JP2015087480A - Display device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、表示装置に関し、例えばシール領域に配線が位置する表示装置に適用可能である。 The present disclosure relates to a display device and can be applied to, for example, a display device in which wiring is located in a seal region.
TFT基板とCF基板を貼り合せるシール領域において、幅の広い配線部分では、シール材料を仮硬化するための紫外線(UV)光が十分に照射されない、という問題があった。 In the sealing region where the TFT substrate and the CF substrate are bonded together, there is a problem that the wide wiring portion is not sufficiently irradiated with ultraviolet (UV) light for pre-curing the sealing material.
これに対して、シール領域の幅の広い配線には、スリットや穴などの開口部を設けて、シール材料にUV光を照射することにより、シールの仮硬化の効率を向上させていた。なお、シール材と電極線が交差する部分に開口部を有する液晶表示装置は、特開平11−85057号公報(特許文献1)に開示されている。 On the other hand, the wiring having a wide seal region is provided with openings such as slits and holes, and the seal material is irradiated with UV light to improve the efficiency of temporary curing of the seal. A liquid crystal display device having an opening at a portion where the sealing material and the electrode line intersect is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-85057 (Patent Document 1).
液晶パネルの額縁幅が狭くなること、および、高精細化に伴い、シール領域の配線密度がさらに大きくなり、シール材料を仮硬化するUV光照射が不十分となり、熱での本硬化の初期段階で、液晶の圧力による差し込みが生じ、シール切れによる歩留り低下や信頼性低下を引き起こす。
本開示の課題は、シール材料に照射されるUV光を増加させる表示装置を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
As the frame width of the liquid crystal panel becomes narrower and the definition becomes higher, the wiring density in the seal area becomes larger, the UV light irradiation for temporarily curing the seal material becomes insufficient, and the initial stage of the main curing with heat Therefore, insertion due to the pressure of the liquid crystal occurs, which causes a decrease in yield and reliability due to the seal being broken.
The subject of this indication is providing the display apparatus which increases the UV light irradiated to a sealing material.
Other problems and novel features will become apparent from the description of the present disclosure and the accompanying drawings.
本開示のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、表示装置は、アレイ基板の幅の広い配線の端部、あるいは、配線のスリット状の開口部において、アレイ基板の配線層と対抗基板の遮光層とにはさまれる領域に、曲面状の反射領域、あるいは、散乱、屈折領域を設ける。
The outline of a representative one of the present disclosure will be briefly described as follows.
That is, the display device has a curved surface in a region sandwiched between the wiring layer of the array substrate and the light shielding layer of the opposing substrate at the end of the wide wiring of the array substrate or the slit-shaped opening of the wiring. A reflective region or a scattering / refractive region is provided.
上記表示装置によれば、シール材料に照射されるUV光を増加することができる。 According to the display device, it is possible to increase the UV light applied to the sealing material.
以下、実施の形態、実施例および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
図1Aおよび図1Bを用いて、表示装置の外周の構成について説明する。
図1Aは表示装置の構成を示す平面図である。図1Bは図1Aの領域Bを拡大した図であり、(a)は平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線における断面図である。
表示装置10はTFT基板11とCF基板12を備える。TFT基板11とCF基板12を貼り合せるシール材15は、内端15iと外端15oの間のシール領域15Aに位置する。シール材15はアクティブ領域13の外側に位置する。幅が広い配線14(配線領域14A)はシール領域15Aと重なり、アクティブ領域13の外側に位置する。配線領域14Aおよびシール領域15Aはアクティブ領域外端13oの外側に位置する。すなわち、配線14およびシール材15は最外周の遮光層BM16に覆われている。
Hereinafter, embodiments, examples, and modifications will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same components are denoted by the same reference numerals, and repeated description is omitted.
The configuration of the outer periphery of the display device will be described with reference to FIGS. 1A and 1B.
FIG. 1A is a plan view showing a configuration of a display device. 1B is an enlarged view of a region B in FIG. 1A, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line AA ′ shown in (a).
The
表示装置100の端部からシール領域の外端15oまでの距離をL1、配線領域14Aの外端までの距離をL2、シール領域の内端15iまでの距離をL3、配線領域14Aの内端までの距離をL4、アクティブ領域外端13oまでの距離をL5とする。例えば、L1は0〜200μm、L2は100〜400μm、L3は300〜1200μm、L4は400〜1800μm、L5は450〜2000μmである。図1Aおよび図1Bでは、配線領域14Aの一部とシール領域15Aの一部が重なっている場合が示されているが、後述する比較例や実施の形態、実施例、変形例のように配線領域14Aのすべてがシール領域15Aの内に含まれていてもよい。
The distance from the end of the
配線14や配線18がTFT基板11の上に形成され、有機感光性層間膜17で覆われている。有機感光性層間膜17の上にシール材15および液晶層19が形成される。有機感光性層間膜17は開口部を有し、該開口部にもシール材15が形成される。有機感光性層間膜17の厚さt1は、例えば2〜3μmである。CF基板12の上(図1Bにおいては下)に遮光層16やカラーフィルタが形成される。遮光層16と有機感光性層間膜17の間にフォトスペーサ(柱スペーサ)20が形成される。TFT基板11およびCF基板12の両方には、図示していない配向膜が形成され、液晶層19はそれらの配向膜に挟まれている。
<比較例>
図2を用いて、TFT基板とCF基板を貼り合せるシール領域において、幅の広い配線部分では、シール材料を仮硬化するためのUV光が十分に照射されないことを説明する
図2は比較例に係る表示装置のシール領域にUV光が十分に照射されないことを説明する図であり、(a)はシール領域のTFT基板側から見た平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線におけるシール領域の断面図である。
図2(a)に示すようにシール材15の幅が配線14aの幅よりも広い。TFT基板11とCF基板12を貼り合せ時はシール材15の上には遮光層16があるため、シール材15をUV光で仮硬化する場合は、TFT基板11の裏側からUV光22を照射することになる。配線14aは電源やグラウンド配線であるため、幅が広い低抵抗の配線であり、例えばアルミニウムやバリアメタルを積層したアルミニウム等の金属(遮光膜)が使用される。金属はUV光を透過しない。したがって、比較例に係る表示装置10Aでは、配線14aに開口部21aを設けて、UV光22がシール材15にできるだけ照射するようにされる。ここで、シール材の幅は500μm、配線14aの幅は200μm、開口部21aの大きさは10μm×5μmである。
<Comparative example>
FIG. 2 is used to explain that in a seal region where a TFT substrate and a CF substrate are bonded together, a wide wiring portion is not sufficiently irradiated with UV light for temporarily curing the seal material. It is a figure explaining UV light not fully irradiated to the seal | sticker area | region of such a display apparatus, (a) is a top view seen from the TFT substrate side of a seal | sticker area | region, (b) is A- shown by (a). It is sectional drawing of the seal | sticker area | region in A 'line.
As shown in FIG. 2A, the width of the sealing
しかし、図2(b)に示すように配線14の陰の領域にはUV光22が照射されず、UV光未照射領域23が存在し、仮硬化が不十分となる。なお、開口部21aを大きくすることによりUV光未照射領域23を小さくすることはできるが、配線14aの抵抗が大きくなる。したがって、開口部21aはあまり大きくすることができない。
However, as shown in FIG. 2B, the shadow area of the
<実施の形態>
実施の形態に係る表示装置の構成および比較例に係る表示装置よりもシール領域にUV光が十分に照射されることを、図3を用いて説明する。
図3は実施の形態に係る表示装置のシール領域にUV光が十分に照射されることを説明する図であり、(a)はシール領域のTFT基板側から見た平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線におけるシール領域の断面図である。(a)はシール領域の平面図、(b)はシール領域の断面図である。
実施の形態に係る表示装置は、比較例に係る表示装置10Aに対して、配線端または開口部には曲面反射部を追加したものである。
<Embodiment>
The configuration of the display device according to the embodiment and the fact that the UV light is sufficiently irradiated to the seal region as compared with the display device according to the comparative example will be described with reference to FIG.
3A and 3B are diagrams for explaining that the UV light is sufficiently applied to the seal region of the display device according to the embodiment. FIG. 3A is a plan view of the seal region viewed from the TFT substrate side, and FIG. It is sectional drawing of the seal | sticker area | region in the AA 'line shown by (a). (A) is a top view of a seal | sticker area | region, (b) is sectional drawing of a seal | sticker area | region.
The display device according to the embodiment is obtained by adding a curved reflection portion at the wiring end or opening to the
図3に示される表示装置10Bには、シール材15に接する部分であって、配線14aの孔状の開口部21aには反射部31aが、配線14aの端部の外側に隣接する部分には配線端と平行に反射部31bが設置されている。ここで、シール材の幅は500μm、配線14aの幅は200μm、開口部21aの大きさは10μm×5μm、反射部31aの大きさは8μm×4μm、反射部31bの幅は30μmである。
The
反射部31a、31bで反射されるUV光22は、直接または配線14aで反射して配線14aの裏側にもまわりこみ、UV光未照射領域23を比較例に係る表示装置10Aよりも小さくすることができる。図3では、配線端および開口部には曲面反射部を有している場合を示しているが、配線端および開口部のいずれか一方に曲面反射部を有していればよい。なお、反射部31a、31bに替えて散乱・屈折部であっても同様な作用効果を有する。
The
以上まとめると、アレイ基板の幅の広い配線の端部、あるいは、配線のスリット状の開口部において、アレイ基板の配線層と対抗基板の遮光層とにはさまれる領域に、曲面状の反射領域、あるいは、散乱、屈折領域を設ける。 In summary, at the end of the wide wiring of the array substrate or the slit-shaped opening of the wiring, the curved reflection region is located in the region sandwiched between the wiring layer of the array substrate and the light shielding layer of the opposing substrate. Alternatively, scattering and refraction areas are provided.
配線の開口部を通ったUV光は、曲面状の反射領域に反射散乱され、あるいは、散乱、屈折領域に散乱、屈折されて配線の裏側にまわりこみ、配線の陰になっていた部分のシール材料にも照射され、仮硬化の効率が向上する。また、配線の開口部の面積を小さくできるため、配線抵抗の上昇を抑制できる。 The UV light that has passed through the opening of the wiring is reflected and scattered in the curved reflection area, or scattered and refracted in the refracting area and wraps around the back side of the wiring, and the sealing material that is behind the wiring Also, the efficiency of temporary curing is improved. In addition, since the area of the opening of the wiring can be reduced, an increase in wiring resistance can be suppressed.
実施例1に係る表示装置について、図4を用いて説明する。
図4は実施例1に係る表示装置のシール領域を示す図であり、(a)はシール領域のTFT基板側から見た平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線におけるシール領域の断面図である。
実施例1に係る表示装置10Cには、シール材15に接する有機感光性層間膜17の上あって、配線14aの孔状の開口部21aには穴状の曲面反射部41aが、配線14aの端部の外側に隣接する部分には配線端と平行に溝状の曲面反射部41bが設置されている。穴状の曲面反射部41aは、平面視で楕円形状、断面視で半リング形状である。溝状の曲面反射部41bは、平面視で長方形形状、断面視で半リング形状である。曲面反射部41a、41bには、金属等のUV光を反射する材料を用いる。ここで、シール材の幅は500μm、配線14の幅は200μm、開口部21aの大きさは10μm×5μm、曲面反射部41aの大きさは8μm×4μm、曲面反射部41bの幅は30μmである。
A display device according to Example 1 will be described with reference to FIG.
4A and 4B are diagrams illustrating a seal region of the display device according to the first embodiment, in which FIG. 4A is a plan view of the seal region viewed from the TFT substrate side, and FIG. 4B is a line AA ′ illustrated in FIG. It is sectional drawing of the seal | sticker area | region in.
In the display device 10C according to the first embodiment, the hole-shaped
次に実施例1に係る表示装置の曲面反射部を製造する方法について、図9A〜図9Fを用いて説明する。 Next, a method for manufacturing the curved reflecting portion of the display device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 9A to 9F.
図5A、図5B、図5C、図5D、図5E、図5Fは、実施例1に係る表示装置の曲面反射部を製造する方法を示す断面図である。 5A, FIG. 5B, FIG. 5C, FIG. 5D, FIG. 5E, and FIG. 5F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the curved reflecting portion of the display device according to the first embodiment.
図5Aに示すように、配線14aの上に有機感光性層間膜17を形成する。有機感光性層間膜17をUV光52でハーフトーン露光し(図5B)、現像、メルトベーク、ポストベークして、有機感光性層間膜17に穴51aおよび溝51bを形成する(図5C)。図5Dに示すように、穴51aおよび溝51bを形成した有機感光性層間膜17上に金属53を成膜する。リソグラフィでレジストパターン54を形成し(図5E)、エッチングおよびレジスト除去して穴状の曲面反射部41aおよび溝状の曲面反射部41bを形成する(図5F)
<変形例1>
実施例1に係る表示装置の変形例(変形例1)について、図6を用いて説明する。
図6は変形例1に係る表示装置のシール領域を示す図であり、(a)はシール領域のTFT基板側から見た平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線におけるシール領域の断面図である。
変形例1に係る表示装置10Dには、シール材15に接する有機感光性層間膜17の上あって、配線14bのスリット状の開口部21bにはスリットの長手方向と平行に溝状の曲面反射部61aが、配線14bの端部の外側に隣接する部分には配線端と平行に溝状の曲面反射部41bが設置されている。溝状の曲面反射部61bは、平面視で長方形形状、断面視で半リング形状である。曲面反射部61bには、金属等のUV光を反射する材料を用いる。ここで、スリットとは、開口部の長手方向の長さと、開口部の短手方向の長さ(幅)との比が2:1よりも大きいものをいう。
As shown in FIG. 5A, an organic
<Modification 1>
A modification (modification 1) of the display device according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
6A and 6B are diagrams showing a seal region of a display device according to the first modification, wherein FIG. 6A is a plan view of the seal region viewed from the TFT substrate side, and FIG. 6B is a line AA ′ shown in FIG. It is sectional drawing of the seal | sticker area | region in.
In the display device 10D according to the first modification, the groove-like curved reflection is provided on the organic
<変形例2>
実施例1に係る表示装置の変形例(変形例2)について、図7を用いて説明する。
図7は変形例2に係る表示装置のシール領域のTFT基板側から見た平面図である。
変形例2に係る表示装置10Eは、変形例1に係る表示装置10Dの配線14bのスリット状の開口部21bを孔状の開口部21cに替えて、開口部21cの長手方向と平行に溝状の曲面反射部71bを設置したものである。溝状の曲面反射部71bは、平面視で長方形形状、断面視で半リング形状である。曲面反射部71bには、金属等のUV光を反射する材料を用いる。ここで、孔とは、開口部の長手方向の長さと、開口部の短手方向の長さ(幅)との比が2:1以下のものをいう。
<Modification 2>
A modification (modification 2) of the display device according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 7 is a plan view of the seal region of the display device according to the second modification viewed from the TFT substrate side.
The
<変形例3>
実施例1、変形例1および変形例2に係る表示装置の変形例(変形例3)について、図8を用いて説明する。
図8は変形例3に係る表示装置の曲面反射部の断面図である。実施例1、変形例1および変形例2に係る表示装置の曲面反射部41a、41b、61b、71bは断面視で半リング形状をしていたが、変形例3では曲面反射部81の頂点に金属の開口部82を設ける。曲面反射部の裏側にもUV光を照射することができる。
<Modification 3>
A modification example (modification example 3) of the display device according to Example 1, Modification Example 1 and Modification Example 2 will be described with reference to FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view of a curved reflection portion of a display device according to Modification 3. The curved
<変形例4>
実施例1、変形例1および変形例2に係る表示装置の変形例(変形例4)について、図9を用いて説明する。
図9は変形例4に係る表示装置の曲面反射部の断面図である。実施例1、変形例1および変形例2に係る表示装置の曲面反射部41a、41b、61b、71bは断面視で半リング形状をしていたが、変形例4では曲面反射部のアクティブ領域13側の金属を除去する。アクティブ領域13に有害なUV光の迷光を低減することができる。
<Modification 4>
A modification (Modification 4) of the display device according to Example 1, Modification 1 and Modification 2 will be described with reference to FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a curved reflecting portion of a display device according to Modification 4. The curved
実施例2に係る表示装置について、図10を用いて説明する。
図10は実施例2に係る表示装置のシール領域を示す図であり、(a)はシール領域のTFT基板側から見た平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線におけるシール領域の断面図である。
実施例2に係る表示装置10Fには、シール材15に接する有機感光性層間膜17の上あって、配線14aの孔状の開口部21aには穴状の曲面散乱・屈折部41Aaが、配線14aの端部の外側に隣接する部分には配線端と平行に溝状の曲面散乱・屈折部41Abが設置されている。穴状の曲面散乱・屈折部41Aaは、平面視で楕円形状、断面視で半リング形状である。溝状の曲面散乱・屈折部41Abは、平面視で長方形形状、断面視で半リング形状である。曲面散乱・屈折部41Aa、41Abには、屈折率2程度のSiNやITO等のUV光を散乱する材料を用いる。ここで、シール材の幅は500μm、配線14の幅は200μm、開口部21aの大きさは10μm×5μm、曲面散乱・屈折部41Aaの大きさは8μm×4μm、曲面散乱・屈折部41Abの幅は30μmである。
A display device according to Example 2 will be described with reference to FIG.
10A and 10B are diagrams illustrating a seal region of the display device according to the second embodiment, in which FIG. 10A is a plan view of the seal region viewed from the TFT substrate side, and FIG. 10B is a line AA ′ illustrated in FIG. It is sectional drawing of the seal | sticker area | region in.
In the
次に実施例2に係る表示装置の曲面反射部を製造する方法について、図11A〜図11Fを用いて説明する。
図11A、図11B、図11C、図11D、図11E、図11Fは、実施例2に係る表示装置の曲面反射部を製造する方法を示す断面図である。
図11Aに示すように、配線14aの上に有機感光性層間膜17を形成する。有機感光性層間膜17をUV光52でハーフトーン露光し(図11B)、現像、メルトベーク、ポストベークして、有機感光性層間膜17に穴51aおよび溝51bを形成する(図11C)。図11Dに示すように、穴51aおよび溝51bを形成した有機感光性層間膜17上のSiNまたはITO53Aを成膜する。リソグラフィでレジストパターン54を形成し(図11E)、エッチングおよびレジスト除去して穴状の曲面散乱・屈折部41Aaおよび溝状の曲面散乱・屈折部41Abを形成する(図11F)
<変形例5>
実施例2に係る表示装置の変形例(変形例5)について、図12を用いて説明する。
図12は変形例5に係る表示装置のシール領域を示す図であり、(a)はシール領域のTFT基板側から見た平面図、(b)は(a)に示されるA−A’線におけるシール領域の断面図である。
変形例5に係る表示装置10Gには、シール材15に接する有機感光性層間膜17の上あって、配線14bのスリット状の開口部21bにはスリットの長手方向と平行に溝状の曲面散乱・屈折部61Abが、配線14bの端部の外側に隣接する部分には配線端と平行に溝状の曲面散乱・屈折部41Abが設置されている。溝状の曲面散乱・屈折部61Abは、曲面散乱・屈折部41Abと同様に、平面視で長方形形状、断面視で半リング形状である。曲面散乱・屈折部61Abには、曲面散乱・屈折部41Abと同様に、屈折率2程度のSiNやITO等のUV光を散乱する材料を用いる。
Next, a method for manufacturing the curved reflecting portion of the display device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 11A to 11F.
11A, 11B, 11C, 11D, 11E, and 11F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the curved reflecting portion of the display device according to the second embodiment.
As shown in FIG. 11A, an organic
<Modification 5>
A modification (modification 5) of the display device according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
12A and 12B are diagrams showing a seal region of a display device according to the modification 5. FIG. 12A is a plan view of the seal region viewed from the TFT substrate side, and FIG. 12B is a line AA ′ shown in FIG. It is sectional drawing of the seal | sticker area | region in.
The
<変形例6>
実施例2に係る表示装置の変形例(変形例6)について、図13を用いて説明する。
図13は変形例6に係る表示装置のシール領域のTFT基板側から見た平面図である。
変形例6に係る表示装置10Hは、変形例5に係る表示装置10Gの配線14bのスリット状の開口部21bを穴状の開口部21cに替えて、開口部21cの長手方向と平行に溝状の曲面散乱・屈折部71Abを設置したものである。溝状の曲面散乱・屈折部71Abは、平面視で長方形形状、断面視で半リング形状である。曲面散乱・屈折部71Abには、屈折率2程度のSiNやITO等のUV光を散乱する材料を用いる。
<Modification 6>
A modification (modification 6) of the display device according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 13 is a plan view of the seal region of the display device according to the modification 6 as viewed from the TFT substrate side.
In the
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, examples, and modifications. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, examples, and modifications. It goes without saying that various changes can be made.
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H・・・表示装置
11・・・TFT基板
12・・・対向基板
13・・・アクティブ領域
13o・・・アクティブ領域外端
14、14a、14b・・・配線
14A・・・配線領域
15・・・シール材
15A・・・シール領域
15i・・・シール領域の内端
15o・・・シール領域の外端
16・・・最外周の遮光層(ブラックマトリクス)
17・・・有機感光性層間膜
18・・・配線
19・・・液晶層
20・・・フォトスペーサ(柱スペーサ)
21a、21b・・・開口部
22・・・UV光
23・・・UV光未照射領域
31a・・・反射部
31b・・・反射部
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G, 10H...
17 ... Organic
21a, 21b ... opening 22 ... UV light 23 ... UV light
Claims (18)
第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板と第2基板を貼り合わせるシール材と、
を備え、
前記第1基板は開口部を有する配線層を備え、
前記第2基板は遮光層を備え、
前記配線層は、平面視で前記シール材と重なる領域を有し、
前記配線層の端部または前記配線層の開口部において、前記配線層と前記遮光層とに挟まれる領域に、反射部または散乱・屈折部を有する。 The display device
A first substrate;
A second substrate;
A sealing material for bonding the first substrate and the second substrate;
With
The first substrate includes a wiring layer having an opening,
The second substrate includes a light shielding layer;
The wiring layer has a region overlapping the sealing material in plan view,
A reflection part or a scattering / refractive part is provided in a region sandwiched between the wiring layer and the light-shielding layer at the end of the wiring layer or the opening of the wiring layer.
前記配線層の端部は溝状の曲面反射部を有し、
前記配線層の開口部は穴状の曲面反射部を有する。 The display device according to claim 1.
The end portion of the wiring layer has a groove-like curved reflection portion,
The opening of the wiring layer has a hole-like curved reflecting portion.
前記配線層の端部には溝状の曲面反射部を有し、
前記配線層の開口部には溝状の曲面反射部を有する。 The display device according to claim 1.
An end portion of the wiring layer has a groove-like curved reflection portion,
The opening of the wiring layer has a groove-like curved reflecting portion.
前記配線層の開口部はスリット形状である。 The display device according to claim 3.
The opening of the wiring layer has a slit shape.
前記配線層の開口部は孔形状である。 The display device according to claim 3.
The opening of the wiring layer has a hole shape.
前記曲面反射部は頂部に開口部を有する。 The display device according to claim 2.
The curved reflecting portion has an opening at the top.
前記曲面反射部のアクフィブ領域側は開口部を有する。 The display device according to claim 2.
An active region side of the curved reflecting portion has an opening.
前記配線層の端部は溝状の曲面散乱・屈折部を有し、
前記配線層の開口部は穴状の曲面散乱・屈折部を有する。 The display device according to claim 1.
The end portion of the wiring layer has a groove-like curved scattering / refracting portion,
The opening of the wiring layer has a hole-like curved scattering / refracting portion.
前記配線層の端部には溝状の曲面散乱・屈折部を有し、
前記配線層の開口部には溝状の曲面散乱・屈折部を有する。 The display device according to claim 1.
The end of the wiring layer has a groove-like curved scattering / refracting part,
The opening of the wiring layer has a groove-like curved scattering / refracting portion.
前記配線層の開口部はスリット形状である。 The display device according to claim 9.
The opening of the wiring layer has a slit shape.
前記配線層の開口部は孔形状である。 The display device according to claim 9.
The opening of the wiring layer has a hole shape.
前記配線層と前記シール材の間に有機性感光層間膜を有し、
前記反射部または散乱・屈折部は前記有機性感光層間膜上に形成される。 The display device according to claim 1.
An organic photosensitive interlayer film between the wiring layer and the sealing material;
The reflection part or the scattering / refracting part is formed on the organic photosensitive interlayer film.
前記配線層は、平面視で前記シール材が配置される領域内にある。 The display device according to claim 1.
The wiring layer is in a region where the sealing material is disposed in a plan view.
前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層がある。 The display device according to claim 1.
There is a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate.
(a)配線層の上に有機感光性層間膜を形成する工程と、
(b)前記有機感光性層間膜に穴を形成する工程と、
(c)前記穴を形成した有機感光性層間膜上に金属またはSiNまたはITOを成膜する工程と、
(d)前記金属またはSiNまたはITOをパターニングして、穴状の曲面反射部または曲面散乱部を形成する工程と、
を有する。 The manufacturing method of the display device is as follows:
(A) forming an organic photosensitive interlayer film on the wiring layer;
(B) forming a hole in the organic photosensitive interlayer film;
(C) forming a metal, SiN or ITO on the organic photosensitive interlayer film in which the hole is formed;
(D) patterning the metal or SiN or ITO to form a hole-like curved reflection portion or curved scattering portion;
Have
前記(b)工程で、前記有機感光性層間膜に溝を形成し、
前記(c)工程で、前記溝を形成した有機感光性層間膜上に金属またはSiNまたはITOを成膜し、
前記(d)工程で、前記金属またはSiNまたはITOをパターニングして、溝状の曲面反射部または曲面散乱部を形成する。 In the manufacturing method of the display device according to claim 15,
In the step (b), a groove is formed in the organic photosensitive interlayer film,
In the step (c), a metal, SiN, or ITO is formed on the organic photosensitive interlayer film in which the groove is formed,
In the step (d), the metal, SiN, or ITO is patterned to form a groove-like curved reflecting portion or curved scattering portion.
前記有機感光性層間膜に穴はハーフトーン露光で形成する。 In the manufacturing method of the display device according to claim 15,
Holes are formed in the organic photosensitive interlayer film by halftone exposure.
前記有機感光性層間膜に溝はハーフトーン露光で形成する。 In the manufacturing method of the display device according to claim 16,
Grooves are formed in the organic photosensitive interlayer film by halftone exposure.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106249487A (en) * | 2016-08-19 | 2016-12-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | A kind of color membrane substrates and display device |
WO2021120104A1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1185057A (en) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Color liquid crystal panel and its production |
JP2001075091A (en) * | 1999-07-07 | 2001-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semitransmitting liquid crystal display device |
JP2001222017A (en) * | 1999-05-24 | 2001-08-17 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
US6284087B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | Method and system for curing an ultra-violet curable sealant that is shadowed by metallization |
JP2004199050A (en) * | 2002-12-06 | 2004-07-15 | Citizen Watch Co Ltd | Reflective substrate and liquid crystal display panel using the same |
JP2004310038A (en) * | 2002-11-27 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
JP2006091813A (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | Display device and method of manufacturing the same |
WO2007007689A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
WO2007086159A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, method for manufacturing display device, substrate and color filter substrate |
JP2009080385A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device, manufacturing method for the electrooptical device and projection-type display device |
JP2011033688A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Casio Computer Co Ltd | Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same |
US20120033150A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method of fabricating the same |
US20120099057A1 (en) * | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2012176725A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display panel |
-
2013
- 2013-10-29 JP JP2013224597A patent/JP2015087480A/en active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1185057A (en) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Color liquid crystal panel and its production |
JP2001222017A (en) * | 1999-05-24 | 2001-08-17 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
JP2001075091A (en) * | 1999-07-07 | 2001-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semitransmitting liquid crystal display device |
US6284087B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | Method and system for curing an ultra-violet curable sealant that is shadowed by metallization |
JP2004310038A (en) * | 2002-11-27 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display device and its manufacturing method |
JP2004199050A (en) * | 2002-12-06 | 2004-07-15 | Citizen Watch Co Ltd | Reflective substrate and liquid crystal display panel using the same |
JP2006091813A (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | Display device and method of manufacturing the same |
WO2007007689A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing same |
WO2007086159A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, method for manufacturing display device, substrate and color filter substrate |
JP2009080385A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device, manufacturing method for the electrooptical device and projection-type display device |
JP2011033688A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Casio Computer Co Ltd | Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same |
US20120033150A1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-02-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method of fabricating the same |
US20120099057A1 (en) * | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2012176725A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display panel |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106249487A (en) * | 2016-08-19 | 2016-12-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | A kind of color membrane substrates and display device |
WO2021120104A1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device |
CN113287062A (en) * | 2019-12-19 | 2021-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, preparation method thereof and display device |
US11378846B2 (en) * | 2019-12-19 | 2022-07-05 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate, manufacturing method thereof and display device |
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