20. In that case, it is possible to join the gold bumps formed on the electronic element 30 and the gold film of the inner / outer common electrode 12 by thermocompression bonding instead of the conductive adhesive.

次に、本実施形態に係る電子部品1の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、多数の電子部品を共通のウェハ上で製作できるようにウェハーレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる電子部品の製造方法を示す図である。なお、本実施形態に係る電子部品1は、これに限定されず、はじめから個別パッケージで形成されてもよい。   Next, a method for manufacturing the electronic component 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a method of manufacturing an electronic component that is manufactured at a wafer level so that a large number of electronic components can be manufactured on a common wafer and is finally cut by dicing or the like. The electronic component 1 according to the present embodiment is not limited to this, and may be formed as an individual package from the beginning.

図2は、本発明に係る電子部品の製造工程を示す図である。
図2(a)は、ベース10に貫通孔を形成する工程である(貫通孔形成工程)。貫通孔は、サンドブラスト、レーザー加工、ドリル加工、熱プレス加工等で製造する。また、貫通孔はベースの一方の開口部サイズと、もう一方の開口部サイズは異なるのが望ましい。
FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of an electronic component according to the present invention.
FIG. 2A shows a step of forming a through hole in the base 10 (through hole forming step). The through hole is manufactured by sandblasting, laser processing, drilling, hot pressing, or the like. In addition, it is desirable for the through hole to have a different size of one opening of the base and the other opening.

図2(b)は、ベース10に金属膜11を形成する工程である(金属膜形成工程)。金属膜11は、下地として、スパッタや無電解めっきによる薄膜を形成してもよい。金属膜11は、内外部共通電極12の元となるため、薄膜では配線抵抗が大きくなるため、電解めっきにより、厚みを持たせる。めっきは銅であることが多いが、熱膨張を考慮し、鉄―ニッケル系合金でもよい。   FIG. 2B is a process of forming the metal film 11 on the base 10 (metal film forming process). The metal film 11 may be a thin film formed by sputtering or electroless plating as a base. Since the metal film 11 is a source of the inner / outer common electrode 12, the wiring resistance is increased in the thin film, and therefore the thickness is increased by electrolytic plating. The plating is often copper, but an iron-nickel alloy may be used in consideration of thermal expansion.

図2(c)は、金属膜11をエッチングして、内外部共通電極12を形成する工程である(電極形成工程)。電極形成工程において、内外部共通電極12の最表面を、金、銀、白金等の貴金属を無電解めっきにより、形成してもよい。
図2(d)は、内外部共通電極12と電子素子30とを接続部20を介して電気的に導通するように接続する、電子部品接続工程を説明するための図である(実装工程)。
FIG. 2C shows a step of forming the inner / outer common electrode 12 by etching the metal film 11 (electrode formation step). In the electrode forming step, the outermost surface of the inner / outer common electrode 12 may be formed by electroless plating with a noble metal such as gold, silver, or platinum.
FIG. 2D is a diagram for explaining an electronic component connecting process for connecting the inner / outer common electrode 12 and the electronic element 30 so as to be electrically connected via the connecting portion 20 (mounting process). .

ここで、内外部共通電極12と電子素子30とを接続する接続部20は、例えば銀ペースト等の導電接着剤を用いることができる。その場合、内外部共通電極12と電子素子30とは、接続部である銀ペースト等の導電接着剤を焼成して接合される。また、電子素子30の構成によっては、接続部として導電接着剤を用いなくても良い。例えば、内外部共通電極12の最表面に金を使用した場合、電子素子30上に形成した金バンプを接続部20として用いることができる。その場合、電子素子30上に形成した金バンプと内外部共通電極12の金膜とを熱圧着によって接合する金−金接合などを導電接着剤の代わりに用いて接合することができる。   Here, the connection part 20 which connects the internal / external common electrode 12 and the electronic element 30 can use conductive adhesives, such as a silver paste, for example. In that case, the inner / outer common electrode 12 and the electronic element 30 are bonded by baking a conductive adhesive such as a silver paste as a connecting portion. Further, depending on the configuration of the electronic element 30, a conductive adhesive may not be used as the connection portion. For example, when gold is used for the outermost surface of the inner / outer common electrode 12, a gold bump formed on the electronic element 30 can be used as the connection portion 20. In that case, it is possible to join the gold bumps formed on the electronic element 30 and the gold film of the inner / outer common electrode 12 by thermocompression bonding instead of the conductive adhesive.

図2(e)は、ベース10に搭載された電子素子30を保護するため、凹状に加工したカバー40をベース10と接合する工程を説明するための図である(接合工程)。カバー40の材質は、接合方法や、真空度やコスト等などの電子素子30に要求される仕様を考慮して、例えばシリコン、ガラス、アルミニウム等を、適宜に選択すればよい。例えば、電子素子30が水晶振動子片であり、ベース10とカバー40との接合後に周波数調整をする場合には、カバー40には透過性を有するガラス製の部材を選択することが望ましい。カバー40の外からレーザー照射することで電子素子30の一部を除去するなどにより周波数の調整を行うことができるようになる。また、カバー40とベース10との接合方法としては、例えば低融点ガラスを用いる接合や陽極接合、金−金接合等を用いることができる。   FIG. 2E is a diagram for explaining a process of joining the cover 40 processed into a concave shape to the base 10 in order to protect the electronic element 30 mounted on the base 10 (joining process). The material of the cover 40 may be appropriately selected from, for example, silicon, glass, aluminum, and the like in consideration of specifications required for the electronic device 30 such as a bonding method and a degree of vacuum and cost. For example, when the electronic element 30 is a crystal resonator element and the frequency is adjusted after the base 10 and the cover 40 are joined, it is desirable to select a glass member having transparency for the cover 40. The frequency can be adjusted by removing a part of the electronic element 30 by irradiating the laser from the outside of the cover 40. As a method for joining the cover 40 and the base 10, for example, joining using low melting glass, anodic joining, gold-gold joining, or the like can be used.

図2(f)は、金属球50をベース10の貫通孔に配置する工程である。このとき、金属球50は上端開口部12aの開口径より大きく、下端開口部12bの開口径より小さい径のものを用いる。また、金属球50であると、ウェハを揺動させた上に金属球50をばらまくことで貫通孔に設置できる。しかしながら金属球50は必ずしも球でなくてもよく、貫通孔の形状に相似した形状でもよい。また、金属球50の融点は、電子部品1がマザーボードに実装されるときの温度より高く、ベース10の融点より低いものを選定する。そのようなものとしては、例えば、金錫や、高融点ハンダ等の2成分合金が使用できる。   FIG. 2F is a process of arranging the metal sphere 50 in the through hole of the base 10. At this time, the metal sphere 50 having a diameter larger than the opening diameter of the upper end opening 12a and smaller than the opening diameter of the lower end opening 12b is used. Further, when the metal ball 50 is used, the metal ball 50 can be installed in the through hole by shaking the wafer and dispersing the metal ball 50. However, the metal sphere 50 is not necessarily a sphere, and may have a shape similar to the shape of the through hole. Further, the melting point of the metal sphere 50 is selected to be higher than the temperature when the electronic component 1 is mounted on the mother board and lower than the melting point of the base 10. As such a material, for example, two-component alloys such as gold tin and high melting point solder can be used.

図2(g)は、金属球50を溶融する工程である。(封止工程)この工程において、ベース10のとカバー40の凹状箇所とで外気と遮断された空洞部を形成する。溶融時にベース10及び接合されたカバー40を真空下に設置した状態で、金属球50を溶融することで、空洞部を高真空に保つことが可能となる。金属球50を溶融する手段としては、レーザーを用いる。オーブン等でバッチ処理も可能である。   FIG. 2G is a process for melting the metal sphere 50. (Sealing step) In this step, a hollow portion that is blocked from outside air is formed by the base 10 and the concave portion of the cover 40. By melting the metal ball 50 in a state where the base 10 and the joined cover 40 are placed under vacuum at the time of melting, the cavity can be kept at a high vacuum. As a means for melting the metal sphere 50, a laser is used. Batch processing is also possible with an oven or the like.

図2(h)は、パッケージを個片化する工程を説明するための図である(個片化工程)。すなわち、図2(h)が示唆する工程は、1つのベース10上に複数の電子部品を一括形成した後、電子部品をそれぞれ分離し個片化する工程である。ベース10とカバー40との接合面をその接合幅より小さな切断幅を有するように切断する。この工程において、カバー40の材質によって.切断により個片化する方法は変わるが、一例として、ダイシング、またはレーザーカットによって電子部品の個片化を行うことができる。これにより、本発明に係る電子部品を一括で製造することができ、電子部品の大量生産における製造時間及び工程の短縮及び低コスト化が図れる。   FIG. 2H is a diagram for explaining a process of dividing the package into pieces (individualization process). That is, the process suggested by FIG. 2H is a process in which a plurality of electronic components are collectively formed on one base 10 and then separated into individual pieces. The joining surface between the base 10 and the cover 40 is cut so as to have a cutting width smaller than the joining width. In this process, depending on the material of the cover 40. Although the method of dividing into pieces by cutting varies, as an example, the electronic component can be divided into pieces by dicing or laser cutting. Thereby, the electronic component which concerns on this invention can be manufactured collectively, and the shortening of the manufacturing time and process in mass production of an electronic component, and cost reduction can be achieved.

以上、本実施形態に係る電子部品の製造方法によれば、ベースに形成された貫通孔に金属球を配し、溶融することにより封止する工程を用いており、金属ピンをはめ込む/押し込む工程を用いない。そのため、本発明では、金属ピンが低融点ガラスに包まれる事態や金属ピンの周囲に酸化膜が形成されるなどの事態を避けることができるので、電子素子と外部電極との電気的導通を安定して保つことができる。
したがって、本発明は、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な電子部品の製造方法といえる。
As described above, according to the method for manufacturing an electronic component according to the present embodiment, the step of sealing the metal pin by placing the metal ball in the through-hole formed in the base and melting the metal pin is used. Is not used. Therefore, in the present invention, it is possible to avoid a situation in which the metal pin is wrapped in the low melting point glass or an oxide film is formed around the metal pin, so that the electrical continuity between the electronic element and the external electrode is stable. Can be kept.
Therefore, the present invention can be said to be a method of manufacturing an electronic component that can stably maintain conduction between the electronic component and the external electrode and can easily form a through electrode.

また、本実施形態に係る電子部品の製造方法によれば、内外部共通電極12は、銅材や鉄―ニッケル系合金等の合金材、などからなる導電材で形成される。つまり、内外部共通電極12に銅材を用いた場合、低抵抗値からなる貫通電極を作製できる。そして、内外部共通電極12に合金として鉄―ニッケル系合金を用いた場合、電極をベース10の熱膨張係数に近づけることができるので、より安定した電子部品を製造できる。   Further, according to the method of manufacturing an electronic component according to the present embodiment, the inner / outer common electrode 12 is formed of a conductive material made of a copper material or an alloy material such as an iron-nickel alloy. That is, when a copper material is used for the inner and outer common electrode 12, a through electrode having a low resistance value can be produced. When an iron-nickel alloy is used as the alloy for the inner / outer common electrode 12, the electrode can be brought close to the thermal expansion coefficient of the base 10, so that a more stable electronic component can be manufactured.

本発明によれば、従来の貫通電極となる部分は、内外部共通電極と、貫通孔に金属球を配し、溶融することにより封止する工程を用いており、金属ピンをはめ込む/押し込む工程を用いない。そのため、本発明では、金属ピンが低融点ガラスに包まれる事態や金属ピンの周囲に酸化膜が形成されるなどの事態を避けることができるので、電子素子と外部電極との電気的導通を安定して保つことができる。よって、本発明は、電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な小型・薄型の電子部品の製造方法を提供できるという効果を奏する。   According to the present invention, the portion that becomes the conventional through electrode uses the inner and outer common electrodes and the step of sealing by melting the metal spheres arranged in the through holes and melting them, and the step of inserting / pushing in the metal pins Is not used. Therefore, in the present invention, it is possible to avoid a situation in which the metal pin is wrapped in the low melting point glass or an oxide film is formed around the metal pin, so that the electrical continuity between the electronic element and the external electrode is stable. Can be kept. Therefore, the present invention has an effect that it is possible to provide a method for manufacturing a small and thin electronic component that can stably maintain conduction between the electronic component and the external electrode and can easily form a through electrode.

本発明の電子部品は、例えば、本発明の電子部品を発振子として用いた発振器又は時計、本発明の電子部品を計時部に備えた携帯情報機器、本発明の電子部品を時刻情報などの電波を受信部に備えた電波時計等の電子機器に用いることができる。   The electronic component of the present invention includes, for example, an oscillator or a watch using the electronic component of the present invention as an oscillator, a portable information device having the electronic component of the present invention in a timekeeping unit, and an electronic component of the present invention as a radio wave such as time information Can be used for an electronic device such as a radio timepiece provided in the receiver.

1 電子部品
10 貫通孔を形成したベース
11 金属膜
12 内外部共通電極
20 接続部
30 電子素子
40 カバー
50 金属球
51 封止金属
100 電子デバイス
110 ベース
120 金属ピン
130 電極
140 電子部品
150 封止材
160 キャップ
170 低融点ガラス
180 酸化膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electronic component 10 Base which formed the through-hole 11 Metal film 12 Inner / outer common electrode 20 Connection part 30 Electronic element 40 Cover 50 Metal ball 51 Sealing metal 100 Electronic device 110 Base 120 Metal pin 130 Electrode 140 Electronic component 150 Sealing material 160 Cap 170 Low melting point glass 180 Oxide film

Claims (7)

電子素子を内蔵する電子部品の製造方法であって、
ガラス製のベースに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に電極を形成する電極形成工程と、
前記電子素子を前記電極と電気的に接続する実装工程と、
前記貫通孔に金属球を配置する金属球配置工程と、
前記金属球を溶融する封止工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
A method of manufacturing an electronic component incorporating an electronic element,
A through hole forming step of forming a through hole in a glass base;
Forming an electrode in the through hole; and
A mounting step of electrically connecting the electronic element to the electrode;
A metal sphere arrangement step of arranging a metal sphere in the through hole;
And a sealing step for melting the metal spheres.
請求項1に記載の電子部品の製造方法であって、
前記金属球の径は、前記貫通孔の一方の開口径より大きく、他方の開口径より小さいことを特徴とする電子部品の製造方法。
A method of manufacturing an electronic component according to claim 1,
The diameter of the said metal sphere is larger than one opening diameter of the said through-hole, and is smaller than the other opening diameter, The manufacturing method of the electronic component characterized by the above-mentioned.
請求項2に記載の電子部品の製造方法であって、
前記電極は、前記ベースにおける前記電子素子が配置される側の内部と前記電子素子が配置される側とは反対側の外部とに共通の電極である内外部共通電極であって、
前記電極形成工程は、前記内外部共通電極を前記貫通孔を介して一括して形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
It is a manufacturing method of the electronic component according to claim 2,
The electrode is an internal / external common electrode that is an electrode common to the inside of the base where the electronic element is disposed and the outside opposite to the side where the electronic element is disposed,
In the electrode forming step, the inner and outer common electrodes are collectively formed through the through holes.
請求項3に記載の電子部品の製造方法において、
前記電極形成工程は、めっき処理を施すことにより、前記内外部共通電極が形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic component of Claim 3,
In the electrode forming step, the inner and outer common electrodes are formed by performing a plating process.
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、
前記電子素子を覆うカバーを前記ベースに接合する接合工程と、
前記ベースと前記カバーとを切断する個片化工程とを更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic component of any one of Claims 1-4,
A bonding step of bonding a cover covering the electronic element to the base;
The method of manufacturing an electronic component, further comprising: an individualizing step of cutting the base and the cover.
請求項1から請求項5の何れか1項に記載の電子部品の製造方法において、
前記金属球は少なくとも2成分からなる合金であることを特徴とする電子部品の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic component in any one of Claims 1-5,
The method of manufacturing an electronic component, wherein the metal sphere is an alloy composed of at least two components.
電子素子を内蔵する電子部品において、
ガラス製のベースと、
前記ベースの前記電子素子が配置される側の内部と前記電子素子が配置される側とは反対側の外部とに形成される電極が前記ベースに形成された貫通孔を介して一体に形成される内外部共通電極と、
前記貫通孔に埋め込まれ、前記内外部共通電極と異なる封止金属と、を備えることを特徴とする電子部品。
In electronic parts with built-in electronic elements,
A glass base,
Electrodes formed on the inside of the base on the side where the electronic element is disposed and on the outside opposite to the side on which the electronic element is disposed are integrally formed through a through hole formed in the base. Internal and external common electrodes,
An electronic component comprising: a sealing metal embedded in the through hole and different from the inner and outer common electrodes.
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